KR20210005402A - 표시패널 - Google Patents
표시패널 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20210005402A KR20210005402A KR1020190080777A KR20190080777A KR20210005402A KR 20210005402 A KR20210005402 A KR 20210005402A KR 1020190080777 A KR1020190080777 A KR 1020190080777A KR 20190080777 A KR20190080777 A KR 20190080777A KR 20210005402 A KR20210005402 A KR 20210005402A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- color
- layer
- color control
- control layer
- light
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 82
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 57
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 50
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 28
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 13
- 238000005192 partition Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 218
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 21
- 101100501429 Oryza sativa subsp. japonica ENL1 gene Proteins 0.000 description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- JYBNOVKZOPMUFI-UHFFFAOYSA-N n-(3-hydroxy-2-methyl-3,4-diphenylbutyl)-n-methylpropanamide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)(C(C)CN(C)C(=O)CC)CC1=CC=CC=C1 JYBNOVKZOPMUFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- -1 silicon oxy nitride Chemical class 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000764773 Inna Species 0.000 description 1
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005642 SnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 description 1
- 239000002064 nanoplatelet Substances 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H01L27/322—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H01L27/3211—
-
- H01L51/5237—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
표시패널은 소스광을 생성하는 발광소자를 포함하는 하부 표시기판 및 제1, 제2 및 제3 화소 영역과 상기 제1, 제2 및 제3 화소 영역에 인접한 주변영역을 포함하는 상부 표시기판을 포함한다. 상기 상부 표시기판은, 베이스 기판, 상기 베이스 기판의 하면 상에 배치되고, 상기 주변영역에 중첩하며 상기 제1, 제2, 및 제3 화소 영역에 각각 대응하는 제1, 제2, 및 제3 개구부가 정의된 제1 분할패턴, 상기 베이스 기판의 하면 상에 배치되고, 상기 제1, 제2 및 제3 화소 영역에 각각 중첩하는 제1, 제2 및 제3 컬러필터, 상기 제1, 제2 및 제3 컬러필터 상에 각각 대응하게 배치된 제1, 제2, 및 제3 컬러제어층, 및 상기 제2 컬러제어층을 커버하고, 상기 제1 및 제3 컬러제어층 중 적어도 하나를 노출시키는 봉지 무기층을 포함한다.
Description
본 발명은 표시패널에 관한 것으로, 좀 더 상세히는 양자점층 및 이를 봉지하는 무기층을 포함하는 표시패널에 관한 것이다.
표시패널은 광원으로부터 생성된 소스광을 선택적으로 투과시키는 투과형 표시패널과 표시패널 자체에서 소스광을 생성하는 발광형 표시패널을 포함한다. 표시패널은 컬러 이미지를 생성하기 위해 화소들에 따라 다른 종류의 컬러제어층을 포함할 수 있다. 컬러제어층은 소스광의 일부 파장범위만 투과시키거나, 소스광의 컬러를 변환시킬 수 있다. 일부의 컬러제어층은 소스광의 컬러는 변경하지 않고, 광의 특성을 변경시킬 수도 있다.
본 발명은 수명이 향상되고, 출광효율이 향상된 표시패널을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널은 소스광을 생성하는 발광소자를 포함하는 하부 표시기판 및 제1, 제2 및 제3 화소 영역과 상기 제1, 제2 및 제3 화소 영역에 인접한 주변영역을 포함하는 상부 표시기판을 포함한다. 상기 상부 표시기판은, 베이스 기판, 상기 베이스 기판의 하면 상에 배치되고, 상기 주변영역에 중첩하며 상기 제1, 제2, 및 제3 화소 영역에 각각 대응하는 제1, 제2, 및 제3 개구부가 정의된 제1 분할패턴(partitioner), 상기 베이스 기판의 하면 상에 배치되고, 상기 제1, 제2 및 제3 화소 영역에 각각 중첩하는 제1, 제2 및 제3 컬러필터, 상기 제1, 제2 및 제3 컬러필터 상에 각각 대응하게 배치된 제1, 제2, 및 제3 컬러제어층, 및 상기 제2 컬러제어층을 커버하고, 상기 제1 및 제3 컬러제어층 중 적어도 하나를 노출시키는 봉지 무기층을 포함한다.
상기 베이스 기판의 하면 상에 배치되고, 상기 제1 분할패턴, 상기 제1, 제2 및 제3 컬러필터 상에 배치된 제1 무기층을 더 포함한다.
상기 봉지 무기층은 상기 제1 무기층과 접촉하며 상기 제2 컬러제어층은 상기 제1 무기층과 상기 봉지 무기층에 의해 밀봉될 수 있다.
상기 제1 컬러제어층 및 상기 제3 컬러제어층은 상기 봉지 무기층에 접촉할 수 있다.
상기 제1 컬러제어층, 상기 제3 컬러제어층, 및 상기 봉지 무기층 상에 배치된 제2 무기층을 더 포함하고, 상기 제2 무기층은 상기 봉지 무기층에 접촉할 수 있다.
상기 소스광은 제3 색광이고, 상기 제1 컬러제어층은 상기 제3 색광을 제1 색광으로 변환시키고, 상기 제2 컬러제어층은 상기 제3 색광을 제2 색광으로 변환시키고, 상기 제3 컬러제어층은 상기 제3 색광을 투과시키고, 상기 제1 컬러필터는 상기 제1 색광을 투과시키고, 상기 제2 컬러필터는 상기 제2 색광을 투과시키고, 상기 제3 컬러필터는 상기 제3 색광을 투과시킬 수 있다.
상기 제1 컬러제어층은 베이스 수지 및 상기 베이스 수지에 혼합된 제1 양자점을 포함하고, 상기 제2 컬러제어층은 베이스 수지 및 상기 베이스 수지에 혼합된 제2 양자점을 포함하고, 상기 제2 컬러제어층에 대한 상기 제2 양자점의 중량%는 상기 제1 컬러제어층에 대한 상기 제1 양자점의 중량%보다 클 수 있다.
상기 제1 컬러제어층은 베이스 수지 및 상기 베이스 수지에 혼합된 제1 양자점을 포함하고, 상기 제2 컬러제어층은 베이스 수지 및 상기 베이스 수지에 혼합된 제2 양자점을 포함하고, 상기 제2 컬러제어층 내 상기 제2 양자점의 부피당 입자수는 상기 제1 컬러제어층 내 상기 제1 양자점의 부피당 입자수보다 클 수 있다.
상기 제1 분할패턴은 블랙 성분을 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판의 하면 상에 배치되고, 상기 제1 분할패턴에 중첩하며 적어도 상기 제1 및 제2 화소 영역에 각각 대응하는 제1 및 제2 개구부가 정의된 제2 분할패턴을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 분할패턴은 상기 제3 색광을 투과시키고, 상기 제3 컬러필터와 일체의 형상을 가질 수 있다.
상기 제2 분할패턴은 상기 제1 분할패턴보다 상기 베이스 기판에 더 인접하게 배치될 수 있다.
상기 제1, 제2, 및 제3 컬러제어층은 상기 주변영역 내에서 소정의 간격을 두고 서로 이격될 수 있다.
상기 주변 영역 내에서 상기 소정의 간격 사이에 배치된 제3 분할패턴을 더 포함할 수 있다.
상기 발광소자는 상기 제1, 제2 및 제3 화소 영역 각각에 대응하게 배치된 제1, 제2, 및 제3 발광소자를 포함할 수 있다. 상기 제1, 제2 및 제3 발광소자의 발광층은 일체의 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 상부 표시기판은, 베이스 기판, 상기 베이스 기판의 하면 상에 배치되고, 상기 주변영역 및 상기 제3 화소 영역에 중첩하며 상기 제1 및 제2 화소 영역에 각각 대응하는 제1 및 제2 개구부가 정의된 컬러패턴, 상기 베이스 기판의 하면 상에 배치되고, 상기 제1 및 제2 화소 영역에 각각 중첩하는 제1 및 제2 컬러필터, 상기 제1 및 제2 컬러필터 및 상기 컬러패턴 상에 각각 대응하게 배치된 제1, 제2, 및 제3 컬러제어층 및 상기 제2 컬러제어층을 커버하는 봉지 무기층을 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판의 하면 상에 배치되고, 상기 제1, 제2, 및 제3 화소 영역에 각각 대응하는 제1, 제2, 및 제3 개구부가 정의된 분할패턴(partitioner)을 더 포함할 수 있다.
상기 컬러패턴은 상기 소스광과 동일한 컬러이고, 상기 분할패턴은 블랙컬러일 수 있다.
상기 컬러패턴은 상기 제2 개구부를 정의하는 내측엣지를 포함할 수 있다. 상기 베이스 기판의 상기 하면에 평행한 기준선 상에서 상기 내측 엣지와 상기 봉지 무기층 사이의 거리는 12 마이크로미터 이하일 수 있다.
상기 제1 컬러제어층, 상기 제3 컬러제어층, 및 상기 봉지 무기층을 커버하는 무기층을 더 포함할 수 있다. 상기 봉지 무기층은 상기 무기층에 접촉할 수 있다.
상술한 바에 따르면, 봉지 무기층은 경시변화가 상대적으로 큰 컬러제어층을 커버한다. 따라서 특정 컬러제어층의 경시변화를 늦출 수 있다. 기본색들(Primary colors)의 경시 변화의 편차를 최소화함으로써 표시품질을 향상시킬 수 있다.
봉지 무기층은 컬러제어층에서 생성된 광을 전반사시킴으로써 특정 컬러 광의 출광효율을 향상시킬 수 있다. 그에 따라 기본색들(Primary colors)의 휘도차를 최소화할 수 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 사시도이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 평면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 표시 영역의 평면도이다.
도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 표시 영역의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역에 대응하는 상부 표시기판의 평면도이다.
도 5 내지 도 7는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역에 대응하는 상부 표시기판의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역에 대응하는 상부 표시기판의 평면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역에 대응하는 상부 표시기판의 단면도이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 평면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 표시 영역의 평면도이다.
도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 표시 영역의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역에 대응하는 상부 표시기판의 평면도이다.
도 5 내지 도 7는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역에 대응하는 상부 표시기판의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역에 대응하는 상부 표시기판의 평면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역에 대응하는 상부 표시기판의 단면도이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 “상에 있다”, “연결 된다”, 또는 “결합된다”고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. “및/또는”은 연관된 구성요소들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, “아래에”, “하측에”, “위에”, “상측에” 등의 용어는 도면에 도시된 구성요소들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하 는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의된다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1a는 본 발명의 실시예에 따른 표시패널(DP)의 사시도이다. 도 1b는 본 발명의 실시예에 따른 표시패널(DP)의 단면도이다. 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 표시패널(DP)의 평면도이다.
도 1a 내지 도 2를 참조하면, 표시패널(DP)은 액정 표시 패널(liqid crystal display panel), 전기영동 표시 패널(electrophoretic display panel), MEMS 표시 패널(microelectromechanical system display panel) 및 일렉트로웨팅 표시 패널(electrowetting display panel), 및 유기발광표시패널(organic light emitting display panel) 중 어느 하나 일 수 있고, 특별히 제한되지 않는다.
별도로 도시하지 않았으나, 표시패널(DP)는 샤시부재 또는 몰딩부재를 더 포함할 수 있고, 표시패널(DP)의 종류에 따라 백라이트 유닛을 더 포함할 수 있다.
표시패널(DP)은 제1 표시기판(100, 또는 하부 표시기판) 및 제1 표시기판(100) 마주하며 이격된 제2 표시기판(200, 또는 상부 표시기판)을 포함할 수 있다. 제1 표시기판(100)과 제2 표시기판(200) 사이에는 소정의 셀갭이 형성될 수 있다. 셀갭은 제1 표시기판(100)과 제2 표시기판(200)을 결합하는 실런트(SLM)에 의해 유지될 수 있다. 제1 표시기판(100)과 제2 표시기판(200) 사이에는 이미지 생성을 위한 계조표시층이 배치될 수 있다. 계조표시층은 표시패널의 종류에 따라 액정층, 유기발광층, 전기영동층을 포함할 수 있다.
도 1a에 도시된 것과 같이, 표시패널(DP)은 표시면(DP-IS)을 통해 이미지를 표시할 수 있다. 도 1b에 도시된 제2 표시기판(200)의 외면(200-OS)이 표시면(DP-IS)으로 정의될 수 있다.
표시면(DP-IS)은 제1 방향축(DR1) 및 제2 방향축(DR2)이 정의하는 면과 평행한다. 표시면(DP-IS)은 표시영역(DA)과 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시영역(DA)에는 화소(PX)가 배치되고, 비표시영역(NDA)에는 화소(PX)가 미배치된다. 비표시영역(NDA)은 표시면(DP-IS)의 테두리를 따라 정의된다. 표시영역(DA)은 비표시영역(NDA)에 의해 에워싸일수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 비표시영역(NDA)은 생략되거나 표시영역(DA)의 일측에만 배치될 수도 있다.
표시면(DP-IS)의 법선 방향, 즉 표시패널(DP)의 두께 방향은 제3 방향축(DR3)이 지시한다. 이하에서 설명되는 각 층들 또는 유닛들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향축(DR3)에 의해 구분된다. 그러나, 본 실시예에서 도시된 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3)은 예시에 불과하다. 이하, 제1 내지 제3 방향들은 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3) 각각 이 지시하는 방향으로써 정의되고, 동일한 도면 부호를 참조한다.
본 발명의 일 실시예에서 평면형 표시면(DP-IS)을 구비한 표시패널(DP)을 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 표시패널(DP)는 곡면형 표시면 또는 입체형 표시면을 포함할 수도 있다. 입체형 표시면은 서로 다른 방향을 지시하는 복수 개의 표시영역들을 포함할 수도 있다.
도 2는 신호라인들(GL1~GLn, DL1~DLm) 및 화소들(PX11~PXnm)의 평면상 배치관계를 도시하였다. 신호라인들(GL1~GLn, DL1~DLm)은 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn), 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm)을 포함할 수 있다.
화소들(PX11~PXnm) 각각은 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn) 중 대응하는 게이트 라인과 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm) 중 대응하는 데이터 라인에 연결된다. 화소들(PX11~PXnm) 각각은 화소 구동회로 및 표시소자를 포함할 수 있다. 화소들(PX11~PXnm)의 화소 구동회로의 구성에 따라 더 많은 종류의 신호라인이 표시패널(DP)에 구비될 수 있다.
매트릭스 형태의 화소들(PX11~PXnm)을 예시적으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 화소들(PX11~PXnm)은 펜타일 형태로 배치될 수 있다. 화소들(PX11~PXnm)은 다이아몬드 형태로 배치될 수 있다. 게이트 구동회로(GDC)는 OSG(oxide silicon gate driver circuit) 또는 ASG(amorphose silicon gate driver circuit) 공정을 통해 표시패널(DP)에 집적화될 수 있다.
도 3a는 본 발명의 실시예에 따른 표시패널(DP)의 표시 영역(DA)의 평면도이다. 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 표시패널(DP)의 단면도이다. 도 3a은 복수 개의 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 도 1b에 표시된 제2 표시기판(200)의 외면(200-OS) 상에서 바라본 형태로 도시하였다. 2개의 화소행(PLX)에 포함된 6개의 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 예시적으로 도시하였다. 도 3b는 도 3a의 I-I'에 대응하는 단면을 도시하였다.
본 실시예에서 도 3a에 도시된 3종의 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 표시영역(DA) 전체에 반복적으로 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 주변에는 주변영역(NPXA)이 배치된다. 주변영역(NPXA)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 경계를 설정하며, 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 사이의 혼색을 방지한다.
본 실시예에서 평면상 면적이 서로 동일한 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 예시적으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 중 적어도 2 이상의 면적은 서로 다를 수도 있다. 평면상 코너 영역이 둥근 직사각형상인 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 도시하였으나 이에 제한되지 않는다. 평면상에서 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 마름모 또는 오각형과 같은 다른 형상의 다각형상을 가질 수 있다.
제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 중 하나는 소스광에 대응하는 제3 색광을 제공하고, 다른 하나는 제3 색광과 다른 제1 색광을 제공하고, 남은 다른 하나는 제3 색광 및 제1 색광과 다른 제2 색광을 제공한다. 본 실시예에서 제3 화소 영역(PXA-B)은 제3 색광을 제공한다. 본 실시예에서 제1 화소 영역(PXA-R)은 레드광을 제공하고, 제2 화소 영역(PXA-G)은 그린광을 제공하고, 제3 화소 영역(PXA-B)은 블루광을 제공할 수 있다.
도 3b를 참조하면, 구동 트랜지스터(T-D)와 발광소자(OLED)에 대응하는 단면을 예시적으로 도시하였다. 상부 표시기판(200)과 하부 표시기판(100)은 소정의 갭(GP)을 형성할 수 있다.
도 3b에 도시된 것과 같이, 하부 표시기판(100)은 제1 베이스 기판(BS1), 제1 베이스 기판(BS1) 상에 배치된 회로 소자층(DP-CL), 회로 소자층(DP-CL) 상에 배치된 표시 소자층(DP-OLED), 표시 소자층(DP-OLED), 및 상부 절연층(TFL)을 포함한다.
제1 베이스 기판(BS1)은 합성수지기판 또는 유리기판을 포함할 수 있다. 회로 소자층(DP-CL)은 적어도 하나의 절연층과 회로 소자를 포함한다. 회로 소자는 신호라인, 화소의 구동회로 등을 포함한다. 코팅, 증착 등에 의한 절연층, 반도체층 및 도전층 형성공정과 포토리소그래피 공정에 의한 절연층, 반도체층 및 도전층의 패터닝 공정을 통해 회로 소자층(DP-CL)이 형성될 수 있다.
본 실시예에서 회로 소자층(DP-CL)은 버퍼막(BFL), 제1 절연층(10), 제2 절연층(20), 제3 절연층(30)을 포함할 수 있다. 예컨대, 버퍼막(BFL), 제1 절연층(10) 및 제2 절연층(20)은 무기층이고, 제3 절연층(30)은 유기막일 수 있다.
도 3b에는 구동 트랜지스터(T-D)를 구성하는 액티브(A-D), 소오스(S-D), 드레인(D-D), 게이트(G-D)의 배치관계가 예시적으로 도시되었다. 액티브(A-D), 소오스(S-D), 드레인(D-D)은 반도체 패턴의 도핑 농도 또는 전도성에 따라 구분되는 영역일 수 있다.
표시 소자층(DP-OLED)은 발광소자(OLED)를 포함한다. 발광소자(OLED)는 상술한 소스광을 생성할 수 있다. 발광소자(OLED)는 제1 전극, 제2 전극, 및 이들 사이에 배치된 발광층을 포함한다. 본 실시예에서 표시 소자층(DP-OLED)은 발광소자로써 유기발광 다이오드를 포함할 수 있다. 표시 소자층(DP-OLED)은 화소 정의막(PDL)을 포함한다. 예컨대, 화소 정의막(PDL)은 유기층일 수 있다
제3 절연층(30) 상에 제1 전극(AE)이 배치된다. 제1 전극(AE)은 구동 트랜지스터(T-D)와 직접 또는 간접적으로 연결되고, 도 3b에서 제1 전극(AE)과 구동 트랜지스터(T-D)의 연결구조는 미도시 하였다. 화소 정의막(PDL)에는 개구부(OP)가 정의된다. 화소 정의막(PDL)의 개구부(OP)는 제1 전극(AE)의 적어도 일부분을 노출시킨다.
정공 제어층(HCL), 발광층(EML), 전자 제어층(ECL)은 화소 영역(PXA-G)과 주변영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 정공 제어층(HCL), 발광층(EML), 전자 제어층(ECL)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B, 도 3a 참조)에 공통적으로 배치될 수 있다.
정공 제어층(HCL)은 정공 수송층을 포함하고, 정공 주입층을 더 포함할 수 있다. 발광층(EML)은 블루광을 생성할 수 있다. 블루광은 410nm 내지 480 nm 파장을 포함할 수 있다. 블루광의 발광 스펙트럼은 440nm 내지 460 nm 내에서 최대 피크를 가질 수 있다. 전자 제어층(ECL)은 전자 수송층을 포함하고, 전자 주입층을 더 포함할 수 있다. 발광층(EML)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 공통적으로 배치되거나, 독립적으로 배치될 수 있다. 독립적으로 배치된다는 것은 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)마다 발광층(EML)이 분리된 것을 의미한다. 전자 제어층(ECL) 상에 제2 전극(CE)이 배치된다. 제2 전극(CE)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 공통적으로 배치될 수 있다.
제2 전극(CE) 상에 제2 전극(CE)을 보호하는 상부 절연층(TFL)이 배치될 수 있다. 상부 절연층(TFL)은 유기물질 또는 무기물질을 포함할 수 있다. 상부 절연층(TFL)은 무기층/유기층이 반복되는 다층 구조를 가질 수 있다. 상부 절연층(TFL)은 무기층/유기층/무기층의 밀봉 구조를 가질 수 있다. 상부 절연층(TFL)은 출광효율을 향상시키기 위한 굴절률 제어층을 더 포함할 수 있다.
하부 표시기판(100)은 도 3a에 도시된 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 대응하는 제1, 제2 및 제3 표시소자들을 포함할 수 있다. 제1, 제2 및 제3 표시소자들의 적층구조는 서로 동일하고, 도 3b에 도시된 발광소자(OLED)의 적층구조를 가질 수 있다.
도 3b에 도시된 것과 같이, 상부 표시기판(200)은 제2 베이스 기판(BS2), 제2 베이스 기판(BS2)의 하면 상에 배치된 분할패턴(BM), 컬러필터(CF-G), 및 컬러제어층(CCF-G)을 포함할 수 있다. 또한, 상부 표시기판(200)은 복수 개의 봉지층들(ENL1, ENL2, ENL-G)을 더 포함할 수 있다.
제2 베이스 기판(BS2)은 합성수지기판 또는 유리기판을 포함할 수 있다. 제2 베이스 기판(BS2)에 하면 상에 분할패턴(BM)이 배치된다. 분할패턴(BM)은 주변영역(NPXA)에 배치된다. 실절적으로 분할패턴(BM)에는 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각에 대응하는 개구부(BM-OP)가 정의된다. 본 실시예에서 화소 영역(PXA-G)은 분할패턴(BM)의 개구부(BM-OP)에 대응하게 정의되었다.
본 실시예에서 분할패턴(BM)은 블랙컬러를 갖는 패턴으로, 블랙 매트릭스일 수 있다. 분할패턴(BM)은 블랙 성분(black coloring agent)을 포함할 수 있다. . 블랙 성분은 블랙 염료, 블랙 안료를 포함할 수 있다. 블랙 성분은 카본 블랙, 크롬과 같은 금속 또는 이들의 산화물을 포함할 수 있다.
분할패턴(BM)에 형성되는 개구부(BM-OP)는 분할패턴(BM)의 광학 성질에 따라 다르게 정의될 수 있다. 본 실시예와 같이 가시광선의 전 파장대를 대부분 차단하는 분할패턴(BM)에는 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각에 대응하는 개구부(BM-OP)가 정의된다. 그러나, 특정 컬러광(예컨대, 레드광, 그린광, 또는 블루광)을 중 어느 하나 이상을 투과시키는 분할패턴(BM)에는 더 적은 개수의 개구부(BM-OP)가 정의될 수 있다.
베이스 기판(BS2)의 하면 상에 컬러필터(CF-G)가 배치된다. 컬러필터(CF-G)는 베이스 수지 및 베이스 수지에 분산된 염료 및/또는 안료를 포함한다. 베이스 수지는 염료 및/또는 안료가 분산되는 매질로서, 일반적으로 바인더로 지칭될 수 있는 다양한 수지 조성물로 이루어질 수 있다. 컬러필터(CF-G)는 화소 영역(PXA-G)에 중첩한다. 컬러필터(CF-G)의 엣지영역은 주변영역(NPXA)에 중첩할 수도 있다. 분할패턴(BM)의 일부분은 컬러필터(CF-G)와 베이스 기판(BS2)의 하면 사이에 배치될 수 있다.
컬러필터(CF-G)의 하측에 제1 봉지층(ENL1, encapsulation layer)이 배치된다. 제1 봉지층(ENL1)은 컬러필터(CF-G)를 밀봉한다. 제1 봉지층(ENL1)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 공통적으로 배치될 수 있다.
제1 봉지층(ENL1)은 무기층(제1 무기층으로 정의됨)을 포함할 수 있다. 제1 봉지층(ENL1)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 또는 실리콘 옥시 나이트라이드 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 제1 봉지층(ENL1)은 평탄한 하면을 제공하는 유기층을 더 포함할 수도 있다.
제1 봉지층(ENL1)의 하면 상에 컬러필터(CF-G)에 대응하도록 컬러제어층(CCF-G)이 배치된다. 본 실시예에서 컬러제어층(CCF-G)은 발광소자(OLED)에서 생성된 소스광을 흡수한 후 다른 컬러의 광을 생성할 수 있다. 컬러제어층(CCF-G)은 입사된 소스광의 일부를 투과 및 산란시킬 수도 있다.
컬러제어층(CCF-G)은 베이스 수지 및 베이스 수지에 혼합된(또는 분산된) 양자점들을 포함할 수 있다. 본 실시예에서 컬러제어층(CCF-G)은 양자점층으로 정의될 수도 있다. 베이스 수지는 양자점들이 분산되는 매질로서, 일반적으로 바인더로 지칭될 수 있는 다양한 수지 조성물로 이루어질 수 있다. 다만, 그에 제한되는 것은 아니며, 본 명세서에서 양자점들을 분산 배치시킬 수 있는 매질이면 그 명칭, 추가적인 다른 기능, 구성 물질 등에 상관없이 베이스 수지로 지칭될 수 있다. 베이스 수지는 고분자 수지일 수 있다. 예를 들어, 베이스 수지는 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 실리콘계 수지, 에폭시계 수지 등일 수 있다. 베이스 수지는 투명 수지일 수 있다.
양자점들은 입사되는 광의 파장을 변환하는 입자일 수 있다. 양자점들은 수 나노미터 크기의 결정 구조를 가진 물질로, 수백에서 수천 개 정도의 원자로 구성되며, 작은 크기로 인해 에너지 밴드 갭(band gap)이 커지는 양자 구속(quantum confinement) 효과를 나타낸다. 양자점들에 밴드 갭보다 에너지가 높은 파장의 빛이 입사하는 경우, 양자점들은 그 빛을 흡수하여 들뜬 상태로 되고, 특정 파장의 광을 방출하면서 바닥 상태로 떨어진다. 방출된 파장의 빛은 밴드 갭에 해당되는 값을 갖는다. 양자점들은 그 크기와 조성 등을 조절하면 양자 구속 효과에 의한 발광 특성을 조절할 수 있다.
양자점들은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물, AgInS, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있다.
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다.
양자점들은 코어(core)와 코어를 둘러싸는 쉘(shell)을 포함하는 코어쉘 구조일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
양자점들은 나노미터 스케일의 크기를 갖는 입자일 수 있다. 양자점들은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점들을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다.
또한, 양자점들의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노 와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다. 양자점은 입자 크기에 따라 방출하는 광의 색상을 조절 할 수 있으며, 이에 따라 양자점은 레드광, 그린광, 블루광 등 다양한 발광 색상을 가질 수 있다.
제1 봉지층(ENL1)의 하면 상에 컬러제어층(CCF-G)을 커버하는 봉지 무기층(ENL-G)이 배치된다. 봉지 무기층(ENL-G)은 수분이 컬러제어층(CCF-G)에 침투하는 것을 방지한다. 봉지 무기층(ENL-G)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 또는 실리콘 옥시 나이트라이드 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
봉지 무기층(ENL-G)은 제1 봉지층(ENL1)과 함께 컬러제어층(CCF-G)을 밀봉할 수 있다. 봉지 무기층(ENL-G)은 제1 봉지층(ENL1)과 접촉할 수 있다. 봉지 무기층(ENL-G)은 특정한 컬러제어층(CCF-G)을 밀봉하고, 주변의 컬러제어층(CCF-R, CCF-B)과 측면에서 접촉한다.
컬러제어층(CCF-R, CCF-G, CCF-B)의 하측에 제2 봉지층(ENL2)이 배치된다. 제2 봉지층(ENL2)은 컬러제어층(CCF-R, CCF-G, CCF-B)을 밀봉한다. 제2 봉지층(ENL2)은 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 공통적으로 배치될 수 있다.
제2 봉지층(ENL2)은 봉지 무기층(ENL-G)에 접촉하는 무기층을 포함할 수 있다. 무기층은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 또는 실리콘 옥시 나이트라이드 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 제2 봉지층(ENL2)은 무기층(제2 무기층으로 정의됨) 상에 배치된 유기층을 더 포함할 수 있다. 유기층은 평탄한 하면을 제공할 수 있다. 제1 봉지층(ENL1)은 실리콘 옥사이드를 포함하고, 제2 봉지층(ENL2)은 실리콘 나이트라이드를 포함할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역(DA)에 대응하는 상부 표시기판(200)의 평면도이다. 도 5 내지 도 7는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역(DA)에 대응하는 상부 표시기판(200)의 단면도이다. 도 4에서 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 대응하도록 제1 내지 제3 컬러필터(CF-R, CF-G, CF-B)의 엣지 및 제1 내지 제3 컬러제어층(CCF-R, CCF-G, CCF-B)의 엣지가 도시되었다.
도 4 및 도 5에 도시된 것과 같이, 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 대응하도록 제1 내지 제3 컬러필터(CF-R, CF-G, CF-B)가 배치된다. 제1 내지 제3 컬러필터(CF-R, CF-G, CF-B)는 서로 다른 파장대를 흡수하는 안료 및/또는 염료를 포함한다. 제1 컬러필터(CF-R)는 레드 컬러 필터이고, 제2 컬러필터(CF-G)는 그린 컬러 필터이고, 제3 컬러필터(CF-B)는 블루 컬러 필터일 수 있다.
제1 내지 제3 컬러필터(CF-R, CF-G, CF-B)는 외부 광의 반사율을 낮춘다. 제1 내지 제3 컬러필터 각각은 특정한 파장범위의 광을 투과시키고, 해당 파장범위 외의 광은 차단시킨다. 제1 내지 제3 컬러필터 각각은 해당 파장범위 외의 광은 흡수할 수 있다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 대응하도록 제1 내지 제3 컬러제어층(CCF-R, CCF-G, CCF-B)이 배치된다. 제1 컬러제어층(CCF-R)은 블루광을 흡수하여 레드광을 생성하고, 제2 컬러제어층(CCF-G)은 블루광을 흡수하여 그린광을 생성한다. 즉, 제1 컬러제어층(CCF-R)과 제2 컬러제어층(CCF-G)은 서로 다른 양자점을 포함할 수 있다. 제3 컬러제어층(CCF-B)은 블루광을 투과시킬 수 있다. 제1 내지 제3 컬러제어층(CCF-R, CCF-G, CCF-B)은 산란입자를 더 포함할 수 있다. 산란 입자는 티타늄옥사이드(TiO2) 또는 실리카계 나노 입자 등일 수 있다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 제1 내지 제3 컬러제어층(CCF-R, CCF-G, CCF-B) 중 일부에만 대응하게 봉지 무기층(ENL-G)이 배치될 수 있다. 봉지 무기층(ENL-G)은 제1 내지 제3 컬러제어층(CCF-R, CCF-G, CCF-B) 중 경시변화가 큰 컬러제어층에 대해 선택적으로 밀봉하도록 배치될 수 있다.
제1 내지 제3 컬러제어층(CCF-R, CCF-G, CCF-B)은 서로 다른 조성을 갖기 때문에 서로 다른 경시변화가 나타난다. 봉지 무기층(ENL-G)은 경시변화가 상대적으로 큰 컬러제어층을 커버함으로써 특정 컬러제어층의 경시변화를 늦출 수 있다. 기본색들(Primary colors)의 경시 변화의 편차를 최소화함으로써 표시품질을 향상시킬 수 있다.
경시변화가 상대적으로 큰 컬러제어층은 양자점의 물성에 의해 결정될 수 있다. 수분에 취약한 양자점을 갖는 컬러제어층은 경시변화가 빠르게 나타난다. 이는 특정 컬러광의 휘도저하의 결과를 가져온다.
아래의 표 1은 레드, 그린, 블루 컬러제어층(CCF-R, CCF-G, CCF-B)의 경시변화를 측정한 결과이다. 경시변화는 SCE(Specular Component Excluded) 방식으로 반사광의 컬러 변화를 통해 측정하엿다.
| 레드 컬러제어층 | 그린 컬러제어층 | 블루 컬러제어층 | |
| 88 시간 | 101% | 101% | 100% |
| 248 시간 | 101% | 99% | 96% |
| 600 시간 | 103% | 91% | 101% |
| 768 시간 | 106% | 93% | 100% |
확산 반사광의 편차가 크다는 것은 경시변화가 크다는 것을 의미하고, 표 1에 따르면 그린 컬러제어층의 경시변화가 가능 큰 것을 알 수 있다.
또한, 경시변화가 상대적으로 큰 컬러제어층은 양자점의 중량비에 의해 결정될 수 있다. 컬러제어층(CCF-R, CCF-G, CCF-B)은 베이스 수지 및 양자점을 포함하는데, 컬러제어층(CCF-G) 전체에 대한 양자점의 중량%는 컬러제어층(CCF-R, CCF-G, CCF-B)에 따라 다르다.
본 실시예서 제2 컬러제어층(CCF-G)에 대한 제2 양자점의 중량%는 제1 컬러제어층(CCF-R)에 대한 제1 양자점의 중량%보다 크다. 제3 컬러제어층(CCF-B)는 가장 낮은 중량%의 양자점을 포함하거나 양자점을 미-포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 봉지 무기층(ENL-G)에 밀봉되는 컬러제어층(CCF-G)은 다른 컬러제어층(CCF-R, CCF-B)보다 양자점의 부피당 입자수가 가장 크다.
도 6을 참조하면, 표시패널(DP)은 제1 분할패턴(BM-1)과 제2 분할패턴(BM-2)을 포함할 수 있다. 제1 분할패턴(BM-1)은 도 5의 제3 컬러필터(CF-B)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 따라서 따라서 제1 분할패턴(BM-1)은 컬러패턴으로 정의될 수도 있다. 제2 분할패턴(BM-2)은 도 5의 분할패턴(BM)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제1 분할패턴(BM-1)은 제2 베이스 기판(BS2)의 하면에 직접 형성될 수 있다. 제1 분할패턴(BM-1)에는 제1 및 제2 화소 영역들(PXA-R, PXA-G) 각각에 대응하는 개구부(BM-OP)가 정의된다. 제1 분할패턴(BM-1)은 제3 컬러필터(CF-B)과 일체의 형상을 가질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 제1 분할패턴(BM-1)과 제2 분할패턴(BM-2)의 적층 순서를 서로 바뀔 수 있다.
제2 분할패턴(BM-2)은 제1 분할패턴(BM-1)과 제2 베이스 기판(BS2) 사이에 배치될 수 있다. 제2 분할패턴(BM-2)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각에 대응하는 개구부(BM-2-OP)가 정의된다. 제1 및 제2 화소 영역들(PXA-R, PXA-G)에 대응하는 제2 분할패턴(BM-2)의 개구부(BM-2-OP)는 제1 및 제2 화소 영역들(PXA-R, PXA-G)에 대응하는 제1 분할패턴(BM-1)의 개구부(BM-1-OP)보다 큰 면적을 가질 수 있다. 제2 분할패턴(BM-2)의 복수 개의 개구부(BM-2-OP) 중 하나는 제3 화소 영역(PXA-B)을 정의할 수 있다.
도 7을 참조하면, 봉지 무기층(ENL-G)은 제2 화소 영역(PXA-G)으로부터 출력되는 광의 효율을 높일 수 있다. 제2 컬러제어층(CCF-G)의 양자점으로부터 변환된 제2 색광은 양자점으로부터 방사된다. 방사된 광은 봉지 무기층(ENL-G)에서 전반사된다. 양자점에서 방사된 광은 봉지 무기층(ENL-G)에서 반사된 후 개구부(BM-1-OP)를 통해 외부로 방출된다. 봉지 무기층(ENL-G)은 제2 컬러제어층(CCF-G)에서 방사된 광이 다른 컬러제어층(CCF-R, CCF-B)으로 누설되는 과정에서 소멸되는 것을 방지할 수 있다.
제2 화소 영역(PXA-G)에 대응하는 개구부(BM-1-OP)는 제1 분할패턴(BM-1)의 내측 엣지(BM-1-E)에 의해 정의될 수 있다. 제2 베이스 기판(BS2)의 하면에 평행한 기준선(예컨대, 도 7의 제1 방향축(DR1)) 상에서 내측 엣지(BM-1-E)와 봉지 무기층(ENL-G) 사이의 거리(D1)는 12 마이크로미터 이하일 수 있다. 도 5의 실시예에서 거리(D1)는 분할패턴(BM)의 내측 엣지를 기준으로 측정된다. 봉지 무기층(ENL-G)에서 반사된 광이 출광효율을 향상시킴으로써 경시변화에 따른 휘도저하를 보상할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역(DA)에 대응하는 상부 표시기판(200)의 평면도이다. 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역(DA)에 대응하는 상부 표시기판(200)의 단면도이다.
도 8 및 도 9는 분할패턴(BM)을 포함하는 상부 표시기판(200)을 예시적으로 도시하였고, 상부 표시기판(200)은 열 분할패턴(BM3, 또는 제3 분할패턴)을 더 포함할 수 있다. 열 분할패턴(BM3)은 화소열(PLC)을 구분한다.
본 실시예에 따르면, 제1 방향(DR1) 내에서 제1 내지 제3 컬러제어층(CCF-R, CCF-G, CCF-B)은 서로 이격된다. 제2 봉지층(ENL2)은 제1 봉지층(ENL1)과 접촉할 수 있다. 제1 및 제3 컬러제어층(CCF-R, CCF-B)은 제2 봉지층(ENL2)에 의해 밀봉되고, 제2 컬러제어층(CCF-G)은 봉지 무기층(ENL-G)과 제2 봉지층(ENL2)에 의해 이중으로 밀봉된다.
제1 내지 제3 컬러제어층(CCF-R, CCF-G, CCF-B)의 이격된 영역에 슬릿(SLT)이 정의된다. 슬릿(SLT)에 제2 봉지층(ENL2)의 일부분이 배치된다. 슬릿(SLT)에 대응하는 제2 봉지층(ENL2)의 일부분 상에 열 분할패턴(BM3)이 배치될 수 있다. 열 분할패턴(BM3)은 블랙 성분을 포함할 수 있다. 열 분할패턴(BM3)은 생략될 수도 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
CCF-R, CCF-G, CCF-B: 컬러제어층
BM: 분할패턴
DA: 표시영역
NDA: 비표시영역
PXA: 화소 영역
NPXA: 주변영역
BM: 분할패턴
DA: 표시영역
NDA: 비표시영역
PXA: 화소 영역
NPXA: 주변영역
Claims (20)
- 소스광을 생성하는 발광소자를 포함하는 하부 표시기판; 및
제1, 제2 및 제3 화소 영역과 상기 제1, 제2 및 제3 화소 영역에 인접한 주변영역을 포함하는 상부 표시기판을 포함하고,
상기 상부 표시기판은,
베이스 기판;
상기 베이스 기판의 하면 상에 배치되고, 상기 주변영역에 중첩하며 상기 제1, 제2, 및 제3 화소 영역에 각각 대응하는 제1, 제2, 및 제3 개구부가 정의된 제1 분할패턴;
상기 베이스 기판의 하면 상에 배치되고, 상기 제1, 제2 및 제3 화소 영역에 각각 중첩하는 제1, 제2 및 제3 컬러필터;
상기 제1, 제2 및 제3 컬러필터 상에 각각 대응하게 배치된 제1, 제2, 및 제3 컬러제어층; 및
상기 제2 컬러제어층을 커버하고, 상기 제1 및 제3 컬러제어층 중 적어도 하나를 노출시키는 봉지 무기층을 포함하는 표시패널. - 제1 항에 있어서,
상기 베이스 기판의 하면 상에 배치되고, 상기 제1 분할패턴, 상기 제1, 제2 및 제3 컬러필터 상에 배치된 제1 무기층을 더 포함하는 표시패널. - 제2 항에 있어서,
상기 봉지 무기층은 상기 제1 무기층과 접촉하며 상기 제2 컬러제어층은 상기 제1 무기층과 상기 봉지 무기층에 의해 밀봉된 표시패널. - 제2 항에 있어서,
상기 제1 컬러제어층 및 상기 제3 컬러제어층은 상기 봉지 무기층에 접촉하는 표시패널. - 제2 항에 있어서,
상기 제1 컬러제어층, 상기 제3 컬러제어층, 및 상기 봉지 무기층 상에 배치된 제2 무기층을 더 포함하고,
상기 제2 무기층은 상기 봉지 무기층에 접촉하는 표시패널. - 제1 항에 있어서,
상기 소스광은 제3 색광이고, 상기 제1 컬러제어층은 상기 제3 색광을 제1 색광으로 변환시키고, 상기 제2 컬러제어층은 상기 제3 색광을 제2 색광으로 변환시키고, 상기 제3 컬러제어층은 상기 제3 색광을 투과시키고,
상기 제1 컬러필터는 상기 제1 색광을 투과시키고, 상기 제2 컬러필터는 상기 제2 색광을 투과시키고, 상기 제3 컬러필터는 상기 제3 색광을 투과시키는 표시패널. - 제6 항에 있어서,
상기 제1 컬러제어층은 베이스 수지 및 상기 베이스 수지에 혼합된 제1 양자점을 포함하고, 상기 제2 컬러제어층은 베이스 수지 및 상기 베이스 수지에 혼합된 제2 양자점을 포함하고,
상기 제2 컬러제어층에 대한 상기 제2 양자점의 중량%는 상기 제1 컬러제어층에 대한 상기 제1 양자점의 중량%보다 큰 표시패널. - 제6 항에 있어서,
상기 제1 컬러제어층은 베이스 수지 및 상기 베이스 수지에 혼합된 제1 양자점을 포함하고, 상기 제2 컬러제어층은 베이스 수지 및 상기 베이스 수지에 혼합된 제2 양자점을 포함하고,
상기 제2 컬러제어층 내 상기 제2 양자점의 부피당 입자수는 상기 제1 컬러제어층 내 상기 제1 양자점의 부피당 입자수보다 큰 표시패널. - 제6 항에 있어서,
상기 제1 분할패턴은 블랙 성분을 포함하는 표시패널. - 제6 항에 있어서,
상기 베이스 기판의 하면 상에 배치되고, 상기 제1 분할패턴에 중첩하며 적어도 상기 제1 및 제2 화소 영역에 각각 대응하는 제1 및 제2 개구부가 정의된 제2 분할패턴을 더 포함하는 표시패널. - 제10 항에 있어서,
상기 제2 분할패턴은 상기 제3 색광을 투과시키고, 상기 제3 컬러필터와 일체의 형상을 갖는 표시패널. - 제11 항에 있어서,
상기 제2 분할패턴은 상기 제1 분할패턴보다 상기 베이스 기판에 더 인접하게 배치된 표시패널. - 제1 항에 있어서,
상기 제1, 제2, 및 제3 컬러제어층은 상기 주변영역 내에서 소정의 간격을 두고 서로 이격된 표시패널. - 제13 항에 있어서,
상기 주변 영역 내에서 상기 소정의 간격 사이에 배치된 제3 분할패턴을 더 포함하는 표시패널. - 제1 항에 있어서,
상기 발광소자는 상기 제1, 제2 및 제3 화소 영역 각각에 대응하게 배치된 제1, 제2, 및 제3 발광소자를 포함하고,
상기 제1, 제2 및 제3 발광소자의 발광층은 일체의 형상을 갖는 표시패널. - 소스광을 생성하는 하부 표시기판; 및
제1, 제2 및 제3 화소 영역과 상기 제1, 제2 및 제3 화소 영역에 인접한 주변영역을 포함하는 상부 표시기판을 포함하고,
상기 상부 표시기판은,
베이스 기판;
상기 베이스 기판의 하면 상에 배치되고, 상기 주변영역 및 상기 제3 화소 영역에 중첩하며 상기 제1 및 제2 화소 영역에 각각 대응하는 제1 및 제2 개구부가 정의된 컬러패턴;
상기 베이스 기판의 하면 상에 배치되고, 상기 제1 및 제2 화소 영역에 각각 중첩하는 제1 및 제2 컬러필터;
상기 제1 및 제2 컬러필터 및 상기 컬러패턴 상에 각각 대응하게 배치된 제1, 제2, 및 제3 컬러제어층; 및
상기 제2 컬러제어층을 커버하는 봉지 무기층을 포함하는 표시패널. - 제16 항에 있어서,
상기 베이스 기판의 하면 상에 배치되고, 상기 제1, 제2, 및 제3 화소 영역에 각각 대응하는 제1, 제2, 및 제3 개구부가 정의된 분할패턴을 더 포함하는 표시패널. - 제17 항에 있어서,
상기 컬러패턴은 상기 소스광과 동일한 컬러이고, 상기 분할패턴은 블랙컬러인 표시패널. - 제16 항에 있어서,
상기 컬러패턴은 상기 제2 개구부를 정의하는 내측엣지를 포함하고,
상기 베이스 기판의 상기 하면에 평행한 기준선 상에서 상기 내측 엣지와 상기 봉지 무기층 사이의 거리는 12 마이크로미터 이하인 표시패널. - 제16 항에 있어서,
상기 제1 컬러제어층, 상기 제3 컬러제어층, 및 상기 봉지 무기층을 커버하는 무기층을 더 포함하고,
상기 봉지 무기층은 상기 무기층에 접촉하는 표시패널.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190080777A KR20210005402A (ko) | 2019-07-04 | 2019-07-04 | 표시패널 |
| US16/871,011 US11495642B2 (en) | 2019-07-04 | 2020-05-10 | Display panel including color control layer |
| CN202010601168.3A CN112186000A (zh) | 2019-07-04 | 2020-06-29 | 显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190080777A KR20210005402A (ko) | 2019-07-04 | 2019-07-04 | 표시패널 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210005402A true KR20210005402A (ko) | 2021-01-14 |
Family
ID=73919118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020190080777A KR20210005402A (ko) | 2019-07-04 | 2019-07-04 | 표시패널 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11495642B2 (ko) |
| KR (1) | KR20210005402A (ko) |
| CN (1) | CN112186000A (ko) |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9989806B2 (en) * | 2015-09-10 | 2018-06-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Color conversion panel and display device including the same |
| KR102527215B1 (ko) | 2015-09-10 | 2023-05-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR102626853B1 (ko) | 2015-10-30 | 2024-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN105353555B (zh) * | 2015-12-08 | 2018-08-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 量子点彩膜基板的制作方法 |
| KR20180030289A (ko) * | 2016-09-12 | 2018-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 편광 부재를 갖는 표시장치 |
| KR102562288B1 (ko) * | 2016-12-02 | 2023-08-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102392670B1 (ko) | 2017-06-07 | 2022-04-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102412469B1 (ko) | 2017-08-01 | 2022-06-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 색변환 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR102655757B1 (ko) | 2018-11-23 | 2024-04-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR20200068790A (ko) * | 2018-12-05 | 2020-06-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시패널 |
| KR20220018129A (ko) * | 2020-08-05 | 2022-02-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 |
-
2019
- 2019-07-04 KR KR1020190080777A patent/KR20210005402A/ko active Search and Examination
-
2020
- 2020-05-10 US US16/871,011 patent/US11495642B2/en active Active
- 2020-06-29 CN CN202010601168.3A patent/CN112186000A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11495642B2 (en) | 2022-11-08 |
| US20210005671A1 (en) | 2021-01-07 |
| CN112186000A (zh) | 2021-01-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20200039059A (ko) | 표시패널 및 그 제조방법 | |
| KR20190066109A (ko) | 액정 표시 장치 | |
| KR20200133086A (ko) | 표시 패널 | |
| CN113168043B (zh) | 显示面板 | |
| EP3893284A1 (en) | Display panel | |
| US20230413636A1 (en) | Display panel and manufacturing method therefor | |
| US11500240B2 (en) | Display panel comprising a first sealing layer covering a color filter and a second sealing layer covering a color control layer and a step compensating layer | |
| US20230135697A1 (en) | Display panel | |
| US11696463B2 (en) | Display panel and method of manufacturing the same | |
| US20230169914A1 (en) | Display panel and fabricating method of the same | |
| US11569305B2 (en) | Display panel including reflection pattern | |
| US20200381670A1 (en) | Display panel | |
| KR20210094693A (ko) | 표시 패널 | |
| US11495642B2 (en) | Display panel including color control layer | |
| US20220293685A1 (en) | Display panel and manufacturing method thereof | |
| US11825721B2 (en) | Display panel having an emitter disposed on a light conversion pattern | |
| KR20210005403A (ko) | 표시패널 | |
| US20220223653A1 (en) | Display panel and manufacturing method of the same | |
| KR20220167818A (ko) | 표시 패널 및 이의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination |