DE112020007036T5

DE112020007036T5 - Gegensubstrat, Anzeigefeld und Anzeigevorrichtung

Info

Publication number: DE112020007036T5
Application number: DE112020007036.0T
Authority: DE
Inventors: Yang Yue; Shi SHU; Qi Yao; Wei Huang; Haitao Huang; Shipei Li; Yong Yu; Xiang Li; Chuanxiang XU; Wenqu LIU
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Priority date: 2020-10-19
Filing date: 2020-10-19
Publication date: 2023-01-26
Also published as: US20220302229A1; WO2022082341A1; CN114981715A

Abstract

Ein Gegensubstrat wird bereitgestellt. Das Gegensubstrat umfasst: eine Uferdammschicht, die sich auf dem Basissubstrat befindet und eine Vielzahl von Uferdammöffnungen definiert; eine Quantenpunkt-Materialschicht auf dem Basissubstrat, wobei die Quantenpunkt-Materialschicht eine Vielzahl von Quantenpunkt-Blöcken jeweils in mindestens einigen der Vielzahl von Uferdammöffnungen umfasst; undeine Trägerschicht auf einer von dem Basissubstrat entfernten Seite der Quantenpunkt-Materialschicht und der Uferdammschicht. Die Trägerschicht umfasst einen oder mehrere Trägerabschnitte, deren orthographische Projektionen auf dem Basissubstrat zu einer Peripherie einer orthographischen Projektion einer jeweiligen der Vielzahl von Uferdammöffnung auf dem Basissubstrat benachbart sind. Eine orthographische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat überlappt sich zumindest teilweise mit einer orthographischen Projektion der Trägerschicht auf dem Basissubstrat.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Anzeigetechnologie, insbesondere auf ein Gegensubstrat, ein Anzeigefeld und eine Anzeigevorrichtung.
HINTERGRUND
Quantenpunkte haben aufgrund von Quantengrößeneffekten und dielektrischen Begrenzungseffekten einzigartige Photolumineszenz- und Elektrolumineszenzeigenschaften. Quantenpunkte haben hervorragende optische Eigenschaften wie hohe Quantenausbeute, hohe photochemische Stabilität, Anti-Photolyse, Breitbandanregung, Schmalbandemission, hohe Farbreinheit und eine abstimmbare Farbe des emittierten Lichts durch Steuerung der Quantenpunktgröße. Verschiedene Vorteile, wie hohe Lichtausbeute, gute Stabilität, lange Lebensdauer, hohe Helligkeit und breite Farbskala, können in einem Anzeigefeld durch Verwendung von Quantenpunktmaterialien erhalten werden.
INHALT DER ERFINDUNG
In einem Aspekt stellt die vorliegende Offenbarung ein Gegensubstrat bereit, das umfasst: ein Basissubstrat; eine Uferdammschicht auf dem Basissubstrat, wobei die Uferdammschicht eine Vielzahl von Uferdammöffnungen definiert; eine Quantenpunkt-Materialschicht auf dem Basissubstrat, wobei die Quantenpunkt-Materialschicht eine Vielzahl von Quantenpunkt-Blöcken jeweils in mindestens einigen der Vielzahl von Uferdammöffnungen umfasst; und eine Trägerschicht auf einer von dem Basissubstrat entfernten Seite der Quantenpunkt-Materialschicht und der Uferdammschicht; wobei die Trägerschicht einen oder mehrere Trägerabschnitte umfasst, deren orthographische Projektionen auf dem Basissubstrat zu einer Peripherie einer orthographischen Projektion einer jeweiligen der Vielzahl von Uferdammöffnung auf dem Basissubstrat benachbart sind; die Uferdammschicht und die Trägerschicht sich in einem Inter-Subpixel-Bereich des Gegensubstrats befinden; und eine orthographische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat sich zumindest teilweise mit einer orthographischen Projektion der Trägerschicht auf dem Basissubstrat überlappt.
Optional ist die Trägerschicht eine Linsenschicht, die einen oder mehrere Linsenabschnitte umfasst, deren orthographische Projektionen auf dem Basissubstrat zu einer Peripherie einer orthographischen Projektion einer jeweiligen der Vielzahl von Uferdammöffnung auf dem Basissubstrat benachbart sind; wobei die Uferdammschicht und die Linsenschicht sich im Inter-Subpixel-Bereich des Gegensubstrats befinden; und eine orthographische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat sich zumindest teilweise mit einer orthographischen Projektion der Linsenschicht auf dem Basissubstrat überlappt.
Optional bedeckt die orthografische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat die orthografische Projektion der Linsenschicht auf dem Basissubstrat.
Optional ist die Linsenschicht eine einheitliche Netzstruktur mit einer Vielzahl von Öffnungen; wobei eine jeweilige der Vielzahl von Öffnungen durch Linsenabschnitten der Linsenschicht umgeben ist.
Optional umfasst das Gegensubstrat ferner ein Material mit niedrigem Brechungsindex in einem Raum zwischen benachbarten Linsenabschnitten der Linsenschicht; wobei ein Brechungsindex des Materials mit niedrigem Brechungsindex kleiner als ein Brechungsindex des einen oder mehreren Linsenabschnitte ist.
Optional ist eine Breite des jeweiligen einen der einen oder mehreren Linsenabschnitte auf einer näher an der Uferdammschicht liegenden und sich entlang einer Richtung von einer ersten benachbarten Uferdammöffnung zu einer zweiten benachbarten Uferdammöffnung erstreckenden Seite im Wesentlichen gleich wie eine Breite der Uferdammschicht auf einer näher an dem jeweiligen einen der einen oder mehreren Linsenabschnitte liegenden und sich entlang der Richtung von der ersten benachbarten Uferdammöffnung zu der zweiten benachbarten Uferdammöffnung erstreckenden Seite.
Optional ist die Linsenschicht im Wesentlichen über den gesamten Inter-Subpixel-Bereich angeordnet.
Optional ist die Linsenschicht in einem Abschnitt des Inter-Subpixel-Bereichs zwischen benachbarten Subpixeln unterschiedlicher Farben begrenzt und ist nicht vorhanden in einem Abschnitt des Inter-Subpixel-Bereichs zwischen benachbarten Subpixel gleicher Farbe.
Optional umfasst das Gegensubstrat ferner eine reflektierende Beschichtungsschicht auf einer von dem Basissubstrat entfernten Seite der Linsenschicht; wobei sich die reflektierende Beschichtungsschicht in dem Inter-Subpixel-Bereich des Gegensubstrats befindet; die orthografische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat eine orthografische Projektion der reflektierenden Beschichtungsschicht auf dem Basissubstrat abdeckt; und die reflektierende Beschichtungsschicht einen oder mehrere reflektierende Abschnitte umfasst, die jeweils auf Oberflächen des einen oder mehreren Linsenabschnitte beschichtet sind.
Optional ist die reflektierende Beschichtungsschicht eine einheitliche Netzstruktur mit einer Vielzahl von Öffnungen; wobei eine jeweilige der Vielzahl von Öffnungen durch reflektierende Abschnitte der reflektierenden Beschichtungsschicht umgeben ist.
Optional umfasst das Gegensubstrat ferner eine Überzugsschicht auf einer von dem Basissubstrat entfernten Seite der Quantenpunkt-Materialschicht und der Uferdammschicht; wobei sich die Linsenschicht auf einer von dem Basissubstrat entfernten Seite der Überzugsschicht befindet.
Optional umfasst das Gegensubstrat ferner eine schwarze Matrix im Inter-Subpixel-Bereich des Gegensubstrats; wobei die orthografische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat eine orthografische Projektion der schwarzen Matrix auf dem Basissubstrat abdeckt.
Optional umfasst das Gegensubstrat ferner eine Farbfilterschicht auf dem Basissubstrat; wobei die Farbfilterschicht eine Vielzahl von Farbfilterblöcken jeweils in der Vielzahl von Uferdammöffnung umfasst.
In einem anderen Aspekt stellt die vorliegende Offenbarung ein Anzeigefeld bereit, das umfasst: ein Arraysubstrat und ein Gegensubstrat, das dem Arraysubstrat gegenüberliegt; wobei das Gegensubstrat umfasst: ein Basissubstrat; eine Uferdammschicht auf dem Basissubstrat, wobei die Uferdammschicht eine Vielzahl von Uferdammöffnungen definiert; eine Quantenpunkt-Materialschicht auf dem Basissubstrat, wobei die Quantenpunkt-Materialschicht eine Vielzahl von Quantenpunkt-Blöcken jeweils in mindestens einigen der Vielzahl von Uferdammöffnungen umfasst; und eine Trägerschicht auf einer von dem Basissubstrat entfernten Seite der Quantenpunkt-Materialschicht und der Uferdammschicht; wobei die Trägerschicht einen oder mehrere Trägerabschnitte umfasst, deren orthographische Projektionen auf dem Basissubstrat zu einer Peripherie einer orthographischen Projektion einer jeweiligen der Vielzahl von Uferdammöffnung auf dem Basissubstrat benachbart sind; die Uferdammschicht und die Trägerschicht sich in einem Inter-Subpixel-Bereich des Gegensubstrats befinden; und eine orthographische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat sich zumindest teilweise mit einer orthographischen Projektion der Trägerschicht auf dem Basissubstrat überlappt.
Optional ist die Trägerschicht eine Linsenschicht, die einen oder mehrere Linsenabschnitte umfasst, deren orthographische Projektionen auf dem Basissubstrat zu einer Peripherie einer orthographischen Projektion einer jeweiligen der Vielzahl von Uferdammöffnung auf dem Basissubstrat benachbart sind; wobei die Uferdammschicht und die Linsenschicht sich im Inter-Subpixel-Bereich des Gegensubstrats befinden; und eine orthographische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat sich zumindest teilweise mit einer orthographischen Projektion der Linsenschicht auf dem Basissubstrat überlappt.
Optional stehen der eine oder mehreren Linsenabschnitte der Linsenschicht in direktem Kontakt mit einer zweiten anorganischen Einkapselungsunterschicht einer Einkapselungsschicht in dem Arraysubstrat.
Optional ist die Linsenschicht eine einheitliche Netzstruktur mit einer Vielzahl von Öffnungen; wobei eine jeweilige der Vielzahl von Öffnungen durch Linsenabschnitten der Linsenschicht umgeben ist.
Optional umfasst das Anzeigefeld ferner ein Material mit niedrigem Brechungsindex in einem Raum zwischen benachbarten Linsenabschnitten der Linsenschicht; wobei ein Brechungsindex des Materials mit niedrigem Brechungsindex kleiner als ein Brechungsindex des einen oder mehreren Linsenabschnitte ist.
Optional ist ein Brechungsindex des Materials mit niedrigem Brechungsindex kleiner als ein Brechungsindex der zweiten anorganischen Einkapselungsunterschicht.
Optional ist eine Breite des jeweiligen einen der einen oder mehreren Linsenabschnitte auf einer näher an der Uferdammschicht liegenden und sich entlang einer Richtung von einer ersten benachbarten Uferdammöffnung zu einer zweiten benachbarten Uferdammöffnung erstreckenden Seite im Wesentlichen gleich wie eine Breite der Uferdammschicht auf einer näher an dem jeweiligen einen der einen oder mehreren Linsenabschnitte liegenden und sich entlang der Richtung von der ersten benachbarten Uferdammöffnung zu der zweiten benachbarten Uferdammöffnung erstreckenden Seite.
Optional umfasst das Arraysubstrat: ein zweites Basissubstrat; eine Vielzahl von Dünnfilmtransistoren auf dem zweiten Basissubstrat; eine Planarisierungsschicht auf einer von dem zweiten Basissubstrat entfernten Seite der Vielzahl von Dünnfilmtransistoren; eine Anodenschicht, die eine Vielzahl von Anoden umfasst, die sich auf einer von dem zweiten Basissubstrat entfernten Seite der Planarisierungsschicht befinden; eine Pixeldefinitionsschicht auf einer von dem zweiten Basissubstrat entfernten Seite der Planarisierungsschicht und der Anodenschicht, wobei die Pixeldefinitionsschicht eine Vielzahl von Subpixelöffnungen definiert; eine lichtemittierende Materialschicht auf einer von dem zweiten Basissubstrat entfernten Seite der Anodenschicht, wobei die lichtemittierende Materialschicht eine Vielzahl von lichtemittierenden Blöcken jeweils in der Vielzahl von Subpixelöffnungen umfasst; eine Kathodenschicht auf einer von dem zweiten Basissubstrat entfernten Seite der lichtemittierenden Materialschicht; und eine Einkapselungsschicht auf einer von dem zweiten Basissubstrat entfernten Seite der Kathodenschicht; wobei der eine oder mehreren Linsenabschnitte der Linsenschicht in direktem Kontakt mit der Einkapselungsschicht stehen; die Pixeldefinitionsschicht sich im Inter-Subpixel-Bereich des Anzeigefelds befindet; und eine orthografische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat sich zumindest teilweise mit einer orthografischen Projektion der Pixeldefinitionsschicht auf dem Basissubstrat überlappt.
Optional bedeckt die orthographische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat die orthographische Projektion der Linsenschicht auf dem Basissubstrat; wobei die orthografische Projektion der Pixeldefinitionsschicht auf dem Basissubstrat die orthografische Projektion der Linsenschicht auf dem Basissubstrat abdeckt.
Optional umfasst das Gegensubstrat ferner eine reflektierende Beschichtungsschicht auf einer von dem Basissubstrat entfernten Seite der Linsenschicht; wobei sich die reflektierende Beschichtungsschicht in dem Inter-Subpixel-Bereich des Gegensubstrats befindet; orthographische Projektionen der Uferdammschicht und der Pixeldefinitionsschicht auf dem Basissubstrat eine orthographische Projektion der reflektierenden Beschichtungsschicht auf dem Basissubstrat bedecken; und die reflektierende Beschichtungsschicht einen oder mehrere reflektierende Abschnitte umfasst, die jeweils auf Oberflächen des einen oder mehreren Linsenabschnitte beschichtet sind.
Optional ist die reflektierende Beschichtungsschicht eine einheitliche Netzstruktur mit einer Vielzahl von Öffnungen; wobei eine jeweilige der Vielzahl von Öffnungen durch reflektierende Abschnitte der reflektierenden Beschichtungsschicht umgeben ist.
Optional umfasst das Gegensubstrat ferner eine Überzugsschicht auf einer von dem Basissubstrat entfernten Seite der Quantenpunkt-Materialschicht und der Uferdammschicht; wobei sich die Linsenschicht auf einer von dem Basissubstrat entfernten Seite der Überzugsschicht befindet.
Optional liegt eine Zelllücke zwischen der Überzugsschicht des Gegensubstrats und dem Arraysubstrat in einem Bereich von 1 µm bis 6 µm.
Optional wird eine Brennweite eines Linsenabschnitts der Linsenschicht ausgedrückt als: 1/f = 1/U + 1/V; wobei f für die Brennweite des Linsenabschnitts steht; U für eine erste Lichtwegstrecke entlang eines ersten Lichtwegs eines Kantenlichts steht, das sich von einem benachbarten lichtemittierenden Block zu dem Linsenabschnitt bei einem maximalen Betrachtungswinkel des benachbarten lichtemittierenden Blocks in Bezug auf den Linsenabschnitt bewegt; V für eine zweite Lichtwegstrecke entlang einem zweiten Lichtweg des Kantenlichts von dem Linsenabschnitt zu der Uferdammschicht steht; U = H / sin (α); V = (h1 + h) / sin (β); α ein erster Winkel zwischen dem ersten Lichtweg und einer Ebene ist, die eine Oberfläche des Arraysubstrats in direktem Kontakt mit dem Linsenabschnitt umfasst; β ein zweiter Winkel zwischen dem zweiten Lichtweg und der Ebene ist, die die Oberfläche des Arraysubstrats in direktem Kontakt mit dem Linsenabschnitt umfasst; H ein kürzester Abstand zwischen einer Oberfläche des benachbarten lichtemittierenden Blocks und der Ebene ist, die die Oberfläche des Arraysubstrats in direktem Kontakt mit dem Linsenabschnitt umfasst; und (h1 + h) ein kürzester Abstand zwischen der Uferdammschicht und der Ebene ist, die die Oberfläche des Arraysubstrats in direktem Kontakt mit dem Linsenabschnitt umfasst.
Optional wird eine Breite des Linsenabschnitts entlang einer Richtung von einer ersten benachbarten Uferdammöffnung zu einer zweiten benachbarten Uferdammöffnung ausgedrückt als: L = (2 (h1+h) / tan (β)) + Z; wobei Z für eine Montagetoleranz beim Zusammenbau des Gegensubstrats und des Arraysubstrats steht.
Optional wird ein Krümmungsradius des Linsenabschnitts ausgedrückt als: r = 2f * (n-1); wobei r für den Krümmungsradius steht; und n für einen Brechungsindex des Linsenabschnitts steht.
In einem anderen Aspekt stellt die vorliegende Offenbarung eine Anzeigevorrichtung bereit, die das hier beschriebene oder durch ein hier beschriebenes Verfahren hergestellte Anzeigefeld und eine mit dem Anzeigefeld verbundene integrierte Schaltung umfasst.
Figurenliste
Die folgenden Zeichnungen sind lediglich Beispiele für veranschaulichende Zwecke gemäß verschiedenen offenbarten Ausführungsformen und sollen den Umfang der vorliegenden Erfindung nicht einschränken.

1A ist ein schematisches Diagramm, das die Struktur eines Gegensubstrats in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung darstellt.
1B ist ein schematisches Diagramm, das die Struktur eines Gegensubstrats in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung darstellt.
2 ist eine Draufsicht auf eine Uferdammschicht und eine Quantenpunktschicht in einem Gegensubstrat in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung.
3A ist eine Draufsicht auf eine Linsenschicht und eine Quantenpunktschicht in einem Gegensubstrat in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung.
3B ist eine Draufsicht auf eine Linsenschicht und eine Quantenpunktschicht in einem Gegensubstrat in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung.
3C ist eine Draufsicht auf eine Linsenschicht und eine Quantenpunktschicht in einem Gegensubstrat in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung.
4 ist ein Rasterelektronenmikroskop-Querschnittsansichtsbild eines Linsenabschnitts einer Linsenschicht in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung.
5 ist eine vergrößerte Draufsicht einer jeweiligen der Vielzahl von Uferdammöffnung in einem Gegensubstrat in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung.
6A ist ein schematisches Diagramm, das die Struktur einer Linsenschicht in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung darstellt.
6B ist ein schematisches Diagramm, das die Struktur einer Linsenschicht in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung darstellt.
7A veranschaulicht ein Arbeitsprinzip eines Linsenabschnitts in einem Gegensubstrat in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung.
7B veranschaulicht eine Beziehung zwischen einer Dicke eines Linsenabschnitts und einem Prozentsatz von von einem jeweiligen Subpixel empfangenen Energie in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung.
8 ist ein schematisches Diagramm, das die Struktur eines Gegensubstrats in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung darstellt.
9 ist eine Draufsicht auf eine reflektierende Beschichtungsschicht und eine Quantenpunktschicht in einem Gegensubstrat in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung.
10 ist eine vergrößerte Draufsicht einer j eweiligen der Vielzahl von Uferdammöffnung in einem Gegensubstrat in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung.
11A ist ein schematisches Diagramm, das die Struktur einer reflektierenden Beschichtungsschicht in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
11B ist ein schematisches Diagramm, das die Struktur einer reflektierenden Beschichtungsschicht in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
12 veranschaulicht ein Arbeitsprinzip eines reflektierenden Abschnitts in einem Gegensubstrat in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung.
13 veranschaulicht ein Arbeitsprinzip eines reflektierenden Abschnitts in einem Gegensubstrat in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung.
14 ist ein schematisches Diagramm, das die Struktur eines Gegensubstrats in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung darstellt.
15 ist ein schematisches Diagramm, das die Struktur eines Anzeigefelds in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
16 ist ein schematisches Diagramm, das die Struktur eines Anzeigefelds in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
17 ist ein schematisches Diagramm, das die Struktur eines Anzeigefelds in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
18A zeigt ein Lichtspektrum, das in dem in 17 gezeigten Anzeigefeld erfasst wird.
18B zeigt ein Lichtspektrum, das in dem in 17 gezeigten Anzeigefeld erfasst wird.
19A zeigt ein Lichtspektrum, das in dem in 15 gezeigten Anzeigefeld erfasst wird.
19B zeigt ein Lichtspektrum, das in dem in 15 gezeigten Anzeigefeld erfasst wird.
20 veranschaulicht ein Arbeitsprinzip eines Linsenabschnitts in einem Gegensubstrat in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung.
21 ist ein schematisches Diagramm, das die Struktur eines Anzeigefelds in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
22 ist ein schematisches Diagramm, das die Struktur eines Anzeigefelds in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
Die Offenbarung wird nun genauer unter Bezugnahme auf die folgenden Ausführungsformen beschrieben. Es ist anzumerken, dass die folgenden Beschreibungen einiger Ausführungsformen hier nur zum Zwecke der Veranschaulichung und Beschreibung präsentiert werden. Es ist nicht beabsichtigt, erschöpfend zu sein oder auf die offenbarte genaue Form beschränkt zu sein.
Die vorliegende Offenbarung stellt unter anderem ein Gegensubstrat, ein Anzeigefeld und eine Anzeigevorrichtung bereit, die im Wesentlichen eines oder mehrere der Probleme aufgrund von Beschränkungen und Nachteilen des Stands der Technik vermeiden. In einem Aspekt stellt die vorliegende Offenbarung ein Gegensubstrat bereit. In einigen Ausführungsformen umfasst das Gegensubstrat ein Basissubstrat; eine Uferdammschicht auf dem Basissubstrat, wobei die Uferdammschicht mehrere Uferdammöffnung definiert; eine Quantenpunkt-Materialschicht auf dem Basissubstrat, wobei die Quantenpunkt-Materialschicht eine Vielzahl von Quantenpunkt-Blöcken jeweils in mindestens einigen der Vielzahl von Uferdammöffnung umfasst; und eine Linsenschicht auf einer Seite der Quantenpunkt-Materialschicht und der Uferdammschicht entfernt von dem Basissubstrat. Optional umfasst die Linsenschicht einen oder mehrere Linsenabschnitte, die im Wesentlichen eine jeweilige der Vielzahl von Uferdammöffnung umgeben. Optional befinden sich die Uferdammschicht und die Linsenschicht in einem Inter-Subpixel-Bereich des Gegensubstrats. Optional überlappt sich eine orthographische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat zumindest teilweise mit einer orthographischen Projektion der Linsenschicht auf dem Basissubstrat.
1A ist ein schematisches Diagramm, das die Struktur eines Gegensubstrats in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung darstellt. 1B ist ein schematisches Diagramm, das die Struktur eines Gegensubstrats in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung darstellt. 2 ist eine Draufsicht auf eine Uferdammschicht und eine Quantenpunktschicht in einem Gegensubstrat in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung. 4 ist ein Rasterelektronenmikroskop-Querschnittsansichtsbild eines Linsenabschnitts einer Linsenschicht in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung. Unter Bezugnahme auf 1A, 1B, 2 bis 4, umfasst das Gegensubstrat in einigen Ausführungsformen: ein Basissubstrat BS; eine Uferdammschicht BL auf dem Basissubstrat, wobei die Uferdammschicht BL eine Vielzahl von Uferdammöffnung BA definiert; eine Quantenpunkt-Materialschicht QDML auf dem Basissubstrat BS, wobei die Quantenpunkt-Materialschicht QDML eine Vielzahl von Quantenpunkt-Blöcken (z. B. QDB2 und QDB3) jeweils in mindestens einigen der Vielzahl von Uferdammöffnung BA umfasst; und eine Trägerschicht auf einer Seite der Quantenpunkt-Materialschicht QDMI, und der Uferdammschicht BL weg von dem Basissubstrat BS. In einigen Ausführungsformen ist die Trägerschicht eine Linsenschicht LEL, wie in 1A, 1B, 2 bis 4 gezeigt.
Unter Bezugnahme auf 1A und 1B sind Bereiche in dem Gegensubstrat bezeichnet, die jeweils mehreren Subpixeln entsprechen. In einigen Ausführungsformen umfasst das Anzeigefeld mehrere Subpixel. In einem Beispiel umfasst das Anzeigefeld mehrere Subpixel der ersten Farbe sp1 (z. B. blaue Subpixel), mehrere Subpixel der zweiten Farbe sp2 (z. B. rote Subpixel) und mehrere Subpixel der dritten Farbe sp3 (z. B. grüne Subpixel). Optional befindet sich die Uferdammschicht BL in einem Inter-Subpixel-Bereich ISR des Gegensubstrats.
In einigen Ausführungsformen umfasst die Quantenpunkt-Materialschicht QDML eine Vielzahl von Quantenpunkt-Blöcken j eweils in zumindest einigen der Vielzahl von Uferdammöffnung BA. In einem Beispiel umfasst die Quantenpunkt-Materialschicht QDML mehrere Quantenpunkt-Blöcke einer zweiten Farbe QDB2 jeweils in Uferdammöffnung jeweils in der Vielzahl von Subpixeln der zweiten Farbe sp2 und mehrere Quantenpunkt-Blöcke einer dritten Farbe QDB3 jeweils in Uferdammöffnungen jeweils in der Vielzahl von Subpixeln der dritten Farbe sp3.
Optional fehlt die Quantenpunkt-Materialschicht QDML in den Uferdammöffnung jeweils in der Vielzahl von Subpixeln der ersten Farbe sp1. In einem Beispiel umfasst das Gegensubstrat in den Uferdammöffnung jeweils in der Vielzahl von Subpixeln der ersten Farbe sp1 Farbfilterblöcke der ersten Farbe CFB1, wie in 1A, 1B und 2 gezeigt. In einem anderen Beispiel umfasst das Gegensubstrat in den Uferdammöffnung jeweils in der Vielzahl von Subpixeln der ersten Farbe sp1 eine Vielzahl von transparenten Blöcken.
Optional umfasst die Quantenpunkt-Materialschicht QDML ferner eine Vielzahl von Quantenpunkt-Blöcken einer ersten Farbe jeweils in Uferdammöffnung jeweils in der Vielzahl von Subpixeln der ersten Farbe sp1.
In einigen Ausführungsformen umfasst das Gegensubstrat ferner eine Farbfilterschicht CFL auf einer Seite der Quantenpunkt-Materialschicht QDML näher an dem Basissubstrat BS oder entfernt von einer Überzugsschicht OC. In einigen Ausführungsformen umfasst die Farbfilterschicht CFL eine Vielzahl von Farbfilterblöcken jeweils auf einer Seite der Vielzahl von Uferdammöffnung BA näher an dem Basissubstrat BS oder entfernt von der Überzugsschicht OC. In einem Beispiel umfasst die Farbfilterschicht CFL mehrere Farbfilterblöcke einer ersten Farbe CFB1 (z. B. blaue Farbfilterblöcke) in den mehreren Subpixeln der ersten Farbe (z. B. blaue Subpixel), mehrere Farbfilterblöcke einer zweiten Farbe CFB2 (z. B. rote Farbfilterblöcke) in der Vielzahl von Subpixeln der zweiten Farbe (z. B. rote Subpixel) und eine Vielzahl von Farbfilterblöcken einer dritten Farbe CFB3 (z. B. grüne Farbfilterblöcke) in der Vielzahl von Subpixeln der dritten Farbe (z. B. grünen Subpixeln).
Wie hierin verwendet, bezieht sich ein Inter-Subpixel-Bereich auf einen Bereich zwischen benachbarten Subpixel-Bereichen, wie z. B. einen Bereich, der einer schwarzen Matrix in einer Flüssigkristallanzeige entspricht, einen Bereich, der einer Pixeldefinitionsschicht in einem organischen Leuchtdioden-Anzeigefeld entspricht, oder eine Uferdammschicht im vorliegenden Anzeigefeld. Optional ist der Inter-Subpixel-Bereich ein Bereich zwischen benachbarten Subpixel-Bereichen in einem gleichen Pixel. Optional ist der Inter-Subpixel-Bereich ein Bereich zwischen zwei benachbarten Subpixel-Bereichen von zwei benachbarten Pixeln. Optional ist der Inter-Subpixel-Bereich ein Bereich zwischen einem Subpixel-Bereich eines roten Subpixels und einem Subpixel-Bereich eines benachbarten grünen Subpixels. Optional ist der Inter-Subpixel-Bereich ein Bereich zwischen einem Subpixel-Bereich eines roten Subpixels und einem Subpixel-Bereich eines benachbarten blauen Subpixels. Optional ist der Inter-Subpixel-Bereich ein Bereich zwischen einem Subpixel-Bereich eines Subpixels grüner Farbe und einem Subpixel-Bereich eines benachbarten Subpixels blauer Farbe.
Wie hierin verwendet, bezieht sich ein Subpixelbereich auf einen Lichtemissionsbereich eines Subpixels, wie etwa einen Bereich, der einer Pixelelektrode in einer Flüssigkristallanzeige entspricht, einen Bereich, der einer lichtemittierenden Schicht in einem organischen Leuchtdioden-Anzeigefeld entspricht, oder einen Bereich, der den Lichtübertragungsblöcken in der vorliegenden Offenbarung entspricht. Optional kann ein Pixel eine Anzahl separater Lichtemissionsbereiche umfassen, die einer Anzahl von Subpixeln in dem Pixel entsprechen. Optional ist der Subpixelbereich ein Lichtemissionsbereich eines roten Subpixels. Optional ist der Subpixelbereich ein Lichtemissionsbereich eines grünfarbigen Subpixels. Optional ist der Subpixelbereich ein Lichtemissionsbereich eines blauen Subpixels. Optional ist der Subpixelbereich ein Lichtemissionsbereich eines weißen Subpixels.
3A ist eine Draufsicht auf eine Linsenschicht und eine Quantenpunktschicht in einem Gegensubstrat in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung. Unter Bezugnahme auf 3A, ist in einigen Ausführungsformen die Linsenschicht LEL im Wesentlichen über den gesamten Inter-Subpixel-Bereich angeordnet. In einem Beispiel bedeckt die Linsenschicht LEL eine Gesamtheit einer Seite der Uferdammschicht näher an der Linsenschicht LEL.
3B ist eine Draufsicht auf eine Linsenschicht und eine Quantenpunktschicht in einem Gegensubstrat in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung. Unter Bezugnahme auf 3B, ist in einigen Ausführungsformen die Linsenschicht LEL auf einen Teil des Inter-Subpixel-Bereichs begrenzt. In einem Beispiel ist die Linsenschicht LEL in einem Teil des Inter-Subpixel-Bereichs zwischen benachbarten Subpixeln unterschiedlicher Farben vorhanden und fehlt in einem Teil des Inter-Subpixel-Bereichs zwischen benachbarten Subpixeln derselben Farbe.
3C ist eine Draufsicht auf eine Linsenschicht und eine Quantenpunktschicht in einem Gegensubstrat in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung. Unter Bezugnahme auf 3B, ist in einigen Ausführungsformen die Linsenschicht LEL in Abschnitten des Inter-Subpixel-Bereichs vorhanden. In einem Beispiel fehlt die Linsenschicht LEL in einem Kreuzungsteilbereich des Inter-Subpixel-Bereichs, wo eine Reihe eines Inter-Subpixel-Teilbereichs und eine Spalte eines Inter-Subpixel-Teilbereichs einander schneiden.
5 ist eine vergrößerte Draufsicht einer j eweiligen der Vielzahl von Uferdammöffnung in einem Gegensubstrat in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung. Unter Bezugnahme auf 1A, 1B, 2 und 5, umfasst die Linsenschicht LEL in einigen Ausführungsformen einen oder mehrere Linsenabschnitte LP, deren orthographische Projektionen auf dem Basissubstrat benachbart zu einer Peripherie einer orthographischen Projektion einer jeweiligen der Vielzahl von Uferdammöffnung BA auf dem Basissubstrat sind. In einigen Ausführungsformen befinden sich die Uferdammschicht und die Linsenschicht LEL in einem Inter-Subpixel-Bereich ISR des Gegensubstrats. Optional ist mindestens eine der Uferdammschicht und der Linsenschicht LEL in dem Inter-Subpixel-Bereich ISR des Gegensubstrats begrenzt.
Optional überlappt sich eine orthographische Projektion der Uferdammschicht BL auf dem Basissubstrat BS zumindest teilweise mit einer orthographischen Projektion der Linsenschicht LEL auf dem Basissubstrat BS. Optional bedeckt die orthographische Projektion der Uferdammschicht BL auf dem Basissubstrat BS die orthographische Projektion der Linsenschicht LEL auf dem Basissubstrat BS. Optional überlappt die orthographische Projektion der Linsenschicht LEL auf dem Basissubstrat BS im Wesentlichen nicht mit einer orthographischen Projektion der Quantenpunkt-Materialschicht QDML auf dem Basissubstrat BS. Wie hierin verwendet, bezieht sich der Begriff „im Wesentlichen nicht überlappend“ auf zwei orthographische Projektionen, die sich zu mindestens 50 Prozent (z. B. mindestens 60 Prozent, mindestens 70 Prozent, mindestens 80 Prozent, mindestens 90 Prozent, mindestens 95 Prozent, mindestens 99 Prozent und 100 Prozent) nicht überlappend.
Der eine oder mehreren Linsenabschnitte LP können verschiedene geeignete Formen haben. Unter Bezugnahme auf 1A, 1B und 4, hat in einigen Ausführungsformen ein jeweiliger Linsenabschnitt eine Teilzylinderform.
Unter Bezugnahme auf 1A, ist eine maximale Breite eines jeweiligen des einen oder mehreren Linsenabschnitte LP entlang einer Richtung von einer ersten benachbarten Uferdammöffnung zu einer zweiten benachbarten Uferdammöffnung kleiner als eine minimale Breite der Uferdammschicht BL entlang der Richtung von der ersten benachbarten Uferdammöffnung zu der zweiten benachbarten Uferdammöffnung. In einem Beispiel ist eine Breite w1 des jeweiligen des einen oder mehreren Linsenabschnitte LP auf einer Seite näher an der Uferdammschicht BL entlang der Richtung von der ersten benachbarten Uferdammöffnung zu der zweiten benachbarten Uferdammöffnung kleiner als eine Breite w2 von die Uferdammschicht BL auf einer Seite näher an dem jeweiligen der einen oder mehreren Linsenabschnitte LP entlang der Richtung von der ersten benachbarten Uferdammöffnung zu der zweiten benachbarten Uferdammöffnung.
Unter Bezugnahme auf 1B, ist eine maximale Breite des jeweiligen der einen oder mehreren Linsenabschnitte LP entlang der Richtung von der ersten benachbarten Uferdammöffnung zu der zweiten benachbarten Uferdammöffnung im Wesentlichen gleich einer minimalen Breite der Uferdammschicht BL entlang der Richtung von der ersten benachbarte Uferdammöffnung zu der zweiten benachbarten Uferdammöffnung. In einem Beispiel ist eine Breite w1 des jeweiligen des einen oder mehreren Linsenabschnitte LP auf einer Seite näher an der Uferdammschicht BL entlang der Richtung von der ersten benachbarten Uferdammöffnung zu der zweiten benachbarten Uferdammöffnung im Wesentlichen gleich einer Breite w2 der Uferdammschicht BL auf einer Seite näher an dem jeweiligen des einen oder mehreren Linsenabschnitte LP entlang der Richtung von der ersten benachbarten Uferdammöffnung zu der zweiten benachbarten Uferdammöffnung. Wie hierin verwendet, bezieht sich der Begriff „im Wesentlichen gleich“ auf einen Unterschied zwischen zwei Werten, der 10 % eines Basiswerts (z. B. einer der beiden Werte) nicht überschreitet,
z. B. 8 % des Basiswerts nicht überschreitet, 6 % des Basiswerts nicht überschreitet, 4% des Basiswerts nicht überschreitet, 2% des Basiswerts nicht überschreitet, 1% des Basiswerts nicht überschreitet, 0,5 % des Basiswerts nicht überschreitet, 0,1% des Basiswerts nicht überschreitet, 0,05% des Basiswerts nicht überschreitet und 0,01 % des Basiswerts nicht überschreitet.
In einigen Ausführungsformen umfasst das Gegensubstrat ferner ein Material mit niedrigem Brechungsindex in einem Raum zwischen benachbarten Linsenabschnitten der Linsenschicht LEL. Optional ist das Material mit niedrigem Brechungsindex Luft oder Vakuum. Optional ist ein Brechungsindex des Materials mit niedrigem Brechungsindex kleiner als ein Brechungsindex des einen oder mehreren Linsenabschnitte LP.
6A ist ein schematisches Diagramm, das die Struktur einer Linsenschicht in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung darstellt. 6B ist ein schematisches Diagramm, das die Struktur einer Linsenschicht in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung darstellt. Unter Bezugnahme auf 6A und FIG. Wie in 6B gezeigt, weist die Linsenschicht LEL in einigen Ausführungsformen eine Netzstruktur mit mehreren Öffnungen LO auf. Eine jeweilige der mehreren Öffnungen LO ist von Linsenabschnitten LP der Linsenschicht LEL umgeben. Unter Bezugnahme auf 6A, ist die Netzstruktur der Linsenschicht LEL in einigen Ausführungsformen eine einheitliche Netzstruktur. Unter Bezugnahme auf 6B, umfasst die Netzstruktur der Linsenschicht LEL in einigen Ausführungsformen mehrere separate Linsenabschnitte.
7A veranschaulicht ein Arbeitsprinzip eines Linsenabschnitts in einem Gegensubstrat in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung. Unter Bezugnahme auf 7A trifft von einem ersten benachbarten Subpixelbereich ASR1 emittiertes Licht auf einen Linsenabschnitt LP der Linsenschicht LEL, das einfallende Licht wird an einer Grenzfläche zwischen dem Linsenabschnitt LP und einem Medium außerhalb des Linsenabschnitts LP konvergiert. Das gebrochene Licht wandert weiter durch den Linsenabschnitt LP, bis es an der Uferdammschicht BL ankommt, wo das Licht entweder absorbiert (z. B. wenn die Uferdammschicht BL aus einem schwarzen Material oder einem lichtabsorbierenden Material besteht) oder zurückreflektiert wird (z. B. wenn die Uferdammschicht BL aus einem reflektierenden Material besteht). In ähnlicher Weise trifft von einem zweiten benachbarten Subpixelbereich ASR2 emittiertes Licht auf den Linsenabschnitt LP der Linsenschicht LEL, das einfallende Licht wird an einer Grenzfläche zwischen dem Linsenabschnitt LP und einem Medium außerhalb des Linsenabschnitts LP konvergiert. Das gebrochene Licht wandert weiter durch den Linsenabschnitt LP, bis es an der Uferdammschicht BL ankommt, wo das Licht entweder absorbiert (z. B. wenn die Uferdammschicht BL aus einem schwarzen Material oder einem lichtabsorbierenden Material besteht) oder zurückreflektiert wird (z. B. wenn die Uferdammschicht BL aus einem reflektierenden Material besteht). Die Erfinder der vorliegenden Offenbarung entdecken, dass dadurch, dass eine Linsenschicht im Inter-Subpixel-Bereich ISR vorhanden ist, eine Kreuzkontamination von Licht zwischen benachbarten Subpixel-Bereichen überraschenderweise dennoch effektiv verhindert werden kann. In einem Beispiel hat ein Medium zwischen benachbarten Linsenabschnitten (z. B. ein Luftmedium) einen Brechungsindex, der kleiner als ein Brechungsindex des Linsenabschnitts LP und kleiner als ein Brechungsindex einer Schicht unterhalb des Linsenabschnitts LP (z. B. eine zweite anorganische Einkapselungsunterschicht CVD2, wie in 7A gezeigt) ist.
7B veranschaulicht eine Beziehung zwischen einer Dicke eines Linsenabschnitts und einem Prozentsatz von von einem jeweiligen Subpixel empfangenen Energie in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung. Unter Bezugnahme auf 7B, verbessert ein Linsenabschnitt LP die Energieausnutzung des Anzeigefelds signifikant, wie durch eine Erhöhung des Prozentsatzes der von einem jeweiligen Subpixel empfangenen Energie im Vergleich zu demjenigen ohne einen Linsenabschnitt gezeigt wird. Darüber hinaus haben die Erfinder der vorliegenden Offenbarung entdeckt, dass eine Dicke des Linsenabschnitts LP entlang einer Richtung von dem Linsenabschnitt LP zu der Uferdammschicht BL die Energieausnutzung beeinflusst. Je höher die Dicke, desto geringer ist der Prozentsatz an Energie, der von einem jeweiligen Subpixel empfangen wird. Die in 7B gezeigten Messwerte wurden unter Verwendung des Linsenabschnitts LP mit einer Breite von 20 µm in der Richtung von der ersten benachbarten Uferdammöffnung zu der zweiten benachbarten Uferdammöffnung erhalten.
8 ist ein schematisches Diagramm, das die Struktur eines Gegensubstrats in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung darstellt. 9 ist eine Draufsicht auf eine reflektierende Beschichtungsschicht und eine Quantenpunktschicht in einem Gegensubstrat in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung. Unter Bezugnahme auf 8 und 9 umfasst das Gegensubstrat in einigen Ausführungsformen ferner eine reflektierende Beschichtungsschicht RECL auf einer Seite der Trägerschicht weg von dem Basissubstrat BS. In einigen Ausführungsformen ist die Trägerschicht eine Linsenschicht LEL, wie in 1 gezeigt, and die reflektierende Beschichtungsschicht RECL befindet sich auf einer Seite der Linsenschicht LEL entfernt von dem Basissubstrat BS.
10 ist eine vergrößerte Draufsicht einer j eweiligen der Vielzahl von Uferdammöffnung in einem Gegensubstrat in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung. Unter Bezugnahme auf 8, 9 und 10, umfasst die reflektierende Beschichtungsschicht RECL in einigen Ausführungsformen einen oder mehrere reflektierende Abschnitte RP, deren orthografische Projektionen auf dem Basissubstrat benachbart zu einer Peripherie einer orthografischen Projektion einer jeweiligen der Vielzahl von Uferdammöffnung BA auf dem Basissubstrat sind. In einigen Ausführungsformen befinden sich die Uferdammschicht BL, die Linsenschicht LEL und die reflektierende Beschichtungsschicht RECL in einem Inter-Subpixel-Bereich ISR des Gegensubstrats. Optional ist zumindest eine der Uferdammschicht BL, der Linsenschicht LEL oder der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL in dem Inter-Subpixel-Bereich ISR des Gegensubstrats begrenzt.
Optional überlappt sich eine orthographische Projektion der Uferdammschicht BL auf dem Basissubstrat BS zumindest teilweise mit einer orthographischen Projektion der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL auf dem Basissubstrat BS. Optional bedeckt die orthographische Projektion der Uferdammschicht BL auf dem Basissubstrat BS die orthographische Projektion der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL auf dem Basissubstrat BS. Optional überlappt sich die orthografische Projektion der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL auf dem Basissubstrat BS im Wesentlichen nicht mit einer orthografischen Projektion der Quantenpunkt-Materialschicht QDMI, auf dem Basissubstrat BS.
Optional überlappt eine orthographische Projektion der Linsenschicht LEL auf dem Basissubstrat BS zumindest teilweise mit einer orthographischen Projektion der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL auf dem Basissubstrat BS. Optional überlappen sich die orthografische Projektion der Linsenschicht LEL auf dem Basissubstrat BS und die orthografische Projektion der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL auf dem Basissubstrat BS im Wesentlichen. Wie hierin verwendet, bezieht sich der Begriff „im Wesentlichen überlappen“ auf zwei orthografische Projektionen um mindestens 50 Prozent, z. B. mindestens 60 Prozent, mindestens 70 Prozent, mindestens 80 Prozent, mindestens 90 Prozent, mindestens 95 Prozent, mindestens 99 Prozent Prozent oder 100 Prozent miteinander überlappen.
Unter Bezugnahme auf 8, sind der eine oder mehreren reflektierenden Abschnitte RP der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL in einigen Ausführungsformen jeweils auf Oberflächen des einen oder mehreren Linsenabschnitte LP beschichtet. Dementsprechend weisen ein jeweiliger reflektierender Abschnitt und ein jeweiliger Linsenabschnitt in einigen Ausführungsformen eine im Wesentlichen gleiche Außenkontur auf. Optional weist der jeweilige reflektierende Abschnitt eine Innenkontur auf, die im Wesentlichen komplementär zur Außenkontur des jeweiligen Linsenabschnitts ist.
Der eine oder mehreren reflektierenden Abschnitte RP können verschiedene geeignete Formen haben. Unter Bezugnahme auf 8, hat in einigen Ausführungsformen ein jeweiliger reflektierender Abschnitt eine teilweise hohle Zylinderform. Optional hat ein jeweiliger Linsenabschnitt eine Teilzylinderform. Optional hat eine Kombination aus einem jeweiligen Linsenabschnitt und einem jeweiligen reflektierenden Abschnitt, der auf den jeweiligen Linsenabschnitt aufgebracht ist, eine Teilzylinderform.
11A ist ein schematisches Diagramm, das die Struktur einer reflektierenden Beschichtungsschicht in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht. 11B ist ein schematisches Diagramm, das die Struktur einer reflektierenden Beschichtungsschicht in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht. Unter Bezugnahme auf 11A und 11B, weist die reflektierende Beschichtungsschicht RECL in einigen Ausführungsformen eine Netzstruktur mit mehreren Öffnungen RO auf. Eine jeweilige der mehreren Öffnungen RO ist von reflektierenden Abschnitten RP der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL umgeben. Unter Bezugnahme auf 11At, ist die Netzstruktur der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL in einigen Ausführungsformen eine einheitliche Netzstruktur. Unter Bezugnahme auf 11B, umfasst die Netzstruktur der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL in einigen Ausführungsformen mehrere separate Linsenabschnitte.
12 veranschaulicht ein Arbeitsprinzip eines reflektierenden Abschnitts in einem Gegensubstrat in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung. Unter Bezugnahme auf 12 sind drei exemplarische Lichtwege PH1, PH2 und PH3 in 12 gezeigt. In einem Beispiel hat ein Medium zwischen benachbarten Linsenabschnitten (z. B. ein Luftmedium) einen Brechungsindex, der kleiner als ein Brechungsindex des Linsenabschnitts LP und kleiner als ein Brechungsindex einer Schicht unterhalb des Linsenabschnitts LP (z. B. eine zweite anorganische Einkapselungsunterschicht CVD2, wie in 12 gezeigt) ist.
Entlang des Lichtwegs PH1 trifft Licht, das von einem ersten benachbarten Subpixelbereich ASR1 emittiert wird, auf einen reflektierenden Abschnitt RP der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL, das einfallende Licht wird an einer Oberfläche des reflektierenden Abschnitts RP reflektiert. Das reflektierte Licht wandert zu Schichten unterhalb des Linsenabschnitts LP (z. B. zu einem Inter-Subpixel-Bereich eines Arraysubstrats und insbesondere zu einer Pixeldefinitionsschicht in dem Inter-Subpixel-Bereich des Arraysubstrats).
Entlang des Lichtwegs PH2 trifft Licht, das von einem ersten benachbarten Subpixelbereich ASR1 emittiert wird, auf einen reflektierenden Abschnitt RP der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL, das einfallende Licht wird an einer Oberfläche des reflektierenden Abschnitts RP reflektiert. Das reflektierte Licht wandert zum ersten benachbarten Subpixelbereich ASR1.
Entlang des Lichtwegs PH3 trifft Licht, das von einem ersten benachbarten Subpixelbereich ASR1 emittiert wird, auf einen reflektierenden Abschnitt RP der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL, das einfallende Licht wird an einer Oberfläche des reflektierenden Abschnitts RP reflektiert. Das reflektierte Licht wandert weiter zu einem jeweiligen der Vielzahl von Quantenpunkt-Blöcken (z. B. QDB3) in dem ersten benachbarten Subpixelbereich ASR1 (wobei das reflektierte Licht in dem derselben Subpixelbereich wie das einfallende Licht gehalten wird). In ähnlicher Weise kann Licht, das von einem zweiten benachbarten Subpixelbereich ASR2 emittiert wird, auf den reflektierenden Abschnitt RP der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL treffen, das einfallende Licht wird auf der Oberfläche des reflektierenden Abschnitts RP reflektiert. Das reflektierte Licht wandert weiter zu einem jeweiligen der Vielzahl von Quantenpunkt-Blöcken (z. B. QDB2) in dem zweiten benachbarten Subpixelbereich ASR1 (wobei das reflektierte Licht in demselben Subpixelbereich wie das einfallende Licht gehalten wird). Die Erfinder der vorliegenden Offenbarung entdecken, dass dadurch, dass eine reflektierende Beschichtungsschicht RECL über den Inter-Subpixel-Bereich ISR hinweg vorhanden ist, eine Kreuzkontamination von Licht zwischen benachbarten Subpixel-Bereichen überraschenderweise dennoch effektiv verhindert werden kann.
Optional ist ein jeweiliger Linsenabschnitt vollständig mit einem jeweiligen reflektierenden Abschnitt beschichtet, wie in 12 gezeigt.
13 veranschaulicht ein Arbeitsprinzip eines reflektierenden Abschnitts in einem Gegensubstrat in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung. Optional ist ein jeweiliger Linsenabschnitt teilweise mit einem jeweiligen reflektierenden Abschnitt beschichtet und teilweise freigelegt, wie in 13 gezeigt.
In einigen Ausführungsformen, unter Bezugnahme auf 1A, 1B und 8, umfasst das Gegensubstrat ferner eine Überzugsschicht OC auf einer Seite der Quantenpunkt-Materialschicht QDML und der Uferdammschicht BL entfernt von dem Basissubstrat BS. Optional steht die Überzugsschicht OC in direktem Kontakt mit der Quantenpunkt-Materialschicht QDML und in direktem Kontakt mit der Uferdammschicht BL.
Die Linsenschicht LEL befindet sich auf einer von dem Basissubstrat BS entfernten Seite der Überzugsschicht OC. Optional steht die Überzugsschicht OC in direktem Kontakt mit der Linsenschicht LEL. Die Überzugsschicht OC stellt eine planarisierte Oberfläche zum Bilden der Linsenabschnitte LP der Linsenschicht LEL bereit.
Unter Bezugnahme auf FIG. In 8 befinden sich optional die reflektierende Beschichtungsschicht RECL und die Linsenschicht LEL auf einer Seite der Überzugsschicht OC entfernt von dem Basissubstrat BS. Optional steht die Überzugsschicht OC in direktem Kontakt mit der Linsenschicht LEL. Optional steht die Überzugsschicht OC in direktem Kontakt mit der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL. Die Überzugsschicht OC stellt eine planarisierte Oberfläche zum Bilden der Linsenabschnitte LP der Linsenschicht LEL und der reflektierenden Abschnitte RP der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL bereit.
14 ist ein schematisches Diagramm, das die Struktur eines Gegensubstrats in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung darstellt. Unter Bezugnahme auf 14 fehlt dem Gegensubstrat eine separate, unabhängige schwarze Matrix. In einem Beispiel fungiert die Uferdammschicht BL als schwarze Matrix. In einem anderen Beispiel fungiert die reflektierende Beschichtungsschicht RECL als schwarze Matrix. In einem anderen Beispiel fungiert die Linsenschicht LEL als schwarze Matrix. n einem anderen Beispiel fungiert eine Kombination von mindestens zwei der Uferdammschicht BL, der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL oder der Linsenschicht LEL als schwarze Matrix.
Unter Bezugnahme auf 1A, 1B und 8, umfasst das Gegensubstrat in einigen Ausführungsformen ferner eine schwarze Matrix BM im Inter-Subpixel-Bereich ISR des Gegensubstrats. Optional befindet sich die Uferdammschicht BL auf einer Seite der schwarzen Matrix BM weg von dem Basissubstrat BS, z. B. befindet sich die schwarze Matrix BM zwischen dem Basissubstrat BS und der Uferdammschicht BL.
Optional überlappen sich die orthographische Projektion der Uferdammschicht BL auf das Basissubstrat BS und eine orthographische Projektion der schwarzen Matrix BM auf das Basissubstrat BS zumindest teilweise. Optional bedeckt die orthografische Projektion der Uferdammschicht BL auf dem Basissubstrat BS die orthografische Projektion der schwarzen Matrix BM auf dem Basissubstrat BS.
In einem anderen Aspekt stellt die vorliegende Offenbarung ein Anzeigefeld bereit. In einigen Ausführungsformen umfasst das Anzeigefeld ein Arraysubstrat; und ein Gegensubstrat, das dem Arraysubstrat zugewandt ist. In einigen Ausführungsformen umfasst das Gegensubstrat: ein Basissubstrat; eine Uferdammschicht auf dem Basissubstrat, wobei die Uferdammschicht mehrere Uferdammöffnung definiert; eine Quantenpunkt-Materialschicht auf dem Basissubstrat, wobei die Quantenpunkt-Materialschicht eine Vielzahl von Quantenpunkt-Blöcken jeweils in mindestens einigen der Vielzahl von Uferdammöffnung umfasst; und eine Linsenschicht auf einer Seite der Quantenpunkt-Materialschicht und der Uferdammschicht entfernt von dem Basissubstrat. Optional umfasst die Linsenschicht einen oder mehrere Linsenabschnitte, deren orthographische Projektionen auf dem Basissubstrat benachbart zu einer Peripherie einer orthographischen Projektion einer jeweiligen der Vielzahl von Uferdammöffnung auf dem Basissubstrat; die Uferdammschicht und die Linsenschicht befinden sich in einem Inter-Subpixel-Bereich des Anzeigefelds; und eine orthographische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat zumindest teilweise mit einer orthographischen Projektion der Linsenschicht auf dem Basissubstrat überlappt.
15 ist ein schematisches Diagramm, das die Struktur eines Anzeigefelds in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht. Unter Bezugnahme auf 15, umfasst das Anzeigefeld in einigen Ausführungsformen ein Arraysubstrat AS und ein Gegensubstrat CS, die zusammengebaut sind. In einigen Ausführungsformen umfasst das Arraysubstrat AS: ein zweites Basissubstrat BS2; eine Vielzahl von Dünnfilmtransistoren TFT auf dem zweiten Basissubstrat BS2; eine Planarisierungsschicht PLN auf einer Seite der Vielzahl von Dünnfilmtransistoren TFT entfernt von dem zweiten Basissubstrat BS2; eine Planarisierungsschicht PLN auf einer Seite der Vielzahl von Dünnfilmtransistoren TFT entfernt von dem zweiten Basissubstrat BS2; eine Anodenschicht ADL, die eine Vielzahl von Anoden AD auf einer Seite der Planarisierungsschicht PLN umfasst, die von dem zweiten Basissubstrat BS2 entfernt ist; eine Pixeldefinitionsschicht PDL auf einer Seite der Planarisierungsschicht PLN und der Anodenschicht ADL entfernt von dem zweiten Basissubstrat BS2, wobei die Pixeldefinitionsschicht eine Vielzahl von Subpixelöffnungen SA definiert; eine lichtemittierende Materialschicht LEML auf einer Seite der Anodenschicht ADL weg von dem zweiten Basissubstrat BS2, wobei die lichtemittierende Materialschicht LEML mehrere lichtemittierende Blöcke EL jeweils in den mehreren Subpixelöffnungen SA umfasst; eine Kathodenschicht CD auf einer Seite der lichtemittierenden Materialschicht weg von dem zweiten Basissubstrat BS2; und eine Einkapselungsschicht EN auf einer Seite der Kathodenschicht CD weg von dem zweiten Basissubstrat BS2. In einigen Ausführungsformen umfasst das Gegensubstrat CS: ein Basissubstrat BS; eine Uferdammschicht BL auf dem Basissubstrat, wobei die Uferdammschicht BL eine Vielzahl von Uferdammöffnung BA definiert; eine Quantenpunkt-Materialschicht QDML auf dem Basissubstrat BS, wobei die Quantenpunkt-Materialschicht QDMI, eine Vielzahl von Quantenpunkt-Blöcken (z. B. QDB2 und QDB3) jeweils in mindestens einigen der Vielzahl von Uferdammöffnung BA umfasst; und eine Linsenschicht LEL auf einer Seite der Quantenpunkt-Materialschicht QDML und der Uferdammschicht BL entfernt von dem Basissubstrat BS.
Im vorliegenden Anzeigefeld können verschiedene geeignete lichtemittierende Materialien verwendet werden. Beispiele geeigneter Licht emittierender Materialien umfassen ein organisches Licht emittierendes Material, ein Quantenpunkt-Licht emittierendes Material, ein Mikro-Licht emittierendes Material und ein Elektrolumineszenz-Material. Dementsprechend können verschiedene geeignete lichtemittierende Elemente im vorliegenden Anzeigefeld verwendet werden. Beispiele für geeignete Licht emittierende Elemente umfassen eine organische Licht emittierende Diode, eine Quantenpunkt-Licht emittierende Diode, eine Mikro-Licht emittierende Diode und eine Elektrolumineszenz-Diode.
In einem Beispiel und unter Bezugnahme auf FIG. In 15 umfasst das Arraysubstrat AS ein zweites Basissubstrat BS2 (z. B. ein flexibles Basissubstrat); eine Pufferschicht BUF auf dem zweiten Basissubstrat BS2; eine aktive Schicht ACT eines jeweiligen einer Vielzahl von Dünnfilmtransistoren TFT auf einer Seite der Pufferschicht BUF entfernt von dem zweiten Basissubstrat BS2; eine erste Gate-Isolierschicht GI1 auf einer Seite der aktiven Schicht ACT entfernt von dem zweiten Basissubstrat BS2; eine Gate-Elektrode G und eine erste Kondensatorelektrode Ce1 auf einer Seite der ersten Gate-Isolierschicht GI1 weg von der Isolierschicht IN; eine zweite Gate-Isolierschicht GI2 auf einer Seite der Gate-Elektrode G und der ersten Kondensatorelektrode Ce1 entfernt von der ersten Gate-Isolierschicht GI1; eine zweite Kondensatorelektrode Ce2 auf einer Seite der zweiten Gate-Isolierschicht GI2 weg von der ersten Gate-Isolierschicht GI1; eine dielektrische Zwischenschicht ILD auf einer Seite der zweiten Kondensatorelektrode Ce2 weg von der zweiten Gate-Isolierschicht GI2; eine Source-Elektrode S und eine Drain-Elektrode D auf einer Seite der dielektrischen Zwischenschicht ILD entfernt von der zweiten Gate-Isolierschicht GI2; eine Planarisierungsschicht PLN auf einer Seite der Source-Elektrode S und der Drain-Elektrode D weg von der dielektrischen Zwischenschicht ILD; eine Pixeldefinitionsschicht PDL, die eine Subpixelöffnung SA definiert und sich auf einer Seite der Planarisierungsschicht PLN entfernt von dem zweiten Basissubstrat BS2 befindet; eine Abstandsschicht PS auf einer Seite der Pixeldefinitionsschicht PDL entfernt von dem zweiten Basissubstrat BS2; und ein lichtemittierendes Element LE in der Subpixelöffnung SA. Das lichtemittierende Element LE umfasst eine Anode AD auf einer Seite der Planarisierungsschicht PLN entfernt von der dielektrischen Zwischenschicht ILD; eine lichtemittierende Schicht EL auf einer Seite der Anode AD weg von der Planarisierungsschicht PLN; und eine Kathodenschicht CD auf einer von der Anode AD entfernten Seite der lichtemittierenden Schicht EL. Das Anzeigefeld im Anzeigebereich umfasst ferner eine Einkapselungsschicht EN, die das lichtemittierende Element LE einkapselt, und auf einer Seite der Kathodenschicht CD, die von dem zweiten Basissubstrat BS2 entfernt ist. Die Einkapselungsschicht EN umfasst in einigen Ausführungsformen eine erste anorganische Einkapselungsunterschicht CVD1 auf einer Seite der Kathodenschicht CD weg von dem zweiten Basissubstrat BS2, eine organische Einkapselungsunterschicht IJP auf einer Seite der ersten anorganischen Einkapselungsunterschicht CVD1 weg von dem zweiten Basissubstrat BS2, und eine zweite anorganische Einkapselungsunterschicht CVD2 auf einer Seite der organischen Einkapselungsunterschicht IJP entfernt von der ersten anorganischen Einkapselungsunterschicht CVD1.
In einigen Ausführungsformen umfasst das Anzeigefeld mehrere Subpixel. In einem Beispiel und unter Bezugnahme auf 15 umfasst das Anzeigefeld mehrere Subpixel der ersten Farbe sp1 (z. B. blaue Subpixel), mehrere Subpixel der zweiten Farbe sp2 (z. B. rote Subpixel) und mehrere Subpixel der dritten Farbe sp3 (z. B. grüne Subpixel). In einem anderen Beispiel haben die mehreren lichtemittierenden Blöcke EL in den mehreren Subpixeln der ersten Farbe sp1, den mehreren Subpixeln der zweiten Farbe sp2 und mehreren Subpixeln der dritten Farbe sp3 dieselbe Farbe. Beispielsweise sind die mehreren Licht emittierenden Blöcke EL in den mehreren Subpixeln der ersten Farbe sp1, den mehreren Subpixeln der zweiten Farbe sp2 und mehreren Subpixeln der dritten Farbe sp3 alle blaues Licht emittierende Blöcke.
Unter Bezugnahme auf 15, befinden sich in einigen Ausführungsformen die Uferdammschicht BL, die Linsenschicht LEL und die Pixeldefinitionsschicht PDL in einem Inter-Subpixel-Bereich ISR des Anzeigefelds. Optional befindet sich die Abstandsschicht PS auch im Inter-Subpixel-Bereich ISR des Anzeigefelds. Optional befinden sich die mehreren lichtemittierenden Blöcke EL in einem Subpixelbereich SR des Anzeigefelds. Optional ist mindestens eine der Uferdammschicht BL, der Linsenschicht LEL und der Pixeldefinitionsschicht PDL in dem Inter-Subpixel-Bereich ISR des Gegensubstrats CS begrenzt.
Optional überlappt eine orthographische Projektion der Uferdammschicht BL auf dem Basissubstrat BS zumindest teilweise mit einer orthographischen Projektion der Pixeldefinitionsschicht PDL auf dem Basissubstrat BS. Optional überlappen orthographische Projektionen der Uferdammschicht BL, der Pixeldefinitionsschicht PDL, der Linsenschicht LEL auf dem Basissubstrat BS zumindest teilweise einander. Optional bedeckt die orthographische Projektion der Uferdammschicht BL auf dem Basissubstrat BS die orthographische Projektion der Linsenschicht LEL auf dem Basissubstrat BS. Optional bedeckt die orthografische Projektion der Pixeldefinitionsschicht PDL auf dem Basissubstrat BS die orthografische Projektion der Linsenschicht LEL auf dem Basissubstrat BS. Optional bedeckt die orthografische Projektion der Uferdammschicht BL auf dem Basissubstrat BS die orthografische Projektion der Linsenschicht LEL auf dem Basissubstrat BS, und die orthographische Projektion der Pixeldefinitionsschicht PDL auf dem Basissubstrat BS bedeckt die orthographische Projektion der Linsenschicht LEL auf dem Basissubstrat BS.
Optional überlappt die orthographische Projektion der Linsenschicht LEL auf dem Basissubstrat BS im Wesentlichen nicht mit einer orthographischen Projektion der Vielzahl von lichtemittierenden Blöcken EL auf dem Basissubstrat BS. Optional überlappt die orthographische Projektion der Linsenschicht LEL auf dem Basissubstrat BS im Wesentlichen nicht mit einer orthographischen Projektion der Anodenschicht ADL auf dem Basissubstrat BS.
In einigen Ausführungsformen stehen der eine oder mehreren Linsenabschnitte LP der Linsenschicht LEL in direktem Kontakt mit dem Arraysubstrat AS. Optional stehen der eine oder mehreren Linsenabschnitte LP der Linsenschicht LEL in direktem Kontakt mit der Einkapselungsschicht EN des Arraysubstrats AS. Optional stehen der eine oder mehreren Linsenabschnitte LP der Linsenschicht LEL in direktem Kontakt mit der zweiten anorganischen Einkapselungsunterschicht CVD2 der Einkapselungsschicht EN.
Optional weist das Anzeigefeld zwischen der Überzugsschicht OC des Gegensubstrats CS und der zweiten anorganischen Einkapselungsunterschicht CVD2 der Einkapselungsschicht EN des Arraysubstrats AS keine andere Strukturkomponente als die Linsenschicht LEL auf. Darüber hinaus weist das Anzeigefeld keine Strukturkomponente in einem Zwischenraum zwischen benachbarten Linsenabschnitten der Linsenschicht LEL und zwischen der Überzugsschicht OC des Gegensubstrats CS und der zweiten anorganischen Einkapselungsunterschicht CVD2 der Einkapselungsschicht EN auf das Arraysubstrat AS.
In einigen Ausführungsformen umfasst das Gegensubstrat ferner ein Material mit niedrigem Brechungsindex in einem Raum zwischen benachbarten Linsenabschnitten der Linsenschicht LEL. Optional ist das Material mit niedrigem Brechungsindex Luft oder Vakuum. Optional ist ein Brechungsindex des Materials mit niedrigem Brechungsindex kleiner als ein Brechungsindex des einen oder mehreren Linsenabschnitte LP. Optional ist ein Brechungsindex des Materials mit niedrigem Brechungsindex kleiner als ein Brechungsindex der zweiten anorganischen Einkapselungsunterschicht CVD2 der Einkapselungsschicht EN. Optional ist ein Brechungsindex des Materials mit niedrigem Brechungsindex kleiner als ein Brechungsindex irgendeiner Schicht der Einkapselungsschicht EN.
16 ist ein schematisches Diagramm, das die Struktur eines Anzeigefelds in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht. Unter Bezugnahme auf 16 umfasst das Gegensubstrat CS in einigen Ausführungsformen ferner eine reflektierende Beschichtungsschicht RECL auf einer Seite der Linsenschicht LEL entfernt von dem Basissubstrat BS. In einigen Ausführungsformen befinden sich die Uferdammschicht BL, die Linsenschicht LEL und die reflektierende Beschichtungsschicht RECL in einem Inter-Subpixel-Bereich ISR des Gegensubstrats CS. Optional ist mindestens eine der Uferdammschicht BL, der Linsenschicht LEL oder der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL in dem Inter-Subpixel-Bereich ISR des Gegensubstrats CS begrenzt.
Optional überlappt eine orthographische Projektion der Uferdammschicht BL auf dem Basissubstrat BS zumindest teilweise mit einer orthographischen Projektion der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL auf dem Basissubstrat BS. Optional bedeckt die orthographische Projektion der Uferdammschicht BL auf dem Basissubstrat BS die orthographische Projektion der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL auf dem Basissubstrat BS.
Optional überlappt eine orthographische Projektion der Linsenschicht LEL auf dem Basissubstrat BS zumindest teilweise mit einer orthographischen Projektion der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL auf dem Basissubstrat BS. Optional überlappen sich die orthografische Projektion der Linsenschicht LEL auf dem Basissubstrat BS und die orthografische Projektion der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL auf dem Basissubstrat BS im Wesentlichen.
Optional überlappt die orthografische Projektion der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL auf dem Basissubstrat BS im Wesentlichen nicht mit einer orthografischen Projektion der Vielzahl von lichtemittierenden Blöcken EL auf dem Basissubstrat BS. Optional überlappt die orthografische Projektion der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL auf dem Basissubstrat BS im Wesentlichen nicht mit einer orthografischen Projektion der Anodenschicht ADL auf dem Basissubstrat BS.
Unter Bezugnahme auf 16, sind der eine oder mehreren reflektierenden Abschnitte RP der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL in einigen Ausführungsformen jeweils auf Oberflächen des einen oder mehreren Linsenabschnitte LP beschichtet. Dementsprechend weisen ein jeweiliger reflektierender Abschnitt und ein jeweiliger Linsenabschnitt in einigen Ausführungsformen eine im Wesentlichen gleiche Außenkontur auf. Optional weist der jeweilige reflektierende Abschnitt eine Innenkontur auf, die im Wesentlichen komplementär zur Außenkontur des jeweiligen Linsenabschnitts ist.
Der eine oder mehreren reflektierenden Abschnitte RP können verschiedene geeignete Formen haben. Unter Bezugnahme auf 16, hat in einigen Ausführungsformen ein jeweiliger reflektierender Abschnitt eine teilweise hohle Zylinderform. Optional hat ein jeweiliger Linsenabschnitt eine Teilzylinderform. Optional hat eine Kombination aus einem jeweiligen Linsenabschnitt und einem jeweiligen reflektierenden Abschnitt, der auf den jeweiligen Linsenabschnitt aufgebracht ist, eine Teilzylinderform.
In einigen Ausführungsformen stehen der eine oder mehreren reflektierenden Abschnitte RP der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL in direktem Kontakt mit dem Arraysubstrat AS. Optional stehen der eine oder mehreren reflektierenden Abschnitte RP der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL in direktem Kontakt mit der Einkapselungsschicht EN des Arraysubstrats AS. Optional stehen der eine oder mehreren reflektierenden Abschnitte RP der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL in direktem Kontakt mit der zweiten anorganischen Einkapselungsunterschicht CVD2 der Einkapselungsschicht EN.
Optional weist das Anzeigefeld zwischen der Überzugsschicht OC des Gegensubstrats CS und der zweiten anorganischen Einkapselungsunterschicht CVD2 der Einkapselungsschicht EN des Arraysubstrats AS keine andere Strukturkomponente als die Linsenschicht LEL und die reflektierende Beschichtungsschicht RECL. Darüber hinaus weist das Anzeigefeld keine Strukturkomponente in einem Raum zwischen benachbarten Linsenabschnitten und benachbarten reflektierenden Abschnitten und zwischen der Überzugsschicht OC des Gegensubstrats CS und der zweiten anorganischen Einkapselungsunterschicht CVD2 der Einkapselungsschicht EN des Arraysubstrats AS.
17 ist ein schematisches Diagramm, das die Struktur eines Anzeigefelds in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht. Unter Bezugnahme auf 17, umfasst das Gegensubstrat CS in einigen Ausführungsformen eine Füllschicht FIL (anstelle der Linsenschicht LEL oder der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL) zwischen dem Arraysubstrat AS und der Quantenpunkt-Materialschicht QDML. Wie in 17 gezeigt, kann Licht, das von einem jeweiligen der Vielzahl von lichtemittierenden Blöcken EL emittiert wird, in ein benachbartes Subpixel und in einen benachbarten Quantenpunktblock übertragen werden, was zu einer Farbkreuzkontamination führt. 18A zeigt ein Lichtspektrum, das in dem in 17 gezeigten Anzeigefeld erfasst wird. Wie in 18A gezeigt, wenn nur grüne Subpixel des Anzeigefelds konfiguriert sind, um Licht zu emittieren, und blaue Subpixel und rote Subpixel ausgeschaltet sind, enthält das im Anzeigefeld erfasste Lichtspektrum, das in 17 gezeigt ist, einen kleinen Peak im Bereich von 400 nm bis 500 nm, was eine farbliche Kreuzkontamination von einem jeweiligen grünen Subpixel in ein benachbartes blaues Subpixel anzeigt. 18B zeigt ein Lichtspektrum, das in dem in 17 gezeigten Anzeigefeld erfasst wird. Wie in 18B gezeigt, wenn nur rote Subpixel des Anzeigefelds konfiguriert sind, um Licht zu emittieren, und blaue Subpixel und grüne Subpixel ausgeschaltet sind, enthält das im Anzeigefeld erfasste Lichtspektrum, das in 17 gezeigt ist, auch einen kleinen Peak im Bereich von 400 nm bis 500 nm, was eine farbliche Kreuzkontamination von einem jeweiligen roten Subpixel in ein benachbartes blaues Subpixel anzeigt. Die Lichtstärke in 18A oder 18B ist die normalisierte Lichtintensität.
Wie in 15 gezeigt, trifft Licht, das von einem jeweiligen der mehreren lichtemittierenden Blöcke EL emittiert wird, auf einen Linsenabschnitt LP der Linsenschicht LEL, das einfallende Licht wird an einer Grenzfläche zwischen dem Linsenabschnitt LP und einem Medium (z. B. Luft) außerhalb des Linsenabschnitts LP konvergiert. Das gebrochene Licht wandert weiter durch den Linsenabschnitt LP, bis es an der Uferdammschicht BL ankommt, wo das Licht entweder absorbiert (z. B. wenn die Uferdammschicht BL aus einem schwarzen Material oder einem lichtabsorbierenden Material besteht) oder zurückreflektiert wird (z. B. wenn die Uferdammschicht BL aus einem reflektierenden Material besteht) zu dem Arraysubstrat AS. Wie in 16 gezeigt, trifft Licht, das von einem jeweiligen der mehreren lichtemittierenden Blöcke EL emittiert wird, auf einen reflektierenden Abschnitt RP der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL, und das einfallende Licht wird an einer Oberfläche des reflektierenden Abschnitts RP reflektiert. Das reflektierte Licht wandert weiter zu einem jeweiligen der Vielzahl von Quantenpunkt-Blöcken (z. B. QDB2) in einem gleichen Subpixelbereich (wobei das reflektierte Licht in einem gleichen Subpixelbereich wie das einfallende Licht gehalten wird). Die Erfinder der vorliegenden Offenbarung entdecken, dass dadurch, dass eine Linsenschicht oder eine reflektierende Beschichtungsschicht RECL über den Inter-Subpixel-Bereich ISR hinweg vorhanden ist, eine Kreuzkontamination von Licht zwischen benachbarten Subpixel-Bereichen überraschenderweise dennoch effektiv verhindert werden kann. 19A zeigt ein Lichtspektrum, das in dem in 15 gezeigten Anzeigefeld erfasst wird. 19B zeigt ein Lichtspektrum, das in dem in 15 gezeigten Anzeigefeld erfasst wird. Lichtstärke in 19A wird gemessen, wenn nur grüne Subpixel des Anzeigefelds konfiguriert sind, um Licht zu emittieren, und blaue Subpixel und rote Subpixel ausgeschaltet sind. Lichtstärke in 19B wird gemessen, wenn nur rote Subpixel des Anzeigefelds konfiguriert sind, um Licht zu emittieren, und blaue Subpixel und grüne Subpixel ausgeschaltet sind. Die Lichtstärke in 19A oder 19B ist die normalisierte Lichtintensität. Vergleicht man diese Ergebnisse mit denen in 18A und 18B wird die Farbkreuzkontamination im Wesentlichen eliminiert oder erheblich verringert, indem eine Linsenschicht anstelle einer Füllschicht vorhanden ist.
Unter Bezugnahme auf 15, liegt in einigen Ausführungsformen ein Zellspalt CG zwischen der Überzugsschicht OC des Gegensubstrats CS und der zweiten anorganischen Einkapselungsunterschicht CVD2 der Einkapselungsschicht EN des Arraysubstrats AS in einem Bereich von 1 µm bis 6 µm, 1 µm bis 2 µm, 2 µm bis 3 µm, 3 µm bis 4 µm, 4 µm bis 5 µm oder 5 µm bis 6 µm. Optional liegt der Zellspalt CG in einem Bereich von 2 µm bis 3 µm. Optional liegt eine Dicke der Linsenschicht LEL in einem Bereich von 1 µm bis 6 µm, 1 µm bis 2 µm, 2 µm bis 3 µm, 3 µm bis 4 µm, 4 µm bis 5 µm oder 5 µm bis 6 µm. Optional liegt eine Dicke der Linsenschicht LEL in einem Bereich von 2 µm bis 3 µm .
Unter Bezugnahme auf 16, liegt in einigen Ausführungsformen ein Zellspalt CG zwischen der Überzugsschicht OC des Gegensubstrats CS und der zweiten anorganischen Einkapselungsunterschicht CVD2 der Einkapselungsschicht EN des Arraysubstrats AS in einem Bereich von 1 µm bis 6 µm, 1 µm bis 2 µm, 2 µm bis 3 µm, 3 µm bis 4 µm, 4 µm bis 5 µm oder 5 µm bis 6 µm. Optional liegt der Zellspalt CG in einem Bereich von 2 µm bis 3 µm. Optional liegt eine Dicke einer Kombination aus der Linsenschicht LEL und der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL in einem Bereich von 1 µm bis 6 µm, 1 µm bis 2 µm, 2 µm bis 3 µm, 3 µm bis 4 µm, 4 µm bis 5 µm oder 5 µm bis 6 µm. Optional liegt eine Dicke der Kombination aus der Linsenschicht LEL und der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL in einem Bereich von 2 µm bis 3 µm .
20 veranschaulicht ein Arbeitsprinzip eines Linsenabschnitts in einem Gegensubstrat in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung. Unter Bezugnahme auf 20 wird in einigen Ausführungsformen eine Brennweite eines Linsenabschnitts LP der Linsenschicht LEL ausgedrückt als:
$1 / f = 1 / U + 1 / V;$

wobei f für die Brennweite des Linsenabschnitts LP steht; U für eine erste Lichtwegstrecke entlang eines ersten Lichtwegs eines Kantenlichts steht, das sich von einem benachbarten lichtemittierenden Block AEL zu dem Linsenabschnitt LP bei einem maximalen Betrachtungswinkel des benachbarten lichtemittierenden Blocks AEL in Bezug auf den Linsenabschnitt LP bewegt; V für eine zweite Lichtwegstrecke entlang einem zweiten Lichtweg des Kantenlichts von dem Linsenabschnitt LP zu der Uferdammschicht BL steht. Optional, U = H / sin (α); V = (h1 + h) / sin (β); wobei α ein erster Winkel zwischen dem ersten Lichtweg und einer Ebene ist, die eine Oberfläche des Arraysubstrats in direktem Kontakt mit dem Linsenabschnitt enthält; β ein zweiter Winkel zwischen dem zweiten Lichtweg und der Ebene ist, die die Oberfläche des Arraysubstrats in direktem Kontakt mit dem Linsenabschnitt enthält; H ein kürzester Abstand zwischen einer Oberfläche des benachbarten lichtemittierenden Blocks und der Ebene ist, die die Oberfläche des Arraysubstrats in direktem Kontakt mit dem Linsenabschnitt enthält; und (h1 + h) ein kürzester Abstand zwischen der Uferdammschicht und der Ebene ist, die die Oberfläche des Arraysubstrats in direktem Kontakt mit dem Linsenabschnitt enthält.
In einigen Ausführungsformen wird eine Breite w des Linsenabschnitts LP entlang einer Richtung von einer ersten benachbarten Uferdammöffnung zu einer zweiten benachbarten Uferdammöffnung ausgedrückt als: $L = (2 (h1 + h) / tan (β)) + Z;$
wobei Z für eine Montagetoleranz beim Zusammenbau des Gegensubstrats und des Arraysubstrats steht.
Optional liegt die Breite w des Linsenabschnitts LP entlang der Richtung von einer ersten benachbarten Uferdammöffnung zu einer zweiten benachbarten Uferdammöffnung in einem Bereich von 1 µm bis 6 µm, 1 µm bis 2 µm, 2 µm bis 3 µm, 3 µm bis 4 µm, 4 µm bis 5 µm oder 5 µm bis 6 µm.
In einigen Ausführungsformen wird ein Krümmungsradius des Linsenabschnitts ausgedrückt als: $r = 2 f * (n - 1);$
wobei r für den Krümmungsradius steht; und n für einen Brechungsindex des Linsenabschnitts LP steht.
In einem weiteren Aspekt stellt die vorliegende Offenbarung eine Anzeigevorrichtung bereit. In einigen Ausführungsformen umfasst die Anzeigevorrichtung das hier beschriebene oder durch ein hier beschriebenes Verfahren hergestellte Anzeigefeld und eine mit dem Anzeigefeld verbundene integrierte Schaltung. Beispiele geeigneter Anzeigevorrichtungen umfassen, sind aber nicht beschränkt auf, ein elektronisches Papier, ein Mobiltelefon, einen Tablet-Computer, einen Fernseher, einen Monitor, einen Notebook-Computer, ein digitales Album, ein GPS usw. Optional ist die Anzeigevorrichtung eine organische Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung. Optional ist die Anzeigevorrichtung eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung.
21 ist ein schematisches Diagramm, das die Struktur eines Anzeigefelds in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht. Unter Bezugnahme auf 21, umfasst das Anzeigefeld anstelle einer Linsenschicht LEL eine Trägerschicht SPL auf einer Seite der Quantenpunkt-Materialschicht QDMI, und der Uferdammschicht BL entfernt von dem Basissubstrat BS. Die Trägerschicht SPL umfasst in einigen Ausführungsformen einen oder mehrere Trägerabschnitte SPP, deren orthographische Projektionen auf dem Basissubstrat benachbart zu einer Peripherie einer orthographischen Projektion einer jeweiligen der Vielzahl von Uferdammöffnung BA auf dem Basissubstrat sind. In einigen Ausführungsformen befinden sich die Uferdammschicht BL und die Linsenschicht LEL in einem Inter-Subpixel-Bereich ISR des Gegensubstrats. Optional ist mindestens eine der Uferdammschicht und der Linsenschicht LEL in dem Inter-Subpixel-Bereich ISR des Gegensubstrats begrenzt. In einigen Ausführungsformen ist die Trägerschicht SPL eine Linsenschicht LEL, wie in 21 gezeigt.
22 ist ein schematisches Diagramm, das die Struktur eines Anzeigefelds in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht. Unter Bezugnahme auf 22, umfasst das Anzeigefeld anstelle einer Linsenschicht LEL eine Trägerschicht SPL auf einer Seite der Quantenpunkt-Materialschicht QDMI, und der Uferdammschicht BL entfernt von dem Basissubstrat BS. Das Anzeigefeld umfasst ferner eine reflektierende Beschichtungsschicht RECL. Die reflektierende Beschichtungsschicht RECL umfasst in einigen Ausführungsformen einen oder mehrere reflektierende Abschnitte RP, deren orthographische Projektionen auf dem Basissubstrat an einen Umfang einer orthographischen Projektion einer jeweiligen der mehreren Uferdammöffnung BA auf dem Basissubstrat angrenzen. In einigen Ausführungsformen befinden sich die Uferdammschicht BL, die Trägerschicht SPL und die reflektierende Beschichtungsschicht RECL in einem Inter-Subpixel-Bereich ISR des Gegensubstrats. Optional ist mindestens eine von der Uferdammschicht BL, der Trägerschicht SPL oder der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL in dem Inter-Subpixel-Bereich ISR des Gegensubstrats begrenzt.
Die Trägerschicht SPL und der Stützabschnitt SPP können aus einem organischen oder anorganischen Material wie etwa einem organischen Polymermaterial, Siliziumoxid und Siliziumnitrid bestehen. Ein Querschnitt des Stützabschnitts SPP entlang einer Richtung von einer ersten angrenzenden Uferdammöffnung zu einer zweiten angrenzenden Uferdammöffnung kann verschiedene geeignete Formen aufweisen, wie etwa eine Trapezform, eine rechteckige Form oder eine Form, die eine Kombination aus einem Rechteck mit Teilkreisen auf zwei Seiten des Rechtecks umfasst. In einem Beispiel bestehen die Trägerschicht SPL und der Trägerabschnitt SPP aus einem transparenten Material. In einem anderen Beispiel bestehen die Trägerschicht SPL und der Trägerabschnitt SPP aus einem lichtundurchlässigen Material.
In einem weiteren Aspekt stellt die vorliegende Offenbarung ferner ein Verfahren zum Herstellen eines Gegensubstrats bereit. In einigen Ausführungsformen umfasst das Verfahren Bilden einer Uferdammschicht auf dem Basissubstrat, wobei die Uferdammschicht mehrere Uferdammöffnung definiert; Bilden einer Quantenpunkt-Materialschicht auf dem Basissubstrat, wobei die Quantenpunkt-Materialschicht eine Vielzahl von Quantenpunkt-Blöcken jeweils in mindestens einigen der Vielzahl von Uferdammöffnung umfasst; und Bilden einer Linsenschicht auf einer Seite der Quantenpunkt-Materialschicht und der Uferdammschicht entfernt von dem Basissubstrat. Optional umfasst das Bilden der Linsenschicht das Bilden von einem oder mehreren Linsenabschnitten, deren orthografische Projektionen auf dem Basissubstrat benachbart zu einer Peripherie einer orthografischen Projektion einer jeweiligen der Vielzahl von Uferdammöffnung auf dem Basissubstrat sind. Optional werden die Uferdammschicht und die Linsenschicht in einem Bereich zwischen Subpixeln des Gegensubstrats gebildet. Optional überlappt eine orthographische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat zumindest teilweise mit einer orthographischen Projektion der Linsenschicht auf dem Basissubstrat. Optional abdeckt die orthographische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat die orthographische Projektion der Linsenschicht auf dem Basissubstrat.
In einigen Ausführungsformen ist die Linsenschicht als einheitliche Netzstruktur mit mehreren Öffnungen gebildet. Wahlweise werden Linsenabschnitte der Linsenschicht so ausgebildet, dass sie eine jeweilige der Vielzahl von Öffnungen umgeben.
In einigen Ausführungsformen umfasst das Verfahren ferner das Bilden einer reflektierenden Beschichtungsschicht auf einer Seite der Linsenschicht, die von dem Basissubstrat entfernt ist. Optional wird die reflektierende Beschichtungsschicht in dem Inter-Subpixel-Bereich des Gegensubstrats gebildet. Optional abdeckt die orthographische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat eine orthographische Projektion der reflektierenden Beschichtungsschicht auf dem Basissubstrat. Optional umfasst das Bilden der reflektierenden Beschichtungsschicht das Bilden von einem oder mehreren reflektierenden Abschnitten, die jeweils auf Oberflächen des einen oder der mehreren Linsenabschnitte beschichtet sind.
In einigen Ausführungsformen ist die reflektierende Beschichtungsschicht als eine einheitliche Netzstruktur mit mehreren Öffnungen gebildet. Optional werden reflektierende Abschnitte der reflektierenden Beschichtungsschicht so ausgebildet, dass sie eine jeweilige der Vielzahl von Öffnungen umgeben.
In einigen Ausführungsformen umfasst das Verfahren ferner das Bilden einer Überzugsschicht auf einer Seite der Quantenpunkt-Materialschicht und der Uferdammschicht entfernt von dem Basissubstrat. Optional wird die Linsenschicht auf einer Seite der Überzugsschicht weg von dem Basissubstrat gebildet.
In einigen Ausführungsformen umfasst das Verfahren ferner das Bilden einer schwarzen Matrix in dem Inter-Subpixel-Bereich des Gegensubstrats. Optional bedeckt die orthografische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat eine orthografische Projektion der schwarzen Matrix auf dem Basissubstrat.
In einigen Ausführungsformen umfasst das Verfahren ferner das Bilden einer Farbfilterschicht auf dem Basissubstrat. Optional umfasst das Bilden der Farbfilterschicht das Bilden einer Vielzahl von Farbfilterblöcken jeweils in der Vielzahl von Uferdammöffnung.
In einem anderen Aspekt stellt die vorliegende Offenbarung ferner ein Verfahren zum Herstellen eines Anzeigefelds bereit. In einigen Ausführungsformen umfasst das Bilden des Anzeigefelds das Bilden eines Arraysubstrats, das Bilden eines Gegensubstrats und das Zusammenbauen des Arraysubstrats und des Gegensubstrats.
In einigen Ausführungsformen umfasst das Bilden des Gegensubstrats das Bilden einer Uferdammschicht auf einem Basissubstrat, wobei die Uferdammschicht mehrere Uferdammöffnung definiert; das Bilden einer Quantenpunkt-Materialschicht auf dem Basissubstrat, wobei die Quantenpunkt-Materialschicht eine Vielzahl von Quantenpunkt-Blöcken jeweils in mindestens einigen der Vielzahl von Uferdammöffnung umfasst; und das Bilden einer Linsenschicht auf einer Seite der Quantenpunkt-Materialschicht und der Uferdammschicht entfernt von dem Basissubstrat. Optional umfasst das Bilden der Linsenschicht das Bilden von einem oder mehreren Linsenabschnitten, deren orthografische Projektionen auf dem Basissubstrat benachbart zu einer Peripherie einer orthografischen Projektion einer jeweiligen der Vielzahl von Uferdammöffnung auf dem Basissubstrat. Optional werden die Uferdammschicht und die Linsenschicht in einem Inter-Subpixel-Bereich des Gegensubstrats gebildet. Optional überlappt eine orthographische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat zumindest teilweise mit einer orthographischen Projektion der Linsenschicht auf dem Basissubstrat. Optional abdeckt die orthographische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat die orthographische Projektion der Linsenschicht auf dem Basissubstrat.
In einigen Ausführungsformen sind der eine oder mehreren Linsenabschnitte der Linsenschicht so ausgebildet, dass sie in direktem Kontakt mit dem Arraysubstrat stehen.
In einigen Ausführungsformen ist die Linsenschicht als einheitliche Netzstruktur mit mehreren Öffnungen ausgebildet. Optional werden Linsenabschnitte der Linsenschicht so ausgebildet, dass sie eine jeweilige der Vielzahl von Öffnungen umgeben.
In einigen Ausführungsformen umfasst das Bilden des Arraysubstrats das Bilden mehrerer Dünnfilmtransistoren auf einem zweiten Basissubstrat; das Bilden einer Planarisierungsschicht auf einer Seite der Vielzahl von Dünnfilmtransistoren entfernt von dem zweiten Basissubstrat; das Bilden einer Anodenschicht, die mehrere Anoden umfasst, auf einer Seite der Planarisierungsschicht, die von dem zweiten Basissubstrat entfernt ist; das Bilden einer Pixeldefinitionsschicht auf einer Seite der Planarisierungsschicht und der Anodenschicht entfernt von dem zweiten Basissubstrat, wobei die Pixeldefinitionsschicht eine Vielzahl von Subpixelöffnungen definiert; das Bilden einer lichtemittierenden Materialschicht auf einer Seite der Anodenschicht weg von dem zweiten Basissubstrat, wobei die lichtemittierende Materialschicht eine Vielzahl von lichtemittierenden Blöcken jeweils in der Vielzahl von Subpixelöffnungen umfasst; das Bilden einer Kathodenschicht auf einer Seite der lichtemittierenden Materialschicht entfernt von dem zweiten Basissubstrat; und das Bilden einer Einkapselungsschicht auf einer Seite der Kathodenschicht entfernt von dem zweiten Basissubstrat. Optional sind der eine oder mehreren Linsenabschnitte der Linsenschicht so ausgebildet, dass sie in direktem Kontakt mit der Einkapselungsschicht stehen. Optional wird die Pixeldefinitionsschicht in dem Bereich zwischen Subpixeln des Anzeigefelds gebildet. Optional überlappt eine orthographische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat zumindest teilweise mit einer orthographischen Projektion der Pixeldefinitionsschicht auf dem Basissubstrat. Optional bedeckt die orthographische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat die orthographische Projektion der Linsenschicht auf dem Basissubstrat; und die orthographische Projektion der Pixeldefinitionsschicht auf dem Basissubstrat die orthographische Projektion der Linsenschicht auf dem Basissubstrat abdeckt.
In einigen Ausführungsformen umfasst das Bilden des Gegensubstrats ferner das Bilden einer reflektierenden Beschichtungsschicht auf einer Seite der Linsenschicht weg von dem Basissubstrat. Optional wird die reflektierende Beschichtungsschicht in dem Inter-Subpixel-Bereich des Gegensubstrats gebildet. Optional bedecken orthografische Projektionen der Uferdammschicht und der Pixeldefinitionsschicht auf dem Basissubstrat eine orthografische Projektion der reflektierenden Beschichtungsschicht auf dem Basissubstrat. Optional umfasst das Bilden der reflektierenden Beschichtungsschicht das Bilden von einem oder mehreren reflektierenden Abschnitten, die jeweils auf Oberflächen des einen oder der mehreren Linsenabschnitte beschichtet sind.
In einigen Ausführungsformen ist die reflektierende Beschichtungsschicht als eine einheitliche Netzstruktur mit mehreren Öffnungen ausgebildet. Optional werden reflektierende Abschnitte der reflektierenden Beschichtungsschicht so ausgebildet, dass sie eine jeweilige der Vielzahl von Öffnungen umgeben.
In einigen Ausführungsformen umfasst das Bilden des Gegensubstrats ferner das Bilden einer Überzugsschicht auf einer Seite der Quantenpunkt-Materialschicht und der Uferdammschicht entfernt von dem Basissubstrat. Optional wird die Linsenschicht auf einer Seite der Überzugsschicht weg von dem Basissubstrat gebildet.
In einigen Ausführungsformen sind das Gegensubstrat und das Arraysubstrat so zusammengesetzt, dass sie einen Zellspalt zwischen der Überzugsschicht des Gegensubstrats und dem Arraysubstrat in einem Bereich von 1 µm bis 6 µm aufweisen.
In einigen Ausführungsformen umfasst das Bilden des Gegensubstrats ferner das Bilden einer schwarzen Matrix in dem Inter-Subpixel-Bereich des Gegensubstrats. Optional bedeckt die orthografische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat eine orthografische Projektion der schwarzen Matrix auf dem Basissubstrat.
In einigen Ausführungsformen umfasst das Bilden des Gegensubstrats ferner das Bilden einer Farbfilterschicht auf dem Basissubstrat. Optional umfasst das Bilden der Farbfilterschicht das Bilden einer Vielzahl von Farbfilterblöcken jeweils in der Vielzahl von Uferdammöffnung.
Verschiedene geeignete Isoliermaterialien und verschiedene geeignete Herstellungsverfahren können verwendet werden, um die Quantenpunkt-Materialschicht QDML herzustellen. Beispiele für Quantenpunktmaterialien umfassen CdS, CdSe, CdTe, ZnSe, InP, PbS, CsPbC13, CsPbBr3, CsPhI3, CsPbClxBr3-x, CsPbBrxI3-x, CdS/ZnS, CdSe/ZnS, ZnSe, InP/ZnS, PbS/ZnS, CsPbCl/ZnS, CsPbBr3/ZnS, CsPhI3/ZnS, CsPbClxBr3-x/ZnS, CsPbBrxl3-x/ZnS und eine Kombination davon, wobei x < 3.
Verschiedene geeignete Isoliermaterialien und verschiedene geeignete Herstellungsverfahren können verwendet werden, um die Uferdammschicht BL herzustellen. Beispielsweise kann ein Isoliermaterial auf dem Substrat durch einen Prozess der plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung (PECVD) abgeschieden werden. Beispiele geeigneter Isoliermaterialien zum Herstellen der Uferdammschicht BL umfassen organische Isoliermaterialien und anorganische Isoliermaterialien. Beispiele für organische Isoliermaterialien umfassen Photoresistmaterialien, lichtempfindliches Polyimid, Harzmaterialien (z. B. ein lichtempfindliches Diazonaphtho-Chinon-Phenolharz) und Acrylatmaterialien. Beispiele für anorganische Isoliermaterialien umfassen Siliziumnitrid (SiNx), Siliziumoxid (SiOx) und Siliziumoxidnitrid (SiOxNy). Die Uferdammschicht BL kann jede geeignete Farbe haben. Beispiele für Farben der Uferdammschicht BL umfassen Schwarz, Gelb, Grau und Weiß.
Zur Herstellung der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL können verschiedene geeignete reflektierende Materialien und verschiedene geeignete Herstellungsverfahren verwendet werden. Beispiele für geeignete reflektierende Materialien zum Herstellen der reflektierenden Beschichtungsschicht RECL umfassen Metalle mit hohem Reflexionsvermögen, wie beispielsweise Silber und Aluminium.
Verschiedene geeignete Materialien und Herstellungsverfahren können zum Bilden der Linsenschicht LEL verwendet werden. Beispielsweise kann die Linsenschicht LEL aus einem transparenten organischen oder anorganischen Material wie Glas, Quarz oder Harz bestehen. Die Linsenschicht LEL kann z. B. durch Belichten und Entwickeln eines Photoresistmaterials, Laserschreiben, Plasmaschreiben, dreidimensionales Drucken usw. gebildet werden. Beispiele von Linsen umfassen, sind aber nicht beschränkt auf, zylindrische Linsen, halbzylindrische Linsen, bikonvexe Linsen, bikonkave Linsen, plankonkave Linsen, plankonvexe Linsen, Meniskuslinsen, konkav-konvexe Linsen usw.
Die vorstehende Beschreibung der Ausführungsformen der Erfindung dient der Veranschaulichung und Beschreibung. Es ist nicht beabsichtigt, erschöpfend zu sein oder die Erfindung auf die genaue Form oder auf offenbarte beispielhafte Ausführungsformen zu beschränken. Dementsprechend sollte die vorstehende Beschreibung als veranschaulichend und nicht als einschränkend betrachtet werden. Offensichtlich werden Fachleuten auf diesem Gebiet viele Modifikationen und Variationen offensichtlich sein. Die Ausführungsformen werden ausgewählt und beschrieben, um die Prinzipien der Erfindung und ihre beste Art der praktischen Anwendung zu erläutern, wodurch es Fachleuten ermöglicht wird, die Erfindung für verschiedene Ausführungsformen und mit verschiedenen Modifikationen zu verstehen, wie sie für die bestimmte beabsichtigte Verwendung oder Implementierung geeignet sind. Es ist beabsichtigt, dass der Schutzumfang der Erfindung durch die beigefügten Ansprüche und ihre Äquivalente definiert ist, in denen alle Begriffe in ihrem breitesten vernünftigen Sinn gemeint sind, sofern nichts anderes angegeben ist. Daher schränkt der Begriff „die Erfindung“, „die vorliegende Erfindung“ oder dergleichen den Anspruchsumfang nicht notwendigerweise auf eine bestimmte Ausführungsform ein, und die Bezugnahme auf beispielhafte Ausführungsformen der Erfindung impliziert keine Beschränkung der Erfindung, und eine solche Beschränkung ist nicht abzuleiten. Die Erfindung ist nur durch den Geist und Umfang der beigefügten Ansprüche beschränkt. Darüber hinaus können sich diese Ansprüche auf die Verwendung von „erster“, „zweiter“ usw. beziehen, gefolgt von einem Substantiv oder Element. Solche Begriffe sind als Nomenklatur zu verstehen und sollten nicht so ausgelegt werden, dass sie die Anzahl der durch eine solche Nomenklatur modifizierten Elemente einschränken, es sei denn, es wurde eine spezifische Zahl angegeben. Alle beschriebenen Vorteile und Vorteile gelten möglicherweise nicht für alle Ausführungsformen der Erfindung. Es versteht sich, dass Variationen an den von Fachleuten beschriebenen Ausführungsformen vorgenommen werden können, ohne vom Umfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen, wie er durch die folgenden Ansprüche definiert ist. Darüber hinaus soll kein Element und keine Komponente in der vorliegenden Offenbarung der Öffentlichkeit gewidmet sein, unabhängig davon, ob das Element oder die Komponente explizit in den folgenden Ansprüchen genannt wird.

Claims

Gegensubstrat, umfassend: ein Basissubstrat; eine Uferdammschicht auf dem Basissubstrat, wobei die Uferdammschicht eine Vielzahl von Uferdammöffnungen definiert; eine Quantenpunkt-Materialschicht auf dem Basissubstrat, wobei die Quantenpunkt-Materialschicht eine Vielzahl von Quantenpunkt-Blöcken jeweils in mindestens einigen der Vielzahl von Uferdammöffnungen umfasst; und eine Trägerschicht auf einer von dem Basissubstrat entfernten Seite der Quantenpunkt-Materialschicht und der Uferdammschicht; wobei die Trägerschicht einen oder mehrere Trägerabschnitte umfasst, deren orthographische Projektionen auf dem Basissubstrat zu einer Peripherie einer orthographischen Projektion einer jeweiligen der Vielzahl von Uferdammöffnung auf dem Basissubstrat benachbart sind; die Uferdammschicht und die Trägerschicht sich in einem Inter-Subpixel-Bereich des Gegensubstrats befinden; und eine orthographische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat sich zumindest teilweise mit einer orthographischen Projektion der Trägerschicht auf dem Basissubstrat überlappt.
Gegensubstrat nach Anspruch 1, wobei die Trägerschicht eine Linsenschicht ist, die einen oder mehrere Linsenabschnitte umfasst, deren orthographische Projektionen auf dem Basissubstrat zu einer Peripherie einer orthographischen Projektion einer jeweiligen der Vielzahl von Uferdammöffnung auf dem Basissubstrat benachbart sind; die Uferdammschicht und die Linsenschicht sich im Inter-Subpixel-Bereich des Gegensubstrats befinden; und eine orthographische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat sich zumindest teilweise mit einer orthographischen Projektion der Linsenschicht auf dem Basissubstrat überlappt.
Gegensubstrat nach Anspruch 2, wobei die orthografische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat die orthografische Projektion der Linsenschicht auf dem Basissubstrat bedeckt.
Gegensubstrat nach Anspruch 2 oder Anspruch 3, wobei die Linsenschicht eine einheitliche Netzstruktur mit einer Vielzahl von Öffnungen ist; und eine jeweilige der Vielzahl von Öffnungen durch Linsenabschnitten der Linsenschicht umgeben ist.
Gegensubstrat nach einem der Ansprüche 2 bis 4, ferner umfassend ein Material mit niedrigem Brechungsindex in einem Raum zwischen benachbarten Linsenabschnitten der Linsenschicht; wobei ein Brechungsindex des Materials mit niedrigem Brechungsindex kleiner als ein Brechungsindex des einen oder mehreren Linsenabschnitte ist.
Gegensubstrat nach einem der Ansprüche 2 bis 5, wobei eine Breite des jeweiligen einen der einen oder mehreren Linsenabschnitte auf einer näher an der Uferdammschicht liegenden und sich entlang einer Richtung von einer ersten benachbarten Uferdammöffnung zu einer zweiten benachbarten Uferdammöffnung erstreckenden Seite im Wesentlichen gleich wie eine Breite der Uferdammschicht auf einer näher an dem jeweiligen einen der einen oder mehreren Linsenabschnitte liegenden und sich entlang der Richtung von der ersten benachbarten Uferdammöffnung zu der zweiten benachbarten Uferdammöffnung erstreckenden Seite ist.
Gegensubstrat nach einem der Ansprüche 2 bis 6, wobei die Linsenschicht im Wesentlichen über den Inter-Subpixel-Bereich angeordnet ist.
Gegensubstrat nach einem der Ansprüche 2 bis 6, wobei die Linsenschicht in einem Abschnitt des Inter-Subpixel-Bereichs zwischen benachbarten Subpixeln unterschiedlicher Farben begrenzt ist und in einem Abschnitt des Inter-Subpixel-Bereichs zwischen benachbarten Subpixel gleicher Farbe nicht vorhanden ist.
Gegensubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 8, ferner umfassend eine reflektierende Beschichtungsschicht auf einer von dem Basissubstrat entfernten Seite der Linsenschicht; wobei sich die reflektierende Beschichtungsschicht in dem Inter-Subpixel-Bereich des Gegensubstrats befindet; die orthografische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat eine orthografische Projektion der reflektierenden Beschichtungsschicht auf dem Basissubstrat bedeckt; und die reflektierende Beschichtungsschicht einen oder mehrere reflektierende Abschnitte umfasst, die jeweils auf Oberflächen des einen oder mehreren Linsenabschnitte beschichtet sind.
Gegensubstrat nach Anspruch 9, wobei die reflektierende Beschichtungsschicht eine einheitliche Netzstruktur mit einer Vielzahl von Öffnungen ist; und eine jeweilige der Vielzahl von Öffnungen durch reflektierende Abschnitte der reflektierenden Beschichtungsschicht umgeben ist.
Gegensubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 10, ferner umfassend eine Überzugsschicht auf einer von dem Basissubstrat entfernten Seite der Quantenpunkt-Materialschicht und der Uferdammschicht; wobei sich die Linsenschicht auf einer von dem Basissubstrat entfernten Seite der Überzugsschicht befindet.
Gegensubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 11, ferner umfassend eine schwarze Matrix im Inter-Subpixel-Bereich des Gegensubstrats; und die orthografische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat eine orthografische Projektion der schwarzen Matrix auf dem Basissubstrat bedeckt.
Gegensubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 12, ferner umfassend eine Farbfilterschicht auf dem Basissubstrat; wobei die Farbfilterschicht eine Vielzahl von Farbfilterblöcken jeweils in der Vielzahl von Uferdammöffnung umfasst.
Anzeigefeld, umfassend: ein Arraysubstrat und ein Gegensubstrat, das dem Arraysubstrat gegenüberliegt; wobei das Gegensubstrat umfasst: ein Basissubstrat; eine Uferdammschicht auf dem Basissubstrat, wobei die Uferdammschicht eine Vielzahl von Uferdammöffnungen definiert; eine Quantenpunkt-Materialschicht auf dem Basissubstrat, wobei die Quantenpunkt-Materialschicht eine Vielzahl von Quantenpunkt-Blöcken jeweils in mindestens einigen der Vielzahl von Uferdammöffnungen umfasst; und eine Trägerschicht auf einer von dem Basissubstrat entfernten Seite der Quantenpunkt-Materialschicht und der Uferdammschicht; wobei die Trägerschicht einen oder mehrere Trägerabschnitte umfasst, deren orthographische Projektionen auf dem Basissubstrat zu einer Peripherie einer orthographischen Projektion einer jeweiligen der Vielzahl von Uferdammöffnung auf dem Basissubstrat benachbart sind; die Uferdammschicht und die Trägerschicht sich in einem Inter-Subpixel-Bereich des Gegensubstrats befinden; und eine orthographische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat sich zumindest teilweise mit einer orthographischen Projektion der Trägerschicht auf dem Basissubstrat überlappt.
Anzeigefeld nach Anspruch 14, wobei die Trägerschicht eine Linsenschicht ist, die einen oder mehrere Linsenabschnitte umfasst, deren orthographische Projektionen auf dem Basissubstrat zu einer Peripherie einer orthographischen Projektion einer jeweiligen der Vielzahl von Uferdammöffnung auf dem Basissubstrat benachbart sind; die Uferdammschicht und die Linsenschicht sich im Inter-Subpixel-Bereich des Gegensubstrats befinden; und eine orthographische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat sich zumindest teilweise mit einer orthographischen Projektion der Linsenschicht auf dem Basissubstrat überlappt.
Anzeigefeld nach Anspruch 15, wobei der eine oder mehreren Linsenabschnitte der Linsenschicht in direktem Kontakt mit einer zweiten anorganischen Einkapselungsunterschicht einer Einkapselungsschicht in dem Arraysubstrat stehen.
Anzeigefeld nach Anspruch 15 oder Anspruch 16, wobei die Linsenschicht eine einheitliche Netzstruktur mit einer Vielzahl von Öffnungen ist; und eine jeweilige der Vielzahl von Öffnungen durch Linsenabschnitten der Linsenschicht umgeben ist.
Anzeigefeld nach einem der Ansprüche 15 bis 17, ferner umfassend ein Material mit niedrigem Brechungsindex in einem Raum zwischen benachbarten Linsenabschnitten der Linsenschicht; wobei ein Brechungsindex des Materials mit niedrigem Brechungsindex kleiner als ein Brechungsindex des einen oder mehreren Linsenabschnitte ist.
Anzeigefeld nach Anspruch 16, wobei ein Brechungsindex des Materials mit niedrigem Brechungsindex kleiner als ein Brechungsindex der zweiten anorganischen Einkapselungsunterschicht ist.
Anzeigefeld nach einem der Ansprüche 15 bis 19, wobei eine Breite des jeweiligen einen der einen oder mehreren Linsenabschnitte auf einer näher an der Uferdammschicht liegenden und sich entlang einer Richtung von einer ersten benachbarten Uferdammöffnung zu einer zweiten benachbarten Uferdammöffnung erstreckenden Seite im Wesentlichen gleich wie eine Breite der Uferdammschicht auf einer näher an dem jeweiligen einen der einen oder mehreren Linsenabschnitte liegenden und sich entlang der Richtung von der ersten benachbarten Uferdammöffnung zu der zweiten benachbarten Uferdammöffnung erstreckenden Seite ist.
Anzeigefeld nach einem der Ansprüche 15 bis 20, wobei das Arraysubstrat umfasst: ein zweites Basissubstrat; eine Vielzahl von Dünnfilmtransistoren auf dem zweiten Basissubstrat; eine Planarisierungsschicht auf einer von dem zweiten Basissubstrat entfernten Seite der Vielzahl von Dünnfilmtransistoren; eine Anodenschicht, die eine Vielzahl von Anoden umfasst, die sich auf einer von dem zweiten Basissubstrat entfernten Seite der Planarisierungsschicht befinden; eine Pixeldefinitionsschicht auf einer von dem zweiten Basissubstrat entfernten Seite der Planarisierungsschicht und der Anodenschicht, wobei die Pixeldefinitionsschicht eine Vielzahl von Subpixelöffnungen definiert; eine lichtemittierende Materialschicht auf einer von dem zweiten Basissubstrat entfernten Seite der Anodenschicht, wobei die lichtemittierende Materialschicht eine Vielzahl von lichtemittierenden Blöcken jeweils in der Vielzahl von Subpixelöffnungen umfasst; eine Kathodenschicht auf einer von dem zweiten Basissubstrat entfernten Seite der lichtemittierenden Materialschicht; und eine Einkapselungsschicht auf einer von dem zweiten Basissubstrat entfernten Seite der Kathodenschicht; wobei der eine oder mehreren Linsenabschnitte der Linsenschicht in direktem Kontakt mit der Einkapselungsschicht stehen; die Pixeldefinitionsschicht sich im Inter-Subpixel-Bereich des Anzeigefelds befindet; und eine orthografische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat sich zumindest teilweise mit einer orthografischen Projektion der Pixeldefinitionsschicht auf dem Basissubstrat überlappt.
Anzeigefeld nach Anspruch 21, wobei die orthographische Projektion der Uferdammschicht auf dem Basissubstrat die orthographische Projektion der Linsenschicht auf dem Basissubstrat bedeckt; und die orthografische Projektion der Pixeldefinitionsschicht auf dem Basissubstrat die orthografische Projektion der Linsenschicht auf dem Basissubstrat bedeckt.
Anzeigefeld nach Anspruch 21 oder Anspruch 22, wobei das Gegensubstrat ferner eine reflektierende Beschichtungsschicht auf einer von dem Basissubstrat entfernten Seite der Linsenschicht umfasst; wobei sich die reflektierende Beschichtungsschicht in dem Inter-Subpixel-Bereich des Gegensubstrats befindet; orthographische Projektionen der Uferdammschicht und der Pixeldefinitionsschicht auf dem Basissubstrat eine orthographische Projektion der reflektierenden Beschichtungsschicht auf dem Basissubstrat bedecken; und die reflektierende Beschichtungsschicht einen oder mehrere reflektierende Abschnitte umfasst, die jeweils auf Oberflächen des einen oder mehreren Linsenabschnitte beschichtet sind.
Anzeigefeld nach Anspruch 23, wobei die reflektierende Beschichtungsschicht eine einheitliche Netzstruktur mit einer Vielzahl von Öffnungen ist; und eine jeweilige der Vielzahl von Öffnungen durch reflektierende Abschnitte der reflektierenden Beschichtungsschicht umgeben ist.
Anzeigefeld nach einem der Ansprüche 14 bis 24, wobei das Gegensubstrat ferner eine Überzugsschicht auf einer von dem Basissubstrat entfernten Seite der Quantenpunkt-Materialschicht und der Uferdammschicht umfasst; und wobei sich die Linsenschicht auf einer von dem Basissubstrat entfernten Seite der Überzugsschicht befindet.
Anzeigefeld nach Anspruch 25, wobei eine Zelllücke zwischen der Überzugsschicht des Gegensubstrats und dem Arraysubstrat in einem Bereich von 1 µm bis 6 µm liegt.
Anzeigefeld nach einem der Ansprüche 14 bis 26, wobei eine Brennweite eines Linsenabschnitts der Linsenschicht ausgedrückt wird als: $1 / f = 1 / U + 1 / V;$
wobei f für die Brennweite des Linsenabschnitts steht; U für eine erste Lichtwegstrecke entlang eines ersten Lichtwegs eines Kantenlichts steht, das sich von einem benachbarten lichtemittierenden Block zu dem Linsenabschnitt bei einem maximalen Betrachtungswinkel des benachbarten lichtemittierenden Blocks in Bezug auf den Linsenabschnitt bewegt; V für eine zweite Lichtwegstrecke entlang einem zweiten Lichtweg des Kantenlichts von dem Linsenabschnitt zu der Uferdammschicht steht; $U = H / sin (α);$
$V = (h1 + h) / sin (β);$
α ein erster Winkel zwischen dem ersten Lichtweg und einer Ebene ist, die eine Oberfläche des Arraysubstrats in direktem Kontakt mit dem Linsenabschnitt umfasst; β ein zweiter Winkel zwischen dem zweiten Lichtweg und der Ebene ist, die die Oberfläche des Arraysubstrats in direktem Kontakt mit dem Linsenabschnitt umfasst; H ein kürzester Abstand zwischen einer Oberfläche des benachbarten lichtemittierenden Blocks und der Ebene ist, die die Oberfläche des Arraysubstrats in direktem Kontakt mit dem Linsenabschnitt umfasst; und (h1 + h) ein kürzester Abstand zwischen der Uferdammschicht und der Ebene ist, die die Oberfläche des Arraysubstrats in direktem Kontakt mit dem Linsenabschnitt umfasst.
Anzeigefeld nach Anspruch 27, wobei eine Breite des Linsenabschnitts entlang einer Richtung von einer ersten benachbarten Uferdammöffnung zu einer zweiten benachbarten Uferdammöffnung ausgedrückt wird als: $L = (2 (h1 + h) / tan (β)) + Z;$
wobei Z für eine Montagetoleranz beim Zusammenbau des Gegensubstrats und des Arraysubstrats steht.
Anzeigefeld nach Anspruch 27 oder Anspruch 28, wobei ein Krümmungsradius des Linsenabschnitts ausgedrückt wird als: $r = 2 f * (n - 1);$
wobei r für den Krümmungsradius steht; und n für einen Brechungsindex des Linsenabschnitts steht.
Anzeigevorrichtung, umfassend das Anzeigefeld nach einem der Ansprüche 14 bis 29 und eine integrierte Schaltung, die mit dem Anzeigefeld verbunden ist.