CN108172602A - 显示基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 86
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 14
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 10
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 12
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004425 Makrolon Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8794—Arrangements for heating and cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/87—Arrangements for heating or cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种显示基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。方法包括：提供一衬底基板；在衬底基板上形成像素界定图案和加热电路图案，加热电路图案位于像素界定图案远离衬底基板的一面上，加热电路图案与外部电源连接；在形成有加热电路图案和像素界定图案的衬底基板上形成自发光器件，自发光器件包括发光层和整层设置的共同层；通过外部电源向加热电路图案提供电流，使加热电路图案升温，以破坏共同层中位于像素界定图案上方的膜层结构。本发明解决了相关技术中显示基板的显示色纯度较低，显示装置的显示质量较差的问题。本发明用于显示基板的制造。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(英文：Organic Light Emitting Diode；简称：OLED)作为一种电流型发光器件，因其所具有的自发光、快速响应和宽视角等特点而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。
图1是相关技术中的一种OLED显示基板的结构示意图，如图1所示，该显示基板包括衬底基板101、像素界定层102、自发光器件103、阳极104和阴极105，其中，自发光器件103包括发光层103a和整层设置的共同层103b，共同层103b可以包括依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层，发光层103a设置在空穴传输层和电子传输层之间。
由于目前OLED显示基板的像素分辨率越来越高，像素间距越来越小，如图1所示的显示基板中，可能会出现像素间的电流串扰，例如，假设该OLED显示基板的像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，当在蓝色子像素上加载电信号以点亮该蓝色子像素时，由于像素间距较小，蓝色子像素区域内产生的电流可能从空穴传输层或空穴注入层横向传输至与该蓝色子像素相邻的子像素区域，导致与该蓝色子像素相邻的红色子像素和绿色子像素也被点亮，显示基板的显示色纯度较低，进而显示装置的显示质量较差。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置，可以解决相关技术中显示基板的显示色纯度较低，显示装置的显示质量较差的问题。所述技术方案如下：
第一方面，提供了一种显示基板的制造方法，所述方法包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成像素界定图案和加热电路图案，所述加热电路图案位于所述像素界定图案远离所述衬底基板的一面上，所述加热电路图案与外部电源连接；
在形成有所述加热电路图案和所述像素界定图案的衬底基板上形成自发光器件，所述自发光器件包括发光层和整层设置的共同层；
通过所述外部电源向所述加热电路图案提供电流，使所述加热电路图案升温，以破坏所述共同层中位于所述像素界定图案上方的膜层结构。
可选的，所述通过所述外部电源向所述加热电路图案提供电流，包括：
通过所述外部电源向所述加热电路图案提供脉冲电流。
可选的，所述在所述衬底基板上形成像素界定图案和加热电路图案，包括：
在所述衬底基板上形成像素界定层；
在所述像素界定层远离所述衬底基板的一面上形成所述加热电路图案；
对所述像素界定层采用构图工艺，以形成所述像素界定图案。
可选的，所述在所述像素界定层远离所述衬底基板的一面上形成所述加热电路图案，包括：
在形成有所述像素界定层的衬底基板上形成加热电路层；
对所述加热电路层采用构图工艺，以形成所述加热电路图案。
可选的，所述加热电路图案包括矩阵状排布的多个封闭子图案，所述多个封闭子图案与所述显示基板的多个子像素一一对应设置。
可选的，所述加热电路图案的材质为银、氧化铟锡、铝或钼。
可选的，所述在所述衬底基板上形成像素界定层之前，所述方法还包括：
在所述衬底基板上形成第一电极。
可选的，在形成有所述自发光器件的衬底基板上形成第二电极，所述第二电极与所述第一电极的极性相反。
可选的，所述在所述衬底基板上形成第一电极之前，所述方法还包括：
在所述衬底基板上形成像素驱动电路。
第二方面，提供了一种显示基板，所述显示基板包括：
衬底基板，以及依次设置在所述衬底基板上的像素界定图案、加热电路图案和自发光器件；
其中，所述自发光器件包括发光层和整层设置的共同层，所述加热电路图案设置在所述像素界定图案远离所述衬底基板的一面与所述共同层之间，所述共同层包括正常区域和位于所述像素界定图案上方的破坏区域，所述破坏区域无法进行电流的横向传输，所述破坏区域是外部电源向所述加热电路图案提供电流后所述加热电路图案升温形成的。
可选的，所述加热电路图案包括矩阵状排布的多个封闭子图案，所述多个封闭子图案与所述显示基板的多个子像素一一对应设置。
可选的，所述加热电路图案的材质为银、氧化铟锡、铝或钼。
可选的，所述显示基板还包括第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第二电极的极性相反；
所述第一电极设置在所述衬底基板与所述自发光器件之间，所述第二电极设置在所述自发光器件远离所述衬底基板的一侧。
可选的，所述显示基板还包括设置在所述衬底基板与所述像素界定图案之间的像素驱动电路。
第三方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括第二方面任一所述的显示基板。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
本发明实施例提供的显示基板及其制造方法、显示装置，由于像素界定图案远离衬底基板的一面与自发光器件的共同层之间设置有加热电路图案，在通过外部电源向加热电路图案提供电流时，加热电路图案升温可以破坏自发光器件中的共同层位于像素界定图案上方的膜层结构，形成共同层的破坏区域，该破坏区域无法进行子像素间的横向电流传输，即使子像素间的间距较小，一个子像素区域内产生的电流也无法传输至相邻的子像素区域，避免相邻子像素区域的显色干扰，从而可以提高显示基板的显示色纯度，进一步提高了显示装置的显示质量。
附图说明
图1是相关技术中提供的一种显示基板的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种加热电路图案和像素界定图案的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的另一种显示基板的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种显示基板的制造方法流程图；
图6是本发明实施例提供的另一种显示基板的制造方法流程图；
图7是本发明实施例提供的一种在衬底基板上形成像素界定图案和加热电路图案的工艺流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
目前，为了提高显示装置的显示效果，OLED显示基板的像素分辨率越来越高，像素间距越来越小，在如图1所示的显示基板中，可能会出现像素间的电流串扰，例如，假设该OLED显示基板的像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，当在蓝色子像素上加载电信号以点亮该蓝色子像素时，由于像素间距较小，蓝色子像素区域内产生的电流可能从空穴传输层或空穴注入层横向传输至与该蓝色子像素相邻的子像素区域，导致与该蓝色子像素相邻的红色子像素和绿色子像素也被点亮；另外，由于目前对显示基板的功耗要求越来越严格，为了减小显示基板的功耗，通常选用p掺杂型空穴传输材料制备空穴传输层，p掺杂型空穴传输材料的导电性较好，导致像素间的电流串扰问题愈发严重，因此相关技术中的显示基板的显示色纯度较低，显示装置的显示质量较差。
本发明实施例提供了一种显示基板，可以解决相关技术中的问题，如图2所示，该显示基板可以包括：
衬底基板201，以及依次设置在衬底基板201上的像素界定图案202、加热电路图案203和自发光器件204。
其中，自发光器件204包括发光层2041和整层设置的共同层2042，加热电路图案203设置在像素界定图案202远离衬底基板201的一面与共同层2042之间，共同层2042包括正常区域A和位于像素界定图案202上的破坏区域B，破坏区域B无法进行电流的横向传输，该破坏区域是外部电源向加热电路图案提供电流后加热电路图案升温形成的。
可选的，共同层可以包括依次层叠设置的第一载流子注入层、第一载流子传输层、第二载流子传输层和第二载流子注入层，发光层位于第一载流子传输层与第二载流子传输层之间。其中，第一载流子为空穴，第二载流子为电子；或者，第一载流子为电子，第二载流子为空穴。
在本发明实施例中，自发光器件可以为OLED器件，也可以为量子点发光二极管(英文：Quantum Dot Light Emitting Diodes；简称：QLED)器件。
综上所述，本发明实施例提供的显示基板，由于像素界定图案远离衬底基板的一面与自发光器件的共同层之间设置有加热电路图案，在通过外部电源向加热电路图案提供电流时，加热电路图案升温可以破坏自发光器件中的共同层位于像素界定图案上方的膜层结构，形成共同层的破坏区域，该破坏区域无法进行子像素间的横向电流传输，即使子像素间的间距较小，一个子像素区域内产生的电流也无法传输至相邻的子像素区域，避免相邻子像素区域的显色干扰，从而可以提高显示基板的显示色纯度，进一步提高了显示装置的显示质量。
需要说明的是，如图3所示，加热电路图案203可以包括矩阵状排布的多个封闭子图案203a，该多个封闭子图案203a与显示基板的多个子像素M一一对应设置。其中，显示基板的多个子像素可以包括至少两种颜色的子像素，例如显示基板可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。
可选的，加热电路图案中包括的多个封闭子图案可以全部电连接，例如，如图3所示，加热电路图案203的形状可以与像素界定图案202的形状一致，当加热电路图案中包括的多个封闭子图案全部电连接时，在制备显示基板的过程中，该加热电路图案只需引出一根导线与外部电源连接，由该外部电源可以同时为该多个封闭子图案提供电流。
实际应用中，封闭子图案只需保证在每个子像素的外围形成封闭区域，以在相邻的子像素之间的共同层上形成破坏区域，防止电流通过共同层在子像素之间横向传输，可以避免出现任意相邻两个子像素之间电流串扰的问题，以提高显示基板的显示质量。其中，当多个封闭子图案之间没有电连接时，在制备显示基板的过程中，每个封闭子图案可以分别引出导线与外部电源连接，本发明实施例对多个封闭子图案之间的连接关系不做限定。
可选的，加热电路图案的材质可以为银、氧化铟锡、铝或钼，也可以为其他导电材料，本发明实施例对加热电路图案的材质不做限定。
进一步的，如图4所示，显示基板还包括第一电极205和第二电极206，第一电极与第二电极的极性相反。例如，第一电极为阳极，第二电极为阴极，或者，第一电极为阴极，第二电极为阳极；第一电极205设置在衬底基板201与自发光器件204之间，第二电极206设置在自发光器件204远离衬底基板201的一侧。
示例的，当第一电极为阳极，第二电极为阴极时，自发光器件的子像素区域(即发光区域)的膜层结构可以包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
需要说明的是，显示基板还可以包括设置在衬底基板与像素界定图案之间的像素驱动电路。其中，像素驱动电路中可以采用薄膜晶体管(英文：Thin Film Transistor；简称：TFT)作为开关晶体管和驱动晶体管，该像素驱动电路用于向显示基板中的子像素提供电信号。
综上所述，本发明实施例提供的显示基板，由于像素界定图案远离衬底基板的一面与自发光器件的共同层之间设置有加热电路图案，在通过外部电源向加热电路图案提供电流时，加热电路图案升温可以破坏自发光器件中的共同层位于像素界定图案上方的膜层结构，形成共同层的破坏区域，该破坏区域无法进行子像素间的横向电流传输，即使子像素间的间距较小，一个子像素区域内产生的电流也无法传输至相邻的子像素区域，避免相邻子像素区域的显色干扰，从而可以提高显示基板的显示色纯度，进一步提高了显示装置的显示质量。
本发明实施例提供了一种显示装置，该显示装置可以包括图2或图4所示的显示基板。
可选的，该显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
综上所述，本发明实施例提供的显示装置，由于像素界定图案远离衬底基板的一面与自发光器件的共同层之间设置有加热电路图案，在通过外部电源向加热电路图案提供电流时，加热电路图案升温可以破坏自发光器件中的共同层位于像素界定图案上方的膜层结构，形成共同层的破坏区域，该破坏区域无法进行子像素间的横向电流传输，即使子像素间的间距较小，一个子像素区域内产生的电流也无法传输至相邻的子像素区域，避免相邻子像素区域的显色干扰，从而可以提高显示基板的显示色纯度，进一步提高了显示装置的显示质量。
本发明实施例提供了一种显示基板的制造方法，如图5所示，该方法可以包括：
步骤501、提供一衬底基板。
步骤502、在衬底基板上形成像素界定图案和加热电路图案，该加热电路图案位于像素界定图案远离衬底基板的一面上，该加热电路图案与外部电源连接。
步骤503、在形成有加热电路图案和像素界定图案的衬底基板上形成自发光器件，自发光器件包括发光层和整层设置的共同层。
步骤504、通过外部电源向加热电路图案提供电流，使加热电路图案升温，以破坏共同层中位于像素界定图案上方的膜层结构。
需要说明的是，通过外部电源向加热电路图案提供电流，电流产生热效应可以使共同层位于像素界定图案上方的膜层结构形成破坏区域(例如使共同层内部的分子发生热扩散，从而导致材料混合)，该破坏区域无法进行电流的横向传输，采用图5中所述的制造方法制造出的显示基本的结构可以参见图2，对各个结构的说明可以参见上述装置侧实施例中的解释，在此不做赘述。
综上所述，本发明实施例提供的显示基板的制造方法，在像素界定图案远离衬底基板的一面上形成加热电路图案，在形成自发光器件后，通过外部电源向加热电路图案提供电流，使加热电路图案升温破坏自发光器件中的共同层位于像素界定图案上方的膜层结构，使得共同层无法进行子像素间的横向电流传输，即使子像素间的间距较小，一个子像素区域内产生的电流也无法传输至相邻的子像素区域，避免相邻子像素区域的显色干扰，从而可以提高显示基板的显示色纯度，提高了显示装置的显示质量。
进一步的，本发明实施例提供了另一种显示基板的制造方法，如图6所示，该方法可以包括：
步骤601、提供一衬底基板。
可选的，衬底基板可以为透明基板，其具体可以是采用玻璃、石英、透明树脂等具有一定硬度的导光且非金属材料制成的基板。
步骤602、在衬底基板上形成像素驱动电路。
可选的，该像素驱动电路中可以采用TFT作为开关晶体管和驱动晶体管。示例的，可以采用真空溅射(英文：sputter)等工艺在衬底基板上形成TFT，形成像素驱动电路的工艺可以参考相关技术，在此不做赘述。
步骤603、在形成有像素驱动电路的衬底基板上形成第一电极。
可选的，第一电极的材质可以为银、氧化铟锡、铝或钼。
步骤604、在形成有第一电极的衬底基板上形成像素界定图案和加热电路图案。
可选的，图7是本发明实施例提供的一种在衬底基板上形成像素界定图案和加热电路图案的工艺流程图，如图7所示，该工艺流程可以包括：
S1、在衬底基板201上形成像素界定层X。
可选的，可以采用涂覆工艺在衬底基板上涂覆一层具有一定厚度的感光树脂材料，得到像素界定层。
其中，像素界定层的材质可以为聚酰亚胺(英文：Polyimide；简称：PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(英文：Polyethylene terephthalate；简称：PET)、聚碳酸酯(英文：Polycarbonate；简称：PC)、聚苯乙烯(英文：Polystyrene；简称：PS)、聚乙烯(英文：Polyethylene；简称：PE)或聚酰胺(英文：Polyamide；简称：PA)等。
S2、在像素界定层X远离衬底基板201的一面上形成加热电路层Y。
可选的，可以采用真空溅射或物理气相沉积(英文：Physical Vapor Deposition；简称：PVD)的方式在像素界定层远离衬底基板的一面上形成加热电路层。
其中，加热电路层的材质可以为银、氧化铟锡、铝或钼，也可以为其他导电材料，本发明实施例对加热电路层的材质不做限定。
S3、对加热电路层Y采用构图工艺，以形成加热电路图案203。
其中，上述构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。
需要说明的是，如图3所示，加热电路图案203可以包括矩阵状排布的多个封闭子图案203a，该多个封闭子图案203a与显示基板的多个子像素M一一对应设置。其中，显示基板的多个子像素可以包括至少两种颜色的子像素，例如显示基板可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。
可选的，加热电路图案中包括的多个封闭子图案可以全部电连接，例如，如图3所示，加热电路图案203的形状可以与像素界定图案202的形状一致，当加热电路图案中包括的多个封闭子图案全部电连接时，在制备显示基板的过程中，该加热电路图案只需引出一根导线与外部电源连接，由该外部电源可以同时为该多个封闭子图案提供电流。
S4、对像素界定层X采用构图工艺，以形成像素界定图案202。
可选的，可以对像素界定层进行曝光、显影和刻蚀，以形成像素界定图案。
需要说明的是，上述工艺流程中，在形成加热电路图案后再对像素界定层采用构图工艺形成像素界定图案，可以防止在形成加热电路图案的过程中，由于过度刻蚀对第一电极造成损坏，保证显示基板的可靠性。
实际应用中，当第一电极与加热电路图案的材质不同，且选取的刻蚀液可以刻蚀加热电路图案的材质，而无法刻蚀第一电极的材质时，可以先形成像素界定图案，再形成加热电路图案，本发明实施例对此不做限定。
可选的，在本发明实施中，还可以在像素界定图案上通过丝网印刷工艺形成上述加热电路图案，本发明实施例对加热电路图案的形成方式不做限定。
步骤605、在形成有加热电路图案和像素界定图案的衬底基板上形成自发光器件。
可选的，可以采用蒸镀工艺依次形成第一载流子注入层、第一载流子传输层、发光层、第二载流子传输层和第二载流子注入层，其中，第一载流子注入层、第一载流子传输层、第二载流子传输层和第二载流子注入层为整层设置的共同层。
示例的，当第一电极为阳极时，可以采用蒸镀工艺依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
步骤606、通过外部电源向加热电路图案提供电流，使加热电路图案升温，以破坏共同层中位于像素界定图案上方的膜层结构。
可选的，可以通过外部电源向加热电路图案提供脉冲电流。由于脉冲电流的强度是随时间周期性改变的，可以向加热电路图案间断性提供电流，避免加热电路图案过热导致对显示基板中的其他膜层(例如像素界定图案等)造成损坏，以保证显示基板的可靠性。其中，破坏共同层中位于像素界定图案上方的膜层结构，可以包括使共同层中的层叠结构发生混合，或者是损坏共同层中的膜层结构，以防止空穴传输层或空穴注入层进行像素间的电流横向传输。
进一步的，在破坏共同层中位于像素界定图案上方的膜层结构后，可以断开加热电路图案与外部电源的连接。
步骤607、在形成有自发光器件的衬底基板上形成第二电极，第二电极与第一电极的极性相反。
可选的，可以采用蒸镀工艺形成第二电极，在形成第二电极的过程中，自发光器件的表面温度应低于自发光器件的最大耐受温度，以避免对自发光器件造成损坏。
需要说明的是，当第一电极为阳极时，第二电极为阴极；当第一电极为阴极时，第二电极为阳极。其中，第一电极可以包括多个阵列间隔排布的子电极，第二电极可以为一体结构，或者，第一电极可以为一体结构，第二电极包括多个阵列间隔排布的子电极，或者，第一电极和第二电极均包括多个阵列间隔排布的子电极，本发明实施例对此不做限定。
采用图6中所述的制造方法制造出的显示基本的结构可以参见图4，对各个结构的说明可以参见上述装置侧实施例中的解释，在此不做赘述。
进一步的，可以对上述显示基板进行封装和切割等后续工艺。
需要说明的是，本发明实施例提供的显示基板的制造方法步骤的先后顺序可以进行适当调整，例如步骤607可以在步骤606之前执行，即先形成第二电极，再向加热电路图案提供电流，步骤也可以根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本发明的保护范围之内，因此不再赘述。
综上所述，本发明实施例提供的显示基板的制造方法，在像素界定图案远离衬底基板的一面上形成加热电路图案，在形成自发光器件后，通过外部电源向加热电路图案提供电流，使加热电路图案升温破坏自发光器件中的共同层位于像素界定图案上方的膜层结构，使得共同层无法进行子像素间的横向电流传输，即使子像素间的间距较小，一个子像素区域内产生的电流也无法传输至相邻的子像素区域，避免相邻子像素区域的显色干扰，从而可以提高显示基板的显示色纯度，提高了显示装置的显示质量。
以上所述仅为本发明的可选实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (15)
1.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成像素界定图案和加热电路图案，所述加热电路图案位于所述像素界定图案远离所述衬底基板的一面上，所述加热电路图案与外部电源连接；
在形成有所述加热电路图案和所述像素界定图案的衬底基板上形成自发光器件，所述自发光器件包括发光层和整层设置的共同层；
通过所述外部电源向所述加热电路图案提供电流，使所述加热电路图案升温，以破坏所述共同层中位于所述像素界定图案上方的膜层结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过所述外部电源向所述加热电路图案提供电流，包括：
通过所述外部电源向所述加热电路图案提供脉冲电流。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上形成像素界定图案和加热电路图案，包括：
在所述衬底基板上形成像素界定层；
在所述像素界定层远离所述衬底基板的一面上形成所述加热电路图案；
对所述像素界定层采用构图工艺，以形成所述像素界定图案。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述像素界定层远离所述衬底基板的一面上形成所述加热电路图案，包括：
在形成有所述像素界定层的衬底基板上形成加热电路层；
对所述加热电路层采用构图工艺，以形成所述加热电路图案。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述加热电路图案包括矩阵状排布的多个封闭子图案，所述多个封闭子图案与所述显示基板的多个子像素一一对应设置。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述加热电路图案的材质为银、氧化铟锡、铝或钼。
7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上形成像素界定层之前，所述方法还包括：
在所述衬底基板上形成第一电极。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在形成有所述自发光器件的衬底基板上形成第二电极，所述第二电极与所述第一电极的极性相反。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上形成第一电极之前，所述方法还包括：
在所述衬底基板上形成像素驱动电路。
10.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：
衬底基板，以及依次设置在所述衬底基板上的像素界定图案、加热电路图案和自发光器件；
其中，所述自发光器件包括发光层和整层设置的共同层，所述加热电路图案设置在所述像素界定图案远离所述衬底基板的一面与所述共同层之间，所述共同层包括正常区域和位于所述像素界定图案上方的破坏区域，所述破坏区域无法进行电流的横向传输，所述破坏区域是外部电源向所述加热电路图案提供电流后所述加热电路图案升温形成的。
11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，
所述加热电路图案包括矩阵状排布的多个封闭子图案，所述多个封闭子图案与所述显示基板的多个子像素一一对应设置。
12.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，
所述加热电路图案的材质为银、氧化铟锡、铝或钼。
13.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第二电极的极性相反；
所述第一电极设置在所述衬底基板与所述自发光器件之间，所述第二电极设置在所述自发光器件远离所述衬底基板的一侧。
14.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括设置在所述衬底基板与所述像素界定图案之间的像素驱动电路。
15.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求10至14任一所述的显示基板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810002850.3A CN108172602A (zh) | 2018-01-02 | 2018-01-02 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
| US16/045,922 US20190206946A1 (en) | 2018-01-02 | 2018-07-26 | Display substrate, display device and manufacturing method of display substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810002850.3A CN108172602A (zh) | 2018-01-02 | 2018-01-02 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108172602A true CN108172602A (zh) | 2018-06-15 |
Family
ID=62517106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810002850.3A Pending CN108172602A (zh) | 2018-01-02 | 2018-01-02 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20190206946A1 (zh) |
| CN (1) | CN108172602A (zh) |
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| CN111933817A (zh) * | 2020-07-27 | 2020-11-13 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN112968135A (zh) * | 2021-02-01 | 2021-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及相关装置 |
| CN113571656A (zh) * | 2021-07-27 | 2021-10-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
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- 2018-01-02 CN CN201810002850.3A patent/CN108172602A/zh active Pending
- 2018-07-26 US US16/045,922 patent/US20190206946A1/en not_active Abandoned
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20190206946A1 (en) | 2019-07-04 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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|
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