CN112968135A - 显示基板及相关装置 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种显示基板及相关装置，属于显示技术领域。其中，显示基板包括位于衬底基板上、颜色不同的第一子像素和第二子像素，所述第一子像素的第一有机发光层和所述第二子像素的第二有机发光层在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域，所述第一有机发光层和所述第二有机发光层之间设置有绝缘的阻挡层，所述阻挡层在所述衬底基板上的正投影覆盖至少部分所述交叠区域。本公开的技术方案能够防止相邻的像素出现串扰。

Description

显示基板及相关装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，特别是指一种显示基板及相关装置。
背景技术
有机电致发光(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器件是当今平板显示器研究领域的热点之一，与液晶显示器相比，OLED显示器件具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点，目前，在平板显示领域，OLED显示器件已经开始取代传统的液晶显示屏(Liquid Crystal Display，LCD)。
发明内容
本公开要解决的技术问题是提供一种显示基板及相关装置，能够防止相邻的像素出现串扰。
为解决上述技术问题，本公开的实施例提供技术方案如下：
一方面，提供一种显示基板，包括位于衬底基板上、颜色不同的第一子像素和第二子像素，所述第一子像素的第一有机发光层和所述第二子像素的第二有机发光层在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域，所述第一有机发光层和所述第二有机发光层之间设置有绝缘的阻挡层，所述阻挡层在所述衬底基板上的正投影覆盖至少部分所述交叠区域。
一些实施例中，所述阻挡层在所述衬底基板上的正投影覆盖全部所述交叠区域。
一些实施例中，沿远离所述衬底基板的方向依次设置有所述第一有机发光层、所述阻挡层和所述第二有机发光层，所述第一有机发光层远离所述衬底基板的表面的第一部分在所述衬底基板上的正投影与所述交叠区域重合，所述第一有机发光层包括靠近所述第二有机发光层、与所述第一部分相交的第一侧表面，所述阻挡层包覆所述第一部分和所述第一侧表面。
一些实施例中，所述显示基板包括位于所述衬底基板上的像素界定层，所述像素界定层包括多个与子像素对应的像素界定层开口，所述阻挡层在所述衬底基板上的正投影位于所述像素界定层在所述衬底基板上的正投影内。
一些实施例中，所述显示基板包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，所述第一子像素和所述第二子像素选自红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。
一些实施例中，所述第一子像素选自绿色子像素和红色子像素中的一者，所述第二子像素选自绿色子像素和红色子像素中的另一者。
一些实施例中，所述显示基板还包括位于所述有机发光层和所述衬底基板之间的空穴传输层，所述阻挡层位于所述空穴传输层远离所述衬底基板的一侧。
一些实施例中，所述显示基板还包括第三子像素，所述第三子像素包括第三有机发光层，所述阻挡层包括第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层位于所述第一有机发光层和所述第二有机发光层之间，所述第二阻挡层位于所述第二有机发光层和所述第三有机发光层之间。
一些实施例中，所述第一阻挡层靠近所述衬底基板一侧的表面到所述衬底基板靠近所述第一阻挡层一侧的表面之间的距离为第一距离，所述第二阻挡层靠近所述衬底基板一侧的表面到所述衬底基板靠近所述第二阻挡层一侧的表面之间的距离为第二距离，所述第一距离与所述第二距离不同。
一些实施例中，沿远离所述衬底基板的方向，所述有机发光层包括层叠设置的电子阻挡层EBL和发光层EML。
一些实施例中，所述第一阻挡层位于所述第一有机发光层的EML和所述第二有机发光层的EBL之间，所述第二阻挡层位于所述第二有机发光层的EML和所述第三有机发光层的EBL之间。
一些实施例中，所述阻挡层的厚度为10～50nm。
一些实施例中，所述阻挡层的迁移率小于10-8平方厘米/(伏·秒)。
一些实施例中，所述阻挡层采用氮化硅。
本公开的实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
本公开的实施例还提供了一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括位于衬底基板上、颜色不同的第一子像素和第二子像素，所述第一子像素的第一有机发光层和所述第二子像素的第二有机发光层在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域，所述制作方法包括：
在所述第一有机发光层和所述第二有机发光层之间形成绝缘的阻挡层，所述阻挡层在所述衬底基板上的正投影覆盖至少部分所述交叠区域。
一些实施例中，所述制作方法具体包括：
形成所述第一有机发光层；
利用蒸镀方式或喷墨打印方式或化学气相沉积方式在所述交叠区域形成所述阻挡层；
形成所述第二有机发光层。
本公开的实施例还提供了一种高精度金属掩模板，用于制作如上所述的显示基板，包括：多个开口区域，所述多个开口区域包括与所述显示基板的子像素的位置对应的第一开口区域，还包括与所述交叠区域对应的第二开口区域。
本公开的实施例具有以下有益效果：
上述方案中，第一有机发光层和第二有机发光层的交界处设置有绝缘的阻挡层，阻挡层能够阻挡空穴的流动；在第一子像素点亮时，阻挡层能够阻挡空穴从第一有机发光层注入到第二有机发光层，避免点亮第一子像素的同时点亮第二子像素；或者，在第二子像素点亮时，阻挡层能够阻挡空穴从第二有机发光层注入到第一有机发光层，避免点亮第二子像素的同时点亮第一子像素，从而能够避免相邻的像素出现串扰，保证显示效果。
附图说明
图1为红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素的起亮电压示意图；
图2为相关技术显示基板的截面示意图；
图3和图4为发光单元的结构示意图；
图5为红色子像素低灰阶点亮时的光谱示意图；
图6为绿色子像素低灰阶点亮时的光谱示意图；
图7为本公开实施例显示基板的截面示意图；
图8-图10为本公开实施例显示基板的蒸镀示意图。
附图标记
1 TFT阵列基板
2 阳极
3 像素界定层
4 红色有机发光层
5 绿色有机发光层
6 阻挡层
具体实施方式
为使本公开的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
随着显示屏幕分辨率的不断提高，各个子像素之间的距离越来越近，子像素之间的像素界定层间隔(PDL Gap)越来越小。如图1所示，OLED显示基板中，红色子像素(R)和绿色子像素(G)的起亮电压(Turn on Voltage)很接近，大概在2.0～2.2V之间，蓝色子像素(B)的起亮电压最大，大概在2.8V左右，其中，图1中各曲线代表各子像素上施加的电压(Voltage)和亮度(Luminance)之间的关系示意图。
在制作OLED显示基板时，需要在TFT(薄膜晶体管)阵列基板1上依次蒸镀不同颜色的有机发光层，由于蒸镀掩膜板存在一定的厚度，导致蒸镀有机材料过程中会出现阴影Shadow，并且PDL Gap很小，会导致相邻子像素的有机发光层之间出现搭接的现象，如图2所示，第一子像素的第一有机发光层4会与相邻的第二子像素的第二有机发光层5之间存在搭接，这样第一有机发光层4与第二有机发光层5存在接触区域，在第一子像素点亮时，空穴在第一有机发光层4中存在横向传播，会导致空穴从第一有机发光层4注入到第二有机发光层5，导致第一子像素点亮的同时第二子像素也被点亮，第二子像素会对第一子像素的发光造成影响，影响显示效果；或者，在第二子像素点亮时，空穴在第二有机发光层5中存在横向传播，会导致空穴从第二有机发光层5注入到第一有机发光层4，导致第二子像素点亮的同时第一子像素也被点亮，第一子像素会对第二子像素的发光造成影响，影响显示效果。
本公开的实施例提供一种显示基板及相关装置，能够防止相邻的像素出现串扰。
本公开的实施例提供一种显示基板，包括位于衬底基板上、颜色不同的第一子像素和第二子像素，所述第一子像素的第一有机发光层和所述第二子像素的第二有机发光层在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域，所述第一有机发光层和所述第二有机发光层之间设置有绝缘的阻挡层，所述阻挡层在所述衬底基板上的正投影覆盖至少部分所述交叠区域。
其中，第一有机发光层为相邻的两个子像素的其中一个子像素的有机发光层，第二有机发光层为相邻的两个子像素的另一个子像素的有机发光层，第一有机发光层和第二有机发光层的位置不做限定，第一有机发光层可以位于第二有机发光层靠近衬底基板的一侧，也可以位于第二有机发光层远离衬底基板的一侧，在制作OLED显示基板时，可以先蒸镀第一有机发光层，然后蒸镀第二有机发光层；还可以先蒸镀第二有机发光层，然后蒸镀第一有机发光层，由于第一有机发光层和第二有机发光层的蒸镀顺序邻接，导致第一有机发光层和第二有机发光层存在搭接的可能。
本实施例中，第一有机发光层和第二有机发光层的交界处设置有绝缘的阻挡层，阻挡层能够阻挡空穴的流动；在第一子像素点亮时，阻挡层能够阻挡空穴从第一有机发光层注入到第二有机发光层，避免点亮第一子像素的同时点亮第二子像素；或者，在第二子像素点亮时，阻挡层能够阻挡空穴从第二有机发光层注入到第一有机发光层，避免点亮第二子像素的同时点亮第一子像素，从而能够避免相邻的像素出现串扰，保证显示效果。
在制作OLED显示基板时，在TFT阵列基板1上依次蒸镀不同颜色的有机发光层时，蒸镀有机发光层的顺序一般为：蓝色子像素的有机发光层→绿色子像素的有机发光层→红色子像素的有机发光层，或者，蓝色子像素的有机发光层→红色子像素的有机发光层→绿色子像素的有机发光层。沿远离所述衬底基板的方向，所述有机发光层包括层叠设置的电子阻挡层EBL和发光层EML。
如果蒸镀顺序为：蓝色子像素的有机发光层→绿色子像素的有机发光层→红色子像素的有机发光层，则如图3所示，发光单元的制作顺序为：1、在TFT阵列基板上蒸镀空穴注入层(HIL)；2、蒸镀空穴传输层(HTL)；3、蒸镀蓝色子像素的电子阻挡层(B-EBL)；4、蒸镀蓝色子像素的发光层(B-EML)；5、蒸镀绿色子像素的电子阻挡层(G-EBL)；6、蒸镀绿色子像素的发光层(G-EML)；7、蒸镀红色子像素的电子阻挡层(R-EBL)；8、蒸镀红色子像素的发光层(R-EML)；9、蒸镀空穴阻挡层(HBL)；10、蒸镀电子传输层(ETL)；11、蒸镀电子注入层(EIL)；12、蒸镀阴极(CTD)；13、蒸镀覆盖层(CPL)。其中，空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极和覆盖层采用Open Mask制作，蓝色子像素的电子阻挡层、蓝色子像素的发光层、绿色子像素的电子阻挡层、绿色子像素的发光层、红色子像素的电子阻挡层、红色子像素的发光层采用精细金属掩膜板(FMM)制作。如图3所示，由于FMM Mask存在一定的厚度，导致蒸镀有机材料过程中出现Shadow，并且PDL Gap很小，会导致不同子像素的有机发光层之间出现搭接的现象：蓝色子像素的发光层与绿色子像素的电子阻挡层搭接，绿色子像素的发光层与红色子像素的电子阻挡层搭接，其中，红色子像素的电子阻挡层采用的材料与空穴传输层的材料类似，空穴迁移率高，这样在红色子像素点亮时，空穴将发生横向传播，从红色子像素的电子阻挡层传输至绿色子像素的发光层，导致绿色子像素也被点亮，如图5所示，尤其在红色子像素低灰阶显示时，由于红色子像素的亮度不是很大，相邻绿色子像素的点亮会对红色子像素造成比较严重的串扰。
如果蒸镀顺序为：蓝色子像素的有机发光层→红色子像素的有机发光层→绿色子像素的有机发光层，则如图4所示，发光单元的制作顺序为：1、在TFT阵列基板上蒸镀空穴注入层(HIL)；2、蒸镀空穴传输层(HTL)；3、蒸镀蓝色子像素的电子阻挡层(B-EBL)；4、蒸镀蓝色子像素的发光层(B-EML)；5、蒸镀红色子像素的电子阻挡层(R-EBL)；6、蒸镀红色子像素的发光层(R-EML)；7、蒸镀绿色子像素的电子阻挡层(G-EBL)；8、蒸镀绿色子像素的发光层(G-EML)；9、蒸镀空穴阻挡层(HBL)；10、蒸镀电子传输层(ETL)；11、蒸镀电子注入层(EIL)；12、蒸镀阴极(CTD)；13、蒸镀覆盖层(CPL)。其中，空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极和覆盖层采用Open Mask制作，蓝色子像素的电子阻挡层、蓝色子像素的发光层、绿色子像素的电子阻挡层、绿色子像素的发光层、红色子像素的电子阻挡层、红色子像素的发光层采用精细金属掩膜板(FMM)制作。如图4所示，由于FMM Mask存在一定的厚度，导致蒸镀有机材料过程中出现Shadow，并且PDL Gap很小，会导致不同子像素的有机发光层之间出现搭接的现象：蓝色子像素的发光层与红色子像素的电子阻挡层搭接，红色子像素的发光层与绿色子像素的电子阻挡层搭接，其中，绿色子像素的电子阻挡层采用的材料与空穴传输层的材料类似，空穴迁移率高，这样在绿色子像素点亮时，空穴将发生横向传播，从绿色子像素的电子阻挡层传输至红色子像素的发光层，导致红色子像素也被点亮，如图6所示，尤其在绿色子像素低灰阶显示时，由于绿色子像素的亮度不是很大，相邻红色子像素的点亮会对绿色子像素造成比较严重的串扰。
为了避免相邻子像素之间发生串扰，如图7所示，本实施例在第一有机发光层4和第二有机发光层5之间设置绝缘的阻挡层6，通过阻挡层6避免第一有机发光层4和第二有机发光层5接触，这样在第一子像素点亮时，即使空穴在第一有机发光层4内发生横向传播，空穴也会被阻挡层6阻挡，而不会传播至第二有机发光层4，不会导致第二子像素被点亮，进而避免第二子像素对第一子像素造成影响。
其中，阻挡层可以设置在任两个相邻的子像素的有机发光层之间，一些实施例中，所述显示基板还包括第三子像素，所述第三子像素包括第三有机发光层，所述阻挡层包括第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层位于所述第一有机发光层和所述第二有机发光层之间，所述第二阻挡层位于所述第二有机发光层和所述第三有机发光层之间。这样可以避免任两个相邻的子像素的串扰，阻挡层也可以仅设置在容易发生串扰的相邻子像素之间。
一些实施例中，所述第一阻挡层靠近所述衬底基板一侧的表面到所述衬底基板靠近所述第一阻挡层一侧的表面之间的距离为第一距离，所述第二阻挡层靠近所述衬底基板一侧的表面到所述衬底基板靠近所述第二阻挡层一侧的表面之间的距离为第二距离，所述第一距离与所述第二距离不同。
一些实施例中，所述显示基板包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，所述第一子像素和所述第二子像素选自红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。即阻挡层可以设置在红色子像素的有机发光层和绿色子像素的有机发光层之间，也可以设置在红色子像素的有机发光层和蓝色子像素的有机发光层之间，还可以设置在蓝色子像素的有机发光层和绿色子像素的有机发光层之间。
一些实施例中，所述第一子像素选自绿色子像素和红色子像素中的一者，所述第二子像素选自绿色子像素和红色子像素中的另一者。由于蓝色子像素的起亮电压与红色子像素和绿色子像素的起亮电压相差比较大，而红色子像素和绿色子像素的起亮电压接近，因此，蓝色子像素与红色子像素之间不容易发生串扰，蓝色子像素与绿色子像素之间不容易发生串扰，红色子像素和绿色子像素之间容易发生串扰，因此，可以仅在红色子像素的有机发光层和绿色子像素的有机发光层之间设置阻挡层，这样无需在蓝色子像素的有机发光层与红色子像素的有机发光层之间设置阻挡层，也无需在蓝色子像素的有机发光层与绿色子像素的有机发光层之间设置阻挡层，能够简化OLED显示基板的构造和制作工艺。
一些实施例中，如图3和图4所示，所述显示基板还包括位于所述有机发光层和所述衬底基板之间的空穴传输层，本实施例中，所述阻挡层位于所述空穴传输层远离所述衬底基板的一侧。
一些实施例中，如图3和图4所示，沿远离所述衬底基板的方向，所述有机发光层包括层叠设置的电子阻挡层EBL和发光层EML。
若所述阻挡层包括第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层位于所述第一有机发光层和所述第二有机发光层之间，所述第二阻挡层位于所述第二有机发光层和所述第三有机发光层之间，则所述第一阻挡层位于所述第一有机发光层的EML和所述第二有机发光层的EBL之间，所述第二阻挡层位于所述第二有机发光层的EML和所述第三有机发光层的EBL之间，这样可以避免空穴从第二有机发光层的EBL传输至第一有机发光层，从第三有机发光层的EBL传输至第二有机发光层。如图3所示的结构中，本实施例可在B-EML和G-EBL之间设置第一阻挡层，在G-EML和R-EBL之间设置第二阻挡层；如图4所示的结构中，本实施例可在B-EML和R-EBL之间设置第一阻挡层，在R-EML和G-EBL之间设置第二阻挡层。
为了尽可能避免第一有机发光层4和第二有机发光层5接触，阻挡层在衬底基板上的正投影需要至少覆盖所述交叠区域，即阻挡层在衬底基板上的正投影覆盖全部所述交叠区域；如果阻挡层的覆盖面积过大，比如阻挡层与第一有机发光层的重合区域过大，会影响第一子像素的显示；如果阻挡层与第二有机发光层的重合区域过大，会影响第二子像素的显示，所以阻挡层的面积不宜设置的过大，恰好覆盖交叠区域即可，即阻挡层在所述衬底基板上的正投影与所述交叠区域重合。
如图7所示，沿远离所述衬底基板的方向，显示基板包括依次设置在TFT阵列基板1上的阳极2、像素界定层3、第一有机发光层4、阻挡层6和第二有机发光层5，所述第一有机发光层4远离所述衬底基板的表面的第一部分在所述衬底基板上的正投影与所述交叠区域重合，所述第一有机发光层4包括靠近所述第二有机发光层5、与所述第一部分相交的第一侧表面，如果没有阻挡层，则第一侧表面将与第二有机发光层5接触，本实施例中，利用阻挡层包覆所述第一部分和所述第一侧表面，这样阻挡层6可以完全避免第一有机发光层4和第二有机发光层5接触，同时尽可能降低对第一有机发光层4和第二有机发光层5的显示的影响。
如图7所示，显示基板包括位于衬底基板上的像素界定层3，所述像素界定层3包括多个与子像素对应的像素界定层开口，有机发光层位于像素界定层开口，像素界定层所在区域为非发光区域，阻挡层6在所述衬底基板上的正投影可以位于所述像素界定层3在所述衬底基板上的正投影内，这样阻挡层设置在非发光区域，不会影响子像素的发光。
阻挡层材料的特性是迁移率极低，远远低于空穴传输材料的迁移率，这样空穴基本不会在阻挡层中传输，所述阻挡层的迁移率可以小于10-8平方厘米/(伏·秒)。阻挡层具体可以采用有机小分子材料，也可以采用有机聚合物，还可以采用无机材料，比如氮化硅，阻挡层的材料不影响显示基板正常的器件特性，仅起到阻隔第一有机发光层和第二有机发光层的作用。
其中，氮化硅具有良好的绝缘特性，能够阻止空穴的传输，并且显示基板的一些原有膜层比如栅绝缘层、层间绝缘层多采用氮化硅组成，如果采用氮化硅制作阻挡层，则可以利用现有的显示基板成膜设备来制作阻挡层，无需新增成膜设备。
阻挡层厚度如果比较大的话，对显示基板的厚度影响比较明显；如果阻挡层的厚度不够大的话，不能有效阻止空穴的传输，阻挡层的厚度以设置为10～50nm为宜，在阻挡层的厚度在该取值范围内时，既可以有效阻止空穴的传输，又不会对显示基板的厚度有比较大的影响。
本实施例的显示基板中，子像素的形状可以选自四边形、六边形、八边形、具有倒圆角的四边形、具有倒圆角的六边形或具有倒圆角的八边形、圆形或椭圆形中的任意一种。
以所述第一子像素选自绿色子像素和红色子像素中的一者，所述第二子像素选自绿色子像素和红色子像素中的另一者为例，如图8所示，子像素的形状为四边形，标识R的区域为R材料蒸镀区，用以蒸镀红色发光材料，形成红色子像素的有机发光层；标识B的区域为B材料蒸镀区，用以蒸镀蓝色发光材料，形成蓝色子像素的有机发光层；标识G的区域为G材料蒸镀区，用以蒸镀绿色发光材料，形成绿色子像素的有机发光层。在标识G的区域和标识R的区域的交界处，为阻隔材料蒸镀区，用以蒸镀阻隔材料，形成阻挡层。本实施例中，可以在蒸镀红色发光材料之后，蒸镀绿色发光材料之前，蒸镀阻隔材料；还可以在蒸镀绿色发光材料之后，蒸镀红色发光材料之前，蒸镀阻隔材料，使得绿色子像素的有机发光层与红色子像素的有机发光层无法搭接。其中，阻隔材料的厚度可以为10-50nm，阻隔材料的形成方式并不局限于蒸镀方式，还可以采用喷墨打印方式形成或化学气相沉积方式形成。
以所述第一子像素选自绿色子像素和红色子像素中的一者，所述第二子像素选自绿色子像素和红色子像素中的另一者为例，如图9所示，子像素的形状为六边形，标识R的区域为R材料蒸镀区，用以蒸镀红色发光材料，形成红色子像素的有机发光层；标识B的区域为B材料蒸镀区，用以蒸镀蓝色发光材料，形成蓝色子像素的有机发光层；标识G的区域为G材料蒸镀区，用以蒸镀绿色发光材料，形成绿色子像素的有机发光层。在标识G的区域和标识R的区域的交界处，为阻隔材料蒸镀区，用以蒸镀阻隔材料，形成阻挡层。本实施例中，可以在蒸镀红色发光材料之后，蒸镀绿色发光材料之前，蒸镀阻隔材料；还可以在蒸镀绿色发光材料之后，蒸镀红色发光材料之前，蒸镀阻隔材料，使得绿色子像素的有机发光层与红色子像素的有机发光层无法搭接。其中，阻隔材料的厚度可以为10-50nm，阻隔材料的形成方式并不局限于蒸镀方式，还可以采用喷墨打印方式形成或化学气相沉积方式形成。
以所述第一子像素选自绿色子像素和红色子像素中的一者，所述第二子像素选自绿色子像素和红色子像素中的另一者为例，如图10所示，子像素的形状为具有倒圆角的四边形，标识R的区域为R材料蒸镀区，用以蒸镀红色发光材料，形成红色子像素的有机发光层；标识B的区域为B材料蒸镀区，用以蒸镀蓝色发光材料，形成蓝色子像素的有机发光层；标识G的区域为G材料蒸镀区，用以蒸镀绿色发光材料，形成绿色子像素的有机发光层。在标识G的区域和标识R的区域的交界处，为阻隔材料蒸镀区，用以蒸镀阻隔材料，形成阻挡层。本实施例中，可以在蒸镀红色发光材料之后，蒸镀绿色发光材料之前，蒸镀阻隔材料；还可以在蒸镀绿色发光材料之后，蒸镀红色发光材料之前，蒸镀阻隔材料，使得绿色子像素的有机发光层与红色子像素的有机发光层无法搭接。其中，阻隔材料的厚度可以为10-50nm，阻隔材料的形成方式并不局限于蒸镀方式，还可以采用喷墨打印方式形成或化学气相沉积方式形成。
本公开的实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
该显示装置包括但不限于：射频单元、网络模块、音频输出单元、输入单元、传感器、显示单元、用户输入单元、接口单元、存储器、处理器、以及电源等部件。本领域技术人员可以理解，上述显示装置的结构并不构成对显示装置的限定，显示装置可以包括上述更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。在本公开实施例中，显示装置包括但不限于显示器、手机、平板电脑、电视机、可穿戴电子设备、导航显示设备等。
所述显示装置可以为：电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件，其中，所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。
本公开的实施例还提供了一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括位于衬底基板上、颜色不同的第一子像素和第二子像素，所述第一子像素的第一有机发光层和所述第二子像素的第二有机发光层在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域，所述制作方法包括：
在所述第一有机发光层和所述第二有机发光层之间形成绝缘的阻挡层，所述阻挡层在所述衬底基板上的正投影覆盖至少部分所述交叠区域。
其中，第一有机发光层为相邻的两个子像素的其中一个子像素的有机发光层，第二有机发光层为相邻的两个子像素的另一个子像素的有机发光层，第一有机发光层和第二有机发光层的位置不做限定，第一有机发光层可以位于第二有机发光层靠近衬底基板的一侧，也可以位于第二有机发光层远离衬底基板的一侧，在制作OLED显示基板时，可以先蒸镀第一有机发光层，然后蒸镀第二有机发光层；还可以先蒸镀第二有机发光层，然后蒸镀第一有机发光层，由于第一有机发光层和第二有机发光层的蒸镀顺序邻接，导致第一有机发光层和第二有机发光层存在搭接的可能。
本实施例中，第一有机发光层和第二有机发光层的交界处形成绝缘的阻挡层，阻挡层能够阻挡空穴的流动；在第一子像素点亮时，阻挡层能够阻挡空穴从第一有机发光层注入到第二有机发光层，避免点亮第一子像素的同时点亮第二子像素；或者，在第二子像素点亮时，阻挡层能够阻挡空穴从第二有机发光层注入到第一有机发光层，避免点亮第二子像素的同时点亮第一子像素，从而能够避免相邻的像素出现串扰，保证显示效果。
一些实施例中，所述制作方法具体包括：
形成所述第一有机发光层；
利用蒸镀方式或喷墨打印方式或化学气相沉积方式在所述交叠区域形成所述阻挡层；
形成所述第二有机发光层。
以采用蒸镀方式形成阻挡层为例，一具体示例中，制作显示基板的发光单元的蒸镀顺序为：1、在TFT阵列基板上蒸镀空穴注入层(HIL)；2、蒸镀空穴传输层(HTL)；3、蒸镀蓝色子像素的电子阻挡层(B-EBL)；4、蒸镀蓝色子像素的发光层(B-EML)；5、蒸镀绿色子像素的电子阻挡层(G-EBL)；6、蒸镀绿色子像素的发光层(G-EML)；7、蒸镀阻隔材料，形成阻挡层；8、蒸镀红色子像素的电子阻挡层(R-EBL)；9、蒸镀红色子像素的发光层(R-EML)；10、蒸镀空穴阻挡层(HBL)；11、蒸镀电子传输层(ETL)；12、蒸镀电子注入层(EIL)；13、蒸镀阴极(CTD)；14、蒸镀覆盖层(CPL)。其中，空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极和覆盖层采用Open Mask制作，蓝色子像素的电子阻挡层、蓝色子像素的发光层、绿色子像素的电子阻挡层、绿色子像素的发光层、阻挡层、红色子像素的电子阻挡层、红色子像素的发光层采用精细金属掩膜板(FMM)制作。
这样可以避免绿色子像素的发光层与红色子像素的电子阻挡层搭接，从而避免在红色子像素低灰阶显示时，相邻绿色子像素的点亮会对红色子像素造成比较严重的串扰。
另一具体示例中，发光单元的制作顺序可以为：1、在TFT阵列基板上蒸镀空穴注入层(HIL)；2、蒸镀空穴传输层(HTL)；3、蒸镀蓝色子像素的电子阻挡层(B-EBL)；4、蒸镀蓝色子像素的发光层(B-EML)；5、蒸镀红色子像素的电子阻挡层(R-EBL)；6、蒸镀红色子像素的发光层(R-EML)；7、蒸镀阻隔材料，形成阻挡层，厚度为10～50nm；8、蒸镀绿色子像素的电子阻挡层(G-EBL)；9、蒸镀绿色子像素的发光层(G-EML)；10、蒸镀空穴阻挡层(HBL)；11、蒸镀电子传输层(ETL)；12、蒸镀电子注入层(EIL)；13、蒸镀阴极(CTD)；14、蒸镀覆盖层(CPL)。其中，空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极和覆盖层采用Open Mask制作，蓝色子像素的电子阻挡层、蓝色子像素的发光层、绿色子像素的电子阻挡层、绿色子像素的发光层、阻挡层、红色子像素的电子阻挡层、红色子像素的发光层采用精细金属掩膜板(FMM)制作。
这样可以避免红色子像素的发光层与绿色子像素的电子阻挡层搭接，从而避免在绿色子像素低灰阶显示时，相邻红色子像素的点亮会对绿色子像素造成比较严重的串扰。
本公开的实施例还提供了一种高精度金属掩模板，用于制作如上所述的显示基板，包括：多个开口区域，所述多个开口区域包括与所述显示基板的子像素的位置对应的第一开口区域，还包括与所述交叠区域对应的第二开口区域。
本实施例的显示基板中，子像素的形状选自四边形、六边形、八边形、具有倒圆角的四边形、具有倒圆角的六边形或具有倒圆角的八边形、圆形或椭圆形中的任意一种。高精度金属掩模板的第一开口区域与子像素的形状一致，也可以为四边形、六边形、八边形、具有倒圆角的四边形、具有倒圆角的六边形或具有倒圆角的八边形、圆形或椭圆形中的任意一种。
以所述第一子像素选自绿色子像素和红色子像素中的一者，所述第二子像素选自绿色子像素和红色子像素中的另一者为例，如图8所示，子像素的形状为四边形，标识R的区域为R材料蒸镀区，用以蒸镀红色发光材料，形成红色子像素的有机发光层；标识B的区域为B材料蒸镀区，用以蒸镀蓝色发光材料，形成蓝色子像素的有机发光层；标识G的区域为G材料蒸镀区，用以蒸镀绿色发光材料，形成绿色子像素的有机发光层。在标识G的区域和标识R的区域的交界处，为阻隔材料蒸镀区，用以蒸镀阻隔材料，形成阻挡层，可以在蒸镀红色发光材料之后，蒸镀绿色发光材料之前，蒸镀阻隔材料；还可以在蒸镀绿色发光材料之后，蒸镀红色发光材料之前，蒸镀阻隔材料，使得绿色子像素的有机发光层与红色子像素的有机发光层无法搭接。
与图8所示实施例对应的高精度金属掩模板的第一开口区域为四边形，用以蒸镀发光材料形成子像素；高精度金属掩模板还包括长条形的第二开口区域，用以在阻隔材料蒸镀区蒸镀阻隔材料，形成阻挡层。
以所述第一子像素选自绿色子像素和红色子像素中的一者，所述第二子像素选自绿色子像素和红色子像素中的另一者为例，如图9所示，子像素的形状为六边形，标识R的区域为R材料蒸镀区，用以蒸镀红色发光材料，形成红色子像素的有机发光层；标识B的区域为B材料蒸镀区，用以蒸镀蓝色发光材料，形成蓝色子像素的有机发光层；标识G的区域为G材料蒸镀区，用以蒸镀绿色发光材料，形成绿色子像素的有机发光层。在标识G的区域和标识R的区域的交界处，为阻隔材料蒸镀区，用以蒸镀阻隔材料，形成阻挡层，可以在蒸镀红色发光材料之后，蒸镀绿色发光材料之前，蒸镀阻隔材料；还可以在蒸镀绿色发光材料之后，蒸镀红色发光材料之前，蒸镀阻隔材料，使得绿色子像素的有机发光层与红色子像素的有机发光层无法搭接。
与图9所示实施例对应的高精度金属掩模板的第一开口区域为六边形，用以蒸镀发光材料形成子像素；高精度金属掩模板还包括长条形的第二开口区域，用以在阻隔材料蒸镀区蒸镀阻隔材料，形成阻挡层。
以所述第一子像素选自绿色子像素和红色子像素中的一者，所述第二子像素选自绿色子像素和红色子像素中的另一者为例，如图10所示，子像素的形状为具有倒圆角的四边形，标识R的区域为R材料蒸镀区，用以蒸镀红色发光材料，形成红色子像素的有机发光层；标识B的区域为B材料蒸镀区，用以蒸镀蓝色发光材料，形成蓝色子像素的有机发光层；标识G的区域为G材料蒸镀区，用以蒸镀绿色发光材料，形成绿色子像素的有机发光层。在标识G的区域和标识R的区域的交界处，为阻隔材料蒸镀区，用以蒸镀阻隔材料，形成阻挡层，可以在蒸镀红色发光材料之后，蒸镀绿色发光材料之前，蒸镀阻隔材料；还可以在蒸镀绿色发光材料之后，蒸镀红色发光材料之前，蒸镀阻隔材料，使得绿色子像素的有机发光层与红色子像素的有机发光层无法搭接。
与图10所示实施例对应的高精度金属掩模板的第一开口区域为具有倒圆角的四边形，用以蒸镀发光材料形成子像素；高精度金属掩模板还包括长条形的第二开口区域，用以在阻隔材料蒸镀区蒸镀阻隔材料，形成阻挡层。
需要说明，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于实施例而言，由于其基本相似于产品实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见产品实施例的部分说明即可。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (18)

1.一种显示基板，其特征在于，包括位于衬底基板上、颜色不同的第一子像素和第二子像素，所述第一子像素的第一有机发光层和所述第二子像素的第二有机发光层在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域，所述第一有机发光层和所述第二有机发光层之间设置有绝缘的阻挡层，所述阻挡层在所述衬底基板上的正投影覆盖至少部分所述交叠区域。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述阻挡层在所述衬底基板上的正投影覆盖全部所述交叠区域。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，沿远离所述衬底基板的方向依次设置有所述第一有机发光层、所述阻挡层和所述第二有机发光层，所述第一有机发光层远离所述衬底基板的表面的第一部分在所述衬底基板上的正投影与所述交叠区域重合，所述第一有机发光层包括靠近所述第二有机发光层、与所述第一部分相交的第一侧表面，所述阻挡层包覆所述第一部分和所述第一侧表面。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板包括位于所述衬底基板上的像素界定层，所述像素界定层包括多个与子像素对应的像素界定层开口，所述阻挡层在所述衬底基板上的正投影位于所述像素界定层在所述衬底基板上的正投影内。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，所述第一子像素和所述第二子像素选自红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第一子像素选自绿色子像素和红色子像素中的一者，所述第二子像素选自绿色子像素和红色子像素中的另一者。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括位于所述有机发光层和所述衬底基板之间的空穴传输层，所述阻挡层位于所述空穴传输层远离所述衬底基板的一侧。
8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括第三子像素，所述第三子像素包括第三有机发光层，所述阻挡层包括第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层位于所述第一有机发光层和所述第二有机发光层之间，所述第二阻挡层位于所述第二有机发光层和所述第三有机发光层之间。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述第一阻挡层靠近所述衬底基板一侧的表面到所述衬底基板靠近所述第一阻挡层一侧的表面之间的距离为第一距离，所述第二阻挡层靠近所述衬底基板一侧的表面到所述衬底基板靠近所述第二阻挡层一侧的表面之间的距离为第二距离，所述第一距离与所述第二距离不同。
10.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，沿远离所述衬底基板的方向，所述有机发光层包括层叠设置的电子阻挡层EBL和发光层EML。
11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述第一阻挡层位于所述第一有机发光层的EML和所述第二有机发光层的EBL之间，所述第二阻挡层位于所述第二有机发光层的EML和所述第三有机发光层的EBL之间。
12.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述阻挡层的厚度为10～50nm。
13.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述阻挡层的迁移率小于10-8平方厘米/(伏·秒)。
14.根据权利要求13所述的显示基板，其特征在于，所述阻挡层采用氮化硅。
15.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-14中任一项所述的显示基板。
16.一种显示基板的制作方法，其特征在于，所述显示基板包括位于衬底基板上、颜色不同的第一子像素和第二子像素，所述第一子像素的第一有机发光层和所述第二子像素的第二有机发光层在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域，所述制作方法包括：
在所述第一有机发光层和所述第二有机发光层之间形成绝缘的阻挡层，所述阻挡层在所述衬底基板上的正投影覆盖至少部分所述交叠区域。
17.根据权利要求16所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法具体包括：
形成所述第一有机发光层；
利用蒸镀方式或喷墨打印方式或化学气相沉积方式在所述交叠区域形成所述阻挡层；
形成所述第二有机发光层。
18.一种高精度金属掩模板，其特征在于，用于制作如权利要求1-14任一项所述的显示基板，包括：多个开口区域，所述多个开口区域包括与所述显示基板的子像素的位置对应的第一开口区域，还包括与所述交叠区域对应的第二开口区域。
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