CN114420877A - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括衬底基板、以及设置在衬底基板上的像素定义层和发光结构层；像素定义层掺杂有阻光材料；或者，显示基板还包括与像素定义层接触的阻光层，阻光层采用阻光材料制成；其中，阻光材料配置为防止导波光穿过所述像素定义层。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置

技术领域

本文涉及但不限于显示技术，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

随着显示技术的不断发展，各种显示产品越来越要求使用高发光效率、低功耗、长寿命、高分辨率的OLED显示屏，对显示屏的要求越来越严格。而对于一些OLED显示设备，比如：一些使用OLED显示屏的手机，在低灰阶画面下瞬态光电响应过慢，影响到光电感应器接收到的信号精度，使其无法根据环境亮度来对显示屏进行补偿和调节，影响了用户体验。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，解决了现有显示装置在低灰阶画面下瞬态光电响应过慢，影响到光电感应器接收到的信号精度的问题。

第一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，包括：衬底基板、以及设置在所述衬底基板上的像素定义层和发光结构层；所述像素定义层掺杂有阻光材料；或者，所述显示基板还包括与所述像素定义层接触的阻光层，所述阻光层采用阻光材料制成；其中，所述阻光材料配置为防止导波光穿过所述像素定义层。

在一些示例性实施方式中，所述像素定义层包括多个像素界定单元，相邻的像素界定单元之间为开口区；在所述像素界定单元内掺杂所述阻光材料，所述阻光材料的折射率与所述像素界定单元的折射率不同。

在一些示例性实施方式中，所述阻光材料掺杂在所述像素界定单元内靠近所述开口区的侧面。

在一些示例性实施方式中，所述阻光材料包括：一个或多个氧化硅球体，或一个或多个聚苯乙烯球体。

在一些示例性实施方式中，所述阻光层设置在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧，且所述阻光层在所述衬底基板的正投影与所述像素定义层在所述衬底基板的正投影重合。

在一些示例性实施方式中，所述阻光层设置在所述像素定义层靠近所述衬底基板的一侧，所述像素定义层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述阻光层在所述衬底基板上的正投影。

在一些示例性实施方式中，所述发光结构层包括阳极层，所述阳极层包括多个阳极单元，所述阻光层在所述衬底基板上的正投影覆盖相邻阳极单元在所述衬底基板上正投影的边缘。

在一些示例性实施方式中，所述阻光材料包括光取向材料。

在一些示例性实施方式中，所述发光结构层包括：依次叠设的第一电极层、第一发光功能层、发光层、第二发光功能层以及第二电极层。

在一些示例性实施方式中，所述像素定义层包括多个像素界定单元，相邻的像素界定单元之间为开口区，所述显示基板还包括第三发光功能层，所述第三发光功能层设置在所述第一发光功能层与所述发光层之间且位于所述开口区之内。

第二方面，本公开实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括：在衬底基板上制备像素定义层和发光结构层，所述像素定义层掺杂有阻光材料；或者，在衬底基板上制备像素定义层、与像素定义层接触的阻光层和发光结构层，所述阻光层采用阻光材料制成；其中，所述阻光材料配置为防止导波光穿过像素定义层。

第三方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。

本公开实施例提供的显示基板，通过在像素定义层内掺杂阻光材料，或者采用阻光材料制备与像素定义层接触的阻光层，利用阻光层防止导波光穿过像素定义层，解决了现有显示装置在低灰阶画面下瞬态光电响应过慢，影响到光电感应器接收到的信号精度的问题。

本公开的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本公开而了解。本公开的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。

在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

附图说明

附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。

图1为相关技术中显示基板的结构示意图；

图2为光学仿真软件模拟显示基板的真实发光情况图；

图3为相关技术中显示基板背光面发光情况的显微镜图；

图4为相关技术中像素定义层与像素区域的俯视图；

图5为本公开实施例中显示基板的结构示意图；

图6为本公开示例性实施例一种显示基板的结构示意图；

图7为掺杂阻光材料的显示基板和未掺杂阻光材料的显示基板的瞬态发光响应特性曲线图；

图8为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图；

图9为本公开示例性实施例再一种显示基板的结构示意图；

图10为本公开示例性实施例另一种显示基板的结构示意图。

具体实施方式

本公开描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在本公开所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在具体实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。

本公开包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本公开已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的独特的发明方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它发明方案的特征或元件组合，以形成另一个由权利要求限定的独特的发明方案。因此，应当理解，在本公开中示出和/或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此，除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外，实施例不受其它限制。此外，可以在所附权利要求的保护范围内进行各种修改和改变。

此外，在描述具有代表性的实施例时，说明书可能已经将方法和/或过程呈现为特定的步骤序列。然而，在该方法或过程不依赖于本文所述步骤的特定顺序的程度上，该方法或过程不应限于所述的特定顺序的步骤。如本领域普通技术人员将理解的，其它的步骤顺序也是可能的。因此，说明书中阐述的步骤的特定顺序不应被解释为对权利要求的限制。此外，针对该方法和/或过程的权利要求不应限于按照所写顺序执行它们的步骤，本领域技术人员可以容易地理解，这些顺序可以变化，并且仍然保持在本公开实施例的精神和范围内。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了一个或多个构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中一个或多个部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。

本公开中的附图比例可以作为实际工艺中的参考，但不限于此。例如：沟道的宽长比、各个膜层的厚度和间距、各个信号线的宽度和间距，可以根据实际需要进行调整。显示基板中像素的个数和每个像素中子像素的个数也不是限定为图中所示的数量，本公开中所描述的附图仅是结构示意图，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。

本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。本公开中的“多个”表示两个及以上的数量。

在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述的构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。

在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开中的含义。其中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的传输，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有一种或多种功能的元件等。

在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏极)与源电极(源电极端子、源区域或源极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。

在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。

在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。

本说明书中三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等并非严格意义上的，可以是近似三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等，可以存在公差导致的一些小变形，可以存在导角、弧边以及变形等。

本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。

图1为相关技术中显示基板的结构示意图。如图1所示，显示基板包括衬底基板100、以及依次叠设与衬底基板100上的阳极层1、像素定义层2、空穴传输层3、发光层4、电子传输层5和阴极层6，其中阳极层1包括多个阳极单元，像素定义层2设置有多个第一开口区101，第一开口区101内设置有一个子像素单元。

以一个子像素单元为例，当点亮显示基板时，该子像素单元对应的阳极1上被施加一定电压，阳极层1上的空穴和阴极层6上的电子在施加电场作用下运动到发光层4，相互结合产生激子从而发光。当撤掉该子像素单元对应的阳极层1上的电压时，发光层4的界面处仍会存在一定数量的空穴和电子，这些空穴和电子会继续在结合后发光。即在撤掉阳极层1上的电压后，还会持续发光一段时间，导致瞬态光电响应过慢。

为了实现对OLED显示基板的电流和亮度的外部补偿，一般会在显示基板的背光面设置光电感应器件，通过光电感应器件感应外界自然光从而计算外部补偿信息，从而可以根据不同环境亮度调节显示装置的亮度、色彩等。由于光电感应器件通常贴附于显示基板的背光面，而阳极层1所在区域会将外界环境光反射出去，因此外界环境光主要通过两个阳极单元之间的像素定义层2处透过，然后被光电感应器件感应到。而在撤掉阳极层1上的电压后，仍然会持续发光一段时间，这种情况下，发光分子发出的光线会以导波光的形式在各界面层之间传播，并在像素定义层2的界面处被光电感应器件所接收。这一过程会使得光电感应器件无法准确感应到外界环境光，也就无法根据环境亮度作出准确的IC补偿，从而极大地制约了光电感应器件调节显示装置亮度和色度的精度。

图2为光学仿真软件模拟显示基板的真实发光情况图。图2中示意性地标示出了像素定义层2和发光层4的位置。从图2中可以看出，发光层4发出的光线会在各层界面之间进行多次反射，各界面处均存在一部分光线从像素定义层2靠近衬底基板100的一侧射出，这些导波光会被显示基板背光面的光电感应器件所接收。

图3为相关技术中显示基板背光面发光情况的显微镜图。图4为相关技术中像素定义层与像素区域的俯视图。图3中的发光位置、形状与图4中像素定义层2的发光位置、形状相对应。通过光学镜头测试屏幕背面的发光情况可以明显看出，在第一开口区101的发光强度较弱，但是在像素定义区2的发光强度较高，这一检测结果能够支持图2中仿真软件的模拟结果。

在一些技术中，改善OLED显示屏瞬态光电响应慢的解决方式是：通过改变材料选型和器件的设计，使OLED发出的光的瞬态响应时间减小。这种方法一般会牺牲OLED的一些特性，比如：增加显示屏的功耗，或缩短使用寿命，或者使高低温性能变差等。

本公开实施例提供了一种显示基板，包括：衬底基板、以及设置在衬底基板上的像素定义层和发光结构层，像素定义层掺杂有阻光材料；或者，显示基板还包括与像素定义层接触的阻光层，阻光层采用阻光材料制成；阻光材料配置为防止导波光穿过像素定义层。

本公开实施例提供的显示基板，通过在像素定义层内掺杂阻光材料，或者采用阻光材料制备与像素定义层接触的阻光层，利用阻光层防止导波光穿过像素定义层。如此一来，能够阻挡显示基板内部导波光的传播途径，吸收侧向漏光，使导波光不会被光电感应器件接收到，从而有效改善显示屏瞬态光电响应过慢的问题。本公开实施例提供的显示基板，不会对OLED的光学特性产生不良影响，可以在保证显示屏的功耗和寿命等特性的基础上改善瞬态光电响应。

一些示例性实施例中，发光结构层可以包括叠设的第一电极层、发光层和第二电极层。

第一电极层可以为阳极层，阳极层可包括多个阳极单元；第二电极层可以为阴极层，阴极层为覆盖整个显示基板的完整膜层结构。像素定义层包括多个像素界定单元，相邻的像素界定单元之间为开口区，每个开口区用于形成一个子像素单元。发光层至少位于开口区中，不同的开口区可以设置不同颜色的发光层，发光层的边缘可以延伸至相邻的像素界定单元上，发光层的材料可以是电致发光材料，例如有机电致发光材料。

图5为本公开实施例中显示基板的结构示意图。如图5所示，显示基板包括衬底基板100、以及依次叠设与衬底基板100上的阳极层1、像素定义层2、发光层4和阴极层6，其中阳极层1包括多个阳极单元，像素定义层2包括多个间隔设置的像素界定单元，相邻的像素界定单元之间为开口区。像素定义层2掺杂有阻光材料201，阻光材料201能够防止导波光穿过像素定义层2。

一些示例性实施例中，发光结构层还可以包括设置在第一电极层和发光层之间的第一发光功能层，以及设置在发光层和第二电极层之间的第二发光功能层。

第一发光功能层可以包括空穴传输层(hole injection layer，HIL)和/或空穴注入层(hole transport layer，HTL)。即，第一发光功能层可以仅包括空穴传输层，或者第一发光功能层仅包括空穴注入层，或者第一发光功能层同时包括空穴传输层以及空穴注入层。第二发光功能层可以包括电子传输层(electron transport layer，ETL)和/或电子注入层(electron injection layer，EIL)。即第二发光功能层可以仅包括电子传输层，或者第二发光功能层可以仅包括电子注入层，或者第二发光功能层同时包括电子传输层及电子注入层。

本实施例中，第一发光功能层、第二发光功能层作为显示基板的共用膜层，覆盖像素定义层和开口区。

在上述实施例中，第一电极层也可以为阴极层，第二电极层也可以为阳极层。相应的，第一发光功能层可以包括电子传输层和/或电子注入层，第二发光功能层可以包括空穴传输层和/或空穴注入层，本公开实施例对此不作限制。

一些示例性实施例中，显示基板还可以包括第三发光功能层。第三发光功能层设置于第一发光功能层与发光层之间且位于开口区内，且第三发光功能层的边缘设置于像素界定单元上。其中，第三发光功能层的作用与第一发光功能层的作用类似，均用于实现空穴传输层和/或空穴注入层的功能。第三发光功能层与第一发光功能层的区别在于：第三发光功能层为针对该子像素单元设置的用于实现空穴传输层和/或空穴注入层的功能的膜层结构。例如，当某个开口区内形成绿色子像素，即该开口区内的发光层为绿色发光层时，设置在该开口区内的第三发光功能层相应为用于实现绿色像素的空穴传输层和/或空穴注入层的功能膜层。

一些示例性实施例中，像素定义层包括多个像素界定单元，相邻的像素界定单元之间为开口区。在像素界定单元内掺杂所述阻光材料，阻光材料的折射率与像素界定单元的折射率不同。

通过在像素定义层掺入折射率不同的阻光材料，使像素定义层由单相结构转变为双相或多相结构，可以使导波光的传播路径被阻挡或改变，从而在很大程度上降低发光层的光线从像素定义层下方出射的强度，极大地提升了光电感应器件对环境光的感应精度，实现在不同环境下对显示屏的亮度和色度均能够准确调节。

一些示例性实施例中，阻光材料掺杂在像素界定单元内靠近开口区的侧面。

通过将阻光材料设置在像素界定单元内靠近开口区的侧面，不仅能够阻挡导波光的传播，也不会影响光电感应器件对环境光的感应。

一些示例性实施例中，阻光材料包括一个或多个球体。

例如，阻光材料可以包括一个或多个氧化硅球体或聚苯乙烯球体。阻光材料可以通过物理或化学的方式掺入像素定义层，物理掺杂的方式例如可以是将氧化硅球体或聚苯乙烯球体放置在像素定义层的设定位置；化学掺杂的方式例如可以是通过化学方法合成带有氧化硅球体或聚苯乙烯球体的像素定义层材料，随后使用该材料制备像素定义层。可以根据需要，针对显示基板的膜层结构设置及膜层材料选择的情况，设置合适的阻光材料的掺杂浓度，本公开对此不做限制。在其他实施方式中，阻光材料可以设置为颗粒状、立方体等形状。可以根据需要设置阻光材料的掺杂位置、掺杂方式、形状和尺寸，本公开对此不作限制。

一些示例性实施例中，阻光层设置在像素定义层远离衬底基板的一侧，且阻光层在衬底基板的正投影与像素定义层在衬底基板的正投影重合。

本实施例中，由于阻光层在衬底基板的正投影与像素定义层在衬底基板的正投影重合，使得导波光不会射入像素定义层内，更不会从像素定义层射出，因此不会对光电感应器件的正常工作带来影响。在示例性实施方式中，阻光层可以包裹像素界定单元。

一些示例性实施例中，阻光层设置在像素定义层靠近衬底基板的一侧，像素定义层在衬底基板上的正投影覆盖阻光层在衬底基板上的正投影。阻光层可以填充在相邻阳极单元之间的间隔。或者，阻光层可以覆盖相邻阳极单元的边缘。

一些示例性实施例中，发光结构层包括阳极层，阳极层包括多个阳极单元，阻光层在衬底基板上的正投影覆盖相邻阳极单元在衬底基板上正投影的边缘。

本实施例中，导波光可以射入像素定义层，但受到阻光层的阻挡后不会从像素定义层射出，因此不会对光电感应器件的正常工作带来影响。

一些示例性实施例中，阻光材料包括光取向材料。

本实施例中，可以使用光取向材料制备与像素定义层接触的阻光层，光取向材料可以阻挡发光层发出的导波光，而不阻挡从环境中透射到像素定义层的光线，从而实现光电感应器件接收光线的准确性。光取向材料例如可以为偶氮苯聚合物，偶氮苯基团在偏振光诱导下实现定向排列，使发光层发出的非偏振光无法穿过像素定义层，而环境光可以通过显示屏的偏振片后转变成偏振光，能够通过像素定义层和阻光层并被光电感应器接收。可以根据需要选择光取向材料的种类，本公开对此不做限制。

下面结合附图说明书本公开实施例的方案。

图6为本公开示例性实施例一种显示基板的结构示意图。如图6所示，显示基板包括衬底基板100、以及设置在衬底基板100上的像素定义层2和发光结构层。像素定义层2包括多个像素界定单元，相邻的像素界定单元之间为开口区，包括第一开口区101和第二开口区102。发光结构层包括依次叠设的：阳极层1、空穴传输层3、发光层、电子传输层5和阴极层6。阳极层1包括多个阳极单元，发光层包括设置在第一开口区101的第一发光层41和设置在第二开口区102的第二发光层42，第一发光层41和第二发光层42的边缘分别延伸至相邻的像素界定单元上，第一发光层41和第二发光层42之间可以存在间隔。

如图6所示，像素定义层2掺杂有阻光材料201，阻光材料201设置于像素界定单元内靠近开口区的侧面。本示例中，阻光材料201为氧化硅微球，由于阻光材料201的折射率与像素界定单元的折射率不同，使导波光的传播路径被阻挡或改变，提高了光电感应器件接收信号的精度。将阻光材料201设置在像素界定单元内靠近开口区的侧面，不会影响光电感应器件对环境光的感应，能够保证正常工作亮度下的发光效率，降低了显示屏在低灰阶画面下的瞬态光电响应时间，节省了功耗。

以图6所示的显示基板的结构为例，分别制备出掺杂阻光材料201的显示基板和不掺杂阻光材料201的显示基板，利用光电倍增管测试两种显示基板背面的瞬态发光响应特性并制成曲线，如图7所示。图7中横坐标表示响应时间，即在撤掉阳极层1上的电压后，显示基板的亮度衰减到一定比例所需要的时间；纵坐标表示亮度衰减比例。亮度衰减到一定比例所需要的衰减时间越短，表示衰减响应越快，即在阳极撤电后能够更快地停止发光，这样，对光电感应器件造成的影响就越小。。在图7中，曲线10表示不掺杂阻光材料201的显示基板的测试结果，曲线11表示掺杂阻光材料201的显示基板的测试结果。从图7中可以看出，通过在像素界定层掺杂阻光材料，可以将显示基板瞬态发光的响应时间降低约35％，改善程度显著。

图8为本公开示例性实施例又一种显示基板的结构示意图。如图8所示，显示基板包括衬底基板100、以及设置在衬底基板100上的像素定义层2、阻光层202和发光结构层。图8的发光结构层与图6所示的相同，在此不再赘述。图8与图6的不同之处在于，像素定义层2未掺杂阻光材料，而是在像素定义层2远离衬底基板100的一侧设置有阻光层202。图8中，阻光层202采用光取向材料制备，阻光层202在衬底基板100上的正投影与像素定义层在衬底基板100上的正投影重合。本示例中，阻光层202为偶氮苯聚合物，偶氮苯基团在偏振光诱导下实现定向排列，使发光层发出的非偏振光无法穿过像素定义层，而环境光可以通过显示屏的偏振片后转变成偏振光，能够通过阻光层202和像素定义层2被光电感应器接收。因此，阻光层202可以对发光层发出的导波光进行阻挡，而不阻挡从环境中透射到像素定义层的光线，从而实现光电感应器件接收光线的准确性。

图9为本公开示例性实施例再一种显示基板的结构示意图。如图9所示，显示基板包括衬底基板100、以及设置在衬底基板100上的阻光层203、像素定义层2和发光结构层。图9的像素定义层2和发光结构层与图8所示的相同，在此不再赘述。图9与图8的不同之处在于阻光层203的形状和位置不同。在图9中，阻光层203的材料也是光取向材料，但阻光层203设置在像素界定单元靠近衬底基板的一侧，像素定义层在衬底基板100上的正投影覆盖阻光层203在衬底基板100上的正投影，且阻光层203在衬底基板100上的正投影覆盖相邻阳极单元在衬底基板100上正投影的边缘。。在进行制备时，可以在制备阳极层1后，先制备阻光层203，再制备像素定义层2。

图10为本公开示例性实施例另一种显示基板的结构示意图。如图10所示，显示基板包括衬底基板100、以及设置在衬底基板100上的阻光层203、像素定义层2和发光结构层。图10的像素定义层2与图9所示的相同，在此不再赘述。图10与图9的不同之处在于阻光层203的覆盖面积以及发光结构层的结构。图10的阻光层203填充在相临的阳极单元之间，阻光层203在衬底基板100上的正投影与相邻阳极单元在衬底基板100上正投影相邻。图10的发光结构层中包含第三发光功能层，第三发光功能层设置于空穴传输层3与发光层之间且位于开口区内，第三发光功能层的边缘设置于像素界定单元上。如图10所示，以第一开口区101内形成绿色子像素、第二开口区102内形成红色子像素为例，在空穴传输层3与第一发光层41之间设置有绿色空穴传输层71，在空穴传输层3与第二发光层42之间设置有红色空穴传输层72，绿色空穴传输层71和红色空穴传输层72可以没有接触，相互独立。

本公开实施例中提供的显示基板，在像素界定层掺杂阻光材料或者采用阻光材料制备与像素定义层接触的阻光层，不仅能够保证光电感应器件的正常工作性能，也不会影响发光器件的光学特性，可以确保发光器件维持在低功耗、长寿命的高水平，且降低了对OLED材料要求和器件开发难度，拓宽了OLED材料和器件的选择范围，有助于显示技术的发展。

下面通过显示基板的制备过程的示例说明本公开显示基板的结构。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成，膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示基板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“B的正投影位于A的正投影的范围之内”或者“A的正投影包含B的正投影”是指，B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。

下面以制备如图8所示的显示基板为例，对本公开实施例的制备方法进行说明。

(1)在玻璃载板上制备衬底基板100。本公开中，衬底基板100可以为柔性基底。在一示例性实施例中，衬底基板100可以包括在玻璃载板上叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、半导体层、第二柔性材料层和第二无机材料层。第一、第二柔性材料层的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第一、第二无机材料层的材料可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，用于提高基底的抗水氧能力，第一、第二无机材料层也称之为阻光(Barrier)层，半导体层的材料可以采用非晶硅(a-si)。

在示例性实施方式中，基底也可以是刚性基底，刚性基底可以采用玻璃或石英等材料，本公开在此不做限定。

(2)在衬底基板100上制备驱动结构层(图未示)图案。在示例性实施方式中，驱动结构层可以包括构成像素驱动电路的第一晶体管、第一存储电容等结构。

(3)在形成前述图案的衬底基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，形成阳极层1，阳极层1包括多个阳极单元。在示例性实施方式中，阳极与第一晶体管的漏电极连接。

(4)在形成前述图案的衬底基板上涂覆像素定义薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，形成像素定义层2图案，像素定义层2上开设有开口区，开口区内的像素定义薄膜被显影掉，暴露出阳极1的表面。像素定义层2包括多个像素界定单元，相邻的像素界定单元之间为开口区。

(5)在衬底基板上涂覆取向薄膜，在进行固化和取向后形成取向层，通过图案化工艺对取向层进行图案化，形成包裹像素界定单元的阻光层202。如图8所示，阻光层202在衬底基板的正投影与像素界定单元在衬底基板的正投影重合。

(6)在形成前述图案的衬底基板上形成有机发光层和阴极层6。在形成前述图案的基底上，通过蒸镀方式或喷墨打印方式形成有机发光层图案，有机发光层图案可以包括叠设的空穴传输层3、发光层(包括第一发光层41、第二发光层42)、电子传输层5。其中，空穴传输层3和电子传输层5覆盖像素定义层及开口区内，空穴传输层3在开口区与阳极1连接。第一发光层41位于第一开口区101内，第二发光层42位于第二开口区102内，第一发光层41的边缘延伸至相邻的像素界定单元上，第二发光层42的边缘延伸至相邻的像素界定单元上，第一发光层41的边缘和第二发光层42的边缘相接触。

随后，在形成前述图案的基底上，通过开放式掩膜板的蒸镀方式形成阴极层6图案。阴极层6覆盖像素定义层及开口区内，阴极层6与电子传输层5连接，实现了有机发光层同时与阳极层1和阴极层6连接。

(7)最后，剥离玻璃载板，形成本公开实施例的显示基板，如图8所示。

本示例中，透明导电薄膜可以采用氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，像素定义薄膜可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。取向薄膜可以采用偶氮苯聚合物等光取向材料。第一发光层及第二发光层可以采用电致发光材料。空穴传输层的材料例如可以为PEDOT/PSS(聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐)。电子传输层的材料例如可以为8-羟基喹啉-锂。阴极可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)和锂(Li)中的任意一种或更多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金。

本公开实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括：在衬底基板上制备像素定义层和发光结构层，像素定义层掺杂有阻光材料；或者，

在衬底基板上制备像素定义层、与像素定义层接触的阻光层和发光结构层，阻光层采用阻光材料制成；阻光材料配置为防止导波光穿过像素定义层。

本公开实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一实施例所述的显示基板。

Claims (12)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板、以及设置在所述衬底基板上的像素定义层和发光结构层；

所述像素定义层掺杂有阻光材料；或者，所述显示基板还包括与所述像素定义层接触的阻光层，所述阻光层采用阻光材料制成；

其中，所述阻光材料配置为防止导波光穿过所述像素定义层。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述像素定义层包括多个像素界定单元，相邻的像素界定单元之间为开口区；在所述像素界定单元内掺杂所述阻光材料，所述阻光材料的折射率与所述像素界定单元的折射率不同。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述阻光材料掺杂在所述像素界定单元内靠近所述开口区的侧面。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述阻光材料包括：一个或多个氧化硅球体，或一个或多个聚苯乙烯球体。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述阻光层设置在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧，且所述阻光层在所述衬底基板的正投影与所述像素定义层在所述衬底基板的正投影重合。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述阻光层设置在所述像素定义层靠近所述衬底基板的一侧，所述像素定义层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述阻光层在所述衬底基板上的正投影。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述发光结构层包括阳极层，所述阳极层包括多个阳极单元，所述阻光层在所述衬底基板上的正投影覆盖相邻阳极单元在所述衬底基板上正投影的边缘。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述阻光材料包括光取向材料。

9.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光结构层包括：依次叠设的第一电极层、第一发光功能层、发光层、第二发光功能层以及第二电极层。

10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述像素定义层包括多个像素界定单元，相邻的像素界定单元之间为开口区，所述显示基板还包括第三发光功能层，所述第三发光功能层设置在所述第一发光功能层与所述发光层之间且位于所述开口区之内。

11.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上制备像素定义层和发光结构层，所述像素定义层掺杂有阻光材料；或者，

在衬底基板上制备像素定义层、与像素定义层接触的阻光层和发光结构层，所述阻光层采用阻光材料制成；

其中，所述阻光材料配置为防止导波光穿过像素定义层。

12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至10中任一项所述的显示基板。

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