CN114975812A

CN114975812A - 一种显示面板

Info

Publication number: CN114975812A
Application number: CN202210490839.2A
Authority: CN
Inventors: 张月; 杨林
Original assignee: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Current assignee: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date: 2022-05-07
Filing date: 2022-05-07
Publication date: 2022-08-30
Anticipated expiration: 2042-05-07
Also published as: CN114975812B; US20240196640A1; WO2023216310A1

Abstract

本发明涉及一种显示面板。本发明的位于第一子像素区和所第二子像素区的第一电子阻挡层的材料相同，由此可以在同一蒸镀腔体内采用同一个掩膜板同时在第一子像素区和第二子像素区制备第一电子阻挡层，进而可以节约生产成本，降低制备难度。通过激光工艺照射阻隔区，使得阻隔区的被照射的第一电子阻挡层钝化，降低位于所述阻隔区的被照射的所述第一电子阻挡层的材料的空穴迁移率，进而隔断第一发光单元和第二发光单元之间的侧向电荷传输，最终防止出现低灰阶下偷亮现象。通过在子像素区内的基板远离所述第一电子阻挡层的一侧设置遮挡层，防止激光破坏子像素区内的第一电子阻挡层等膜层，避免影响显示面板的性能。

Description

一种显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板。

背景技术

有机发光二极管(英文全称：Organic Light Emitting Diode，简称OLED)是一种利用有机半导体材料在电流驱动下产生可逆变色来实现多彩显示的光电技术。OLED具有轻薄、高亮度、主动发光、能耗低、大视角、快速响应、可柔性、工作温度范围宽、电压需求低、省电效率高、反应快、构造简单、成本低、几乎无穷高的对比度等优点，被认为是最有发展前途的新一代显示技术。

目前业内OLED显示的方式主要是三原色(RGB)独立像素发光复合成彩色光技术。现有的OLED包括电子阻挡层(英文全称：Electron Blocking Layer，简称EBL)。如果采用载流子的空穴迁移率比较慢的电子阻挡层材料，会增大电压，导致OLED器件功耗提高。如果采用载流子的空穴迁移率比较快的电子阻挡层材料，又会造成横向漏流，导致其它像素偷亮，从而影响画面显示效果。比如在低亮模式下，器件内部存在侧向电荷传输，电子阻挡层等效为并联电阻，导致红色子像素点亮时，旁边的绿色子像素也被微弱点亮。

由于红色电子阻挡层和绿色电子阻挡层的消耗量太大，不能和发光层(英文全称：Emitting Layer，简称EML)材料合腔。由于红色子像素和绿色子像素存在低灰阶下偷亮的问题，所以红色电子阻挡层和绿色电子阻挡层不能在同一腔体蒸镀，导致生产成本比较高。

发明内容

本发明的目的是提供一种显示面板，其能够解决红色电子阻挡层和绿色电子阻挡层不能在同一腔体蒸镀，导致生产成本高等问题。

为了解决上述问题，本发明提供了一种显示面板，其包括：多个相互间隔的子像素区以及位于相邻的所述子像素区之间的阻隔区；所述子像素区包括：第一子像素区、第二子像素区；所述显示面板包括：基板；发光层，设置在所述基板的一侧；所述发光层包括：第一电子阻挡层，设置于所述基板上，且位于所述第一子像素区、第二子像素区以及所述第一子像素区和所述第二子像素区之间的阻隔区；其中，位于所述第一子像素区的所述第一电子阻挡层的材料的空穴迁移率大于位于所述阻隔区的至少部分所述第一电子阻挡层的材料的空穴迁移率；和/或位于所述第二子像素区的所述第一电子阻挡层的材料的空穴迁移率大于位于所述阻隔区的至少部分所述第一电子阻挡层的材料的空穴迁移率。

进一步的，所述显示面板还包括：遮挡层，设置于所述基板与所述第一电子阻挡层之间；所述遮挡层包括：与所述第一子像素区对应设置的第一遮挡部和与所述第二子像素区对应设置的第二遮挡部，相邻的所述第一遮挡部与所述第二遮挡部之间存在第一间隙；其中，位于所述第一子像素区的所述第一电子阻挡层的材料的空穴迁移率大于与所述第一间隙对应的所述第一电子阻挡层的材料的空穴迁移率；和/或，位于所述第二子像素区的所述第一电子阻挡层的材料的空穴迁移率大于与所述第一间隙对应的所述第一电子阻挡层的材料的空穴迁移率。

进一步的，所述第一间隙的宽度小于或等于相邻的所述第一子像素和第二子像素之间的阻挡层的宽度。

进一步的，位于所述第一子像素区和所述第二子像素区的所述第一电子阻挡层的厚度，与位于所述阻隔区的所述第一电子阻挡层的厚度相同。

进一步的，所述子像素区还包括第三子像素区，所述发光层还包括：第二电子阻挡层，设置于所述基板上，且位于所述第三子像素区，所述第二电子阻挡层与所述第一电子阻挡层之间存在第二间隙；位于所述第三子像素区的所述第二电子阻挡层的材料的空穴迁移率大于位于所述阻隔区的至少部分所述第一电子阻挡层的材料的空穴迁移率。

进一步的，所述第一子像素区为绿色子像素区，所述第二子像素区为红色子像素区，所述第三子像素区为蓝色子像素区。

进一步的，所述发光层还包括：第一公共层，设置于所述基板与所述第一电子阻挡层之间，且位于所述子像素区和所述阻隔区；位于所述第一子像素区的所述第一电子阻挡层和所述第一公共层的材料的空穴迁移率之和大于位于所述阻隔区的至少部分所述第一电子阻挡层和所述第一公共层的材料的空穴迁移率之和；和/或位于所述第二子像素区的所述第一电子阻挡层和所述第一公共层的材料的空穴迁移率之和大于位于所述阻隔区的至少部分所述第一电子阻挡层和所述第一公共层的材料的空穴迁移率之和。

进一步的，所述发光层还包括：第二公共层，设置于所述第一公共层与所述第一电子阻挡层之间，且位于所述子像素区和所述阻隔区；位于所述第一子像素区的所述第一电子阻挡层、所述第一公共层及所述第二公共层的材料的空穴迁移率之和大于位于所述阻隔区的至少部分所述第一电子阻挡层、所述第一公共层及所述第二公共层的材料的空穴迁移率之和；和/或位于所述第二子像素区的所述第一电子阻挡层、所述第一公共层及所述第二公共层的材料的空穴迁移率之和大于位于所述阻隔区的至少部分所述第一电子阻挡层、所述第一公共层及所述第二公共层的材料的空穴迁移率之和。

进一步的，位于所述第一子像素区和所述第二子像素区的所述第一电子阻挡层的材料的空穴迁移率范围为1E^-4cm2/v·s-1E^-2cm2/v·s，位于所述阻隔区的至少部分所述第一电子阻挡层的材料的空穴迁移率小于1E^-6cm2/v·s。

进一步的，所述第一电子阻挡层的材料的Homo能级范围为5.50eV-6.00eV。

进一步的，位于所述第一子像素区和位于所述阻隔区的所述第一电子阻挡层均包括相同的多个元素，且位于所述第一子像素区和位于所述阻隔区中由所述多个元素构成的分子结构不同；和/或，位于所述第二子像素区和位于所述阻隔区的所述第一电子阻挡层均包括相同的多个元素，且位于所述第二子像素区和位于所述阻隔区中由所述多个元素构成的分子结构不同。

本发明的优点是：本发明的位于所述第一子像素区和所述第二子像素区的所述第一电子阻挡层的材料相同，由此可以在同一蒸镀腔体内采用同一个掩膜板同时在第一子像素区和第二子像素区制备第一电子阻挡层，进而可以节约生产成本，降低制备难度。通过激光工艺照射阻隔区，使得阻隔区的被照射的第一电子阻挡层钝化，降低位于所述阻隔区的被照射的所述第一电子阻挡层的材料的空穴迁移率，进而隔断第一发光单元和第二发光单元之间的侧向电荷传输，最终防止出现低灰阶下偷亮现象。通过在子像素区内的基板远离所述第一电子阻挡层的一侧设置遮挡层，防止激光破坏子像素区内的第一电子阻挡层等膜层，避免影响显示面板的性能。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明的显示面板的平面示意图；

图2是图1中的A-A截面示意图；

图3是本发明的显示面板的结构示意图；

图4是本发明的第一掩膜板的平面示意图；

图5是本发明的激光照射阻隔区的第一间隙处的示意图。

附图标记说明：

100、显示面板； 101、子像素区；

102、阻隔区； 1011、第一子像素区；

1012、第二子像素区； 1013、第三子像素区；

1、基板； 2、发光层；

21、第一电极； 22、像素定义层；

23、第一公共层； 24、第二公共层；

25、第一电子阻挡层； 26、第一发光单元；

27、第二发光单元； 28、第二电极；

29、第二电子阻挡层； 30、第三发光单元；

3、遮挡层； 31、第一遮挡部；

32、第二遮挡部； 33、第一间隙；

4、第一掩膜板； 41、透光孔。

具体实施方式

以下结合说明书附图详细说明本发明的优选实施例，以向本领域中的技术人员完整介绍本发明的技术内容，以举例证明本发明可以实施，使得本发明公开的技术内容更加清楚，使得本领域的技术人员更容易理解如何实施本发明。然而本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例，下文实施例的说明并非用来限制本发明的范围。

本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是附图中的方向，本文所使用的方向用语是用来解释和说明本发明，而不是用来限定本发明的保护范围。

在附图中，结构相同的部件以相同数字标号表示，各处结构或功能相似的组件以相似数字标号表示。此外，为了便于理解和描述，附图所示的每一组件的尺寸和厚度是任意示出的，本发明并没有限定每个组件的尺寸和厚度。

实施例

如图1所示，本实施例提供了一种显示面板100。显示面板100包括：多个相互间隔的子像素区101以及位于相邻的所述子像素区101之间的阻隔区102。

如图1所示，所述子像素区101包括：第一子像素区1011、第二子像素区1012以及第三子像素区1013。本实施例中，所述第一子像素区1011为绿色子像素区，所述第二子像素区1012为红色子像素区，所述第三子像素区1013为蓝色子像素区。

如图2、图3所示，显示面板100包括：基板1及设置于所述基板1上的发光层2。

如图2、图3所示，发光层2包括：多个第一电极21、像素定义层22、第一公共层23、第二公共层24、第一电子阻挡层25、第一发光单元26、第二发光单元27、第二电极28。

其中，基板1的材质为玻璃、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯以及聚萘二甲酸乙二醇酯中的一种或多种，由此基板1可具有较好的抗冲击能力，可以有效保护显示面板100。

其中，第一电极21相互间隔设置于所述子像素区101的所述基板1上。所述第一电极21的材质可以为金属。本实施例中，所述第一电极21的材质为银(Ag)。由此，所述第一电极21具有良好的导电性能。事实上，所述基板1与所述第一电极21之间还设有薄膜晶体管层(图未示)。

其中，像素定义层22设置于所述阻隔区102的所述基板1上。像素定义层22主要用于阻隔相邻两个子像素区内的发光单元发出的不同颜色的光线发生串扰现象，避免影响显示效果。

其中，第一公共层23设置于第一电极21远离所述基板1的一侧，且位于所述子像素区101和所述阻隔区102。本实施例中，所述第一公共层23为空穴注入层(英文全称：HoleInject Layer，简称HIL)。所述第一公共层23可以由无机或有机材料构成，包括但不局限于各种单质、化合物及其复合或混合材料，如有机小分子、聚合物、卤族化合物、氧族化合物、氮族化合物、碳族化合物、或上述材料构成的复合或混合材料等。

其中，位于所述阻隔区102的至少部分的第一电子阻挡层25和第一公共层23的空穴迁移率之和小于第一子像素区1011的第一电子阻挡层25和第一公共层23的空穴迁移率之和，且小于第二子像素区1012的第一电子阻挡层25和第一公共层23的空穴迁移率之和。即激光照射所述阻隔区102，也可以导致被照射的第一公共层23的材料的变质，降低位于所述阻隔区102的被照射的所述第一电子阻挡层25和第一公共层23的材料的迁移率之和。

其中，第二公共层24设置于第一公共层23远离所述基板1的一侧，且位于所述子像素区101和所述阻隔区102。本实施例中，所述第二公共层24为空穴传输层(英文全称：HoleTransport Layer，简称HTL)。所述第二公共层24可以由无机或有机材料构成，包括但不局限于各种单质、化合物及其复合或混合材料，如有机小分子、聚合物、卤族化合物、氧族化合物、氮族化合物、碳族化合物、或上述材料构成的复合或混合材料等。

其中，位于所述阻隔区102的至少部分的第一电子阻挡层25、第一公共层23和第二公共层24的空穴迁移率之和小于第一子像素区1011的第一电子阻挡层25、第一公共层23和第二公共层24的空穴迁移率之和，且小于第二子像素区1012的第一电子阻挡层25、第一公共层23和第二公共层24的空穴迁移率之和。即激光照射所述阻隔区102，也可以导致被照射的第一公共层23和第二公共层24的材料的变质，降低位于所述阻隔区102的被照射的所述第一电子阻挡层25、第一公共层23和第二公共层24的材料的迁移率之和。

其中，第一电子阻挡层25设置于所述第二公共层24远离所述基板1的一侧的表面上。所述第一电子阻挡层25位于所述第一子像素区1011、第二子像素区1012以及所述第一子像素区1011和所述第二子像素区1012之间的阻隔区102。其中，位于所述第一子像素区1011、所述第二子像素区1012和所述第一子像素区1011和所述第二子像素区1012之间的阻隔区102的所述第一电子阻挡层25的材料相同，厚度相同。由此可以在同一蒸镀腔体内采用同一个掩膜板同时在第一子像素区1011、第二子像素区1012和所述第一子像素区1011和所述第二子像素区1012之间的阻隔区102制备第一电子阻挡层25，进而可以节约生产成本，降低制备难度。

其中，位于所述第一子像素区1011和所述第二子像素区1012的所述第一电子阻挡层25的材料的空穴迁移率范围为1E^-4cm2/v·s-1E^-2cm2/v·s，Homo能级范围为5.50eV-6.00eV。从而保证位于第一子像素区1011和第二子像素区1012内的第一电子阻挡层25具备较高的空穴迁移率，从而降低电压，减少功耗。

其中，位于所述第一子像素区1011和所述第二子像素区1012的所述第一电子阻挡层25的材料的空穴迁移率均大于位于所述阻隔区102的至少部分所述第一电子阻挡层25的材料的空穴迁移率。其中，位于所述阻隔区102的至少部分所述第一电子阻挡层25的材料的空穴迁移率小于1E^-6cm2/v·s。本实施例中，通过激光工艺照射阻隔区102，使得阻隔区102的被照射的第一电子阻挡层25发生变质，即改变阻隔区102的被照射的第一电子阻挡层25的材料的分子式，由原本的大分子结构变成了小分子结构(具体可以通过TOF-SIMS等手段量测)，使其钝化，分子间的电荷传递受阻，降低位于所述阻隔区102的被照射的所述第一电子阻挡层25的材料的空穴迁移率，进而隔断第一发光单元26和第二发光单元27之间的侧向电荷传输，最终防止出现低灰阶下偷亮现象。

具体的，位于所述第一子像素区1011和位于所述阻隔区102的所述第一电子阻挡层25均包括相同的多个元素，且位于所述第一子像素区1011和位于所述阻隔区102中由所述多个元素构成的分子结构不同(阻隔区102中由于激光工艺照射，使其分子结构由大分子钝化成了小分子结构，分子间的电荷传递受阻)。

具体的，位于所述第二子像素区1012和位于所述阻隔区102的所述第一电子阻挡层25均包括相同的多个元素，且位于所述第二子像素区1012和位于所述阻隔区102中由所述多个元素构成的分子结构不同(阻隔区102中由于激光工艺照射，使其分子结构由大分子钝化成了小分子结构，分子间的电荷传递受阻)。

其中，第一发光单元26设置于所述第一电子阻挡层25远离所述基板1的一侧的表面上，且位于所述第一子像素区1011。本实施例中，所述第一发光单元26为绿色发光单元。

其中，第二发光单元27设置于所述第一电子阻挡层25远离所述基板1的一侧的表面上，且位于所述第二子像素区1012。本实施例中，所述第二发光单元27为红色发光单元。

其中，第二电极28设置于所述第一发光单元26及第二发光单元27远离所述基板1的一侧的表面上，且延伸覆盖所述阻隔区102的第一电子阻挡层25上。

如图3所示，所述发光层2还包括第二电子阻挡层29和第三发光单元30。

其中，第二电子阻挡层29设置于所述基板1上，且位于所述第三子像素1013区。本实施例中，第一电子阻挡层25的材料与第二电子阻挡层29的材料不同。所述第二电子阻挡层29与所述第一电子阻挡层25之间存在第二间隙；。位于所述第三子像素区1013的所述第二电子阻挡层29的材料的空穴迁移率大于位于所述阻隔区102的至少部分所述第一电子阻挡层25的材料的空穴迁移率，由此可以防止第一电子阻挡层25和第二电子阻挡层29接触发生，造成空穴的侧向传输导致出现低灰阶下偷亮现象。

其中，第三发光单元30设置于所述第二电子阻挡层29远离所述基板1的一侧的表面上，且位于所述第三子像素区1013。本实施例中，所述第三发光单元30为蓝色发光单元。

事实上，发光层2还可以包括：空穴阻挡层(英文全称：Hole Blocking Layer，简称HBL)、电子传输层(英文全称：Electron Transport Layer，简称ETL)、电子注入层(英文全称：Electron Inject Layer，简称EIL)等膜层。

事实上，显示面板100还可以包括：光耦合输出层(英文全称：Capping Layer，简称CPL)以及薄膜封装层(英文全称：Thin-Film Encapsulation，简称TFE)。

如图2、图3所示，遮挡层3设置于所述基板1与第一电子阻挡层25之间，且位于所述子像素区101。本实施例中，遮挡层3设置于所述基板1与所述第一电极21之间。所述遮挡层3的材质包括：铝、铂、钯、银、镁、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙、钼、钛、钨及铜中的一种或多种。

其中，遮挡层3包括：与所述第一子像素区1011对应设置的第一遮挡部31和与所述第二子像素区1012对应设置的第二遮挡部32，相邻的所述第一遮挡部31与所述第二遮挡部32之间存在第一间隙33。其中，第一遮挡部31还与所述第三子像素区1013、第三子像素区1013与第一子像素区1011之间的阻隔区102、第三子像素区1013与第二子像素区1012之间的阻隔区102对应设置。

其中，所述第一间隙33的宽度小于或等于相邻的所述第一子像素1011和第二子像素1012之间的阻隔区102的宽度。本实施例中，所述第一间隙33的宽度小于相邻的所述第一子像素1011和第二子像素1012之间的阻隔区102的宽度。即，对第一子像素1011和第二子像素区1012之间的部分阻隔区102进行激光照射，降低被照射的与第一间隙33对应的膜层的材料的空穴迁移率，进而隔断第一发光单元26和第二发光单元27之间的侧向电荷传输，最终防止出现低灰阶下偷亮现象。

其中，位于所述第一子像素区1011的所述第一电子阻挡层25的材料的空穴迁移率大于与所述第一间隙33对应的所述第一电子阻挡层25的材料的空穴迁移率；位于所述第二子像素区1012的所述第一电子阻挡层25的材料的空穴迁移率大于与所述第一间隙33对应的所述第一电子阻挡层25的材料的空穴迁移率。

利用遮挡层3的第一遮挡部31和第二遮挡部32防止激光破坏子像素区101内的第一电子阻挡层25等膜层，避免影响显示面板100的性能。在其他实施例中，也可以根据具体情况去除遮挡层3，利用高精度的精细金属掩膜版(Fine Metal Mask，缩写：FMM)进行激光工艺。

如图1所示，本实施例还提供了本实施例的显示面板100的制备方法，其包括以下步骤：在一基板1上定义出多个相互间隔的子像素区101以及位于相邻的所述子像素区101之间的阻隔区102。所述子像素区101包括：第一子像素区1011、第二子像素区1012以及第三子像素区1013。

如图2、图3、图4所示，显示面板100的制备方法还包括：采用第一掩膜板4在所述第一子像素区1011、第二子像素区1012以及所述第一子像素区1011和所述第二子像素区1012之间的阻隔区102的所述基板1上制备第一电子阻挡层25。

如图4所示，第一掩膜板4上具有多个透光孔41。所述第一子像素区1011、所述第二子像素区1012和第一子像素区1011与所述第二子像素区1012之间的阻隔区102在所述基板1上的投影落入所述透光孔41在所述基板1上的投影内；所述第三子像素区1013在所述基板1上的投影与所述透光孔41在所述基板1上的投影相离。本实施例中，所述透光孔41在所述基板1上的投影与所述第一子像素区1011、所述第二子像素区1012和第一子像素区1011与所述第二子像素区1012之间的阻隔区102在所述基板1上的投影完全重合。由此可以采用第一掩膜板4在同一蒸镀腔体内同时在第一子像素区1011、第二子像素区1012和第一子像素区1011与所述第二子像素区1012之间的阻隔区102制备第一电子阻挡层25，进而可以节约生产成本。其他实施例中，可以扩大透光孔41在所述基板1上的投影，只要满足透光孔41在所述基板上的投影与第三子像素区1013在所述基板1上的投影相离即可。

如图5所示，显示面板100的制备方法还包括：在基板1与第一电极21之间制备遮挡层3，所述遮挡层3位于所述子像素区101。遮挡层3包括：与所述第一子像素区1011对应设置的第一遮挡部31和与所述第二子像素区1012对应设置的第二遮挡部32，相邻的所述第一遮挡部31与所述第二遮挡部32之间存在第一间隙33。其中，第一遮挡部31还与所述第三子像素区1013、第三子像素区1013与第一子像素区1011之间的阻隔区102、第三子像素区1013与第二子像素区1012之间的阻隔区102对应设置。利用遮挡层3的第一遮挡部31和第二遮挡部32防止激光破坏子像素区101内的第一电子阻挡层25等膜层，避免影响显示面板100的性能。

如图5所示，显示面板100的制备方法还包括：采用激光5照射位于所述阻隔区102的与第一间隙33对应的所述第一电子阻挡层25，将位于所述第一子像素区1011和所述第二子像素区1012的所述第一电子阻挡层25的材料的空穴迁移率均大于位于所述阻隔区102的与第一间隙33对应的所述第一电子阻挡层25的材料的空穴迁移率。通过激光工艺照射阻隔区102，使得被照射的阻隔区102的与第一间隙33对应的第一电子阻挡层25发生变质，即改变与第一间隙33对应的第一电子阻挡层25的材料的分子式(具体可以通过TOF-SIMS等手段量测)，使其钝化，降低位于所述被照射的阻隔区102的与第一间隙33对应的所述第一电子阻挡层25的材料的迁移率，进而隔断第一发光单元26和第二发光单元27之间的侧向电荷传输，最终防止出现低灰阶下偷亮现象。

具体的，可以参照表1的参数进行激光照射。

表1

进一步的，以上对本申请所提供的一种显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims

1.一种显示面板，其特征在于，包括：多个相互间隔的子像素区以及位于相邻的所述子像素区之间的阻隔区；所述子像素区包括：第一子像素区、第二子像素区；

所述显示面板包括：

基板；

发光层，设置在所述基板的一侧；所述发光层包括：

第一电子阻挡层，设置于所述基板上，且位于所述第一子像素区、第二子像素区以及所述第一子像素区和所述第二子像素区之间的阻隔区；

其中，位于所述第一子像素区的所述第一电子阻挡层的材料的空穴迁移率大于位于所述阻隔区的至少部分所述第一电子阻挡层的材料的空穴迁移率；和/或

位于所述第二子像素区的所述第一电子阻挡层的材料的空穴迁移率大于位于所述阻隔区的至少部分所述第一电子阻挡层的材料的空穴迁移率。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：

遮挡层，设置于所述基板与所述第一电子阻挡层之间；

所述遮挡层包括：与所述第一子像素区对应设置的第一遮挡部和与所述第二子像素区对应设置的第二遮挡部，相邻的所述第一遮挡部与所述第二遮挡部之间存在第一间隙；

其中，位于所述第一子像素区的所述第一电子阻挡层的材料的空穴迁移率大于与所述第一间隙对应的所述第一电子阻挡层的材料的空穴迁移率；和/或，

位于所述第二子像素区的所述第一电子阻挡层的材料的空穴迁移率大于与所述第一间隙对应的所述第一电子阻挡层的材料的空穴迁移率。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一间隙的宽度小于或等于相邻的所述第一子像素和第二子像素之间的阻挡层的宽度。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，位于所述第一子像素区和所述第二子像素区的所述第一电子阻挡层的厚度，与位于所述阻隔区的所述第一电子阻挡层的厚度相同。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述子像素区还包括第三子像素区，

所述发光层还包括：

第二电子阻挡层，设置于所述基板上，且位于所述第三子像素区，所述第二电子阻挡层与所述第一电子阻挡层之间存在第二间隙；

位于所述第三子像素区的所述第二电子阻挡层的材料的空穴迁移率大于位于所述阻隔区的至少部分所述第一电子阻挡层的材料的空穴迁移率。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一子像素区为绿色子像素区，所述第二子像素区为红色子像素区，所述第三子像素区为蓝色子像素区。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光层还包括：

第一公共层，设置于所述基板与所述第一电子阻挡层之间，且位于所述子像素区和所述阻隔区；

位于所述第一子像素区的所述第一电子阻挡层和所述第一公共层的材料的空穴迁移率之和大于位于所述阻隔区的至少部分所述第一电子阻挡层和所述第一公共层的材料的空穴迁移率之和；和/或

位于所述第二子像素区的所述第一电子阻挡层和所述第一公共层的材料的空穴迁移率之和大于位于所述阻隔区的至少部分所述第一电子阻挡层和所述第一公共层的材料的空穴迁移率之和。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述发光层还包括：

第二公共层，设置于所述第一公共层与所述第一电子阻挡层之间，且位于所述子像素区和所述阻隔区；

位于所述第一子像素区的所述第一电子阻挡层、所述第一公共层及所述第二公共层的材料的空穴迁移率之和大于位于所述阻隔区的至少部分所述第一电子阻挡层、所述第一公共层及所述第二公共层的材料的空穴迁移率之和；和/或

位于所述第二子像素区的所述第一电子阻挡层、所述第一公共层及所述第二公共层的材料的空穴迁移率之和大于位于所述阻隔区的至少部分所述第一电子阻挡层、所述第一公共层及所述第二公共层的材料的空穴迁移率之和。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，位于所述第一子像素区和所述第二子像素区的所述第一电子阻挡层的材料的空穴迁移率范围为1E^-4cm2/v·s-1E^-2cm2/v·s，位于所述阻隔区的至少部分所述第一电子阻挡层的材料的空穴迁移率小于1E^-6cm2/v·s。

10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一电子阻挡层的材料的Homo能级范围为5.50eV-6.00eV。

11.根据权利要求1所述显示面板，其特征在于，

位于所述第一子像素区和位于所述阻隔区的所述第一电子阻挡层均包括相同的多个元素，且位于所述第一子像素区和位于所述阻隔区中由所述多个元素构成的分子结构不同；

和/或，

位于所述第二子像素区和位于所述阻隔区的所述第一电子阻挡层均包括相同的多个元素，且位于所述第二子像素区和位于所述阻隔区中由所述多个元素构成的分子结构不同。