CN113471377B - 显示面板及其制备方法、及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种显示面板及其制备方法、及显示装置，该显示面板中位于所述阳极和所述发光层之间的有机功能层一般包括空穴传输物质，该空穴传输物质通常情况下呈富空穴状态，而空穴传输物质可能与M元素结合形成共价键，导致部分空穴与电子之间相互抵消，使其空穴传输能力变弱。基于此，在本申请中通过对有机功能层与所述像素定义层的间隔区交叠的第二区域设置较大浓度的M元素，使得在该第二区域的有机功能层的空穴传输能力变差，从而使得相邻发光元件之间的空穴横向移动的能力减弱，避免发光元件因横向载流子迁移而异常发亮的现象发生，以此提高显示面板的显示效果。

Description

显示面板及其制备方法、及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，更具体地说，涉及一种显示面板及其制备方法、及显示装置。

背景技术

随着科学技术的不断发展，OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)作为新型的发光器件，与传统的发光器件相比，OLED具有节能、环保、色纯度与响应速度好等优点被广泛应用于人们的生活和工作中，为人们的日常生活带来了极大的便利。

目前，OLED显示面板中，因空穴传输层、电子传输层这些公共层的存在，导致不同子像素之间可能产生横向漏流，容易导致子像素偷亮，因此，如何防止子像素偷亮，是本领域亟待解决的问题之一。

发明内容

有鉴于此，为解决上述问题，本发明提供一种显示面板及其制备方法、及显示装置，技术方案如下：

一种显示面板，所述显示面板包括：

衬底基板；

像素定义层，所述像素定义层位于所述衬底基板上，所述像素定义层包括开口区以及位于所述开口区之间的间隔区；

发光元件，所述发光元件位于所述像素定义层的开口区，所述发光元件包括相对设置的阳极和阴极，以及位于所述阳极和所述阴极之间的发光层；

有机功能层，所述有机功能层位于所述阳极和所述发光层之间；其中，

所述有机功能层包括与所述像素定义层的开口区交叠的第一区域，和与所述像素定义层的间隔区交叠的第二区域，所述第二区域的M元素的浓度为C1，所述第一区域的M元素的浓度为C2，其中，C2＞C1≥0，M为IIIA族元素。

一种显示面板的制备方法，用于制备上述所述的显示面板，所述制备方法包括：

准备衬底基板；

在所述衬底基板上形成发光元件的阳极；

在所述发光元件的阳极背离所述衬底基板的一侧形成像素定义层，在所述像素定义层上形成开口区和位于所述开口区之间的间隔区，所述开口区与所述发光元件的阳极至少部分交叠；

在所述像素定义层的间隔区上掺杂M元素；

在所述发光元件的阳极上形成有机功能层、发光层、阴极，所述有机功能层位于所述阳极和所述发光层之间，且所述有机功能层覆盖所述间隔区。

一种显示装置，所述显示装置包括上述所述的显示面板。

相较于现有技术，本发明实现的有益效果为：

本发明提供的一种显示面板包括：衬底基板；像素定义层，所述像素定义层位于所述衬底基板上，所述像素定义层包括开口区以及位于所述开口区之间的间隔区；发光元件，所述发光元件位于所述像素定义层的开口区，所述发光元件包括相对设置的阳极和阴极，以及位于所述阳极和所述阴极之间的发光层；有机功能层，所述有机功能层位于所述阳极和所述发光层之间；其中，所述有机功能层包括与所述像素定义层的开口区交叠的第一区域，和与所述像素定义层的间隔区交叠的第二区域，所述第二区域的M元素的浓度为C1，所述第一区域的M元素的浓度为C2，其中，C2＞C1≥0，M为IIIA族元素。

该显示面板中位于所述阳极和所述发光层之间的有机功能层一般包括空穴传输物质，该空穴传输物质通常情况下呈富空穴状态，而空穴传输物质可能与M元素结合形成共价键，导致部分空穴与电子之间相互抵消，使其空穴传输能力变弱。

基于此，在本申请中通过对有机功能层与所述像素定义层的间隔区交叠的第二区域设置较大浓度的M元素，使得在该第二区域的有机功能层的空穴传输能力变差，从而使得相邻发光元件之间的空穴横向移动的能力减弱，避免发光元件因横向载流子迁移而异常发亮的现象发生，以此提高显示面板的显示效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图7为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图8为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图9为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图10为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图11为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图12为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图13为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图14为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图；

图15为本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图；

图16为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

参考图1，图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。

所述显示面板包括：

衬底基板11；

像素定义层12，所述像素定义层12位于所述衬底基板11上，所述像素定义层12包括开口区121以及位于所述开口区121之间的间隔区122。

需要说明的是，所述衬底基板11和所述像素定义层12之间还存在更多的其它功能膜层，在本发明实施例中并没有进行图示说明。

需要说明的是，在图1中仅仅以像素定义层12具有两个开口区121为例进行说明，在本发明实施例中，对其开口区121的数量、形状以及尺寸并不进行限定。

参考图2，图2为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。

所述显示面板包括：

发光元件13，所述发光元件13位于所述像素定义层12的开口区121，所述发光元件13包括相对设置的阳极14和阴极15，以及位于所述阳极14和所述阴极15之间的发光层16；

有机功能层17，所述有机功能层17位于所述阳极14和所述发光层16之间；其中，

所述有机功能层17包括与所述像素定义层12的开口区121交叠的第一区域171，和与所述像素定义层12的间隔区122交叠的第二区域172，所述第二区域172的M元素的浓度为C1，所述第一区域171的M元素的浓度为C2，其中，C2＞C1≥0，M为IIIA族元素。

需要说明的是，图2中所示的阳极14由多个独立的阳极单元构成，每个阳极单元对应像素定义层12中的一个开口区121。

在该实施例中，该显示面板中位于所述阳极14和所述发光层16之间的有机功能层17一般包括空穴传输物质，该空穴传输物质通常情况下呈富空穴状态，而空穴传输物质可能与M元素结合形成共价键，即M元素属于施主用于提供电子，导致部分空穴与该电子之间相互抵消，使其空穴传输能力变弱。

基于此，在本申请中通过对有机功能层17与所述像素定义层12的间隔区122交叠的第二区域172设置较大浓度的M元素，使得在该第二区域172的有机功能层17的空穴传输能力变差，从而使得相邻发光元件13之间的空穴横向移动的能力减弱，避免发光元件13因横向载流子迁移而异常发亮的现象发生，以此提高显示面板的显示效果。

进一步的，在本申请中通过对有机功能层17与所述像素定义层12的开口区121交叠的第一区域171设置较小浓度的M元素，以尽可能的防止M元素扩散进入发光元件13中，避免影响发光元件13的空穴传输能力，以此更进一步的提高显示面板的显示效果。

具体的，在本申请实施例中，M元素是以离子形式存在的，例如B+离子等。

需要说明的是，在图2中阴极15以一整面阴极膜层为例进行图示说明，也就是说，以多个发光元件13共用一层阴极15为例进行说明，但其阴极15还可以是其它的设置方式，在本发明实施例中并不作限定。

可选的，在本发明另一实施例中，参考图3，图3为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。

所述有机功能层17包括空穴注入层173，所述空穴注入层173包括空穴注入基质和第一掺杂剂，所述第一掺杂剂为P型掺杂剂；其中，

在所述第二区域172，所述第一掺杂剂与所述M元素结合形成共价键。

在该实施例中，发明人发现，空穴注入层173(Hole Injection Layer，简称HIL)是由一种空穴传输能力较强的材料(即空穴注入基质)和P型掺杂剂组成，该P型掺杂剂的存在使得空穴注入层173具有良好的空穴导电特性，也就是说，该P型掺杂剂有助于阳极14向发光层16产出更多的空穴。

并且，由于该空穴注入层173没有进行图案化处理，即在像素定义层12上是一整面膜层，也就是说显示面板中多个发光元件13共用一整层空穴注入层173；那么，当空穴注入层173的空穴导电特性较强时，就会发生横向漏流。

进一步的，由于不同发光元件13的开启阈值电压不同，那么开启阈值电压较高的发光元件13处于亮起状态时，尤其是在高亮度的情况下，相邻的其它开启阈值电压较低的发光元件13由于空穴注入层173的横向漏流，最终也会被点亮，导致其异常发光，这种异常发光会使得显示画面的色坐标不准确，进而影响显示面板的显示画质。

基于此，在本申请中通过对空穴注入层173与所述像素定义层12的间隔区122交叠的第二区域172设置较大浓度的M元素，使P型掺杂剂与M元素结合形成共价键，即M元素属于施主用于提供电子，导致部分空穴与该电子之间相互抵消，使得在该第二区域172的空穴注入层173的空穴传输能力变差，从而使得相邻发光元件13之间的空穴横向移动的能力减弱以降低横向漏流，避免发光元件13因横向载流子迁移而异常发亮的现象发生，以此提高显示面板的显示效果。

需要说明的是，所述显示面板还包括：

设置在所述空穴注入层173和所述发光层16之间的空穴传输层(Hole TranportLayer，简称HTL)。

设置在所述发光层16和所述阴极15之间的电子传输层(Electron TransportLayer，简称ETL)。

设置在所述电子传输层和所述阴极15之间的电子注入层(Electron InjectionLayer，简称EIL)。

其中，所述电子注入层用于降低阴极15注入电子的势垒，使电子能从阴极15有效地注入到发光层16中。

其中，所述空穴注入层173用于降低阳极14注入空穴的势垒，使空穴能从阳极14有效地注入到发光层16中。

其中，所述电子传输层用于控制电子的传输速率，所述空穴传输层用于控制空穴的传输速率；由于在OLED有机材料中，空穴的传输速率一般是大于电子的传输速率，因此通过电子传输层和空穴传输层来控制电子和空穴的传输速率，使二者的复合发生在发光层16(Emission Layer，简称EML)中。

进一步需要说明的是，所述显示面板还可以包括：

空穴阻挡层(Hole Block Layer，简称HBL)和电子阻挡层(Electron BlockLayer，简称EBL)。

其中，当电子和空穴迁移至发光层16之后，由于电场的存在，电子可以继续向阳极14迁移，空穴可以继续向阴极15迁移，导致发光层16中电子/空穴的浓度下降，进而影响其发光效率。

因此，可以通过电子阻挡层和空穴阻挡层，基于其特殊的能级结构，可以对电子/空穴形成迁移的势垒，阻止其进一步迁移，进而提高显示面板的显示性能。

可选的，在本发明另一实施例中，参考图4，图4为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。

所述发光元件13包括出光颜色不同的第一发光元件131和第二发光元件132，所述间隔区122包括第一间隔区122A，所述第一间隔区122A位于所述第一发光元件131和所述第二发光元件132之间；

所述第一间隔区122A包括与所述第一发光元件131邻接的第一位点W1、与所述第二发光单元132邻接的第二位点W2、以及位于所述第一位点W1和所述第二位点W2之间的第三位点W3；其中，

所述第三位点W3处所述有机功能层17中M元素的浓度大于所述第一位点W1处所述有机功能层17中M元素的浓度，或者，所述第三位点W3处所述有机功能层17中M元素的浓度大于所述第二位点W2处所述有机功能层17中M元素的浓度。

在该实施例中，由于有机功能层17中的M元素会进行扩散，为了防止M元素扩散进入发光元件13中影响发光元件13的空穴传输能力，进而影响发光元件13的发光效果；因此，在本申请实施例中，在与所述第一发光元件131邻接的第一位点W1，以及在与所述第二发光单元132邻接的第二位点W2，二者相对应的有机功能层17中设置较小浓度的M元素，以限制M元素的扩散范围。

进一步的，在位于所述第一位点W1和所述第二位点W2之间的第三位点W3处对应的有机功能层17中可以设置浓度相对较大的M元素，在保证此处M元素不会扩散进入发光元件13的情况下，以最大程度的降低第三位点W3处有机功能层17的空穴传输能力，使得在该第三位点W3处的有机功能层17的空穴传输能力变差，从而使得相邻发光元件13之间的空穴横向移动的能力减弱，避免发光元件13因横向载流子迁移而异常发亮的现象发生，以此提高显示面板的显示效果。

需要说明的是，所述第一位点W1与所述第一发光元件131所在开口区121边缘的距离，以及所述第二位点W2与所述第二发光元件132所在开口区121边缘的距离，在本发明实施例中并不作限定，其距离的设置可随着M元素的浓度来动态调整即可。

可选的，在本发明另一实施例中，参考图5，图5为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。

由所述第一位点W1至所述第三位点W3间的至少部分区域，所述有机功能层17中的M元素的浓度逐渐增大，或者，由所述第二位点W2至所述第三位点W3间的至少部分区域，所述有机功能层17中的M元素的浓度逐渐增大。

在该实施例中，是在上一实施例的基础上，进一步进行限定使所述第一位点W1至所述第三位点W3的方向X1上，所述有机功能层17中的M元素的浓度可以逐渐增大；和/或，

所述第二位点W2至所述第三位点W3的方向X2上，所述有机功能层17中的M元素的浓度可以逐渐增大。

这一设置可以使得有机功能层17距离发光元件13较近的第一位点W1和第二位点W2处M元素的浓度较小，以防止M元素扩散进入发光元件13中影响发光元件13的空穴传输能力，进而影响发光元件13的发光效果。

并且，在所述第一位点W1至所述第三位点W3的方向X1上，和/或所述第二位点W2至所述第三位点W3的方向X2上，有机功能层17中的M元素的浓度可以逐渐增大，也就是说，在这两个方向上，有机功能层17的空穴横向移动的能力逐渐减弱，在第三位点W3处，有机功能层17的空穴横向移动的能力达到最弱，进而避免发光元件13因横向载流子迁移而异常发亮的现象发生，以此提高显示面板的显示效果。

可选的，在本发明另一实施例中，参考图6，图6为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。

所述第一间隔区122A还包括第四位点W4和第五位点W5，所述第四位点W4位于所述第一位点W1和所述第三位点W3之间，所述第五位点W5位于所述第二位点W2和所述第三位点W3之间；其中，

所述第一位点W1至所述第四位点W4之间的区域对应的所述有机功能层17中不包含M元素，或者，所述第二位点W2至所述第五位点W5之间的区域对应的所述有机功能层17中不包含M元素。

在该实施例中，所述第一位点W1至所述第四位点W4之间的区域对应的所述有机功能层17中不包含M元素；和/或，

所述第二位点W2至所述第五位点W5之间的区域对应的所述有机功能层17中不包含M元素，可以使得第一间隔区122A距离发光元件13的一定区域内不含M元素，从而可以进一步保证M元素不会扩散至发光元件13中，进而最大程度的保证发光元件13的空穴传输能力，使M元素对发光元件13发光效果的影响降低到最低。

可选的，在本发明另一实施例中，参考图7，图7为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。

所述第一间隔区122A的至少部分区域的表面设置有第一凹槽18，所述第三位点W3位于所述第一凹槽18内。

在该实施例中，通过在所述第一间隔区122A的至少部分区域的表面设置第一凹槽18，以此延长相邻发光单元13之间有机功能层17的空穴传输路径，从而降低有机功能层17的横向空穴传输能力。

进一步的，通过使得有机功能层17中M元素浓度较大处位于第一凹槽18内，即将M元素浓度较大的第三位点W3设置在第一凹槽18内，从而可以增大第三位点W3距离相邻发光元件13的路径距离，从而在降低有机功能层17的横向空穴传输能力的基础上，充分避免第三位点W3处M元素对相邻发光元件13的影响，即最大程度的防止第三位点W3处M元素扩散至相邻的发光元件13中。

需要说明的是，图7中以第一凹槽18未贯穿所述像素定义层12为例进行说明。

可拓展的，所述第一间隔区122A的至少部分区域的表面设置的第一凹槽18的数量也可以为多个，其形状可以是多样化的，例如具有多段弯曲的面，以最大化的延长相邻发光单元13之间有机功能层17的空穴传输路径即可。

可选的，在本发明另一实施例中，参考图8，图8为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。

所述间隔区122的所述第一凹槽18内包括M元素，所述间隔区122除所述第一凹槽18外的至少部分区域不包括M元素，或者，所述间隔区122除所述第一凹槽18外的至少部分区域的M元素的浓度低于所述第一凹槽18内的M元素浓度。

在该实施例中，所述第一间隔区122A中所述第一凹槽18对应的有机功能层17的区域173包括M元素，所述第一间隔区122A除所述第一凹槽18外的至少部分区域174对应的有机功能层17的区域不包括M元素；或，

所述第一间隔区122A除所述第一凹槽18外的至少部分区域174对应的有机功能层17的区域的M元素的浓度低于所述第一凹槽18对应的有机功能层17的区域的M元素浓度。

也就是说，是在上一实施例的基础上，进一步限定第一凹槽18对应的有机功能层17的区域包括M元素，其它间隔区对应的有机功能层17的区域不包括M元素，或其它间隔区对应的有机功能层17的区域所包含的M元素的浓度较小，即将所包含的浓度较大的M元素的有机功能层17的区域与第一凹槽18所在区域对应。

那么，通过不同区域M元素浓度的设置以及第一凹槽18的设置，双方面降低有机功能层17的横向空穴传输能力，且最大程度的阻止M元素扩散进相邻的发光元件13中。

可选的，在本发明另一实施例中，参考图9，图9为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。

在平行于所述衬底基板11的方向上，所述第三位点W3与所述第一发光元件131之间的间距L1等于所述第三位点W3与所述第二发光元件131之间的间距L2。

在该实施例中，所述第三位点W3位于所述第一发光元件131和所述第二发光元件132之间间隔区的中心位置，保证有机功能层17中M元素浓度最大的区域(即第三位点W3处)相距相邻的两个发光元件13的距离均达到最远，以此将M元素扩散进相邻发光元件13的可能性降低到最低。

可选的，在本发明另一实施例中，参考图10，图10为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。

所述第一发光元件131的发光波长小于所述第二发光元件132的发光波长；

在平行于所述衬底基板11的方向上，所述第三位点W3与所述第一发光元件131之间的间距L1小于所述第三位点W3与所述第二发光单元132之间的间距L2。

在该实施例中，由于因有机功能层17横向空穴传输导致发光元件13偷亮的情况一般只会发生在小波长高能量的发光元件开启时，会导致大波长低能量的发光元件偷亮。

因此，在本发明实施例中，通过将有机功能层17中M元素浓度最大的区域(即第三位点W3处)设置在靠近小波长高能量的发光元件(第一发光元件131)的一侧，那么可以在有机功能层17横向空穴传输的较近位置，即可以在有机功能层17横向空穴传输的初期位置立即减弱有机功能层17的横向空穴传输能力，进一步的再经过较长路径达到大波长低能量的发光元件(第二发光元件132)后，其有机功能层17中横向传输的空穴已经非常少，如此可以充分保证大波长低能量的发光元件(第二发光元件132)不会在小波长高能量的发光元件(第一发光元件131)开启时被偷亮。

可选的，在本发明另一实施例中，参考图11，图11为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。

在垂直于所述衬底基板11的方向上，所述像素定义层12的间隔区122包括由所述间隔区122的表面朝向所述衬底基板11方向延伸的掺杂区19，所述掺杂区19包括M元素，且所述掺杂区19与所述发光元件13的阳极14之间不交叠。

在该实施例中，通过在像素定义层12上设置具有M元素的掺杂区19，在有机功能层17和像素定义层12接触设置的情况下，该掺杂区19内的M元素会扩散进有机功能层17中，从而起到削弱有机功能层17横向空穴传输能力的作用。

进一步的，通过上述描述可知，发光元件13中阳极14用于提供空穴，那么为了保证发光元件13的空穴传输能力，需避免阳极14中或阳极14表面具有M元素，因此在本发明实施例中使所述掺杂区19与所述发光元件13的阳极14之间不交叠，以此提高显示面板的显示效果。

可选的，在本发明另一实施例中，所述掺杂区19朝向所述衬底基板11一侧的M元素的浓度小于所述掺杂区19朝向所述间隔区122表面一侧的M元素的浓度。

在该实施例中，基于该掺杂区19的掺杂方式，通常情况是从像素定义层12背离所述衬底基板11的一侧表面进行M元素的掺杂，那么就会在掺杂区19形成浓度梯度，越靠近像素定义层12背离所述衬底基板11一侧的表面，其掺杂浓度越大。

基于该掺杂区19的掺杂方式，能够使得像素定义层12背离所述衬底基板11一侧表面较大浓度的M元素更容易扩散至有机功能层17中，从而起到削弱有机功能层17横向空穴传输能力的作用。

可选的，在本发明另一实施例中，参考图12，图12为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。

所述发光元件13包括出光颜色不同的第一发光元件131、第二发光元件132和第三发光元件133，所述间隔区122包括第一间隔区122A、第二间隔区122B和第三间隔区122C，所述第一间隔区122A位于所述第一发光元件131和所述第二发光元件132之间，所述第二间隔区122B位于所述第一发光元件131和所述第三发光元件133之间，所述第三间隔区122C位于所述第二发光元件132和所述第三发光元件133之间；

所述第一发光元件131的发光波长小于所述第三发光元件133的发光波长，所述第三发光元件133的发光波长小于所述第二发光元件132的发光波长；其中，

所述第一间隔区122A中所述有机功能层17的M元素的浓度大于所述第三间隔区122C中所述有机功能层17的M元素的浓度，所述第三间隔区122C中所述有机功能层17的M元素的浓度大于所述第二间隔区122B中所述有机功能层17的M元素的浓度。

在该实施例中，基于可见光的波长范围：390nm-760nm，对不同颜色的可见光的波长从大到小进行排序：

红光：波长范围为：760nm-622nm；

橙光：波长范围为：622nm-597nm；

黄光：波长范围为：597nm-577nm；

绿光：波长范围为：577nm-492nm；

青光：波长范围为：492nm-450nm；

蓝光：波长范围为：450nm-435nm；

紫光：波长范围为：435nm-390nm。

进一步的，由于射线(光)的能量由E＝hν确定，其中，h为普朗克常量，ν为射线的频率。

又由于C＝νλ，所以可得：E＝hν＝hC/λ；其中，C是光在真空中的光速。

也就说明，可见光波长λ越大，其能量E越小。

在本发明实施例中，以所述第一发光元件131为蓝色发光元件、所述第二发光元件132为红光发光元件、所述第三发光元件133为绿光发光元件为例进行说明。

由于第一发光元件131的波长最小，所以其能量最低；第二发光元件132的波长最大，所以其能量最大；第三发光元件133的波长处于第一发光元件131和第二发光元件132之间，其能量也处于二者之间。

进一步的，由于因有机功能层17横向空穴传输导致发光元件13偷亮的情况一般只会发生在小波长高能量的发光元件开启时，会导致大波长低能量的发光元件偷亮。

进一步的，由于第一发光元件131和第三发光元件133之间的能量差小于第二发光元件132和第三发光元件133之间的能量差，且都小于第一发光元件131和第二发光元件132之间的能量差。

因此，在本发明实施例中，使所述第一间隔区122A中所述有机功能层17的M元素的浓度大于所述第三间隔区122C中所述有机功能层17的M元素的浓度，所述第三间隔区122C中所述有机功能层17的M元素的浓度大于所述第二间隔区122B中所述有机功能层17的M元素的浓度，以充分减弱各个发光元件13之间有机功能层17的横向空穴传输能力，极大程度的降低发光元件13之间偷亮的问题。

可选的，在本发明另一实施例中，参考图13，图13为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。

所述发光元件13周围的间隔区设置有围绕所述发光元件13的环形掺杂带，所述发光元件13包括出光颜色不同的第一发光元件131、第二发光元件132和第三发光元件133，所述第一发光元件131的发光波长小于所述第三发光元件133的发光波长，所述第三发光元件133的发光波长小于所述第二发光元件132的发光波长；

所述第一发光元件131周围设置有掺杂M元素的第一掺杂带20，所述第二发光元件132周围设置有掺杂M元素的第二掺杂带21，所述第三发光元件133周围设置有掺杂M元素的第三掺杂带22；其中，

所述第一发光元件131与所述第一掺杂带20之间的间距小于所述第三发光元件133与所述第三掺杂带22之间的间距，所述第三发光元件133与所述第三掺杂带22之间的间距小于所述第二发光元件132与所述第二掺杂带21之间的间距。

在该实施例中，以所述第一发光元件131为蓝色发光元件、所述第二发光元件132为红光发光元件、所述第三发光元件133为绿光发光元件为例进行说明。

由于第一发光元件131的波长最小，所以其能量最低；第二发光元件132的波长最大，所以其能量最大；第三发光元件133的波长处于第一发光元件131和第二发光元件132之间，其能量也处于二者之间。

进一步的，由于因有机功能层17横向空穴传输导致发光元件13偷亮的情况一般只会发生在小波长高能量的发光元件开启时，会导致大波长低能量的发光元件偷亮。

进一步的，由于第一发光元件131和第三发光元件133之间的能量差小于第二发光元件132和第三发光元件133之间的能量差，且都小于第一发光元件131和第二发光元件132之间的能量差。

因此，在本发明实施例中，使所述第一发光元件131与所述第一掺杂带20之间的间距小于所述第三发光元件133与所述第三掺杂带22之间的间距，所述第三发光元件133与所述第三掺杂带22之间的间距小于所述第二发光元件132与所述第二掺杂带21之间的间距。

也就是说，掺杂带距离小波长高能量的发光元件的间距越近，如此可以使得容易导致其它发光元件偷亮的发光元件，在有机功能层17横向空穴传输的初期位置立即减弱有机功能层17的横向空穴传输能力，进一步的再经过较长路径的阻隔，在达到大波长低能量的发光元件后其有机功能层17中横向传输的空穴已经非常少，如此可以充分保证大波长低能量的发光元件不会在小波长高能量的发光元件开启时被偷亮。

可选的，基于本发明上述全部实施例，在本发明另一实施例中还提供了一种显示面板的制备方法，参考图14，图14为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图。

所述制备方法用于制备上述所述的显示面板，所述制备方法包括：

S10：准备衬底基板。

S11：在所述衬底基板上形成发光元件的阳极。

在该步骤中，所述阳极由多个独立的阳极单元构成。

S12：在所述发光元件的阳极背离所述衬底基板的一侧形成像素定义层，在所述像素定义层上形成开口区和位于所述开口区之间的间隔区，所述开口区与所述发光元件的阳极至少部分交叠。

S13：在所述像素定义层的间隔区上掺杂M元素。

S14：在所述发光元件的阳极上形成有机功能层、发光层、阴极，所述有机功能层位于所述阳极和所述发光层之间，且所述有机功能层覆盖所述间隔区。

在该实施例中，通过在所述像素定义层的间隔区上掺杂M元素，在制备完成所述有机功能层之后，该M元素会扩散进入该有机功能层；该有机功能层一般包括空穴传输物质，该空穴传输物质通常情况下呈富空穴状态，而空穴传输物质可能与M元素结合形成共价键，导致部分空穴与电子之间相互抵消，进而使得有机功能层的空穴横向传输能力变弱，也就是使得相邻发光元件之间的空穴横向移动的能力减弱，避免发光元件因横向载流子迁移而异常发亮的现象发生，以此提高显示面板的显示效果。

可选的，在本发明另一实施例中，参考图15，图15为本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图。

在步骤S13之前，即在所述像素定义层的间隔区上掺杂M元素之前，

所述制备方法还包括：

S15：将所述像素定义层的开口区进行至少部分遮挡；

所述有机功能层包括与所述像素定义层的开口区交叠的第一区域，和与所述像素定义层的间隔区交叠的第二区域，所述第二区域的M元素的浓度为C1，所述第一区域的M元素的浓度为C2，其中，C2＞C1≥0，M为IIIA族元素。

在该实施例中，通过对所述像素定义层的开口区进行至少部分遮挡，以防止在对所述像素定义层的间隔区掺杂M元素时，M元素落在阳极的表面或掺杂进入阳极内部，避免影响发光元件的空穴传输能力，以此更进一步的提高显示面板的显示效果。

进一步的，在本申请中通过对有机功能层与所述像素定义层的开口区交叠的第一区域设置较小浓度的M元素，尽可能的防止M元素扩散进入发光元件中，避免影响发光元件的空穴传输能力，以此更进一步的提高显示面板的显示效果。

可选的，基于本发明上述实施例，在本发明另一实施例中还提供了一种显示装置，参考图16，图16为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

所述显示装置23包括上述实施例所述的显示面板。

在该实施例中，所述显示装置23包括但不限定于手机、平板等显示装置，所述显示装置具有与上述实施例所述显示面板相同的特性，具有优异的显示效果。

以上对本发明所提供的一种显示面板及其制备方法、及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备所固有的要素，或者是还包括为这些过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (14)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

衬底基板；

像素定义层，所述像素定义层位于所述衬底基板上，所述像素定义层包括开口区以及位于所述开口区之间的间隔区；

发光元件，所述发光元件位于所述像素定义层的开口区，所述发光元件包括相对设置的阳极和阴极，以及位于所述阳极和所述阴极之间的发光层；

有机功能层，所述有机功能层位于所述阳极和所述发光层之间；其中，

所述有机功能层包括与所述像素定义层的开口区交叠的第一区域，和与所述像素定义层的间隔区交叠的第二区域，所述第二区域的M元素的浓度为C1，所述第一区域的M元素的浓度为C2，其中，C2＞C1≥0，M为ⅢA族元素；

所述发光元件包括出光颜色不同的第一发光元件和第二发光元件，所述间隔区包括第一间隔区，所述第一间隔区位于所述第一发光元件和所述第二发光元件之间；

所述第一间隔区包括与所述第一发光元件邻接的第一位点、与所述第二发光元件邻接的第二位点、以及位于所述第一位点和所述第二位点之间的第三位点；其中，

所述第三位点处所述有机功能层中M元素的浓度大于所述第一位点处所述有机功能层中M元素的浓度，或者，所述第三位点处所述有机功能层中M元素的浓度大于所述第二位点处所述有机功能层中M元素的浓度。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述有机功能层包括空穴注入层，所述空穴注入层包括空穴注入基质和第一掺杂剂，所述第一掺杂剂为P型掺杂剂；其中，

在所述第二区域，所述第一掺杂剂与所述M元素结合形成共价键。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

由所述第一位点至所述第三位点间的至少部分区域，所述有机功能层中的M元素的浓度逐渐增大，或者，由所述第二位点至所述第三位点间的至少部分区域，所述有机功能层中的M元素的浓度逐渐增大。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述第一间隔区还包括第四位点和第五位点，所述第四位点位于所述第一位点和所述第三位点之间，所述第五位点位于所述第二位点和所述第三位点之间；其中，

所述第一位点至所述第四位点之间的区域对应的所述有机功能层中不包含M元素，或者，所述第二位点至所述第五位点之间的区域对应的所述有机功能层中不包含M元素。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述第一间隔区的至少部分区域的表面设置有第一凹槽，所述第三位点位于所述第一凹槽内。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，

所述间隔区的所述第一凹槽内包括M元素，所述间隔区除所述第一凹槽外的至少部分区域不包括M元素，或者，所述间隔区除所述第一凹槽外的至少部分区域的M元素的浓度低于所述第一凹槽内的M元素浓度。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

在平行于所述衬底基板的方向上，所述第三位点与所述第一发光元件之间的间距等于所述第三位点与所述第二发光元件之间的间距。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述第一发光元件的发光波长小于所述第二发光元件的发光波长；

在平行于所述衬底基板的方向上，所述第三位点与所述第一发光元件之间的间距小于所述第三位点与所述第二发光元件之间的间距。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

在垂直于所述衬底基板的方向上，所述像素定义层的间隔区包括由所述间隔区的表面朝向所述衬底基板方向延伸的掺杂区，所述掺杂区包括M元素，且所述掺杂区与所述发光元件的阳极之间不交叠。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，

所述掺杂区朝向所述衬底基板一侧的M元素的浓度小于所述掺杂区朝向所述间隔区表面一侧的M元素的浓度。

11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述发光元件包括出光颜色不同的第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件，所述间隔区包括第一间隔区、第二间隔区和第三间隔区，所述第一间隔区位于所述第一发光元件和所述第二发光元件之间，所述第二间隔区位于所述第一发光元件和所述第三发光元件之间，所述第三间隔区位于所述第二发光元件和所述第三发光元件之间；

所述第一发光元件的发光波长小于所述第三发光元件的发光波长，所述第三发光元件的发光波长小于所述第二发光元件的发光波长；其中，

所述第一间隔区中所述有机功能层的M元素的浓度大于所述第三间隔区中所述有机功能层的M元素的浓度，所述第三间隔区中所述有机功能层的M元素的浓度大于所述第二间隔区中所述有机功能层的M元素的浓度。

12.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述发光元件周围的间隔区设置有围绕所述发光元件的环形掺杂带，所述发光元件包括出光颜色不同的第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件，所述第一发光元件的发光波长小于所述第三发光元件的发光波长，所述第三发光元件的发光波长小于所述第二发光元件的发光波长；

所述第一发光元件周围设置有掺杂M元素的第一掺杂带，所述第二发光元件周围设置有掺杂M元素的第二掺杂带，所述第三发光元件周围设置有掺杂M元素的第三掺杂带；其中，

所述第一发光元件与所述第一掺杂带之间的间距小于所述第三发光元件与所述第三掺杂带之间的间距，所述第三发光元件与所述第三掺杂带之间的间距小于所述第二发光元件与所述第二掺杂带之间的间距。

13.一种显示面板的制备方法，用于制备权利要求1-12任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述制备方法包括：

准备衬底基板；

在所述衬底基板上形成发光元件的阳极；

在所述发光元件的阳极背离所述衬底基板的一侧形成像素定义层，在所述像素定义层上形成开口区和位于所述开口区之间的间隔区，所述开口区与所述发光元件的阳极至少部分交叠；

在所述像素定义层的间隔区上掺杂M元素；

在所述发光元件的阳极上形成有机功能层、发光层、阴极，所述有机功能层位于所述阳极和所述发光层之间，且所述有机功能层覆盖所述间隔区；

所述制备方法还包括：

在所述像素定义层的间隔区上掺杂M元素之前，将所述像素定义层的开口区进行至少部分遮挡；

所述有机功能层包括与所述像素定义层的开口区交叠的第一区域，和与所述像素定义层的间隔区交叠的第二区域，所述第二区域的M元素的浓度为C1，所述第一区域的M元素的浓度为C2，其中，C2＞C1≥0，M为ⅢA族元素；

所述发光元件包括出光颜色不同的第一发光元件和第二发光元件，所述间隔区包括第一间隔区，所述第一间隔区位于所述第一发光元件和所述第二发光元件之间；

所述第一间隔区包括与所述第一发光元件邻接的第一位点、与所述第二发光元件邻接的第二位点、以及位于所述第一位点和所述第二位点之间的第三位点；其中，

所述第三位点处所述有机功能层中M元素的浓度大于所述第一位点处所述有机功能层中M元素的浓度，或者，所述第三位点处所述有机功能层中M元素的浓度大于所述第二位点处所述有机功能层中M元素的浓度。

14.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-12任意一项所述的显示面板。