JP2000123980A

JP2000123980A - 発光装置及びその製造方法

Info

Publication number: JP2000123980A
Application number: JP10298244A
Authority: JP
Inventors: Yoshikazu Hori; 義和堀; Masao Fukuyama; 正雄福山; Toshiyuki Iwazawa; 利幸岩澤
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1998-10-20
Filing date: 1998-10-20
Publication date: 2000-04-28

Abstract

(57)【要約】【課題】低抵抗陰極の実現により高画質な表示素子を
提供する。【解決手段】 (a)ガラス基板３０１の基板表面に酸化
錫インジウム（ＩＴＯ）でなる透明電極３０２を形成す
る。そして、一定方向に短冊状に形成された複数の陽極
層に分割する。(b)次に、この基板を真空蒸着装置に設
置し、正孔輸送層３０３と有機発光層３０４を順次付着
形成する。（ｃ）更に前記一定方向に形成された陽極層
と直交する方向に配列されしかも一定の幅を有する短冊
状の開孔が形成された第１の蒸着マスク３０９を介して
金属電極（陰極）３０５が蒸着形成する。（ｄ）前記第
１の蒸着マスクの短冊状の開孔部の幅よりも更に小さな
幅の開孔部を有する第２の蒸着マスク３０６を介して陰
極層に沿って導電層が形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電界発光による自
発光型の表示素子（ＥＬ）に係わるものであり、特に高
画質表示素子を実現することを目的とするするものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】高度情報化マルチメディア社会の発展に
伴い、低消費電力・高画質の平板型表示素子の開発が活
発化している。非発光型の液晶表示素子は低消費電力を
特長としてその位置を確立し、携帯情報端末等への応用
と更なる高性能化が進んでいる。

【０００３】一方、自発光型の表示素子は外光に影響さ
れにくく、室内での認識が容易なことから、従来のＣＲ
Ｔの代替えや、更にはＣＲＴでは実現困難な大画面表示
や超高精細表示の実現に向けて、電界発光型ディスプレ
イ（ＥＬ）の開発が活発化している。

【０００４】１９８７年にタンらが基板上に正孔注入用
電極層、有機正孔輸送層、有機電子輸送性発光層、電子
注入用電極層を付着形成された構造の有機ＥＬ素子を提
案して以来、（参考文献：C.W.Tang et al. Appl. Phy
s. Lett. Vol.51, p.913 (1987)）、この素子が平板型
自発光素子であることに加えて、低消費電力でかつ高輝
度、高速応答、広視野角表示が可能であることから大き
な注目を浴び、有機ＥＬディスプレイに関する研究開発
が活発化している。特に最近では、有機ＥＬによる文字
数字表示素子が実用化され、更に画像表示素子が試作さ
れるに至っている。

【０００５】マトリクス表示が可能な従来の有機ＥＬ素
子の概要構成を図６を用いて示す。ガラス基板６０１の
上に酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等の比較的大きなイオ
ン化ポテンシャルを有し正孔の注入が容易な透明導電性
薄膜でなる短冊状の陽極群（行電極）６０２が形成され
ている。

【０００６】次にその表面のほぼ全面にに正孔輸送性の
有機層６０３及び電子輸送性と発光機能を有する有機層
６０４が順次形成ている。そしてその表面に銀マグネシ
ウム合金（ＡｇＭｇ）等の比較的低い仕事関数を有し電
子の注入の容易な金属層でなり前記陽極と直交する方向
に短冊状に形成された陰極群（列電極）６０５が形成さ
れている。この列電極は通常マスク蒸着により分離形成
される。

【０００７】電子輸送性の発光層は一般的に金属に比較
して低い仕事関数を有するが、ＡｇＭｇ合金等の低仕事
関数を有する金属を陰極として用いることにより電子の
注入とその輸送が比較的容易に実現できる。また、正孔
輸送層は比較的大きなイオン化ポテンシャルを有するの
で、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等のイオン化ポテンシ
ャルの大きな材料を陽極として用いることにより正孔の
注入とその輸送が比較的容易に実現できる。

【０００８】そこで、陰極に対して陽極に正の直流電圧
を印加することにより、陽極（ＩＴＯ）６０２から正孔
輸送層に正孔が注入され、また陰極６０５から電子輸送
性の発光層に電子が注入され、更に正孔輸送層と電子輸
送層（発光層）の接合部近傍の発光層中でこれらが結合
することにより励起子が形成され発光が生じる。この発
光は透明電極６０２及びガラス基板６０１を通して観測
がなされる。この発光原理はガリウム砒素等で形成され
た無機の発光ダイオードに類似しており、ＰＮ接合のさ
れた化合物半導体に電子と正孔を注入することにより接
合部近傍で電子と正孔の再結合することによる発光と対
応させることができる。そして、電子輸送層はＮ型化合
物半導体、正孔輸送層はＰ型化合物半導体に対比させる
させることができる。

【０００９】マトリクス駆動では、図に示した様にそれ
ぞれ直交する電極群のうちの一方を走査電極として、各
走査電極に時間的分割された走査信号を順次に供給する
とともに、もう一方の電極群には各電極を信号電極とし
て、それれ走査線と交差する画素を表示（選択）すべき
か否か（非選択）に対応する選択信号を供給する。より
具体的に説明すると、例えば、陰極電極を走査電極とす
る場合には各走査電極には時分割された一定の時間だけ
特定の電位（例えばグランド電位）に設置され、一方各
陽極には画像信号に対応して選択画素には前記選択され
た陰極の電位よりも一定以上高い電位、非選択画素には
一定以下の電位が与えられる。

【００１０】その結果、走査信号が印加された特定の走
査電極上で一定以上の電位が与えられている陽極部に対
応する画素は上記の一定時間内に発光し、これに対して
一定以上の電位が与えられていない陽極部に対応する画
素は発光しすることはない。そして、次の一定時間は例
えば隣接する走査電極上の特定の画素が発光する。すべ
ての走査電極が走査されつつこれらが繰り返されること
により画像が表示される。

【００１１】このような時分割マトリクス駆動方法にお
いては、各画素が発光している時間は走査電極数の逆数
となるために、各画素は瞬時的には極めて高い輝度で発
光する必要があり、そのためには各画素部に瞬時的に大
きな電流を流す必要がある。またそのために、走査電極
には発光画素部の全電流が瞬時的に集中することになる
ので、更に大電流が流れることになる。

【００１２】そこで、電極の電気抵抗による電力ロスを
低減し高効率な発光を実現するためには走査電極にも信
号電極にも低抵抗の電極を用いる必要があるが、述べた
様な理由で走査電極には極めて低い電気抵抗を有する電
極が要求される。

【００１３】また、発光効率の課題に加えて、大電流時
には走査電極の抵抗の影響による電圧降下のために発光
層自体に実質的に印加される電圧が大きく減少し、その
結果選択画素数によって輝度が大きく変化したり、また
電極端子から遠い選択画素部では大きな輝度低下が発生
することになる。

【００１４】これらの現象は更に高精細化に向けて走査
電極、及び信号電極の数を増加させるに従ってますます
深刻な課題となる。

【００１５】上記の様な現象を抑制して均一で高画質な
画像表示を実現するためには、特に走査電極の抵抗を信
号電極の抵抗に対して大幅（信号電極の逆数程度の値）
に低減させる必要がある。通常の有機発光素子において
は、陽極として用いられるＩＴＯの透明電極が比較的高
い抵抗を有することもあり、金属電極でなる陰極側が走
査電極として用いられるが、ＱＶＧＡクラス、或いはそ
れ以上の高精細な表示を実現するためには陰極の低抵抗
を図るために金属薄膜の膜厚が数１００nm以上にする必
要があった。

【００１６】ところが、短冊上の金属膜で形成される陰
極をマスク蒸着法で形成する場合には、マスクが基板に
接触しないようにマスクと基板との間に一定の間隔（少
なくとも数１０μm）を設置する必要があるので、例え
ば隣接する陰極間隔が１００μm以下の陰極を実現しよ
うとすると、膜厚が１００ｎｍ以上になると蒸着時の回
り込みのために隣接する陰極が電気的に接触するという
現象が生じていた。

【００１７】即ち、陰極電極を互いに密接して短冊状に
形成する場合には、充分に厚い電極を形成することが困
難であり実質的に低抵抗な陰極を形成するには限界があ
った。

【００１８】特に高精細ディスプレイを実現するために
は走査電極の間隔を更に数μm〜数１０μm以下に詰める
必要があり、そのために陰極層の厚さをますます薄くせ
ざるを得ず、十分に低抵抗な走査電極を有する高画質な
ディスプレイを実現することは極めて困難であった。ま
た、素子自体を透過型にする場合には陰極を超薄膜化す
る必要があり、この場合には低抵抗な走査電極を実現す
ることは更に困難であった。

【００１９】そこで、陰極の高精細化と低抵抗化を実現
できる方法として、基板にあらかじめ分離構造を形成し
てその後、有機膜とともに陰極を蒸着形成する方法が提
案されている。

【００２０】この方法を図６に示す。(a)ガラス基板７
０１に透明電極を付着形成し、更にエッチング法により
横方向に分割することにより行電極７０２を形成する。
(b)この基板にフォトレジスト層７０９を形成する。
（c）次にフォトレジストをフォトリソ工程により透明
電極とは直交する方向にストライプ状の逆メサ構造７０
９’を形成する。(d)この基板を真空蒸着装置に設置
し、正孔輸送層、発光層、及び陰極層を順次形成する。

【００２１】この方式によれば、蒸着マスクが実質的に
基板に密着していることになり、陰極形成時の回り込み
が抑制できるので、陰極層の厚さをマスク蒸着の場合に
比較して一層厚くすることが可能となり、陰極の低抵抗
化をはかることが可能となる。

【００２２】ところがこの方法ではフォトプロセスが含
まれるので工程が複雑になることは勿論、レジストプロ
セス時発生するダスト等が基板表面に残留しやすく、ま
たこれを除去することが困難なことから、これらのダス
ト等を中心として黒点と呼ばれる非発光部が数多く発生
し画質を著しく悪化させる要因ともなっていた。また、
この方法では逆メサ構造に欠陥等が発生しやすく、金属
の膜厚を厚くするに従ってこの欠陥部によって隣接電極
の短絡が発生しやすくなるので実際に膜厚を厚くするこ
とはこんなんであった。

【００２３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来のマス
ク蒸着法やメサ構造による陰極分離の問題を解決し、比
較的簡単なプロセスで充分低抵抗な陰極電極が実現か可
能な有機発光素子、及びその製造方法を提供するもので
ある。

【００２４】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上にイオ
ン化ポテンシャルの高い材料でなる陽極層、少なくとも
正孔輸送層と電子輸送層を含む有機発光層、及び仕事関
数の低い材料でなる陰極層が順次形成され、しかも陰極
層の表面の一部に導電性材料が前記陰極層よりも厚くか
つ線状もしくは複数の線からなる格子状に付着形成され
た発光素子である。

【００２５】また、本発明は、基板表面に高いイオン化
ポテンシャルの材料でなり一定方向に短冊状に形成され
た複数の陽極層、及び少なくとも正孔輸送層と電子輸送
層を含む有機発光層が順次付着形成された基板に、前記
一定方向に形成された陽極層と直交する方向に配列され
しかも一定の幅を有する短冊状の開孔が形成された第１
の蒸着マスクを介して陰極材料が蒸着形成され、次に前
記第１の蒸着マスクの短冊状の開孔部の幅よりも更に小
さな幅の開孔部を有する第２の蒸着マスクを介して陰極
層に沿って導電層が形成されていることを特徴とする発
光素子の製造方法である。

【００２６】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、本発明
の第１の実施形態に係わる発光素子について図１を参照
しながら説明する。

【００２７】図１において、１０１はガラス基板であ
る。その表面にはピッチ２００μm、幅１９０μm、厚さ
０．１μmの酸化インジウム錫でなる５００本の短冊状
の透明電極（列電極陽電極群）１０２、トリフェニルジ
アミン（ＴＰＤ[N,N'-bis(3-methylphenyl)-(1,1'-biph
enyl)-4,4'-diamine]）でなる正孔輸送層１０３とアル
ミキノリノール錯体（Ａlｑ[tris(8-hydroxy-quino) al
uminium]）でなる電子輸送性の有機発光層１０４そして
ピッチ２００μm、幅１８０μm、厚さ０．０５μmの電
子を注入するための銀マグネシウム合金でなる５００本
の短冊状の金属電極（行電極）１０５が順次形成されて
いる。更に陰極の上部には前記短冊状の陰極に、ピッチ
２００μm、幅１６０μm、厚さ１μmの銀でなる低抵抗
層層１０６が形成されている。

【００２８】導電層の付加により約１００mm陰極の抵抗
が数キロオームから数１０オーム以下に低減され、遠隔
画素における電圧低下による画質の低下はほぼ回避する
ことが可能となり、５００×５００の画素でほぼ均一が
画像表示が可能となった。

【００２９】本実施例においては、低抵抗層として銀を
用いたが、必ずしも銀に限定されることはなく、金やア
ルミ等の低抵抗な導電材料を使用することが可能であ
る。また、行電極としてピッチ２００μm、幅１８０μ
m、厚さ０．０５μm、低抵抗層としてピッチ２００μ
m、幅１6０μm、厚さ１μmとしたがこれらの数値には特
に限定はなく、低抵抗層の幅と厚さが行電極に比較し
て、幅が小さく厚さが厚ければよい。

【００３０】特に陰極層の厚さを数１０ｎｍ以下とすれ
ば素子自体が透過型となり、この場合陰極の幅に比較し
て半分以下の幅でかつ数１００ｎｍ以上の厚さの導電層
を設置すれば、高画質の透過型ディスプレイが可能とな
る。

【００３１】（第２の実施形態）実施例１においては、
マトリクス型のディスプレイに関する実施形態をを示し
たが必ずしもこれに限定されることはなく、これ以外の
セグメント型等のディスプレイにも適用することが可能
である。

【００３２】以下、本発明の第２の実施形態に係わる発
光素子について図２を参照しながら説明する。

【００３３】図２において、２０１はガラス基板であ
る。その表面にはセグメント状に分割された透明電極
（陽電極群）２０２、トリフェニルジアミン（ＴＰＤ
[N,N'-bis(3-methylphenyl)-(1,1'-biphenyl)-4,4'-dia
mine]）でなる正孔輸送層２０３とアルミキノリノール
錯体（Ａlｑ[tris(8-hydroxyquino)aluminium]）でなる
電子輸送性の有機発光層２０４、そしてほぼ全面に厚さ
１０ｎｍの電子を注入するための銀マグネシウム合金で
なる金属電極（陰極）２０５が順次形成されている。更
に陰極の上部には、ピッチ２mm、幅１００μm、厚さ１
μmの銀でなる低抵抗層２０６が形成されている。

【００３４】低抵抗層の付加により陰極全体の平均的抵
抗が数１００キロオームから１キロオーム以下に低減さ
れ、全面にわたりほぼ均一な表示が可能となった。しか
も陰極電極は非常に薄くまた低抵抗層部の占める割合は
５％程度であり素子としては殆ど透明であり、透過型の
ディススプレイが可能である。ちなみに低抵抗層を付加
していない場合は、陰極端子近傍が発光するだけであり
極めて不均一な表示性能しか得られないことが判明し
た。

【００３５】本実施例においては、低抵抗層にピッチ２
ｍm、幅２５０μm、厚さ１μmの銀を用いたが、この寸
法や材料に限定されることはないことは自明である。ま
た低抵抗層を千鳥格子状に形成することにより、より均
一な表示特性を得ることが可能である。

【００３６】（第３の実施形態）以上の実施例において
は素子構成を示したが、本素子の製造方法について説明
する。

【００３７】図３において、(a)ガラス基板３０１の基
板表面に高いイオン化ポテンシャルを有する酸化錫イン
ジウム（ＩＴＯ）でなる透明電極３０２を形成する。そ
して、一定方向に短冊状に形成された複数の陽極層に分
割する。

【００３８】(b)次に、この基板を真空蒸着装置に設置
し、トリフェニルジアミン（ＴＰＤ[N,N'-bis(3-methyl
phenyl)-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine]）でなる正孔
輸送層３０３とアルミキノリノール錯体（Ａlｑ[tris(8
-hydroxyquino) aluminium]）でなる電子輸送性の有機
発光層３０４を順次付着形成する。

【００３９】（ｃ）更に前記一定方向に形成された陽極
層と直交する方向に配列されしかも一定の幅を有する短
冊状の開孔が形成された第１の蒸着マスク３０９を介し
てマグネシウム合金でなる金属電極（陰極）３０５を蒸
着形成する。

【００４０】（ｄ）最後に、前記第１の蒸着マスクの短
冊状の開孔部の幅よりも更に小さな幅の開孔部を有する
第２の蒸着マスク３０６を介して陰極層に沿って導電層
が形成する。

【００４１】（ｃ）の工程において使用される第１の蒸
着マスクには格子状に複数のスリットが一様に形成され
ており、そのスリット幅及びピッチはそれぞれ１６０μ
m及び２００μmである。基板表面と蒸着マスクの間隔は
約０．１ｍｍであるが、実際に蒸着形成された陰極は、
厚さ０．０５μm程度の陰極を形成した場合には、陰極
線幅はそれぞれ１８０μm程度に広がっている。

【００４２】更に陰極を厚く付着させた場合は、隣接す
る電極が光学顕微鏡では分離されていても電気的には分
離されなくなる。（ｄ）の工程において使用される第２
の蒸着マスクのスリット幅及びピッチはそれぞれ１００
μm及び２００μmである。第１のマスクと同様に基板表
面と蒸着マスクの間隔は約０．１ｍｍに設定すると、実
際に蒸着形成された陰極は、厚さ１μm程度の陰極を形
成した場合には、陰極線幅はそれぞれ１６０μm程度に
広がっている。

【００４３】しかし陰極を厚く付着させたとしても、隣
接する電極間の分離は充分実現されており、蒸着法にお
いても２００μmピッチの高精細な陰極を形成するにあ
たっても充分低抵抗な陰極が得られることが判明した。

【００４４】また陰極層の厚さを数１０ｎｍ以下とすれ
ば素子自体が透過型となり、この場合陰極の幅に比較し
て半分以下の幅でかつ数１００ｎｍ以上の厚さの導電層
を設置すれば、高画質の透過型ディスプレイが可能とな
る。

【００４５】（第４の実施形態）本素子の製造方法につ
いての別の実施例について説明する。

【００４６】図４において、(a)ガラス基板４０１の基
板表面に高いイオン化ポテンシャルを有する酸化錫イン
ジウム（ＩＴＯ）でなる透明電極４０２を形成する。そ
して、一定方向に短冊状に形成された複数の陽極層に分
割する。

【００４７】(b)次に、この基板を真空蒸着装置に設置
し、トリフェニルジアミン（ＴＰＤ[N,N'-bis(3-methyl
phenyl)-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine]）でなる正孔
輸送層４０３とアルミキノリノール錯体（Ａlｑ[tris(8
-hydroxyquino) aluminium]）でなる電子輸送性の有機
発光層４０４を順次付着形成する。

【００４８】（ｃ）更に前記一定方向に形成された陽極
層と直交する方向に配列されしかも一定の幅を有する短
冊状の開孔が形成された第１の蒸着マスク４０９、及び
第２のマスクを介してマグネシウム合金でなる金属電極
（陰極）４０５が順次形成されている陰極材料が蒸着形
成する。ここで第１のマスク及び第２のマスクは全く同
形状のものであり、開孔のピッチ及び幅はそれぞれ２０
０μm及び１６０μmである。

【００４９】（ｄ）最後に、前記第１の蒸着マスク及び
第２の蒸着マスクを互いに開孔部の幅が狭くなるように
移動させ、実質的にピッチ２００μm、開口部１２０μm
の蒸着マスクを介して陰極層に沿って導電層が形成す
る。

【００５０】（ｃ）の工程において実際に蒸着形成され
た陰極は、厚さ０．０５μm程度の陰極を形成した場合
には、陰極線幅はそれぞれ１６０μm程度に広がってい
る。

【００５１】（ｄ）の工程において実際に蒸着形成され
た陰極は、厚さ１μm程度の陰極を形成した場合には、
陰極線幅はそれぞれ１４０μm程度であった。しかし陰
極を厚く付着させたとしても、隣接する電極間の分離は
充分実現されており、蒸着法においても２００μmピッ
チの高精細な陰極を形成するにあたっても充分低抵抗な
陰極が得られることが判明した。

【００５２】また陰極層の厚さを数１０ｎｍ以下とすれ
ば素子自体が透過型となり、この場合陰極の幅に比較し
て半分以下の幅でかつ数１００ｎｍ以上の厚さの導電層
を設置すれば、高画質の透過型ディスプレイが可能とな
る。

【００５３】（第５の実施形態）本素子の製造方法につ
いての別の実施例について説明する。

【００５４】図５において、(a)ガラス基板５０１の基
板表面に高いイオン化ポテンシャルを有する酸化錫イン
ジウム（ＩＴＯ）でなる透明電極５０２を形成する。そ
して、一定方向に短冊状に形成された複数の陽極層に分
割する。

【００５５】(b)次に、この基板を真空蒸着装置に設置
し、トリフェニルジアミン（ＴＰＤ[N,N'-bis(3-methyl
phenyl)-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine]）でなる正孔
輸送層５０３とアルミキノリノール錯体（Ａlｑ[tris(8
-hydroxyquino) aluminium]）でなる電子輸送性の有機
発光層３０４を順次付着形成する。

【００５６】（ｃ）更に前記一定方向に形成された陽極
層と直交する方向に配列されしかも一定の幅を有する短
冊状の開孔が形成された第１の蒸着マスク５０９を介し
てマグネシウム合金でなる金属電極（陰極）５０５が順
次形成されている陰極材料が蒸着形成する。この場合蒸
着マスクと基板の間隔は約１ｍｍに設定されている。第
１の蒸着マスクには格子状に複数のスリットが一様に形
成されており、そのスリット幅及びピッチはそれぞれ１
００μm及び２００μmである。実際に蒸着形成された陰
極は、厚さ０．０５μm程度の陰極を形成した場合に
は、陰極線幅はそれぞれ１８０μm程度に広がってい
る。

【００５７】（ｄ）最後に、前記第１の蒸着マスクを基
板に更に近づけ、約０．１ｍｍに設置する。そして蒸着
マスク５０９を介して陰極層に沿って導電層が形成す
る。（ｄ）の工程において実際に蒸着形成された陰極
は、厚さ１μm程度の陰極を形成した場合には、陰極線
幅はそれぞれ１２０μm程度に広がっている。

【００５８】しかし陰極を厚く付着させたとしても、隣
接する電極間の分離は充分実現されており、蒸着法にお
いても２００μmピッチの高精細な陰極を形成するにあ
たっても充分低抵抗な陰極が得られることが判明した。

【００５９】また陰極層の厚さを数１０ｎｍ以下とすれ
ば素子自体が透過型となり、この場合陰極の幅に比較し
て半分以下の幅でかつ数１００ｎｍ以上の厚さの導電層
を設置すれば、高画質の透過型ディスプレイが可能とな
る。

【００６０】

【発明の効果】以上、実施例を用いて示した様に、本発
明においてはマスク蒸着法においても低抵抗な陰極を形
成することが可能となり、従来困難であったマトリクス
パネルが極めて簡単なプロセスで構成することが可能と
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係わる発光素子の断
面図

【図２】本発明の第２の実施形態に係わる発光素子の断
面図

【図３】本発明の第３の実施形態に係わる発光素子の製
造方法を示した図

【図４】本発明の第４の実施形態に係わる発光素子の製
造方法を示した図

【図５】本発明の第５の実施形態に係わる発光素子の製
造方法を示した図

【図６】従来の有機発光素子の概略構造を示した図

【図７】従来の有機発光素子の製造方法を示した図

【符号の説明】

１０１ガラス基板１０２透明電極１０３正孔輸送層１０４発光層１０５陰極１０６低抵抗層１０７発光

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者岩澤利幸神奈川県川崎市多摩区東三田３丁目10番１号松下技研株式会社内Ｆターム(参考） 3K007 AB06 AB18 BA06 CC00 DA01 DB03 EB00 FA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上にイオン化ポテンシャルの高い材
料でなる陽極層、少なくとも正孔輸送層と電子輸送層を
含む有機発光層、及び仕事関数の低い材料でなる陰極層
が順次形成され、しかも陰極層の表面の一部に導電性材
料が前記陰極層よりも厚くかつ線状もしくは複数の線か
らなる格子状に付着形成された発光素子。
【請求項２】基板上にイオン化ポテンシャルの高い材
料でなり一定方向に短冊状に形成された複数の陽極層、
少なくとも正孔輸送層と電子輸送層を含む有機発光層、
及び仕事関数の低い材料でなり前記一定方向と直交する
方向に短冊状に形成された複数の陰極層が順次形成さ
れ、しかも格子状陰極層の表面に格子に沿って線状に導
電性材料が前記陰極層よりも厚く形成された発光素子。
【請求項３】前記線状もしくは格子状の導線層が金属
でなり、その厚さが１００ｎｍ以上であることを特徴と
する請求項１及び２に記載の発光素子。
【請求項４】前記陰極層の厚さが１０ｎｍ以下であ
り、かつ陰極層の表面に形成された前記線状もしくは格
子状金属層の面積が陰極層の占める面積に対して５０％
以下であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子
【請求項５】前記短冊状の陰極層の厚さが１０ｎｍ以
下であり、かつ陰極層の表面に形成された線状金属層の
線幅が短冊状陰極層の幅に対して５０％以下であること
を特徴とする請求項２に記載の発光素子
【請求項６】前記陰極及び線状金属層が蒸着マスクを
通じて真空蒸着されていることを特徴とする請求項１及
び２に記載の発光素子
【請求項７】基板表面に高いイオン化ポテンシャルの
材料でなり一定方向に短冊状に形成された複数の陽極
層、及び少なくとも正孔輸送層と電子輸送層を含む有機
発光層が順次付着形成された基板に、前記一定方向に形
成された陽極層と直交する方向に配列されしかも一定の
幅を有する短冊状の開孔が形成された第１の蒸着マスク
を介して陰極材料が蒸着形成され、次に前記第１の蒸着
マスクの短冊状の開孔部の幅よりも更に小さな幅の開孔
部を有する第２の蒸着マスクを介して陰極層に沿って導
電層が形成されていることを特徴とする発光素子の製造
方法。
【請求項８】ほぼ同一の幅を有する短冊状の開孔が形
成された二枚のマスク基板が重ね合わされて構成された
第１のマスクを介して陰極層が形成され、更にそれぞれ
のマスク基板が短冊方向とは直交する方向に微小に移動
されて構成された第２のマスクを介して導電層が形成さ
れていることを特徴とする請求項７に記載の発光素子の
製造方法。
【請求項９】基板表面に高いイオン化ポテンシャルの
材料でなり一定方向に短冊状に形成された複数の陽極
層、及び少なくとも正孔輸送層と電子輸送層を含む有機
発光層が順次付着形成された基板に、前記一定方向に形
成された陽極層と直交する方向に配列されしかも一定の
幅を有する短冊状の開孔が形成された第１の蒸着マスク
が前記基板と一定の距離を隔てて配置され、第１の蒸着
マスクを介して陰極材料が蒸着形成され、次に前記第１
の蒸着マスクの短冊状の開孔部の幅と同一もしくは更に
小さな幅の開孔部を有する第１もしくは第２の蒸着マス
クが前記基板と前記一定距離以下に密接して配置され、
第１もしくは第２のマスクを介して前記陰極層上に線状
の導電層が形成されていることを特徴とする発光素子の
製造方法。