CN114981715A - 对置基板、显示面板和显示设备 - Google Patents

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黄维
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Abstract

提供一种对置基板。对置基板包括：在基底基板上并限定多个堤开口的堤层；在基底基板上的量子点材料层，量子点材料层包括分别在多个堤开口中的至少一些堤开口中的多个量子点块；以及支撑层，支撑层位于量子点材料层和堤层的远离基底基板的一侧。支撑层包括一个或多个支撑部分，一个或多个支撑部分在基底基板上的正投影与多个堤开口中的相应一个在基底基板上的正投影的周边相邻。堤层在基底基板上的正投影与支撑层在基底基板上的正投影至少部分地重叠。

Description

对置基板、显示面板和显示设备
技术领域
本发明涉及显示技术，尤其涉及一种对置基板、显示面板和显示设备。
背景技术
量子点由于量子尺寸效应和介电限域效应而具有独特的光致发光和电致发光性质。量子点具有优异的光学性质，例如，通过量子点尺寸控制的发射光的高量子产率、高光化学稳定性、抗光解、宽带激发、窄带发射、高色纯度和可调谐颜色。利用量子点材料，在显示面板中可以获得各种优点，例如，高发光效率、良好的稳定性、长使用寿命、高亮度和宽色域。
发明内容
在一个方面，本公开提供了一种对置基板，包括：基底基板；在所述基底基板上的堤层，所述堤层限定多个堤开口；在所述基底基板上的量子点材料层，所述量子点材料层包括分别在所述多个堤开口中的至少一部分堤开口中的多个量子点块；以及支撑层，所述支撑层位于所述量子点材料层和所述堤层的远离所述基底基板的一侧；其中所述支撑层包括一个或多个支撑部分，所述一个或多个支撑部分在所述基底基板上的正投影与所述多个堤开口中的相应一个在所述基底基板上的正投影的周边相邻；所述堤层和所述支撑层在所述对置基板的子像素间区域中；以及所述堤层在所述基底基板上的正投影与所述支撑层在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠。
可选地，所述支撑层是包括一个或多个透镜部的透镜层，所述一个或多个透镜部在所述基底基板上的正投影与所述多个堤开口中的相应一个在所述基底基板上的正投影的周边相邻；所述堤层和所述透镜层在所述对置基板的所述子像素间区域中；以及所述堤层在所述基底基板上的正投影与所述透镜层在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠。
可选地，所述堤层在所述基底基板上的正投影覆盖所述透镜层在所述基底基板上的正投影。
可选地，所述透镜层是具有多个开口的整体网状结构；以及所述多个开口中的各个开口被所述透镜层的透镜部围绕。
可选地，所述对置基板还包括在所述透镜层的相邻透镜部之间的空间中的低折射率材料；其中所述低折射率材料的折射率小于所述一个或多个透镜部的折射率。
可选地，所述一个或多个透镜部中的相应一个透镜部的在沿着从第一相邻堤开口到第二相邻堤开口的方向的靠近所述堤层的一侧的宽度与所述堤层的在沿着从所述第一相邻堤开口到所述第二相邻堤开口的所述方向的靠近所述一个或多个透镜部中的所述相应一个透镜部的一侧的宽度实质上相同。
可选地，所述透镜层被设置成实质上贯穿所述子像素间区域。
可选地，所述透镜层被限制在不同颜色的相邻子像素之间的所述子像素间区域的一部分中，并且所述透镜层不存在于相同颜色的相邻子像素之间的所述子像素间区域的一部分中。
可选地，所述对置基板还包括位于所述透镜层的远离所述基底基板的一侧的反射涂层；其中所述反射涂层在所述对置基板的所述子像素间区域中；所述堤层在所述基底基板上的正投影覆盖所述反射涂层在所述基底基板上的正投影；以及所述反射涂层包括分别涂覆在所述一个或多个透镜部的表面上的一个或多个反射部分。
可选地，所述反射涂层是具有多个开口的整体网状结构；以及所述多个开口中的各个开口被所述反射涂层的反射部分围绕。
可选地，所述对置基板还包括位于所述量子点材料层和所述堤层的远离所述基底基板的一侧的保护层；其中所述透镜层位于所述保护层的远离所述基底基板的一侧。
可选地，所述对置基板还包括在所述对置基板的所述子像素间区域中的黑矩阵；以及所述堤层在所述基底基板上的正投影覆盖所述黑矩阵在所述基底基板上的正投影。
可选地，所述对置基板还包括在所述基底基板上的彩膜层；其中，所述彩膜层包括分别在所述多个堤开口中的多个彩膜块。
在另一方面，本公开提供了一种显示面板，包括：阵列基板；以及对置基板，其与所述阵列基板相对；其中，所述对置基板包括：基底基板；在所述基底基板上的堤层，所述堤层限定多个堤开口；在所述基底基板上的量子点材料层，所述量子点材料层包括分别在所述多个堤开口中的至少一部分堤开口中的多个量子点块；以及支撑层，所述支撑层位于所述量子点材料层和所述堤层的远离所述基底基板的一侧；其中所述支撑层包括一个或多个支撑部分，所述一个或多个支撑部分在所述基底基板上的正投影与所述多个堤开口中的相应一个在所述基底基板上的正投影的周边相邻；所述堤层和所述支撑层在所述对置基板的子像素间区域中；以及所述堤层在所述基底基板上的正投影与所述支撑层在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠。
可选地，所述支撑层是包括一个或多个透镜部的透镜层，所述一个或多个透镜部在所述基底基板上的正投影与所述多个堤开口中的相应一个在所述基底基板上的正投影的周边相邻；所述堤层和所述透镜层在所述对置基板的所述子像素间区域中；以及所述堤层在所述基底基板上的正投影与所述透镜层在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠。
可选地，所述透镜层的所述一个或多个透镜部与所述阵列基板中的封装层的第二无机封装子层直接接触。
可选地，所述透镜层是具有多个开口的整体网状结构；以及所述多个开口中的各个开口被所述透镜层的透镜部围绕。
可选地，所述显示面板还包括在所述透镜层的相邻透镜部之间的空间中的低折射率材料；其中所述低折射率材料的折射率小于所述一个或多个透镜部的折射率。
可选地，所述低折射率材料的折射率小于所述第二无机封装子层的折射率。
可选地，所述一个或多个透镜部中的相应一个透镜部的在沿着从第一相邻堤开口到第二相邻堤开口的方向的靠近所述堤层的一侧的宽度与所述堤层的在沿着从所述第一相邻堤开口到所述第二相邻堤开口的所述方向的靠近所述一个或多个透镜部中的所述相应一个透镜部的一侧的宽度实质上相同。
可选地，所述阵列基板包括：第二基底基板；在所述第二基底基板上的多个薄膜晶体管；平坦化层，其位于所述多个薄膜晶体管的远离所述第二基底基板的一侧；阳极层，其包括多个阳极，所述多个阳极位于所述平坦化层的远离所述第二基底基板的一侧；像素限定层，其位于所述平坦化层和所述阳极层的远离所述第二基底基板的一侧，所述像素限定层限定多个子像素开口；发光材料层，其位于所述阳极层的远离所述第二基底基板的一侧，所述发光材料层包括分别在所述多个子像素开口中的多个发光块；阴极层，其位于所述发光材料层的远离所述第二基底基板的一侧；以及封装层，其位于所述阴极层的远离所述第二基底基板的一侧；其中所述透镜层的所述一个或多个透镜部与所述封装层直接接触；所述像素限定层在所述显示面板的所述子像素间区域中；以及所述堤层在所述基底基板上的正投影与所述像素限定层在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠。
可选地，所述堤层在所述基底基板上的正投影覆盖所述透镜层在所述基底基板上的正投影；以及所述像素限定层在所述基底基板上的正投影覆盖所述透镜层在所述基底基板上的正投影。
可选地，所述对置基板还包括位于所述透镜层的远离所述基底基板的一侧的反射涂层；其中所述反射涂层在所述对置基板的所述子像素间区域中；所述堤层和所述像素限定层在所述基底基板上的正投影覆盖所述反射涂层在所述基底基板上的正投影；以及所述反射涂层包括分别涂覆在所述一个或多个透镜部的表面上的一个或多个反射部分。
可选地，所述反射涂层是具有多个开口的整体网状结构；以及所述多个开口中的各个开口被所述反射涂层的反射部分围绕。
可选地，所述对置基板还包括位于所述量子点材料层和所述堤层的远离所述基底基板的一侧的保护层；以及其中所述透镜层位于所述保护层的远离所述基底基板的一侧。
可选地，所述对置基板的所述保护层与所述阵列基板之间的盒间隙在1μm至6μm的范围内。
可选地，所述透镜层的透镜部的焦距被表达为：1/f＝1/U+1/V；其中f代表所述透镜部的焦距；U代表沿着在相邻发光块相对于所述透镜部的最大视角处从所述相邻发光块行进到所述透镜部的边缘光的第一光路的第一光路距离；V代表沿着从所述透镜部到所述堤层的所述边缘光的第二光路的第二光路距离；U＝H/sin(α)；V＝(h1+h)/sin(β)；α是所述第一光路和包含所述阵列基板的与所述透镜部直接接触的表面的平面之间的第一角度；β是所述第二光路和包含所述阵列基板的与所述透镜部直接接触的所述表面的所述平面之间的第二角度；H是所述相邻发光块的表面和包含所述阵列基板的与所述透镜部直接接触的所述表面的所述平面之间的最短距离；以及(h1+h)是所述堤层和包含所述阵列基板的与所述透镜部直接接触的所述表面的所述平面之间的最短距离。
可选地，所述透镜部沿着从第一相邻堤开口到第二相邻堤开口的方向的宽度被表达为：L＝(2(h1+h)/tan(β))+Z；其中，Z代表在组装所述对置基板和所述阵列基板时的组装公差。
可选地，所述透镜部的曲率半径被表达为：r＝2f*(n-1)；其中，r代表曲率半径；n代表所述透镜部的折射率。
在另一方面，本公开提供了一种显示设备，包括本文所述或通过本文所述的方法制造的显示面板，以及连接到所述显示面板的集成电路。
附图说明
根据各个公开的实施例，以下附图仅是用于说明目的示例，并且不旨在限制本发明的范围。
图1A是示出根据本公开的一些实施例中的对置基板的结构的示意图。
图1B是示出根据本公开的一些实施例中的对置基板的结构的示意图。
图2是根据本公开的一些实施例中的对置基板中的堤层和量子点层的平面图。
图3A是根据本公开的一些实施例中的对置基板中的透镜层和量子点层的平面图。
图3B是根据本公开的一些实施例中的对置基板中的透镜层和量子点层的平面图。
图3C是根据本公开的一些实施例中的对置基板中的透镜层和量子点层的平面图。
图4是根据本公开的一些实施例中的透镜层的透镜部的扫描电子显微镜截面图图像。
图5是根据本公开的一些实施例中的对置基板中的多个堤开口中的相应一个的放大平面图。
图6A是示出根据本公开的一些实施例中的透镜层的结构的示意图。
图6B是示出根据本公开的一些实施例中的透镜层的结构的示意图。
图7A示出了根据本公开的一些实施例中的对置基板中的透镜部的工作原理。
图7B示出了根据本公开的一些实施例中的透镜部的厚度与相应子像素所接收的能量百分比之间的关系。
图8是示出根据本公开的一些实施例中的对置基板的结构的示意图。
图9是根据本公开的一些实施例中的对置基板中的反射涂层和量子点层的平面图。
图10是根据本公开的一些实施例中的对置基板中的多个堤开口中的相应一个的放大平面图。
图11A是示出根据本公开的一些实施例中的反射涂层的结构的示意图。
图11B是示出根据本公开的一些实施例中的反射涂层的结构的示意图。
图12示出了根据本公开的一些实施例中的对置基板中的反射部分的工作原理。
图13示出了根据本公开的一些实施例中的对置基板中的反射部分的工作原理。
图14是示出根据本公开的一些实施例中的对置基板的结构的示意图。
图15是示出根据本公开的一些实施例中的显示面板的结构的示意图。
图16是示出根据本公开的一些实施例中的显示面板的结构的示意图。
图17是示出根据本公开的一些实施例中的显示面板的结构的示意图。
图18A示出图17中所示的显示面板中检测到的光谱。
图18B示出图17中所示的显示面板中检测到的光谱。
图19A示出图15中所示的显示面板中检测到的光谱。
图19B示出图15中所示的显示面板中检测到的光谱。
图20示出了根据本公开的一些实施例中的对置基板中的透镜部的工作原理。
图21是示出根据本公开的一些实施例中的显示面板的结构的示意图。
图22是示出根据本公开的一些实施例中的显示面板的结构的示意图。
具体实施方式
现在将参考以下实施例更具体地描述本公开。应当注意，本文中呈现的一些实施例的以下描述仅用于说明和描述的目的。其不是穷举的或限于所公开的精确形式。
本公开尤其提供了一种基本上克服了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的对置基板、显示面板和显示设备。在一个方面，本公开提供了一种对置基板。在一些实施例中，对置基板包括基底基板；在基底基板上的堤层，堤层限定多个堤开口；在基底基板上的量子点材料层，量子点材料层包括分别在多个堤开口中的至少一些堤开口中的多个量子点块；以及透镜层，其位于量子点材料层和堤层的远离基底基板的一侧。可选地，透镜层包括一个或多个透镜部，其基本上围绕多个堤开口中的相应一个。可选地，堤层和透镜层在对置基板的子像素间区域中。可选地，堤层在基底基板上的正投影与透镜层在基底基板上的正投影至少部分地重叠。
图1A是示出根据本公开的一些实施例中的对置基板的结构的示意图。图1B是示出根据本公开的一些实施例中的对置基板的结构的示意图。图2是根据本公开的一些实施例中的对置基板中的堤层和量子点层的平面图。图4是根据本公开的一些实施例中的透镜层的透镜部的扫描电子显微镜截面图图像。参考图1A、图1B、图2至图4，在一些实施例中，对置基板包括基底基板BS；在基底基板上的堤层BL，堤层BL限定多个堤开口BA；在基底基板BS上的量子点材料层QDML，量子点材料层QDML包括分别在多个堤开口BA中的至少一些中的多个量子点块(例如，QDB2和QDB3)；以及支撑层，其位于量子点材料层QDML和堤层BL的远离基底基板BS的一侧。在一些实施例中，支撑层是透镜层LEL，如图1A、图1B、图2至图4所示。
参照图1A与图1B，表示在对置基板中分别与多个子像素对应的区域。在一些实施例中，显示面板包括多个子像素。在一个示例中，显示面板包括第一颜色的多个子像素sp1(例如，蓝色子像素)、第二颜色的多个子像素sp2(例如，红色子像素)和第三颜色的多个子像素sp3(例如，绿色子像素)。可选地，堤层BL在对置基板的子像素间区域ISR中。
在一些实施例中，量子点材料层QDML包括分别在多个堤开口BA中的至少一些中的多个量子点块。在一个示例中，量子点材料层QDML包括分别在第二颜色的多个子像素sp2中的堤开口中的第二颜色的多个量子点块QDB2，以及分别在第三颜色的多个子像素sp3中的堤开口中的第三颜色的多个量子点块QDB3。
可选地，量子点材料层QDML不存在于分别在第一颜色的多个子像素sp1中的堤开口中。在一个示例中，在分别在第一颜色的多个子像素sp1中的堤开口中，对置基板包括第一颜色的彩膜块CFB1，如图1A、图1B和图2所示。在另一示例中，在分别在第一颜色的多个子像素sp1中的堤开口中，对置基板包括多个透明块。
可选地，量子点材料层QDML还包括分别在第一颜色的多个子像素sp1中的堤开口中的第一颜色的多个量子点块。
在一些实施例中，对置基板还包括位于量子点材料层QDML的靠近基底基板BS或远离保护层OC的一侧的彩膜层CFL。在一些实施例中，彩膜层CFL包括分别位于多个堤开口BA的靠近基底基板BS或远离保护层OC的一侧的多个彩膜块。在一个示例中，彩膜层CFL包括在第一颜色的多个子像素(例如，蓝色子像素)中的第一颜色的多个彩膜块CFB1(例如，蓝色彩膜块)、在第二颜色的多个子像素(例如，红色子像素)中的第二颜色的多个彩膜块CFB2(例如，红色彩膜块)以及在第三颜色的多个子像素(例如，绿色子像素)中的第三颜色的多个彩膜块CFB3(例如，绿色彩膜块)。
如这里所使用的，子像素间区域是指相邻子像素区域之间的区域，例如，对应于液晶显示器中的黑矩阵的区域、对应于有机发光二极管显示面板中的像素限定层的区域、或本显示面板中的堤层。可选地，子像素间区域是同一像素中的相邻子像素区域之间的区域。可选地，子像素间区域是两个相邻像素中的两个相邻子像素区域之间的区域。可选地，子像素间区域是红色子像素的子像素区域和相邻的绿色子像素的子像素区域之间的区域。可选地，子像素间区域是红色子像素的子像素区域和相邻的蓝色子像素的子像素区域之间的区域。可选地，子像素间区域是绿色子像素的子像素区域和相邻的蓝色子像素的子像素区域之间的区域。
如这里所使用的，子像素区域指的是子像素的发光区域，例如，与液晶显示器中的像素电极对应的区域、与有机发光二极管显示面板中的发光层对应的区域、或者与本公开中的透光块对应的区域。可选地，像素可以包括与像素中的多个子像素相对应的多个单独的发光区域。可选地，子像素区域是红色子像素的发光区域。可选地，子像素区域是绿色子像素的发光区域。可选地，子像素区域是蓝色子像素的发光区域。可选地，子像素区域是白色子像素的发光区域。
图3A是根据本公开的一些实施例中的对置基板中的透镜层和量子点层的平面图。参照图3A，在一些实施例中，透镜层LEL被设置成基本上贯穿子像素间区域。在一个示例中，透镜层LEL覆盖堤层的靠近透镜层LEL的一侧的全部。
图3B是根据本公开的一些实施例中的对置基板中的透镜层和量子点层的平面图。参考图3B，在一些实施例中，透镜层LEL被限制在子像素间区域的一部分中。在一个示例中，透镜层LEL存在于不同颜色的相邻子像素之间的子像素间区域的一部分中，而不存在于相同颜色的相邻子像素之间的子像素间区域的一部分中。
图3C是根据本公开的一些实施例中的对置基板中的透镜层和量子点层的平面图。参照图3B，在一些实施例中，透镜层LEL存在于子像素间区域的部分中。在一个示例中，透镜层LEL不存在于子像素间区域的交叉子区域中，在该交叉子区域中，一行子像素间子区域和一列子像素间子区域彼此交叉。
图5是根据本公开的一些实施例中的对置基板中的多个堤开口中的相应一个的放大平面图。参照图1A、图1B、图2和图5，在一些实施例中，透镜层LEL包括一个或多个透镜部LP，其在基底基板上的正投影与多个堤开口BA中的各个堤开口在基底基板上的正投影的周边相邻。在一些实施例中，堤层和透镜层LEL在对置基板的子像素间区域ISR中。可选地，堤层和透镜层LEL中的至少一个被限制在对置基板的子像素间区域ISR中。
可选地，堤层BL在基底基板BS上的正投影与透镜层LEL在基底基板BS上的正投影至少部分地重叠。可选地，堤层BL在基底基板BS上的正投影覆盖透镜层LEL在基底基板BS上的正投影。可选地，透镜层LEL在基底基板BS上的正投影与量子点材料层QDML在基底基板BS上的正投影基本上不重叠。如本文所用，术语“基本上不重叠”是指两个正交投影至少50％(例如，至少60％、至少70％、至少80％、至少90％、至少95％、至少99％和100％)不重叠。
一个或多个透镜部LP可以具有各种适当的形状。参考图1A、图1B和图4，在一些实施例中，各个透镜部具有部分圆柱形形状。
参照图1A，一个或多个透镜部LP中的相应一个沿着从第一相邻堤开口到第二相邻堤开口的方向的最大宽度小于堤层BL沿着从第一相邻堤开口到第二相邻堤开口的方向的最小宽度。在一个示例中，一个或多个透镜部LP中的相应一个的在沿着从第一相邻堤开口到第二相邻堤开口的方向的靠近堤层BL的一侧的宽度w1小于堤层BL的在沿着从第一相邻堤开口到第二相邻堤开口的方向的靠近一个或多个透镜部LP中的相应一个的一侧的宽度w2。
参照图1B，一个或多个透镜部LP中的相应一个沿着从第一相邻堤开口到第二相邻堤开口的方向的最大宽度与堤层BL沿着从第一相邻堤开口到第二相邻堤开口的方向的最小宽度基本上相同。在一个示例中，一个或多个透镜部LP中的相应一个的在沿着从第一相邻堤开口到第二相邻堤开口的方向的靠近堤层BL的一侧的宽度w1与堤层BL的在沿着从第一相邻堤开口到第二相邻堤开口的方向的靠近一个或多个透镜部LP中的相应一个的一侧的宽度w2基本上相同。如本文所用，术语“基本上相同”是指两个值之间的差不超过基值(例如，两个值中的一个)的10％，例如不超过基值的8％、不超过6％、不超过4％、不超过2％、不超过1％、不超过0.5％、不超过0.1％、不超过0.05％和不超过0.01％。
在一些实施例中，对置基板还包括在透镜层LEL的相邻透镜部之间的空间中的低折射率材料。可选地，低折射率材料是空气或真空。可选地，低折射率材料的折射率小于一个或多个透镜部LP的折射率。
图6A是示出根据本公开的一些实施例中的透镜层的结构的示意图。图6B是示出根据本公开的一些实施例中的透镜层的结构的示意图。参照图6A和图6B，在一些实施例中，透镜层LEL具有网状结构，且具有多个开口LO。多个开口LO中的各个开口LO被透镜层LEL的透镜部LP围绕。参考图6A，在一些实施例中，透镜层LEL的网状结构是整体网状结构。参照图6B，在一些实施例中，透镜层LEL的网状结构包括多个单独的透镜部。
图7A示出了根据本公开的一些实施例中的对置基板中的透镜部的工作原理。参照图7A，从第一相邻子像素区域ASR1发射的光遇到透镜层LEL的透镜部LP，入射光会聚在透镜部LP与透镜部LP外部的介质之间的界面处。折射光继续行进穿过透镜部LP，直到它到达堤层BL，在此光被吸收(例如，当堤层BL由黑色材料或吸光材料制成时)或被反射回(例如，当堤层BL由反射材料制成时)。类似地，从第二相邻子像素区域ASR2发射的光遇到透镜层LEL的透镜部LP，入射光会聚在透镜部LP与透镜部LP外部的介质之间的界面处。折射光继续行进穿过透镜部LP，直到它到达堤层BL，在此光被吸收(例如，当堤层BL由黑色材料或吸光材料制成时)或被反射回(例如，当堤层BL由反射材料制成时)。本公开的发明人发现，通过使透镜层贯穿子像素间区域ISR，可以令人惊讶地但有效地防止在相邻子像素区域之间光的交叉污染。在一个示例中，相邻透镜部之间的介质(例如，空气介质)的折射率小于透镜部LP的折射率，并且小于透镜部LP下面的层(例如，如图7A所示的第二封装无机子层CVD2)的折射率。
图7B示出了根据本公开的一些实施例中的透镜部的厚度与相应子像素所接收的能量百分比之间的关系。参照图7B，与没有透镜部相比，具有透镜部LP显著地提高了显示面板的能量利用率，如通过由相应子像素接收的能量的百分比的增加所证明的。此外，本公开的发明人发现，透镜部LP沿着从透镜部LP到堤层BL的方向的厚度影响能量利用率。厚度越大，相应子像素接收的能量百分比越低。使用具有沿从第一相邻堤开口到第二相邻堤开口的方向的20μm宽度的透镜部LP获得图7B所示的测量值。
图8是示出根据本公开的一些实施例中的对置基板的结构的示意图。图9是根据本公开的一些实施例中的对置基板中的反射涂层和量子点层的平面图。参考图8和图9，在一些实施例中，对置基板还包括位于支撑层的远离基底基板BS的一侧的反射涂层RECL。在一些实施例中，支撑层是如图8所示的透镜层LEL，并且反射涂层RECL位于透镜层LEL的远离基底基板BS的一侧。
图10是根据本公开的一些实施例中的对置基板中的多个堤开口中的相应一个的放大平面图。参考图8、图9和图10，在一些实施例中，反射涂层RECL包括一个或多个反射部分RP，其在基底基板上的正投影与多个堤开口BA中的各个堤开口BA在基底基板上的正投影的周边相邻。在一些实施例中，堤层BL、透镜层LEL和反射涂层RECL在对置基板的子像素间区域ISR中。可选地，堤层BL、透镜层LEL或反射涂层RECL中的至少一个被限制在对置基板的子像素间区域ISR中。
可选地，堤层BL在基底基板BS上的正投影与反射涂层RECL在基底基板BS上的正投影至少部分地重叠。可选地，堤层BL在基底基板BS上的正投影覆盖反射涂层RECL在基底基板BS上的正投影。可选地，反射涂层RECL在基底基板BS上的正投影与量子点材料层QDML在基底基板BS上的正投影基本上不重叠。
可选地，透镜层LEL在基底基板BS上的正投影与反射涂层RECL在基底基板BS上的正投影至少部分地重叠。可选地，透镜层LEL在基底基板BS上的正投影与反射涂层RECL在基底基板BS上的正投影基本上彼此重叠。如本文所用，术语“基本上重叠”是指两个正投影彼此重叠至少50％，例如至少60％、至少70％、至少80％、至少90％、至少95％、至少99％或100％。
参照图8，在一些实施例中，反射涂层RECL的一个或多个反射部分RP分别涂覆在一个或多个透镜部LP的表面上。因此，在一些实施例中，相应反射部分和相应透镜部具有基本上相同的外部轮廓。可选地，相应反射部分的内部轮廓与相应透镜部的外部轮廓基本上互补。
一个或多个反射部分RP可以具有各种适当的形状。参考图8，在一些实施例中，各个反射部分具有部分中空圆柱形形状。可选地，各个透镜部具有部分圆柱形形状。可选地，各个透镜部和涂覆在该相应透镜部上的相应反射部分的组合具有部分圆柱形形状。
图11A是示出根据本公开的一些实施例中的反射涂层的结构的示意图。图11B是示出根据本公开的一些实施例中的反射涂层的结构的示意图。参照图11A和图11B，在一些实施例中，反射涂层RECL具有网状结构，且具有多个开口RO。多个开口RO中的各个开口RO被反射涂层RECL的反射部分RP围绕。参照图11A，在一些实施例中，反射涂层RECL的网状结构是整体网状结构。参照图11B，在一些实施例中，反射涂层RECL的网状结构包括多个单独的透镜部。
图12示出了根据本公开的一些实施例中的对置基板中的反射部分的工作原理。参考图12，图12示出了三个示例性光路PH1、PH2和PH3。在一个示例中，相邻透镜部之间的介质(例如，空气介质)的折射率小于透镜部LP的折射率并且小于透镜部LP下面的层(例如，如图12所示的第二封装无机子层CVD2)的折射率。
沿着光路PH1，从第一相邻子像素区域ASR1发射的光遇到反射涂层RECL的反射部分RP，入射光在反射部分RP的表面上被反射。反射光朝向透镜部LP下面的层(例如，朝向阵列基板的子像素间区域，更具体地说，朝向阵列基板的子像素间区域中的像素限定层)行进。
沿着光路PH2，从第一相邻子像素区域ASR1发射的光遇到反射涂层RECL的反射部分RP，入射光在反射部分RP的表面上被反射。反射光朝向第一相邻子像素区域ASR1行进。
沿着光路PH3，从第一相邻子像素区域ASR1发射的光遇到反射涂层RECL的反射部分RP，入射光在反射部分RP的表面上被反射。反射光继续朝向第一相邻子像素区域ASR1中的多个量子点块中的相应一个(例如，QDB3)行进(将反射光保持在与入射光相同的子像素区域中)。类似地，从第二相邻子像素区域ASR2发射的光可遇到反射涂层RECL的反射部分RP，入射光在反射部分RP的表面上被反射。反射光继续朝向第二相邻子像素区域ASR2中的多个量子点块中的相应一个(例如，QDB2)行进(将反射光保持在与入射光相同的子像素区域中)。本公开的发明人发现，通过使反射涂层RECL贯穿子像素间区域ISR，可以令人惊讶地但有效地防止相邻子像素区域之间的光的交叉污染。
可选地，各个透镜部完全由相应的反射部分涂覆，如图12所示。
图13示出了根据本公开的一些实施例中的对置基板中的反射部分的工作原理。可选地，各个透镜部部分地由相应的反射部分涂覆，并且被部分地暴露，如图13所示。
在一些实施例中，参照图1A、图1B和图8，对置基板还包括位于量子点材料层QDML和堤层BL的远离基底基板BS的一侧的保护层OC。可选地，保护层OC与量子点材料层QDML直接接触，并且与堤层BL直接接触。
透镜层LEL位于保护层OC的远离基底基板BS的一侧。可选地，保护层OC与透镜层LEL直接接触。保护层OC提供用于形成透镜层LEL的透镜部LP的平坦化表面。
参考图8，可选地，反射涂层RECL和透镜层LEL位于保护层OC的远离基底基板BS的一侧。可选地，保护层OC与透镜层LEL直接接触。可选地，保护层OC与反射涂层RECL直接接触。保护层OC提供用于形成透镜层LEL的透镜部LP和反射涂层RECL的反射部分RP的平坦化表面。
图14是示出根据本公开的一些实施例中的对置基板的结构的示意图。参照图14，对置基板不包括单独的、独立的黑矩阵。在一个示例中，堤层BL用作黑矩阵。在另一示例中，反射涂层RECL用作黑矩阵。在另一示例中，透镜层LEL用作黑矩阵。在另一示例中，堤层BL、反射涂层RECL或透镜层LEL中的至少两个的组合用作黑矩阵。
参照图1A、图1B与图8，在一些实施例中，对置基板还包括位于对置基板的子像素间区域ISR中的黑色矩阵BM。可选地，堤层BL位于黑矩阵BM的远离基底基板BS的一侧，例如，黑矩阵BM在基底基板BS和堤层BL之间。
可选地，堤层BL在基底基板BS上的正投影与黑矩阵BM在基底基板BS上的正投影至少部分地彼此重叠。可选地，堤层BL在基底基板BS上的正投影覆盖黑矩阵BM在基底基板BS上的正投影。
在另一方面，本公开提供一种显示面板。在一些实施例中，显示面板包括阵列基板；以及对置基板，其与阵列基板相对。在一些实施例中，对置基板包括：基底基板；在基底基板上的堤层，堤层限定多个堤开口；在基底基板上的量子点材料层，量子点材料层包括分别在多个堤开口中的至少一些堤开口中的多个量子点块；以及透镜层，透镜层位于量子点材料层和堤层的远离基底基板的一侧。可选地，透镜层包括一个或多个透镜部，一个或多个透镜部在基底基板上的正投影与多个堤开口中的相应一个在基底基板上的正投影的周边相邻；堤层和透镜层在显示面板的子像素间区域中；以及堤层在基底基板上的正投影与透镜层在基底基板上的正投影至少部分地重叠。
图15是示出根据本公开的一些实施例中的显示面板的结构的示意图。参照图15，在一些实施例中，显示面板包括组装在一起的阵列基板AS与对置基板CS。在一些实施例中，阵列基板AS包括第二基底基板BS2；在第二基底基板BS2上的多个薄膜晶体管TFT；平坦化层PLN，其位于多个薄膜晶体管TFT的远离第二基底基板BS2的一侧；阳极层ADL，其包括多个阳极AD，该多个阳极AD位于平坦化层PLN的远离第二基底基板BS2的一侧；像素限定层PDL，其位于在平坦化层PLN和阳极层ADL的远离第二基底基板BS2的一侧，像素限定层限定多个子像素开口SA；发光材料层LEML，其位于阳极层ADL的远离第二基底基板BS2的一侧，该发光材料层LEML包括分别在多个子像素开口SA中的多个发光块EL；阴极层CD，其位于发光材料层的远离第二基底基板BS2的一侧；以及封装层EN，其位于阴极层CD的远离第二基底基板BS2的一侧。在一些实施例中，对置基板CS包括基底基板BS；在基底基板上的堤层BL，堤层BL限定多个堤开口BA；在基底基板BS上的量子点材料层QDML，量子点材料层QDML包括分别在多个堤开口BA中的至少一些中的多个量子点块(例如，QDB2和QDB3)；以及透镜层LEL，其位于量子点材料层QDML和堤层BL的远离基底基板BS的一侧。
各种合适的发光材料可以用于本显示面板中。合适的发光材料的示例包括有机发光材料、量子点发光材料、微发光材料、电致发光材料等。因此，各种合适的发光元件可以用于本显示面板中。合适的发光元件的示例包括有机发光二极管、量子点发光二极管、微发光二极管和电致发光二极管。
在一个示例中，并且参照图15，阵列基板AS包括第二基底基板BS2(例如，柔性基底基板)；在第二基底基板BS2上的缓冲层BUF；多个薄膜晶体管TFT中的各个薄膜晶体管的有源层ACT，其位于缓冲层BUF的远离第二基底基板BS2的一侧；位于有源层ACT的远离第二基底基板BS2的一侧的第一栅极绝缘层GI1；位于第一栅极绝缘层GI1的远离绝缘层IN的一侧的栅极G和第一电容器电极Ce1；位于栅极G和第一电容器电极Ce1的远离第一栅极绝缘层GI1的一侧的第二栅极绝缘层GI2；位于第二栅极绝缘层GI2的远离第一栅极绝缘层GI1的一侧的第二电容器电极Ce2；层间电介质层ILD，其位于第二电容器电极Ce2的远离第二栅极绝缘层GI2的一侧；位于层间电介质层ILD的远离第二栅极绝缘层GI2的一侧的源极S和漏极D；平坦化层PLN，其位于源极S和漏极D的远离层间电介质层ILD的一侧；像素限定层PDL，其限定子像素开口SA并且位于平坦化层PLN的远离第二基底基板BS2的一侧；位于像素限定层PDL的远离第二基底基板BS2的一侧的间隔层PS；以及在子像素开口SA中的发光元件LE。发光元件LE包括：阳极AD，其位于平坦化层PLN的远离层间电介质层ILD的一侧；发光层EL，其位于阳极AD的远离平坦化层PLN的一侧；以及阴极层CD，其位于发光层EL的远离阳极AD的一侧。显示面板在显示区域还包括封装层EN，其封装发光元件LE，并位于阴极层CD的远离第二基底基板BS2的一侧。在一些实施例中，封装层EN包括位于阴极层CD的远离第二基底基板BS2的一侧的第一无机封装子层CVD1、位于第一无机封装子层CVD1的远离第二基底基板BS2的一侧的有机封装子层IJP、以及位于有机封装子层IJP的远离第一无机封装子层CVD1的一侧的第二无机封装子层CVD2。
在一些实施例中，显示面板包括多个子像素。在一个示例中，并参考图15，显示面板包括第一颜色的多个子像素sp1(例如，蓝色子像素)、第二颜色的多个子像素sp2(例如，红色子像素)和第三颜色的多个子像素sp3(例如，绿色子像素)。在另一示例中，第一颜色的多个子像素sp1、第二颜色的多个子像素sp2和第三颜色的多个子像素sp3中的多个发光块EL具有相同颜色。例如，第一颜色的多个子像素sp1、第二颜色的多个子像素sp2以及第三颜色的多个子像素sp3中的多个发光块EL都是蓝色发光块。
参照图15，在一些实施例中，堤层BL、透镜层LEL和像素限定层PDL在显示面板的子像素间区域ISR中。可选地，间隔层PS也在显示面板的子像素间区域ISR中。可选地，多个发光块EL在显示面板的子像素区域SR中。可选地，堤层BL、透镜层LEL和像素限定层PDL中的至少一个被限制在对置基板CS的子像素间区域ISR中。
可选地，堤层BL在基底基板BS上的正投影与像素限定层PDL在基底基板BS上的正投影至少部分地重叠。可选地，堤层BL、像素限定层PDL、透镜层LEL在基底基板BS上的正投影至少部分地彼此重叠。可选地，堤层BL在基底基板BS上的正投影覆盖透镜层LEL在基底基板BS上的正投影。可选地，像素限定层PDL在基底基板BS上的正投影覆盖透镜层LEL在基底基板BS上的正投影。可选地，堤层BL在基底基板BS上的正投影覆盖透镜层LEL在基底基板BS上的正投影，像素限定层PDL在基底基板BS上的正投影覆盖透镜层LEL在基底基板BS上的正投影。
可选地，透镜层LEL在基底基板BS上的正投影与多个发光块EL在基底基板BS上的正投影基本上不重叠。可选地，透镜层LEL在基底基板BS上的正投影与阳极层ADL在基底基板BS上的正投影基本上不重叠。
在一些实施例中，透镜层LEL的一个或多个透镜部LP与阵列基板AS直接接触。可选地，透镜层LEL的一个或多个透镜部LP与阵列基板AS的封装层EN直接接触。可选地，透镜层LEL的一个或多个透镜部LP与封装层EN的第二无机封装子层CVD2直接接触。
可选地，在对置基板CS的保护层OC和阵列基板AS的封装层EN的第二无机封装子层CVD2之间，除了透镜层LEL之外，显示面板不包括任何结构部件。此外，在透镜层LEL的相邻透镜部之间的空间中，以及在对置基板CS的保护层OC和阵列基板AS的封装层EN的第二无机封装子层CVD2之间的空间中，显示面板不包括任何结构部件。
在一些实施例中，对置基板还包括在透镜层LEL的相邻透镜部之间的空间中的低折射率材料。可选地，低折射率材料是空气或真空。可选地，低折射率材料的折射率小于一个或多个透镜部LP的折射率。可选地，低折射率材料的折射率小于封装层EN的第二无机封装子层CVD2的折射率。可选地，低折射率材料的折射率小于封装层EN的任何层的折射率。
图16是示出根据本公开的一些实施例中的显示面板的结构的示意图。参考图16，在一些实施例中，对置基板CS还包括位于透镜层LEL的远离基底基板BS的一侧的反射涂层RECL。在一些实施例中，堤层BL、透镜层LEL和反射涂层RECL在对置基板CS的子像素间区域ISR中。可选地，堤层BL、透镜层LEL或反射涂层RECL中的至少一个被限制在对置基板CS的子像素间区域ISR中。
可选地，堤层BL在基底基板BS上的正投影与反射涂层RECL在基底基板BS上的正投影至少部分地重叠。可选地，堤层BL在基底基板BS上的正投影覆盖反射涂层RECL在基底基板BS上的正投影。
可选地，透镜层LEL在基底基板BS上的正投影与反射涂层RECL在基底基板BS上的正投影至少部分地重叠。可选地，透镜层LEL在基底基板BS上的正投影与反射涂层RECL在基底基板BS上的正投影基本上彼此重叠。
可选地，反射涂层RECL在基底基板BS上的正投影与多个发光块EL在基底基板BS上的正投影基本上不重叠。可选地，反射涂层RECL在基底基板BS上的正投影与阳极层ADL在基底基板BS上的正投影基本上不重叠。
参照图16，在一些实施例中，反射涂层RECL的一个或多个反射部分RP分别涂覆在一个或多个透镜部LP的表面上。因此，在一些实施例中，相应的反射部分和相应的透镜部具有基本上相同的外部轮廓。可选地，相应反射部分的内部轮廓与相应透镜部的外部轮廓基本上互补。
一个或多个反射部分RP可以具有各种适当的形状。参照图16，在一些实施例中，各个反射部分具有部分中空的圆柱形形状。可选地，各个透镜部具有部分圆柱形形状。可选地，各个透镜部和涂覆在该相应透镜部上的相应反射部分的组合具有部分圆柱形形状。
在一些实施例中，反射涂层RECL的一个或多个反射部分RP与阵列基板AS直接接触。可选地，反射涂层RECL的一个或多个反射部分RP与阵列基板AS的封装层EN直接接触。可选地，反射涂层RECL的一个或多个反射部分RP与封装层EN的第二无机封装子层CVD2直接接触。
可选地，在对置基板CS的保护层OC和阵列基板AS的封装层EN的第二无机封装子层CVD2之间，除了透镜层LEL和反射涂层RECL之外，显示面板不包括任何结构部件。此外，在相邻的透镜部与相邻的反射部分之间，以及在对置基板CS的保护层OC与阵列基板AS的封装层EN的第二无机封装子层CVD2之间的空间中，显示面板不包括任何结构部件。
图17是示出根据本公开的一些实施例中的显示面板的结构的示意图。参考图17，在一些实施例中，对置基板CS包括在阵列基板AS和量子点材料层QDML之间的填充物层FIL(代替透镜层LEL或反射涂层RECL)。如图17所示，从多个发光块EL中的相应一个发出的光可以透射到相邻子像素中，并且透射到相邻量子点块中，从而导致颜色交叉污染。图18A示出图17中所示的显示面板中检测到的光谱。如图18A所示，当显示面板仅有绿色子像素被配置为发光，且蓝色子像素和红色子像素被关闭时，图17中所示的显示面板中检测到的光谱包含在400nm至500nm的范围内的小的峰值，这表示从各个绿色子像素到相邻的蓝色子像素的颜色交叉污染。图18B示出图17中所示的显示面板中检测到的光谱。如图18B所示，当显示面板仅有红色子像素被配置为发光且蓝色子像素和绿色子像素被关闭时，图17中所示的显示面板中检测到的光谱也包含在400nm至500nm的范围内的小的峰值，这表示从各个红色子像素到相邻的蓝色子像素的颜色交叉污染。图18A或图18B中的发光强度是归一化发光强度。
如图15所示，从多个发光块EL中的相应一个发出的光遇到透镜层LEL的透镜部LP，入射光会聚在透镜部LP和透镜部LP外部的介质(例如，空气)之间的界面处。折射光继续行进穿过透镜部LP，直到它到达堤层BL，在这里光被吸收(例如，当堤层BL由黑色材料或光吸收材料制成时)或反射回(例如，当堤层BL由反射材料制成时)到阵列基板AS。如图16所示，从多个发光块EL中的相应一个发射的光遇到反射涂层RECL的反射部分RP，入射光在反射部分RP的表面上被反射。反射光继续朝向相同子像素区域中的多个量子点块中的相应一个(例如，QDB2)行进(将反射光保持在与入射光相同的子像素区域中)。本公开的发明人发现，通过使透镜层或反射涂层RECL贯穿子像素间区域ISR，可以令人惊讶地但有效地防止相邻子像素区域之间的光的交叉污染。图19A示出图15中所示的显示面板中检测到的光谱。图19B示出图15中所示的显示面板中检测到的光谱。图19A中的发光强度是当仅显示面板的绿色子像素被配置为发光并且蓝色子像素和红色子像素被关闭时测量的。图19B中的发光强度是当仅显示面板的红色子像素被配置为发光并且蓝色子像素和绿色子像素被关闭时测量的。图19A或图19B中的发光强度是归一化发光强度。将这些结果与图18A和图18B中的结果相比较，通过用透镜层代替填充物层，基本上消除或显著减少了颜色交叉污染。
参照图15，在一些实施例中，对置基板CS的保护层OC与阵列基板AS的封装层EN的第二无机封装子层CVD2之间的盒间隙CG在1μm至6μm的范围内，如，1μm至2μm、2μm至3μm、3μm至4μm、4μm至5μm、或5μm至6μm。可选地，盒间隙CG在2μm至3μm的范围内。可选地，透镜层LEL的厚度在1μm至6μm的范围内，如，1μm至2μm、2μm至3μm、3μm至4μm、4μm至5μm或5μm至6μm。可选地，透镜层LEL的厚度在2μm至3μm的范围内。
参照图16，在一些实施例中，对置基板CS的保护层OC与阵列基板AS的封装层EN的第二无机封装子层CVD2之间的盒间隙CG在1μm至6μm的范围内，如，1μm至2μm、2μm至3μm、3μm至4μm、4μm至5μm、或5μm至6μm。可选地，盒间隙CG在2μm至3μm的范围内。可选地，透镜层LEL和反射涂层RECL的组合的厚度在1μm到6μm的范围内，如，1μm到2μm、2μm到3μm、3μm到4μm、4μm到5μm或5μm到6μm。可选地，透镜层LEL和反射涂层RECL的组合的厚度在2μm到3μm的范围内。
图20示出了根据本公开的一些实施例中的对置基板中的透镜部的工作原理。参照图20，在一些实施例中，透镜层LEL的透镜部LP的焦距被表示为：
1/f＝1/U+1/V；
其中f代表透镜部LP的焦距；U表示沿着在相邻发光块AEL相对于透镜部LP的最大视角处从相邻发光块AEL行进到透镜部LP的边缘光的第一光路的第一光路距离；V表示沿着从透镜部LP到堤层BL的边缘光的第二光路的第二光路距离。可选地，U＝H/sin(α)；V＝(h1+h)/sin(β)；α是第一光路和包含阵列基板的与透镜部直接接触的表面的平面之间的第一角度；β是第二光路和包含阵列基板的与透镜部直接接触的表面的平面之间的第二角度；H是相邻的发光块的表面和包含阵列基板的与透镜部直接接触的表面的平面之间的最短距离；以及(h1+h)是堤层和包含阵列基板的与透镜部直接接触的表面的平面和之间的最短距离。
在一些实施例中，透镜部LP沿着从第一相邻堤开口到第二相邻堤开口的方向的宽度w被表达为：
L＝(2(h1+h)/tan(β))+Z；
其中Z代表在组装对置基板和阵列基板时的组装公差。
可选地，透镜部LP沿着从第一相邻堤开口到第二相邻堤开口的方向的宽度w在1μm至6μm的范围内，如，1μm至2μm、2μm至3μm、3μm至4μm、4μm至5μm或5μm至6μm。
在一些实施例中，透镜部的曲率半径被表示为：
r＝2f*(n-1)；
其中r代表曲率半径；n表示透镜部LP的折射率。
在另一方面，本公开提供了一种显示设备。在一些实施例中，显示设备包括本文的或通过本文的方法制造的显示面板，以及连接到显示面板的集成电路。适当的显示设备的示例包括但不限于电子纸、移动电话、平板计算机、电视、监视器、笔记本计算机、数字相册、GPS等。可选地，显示设备是有机发光二极管显示设备。可选地，显示设备是液晶显示设备。
图21是示出根据本公开的一些实施例中的显示面板的结构的示意图。参照图21，代替透镜层LEL，显示面板包括位于量子点材料层QDML和堤层BL的远离基底基板BS的一侧的支撑层SPL。在一些实施例中，支撑层SPL包括一个或多个支撑部分SPP，其在基底基板上的正投影与多个堤开口BA中的相应一个堤开口在基底基板上的正投影的周边相邻。在一些实施例中，堤层BL和透镜层LEL在对置基板的子像素间区域ISR中。可选地，堤层和透镜层LEL中的至少一个被限制在对置基板的子像素间区域ISR中。在一些实施例中，支撑层SPL是透镜层LEL，如图21中所示。
图22是示出根据本公开的一些实施例中的显示面板的结构的示意图。参照图22，代替透镜层LEL，显示面板包括位于量子点材料层QDML和堤层BL的远离基底基板BS的一侧的支撑层SPL。显示面板还包括反射涂层RECL。在一些实施例中，反射涂层RECL包括一个或多个反射部分RP，其在基底基板上的正投影与多个堤开口BA中的相应一个堤开口BA在基底基板上的正投影的周边相邻。在一些实施例中，堤层BL、支撑层SPL和反射涂层RECL在对置基板的子像素间区域ISR中。可选地，堤层BL、支撑层SPL或反射涂层RECL中的至少一个被限制在对置基板的子像素间区域ISR中。
支撑层SPL和支撑部分SPP可以由有机或无机材料制成，例如有机聚合物材料、氧化硅和氮化硅。支撑部分SPP沿着从第一相邻堤开口到第二相邻堤开口的方向的截面可以具有各种适当的形状，例如梯形形状、矩形形状、或者包括矩形与矩形的两侧上的部分圆的组合的形状。在一个示例中，支撑层SPL和支撑部分SPP由透明材料制成。在另一示例中，支撑层SPL和支撑部分SPP由不透明材料制成。
在另一方面，本公开还提供了一种制造对置基板的方法。在一些实施例中，该方法包括在基底基板上形成堤层，堤层限定多个堤开口；在基底基板上形成量子点材料层，量子点材料层包括分别在多个堤开口中的至少一些堤开口中的多个量子点块；以及形成透镜层，透镜层位于量子点材料层和堤层的远离基底基板的一侧。可选地，形成透镜层包括形成一个或多个透镜部，一个或多个透镜部在基底基板上的正投影与多个堤开口中的相应一个在基底基板上的正投影的周边相邻。可选地，堤层和透镜层在对置基板的子像素间区域中形成。可选地，堤层在基底基板上的正投影与透镜层在基底基板上的正投影至少部分地重叠。可选地，堤层在基底基板上的正投影覆盖透镜层在基底基板上的正投影。
在一些实施例中，透镜层被形成为具有多个开口的整体网状结构。可选地，透镜层的透镜部被形成为围绕多个开口中的各个开口。
在一些实施例中，该方法还包括在透镜层的远离基底基板的一侧形成反射涂层。可选地，反射涂层形成在对置基板的子像素间区域中。可选地，堤层在基底基板上的正投影覆盖反射涂层在基底基板上的正投影。可选地，形成反射涂层包括形成分别涂覆在一个或多个透镜部的表面上的一个或多个反射部分。
在一些实施例中，反射涂层形成为具有多个开口的整体网状结构。可选地，反射涂层的反射部分被形成为围绕多个开口中的各个开口。
在一些实施例中，方法还包括在量子点材料层和堤层的远离基底基板的一侧形成保护层。可选地，透镜层形成在保护层的远离基底基板的一侧。
在一些实施例中，该方法还包括在对置基板的子像素间区域中形成黑矩阵。可选地，堤层在基底基板上的正投影覆盖黑矩阵在基底基板上的正投影。
在一些实施例中，该方法还包括在基底基板上形成彩膜层。可选地，形成彩膜层包括在多个堤开口中分别形成多个彩膜块。
在另一方面，本公开还提供一种制造显示面板的方法。在一些实施例中，形成显示面板包括形成阵列基板、形成对置基板以及将阵列基板和对置基板组装在一起。
在一些实施例中，形成对置基板包括在基底基板上形成堤层，堤层限定多个堤开口；在基底基板上形成量子点材料层，量子点材料层包括分别在多个堤开口中的至少一些堤开口中的多个量子点块；以及在量子点材料层和堤层的远离基底基板的一侧形成透镜层。可选地，形成透镜层包括形成一个或多个透镜部，一个或多个透镜部在基底基板上的正投影与多个堤开口中的相应堤开口在基底基板上的正投影的周边相邻。可选地，堤层和透镜层形成在对置基板的子像素间区域中。可选地，堤层在基底基板上的正投影与透镜层在基底基板上的正投影至少部分地重叠。可选地，堤层在基底基板上的正投影覆盖透镜层在基底基板上的正投影。
在一些实施例中，透镜层的一个或多个透镜部被形成为与阵列基板直接接触。
在一些实施例中，透镜层被形成为具有多个开口的整体网状结构。可选地，透镜层的透镜部被形成为围绕多个开口中的各个开口。
在一些实施例中，形成阵列基板包括在第二基底基板上形成多个薄膜晶体管；在多个薄膜晶体管的远离第二基底基板的一侧形成平坦化层；形成包括多个阳极的阳极层，该多个阳极位于平坦化层的远离第二基底基板的一侧；在平坦化层和阳极层的远离第二基底基板的一侧形成像素限定层，该像素限定层限定多个子像素开口；在阳极层远离第二基底基板的一侧形成发光材料层，发光材料层包括分别在多个子像素开口中的多个发光块；在发光材料层的远离第二基底基板的一侧形成阴极层；以及在阴极层的远离第二基底基板的一侧形成封装层。可选地，透镜层的一个或多个透镜部被形成为与封装层直接接触。可选地，像素限定层形成在显示面板的子像素间区域中。可选地，堤层在基底基板上的正投影与像素限定层在基底基板上的正投影至少部分地重叠。可选地，堤层在基底基板上的正投影覆盖透镜层在基底基板上的正投影；像素限定层在基底基板上的正投影覆盖透镜层在基底基板上的正投影。
在一些实施例中，形成对置基板还包括在透镜层的远离基底基板的一侧形成反射涂层。可选地，反射涂层形成在对置基板的子像素间区域中。可选地，堤层和像素限定层在基底基板上的正投影覆盖反射涂层在基底基板上的正投影。可选地，形成反射涂层包括形成分别涂覆在一个或多个透镜部的表面上的一个或多个反射部分。
在一些实施例中，反射涂层被形成为具有多个开口的整体网状结构。可选地，反射涂层的反射部分被形成为围绕多个开口中的各个开口。
在一些实施例中，形成对置基板还包括形成保护层，其位于量子点材料层和堤层的远离基底基板的一侧。可选地，透镜层被形成为位于保护层的远离基底基板的一侧。
在一些实施例中，对置基板和阵列基板被组装成在对置基板的保护层和阵列基板之间具有1μm至6μm范围内的盒间隙。
在一些实施例中，形成对置基板还包括在对置基板的子像素间区域中形成黑矩阵。可选地，堤层在基底基板上的正投影覆盖黑矩阵在基底基板上的正投影。
在一些实施例中，形成对置基板还包括在基底基板上形成彩膜层。可选地，形成彩膜层包括在多个堤开口中分别形成多个彩膜块。
可以使用各种适当的绝缘材料和各种适当的制造方法来制造量子点材料层QDML。量子点材料的示例包括CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、InP、PbS、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPhI3、CsPbClxBr3-x、CsPbBrxI3-x、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnSe、InP/ZnS、PbS/ZnS、CsPbCl/ZnS、CsPbBr3/ZnS、CsPhI3/ZnS、CsPbClxBr3-x/ZnS、CsPbBrxl3-x/ZnS及其组合，其中x＜3。
可以使用各种适当的绝缘材料和各种适当的制造方法来制造堤层BL。例如，绝缘材料可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺沉积在基板上。用于制造堤层BL的适当的绝缘材料的示例包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。有机绝缘材料的示例包括光刻胶材料、光敏聚酰亚胺、树脂材料(例如，光敏重氮萘醌-酚醛树脂)和丙烯酸酯材料。无机绝缘材料的示例包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氮氧化硅(SiOxNy)。堤层BL可以具有任何适当的颜色。堤层BL的颜色的示例包括黑色、黄色、灰色和白色。
可以使用各种适当的反射材料和各种适当的制造方法来制造反射涂层RECL。用于制造反射涂层RECL的适当反射材料的示例包括具有高反射率的金属，例如银和铝。
可以使用各种适当的材料和制造方法来形成透镜层LEL。例如，透镜层LEL可以由透明的有机或无机材料制成，例如玻璃、石英或树脂。透镜层LEL可以通过例如曝光和显影光刻胶材料、激光写入、等离子体写入、三维印刷等形成。透镜的示例包括但不限于柱面透镜、半圆柱透镜、双凸透镜、双凹透镜、平凹透镜、平凸透镜、弯月形透镜、凹凸透镜等。
为了说明和描述的目的，已经给出了本发明的实施例的上述描述。其不是穷举的，也不是要将本发明限制为所公开的精确形式或示例性实施例。因此，前面的描述应当被认为是说明性的而不是限制性的。显然，许多修改和变化对于本领域技术人员将是显而易见的。选择和描述实施例是为了解释本发明的原理及其最佳模式实际应用，从而使得本领域技术人员能够理解本发明的各种实施例以及适合于所考虑的特定使用或实现的各种修改。本发明的范围旨在由所附权利要求及其等价物来限定，其中除非另有说明，否则所有术语都意味着其最广泛的合理意义。因此，术语“本发明(the invention、the presentinvention)”等不一定将权利要求范围限制为特定实施例，并且对本发明的示例性实施例的引用不意味着对本发明的限制，并且不应推断出这样的限制。本发明仅由所附权利要求的精神和范围来限定。此外，这些权利要求可能涉及使用“第一”、“第二”等，随后是名词或元素。这些术语应当被理解为命名法，并且不应当被解释为对由这些命名法所修改的元件的数量进行限制，除非已经给出了特定的数量。所描述的任何优点和益处可能不适用于本发明的所有实施例。应当理解，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，本领域技术人员可以对所描述的实施例进行改变。此外，本公开中的元件和组件都不是要贡献给公众，无论该元件或组件是否在所附权利要求中明确叙述。

Claims (30)

1.一种对置基板，包括：
基底基板；
在所述基底基板上的堤层，所述堤层限定多个堤开口；
在所述基底基板上的量子点材料层，所述量子点材料层包括分别在所述多个堤开口中的至少一部分堤开口中的多个量子点块；以及
支撑层，所述支撑层位于所述量子点材料层和所述堤层的远离所述基底基板的一侧；
其中，所述支撑层包括一个或多个支撑部分，所述一个或多个支撑部分在所述基底基板上的正投影与所述多个堤开口中的相应一个在所述基底基板上的正投影的周边相邻；
所述堤层和所述支撑层在所述对置基板的子像素间区域中；以及
所述堤层在所述基底基板上的正投影与所述支撑层在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠。
2.根据权利要求1所述的对置基板，其中，所述支撑层是包括一个或多个透镜部的透镜层，所述一个或多个透镜部在所述基底基板上的正投影与所述多个堤开口中的相应一个在所述基底基板上的正投影的周边相邻；
所述堤层和所述透镜层在所述对置基板的所述子像素间区域中；以及
所述堤层在所述基底基板上的正投影与所述透镜层在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠。
3.根据权利要求2所述的对置基板，其中，所述堤层在所述基底基板上的正投影覆盖所述透镜层在所述基底基板上的正投影。
4.根据权利要求2或3所述的对置基板，其中，所述透镜层是具有多个开口的整体网状结构；以及
所述多个开口中的各个开口被所述透镜层的透镜部围绕。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的对置基板，还包括在所述透镜层的相邻透镜部之间的空间中的低折射率材料；
其中，所述低折射率材料的折射率小于所述一个或多个透镜部的折射率。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的对置基板，其中，所述一个或多个透镜部中的相应一个透镜部的在沿着从第一相邻堤开口到第二相邻堤开口的方向的靠近所述堤层的一侧的宽度与所述堤层的在沿着从所述第一相邻堤开口到所述第二相邻堤开口的所述方向的靠近所述一个或多个透镜部中的相应一个透镜部的一侧的宽度实质上相同。
7.根据权利要求2至6中任一项所述的对置基板，其中，所述透镜层被设置成实质上贯穿所述子像素间区域。
8.根据权利要求2至6中任一项所述的对置基板，其中，所述透镜层被限制在不同颜色的相邻子像素之间的所述子像素间区域的一部分中，并且在相同颜色的相邻子像素之间的所述子像素间区域的一部分中不存在所述透镜层。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的对置基板，还包括位于所述透镜层的远离所述基底基板的一侧的反射涂层；
其中，所述反射涂层在所述对置基板的所述子像素间区域中；
所述堤层在所述基底基板上的正投影覆盖所述反射涂层在所述基底基板上的正投影；以及
所述反射涂层包括分别涂覆在所述一个或多个透镜部的表面上的一个或多个反射部分。
10.根据权利要求9所述的对置基板，其中，所述反射涂层是具有多个开口的整体网状结构；以及
所述多个开口中的各个开口被所述反射涂层的反射部分围绕。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的对置基板，还包括位于所述量子点材料层和所述堤层的远离所述基底基板的一侧的保护层；
其中，所述透镜层位于所述保护层的远离所述基底基板的一侧。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的对置基板，还包括在所述对置基板的所述子像素间区域中的黑矩阵；以及
所述堤层在所述基底基板上的正投影覆盖所述黑矩阵在所述基底基板上的正投影。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的对置基板，还包括在所述基底基板上的彩膜层；
其中，所述彩膜层包括分别在所述多个堤开口中的多个彩膜块。
14.一种显示面板，包括：
阵列基板；以及
对置基板，其与所述阵列基板相对；
其中，所述对置基板包括：
基底基板；
在所述基底基板上的堤层，所述堤层限定多个堤开口；
在所述基底基板上的量子点材料层，所述量子点材料层包括分别在所述多个堤开口中的至少一部分堤开口中的多个量子点块；以及
支撑层，所述支撑层位于所述量子点材料层和所述堤层的远离所述基底基板的一侧；
其中，所述支撑层包括一个或多个支撑部分，所述一个或多个支撑部分在所述基底基板上的正投影与所述多个堤开口中的相应一个在所述基底基板上的正投影的周边相邻；
所述堤层和所述支撑层在所述对置基板的子像素间区域中；以及
所述堤层在所述基底基板上的正投影与所述支撑层在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠。
15.根据权利要求14所述的显示面板，其中，所述支撑层是包括一个或多个透镜部的透镜层，所述一个或多个透镜部在所述基底基板上的正投影与所述多个堤开口中的相应一个在所述基底基板上的正投影的周边相邻；
所述堤层和所述透镜层在所述对置基板的所述子像素间区域中；以及
所述堤层在所述基底基板上的正投影与所述透镜层在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠。
16.根据权利要求15所述的显示面板，其中，所述透镜层的所述一个或多个透镜部与所述阵列基板中的封装层的第二无机封装子层直接接触。
17.根据权利要求15或16所述的显示面板，其中，所述透镜层是具有多个开口的整体网状结构；以及
所述多个开口中的各个开口被所述透镜层的透镜部围绕。
18.根据权利要求15至17中任一项所述的显示面板，还包括在所述透镜层的相邻透镜部之间的空间中的低折射率材料；
其中，所述低折射率材料的折射率小于所述一个或多个透镜部的折射率。
19.根据权利要求16所述的显示面板，其中，所述低折射率材料的折射率小于所述第二无机封装子层的折射率。
20.根据权利要求15至19中任一项所述的显示面板，其中，所述一个或多个透镜部中的相应一个透镜部的在沿着从第一相邻堤开口到第二相邻堤开口的方向的靠近所述堤层的一侧的宽度与所述堤层的在沿着从所述第一相邻堤开口到所述第二相邻堤开口的所述方向的靠近所述一个或多个透镜部中的相应一个透镜部的一侧的宽度实质上相同。
21.根据权利要求15至20中任一项所述的显示面板，其中，所述阵列基板包括：
第二基底基板；
在所述第二基底基板上的多个薄膜晶体管；
平坦化层，其位于所述多个薄膜晶体管的远离所述第二基底基板的一侧；
阳极层，其包括多个阳极，所述多个阳极位于所述平坦化层的远离所述第二基底基板的一侧；
像素限定层，其位于所述平坦化层和所述阳极层的远离所述第二基底基板的一侧，所述像素限定层限定多个子像素开口；
发光材料层，其位于所述阳极层的远离所述第二基底基板的一侧，所述发光材料层包括分别在所述多个子像素开口中的多个发光块；
阴极层，其位于所述发光材料层的远离所述第二基底基板的一侧；以及
封装层，其位于所述阴极层的远离所述第二基底基板的一侧；
其中，所述透镜层的所述一个或多个透镜部与所述封装层直接接触；
所述像素限定层在所述显示面板的所述子像素间区域中；以及
所述堤层在所述基底基板上的正投影与所述像素限定层在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠。
22.根据权利要求21所述的显示面板，其中，所述堤层在所述基底基板上的正投影覆盖所述透镜层在所述基底基板上的正投影；以及
所述像素限定层在所述基底基板上的正投影覆盖所述透镜层在所述基底基板上的正投影。
23.根据权利要求21或22所述的显示面板，其中，所述对置基板还包括位于所述透镜层的远离所述基底基板的一侧的反射涂层；
其中，所述反射涂层在所述对置基板的所述子像素间区域中；
所述堤层和所述像素限定层在所述基底基板上的正投影覆盖所述反射涂层在所述基底基板上的正投影；以及
所述反射涂层包括分别涂覆在所述一个或多个透镜部的表面上的一个或多个反射部分。
24.根据权利要求23所述的显示面板，其中，所述反射涂层是具有多个开口的整体网状结构；以及
所述多个开口中的各个开口被所述反射涂层的反射部分围绕。
25.根据权利要求14至24中任一项所述的显示面板，其中，所述对置基板还包括位于所述量子点材料层和所述堤层的远离所述基底基板的一侧的保护层；以及
其中，所述透镜层位于所述保护层的远离所述基底基板的一侧。
26.根据权利要求25所述的显示面板，其中，所述对置基板的所述保护层与所述阵列基板之间的盒间隙在1μm至6μm的范围内。
27.根据权利要求14至26中任一项所述的显示面板，其中，所述透镜层的透镜部的焦距被表达为：
1/f＝1/U+1/V；
其中，f代表所述透镜部的焦距；U代表沿着在相邻发光块相对于所述透镜部的最大视角处从所述相邻发光块行进到所述透镜部的边缘光的第一光路的第一光路距离；V代表沿着从所述透镜部到所述堤层的所述边缘光的第二光路的第二光路距离；
U＝H/sin(α)；
V＝(h1+h)/sin(β)；
α是所述第一光路和包含所述阵列基板的与所述透镜部直接接触的表面的平面之间的第一角度；
β是所述第二光路和包含所述阵列基板的与所述透镜部直接接触的所述表面的所述平面之间的第二角度；
H是所述相邻发光块的表面和包含所述阵列基板的与所述透镜部直接接触的所述表面的所述平面之间的最短距离；以及
(h1+h)是所述堤层和包含所述阵列基板的与所述透镜部直接接触的所述表面的所述平面之间的最短距离。
28.根据权利要求27所述的显示面板，其中，所述透镜部沿着从第一相邻堤开口到第二相邻堤开口的方向的宽度被表达为：
L＝(2(h1+h)/tan(β))+Z；
其中，Z代表在组装所述对置基板和所述阵列基板时的组装公差。
29.根据权利要求27或28所述的显示面板，其中，所述透镜部的曲率半径被表达为：
r＝2f*(n-1)；
其中，r代表曲率半径；n代表所述透镜部的折射率。
30.一种显示设备，包括根据权利要求14至29中任一项所述的显示面板，以及连接到所述显示面板的集成电路。
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