CN112965293A - 一种色转换基板和显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种色转换基板和显示面板。该色转换基板包括：基底；设置在基底上的色转换层；色转换层包括阻挡图案和多个不同颜色的子部，阻挡图案设置在任意相邻的子部之间，用于将相邻的子部隔开，并能吸收入射光线；多个不同颜色的子部用于将同一颜色的第一波长的光分别转换为不同颜色的第二波长的光；防串色图案；防串色图案位于色转换层的背离基底的一侧，且防串色图案在基底上的正投影位于阻挡图案在基底上的正投影内；防串色图案的材料为透明材料，所述阻挡图案的材料为不透明材料。该色转换基板，减少了某发光单元发射出的大角度光线照射至相邻发光单元对应子部的光线的量，改善了采用色转换层的显示器件的串色现象。

Description

一种色转换基板和显示面板
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种色转换基板和显示面板。
背景技术
OLED(OrganicLight-Emitting Diode，有机发光二极管)产品在显示产品中份额越来越高，并且未来仍会加速发展。目前大尺寸OLED产品主要是通过白光OLED叠加彩膜的结构实现彩色显示。但是随着技术的更新和发展，人们对显示提出了更高的色域要求，而白光OLED叠加彩膜的结构在色域上存在较大瓶颈，色域一般小于色域标准NTSC的90％。
随着显示技术的蓬勃发展，高色域已经成为一个重要发展方向。高色域意味着显示画面具有更加丰富多彩的色彩，具有更强的色彩展现能力。QD(Quantum Dot，量子点)显示技术属于创新半导体纳米晶体技术，可以准确输送光线，高效提升显示屏的色域值以及视角，让色彩更加纯净鲜艳，使色彩表现更具张力。采用该技术的显示器不仅能产生色域范围更广的动态色彩，还能在画质中展现真实的色板，超越了传统意义上的背光技术。
发明内容
本发明针对上述问题，提供一种色转换基板和显示面板。该色转换基板能够减少发光单元发射出的大角度光线照射至相邻发光单元对应子部的光线的量，从而改善采用色转换层的显示器件的串色现象，提升显示器件的色域，同时还不会损失显示器件的开口率。
本发明提供一种色转换基板，包括：
基底；
设置在所述基底上的色转换层，所述色转换层包括阻挡图案和多个不同颜色的子部，所述阻挡图案设置在任意相邻的所述子部之间，用于将相邻的所述子部隔开，并能吸收入射光线；所述多个不同颜色的子部用于将同一颜色的第一波长的光分别转换为不同颜色的第二波长的光；
防串色图案，所述防串色图案位于所述色转换层的背离所述基底的一侧，且所述防串色图案在所述基底上的正投影位于所述阻挡图案在所述基底上的正投影内；所述防串色图案的材料为透明材料，所述阻挡图案的材料为不透明材料。
可选地，还包括填充层，所述填充层位于所述防串色图案背离所述基底的一侧，所述防串色图案的厚度小于或等于所述填充层的厚度。
可选地，所述防串色图案的厚度范围为4-10μm。
可选地，所述防串色图案在所述基底上的正投影中心与所述阻挡图案在所述基底上的正投影中心重合。
可选地，所述防串色图案的厚度为5μm，所述阻挡图案在所述基底上的正投影与所述防串色图案在所述基底上的正投影沿二者正投影所在平面内任一方向的尺寸差值范围为4-6μm。
可选地，所述填充层的折射率范围为1-1.5；所述防串色图案的折射率大于或等于1.7。
可选地，所述防串色图案包括第一膜层，所述第一膜层采用添加有无机材料粒子的有机树脂材料；
所述无机材料包括SiO2、TIO2、ZrO2中的任意一种或多种；
所述有机树脂材料包括丙烯酸树脂、环氧树脂中的任意一种。
可选地，所述防串色图案还包括第二膜层，所述第二膜层设置在所述第一膜层的靠近所述阻挡图案的一侧；所述第二膜层的折射率大于所述第一膜层的折射率。
可选地，所述第二膜层在所述基底上的正投影面积大于所述第一膜层在所述基底上的正投影面积且小于所述阻挡图案在所述基底上的正投影面积。
可选地，所述第二膜层的材料为氮化硅材料。
可选地，还包括色阻层，所述色阻层设置于所述色转换层的靠近所述基底的一侧；
所述色阻层包括黑矩阵和多个不同颜色的色阻，所述黑矩阵设置在任意相邻的所述色阻之间，用于将相邻的所述色阻隔开，并能吸收入射光线；所述不同颜色的色阻能使与其颜色相同的光线通过并滤除与其颜色不同的光线；
颜色相同的所述子部与所述色阻一一对应，所述阻挡图案与所述黑矩阵位置相对应。
可选地，所述子部在所述基底上的正投影位于所述色阻在所述基底上的正投影内，且所述色阻在所述基底上的正投影面积大于所述子部在所述基底上的正投影面积；
所述黑矩阵在所述基底上的正投影位于所述阻挡图案在所述基底上的正投影内，且所述阻挡图案在所述基底上的正投影面积大于所述黑矩阵在所述基底上的正投影面积。
可选地，所述色转换层的材料为量子点材料或者荧光材料。
本发明还提供一种显示面板，包括显示基板，还包括上述色转换基板，所述显示基板与所述色转换基板相对。
可选地，所述显示基板还包括填充层，所述色转换基板的防串色图案的折射率大于所述填充层的折射率。
可选地，所述显示基板包括LCD显示基板、OLED显示基板、LED显示基板、Micro LED显示基板、Mini LED显示基板中的任意一种。
本发明的有益效果：本发明所提供的色转换基板，通过在色转换层的背离基底的一侧设置防串色图案，且使防串色图案在基底上的正投影位于阻挡图案在基底上的正投影内，防串色图案的材料为透明材料，阻挡图案的材料为不透明材料，一方面，能使入射至防串色图案上的相邻发光单元发射出的大角度光线绝大部分经折射后都入射至阻挡图案，从而使相邻发光单元发射出的大角度光线绝大部分被阻挡图案吸收，进而大大减少了某发光单元发射出的大角度光线照射至相邻发光单元对应子部的光线的量，进而大大改善了采用色转换层的显示器件的串色现象；且该色转换基板通过设置防串色图案，无须大幅度降低发光单元与其对应的量子点转换膜之间的距离，即可大大改善串色现象，从而能够避免大幅度降低填充层的厚度以及大幅度降低发光单元的封装结构的厚度所导致的不良；另外，由于阻挡图案对应发光单元之间的非显示区域(如走线区域)，通过使防串色图案在基底上的正投影位于阻挡图案在基底上的正投影内，还不会损失采用该色转换基板的显示器件的开口率。
本发明所提供的显示面板，通过采用上述色转换基板，不仅能够实现该显示面板的彩色显示，而且使该显示面板在显示过程中不会出现串色现象，提升了该显示面板的色域和光效。
附图说明
图1为采用量子点色转换膜的OLED显示器件发生串色现象的原理示意图；
图2为采用量子点色转换膜的OLED显示器件仅显示绿色画面的光谱示意图；
图3为采用量子点色转换膜的OLED显示器件仅显示红色画面的光谱示意图；
图4为本发明实施例中一种色转换基板的结构剖视示意图；
图5为本发明实施例中另一种色转换基板的结构剖视示意图；
图6为采用图5中的色转换基板的OLED显示器件在设置和未设置防串色图案时大角度光线照射范围的示意图；
图7为本发明实施例中发光单元的发光光强随发光角度分布的示意图；
图8为防串色图案延伸至子部所在区域时大角度光线的折射示意图；
图9为本发明实施例中色转换基板与显示基板对合后的结构剖视示意图；
图10为本发明实施例中另一种色转换基板的结构剖视示意图。
其中附图标记为：
1、基底；2、色转换层；21、阻挡图案；22、子部；3、填充层；4、防串色图案；41、第一膜层；42、第二膜层；5、色阻层；51、黑矩阵；52、色阻；6、发光单元；61、发光功能层；62、阴极；7、驱动背板；71、基板；72、有源层；73、栅极绝缘层；74、栅极层；75、层间绝缘层；76、源漏金属层；77、平坦层；78、像素电极层；79、像素限定层；8、封装结构；91(92)、OLED发光元件；10、量子点色转换膜；11(12)、量子点色转换图案。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明一种色转换基板和显示面板作进一步详细描述。
目前使用量子点色转换材料技术的OLED显示器件易存在串色现象。图1为采用量子点色转换膜的OLED显示器件发生串色现象的原理示意图。如图1所示，OLED显示器件包括多个OLED发光元件91和92，以及量子点色转换膜10。所述量子点色转换膜10包括多个量子点色转换图案11和12以及设置于任意相邻量子点色转换图案11和12之间的阻挡图案21，量子点色转换图案11和12分别和OLED发光元件91和92一一对应，并且实现不同颜色波长转换的功能。在显示单色画面时，OLED发光元件91发出的大角度蓝光会到达相邻的OLED发光元件92对应的量子点色转换图案12。虽然此时与OLED发光元件91相邻的OLED发光元件92并不发光，但与OLED发光元件91相邻的OLED发光元件92对应的量子点色转换图案12上会有出光，而OLED发光元件91对应的量子点色转换图案11的颜色与相邻的OLED发光元件92对应的量子点色转换图案12的颜色不同，所以会导致串色现象发生。图2为采用量子点色转换膜的OLED显示器件仅显示绿色画面的光谱示意图，当画面仅显示绿色画面时，光谱显示蓝光和红光仍有一定亮度。图3为采用量子点色转换膜的OLED显示器件仅显示红色画面的光谱示意图，当画面仅显示红色画面时，光谱显示蓝光和绿光仍有一定亮度。串色现象在实际显示中会导致显示器件实际色域大幅度下降，如色域由100％色域标准降低至70％色域标准，即色域降低30％以上，严重影响产品性能。
目前使用量子点色转换材料技术的OLED显示器件包括OLED显示基板和与OLED显示基板对合的量子点色转换基板。OLED显示基板包括驱动背板、设置于驱动背板上的OLED发光元件以及对OLED发光元件进行封装的封装结构。OLED显示基板采用蓝光OLED发光元件，量子点色转换基板包括设置于基底上的红色量子点转换膜、绿色量子点转换膜和散射粒子膜、相邻的量子点转换膜之间隔设有阻挡图案、在量子点转换膜背离基底的一侧还设置有填充层(Filler)；填充层用于在OLED显示基板与量子点色转换基板对合后填充二者之间的对合间隙。红色量子点转换膜、绿色量子点转换膜和散射粒子膜与OLED发光元件一一对应设置。红色量子点转换膜能将OLED发光元件发出的蓝光转换为红色，绿色量子点转换膜能将OLED发光元件发出的蓝光转换为绿色，散射粒子膜能使OLED发光元件发出的蓝光发生散射和透射，红、绿、蓝光混色后实现OLED显示器件的彩色显示。阻挡图案一方面能吸收其对应的OLED发光元件发出的大角度光线，从而改善相邻OLED像素(包括相对应设置的OLED发光元件和量子点转换膜)之间的串色；另一方面，能在制备时将不同颜色的量子点转换膜相互隔开，同时有利于形成厚度较厚的量子点转换膜，从而提升量子点转换膜对蓝光光线的转换效率。
从采用量子点转换膜的OLED显示器件发生串色的原理上分析：由于OLED发光元件距离其对应的量子点转换膜较远，而阻挡图案宽度一定，因此当OLED发光元件发出的光线达到一定角度后，部分大角度光线即可跨过阻挡图案，到达相邻OLED像素，从而发生串色现象。
由于采用量子点转换膜的OLED显示器件存在串色问题，大幅度降低器件性能；公开技术中的主流改进方案有以下几种：一，增加阻挡图案的宽度，使其能够遮挡更多的大角度的光线，避免其射至相邻OLED像素；但是该方案会导致OLED显示器件开口率的降低，导致OLED显示器件出光效率下降。二，降低OLED发光元件到其对应的量子点转换膜之间的距离，即降低填充层(Filler)的厚度和封装结构的厚度；该方案OLED发光元件到其对应的量子点转换膜之间的距离需要大幅度降低，而大幅度降低封装结构的厚度可能会导致封装结构对OLED发光元件的封装失效，大幅度降低填充层(Filler)的厚度可能会导致OLED显示基板与量子点色转换基板对合后形成的盒厚不均，以致出现显示Mura(即显示纹路)等不良。
针对公开技术中采用量子点转换膜的显示器件无法很好地改善串色现象的问题，本发明实施例提供一种色转换基板，如图4所示，包括：基底1；设置在基底1上的色转换层2；色转换层2包括阻挡图案21和多个不同颜色的子部22，阻挡图案21设置在任意相邻的子部22之间，用于将相邻的子部22隔开，并能吸收入射光线；多个不同颜色的子部22用于将同一颜色的第一波长的光分别转换为不同颜色的第二波长的光；防串色图案4；防串色图案4位于色转换层2的背离基底1的一侧，且防串色图案4在基底1上的正投影位于阻挡图案21在基底1上的正投影内；防串色图案4的材料为透明材料，阻挡图案21的材料为不透明材料。
其中，色转换层2的材料为量子点材料或者荧光材料。量子点材料的色转换层和荧光材料的色转换层对光线颜色的转换原理相同，都是将某个颜色的第一波长的光(如蓝光)转换为不同颜色的第二波长的光(如红色、绿色)，量子点材料的色转换层和荧光材料的色转换层对光线颜色的转换均为比较成熟的技术，这里不再赘述。本实施例中以量子点材料的色转换层2为例进行说明。
本实施例中，不同颜色的子部22包括红色量子点转换膜、绿色量子点转换膜和散射粒子膜，红色量子点转换膜、绿色量子点转换膜和散射粒子膜分别与发出某种颜色的第一波长的光(如蓝光)的发光单元一一对应，红色量子点转换膜能将发光单元发出的某种颜色的第一波长的光转换为红色，绿色量子点转换膜能将发光单元发出的某种颜色的第一波长的光转换为绿色，散射粒子膜能使发光单元发出的某种颜色的第一波长的光(如蓝光)发生散射和透射，红、绿、蓝光混色后实现显示器件的彩色显示。阻挡图案21采用黑色或灰色有机材料形成，阻挡图案21一方面能吸收照射至其上的光线，从而改善相邻像素(包括相对应设置的发光单元和量子点转换膜)之间的串色；另一方面，能在制备时将不同颜色的量子点转换膜相互隔开，同时有利于形成厚度较厚的量子点转换膜，从而提升量子点转换膜对某种颜色的第一波长光线的转换效率。
该色转换基板，通过在色转换层2的背离基底1的一侧设置防串色图案4，且使防串色图案4在基底1上的正投影位于阻挡图案21在基底1上的正投影内，防串色图案4的材料为透明材料，阻挡图案21的材料为不透明材料，一方面，能使入射至防串色图案4上的相邻发光单元发射出的大角度光线绝大部分经折射后都入射至阻挡图案21，从而使相邻发光单元发射出的大角度光线绝大部分被阻挡图案21吸收，进而大大减少了某发光单元发射出的大角度光线照射至相邻发光单元对应子部的光线的量，进而大大改善了采用色转换层2的显示器件的串色现象；且该色转换基板通过设置防串色图案4，无须大幅度降低发光单元与其对应的量子点转换膜之间的距离，即可大大改善串色现象，从而能够避免大幅度降低填充层的厚度以及大幅度降低发光单元的封装结构的厚度所导致的不良；另外，由于阻挡图案21对应发光单元之间的非显示区域(如走线区域)，通过使防串色图案4在基底1上的正投影位于阻挡图案21在基底1上的正投影内，还不会损失采用该色转换基板的显示器件的开口率。
本实施例中，如图5所示，色转换基板还包括填充层3，填充层3位于防串色图案4背离基底1的一侧，防串色图案4的折射率大于填充层3的折射率。填充层3一方面用于对色转换基板的设置有色转换层2和防串色图案4的表面形成良好的保护，并使色转换基板的用于与显示基板对合的表面平坦，从而便于色转换基板与显示基板的良好对合；另一方面用于在发出某种颜色的第一波长光线的显示基板与该色转换基板对合后填充二者之间的对合间隙。
本实施例中，如图6所示：箭头a到a＇之间的范围α1代表未设置防串色图案时发生串色的大角度光线的范围，该范围α1较大；箭头b到a＇之间的范围α2代表设置防串色图案4时发生串色的大角度光线的范围，该范围α2较小；加之，如图7所示，根据发光单元6发光角度分布，发光光强随角度变化成正态分布，即与垂直于发光单元6所在平面的法线方向P的夹角越小(如0-80°范围内的光线，也称小角度光线)，则光强越强；与垂直于发光单元6所在平面的法线方向P的夹角越大(如80-90°范围内的光线，也称大角度光线)，则光强越弱；从而通过设置防串色图案4，大大减少了发生串色的大角度光线的量，进而大大改善了串色现象；同时，设置了防串色图案4之后，发光单元6发出的在(α1-α2)范围内的大角度光线经过填充层3和防串色图案4折射后其传播方向会发生改变，由于防串色图案4的折射率大于填充层3的折射率，所以从填充层3入射至防串色图案4的光线其入射角大于出射角，光线发生收敛，从而使绝大部分入射至防串色图案4的光线都能从防串色图案4与阻挡图案21的接触面上出射，进而使从防串色图案4出射的光线绝大部分都能入射至阻挡图案21中，被阻挡图案21吸收，进一步减少了光线发生串色的现象，大幅度提升了采用该色转换基板的显示器件的色域。同时，根据菲涅尔公式，反射率＝(n2-n1)2/(n2+n1)2，n2为防串色图案4的折射率，n1为填充层3的折射率；折射率越高，反射率也会越高，如图8所示，如果使防串色图案4延伸至子部22所在的区域，即发光单元6所对应的显示基板的开口区设置有高折射率的防串色图案4，这会导致开口区内设置有防串色图案4的区域的反射率升高，以致该区域的透射率下降，即会降低发光单元6发射至子部22的光量，导致采用该色转换基板的显示器件的开口率和光效降低；另外，当防串色图案4延伸至子部22所在区域时，会使相邻像素的光线发生串色，以致降低采用该色转换基板的显示器件的色域。所以，本实施例中，通过在防串色图案4背离基底1的一侧设置填充层3，且使防串色图案4的折射率大于填充层3的折射率，并使防串色图案4在基底1上的正投影位于阻挡图案21在基底1上的正投影内，一方面，能使经由填充层3入射至防串色图案4上的相邻发光单元6发射出的大角度光线绝大部分经折射后都入射至阻挡图案21，从而使相邻发光单元6发射出的大角度光线绝大部分被阻挡图案21吸收，进而大大减少了某发光单元6发射出的大角度光线照射至相邻发光单元6对应子部22的光线的量，进而大大改善了采用色转换层2的显示器件的串色现象；且该色转换基板通过设置防串色图案4，无须大幅度降低发光单元6与其对应的量子点转换膜之间的距离，即可大大改善串色现象，从而能够避免大幅度降低填充层3的厚度以及大幅度降低发光单元6的封装结构的厚度所导致的不良；另外，由于阻挡图案21对应发光单元6之间的非显示区域(如走线区域)，通过使防串色图案4在基底1上的正投影位于阻挡图案21在基底1上的正投影内，还不会损失采用该色转换基板的显示器件的开口率。
可选地，防串色图案4的厚度小于或等于填充层3的厚度。因为填充层3通常采用透明树脂材料制备，且填充层3在防串色图案4制备完成后制备，填充层3的制备工艺通常包括膜层涂覆、曝光、显影、固化等步骤，填充层3在成膜后且未固化之前具有一定的流平性能，如果防串色图案4的厚度太厚，会影响到填充层3的流动性，以致填充层3表面在固化后无法达到良好的平整效果，为了确保色转换基板与显示基板的良好对盒，还需要设置平坦层对填充层3的不平整表面进行填平，从而导致盒厚太厚以及工艺成本升高等问题；另外，如果防串色图案4厚度超过了填充层3的厚度，会在色转换基板与显示基板对合时，将填充层3撑起，导致盒厚进一步加厚等问题；所以使防串色图案4的厚度小于或等于填充层3的厚度，能够避免出现上述问题。
需要说明的是，填充层3也可以由空气形成。
可选地，防串色图案4的厚度范围为4-10μm。填充层3的厚度范围为8-10μm。
可选地，防串色图案4在基底1上的正投影面积小于或等于阻挡图案21在基底1上的正投影面积。防串色图案4在基底1上的正投影中心与阻挡图案21在基底1上的正投影中心重合。如此设置，能够更好地防止相邻像素的串色现象。当防串色图案4和阻挡图案21在基底1上的正投影图形为规则的多边形形状时，如三角形、矩形、正多边形等，防串色图案4和阻挡图案21在基底1上的正投影中心为其正投影图形的对角线交点；当防串色图案4和阻挡图案21在基底1上的正投影图形为圆形时，正投影中心为正投影图形的圆心；当防串色图案4和阻挡图案21在基底1上的正投影图形为不规则形状时，其正投影图形的正投影中心为该正投影图形的重心。
可选地，防串色图案4的厚度为5μm，阻挡图案21在基底1上的正投影与防串色图案4在基底1上的正投影沿二者正投影所在平面内任一方向的尺寸差值范围为4-6μm。即防串色图案4在基底1上的正投影面积小于阻挡图案21在基底1上的正投影面积，如此能够更好地防止相邻像素的串色现象。
可选地，填充层3的折射率范围为1-1.5；防串色图案4的折射率大于或等于1.7。
本实施例中，在阻挡图案21和防串色图案4在基底1上的正投影沿其正投影所在平面内任一方向的宽度一定的情况下，防串色图案4的厚度越厚，采用该色转换基板的显示器件的色域提升越明显，如表一所示为阻挡图案21和防串色图案4在基底1上的正投影沿其正投影所在平面内任一方向的宽度为20μm时，采用该色转换基板的显示器件的色域和能量利用率随防串色图案4的厚度变化的对应值；从表一的模拟结果可见，防串色图案4的厚度越厚，显示器件的色域越高，同时还能确保较高的能量利用率。
Figure BDA0002936304080000111
表一
在防串色图案4厚度一定的情况下，改变阻挡图案21在基底1上的正投影与防串色图案4在基底1上的正投影沿二者正投影所在平面内任一方向的尺寸差值，从理论上分析，防串色图案4在基底1上的正投影宽度不能太宽，否则会影响显示基板开口区的出光率；防串色图案4在基底1上的正投影宽度也不能太窄，否则会受到工艺能力限制，无法制备；表二为防串色图案4的厚度为5μm时，采用该色转换基板的显示器件的色域和能量利用率随阻挡图案21在基底1上的正投影与防串色图案4在基底1上的正投影沿二者正投影所在平面内任一方向的尺寸差值变化的对应值；从表二的模拟结果可以看出，防串色图案4在基底1上的正投影宽度越宽，显示器件的色域和能量利用率均会出现下降，显示器件的色域和能量利用率随着防串色图案4在基底1上的正投影宽度变窄成近似线性增加的变化趋势。
Figure BDA0002936304080000121
表二
可选地，防串色图案4包括第一膜层41，第一膜层41采用添加有无机材料粒子的有机树脂材料；无机材料包括SiO2、TIO2、ZrO2中的任意一种或多种；有机树脂材料包括丙烯酸树脂、环氧树脂中的任意一种。添加有无机材料粒子的有机树脂材料在制备时可以采用光刻工艺(包括膜层涂布、前烘、曝光、显影、后烘)或者喷墨打印工艺制备，工艺过程中温度低于量子点转换膜的主流工艺温度(量子点转换膜制备的主流工艺温度为170℃)，从而能在满足防串色图案4折射率要求的情况下，其制备还不会影响量子点转换膜。
可选地，如图4和图5所示，色转换基板还包括色阻层5，色阻层5设置于色转换层2的靠近基底1的一侧；色阻层5包括黑矩阵51和多个不同颜色的色阻52，黑矩阵51设置在任意相邻的色阻52之间，用于将相邻的色阻52隔开，并能吸收入射光线；不同颜色的色阻52能使与其颜色相同的光线通过并滤除与其颜色不同的光线；颜色相同的子部22与色阻52一一对应，阻挡图案21与黑矩阵51位置相对应。其中，黑矩阵51采用黑色有机材料形成，黑矩阵51能够吸收照射至其上的光线，同时还能起到遮挡显示基板上相邻发光单元6之间的非显示区域(如走线区域)的作用。色阻52包括红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻，红色色阻与红色量子点转换膜相对应，绿色色阻与绿色量子点转换膜相对应，蓝色色阻与散射粒子膜相对应，色阻52能够将相对应的量子点转换膜未转换的光线过滤掉，从而使采用该色转换基板的显示器件的色纯度更高，提高显示器件的色域。
可选地，子部22在基底1上的正投影位于色阻52在基底1上的正投影内，且色阻52在基底1上的正投影面积大于子部22在基底1上的正投影面积；黑矩阵51在基底1上的正投影位于阻挡图案21在基底1上的正投影内，且阻挡图案21在基底1上的正投影面积大于黑矩阵51在基底1上的正投影面积。如此设置，显示时，发光单元6发出的光线依次经由子部22、色阻52从基底1侧出射，子部22吸收第一波长的光(如蓝光)，并将其转换为第二波长的光(如红光或绿光)，色阻52在基底1上的正投影面积大于子部22在基底1上的正投影面积，能使经由各子部22的光线都能入射至相应的色阻52中，避免经由各子部22的光线未入射至相应的色阻52所导致的漏光，从而避免采用该色转换基板的显示器件由于漏光而色域下降。
本实施例中，如图6-图9所示，发光单元6可以是OLED发光元件，显示基板包括驱动背板7、设置于驱动背板7上的OLED发光元件以及对OLED发光元件进行封装的封装结构8。驱动背板7包括一基板71、依次设置于基板71上的缓冲层、有源层72、栅极绝缘层73、栅极层74、层间绝缘层75、源漏金属层76、平坦层77、像素电极层78、像素限定层79。发光单元6包括发光功能层61和阴极62；发光功能层61包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。该OLED发光元件为顶发射型蓝光OLED器件，阴极62采用半透光金属，如Mg或Ag。封装结构8包括依次叠置的无机层、有机层和无机层三个封装层，无机层采用SiN材料，有机层采用有机透光材料。
需要说明的是，发光单元也可以是LED发光元件、Micro LED发光元件、Mini LED发光元件或者LCD(即液晶)发光单元，发光单元在除LCD发光单元以外的上述任一情况下，驱动背板可以与上述驱动背板的设置相同；当发光单元为LCD发光单元时，驱动背板中的驱动电路采用目前比较成熟的像素驱动电路，另外，显示基板还包括背光源结构，背光源结构设置于驱动背板的背离色转换基板的一侧，用于为LCD发光单元提供背光。具体的液晶显示基板的工作原理为比较成熟的技术，这里不再赘述。
基于色转换基板的上述结构，本实施例还提供一种该色转换基板的制备方法，包括在基底上依次制备色转换层、防串色图案和填充层。
其中，色转换层和填充层的制备采用传统工艺，这里不再赘述。防串色图案采用光刻工艺(包括膜层涂布、前烘、曝光、显影、后烘)或者喷墨打印工艺制备，工艺过程中温度低于量子点转换膜的主流工艺温度(量子点转换膜制备的主流工艺温度为170℃)，从而能在满足防串色图案折射率要求的情况下，其制备还不会影响量子点转换膜。
本发明实施例还提供一种色转换基板，与上述实施例中不同的是，如图10所示，在实施例1的基础上，本实施例中的防串色图案4还包括第二膜层42，第二膜层42设置在第一膜层41的靠近阻挡图案21的一侧；第二膜层42的折射率大于第一膜层41的折射率。
通过设置第二膜层42，使经由第一膜层41入射至第二膜层42的光线能够进一步发生折射，且光线由折射率较低的第一膜层41入射至折射率较高的第二膜层42，使光线能进一步收敛，从而使绝大部分入射至防串色图案4的光线都能从防串色图案4与阻挡图案21的接触面上出射，进而使从防串色图案4出射的光线绝大部分都能入射至阻挡图案21中，被阻挡图案21吸收，进一步减少了光线发生串色的现象，大幅度提升了采用该色转换基板的显示器件的色域。
本实施例中，第二膜层42在基底1上的正投影面积大于第一膜层41在基底1上的正投影面积且小于阻挡图案21在基底1上的正投影面积。如此设置，能进一步使绝大部分入射至防串色图案4的光线都能从防串色图案4与阻挡图案21的接触面上出射，进而使从防串色图案4出射的光线绝大部分都能入射至阻挡图案21中，被阻挡图案21吸收，进一步减少了光线发生串色的现象。
需要说明的是，第二膜层在基底上的正投影面积也可以等于阻挡图案在基底上的正投影面积。
可选地，第二膜层42的材料为氮化硅材料。氮化硅材料的第二膜层42可以在80-100℃范围内沉积形成，即第二膜层42采用低温沉积工艺形成膜层，然后通过干法刻蚀形成第二膜层42的图形，如此能使第二膜层42的制备温度低于量子点转换膜的主流工艺温度(量子点转换膜制备的主流工艺温度为170℃)，从而能在满足防串色图案4折射率要求的情况下，其制备还不会影响量子点转换膜。
本实施例中色转换基板的其他结构与上述实施例中相同，此处不再赘述。
基于色转换基板的上述结构，本实施例还提供一种该色转换基板的制备方法，与上述实施例中色转换基板的制备方法不同的是，在上述实施例中色转换基板的制备方法的基础上，本实施例中，制备防串色图案包括依次在制备形成色转换层的基底上制备第二膜层和第一膜层。其中，第一膜层的制备方法与上述实施例中相同。第二膜层采用低温(80-100℃)沉积工艺成膜，然后通过干法刻蚀形成第二膜层的图形。
本实施例中色转换基板的制备方法的其他工艺与上述实施例中相同，此处不再赘述。
本发明实施例中所提供的色转换基板，通过在色转换层的背离基底的一侧设置防串色图案，且使防串色图案在基底上的正投影位于阻挡图案在基底上的正投影内，防串色图案的材料为透明材料，阻挡图案的材料为不透明材料，一方面，能使入射至防串色图案上的相邻发光单元发射出的大角度光线绝大部分经折射后都入射至阻挡图案，从而使相邻发光单元发射出的大角度光线绝大部分被阻挡图案吸收，进而大大减少了某发光单元发射出的大角度光线照射至相邻发光单元对应子部的光线的量，进而大大改善了采用色转换层的显示器件的串色现象；且该色转换基板通过设置防串色图案，无须大幅度降低发光单元与其对应的量子点转换膜之间的距离，即可大大改善串色现象，从而能够避免大幅度降低填充层的厚度以及大幅度降低发光单元的封装结构的厚度所导致的不良；另外，由于阻挡图案对应发光单元之间的非显示区域(如走线区域)，通过使防串色图案在基底上的正投影位于阻挡图案在基底上的正投影内，还不会损失采用该色转换基板的显示器件的开口率。
本发明实施例还提供一种显示面板，包括显示基板，还包括上述任一实施例中的色转换基板，显示基板与色转换基板相对。
本实施例中，显示基板还包括填充层，色转换基板的防串色图案的折射率大于填充层的折射率。填充层的设置，能够填充色转换基板与显示基板之间的对合间隙，防串色图案的折射率大于填充层的折射率，能使从填充层入射至防串色图案的光线其入射角大于出射角，光线发生收敛，从而使绝大部分入射至防串色图案的光线都能从防串色图案与色转换基板中阻挡图案的接触面上出射，进而使从防串色图案出射的光线绝大部分都能入射至阻挡图案中，被阻挡图案吸收，进而减少了光线发生串色的现象，大幅度提升了该显示面板的色域。
其中，该显示基板发出同一颜色的第一波长的光，如蓝光，通过将该显示基板与上述任一实施例中的色转换基板相对，色转换基板能够将显示基板发出的同一颜色的第一波长的光分别转换为不同颜色的第二波长的光，如红、绿、蓝光，不同颜色的第二波长的光混色后实现该显示面板的彩色显示。
可选地，显示基板包括LCD显示基板、OLED显示基板、LED显示基板、Micro LED显示基板、Mini LED显示基板中的任意一种。本实施例中，显示基板显示蓝光。
通过采用上述任一实施例中的色转换基板，不仅能够实现该显示面板的彩色显示，而且使该显示面板在显示过程中不会出现串色现象，提升了该显示面板的色域和光效。
本发明实施例中所提供的显示面板可以为OLED面板、OLED电视、Micro LED面板、Micro LED电视、Mini LED面板、Mini LED电视、LCD面板、LCD电视、显示器、手机、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (16)

1.一种色转换基板，其特征在于，包括：
基底；
设置在所述基底上的色转换层，所述色转换层包括阻挡图案和多个不同颜色的子部，所述阻挡图案设置在任意相邻的所述子部之间，用于将相邻的所述子部隔开，并能吸收入射光线；所述多个不同颜色的子部用于将同一颜色的第一波长的光分别转换为不同颜色的第二波长的光；
防串色图案，所述防串色图案位于所述色转换层的背离所述基底的一侧，且所述防串色图案在所述基底上的正投影位于所述阻挡图案在所述基底上的正投影内；所述防串色图案的材料为透明材料，所述阻挡图案的材料为不透明材料。
2.根据权利要求1所述的色转换基板，其特征在于，还包括填充层，所述填充层位于所述防串色图案背离所述基底的一侧，所述防串色图案的厚度小于或等于所述填充层的厚度。
3.根据权利要求1所述的色转换基板，其特征在于，所述防串色图案的厚度范围为4-10μm。
4.根据权利要求1所述的色转换基板，其特征在于，所述防串色图案在所述基底上的正投影中心与所述阻挡图案在所述基底上的正投影中心重合。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的色转换基板，其特征在于，所述防串色图案的厚度为5μm，所述阻挡图案在所述基底上的正投影与所述防串色图案在所述基底上的正投影沿二者正投影所在平面内任一方向的尺寸差值范围为4-6μm。
6.根据权利要求2所述的色转换基板，其特征在于，所述填充层的折射率范围为1-1.5；所述防串色图案的折射率大于或等于1.7。
7.根据权利要求5所述的色转换基板，其特征在于，所述防串色图案包括第一膜层，所述第一膜层采用添加有无机材料粒子的有机树脂材料；
所述无机材料包括SiO2、TIO2、ZrO2中的任意一种或多种；
所述有机树脂材料包括丙烯酸树脂、环氧树脂中的任意一种。
8.根据权利要求7所述的色转换基板，其特征在于，所述防串色图案还包括第二膜层，所述第二膜层设置在所述第一膜层的靠近所述阻挡图案的一侧；所述第二膜层的折射率大于所述第一膜层的折射率。
9.根据权利要求8所述的色转换基板，其特征在于，所述第二膜层在所述基底上的正投影面积大于所述第一膜层在所述基底上的正投影面积且小于所述阻挡图案在所述基底上的正投影面积。
10.根据权利要求8所述的色转换基板，其特征在于，所述第二膜层的材料为氮化硅材料。
11.根据权利要求1所述的色转换基板，其特征在于，还包括色阻层，所述色阻层设置于所述色转换层的靠近所述基底的一侧；
所述色阻层包括黑矩阵和多个不同颜色的色阻，所述黑矩阵设置在任意相邻的所述色阻之间，用于将相邻的所述色阻隔开，并能吸收入射光线；所述不同颜色的色阻能使与其颜色相同的光线通过并滤除与其颜色不同的光线；
颜色相同的所述子部与所述色阻一一对应，所述阻挡图案与所述黑矩阵位置相对应。
12.根据权利要求11所述的色转换基板，其特征在于，所述子部在所述基底上的正投影位于所述色阻在所述基底上的正投影内，且所述色阻在所述基底上的正投影面积大于所述子部在所述基底上的正投影面积；
所述黑矩阵在所述基底上的正投影位于所述阻挡图案在所述基底上的正投影内，且所述阻挡图案在所述基底上的正投影面积大于所述黑矩阵在所述基底上的正投影面积。
13.根据权利要求1所述的色转换基板，其特征在于，所述色转换层的材料为量子点材料或者荧光材料。
14.一种显示面板，包括显示基板，其特征在于，还包括权利要求1-13任意一项所述的色转换基板，所述显示基板与所述色转换基板相对。
15.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，所述显示基板还包括填充层，所述色转换基板的防串色图案的折射率大于所述填充层的折射率。
16.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，所述显示基板包括LCD显示基板、OLED显示基板、LED显示基板、Micro LED显示基板、Mini LED显示基板中的任意一种。
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