CN113571626B - 一种显示面板和显示装置 - Google Patents

一种显示面板和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113571626B
CN113571626B CN202110807724.7A CN202110807724A CN113571626B CN 113571626 B CN113571626 B CN 113571626B CN 202110807724 A CN202110807724 A CN 202110807724A CN 113571626 B CN113571626 B CN 113571626B
Authority
CN
China
Prior art keywords
retaining wall
substrate
light
display panel
wall structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110807724.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113571626A (zh
Inventor
于泉鹏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd filed Critical Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority to CN202110807724.7A priority Critical patent/CN113571626B/zh
Publication of CN113571626A publication Critical patent/CN113571626A/zh
Priority to US17/546,498 priority patent/US20220102325A1/en
Application granted granted Critical
Publication of CN113571626B publication Critical patent/CN113571626B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明实施例公开了一种显示面板和显示装置，该显示面板包括：第一基板和第二基板；位于第一基板朝向第二基板一侧的挡墙层，挡墙层包括多个挡墙结构，多个挡墙结构围成多个挡墙开口；位于第一基板朝向第二基板一侧的色阻层，色阻层包括间隔设置的多个色阻模块，色阻模块对应挡墙开口设置，色阻模块包括蓝色色阻模块；发光器件，对应挡墙开口设置，发光器件在第一基板上的投影与挡墙结构在第一基板上的投影不交叠；多个挡墙结构包括第一挡墙结构和第二挡墙结构，蓝色色阻模块与至少一个第一挡墙结构相邻设置，第一挡墙结构的宽度大于第二挡墙结构的宽度。本发明实施例中，挡墙结构采用宽窄不同的设计，可以降低侧向漏光光线串扰，提高显示效果。

Description

一种显示面板和显示装置
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
随着科技的进步和发展，人们生活水平的提高，显示面板的使用已经深入了各个电子产品。因此显示面板被大量制造，人们对显示面板的显示性能要求也越来越高。
目前显示面板制造过程中，如何提高显示面板的显示效果成为目前亟待解决的问题。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板和显示装置，以提高显示面板的显示效果。
本发明实施例提供了一种显示面板，包括：
相对设置的第一基板和第二基板；
位于所述第一基板朝向所述第二基板一侧的挡墙层，所述挡墙层包括多个挡墙结构，所述多个挡墙结构围成多个挡墙开口；
位于所述第一基板朝向所述第二基板一侧的色阻层，所述色阻层包括间隔设置的多个色阻模块，所述色阻模块对应所述挡墙开口设置，所述色阻模块包括蓝色色阻模块；
发光器件，对应所述挡墙开口设置，所述发光器件在所述第一基板上的投影与所述挡墙结构在所述第一基板上的投影不交叠；
所述多个挡墙结构包括第一挡墙结构和第二挡墙结构，沿平行于所述第一基板的方向上，所述蓝色色阻模块与至少一个所述第一挡墙结构相邻设置，所述第一挡墙结构的宽度大于所述第二挡墙结构的宽度。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括：如上所述的显示面板。
本发明实施例中，色阻模块对应挡墙开口设置，色阻模块包括蓝色色阻模块；多个挡墙结构包括第一挡墙结构和第二挡墙结构，沿平行于第一基板的方向上，蓝色色阻模块与至少一个第一挡墙结构相邻设置，第一挡墙结构的宽度大于第二挡墙结构的宽度。第一挡墙结构的宽度较大，则增加了侧向漏光光线在相邻两个挡墙开口区域之间的传播距离，使得相邻发光器件发出的光较难通过第一挡墙结构与第二基板的缝隙进入相邻挡墙开口内，从而较难进入蓝色色阻模块所对应的挡墙开口内，减弱了相邻发光器件的侧向光线传播和干扰，提高了显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图虽然是本发明的一些具体的实施例，对于本领域的技术人员来说，可以根据本发明的各种实施例所揭示和提示的器件结构，驱动方法和制造方法的基本概念，拓展和延伸到其它的结构和附图，毋庸置疑这些都应该是在本发明的权利要求范围之内。
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的示意图；
图2是本发明实施例提供的显示面板中挡墙层的俯视示意图；
图3是本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图；
图4是本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图；
图5是本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图；
图6是本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图；
图7是本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图；
图8是本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图；
图9是本发明实施例提供的显示面板的局部俯视示意图；
图10是本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图；
图11是本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图；
图12是本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图；
图13是本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图；
图14是本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图；
图15是本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图；
图16是本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图；
图17是本发明实施例提供的一种电子设备的示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将参照本发明实施例中的附图，通过实施方式清楚、完整地描述本发明的技术方案，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例所揭示和提示的基本概念，本领域的技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
参考图1所示，为本发明实施例提供的一种显示面板的示意图，参考图2所示，为本发明实施例提供的显示面板中挡墙层的俯视示意图。如图所示，本实施例提供的显示面板包括：相对设置的第一基板10和第二基板20；位于第一基板10朝向第二基板20一侧的挡墙层30，挡墙层30包括多个挡墙结构31，多个挡墙结构31围成多个挡墙开口32；位于第一基板10朝向第二基板20一侧的色阻层，色阻层包括间隔设置的多个色阻模块41，色阻模块41对应挡墙开口32设置，色阻模块41包括蓝色色阻模块B；发光器件50，对应挡墙开口32设置，发光器件50在第一基板10上的投影与挡墙结构31在第一基板10上的投影不交叠；多个挡墙结构31包括第一挡墙结构311和第二挡墙结构312，沿平行于第一基板10的方向X-Y上，蓝色色阻模块B与至少一个第一挡墙结构311相邻设置，第一挡墙结构311的宽度W1大于第二挡墙结构312的宽度W2。
本实施例中，显示面板包括第一基板10以及与第一基板10相对设置的第二基板20，第一基板10所在平面为X-Y平面，垂直于第一基板10的方向为Z方向。可选显示面板为微型发光二极管显示面板或其他类型显示面板，则显示面板中第一基板10可以为彩膜基板，第二基板20可以为阵列基板。
可以理解，阵列基板包括衬底、位于衬底上的阵列金属层以及阵列金属层之间的层间绝缘层，阵列金属层至少包括栅极金属层和源漏极金属层，以此构成包含晶体管等器件在内的像素驱动电路阵列，像素驱动电路阵列包括多个像素驱动电路，像素驱动电路与发光器件对应设置，像素驱动电路用于驱动对应的发光器件发光。彩膜基板包括透明基板以及设置在透明基板上的间隔设置的多个色阻模块等结构。可选显示面板可以是硬质显示面板，也可以是柔性显示面板；还可选显示面板为微型发光二极管显示面板或量子点显示面板，但本发明实施例的显示面板不限于此类型。
参考图3所示，为本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图。如图3所示，可选第二基板20包括依次层叠设置的衬底21和阵列层22，第二基板20上还设置有发光器件层。衬底21为柔性衬底或刚性衬底。阵列层22包括阵列金属层和层间绝缘层，阵列层22至少包括栅极金属层和源漏极金属层，栅极金属层和源漏极金属层构成包含薄膜晶体管等结构的像素驱动电路阵列，像素驱动电路阵列包括多个像素驱动电路23。发光器件层包括多个发光器件50，该多个发光器件50的颜色包括一种或多种，发光器件层的一个发光器件50与阵列层22的一个像素驱动电路23对应电连接，像素驱动电路23驱动发光器件50发光。
可选发光器件50为微二极管发光器件。可选的，发光器件50包括微型发光二极管50a、第一电极50b和第二电极50c，第一电极50b和第二电极50c绝缘间隔设置且分别与微型发光二极管50a接触设置。发光器件50的发光原理是，通过给第一电极50b和第二电极50c施加电信号，使得微发光二极管50a通电，则微发光二极管50a电致发光。可选第一电极50b和第二电极50c位于微发光二极管50a的同一侧。在其他实施例中，还可选第一电极和第二电极位于微发光二极管的不同侧。需要说明的是，图3中仅示例型的画出了一个发光器件50所在区域的各膜层结构。可选发光器件50被配置为发射蓝光。
本实施例中，挡墙层30位于第一基板10朝向第二基板20的一侧。挡墙层30包括多个挡墙结构31，如图2所示多个挡墙结构31连通限定出多个挡墙开口32，一个挡墙开口32与一个发光器件50对应设置，挡墙结构31位于相邻发光器件50之间。具体的，挡墙结构31环绕发光器件50设置，使得相邻两个发光器件50的发光电极绝缘设置，还可以遮挡相邻两个发光器件50的光线，避免侧向漏光。可以理解，挡墙结构31可用于隔离相邻发光器件50，避免两者之间侧向漏光导致干扰。以挡墙开口32的形状是四边形为例，四个挡墙结构31首尾相接围成的四边形区域即为一个挡墙开口32。可以理解，通过挡墙开口32限定发光器件50的设置位置，具体的，发光器件50位于挡墙开口32内，即发光器件50在第一基板10上的投影与挡墙结构31在第一基板10上的投影不交叠。
色阻层位于第一基板10朝向第二基板20的一侧，色阻层包括间隔设置的多个色阻模块41，色阻模块41对应挡墙开口32设置，色阻模块41包括不同颜色色阻模块，例如包括红色色阻模块R、绿色色阻模块G和蓝色色阻模块B。可以理解，若发光器件50均为同一颜色发光器件，那么发光器件50发出的相同颜色的光，通过不同颜色色阻模块之后可以转换为不同颜色的光，实现正常显示。
本实施例中，挡墙层30中多个挡墙结构31包括第一挡墙结构311和第二挡墙结构312，沿平行于第一基板10的方向X-Y上，蓝色色阻模块B与至少一个第一挡墙结构311相邻设置，第一挡墙结构311的宽度W1大于第二挡墙结构312的宽度W2。色阻模块41与发光器件50对应设置，则挡墙结构31位于相邻色阻模块41之间。蓝色色阻模块B外围设置的至少一个挡墙结构31为第一挡墙结构311，该第一挡墙结构311的宽度W1大于第二挡墙结构312的宽度W2。
在此，挡墙结构31的宽度方向的尺寸即为挡墙结构31的宽度，挡墙结构31的宽度方向平行于第一基板10所在X-Y平面，且挡墙结构31的宽度方向垂直于该挡墙结构31的延伸方向。可以理解，挡墙层30中多个挡墙结构31的延伸方向不完全相同，那么挡墙层30中不同挡墙结构31的宽度方向可能不同。结合图2所示，标记的第一挡墙结构311的延伸方向与第二挡墙结构312的延伸方向相同，均为Y方向，宽度方向为X方向。但还存在部分挡墙结构31的宽度方向与Y方向相同。
需要说明的是，对于量子点显示面板，其中发光器件通常为发射统一的蓝色光，色阻模块包括不同颜色色阻，那么发光器件经过对应的色阻模块后转换为相应颜色光。可以理解，由于工艺等限制，挡墙结构与第二基板之间可能存在缝隙，那么相邻发光器件可能发生侧向漏光，发光器件发出的光侧向经过挡墙结构与第二基板之间的缝隙进入相邻挡墙开口内，影响相邻发光器件的发光亮度等。
可选色阻模块41还包括红色色阻模块R和绿色色阻模块G；沿平行于第一基板10的方向上，第二挡墙结构312位于红色色阻模块R和绿色色阻模块G之间。
本实施例中，蓝色色阻模块B与至少一个第一挡墙结构311相邻设置，第一挡墙结构311的宽度W1大于第二挡墙结构312的宽度W2。与蓝色色阻模块B相邻的第一挡墙结构311的宽度较大，则相邻发光器件50的光较难通过第一挡墙结构311与第二基板20之间的缝隙进入蓝色色阻模块B所对应的挡墙开口32内，防止侧向漏光对蓝色色阻模块B所在区域的显示影响，减弱相邻发光器件中光线干扰，提高显示效果。
本发明实施例中，色阻模块对应挡墙开口设置，色阻模块包括蓝色色阻模块；多个挡墙结构包括第一挡墙结构和第二挡墙结构，沿平行于第一基板的方向上，蓝色色阻模块与至少一个第一挡墙结构相邻设置，第一挡墙结构的宽度大于第二挡墙结构的宽度。第一挡墙结构的宽度较大，则相邻发光器件发出的光较难通过第一挡墙结构与第二基板的缝隙，从而较难进入蓝色色阻模块所对应的挡墙开口内，减弱了相邻发光器件的侧向光线传播和干扰，提高了显示效果。
参考图4所示，为本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图。如图4所示，可选显示面板还包括：位于色阻层朝向第二基板20一侧的第一功能层，第一功能层包括间隔设置的多个功能模块61，功能模块61对应挡墙开口32设置，功能模块61的组成材料包括散射离子；沿平行于第一基板10的方向上，挡墙结构31位于相邻两个功能模块61之间的间隔中。可选多个功能模块61包括第一功能模块611和第二功能模块612；色阻模块41还包括红色色阻模块R和绿色色阻模块G；蓝色色阻模块B与第一功能模块611对应设置，第二功能模块612与红色色阻模块R或与绿色色阻模块G对应设置；第二功能模块612的组成材料还包括量子点材料。
本实施例中，蓝色色阻模块B所对应的功能模块61为第一功能模块611，第一功能模块611的组成材料不包括量子点材料，因此其所对应的发光器件50发出的光线通过第一功能模块611时不会发生量子点转化。红色色阻模块R所对应的功能模块61为第二功能模块612，第二功能模块612的组成材料包括量子点材料，那么其所对应的发光器件50发出的光线经过第二功能模块612时会发生量子点转化，再经过红色色阻模块R发出。绿色色阻模块G所对应的功能模块61为第二功能模块612，第二功能模块612的组成材料包括量子点材料，那么其所对应的发光器件50发出的光线经过第二功能模块612时会发生量子点转化，再经过绿色色阻模块G发出。
需要说明的是，量子点转化过程会弱化光线。由此可知，发光器件50发出的光线通过第一功能模块611时，不会发生量子点转化过程，所以侧向漏光通过第一功能模块611时，不会被弱化。而发光器件50发出的光线通过第二功能模块612时，均会发生量子点转化过程，那么第二功能模块612会弱化光线，使得本身光通量相对较小的侧向漏光更弱。
如上所述，侧向漏光光线本身光通量较低，经过量子点转化时会进一步被削弱，因此侧向漏光光线进入第二功能模块612后几乎被消除，无法通过第二功能模块612出射。而侧向漏光的光线进入第一功能模块612时不会被消弱，容易通过第一功能模块611出射。由此可知，发生侧向漏光时，侧向漏光对蓝色色阻模块B所对应区域的发光影响较大，而对红色或绿色色阻模块所对应区域的发光影响较小。
基于此，蓝色色阻模块B相邻的第一挡墙结构311的宽度大于其他挡墙结构31，可以增加侧向漏光穿过第一挡墙结构311的难度，使得侧向漏光难以穿过第一挡墙结构311进入蓝色色阻模块B所对应的挡墙开口32内，进而减弱侧向漏光光线，提高显示效果。可以理解，挡墙结构的粗细设计有利于防止相邻发光器件之间的侧向漏光。
可选沿垂直于第一基板10的方向Z上，挡墙结构31包括面向第一基板10的第一端和面向第二基板20的第二端；沿平行于第一基板10的方向上，第一挡墙结构311的第一端的宽度大于第二挡墙结构312的第一端的宽度，第一挡墙结构311的第二端的宽度大于第二挡墙结构312的第二端的宽度。
本实施例中，挡墙结构31的第一端面向第一基板10，挡墙结构31的第二端面向第二基板20，挡墙层位于第一基板10面向第二基板20的一侧。由于制作工艺的问题，挡墙结构31的第二端与第二基板20之间可能存在缝隙。第一挡墙结构311的第二端的宽度大于第二挡墙结构312的第二端的宽度，通过增大第一挡墙结构311的第二端的宽度，以增大相邻发光器件50的光线侧向进入蓝色色阻模块B所对应的挡墙开口32内的难度，减弱相邻发光器件50的侧向漏光对蓝色色阻模块B所对应区域的影响，提高显示效果。
在其他实施例中，若挡墙结构的第一端与第一基板之间存在缝隙，那么可选第一挡墙结构的第一端的宽度大于第二挡墙结构的第一端的宽度，可以防止相邻发光器件的光线侧向进入蓝色色阻模块所对应的挡墙开口内。减弱了相邻发光器件的侧向漏光，提高了显示效果。
参考图5所示，为本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图。如图5所示，可选显示面板还包括：位于第一基板10和挡墙结构31之间的多个遮光结构62，多个遮光结构62围成多个透光开口，透光开口对应挡墙开口32设置；遮光结构62在第一基板10上的投影与挡墙结构32在第一基板10上的投影至少部分交叠。本实施例中，遮光结构62可以是位于第一基板10朝向第二基板20一侧的黑矩阵，黑矩阵包括多个透光开口，发光器件50与透光开口对应设置。
参考图6所示，为本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图。如图6所示，可选遮光结构62包括第一遮光结构621和第二遮光结构622，沿垂直于第一基板10的方向Z上，第一遮光结构621与第一挡墙结构311至少部分交叠，第二遮光结构622与第二挡墙结构312至少部分交叠；沿平行于第一基板10的方向上，第一遮光结构621的宽度大于或等于第二遮光结构622的宽度。可选第一遮光结构621在第一基板10上的投影与第一挡墙结构311在第一基板10上的投影重叠，第二遮光结构622在第一基板10上的投影与第二挡墙结构312在第一基板10上的投影重叠。可以理解，遮光结构的宽度方向与所对应的挡墙结构的宽度方向相同，在此不具体赘述宽度方向和宽度尺寸。
本实施例中，位于第一基板10和第一挡墙结构311之间的遮光结构62为第一遮光结构621，位于第一基板10和第二挡墙结构312之间的遮光结构62为第二遮光结构622。已知第一挡墙结构311的宽度需要大于第二挡墙结构312的宽度，那么与第一挡墙结构311对应的第一遮光结构621的宽度大于或等于与第二挡墙结构312对应的第二遮光结构622的宽度，有利于在第一遮光结构621的面向第二基板20的一侧设置宽度相对较大的第一挡墙结构311，防止侧向漏光现象。
参考图7所示，为本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图。与图6的区别在于，沿平行于第一基板10的方向上，第一遮光结构621的宽度等于第二遮光结构622的宽度。可以理解，遮光结构的宽度方向与所对应的挡墙结构的宽度方向相同，在此不具体赘述宽度方向和宽度尺寸。
如上所述，第一挡墙结构311的宽度大于第二挡墙结构312的宽度，可以防止侧向漏光。在此基础上，位于挡墙层30上的第一遮光结构621和第二遮光结构622的宽度相同，并未增加与宽度较大的第一挡墙结构311相对的第一遮光结构621的宽度，则在防止侧向漏光的同时，还不会影响显示面板的分辨率，也不会影响蓝色色阻模块所对应的挡墙开口的出光效率。
参考图8所示，为本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图，参考图9所示，为本发明实施例提供的显示面板的局部俯视示意图。如图8和图9所示，可选沿挡墙结构31延伸的方向上，第二遮光结构622关于第一对称基准A1-A2对称，第二挡墙结构312关于第二对称基准B1-B2对称；沿平行于第一基板10的方向上，第一对称基准A1-A2和第二对称基准B1-B2之间具有预设距离。
本实施例中，第二遮光结构622位于第一基板10和第二挡墙结构312之间，其中相对应的第二遮光结构622和第二挡墙结构312的中心不重合。具体的，可选第二遮光结构622关于第一对称基准A1-A2对称，第二挡墙结构312关于第二对称基准B1-B2对称，两者的对称基准不重合。可以理解，两者的对称基准的方向相同，例如均平行于挡墙结构的延伸方向。
可选色阻模块41还包括红色色阻模块R和绿色色阻模块G；沿平行于第一基板10的方向上，第二挡墙结构312位于红色色阻模块R和绿色色阻模块G之间，第二挡墙结构312的第二对称基准B1-B2相对于所对应的第二遮光结构622的第一对称基准A1-A2，远离红色色阻模块R。
本实施例中，第二挡墙结构312的第二对称基准B1-B2远离相邻的红色色阻模块R，而靠近相邻的绿色色阻模块G，则红色色阻模块R所对应的挡墙开口32的空间较大，如此该挡墙开口32内的发光器件的尺寸可以做大，提高显示效果。并且挡墙开口32内发光器件的尺寸越大，功率越低，可以减小功耗。
需要说明的是，第二挡墙结构312的第二对准基准B1-B2远离红色色阻模块R而偏向相邻发光器件时，若增大红色色阻模块R所对应的发光器件的尺寸，那么该发光器件的发光中心位置会与透光开口的中心产生偏移。基于此，第二功能模块612与红色色阻模块R对应设置，第二功能模块612的组成材料包括散射离子和量子点材料，那么红色色阻模块R所对应的尺寸较大的发光器件发出的光线经过第二功能模块612时，其中散射离子的存在可以消弱该发光器件的光线中心偏移问题，提高显示效果。
参考图3所示，可选发光器件50包括第一电极50b、第二电极50c以及与第一电极50b和第二电极50c电连接的发光结构体50a；沿垂直于第一基板10的方向上，发光结构体50a包括面向第一基板10的第一表面；沿平行于第一基板10的方向上，红色色阻模块所对应的发光结构体50a的第一表面面积大于绿色色阻模块所对应的发光结构体50a的第一表面面积，或者，红色色阻模块所对应的发光结构体50a的第一表面面积大于蓝色色阻模块所对应的发光结构体50a的第一表面面积。
本实施例中，红色色阻模块R所对应的发光器件50中，其发光结构体50a的面向第一基板10一侧的表面积较大，可以提高显示效果。并且该发光结构体50a的第一表面面积做大，则其发光功率越低，可以减小功耗。
参考图10所示，为本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图，如图10所示，可选显示面板包括显示区110和非显示区120，显示区110包括呈阵列排布的多个第一显示单元111；第一显示单元111包括沿第一方向顺序排布的3个发光器件，该3个发光器件对应不同颜色的色阻模块41。可选第一方向为X方向。
本实施例中，可选发光器件被配置为发射蓝光，那么每个第一显示单元111的3个发光器件对应配置不同颜色的色阻模块41，可选一个第一显示单元111所对应的3个色阻模块41的颜色排序分别为R，G和B。但在本发明中不限制于此；例如，一个第一显示单元中3个发光器件所对应的3个色阻模块的颜色排序不同于R，G和B，还可以是GRB或其他；或者，一个第一显示单元中包括4个发光器件，该4个发光器件所对应的4个色阻模块的颜色分别为RGBW或RGBY，其色阻模块的颜色排序不限于此。
可以理解，如图10所示可选与蓝色色阻模块B相邻的多个挡墙结构31均为第一挡墙结构311；或者，在其他实施例中，可选与蓝色色阻模块相邻的多个挡墙结构中，至少一个挡墙结构为第一挡墙结构，至少一个挡墙结构为第二挡墙结构。也就是说，第一挡墙结构311与蓝色色阻模块B相邻设置，第二挡墙结构312可以位于红色色阻模块R和绿色色阻模块G之间，在其他实施例中第二挡墙结构也可以与蓝色色阻模块相邻设置。宽度较大的第一挡墙结构311与蓝色色阻模块B相邻设置，更有利于阻挡侧向漏光，减弱相邻发光器件向蓝色色阻模块B所在挡墙开口32内传播的侧向光线，提高显示效果。
参考图11所示，为本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图，如图11所示，可选显示面板包括显示区110和非显示区120，显示区110包括呈阵列排布的多个第二显示单元112；第二显示单元112包括3个发光器件，该3个发光器件对应不同颜色的色阻模块41；其中，第二显示单元112中，两个发光器件位于同一行，且剩余一个发光器件位于相邻行。
本实施例中，可选发光器件被配置为发射蓝光，那么每个第二显示单元112的3个发光器件对应配置不同颜色的色阻模块41。可选第二显示单元112中三个发光器件按照品字形排列，则其所对应的3个色阻模块41按照品字形排列，但在本发明中不限制于此。在其他实施例中，还可选显示面板的像素排布方式不同，在此不再具体示例。可选第二显示单元112中位于同一行的2个发光器件所对应的色阻模块41为G和B，位于相邻行的发光器件所对应的色阻模块41为R。在其他实施例中，还可选位于同一行的2个发光器件所对应的色阻模块为R和G或其他，位于相邻行的发光器件所对应的色阻模块为B或其他，但不限于此。
可以理解，如图11所示可选与蓝色色阻模块B相邻的多个挡墙结构中，至少一个挡墙结构为第一挡墙结构311，至少一个挡墙结构为第二挡墙结构312。在其他实施例中，还可选与蓝色色阻模块相邻的多个挡墙结构均为第一挡墙结构。也就是说，第一挡墙结构311与蓝色色阻模块B相邻设置，第二挡墙结构312可以位于红色色阻模块R和绿色色阻模块G之间，第二挡墙结构312也可以与蓝色色阻模块B相邻设置。宽度较大的第一挡墙结构311与蓝色色阻模块B相邻设置，更有利于阻挡侧向漏光，减弱相邻发光器件向蓝色色阻模块B所在挡墙开口32内传播的侧向光线，可降低漏光造成的串扰现象，提高显示效果。
示例性的，在上述技术方案的基础上，可选至少部分第一挡墙结构的组成材料包括吸光材料。侧向漏光光线进入第一挡墙结构时，会被第一挡墙结构吸收而被减弱；侧向漏光光线进入第一挡墙结构和第二基板之间的缝隙时，也会被第一挡墙结构的宽度限制而无法传播。因此，相邻发光器件的侧向漏光光线经过第一挡墙结构时，基于第一挡墙结构的宽度较大，大部分侧向漏光光线无法穿过第一挡墙结构与第二基板的缝隙，减弱了侧向漏光光线；并且在第一挡墙结构与第二基板的缝隙之间传播时，侧向漏光光线也容易被第一挡墙结构吸收，进一步减弱了侧向漏光光线。最终，只有极其微弱光线或几乎没有侧向漏光光线可以进入蓝色色阻模块所对应的挡墙开口，提高了显示效果。
参考图12所示，为本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图，如图12所示，可选挡墙结构31包括面向第二基板20的第二端；显示面板还包括：至少一个吸光模块71，吸光模块71至少覆盖第一挡墙结构311的第二端。
本实施例中，显示面板还包括至少一个吸光模块71，吸光模块71至少覆盖第一挡墙结构311的第二端，具体的吸光模块71位于第一挡墙结构311和第二基板20之间的缝隙内，并且吸光模块71贴附在第一挡墙结构311的第二端。吸光模块71的组成材料包括吸光材料，可以用于吸收光线。相邻发光器件的侧向漏光光线进入第一挡墙结构311和第二基板20之间的缝隙后，第一挡墙结构311的宽度较大，限制了光线的传播，减弱了光线，同时吸光模块71还吸收缝隙内的光线，进一步减弱光线，因此光线传播距离增加且吸光结构设置，使得侧向漏光光线在第一挡墙结构311和第二基板20之间的缝隙内被大幅消弱，几乎没有侧向漏光光线能够通过第一挡墙结构311与第二基板20的缝隙进入蓝色色阻模块B对应的挡墙开口32内，降低了侧向漏光干扰，提高了显示效果。
参考图13所示，为本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图，如图13所示，可选吸光模块71在第一基板10上的投影覆盖挡墙结构31在第一基板10上的投影。
本实施例中，挡墙结构31与第二基板20之间的缝隙内均设置有吸光模块71。吸光模块71的组成材料包括吸光材料，可以用于吸收光线。任意一个发光器件的侧向漏光光线进入挡墙结构31和第二基板20之间的缝隙时，吸光模块71吸收入射光线，可以减弱光线，使得侧向漏光光线在挡墙结构31和第二基板20之间的缝隙内被大幅消弱，几乎没有侧向漏光光线能够通过挡墙结构31与第二基板20的缝隙进入相邻挡墙开口32内，降低了侧向漏光干扰，提高了显示效果。
参考图14所示，为本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图，如图14所示，可选显示面板还包括：位于第二基板20面向第一基板10一侧的黑矩阵80，黑矩阵80围成多个透光开口，透光开口对应挡墙开口32设置，挡墙层30在第二基板20上的投影覆盖黑矩阵80在第二基板20上的投影。
本实施例中，第二基板20面向第一基板10的一侧设置有黑矩阵80，具体的，黑矩阵80位于挡墙层30和第二基板20之间。黑矩阵80可遮挡光线，那么发光器件的侧向漏光光线进入挡墙结构31和第二基板20之间的缝隙时，会被黑矩阵80遮挡，从而减弱侧向光线传播，降低了侧向漏光干扰，提高了显示效果。
参考图15所示，为本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图，如图15所示，可选显示面板还包括：位于第二基板20面向第一基板10一侧的键合层90，键合层90包括间隔设置的多个第一键合结构901，发光器件50与第一键合结构901电连接；键合层90还包括间隔设置的多个第二键合结构902，第二键合结构902至少位于第二基板20和第一挡墙结构311之间。
本实施例中，第二基板20与挡墙层30之间设置有键合层90，键合层90包括第一键合结构901，发光器件50通过第一键合结构901与第二基板20连通。键合层90还包括间隔设置的多个第二键合结构902，第二键合结构902至少位于第二基板20和第一挡墙结构311之间。第二键合结构902可遮挡光线，那么发光器件50的侧向漏光光线进入挡墙结构31和第二基板20之间的缝隙时，会被第二键合结构902遮挡，从而减弱侧向光线传播，降低了侧向漏光干扰，提高了显示效果。
参考图16所示，为本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图，如图16所示，可选位于第二基板10和第一挡墙结构311之间的第二键合结构902延伸并与蓝色色阻模块B所对应的第一键合结构901连通。
本实施例中，蓝色色阻模块B所对应的第一键合结构901延伸并与相邻第一挡墙结构311下方的第二键合结构902连通，能够进一步遮挡侧向漏光光线，防止发光器件50的侧向漏光光线进入挡墙结构31和第二基板20之间的缝隙内，减弱了侧向光线传播，降低了侧向漏光干扰，提高了显示效果。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括：如上任意实施例所述的显示面板。
本实施例提供的显示装置可以是智能手机、平板等任意一种电子设备。参考图17所示，为本发明实施例提供的一种电子设备的示意图，如图17所示，可选该电子设备1可以是集成了上述任意实施例所述的显示面板的智能手机。
可选该显示装置的显示面板中挡墙结构采用宽窄不同的设计，宽挡墙更有利于将光线的光子吸收，减弱光线的传播。另外，挡墙结构宽度增加，则挡墙结构与第二基板之间的缝隙成为细长狭缝，便于挡墙吸收光线。具体的，蓝色色阻模块相邻的第一挡墙结构的宽度大于其他第二挡墙结构的宽度，那么第一挡墙结构的宽度较大可增加侧向漏光光线在相邻挡墙开口区域之间的传播距离，以此减弱相邻发光器件的侧向漏光光线进入蓝色色阻模块所对应的挡墙开口内，降低漏光串扰风险，提高显示效果。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (19)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
相对设置的第一基板和第二基板；
位于所述第一基板朝向所述第二基板一侧的挡墙层，所述挡墙层包括多个挡墙结构，所述多个挡墙结构围成多个挡墙开口；
位于所述第一基板朝向所述第二基板一侧的色阻层，所述色阻层包括间隔设置的多个色阻模块，所述色阻模块对应所述挡墙开口设置，所述色阻模块包括蓝色色阻模块；
发光器件，对应所述挡墙开口设置，所述发光器件在所述第一基板上的投影与所述挡墙结构在所述第一基板上的投影不交叠；
所述多个挡墙结构包括第一挡墙结构和第二挡墙结构，沿平行于所述第一基板的方向上，所述第一挡墙结构的宽度大于所述第二挡墙结构的宽度；
所述色阻模块还包括红色色阻模块和绿色色阻模块；
沿平行于所述第一基板的方向上，所述第二挡墙结构位于所述红色色阻模块和所述绿色色阻模块之间；
所述发光器件被配置为发射蓝光；
所述蓝色色阻模块相邻的多个挡墙结构均为所述第一挡墙结构；
所述显示面板还包括：位于所述色阻层朝向所述第二基板一侧的第一功能层，所述第一功能层包括间隔设置的多个功能模块；
所述多个功能模块包括第一功能模块和第二功能模块；
所述蓝色色阻模块与所述第一功能模块对应设置，所述第二功能模块与所述红色色阻模块或与所述绿色色阻模块对应设置；
所述第一功能模块的组成材料不包括量子点材料，所述第二功能模块的组成材料还包括量子点材料。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，沿垂直于所述第一基板的方向上，所述挡墙结构包括面向所述第一基板的第一端和面向所述第二基板的第二端；
沿平行于所述第一基板的方向上，所述第一挡墙结构的第一端的宽度大于所述第二挡墙结构的第一端的宽度，所述第一挡墙结构的第二端的宽度大于所述第二挡墙结构的第二端的宽度。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：位于所述第一基板和所述挡墙结构之间的多个遮光结构，所述多个遮光结构围成多个透光开口，所述透光开口对应所述挡墙开口设置；
所述遮光结构在所述第一基板上的投影与所述挡墙结构在所述第一基板上的投影至少部分交叠。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述遮光结构包括第一遮光结构和第二遮光结构，
沿垂直于所述第一基板的方向上，所述第一遮光结构与所述第一挡墙结构至少部分交叠，所述第二遮光结构与所述第二挡墙结构至少部分交叠；
沿平行于所述第一基板的方向上，所述第一遮光结构的宽度大于或等于所述第二遮光结构的宽度。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一遮光结构在所述第一基板上的投影与所述第一挡墙结构在所述第一基板上的投影重叠，所述第二遮光结构在所述第一基板上的投影与所述第二挡墙结构在所述第一基板上的投影重叠。
6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，沿挡墙结构延伸的方向上，所述第二遮光结构关于第一对称基准对称，所述第二挡墙结构关于第二对称基准对称；
沿平行于所述第一基板的方向上，所述第一对称基准和所述第二对称基准之间具有预设距离。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第二挡墙结构的第二对称基准相对于所对应的所述第二遮光结构的第一对称基准，远离所述红色色阻模块。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件包括第一电极、第二电极以及与所述第一电极和所述第二电极电连接的发光结构体；
沿垂直于所述第一基板的方向上，所述发光结构体包括面向所述第一基板的第一表面；
沿平行于所述第一基板的方向上，所述红色色阻模块所对应的发光结构体的第一表面面积大于所述绿色色阻模块所对应的发光结构体的第一表面面积，或者，所述红色色阻模块所对应的发光结构体的第一表面面积大于所述蓝色色阻模块所对应的发光结构体的第一表面面积。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述功能模块对应所述挡墙开口设置，所述功能模块的组成材料包括散射离子；
沿平行于所述第一基板的方向上，所述挡墙结构位于相邻两个所述功能模块之间的间隔中。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述显示区包括呈阵列排布的多个第一显示单元；
所述第一显示单元包括沿第一方向顺序排布的3个所述发光器件，该3个所述发光器件对应不同颜色的色阻模块。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述显示区包括呈阵列排布的多个第二显示单元；
所述第二显示单元包括3个所述发光器件，该3个所述发光器件对应不同颜色的色阻模块；其中，
所述第二显示单元中，两个所述发光器件位于同一行，且剩余一个所述发光器件位于相邻行。
12.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，至少部分所述第一挡墙结构的组成材料包括吸光材料。
13.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述挡墙结构包括面向所述第二基板的第二端；
所述显示面板还包括：至少一个吸光模块，所述吸光模块至少覆盖所述第一挡墙结构的第二端。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，所述吸光模块在所述第一基板上的投影覆盖所述挡墙结构在所述第一基板上的投影。
15.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：位于所述第二基板面向所述第一基板一侧的黑矩阵，所述黑矩阵围成多个透光开口，所述透光开口对应所述挡墙开口设置，所述挡墙层在所述第二基板上的投影覆盖所述黑矩阵在所述第二基板上的投影。
16.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板还包括：位于所述第二基板面向所述第一基板一侧的键合层，所述键合层包括间隔设置的多个第一键合结构，所述发光器件与所述第一键合结构电连接；
所述键合层还包括间隔设置的多个第二键合结构，所述第二键合结构至少位于所述第二基板和所述第一挡墙结构之间。
17.根据权利要求16所述的显示面板，其特征在于，位于所述第二基板和所述第一挡墙结构之间的所述第二键合结构延伸并与所述蓝色色阻模块所对应的第一键合结构连通。
18.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件为微二极管发光器件。
19.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1-18任一项所述的显示面板。
CN202110807724.7A 2021-07-16 2021-07-16 一种显示面板和显示装置 Active CN113571626B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110807724.7A CN113571626B (zh) 2021-07-16 2021-07-16 一种显示面板和显示装置
US17/546,498 US20220102325A1 (en) 2021-07-16 2021-12-09 Display panel and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110807724.7A CN113571626B (zh) 2021-07-16 2021-07-16 一种显示面板和显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113571626A CN113571626A (zh) 2021-10-29
CN113571626B true CN113571626B (zh) 2023-08-11

Family

ID=78165217

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110807724.7A Active CN113571626B (zh) 2021-07-16 2021-07-16 一种显示面板和显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20220102325A1 (zh)
CN (1) CN113571626B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116998251A (zh) * 2022-03-01 2023-11-03 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板、显示基板及其制造方法、显示装置
CN115939297B (zh) * 2022-11-24 2023-08-18 深圳市思坦科技有限公司 显示模组、显示装置及制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111490090A (zh) * 2020-04-30 2020-08-04 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN111769109A (zh) * 2020-06-30 2020-10-13 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN112133734A (zh) * 2020-09-29 2020-12-25 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示面板及显示装置
CN112259006A (zh) * 2020-10-29 2021-01-22 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN112270895A (zh) * 2020-10-29 2021-01-26 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN112614957A (zh) * 2020-12-07 2021-04-06 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN112786760A (zh) * 2020-12-31 2021-05-11 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板、制备方法及显示装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7884900B2 (en) * 2005-05-26 2011-02-08 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Liquid crystal display device with partition walls made of color filter layers as a dam for the light shielding material
CN111584563B (zh) * 2020-05-08 2023-05-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板及显示装置
CN112965293A (zh) * 2021-02-05 2021-06-15 京东方科技集团股份有限公司 一种色转换基板和显示面板

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111490090A (zh) * 2020-04-30 2020-08-04 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN111769109A (zh) * 2020-06-30 2020-10-13 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN112133734A (zh) * 2020-09-29 2020-12-25 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示面板及显示装置
CN112259006A (zh) * 2020-10-29 2021-01-22 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN112270895A (zh) * 2020-10-29 2021-01-26 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN112614957A (zh) * 2020-12-07 2021-04-06 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN112786760A (zh) * 2020-12-31 2021-05-11 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板、制备方法及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN113571626A (zh) 2021-10-29
US20220102325A1 (en) 2022-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102062842B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN113571626B (zh) 一种显示面板和显示装置
US10957744B2 (en) Display device including process key
CN106932928B (zh) 透明显示装置及其制造方法
US11011574B2 (en) Top emission microLED display and bottom emission microLED display and a method of forming the same
JPH118070A (ja) 表示装置
US11758770B2 (en) Display panel and display device with pixel electrode overlapping transparent wires configured to reduce laser-etching damage
EP3316332A1 (en) Display device having a white emitting area
CN113764601A (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
US11482582B2 (en) Display panel and electronic device
CN112820759A (zh) 透明显示面板及包括其的透明显示装置
KR20160063116A (ko) 양면 표시장치 및 그 제조방법
KR20110037817A (ko) 유기 ｅｌ패널 및 패널 접합형 발광장치
CN114355658A (zh) 混接显示装置及拼接显示装置
US20240072201A1 (en) Display panel and preparation method thereof
CN110816075B (zh) 印刷头
CN115996615A (zh) 显示面板和显示装置
US20240160057A1 (en) Spliced display panel and spliced display device
CN115101545A (zh) 显示面板及其驱动基板
KR20200137846A (ko) 표시 장치
CN115295600A (zh) 显示面板及显示装置
US20220013067A1 (en) Pixel driving circuit, display panel and electronic device
KR20170081052A (ko) 패드부 전극 구조 및 이를 갖는 표시 장치
US11903252B2 (en) Display panel and electronic device
KR20140086081A (ko) 유기발광소자표시장치 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant