CN112786760A - 一种显示面板、制备方法及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开一种显示面板、制备方法及显示装置。包括：提供多个微型发光二极管、多个反射挡墙结构、封装盖板和阵列基板；封装盖板包括盖板和位于盖板一侧的透明固定层；阵列基板包括衬底基板和位于衬底基板一侧的导电层；导电层包括多个导电电极；将多个微型发光二极管和多个反射挡墙结构分别转移至封装盖板，且通过透明固定层固定于封装盖板上；至少一个微型发光二极管形成像素单元；反射挡墙结构位于相邻的像素单元之间；将封装盖板与阵列基板对位贴合，其中，贴合方式为封装盖板设置有微型发光二极管的一侧与阵列基板的导电层对位贴合，且导电电极和微型发光二极管一一对应电连接；其中，盖板复用为显示面板的封装层。

Description

一种显示面板、制备方法及显示装置
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、制备方法及显示装置。
背景技术
目前，微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)显示面板因其亮度高、工作电压低、功耗小、寿命长、耐冲击和性能稳定等优点日益受到显示市场的关注。
现有技术中在制备Micro LED显示面板时，会在相邻Micro LED之间设置挡墙结构，以防止相邻Micro LED发出的光线之间的相互串扰。但是在制备挡墙结构时，挡墙结构的制备工艺和/或高度设置又会对Micro LED产生新的影响，进而影响Micro LED的正常发光。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种显示面板、制备方法及显示装置，以解决现有技术中挡墙结构的制备工艺和/或高度设置会对微型发光二极管产生新的影响，进而影响微型发光二极管正常发光的问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板的制备方法，该显示面板的制备方法包括：
提供多个微型发光二极管、多个反射挡墙结构、封装盖板和阵列基板；所述封装盖板包括盖板和位于所述盖板一侧的透明固定层；所述阵列基板包括衬底基板和位于所述衬底基板一侧的导电层；所述导电层包括多个导电电极；
将多个所述微型发光二极管和多个所述反射挡墙结构分别转移至所述封装盖板，且通过所述透明固定层固定于所述封装盖板上；至少一个所述微型发光二极管形成像素单元；所述反射挡墙结构位于相邻的所述像素单元之间；
将所述封装盖板与所述阵列基板对位贴合，其中，贴合方式为所述封装盖板设置有所述微型发光二极管的一侧与所述阵列基板的导电层对位贴合，且所述导电电极和所述微型发光二极管一一对应电连接；
其中，所述盖板复用为所述显示面板的封装层。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，该显示面板包括：至少一个子面板；
所述子面板包括：封装盖板和阵列基板；所述封装盖板和所述阵列基板相对设置；
所述封装盖板包括：
盖板；
透明固定层，位于盖板的一侧；以及
多个微型发光二极管和多个反射挡墙结构，通过所述透明固定层固定于所述封装盖板上；其中，至少一个所述微型发光二极管形成像素单元；所述反射挡墙结构位于相邻的所述像素单元之间；
所述阵列基板包括：
衬底基板；
导电层，位于衬底基板的一侧；所述导电层包括多个导电电极；所述导电电极和所述微型发光二极管一一对应电连接。
第三方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括第二方面所述的显示面板。
本发明实施例提供的显示面板、制备方法及显示装置，通过将已经制备好的微型发光二极管和反射挡墙结构分别转移至封装盖板，然后将设置有微型发光二极管和反射挡墙结构的封装盖板设置于阵列基板上，其中，封装盖板中的盖板即为显示面板的封装层，相比于现有技术，本实施例提供的显示面板的制备方法，反射挡墙结构设置为任何高度均不会影响微型发光二极管的绑定；且由于反射挡墙结构和微型发光二极管是一起设置在阵列基板上的，所以也不会存在制备反射挡墙结构时的工艺影响已经绑定好的微型发光二极管制程良率的问题。此外，本发明实施例提供的封装盖板既可以作为设置微型发光二极管和反射挡墙结构的承载基板，同时形成显示面板后，还可以作为显示面板的封装结构，无需单独设置封装结构，简化工艺步骤，节约显示面板的制作成本；且本实施例提供的反射挡墙结构具有反射功能，可以对微型发光二极管发出的光线进行反射，提高微型发光二极管所在子像素的出光效率。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图；
图2是本发明实施例提供的一种多个微型发光二极管的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种多个反射挡墙结构的俯视结构示意图；
图4是本发明实施例提供的又一种多个反射挡墙结构的俯视结构示意图；
图5是本发明实施例提供的又一种多个反射挡墙结构的俯视结构示意图；
图6是本发明实施例提供的一种两组不同反射挡墙结构的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的一种封装盖板的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图9是本发明实施例提供的一种微型发光二极管和反射挡墙结构转移到封装盖板后的结构示意图；
图10是本发明实施例提供的一种微型发光二极管和反射挡墙结构转移到封装盖板后的俯视结构示意图；
图11是本发明实施例提供的又一种微型发光二极管和反射挡墙结构转移到封装盖板后的俯视结构示意图；
图12是本发明实施例提供的又一种微型发光二极管和反射挡墙结构转移到封装盖板后的结构示意图；
图13是本发明实施例提供的一种封装盖板和阵列基板对位贴合后的结构示意图；
图14是本发明实施例提供的一种形成显示面板后的结构示意图；
图15是本发明实施例提供的一种微型发光二极管和反射挡墙结构转移到封装盖板的制备流程的结构示意图；
图16是本发明实施例提供的又一种微型发光二极管和反射挡墙结构转移到封装盖板的制备流程的结构示意图；
图17是本发明实施例提供的又一种封装盖板的结构示意图；
图18是本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图19是本发明实施例提供的一种反射固定结构的俯视结构示意图；
图20是本发明实施例提供的又一种封装盖板与阵列基板对位贴合后的结构示意图；
图21是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图22是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图23是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图24是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图25是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图26是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图27是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将结合本发明实施例中的附图，通过具体实施方式，完整地描述本发明的技术方案。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例，均落入本发明的保护范围之内。
在制备Micro LED显示面板时，会在相邻Micro LED之间设置挡墙结构，以防止相邻Micro LED发出光线之间的相互串扰。然而，如果先制备挡墙结构，后绑定Micro LED，则挡墙结构的高度不能设置的太高，否则会影响Micro LED的绑定；若先绑定Micro LED，后制备挡墙结构，则制备挡墙结构时的工艺可能会影响已经绑定好的Micro LED制程良率，影响Micro LED的正常发光，进而影响显示面板的显示效果。
有鉴于背景技术的问题，本发明实施例提供了一种显示面板的制备方法，该显示面板的制备方法包括：提供多个微型发光二极管、多个反射挡墙结构、封装盖板和阵列基板；封装盖板包括盖板和位于盖板一侧的透明固定层；阵列基板包括衬底基板和位于衬底基板一侧的导电层；导电层包括多个导电电极；将多个微型发光二极管和多个反射挡墙结构分别转移至封装盖板，且通过透明固定层固定于封装盖板上；至少一个微型发光二极管形成像素单元；反射挡墙结构位于相邻的像素单元之间；将封装盖板与阵列基板对位贴合，其中，贴合方式为封装盖板设置有微型发光二极管的一侧与阵列基板的导电层对位贴合，且导电电极和微型发光二极管一一对应电连接；其中，盖板复用为显示面板的封装层。
采用上述技术方案，由于微型发光二极管和反射挡墙结构分别转移至封装盖板后，再对微型发光二极管进行绑定，反射挡墙结构设置为任何高度均不会影响微型发光二极管的绑定；且由于反射挡墙结构和微型发光二极管是一起设置在阵列基板上，所以也不会存在制备反射挡墙结构的工艺影响已经绑定好的微型发光二极管制程良率的问题。此外，本发明实施例提供的封装盖板既可以作为设置微型发光二极管和反射挡墙结构的承载基板，同时形成显示面板后，还可以作为显示面板的封装结构，无需单独设置封装结构，简化工艺步骤，节约显示面板的制作成本；且本实施例提供的反射挡墙结构具有反射功能，可以对微型发光二极管发出的光线进行反射，提高微型发光二极管所在子像素的出光效率。
以上是本发明的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其它实施例，都属于本发明实施例保护的范围。
需要说明的是，本发明实施例提供的微型发光二极管可以为垂直结构的微型发光二极管，也可以为横向结构的微型发光二极管，本领域技术人员可根据实际情况进行选择，本实施例不进行具体限定。为方便解释说明，下述实施例中均以微型发光二极管为横向结构的微型发光二极管为例进行说明。
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法，如图1所示，本发明实施例提供的显示面板的制备方法，包括：
S110、提供多个微型发光二极管、多个反射挡墙结构、封装盖板和阵列基板；封装盖板包括盖板和位于盖板一侧的透明固定层；阵列基板包括衬底基板和位于衬底基板一侧的导电层；导电层包括多个导电电极。
其中，图2是本发明实施例提供的多个微型发光二极管的结构示意图，如图2所示，多个微型发光二极管10例如可以包括不同颜色的微型发光二极管10，不同颜色的微型发光二极管10例如可以包括红色微型发光二极管11、绿色微型发光二极管12和蓝色微型发光二极管13。
多个反射挡墙结构20的形状可以根据实际情况进行设置，本实施例不做具体限定。例如，图3是本发明实施例提供的一种多个反射挡墙结构的俯视结构示意图，如图3所示，每个反射挡墙结构20的形状为条形体结构，条形体结构例如可以为长方体或棱台体等。后续在封装盖板上设置微型发光二极管10和反射挡墙结构20时，可以是相邻的微型发光二极管10之间设置一个条形体结构的反射挡墙结构20。图4是本发明实施例提供的又一种多个反射挡墙结构的俯视结构示意图，如图4所示，每个反射挡墙结构20的形状为环形结构，后续在封装盖板上设置微型发光二极管10和反射挡墙结构20时，可以是一个反射挡墙结构20环绕一个微型发光二极管10。图5是本发明实施例提供的又一种多个反射挡墙结构的俯视结构示意图，如图5所示，每个反射挡墙结构20的形状也为环形结构，与图4不同的是，后续在封装盖板上设置微型发光二极管10和反射挡墙结构20时，可以是一个反射挡墙结构20环绕一个像素单元，其中，该像素单元例如可以包括红色微型发光二极管11、绿色微型发光二极管12和蓝色微型发光二极管13。
此外，还可以根据不同颜色的微型发光二极管10的视觉色亮度不同或者反射挡墙结构20对不同颜色光的透过率不同等因素单独设置反射挡墙结构20，即不同颜色的微型发光二极管10对应的反射挡墙结构20的高度、角度和厚度中的至少一种不同，后续形成显示面板后，以使每个子像素的出光效率基本趋于一致，提高显示面板的显示效果。示例性的，图6是本发明实施例提供的一种两组不同反射挡墙结构的结构示意图，图6中的两组反射挡墙结构20的高度H相同，厚度W以及角度β不同。由于反射挡墙结构20的绿光透过率较高，而红光和蓝光的透过率很低，所以，与绿色微型发光二极管12邻近设置的反射挡墙结构20的厚度可以更厚，即在转移反射挡墙结构20到封装盖板时，与绿色微型发光二极管相邻的反射挡墙结构20可以设置图6厚度W较大的反射挡墙结构20(图6中下方的反射挡墙结构)，与红色微型发光二极管11和蓝色微型发光二极管13相邻的反射挡墙结构20图6中厚度W较小的反射挡墙结构20。相比于现有技术在阵列基板上采用同一工艺制备挡墙结构，本实施例中的反射挡墙结构的形状可以更灵活。
可以理解的是，反射挡墙结构20的材料可以根据实际情况进行设置，本实施例不做限定，只要具有反射的功能即可，例如可以颜色为白色的反射挡墙结构，如此，在后续形成显示面板时，通过反射挡墙结构对微型发光二极管发出的光线进行反射，提高微型发光二极管所在子像素的出光效率。
图7是本发明实施例提供的一种封装盖板的结构示意图，如图7所示，封装盖板30包括盖板31和透明固定层32。封装盖板30中的透明固定层32的材料例如可以为透明固化胶，透明固化胶例如可以包括两液混合硬化胶、光敏胶、紫外光固化胶或热固化胶中的至少一种。需要说明的是，透明固定层32的材料包括但不限于上述示例，只要不影响微型发光二极管10的显示，且可以将微型发光二极管10和反射挡墙结构20固定于封装盖板30上即可。
图8是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，如图8所示，阵列基板40包括衬底基板41和位于衬底基板41一侧的导电层42，其中导电层42包括多个导电电极421。可以根据微型发光二极管10的类型设置导电电极421，图8是当微型发光二极管10为横向结构的微型发光二极管时设置的导电电极421，即导电电极421包括第一导电电极422和第二导电电极423，后续分别与微型发光二极管10的第一电极和第二电极电连接。此外，可以根据显示面板的类型设置阵列基板40，当制备形成的显示面板为有源矩阵发光二极管显示面板时，阵列基板40中还设置有多个像素电路(图中未示出)，通过像素电路控制与其对应的微型发光二极管的点亮，在能够实现上述功能的前提下，本发明实施例对像素电路的具体结构不做具体限定；当显示面板的类型为无源矩阵发光二极管显示面板时，可以按行、按列或单独驱动各微型发光二极管，具体驱动方式，本发明实施例不做具体限定。其中，图8以显示面板的类型为无源矩阵发光二极管显示面板时阵列基板40的结构为例进行的说明。
S120、将多个微型发光二极管和多个反射挡墙结构分别转移至封装盖板，且通过透明固定层固定于封装盖板上；至少一个微型发光二极管形成像素单元；反射挡墙结构位于相邻的像素单元之间。
其中，图9是本发明实施例提供的一种微型发光二极管和反射挡墙结构转移到封装盖板后的结构示意图。如图9所示，例如可以采用巨量转移工艺将多个微型发光二极管10以及反射挡墙结构20转移至透明固定层32中，通过透明固定层32将微型发光二极管10和反射挡墙结构20固定于封装盖板30中。
由前述内容可知，在设置反射挡墙结构20时，是根据实际情况进行设置的，例如可以为环形结构的反射挡墙结构20或条形体结构的反射挡墙结构20等，所以在将反射挡墙结构20转移至封装盖板30后，微型发光二极管10和反射挡墙结构20的位置关系也是多样的。示例性的，图10是本发明实施例提供的一种微型发光二极管和反射挡墙结构转移到封装盖板后的俯视结构示意图，如图10所示，三个不同颜色的微型发光二极管10形成像素单元，其中，三个不同颜色的微型发光二极管10分别为红色微型发光二极管11、绿色微型发光二极管12和蓝色微型发光二极管13，反射挡墙结构20位于相邻的像素单元之间。当反射挡墙结构20为图5所示的环形反射挡墙结构20时，一个环形反射挡墙结构20环绕一个像素单元；也可以采用图3中的条形体反射挡墙结构20拼接形成图5所示的环形反射挡墙结构20。当一个环形反射挡墙结构20环绕一个像素单元，即反射挡墙结构20的数量较少，后续形成显示面板时，可以增加显示面板的分辨率。再如，图11是本发明实施例提供的又一种微型发光二极管和反射挡墙结构转移到封装盖板后的俯视结构示意图，如图11所示，一个微型发光二极管10对应一个反射挡墙结构20，即反射挡墙结构20位于相邻的微型发光二极管10之间。当反射挡墙结构20为图4所示的环形反射挡墙结构20时，一个环形反射挡墙结构20环绕一个微型发光二极管10；也可以采用图3所示的条形体反射挡墙结构20拼接形成图4所示的环形反射挡墙结构20。一个环形反射挡墙结构20环绕一个微型发光二极管10可以提高每个微型发光二极管10所在子像素的出光效率，进而提高显示面板的显示效果。
由前述内容可知，可以根据不同颜色的微型发光二极管10的视觉色亮度不同或者反射挡墙结构20对不同颜色光的透过率不同等因素单独设置反射挡墙结构20。示例性的，图12是本发明实施例提供的又一种微型发光二极管和反射挡墙结构转移到封装盖板后的结构示意图，如图12所示，与绿色微型发光二极管12相邻的反射挡墙结构20可以设置图6厚度W较大的反射挡墙结构20(图6中下方的反射挡墙结构)，与红色微型发光二极管11和蓝色微型发光二极管13相邻的反射挡墙结构20图6中厚度W较小的反射挡墙结构20，如此，使得绿色微型发光二极管12所在的子像素与红色微型发光二极管11所在的子像素的出光效率基本趋于一致，提高显示面板的显示效果。
S130、将封装盖板与所述阵列基板对位贴合，其中，贴合方式为封装盖板设置有微型发光二极管的一侧与阵列基板的导电层对位贴合，且导电电极和微型发光二极管一一对应电连接；其中，盖板复用为显示面板的封装层。
其中，图13是本发明实施例提供的一种封装盖板和阵列基板对位贴合后的结构示意图。如图13所示，封装盖板30和阵列基板40对位贴合，使得封装盖板30中的微型发光二极管10和阵列基板40的导电电极421电连接，以后续为微型发光二极管10传输信号使其发光。例如，当微型发光二极管10为横向微型发光二极管时，封装盖板30与阵列基板40对位贴合时，导电电极421中的第一导电电极422与横向结构的微型发光二极管10的第一电极电连接，该导电电极421中的第二导电电极423与横向微型发光二极管10的第二电极电连接。通过第一导电电极422向微型发光二极管10的第一电极提供阳极信号，通过第二导电电极423向微型发光二极管10的第二电极提供阴极信号，并在阳极信号和阴极信号的驱动下进行发光。
对位贴合完成后，无需单独设置封装结构，直接采用封装盖板30中的盖板31作为显示面板的封装层，保护微型发光二极管10，防止外界的水氧对微型发光二极管10的侵蚀。
可选的，将封装盖板和阵列基板对位贴合后形成子面板；显示面板的制备方法还包括：形成多个子面板；将多个子面板拼接形成显示面板。
示例性的，图14是本发明实施例提供的一种形成显示面板后的结构示意图，如图14所示，当显示面板1000的尺寸较大时，封装盖板30和阵列基板40对位贴合后形成子面板100，可通过将多个子面板100进行拼接形成显示面板1000。
当显示面板的尺寸较小时，封装盖板30和阵列基板40对位贴合后形成显示面板母板，切割显示面板母板，以形成尺寸较小的显示面板。
当显示面板的尺寸与封装盖板30和阵列基板40贴合后的尺寸相同时，则无需进行拼接和切割即可形成显示面板。
综上，本发明实施例提供的显示面板的制备方法，由于微型发光二极管和反射挡墙结构分别转移至封装盖板后，再对微型发光二极管进行绑定，反射挡墙结构设置为任何高度均不会影响微型发光二极管的绑定；且由于反射挡墙结构和微型发光二极管是一起设置在阵列基板上的，所以也不会存在制备反射挡墙结构的工艺影响已经绑定好的微型发光二极管制程良率的问题。此外，本发明实施例提供的封装盖板既可以作为设置微型发光二极管和反射挡墙结构的承载基板，同时形成显示面板后，还可以作为显示面板的封装结构，无需单独设置封装结构，简化工艺步骤，节约显示面板的制作成本；且本实施例提供的反射挡墙结构具有反射功能，可以对微型发光二极管发出的光线进行反射，提高微型发光二极管所在子像素的出光效率。
步骤S120中，将多个微型发光二极管和多个反射挡墙结构分别转移至封装盖板，且通过透明固定层固定于封装盖板上的方式有多种，下面将结合典型示例进行说明，下述实施例不构成对本申请的限定。
可选的，透明固定层包括透明固化胶；将多个微型发光二极管和多个反射挡墙结构分别转移至封装盖板，且通过透明固定层固定于封装盖板上，具体包括：将多个微型发光二极管和多个反射挡墙结构分别转移至透明固化胶内；对透明固化胶进行第一次固化；沿垂直于盖板的方向上，移动微型发光二极管和反射挡墙结构；对透明固化胶进行第二次固化，以使微型发光二极管和反射挡墙结构固定于封装盖板上。
图15是本发明实施例提供的一种微型发光二极管和反射挡墙结构转移到封装盖板的制备流程的结构示意图，如图15所示，将多个微型发光二极管10和多个反射挡墙结构20分别转移至透明固定胶321的指定位置后，对透明固定胶321进行第一次固化，以使微型发光二极管10和反射挡墙结构20在透明固定胶321中的位置相对稳定，防止后续移动微型发光二极管10和反射挡墙结构20时，微型发光二极管10和反射挡墙结构20在平行于盖板31所在平面的方向上位置发生偏移。由于转移完成后微型发光二极管10和反射挡墙结构20的位置可能不是预设位置，所以对透明固定胶321进行第一次固化之后，例如可以利用盖板或压头等结构，在沿垂直于盖板31的方向上，移动微型发光二极管10和反射挡墙结构20，以使微型发光二极管10和反射挡墙结构20达到预设位置，预设位置例如可以为微型发光二极管10背离盖板31一侧的第二表面、反射挡墙结构20背离盖板31一侧的第三表面与透明固定胶321背离盖板31一侧的第一表面齐平，反射挡墙结构20靠近盖板31一侧的表面与盖板31接触。然后再对透明固化胶321进行第二次固化，以使微型发光二极管10和反射挡墙结构20固定于封装盖板30。
通过上述方法，使得透明固定胶321背离盖板31一侧的第一表面与微型发光二极管10背离盖板31一侧的第二表面齐平，当封装盖板30与阵列基板40对位贴合时，有利于微型发光二极管10和阵列基板40中的导电电极421的电连接。
可选的，透明固定层包括透明固化胶；将多个微型发光二极管和多个反射挡墙结构分别转移至封装盖板，且通过透明固定层固定于封装盖板上，具体包括：将多个微型发光二极管转移到透明固化胶内；沿垂直于盖板的方向上，移动多个微型发光二极管；将多个反射挡墙结构转移到透明固化胶内；沿垂直于盖板的方向上，移动多个反射挡墙结构。
图16是本发明实施例提供的又一种微型发光二极管和反射挡墙结构转移到封装盖板的制备流程的结构示意图，如图16所示，先将多个微型发光二极管10转移到透明固化胶321内，然后对透明固化胶321进行第一次固化。在对透明固化胶321进行第一次固化时，例如可以在盖板31背离透明固化胶321的一侧设置掩膜板50，使得UV光只对设置微型发光二极管10区域的透明固化胶321进行固化，而后续设置反射挡墙结构20区域的透明固定胶321不进行固化。然后沿垂直于盖板31的方向上，例如可以使用压头或盖板等结构移动多个微型发光二极管10，以使其在预设位置，此时的预设位置例如为微型发光二极管10背离盖板31一侧的第二表面与透明固定胶321背离盖板31一侧的第一表面齐平；或者，沿垂直于盖板31的方向上，第一表面位于第二表面靠近盖板31的一侧。然后，将反射挡墙结构20转移到未固化的透明固化胶321内，然后移动多个反射挡墙结构20，以使其达到预设位置，此时的预设位置例如为反射挡墙结构20靠近盖板31一侧的表面与盖板31接触。然后在对所有的透明固化胶321进行第二次固化，以使微型发光二极管10和反射挡墙结构20固定于封装盖板30内。
上述方法中，当透明固定胶321背离盖板31一侧的第一表面位于微型发光二极管10背离盖板31一侧的第二表面靠近盖板31的一侧时，即微型发光二极管10相对于透明固定胶321为一凸起结构，如此，可以防止在转移反射挡墙结构20时，反射挡墙结构20对应位置处的透明固化胶溢出而对微型发光二极管10遮挡，进而影响后续微型发光二极管10与导电电极421的电连接的问题。
此外，通过上述方法，可以使得微型发光二极管10背离盖板31一侧的第二表面和反射挡墙结构20背离盖板31一侧的第三表面不齐平，例如，沿垂直于盖板31的方向上，第三表面位于第二表面背离盖板31的一侧。如此，在后续形成显示面板后，可以防止相邻不同颜色的微型发光二极管10之间光串扰。
通过上述两种方式可实现将多个微型发光二极管和多个反射挡墙结构分别转移至封装盖板，且通过透明固定层固定于封装盖板上，方法简单且实用性高。
可选的，提供封装盖板，具体包括：提供盖板；在盖板上形成遮光层；遮光层包括多个开口结构；在遮光层背离盖板的一侧设置色阻层，其中，色阻层包括多个不同颜色的色阻块；色阻块在盖板所在平面的垂直投影与开口结构在盖板所在平面的垂直投影至少部分交叠；在色阻层背离盖板的一侧形成透明固定层。
其中，图17是本发明实施例提供的又一种封装盖板的结构示意图，如图17所示，在盖板31上形成遮光层60，遮光层60包括多个开口结构61；在遮光层60背离盖板31的一侧设置色阻层70，其中，色阻层70包括多个不同颜色的色阻块71；色阻块71在盖板所在平面的垂直投影与开口结构61在盖板31所在平面的垂直投影至少部分交叠；在色阻层70背离盖板31的一侧形成透明固定层32。即在制备封装盖板30时制备遮光层60和色阻层70，而非在绑定好微型发光二极管10之后，再制备遮光层60和色阻层70，然后再进行微型发光二极管10的转移和微型发光二极管10和阵列基板40中导电电极421的电连接，如此，相比于现有技术避免了制备遮光层60和色阻层70等工艺对已经绑定好的微型发光二极管的制程良率造成影响，进而影响微型发光二极管10的发光性能的问题。
可选的，阵列基板还包括位于阵列基板一侧，且与导电层同侧的多个反射固定结构；将封装盖板与阵列基板对位贴合，具体包括：将封装盖板与阵列基板对位贴合，反射挡墙结构嵌套于反射固定结构内；其中，贴合方式为封装盖板设置有微型发光二极管的一侧与阵列基板的导电层对位贴合，且导电电极和微型发光二极管一一对应电连接。
其中，图18是本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，图19是本发明实施例提供的一种反射固定结构的结构示意图，如图18和图19所示，阵列基板40还包括反射固定结构43，反射固定结构43例如为环形结构，本实施例不对反射固定结构43的具体形状进行限定，例如可以为圆环形(如图19)或多边环形等。图20是本发明实施例提供的又一种封装盖板与阵列基板对位贴合后的结构示意图，如图20所示，当封装盖板30与阵列基板40对位贴合时，反射挡墙结构20嵌套于反射固定结构43内。本实施例通过设置反射固定结构43，一方面当封装盖板30和阵列基板40进行贴合时，通过反射固定结构43实现定位；第二方面，防止不同颜色相邻的微型发光二极管10发出的光线从靠近衬底基板41的一侧漏光，而造成光线的串扰。
本发明实施例还提供了一种显示面板，该显示面板与上述各实施例的显示面板的制备方法属于同一发明构思，在显示面板的实施例中未详尽描述的细节内容，可以参考上述显示面板的制备方法的实施例。且下述实施例中的多个微型发光二极管均为横向结构的微型发光二极管；横向结构的微型发光二极管包括第一电极、发光结构和第二电极；第一电极和第二电极位于发光结构的同一侧。图21是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，如图21所示，本发明实施例提供的显示面板包括：至少一个子面板100；子面板100包括：封装盖板30和阵列基板40；封装盖板30和阵列基板40相对设置；封装盖板30包括：盖板31；透明固定层32，位于盖板31的一侧；以及多个微型发光二极管10和多个反射挡墙结构20，通过透明固定层32固定于封装盖板30上；其中，至少一个微型发光二极管10形成像素单元；反射挡墙结构20位于相邻的像素单元之间；阵列基板40包括：衬底基板41；导电层42，位于衬底基板41的一侧；导电层42包括多个导电电极421；导电电极421和微型发光二极管10一一对应电连接。
具体的，在制备显示面板1000时，由于微型发光二极管10和反射挡墙结构20分别转移至封装盖板30后，再对微型发光二极管10进行绑定，所以本发明实施例提供的显示面板1000中的反射挡墙结构20可以为任何高度，均不会影响微型发光二极管10的绑定。且由于反射挡墙结构20和微型发光二极管10是一起设置在阵列基板40上的，所以也不会存在制备反射挡墙结构的工艺影响已经绑定好的微型发光二极管制程良率的问题。此外，本发明实施例提供的封装盖板40既可以作为设置微型发光二极管10和反射挡墙结构20的承载基板，又可以作为显示面板1000的封装结构，无需单独设置封装结构，简化工艺步骤，节约显示面板的制作成本；且本实施例提供的反射挡墙结构20具有反射功能，可以对微型发光二极管10发出的光线进行反射，提高微型发光二极管10所在子像素的出光效率。
可选的，继续参见图21，微型发光二极管10包括靠近衬底基板41一侧的第二表面14；反射挡墙结构20包括靠近衬底基板41一侧的第三表面21；沿垂直于衬底基板41的方向上，第三表面21位于第二表面14靠近衬底基板41的一侧。如此，可以防止相邻不同颜色的微型发光二极管10之间光串扰。
继续参见图21，反射挡墙结构20背离衬底基板41一侧的第四表面22在衬底基板41所在平面的垂直投影位于反射挡墙结构20靠近衬底基板41一侧的第三表面21在衬底基板41所在平面的垂直投影内。这样设置的好处在于，通过反射挡墙结构20将更多的微型发光二极管10发出的光线进行反射，有利于提高微型发光二极管10所在子像素的出光效率。
可选的，图22是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图22所示，沿垂直于衬底基板41的方向上，透明固定层32包括靠近衬底基板41一侧的第一表面322；微型发光二极管10包括靠近衬底基板41一侧的第二表面14；第一表面322和第二表面14齐平。如此，在制备形成显示面板1000的过程中，有利于微型发光二极管10和阵列基板40中的导电电极421的电连接。
可选的，图23是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图23所示，沿垂直于衬底基板41的方向上，透明固定层32包括靠近衬底基板41一侧的第一表面322；微型发光二极管10包括靠近衬底基板41一侧的第二表面14；沿垂直于衬底基板41的方向上，第二表面14位于第一表面322靠近衬底基板41的一侧。如此，在制备形成显示面板1000的过程中，可以防止在转移反射挡墙结构20时，反射挡墙结构20对应位置处的透明固化胶溢出而对微型发光二极管10遮挡，进而影响后续微型发光二极管10与导电电极421电连接的问题。
可选的，图24是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图24所示，还包括：遮光层60，位于反射挡墙结构20远离衬底基板41一侧；遮光层60包括多个开口结构61；色阻层70，位于微型发光二极管10远离衬底基板11的一侧；色阻层70包括多个不同颜色的色阻块71；色阻块71在衬底基板41所在平面的垂直投影与开口结构61在衬底基板41所在平面的垂直投影至少部分交叠。由于可以是在制备封装盖板30时制备遮光层60和色阻层70，而非在绑定好微型发光二极管10之后，再制备遮光层60和色阻层70，然后再进行微型发光二极管10的转移和微型发光二极管10和阵列基板40中导电电极421的电连接，如此，相比于现有技术避免了制备遮光层60和色阻层70等工艺对已经绑定好的微型发光二极管10的制程良率造成影响，进而影响微型发光二极管10的发光性能的问题。
可选的，图25是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图25所示，显示面板1000包括阵列排布的多个像素单元14，每个像素单元14包括多个微型发光二极管10；同一像素单元14中，微型发光二极管10与反射挡墙结构20依次间隔设置；每个像素单元14中的多个微型发光二极管10包括发光颜色为第一颜色的第一微型发光二极管11和发光颜色为第二颜色的第二微型发光二极管12；同一像素单元14中，反射挡墙结构20包括第一反射挡墙结构23和第二反射挡墙结构24；沿第一微型发光二极管11指向第二微型发光二极管12的方向上，第一反射挡墙结构23至少部分遮挡第一微型发光二极管11，以及第二反射挡墙结构24至少部分遮挡第二微型发光二极管12；第一反射挡墙结构23和第二反射挡墙结构24中的高度H、反射角β或宽度S中的至少一个不同；其中，高度H为沿垂直于衬底基板41方向上，反射挡墙结构20靠近衬底基板41一侧的第三表面21和背离衬底基板41一侧的第四表面22之间的距离；反射角为第五表面25与第三表面21之间的夹角，第五表面25为连接第三表面21和第四表面22的表面；宽度S为沿平行于衬底基板41所在平面的方向，微型发光二极管10到反射挡墙结构20之间的距离。
考虑到不同颜色的微型发光二极管10的视觉色亮度不同或者反射挡墙结构20对不同颜色光的透过率不同等因素所以本实施例中的反射挡墙结构20根据实际情况进行转移，即显示面板1000中的多个反射挡墙结构20中的形貌不同，例如，反射挡墙结构20之间高度H、反射角β或宽度S中的至少一个不同，通过不同的反射挡墙结构20对不同颜色的微型发光二极管10发出的光线进行反射，以使每个微型发光二极管10所在子像素的出光效率基本一致，提高显示面板的显示效果。
需要说明的是，图25仅以第一反射挡墙结构23和第二反射挡墙结构24的反射角β不同为例进行说明。
可选的，图26是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，如图26所示，阵列基板40还包括位于衬底基板41一侧，且与导电层42同侧的多个反射固定结构43；反射挡墙结构20嵌套于反射固定结构43内。反射固定结构43例如为环形结构，本实施例不对反射固定结构43的具体形状进行限定，例如可以为圆环形或多边环形等。通过设置反射固定结构43，一方面当封装盖板30和阵列基板40进行贴合时，通过反射固定结构43实现定位；第二方面，防止不同颜色相邻的微型发光二极管10发出的光线从靠近衬底基板41的一侧漏光，而造成光线的串扰。
本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述实施方式提供的任一种显示面板。示例性的，如图27所示，该显示装置1001包括显示面板1000。因此，该显示装置也具有上述实施方式中的显示面板所具有的有益效果，相同之处可参照上文对显示面板的解释说明进行理解，下文不再赘述。
本发明实施例提供的显示装置1001可以为图27所示的手机，也可以为任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于以下类别：电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、工控设备、医用显示屏、触摸交互终端等，本发明实施例对此不作特殊限定。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (18)

1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供多个微型发光二极管、多个反射挡墙结构、封装盖板和阵列基板；所述封装盖板包括盖板和位于所述盖板一侧的透明固定层；所述阵列基板包括衬底基板和位于所述衬底基板一侧的导电层；所述导电层包括多个导电电极；
将多个所述微型发光二极管和多个所述反射挡墙结构分别转移至所述封装盖板，且通过所述透明固定层固定于所述封装盖板上；至少一个所述微型发光二极管形成像素单元；所述反射挡墙结构位于相邻的所述像素单元之间；
将所述封装盖板与所述阵列基板对位贴合，其中，贴合方式为所述封装盖板设置有所述微型发光二极管的一侧与所述阵列基板的导电层对位贴合，且所述导电电极和所述微型发光二极管一一对应电连接；
其中，所述盖板复用为所述显示面板的封装层。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，将所述封装盖板和所述阵列基板对位贴合后形成子面板；
所述显示面板的制备方法还包括：
形成多个所述子面板；
将多个所述子面板拼接形成显示面板。
3.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，提供封装盖板，具体包括：
提供盖板；
在所述盖板上形成遮光层；所述遮光层包括多个开口结构；
在所述遮光层背离所述盖板的一侧设置色阻层，其中，所述色阻层包括多个不同颜色的色阻块；所述色阻块在所述盖板所在平面的垂直投影与所述开口结构在所述盖板所在平面的垂直投影至少部分交叠；
在所述色阻层背离所述盖板的一侧形成透明固定层。
4.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述微型发光二极管包括横向结构的微型发光二极管；所述横向结构的微型发光二极管包括第一电极、发光结构和第二电极；所述第一电极和所述第二电极位于所述发光结构的同一侧；
提供阵列基板，具体包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板一侧形成导电层；其中，所述导电层包括多个导电电极，所述导电电极包括第一导电电极和第二导电电极；
将所述封装盖板与所述阵列基板对位贴合，其中，所述贴合方式为所述封装盖板设置有所述微型发光二极管的一侧与所述阵列基板的导电层对位贴合，且所述导电电极和所述微型发光二极管一一对应电连接，具体包括：
将所述封装盖板与所述阵列基板对位贴合，其中，所述贴合方式为所述封装盖板设置有微型发光二极管的一侧与所述阵列基板的导电层对位贴合，且所述第一导电电极和所述横向结构的微型发光二极管的第一电极电连接，所述第二导电电极和所述横向结构的微型发光二极管的第二电极电连接。
5.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述透明固定层包括透明固化胶；
将多个所述微型发光二极管和多个所述反射挡墙结构分别转移至所述封装盖板，且通过所述透明固定层固定于所述封装盖板上，具体包括：
将多个所述微型发光二极管和多个所述反射挡墙结构分别转移至所述透明固化胶内；
对所述透明固化胶进行第一次固化；
沿垂直于所述盖板的方向上，移动所述微型发光二极管和所述反射挡墙结构；
对所述透明固化胶进行第二次固化，以使所述微型发光二极管和所述反射挡墙结构固定于所述封装盖板上。
6.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述透明固定层包括透明固化胶；
将多个所述微型发光二极管和多个所述反射挡墙结构分别转移至所述封装盖板，且通过所述透明固定层固定于所述封装盖板上，具体包括：
将多个所述微型发光二极管转移到所述透明固化胶内；
沿垂直于所述盖板的方向上，移动多个所述微型发光二极管；
将多个所述反射挡墙结构转移到所述透明固化胶内；
沿垂直于所述盖板的方向上，移动多个所述反射挡墙结构。
7.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述衬底基板一侧，且与所述导电层同侧的多个反射固定结构；
将所述封装盖板与所述阵列基板对位贴合，具体包括：
将所述封装盖板与所述阵列基板对位贴合，所述反射挡墙结构嵌套于所述反射固定结构内；其中，所述贴合方式为所述封装盖板设置有微型发光二极管的一侧与所述阵列基板的导电层对位贴合，且所述导电电极和所述微型发光二极管一一对应电连接。
8.根据权利要求5或6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述透明固化胶包括两液混合硬化胶、光敏胶、紫外光固化胶或热固化胶中的至少一种。
9.一种显示面板，其特征在于，包括：至少一个子面板；
所述子面板包括：封装盖板和阵列基板；所述封装盖板和所述阵列基板相对设置；
所述封装盖板包括：
盖板；
透明固定层，位于盖板的一侧；以及
多个微型发光二极管和多个反射挡墙结构，通过所述透明固定层固定于所述封装盖板上；其中，至少一个所述微型发光二极管形成像素单元；所述反射挡墙结构位于相邻的所述像素单元之间；
所述阵列基板包括：
衬底基板；
导电层，位于衬底基板的一侧；所述导电层包括多个导电电极；所述导电电极和所述微型发光二极管一一对应电连接。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，沿垂直于所述衬底基板的方向上，所述透明固定层包括靠近所述衬底基板一侧的第一表面；所述微型发光二极管包括靠近所述衬底基板一侧的第二表面；
所述第一表面和所述第二表面齐平。
11.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，沿垂直于所述衬底基板的方向上，所述透明固定层包括靠近所述衬底基板一侧的第一表面；所述微型发光二极管包括靠近所述衬底基板一侧的第二表面；
沿垂直于所述衬底基板的方向上，所述第二表面位于所述第一表面靠近所述衬底基板的一侧。
12.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述微型发光二极管包括靠近所述衬底基板一侧的第二表面；所述反射挡墙结构包括靠近所述衬底基板一侧的第三表面；
沿垂直于所述衬底基板的方向上，所述第三表面位于所述第二表面靠近所述衬底基板的一侧。
13.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，还包括：
遮光层，位于所述反射挡墙结构远离所述衬底基板一侧；所述遮光层包括多个开口结构；
色阻层，位于所述微型发光二极管远离所述衬底基板的一侧；所述色阻层包括多个不同颜色的色阻块；所述色阻块在所述衬底基板所在平面的垂直投影与所述开口结构在所述衬底基板所在平面的垂直投影至少部分交叠。
14.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，多个所述微型发光二极管均为横向结构的微型发光二极管；所述横向结构的微型发光二极管包括第一电极、发光结构和第二电极；所述第一电极和所述第二电极位于所述发光结构的同一侧。
15.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，每个像素单元包括多个所述微型发光二极管；同一所述像素单元中，所述微型发光二极管与所述反射挡墙结构依次间隔设置；
每个所述像素单元中的多个所述微型发光二极管包括发光颜色为第一颜色的第一微型发光二极管和发光颜色为第二颜色的第二微型发光二极管；
同一所述像素单元中，所述反射挡墙结构包括第一反射挡墙结构和第二反射挡墙结构；沿所述第一微型发光二极管指向所述第二微型发光二极管的方向上，所述第一反射挡墙结构至少部分遮挡所述第一微型发光二极管，以及所述第二反射挡墙结构至少部分遮挡所述第二微型发光二极管；
所述第一反射挡墙结构和所述第二反射挡墙结构中的高度、反射角或宽度中的至少一个不同；
其中，所述高度为沿垂直于所述衬底基板方向上，所述反射挡墙结构靠近所述衬底基板一侧的第三表面和背离所述衬底基板一侧的第四表面之间的距离；
所述反射角为第五表面与所述第三表面之间的夹角，所述第五表面为连接所述第三表面和所述第四表面的表面；
所述宽度为沿平行于所述衬底基板所在平面的方向，所述微型发光二极管到所述反射挡墙结构之间的距离。
16.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述反射挡墙结构背离所述衬底基板一侧的第四表面在所述衬底基板所在平面的垂直投影位于所述反射挡墙结构靠近所述衬底基板一侧的第三表面在所述衬底基板所在平面的垂直投影内。
17.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述衬底基板一侧，且与所述导电层同侧的多个反射固定结构；
所述反射挡墙结构嵌套于所述反射固定结构内。
18.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9-17任一项所述的显示面板。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113571626A (zh) * 2021-07-16 2021-10-29 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN114242874A (zh) * 2021-12-14 2022-03-25 惠州华星光电显示有限公司 显示屏、显示装置及显示屏的制作方法
CN114545684A (zh) * 2022-02-09 2022-05-27 广州华星光电半导体显示技术有限公司 背光模组和显示面板
CN117457636A (zh) * 2023-10-09 2024-01-26 旭显未来(北京)科技有限公司 显示基板、显示基板的制备方法及显示屏
US11971623B2 (en) 2021-12-14 2024-04-30 Huizhou China Star Optoelectronics Display Co., Ltd. Display screen, display device and method for manufacturing display screen

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101021582A (zh) * 2006-02-15 2007-08-22 虹创科技股份有限公司 彩色滤光片及其制造方法
CN104765201A (zh) * 2015-03-30 2015-07-08 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示装置及其液晶显示面板
CN109119453A (zh) * 2018-09-25 2019-01-01 武汉天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法和显示装置
CN110690243A (zh) * 2019-10-15 2020-01-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示面板的制备方法
CN111725428A (zh) * 2020-06-30 2020-09-29 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN111769109A (zh) * 2020-06-30 2020-10-13 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN212182274U (zh) * 2020-05-28 2020-12-18 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种用于微型元件转移的转移承载装置
CN112151567A (zh) * 2019-06-28 2020-12-29 成都辰显光电有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101021582A (zh) * 2006-02-15 2007-08-22 虹创科技股份有限公司 彩色滤光片及其制造方法
CN104765201A (zh) * 2015-03-30 2015-07-08 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示装置及其液晶显示面板
CN109119453A (zh) * 2018-09-25 2019-01-01 武汉天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法和显示装置
CN112151567A (zh) * 2019-06-28 2020-12-29 成都辰显光电有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
CN110690243A (zh) * 2019-10-15 2020-01-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示面板的制备方法
CN212182274U (zh) * 2020-05-28 2020-12-18 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种用于微型元件转移的转移承载装置
CN111725428A (zh) * 2020-06-30 2020-09-29 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN111769109A (zh) * 2020-06-30 2020-10-13 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113571626A (zh) * 2021-07-16 2021-10-29 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN113571626B (zh) * 2021-07-16 2023-08-11 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN114242874A (zh) * 2021-12-14 2022-03-25 惠州华星光电显示有限公司 显示屏、显示装置及显示屏的制作方法
WO2023108767A1 (zh) * 2021-12-14 2023-06-22 惠州华星光电显示有限公司 显示屏、显示装置及显示屏的制作方法
US11971623B2 (en) 2021-12-14 2024-04-30 Huizhou China Star Optoelectronics Display Co., Ltd. Display screen, display device and method for manufacturing display screen
CN114545684A (zh) * 2022-02-09 2022-05-27 广州华星光电半导体显示技术有限公司 背光模组和显示面板
CN117457636A (zh) * 2023-10-09 2024-01-26 旭显未来(北京)科技有限公司 显示基板、显示基板的制备方法及显示屏

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