WO2022094973A1 - 显示面板及显示装置 - Google Patents

显示面板及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2022094973A1
WO2022094973A1 PCT/CN2020/127269 CN2020127269W WO2022094973A1 WO 2022094973 A1 WO2022094973 A1 WO 2022094973A1 CN 2020127269 W CN2020127269 W CN 2020127269W WO 2022094973 A1 WO2022094973 A1 WO 2022094973A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light
hole
layer
substrate
display panel
Prior art date
Application number
PCT/CN2020/127269
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
李伟
舒适
黄维
谢蒂旎
袁广才
Original Assignee
京东方科技集团股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 京东方科技集团股份有限公司 filed Critical 京东方科技集团股份有限公司
Priority to US17/606,506 priority Critical patent/US20220352487A1/en
Priority to CN202080002659.4A priority patent/CN114846615B/zh
Priority to PCT/CN2020/127269 priority patent/WO2022094973A1/zh
Priority to EP20960434.7A priority patent/EP4145528A4/en
Publication of WO2022094973A1 publication Critical patent/WO2022094973A1/zh

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/818Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8051Anodes
    • H10K59/80518Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/878Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/8791Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels

Definitions

  • the filling layer has an index of refraction ranging from 1.5 to 1.7
  • the protective layer has an index of refraction ranging from 1.7 to 1.85.
  • the light-emitting substrate includes: a first substrate, a pixel definition layer, a plurality of reflective electrodes arranged at intervals, a light-emitting layer, and an electrode layer.
  • the pixel definition layer is located on the side of the first substrate facing the opposite substrate.
  • the pixel definition layer includes: a plurality of first openings arranged at intervals, and a pixel definition body surrounding the plurality of first openings; the pixel definition body includes: a plurality of pixel definition parts, each adjacent two One pixel defining portion is disposed between the first opening portions, and at least one first hole is disposed on the surface of each of the at least one pixel defining portion facing the opposite substrate.
  • the pixel defining portion provided with the at least one first hole extends along a first direction, and the first direction is a row direction or a column direction. In a second direction perpendicular to the first direction, the size of each first hole ranges from 2.5% to 30% of the size of the pixel defining portion.
  • 1A is an exploded view of a display panel according to some embodiments.
  • 4D is a structural diagram of yet another pixel definition layer according to some embodiments.
  • 5D is a structural diagram of yet another retaining wall layer according to some embodiments.
  • FIG. 9B is some structural diagrams of banks provided in accordance with some embodiments.
  • the intermediate layer assembly 300 includes: a thin film encapsulation layer (Thin Film Encapsulation Layer) 30, a filling layer (Filler) 31, and a protective layer (Over Coat), which are sequentially stacked along the pointing direction D from the light-emitting substrate 100 to the opposite substrate 200. , OC) 32.
  • the thin-film encapsulation layer 30 includes: at least two encapsulation sub-layers 30a that are stacked in sequence. Along the pointing direction D, the refractive index (n 30a ) of each encapsulation sub-layer 30a gradually increases.
  • the light-emitting substrate 100 is only represented by a single layer, and the specific structure thereof is not limited in the embodiments of the present disclosure.
  • the specific structure of the light-emitting substrate 100 will be schematically illustrated in the following embodiments.
  • the light emitted by the light-emitting surface 100a is at least used to display a picture that can be viewed by the human eye.
  • All layers are light-transmitting layers, that is, they all have certain permeability to visible light.
  • the specific values of the refractive indices of all materials mentioned in the embodiments of the present disclosure are only relative to, for example, green light with a wavelength of 550 nm. However, it does not mean that the light emitted by the light emitting substrate 100 in the above-mentioned display panel 01 provided by the embodiment of the present disclosure is green light.
  • the subscripts x and y in the chemical formulas of "SiO x " and “SiN y " respectively represent the number of oxygen atoms (O) constituting one silicon oxide molecule, and the number of nitrogen atoms (N) constituting one silicon nitride molecule, respectively. number of.
  • the values of x and y are also different, which are not limited in the embodiments of the present disclosure.
  • the thickness T 31 ranges from 4.0 ⁇ m to 8.0 ⁇ m, that is, 4.0 ⁇ m ⁇ T 31 ⁇ 8.0 ⁇ m.
  • the thickness T 31 is in the range of 5.0 ⁇ m ⁇ T 31 ⁇ 6.0 ⁇ m.
  • the thickness T 31 of the filling layer 31 can be adjusted, for example, by controlling the number of turns and/or the spacing between each turn when coating the filling material, which is not limited in this embodiment of the present disclosure.
  • the thin film encapsulation layer 30 includes two encapsulation sub-layers 30a, each encapsulation sub-layer 30a having a thickness T 30a in a range of 0.6 ⁇ m to 1.2 ⁇ m, and a filling layer 31 having a thickness T 31 in a range of 4.0 ⁇ m to 8.0 ⁇ m ⁇ m, the thickness T 32 of the protective layer 32 ranges from 1.0 ⁇ m to 3.0 ⁇ m, and the overall thickness of the intermediate layer assembly 300 ranges from 6.2 ⁇ m to 13.4 ⁇ m.
  • the thin film encapsulation layer 30 includes three encapsulation sublayers 30a, each encapsulation sublayer 30a has a thickness T30a ranging from 0.6 ⁇ m to 1.2 ⁇ m, and a filling layer 31 has a thickness T31 ranging from 4.0 ⁇ m to 1.2 ⁇ m.
  • the thickness T 32 of the protective layer 32 is in the range of 1.0 ⁇ m to 3.0 ⁇ m
  • the overall thickness of the intermediate layer assembly 300 is in the range of 6.8 ⁇ m to 14.6 ⁇ m.
  • the arrangement of the plurality of first openings OP1 is not necessarily an array arrangement along the row direction ( X1 ) and the column direction ( X2 ).
  • the plurality of first openings OP1 may also be arranged in the following manner: in every two adjacent rows of the first openings OP1, each first opening OP1 in one row of the first openings OP1 is located in the other row.
  • the regions between two adjacent first openings OP1 in the first openings OP1 correspond to each other vertically. In this way, the sub-pixel regions of the display panel 01 can have a Delta ( ⁇ ) arrangement.
  • the light emitting layer 14 may be deposited in the plurality of first openings OP1 and the pixel defining body 130 facing the surface S130 of the opposite substrate through an evaporation process using an open mask, and extending into the first opening OP1. inside a hole H1. In this way, the preparation of the large-sized light-emitting substrate 100 is facilitated.
  • each light-emitting device D may further include at least one of the following layers: along the pointing direction D, a first carrier injection film, a first carrier injection film, a first carrier injection film, a first carrier injection film, a first carrier injection film, a first carrier injection film, a first carrier injection film, a first carrier injection film, a first carrier injection film, a first carrier injection film, a first The carrier transport film, and the second carrier transport film and the second carrier injection film, which are sequentially arranged between the light emitting film D2 and the opposite electrode D3 along the pointing direction D.
  • the protective layer 32 is made of a material comprising: an organic material with a certain viscosity and light transmittance and scattering particles dispersed in the organic material in a certain proportion
  • the light-transmitting film 22a is made
  • the material of -3 includes: an organic material with a certain light transmittance and when scattering particles are dispersed in the organic material in a certain proportion, the light-transmitting film 22a-3 can be connected with the protective layer 32 to form an integrated structure.
  • a plurality of auxiliary light treatment films 24 a are located in the openings of the light shielding layer 23 in a one-to-one correspondence.
  • Each of the first color filter films 24 a - 1 is disposed on the side of the corresponding one of the first quantum dot films 22 a - 1 facing the second substrate 20 .
  • the first color filter film 24a-1 can uniformly transmit the first color light, and absorb the part of the third color light entering the first color filter film 24a-1 that cannot effectively excite the quantum dots to emit light, so as to avoid mixing. Light.
  • Each color filter can be formed by coating a photoresist of a corresponding color and adjusting the process conditions such as pre-baking, exposure, development, and post-baking, and its thickness can be 1.0 ⁇ m.
  • auxiliary light-transmitting film 24a-3' and the light-transmitting film 22a-3 can be connected with the protective layer 32 to form an integrated structure.
  • the material for making the reflective blocking wall body 210 includes a light-shielding material and scattering particles dispersed in the light-shielding material.
  • the light-shielding material includes carbon black, titanium oxynitride, titanium black, phenylene black, aniline black, cyanine black, or black resin, and the like. Scattering particles are, for example, ZrO 2 , TiO 2 , ZnO or BaSO 4 nanocrystals.
  • the degree of reflection of light by the reflective blocking wall body 210 can be controlled by adjusting the dispersion ratio of the scattering particles in the light-shielding material.
  • FIG. 3E is another cross-sectional view along the cross-sectional line BB′ in FIG. 2 .
  • the light-emitting layer 14 emits white light, for example, a light-emitting sublayer emitting red light, a light-emitting sublayer emitting green light, and a light-emitting sublayer emitting blue light superimposed composition.
  • the retaining wall layer 21 may be a black matrix (BM) layer.
  • BM black matrix
  • 5A to 5E also illustrate a plurality of spaced column spacers PS on the side of the barrier layer 21 facing the light emitting substrate 100 .
  • the thickness of the columnar spacer PS along the pointing direction D may be the same as the thickness of the filling layer 31 , and the thickness thereof ranges from 5.0 ⁇ m to 6 ⁇ m, for example.
  • the column spacers PS are in direct contact with the protective layer 32 and are not in contact with the retaining wall layer 21 .
  • 5A to 5E only illustrate a possible arrangement of the column spacers PS through the top view of the retaining wall layer 21 , that is, in the row direction X1, multiple columns may be spaced between two adjacent column spacers PS.
  • the second opening portion OP2; in the column direction X2, multiple rows of the second opening portion OP2 may be spaced between two adjacent column spacers PS.
  • FIG. 6 is a comparison diagram of the light path in the display panel 01 according to some embodiments and the light path of the display panel 01 ′ provided by the related art.
  • the thin film encapsulation layer includes: a first sublayer L1 (made of SiON, with a refractive index of 1.8), a second sublayer (made of an organic material, with a refractive index of 1.5) and a third sublayer L3 (made of SiN y with a refractive index of 1.9).
  • the refractive index of the filling layer L4 is 1.5
  • the refractive index of the silicon oxynitride layer L5 is 1.8.
  • the light emitted from the light-emitting film D2 of one light-emitting device D in one sub-pixel region Sub-P1 is inclined with respect to the normal line N.
  • Light (indicated by dashed arrow b in FIG. 6 ) sequentially passes through a thin film encapsulation layer with a thickness of 2.0 ⁇ m, a filling layer 31 with a thickness of 5.0 ⁇ m to 6.0 ⁇ m, and a protective layer 32 with a thickness of 2.0 ⁇ m.
  • the arrangement of the sub-pixel area simulated by Lighttools software is R, B, G, B.
  • the refractive index of the first encapsulation sub-layer 30a and the refractive index of the filling layer 31 are both smaller than those of the second encapsulation sub-layer 30a, the refractive index of the filling layer 31 is smaller than that of the protective layer 32, that is, light will occur between different interfaces Convergence or light divergence.
  • the surface of the pixel definition layer is flat or convex upward, and correspondingly, the portions of the light emitting layer and the electrode layer located on the surface of the pixel definition layer are also flat or convex upward.
  • the light reflected by the quantum dots enters the pixel definition layer and the main body of the retaining wall to a lesser degree and is reflected back and forth, resulting in a large amount of light energy directed to adjacent sub-pixel areas and crosstalk of light emitted from adjacent sub-pixel areas. To a greater extent.
  • the surface of the pixel definition layer 13 is uneven, providing more reflection paths, that is, increasing the probability of light being reflected. In this way, some light will be reflected back and forth between the pixel definition layer 13 and the retaining wall layer 21, consuming the energy of the light, reducing the energy of the light directed to the adjacent sub-pixel area, thereby reducing the impact on the light emitted from the adjacent sub-pixel area. crosstalk.
  • the at least one second hole H2 includes: a second hole H2 that is symmetrical with respect to the axis of the surface S21a of the bank 21a on which the second hole H2 is provided .
  • the axis is parallel to the extending direction of the bank portion 21a.
  • the bank portion 21a extends in the row direction X1, that is, when the extending direction thereof is the row direction X1, the axis is parallel to the row direction X1.
  • the bank portion 21a extends along the column direction X2, that is, the extending direction thereof is the column direction X2, the axis is parallel to the column direction X2.
  • the degree of light irradiated on the surface S210 of the blocking wall main body 210 facing the light-emitting substrate 100 can be improved to be reflected back and forth, so as to reduce the impact on adjacent sub-pixel regions. crosstalk.
  • At least one first hole H1 includes two first holes H1 spaced apart, at least one second hole H2 includes one second hole H2, and the second hole H2 is connected to the two first holes H2.
  • a region between holes H1 corresponds.
  • the second hole H2 corresponds to the area between the two first holes H1, which means that the extension direction of the second hole H2 and the two first holes H1 is the same, and the second hole H2 and the above-mentioned area are respectively in the first lining
  • the orthographic projections on the base 10 overlap.
  • the correspondence between the second hole H2 and the above-mentioned area may be vertical correspondence, that is, the axis of the orthographic projection of the second hole H2 on the first substrate 10 and the axis of the orthographic projection of the above-mentioned area on the first substrate 10 overlapping.

Abstract

一种显示面板(01),包括:发光基板(100),对置基板(200),以及位于发光基板(100)与对置基板(200)之间的中间层组件(300);发光基板(100)具有被配置为发出光的一发光面(100a),发光面(100a)发出的光射向对置基板(200);中间层组件(300)包括:沿从发光基板(100)垂直指向对置基板(200)的指向方向,依次层叠设置的薄膜封装层(30)、填充层(31)、以及保护层(32);薄膜封装层(30)包括:依次层叠设置的至少两层封装子层(30a);沿指向方向,每个封装子层(30a)的折射率逐渐增加;保护层(32)的折射率大于填充层(31)的折射率。

Description

显示面板及显示装置 技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的快速发展,自发光型显示面板,例如有机电致发光(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示面板,因其具有自发光、结构轻薄、亮度高、以及色彩艳丽等优点,受到了广泛的关注。
公开内容
一方面提供一种显示面板。所述显示面板包括:发光基板、对置基板、以及位于所述发光基板与所述对置基板之间的中间层组件。所述发光基板具有被配置为发出光的一发光面,所述发光面发出的所述光射向所述对置基板。所述中间层组件包括:沿从所述发光基板垂直指向所述对置基板的指向方向,依次层叠设置的薄膜封装层、填充层、以及保护层。所述薄膜封装层包括:依次层叠设置的至少两层封装子层;沿所述指向方向,每个封装子层的折射率逐渐增加。所述保护层的折射率大于所述填充层的折射率。
在一些实施例中,沿所述指向方向,每个封装子层的厚度逐渐增加。
在一些实施例中,所述填充层的折射率与所述薄膜封装层中的最靠近所述填充层的一个封装子层的折射率的差值的绝对值的范围为0至0.4。
在一些实施例中,每个封装子层的折射率的范围为1.7至1.9。
在一些实施例中,每个封装子层的厚度的范围为0.6μm至1.2μm。
在一些实施例中,所述填充层的折射率的范围为1.5至1.7,所述保护层的折射率的范围为1.7至1.85。
在一些实施例中,所述填充层的厚度的范围为4.0μm至8.0μm,所述保护层的厚度的范围为1.0μm至3.0μm。
在一些实施例中,所述填充层的折射率大于所述薄膜封装层中的最靠近所述填充层的一个封装子层的折射率。
在一些实施例中,所述发光基板包括:第一衬底、像素定义层、间隔设置的多个反射电极、发光层以及电极层。所述像素定义层,位于所述第一衬底朝向所述对置基板的一侧。所述像素定义层包括:间隔设置的多个第一开口部、和围绕所述多个第一开口部的像素定义主体;所述像素定义主体包括:多个像素定义部,每相邻的两个第一开口部之间设置有一个像素定义部,且至少一个像素定义部中的每个朝向所述对置基板的表面上设置有至少一个第 一孔。间隔设置的所述多个反射电极与所述多个第一开口部一一对应,且每个反射电极的至少部分区域被对应的一个第一开口部暴露出。所述发光层被配置为发出第三颜色光。所述发光层覆盖每个反射电极被所述对应的一个第一开口部所暴露出的所述至少部分区域、和所述像素定义主体;所述第三颜色光为所述发光基板发出的所述光。所述电极层覆盖所述发光层背离所述像素定义层的表面。所述电极层背离所述发光层的表面为所述发光面。所述对置基板包括与所述多个第一开口部一一对应的多个光处理膜。所述多个光处理膜包括:多个第一量子点膜,被配置为在所述第三颜色光的激发下发出第一颜色光;多个第二量子点膜,被配置为在所述第三颜色光的激发下发出第二颜色光;多个透光膜,被配置为透射所述第三颜色光。所述第一颜色、所述第二颜色、以及所述第三颜色构成三原色。
在一些实施例中,所述至少一个第一孔和设置有所述至少一个第一孔的像素定义部均沿第一方向延伸,所述第一方向为行方向或者列方向。在设置有所述至少一个第一孔的像素定义部的所述表面中,位于每个第一孔的相对两侧的部分均为弧面,所述弧面的圆心位于所述表面朝向所述第一衬底的一侧;从所述两侧中的一侧指向另一侧的方向为垂直于所述第一方向的第二方向。
在一些实施例中,设置有所述至少一个第一孔的像素定义部沿第一方向延伸,所述第一方向为行方向或列方向。沿垂直于所述第一方向的第二方向,每个第一孔的尺寸的范围为所述像素定义部的尺寸的2.5%至30%。
在一些实施例中,所述至少一个第一孔包括:一个第一孔,所述第一孔相对于设置有所述第一孔的像素定义部的表面的轴线对称,所述轴线平行于所述像素定义部的延伸方向。或者,所述至少一个第一孔包括:至少两个第一孔;第一个第一孔与设置有所述至少两个第一孔的像素定义部的表面靠近所述第一个第一孔的边界之间的距离、每相邻两个第一孔之间的距离、以及最后一个第一孔与所述像素定义部的所述表面靠近所述最后一个第一孔的边界之间的距离均相等。
在一些实施例中,每个第一孔为凹槽。
在一些实施例中,所述对置基板还包括:第二衬底和挡墙层。所述挡墙层位于所述第二衬底朝向所述发光基板的一侧。所述挡墙层包括:与所述多个第一开口部一一对应的多个第二开口部、和围绕所述多个第二开口部的挡墙主体;所述挡墙主体包括:多个堤部,每相邻的两个第二开口部之间设置有一个堤部,至少一个堤部中的每个朝向所述发光基板的表面上设置有至少 一个第二孔。所述多个光处理膜一一对应地位于所述多个第二开口部内。
在一些实施例中,所述至少一个第二孔和设置有所述至少一个第二孔的堤部均沿第一方向延伸,所述第一方向为行方向或者列方向。在设置有所述至少一个第二孔的堤部的所述表面中,位于每个第二孔的相对两侧的部分均为弧面,所述弧面的圆心位于所述表面朝向所述第二衬底的一侧;从所述两侧中的一侧指向另一侧的方向为垂直于所述第一方向的第二方向。
在一些实施例中,设置有所述至少一个第二孔的堤部沿第一方向延伸,所述第一方向为行方向或者列方向。沿垂直于所述第一方向的第二方向,每个第二孔的尺寸的范围为所述堤部的尺寸的2.5%至30%。
在一些实施例中,所述至少一个第二孔包括:一个第二孔,所述第二孔相对于设置有所述第二孔的堤部的表面的轴线对称,所述轴线平行于所述堤部的延伸方向。或者,所述至少一个第二孔包括:至少两个第二孔;第一个第二孔与设置有所述至少两个第二孔的堤部的表面靠近所述第一个第二孔的边界之间的距离、每相邻两个第二孔之间的距离、以及最后一个第二孔与所述堤部的所述表面靠近所述最后一个第二孔的边界之间的距离均相等。
在一些实施例中,每个第二孔为凹槽。
在一些实施例中,沿所述指向方向,所述多个像素定义部与所述多个堤部一一对应,且每个像素定义部在所述第一衬底上的正投影位于对应的一个堤部在所述第一衬底上的正投影的范围内。对于设置有所述至少一个第一孔的像素定义部,与所述像素定义部对应的堤部设置有所述至少一个第二孔,所述至少一个第一孔与所述至少一个第二孔采用以下任一种设置方式:所述至少一个第一孔包括一个第一孔,所述至少一个第二孔包括与所述第一孔对应的一个第二孔;所述至少一个第一孔包括间隔设置的两个第一孔,所述至少一个第二孔包括一个第二孔,且所述第二孔与所述两个第一孔之间的区域对应;所述至少一个第一孔包括间隔设置的至少两个第一孔,所述至少一个第二孔包括间隔设置的至少两个第二孔,且每个第二孔与一个第一孔对应;以及所述至少一个第一孔包括一个第一孔,所述至少一个第二孔包括间隔设置的两个第二孔,且所述两个第二孔之间的区域与所述第一孔对应。
另一方面提供一种显示装置,包括如上述任一实施例所述的显示面板。
附图说明
为了更清楚地说明本公开中的技术方案,下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。然而,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图,对于本领域的普通技术人员来讲,还可以 根据这些附图获得其他的附图。此外,以下描述中的附图可以视作示意图,并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸等的限制。
图1A为根据一些实施例的一种显示面板的分解图;
图1B为沿着图1A中的剖视线A-A'的剖面图;
图2为根据一些实施例的一种显示面板的结构图;
图3A为沿着图2中的剖视线B-B'的一种剖面图;
图3B为沿着图2中的剖视线B-B'的另一种剖面图;
图3C为沿着图2中的剖视线B-B'的又一种剖面图;
图3D为沿着图2中的剖视线B-B'的又一种剖面图;
图3E为沿着图2中的剖视线B-B'的又一种剖面图;
图4A为根据一些实施例的一种像素定义层的结构图;
图4B为根据一些实施例的另一种像素定义层的结构图;
图4C为根据一些实施例的又一种像素定义层的结构图;
图4D为根据一些实施例的又一种像素定义层的结构图;
图5A为根据一些实施例的一种挡墙层的结构图;
图5B为根据一些实施例的另一种挡墙层的结构图;
图5C为根据一些实施例的又一种挡墙层的结构图;
图5D为根据一些实施例的又一种挡墙层的结构图;
图5E为根据一些实施例的又一种挡墙层的结构图;
图6为根据一些实施例的显示面板中的光路与相关技术提供的显示面板的光路的对比图;
图7为根据一些实施例的显示面板中的光路图;
图8为根据一些实施例的像素定义层上的光路图;
图9A为根据一些实施例提供的像素定义部的一些结构图;
图9B为根据一些实施例提供的堤部的一些结构图;
图9C为根据一些实施例的像素定义部上的第一孔与堤部上的第二孔的对应方式;以及
图10为根据一些实施例的一种显示装置的结构图。
具体实施方式
下面将结合附图,对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。然而,所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求,否则,在整个说明书和权利要求书中,术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”均被解释为开放、包含的意思,即为“包含,但不限于”。在说明书的描述中,术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外,所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下,术语“第一”、“第二”等序数词仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。此外,如在本说明书和所附的权利要求书中所使用的单数形式“一个”和“该”也可以包括复数个指示物,除非所述内容明确说明并非如此。在本公开实施例的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
将理解,当某一层或某一元件被描述为在另一层或衬底“上”时,它可以直接在该另一层或该衬底上,或者一个或多个中间层或元件也可能存在。此外,还将理解,当某一层或某一元件被描述为在另一层或衬底“下”时,它可以直接在该另一层或该衬底下,或者一个或多个中间层或元件也可能存在。类似地,还将理解,当某一层或某一元件被称为在两个层或元件之间时,它可以是两个层或元件之间的唯一的层或元件,或者一个或多个中间层也可以在其中。
在本说明书的描述中,术语“厚度”表示对应的元件/层的各个部分的厚度的平均值或该元件/层的一般的、整体性的厚度。
在描述一些实施例时,可能使用了“连接”和“耦接”及其衍伸的表达。例如,描述一些实施例时可能使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或电接触。又如,描述一些实施例时可能使用了术语“耦接”以表明两个或两个以上部件有直接物理接触或电接触。然而,术语“耦接”或“通信耦合(communicatively coupled)”也可能指两个或两个以上部件彼此间并无直接接触,但仍彼此协作或相互作用。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。
在本说明书的描述中,表述“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义,即均包括以下A、B和C的组合:仅A,仅B,仅C,A和B的组合,A和C的组合,B和C的组合,及A、B和C的组合。
术语“A和/或B”,包括以下三种组合:仅A,仅B,及A和B的组合。
本说明书的描述中,术语“被配置为”或“适用于”的使用意味着开放和包容性的语言,其不排除被配置为或适用于执行额外任务或步骤的设备。
如本文所使用的那样,“约”或“近似”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值,其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即,测量系统的局限性)所确定。例如,“约”可意味在一个或多个标准偏差内,或者在所阐述值的例如±20%、±10%、±5%或者±3%以内。
本文参考作为理想化实施方式的示意图的剖视图描述示例性实施方式。这样,可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的从图示的形状的变动。因此,本文描述的实施方式不应解释为局限于如本文示出的区域的特定形状,而是包括例如由于制造引起的形状偏差。例如,示出或描述为平坦的区域通常可具有粗糙的和/或非线性的特征。此外,所示的尖角可圆化。因此,附图中示出的区域实质上是示意性的,且其形状并非旨在示出区域的确切形状并且并非旨在限制当前权利要求的范围。
自发光型显示面板,例如有机电致发光(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示面板具有显示区域,显示区域包括多个子像素区域,每个子像素区域内设置有一个发光器件。
相关技术中,在一个子像素区域中,发光器件中的发光膜发出的光具有相比于法线(即垂直于显示面板的虚拟线)倾斜的部分。在这部分光中,照射到相邻子像素区域之间的光不能用于显示画面,降低了显示面板的出光率;照射到相邻的另一个子像素区域内的光会对从该子像素区域出射的光造成串扰,进而导致该显示面板所能显示的画面的色域下降,降低显示质量。
基于此,为提高显示面板的出光率、降低从相邻子像素区域出射的光相互之间发生串扰的风险,本公开一些实施例提供一种显示面板,能够使得从该显示面板发出的光更加汇聚。
图1A为根据一些实施例的上述显示面板的分解图,图1B为沿着图1A中的剖视线A-A'的剖面图。
如图1A和图1B所示,该显示面板01包括:发光基板100、对置基板200、位于发光基板100与对置基板200之间的中间层组件300。
发光基板100具有被配置为发出光的一发光面100a。如图1A中的虚线箭头所示,发光面100a发出的光射向对置基板200。
中间层组件300包括:沿从发光基板100垂直指向对置基板200的指向方向D,依次层叠设置的薄膜封装层(Thin Film Encapsulation Layer)30、填充层(Filler)31、以及保护层(Over Coat,OC)32。
薄膜封装层30包括:依次层叠设置的至少两层封装子层30a。沿指向方向D,每个封装子层30a的折射率(n 30a)逐渐增加。
保护层32的折射率(n 32)大于填充层31的折射率(n 31)。
应当理解的是,为便于示意,于图1A和图1B中,仅以单一层体表示发光基板100,本公开实施例对其具体结构不做限定。发光基板100的具体结构将在后续实施例中作示意性地说明。
同样地,于图1A和图1B中,仅以单一层体表示对置基板200,本公开实施例对其具体结构不做限定。对置基板200的具体结构将在后续实施例中作示意性地说明。并且,发光基板100也可被称为背板,相应地,对置基板200也可被称为盖板。
并且,为便于说明,将依次层叠设置的薄膜封装层30、填充层31、以及保护层32所组成的组件称为中间层组件300,但不意味着这些层需要按照上述层叠顺序被依次制作。本公开实施例对上述各层的制作顺序不做限定,只要各层的设置位置满足上述层叠顺序即可。
示例地,薄膜封装层30被制作在发光基板100朝向对置基板200的一侧,保护层32被制作在对置基板200朝向发光基板100的一侧,且保护层32朝向发光基板100的一侧还制作有多个间隔排列的柱状隔垫物(Post Spacer,PS)。将发光基板100与对置基板200对合、组装后,由于PS等结构的支撑作用,在两个基板之间会形成一定的空间。之后,通过例如注射装置,将具有一定粘性的呈流体状的填充材料31a以画圈的方式涂覆在薄膜封装层30表面,利用流体的流动性,扩散形成填充层31,从而将薄膜封装层30与保护层32粘结起来。
还应当理解的是,由于上述中间层组件300设置在发光基板100的发光面100a上,发光面100a发出的光至少是用于显示能够被人眼所观看到的画面,故中间层组件300的各层均为透光层,即均对可见光具有一定的透过性。
在图1B中虚线示意出的光路中,当从发光基板100发出的光相对于法线N倾斜时,由于沿指向方向D,薄膜封装层30中每个封装子层30a的折射率n 30a逐渐增加,倾斜的光线从小折射率的一个封装子层30a射入大折射率的另 一个封装子层30a后,根据相对折射率公式可知,从大折射率的封装子层30a射出的光线的倾斜角度会减小,从而提高光线向法线N方向的出射比例。同样地,由于保护层32的折射率n 32大于填充层31的折射率n 31,穿过填充层31进入保护层32的光线的倾斜角度也会减小,从而提高光线向法线N方向的出射比例。
在一些实施例中,沿指向方向D,每个封装子层30a的厚度逐渐增加。由前述描述可知,沿指向方向D,每个封装子层30a的折射率n 30a逐渐增加,也即是说,折射率越高的封装子层30a,其厚度越大。
这样一来,在薄膜封装层30中,大折射率的封装子层30a中的光路(即光经过的路线)相比于小折射率的封装子层30a中的光路更长,使得进入大折射率的封装子层30a中的光线能够被充分地向法线偏转。
应当理解,在本公开实施例中,某一层或膜的厚度,是指该层或膜沿指向方向D的尺寸。
在一些实施例中,每个封装子层30a的折射率n 30a的范围为1.7至1.9,即1.7≤n 30a≤1.9。
需要说明的是,由于同一种介质对于不同频率的光(即不同波长的光)具有不同的折射率。对于对可见光为透明的介质,通常,该介质的折射率随着波长的减小而增大。因此,在描述不同材料的折射率时,均是指这些材料相对于同一种波长的光而言的折射率,以便于在同一个衡量标准中比较不同材料的折射率之间的大小。通常,各种材料的折射率是相对于波长为550nm的绿光而言的。
显然,还应当理解,在本公开实施例中所提及的所有材料的折射率的具体数值,仅仅是相对于例如波长为550nm的绿光而言的。但不表明,本公开实施例提供的上述显示面板01中的发光基板100所发出的光即为绿光。
封装子层30a例如可以由氧化硅制成(SiO x,其折射率约为1.7)、氮氧化硅制成(SiON,其折射率约为1.8)、或者氮化硅制成(SiN y,其折射率约为1.9)。可根据需要选取上述两种或三种材料制成薄膜封装层30中的各个封装子层30a,并按照折射率由低到高进行组合。
示例地,薄膜封装层30包括:沿指向方向D,依次层叠设置的一层SiO x、一层SiON。或者,薄膜封装层30包括:沿指向方向D,依次层叠设置的一层SiO x、一层SiN y。或者,薄膜封装层30包括:沿指向方向D,依次层叠设置的一层SiO x、一层SiON、以及一层SiN y
各个封装子层30a例如可以采用化学气相沉积法形成(Chemical Vapor  Deposition,CVD)。
此处,“SiO x”和“SiN y”的化学式中的下标x、y分别表示一个氧化硅分子中构成氧原子(O)的个数、一个氮化硅分子中构成氮原子(N)的个数。根据氧化硅和氮化硅各自制备条件的不同,例如CVD工艺中各个反应源的比例、气压以及温度等条件,x、y的取值也随之不同,本公开实施例对此不做限定。
在一些实施例中,每个封装子层30a的厚度(T 30a)的范围为0.6μm至1.2μm,即0.6μm≤T 30a≤1.2μm。示例地,每个封装子层30a的厚度T 30a为0.6μm、0.8μm、1.0μm或者1.2μm。
应当理解的是,当折射率越高的封装子层30a具有越大的厚度时,在薄膜封装层30中,厚度最大的封装子层30a的厚度和厚度最小的封装子层30a的厚度均在上述范围内。
进一步地,由于填充层31的材料需要具有一定粘性和透光性,因此,在一些实施例中,综合考虑填充层31的材料与中间层组件300的光路设计效果,填充层31的折射率n 31与薄膜封装层30中的最靠近填充层31的一个封装子层30a的折射率n 30a的差值的绝对值(AV)的范围为0至0.4,即0≤AV≤0.4。
也即是说,填充层31的折射率n 31可以比最靠近其的封装子层30a的折射率n 30a大0.4或者小0.4,n 31能够接近于n 30a
这样一来,当填充层31的折射率n 31比最靠近其的封装子层30a的折射率n 30a小0.4时,能够避免由于光线从最靠近填充层31的封装子层30a射入填充层31时,由于二者之间的折射率差异过大而导致的光线过度偏转。
在一些实施例中,填充层31的折射率n 31的范围为1.5至1.7,即1.5≤n 31≤1.7,例如1.5、1.6或1.7。填充层31可以由环氧树脂或丙烯酸树脂等具有一定粘性和透光性的有机材料制成。
在一些实施例中,保护层n 32的折射率的范围为1.7至1.85,即1.7≤n 32≤1.85,例如1.7、1.75、1.8或1.85。
保护层32的材料需要具有一定粘性和透光性、且还具有良好的覆盖性,使得当保护层32形成在对置基板200朝向发光基板100的一侧(或其他层表面)时,能够形成一个较为平坦的表面,以使穿过保护层32的光线能够均匀地出射、或者能够平坦地覆盖其他结构,或者能够为后续形成在其上的其他结构提供一个较为平坦的表面,以便于后续结构的形成。此外,保护层32还需要具有比填充层31的折射率n 31更高的折射率n 32
因此,综合考虑保护层32的材料与中间层组件300的光路设计效果,示例地,制成保护层32的材料包括:具有一定粘性和透光性的有机材料以及以 一定比例分散在该有机材料中散射颗粒。有机材料例如为环氧树脂或丙烯酸树脂,散射颗粒例如为二氧化锆(ZrO 2)、二氧化钛(TiO 2)、氧化锌(ZnO)或硫酸钡(BaSO 4)等纳米晶颗粒。
需要说明的是,由于保护层32需要具有比填充层31的折射率n 31更高的折射率n 32,以使得从保护层32射出的光线向法线偏转,而常规透光性的有机材料难以具有满足上述条件的折射率。因此,通过在上述有机材料中掺入上述纳米晶颗粒,可以使得形成的保护层32具有较高的折射率,且由于纳米晶颗粒的散射作用,使得保护层32还能够具有一定的光取出效果。
这里,由于制成保护层32的材料包括有机材料和分散在其中的纳米晶颗粒,故其折射率是根据有机材料和纳米晶颗粒各自的折射率、以及纳米晶颗粒在有机材料中的分散比例等参数计算后获得的综合数值。
在一些实施例中,由于填充层31具有一定的粘性,其厚度过小时难以均匀地铺展开,故其厚度T 31的范围为4.0μm至8.0μm,即4.0μm≤T 31≤8.0μm。例如4.0μm、4.5μm、5.0μm、5.5μm、6.0μm、6.5μm、7.0μm、7.5μm或8.0μm。可选地,厚度T 31的范围为5.0μm≤T 31≤6.0μm。填充层31的厚度T 31例如可以通过控制涂覆填充材料时的圈数和/或每圈之间的间距来调整,本公开实施例对此不做限定。
在一些实施例中,保护层32的厚度T 32的范围为1.0μm至3.0μm即1.0μm≤T 32≤3.0μm,例如1.0μm、1.5μm、2.0μm、2.5μm或3.0μm。示例地,保护层32可以采用旋涂工艺制成。
由前述说明可知,由于进入中间层组件300的光线是先进入薄膜封装层30,因此,薄膜封装层30中具有更大折射率和更大厚度的封装子层30a能够使得光线先被充分地偏转。这样一来,在中间层组件300中,相对地最远离发光基板100的保护层32则可以具有较小的厚度,以减小中间层组件300的整体厚度,从而避免从一个子像素区域射向保护层32光线延伸到相邻的另一个子像素区域,从而产生串扰。
在一些示例中,薄膜封装层30包括两层封装子层30a,每层封装子层30a的厚度T 30a的范围为0.6μm至1.2μm、填充层31的厚度T 31的范围为4.0μm至8.0μm、保护层32的厚度T 32的范围为1.0μm至3.0μm,中间层组件300的整体厚度范围为6.2μm至13.4μm。
在另一些示例中,薄膜封装层30包括三层封装子层30a,每层封装子层30a的厚度T 30a的范围为0.6μm至1.2μm、填充层31的厚度T 31的范围为4.0μm至8.0μm、保护层32的厚度T 32的范围为1.0μm至3.0μm,中间层组件300 的整体厚度范围为6.8μm至14.6μm。
在另一些实施例中,填充层31的折射率大于薄膜封装层30中的最靠近填充层31的一个封装子层30a的折射率n 30a
由于沿指向方向D,每个封装子层30a的折射率n 30a逐渐增加,并且保护层32的折射率n 32大于填充层31的折射率n 31,因此,当填充层31的折射率大于与其最靠近的一个封装子层30a的折射率n 30a时,在中间层组件300中,沿指向方向D,每层的折射率逐渐增加。
这样一来,使得进入中间层组件300之前、相对于法线N倾斜的光线,在穿过中间层组件300射出后,光线的倾斜角度会减小,有利于光线的汇聚。
薄膜封装层30、填充层31、以及保护层32可以选取相应的材料,以使得各层满足折射率逐渐增大的设置需求,此处不再赘述。
进一步地,以下实施例将对上述显示面板01中的发光基板100和对置基板200的具体结构作详细说明。
图2为根据一些实施例的显示面板01的结构图。如图2所示,该显示面板01具有显示区域AA,显示区域AA包括多个子像素区域(Sub-P1、Sub-P2以及Sub-P3)
图3A至图3D为沿着图2中的剖视线B-B'的剖面图。如图3A至图3D所示,发光基板100包括:第一衬底10、位于该第一衬底10朝向对置基板200一侧的多个结构。
上述多个结构包括:像素定义层(Pixel Defining Layer,PDL)13、间隔设置的多个反射电极D1、被配置为发出第三颜色光的发光层14以及电极层15。多个反射电极D1、发光层14以及电极层15定义出多个发光器件D。
在一些示例中,上述多个结构还包括:设置在第一衬底10朝向对置基板200的一侧的像素电路层11和设置在像素电路层11朝向对置基板200的一侧的平坦化层(Planarization Layer,PLN)12。像素定义层13和多个发光器件D设置在平坦化层12朝向对置基板200的一侧。
在一些示例中,上述多个结构还包括:位于第一衬底10与像素电路层11之间的缓冲层(Buffer)。缓冲层可以防止金属原子或杂质离子从第一衬底10扩散到像素电路层11中。
下面对上述多个结构中沿指向方向D的各层结构作详细说明。
第一衬底10可以为刚性衬底,例如由玻璃制成。或者,第一衬底10为柔性衬底,例如由聚酰亚胺(Polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate,PET)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚甲 基丙烯酸甲酯(Polymethyl Methacrylate,PMMA)、或者聚醚砜树脂(Polyethersulfone Resin,PES)制成。
像素电路层11包括多个像素驱动电路,每个像素驱动电路与一个发光器件D电性连接。每个像素驱动电路包括多个晶体管(例如薄膜晶体管,Thin Film Transistor,TFT)和至少一个存储电容器。
图3A至图3D仅示意出通过平坦化层12中的通孔与发光器件D中的反射电极D1直接连接的一个TFT,该TFT的具体结构并未详细示意出。
图4A至图4D为根据一些实施例的发光基板100中的像素定义层13的结构图,前述图3A至图3D的剖面方向也对应于图4A和图4B中的C-C'方向。
如图4A至图4D所示,该像素定义层13包括:间隔设置的多个第一开口部OP1和围绕多个第一开口部OP1的像素定义主体130。像素定义主体130包括:多个像素定义部13a,每相邻的两个第一开口部OP1之间设置有一个像素定义部13a。
像素定义层13定义出多个子像素区域,即每个第一开口部OP1在一个子像素区域内。
应当理解的是,在图4A至图4D所示的像素定义层13中,第一开口部OP1的图形(即平行于第一衬底10表面的横截面的形状)、数量、以及排列等设置方式仅为示意,本公开实施例对此不作限定。
第一开口部OP1的图形不一定是矩形。示例地,第一开口部OP1的图形可以根据显示要求设计为菱形、五边形、六边形、圆形、椭圆形、或不规则图形等。
每个第一开口部OP1的图形不一定完全相同。示例地,同一种类型的子像素区域,(比如红色子像素区域、绿色子像素区域、或蓝色子像素区域)对应的第一开口部OP1的图形可以被设计为完全相同,不同种类型的子像素区域对应的第一开口部OP1的图形不相同。比如,红色子像素区域对应的第一开口部OP1的图形、蓝色子像素区域对应的第一开口部OP1的图形、以及绿色子像素区域对应的第一开口部OP1的图形互不相同。
多个第一开口部OP1的排列方式不一定是沿行方向(X1)和列方向(X2)呈阵列排布。示例地,多个第一开口部OP1还可以采用如下的排列方式:每相邻两行第一开口部OP1中,一行第一开口部OP1中的每个第一开口部OP1,与位于另一行第一开口部OP1中的相邻的两个第一开口部OP1之间的区域垂直对应。这样,可以使得显示面板01的子像素区域具有Delta(Δ)排列方式。
如图3A至图3D所示,间隔设置的多个反射电极D1位于像素定义层13朝向第一衬底10的一侧,且与多个第一开口部OP1一一对应。
示例地,可以先制作多个反射电极D1,再制作像素定义层13,从而使得每个反射电极D1的至少部分区域被对应的一个第一开口部OP1暴露出。在一些示例中,如图3A至图3D所示,每个反射电极D1的边缘被像素定义层13覆盖住,从而使得每个反射电极D1的大部分区域被对应的一个第一开口部OP1暴露出。
在另一些示例中,每个反射电极D1被对应的一个第一开口部OP1完全暴露出,即每个反射电极D1位于对应的一个第一开口部OP1中。
在又一些示例中,可以先制作像素定义层13,再在每个第一开口部OP1内形成对应的一个反射电极D1。这样,每个反射电极D1位于对应的一个第一开口部OP1内,并进一步地可以延伸至像素定义主体13围成该第一开口部OP1的侧壁上。本公开实施例对此不做限定。
间隔设置的反射电极D1可以通过如下过程形成:在平坦化层12上采用溅射工艺沉积一导电层,并采用旋涂工艺在该导电层背离平坦化层12的一侧形成一光刻胶层。使用一次掩膜板,对光刻胶层依次进行前烘、曝光、以及显影等处理,以形成光刻胶图案。光刻胶图案具有暴露出导电层的部分区域的开口。以光刻胶图案为掩膜,对导电层的被暴露出的区域进行刻蚀(例如湿法刻蚀),即对导电层进行图案化处理,从而形成多个间隔设置的反射电极D1。
如图3A至图3D所示,发光层14覆盖每个反射电极D1被对应的一个第一开口部OP1所暴露出的至少部分区域和像素定义主体130。
示例地,发光层14可以使用一个开放式掩膜板(Open Mask),通过蒸镀工艺沉积在多个第一开口部OP1内和像素定义主体130朝向对置基板的表面S130、且延伸进第一孔H1内。这样,便于大尺寸的发光基板100的制备。
这里,开放式掩膜板通常呈环形,中间大面积的镂空区域覆盖显示区域AA,以使发光层14连续地沉积在第一衬底10上方且位于显示区域AA内的区域中。
如图3A至图3D所示,电极层15覆盖发光层14背离像素定义层13的表面S14。电极层15背离发光层14的表面S15即为发光基板100的发光面100a。由于电极层15为一整层,故其可以通过溅射工艺形成,无需经过图案化处理。
为便于描述,将发光层14中的覆盖每个反射电极D1的部分称为发光膜 D2、将电极层15中的覆盖每个发光膜D2的部分称为对置电极D3。这样一来,如图3A至图3D所示,每个反射电极D1和位于该反射电极D1朝向对置基板200一侧的一个发光膜D2、一个对置电极D3共同构成一个发光器件D的基本结构。
每个发光器件D例如为OLED。当反射电极D1为阳极时,对置电极D3为阴极;反之,当反射电极D1为阴极时,对置电极D3为阳极。当不同电压施加到反射电极D1与对置电极D3上时,二者之间能够形成一电场,发光膜D2在该电场的控制下能够发出第三颜色光,具体的发光原理于此不作详述。
对置电极D3通常对光线具有一定的透过率和反射率,即对置电极D3通常由半反半透材料制成或者部分透反材料制成。从发光膜D2发出的光线中照射到反射电极D1的部分能够被反射电极D1反射,再从对置电极D3射出。
因此,该发光器件D为顶发射型器件,即相对于第一衬底10向上发光。与之相对的是底发射型器件,即相对于设置有该底发射型器件的衬底向下发光。
示例地,每个发光器件D还可以包括以下各层膜中的至少一个:沿指向方向D,依次设置在其反射电极D1和其发光膜D2之间的第一载流子注入膜、第一载流子传输膜、以及沿指向方向D,依次设置在其发光膜D2和其对置电极D3之间的第二载流子传输膜、第二载流子注入膜。
需要说明的是,当反射电极D1为阳极、对置电极D3为阴极时,第一载流子注入膜、第一载流子传输膜、第二载流子传输膜、以及第二载流子注入膜依次为空穴注入膜、空穴传输膜、电子传输膜、以及电子注入膜;反之,当反射电极D1为阴极、对置电极D3为阳极时,第一载流子注入膜、第一载流子传输膜、第二载流子传输膜、以及第二载流子注入膜依次为电子注入膜、电子传输膜、空穴传输膜、以及空穴注入膜。
也即是说,第一载流子的种类与反射电极D1在施加的相应电压的作用下能够提供的载流子的种类相同,同样地,第二载流子的种类与对置电极D3在施加的相应电压的作用下能够提供的载流子的种类相同。
并且,由于多个发光器件D的发光膜D2彼此连接成一个一体结构的发光层14,因此,当每个发光器件D还包括第一载流子注入膜时,多个发光器件D的第一载流子注入膜彼此连接成一个一体结构的第一载流子注入层,可以通过蒸镀或其他工艺形成。
同样地,当每个发光器件D还包括第一载流子传输膜时,多个发光器件D的第一载流子传输膜彼此连接成一个一体结构的第一载流子传输层,可以 通过蒸镀或其他工艺形成。
同样地,当每个发光器件D还包括第二载流子注入膜时,多个发光器件D的第二载流子注入膜彼此连接成一个一体结构的第二载流子注入层,可以通过蒸镀或其他工艺形成。
同样地,当每个发光器件D还包括第二载流子传输膜时,多个发光器件D的第二载流子传输膜彼此连接成一个一体结构的第二载流子传输层,可以通过蒸镀或其他工艺形成。
以反射电极D1为阳极为例,反射电极D1例如包括:一层厚度为
Figure PCTCN2020127269-appb-000001
Figure PCTCN2020127269-appb-000002
的氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)、一层厚度为
Figure PCTCN2020127269-appb-000003
的银(Ag)以及一层厚度为
Figure PCTCN2020127269-appb-000004
的ITO。
以对置电极D3为阴极为例,对置电极D3例如为一层厚度为0.008μm至0.012(
Figure PCTCN2020127269-appb-000005
Figure PCTCN2020127269-appb-000006
)的镁银合金(MgAg)。
由前述说明可知,在本公开实施例提供的上述显示面板01中,发光器件D为顶发射型器件,因此,位于发光器件D朝向第一衬底10一侧的像素电路层11不会遮挡发光器件D发出的光,从而可以有效解决由于复杂的像素驱动电路(比如具有补偿功能的像素驱动电路)所导致的显示面板开口率和亮度降低的问题。并且,利用顶发射型器件中存在的微腔效应,还可以对上述显示面板01所能够显示的画面的色域进行改善,从而提高显示效果。
此处,在顶发射型器件中,反射电极和对置电极构成一谐振腔,发光膜位于该谐振腔内。当腔长与发光膜发出的光的波长在同一数量级时,特定波长的光能够被加强,从而使得从该顶发射型器件发出的光的光谱窄化,该效应称为微腔效应。
此外,由于发光器件D发出的光线不从第一衬底10射出,故对发光基板100中的第一衬底10的透光性不作限定,其透光或者不透光均可。
由前述说明可知,发光层14发出第三颜色光,即整个发光基板100发出一种颜色的光。对置基板200中需设置有相应地能够实现将第三颜色光转换成其他颜色光的结构,以使得通过发光基板100与对置基板200共同配合,实现显示面板01显示彩色画面的功能。
以下实施例将对对置基板200一些示例性结构作具体说明。
如图3A至图3D所示,对置基板200包括:第二衬底20和设置在第二衬底20朝向发光基板100一侧的多个结构。
第二衬底20可以为刚性衬底,例如由玻璃制成。或者,第二衬底20为柔性衬底,例如由聚酰亚胺(Polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯 (Polyethylene Terephthalate,PET)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl Methacrylate,PMMA)、或者聚醚砜树脂(Polyethersulfone Resin,PES)制成。
图5A至图5D为根据一些实施例的对置基板200中的挡墙层21的结构图,前述图3A至图3D的剖面方向也对应于图5A和图5B中的D-D'方向。
该多个结构包括:挡墙层21和多个光处理膜22a。
如图5A至图5D所示,挡墙层21包括与多个第一开口部OP1一一对应的多个第二开口部OP2和围绕多个第二开口部OP2的挡墙主体210。挡墙主体210包括:多个堤部(Bank)21a,每相邻的两个第二开口部OP2之间设置有一个堤部21a。
每个第二开口部OP2也在一个子像素区域内。应当理解的是,由于多个第二开口部OP2与多个第一开口部OP1一一对应,故第二开口部OP2图形(即平行于第二衬底20表面的横截面的形状)、数量、以及排列等设置方式均分别与第一开口部的图形、数量以及排列等设置方式相同,此处不再赘述。
在一些实施例中,如图3A和图3B所示,多个光处理膜22a,与多个第一开口部OP1一一对应、且一一对应地位于多个第二开口部OP2内。多个光处理膜22a包括:多个第一量子点膜22a-1,被配置为在第三颜色光的激发下发出第一颜色光;多个第二量子点膜22a-2,被配置为在第三颜色光的激发下发出第二颜色光;多个透光膜22a-3,被配置为透射第三颜色光。
由于波长越小,光子能量越大,因此,具有较小波长的光能够激发相应的量子点材料发出具有较大波长的光。也即是说,第一量子点膜22a-1在第三颜色光的激发下所发出的第一颜色光的波长大于第三颜色光的波长,同样地,第二量子点膜22a-2在第三颜色光的激发下所发出的第二颜色光的波长大于第三颜色光的波长。
第一颜色、第二颜色、以及第三颜色构成三原色,以使得显示面板01能够显示彩色画面。例如,第一颜色、第二颜色、以及第三颜色分别为红色、绿色、以及蓝色,相应地,第一颜色光、第二颜色光、以及第三颜色光分别为红光、绿光、以及蓝光。
第一量子点膜22a-1和第二量子点膜22a-2中的量子点例如可以包括II-VI族的化合物半导体纳米晶体、III-V族的化合物半导体纳米晶体、IV-VI族的化合物半导体纳米晶体以及它们的混合物中的任一种。并且, 即使当第一量子点膜22a-1和第二量子点膜22a-2中的量子点包括相同的材料时,也能够通过调节第一量子点膜22a-1和第二量子点膜22a-2中的量子点的尺寸(通常为粒径),以使得第一量子点膜22a-1和第二量子点膜22a-2分别被第三颜色光激发后发出第一颜色光(例如红光)和第二颜色光(例如绿光)。
可以将相应的量子点掺入光刻胶材料中,调节前烘、曝光、显影、后烘等工艺条件形成相应的量子点膜,其厚度可以为10.0μm至12.0μm。
在一些示例中,透光膜22a-3由具有一定透光性的有机材料制成。在另一些示例中,制成透光膜22a-3的材料包括:具有一定透光性的有机材料以及以一定比例分散在该有机材料中散射颗粒。散射颗粒由发射如吸收时一样的第三颜色光(例如蓝光)的散射材料制成,例如为ZrO 2、TiO 2、ZnO或BaSO 4纳米晶。
透光膜可以通过涂覆光刻胶(或掺入有散射颗粒的光刻胶),调节前烘、曝光、显影、后烘等工艺条件形成,其厚度通常与上述的量子点膜相同,可以为10.0μm至12.0μm。
以下为便于描述,将多个光处理膜22a构成的整体称为滤光层22。中间层组件中的保护层32可以设置在滤光层22和挡墙层21的表面上,即保护层32可以直接形成在滤光层22和挡墙层21背离第二衬底20的表面上。
在此基础上,在一些示例中,当制成保护层32的材料包括:具有一定粘性和透光性的有机材料以及以一定比例分散在该有机材料中散射颗粒,并且制成透光膜22a-3的材料包括:具有一定透光性的有机材料以及以一定比例分散在该有机材料中散射颗粒时,透光膜22a-3可以与保护层32连接形成一体结构。
以发光基板100中的发光层14发出的第三颜色光为蓝光为例,上述图3A和图3B所示的显示面板01通过蓝光OLED(BOLED)和量子点(quantum dots,QD)相结合的方式实现显示彩色画面,故上述显示面板01的结构也可被称为“BOLED+QD”。
在另一些实施例中,在上述图3A和图3B所示的结构基础上,在对置基板200中,设置在第二衬底20朝向发光基板100一侧的多个结构还包括:遮光层和多个辅助光处理膜。
如图3C和图3D所示,遮光层23设置在挡墙层21朝向第二衬底20的一侧。
遮光层23可以基本上不透明,例如由用于吸收光的遮光材料制成。遮光 材料包括炭黑、氮氧化钛、钛黑、亚苯基黑、苯胺黑、花菁黑、或黑色树脂等。
示例地,遮光层23为黑矩阵(Black Matrix,BM)层。可以在第二衬底20朝向发光基板100的表面采用旋涂工艺形成一层厚度为1.0μm的具有感光性的BM材料,通过调节前烘、曝光、显影、后烘等工艺条件,形成遮光层23。
如图3C和图3D所示,多个辅助光处理膜24a一一对应地位于遮光层23的开口部中。
在一些示例中,多个辅助光处理膜24a包括:与多个第一量子点膜22a-1一一对应的多个第一滤色膜24a-1、与多个第二量子点膜22a-2一一对应的多个第二滤色膜24a-2、以及与多个透光膜22a-3一一对应的多个第三滤色膜24a-3。
每个第一滤色膜24a-1设置在对应的一个第一量子点膜22a-1朝向第二衬底20的一侧。第一滤色膜24a-1能够均匀地透射第一颜色光,并吸收进入该第一滤色膜24a-1中的第三颜色光中的未能有效激发量子点发光的部分,以避免混光。
第一滤色膜24a-1具有第一颜色(例如红色),例如可以由红色光刻胶制成。
每个第二滤色膜24a-2设置在对应的一个第二量子点膜22a-2朝向第二衬底20的一侧。第二滤色膜24a-2能够均匀地透射第二颜色光,并吸收进入该第二滤色膜24a-2中的第三颜色光中的未能有效激发量子点发光的部分,以避免混光。
第二滤色膜24a-2具有第二颜色(例如绿色),例如可以由绿色光刻胶制成。
每个第三滤色膜24a-2设置在对应的一个透光膜22a-3朝向第二衬底20的一侧。第三滤色膜24a-3能够均匀地透射第三颜色光。
第三滤色膜24a-2具有第三颜色(例如蓝色),例如可以由蓝色光刻胶制成。
每种滤色膜可以通过涂覆相应颜色的光刻胶,调节前烘、曝光、显影、后烘等工艺条件形成,其厚度可以为1.0μm。
如图3C和图3D所示,在另一些示例中,多个辅助光处理膜24a包括:与多个第一量子点膜22a-1一一对应的多个第一滤色膜24a-1、与多个第二量子点膜22a-2一一对应的多个第二滤色膜24a-2、以及与多个透光膜 22a-3一一对应的多个辅助透光膜24a-3'。
对于第一滤色膜24a-1和第二滤色膜24a-2的说明可参见前述示例,此处不再赘述。
每个辅助透光膜24a-3'设置在对应的一个透光膜22a-3朝向第二衬底20的一侧。辅助透光膜24a-3'能够均匀地透射第三颜色光。
在一些示例中,辅助透光膜24a-3'由具有一定透光性的有机材料制成。在另一些示例中,制成辅助透光膜24a-3'的材料包括:具有一定透光性的有机材料以及以一定比例分散在该有机材料中散射颗粒。散射颗粒由发射如吸收时一样的第三颜色光(例如蓝光)的散射材料制成,例如为ZrO 2、TiO 2、ZnO或BaSO 4纳米晶。
并且,辅助透光膜24a-3'、透光膜22a-3可以与保护层32连接形成一体结构。
对图3C和图3D中示意出的与图3A和图3B中标号相同的结构,具体说明可参见前述实施例,此处不再赘述。
以发光基板100中的发光层14发出的第三颜色光为蓝光为例,上述图3C和图3D所示的显示面板01通过蓝光OLED(BOLED)、量子点(Quantum dots,QD)以及彩膜(Color Film,CF)相结合实现显示彩色画面,故上述显示面板01的结构也可被称为“BOLED+QD+CF”。
在一些示例中,如图3A至图3D所示,挡墙主体210为反射型,这样可以使得被量子点或散射颗粒散射的光线中,一部分照射到挡墙主体210上的光线能够朝向第二衬底20射出,从而提高对发光层14发出光线的利用率。
制成反射型的挡墙主体210的材料(以下称为反射型挡墙材料)包括:遮光材料和分散在遮光材料中的散射颗粒。遮光材料包括炭黑、氮氧化钛、钛黑、亚苯基黑、苯胺黑、花菁黑、或黑色树脂等。散射颗粒例如为ZrO 2、TiO 2、ZnO或BaSO 4纳米晶。可以通过调节散射颗粒在遮光材料中的分散比例,控制反射型的挡墙主体210对光线的反射程度。
图3E为沿着图2中的剖视线B-B'的另一种剖面图。在又一些实施例中,如图3E所示,在发光基板100中,发光层14发出白光,例如可以由发出红光的发光子层、发出绿光的发光子层以及发出蓝光的发光子层叠加构成。
在图3E所示的显示面板01中,覆盖发光层14背离像素定义层13的表面S14的电极层为透射电极层15',也即是说,每个发光器件D中的与反射电极D1相对的电极为透射电极D3',例如是一层厚度为
Figure PCTCN2020127269-appb-000007
的氧化铟锌(Indium Zinc Oxide,IZO)。
在上述对置基板200中,该多个结构包括:挡墙层21、设置在多个第二开口部OP2内的第一滤色膜24a-1、第二滤色膜24a-2、以及第三滤色膜24a-3,以分别透射第一颜色光、第二颜色光以及第三颜色光。
示例地,挡墙层21可以为黑矩阵(BM)层。
图5E为根据一些实施例的对置基板200中的挡墙层21的结构图,图3E的剖面方向也对应于图5E中的D-D'方向。对图3E中示意出的与图3A至图3D中标号相同的结构以及图5E中示意出的与图5A至图5D中标号相同的结构,具体说明可参见前述实施例,此处不再赘述。
由于发光基板100中的发光层14发出的第三颜色光为白光,上述图3E所示的显示面板01通过白光OLED(WOLED)和彩膜(Color Film,CF)相结合实现显示彩色画面,故上述显示面板01的结构也可被称为“WOLED+CF”。
图5A至5E还示意出了挡墙层21朝向发光基板100的一侧上的多个间隔排列的柱状隔垫物PS。柱状隔垫物PS沿指向方向D的厚度可以与填充层31的厚度相同,其厚度的范围例如为5.0μm至6μm。
应当理解,柱状隔垫物PS直接与保护层32相接触,并未与挡墙层21相接触。图5A至5E仅通过挡墙层21的俯视图来说明柱状隔垫物PS的一种可能的排列方式,即:在行方向X1上,相邻两个柱状隔垫物PS之间可以间隔多列第二开口部OP2;在列方向X2上,相邻两个柱状隔垫物PS之间可以间隔多行第二开口部OP2。
下面通过上述多个实施例提供的发光基板100和对置基板200的具体结构,对显示面板01中的光路作详细说明。
图6为根据一些实施例的显示面板01中的光路与相关技术提供的显示面板01'的光路的对比图。
在图6中的(a)所示的相关技术提供的显示面板01'中,从一个子像素区域Sub-P1中的一个发光器件D的发光膜D2发出的相比于法线N倾斜的光线(如图6中虚线箭头a所示)依次经过厚度为10.0μm的薄膜封装层、厚度为10.0μm的填充层L4和厚度为1.0μm的氮氧化硅层L5。
薄膜封装层包括:依次层叠的第一子层L1(由SiON制成、折射率为1.8)、第二子层(由有机材料制成,折射率为1.5)以及第三子层L3(由SiN y制成,折射率为1.9)。填充层L4的折射率为1.5、氮氧化硅层L5的折射率为1.8。
倾斜的光线经过上述各层后,一些角度的光线没有进入该子像素区域 Sub-P1中的量子点膜(例如红色量子点膜,R-QD),而是进入了相邻的另一个子像素区域Sub-P2中的量子点膜(例如绿色量子点膜,G-QD),从而对子像素区域Sub-P2发出光的颜色造成串色。
以发光器件D发出蓝光为例,利用Lighttools软件,对发光器件D发出的光经过各层入射到对应子像素区域内的能量和相邻子像素区域内的能量进行仿真,并分别计算这些子像素区域内的能量与发光器件D能够发出的蓝光总能量的能量占比,可以获得以下表1.1至表1.3。
表1.1
  B 仅开启R B
能量 0.5169 29.2949 0.5586
能量占比 0.52% 29.29% 0.56%
表1.2
  B 仅开启G B
能量 0.5169 29.2942 0.5586
能量占比 0.52% 29.29% 0.56%
表1.3
  R 仅开启B G
能量 1.3208 22.7840 1.3208
能量占比 1.32% 22.78% 1.32%
在表1.1至表1.3的基础上,根据量子点的激发特性及彩膜透过光谱,可以计算出相邻子像素区域之间的串色对单色画面的色坐标的影响结果,如表2所示:
表2
Figure PCTCN2020127269-appb-000008
Figure PCTCN2020127269-appb-000009
在图6中的(b)所示的本公开实施例提供的显示面板01中,从一个子像素区域Sub-P1中的一个发光器件D的发光膜D2发出的相比于法线N倾斜的光线(如图6中虚线箭头b所示)依次经过厚度为2.0μm的薄膜封装层、厚度为5.0μm至6.0μm的填充层31和厚度为2.0μm的保护层32。
薄膜封装层包括:依次层叠第一层封装子层30a(由SiON制成、折射率为1.8)和第二层封装子层30a(由SiN y制成,折射率为1.9)。填充层31的折射率为1.5、保护层32的折射率为1.7。
倾斜的光线经过上述各层后,由于上述各层的折射率和厚度的组合,能够使得从发光器件D发出的一些角度的光不会进入相邻的另一个子像素区域Sub-P2中的量子点膜(例如绿色量子点膜,G-QD),降低对子像素区域Sub-P2发出光的颜色造成串色的程度。
以发光器件D发出蓝光为例,利用Lighttools软件,对发光器件D发出的光经过各层入射到对应子像素区域内的能量和相邻子像素区域内的能量进行仿真,并分别计算这些子像素区域内的能量与发光器件D能够发出的蓝光总能量的能量占比,可以获得以下表3.1至表3.3。
表3.1
  B 仅开启R B
能量 0.1085 36.7307 0.1139
能量占比 0.11% 36.73% 0.11%
表3.2
  B 仅开启G B
能量 0.1085 36.7307 0.1139
能量占比 0.11% 36.73% 0.11%
表3.3
  R 仅开启B G
能量 0.2670 30.724 0.2670
能量占比 0.27% 30.72% 0.27%
在表3.1至表3.3的基础上,根据量子点的激发特性及彩膜透过光谱,可以计算出相邻子像素区域之间的串色对单色画面的色坐标的影响结果,如表4所示:
表4
Figure PCTCN2020127269-appb-000010
在上述表1.1至表3.3中,“R”、“G”以及“B”分别表示红色子像素区域、绿色子像素区域以及蓝色子像素区域。能量是指辐射亮度(Radiance),单位为W/(sr·m 2),即瓦/(球面度×平方米)。
Lighttools软件模拟的子像素区域的排布方式是R、B、G、B。
在上述表1.1和表3.1中,“仅开启R”表示仅红色子像素区域对应的发光器件发光,“仅开启R”所表示的数据列的左侧的数据为该红色子像素区域中的发光器件发出的光照射到与其相邻的一个蓝色子像素区域内的部分的能量和能量占比,“仅开启R”所表示的数据列的右侧的数据为该红色子像素区域中的发光器件发出的光照射到与其相邻的另一个蓝色子像素区域内的部分的能量和能量占比。
对比表1.1和表3.1中的对应列数据可知,利用本公开实施例提供的上述中间层组件200中的各层的折射率和厚度的组合,一方面,可以提高该红色子像素区域内的发光器件发出的光经过各层后的光能量,即提高该红色子像素区域的出光效率;另一方面,可以降低该发光器件发出的光照射到相邻蓝色子像素区域内的能量,即降低相邻子像素区域内的串扰。
同样地,在上述表1.2和表3.2中,“仅开启G”表示仅绿色子像素区域对应的发光器件发光,“仅开启G”所表示的数据列的左侧的数据为该绿色子像素区域中的发光器件发出的光照射到与其相邻的一个蓝色子像素区域内的部分的能量和能量占比,“仅开启G”所表示的数据列的右侧的数据为该绿色子像素区域中的发光器件发出的光照射到与其相邻的另一个蓝色子像素区域内的部分的能量和能量占比。
对比表1.2和表3.2中的对应列数据可知,利用本公开实施例提供的上述 中间层组件200中的各层的折射率和厚度的组合,一方面,可以提高该绿色子像素区域内的发光器件发出的光经过各层后的光能量,即提高该绿色子像素区域的出光效率;另一方面,可以降低该发光器件发出的光照射到相邻蓝色子像素区域内的能量,即降低相邻子像素区域内的串扰。
同样地,“仅开启B”表示仅蓝色子像素区域对应的发光器件发光“仅开启B”所表示的数据列的左侧的数据为该蓝色子像素区域中的发光器件发出的光照射到与其相邻的一个红色子像素区域内的部分的能量和能量占比,“仅开启B”所表示的数据列的右侧的数据为该蓝色子像素区域中的发光器件发出的光照射到与其相邻的一个绿色子像素区域内的部分的能量和能量占比。
对比表1.3和表3.3中的对应列数据可知,利用本公开实施例提供的上述中间层组件200中的各层的折射率和厚度的组合,一方面,可以提高该蓝色子像素区域内的发光器件发出的光经过各层后的光能量,即提高该蓝色子像素区域的出光效率;另一方面,可以降低该发光器件发出的光照射到相邻红色和绿色子像素区域内的能量,即降低相邻子像素区域内的串扰。
在上述表2和表4中,“R-x”和“R-y”分别表示红色色坐标x和y,“G-x”和“G-y”分别表示绿色色坐标x和y,“B-x”和“B-y”分别表示蓝色色坐标x和y。NTSC色域是指(美国)国家电视标准委员会(National Television Standards Committee)指定的一种标准下的颜色的总和。
由上述各表对比可知,在本公开实施例提供的上述显示面板01中,通过合理地优化中间层组件200中各层相互之间的折射率关系和厚度大小,可以提高显示面板01所显示的画面的色域,由相关技术中的41%提升至86%,从而可以显著地提高显示品质。
图7为根据一些实施例的显示面板01中的光路图。如图7所示,沿指向方向D,中间层组件300包括:第一层封装子层30a(由SiON制成、折射率为1.8)、第二层封装子层30a(由SiN y制成,折射率为1.9)、填充层31(折射率为1.5)以及保护层32(折射率为1.75)。这些层的厚度依次为d 1、d 2、d 3以及d 4。发光器件D的发光膜D2的折射率为1.5。
相比于法线N,一个发光器件D的发光膜D2的发光角度为0°至90°,垂直出射的光的角度即为0°,相对地,横向出射的光的角度即为90°。从发光器件D发出的光线进入第一层封装子层30a的入射角度、光线进入第二层封装子层30a的入射角度、光线进入填充层31的入射角度以及光线进入保护层32的入射角度依次为θ 1、θ 2、θ 3以及θ 4。根据相对折射率公式可知:
n(SiON)×sinθ 1=n(SiN y)×sinθ 2=n 31×sinθ 3=n 32×sinθ 4
像素定义层13的像素定义部13a的宽度(即沿其自身延伸方向的垂直方向的尺寸)W 13a可通过以下等式获得:
W 13a=d 1×tanθ 1+d 2×tanθ 2+d 3×tanθ 3+d 4×tanθ 4
由于第一层封装子层30a的折射率和填充层31的折射率均小于第二层封装子层30a,填充层31的折射率小于保护层32的折射率,即不同界面之间会发生光收敛或者光发散。当该发光器件D的发光膜D2发出的光从最右侧横向入射到右侧相邻的子像素区域时,θ 1的最大出射角度(即进入第一层封装子层30a的光能够射出的最大角度)约为56°、θ 2的最大出射角度(即进入第二层封装子层30a的光能够射出的最大角度)约为52°、θ 3的最大出射角度(即进入填充层31的光能够射出的最大角度)约为90°、θ 4的最大出射角度(即进入保护层32的光能够射出的最大角度)为约59°。
示例地,当选取合适的材料使得填充层31的折射率提升至1.7时,θ 3最大出射角度约为62°,更有利于防止串色。
显然,为了尽可能地优化像素定义部13a的宽度W 13a,在上述中间层组件300中,最大出射角度越大的层,其厚度应越小;反之,最大出射角度越小的层,其厚度应越大。
在上述基础上,如图3A至图3D所示,发光层14发出的蓝光照射到对置基板200中的光处理膜22a中的量子点或散射颗粒后会发生散射,一些光线会向下照射到像素定义部13a上方。由于电极层15还延伸到像素定义部13a上方,为了减少从一个光处理膜22a中散射出的光线经过电极层15的反射再射向相邻的光处理膜22a的总量,如图4A至图4D所示,至少一个像素定义部13a中的每个朝向对置基板200的表面S13a(示意在图3A至图3D中)上设置有至少一个第一孔H1。
这里,第一孔H1是指在设置有该第一孔H1的像素定义部13a朝向对置基板200的表面S13a中,朝向第一衬底10内陷的部分。
应当理解的是,由于发光层14、电极层15的厚度相比于像素定义层13的厚度通常很小,因此,发光层14、电极层15延伸进第一孔H1的部分不会将第一孔H1填满。也即是说,电极层15位于第一孔H1的部分也会形成一个凹陷。
在相关技术中,像素定义层的表面为平面或向上凸起,相应地,发光层和电极层位于像素定义层表面的部分也为平面或向上凸起。被量子点所反射的光线进入像素定义层和挡墙主体之间被来回反射的程度较小,导致射向相 邻子像素区域内的光能量较大,相邻子像素区域发出的光的串扰程度较大。
图8为根据一些实施例的像素定义层13的光路图。
如图8所示,在本公开实施例提供的上述显示面板01中,发光层14发出的光线照射到对置基板200中的量子点QD表面后会发生散射。由于采用半反半透材料或者部分透反材料制成的电极层15和反射型的挡墙主体210对光线具有反射作用,并且第一孔H1朝向下凹陷,使得光线在第一孔H1内能够发生小角度反射。这样,一些角度的光线L1在像素定义层13和挡墙主体之间反射后,能够向该量子点所在的区域发射。并且,由于第一孔H1的存在,使得像素定义层13的表面凹凸不平,提供了更多的反射路径,即增大了光线被反射的概率。这样,一些光线会在像素定义层13与挡墙层21之间来回反射,消耗光的能量,减少射向相邻子像素区域内的光能量,从而减少对相邻子像素区域发出的光的串扰。
在一些示例中,可以采用旋涂工艺在平坦化层12上形成一层厚度为0.5μm至2.0μm的像素定义层材料,通过相应的制备工艺去除部分区域的像素定义层材料,以形成第一开口部OP1和第一孔H1,从而形成像素定义层13。
例如,像素定义层材料为光刻胶,通过调节前烘、曝光、显影、后烘,灰化等工艺条件,可以形成第一开口部OP1和第一孔H1,并且还可以调节像素定义主体130朝向对置基板200的表面S130的形状。
又例如,像素定义层材料为树脂,采用纳米压印工艺可以形成第一开口部OP1和第一孔H1,并且还可以调节像素定义主体130朝向对置基板200的表面S130的形状。
沿指向方向D,第一孔H1的尺寸(即其深度)可以为涂覆的一层像素定义层材料的厚度的60%至100%。
也即是说,在一些示例中,如图4A、图4B以及图4D所示,第一孔H1没有贯穿对应的像素定义部13a,在此情况下,该第一孔H1为凹槽(也可称为盲孔)。在另一些示例中,如图4C所示,第一孔H1贯穿对应的像素定义部13a,在此情况下,该第一孔H1为通孔(即相对于第一开口部OP1较小的开口)。
图9A为根据一些实施例提供的一个像素定义部13a的一些结构图。如图9A中的(a)和(b)所示,第一孔H1的底部可以呈弧面;或者,如图9A中的(c)和(d)所示,第一孔H1的底部可以呈平面。
在一些示例中,如图4A和图4D所示,每个像素定义部13a朝向对置基板200的表面S13a上设置有至少一个第一孔H1。
在另一些示例中,如图4C所示,每个像素定义部13a朝向对置基板200的表面S13a上设置有一个第一孔H1,且所有像素定义部13a中的第一孔H1连接成一体结构。
在又一些示例中,部分像素定义部13a中的每个朝向对置基板200的表面S13a上设置有至少一个第一孔H1。
在一些实施例中,如图4A至图4D所示,设置有至少一个第一孔H1的一个像素定义部13a沿第一方向延伸,该第一方向例如为行方向X1或列方向X2。沿垂直于该第一方向的第二方向,每个第一孔H1的尺寸(即第一孔H1的宽度W 1)的范围为像素定义部13a的尺寸(即像素定义部13a的宽度W 13a)的2.5%至30%,例如2.5%、5%、10%、15%、20%、25%或者30%。
这里,当第一方向为行方向X1时,则第二方向为列方向X2;反之,当第一方向为列方向X2时,则第二方向为行方向X1。
示例地,当根据前述说明确定像素定义部13a的宽度W 13a为20μm时,每个第一孔H1的宽度W 1可以在0.5μm至6.0μm范围内进行调节。
在一些实施例中,如图4A所示,至少一个第一孔H1包括:一个第一孔H1,该第一孔H1相对于设置有该第一孔H1的像素定义部13a的表面S13a的轴线对称。这里,该轴线平行于像素定义部13a的延伸方向。例如,当像素定义部13a沿行方向X1延伸,即其延伸方向为行方向X1时,该轴线平行于行方向X1。又例如,当像素定义部13a沿列方向X2延伸,即其延伸方向为列方向X2时,该轴线平行于列方向X2。
在另一些实施例中,如图4D所示,至少一个第一孔H1包括:至少两个第一孔H1。第一个第一孔H1与设置有至少两个第一孔H1的像素定义部13a的表面S13a靠近第一个第一孔H1的边界之间的距离、每相邻两个第一孔H1之间的距离、以及最后一个第一孔H1与该像素定义部13a的表面S13a靠近最后一个第一孔H1的边界之间的距离均相等。这样,可以使得多个第一孔H1在像素定义部13a的表面S13a上均匀分布,以均匀地反射光线。
以至少一个第一孔H1包括两个第一孔H1为例,在设置有该两个第一孔H1的像素定义部13a上,沿垂直于该像素定义部13a自身延伸方向的方向(即沿其宽度方向),一个第一孔H1位于该像素定义部13a的表面S13a的对应于该像素定义部的宽度W 13a的三分之一位置处,另一个第一孔H1位于该像素定义部13a的表面S13a的对应于该像素定义部13a 的宽度W 13a的三分之二位置处。
在一些实施例中,如图9A中的(d)所示,像素定义部13a设置有第一孔H1的表面可以为平面。
在另一些实施例中,至少一个第一孔H1和设置有至少一个第一孔H1的像素定义部13a均沿第一方向延伸,该第一方向例如为行方向X1或列方向X2。如图3A至图3D所示,像素定义部13a设置有至少一个第一孔H1的表面S13a中,位于每个第一孔H1的相对两侧的部分均为弧面,弧面的圆心位于表面S13a朝向第一衬底10的一侧。此处,从两侧中的一侧指向另一侧的方向为垂直于该第一方向的第二方向。即当第一方向为行方向X1时,第二方向为列方向X2;反之,当第一方向为列方向X2时,第二方向为行方向X1。
这样,利用弧面和位于弧面之间的第一孔H1,可以提高照射到电极层15位于像素定义部13a上的区域内的光线被来回反射的程度,以减少对相邻子像素区域的串扰。
示例地,当根据前述说明确定像素定义部13a的宽度W 13a为20μm时,弧面的半径可以在6.0μm至10.0μm范围内进行调节。
由于从发光层14发出的一部分大角度倾斜的光线可能会照射到反射型的挡墙主体210上,因此,如图3B和图3D所示,在挡墙层21中,至少一个堤部21a中的每个朝向发光基板100的表面S21a上设置有至少一个第二孔H2。
这里,第二孔H2是指在设置有该第二孔H2的堤部21a朝向发光基板100的表面S21a中,朝向第二衬底20内陷的部分。
在一些示例中,可以采用旋涂工艺在第二衬底20上、或者在遮光层23和多个辅助光处理膜12上形成一层厚度为10μm至13μm的反射型挡墙材料,通过相应的制备工艺去除部分区域的反射型挡墙材料,以形成第二开口部OP2和第二孔H2,从而形成挡墙层21。
例如,反射型挡墙材料中的遮光材料为光刻胶,通过调节前烘、曝光、显影、后烘,灰化等工艺条件,可以形成第二开口部OP2和第二孔H2,并且还可以调节挡墙主体210朝向发光基板100的表面S210的形状。
又例如,反射型挡墙材料中的遮光材料为树脂,采用纳米压印工艺可以形成第二开口部OP2和第二孔H2,并且还可以调节像挡墙主体210朝向发光基板100的表面S210的形状。
沿指向方向D,第二孔H2的尺寸(即其深度)可以为涂覆的一层反射型 挡墙材料的厚度的60%至100%。
也即是说,在一些示例中,如图5A、图5B以及图5D所示,第二孔H2没有贯穿对应的堤部21a,在此情况下,该第二孔H2为凹槽(也可称为盲孔)。在另一些示例中,如图5C所示,第二孔H2贯穿对应的堤部21a,在此情况下,该第二孔H2为通孔(即相对于第二开口部OP2较小的开口)。
图9B为根据一些实施例提供的一个堤部21a的一些结构图。如图9B中的(a)和(b)所示,第二孔H2的底部可以呈弧面;或者,如图9B中的(c)和(d)所示,第二孔H2的底部可以呈平面。
在一些示例中,如图5A和图5D所示,每个堤部21a朝向发光基板100的表面S21a上设置有至少一个第二孔H2。
在另一些示例中,如图5C所示,每个堤部21a朝向发光基板100的表面S21a上设置有一个第二孔H2,且所有堤部21a中的第二孔H2连接成一体结构。
在又一些示例中,部分堤部21a中的每个朝向发光基板100的表面S21a上设置有至少一个第二孔H2。
在一些实施例中,如图5A至图5D所示,设置有至少一个第二孔H2的一个堤部21a沿第一方向延伸,该第一方向例如为行方向X1或列方向X2。沿垂直于该第一方向的第二方向,每个第二孔H2的尺寸(即第二孔H2的宽度W 2)的范围为堤部21a的尺寸(即堤部21a的宽度W 21a)的2.5%至30%,例如2.5%、5%、10%、15%、20%、25%或者30%。
这里,当第一方向为行方向X1时,则第二方向为列方向X2;反之,当第一方向为列方向X2时,则第二方向为行方向X1。
示例地,当根据前述说明确定像素定义部13a的宽度W 13a为20μm时,考虑发光基板100与对置基板200在对合时的对位偏差,堤部21a的宽度W 21a比像素定义部13a的宽度W 13a略大11μm,即堤部21a的宽度W 21a为31μm,每个第二孔H2的宽度W 2可以在0.775μm至9.3μm范围内进行调节。
在一些实施例中,如图5A所示,至少一个第二孔H2包括:一个第二孔H2,该第二孔H2相对于设置有该第二孔H2的堤部21a的表面S21a的轴线对称。这里,该轴线平行于堤部21a的延伸方向。例如,当堤部21a沿行方向X1延伸,即其延伸方向为行方向X1时,该轴线平行于行方向X1。又例如,当堤部21a沿列方向X2延伸,即其延伸方向为列方向X2时,该轴线平行于列方向X2。
在另一些实施例中,如图5D所示,至少一个第二孔H2包括:至少两个第二孔H2。第一个第二孔H2与设置有至少两个第二孔H2的堤部21a的表面S21a靠近第一个第二孔H2的边界之间的距离、每相邻两个第二孔H2之间的距离、以及最后一个第二孔H2与该堤部21a的表面S21a靠近最后一个第二孔H2的边界之间的距离均相等。这样,可以使得多个第二孔H2在堤部21a的表面S21a上均匀分布,以均匀地反射光线。
以至少一个第二孔H2包括两个第二孔H2为例,在设置有该两个第二孔H2的堤部21a上,沿垂直于该堤部21a自身延伸方向的方向(即沿其宽度方向),一个第二孔H2位于该堤部21a的表面S21a的对应于该堤部21a的宽度W 21a的三分之一位置处,另一个第二孔H2位于该堤部21a的表面S21a的对应于该堤部21a的宽度W 21a的三分之二位置处。
在一些实施例中,如图9B中的(d)所示,堤部21a设置有第二孔H2的表面可以为平面。
在另一些实施例中,至少一个第二孔H2和设置有至少一个第二孔H2的堤部21a均沿第一方向延伸,该第一方向例如为行方向X1或列方向X2。如图3B和图3D所示,堤部21a设置有至少一个第二孔H2的表面S21a中,位于每个第二孔H2的相对两侧的部分均为弧面,弧面的圆心位于表面S21a朝向第二衬底20的一侧。此处,从两侧中的一侧指向另一侧的方向为垂直于第一方向的第二方向。即当第一方向为行方向X1时,第二方向为列方向X2;反之,当第一方向为列方向X2时,第二方向为行方向X1。
这样,利用弧面和位于弧面之间的第二孔H2,可以提高照射到挡墙主体210朝向发光基板100的表面S210上的光线被来回反射的程度,以减少对相邻子像素区域的串扰。
示例地,当根据前述说明确定堤部21a的宽度W 21a为31μm时,弧面的半径可以在9.3μm至15.5μm范围内进行调节。
这样一来,利用像素定义层13上的第一孔H1,可以避免或减少被量子点或散射颗粒散射的光线进入相邻子像素区域、或者避免或减少被挡墙主体210反射的大角度发射光线进入相邻子像素区域。并且,利用挡墙层21上的第二孔H2,可以使得照射到第二孔H2的部分区域内的光线朝向这些光线来自的区域反射,以减少对相邻子像素区域的串扰。
在一些实施例中,沿指向方向D,多个像素定义部13a与多个堤部21a 一一对应,且每个像素定义部13a在第一衬底10上的正投影位于对应的一个堤部21a在第一衬底10上的正投影的范围内。对于设置有至少一个第一孔H1的像素定义部13a,与该像素定义部13a对应的堤部21a设置有至少一个第二孔H2。
图9C为根据一些实施例的像素定义部13a上的第一孔H1与堤部21a上的第二孔H2的对应方式。如图9C所示,至少一个第一孔H1与至少一个第二孔H2可以采用以下任一种设置方式:
如图9C中的(a)所示,至少一个第一孔H1包括一个第一孔H1,至少一个第二孔H2包括与第一孔H1对应的一个第二孔H2。
这里,第一孔H1与第二孔H2对应,是指第一孔H1与第二孔H2的延伸方向相同,且二者在第一衬底10上的正投影有重叠。
示例地,第一孔H1与第二孔H2的对应方式可以是垂直对应,即第一孔H1在第一衬底10上的正投影的轴线与第二孔H2在第一衬底10上的正投影的轴线重叠。
如图9C中的(b)所示,至少一个第一孔H1包括间隔设置的两个第一孔H1,至少一个第二孔H2包括一个第二孔H2,且第二孔H2与两个第一孔H1之间的区域对应。
这里,第二孔H2与两个第一孔H1之间的区域对应,是指第二孔H2与两个第一孔H1的延伸方向相同,且第二孔H2和上述区域各自在第一衬底10上的正投影有重叠。
示例地,第二孔H2和上述区域的对应方式可以是垂直对应,即第二孔H2在第一衬底10上的正投影的轴线与上述区域在第一衬底10上的正投影的轴线重叠。
如图9C中的(c)所示,至少一个第一孔H1包括间隔设置的至少两个第一孔H1,至少一个第二孔H2包括间隔设置的至少两个第二孔H2,且每个第二孔H2与一个第一孔H1对应。
这里,第一孔H1与第二孔H2对应,是指第一孔H1与第二孔H2的延伸方向相同,且二者在第一衬底10上的正投影有重叠。
示例地,每个第一孔H1与一个第二孔H2的对应方式可以是垂直对应,即第一孔H1在第一衬底10上的正投影的轴线与第二孔H2在第一衬底10上的正投影的轴线重叠。
如图9C中的(d)所示,至少一个第一孔H1包括一个第一孔H1,至少一个第二孔H2包括间隔设置的两个第二孔H2,且两个第二孔H2之 间的区域与第一孔H1对应。
这里,第一孔H1与两个第二孔H2之间的区域对应,是指第一孔H1与两个第二孔H2的延伸方向相同,且第一孔H1和上述区域各自在第一衬底10上的正投影有重叠。
示例地,第一孔H1和上述区域的对应方式可以是垂直对应,即第一孔H1在第一衬底10上的正投影的轴线与上述区域在第一衬底10上的正投影的轴线重叠。
这样,通过像素定义部13a上的第一孔H1与堤部21a上的第二孔H2相互配合,进一步增大了照射到像素定义部13a与堤部21a之间的区域内的光被来回反射的程度,减少光从该区域射出的总量,从而进一步提高减少串扰。
本公开一些实施例提供一种显示装置。图10为根据一些实施例的上述显示装置02的结构图,如图10所示,该显示装置02包括有上述的显示面板01。该显示装置02所能实现的有益效果与上述显示面板01所能实现的有益效果相同,此处不再赘述。
该显示装置具体可以是自发光型显示装置,例如OLED显示器、OLED电视、手机、平板电脑、导航仪、数码相框、可穿戴显示产品、车载显示产品、船载显示产品等具有任何显示功能的产品或者部件。
应当理解的是,上述显示面板01还可以具有围绕显示区域AA的外围区域。显示面板01还可以包括位于外围区域内的多条信号布线、栅极驱动电路、数据驱动电路等。
该显示装置02除了包括显示面板01以外,还可以包括其他部件和组成结构。以该显示装置02为显示器为例,还可以包括外壳、电路板、电源线以及其他部件。电路板用于为向显示面板01提供显示所需的信号。示例地,电路板为印刷电路板组件(Printed Circuit Board Assembly,PCBA),PCBA包括印刷电路板(Printed Circuit Board,PCB)和设置于PCB上的时序控制器(Timing Controller,TCON)、电源管理集成电路(Power Management IC,PMIC)以及其他IC或电路等。本领域技术人员可以根据该显示装置的具体使用要求进行相应地补充,在此不再赘述。
以上所述,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (20)

  1. 一种显示面板,包括:
    发光基板;
    对置基板;以及
    中间层组件,位于所述发光基板与所述对置基板之间;其中,
    所述发光基板具有被配置为发出光的一发光面,所述发光面发出的所述光射向所述对置基板;以及
    所述中间层组件包括:沿从所述发光基板垂直指向所述对置基板的指向方向,依次层叠设置的薄膜封装层、填充层、以及保护层;所述薄膜封装层包括:依次层叠设置的至少两层封装子层;沿所述指向方向,每个封装子层的折射率逐渐增加;所述保护层的折射率大于所述填充层的折射率。
  2. 根据权利要求1所述的显示面板,其中,沿所述指向方向,每个封装子层的厚度逐渐增加。
  3. 根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述填充层的折射率与所述薄膜封装层中的最靠近所述填充层的一个封装子层的折射率的差值的绝对值的范围为0至0.4。
  4. 根据权利要求1至3任一项所述的显示面板,其中,每个封装子层的折射率的范围为1.7至1.9。
  5. 根据权利要求4所述的显示面板,其中,每个封装子层的厚度的范围为0.6μm至1.2μm。
  6. 根据权利要求4所述的显示面板,其中,所述填充层的折射率的范围为1.5至1.7,所述保护层的折射率的范围为1.7至1.85。
  7. 根据权利要求6所述的显示面板,其中,所述填充层的厚度的范围为4.0μm至8.0μm,所述保护层的厚度的范围为1.0μm至3.0μm。
  8. 根据权利要求1至5任一项所述的显示面板,其中,所述填充层的折射率大于所述薄膜封装层中的最靠近所述填充层的一个封装子层的折射率。
  9. 根据权利要求1至8任一项所述的显示面板,其中,
    所述发光基板包括:
    第一衬底;
    像素定义层,位于所述第一衬底朝向所述对置基板的一侧;所述像素定义层包括:间隔设置的多个第一开口部、和围绕所述多个第一开口 部的像素定义主体;所述像素定义主体包括:多个像素定义部,每相邻的两个第一开口部之间设置有一个像素定义部,且至少一个像素定义部中的每个朝向所述对置基板的表面上设置有至少一个第一孔;
    间隔设置的多个反射电极,与所述多个第一开口部一一对应,且每个反射电极的至少部分区域被对应的一个第一开口部暴露出;
    发光层,被配置为发出第三颜色光;所述发光层覆盖每个反射电极被所述对应的一个第一开口部所暴露出的所述至少部分区域、和所述像素定义主体;所述第三颜色光为所述发光基板发出的所述光;
    电极层,覆盖所述发光层背离所述像素定义层的表面;所述电极层背离所述发光层的表面为所述发光面;
    所述对置基板包括:
    多个光处理膜,与所述多个第一开口部一一对应;所述多个光处理膜包括:多个第一量子点膜,被配置为在所述第三颜色光的激发下发出第一颜色光;多个第二量子点膜,被配置为在所述第三颜色光的激发下发出第二颜色光;多个透光膜,被配置为透射所述第三颜色光;
    所述第一颜色、所述第二颜色、以及所述第三颜色构成三原色。
  10. 根据权利要求9所述的显示面板,其中,所述至少一个第一孔和设置有所述至少一个第一孔的像素定义部均沿第一方向延伸,所述第一方向为行方向或者列方向;
    在设置有所述至少一个第一孔的像素定义部的所述表面中,位于每个第一孔的相对两侧的部分均为弧面,所述弧面的圆心位于所述表面朝向所述第一衬底的一侧;从所述两侧中的一侧指向另一侧的方向为垂直于所述第一方向的第二方向。
  11. 根据权利要求9所述的显示面板,其中,设置有所述至少一个第一孔的像素定义部沿第一方向延伸,所述第一方向为行方向或列方向;
    沿垂直于所述第一方向的第二方向,每个第一孔的尺寸的范围为所述像素定义部的尺寸的2.5%至30%。
  12. 根据权利要求9所述的显示面板,其中,
    所述至少一个第一孔包括:一个第一孔,所述第一孔相对于设置有所述第一孔的像素定义部的表面的轴线对称,所述轴线平行于所述像素定义部的延伸方向;或者,
    所述至少一个第一孔包括:至少两个第一孔;第一个第一孔与设置有所述至少两个第一孔的像素定义部的表面靠近所述第一个第一孔的边 界之间的距离、每相邻两个第一孔之间的距离、以及最后一个第一孔与所述像素定义部的所述表面靠近所述最后一个第一孔的边界之间的距离均相等。
  13. 根据权利要求9所述的显示面板,其中,每个第一孔为凹槽。
  14. 根据权利要求9至13任一项所述的显示面板,其中,所述对置基板还包括:
    第二衬底;以及
    挡墙层,位于所述第二衬底朝向所述发光基板的一侧;所述挡墙层包括:与所述多个第一开口部一一对应的多个第二开口部、和围绕所述多个第二开口部的挡墙主体;所述挡墙主体包括:多个堤部,每相邻的两个第二开口部之间设置有一个堤部,至少一个堤部中的每个朝向所述发光基板的表面上设置有至少一个第二孔;其中,
    所述多个光处理膜一一对应地位于所述多个第二开口部内。
  15. 根据权利要求14所述的显示面板,其中,所述至少一个第二孔和设置有所述至少一个第二孔的堤部均沿第一方向延伸,所述第一方向为行方向或者列方向;
    在设置有所述至少一个第二孔的堤部的所述表面中,位于每个第二孔的相对两侧的部分均为弧面,所述弧面的圆心位于所述表面朝向所述第二衬底的一侧;从所述两侧中的一侧指向另一侧的方向为垂直于所述第一方向的第二方向。
  16. 根据权利要求14所述的显示面板,其中,设置有所述至少一个第二孔的堤部沿第一方向延伸,所述第一方向为行方向或者列方向;
    沿垂直于所述第一方向的第二方向,每个第二孔的尺寸的范围为所述堤部的尺寸的2.5%至30%。
  17. 根据权利要求14所述的显示面板,其中,
    所述至少一个第二孔包括:一个第二孔,所述第二孔相对于设置有所述第二孔的堤部的表面的轴线对称,所述轴线平行于所述堤部的延伸方向;或者,
    所述至少一个第二孔包括:至少两个第二孔;第一个第二孔与设置有所述至少两个第二孔的堤部的表面靠近所述第一个第二孔的边界之间的距离、每相邻两个第二孔之间的距离、以及最后一个第二孔与所述堤部的所述表面靠近所述最后一个第二孔的边界之间的距离均相等。
  18. 根据权利要求14所述的显示面板,其中,每个第二孔为凹槽。
  19. 根据权利要求14所述的显示面板,其中,沿所述指向方向,所述多个像素定义部与所述多个堤部一一对应,且每个像素定义部在所述第一衬底上的正投影位于对应的一个堤部在所述第一衬底上的正投影的范围内;
    对于设置有所述至少一个第一孔的像素定义部,与所述像素定义部对应的堤部设置有所述至少一个第二孔,所述至少一个第一孔与所述至少一个第二孔采用以下任一种设置方式:
    所述至少一个第一孔包括一个第一孔,所述至少一个第二孔包括与所述第一孔对应的一个第二孔;
    所述至少一个第一孔包括间隔设置的两个第一孔,所述至少一个第二孔包括一个第二孔,且所述第二孔与所述两个第一孔之间的区域对应;
    所述至少一个第一孔包括间隔设置的至少两个第一孔,所述至少一个第二孔包括间隔设置的至少两个第二孔,且每个第二孔与一个第一孔对应;以及
    所述至少一个第一孔包括一个第一孔,所述至少一个第二孔包括间隔设置的两个第二孔,且所述两个第二孔之间的区域与所述第一孔对应。
  20. 一种显示装置,包括如权利要求1至19任一项所述的显示面板。
PCT/CN2020/127269 2020-11-06 2020-11-06 显示面板及显示装置 WO2022094973A1 (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/606,506 US20220352487A1 (en) 2020-11-06 2020-11-06 Display panel and display apparatus
CN202080002659.4A CN114846615B (zh) 2020-11-06 2020-11-06 显示面板及显示装置
PCT/CN2020/127269 WO2022094973A1 (zh) 2020-11-06 2020-11-06 显示面板及显示装置
EP20960434.7A EP4145528A4 (en) 2020-11-06 2020-11-06 DISPLAY BOARD AND DISPLAY DEVICE

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2020/127269 WO2022094973A1 (zh) 2020-11-06 2020-11-06 显示面板及显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022094973A1 true WO2022094973A1 (zh) 2022-05-12

Family

ID=81458469

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2020/127269 WO2022094973A1 (zh) 2020-11-06 2020-11-06 显示面板及显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220352487A1 (zh)
EP (1) EP4145528A4 (zh)
CN (1) CN114846615B (zh)
WO (1) WO2022094973A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210152058A (ko) * 2020-06-04 2021-12-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101026180A (zh) * 2006-02-22 2007-08-29 统宝光电股份有限公司 包含电致发光装置的影像显示系统及其制造方法
US20170062540A1 (en) * 2015-08-25 2017-03-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display panel and method of manufacturing the same
CN109585497A (zh) * 2017-09-29 2019-04-05 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示设备
CN109638055A (zh) * 2018-12-18 2019-04-16 武汉天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板、制备方法及显示装置
CN111063826A (zh) * 2019-12-16 2020-04-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
KR20200072745A (ko) * 2018-12-13 2020-06-23 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치 및 그를 포함한 개인 몰입형 표시장치
CN111384139A (zh) * 2020-03-20 2020-07-07 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、防窥膜、显示装置
CN111653683A (zh) * 2020-06-16 2020-09-11 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016076169A1 (ja) * 2014-11-10 2016-05-19 シャープ株式会社 有機el表示装置
KR102016565B1 (ko) * 2017-11-30 2019-08-30 엘지디스플레이 주식회사 전계발광표시장치

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101026180A (zh) * 2006-02-22 2007-08-29 统宝光电股份有限公司 包含电致发光装置的影像显示系统及其制造方法
US20170062540A1 (en) * 2015-08-25 2017-03-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display panel and method of manufacturing the same
CN109585497A (zh) * 2017-09-29 2019-04-05 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示设备
KR20200072745A (ko) * 2018-12-13 2020-06-23 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치 및 그를 포함한 개인 몰입형 표시장치
CN109638055A (zh) * 2018-12-18 2019-04-16 武汉天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板、制备方法及显示装置
CN111063826A (zh) * 2019-12-16 2020-04-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
CN111384139A (zh) * 2020-03-20 2020-07-07 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、防窥膜、显示装置
CN111653683A (zh) * 2020-06-16 2020-09-11 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP4145528A4 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN114846615A (zh) 2022-08-02
CN114846615B (zh) 2023-12-01
EP4145528A1 (en) 2023-03-08
EP4145528A4 (en) 2023-08-23
US20220352487A1 (en) 2022-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20220344407A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US9536930B2 (en) Display device
WO2021196995A1 (zh) 显示装置、显示装置的盖板的制作方法
US20210050388A1 (en) Display device
US10684401B2 (en) Display device and electronic apparatus
CN111505866A (zh) 显示装置及其制作方法
US7402939B2 (en) Organic EL display
JP2020521990A (ja) カラーフィルム基板及びその製造方法、表示パネルと表示装置
US20120268042A1 (en) Display apparatus
US8648527B2 (en) Display apparatus
WO2022083304A1 (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置
US20130076236A1 (en) Display apparatus
WO2019227669A1 (zh) 显示面板及显示装置
WO2023246492A1 (zh) 显示面板、显示装置和车载显示系统
US20120256562A1 (en) Display apparatus
US20220255030A1 (en) Color conversion substrate, manufacturing method thereof and display panel
WO2022094973A1 (zh) 显示面板及显示装置
CN111403462B (zh) 显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置
JP2012221687A (ja) 表示装置
US11957022B2 (en) Display panel having intra-substrate filler configuration, method of manufacturing such a display panel, and display device
US20130082909A1 (en) Display apparatus
WO2024000454A1 (zh) 触控显示面板及其制备方法、显示装置
WO2023028945A1 (zh) 显示面板及其制备方法和显示装置
WO2023050122A1 (zh) 显示面板和显示装置
CN114967210B (zh) 一种反射显示模组及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 20960434

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020960434

Country of ref document: EP

Effective date: 20221129

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE