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QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNGEN
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Diese Anmeldung beansprucht den Prioritätsvorteil der Patentanmeldung Nr. 10-2017-0110899 der Republik Korea, die am 31. August 2017 in der Republik Korea eingereicht wurde, und der Patentanmeldung Nr. 10-2018-0089922 der Republik Korea, die am 1. August 2018 eingereicht wurde.
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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Gebiet der Erfindung
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Ausführungsformen der Erfindung beziehen sich auf eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung und insbesondere auf eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung mit einer verbesserten Lichtauskopplungseffizienz und einer verbesserten Farbtemperatur.
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Diskussion der verwandten Technik
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Als Informationstechnologie und mobile Kommunikationstechnologie entwickelt worden sind, wurde auch eine Anzeigevorrichtung entwickelt, die in der Lage ist, ein visuelles Bild anzuzeigen.
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Flache Panel-Anzeigevorrichtungen, wie eine Flüssigkristallanzeige (LCD)-Vorrichtung, eine Plasmaanzeigepanel (PDP)-Vorrichtung, eine Feldemissionsanzeige (FED)-Vorrichtung, eine Elektrolumineszenzanzeige (ELD)-Vorrichtung, eine organische lichtemittierende Anzeige (OLED)-Vorrichtung usw. werden aufgrund von Vorteilen bei dem Gewicht, dem Stromverbrauch und dergleichen anstelle einer Kathodenstrahlröhre entwickelt und verwendet.
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Von den flachen Panel-Anzeigevorrichtungen weist die OLED-Vorrichtung als selbstemittierende Bauart hervorragende Eigenschaften eines dünnen Profils und eines geringen Gewichts auf, ohne dass eine Hintergrundbeleuchtungseinheit der LCD-Vorrichtung erforderlich ist. Darüber hinaus weist die OLED-Anzeigevorrichtung Vorteile hinsichtlich Betrachtungswinkel, Kontrastverhältnis, niedrigem Energieverbrauch, Niederspannungs-Ansteuerung und schneller Ansprechzeit auf. Da die OLED-Vorrichtung ferner die festen Elemente aufweist, weist die OLED-Vorrichtung Vorteile in einem äußeren Aufprall- und einem Betriebstemperaturbereich auf.
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Da der Herstellungsprozess der OLED-Vorrichtung sehr einfach ist, hat die OLED-Vorrichtung einen großen Vorteil hinsichtlich der Produktionskosten.
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In der OLED-Vorrichtung wird der Lichtverlust des Lichts, das von einer organischen Emissionsschicht erzeugt wird, erzeugt, wenn das Licht verschiedene Elemente in der OLED-Vorrichtung durchläuft. Zum Beispiel kann die Lichtextraktion des Lichts von der organischen Emissionsschicht etwa 20% betragen.
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Da die Lichtextraktionsmenge proportional zu dem Strom ist, der an eine organische Leuchtdiode angelegt wird, kann die Helligkeit der OLED-Vorrichtung erhöht werden, indem der Strom zu der organischen Leuchtdiode erhöht wird. Es verursacht jedoch einen hohen Stromverbrauch und eine kurze Lebensdauer.
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Um die Lichtauskopplung (Lichtextraktion) der OLED-Vorrichtung zu verbessern, kann ein Mikrolinsen-Array (MLA) auf einem Substrat der OLED-Vorrichtung angebracht werden oder eine Mikrolinse kann in einer Überzugsschicht der OLED-Vorrichtung ausgebildet werden.
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Die Farbtemperatur der OLED-Vorrichtung kann jedoch durch das MLA oder die Mikrolinse verringert werden. Zudem wird das Reflexionsverhältnis durch das MLA oder die Mikrolinse erhöht, so dass die visuelle Empfindlichkeit der Farbe Schwarz verringert werden kann.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Dementsprechend sind Ausführungsformen der Erfindung auf eine OLED-Vorrichtung gerichtet, die im Wesentlichen eines oder mehrere der Probleme aufgrund von Beschränkungen und Nachteilen der verwandten Technik vermeidet und andere Vorteile aufweist.
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Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung werden in der folgenden Beschreibung dargelegt und werden zum Teil aus der Beschreibung ersichtlich oder können durch die Ausführung der Erfindung erlernt werden. Die Aufgaben und andere Vorteile der Erfindung werden durch die Struktur realisiert und erreicht, die insbesondere in der schriftlichen Beschreibung und den Ansprüchen sowie den beigefügten Zeichnungen dargelegt ist. Verschiedene Ausführungsformen stellen eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1 und eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 18 bereit. Weitere Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.
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Ausführungsformen betreffen eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung, die ein Substrat mit einer Vielzahl von Pixelbereichen, eine lichtabsorbierende Materialschicht, die in einem weißen Pixelbereich der Vielzahl von Pixelbereichen angeordnet ist und einen lichtabsorbierenden Farbstoff aufweist, eine Überzugsschicht auf der lichtabsorbierenden Materialschicht, eine Mikrolinsenstruktur an einer oberen Oberfläche der Überzugsschicht und eine emittierende Diode an der Mikrolinsenstruktur aufweist, wobei der lichtabsorbierende Farbstoff eine Hauptabsorptionswellenlänge von etwa 500 bis 640 nm aufweist.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen ist eine Fläche der lichtabsorbierenden Materialschicht über etwa 40% einer Fläche eines Emissionsbereichs des weißen Pixelbereichs.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen weist der lichtabsorbierende Farbstoff eines oder mehrere von Tetra-Aza-Porphyrin (TAP), Rhodamin, Squalen und Cyanin (CY) -basiertem Material auf.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen ist die lichtabsorbierende Materialschicht transparent oder weiß.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung ferner eine blaue Farbfilterstruktur auf einer Seite der lichtabsorbierenden Materialschicht auf.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung ferner eine Bank an einer Grenze des weißen Pixelbereichs auf, wobei die blaue Farbfilterstruktur die Bank überlappt.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung ferner eine Metallleitung an einer Grenze des weißen Pixelbereichs auf, wobei die blaue Farbfilterstruktur die Metallleitung überlappt.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die Überzugsschicht einen Brechungsindex von etwa 1,5 auf.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die Überzugsschicht mindestens eines von einem Harz auf Acryl-Basis, einem Harz auf Phenol-Basis, einem Harz auf Polyamid-Basis, einem Harz auf Polyimid-Basis, einem Harz auf Basis ungesättigter Polyester, einem Harz auf Polyphenylen-Basis, einem Harz auf Polyphenylensulfid-Basis, einem Harz auf Benzocyclobuten-Basis und einem Photoresist auf.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die Vielzahl von Pixelbereichen ferner einen roten Pixelbereich, einen grünen Pixelbereich und einen blauen Pixelbereich auf, und ein roter Farbfilter, ein grüner Farbfilter und ein blauer Farbfilter sind in dem roten, grünen bzw. blauen Pixelbereichen angeordnet.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung ferner: einen Dünnfilmtransistor in jedem der Vielzahl von Pixelbereichen auf; und weist eine Isolierschicht zwischen dem Dünnfilmtransistor und der Überzugsschicht auf, wobei die lichtabsorbierende Materialschicht auf der Isolierschicht angeordnet ist.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen ist eine Fläche der lichtabsorbierenden Materialschicht kleiner als eine Fläche eines Emissionsbereichs des weißen Pixelbereichs.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die lichtabsorbierende Materialschicht eine Vielzahl von lichtabsorbierenden Materialstrukturen, die voneinander beabstandet sind, auf.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen sind die Vielzahl von lichtabsorbierenden Materialstrukturen entlang einer Richtung angeordnet, um eine Streifenstruktur bereitzustellen.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen hat jede der Vielzahl von lichtabsorbierenden Materialstrukturen eine Stabform und eine Seitenoberfläche der lichtabsorbierenden Materialstruktur hat eine unebene Form.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die lichtabsorbierende Materialschicht eine Gitter-Form und eine Öffnung darin auf, um einen Teil des weißen Pixelbereichs freizulegen.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung ferner auf: eine rote Farbfilterstruktur, eine grüne Farbfilterstruktur und eine schwarze Matrixstruktur an einer Seite der lichtabsorbierenden Materialschicht.
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In einem weiteren Aspekt weist eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung ein Substrat auf, das einen roten oder grünen ersten Pixelbereich und einen weißen zweiten Pixelbereich aufweist; weist eine emittierende Diode auf dem Substrat auf, die den ersten und zweiten Pixelbereichen entsprechen, wobei die emittierende Diode ein weißes Licht emittiert; weist einen Farbfilter in dem ersten Pixelbereich und zwischen dem Substrat und der emittierenden Diode auf; und weist eine blaue Farbfilterstruktur auf dem Substrat und unter der emittierenden Diode auf, wobei die blaue Farbfilterstruktur zwischen dem ersten und dem zweiten Pixelbereich angeordnet ist.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung ferner auf: eine Bank, die zwischen dem ersten und zweiten Pixelbereich angeordnet ist und eine Kante einer ersten Elektrode der emittierenden Diode bedeckt, wobei die blaue Farbfilterstruktur die Bank überlappt.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung ferner auf: eine lichtabsorbierende Materialschicht, die in dem zweiten Pixelbereich angeordnet ist und einen lichtabsorbierenden Farbstoff aufweist, wobei die blaue Farbfilterstruktur zwischen dem Farbfilter und der lichtabsorbierenden Materialschicht angeordnet ist und der lichtabsorbierende Farbstoff eine Hauptabsorptionswellenlänge von etwa 500 bis 640 nm hat.
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Es versteht sich, dass sowohl die vorangehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende detaillierte Beschreibung Beispiele sind und erklärend sind und eine weitere Erläuterung der beanspruchten Erfindung bereitstellen sollen.
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Figurenliste
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Die beigefügten Zeichnungen, die enthalten sind, um ein weiteres Verständnis der Erfindung zu liefern und die in dieser Beschreibung enthalten sind und einen Teil davon bilden, veranschaulichen Ausführungsformen der Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung zur Erläuterung der Prinzipien der Erfindung.
- 1 ist eine schematische Draufsicht eines Pixels einer OLED-Vorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
- 2 ist eine schematische Querschnittsansicht entlang der Linie I-I von 1.
- 3 ist ein Graph, der ein Emissionsspektrum einer OLED-Vorrichtung der vorliegenden Erfindung und einer OLED-Vorrichtung einer bezogenen Technik zeigt.
- 4A bis 4E sind schematische Draufsichten eines weißen Pixelbereichs einer OLED-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
- 5 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Pixels einer OLED-Vorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
- 6 ist eine Ansicht, die eine lichtblockierende Struktur in der OLED-Vorrichtung der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
- 7 ist eine Ansicht, die einen Lichtleitweg in der OLED-Vorrichtung der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Es wird nun im Detail auf Ausführungsformen der Erfindung Bezug genommen, von denen Beispiele in den begleitenden Zeichnungen veranschaulicht sind.
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1 ist eine schematische Draufsicht eines Pixels einer OLED-Vorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 2 ist eine schematische Querschnittsansicht entlang der Linie I-I von 1. Alle Komponenten der OLED-Vorrichtung gemäß allen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind operativ gekoppelt und konfiguriert.
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Bezugnehmend auf 1 weist eine OLED-Vorrichtung 100 (von 2) eine Vielzahl von Pixeln P auf, die enthalten sind. Jedes oder mindestens eines der Pixel P weist einen roten Pixelbereich R-SP, einen weißen Pixelbereich W-SP, einen blauen Pixelbereich B-SP und einen grünen Pixelbereich G-SP auf. Jeder der Pixelbereiche R-SP, W-SP, B-SP und G-SP weist einen Emissionsbereich EA und einen Nicht-Emissionsbereich NEA entlang einer Kante des Emissionsbereichs EA auf. Der Nicht-Emissionsbereich NEA ist nämlich an einer Peripherie des Emissionsbereichs EA angeordnet. Eine Bank 119 ist in dem Nicht-Emissionsbereich NEA angeordnet. Die Bank 119 ist nämlich an einer Grenze von jedem der Pixelbereiche R-SP, W-SP, B-SP und G-SP angeordnet.
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In 1 haben die Pixelbereiche R-SP, W-SP, B-SP und G-SP die gleiche Breite und sind entlang einer Richtung angeordnet. Alternativ können die Pixelbereiche R-SP, W-SP, B-SP und G-SP unterschiedliche Breiten (Bereiche) aufweisen und können angeordnet sein, um verschiedene Strukturen zu bilden.
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Ein Treiberdünnfilmtransistor (TFT) DTr ist in dem Nicht-Emissionsbereich NEA jedes Pixelbereichs R-SP, W-SP, B-SP und G-SP gebildet. Eine Leuchtdiode E (von 2), die eine erste Elektrode 111 (von 2), eine organische Emissionsschicht 113 (von 2) und eine zweite Elektrode 115 (von 2) aufweist, ist in dem Emissionsbereich EA jedes Pixelbereichs R-SP, W-SP, B-SP und G-SP ausgebildet.
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Zum Emittieren (oder Anzeigen) von rotem „R“, weißem „W“, blauem „B“ und grünem „G“ Licht in den Pixelbereichen R-SP, W-SP, B-SP bzw. G-SP sind ein roter Farbfilter 106a, eine lichtabsorbierende Materialschicht 200, ein blauer Farbfilter 106c und ein grüner Farbfilter 106b in dem Emissionsbereich EA der roten, weißen, blauen und grünen Pixelbereiche R-SP, W-SP, B-SP und G-SP gebildet.
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Eine Vielzahl von Mikrolinsenstrukturen 117 ist auch in jedem Pixelbereich R-SP, W-SP, B-SP und G-SP ausgebildet. Eine Form der Mikrolinsenstruktur 117 kann in jedem Emissionsbereich EA gleich sein. Eine externe Auskopplungseffizienz der organischen Emissionsschicht 113 wird durch die Mikrolinsenstruktur 117 verbessert.
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Die Mikrolinsenstruktur 117 ist auf einer Oberfläche einer Überzugsschicht 108 (von 2) ausgebildet und weist eine Vielzahl von konkaven Abschnitten 117b und eine Vielzahl von konvexen Abschnitten 117a benachbart zu den konkaven Abschnitt 117b auf. Der konvexe Abschnitt 117a und der konkave Abschnitt 117b sind nämlich abwechselnd zueinander angeordnet.
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Die lichtabsorbierende Materialschicht 200 weist in dem weißen Pixelbereich W-SP ein weißes oder transparentes Bindemittelharz und einen lichtabsorbierende Farbstoff 210, der in dem Bindemittelharz dispergiert ist, auf. Der lichtabsorbierende Farbstoff 210 hat eine hauptsächliche (wesentliche) Absorptionswellenlänge von etwa 500 bis 640 nm auf.
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Das gelbe Licht wird durch den lichtabsorbierenden Farbstoff 210 derart absorbiert, dass die Farbtemperatur der OLED-Vorrichtung 100 verbessert wird. Zudem wird das Reflexionsverhältnis durch den lichtabsorbierenden Farbstoff 210 verringert, so dass die visuelle Empfindlichkeit der schwarzen Farbe verbessert wird.
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Genauer gesagt ist 2 eine schematische Querschnittsansicht entlang der Linie I-I von 1.
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Die OLED-Vorrichtung kann in Abhängigkeit von einer Durchgangsrichtung des Lichts von der emittierenden Diode in einen Top-Emitter-Typ und einen Bottom-Emitter-Typ eingeteilt werden. Im Folgenden wird die OLED-Vorrichtung vom Bottom-Emitter-Typ erläutert, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
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Zur Erläuterung ist ein Bereich, in dem der Treiber-TFT DTr gebildet ist, als ein Schaltbereich TrA definiert, und ein Bereich, in dem die Emitterdiode E gebildet ist, ist als der Emissionsbereich EA definiert.
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Bezugnehmend auf 2 ist der Treiber-TFT DTr in einem Pixelbereich R-SP gebildet. Der Treiber-TFT DTr ist jedoch in allen Pixelbereichen R-SP, W-SP, B-SP und G-SP gebildet.
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Jedes oder ein Pixel P (von 1) ist durch benachbarte vier Pixelbereiche R-SP, W-SP, B-SP und G-SP entlang einer Richtung definiert, und die vier Pixelbereiche sind jeweils als rote, weiße blaue und grüne Pixelbereiche R-SP, W-SP, B-SP und G-SP definiert.
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Wie in 2 gezeigt ist, ist ein Substrat 101, auf dem der Treiber-TFT DTr und die emittierende Diode E gebildet sind, durch einen Schutzfilm 102 verkapselt.
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Eine Halbleiterschicht 103 ist auf dem Substrat 101 und in einem Bereich TrA angeordnet. Die Halbleiterschicht 103 ist aus Silizium gebildet. Ein Zentrum der Halbleiterschicht 103 ist als ein aktiver Bereich 103a als ein Kanal definiert. Hochkonzentrations-Verunreinigungen sind auf beiden Seiten der Halbleiterschicht 103 dotiert, so dass ein Source-Bereich 103b und ein Drain-Bereich 103c auf beiden Seiten des aktiven Bereichs 103a definiert sind.
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Eine Gate-Isolierschicht 105 ist auf der Halbleiterschicht 103 angeordnet.
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Eine Gate-Elektrode 107, die dem aktiven Bereich 103a der Halbleiterschicht 103 entspricht, und eine Gate-Leitung, die sich entlang einer Richtung erstreckt, sind auf der Gate-Isolierschicht 105 angeordnet.
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Eine erste Zwischenschicht-Isolierschicht 109a ist auf der Gate-Elektrode 107 und der Gate-Leitung angeordnet. Erste und zweite Halbleiterkontaktlöcher 116, die jeweils den Source-Bereich 103b und den Drain-Bereich 103c freilegen, sind durch die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 109a und die Gate-Isolierschicht 105 gebildet.
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Eine Source-Elektrode 110a und eine Drain-Elektrode 110b, die voneinander beabstandet sind, sind auf der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 109a angeordnet. Die Source-Elektrode 110a und die Drain-Elektrode 110b kontaktieren den Source-Bereich 103b bzw. den Drain-Bereich 103c durch das erste bzw. zweite Halbleiterkontaktloch 116.
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Eine zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 109b ist auf der Source-Elektrode 110a, der Drain-Elektrode 110b und der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 109a zwischen der Source- und Drain-Elektrode 110a und 110b angeordnet.
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Die Source-Elektrode 110a, die Drain-Elektrode 110b, die Halbleiterschicht 103 und die Gate-Elektrode 107 bilden den Treiber-TFT DTr.
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Außerdem sind eine Daten-Leitung 110c, welche die Gate-Leitung kreuzt, um die Pixelbereiche R-SP, W-SP, B-SP und G-SP zu definieren, und ein Schalt-TFT, der eine ähnliche Struktur wie der Treiber-TFT DTr aufweist und mit dem Treiber-TFT DTr verbunden ist, ferner ausgebildet.
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In 2 ist die Halbleiterschicht 103 aus polykristallinem Silizium oder einem Oxidhalbleitermaterial ausgebildet, und der Treiber-TFT DTr weist eine Top-Gate-Struktur auf. Alternativ kann die Halbleiterschicht aus intrinsischem amorphem Silizium und mit Fremdatomen-dotiertem, amorphem Silizium gebildet sein, und der Treiber-TFT DTr kann eine Bottom-Gate-Struktur aufweisen.
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Wenn die Halbleiterschicht 103 aus dem Oxidhalbleitermaterial gebildet ist, kann eine Lichtabschirmungsschicht unter der Halbleiterschicht 103 angeordnet sein. Die Lichtabschirmungsschicht kann zwischen der Halbleiterschicht 103 und einer Pufferschicht auf dem Substrat 101 angeordnet sein.
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Zudem sind die Farbfilter 106a, 106b und 106c, die jeweils den roten, grünen und blauen Pixelbereichen R-SP, G-SP und B-SP entsprechen, und die lichtabsorbierende Materialschicht 200, die dem weißen Pixelbereich W-SP entspricht, auf der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 109b und in dem Emissionsbereich EA angeordnet.
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Das weiße Licht von der organischen Emissionsschicht 113 wird durch die roten, grünen und blauen Farbfilter 106a, 106b und 106c in den roten, grünen und blauen Pixelbereichen R-SP, G-SP und B-SP gefiltert oder umgewandelt.
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Die lichtabsorbierende Materialschicht 200 in dem weißen Pixelbereich W-SP weist ein weißes oder transparentes Bindemittelharz und mindestens einen lichtabsorbierenden Farbstoff 210, der in dem Bindemittelharz dispergiert ist, auf. Das Bindemittelharz kann aus mindestens einem Material gebildet sein, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus einem Harz auf Polyester-Basis, einem Harz auf Acryl-Basis, einem Harz auf Polyurethan-Basis, einem Harz auf Melamin-Basis, einem Harz auf Polyvinylalkohol-Basis und einem Harz auf Oxazol-Basis besteht. Es kann bevorzugt sein, dass das Bindemittelharz das Harz auf Acryl-Basis ist.
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Der lichtabsorbierende Farbstoff 210 hat eine vorbestimmte Absorptionswellenlänge. Eine hauptsächliche (wesentliche) Absorptionswellenlänge des lichtabsorbierenden Farbstoffs 210 beträgt etwa 500 bis 640 nm. Der lichtabsorbierende Farbstoff 210 kann eines oder mehrere von Tetra-Aza-Porphyrin (TAP), Rhodamin, Squalen und Cyanin (CY)-basiertem Material aufweisen. Zum Beispiel kann der lichtabsorbierende Farbstoff 210 ein Gewichts-% von etwa 10 bis 30 in Bezug auf das Bindemittelharz aufweisen. Wenn der lichtabsorbierende Farbstoff 210 ein Gewichtsprozent von weniger als 10 aufweist, ist das Absorptionsverhältnis bei der vorbestimmten Absorptionswellenlänge zu niedrig, so dass es keine Erhöhung der Farbtemperatur geben kann. Wenn andererseits der lichtabsorbierende Farbstoff 210 ein Gewichtsprozent über 30 hat, wird die Transmission so verringert, dass die Emissionseffizienz verringert wird.
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In der OLED-Vorrichtung 100, die die lichtabsorbierende Materialschicht 200 in dem weißen Pixelbereich W-SP aufweist, sind die Farbtemperatur und die visuelle Schwarz-Empfindlichkeit verbessert.
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Eine Überzugsschicht 108 ist auf den Farbfiltern 106a, 106b und 106c und der lichtabsorbierenden Materialschicht 200 angeordnet. Ein Drain-Kontaktloch 110d, das die Drain-Elektrode 110b freilegt, ist durch die Überzugsschicht 108 und die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 109b gebildet. Eine Oberfläche der Überzugsschicht 108 stellt eine Vielzahl von konkaven Abschnitten und eine Vielzahl von konvexen Abschnitten bereit, so dass die Mikrolinsenstruktur 117 bereitgestellt wird.
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Die Überzugsschicht 108 besteht aus einem isolierenden Material mit einem Brechungsindex von etwa 1,5. Zum Beispiel kann die Überzugsschicht 108 aus einem Harz auf Acryl-Basis, einem Harz auf Phenol-Basis, einem Harz auf Polyamid-Basis, einem Harz auf Polyimid-Basis, einem Harz auf Basis von ungesättigtem Polyester, einem Harz auf Polyphenylen-Basis, einem Harz auf Polyphenylensulfid-Basis, einem Harz auf Benzocyclobuten-Basis oder Photoresist gebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
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Da die Mikrolinsenstruktur 117 durch die Oberfläche der Überzugsschicht 108 bereitgestellt wird, ist die Lichtauskopplungseffizienz der OLED-Vorrichtung 100 verbessert.
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Die erste Elektrode 111, die durch das Drain-Kontaktloch 110d mit der Drain-Elektrode 110b verbunden ist, ist auf der Überzugsschicht 108 angeordnet. Die erste Elektrode 111 kann aus einem leitenden Material mit einer relativ hohen Austrittsarbeit gebildet sein, um als Anode zu dienen.
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Zum Beispiel kann die erste Elektrode 111 aus einem Metalloxidmaterial, z. B. Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), einer Mischung aus Metall und Oxid, z.B. ZnO:Al oder SnO2:Sb, oder einem leitenden Polymer gebildet sein, beispielsweise Poly (3-Methylthiophen), Poly[3,4- (Ethylen-1,2-Dioxy)Thiophen] (PEDT), Polypyrrol oder Polyanilin. Zudem kann die erste Elektrode 111 aus Kohlenstoff-Nanoröhrchen (CNT), Graphen oder Silber-Nanodraht gebildet sein.
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Die erste Elektrode 111 ist in jedem Pixelbereich R-SP, W-SP, B-SP und G-SP separiert. Die Bank 119 ist zwischen benachbarten ersten Elektroden 111 angeordnet. Die ersten Elektroden 111 in den Pixelbereichen R-SP, W-SP, B-SP und G-SP sind nämlich durch die Bank 119 in der Grenze der Pixelbereiche R-SP, W-SP, B-SP und G-SP separiert.
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Die organische Emissionsschicht 113 ist auf der ersten Elektrode 111 angeordnet. Die organische Emissionsschicht 113 kann eine einschichtige Struktur aus einem Emissionsmaterial aufweisen. Alternativ kann die organische Emissionsschicht 113 eine mehrschichtige Struktur aus einer Lochinjektionsschicht, einer Lochtransportschicht, einer emittierenden Materialschicht, einer Elektronentransportschicht und einer Elektroneninjektionsschicht aufweisen, um die Emissionseffizienz zu verbessern.
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Die zweite Elektrode 115 ist auf der organischen Emissionsschicht 113 und über einer gesamten Oberfläche des Substrats 101 angeordnet. Die zweite Elektrode 115 kann aus einem leitenden Material mit einer relativ niedrigen Austrittsarbeit gebildet sein, um als Kathode zu dienen. Zum Beispiel kann die zweite Elektrode 115 Ag, Mg oder eine Legierung davon aufweisen.
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Wenn die Spannungen an die erste und zweite Elektrode 111 und 115 angelegt werden, werden ein Loch von der ersten Elektrode 111 und ein Elektron von der zweiten Elektrode 115 in die organische Emissionsschicht 113 übertragen, um ein Exziton zu bilden. Das Exziton wird von einem angeregten Zustand in einen Grundzustand überführt, so dass das Licht von der emittierenden Diode E emittiert wird.
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Das Licht von der emittierenden Diode E tritt durch die erste Elektrode 111 derart aus, dass die OLED-Vorrichtung 100 ein Bild anzeigt.
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Der konkave Abschnitt 117b und der konvexe Abschnitt 117a auf der Oberfläche der Überzugsschicht 108 spiegeln sich in der ersten Elektrode 111, der organischen Materialschicht 113 und der zweiten Elektrode 115, die sequentiell auf der Überzugsschicht 108 gestapelt sind, wider, so dass die Mikrolinsenstruktur 117 bereitgestellt wird.
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Der Schutzfilm 102 als ein dünner Film ist auf oder über dem Treiber-TFT DTr und der emittierenden Diode E derart ausgebildet, dass die OLED-Vorrichtung 100 durch den Schutzfilm 102 verkapselt ist.
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Das Eindringen von externem Sauerstoff und/oder Feuchtigkeit wird durch den Schutzfilm 102 blockiert. Der Schutzfilm 102 kann mindestens zwei anorganische Schutzfilme aufweisen. Ein organischer Schutzfilm kann zwischen zwei anorganischen Schutzfilmen angeordnet sein, um die Anti-Aufpralleigenschaften des Schutzfilms 102 zu verbessern.
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Um das Eindringen von externem Sauerstoff und/oder Feuchtigkeit durch eine Seitenoberfläche des organischen Schutzfilms zu blockieren, kann die Seitenoberfläche des organischen Schutzfilms vollständig von dem anorganischen Schutzfilm bedeckt sein.
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Dementsprechend wird das Eindringen von externem Sauerstoff und/oder Feuchtigkeit in die Innenseite der OLED-Vorrichtung 100 verhindert.
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Zudem kann eine Polarisationsplatte 120 an einer Außenseite des Substrats 101 angeordnet oder angebracht sein, um eine Verringerung des Kontrastverhältnisses durch eine Umgebungslichtreflexion zu verhindern.
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Die Polarisationsplatte 120 ist nämlich in einem Lichtweg von der organischen Emissionsschicht 113 angeordnet, wenn die OLED-Vorrichtung 100 angesteuert wird, so dass das Kontrastverhältnis der OLED-Vorrichtung 100 verbessert wird.
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Zum Beispiel kann die Polarisationsplatte 120 eine zirkulare Polarisationsplatte sein. Die Polarisationsplatte 120 kann eine Verzögerungsplatte und eine lineare Polarisationsplatte umfassen. Die Verzögerungsplatte kann zwischen dem Substrat 101 und der linearen Polarisationsplatte angeordnet sein.
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Die Verzögerungsplatte kann eine Viertelwellenplatte (1/4 λ-Platte, QWP) sein. Die lineare Polarisationsplatte hat eine Polarisationsachse und das Licht ist entlang einer Richtung der Polarisationsachse linear polarisiert.
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Zudem kann eine Oberflächenmodifikationsschicht an einer Außenseite der linearen Polarisationsplatte angeordnet sein. Die Oberflächenmodifikationsschicht kann eine Entblendungsschicht sein, die eine Silika-Kugel oder eine harte Überzugsschicht aufweist, die eine Beschädigung der Polarisationsplatte 120 verhindert.
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Wie bereits erwähnt, kann in der OLED-Vorrichtung 100 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, da die Oberfläche der Überzugsschicht 108 die Mikrolinsenstruktur 117 mit dem konkaven Abschnitt 117b und dem konvexen Abschnitt 117a bildet, die Lichtauskopplungseffizienz verbessert sein.
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Ein Teil des Lichts von der organischen Emissionsschicht 113 wird nämlich zwischen der organischen Emissionsschicht 113 und der zweiten Elektrode 115 total reflektiert, so dass das Licht in dem Raum zwischen der organischen Emissionsschicht 113 und der zweiten Elektrode 115 gefangen ist. In der OLED-Vorrichtung 100 der vorliegenden Erfindung trifft das Licht auf die Mikrolinsenstruktur 117 jedoch in einem Winkel auf, der kleiner als ein kritischer Winkel der Totalreflexion ist, so dass die externe Emissionseffizienz durch die Mehrfachreflexionen erhöht wird. Dementsprechend wird die Lichtauskopplungseffizienz der OLED-Vorrichtung 100 verbessert.
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Da die lichtabsorbierende Materialschicht 200 in dem weißen Pixelbereich W-SP zudem den lichtabsorbierenden Farbstoff 210 mit einer Hauptabsorptionswellenlänge von etwa 500 bis 640 nm aufweist, ist darüber hinaus die Farbtemperatur der OLED-Vorrichtung 100 verbessert und die visuelle Schwarz-Empfindlichkeit ist ebenfalls verbessert.
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Im Allgemeinen kann die Chromatizität der Lichtquelle oder die weiße Referenzfarbe durch eine Temperatur eines nächstgelegenen Bereichs in der Strahlungskurve anstelle der Koordinate in der zweidimensionalen Farbkoordinate definiert werden. Es kann als eine korrelierte Farbtemperatur (CCT) oder eine Farbtemperatur bezeichnet werden.
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Die Farbtemperatur wird als Referenz verwendet, um anzuzeigen, welche Farbe näher an der weißen Farbe ist. Wenn die Farbe der Anzeigevorrichtung näher an der blauen Farbe liegt, ist die Farbtemperatur relativ hoch. Wenn die Farbe der Anzeigevorrichtung näher an der gelben Farbe liegt, ist die Farbtemperatur relativ niedrig. Die Anzeigevorrichtung kann ein Bild hoher Qualität (oder Farbe) mit einer hohen Farbtemperatur bereitstellen.
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Um ein Bild hoher Qualität (Farbe) in der Anzeigevorrichtung unter Verwendung einer Emissionsdiode, die weißes Licht emittiert, bereitzustellen, ist es bevorzugt, dass die Farbtemperatur des weißen Lichts hoch ist. Dementsprechend ist die Farbtemperatur des weißen Lichts oberhalb von etwa 7000 K erforderlich.
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Die Farbkoordinate (CIE), die Helligkeitseffizienz (cd/A) und die Farbtemperatur in einem weißen Pixelbereich W-SP und der Stromverbrauch [W] eines bewegten Standard-Bildes in einer allgemeinen OLED-Vorrichtung ohne Mikrolinsenstruktur („Beispiel 1“) und eine OLED-Vorrichtung, welche die Mikrolinsenstruktur ohne eine lichtabsorbierende Materialschicht („Beispiel 2“) aufweist, sind gemessen und in Tabelle 1 aufgelistet.
Tabelle 1
| Beispiel 1 | Beispiel 2 |
CIE | X | 0.290 | 0.326 |
Y | 0.316 | 0.336 |
cd/A | 35.1 | 46.9(+33%) |
Farbtemperatur | 7000K | 5800K |
Stromverbrauch | R | 1.35 | 0.64(-53%) |
G | 0395 | 0.98(+3%) |
B | 1.41 | 1.47(+4%) |
W | 0.55 | 1-07(-31%) |
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Bezugnehmend auf Tabelle 1 ist im Vergleich zu „Beispiel 1“ die Helligkeitseffizienz (optische Effizienz) von „Beispiel 2“ um 33 % erhöht. Die Farbtemperatur 5800K von „Beispiel 2“ ist jedoch niedriger als die Farbtemperatur von 7000K von „Beispiel 1“.
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Um die Farbtemperatur von „Beispiel 2“ zu erhöhen, kann die Emissionsintensität in dem blauen Pixelbereich erhöht werden. Jedoch werden Nachteile in Bezug auf den Stromverbrauch und die Lebensdauer verursacht, so dass die Effizienz der Anzeigetafel verringert wird.
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Andererseits weist in der OLED-Vorrichtung 100 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, obwohl selbst die Mikrolinsenstruktur 117 auf der Oberfläche der Überzugsschicht 108 gebildet ist, um die Lichtauskopplungseffizienz zu verbessern, die OLED-Vorrichtung 100 eine hohe Farbtemperatur auf, so dass eine hochqualitative Anzeige bereitgestellt werden kann.
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Die OLED-Vorrichtung 100 weist nämlich die lichtabsorbierende Materialschicht 200 mit dem lichtabsorbierenden Farbstoff 210 in dem weißen Pixelbereich W-SP derart auf, dass die Farbtemperatur erhöht ist.
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Die Farbkoordinate (CIE), die Helligkeitseffizienz (cd/A) und die Farbtemperatur in einer allgemeinen OLED-Vorrichtung ohne Mikrolinsenstruktur („Beispiel 1“), eine OLED-Vorrichtung mit der Mikrolinsenstruktur ohne eine lichtabsorbierende Materialschicht („Beispiel 2“) und eine OLED-Vorrichtung mit der Mikrolinsenstruktur und der lichtabsorbierenden Materialschicht („Beispiel 3“) gemäß der Ausführungsform(en) der vorliegenden Erfindung sind gemessen und in Tabelle 2 aufgelistet. Die Farbkoordinate, die Helligkeitseffizienz und die Farbtemperatur werden in dem weißen Pixelbereich W-SP gemessen.
Tabelle 2
| Beispiel 1 | Beispiel 2 | Beispiel 3 |
CIE | X | 0290 | 0.326 | 0.291 |
Y | 0.316 | 0.336 | 0.308 |
cd/A | 35.1 | 46.9(+33%) | 40.4(+15%) |
Farbtemperatur | 7000K | 5800K | 9800K |
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Bezugnehmend auf Tabelle 2 ist die Helligkeitseffizienz von „Beispiel 3“ niedriger als die von „Beispiel 2“. Im Vergleich zu „Beispiel 1“ ist die Helligkeitseffizienz von „Beispiel 3“ jedoch um 15% erhöht. Außerdem ist die Farbtemperatur 9800K von „Beispiel 3“ höher als die Farbtemperatur von 7000K von „Beispiel 1“ sowie die Farbtemperatur von 5800K von „Beispiel 2“.
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Da nämlich in der OLED-Vorrichtung 100 der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Mikrolinsenstruktur 117 auf der Oberfläche der Überzugsschicht 108 vorgesehen ist, ist die Lichtauskopplungseffizienz verbessert. Da die lichtabsorbierende Materialschicht 200, die den lichtabsorbierenden Farbstoff 210 aufweist, in dem weißen Pixelbereich W-SP vorgesehen ist, ist darüber hinaus die Farbtemperatur verbessert.
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Wie oben erwähnt, wird, da der lichtabsorbierende Farbstoff 210 in der lichtabsorbierenden Materialschicht 200 die Hauptabsorptionswellenlänge von etwa 500 bis 640 nm aufweist, das gelbe Licht in dem weißen Licht von der emittierenden Diode E von der lichtabsorbierenden Materialschicht 200 absorbiert.
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Bezugnehmend auf 3 weist die allgemeine OLED-Vorrichtung „Beispiel 1“ eine im Wesentlichen gleichförmige Transmission (T) im gesamten sichtbaren Strahlungsbereich auf, während die OLED-Vorrichtung „Beispiel 3“ der vorliegenden Erfindung eine niedrigere Transmission in einem „C“ -Bereich aufweist.
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Da nämlich der lichtabsorbierende Farbstoff 210, der einen Hauptabsorptionswellenlängenbereich von etwa 500 bis 640 nm und einen Spitzenabsorptionswellenlängenbereich von etwa 580 bis 620 nm aufweist, in der lichtabsorbierenden Materialschicht 200 in dem weißen Pixelbereich W-SP enthalten ist, ist der Transmissionsgrad im Wellenlängenbereich von etwa 500 bis 640 nm, insbesondere etwa 580 bis 620 nm, verringert. Mit anderen Worten, in der OLED-Vorrichtung 100 wird das Licht im Wellenlängenbereich von etwa 500 bis 640 nm teilweise absorbiert, so dass das weiße Licht blau verschoben wird und eine hohe Farbtemperatur bereitgestellt wird.
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Zum Beispiel hat das weiße Licht, das in dem weißen Pixelbereich W-SP in der OLED-Vorrichtung 100 emittiert wird, die CIE(X) von 0,291 und die CIE(Y) von 0,308 oder der Farbkoordinatenindex wird in eine Richtung nach links unten in der Farbkoordinate verschoben.
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Der Anteil des blauen Lichts im weißen Licht wird so erhöht, dass die Farbtemperatur des weißen Lichts erhöht wird.
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Dementsprechend stellt die OLED-Vorrichtung 100 („Beispiel 3“) der vorliegenden Erfindung weißes Licht mit hoher Farbtemperatur bereit, so dass die Farbqualität des Bildes verbessert wird.
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Da die Farbtemperatur der OLED-Vorrichtung
100 erhöht ist, ist darüber hinaus die Helligkeit in der Vollweiß-Graustufe im Vergleich zu der OLED-Vorrichtung mit der Mikrolinsenstruktur ohne die lichtabsorbierende Materialschicht verbessert.
Tabelle 3
| | | Beispiel 1 | Beispiel 2 | Beispiel 3 |
WS | CIE | X | 0.290 | 0.326 | 0.291 |
u | 0.316 | 0.336 | 0.308 |
Cd/A | 35.1 | 46.9(+33%) | 40.4(+15%) |
Helligkeit in WCT | voll | 193 | 178(-8%) | 269(+39%) |
1/4 | 726 | 687(-5%) | 1000(+38%) |
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Bezugnehmend auf Tabelle 3 ist die Helligkeitseffizienz (cd/A) von „Beispiel 3“ niedriger als die von „Beispiel 2“. Die Helligkeit von „Beispiel 3“ in der WCT ist jedoch höher als die von „Beispiel 2“.
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In Tabelle 3 werden der Farbkoordinatenindex und die Helligkeitseffizienz in dem weißen Pixelbereich W-SP „WS“ gemessen. Zum Beispiel bedeutet „WS“ vorzugsweise, dass nur der weiße Pixelbereich angesteuert wird. Die Helligkeit in der WCT (Weiß-Farbverfolgung) ist gemessen, indem der weiße Pixelbereich W-SP, der grüne Pixelbereich G-SP und der blaue Pixelbereich B-SP ohne den roten Pixelbereich R-SP angesteuert werden. „voll“ bedeutet vorzugsweise, dass der weiße Pixelbereich W-SP, der grüne Pixelbereich G-SP und der blaue Pixelbereich B-SP in einer gesamten Anzeigefläche (aktive Fläche) angesteuert werden, und „1/4“ bedeutet vorzugsweise, dass der weiße Pixelbereich W-SP, der grüne Pixelbereich G-SP und der Blaupixelbereich B-SP in 1/4 einer gesamten Anzeigefläche angesteuert werden.
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Um nämlich die Weiß-Farbverfolgung zum Testen einer Farbtemperatur in einer Vollweiß-Graustufe durchzuführen, werden der weiße Pixelbereich W-SP, der grüne Pixelbereich G-SP und der blaue Pixelbereich B-SP angesteuert. In der OLED-Vorrichtung mit der Mikrolinsenstruktur ohne eine lichtabsorbierende Materialschicht („Beispiel 2“) ist die Farbtemperatur niedrig, so dass der Beitrag des blauen Pixelbereichs erhöht werden sollte, um die Farbtemperatur zu verbessern.
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Dementsprechend wird in der OLED-Vorrichtung von „Beispiel 2“ der Energieverbrauch erhöht, und die Lebensdauer der emittierenden Diode E im blauen Pixelbereich wird verringert, so dass die Effizienz der OLED-Vorrichtung verringert wird.
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Als Ergebnis wird, wenn das Vollweiß-Grau bereitgestellt wird, im Vergleich zu der allgemeinen OLED-Vorrichtung von „Beispiel 1“ die Helligkeit der OLED-Vorrichtung von „Beispiel 2“, welche die Mikrolinsenstruktur ohne eine lichtabsorbierende Materialschicht aufweist, um etwa 8% verringert.
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Da jedoch die Farbtemperatur der OLED-Vorrichtung von „Beispiel 3“ der vorliegenden Erfindung verbessert ist, ist es nicht erforderlich, den blauen Pixelbereich zu übersteuern. Dementsprechend ist die Helligkeit der OLED-Vorrichtung von „Beispiel 3“ gemäß der vorliegenden Erfindung im Vergleich zu der OLED-Vorrichtung von „Beispiel 1“ und „Beispiel 2“ stark verbessert.
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Wie oben erwähnt, ist in der OLED-Vorrichtung 100 der vorliegenden Erfindung die Mikrolinsenstruktur 117 auf der Überzugsschicht 108 vorgesehen, so dass die Lichtauskopplungseffizienz verbessert ist. Außerdem ist die lichtabsorbierende Materialschicht 200 mit dem lichtabsorbierenden Farbstoff 210 in dem weißen Pixelbereich W-SP so vorgesehen, dass die Farbtemperatur erhöht ist. Dementsprechend stellt die OLED-Vorrichtung 100 eine hochqualitative Farbe (oder Bild) mit hoher Effizienz bereit.
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Wenn andererseits die lichtabsorbierende Materialschicht in dem weißen Pixelbereich der allgemeinen OLED-Vorrichtung ohne die Mikrolinsenstruktur bereitgestellt wird, werden die Helligkeitseffizienz und die Helligkeit verringert.
Tabelle 4
| | | - Beispiel 1 | Beispiel 3 | Beispiel 4 |
WS | CIE | X | 0.290 | 0.291 | 0.255 |
u | 0.316 | 0.308 | 0.284 |
Cd/A | 35.1 | 40.4(+15%) | 28.1(-19%) |
Helligkeit in WCT | voll | 193 | 269(+39%) | 132(-31%) |
1/4 | 726 | 1000(+38%) | 504(-30%) |
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In Tabelle 4 ist die OLED-Vorrichtung von „Beispiel 4“ gezeigt, welche die lichtabsorbierende Materialschicht aufweist, die den lichtabsorbierenden Farbstoff ohne die Mikrolinsenstruktur aufweist.
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Wie in Tabelle 4 gezeigt, ist die Helligkeitseffizienz der OLED-Vorrichtung von „Beispiel 4“ geringer als die der OLED-Vorrichtung von „Beispiel 1“. Insbesondere in der Vollweiß-Graustufe ist die Helligkeit bemerkenswert um etwa 30% verringert.
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Zudem wird im Vergleich zu der OLED-Vorrichtung „Beispiel 3“ der vorliegenden Erfindung die Helligkeit WCT in der OLED-Vorrichtung von „Beispiel 4“ um etwa 50% verringert.
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Es ist nämlich bevorzugt, dass die OLED-Vorrichtung 100 sowohl die Mikrolinsenstruktur 117 auf der Überzugsschicht 108 als auch die lichtabsorbierende Materialschicht 200 in dem weißen Pixelbereich W-SP aufweist, um eine hohe Effizienz und eine hohe Farbtemperatur bereitzustellen.
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Zudem wird die visuelle Schwarz-Empfindlichkeit der OLED-Vorrichtung 100 verbessert.
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Im Allgemeinen ist der Reflexionsgrad in dem weißen Pixelbereich W-SP höher als das in den roten, grünen und blauen Pixelbereichen R-SP, G-SP bzw. B-SP einschließlich der roten, grünen und blauen Farbfilter 106a, 106b und 106c, und die visuelle Schwarz-Empfindlichkeit wird durch das reflektierte Licht in dem weißen Pixelbereich W-SP verschlechtert.
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Da die Lichtdiffusionskomponente durch die Mikrolinsenstruktur 117 erhöht wird, wird zudem die Wirkung der Farbfilter 106a, 106b und 106c durch die Lichtdiffusionskomponente erzeugt. Als ein Ergebnis wird die visuelle Schwarz-Empfindlichkeit weiter verschlechtert.
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Andererseits ist die visuelle Empfindlichkeit in einem grünen Wellenlängenbereich am höchsten. Die Betrachtung ist nämlich am empfindlichsten für Licht von etwa 550 nm im grünen Wellenlängenbereich.
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Da jedoch die OLED-Vorrichtung
100 die lichtabsorbierende Materialschicht
200 aufweist, die den lichtabsorbierenden Farbstoff
210 aufweist, der eine Hauptabsorptionswellenlänge von etwa 500 bis 640 nm aufweist, wird in dem weißen Pixelbereich W-SP das Licht in dem Wellenlängenbereich von etwa 500 bis 640 nm von der lichtabsorbierenden Materialschicht
200 absorbiert, so dass der Reflexionsgrad und die Lichtdiffusionskomponente in dem weißen Pixelbereich W-SP verringert werden. Als ein Ergebnis wird die visuelle Schwarz-Empfindlichkeit verbessert.
Tabelle 5
| RTvg(%) | R550nm(%) | LD(%) |
Beispiel 2 | 2.3 | 1.5 | 2.63 |
Beispiel 3 | 2.1 | 1.3 | 1.78 |
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In Tabelle 5 ist „Ravg“ ein durchschnittlicher Reflexionsgrad und „R550nm“ ist ein Reflexionsgrad in der Wellenlänge von 550 nm. „LD“ ist ein Wert, der einen durchschnittlichen Reflexionsgrad mit der Helligkeitskurve im CIE Lab-Farbraum umrechnet. Die „Ravg“, „R550nm“ und „LD“ werden in allen roten, grünen, blauen und weißen Pixelbereichen gemessen.
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Wie in Tabelle 5 gezeigt ist, ist der Reflexionsgrad in „Beispiel 3“ im Vergleich zu „Beispiel 2“ verringert. Der „Ravg“ ist um etwa 9% verringert, der „R550nm“ ist um etwa 13% verringert und der „LD“ ist um etwa 32% verringert.
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In der OLED-Vorrichtung 100 ist nämlich die Mikrolinsenstruktur 117 auf der Überzugsschicht 108 und der lichtabsorbierenden Materialschicht 200, die den lichtabsorbierenden Farbstoff 210 aufweist, der eine Hauptabsorptionswellenlänge von etwa 500 bis 640 nm aufweist, in dem weißen Pixelbereich W-SP vorgesehen, die Reflexions- und Lichtdiffusionskomponente sind in dem weißen Pixelbereich W-SP verringert. Als ein Ergebnis werden die Farbtemperatur und die visuelle Schwarz-Empfindlichkeit verbessert, so dass die optische Effizienz der OLED-Vorrichtung 100 verbessert wird und ein qualitativ hochwertiges Farbbild bereitgestellt wird.
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4A bis 4E sind schematische Draufsichten eines weißen Pixelbereichs einer OLED-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
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Wie oben erwähnt, ist die lichtabsorbierende Materialschicht 200 in dem weißen Pixelbereich W-SP weiß oder transparent und weist den lichtabsorbierenden Farbstoff 210 mit einer Hauptabsorptionswellenlänge von etwa 500 bis 640 nm auf. Das Licht von 500 bis 640 nm (z. B. gelbes Licht) wird nämlich von der lichtabsorbierenden Materialschicht 200 absorbiert, so dass die Farbtemperatur erhöht wird. Zudem wird der Reflexionsgrad durch die lichtabsorbierende Materialschicht 200 reduziert, so dass die visuelle Schwarz-Empfindlichkeit verbessert wird.
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Wie in 4A bis 4E gezeigt ist, weist die lichtabsorbierende Materialschicht 200 eine Vielzahl von Strukturen auf und weist eine Fläche auf, die kleiner ist als der Emissionsbereich EA des weißen Pixelbereichs W-SP. Die Fläche der lichtabsorbierenden Materialschicht 200 kann gleich oder größer als 40% der Fläche des Emissionsbereichs EA des weißen Pixelbereichs W-SP sein.
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Die Farbtemperatur der OLED-Vorrichtung der vorliegenden Erfindung gemäß dem Flächenverhältnis der lichtabsorbierenden Materialschicht zum Emissionsbereich des weißen Pixelbereichs ist gemessen und in Tabelle 6 aufgelistet.
Tabelle 6
Fläche der lichtabsorbierenden Materialschicht | Beispiel 3 |
100% | 9800K |
70 % | 8600K |
40% | 7500K |
0% | 5800K |
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Bezugnehmend auf Tabelle 6 ist, wenn die lichtabsorbierende Materialschicht so ausgebildet ist, dass sie einem gesamten Emissionsbereich des weißen Pixelbereichs (100%) entspricht, die Farbtemperatur sehr hoch (9800 K).
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Da die Farbtemperatur des weißen Lichts um 7000 K erforderlich ist, weist die lichtabsorbierende Materialschicht ein Flächenverhältnis auf, das gleich oder größer als etwa 40% ist. Zum Beispiel kann die Fläche der lichtabsorbierenden Materialschicht etwa 40 bis 70% des Emissionsbereichs des weißen Pixelbereichs betragen. Wenn die Fläche der lichtabsorbierenden Materialschicht 200 zu groß ist (z. B. über 70% der Fläche des Emissionsbereichs des weißen Pixelbereichs), weist die OLED-Vorrichtung 100 eine zu hohe Farbtemperatur auf, so dass die Farbqualität der OLED-Vorrichtung 100 verschlechtert werden kann.
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Andererseits haben die roten, grünen und blauen Farbfilter 106a, 106b und 106c im Wesentlichen die gleiche Fläche wie der Emissionsbereich EA in den roten, grünen und blauen Pixelbereichen R-SP, G-SP und B-SP.
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Bezugnehmend auf 4A weist die lichtabsorbierende Materialschicht 200, die den lichtabsorbierenden Farbstoff 210 aufweist, in dem Emissionsbereich EA des weißen Pixelbereichs W-SP eine Vielzahl von lichtabsorbierenden Materialstrukturen auf, die voneinander beabstandet sind. Die lichtabsorbierende Materialstruktur hat eine kreisförmige Form. Alternativ kann die lichtabsorbierende Materialstruktur eine rechteckige oder quadratische Form haben. Die Form der lichtabsorbierenden Materialstruktur ist jedoch nicht darauf beschränkt.
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Bezugnehmend auf 4B und 4C weist die lichtabsorbierende Materialschicht 200, die den lichtabsorbierende Farbstoff 210 aufweist, in dem Emissionsbereich EA des weißen Pixelbereichs W-SP eine Vielzahl von lichtabsorbierenden Materialstrukturen auf, die eine Stabform aufweisen und voneinander beabstandet sind. Die Vielzahl von lichtabsorbierenden Materialstrukturen sind nämlich entlang einer ersten Richtung (4B) angeordnet oder entlang einer zweiten Richtung, die senkrecht zu der ersten Richtung ist (4C), angeordnet, um eine Streifenstruktur auszubilden. In diesem Fall, wie in 4E gezeigt ist, kann eine Seitenfläche der stabförmigen lichtabsorbierenden Materialstruktur eine konvexe Form und eine konkave Form (d.h. eine unebene Form) aufweisen.
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Bezugnehmend auf 4D weist die lichtabsorbierende Materialschicht 200, die den lichtabsorbierende Farbstoff 210 aufweist, in dem Emissionsbereich EA des weißen Pixelbereichs W-SP eine Gitter-Form mit einer Öffnung darin auf.
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Die lichtabsorbierenden Materialstrukturen bedecken nämlich einen Teil des Emissionsbereichs EA und legen den anderen Teil des Emissionsbereichs EA zwischen benachbarten lichtabsorbierenden Materialstrukturen frei. Die lichtabsorbierende Materialschicht 200 weist eine Fläche auf, die kleiner als der Emissionsbereich EA des weißen Pixelbereichs W-SP ist und weist eine Vielzahl von lichtabsorbierenden Materialstrukturen oder eine Gitter-Form auf, so dass die Licht-Gleichmäßigkeit (oder optische Gleichmäßigkeit) in dem weißen Pixelbereich W-SP verbessert ist.
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Wenn beispielsweise die lichtabsorbierende Materialschicht 200 mit einer Fläche kleiner als der Emissionsbereich EA des weißen Pixelbereichs W-SP an einer Seite des Emissionsbereichs EA oder in einer Mitte des Emissionsbereichs EA angeordnet ist, besteht ein Unterschied in der Lichteigenschaft zwischen einem Bereich mit der lichtabsorbierenden Materialschicht 200 und dem anderen Bereich ohne die lichtabsorbierende Materialschicht 200.
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Wenn jedoch zum Beispiel die lichtabsorbierende Materialschicht 200 eine Vielzahl von lichtabsorbierenden Materialstrukturen aufweist, die voneinander beabstandet sind, wie in 4A gezeigt ist, sind ein Bereich mit der lichtabsorbierenden Materialstruktur und der andere Bereich ohne die lichtabsorbierende Materialstruktur abwechselnd angeordnet, so dass die Lichteigenschaftsdifferenz kompensiert wird. Als ein Ergebnis wird die Abnahme der Gleichmäßigkeit der Lichteigenschaften in dem weißen Pixelbereich W-SP verhindert.
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Die Mikrolinsenstruktur 117 mit einer kreisförmigen Form ist gezeigt. Es ist jedoch nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel kann die Mikrolinsenstruktur 117 eine hexagonale Form oder eine ovale Form aufweisen.
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5 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Pixels einer OLED-Vorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 6 ist eine Ansicht, die eine lichtblockierende Struktur in der OLED-Vorrichtung der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht, und 7 ist eine Ansicht, die einen Lichtleitweg in der OLED-Vorrichtung der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
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Wie in 5 gezeigt ist, ist in der OLED-Vorrichtung 100 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Substrat 101, auf dem der Treiber-TFT DTr und die emittierende Diode E gebildet sind, durch einen Schutzfilm 102 verkapselt.
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Der Treiber-TFT DTr ist in einem Bereich TrA von jedem der roten, grünen, blauen und weißen Pixelbereiche R-SP, G-SP, B-SP und W-SP angeordnet. Der Treiber-TFT DTr weist die Source-Elektrode 110a, die Drain-Elektrode 110b, die Halbleiterschicht 103 mit dem Source-Bereich 103b und dem Drain-Bereich 103c und der Gate-Elektrode 107, auf.
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Die erste Zwischenschicht Isolierschicht 109a ist auf der Gate-Elektrode 107 angeordnet. Erste und zweite Halbleiterkontaktlöcher 116, die jeweils den Source-Bereich 103b und den Drain-Bereich 103c freilegen, sind durch die erste Zwischenschicht-Isolierschicht 109a und die Gate-Isolierschicht 105 ausgebildet.
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Die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 109b ist auf der Source-Elektrode 110a, die Drain-Elektrode 110b angeordnet.
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Die Farbfilter 106a, 106b und 106c und die lichtabsorbierende Materialschicht 200 sind jeweils auf der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 109b und in den roten, grünen, blauen und weißen Pixelbereichen R-SP, G-SP, B-SP und W-SP angeordnet.
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Das weiße Licht von der organischen Emissionsschicht 113 wird durch die roten, grünen und blauen Farbfilter 106a, 106b und 106c in den roten, grünen und blauen Pixelbereichen R-SP, G-SP und B-SP gefiltert oder umgewandelt. Außerdem, die lichtabsorbierende Materialschicht 200 ist in dem Emissionsbereich EA des weißen Pixelbereichs W-SP angeordnet, ein Teil des weißen Lichts wird von der organischen Emissionsschicht 113 durch die lichtabsorbierende Materialschicht 200 absorbiert, um die Farbtemperatur zu erhöhen. Als Ergebnis wird rotes, grünes, blaues und weißes Licht entsprechend in den roten, grünen, blauen und weißen Pixelbereichen R-SP, G-SP, B-SP bzw. W-SP bereitgestellt.
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Die lichtabsorbierende Materialschicht 200 in dem weißen Pixelbereich W-SP ist weiß oder transparent. Wenn beispielsweise die lichtabsorbierende Materialschicht 200 transparent ist, kann die lichtabsorbierende Materialschicht 200 ein Bindemittelharz aufweisen, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus einem Harz auf Polyester-Basis, einem Harz auf Acryl-Basis, einem Harz auf Polyurethan-Basis, einem Harz auf Melamin-Basis, einem Harz auf Polyvinylalkohol-Basis und einem Harz auf Oxazol-Basis besteht. Es kann bevorzugt sein, dass das Bindemittelharz das Harz auf Acryl-Basis ist.
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Zudem weist die lichtabsorbierende Materialschicht 200 mindestens einen lichtabsorbierenden Farbstoff 210 auf, der in dem Bindemittelharz dispergiert ist. Der lichtabsorbierende Farbstoff 210 hat eine vorbestimmte Absorptionswellenlänge. Eine Hauptabsorptionswellenlänge des lichtabsorbierenden Farbstoffs 210 beträgt etwa 500 bis 640 nm. Der lichtabsorbierende Farbstoff 210 kann Tetra-Aza-Porphyrin (TAP), Rhodamin, Squalen oder Cyanin (CY) -basiertes Material aufweisen.
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In der OLED-Vorrichtung 100, welche die lichtabsorbierende Materialschicht 200 in dem weißen Pixelbereich W-SP aufweist, sind die Farbtemperatur und die visuelle Schwarz-Empfindlichkeit verbessert.
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Die OLED-Vorrichtung 100 weist ferner eine blaue Farbfilterstruktur 220 um eine Kante des Emissionsbereichs EA des weißen Pixelbereichs W-SP herum auf. Die blaue Farbfilterstruktur 220 kann im Nicht-Emissionsbereich NEA angeordnet sein.
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Die blaue Farbfilterstruktur 220 umgibt die lichtabsorbierende Materialschicht 200 und kann die lichtabsorbierende Materialschicht 200 kontaktieren. In einer Draufsicht kann die blaue Farbfilterstruktur 220 zwischen der lichtabsorbierenden Materialschicht 200 in dem weißen Pixelbereich W-SP und dem roten Farbfilter 106a in dem roten Pixelbereich R-SP angeordnet sein und zwischen der lichtabsorbierenden Materialschicht 200 in dem weißen Pixelbereich W-SP und dem blauen Farbfilter 106c in dem blauen Pixelbereich B-SP angeordnet sein und überlappt die Bank 119 in einer Draufsicht. Da die Bank 119 an einer Grenze von jedem der Pixelbereiche R-SP, W-SP, B-SP und G-SP angeordnet ist, kann die blaue Farbfilterstruktur 220 an der Grenze des weißen Pixelbereichs W-SP angeordnet sein. Zudem kann die blaue Farbfilterstruktur 220 die Daten-Leitung 110c und/oder die Gate-Leitung in einer Draufsicht überlappen.
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In dem weißen Pixelbereich W-SP der OLED-Vorrichtung 100 wird das Austreten von rotem Licht verhindert, und das Austreten von blauem Licht wird erzeugt, so dass die Farbtemperatur der OLED-Vorrichtung 100 weiter verbessert wird.
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Die Überzugsschicht 108 ist auf den Farbfiltern 106a, 106b und 106c und der lichtabsorbierenden Materialschicht 200 angeordnet. Ein Drain-Kontaktloch 110d, das die Drain-Elektrode 110b freilegt, ist durch die Überzugsschicht 108 und die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 109b gebildet. Eine Oberfläche der Überzugsschicht 108 stellt eine Vielzahl von konkaven Abschnitten und eine Vielzahl von konvexen Abschnitten bereit, so dass die Mikrolinsenstruktur 117 bereitgestellt ist.
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Da die Mikrolinsenstruktur 117 durch die Oberfläche der Überzugsschicht 108 bereitgestellt ist, ist die Lichtauskopplungseffizienz der OLED-Vorrichtung 100 verbessert.
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Die erste Elektrode 111, die durch das Drain-Kontaktloch 110d mit der Drain-Elektrode 110b verbunden ist, ist auf der Überzugsschicht 108 angeordnet. Die erste Elektrode 111 kann aus einem leitenden Material mit einer relativ hohen Austrittsarbeit gebildet sein, um als Anode zu dienen.
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Die erste Elektrode 111 ist in jedem Pixelbereich R-SP, W-SP, B-SP und G-SP separiert, und die Bank 119 ist zwischen benachbarten ersten Elektroden 111 angeordnet.
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Die organische Emissionsschicht 113 ist auf der ersten Elektrode 111 angeordnet, und die zweite Elektrode 115 ist als eine Kathode auf der organischen Emissionsschicht 113 angeordnet.
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Wenn die Spannungen an die erste und zweite Elektrode 111 und 115 angelegt werden, werden ein Loch von der ersten Elektrode 111 und ein Elektron von der zweiten Elektrode 115 in die organische Emissionsschicht 113 übertragen, um ein Exziton zu bilden. Das Exziton wird von einem angeregten Zustand in einen Grundzustand überführt, so dass das Licht von der emittierenden Diode E emittiert wird.
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Das Licht von der emittierenden Diode E tritt durch die erste Elektrode 111 derart aus, dass die OLED-Vorrichtung 100 ein Bild anzeigt.
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Der konkave Abschnitt 117b und der konvexe Abschnitt 117a auf der Oberfläche der Überzugsschicht 108 werden auf die erste Elektrode 111, die organische Materialschicht 113 und die zweite Elektrode 115, die sequentiell auf der Überzugsschicht 108 gestapelt sind, reflektiert, so dass die Mikrolinsenstruktur 117 bereitgestellt wird.
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Wie oben erwähnt, wird in der OLED-Vorrichtung 100 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, da die Oberfläche der Überzugsschicht 108 die Mikrolinsenstruktur 117, die den konkaven Abschnitt 117b und den konvexen Bereich 117a aufweist, bildet, die Lichtauskopplungseffizienz verbessert.
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Ein Teil des Lichts von der organischen Emissionsschicht 113 wird nämlich zwischen der organischen Emissionsschicht 113 und der zweiten Elektrode 115 total reflektiert, so dass das Licht in dem Raum zwischen der organischen Emissionsschicht 113 und der zweiten Elektrode 115 gefangen ist. In der OLED-Vorrichtung 100 der vorliegenden Erfindung trifft das Licht auf die Mikrolinsenstruktur 117 jedoch in einem Winkel auf, der kleiner als ein kritischer Winkel der Totalreflexion ist, so dass die externe Emissionseffizienz durch die Mehrfachreflexionen erhöht wird. Dementsprechend wird die Lichtauskopplungseffizienz der OLED-Vorrichtung 100 verbessert.
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Zudem ist, da die lichtabsorbierende Materialschicht 200 in dem weißen Pixelbereich W-SP den lichtabsorbierenden Farbstoff 210 mit einer Hauptabsorptionswellenlänge von etwa 500 bis 640 nm aufweist, die Farbtemperatur der OLED-Vorrichtung 100 verbessert und die visuelle Schwarz-Empfindlichkeit ist ebenfalls verbessert.
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Da nämlich der lichtabsorbierende Farbstoff 210 in der lichtabsorbierenden Materialschicht 200 eine Hauptabsorptionswellenlänge von etwa 500 bis 640 nm aufweist, wird das gelbe Licht des Lichts von der emittierenden Diode E durch den lichtabsorbierenden Farbstoff 210 derart absorbiert, dass eine blaue Komponente erhöht wird, so dass die Farbtemperatur erhöht wird.
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Zudem werden der Reflexionsgrad und die Lichtdiffusionskomponente in dem weißen Pixelbereich W-SP durch die lichtabsorbierende Materialschicht 200 verringert, so dass die visuelle Schwarz-Empfindlichkeit verbessert wird.
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Wie oben erwähnt, weist die OLED-Vorrichtung 100 die blaue Farbfilterstruktur 220 an einer Seite des Emissionsbereichs EA des weißen Pixelbereichs W-SP auf, so dass die Farbtemperatur weiter verbessert wird.
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In der OLED-Vorrichtung 100, die die Mikrolinsenstruktur 117 aufweist, tritt ein Teil des Lichts von der organischen Emissionsschicht 113 zu Metallleitungen, beispielweise die Daten-Leitung 110c auf dem Substrat 101, aus. Das ausgetretene Licht wird von der Daten-Leitung 110c reflektiert und fällt auf die Mikrolinsenstruktur 117 im benachbarten Pixelbereich ein.
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Wenn zum Beispiel das ausgetretene Licht von dem roten Pixelbereich R-SP, der zu dem weißen Pixelbereich W-SP benachbart ist, auf die Mikrolinsenstruktur 117 in dem weißen Pixelbereich W-SP einfällt, wird nicht nur weißes Licht, sondern auch das ausgetretene rote Licht von dem weißen Pixelbereich W-SP emittiert, so dass die Farbtemperatur verringert wird. Insbesondere wenn die Mikrolinsenstruktur 117 enthalten ist, wird das Licht von der organischen Emissionsschicht 113 derart gestreut, dass die Farbtemperaturabnahme durch das austretende Licht von dem roten Pixelbereich R-SP zu dem weißen Pixelbereich W-SP ernsthaft erzeugt werden kann.
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Wie jedoch in 6 gezeigt ist, wird in der OLED-Vorrichtung 100, die die blaue Farbfilterstruktur 220 in der Kante des Emissionsbereichs EA in dem weißen Pixelbereich W-SP aufweist, das Licht, das von dem roten Pixelbereich R-SP durch den roten Filter 106a emittiert wird (oder austritt) und von der Daten-Leitung 110c zu dem weißen Pixelbereich W-SP hin reflektiert wird, von der blauen Farbfilterstruktur 220 absorbiert. Es wird nämlich verhindert, dass das rote Licht, das aus dem roten Pixelbereich R-SP heraus leckt, in den weißen Pixelbereich W-SP auftrifft. Dementsprechend wird die Abnahme der Farbtemperatur, die sich aus dem Lichtleck des roten Pixelbereichs R-SP ergibt, verhindert.
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Die blaue Farbfilterstruktur 220 in dem Nicht-Emissionsbereich NEA des weißen Pixelbereichs W-SP dient nämlich als eine blockierende Struktur zum Blockieren des Lichts von dem roten Pixelbereich R-SP in den weißen Pixelbereich W-SP.
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In 6 ist die blaue Farbfilterstruktur 220 in dem Nicht-Emissionsbereich NEA des weißen Pixelbereichs W-SP angeordnet. Alternativ kann eine grüne Farbfilterstruktur oder eine schwarze Matrixstruktur in dem Nicht-Emissionsbereich NEA des weißen Pixelbereichs W-SP anstelle der blauen Farbfilterstruktur 220 angeordnet sein, um das Licht aus dem roten Pixelbereich R-SP in den weißen Pixelbereich W-SP zu blockieren.
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Alternativ kann, um die Farbtemperaturabnahme durch das Licht von dem grünen Pixelbereich G-SP in den weißen Pixelbereich W-SP zu blockieren, die blaue Farbfilterstruktur 220, eine rote Farbfilterstruktur oder die schwarze Matrixstruktur im Nicht-Emissionsbereich NEA des weißen Pixelbereichs W-SP angeordnet werden, d.h. auf einer Seite der lichtabsorbierenden Materialschicht 200.
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Mit anderen Worten ist eine der blauen Farbfilterstruktur 220, der grünen Farbfilterstruktur und der schwarzen Matrixstruktur auf einer Seite der lichtabsorbierenden Materialschicht 200 ausgebildet, um die Abnahme der Farbtemperatur, die durch das Licht aus dem roten Pixelbereich R-SP in die weiße Pixelbereich W-SP verringert wird, zu blockieren und eine der blauen Farbfilterstruktur 220, der roten Farbfilterstruktur und der schwarzen Matrixstruktur ist an einer Seite der lichtabsorbierenden Materialschicht 200 gebildet, um die Abnahme der Farbtemperatur, die durch das Licht von dem grünen Pixelbereich G-SP in den weißen Pixelbereich W-SP verringert wird, zu blockieren.
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Andererseits, wie in 7 gezeigt ist, wird das weiße Licht, das von dem benachbarten roten Pixelbereich R-SP emittiert wird (oder ausleckt), von der Daten-Leitung 110c reflektiert und durchläuft die blaue Farbfilterstruktur 220, so dass blaues Licht auf den weißen Pixelbereich W-SP einfällt. Dementsprechend wird in dem weißen Pixelbereich W-SP nicht nur das weiße Licht, sondern auch das blaue Licht von dem weißen Pixelbereich W-SP emittiert, so dass die Farbtemperatur verbessert wird.
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Ohne den blauen Pixelbereich B-SP anzusteuern, um die Farbtemperatur zu erhöhen, wird nämlich die blaue Komponente in dem weißen Pixelbereich W-SP durch die blaue Farbfilterstruktur 220 erhöht, so dass die Farbtemperatur der OLED-Vorrichtung 100 verbessert wird.
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In der 5 bis 7 kontaktiert die blaue Farbfilterstruktur 220 sowohl den roten Farbfilter 106a als auch die lichtabsorbierende Materialschicht 200 und füllt vollständig einen Raum zwischen dem roten Farbfilter 106a und der lichtabsorbierenden Materialschicht 200 aus. Alternativ kann die blaue Farbfilterstruktur 220 von mindestens einem von dem roten Farbfilter 106a und/oder der lichtabsorbierenden Materialschicht 200 beabstandet sein. Beispielsweise kann ein Zwischenraum zwischen der blauen Farbfilterstruktur 220 und dem roten Farbfilter 106a, zwischen der blauen Farbfilterstruktur 220 und der lichtabsorbierenden Materialschicht 200 oder zwischen der blauen Farbfilterstruktur 220 und jedem von dem roten Farbfilter 106a und der lichtabsorbierenden Materialschicht 200 angeordnet sein, und die Überzugsschicht 108 kann den Raum füllen. Das heißt, eine ebene Fläche der blauen Farbfilterstruktur 220 kann kleiner als die des Raums zwischen dem roten Farbfilter 106a und der lichtabsorbierenden Materialschicht 200 sein.
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In der OLED-Vorrichtung 100 wird das weiße Licht durch den lichtabsorbierenden Farbstoff 210 in der lichtabsorbierenden Materialschicht 200 blau verschoben, so dass die Farbtemperatur erhöht wird. Zudem ist die blaue Farbfilterstruktur 220 um eine Kante des Emissionsbereichs EA des weißen Pixelbereichs W-SP herum und in dem Nicht-Emissionsbereich NEA derart angeordnet, dass die Abnahme der Farbtemperatur durch den Lichtaustritt aus dem roten Pixelbereich R-SP verhindert wird. Darüber hinaus wird der Lichtverlust von dem roten Pixelbereich R-SP durch die blaue Farbfilterstruktur 220 in blaues Licht geändert, so dass die Farbtemperatur weiter erhöht wird.
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Für den Fachmann ist es offensichtlich, dass verschiedene Modifikationen und Variationen in den Ausführungsformen der Erfindung vorgenommen werden können, ohne vom Umfang der Erfindung abzuweichen. Es ist daher beabsichtigt, dass die Modifikationen und Variationen diese Erfindung abdecken, vorausgesetzt, dass sie in den Umfang der beigefügten Ansprüche fallen.