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Die vorliegende Anmeldung beansprucht den Prioritätsvorteil der
koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2017-0177829 , die am 22. Dezember 2017 in der Republik Korea eingereicht wurde.
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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Gebiet der Erfindung
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Die vorliegende Erfindung betrifft eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung (OLED).
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Diskussion der bezogenen Technik
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In letzter Zeit sind flache Anzeigevorrichtungen, die in ihrem dünnen Profil, geringem Gewicht und niedrigem Energieverbrauch ausgezeichnet sind, entwickelt und in großem Umfang verwendet worden.
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Unter den flachen Anzeigevorrichtungen ist eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung (OLED), die als organische elektrolumineszierende Anzeigevorrichtung bezeichnet wird, eine Anzeigevorrichtung, in der ein Elektron von einer Kathode und ein Loch von einer Anode in eine emittierende Schicht zwischen der Kathode und Anode injiziert werden, um ein Elektronen-Loch-Paar zu erzeugen, und das Elektronen-Loch-Paar verschwindet, um ein Licht zu emittieren.
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Im Allgemeinen umfasst eine Top-Emitter-Typ OLED eine reflektierende Elektrode, die sich unter einer organischen lichtemittierende Schicht befindet und einen flachen Zustand aufweist, und ein Licht, das von der organischen lichtemittierenden Schicht emittiert wird und sich nach unten ausbreitet, wird von der reflektierenden Elektrode reflektiert.
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Ein Licht mit einem großen Einfallswinkel auf die reflektierende Elektrode wird jedoch an einen benachbarten Pixel-Bereich ausgegeben, um eine Farbmischung zu bewirken. Ferner wird das Licht innerhalb eines organischen lichtemittierenden Panels total reflektiert und seitlich geführt, um einen Lichtverlust zu verursachen.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Dementsprechend ist die vorliegende Erfindung auf eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung (OLED) gerichtet, die eines oder mehrere der Probleme aufgrund von Einschränkungen und Nachteilen der bezogenen Technik im Wesentlichen beseitigt.
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Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine OLED zu verbessern, die eine Farbmischung oder einen Lichtverlust verbessern (oder reduzieren) kann.
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Zusätzliche Merkmale und Vorteile der Offenbarung werden in der folgenden Beschreibung dargelegt und werden zum Teil aus der Beschreibung ersichtlich oder können durch Ausführen der Offenbarung erlernt werden. Die Vorteile der Offenbarung werden durch die Struktur verwirklicht und erzielt, die in der schriftlichen Beschreibung und den Ansprüchen sowie den beigefügten Zeichnungen hervorgehoben ist.
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Um diese und andere Vorteile zu erreichen, und gemäß dem Zweck der vorliegenden Erfindung, wie hierin ausgeführt und ausführlich beschrieben, wird eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1 bereitgestellt. Weitere Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben. Eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen umfasst: ein Substrat; eine reflektierende Elektrode in einem Pixel-Bereich auf dem Substrat und mit einem konkaven Abschnitt, der einen konkaven Graben definiert; eine erste Füllstruktur, die den konkaven Graben füllt; eine erste Elektrode auf der ersten Füllstruktur und auf einem Abschnitt der reflektierenden Elektrode um die erste Füllstruktur herum; eine organische lichtemittierende Schicht auf der ersten Elektrode; und eine zweite Elektrode auf der organischen lichtemittierenden Schicht.
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Eine obere Oberfläche der ersten Füllstruktur kann die gleiche Höhe haben wie eine obere Oberfläche des Abschnitts der reflektierenden Elektrode um die erste Füllstruktur herum.
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Die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung kann ferner aufweisen: eine Passivierungsschicht, die sich unter der reflektierenden Elektrode befinden kann, und kann eine konkave Oberfläche enthalten, auf der der konkave Abschnitt der reflektierenden Elektrode ausgebildet sein kann.
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Die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung kann ferner einen Dünnfilmtransistor in dem Pixel-Bereich aufweisen.
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Die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung kann ferner aufweisen: eine zweite Füllstruktur, die ein Drain-Kontaktloch der Passivierungsschicht füllt.
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Eine Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors und die reflektierende Elektrode können durch das Drain-Kontaktloch verbunden sein.
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Die organische lichtemittierende Schicht kann weißes Licht emittieren.
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Eine Farbfilterstruktur kann sich auf der zweiten Elektrode befinden.
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Die zweite Elektrode kann durchlässig oder halbdurchlässig sein.
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Es versteht sich, dass sowohl die vorstehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende detaillierte Beschreibung beispielhaft und erläuternd sind und eine weitere Erläuterung der beanspruchten Erfindung liefern sollen.
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Figurenliste
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Die beiliegenden Zeichnungen, die enthalten sind, um ein weiteres Verständnis der Offenbarung zu ermöglichen und in dieser Beschreibung aufgenommen sind und einen Teil davon bilden, veranschaulichen Ausführungsformen der Offenbarung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, die Prinzipien der Offenbarung zu erläutern. In den Zeichnungen:
- 1 ist eine Draufsicht, die schematisch eine OLED gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
- 2 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie II-II von 1;
- 3 ist ein Querschnitt, der ein Reflektieren einer zweischichtigen Struktur gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
- 4 ist eine Ansicht, die einen Pfad eines Lichts veranschaulicht, das von einer reflektierenden Elektrode reflektiert wird, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gefahren; und
- 5 ist eine Ansicht, die ein Simulationsergebnis eines ausgegebenen Lichtprofils einer OLED gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER VERANSCHAULICHTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Nun wird detailliert auf Ausführungsformen Bezug genommen, von denen Beispiele in den beigefügten Zeichnungen veranschaulicht sind. In allen Zeichnungen können dieselben oder ähnliche Bezugszeichen verwendet werden, um sich auf dieselben oder ähnliche Teile zu beziehen.
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1 ist eine Draufsicht, die schematisch eine OLED gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht, und 2 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie II-II von 1.
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Bezugnehmend auf 1 umfasst die OLED 100 dieser Ausführungsform eine Vielzahl von Pixel-Bereichen P in einem Anzeigebereich zum Anzeigen von Bildern, und die Vielzahl von Pixel-Bereichen P sind in einer Matrixform angeordnet.
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Die Vielzahl von Pixel-Bereichen P kann rote (R), grüne (G) und blaue (B) Pixel-Bereiche P umfassen, um jeweils rote, grüne und blaue Farben anzuzeigen. Die roten (R), grünen (G) und blauen (B) Pixel-Bereiche P können abwechselnd entlang einer Richtung angeordnet sein.
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Eine Struktur der OLED 100 wird weiter mit Bezug auf 2 näher erläutert.
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Die OLED 100 kann zwei Substrate umfassen, d. H. Ein erstes Substrat 101 und ein zweites Substrat 181, die einander zugewandt sind.
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Das erste Substrat 101 kann ein Arraysubstrat sein und enthält Ansteuerelemente, um jeden Pixel-Bereich P zu betreiben.
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Das zweite Substrat 181 ist ein dem ersten Substrat 101gegenüberliegendes Substrat. Das zweite Substrat 181 kann als Verkapselungssubstrat zum Verkapseln des ersten Substrats 101 dienen. Alternativ kann das zweite Substrat 181 weggelassen sein.
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Die OLED 100 kann eine Top-Emitter-Typ OLED sein.
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In dieser Hinsicht wird Licht von dem ersten Substrat 101 nach oben emittiert, so dass eine Außenfläche des zweiten Substrats 181 als eine Anzeigefläche (oder Lichtausgabefläche) dient.
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Obwohl dies in den Zeichnungen nicht gezeigt ist, kann eine zirkulare Polarisationsplatte an der Außenfläche des zweiten Substrats 181 angebracht sein, um eine Reflexion von externem Licht zu verbessern.
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In jedem Pixel-Bereich P des ersten Substrats 101 sind ein Schalt-Dünnfilmtransistor (TFT), ein Treiber-TFT Td und eine organische Leuchtdiode (OD), die sich auf dem Schalt-TFT und dem Treiber-TFT Td befindet und mit dem Treiber-TFT Td verbunden ist, angeordnet sein.
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Genauer gesagt kann eine Halbleiterschicht 112 auf einer Innenfläche des ersten Substrats 101 ausgebildet sein. Die Halbleiterschicht 112 kann beispielsweise aus Polysilizium bestehen, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
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Auf der Halbleiterschicht 112 kann eine Isolierschicht, beispielsweise eine Gate-Isolierschicht 115, ausgebildet sein. Die Gate-Isolierschicht 115 kann vollständig über dem ersten Substrat 101 ausgebildet sein.
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Die Gate-Isolierschicht 115 kann aus einem anorganischen Isoliermaterial hergestellt sein, zum Beispiel Siliziumoxid oder Siliziumnitrid.
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Eine Gate-Elektrode 120 kann auf der Gate-Isolierschicht 115 angeordnet sein und einem Mittenabschnitt der Halbleiterschicht 112 entsprechen. Die Gate-Elektrode 120 kann aus einem leitfähigen Material, beispielsweise einem Metallmaterial, hergestellt sein.
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Eine Gate-Leitung, die mit einer Gate-Elektrode des Schalt-TFT verbunden ist, kann auf der Gate-Isolierschicht 115 ausgebildet sein.
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Eine Isolierschicht, beispielsweise eine Zwischenschicht-Isolierschicht 125, kann auf der Gate-Elektrode 120 ausgebildet sein. Die Zwischenschicht-Isolierschicht 125 kann vollständig über dem ersten Substrat 101 ausgebildet sein.
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Die Zwischenschicht-Isolierschicht 125 kann aus einem anorganischen Isoliermaterial, zum Beispiel Siliziumoxid oder Siliziumnitrid, oder einem organischen Isoliermaterial, zum Beispiel Benzocyclobuten oder Fotoacryl, hergestellt sein.
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Die Zwischenschicht-Isolierschicht 125 kann ein erstes Kontaktloch 126a und ein zweites Kontaktloch 126b enthalten, die jeweils beide Seiten der Halbleiterschicht 112 freilegen.
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Die ersten und zweiten Kontaktlöcher 126a und 126b befinden sich auf beiden Seiten der Gate-Elektrode 120 und sind von der Gate-Elektrode 120 beabstandet. Die ersten und zweiten Kontaktlöcher 126a und 126b können auch in der Gate-Isolierschicht 115 ausgebildet sein.
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Auf der Zwischenschicht-Isolierschicht 125 können eine Source-Elektrode 131 und eine Drain-Elektrode 133 ausgebildet sein. Die Source- und Drain-Elektroden 131 und 133 können aus einem leitfähigen Material, beispielsweise einem Metallmaterial, hergestellt sein.
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Eine Daten-Leitung kann auf der Zwischenschicht-Isolierschicht 125 ausgebildet sein. Die Daten-Leitung kreuzt die Gate-Leitung und ist mit einer Source-Elektrode des Schalt-TFT verbunden.
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Die Source- und Drain-Elektroden 131 und 133 sind voneinander beabstandet, wobei die Gate-Elektrode 120 dazwischen ist. Die Source- und Drain-Elektroden 131 und 133 können jeweils die beiden Seiten der Halbleiterschicht 112 durch die ersten und zweiten Kontaktlöcher 126a bzw. 126b kontaktieren.
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Die Halbleiterschicht 112, die Gate-Elektrode 120 und die Source- und Drain-Elektroden 131 und 133 bilden den Treiber-TFT Td.
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Alternativ kann der Treiber-TFT Td eine invertierte versetzte Struktur haben, bei der eine Gate-Elektrode unter einer Halbleiterschicht ausgebildet ist und Source- und Drain-Elektroden auf der Halbleiterschicht ausgebildet sind. In diesem Fall kann die Halbleiterschicht beispielsweise aus amorphem Silizium bestehen.
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Obwohl es in den Zeichnungen nicht gezeigt ist, kann der Schalt-TFT so ausgebildet sein, dass er die gleiche Struktur wie der Treiber-TFT Td aufweist.
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Eine erste Passivierungsschicht 140 als Isolierschicht kann auf den Source- und Drain-Elektroden 131 und 133 ausgebildet sein. Die erste Passivierungsschicht 140 kann vollständig über dem ersten Substrat 101 ausgebildet sein.
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Die erste Passivierungsschicht 140 kann aus einem anorganischen isolierenden Material hergestellt sein, zum Beispiel Siliziumoxid oder Siliziumnitrid.
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Eine zweite Passivierungsschicht 141 als Isolierschicht kann auf der ersten Passivierungsschicht 140 ausgebildet sein. Die zweite Passivierungsschicht 141 kann vollständig über dem ersten Substrat 101 ausgebildet sein.
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Die zweite Passivierungsschicht 141 kann aus einem organischen Isoliermaterial hergestellt sein, zum Beispiel Benzocyclobuten oder Photoacryl.
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Die erste und zweite Passivierungsschicht 140 und 141 können ein Drain-Kontaktloch 142 aufweisen, das die Drain-Elektrode 133 freilegt.
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Alternativ kann eine einschichtige Passivierungsstruktur mit der zweiten Passivierungsschicht auf den Treiber-TFT Td aufgebracht werden.
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Die zweite Passivierungsschicht 141 kann einen konkaven Hohlraum in jedem Pixel-Bereich P enthalten.
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In dieser Hinsicht hat ein Abschnitt der zweiten Passivierungsschicht 141, der einem Lichtemissionsbereich entspricht, in dem die organische Leuchtdiode OD in dem Pixel-Bereich P ausgebildet ist, eine obere Oberfläche 141a, die nach unten vertieft ist (d.h. in Richtung des ersten) Substrat 101) eine konkav gekrümmte Form haben. Diese vertiefte Oberfläche 141a wird als konkave Oberfläche 141a bezeichnet.
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Ein Raum in einer vertieften Form auf der konkaven Oberfläche 141a ist der konkave Graben 144. Dementsprechend kann der konkave Graben 144, der durch die konkave Oberfläche 141a (d.h. von der konkaven Oberfläche 141a umgeben) definiert ist, in der zweiten Passivierungsschicht 141 eingerichtet sein.
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Ein Abschnitt der zweiten Passivierungsschicht 141 um den konkaven Graben 144 herum (oder diesen umgeben) kann einen flachen (oder ebenen) Zustand haben. Mit anderen Worten kann der Abschnitt der zweiten Passivierungsschicht 141 um den konkaven Graben 144 eine flache obere Oberfläche aufweisen.
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Die zweite Passivierungsschicht 141 kann zum Beispiel durch einen Fotolithografieprozess unter Verwendung einer Halbtonmaske gebildet werden.
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Eine reflektierende Elektrode 150 ist auf der zweiten Passivierungsschicht 141 in jedem Pixel-Bereich P ausgebildet.
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Die reflektierende Elektrode 150 kann durch das Drain-Kontaktloch 142 mit der Drain-Elektrode 133 verbunden sein.
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Ein Abschnitt der reflektierenden Elektrode 150, der in dem Drain-Kontaktloch 142 angeordnet ist, kann sich entlang der Innenflächen des Drain-Kontaktlochs 142 erstrecken, um die Drain-Elektrode 133 zu kontaktieren.
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Die reflektierende Elektrode 150 kann gemäß dem konkaven Graben 144 der zweiten Passivierungsschicht 141 ausgebildet sein.
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Dementsprechend kann ein Abschnitt der reflektierenden Elektrode 150, der in dem konkaven Graben 144 ausgebildet ist, im Wesentlichen die gleiche Form wie die konkave Oberfläche 141a haben.
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Mit anderen Worten kann der Abschnitt der reflektierenden Elektrode 150 in dem konkaven Graben 144 entlang der konkaven Oberfläche 141a ausgebildet sein, um im Wesentlichen die gleiche Form wie die konkave Oberfläche 141a zu haben. Dieser Abschnitt der reflektierenden Elektrode 150 in dem konkaven Graben 144 wird als konkaver Abschnitt 151 bezeichnet.
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Demgemäß kann der konkave Graben 144 der zweiten Passivierungsschicht 141 auf dem konkaven Abschnitt 151 der reflektierenden Elektrode 150 verbleiben.
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Mit anderen Worten, die reflektierende Elektrode 150 kann auch den konkaven Graben 144 aufweisen, der sich auf dem konkaven Abschnitt 151 befindet. Das heißt, der konkave Abschnitt 151 der reflektierenden Elektrode 150 kann den konkaven Graben 144 definieren.
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Ferner kann die reflektierende Elektrode 150 auf der flachen Oberfläche des Abschnitts der zweiten Passivierungsschicht 141 um die konkave Oberfläche 141a herum ausgebildet sein. Der Abschnitt der reflektierenden Elektrode 150, der sich auf der flachen Oberfläche des Abschnitts der zweiten Passivierungsschicht 141 um die konkave Oberfläche 141a^herum befindet, hat im Wesentlichen eine flache Form.
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Die reflektierende Elektrode 150 kann aus einem Metallmaterial hergestellt sein, das ein hohes Reflexionsvermögen aufweist, wie beispielsweise Silber (Ag).
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Die reflektierende Elektrode 150 kann eine einschichtige oder mehrschichtige Struktur haben.
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Im Falle der reflektierenden Elektrode 150 mit einer mehrschichtigen Struktur kann eine obere Schicht der reflektierenden Elektrode 150 aus einem Metallmaterial mit einem Reflexionsvermögen gebildet sein, und eine untere Schicht der reflektierenden Elektrode 150 kann aus einem leitfähigen Material mit hoher Adhäsionseigenschaft, beispielsweise ITO, gebildet sein.
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In dieser Hinsicht zeigt 3 die reflektierende Elektrode 150 einer zweischichtigen Struktur als ein Beispiel einer mehrschichtigen Struktur. Diese reflektierende Elektrode 150 kann eine erste Schicht 150a als untere Schicht aufweisen, die aus einem transparenten leitfähigen Material, beispielsweise ITO, gebildet ist und eine zweite Schicht 150b als obere Schicht aufweisen, die aus einem reflektierenden Metallmaterial, beispielsweise Ag, gebildet ist.
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Eine erste Füllstruktur 155 kann auf der reflektierenden Elektrode 150 ausgebildet sein. Im Detail kann die erste Füllstruktur 155 auf dem konkaven Abschnitt 151 der reflektierenden Elektrode 150 angeordnet sein und den konkaven Abschnitt 151 bedecken.
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Die erste Füllstruktur 155 kann eingerichtet sein, um den konkaven Graben 144, in dem die reflektierende Elektrode 150 ausgebildet ist, vollständig zu füllen.
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Dementsprechend können in dem Zustand, in dem die erste Füllstruktur 155 ausgebildet ist, der konkave Graben 144 und die Oberfläche des ersten Substrats 101 um den konkaven Graben 144 im Wesentlichen flach sein.
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Mit anderen Worten, da die erste Füllstruktur 155 so ausgebildet ist, dass sie den konkaven Abschnitt 151 bedeckt und den konkaven Graben 144 füllt, können eine flache obere Oberfläche der ersten Füllstruktur 155 und eine flache obere Oberfläche der reflektierenden Elektrode 150 um die erste Füllstruktur 155 herum im Wesentlichen die gleiche Höhe haben.
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Ferner kann eine zweite Füllstruktur 156 auf der reflektierenden Elektrode 150 in dem Drain-Kontaktloch 142 ausgebildet sein, um das Drain-Kontaktloch 142 zu füllen.
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Dementsprechend können in dem Zustand, in dem die zweite Füllstruktur 156 ausgebildet ist, das Drain-Kontaktloch 142 und die Oberfläche des ersten Substrats 101 um das Drain-Kontaktloch 142 herum im Wesentlichen flach sein.
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Mit anderen Worten, da die zweite Füllstruktur 156 zum Füllen des Drain-Kontaktlochs 142 ausgebildet ist, können eine flache obere Oberfläche der zweiten Füllstruktur 156 und eine flache obere Oberfläche der reflektierenden Elektrode 150 um die zweite Füllstruktur 156 herum im Wesentlichen die gleiche Höhe haben.
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Die erste und zweite Füllstruktur 155 und 156 können aus einem organischen Isoliermaterial hergestellt sein, beispielsweise Benzocyclobuten oder Photoacryl.
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Eine erste Elektrode 165 kann in jedem Pixel-Bereich P auf dem ersten Substrat 101 mit der ersten und zweiten Füllstruktur 155 und 156 ausgebildet sein.
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Die erste Elektrode 165 kann aus einem transparenten leitfähigen Material hergestellt sein, beispielsweise ITO.
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Die erste Elektrode 165 kann die erste Füllstruktur 155 und den Abschnitt der reflektierenden Elektrode 150 um die erste Füllstruktur 155 herum kontaktieren.
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Wenn die erste Elektrode 165 ausgebildet ist, die obere Oberfläche des Abschnitts der reflektierenden Elektrode 150, der nicht durch die erste Füllstruktur 155 bedeckt ist (oder um die erste Füllstruktur 155 herum freiliegt), zu kontaktieren, ist die erste Elektrode 165 in der Lage elektrisch mit der Drain-Elektrode 133 durch die reflektierende Elektrode 150 verbunden zu werden.
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Weiterhin kann die erste Elektrode 165 die zweite Füllstruktur 156 und den Abschnitt der reflektierenden Elektrode 150 um die zweite Füllstruktur 155 herum kontaktieren.
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Wie oben beschrieben kann, da das erste Substrat 101 mit der ersten und zweiten Füllstruktur 155 und 156 im Wesentlichen eine flache Oberfläche aufweist, die erste Elektrode 165 so ausgebildet sein, dass sie im Wesentlichen flach ist.
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Eine Bank (oder Trennwand) 166 kann an der ersten Elektrode 165 entlang einer Grenze jedes Pixel-Bereichs P ausgebildet sein und jeden Pixel-Bereich P umgeben.
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Die Bank 166 kann eine Öffnung aufweisen, die die erste Elektrode 165 in jedem Pixel-Bereich P freilegt, und kann einen Kantenabschnitt der ersten Elektrode 165 bedecken.
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Mit anderen Worten, der Kantenabschnitt der ersten Elektrode 165 und ein Kantenabschnitt der reflektierenden Elektrode 150 können unterhalb der Bank 166 angeordnet sein, so dass sie von der Bank 166 abgedeckt werden, die Kantenabschnitte der ersten Elektrode 165 und der reflektierenden Elektrode 150 können nicht freigelegt sein, so dass sie eine organische lichtemittierende Schicht 167 nicht kontaktieren.
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Die Bank 166 kann so ausgebildet sein, dass sie einen Kantenabschnitt des konkaven Grabens 144 der reflektierenden Elektrode 150 abschirmt (oder abdeckt). In dieser Hinsicht kann, wenn der Kantenabschnitt des konkaven Grabens 144 nicht durch die Bank 166 abgeschirmt ist und auf einer Innenseite der Bank 166 angeordnet ist, ein Licht, das zu einem benachbarten Pixel-Bereich gebogen wird, auftreten und eine Farbmischung verursacht werden.
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Die organische lichtemittierende Schicht 167 kann auf der ersten Elektrode 165 ausgebildet sein, die durch die Öffnung der Bank 166 freigelegt ist. Die organische lichtemittierende Schicht 167 kann eine mehrschichtige Struktur aufweisen, die eine emittierende Materialschicht enthält.
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Da die erste Elektrode 165 im Wesentlichen flach ist, kann die organische lichtemittierende Schicht 167 auf der ersten Elektrode 165 in einem flachen Zustand gebildet werden.
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Die organische lichtemittierende Schicht 167, die in jedem der roten, grünen und blauen Pixel-Bereiche P ausgebildet ist, kann eine weiße organische lichtemittierende Schicht sein, die eine weiße Farbe emittiert. Alternativ können die organischen lichtemittierenden Schichten 167, die jeweils in den roten, grünen und blauen Pixel-Bereichen P ausgebildet sind, rote, grüne und blaue organische lichtemittierende Schichten sein, die jeweils rote, grüne und blaue Farben emittieren.
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In dieser Ausführungsform verwendet die organische lichtemittierende Schicht 167 in jedem der roten, grünen und blauen Pixel-Bereiche P beispielhaft eine weiße organische lichtemittierende Schicht.
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Alternativ kann die organische lichtemittierende Schicht 167 entsprechend allen Pixel-Bereichen P ausgebildet sein. Mit anderen Worten kann die organische lichtemittierende Schicht 167 über alle Pixel-Bereiche P kontinuierlich ausgebildet sein.
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Eine zweite Elektrode 169 kann auf der organischen lichtemittierenden Schicht 167 und vollständig über dem ersten Substrat 101 ausgebildet sein.
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Die zweite Elektrode 169 kann als durchlässige (oder transparente) Elektrode eingerichtet sein. In diesem Fall kann die zweite Elektrode 169 aus einem transparenten leitfähigen Material hergestellt sein, beispielsweise ITO.
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Alternativ kann die zweite Elektrode 169 als eine halbdurchlässige (oder halbtransparente) Elektrode eingerichtet sein. In diesem Fall kann ein Mikrokavitätseffekt erreicht werden, um die Emissionseffizienz zu erhöhen. In diesem Fall kann die zweite Elektrode 169 aus einem Metallmaterial hergestellt sein, beispielsweise Magnesium (Mg), Silber (Ag) oder einer Legierung aus Magnesium und Silber, und dieses Metallmaterial kann mit einer geringen Dicke ausgebildet sein, um eine halbdurchlässige Eigenschaft zu erreichen.
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Da die organische lichtemittierende Schicht 167 flach ausgebildet ist, kann ein Abschnitt der zweiten Elektrode 169 auf der organischen lichtemittierenden Schicht 167 flach sein.
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Die erste Elektrode 165, die organische lichtemittierende Schicht 167 und die zweite Elektrode 169 bilden die organische lichtemittierende Diode OD im Pixel-Bereich P. Eine der ersten und zweiten Elektroden dient als Anode und die andere als eine Kathode.
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Eine dritte Passivierungsschicht 170 kann auf der zweiten Elektrode 169 und vollständig über dem ersten Substrat 101 ausgebildet sein. Die dritte Passivierungsschicht 170 kann dazu dienen, das Eindringen einer äußeren Feuchtigkeit oder von Sauerstoff zu verhindern und die Zuverlässigkeit zu erhöhen.
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Die dritte Passivierungsschicht 170 kann aus einem anorganischen Isoliermaterial hergestellt sein, zum Beispiel Siliziumoxid oder Siliziumnitrid. Ferner kann die dritte Passivierungsschicht 170 so ausgebildet sein, dass sie eine mehrschichtige Struktur aufweist, die mindestens eines von Siliziumoxid oder Siliziumnitrid umfasst.
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Das zweite Substrat 181 kann sich auf der dritten Passivierungsschicht 170 befinden.
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Eine Klebstoffschicht 183 kann zwischen einer Innenfläche der dritten Passivierungsschicht 170 und einer Innenfläche des zweiten Substrats 181 ausgebildet sein.
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Eine Farbfilterschicht 190 kann sich auf einer äußeren Oberfläche des zweiten Substrats 181 befinden, um eine Farbe jedes Pixel-Bereichs P zu implementieren.
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Die Farbfilterschicht 190 kann zum Beispiel rote, grüne und blaue Farbfilterstrukturen 190r, 190g und 190b enthalten, die jeweils den roten, grünen und blauen Pixel-Bereichen P entsprechen.
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Dementsprechend tritt ein weißes Licht von der organischen Leuchtdiode OD, die das weiße Licht emittiert, durch jedes der entsprechenden roten, grünen und blauen Farbfilterstrukturen 190r, 190g und 190b, so dass jeweils rote, grüne und blaue Farbe ausgegeben werden kann.
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Ferner kann eine Schwarzmatrix 195 entlang einer Grenze jedes Pixel-Bereichs P auf der Außenfläche des zweiten Substrats 181 ausgebildet sein.
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Wie oben beschrieben, wird in dieser Ausführungsform die reflektierende Elektrode 150 mit der konkaven Struktur unterhalb der organischen Leuchtdiode OD im Lichtemissionsbereich gebildet.
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Dementsprechend dient die reflektierende Elektrode 150 als ein konkaver Spiegel und kann somit einfallendes Licht im Wesentlichen vertikal nach oben ausgeben.
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Dies bezieht sich weiter auf 4, die eine Ansicht ist, die einen Pfad eines von der reflektierenden Elektrode reflektierten Lichts gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. In 4 sind zu Erläuterungszwecken einige Komponenten der OLED 100 weggelassen.
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Weiter unter Bezugnahme auf 4 wird ein Licht, das in der organischen lichtemittierenden Schicht 167 erzeugt wird und sich nach unten bewegt, von der reflektierenden Elektrode 150 reflektiert.
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Die reflektierende Elektrode 150 hat die konkave Struktur, die nach unten vertieft ist, und dient somit als konkaver Spiegel.
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Somit wird, selbst wenn ein Einfallswinkel θi eines Lichts Li bezüglich einer Normalen-Richtung zu einer Oberfläche eines Substrats groß ist, ein Ausfallswinkel θr bezüglich der Normalen-Richtung aufgrund der konkaven Spiegelfunktion der reflektierenden Elektrode 150 für das Licht Li klein.
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Dementsprechend wird ein von der reflektierenden Elektrode 150 reflektiertes Licht Lr konzentriert und im Wesentlichen in eine Vorwärtsrichtung der OLED 100 ausgegeben.
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Somit kann, da das reflektierte Licht Lr im Wesentlichen innerhalb jedes Pixel-Bereichs P ausgegeben wird, eine Farbmischung aufgrund von Licht, das sich in einen benachbarten Pixel-Bereich ausbreitet, verhindert werden.
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Da der Ausfallswinkel θr des reflektierten Lichts Lr klein ist, kann ferner ein Lichtverlust aufgrund eines Lichts, das durch Totalreflexion an einer Grenzfläche zwischen gestapelten Schichten mit unterschiedlichen Brechungsindizes seitlich geführt wird, verhindert (oder verringert) werden.
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Diesbezüglich kann zum Beispiel, da die zweite Elektrode 169 einen Brechungsindex aufweist, der größer als der der dritten Passivierungsschicht 170 ist, die auf der zweiten Elektrode 169 angeordnet ist, in einem Fall, in dem ein Ausfallswinkel eines reflektierten Lichts ähnlich groß ist wie in der bezogenen Technik, eine Totalreflexion auftreten.
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In dieser Ausführungsform wird jedoch der Ausfallswinkel θr des reflektierten Lichts Lr aufgrund der konkaven reflektierenden Elektrode 150 klein. Daher kann ein Lichtverlust aufgrund von Totalreflexion verbessert werden.
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Ferner ist in dieser Ausführungsform der konkave Graben 144 mit der reflektierenden Elektrode 150 darin mit der ersten Füllstruktur 155 gefüllt, so dass eine Oberfläche eines Substrats in dem Lichtemissionsbereich im Wesentlichen flach ist.
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Dementsprechend hat die organische lichtemittierende Schicht 167 im Wesentlichen eine gleichmäßige Dicke.
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Daher wird ein gleichmäßiges elektrisches Feld an die gesamte organische lichtemittierende Schicht 167 angelegt, und somit kann eine Helligkeit-Gleichförmigkeit erreicht werden.
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Dies bezieht sich weiter auf 5, die eine Ansicht ist, die ein Simulationsergebnis eines ausgegebenen Lichtprofils einer OLED gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
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Wie oben beschrieben, ist bei dieser Ausführungsform der konkave Graben 144, in dem die reflektierende Elektrode 150 ausgebildet ist, mit der ersten Füllstruktur 155 gefüllt, so dass eine Oberfläche eines Substrats im Lichtemissionsbereich im Wesentlichen flach ist und somit hat die organische lichtemittierende Schicht 167 im Wesentlichen eine gleichmäßige Dicke. Dementsprechend ist es bezugnehmend auf 5 zu sehen, dass ein Profil eines Lichts, das von dem Pixel-Bereich P ausgegeben wird, im Wesentlichen gleichmäßig ist und somit eine Helligkeit-Gleichförmigkeit erzielt werden kann.
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Gemäß der oben beschriebenen Ausführungsform ist die reflektierende Elektrode unter der organischen Leuchtdiode so ausgebildet, dass sie eine konkave Form hat.
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Dementsprechend dient die reflektierende Elektrode als ein konkaver Spiegel und der Ausfallswinkel des reflektierten Lichts wird klein. Somit kann eine Farbmischung aufgrund eines Lichts, das sich in einen benachbarten Pixel-Bereich ausbreitet, verbessert werden, und ein Lichtverlust aufgrund eines Lichts, das durch Totalreflexion seitlich geführt wird, kann verbessert werden.
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Ferner wird der konkave Graben, in dem die reflektierende Elektrode ausgebildet ist, mit der Füllstruktur gefüllt, um eine Oberfläche eines Substrats im Wesentlichen flach zu machen.
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Dementsprechend weist die organische lichtemittierende Schicht 167 im Wesentlichen eine gleichmäßige Dicke auf, und somit kann eine Helligkeit-Gleichförmigkeit erreicht werden.
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Wie oben beschrieben wurde, wird eine Ausführungsform des konkaven Grabens 144, in dem die reflektierende Elektrode 150 ausgebildet ist, mit der ersten Füllstruktur 155 gefüllt. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt. In einigen Ausführungsformen kann sich eine erste Struktur auf der reflektierenden Elektrode befinden. Die erste Elektrode kann sich auf der ersten Struktur befinden, und ein Abschnitt der ersten Elektrode, der dem konkaven Abschnitt entspricht, kann aufgrund der ersten Struktur im Wesentlichen flach sein.
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Die erste Elektrode kann elektrisch mit der reflektierenden Elektrode verbunden sein. Insbesondere kann die erste Elektrode durch ein in der ersten Struktur vorgesehenes Kontaktloch mit der reflektierenden Elektrode elektrisch verbunden sein, oder die erste Elektrode kann die reflektierende Elektrode direkt kontaktieren.
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In dem Fall, dass die erste Elektrode direkt mit der reflektierenden Elektrode in Kontakt steht, kann eine obere Oberfläche der ersten Struktur die gleiche Höhe haben wie eine obere Oberfläche des Abschnitts der reflektierenden Elektrode, der nicht der konkave Abschnitt ist. Dementsprechend kontaktiert die erste Elektrode nur einen anderen Abschnitt der reflektierenden Elektrode als den konkaven Abschnitt. Alternativ kann eine obere Oberfläche der ersten Struktur niedriger als eine obere Oberfläche des Abschnitts der reflektierenden Elektrode sein, der nicht der konkave Abschnitt ist. Dementsprechend kann die erste Elektrode außerdem einen anderen Abschnitt der reflektierenden Elektrode als den konkaven Abschnitt einen weiteren Kontakt mit einem Abschnitt des konkaven Abschnitts der reflektierenden Elektrode herstellen.
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Für den Fachmann ist es offensichtlich, dass verschiedene Modifikationen und Variationen an der vorliegenden Erfindung vorgenommen werden können, ohne vom Schutzumfang der Offenbarung abzuweichen. Es ist daher beabsichtigt, dass die vorliegende Erfindung die Modifikationen und Variationen dieser Offenbarung abdeckt, vorausgesetzt, dass sie in den Schutzumfang der beigefügten Ansprüche fallen.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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