JP2019114541A - 有機発光表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】混色や光損失の問題を改善した有機発光表示装置を提供すること。【解決手段】本発明の一実施形態においては、有機発光ダイオードの下部の反射電極を凹んだ形状にて形成する。本構成により、反射電極は凹鏡として働き、反射した光の出射角が小さくなるため、隣接した画素領域へ光が進んで混色が発生するという問題を改善することができる。また、内部全反射によって光が側面へ導波し、光損失が発生するという問題を改善することができる。また、本発明の一実施形態においては、反射電極の形成された凹溝を充填パターンで満たし、基板面を実質的に平坦に形成する。本構成により、有機発光層は実質的に均一な厚さを有することになり、均一な輝度を確保することができる。【選択図】図２

Description

本発明は、有機発光表示装置に関するものである。
最近、薄型や軽量、低消費電力といった優れた特性を有するフラットパネル表示装置（ｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ）が開発され、様々な分野に採用されている。
フラットパネル表示装置のうち、有機電界発光表示装置、若しくは有機電気発光表示装置とも呼ばれる有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ：ＯＬＥＤ）は、電子注入電極である陰極と正孔注入電極である陽極との間に形成された発光層に電荷を注入すると、電子・正孔対が形成された後、消滅する際に光を放射する素子である。
一般的に、トップエミッション型の有機発光表示装置は、有機発光層の下部に平坦な形状の反射電極が配置され、有機発光層から発生して下部へ進んだ光は、反射電極で反射する。
ところが、反射電極に対する入射角の大きい光は隣接した画素領域に出射されて混色が生じ、また、有機発光パネルの内部で全反射して側面へ導波することにより、光損失が発生する。
本発明は、有機発光表示装置における混色や光損失を改善することのできる方案を提供することを目的とする。
前述したような目的を達成するため、本発明は、基板上の画素領域に形成され、凹溝を定義する凹部を有する反射電極と、前記凹溝を満たす第１充填パターンと、前記第１充填パターンおよびその周辺における反射電極の部分上に形成された第１電極と、前記第１電極上に形成された有機発光層と、前記有機発光層上に形成された第２電極を備える有機発光表示装置を提供する。
ここで、前記第１充填パターンの上面と、その周辺における反射電極の部分の上面は、同じ高さを有することができる。
前記反射電極の下部に配置され、前記凹部が形成された凹面を有する保護膜をさらに備えることができる。
前記画素領域に形成された薄膜トランジスタのドレイン電極と前記反射電極が接続される前記保護膜のドレインコンタクトホールを満たす第２充填パターンをさらに備えることができる。
前記第１電極と、前記有機発光層と、前記第２電極とを含む有機発光ダイオードは、白色を発生するように構成され、前記有機発光ダイオード上にカラーフィルターパターンを配置することができる。
前記第２電極は、透明電極であってもよく、半透明電極であってもよい。
他の側面において、本発明は、基板上の画素領域に形成され、凹溝を定義する凹部を有する反射電極と、前記反射電極上の第１パターンと、前記第１パターン上に形成され、前記凹部に対応する部分が平坦であり、前記反射電極と電気的に接続された前記第１電極と、前記第１電極上に形成された有機発光層と、前記有機発光層上に形成された第２電極を備える有機発光表示装置を提供する。
ここで、前記第１電極は、前記第１パターンに形成されたコンタクトホールを介し、前記反射電極と電気的に接続することができる。
前記第１電極は、前記反射電極に直接接触することができる。
前記第１電極は、前記凹部以外の前記反射電極の部分にのみ接触することができる。
前記第１電極は、前記反射電極の凹部の一部と接触することができる。
前記第１パターンの上面と、前記凹部以外の前記反射電極の部分の上面は、同じ高さを有することができる。
前記第１パターンの上面は、前記凹部以外の前記反射電極の部分の上面より低くてもよい。
前記反射電極の下部に配置され、前記凹部が形成された凹面を有する保護膜をさらに備えることができる。
前記画素領域に形成された薄膜トランジスタのドレイン電極と前記反射電極が接続される前記保護膜のドレインコンタクトホールを満たす第２パターンをさらに備えることができる。
前記反射電極は、反射特性を持った金属物質から形成される最上部層と、付着力の優秀な導電物質からなる最下部層を含むことができる。
各画素領域を取り囲みながら、前記凹溝の端部を覆うバンクをさらに備えることができる。
本発明では、有機発光ダイオードの下部の反射電極を、凹んだ形状に形成する。
それにより、反射電極が凹鏡として働き、反射した光の出射角が小さくなるので、隣接した画素領域へ光が進んで混色が生じるという問題を改善することができ、内部全反射によって光が側面へ導波し、光損失が発生するという問題を改善することができる。
また、反射電極が形成された凹溝を充填パターンで満たし、基板面を実質的に平坦に形成することになる。
その結果、有機発光層は、実質的に均一な厚さを有することになるので、均一な輝度を確保することができる。
本発明の実施例に係る有機発光表示装置を概略的に示す平面図である。 図１の切断線II−IIに沿って示す断面図である。 本発明の実施例に係る反射電極が２層構造に形成された場合を示す断面図である。 本発明の実施例に係る反射電極を介し、反射する光の経路を示す図面である。 本発明の実施例に係る有機発光表示装置の出光プロファイルに対するシミュレーション結果を示す図面である。
以下、本発明の実施例について、図面を参照して詳細に説明する。以下の実施例では、同一または類似の構成要素に対し、同一または類似の図面符号を与え、その具体的な説明を省略することもある。
図１は、本発明の実施例に係る有機発光表示装置を概略的に示す平面図であり、図２は、図１の切断線II−IIに沿って示す断面図である。
図１を参照すると、本実施例に係る有機発光表示装置１００は、映像を表示する表示領域に、複数の画素領域Ｐがマトリクス状に配列されている。
複数の画素領域Ｐは、例えば、赤色・緑色・青色をそれぞれ表示するＲ・Ｇ・Ｂ画素領域Ｐを含むことができる。かかるＲ・Ｇ・Ｂ画素領域Ｐは、一方向に沿って交互に配置することができる。
図２を共に参照し、本実施例に係る有機発光表示装置１００の構造をさらに詳細に説明する。
有機発光表示装置１００は、互いに対向する２つの基板である第１基板１０１および第２基板１８１を備えることができる。
第１基板１０１はアレイ基板であり得る。また、第１基板１０１には、各画素領域Ｐを駆動するための駆動素子を形成することができる。
第２基板１８１は、第１基板１０１の対向基板であって、第１基板１０１をカプセル封止（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）する基板として働くことができる。一方、場合によっては、カプセル封止基板である第２基板１８１を省略することもできる。
かかる有機発光表示装置１００は、トップエミッション型であり得る。
すなわち、下部に位置するアレイ基板である第１基板１０１の上部方向へ光が出射し、第２基板１８１の外面が表示面（または出射面）に該当され得る。
一方、具体的に示してはいないが、第２基板１８１の外面には、外光反射を改善するための円偏光板を取り付けることができる。
第１基板１０１には、各画素領域Ｐに、スイッチング薄膜トランジスタおよび駆動薄膜トランジスタＴｄと、これらの薄膜トランジスタ上に位置し、駆動薄膜トランジスタＴｄに接続される有機発光ダイオードＯＤを配置することができる。
さらに詳細に説明すると、第１基板１０１の内面上に、半導体層１１２を形成することができる。このとき、半導体層１１２は、多結晶シリコンからなり得るが、これに限定されるものではない。
半導体層１１２上には、絶縁物質からなる絶縁膜として、ゲート絶縁膜１１５を第１基板１０１の全面に形成することができる。
ゲート絶縁膜１１５は、無機絶縁物質であって、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）から形成することができる。
ゲート絶縁膜１１５上には、半導体層１１２の中央に対応して、金属などの導電性物質からなるゲート電極１２０を形成することができる。
また、ゲート絶縁膜１１５上には、スイッチング薄膜トランジスタのゲート電極に接続されるゲート配線を形成することができる。
ゲート電極１２０上には、絶縁物質からなる絶縁膜として、層間絶縁膜１２５を第１基板１０１の全面に形成することができる。
層間絶縁膜１２５は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質から形成してもよく、ベンゾシクロブテンやフォトアクリルのような有機絶縁物質から形成してもよい。
また、層間絶縁膜１２５は、半導体層１１２の両側を露出する第１コンタクトホール１２６ａおよび第２コンタクトホール１２６ｂを含むことができる。
第１コンタクトホール１２６ａおよび第２コンタクトホール１２６ｂは、ゲート電極１２０の両側に、ゲート電極１２０と離隔して位置する。さらに、第１コンタクトホール１２６ａおよび第２コンタクトホール１２６ｂは、ゲート絶縁膜１１５内にも形成することができる。
層間絶縁膜１２５上には、金属などの導電性物質からなるソース電極１３１およびドレイン電極１３３が形成される。
また、層間絶縁膜１２５上には、ゲート配線と交差し、スイッチング薄膜トランジスタのソース電極に接続されるデータ配線を形成することができる。
ソース電極１３１およびドレイン電極１３３は、ゲート電極１２０を中心にして離隔して位置し、それぞれ第１コンタクトホール１２６ａおよび第２コンタクトホール１２６ｂを介して半導体層１１２の両側に接触する。
このように形成された半導体層１１２、ゲート電極１２０、ソース電極１３１、およびドレイン電極１３３は、駆動薄膜トランジスタＴｄを構成する。
他の例として、駆動薄膜トランジスタＴｄは、半導体層の下部にゲート電極が位置し、半導体層の上部にソース電極およびドレイン電極が位置する逆スタガ構造であってもよい。この場合、半導体層は、例えば非晶質シリコンからなり得る。
一方、図面に示していないが、スイッチング薄膜トランジスタは、駆動薄膜トランジスタＴｄと同じ構造にすることができる。
ソース電極１３１およびドレイン電極１３３の上部には、絶縁物質からなる絶縁膜として、第１保護膜１４０を第１基板１０１の全面に形成することができる。
第１保護膜１４０は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質から形成することができる。
第１保護膜１４０上には、絶縁物質からなる絶縁膜として、第２保護膜１４１を第１基板１０１の全面に形成することができる。
第２保護膜１４１は、ベンゾシクロブテンやフォトアクリルのような有機絶縁物質から形成することができる。
第１保護膜１４０および第２保護膜１４１には、ドレイン電極１３３を露出するドレインコンタクトホール１４２を形成することができる。
一方、駆動薄膜トランジスタＴｄ上には、第２保護膜１４１で構成された単層の保護膜構造を適用することもできる。
さらに、本実施例の第２保護膜１４１は、各画素領域Ｐ内に形成された凹溝１４４を含むことができる。
これに関し、画素領域Ｐ内において有機発光ダイオードＯＤが形成された領域である発光領域に対応する第２保護膜１４１の部分には、その上面１４１ａが、下部に（すなわち、第１基板１０１の方向に）凹んだ曲面状に形成される。かかる凹んだ上面１４１ａを、凹面１４１ａと称する。
このような凹面１４１ａ上の凹んだ形状の空間は、凹溝１４４に該当するが、第２保護膜１４１には、凹面１４１ａによって定義される、すなわち、凹面１４１ａで取り囲まれた凹溝１４４が構成され得る。
一方、凹溝１４４の周辺における第２保護膜１４１の部分は、実質的に平坦な形状を有する。すなわち、凹溝１４４の周辺における第２保護膜１４１部分の上面は、平坦面に該当する。
前述したような構造を有する第２保護膜１４１は、例えば、ハーフトーンマスクを用いたフォトリソグラフィ工程で形成することができる。
このように形成された第２保護膜１４１上には、各画素領域Ｐに形成された反射電極１５０が設けられる。
反射電極１５０は、ドレインコンタクトホール１４２を介してドレイン電極１３３に接続されるように構成することができる。
このとき、ドレインコンタクトホール１４２内に位置する反射電極１５０の部分は、ドレインコンタクトホール１４２の内面に沿って延伸し、ドレイン電極１３３に接続されることができる。
さらに、本実施例の反射電極１５０は、第２保護膜１４１の凹溝１４４に沿って形成されるように構成することができる。
その結果、凹溝１４４に形成された反射電極１５０の部分は、凹面１４１ａと実質的に同じ形状を有することになる。
言い換えると、凹溝１４４に形成された反射電極１５０の部分は、凹面１４１ａに沿って形成され、凹面１４１ａと実質的に同じ凹んだ形状を有することができる。ここで、凹溝１４４に形成された反射電極１５０の部分を、凹部１５１と称する。
それにより、反射電極１５０の凹部１５１上には、第２保護膜１４１の凹溝１４４が存在することになる。
すなわち、反射電極１５０も、凹部１５１上に位置する凹溝１４４を有すると言える。言い換えると、反射電極１５０の凹部１５１は、凹溝１４４を定義すると言える。
そして、反射電極１５０は、凹面１４１ａ周辺における第２保護膜１４１部分の平坦な上面にも形成することができる。このように第２保護膜１４１の平坦面上に形成された反射電極１５０の部分は、実質的に平坦な形状を有することになる。
反射電極１５０は、銀（Ａｇ）のように反射特性に優れた金属物質を用いて形成することができる。
また、反射電極１５０は、単層構造であってもよく、多層構造であってもよい。
多層構造にした場合、反射電極１５０の最上部層は、反射特性を有する金属物質で形成することができ、最下部層は、第２保護膜１４１との付着力に優れた導電物質（例えば、ＩＴＯ）で形成することができる。
これに関し、図３では、多層構造の一例として、反射電極１５０を２層構造に形成した場合を示す。このような２層構造の反射電極１５０は、例えば、ＩＴＯのような透明導電性物質で下部の第１層１５０ａを形成し、銀のような反射性金属物質で上部の第２層１５０ｂを形成することができる。
前述したように形成された反射電極１５０上には、第１充填パターン１５５を形成することができる。さらに詳細に、第１充填パターン１５５は、反射電極１５０の凹部１５１上に、それを覆うように形成することができる。
かかる第１充填パターン１５５は、反射電極１５０が形成された状態の凹溝１４４を実質的に完全に満たすように形成される。
それにより、第１充填パターン１５５が形成された状態で、凹溝１４４とその周辺の基板面は、実質的に平坦な状態となり得る。
すなわち、第１充填パターン１５５が凹部１５１を覆い、凹溝１４４を満たすように形成されることにより、第１充填パターン１５５の平坦な上面と、その周辺における反射電極１５０の平坦な上面は、実質的に同じ高さを有することになる。
一方、ドレインコンタクトホール１４２内の反射電極１５０上には、ドレインコンタクトホール１４２を充填する第２充填パターン１５６を形成することができる。
それにより、第２充填パターン１５６が形成された状態で、ドレインコンタクトホール１４２と、その周辺の基板面は、実質的に平坦な状態となり得る。
すなわち、第２充填パターン１５６がドレインコンタクトホール１４２を満たすように形成されることにより、第２充填パターン１５６の平坦な上面と、その周辺における反射電極１５０の平坦な上面は、実質的に同じ高さを有することになる。
一方、第１充填パターン１５５および第２充填パターン１５６は、ベンゾシクロブテンやフォトアクリルのような有機絶縁物質から形成することができる。
第１充填パターン１５５および第２充填パターン１５６が形成された第１基板１０１上には、各画素領域Ｐに第１電極１６５を形成することができる。
このような第１電極１６５は、ＩＴＯのような透明導電性物質で形成することができる。
第１電極１６５は、第１充填パターン１５５、およびその周辺に露出された反射電極１５０の部分に接触するように形成することができる。
このように、第１電極１６５が、第１充填パターン１５５によって覆われない反射電極１５０部分の上面に接触するように形成されることにより、第１電極１６５は、反射電極１５０を介し、ドレイン電極１３３に電気的に接続されることができる。
さらに、第１電極１６５は、第２充填パターン１５６と、その周辺に露出された反射電極１５０の部分に接触するように形成することができる。
前述したように、第１充填パターン１５５および第２充填パターン１５６が形成された第１基板１０１は、実質的に平坦な基板面を有することになるので、第１電極１６５は、実質的に平坦な状態となり得る。
第１電極１６５の上部には、各画素領域Ｐの境界に沿って画素領域Ｐを取り囲むバンク（または隔壁）１６６を形成することができる。
バンク１６６は、画素領域Ｐにおける第１電極１６５を露出するホールを有し、第１電極１６５の縁部を覆うように構成することができる。
すなわち、第１電極１６５およびその下部の反射電極１５０の端部は、バンク１６６の内側に位置するように構成される。これらの端部が露出されないので、有機発光層１６７に接触しないことができる。
一方、バンク１６６は、反射電極１５０の凹溝１４４の端部を隠すように、すなわち覆うように形成することができる。凹溝１４４の端部がバンク１６６によって覆われず、内側に位置すると、内部で光が折れ曲がり、混色が引き起こされるという副作用が起こり得る。
バンク１６６のホールを介して露出された第１電極１６５の上部には、有機発光層１６７が形成される。有機発光層１６７は、発光物質層を含む多層構造にすることができる。
前述したように、第１電極１６５は、実質的に平坦な状態となるので、その上部に形成される有機発光層１６７も平坦な状態に形成されることができる。
一方、Ｒ・Ｇ・Ｂ画素領域Ｐのそれぞれに配置された有機発光層１６７は、白色光を出射する白色有機発光層であり得る。しかしながら、これに限定されるものではなく、Ｒ・Ｇ・Ｂ画素領域Ｐのそれぞれに配置された有機発光層１６７は、該当画素領域Ｐのカラーを発光する有機発光層で構成されてもよい。
本実施例では、Ｒ・Ｇ・Ｂ画素領域Ｐのそれぞれに配置された有機発光層１６７が、白色を発光する白色有機発光層である場合を例に挙げる。
一方、有機発光層１６７は、全体の画素領域Ｐに対応して形成することができる。すなわち、基板上において、全体の画素領域Ｐに沿って連続して形成することができる。
有機発光層１６７の上部には、第２電極１６９を、第１基板１０１の全面に形成することができる。
ここで、第２電極１６９は、透明な特性を持つ透明電極からなり得るが、例えば、ＩＴＯのような透明導電性物質で形成することができる。
他の例として、第２電極１６９は、半透明な特性を持つ半透明電極で構成することができる。この場合、マイクロキャビティ効果が発現され、発光効率が向上できる。このとき、第２電極１６９は、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、またはマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）の合金のような金属物質で形成することができる。また、該金属物質は、半透過特性が具現化できる程度の薄い厚さで形成することができる。
このように、有機発光層１６７は平坦な状態となるので、その上部に形成された第２電極１６９の部分も、平坦な状態となり得る。
このように配置された第１電極１６５と、有機発光層１６７、および第２電極１６９は、有機発光ダイオードＯＤを構成する。ここで、第１電極１６５と第２電極１６９のうち、一方はアノードとして働き、他方はカソードとして働く。
第２電極１６９上には、第１基板１０１の全面に沿って第３保護膜１７０を形成することができる。第３保護膜１７０は、外部からの水分や酸素の浸透を遮断することで、信頼性を向上させる機能をすることができる。
かかる第３保護膜１７０は、酸化シリコンや窒化シリコンで形成することができる。また、他の例として、第３保護膜１７０を、酸化シリコンや窒化シリコンを含む多層構造に形成することもできる。
第３保護膜１７０上には、第１基板１０１に対向する第２基板１８１を配置することができる。
第３保護膜１７０と第２基板１８１との間には、接着層１８３を形成することができる。この接着層１８３を介し、第２基板１８１を第１基板１０１に取り付け、結合することができる。
第２基板１８１の外面上には、各画素領域Ｐに対応し、該当カラーを具現化するためのカラーフィルター層１９０を設けることができる。
カラーフィルター層１０９は、例えば、Ｒ・Ｇ・Ｂ画素領域Ｐのそれぞれに対応するＲ・Ｇ・Ｂカラーフィルターパターン１９０ｒ、１９０ｇ、１９０ｂを含むことができる。
それにより、白色を発光する有機発光ダイオードＯＤから伝達された白色光が、該当カラーフィルターパターン１９０ｒ、１９０ｇ、１９０ｂを通過し、該当カラーが発生できる。
一方、第２基板１８１の外面上には、画素領域Ｐの境界に沿ってブラックマトリクス１９５を形成することができる。
上記で説明したように、本実施例では、発光領域に位置する有機発光ダイオードＯＤの下部に、凹んだ構造の反射電極１５０を形成する。
それにより、反射電極１５０は凹鏡として働くことができ、入射した光を実質的に垂直な上部方向へ出射させることができる。
これに関し、図４を参照するが、図４は、本発明の実施例に係る反射電極を介し、反射する光の経路を示す図面である。図４では、説明の便宜上、有機発光表示装置の一部の構成を省略した。
図４を共に参照すると、有機発光層１６７で発生して下部へ進んだ光は、反射電極１５０によって反射する。
そのとき、本実施例の反射電極１５０は、下部方向に凹んだ構造を有し、凹鏡のように作用する。
そのため、基板面に垂直な法線方向を基準にして、光（Ｌｉ）の入射角（θｉ）が大きくても、該光（Ｌｉ）は、反射電極１５０の凹鏡のような作用により、基板面に垂直な法線方向を基準にして、出射角（θｒ）が小さくなる。
その結果、反射電極１５０で反射した光（Ｌｒ）は、実質的に表示装置の正面方向に集光され、出射できるようになる。
したがって、反射電極１５０で反射した光（Ｌｒ）は、実質的に該当画素領域Ｐ内から出射するので、隣接した画素領域Ｐへ進み、混色が生じるという問題を改善することができる。
また、反射した光（Ｌｒ）は、出射角（θｒ）が小さくなるにつれて、互いに異なる屈折率を持つ積層膜の界面における全反射によって光が側面へ導波し、光損失が発生するという問題を改善することができる。
これに関し、例えば、第２電極１６９は、その上部の第３保護膜１７０に比べて屈折率が高いので、従来のように反射した光の出射角が大きい場合は、全反射が起こり得る。
これに対し、本実施例では、凹んだ反射電極１５０によって反射した光（Ｌｒ）の出射角（θｒ）が小さくなり、全反射が発生しなくなるので、全反射による光損失を改善することができる。
さらに、本実施例では、反射電極１５０の形成された凹溝１４４を第１充填パターン１５５で満たし、発光領域における基板面を実質的に平坦に形成する。
その結果、有機発光層１６７は、実質的に均一な厚さを有することになる。
したがって、有機発光層１６７の全体に均一な電界を印加することができるようになり、輝度均一度を確保することができる。
これに関し、図５を共に参照して説明する。図５は、本発明の実施例に係る有機発光表示装置の出射プロファイルに対するシミュレーション結果を示す図面である。
図５を参照すると、本実施例によって反射電極１５０の形成された凹溝１４４を第１充填パターン１５５で満たし、発光領域における基板面を実質的に平坦に形成することで、有機発光層１６７が均一な厚さを有することになると、画素領域Ｐから出射する光の出射プロファイルは実質的に均一となって、輝度均一度が確保できることが分かる。
前述した通り、本発明の実施例によると、有機発光ダイオードの下部の反射電極を、凹んだ形状に形成することになる。
それにより、反射電極は凹鏡として働き、反射した光の出射角が小さくなるので、隣接した画素領域へ光が進んで混色が生じるという問題を改善することができ、内部全反射によって光が側面へ導波し、光損失が発生するという問題を改善することができる。
また、反射電極の形成された凹溝を充填パターンで満たし、基板面を実質的に平坦に形成することになる。
その結果、有機発光層は実質的に均一な厚さを有することになるので、均一な輝度を確保することができる。
一方、前述した実施例においては、反射電極１５０の形成された凹溝１４４が第１充填パターン１５５によって満たされた場合を例に挙げ、説明した。
しかしながら、本発明がこれに限定されるものではない。他の実施例において、第１パターンは、反射電極上に形成することができる。第１電極は、第１パターン上に形成され、第１パターンによって、凹部に対応する部分が平坦であり得る。
第１電極は、反射電極と電気的に接続することができる。特に、第１電極は、第１パターンに形成されたコンタクトホールを介し、反射電極と電気的に接続してもよく、反射電極に直接接触してもよい。
第１電極が反射電極に直接接触する場合、第１パターンの上面と、凹部以外の反射電極の部分の上面とは、同じ高さを有することができる。その結果、第１電極は、凹部以外の反射電極の部分にのみ接触することができる。一方、第１パターンの上面は、凹部以外の反射電極の部分の上面より低く形成することができる。その結果、第１電極は、凹部以外の反射電極の部分のみならず、反射電極の凹部の一部と接触することができる。
以上、前述した本発明の実施例は一例であって、本発明の精神に収まる範囲内で、自由な変形が可能である。したがって、本発明は、特許請求の範囲および等価物の範囲内における本発明の変形を含む。
１００…有機発光表示装置、１０１…第１基板、１１２…半導体層、１１５…ゲート絶縁膜、１２０…ゲート電極、１２５…層間絶縁膜、１２６ａ…第１コンタクトホール、１２６ｂ…第２コンタクトホール、１３１…ソース電極、１３３…ドレイン電極、１４０…第１保護膜、１４１…第２保護膜、１４１ａ…凹面、１４２…ドレインコンタクトホール、１４４…凹溝、１５０…反射電極、１５１…凹部、１５５…第１充填パターン、１５６…第２充填パターン、１６５…第１電極、１６６…バンク、１６７…有機発光層、１６９…第２電極、１７０…第３保護膜、１８１…第２基板、１８３…接着層、１９０…カラーフィルター層、１９０ｒ…Ｒカラーフィルターパターン、１９０ｇ…Ｇカラーフィルターパターン、１９０ｂ…Ｂカラーフィルターパターン、２００…ＣＬＣパターン、２１０…透明パターン、１９５…ブラックマトリクス、Ｐ…画素領域

Claims (17)

  1. 基板上の画素領域に形成され、凹溝を定義する凹部を有する反射電極と、
    前記凹溝を満たす第１充填パターンと、
    前記第１充填パターンおよびその周辺における反射電極の部分上に形成された第１電極と、
    前記第１電極上に形成された有機発光層と、
    前記有機発光層上に形成された第２電極を備える、有機発光表示装置。
  2. 前記第１充填パターンの上面と、その周辺における反射電極の部分の上面は、同じ高さを有する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
  3. 前記反射電極の下部に配置され、前記凹部が形成された凹面を有する保護膜をさらに備える、請求項１に記載の有機発光表示装置。
  4. 前記画素領域に形成された薄膜トランジスタのドレイン電極と前記反射電極が接続される前記保護膜のドレインコンタクトホールを満たす第２充填パターンをさらに備える、請求項３に記載の有機発光表示装置。
  5. 前記第１電極と、前記有機発光層と、前記第２電極とを含む有機発光ダイオードは、白色を発生するように構成され、
    前記有機発光ダイオード上にカラーフィルターパターンが配置される、請求項１に記載の有機発光表示装置。
  6. 前記第２電極は、透明電極、または半透明電極である、請求項１に記載の有機発光表示装置。
  7. 基板上の画素領域に形成され、凹溝を定義する凹部を有する反射電極と、
    前記反射電極上の第１パターンと、
    前記第１パターン上に形成され、前記凹部に対応する部分が平坦であり、前記反射電極と電気的に接続された前記第１電極と、
    前記第１電極上に形成された有機発光層と、
    前記有機発光層上に形成された第２電極を備える、有機発光表示装置。
  8. 前記第１電極は、前記第１パターンに形成されたコンタクトホールを介し、前記反射電極と電気的に接続する、請求項７に記載の有機発光表示装置。
  9. 前記第１電極は、前記反射電極に直接接触する、請求項７に記載の有機発光表示装置。
  10. 前記第１電極は、前記凹部以外の前記反射電極の部分にのみ接触する、請求項９に記載の有機発光表示装置。
  11. 前記第１電極は、前記反射電極の凹部の一部と接触する、請求項９に記載の有機発光表示装置。
  12. 前記第１パターンの上面と、前記凹部以外の前記反射電極の部分の上面は、同じ高さを有する、請求項１０に記載の有機発光表示装置。
  13. 前記第１パターンの上面は、前記凹部以外の前記反射電極の部分の上面より低い、請求項１１に記載の有機発光表示装置。
  14. 前記反射電極の下部に配置され、前記凹部が形成された凹面を有する保護膜をさらに備える、請求項７に記載の有機発光表示装置。
  15. 前記画素領域に形成された薄膜トランジスタのドレイン電極と前記反射電極が接続される前記保護膜のドレインコンタクトホールを満たす第２パターンをさらに備える、請求項１４に記載の有機発光表示装置。
  16. 前記反射電極は、反射特性を持った金属物質から形成される最上部層と、付着力の優秀な導電物質からなる最下部層を含む、請求項１または請求項７に記載の有機発光表示装置。
  17. 各画素領域を取り囲みながら、前記凹溝の端部を覆うバンクをさらに備える、請求項１または請求項７に記載の有機発光表示装置。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112019001693T5 (de) * 2018-03-30 2020-12-10 Sony Semiconductor Solutions Corporation Displayeinrichtung, verfahren zum herstellen einer displayeinrichtung und elektronikvorrichtung
KR102555828B1 (ko) * 2018-12-17 2023-07-13 엘지디스플레이 주식회사 고 해상도 마이크로 led 표시 장치 및 그 제조 방법
CN110148685B (zh) * 2019-05-07 2021-01-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN111697037B (zh) * 2020-06-04 2024-04-09 武汉天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板及显示装置
CN112038372B (zh) * 2020-08-27 2024-01-23 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
KR20220030461A (ko) 2020-09-01 2022-03-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN113437120B (zh) * 2021-06-11 2022-08-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN113437238B (zh) * 2021-06-24 2023-04-11 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、显示装置及制作方法
CN113437127B (zh) * 2021-06-25 2022-08-02 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN114597325A (zh) * 2022-03-17 2022-06-07 上海天马微电子有限公司 一种发光器件、显示面板及显示装置
KR20240022027A (ko) * 2022-08-10 2024-02-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004207217A (ja) * 2002-12-11 2004-07-22 Sony Corp 表示装置及び表示装置の製造方法
KR20090021709A (ko) * 2007-08-28 2009-03-04 엘지전자 주식회사 전계발광소자 및 그 제조방법
JP2010010020A (ja) * 2008-06-30 2010-01-14 Seiko Epson Corp 発光装置、及び発光装置の製造方法
US20140312319A1 (en) * 2013-04-17 2014-10-23 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
WO2016167354A1 (ja) * 2015-04-16 2016-10-20 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置
WO2017094760A1 (ja) * 2015-12-03 2017-06-08 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、照明装置、および表示装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006221902A (ja) 2005-02-09 2006-08-24 Seiko Epson Corp 発光装置、その製造方法、画像印刷装置および画像読取装置
JP5111201B2 (ja) * 2008-03-31 2013-01-09 株式会社ジャパンディスプレイイースト 有機ｅｌ表示装置
KR101534006B1 (ko) 2008-07-29 2015-07-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2011228229A (ja) 2010-04-23 2011-11-10 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2014132525A (ja) * 2013-01-04 2014-07-17 Japan Display Inc 有機ｅｌ表示装置
KR101616918B1 (ko) * 2013-05-31 2016-04-29 제일모직주식회사 색 변화 저감용 광학 필름 및 이를 채용한 유기 발광 표시 장치
TWI538193B (zh) 2014-02-19 2016-06-11 友達光電股份有限公司 有機發光裝置及其製作方法
KR102178863B1 (ko) * 2014-06-27 2020-11-13 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 표시 장치
WO2016084759A1 (ja) * 2014-11-28 2016-06-02 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、照明装置および表示装置
JP2016111134A (ja) * 2014-12-04 2016-06-20 ソニー株式会社 有機ｅｌ素子および表示装置
JP2016213052A (ja) * 2015-05-08 2016-12-15 株式会社Ｊｏｌｅｄ 青色有機ｅｌ素子、有機ｅｌ表示パネル及び青色有機ｅｌ素子の製造方法
WO2017043529A1 (ja) 2015-09-08 2017-03-16 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、照明装置および表示装置
KR102368081B1 (ko) * 2015-09-18 2022-02-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 유기 발광 표시 장치
KR102449468B1 (ko) * 2015-12-15 2022-09-29 엘지디스플레이 주식회사 반사형 표시장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004207217A (ja) * 2002-12-11 2004-07-22 Sony Corp 表示装置及び表示装置の製造方法
KR20090021709A (ko) * 2007-08-28 2009-03-04 엘지전자 주식회사 전계발광소자 및 그 제조방법
JP2010010020A (ja) * 2008-06-30 2010-01-14 Seiko Epson Corp 発光装置、及び発光装置の製造方法
US20140312319A1 (en) * 2013-04-17 2014-10-23 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
WO2016167354A1 (ja) * 2015-04-16 2016-10-20 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置
WO2017094760A1 (ja) * 2015-12-03 2017-06-08 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、照明装置、および表示装置

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