KR20230036076A - 표시 장치, 발광 장치 및 전자 기기 - Google Patents

표시 장치, 발광 장치 및 전자 기기 Download PDF

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KR20230036076A
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light emitting
display device
periphery
layer
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히로시 후지마키
히로시 니시카와
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소니그룹주식회사
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Abstract

신뢰성의 저하를 억제할 수 있는 표시 장치를 제공한다. 표시 장치는 복수의 발광 소자와, 복수의 발광 소자가 형성된 영역의 주변에 마련된 콘택트부와, 콘택트부 상에 단차를 갖는 절연층과, 발광 소자, 콘택트부 및 절연층을 덮는 보호층을 구비한다. 발광 소자는 제1 전극과, 주연 부분이 콘택트부에 접속된 제2 전극과, 제1 전극과 제2 전극 사이에 마련된 발광층을 구비한다. 단차는 표시 장치의 내측으로부터 외주측을 향하는 방향으로 높아진다. 제2 전극의 주연은 단차보다 영역측에 마련되어 있다.

Description

표시 장치, 발광 장치 및 전자 기기
본 개시는 표시 장치, 발광 장치 및 전자 기기에 관한 것이다.
표시 장치나 조명 장치 등의 발광 장치로서, 한 쌍의 전극 사이에 발광층이 마련된 발광 소자와, 이 발광 소자를 덮는 보호층을 구비하는 것이 알려져 있다. 상기 구성의 발광 장치로서는, 발광 장치의 내측으로부터 외주측을 향하는 방향으로 높아지는 단차를 주변 영역에 갖고, 발광 소자를 구성하는 한쪽의 전극이 상기 단차를 넘어서 발광 장치의 외주측까지 연장 설치되어 있는 것이 있다. 예를 들어 특허문헌 1에서는, 화소 분리막(12)이, 유기 발광 장치(1)의 내측으로부터 외주측을 향하는 방향으로 높아지는 단차를 배선 접속부(콘택트부)(24) 상에 갖고, 상부 전극(23)이, 상기 단차를 넘어서 유기 발광 장치(1)의 외주측까지 연장 설치되어 있는 유기 발광 장치(1)가 개시되어 있다.
일본특허공개 제2016-21380호 공보
그러나, 상술한 바와 같이, 발광 소자를 구성하는 한쪽의 전극이 상기 단차를 넘어서 외주측까지 연장 설치되어 있는 발광 장치에서는, 콘택트부를 덮는 보호층의 측면(단부면)에 크랙이 발생할 우려가 있다. 이러한 크랙이 발생하면, 보호층의 측면으로부터 크랙을 통해 표시 장치 내에 수분 등이 침입하기 때문에, 발광 장치의 신뢰성이 저하된다.
본 개시의 목적은, 신뢰성의 저하를 억제할 수 있는 표시 장치, 발광 장치 및 전자 기기를 제공하는 데 있다.
상술한 과제를 해결하기 위해서, 제1 개시는,
복수의 발광 소자와,
복수의 발광 소자가 형성된 영역의 주변에 마련된 콘택트부와,
콘택트부 상에 단차를 갖는 절연층과,
발광 소자, 콘택트부 및 절연층을 덮는 보호층
을 구비하고,
발광 소자는,
제1 전극과,
주연 부분이 콘택트부에 접속된 제2 전극과,
제1 전극과 제2 전극 사이에 마련된 발광층
을 구비하고,
단차는, 표시 장치의 내측으로부터 외주측을 향하는 방향으로 높아지고,
제2 전극의 주연은, 단차보다 영역측에 마련되어 있는 표시 장치이다.
제2 개시는,
복수의 발광 소자와,
복수의 발광 소자가 형성된 영역의 주변에 마련된 콘택트부와,
콘택트부 상에 단차를 갖는 절연층과,
발광 소자, 콘택트부 및 절연층을 덮는 보호층
을 구비하고,
발광 소자는,
제1 전극과,
주연 부분이 콘택트부에 접속된 제2 전극과,
제1 전극과 제2 전극 사이에 마련된 발광층
을 구비하고,
단차는, 발광 장치의 내측으로부터 외주측을 향하는 방향으로 높아지고,
제2 전극의 주연은, 단차보다 영역측에 마련되어 있는 발광 장치이다.
제3 개시는,
복수의 발광 소자와,
복수의 발광 소자가 형성된 영역의 주변에 단차를 갖는 절연층과,
발광 소자 및 절연층을 덮는 보호층
을 구비하고,
발광 소자는,
제1 전극과,
주연이 영역의 주변까지 연장 설치된 제2 전극과,
제1 전극과 제2 전극 사이에 마련된 발광층
을 구비하고,
단차는, 표시 장치의 내측으로부터 외주측을 향하는 방향으로 높아지고,
제2 전극의 주연은, 단차보다 영역측에 마련되어 있는 표시 장치이다.
제4 개시는,
복수의 발광 소자와,
복수의 발광 소자가 형성된 영역의 주변에 단차를 갖는 절연층과,
발광 소자 및 절연층을 덮는 보호층
을 구비하고,
발광 소자는,
제1 전극과,
주연이 영역의 주변까지 연장 설치된 제2 전극과,
제1 전극과 제2 전극 사이에 마련된 발광층
을 구비하고,
단차는, 발광 장치의 내측으로부터 외주측을 향하는 방향으로 높아지고,
제2 전극의 주연은, 단차보다 영역측에 마련되어 있는 발광 장치이다.
제5 개시는, 제1 개시 및 제2 개시의 어느 것의 표시 장치, 또는 제3 개시 및 제4 개시의 어느 것의 발광 장치를 구비하는 전자 기기이다.
도 1은 본 개시의 일 실시 형태에 따른 표시 장치의 일 구성예를 도시하는 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II선을 따른 단면도이다.
도 3은 표시 장치의 일부를 확대해서 나타내는 평면도이다.
도 4는 종래예에 관한 표시 장치의 구성을 도시하는 단면도이다.
도 5는 변형예 1에 관한 표시 장치의 일 구성예를 도시하는 단면도이다.
도 6은 변형예 2에 관한 표시 장치의 제1 구성예를 도시하는 단면도이다.
도 7은 변형예 2에 관한 표시 장치의 제2 구성예를 도시하는 단면도이다.
도 8은 변형예 3에 관한 표시 장치의 일 구성예를 도시하는 평면도이다.
도 9는 단차의 제1 구성예를 도시하는 단면도이다.
도 10은 단차의 제2 구성예를 도시하는 단면도이다.
도 11은 변형예 4에 관한 표시 장치의 일 구성예를 도시하는 단면도이다.
도 12의 A는 디지털 스틸 카메라의 외관의 일례를 도시하는 정면도이다. 도 12의 B는 디지털 스틸 카메라의 외관의 일례를 도시하는 배면도이다.
도 13은 헤드 마운트 디스플레이의 외관의 일례를 사시도이다.
도 14는 텔레비전 장치의 외관의 일례를 도시하는 사시도이다.
도 15는 조명 장치의 외관의 일례를 도시하는 사시도이다.
본 개시의 실시 형태에 대해서 이하의 순서로 설명한다. 또한, 이하의 실시 형태의 전체 도면에 있어서는, 동일 또는 대응하는 부분에는 동일한 부호를 붙인다.
1 표시 장치의 구성
2 표시 장치의 제조 방법
3 작용 효과
4 변형예
5 응용예
[1 표시 장치의 구성]
도 1은 본 개시의 일 실시 형태에 따른 유기 EL(Electroluminescence) 표시 장치(10)(이하, 단순히 「표시 장치(10)」라고 한다.)의 구성예를 도시하는 평면도이다. 도 2는 도 1의 II-II선을 따른 단면도이다. 표시 장치(10)는 구동 기판(11)과, 복수의 발광 소자(12)와, 콘택트부(13)와, 패드부(14)와, 절연층(15)과, 보호층(16)과, 컬러 필터(17)와, 충전 수지층(18)과, 대향 기판(19)을 구비한다.
표시 장치(10)는 발광 장치의 일례이다. 표시 장치(10)는 톱 에미션 방식의 표시 장치이다. 구동 기판(11)이 표시 장치(10)의 표시면측을 구성하고, 대향 기판(19)이 표시 장치(10)의 이면측을 구성하고 있다. 대향 기판(19)측이 톱측이 되고, 기판(11A)측이 보텀측이 된다. 이하의 설명에 있어서, 표시 장치(10)를 구성하는 각 층에 있어서, 표시 장치(10)의 표시면측이 되는 면을 제1 면이라 하고, 표시 장치(10)의 이면측이 되는 면을 제2 면이라 한다.
표시 장치(10)는 소자 형성 영역(R1)과 주변 영역(R2)을 갖는다. 소자 형성 영역(R1)은, 복수의 발광 소자(12)가 형성된 영역이다. 주변 영역(R2)은 소자 형성 영역(R1)의 주변에 마련된 영역이다. 주변 영역(R2)은 소자 형성 영역(R1)을 둘러싸는 폐루프상을 갖고 있다.
표시 장치(10)는 마이크로 디스플레이여도 된다. 표시 장치(10)는, 각종 전자 기기에 사용되어도 된다. 표시 장치(10)가 사용되는 전자 기기로서는, 예를 들어 VR(Virtual Reality)용, MR(Mixed Reality)용 혹은 AR(Augmented Reality)용 표시 장치, 전자 뷰 파인더(Electronic View Finder:EVF) 또는 소형 프로젝터 등을 들 수 있다.
(기판)
구동 기판(11)은, 소위 백 플레인이며, 복수의 발광 소자(12)를 구동한다. 구동 기판(11)은 기판(11A)과, 절연층(11B)을 구비한다.
기판(11A)의 제1 면 상에는, 복수의 발광 소자(12)의 구동을 제어하는 샘플링용 트랜지스터와 구동용 트랜지스터를 포함하는 구동 회로, 복수의 발광 소자(12)에 전력을 공급하는 전원 회로, 및 하지 배선 등(모두 도시하지 않음)이 마련되어 있다. 구동 회로 및 전원 회로는, 예를 들어 소자 형성 영역(R1)에 배치되어 있다. 하지 배선은, 예를 들어 주변 영역(R2)에 배치되어 있다.
기판(11A)은, 예를 들어 수분 및 산소의 투과성이 낮은 유리 또는 수지로 구성되어 있어도 되고, 트랜지스터 등의 형성이 용이한 반도체로 형성되어도 된다. 구체적으로는, 기판(11A)은 유리 기판, 반도체 기판 또는 수지 기판 등이어도 된다. 유리 기판은, 예를 들어 고왜곡점 유리, 소다 유리, 붕규산 유리, 포르스테라이트, 납유리 또는 석영 유리 등을 포함한다. 반도체 기판은, 예를 들어 아몰퍼스 실리콘, 다결정 실리콘 또는 단결정 실리콘 등을 포함한다. 수지 기판은, 예를 들어 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리비닐알코올, 폴리비닐페놀, 폴리에테르술폰, 폴리이미드, 폴리카르보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 폴리에틸렌나프탈레이트 등으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함한다.
절연층(11B)은 기판(11A)의 제1 면 상에 마련되고, 구동 회로, 전원 회로 및 하지 배선 등을 덮고 있다. 절연층(11B)은 복수의 제1 콘택트 플러그(도시하지 않음)를 구비한다. 제1 콘택트 플러그는 발광 소자(12)를 구성하는 제1 전극(12A)과 구동 회로를 접속한다. 절연층(11B)은, 또한 1개 또는 복수의 제2 콘택트 플러그(도시하지 않음)를 구비한다. 제2 콘택트 플러그는 콘택트부(13)와 하지 배선을 접속한다.
절연층(11B)은, 예를 들어 유기 재료 또는 무기 재료에 의해 구성된다. 유기 재료는, 예를 들어 폴리이미드 및 아크릴 수지 중 적어도 1종을 포함한다. 무기 재료는, 예를 들어 산화 실리콘, 질화 실리콘, 산질화 실리콘 및 산화 알루미늄 중 적어도 1종을 포함한다.
(발광 소자)
복수의 발광 소자(12)는, 구동 기판(11)의 제1 면 상의 소자 형성 영역(R1)에 마련되어 있다. 복수의 발광 소자(12)는, 예를 들어 소자 형성 영역(R1)에 매트릭스상 등의 규정된 배치 패턴으로 2차원 배치되어 있다. 발광 소자(12)는, 백색광을 발광 가능하게 구성되어 있다. 발광 소자(12)는, 예를 들어 백색 OLED 또는 백색 Micro-OLED(MOLED)이다. 본 실시 형태에서는, 표시 장치(10)에 있어서의 컬러화의 방식으로서는, 발광 소자(12)와 컬러 필터(17)를 사용하는 방식이 사용된다. 단, 컬러화의 방식은 이것에 한정되는 것은 아니고, RGB의 구분 도포 방식 등을 사용해도 된다. 또한, 컬러 필터(17) 대신에, 단색의 필터를 사용하도록 해도 된다.
발광 소자(12)는 제1 전극(12A)과, 유기층(12B)과, 제2 전극(12C)을 구비한다. 제1 전극(12A), 유기층(12B) 및 제2 전극(12C)은, 구동 기판(11)측으로부터 대향 기판(19)을 향하여, 이 순서로 적층되어 있다.
(제1 전극)
제1 전극(12A)은 구동 기판(11)의 제1 면 상에 마련되어 있다. 제1 전극(12A)은 서브 화소마다 전기적으로 분리되어 있다. 제1 전극(12A)은 애노드이다. 제1 전극(12A)은 반사층으로서의 기능도 겸하고 있어, 가능한 한 반사율이 높으며, 또한 일함수가 큰 재료에 의해 구성되는 것이, 발광 효율을 높이는 데 있어서 바람직하다.
제1 전극(12A)은, 금속층(12A1) 및 금속 산화물층(12A2) 중 적어도 1층에 의해 구성되어 있다. 보다 구체적으로는, 제1 전극(12A)은 금속층(12A1) 혹은 금속 산화물층(12A2)의 단층막, 또는 금속층(12A1)과 금속 산화물층(12A2)의 적층막에 의해 구성되어 있다. 또한, 도 2에서는, 제1 전극(12A)이 적층막에 의해 구성된 예가 도시되어 있다. 제1 전극(12A)이 적층막에 의해 구성되어 있는 경우, 금속 산화물층(12A2)이 유기층(12B)측에 마련되어 있어도 되고, 금속층(12A1)이 유기층(12B)측에 마련되어 있어도 되지만, 높은 일함수를 갖는 층을 유기층(12B)에 인접시키는 관점에서 보면, 금속 산화물층(12A2)이 유기층(12B)측에 마련되어 있는 것이 바람직하다.
금속층(12A1)은, 예를 들어 크롬(Cr), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈(Ta), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 철(Fe), 텅스텐(W) 및 은(Ag)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속 원소를 포함한다. 금속층(12A1)은, 상기 적어도 1종의 금속 원소를 합금의 구성 원소로서 포함하고 있어도 된다. 합금의 구체예로서는, 알루미늄 합금 또는 은 합금을 들 수 있다. 알루미늄 합금의 구체예로서는, 예를 들어 AlNd 또는 AlCu를 들 수 있다.
금속 산화물층(12A2)은, 예를 들어 인듐 산화물과 주석 산화물의 혼합체 (ITO), 인듐 산화물과 아연 산화물의 혼합체(IZO) 및 산화티타늄(TiO) 중 적어도 1종을 포함한다.
(제2 전극)
제2 전극(12C)은, 제1 전극(12A)과 대향해서 마련되어 있다. 제2 전극(12C)은, 소자 형성 영역(R1) 내에 있어서 모든 서브 화소에 공통의 전극으로서 마련되어 있다. 제2 전극(12C)은 캐소드이다. 제2 전극(12C)은 유기층(12B)에서 발생한 광에 대하여 투과성을 갖는 투명 전극이다. 여기서, 투명 전극에는, 반투과성 반사층도 포함되는 것으로 한다. 제2 전극(12C)은 가능한 한 투과성이 높으며, 또한 일함수가 작은 재료에 의해 구성되는 것이, 발광 효율을 높이는 데 있어서 바람직하다.
제2 전극(12C)은 금속층 및 금속 산화물층 중 적어도 1층에 의해 구성되어 있다. 보다 구체적으로는, 제2 전극(12C)은, 금속층 혹은 금속 산화물층의 단층막 또는 금속층과 금속 산화물층의 적층막에 의해 구성되어 있다. 제2 전극(12C)이 적층막에 의해 구성되어 있는 경우, 금속층이 유기층(12B)측에 마련되어도 되고, 금속 산화물층이 유기층(12B)측에 마련되어도 되지만, 낮은 일함수를 갖는 층을 유기층(12B)에 인접시키는 관점에서 보면, 금속층이 유기층(12B)측에 마련되어 있는 것이 바람직하다.
금속층은, 예를 들어 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 은(Ag), 칼슘(Ca) 및 나트륨(Na)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속 원소를 포함한다. 금속층은, 상기 적어도 1종의 금속 원소를 합금의 구성 원소로서 포함하고 있어도 된다. 합금의 구체예로서는, MgAg 합금, MgAl 합금 또는 AlLi 합금 등을 들 수 있다. 금속 산화물은, 예를 들어 인듐 산화물과 주석 산화물의 혼합체(ITO), 인듐 산화물과 아연 산화물의 혼합체(IZO) 및 산화아연(ZnO) 중 적어도 1종을 포함한다.
(유기층)
유기층(12B)은, 제1 전극(12A)과 제2 전극(12C) 사이에 마련되어 있다. 유기층(12B)은, 소자 형성 영역(R1) 내에 있어서 모든 서브 화소에 공통의 유기층으로서 마련되어 있다. 유기층(12B)은, 백색광을 발광 가능하게 구성되어 있다.
유기층(12B)은, 제1 전극(12A)으로부터 제2 전극(12C)을 향해서 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층이 이 순서로 적층된 구성을 갖는다. 또한, 유기층(12B)의 구성은 이것에 한정되는 것은 아니고, 발광층 이외의 층은 필요에 따라서 마련되는 것이다.
정공 주입층은, 발광층의 정공 주입 효율을 높이기 위한 것임과 함께, 누설을 억제하기 위한 버퍼층이다. 정공 수송층은, 발광층의 정공 수송 효율을 높이기 위한 것이다. 발광층은, 전계를 가함으로써 전자와 정공의 재결합이 일어나서, 광을 발생시키는 것이다. 발광층은, 유기 발광 재료를 포함하는 유기 발광층이다. 전자 수송층은, 발광층의 전자 수송 효율을 높이기 위한 것이다. 전자 수송층과 제2 전극(12C) 사이에는, 전자 주입층을 마련해도 된다. 이 전자 주입층은, 전자 주입 효율을 높이기 위한 것이다.
(콘택트부)
콘택트부(13)는 제2 전극(12C)과 하지 배선(도시하지 않음)을 접속하는 보조 전극이다. 콘택트부(13)의 제1 면은 제2 전극(12C)의 주연부(12CA)에 접속되어 있다. 한편, 콘택트부(13)의 제2 면은, 콘택트 플러그를 통해 하지 배선에 접속되어 있다. 본 명세서에 있어서, 제2 전극(12C)의 주연부(12CA)는, 제2 전극(12C)의 주연으로부터 내측을 향해서, 소정의 폭을 갖는 영역을 말한다.
도 3은 표시 장치(10)의 일부를 확대해서 나타내는 평면도이다. 콘택트부(13)는 구동 기판(11)의 제1 면 상의 주변 영역(R2)에 마련되어 있다. 콘택트부(13)는 도 3에 도시한 바와 같이, 직사각형의 소자 형성 영역(R1)을 둘러싸는 직사각형의 폐루프상을 갖고 있다. 즉, 콘택트부(13)는, 모서리부를 갖고 있다.
콘택트부(13)는, 금속층(13A) 및 금속 산화물층(13B) 중 적어도 1층에 의해 구성되어 있다. 보다 구체적으로는, 콘택트부(13)는, 금속층(13A) 혹은 금속 산화물층(13B)의 단층막, 또는 금속층(13A)과 금속 산화물층(13B)의 적층막에 의해 구성되어 있다. 또한, 도 2에서는, 콘택트부(13)가 적층막에 의해 구성된 예가 도시되어 있다. 콘택트부(13)가 적층막에 의해 구성되어 있는 경우, 금속 산화물층(13B)이 제2 전극(12C)측에 마련되어 있어도 되고, 금속층(13A)이 제2 전극(12C)측에 마련되어 있어도 된다.
콘택트부(13)의 구성 재료로서는, 상술한 제1 전극(12A)과 마찬가지 재료를 예시할 수 있다. 구체적으로는, 콘택트부(13)의 금속층(13A), 금속 산화물층(13B)의 구성 재료로서는 각각, 상술한 제1 전극(12A)의 금속층(12A1), 금속 산화물층(12A2)과 마찬가지 재료를 예시할 수 있다.
콘택트부(13)는 제1 전극(12A)과 동일한 구성을 갖고 있어도 된다. 콘택트부(13)의 금속층(13A), 금속 산화물층(13B)은 각각, 제1 전극(12A)의 금속층(12A1), 금속 산화물층(12A2)과 동일한 구성을 갖고 있어도 된다.
(절연층)
절연층(15)은 구동 기판(11)의 제1 면 상의 소자 형성 영역(R1) 및 주변 영역(R2)에 마련되어 있다. 절연층(15)은 소자 형성 영역(R1)에 있어서, 각 제1 전극(12A)을 발광 소자(12)마다(즉 서브 화소 마다) 전기적으로 분리한다. 절연층(15)은, 복수의 제1 개구(15A)를 갖고, 분리된 제1 전극(12A)의 제1 면(제2 전극(12C)과의 대향면)이 제1 개구(15A)로부터 노출되어 있다. 절연층(15)이, 분리된 제1 전극(12A)의 제1 면의 주연부로부터 측면(단부면)에 걸쳐서 덮고 있어도 된다. 본 명세서에 있어서, 제1 면의 주연부란, 제1 면의 주연으로부터 내측을 향하고, 소정의 폭을 갖는 영역을 말한다.
절연층(15)은 소자 형성 영역(R1)의 주연부에 위치하는 각 발광 소자(12)와, 주변 영역(R2)에 마련된 콘택트부(13)를 전기적으로 분리한다. 절연층(15)은, 제2 개구(15B)를 갖고, 제2 개구(15B)로부터 콘택트부(13)의 제1 면이 노출되어 있다. 제2 개구(15B)는, 예를 들어 폐루프상을 갖고 있다. 절연층(15)이 콘택트부(13)의 제1 면의 주연부로부터 콘택트부(13)의 측면(단부면)에 걸쳐서 덮고 있어도 된다.
절연층(15)은 주변 영역(R2)에 마련된 콘택트부(13)와 패드부(14)를 전기적으로 분리한다. 절연층(15)은 제3 개구(15C)를 갖고, 제3 개구(15C)로부터 콘택트부(13)가 노출되어 있다.
절연층(15)은 단차(15ST)를 주변 영역(R2)에 갖고 있다. 구체적으로는, 절연층(15)은 콘택트부(13)의 제1 면 상에 단차(15ST)를 갖고 있다. 단차(15ST)는 주변 영역(R2)의 둘레 방향으로 연장되어 있다. 단차(15ST)는 표시 장치(10)의 내측으로부터 외주측을 향하는 방향으로 높아진다. 제2 전극(12C)의 주연은, 단차(15ST)보다 소자 형성 영역(R1)측에서, 또한 단차(15ST)의 근방에 마련되어 있다. 이에 의해, 제2 전극(12C)의 측면(단부면)에 의해 주변 영역(R2)에 단차가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 주변 영역(R2)의 보호층(16)에 크랙이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 본 개시에 있어서, 크랙은, 화학 기상 성장이나 물리 기상 성장 등(예를 들어 CVD 등)에 의해 보호층(16)을 성막할 때에 발생하는 크랙이어도 되고, 보호층(16)의 성막 후에 보호층(16)에 작용하는 응력에 의해 발생하는 크랙이어도 된다.
표시면의 면내 방향에 있어서의 단차(15ST)와 제2 전극(12C)의 주연 사이의 거리 D1은, 크랙의 발생을 억제하는 관점에서 보면, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 5㎛ 이하, 더욱 보다 바람직하게는 2㎛ 이하, 특히 바람직하게는 1㎛ 이하이다.
단차(15ST)의 높이는, 크랙의 발생을 억제하는 관점에서 보면, 제2 전극(12C)의 측면의 높이와 대략 동등한 것이 바람직하다. 본 실시 형태에서는, 제2 전극(12C)의 측면은, 콘택트부(13) 상에 위치하고 있다.
본 실시 형태에 있어서는, 단차(15ST)는 콘택트부(13)의 제1 면과 절연층(15)의 제1 면의 단차이다. 즉, 단차(15ST)는 제2 개구(15B)의 내벽에 의해 형성되어 있다. 절연층(15)의 구성 재료로서는, 상술한 절연층(11B)과 마찬가지 재료를 예시할 수 있다.
(보호층)
보호층(16)은 제2 전극(12C)의 제1 면 상에 마련되고, 발광 소자(12), 제2 전극(12C)의 주연부(12CA), 콘택트부(13) 및 절연층(15) 등을 덮는다. 보호층(16)은, 발광 소자(12), 제2 전극(12C)의 주연부(12CA) 및 콘택트부(13) 등을 외기와 차단하고, 외부 환경으로부터 발광 소자(12), 제2 전극(12C)의 주연부(12CA) 및 콘택트부(13) 등으로의 수분 침입을 억제한다. 또한, 제2 전극(12C)이 금속층에 의해 구성되어 있는 경우에는, 보호층(16)은, 이 금속층의 산화를 억제하는 기능을 갖고 있어도 된다.
표시면의 면내 방향에 있어서의 보호층(16)의 주연으로부터 제2 전극(12C)의 주연 사이의 거리 D2는, 표시 장치(10)의 프레임 폭 협소화의 관점에서 보면, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 5㎛ 이하, 더욱 보다 바람직하게는 2㎛ 이하, 특히 바람직하게는 1㎛ 이하이다. 일 실시 형태에 따른 표시 장치(10)에서는, 거리 D2가 10㎛ 이하로 프레임 폭 협소화되어 있는 경우에도, 표시 장치(10)의 주변 영역(R2)에서 발생한 크랙의 일단부가 보호층(16)의 측면(단부면)에 도달하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 종래 구성의 표시 장치(110)에서는, 거리 D2가 10㎛ 이하로 프레임 폭 협소화되어 있으면, 크랙(16A)의 일단부가 보호층(16)의 측면(단부면)에 도달하기 쉽다(도 4 참조).
보호층(16)은, 예를 들어 무기 재료에 의해 구성되어 있다. 보호층(16)을 구성하는 무기 재료로서는, 흡습성이 낮은 것이 바람직하다. 구체적으로는, 보호층(16)을 구성하는 무기 재료는, 산화실리콘(SiO), 질화실리콘(SiN), 산화질화실리콘(SiNO), 산화티타늄(TiO) 및 산화알루미늄(AlO)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다. 보호층(16)은, 단층 구조여도 되지만, 두께를 크게 하는 경우에는 다층 구조로 해도 된다. 보호층(16)에 있어서의 내부 응력을 완화하기 위함이다.
(컬러 필터)
컬러 필터(17)는 보호층(16) 상에 마련되어 있다. 컬러 필터(17)는, 예를 들어 온 칩 컬러 필터(On Chip Color Filter: OCCF)이다. 컬러 필터(17)는, 예를 들어 적색 필터, 녹색 필터 및 청색 필터를 구비한다. 적색 필터, 녹색 필터, 청색 필터는 각각, 적색 서브 화소용의 발광 소자(12), 녹색 서브 화소용 발광 소자(12), 청색 서브 화소용 발광 소자(12)에 대향해서 마련되어 있다. 이에 의해, 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소, 청색 서브 화소 내의 각 발광 소자(12)로부터 발해진 백색광이 각각, 상기의 적색 필터, 녹색 필터 및 청색 필터를 투과함으로써, 적색광, 녹색광, 청색광이 각각 표시면으로부터 출사된다. 또한, 각 색의 컬러 필터간, 즉 서브 화소간의 영역에는, 차광층(도시하지 않음)이 마련되어 있어도 된다. 또한, 컬러 필터(17)는 온 칩 컬러 필터에 한정되는 것은 아니고, 대향 기판(19)의 일주면에 마련된 것이어도 된다.
(충전 수지층)
충전 수지층(18)은 컬러 필터(17)와 대향 기판(19) 사이에 마련되어 있다. 충전 수지층(18)은 컬러 필터(17)와 대향 기판(19)을 접착하는 접착층으로서의 기능을 갖고 있다. 충전 수지층(18)은, 예를 들어 열경화형 수지 및 자외선 경화형 수지 중 적어도 1종을 포함한다.
(대향 기판)
대향 기판(19)은 구동 기판(11)에 대향해서 마련되어 있다. 보다 구체적으로는, 대향 기판(19)은 대향 기판(19)의 제2 면과 구동 기판(11)의 제1 면이 대향하도록 마련되어 있다. 대향 기판(19) 및 충전 수지층(18)은, 발광 소자(12), 컬러 필터(17) 및 콘택트부(13) 등을 밀봉한다. 대향 기판(19)은 컬러 필터(17)로부터 출사되는 각 색광에 대하여 투명한 유리 등의 재료에 의해 구성된다.
(패드부)
패드부(14)는 표시 장치(10)를 전자 기기 등에 전기적으로 접속하기 위한 접속부이다. 패드부(14)에는, 복수의 접속 단자(14A)가 마련되어 있다. 패드부(14)는, 예를 들어 플렉시블 프린트 배선 기판 등의 접속 부재를 통해 전자 기기의 메인 기판 등에 접속된다.
[2 표시 장치의 제조 방법]
이하, 본 개시의 일 실시 형태에 따른 표시 장치(10)의 제조 방법의 일례에 대해서 설명한다. 또한, 본 제조 방법에서는, 제1 전극(12A) 및 콘택트부(13)가 동일한 구성(즉 금속층(12A1)과 금속 산화물층(12A2)의 적층막)을 갖는 경우에 대해서 설명하지만, 제1 전극(12A) 및 콘택트부(13)가 다른 구성을 갖고 있어도 된다.
먼저, 예를 들어 박막 형성 기술, 포토리소그래피 기술 및 에칭 기술을 사용하여, 기판(11A)의 제1 면 상에 구동 회로, 전원 회로 및 하지 배선 등을 형성한다. 이어서, 예를 들어 CVD법에 의해, 구동 회로, 전원 회로 및 하지 배선 등을 덮도록 절연층(11B)을 기판(11A)의 제1 면 상에 형성한 뒤, 절연층(11B)에 복수의 제1 콘택트 플러그 및 1개 또는 복수의 제2 콘택트 플러그 등을 형성한다. 이에 의해, 구동 기판(11)이 형성된다.
이어서, 예를 들어 스퍼터링법에 의해, 금속층(12A1)과 금속 산화물층(12A2)의 적층막을 구동 기판(11)의 제1 면 상에 형성한 뒤, 예를 들어 포토리소그래피 기술 및 에칭 기술을 사용해서 적층막을 패터닝함으로써, 발광 소자(12)마다(즉 서브 화소마다) 분리된 제1 전극(12A) 및 콘택트부(13)를 형성한다.
이어서, 예를 들어 CVD법에 의해, 복수의 제1 전극(12A) 및 콘택트부(13)를 덮도록 절연층(15)을 구동 기판(11)의 제1 면 상에 형성한 뒤, 포토리소그래피 기술 및 에칭 기술을 사용하여, 절연층(15)을 패터닝한다. 이에 의해, 복수의 제1 개구(15A), 제2 개구(15B) 및 제3 개구(15C)가 절연층(15)에 형성된다.
이어서, 예를 들어 증착법에 의해, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층을 제1 전극(12A)의 제1 면 및 절연층(15)의 제1 면 상에 이 순서로 적층함으로써, 유기층(12B)을 형성한다. 이어서, 예를 들어 증착법 또는 스퍼터링법에 의해, 제2 전극(12C)을 유기층(12B) 및 콘택트부(13)의 제1 면 상에 형성한다. 이에 의해, 구동 기판(11)의 제1 면 상에 복수의 발광 소자(12)가 형성됨과 함께, 제2 전극(12C)의 주연부(12CA)가 콘택트부(13)와 접합된다.
이어서, 예를 들어 CVD법 또는 증착법에 의해, 보호층(16)을 제2 전극(12C)의 제1 면 상에 형성한 후, 예를 들어 포토리소그래피에 의해, 보호층(16)의 제1 면 상에 컬러 필터(17)를 형성한다. 또한, 보호층(16)의 단차나 컬러 필터(17) 자체의 막 두께 차에 의한 단차를 평탄화하기 위해서, 컬러 필터(17) 상, 하 또는 상하 양쪽에 평탄화층을 형성해도 된다. 이어서, 예를 들어 ODF(One Drop Fill) 방식을 사용해서, 충전 수지층(18)에 의해 컬러 필터(17)를 덮은 후, 대향 기판(19)을 충전 수지층(18) 상에 적재한다. 이어서, 예를 들어 충전 수지층(18)에 열을 가하거나 또는 충전 수지층(18)에 자외선을 조사하여, 충전 수지층(18)을 경화시킴으로써, 충전 수지층(18)을 통해 구동 기판(11)과 대향 기판(19)을 접합한다. 이에 의해, 표시 장치(10)가 밀봉된다. 이상에 의해, 도 1, 도 2에 도시한 표시 장치(10)가 얻어진다.
[3 작용 효과]
도 4는 종래예에 관한 표시 장치(110)의 구성을 도시하는 단면도이다. 종래예에 관한 표시 장치(110)에서는, 제2 전극(12C)의 주연은, 단차(15ST)를 넘어서 마련되어 있다. 이 때문에, 제2 전극(12C)의 측면(단부면)에 의해 보호층(16)의 측면(단부면)의 근방에 단차(12ST)가 형성된다. 따라서, 화학 기상 성장이나 물리 기상 성장 등(예를 들어 CVD 등)에 의해 보호층(16)을 성막할 때에 단차(12ST)로부터 보호층(16)의 측면을 향해서 크랙(16A)이 발생할 우려가 있다. 또한, 보호층(16)의 성막 후에 보호층(16)에 작용하는 응력에 의해 상기 크랙(16A)이 발생할 우려도 있다. 따라서, 표시 장치(110)의 신뢰성이 저하된다.
종래예에 관한 표시 장치(110)가 프레임 폭 협소화되어 있는 경우(예를 들어 D2≤10㎛)에는, 단차(12ST)로부터 보호층(16)의 측면까지 거리가 짧아지므로, 단차(12ST)로부터 보호층(16)의 측면에 크랙(16A)이 특히 도달하기 쉽다. 따라서, 종래예에 관한 표시 장치(110)는 프레임 폭 협소화되면, 신뢰성이 특히 저하되기 쉽다.
또한, 도 4에 도시한 바와 같이, 단차(15ST)의 근방에서 보호층(16)의 제1 면을 향해서 크랙(16B)이 발생할 우려도 있다. 그러나, 이 크랙(16B)은 표시 장치(10)의 외부와는 도통하지 않기 때문에, 크랙(16B)이 표시 장치(110)의 신뢰성에 대하여 미치는 영향은, 크랙(16A)이 표시 장치(110)의 신뢰성에 대하여 미치는 영향에 비하여 훨씬 작다.
이에 반해, 상술한 바와 같이, 일 실시 형태에 따른 표시 장치(10)에서는, 제2 전극(12C)의 주연은, 단차(15ST)보다 소자 형성 영역(R1)측에서, 또한 단차(15ST)의 근방에 마련되어 있다. 이에 의해, 보호층(16)의 주연(측면)의 근방에 단차(12ST)(도 4 참조)가 형성되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 화학 기상 성장이나 물리 기상 성장 등(예를 들어 CVD 등)에 의해 보호층(16)을 성막할 때에 제2 전극(12C)의 측면으로부터 보호층(16)의 측면을 향해서 크랙(16A)(도 4 참조)이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 보호층(16)의 성막 후에 보호층(16)에 작용하는 응력에 의해 상기 크랙(16A)이 발생하는 것을 억제할 수도 있다. 따라서, 표시 장치(10)의 신뢰성의 저하를 억제할 수 있다. 이러한 신뢰성의 저하의 억제 효과는, 프레임 폭 협소화(예를 들어 D2≤10㎛)된 표시 장치(10)에 있어서 현저해진다.
[4 변형예]
(변형예 1)
상술한 일 실시 형태에서는, 제2 전극(12C)의 주연은, 단차(15ST)보다 소자 형성 영역(R1)측에서, 또한 단차(15ST)의 근방에 마련되어 있는 예에 대해서 설명했지만, 도 5에 도시한 바와 같이, 단차(15ST)보다 소자 형성 영역(R1)측에서, 또한 단차(15ST)로부터 이격되어 마련되어 있어도 된다. 구체적으로는 예를 들어, 표시면의 면내 방향에 있어서의 단차(15ST)와 제2 전극(12C)의 주연 사이의 거리 D1이, 10㎛를 초과하고 있어도 된다. 이 경우, 단차(15ST)와 제2 전극(12C)의 측면에 의해 콘택트부(13)의 제1 면 상에 오목부가 형성되어 있어도 된다.
변형예 1에 관한 표시 장치(10)에서는, 보호층(16)의 성막 시 또는 보호층(16)의 성막 후에, 단차(15ST), 제2 전극(12C)의 측면(단부면) 각각으로부터 발생한 크랙(16C)은, 단차(15ST)와 제2 전극(12C) 사이의 위치에서 합쳐지고, 보호층(16)의 제2 면에서 제1 면을 향해서 연장된다. 따라서, 보호층(16)의 내부로부터 보호층(16)의 측면을 향하는 크랙(16A)(도 4 참조)이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 표시 장치(10)의 신뢰성의 저하를 억제할 수 있다. 상술한 바와 같이, 외부와 도통하지 않는 크랙(16C)이 표시 장치(10)의 신뢰성에 대하여 미치는 영향은, 외부와 도통하는 크랙(16A)이 표시 장치(110)의 신뢰성에 대하여 미치는 영향에 비해 훨씬 작다.
(변형예 2)
상술한 일 실시 형태에서는, 단차(15ST)의 높이가, 제2 전극(12C)의 측면의 높이와 대략 동등한 예에 대해서 설명했지만, 도 6에 도시한 바와 같이, 단차(15ST)의 높이가, 제2 전극(12C)의 측면의 높이보다 높아도 된다. 이 경우, 보호층(16)의 성막 시 또는 보호층(16)의 성막 후에 발생하는 크랙(16D)은, 단차(12ST)로부터, 보호층(16)의 두께 방향에 대하여 소자 형성 영역(R1)측에 경사진 방향으로 연장되기 때문에, 크랙(16D)은, 보호층(16)의 측면을 통해 표시 장치(10)의 외부와 도통하는 일은 없다. 따라서, 외부로부터 표시 장치(10) 내에 수분 등이 침입하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 표시 장치(10)의 신뢰성의 저하를 억제할 수 있다. 여기서, 단차(15ST)의 높이 및 제2 전극(12C)의 측면의 높이란, 콘택트부(13)의 제1 면을 기준으로 한 높이를 의미한다.
도 7에 도시한 바와 같이, 제2 전극(12C)의 측면의 높이가, 단차(15ST)의 높이보다 높아도 된다. 이 경우, 보호층(16)의 성막 시 또는 보호층(16)의 성막 후에 발생하는 크랙(16E)은, 제2 전극(12C)의 측면(단부면)으로부터, 보호층(16)의 두께 방향에 대하여 표시 장치(10)의 외주측으로 경사진 방향으로 연장된다. 변형예 2에 관한 표시 장치(10)에서는, 제2 전극(12C)의 주연은, 단차(15ST)보다 소자 형성 영역(R1)측에 마련되어 있기 때문에, 제2 전극(12C)의 주연과 보호층(16)의 주연의 거리가, 종래예에 관한 표시 장치(110)(도 4 참조)에 비교해서 이격되어 있다. 이 때문에, 상술한 바와 같이 크랙(16E)이 외주측으로 경사진 방향으로 연장되었다 하더라도, 크랙(16E)이 보호층(16)의 측면에 도달하는 것이 억제된다.
또한, 제2 전극(12C)의 주연이, 단차(15ST)보다 소자 형성 영역(R1)측에서, 또한 단차(15ST)의 근방에 있으면, 제2 전극(12C)의 측면에 의해 실질적으로 형성되는 단차는, 단차(15ST)의 높이만큼(즉 콘택트부(13) 상에 있는 절연층(15)의 두께만큼) 낮게 된다. 이 때문에, 제2 전극(12C)에 의해 주변 영역(R2)에 실질적으로 형성되는 단차는, 제2 전극(12C)이 단차(15ST)를 넘어서 마련되어 있는 경우(도 4 참조)에 비교해서 낮아진다.
따라서, 도 7에 나타내지는 구성의 경우에도, 표시 장치(10)의 신뢰성의 저하를 억제할 수 있다.
(변형예 3)
상술한 일 실시 형태에서는, 콘택트부(13)가, 소자 형성 영역(R1)의 주연을 둘러싸는 폐루프상을 갖고 있는 예에 대해서 설명했지만, 도 8에 도시한 바와 같이, 콘택트부(13)가, 소자 형성 영역(R1)의 외주 중 일부분(제1 부분)에 대향해서 마련되어 있어도 된다. 구체적으로는, 주변 영역(R2)은, 소자 형성 영역(R1)의 외주 중 일부분(제1 부분)에 대향해서 마련되고, 콘택트부(13)가 형성되어 있는 제1 주변 영역(RA)과, 소자 형성 영역(R1)의 외주 중 다른 부분(제2 부분)에 대향해서 마련되고, 콘택트부(13)가 형성되어 있지 않은 제2 주변 영역(RB)을 갖고 있어도 된다. 이와 같은 구성을 갖는 표시 장치(10)에서는, 상술한 일 실시 형태에 따른 표시 장치(10)에 비하여, 소자 형성 영역(R1)의 면적을 크게할 수 있다. 즉, 유효 표시 영역의 면적을 크게할 수 있다. 제2 주변 영역(RB)은, 직사각 형상의 소자 형성 영역(R1)의 긴 변 또는 짧은 변에 대향해서 마련되어 있는 것이 바람직하다.
도 9에 도시한 바와 같이, 제2 주변 영역(RB)에는 단차(15STa)가 마련되어 있어도 된다. 단차(15STa)는, 주변 영역(R2)의 둘레 방향으로 연장되어 있다. 단차(15STa)는, 단차(15ST)와 마찬가지로, 표시 장치(10)의 내측으로부터 외주측을 향하는 방향으로 높아진다. 제2 전극(12C)의 주연은, 단차(15STa)보다 소자 형성 영역(R1)측에서, 또한 단차(15STa)의 근방에 마련되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 제1 주변 영역(RA) 및 제2 주변 영역(RB)의 양쪽 영역에 있어서, 보호층(16)에 크랙(16A)이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
도 9에 도시한 바와 같이, 절연층(15)은, 소자 형성 영역(R1)의 외주 중 다른 부분(제2 부분)에 대향해서 마련된 오목부(15D)를 제1 면에 갖고, 이 오목부(15D)의 외주측의 측벽에 의해 단차(15STa)가 형성되어 있어도 된다. 오목부(15D)는, 콘택트부(13)의 제1 면 상에 형성된 제2 개구(15B)와 연결되어 있어도 된다. 단차(15ST)와 단차(15STa)가 면이 일치하도록 되어 있어도 된다. 콘택트부(13)의 제1 면과 오목부(15D)의 저면과는 동일 높이여도 된다. 단차(15ST)와 단차(15STa)는 동일 높이여도 된다.
도 10에 도시한 바와 같이, 제2 주변 영역(RB)에 있어서 절연층(15)이, 제2 전극(12C)의 주연보다 표시 장치(10)의 외주측에 볼록부(15E)를 갖고, 이 볼록부(15E)에 의해 단차(15STa)가 형성되어 있어도 된다.
제1 주변 영역(RA)에 있어서의 제2 전극(12C)의 주연과 단차(15ST)의 위치 관계 및 제2 주변 영역(RB)에 있어서의 제2 전극(12C)의 주연과 단차(15STa)의 위치 관계는, 상술한 변형예 1에 있어서의 제2 전극(12C)의 주연과 단차(15ST)의 위치 관계와 마찬가지여도 된다.
제1 주변 영역(RA)에 있어서의 제2 전극(12C)의 측면과 단차(15ST)의 높이의 관계, 및 제2 주변 영역(RB)에 있어서의 제2 전극(12C)의 측면과 단차(15STa)의 높이의 관계는, 상술한 변형예 2에 있어서의 제2 전극(12C)의 측면과 단차(15ST)의 높이의 관계와 마찬가지여도 된다.
(변형예 4)
상술한 일 실시 형태에서는, 표시 장치(10)가, 주변 영역(R2)에 콘택트부(13)를 구비하는 예에 대해서 설명했지만, 주변 영역(R2)에 콘택트부(13)를 구비하고 있지 않아도 된다. 이 경우, 주변 영역(R2)의 단차(15ST)의 구성은, 상술한 변형예 3에 있어서의 단차(15STa)와 마찬가지 구성으로 하는 것이 가능하다.
(변형예 5)
상술한 일 실시 형태에서는, 콘택트부(13)의 모서리부가 직교하는 두직선에 의해 구성되어 있는 예(도 3 참조)에 대해서 설명했지만, 도 11에 도시한 바와 같이, 콘택트부(13)의 모서리부가 만곡되어 있어도 된다. 즉, 콘택트부(13)의 내주 및 외주가 곡선에 의해 구성되어 있어도 된다. 구체적으로는, 콘택트부(13)의 내주의 모서리부가, 오목형으로 만곡되어 곡선상이 되고, 콘택트부(13)의 외주의 모서리부가, 볼록형으로 만곡되어 곡선상이 되어 있어도 된다.
제2 전극(12C)의 모서리부도 콘택트부(13)와 마찬가지로 만곡되어 곡선상이 되어 있어도 된다. 즉, 제2 전극(12C)의 외주가 볼록형으로 만곡한 곡선상이 되어 있어도 된다.
도 3에 도시한 바와 같이, 콘택트부(13)의 모서리부가 직교하는 두직선에 의해 구성되어 있으면, 모서리부에 막 응력이 집중해서 크랙이 발생하기 쉽다. 이에 반해, 상술한 바와 같이 콘택트부(13)의 모서리부가 만곡되어 있으면, 막 응력이 모서리부에 집중하는 것을 억제할 수 있다.
[5 응용예]
(전자 기기)
상술한 일 실시 형태 및 변형예에 관한 표시 장치(10)는, 다양한 전자 기기에 구비되어도 된다. 특히 비디오 카메라나 일안 반사식 카메라의 전자 뷰 파인더 또는 헤드 마운트형 디스플레이 등의 고해상도가 요구되며, 눈 가까이에서 확대해서 사용되는 것에 구비되는 것이 바람직하다.
(구체예 1)
도 12의 A는, 디지털 스틸 카메라(310)의 외관의 일례를 도시하는 정면도이다. 도 12의 B는, 디지털 스틸 카메라(310)의 외관의 일례를 도시하는 배면도이다. 이 디지털 스틸 카메라(310)는, 렌즈 교환식 일안 반사식 타입의 것이고, 카메라 본체부(카메라 보디)(311)의 정면 대략 중앙에 교환식의 촬영 렌즈 유닛(교환 렌즈)(312)을 갖고, 정면 좌측에 촬영자가 파지하기 위한 그립부(313)를 갖고 있다.
카메라 본체부(311)의 배면 중앙으로부터 좌측으로 어긋난 위치에는, 모니터(314)가 마련되어 있다. 모니터(314)의 상부에는, 전자 뷰 파인더(접안창)(315)가 마련되어 있다. 촬영자는 전자 뷰 파인더(315)를 들여다봄으로써, 촬영 렌즈 유닛(312)으로부터 유도된 피사체의 광상을 시인해서 구도 결정을 행하는 것이 가능하다. 전자 뷰 파인더(315)로서는, 상술한 일 실시 형태 및 변형예에 관한 표시 장치(10)의 어느 것을 사용할 수 있다.
(구체예 2)
도 13은 헤드 마운트 디스플레이(320)의 외관의 일례를 도시하는 사시도이다. 헤드 마운트 디스플레이(320)는, 예를 들어 안경형의 표시부(321)의 양측에, 사용자의 헤드부에 장착하기 위한 귀걸이부(322)를 갖고 있다. 표시부(321)로서는, 상술한 일 실시 형태 및 변형예에 관한 표시 장치(10)의 어느 것을 사용할 수 있다.
(구체예 3)
도 14는 텔레비전 장치(330)의 외관의 일례를 도시하는 사시도이다. 이 텔레비전 장치(330)는, 예를 들어 프론트 패널(332) 및 필터 유리(333)를 포함하는 영상 표시 화면부(331)를 갖고 있고, 이 영상 표시 화면부(331)는, 상술한 일 실시 형태 및 변형예에 관한 표시 장치(10)의 어느 것에 의해 구성된다.
(조명 장치)
상술한 일 실시 형태에서는, 표시 장치에 본 개시를 적용한 예에 대해서 설명했지만, 본 개시는 이것에 한정되는 것은 아니고, 조명 장치에 본 개시를 적용하게 해도 된다. 조명 장치는 발광 장치의 일례이다.
도 15는 스탠드형의 조명 장치(400)의 외관의 일례를 도시하는 사시도이다. 이 조명 장치(400)는, 기대(411)에 마련된 지주(412)에, 조명부(413)를 설치한 것이다. 이 조명부(413)로서는, 상술한 일 실시 형태 및 그 변형예의 어느 것에 관한 표시 장치(10)에 있어서, 표시 장치용 구동 회로 대신에, 조명 장치용 구동 회로를 구비한 것이 사용된다. 또한, 컬러 필터(17)는 없어도 되고, 발광 소자(12)의 크기는, 조명 장치(400)의 광학 특성 등에 따라서 적절히 선택되어도 된다. 또한, 기판(11A) 및 대향 기판(19)으로서 필름을 사용하여, 플렉시블한 구성으로 함으로써, 도 15에 나타낸 통 형상 또는 곡면상 등의, 임의의 형상으로 하는 것이 가능하다. 또한, 발광 소자(12)의 개수는 단수여도 된다. 또한, 컬러 필터(17) 대신에 단색의 필터를 구비하도록 해도 된다.
여기에서는, 조명 장치가 스탠드형의 조명 장치(400)인 경우에 대해서 설명했지만, 조명 장치의 형태는 이것에 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 천장, 벽 또는 바닥 등에 설치되는 형태의 것이어도 된다.
이상, 본 개시의 일 실시 형태 및 그들의 변형예에 대해서 구체적으로 설명했지만, 본 개시는, 상술한 일 실시 형태 및 그들의 변형예에 한정되는 것은 아니고, 본 개시의 기술적 사상에 기초하는 각종 변형이 가능하다.
예를 들어, 상술한 일 실시 형태 및 그들의 변형예에 있어서 예로 든 구성, 방법, 공정, 형상, 재료 및 수치 등은 어디까지나 예에 지나지 않으며, 필요에 따라서 이것과 다른 구성, 방법, 공정, 형상, 재료 및 수치 등을 사용해도 된다.
상술한 일 실시 형태 및 그들의 변형예의 구성, 방법, 공정, 형상, 재료 및 수치 등은, 본 개시의 주지를 일탈하지 않는 한, 서로 조합하는 것이 가능하다.
상술한 일 실시 형태 및 그들의 변형예에 예시한 재료는, 특별히 언급하지 않는 한, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다.
또한, 본 개시는 이하의 구성을 채용할 수도 있다.
(1)
복수의 발광 소자와,
복수의 상기 발광 소자가 형성된 영역의 주변에 마련된 콘택트부와,
상기 콘택트부 상에 단차를 갖는 절연층과,
상기 발광 소자, 상기 콘택트부 및 상기 절연층을 덮는 보호층
을 구비하고,
상기 발광 소자는,
제1 전극과,
주연 부분이 상기 콘택트부에 접속된 제2 전극과,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 마련된 발광층
을 구비하고,
상기 단차는, 표시 장치의 내측으로부터 외주측을 향하는 방향으로 높아지고,
상기 제2 전극의 주연은, 상기 단차보다 상기 영역측에 마련되어 있는, 표시 장치.
(2)
상기 절연층은, 상기 콘택트부를 노출시키는 개구를 갖고,
상기 단차는, 상기 개구의 내벽에 의해 형성되어 있는 (1)에 기재된 표시 장치.
(3)
상기 제2 전극의 주연은, 상기 단차의 근방에 마련되어 있는 (1) 또는 (2)에 기재된 표시 장치.
(4)
상기 단차와 상기 제2 전극의 주연 사이의 거리가, 10㎛ 이하인 (1) 내지 (3) 중 어느 것에 기재된 표시 장치.
(5)
상기 단차와 상기 제2 전극의 주연 사이의 거리가, 10㎛를 초과하는 (1) 내지 (3) 중 어느 것에 기재된 표시 장치.
(6)
상기 보호층의 주연과 상기 제2 전극의 주연 사이의 거리가, 10㎛ 이하인 (1) 내지 (3) 중 어느 것에 기재된 표시 장치.
(7)
상기 단차의 높이가, 상기 제2 전극의 측면의 높이와 대략 동등한 (1) 내지 (6) 중 어느 것에 기재된 표시 장치.
(8)
상기 단차의 높이가, 상기 제2 전극의 측면의 높이보다 높은 (1) 내지 (6) 중 어느 것에 기재된 표시 장치.
(9)
상기 제2 전극의 측면의 높이가, 상기 단차의 높이보다 높은 (1) 내지 (6) 중 어느 것에 기재된 표시 장치.
(10)
상기 콘택트부는, 상기 영역이 둘러싸는 폐루프상을 갖고 있는 (1) 내지 (9) 중 어느 것에 기재된 표시 장치.
(11)
상기 콘택트부는, 상기 영역의 외주 중 제1 부분에 대향해서 마련되어 있는 (1) 내지 (10) 중 어느 것에 기재된 표시 장치.
(12)
상기 절연층은, 상기 영역의 외주 중 제2 부분에 대향해서 마련된 다른 단차를 갖고,
상기 다른 단차는, 상기 표시 장치의 내측으로부터 외주측을 향해서 높아지는 (11)에 기재된 표시 장치.
(13)
상기 절연층은, 상기 영역의 외주 중 다른 부분에 대향해서 마련된 오목부를 갖고,
상기 오목부에 의해, 상기 표시 장치의 내측으로부터 외주측을 향해서 높아지는 단차가 형성되어 있는 (11)에 기재된 표시 장치.
(14)
상기 콘택트부의 모서리부는, 만곡되어 있는 (1) 내지 (13) 중 어느 것에 기재된 표시 장치.
(15)
상기 보호층은, 무기 재료에 의해 구성되어 있는 (1) 내지 (14) 중 어느 것에 기재된 표시 장치.
(16)
복수의 발광 소자와,
복수의 상기 발광 소자가 형성된 영역의 주변에 마련된 콘택트부와,
상기 콘택트부 상에 단차를 갖는 절연층과,
상기 발광 소자, 상기 콘택트부 및 상기 절연층을 덮는 보호층
을 구비하고,
상기 발광 소자는,
제1 전극과,
주연 부분이 상기 콘택트부에 접속된 제2 전극과,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 마련된 발광층
을 구비하고,
상기 단차는, 발광 장치의 내측으로부터 외주측을 향하는 방향으로 높아지고,
상기 제2 전극의 주연은, 상기 단차보다 상기 영역측에 마련되어 있는, 발광 장치.
(17)
복수의 발광 소자와,
복수의 상기 발광 소자가 형성된 영역의 주변에 단차를 갖는 절연층과,
상기 발광 소자 및 상기 절연층을 덮는 보호층
을 구비하고,
상기 발광 소자는,
제1 전극과,
주연이 상기 영역의 주변까지 연장 설치된 제2 전극과,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 마련된 발광층
을 구비하고,
상기 단차는, 표시 장치의 내측으로부터 외주측을 향하는 방향으로 높아지고,
상기 제2 전극의 주연은, 상기 단차보다 상기 영역측에 마련되어 있는, 표시 장치.
(18)
복수의 발광 소자와,
복수의 상기 발광 소자가 형성된 영역의 주변에 단차를 갖는 절연층과,
상기 발광 소자 및 상기 절연층을 덮는 보호층
을 구비하고,
상기 발광 소자는,
제1 전극과,
주연이 상기 영역의 주변까지 연장 설치된 제2 전극과,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 마련된 발광층
을 구비하고,
상기 단차는, 발광 장치의 내측으로부터 외주측을 향하는 방향으로 높아지고,
상기 제2 전극의 주연은, 상기 단차보다 상기 영역측에 마련되어 있는, 발광 장치.
(19)
(1) 내지 (15), (17) 중 어느 것에 기재된 표시 장치를 구비하는 전자 기기.
(20)
(16) 또는 (18)에 기재된 발광 장치를 구비하는 전자 기기.
10: 표시 장치(발광 장치)
11: 구동 기판
11A: 기판
11B: 절연층
12A: 제1 전극
12A1: 금속층
12A2: 금속 산화물층
12B: 유기층
12C: 제2 전극
12CA: 주연부
12ST: 단차
13: 콘택트부
13A: 금속층
13B: 금속 산화물층
13A: 금속층
13B: 금속 산화물층
14: 버드부
15: 절연층
15A: 제1 개구
15B: 제2 개구
15C: 제3 개구
15D: 오목부
15E: 볼록부
15ST, 15Sta: 단차
16: 보호층
16A, 16B, 16C, 16D, 16E: 크랙
17: 컬러 필터
18: 충전 수지층
19: 대향 기판
310: 디지털 스틸 카메라(전자 기기)
320: 헤드 마운트 디스플레이(전자 기기)
330: 텔레비전 장치(전자 기기)
400: 조명 장치(발광 장치)
R1: 소자 형성 영역
R2: 주변 영역
RA: 제1 주변 영역
RB: 제2 주변 영역

Claims (19)

  1. 복수의 발광 소자와,
    복수의 상기 발광 소자가 형성된 영역의 주변에 마련된 콘택트부와,
    상기 콘택트부 상에 단차를 갖는 절연층과,
    상기 발광 소자, 상기 콘택트부 및 상기 절연층을 덮는 보호층
    을 구비하고,
    상기 발광 소자는,
    제1 전극과,
    주연 부분이 상기 콘택트부에 접속된 제2 전극과,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 마련된 발광층
    을 구비하고,
    상기 단차는 표시 장치의 내측으로부터 외주측을 향하는 방향으로 높아지고,
    상기 제2 전극의 주연은, 상기 단차보다 상기 영역측에 마련되어 있는, 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 절연층은, 상기 콘택트부를 노출시키는 개구를 갖고,
    상기 단차는, 상기 개구의 내벽에 의해 형성되어 있는, 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극의 주연은, 상기 단차의 근방에 마련되어 있는, 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 단차와 상기 제2 전극의 주연 사이의 거리가, 10㎛ 이하인, 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 단차와 상기 제2 전극의 주연 사이의 거리가, 10㎛를 초과하는, 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 보호층의 주연과 상기 제2 전극의 주연 사이의 거리가, 10㎛ 이하인, 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 단차의 높이가, 상기 제2 전극의 측면의 높이와 대략 동등한, 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 단차의 높이가, 상기 제2 전극의 측면의 높이보다 높은, 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극의 측면의 높이가, 상기 단차의 높이보다 높은, 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 콘택트부는, 상기 영역이 둘러싸는 폐루프상을 갖고 있는, 표시 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 콘택트부는, 상기 영역의 외주 중 제1 부분에 대향해서 마련되어 있는, 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 절연층은, 상기 영역의 외주 중 제2 부분에 대향해서 마련된 다른 단차를 갖고,
    상기 다른 단차는, 상기 표시 장치의 내측으로부터 외주측을 향해서 높아지는, 표시 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 절연층은, 상기 영역의 외주 중 다른 부분에 대향해서 마련된 오목부를 갖고,
    상기 오목부에 의해, 상기 표시 장치의 내측으로부터 외주측을 향해서 높아지는 단차가 형성되어 있는, 표시 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 콘택트부의 모서리부는, 만곡되어 있는, 표시 장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 보호층은, 무기 재료에 의해 구성되어 있는, 표시 장치.
  16. 복수의 발광 소자와,
    복수의 상기 발광 소자가 형성된 영역의 주변에 마련된 콘택트부와,
    상기 콘택트부 상에 단차를 갖는 절연층과,
    상기 발광 소자, 상기 콘택트부 및 상기 절연층을 덮는 보호층
    을 구비하고,
    상기 발광 소자는,
    제1 전극과,
    주연 부분이 상기 콘택트부에 접속된 제2 전극과,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 마련된 발광층
    을 구비하고,
    상기 단차는, 발광 장치의 내측으로부터 외주측을 향하는 방향으로 높아지고,
    상기 제2 전극의 주연은, 상기 단차보다 상기 영역측에 마련되어 있는, 발광 장치.
  17. 복수의 발광 소자와,
    복수의 상기 발광 소자가 형성된 영역의 주변에 단차를 갖는 절연층과,
    상기 발광 소자 및 상기 절연층을 덮는 보호층
    을 구비하고,
    상기 발광 소자는,
    제1 전극과,
    주연이 상기 영역의 주변까지 연장 설치된 제2 전극과,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 마련된 발광층
    을 구비하고,
    상기 단차는, 표시 장치의 내측으로부터 외주측을 향하는 방향으로 높아지고,
    상기 제2 전극의 주연은, 상기 단차보다 상기 영역측에 마련되어 있는, 표시 장치.
  18. 복수의 발광 소자와,
    복수의 상기 발광 소자가 형성된 영역의 주변에 단차를 갖는 절연층과,
    상기 발광 소자 및 상기 절연층을 덮는 보호층
    을 구비하고,
    상기 발광 소자는,
    제1 전극과,
    주연이 상기 영역의 주변까지 연장 설치된 제2 전극과,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 마련된 발광층
    을 구비하고,
    상기 단차는, 발광 장치의 내측으로부터 외주측을 향하는 방향으로 높아지고,
    상기 제2 전극의 주연은, 상기 단차보다 상기 영역측에 마련되어 있는, 발광 장치.
  19. 제1항에 기재된 표시 장치를 구비하는, 전자 기기.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016021380A (ja) 2014-06-17 2016-02-04 キヤノン株式会社 有機発光装置及びその製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102295614B1 (ko) * 2014-09-29 2021-08-27 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102579963B1 (ko) * 2017-05-23 2023-09-19 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 표시 장치 및 전자 기기
JP6942602B2 (ja) * 2017-10-19 2021-09-29 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法
JP2019091642A (ja) * 2017-11-15 2019-06-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016021380A (ja) 2014-06-17 2016-02-04 キヤノン株式会社 有機発光装置及びその製造方法

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