CN114597325B - 一种发光器件、显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种发光器件、显示面板及显示装置，该发光器件包括反射结构，以及位于反射结构一侧的发光层；反射结构包括凹槽，凹槽包括弧形底面和侧壁，弧形底面朝向背离发光层的一侧凸起；沿垂直于发光层所在平面的方向上，发光层覆盖凹槽。本发明实施例的技术方案可以提高发光器件的出光效率。

Description

一种发光器件、显示面板及显示装置

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光器件、显示面板及显示装置。

背景技术

电致发光器件如LED(Light Emitting Diode，发光二极管)具有体积小、能耗低、寿命长以及亮度高等优点，在平板显示和照明等领域具有广泛的应用。

目前，常用的LED包括顶发光器件和底发光器件，相比于底发光器件而言，顶发光器件具有开口率高、色纯度高、容易实现高像素密度(Pixels Per Inch，PPI)等优点，因而应用广泛。但是，顶发射器件由于出射光束在器件内部发生全反射等原因，而存在出光效率低的问题，亟待提出一种解决方案。

发明内容

本发明实施例提供一种发光器件、显示面板及显示装置，以提高发光器件的出光效率。

第一方面，本发明实施例提供了一种发光器件，包括：反射结构，以及位于反射结构一侧的发光层；

反射结构包括凹槽，凹槽包括弧形底面和侧壁，弧形底面朝向背离发光层的一侧凸起；

沿垂直于发光层所在平面的方向上，发光层覆盖凹槽。

第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，该显示面板包括第一方面提供的发光器件。

第三方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括第二方面提供的显示面板。

本发明实施例提供的发光器件，通过在反射结构上设置凹槽，使凹槽包括弧形底面和侧壁，从而使至少部分原本会发生全反射而无法正常出射的光，在入射至反射结构的凹槽内后，利用弧形底面的汇聚作用以及侧壁对光的束缚作用，以小角度正常出射，提高了出光效率，同时，由于出射光束的出射角较小，使正视角的出光效率和色纯度得到明显提升。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种发光器件的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；

图4是本发明实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；

图5是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图6是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图7是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图8是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图9是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图10是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图11是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。需要说明的是，附图中各个结构的尺寸和相对比例不代表其真实尺寸和相对比例，为便于展示结构特征，部分结构的尺寸会被放大处理。

图1是本发明实施例提供的一种发光器件的结构示意图，如图1所示，本发明实施例提供的发光器件10包括反射结构1以及位于反射结构1一侧的发光层2；反射结构1包括凹槽11，凹槽11包括弧形底面112和侧壁111，弧形底面112朝向背离发光层2的一侧凸起；沿垂直于发光层2所在平面的方向上，发光层2覆盖凹槽11，换而言之，发光层2在反射结构1的正投影覆盖凹槽11。

其中，本实施例所述发光器件可以是发光二极管，包括但不限于无机发光二极管(LED)、有机发光二极管(OLED)、量子点发光二极管(QLED)、迷你发光二极管(mini-LED)或微型发光二极管(micro-LED)等类型的发光二极管。如图1所示，发光二极管主要包括发光层2(由半导体层构成的PN结)、阳极(如第一透明电极层5)和阴极(如第二电极3)，通过在阳极和阴极施加电压，可使电子和空穴在在发光层2中复合，形成光子，实现发光。

如背景技术所述，顶发射器件由于出射光束在器件内部发生全反射等原因，存在出光效率低的问题。示例性的，参照图1，发光器件10通常包括封盖层4，封盖层4的折射率通常大于空气的折射率，而发光层2发出的光朝任意方向传播，对于出射角(与出光面法线的夹角)较大的光，若光的出射角大于封盖层4的全反射临界角，则会在封盖层4与空气的临界面发生全反射，无法形成有效出光，影响出光效率。当然，在光朝出光侧传播的过程中，也可能会在其他界面发生全反射，导致无法出射，本实施例仅以封盖层4与空气的界面为例进行示意性说明。

如图1所示，对于顶发射的发光器件而言，通常在发光器件的非出光侧设置反射结构1，以将发光层2朝非出光侧出射的光反射至发光器件的出光侧，提高光利用率。参照图1，为解决上述问题，本实施例对反射结构1做如下改进：设置反射结构1包括凹槽11，凹槽11包括弧形底面112和侧壁111，弧形底面112朝向背离发光层2的一侧凸起。

其中，弧形底面112例如可以是球面或者椭球面，如此可以利用凹槽11的弧形底面112形成凹面镜，起到对光线的汇聚作用。另外，本实施例设置凹槽11包括侧壁111，可以通过侧壁111的形成延长凹槽11的深度，进而可将光线在凹槽11内的传播路径束缚在侧壁111所围成的区域内，有效减小光的出射角，一方面可以降低全反射的风险，另一方面可以减小发光器件的整体出光角度，提高正视角的出光效率和色纯度。

示例性的，图1中光线L1示出了原本会发生全反射而无法正常出射的光，因射入反射结构1的凹槽11内，从而以小角度射出发光器件的光路：如图1所示，当大角度的光线射入反射结构1的凹槽11内后，首先经过侧壁111的反复反射后入射至弧形底面112，由于弧形底面112的汇聚作用以及侧壁111对光的束缚作用，使得该光线在弧形底面112反射后以较小的角度射出发光器件，从而使原本因发生全反射而无法正常出射的大角度的光，实现正常出射，提高了出光效率，同时，由于出射光束的出射角较小，使正视角的出光效率和色纯度得到明显提升。

需要说明的是，上述“原本会发生全反射的光”，可以是发光层2射向出光面的大角度的光，也可以是发光层2射向反射结构1的大角度的光，若采用现有的平面式的反射层，这些光束最终均会在发光器件的内部发生全反射而无法出射。采取本实施例对反射结构1的凹槽11设计，可使至少部分原本会发生全反射的光线在射入反射结构1的凹槽11内后，实现光传播方向的调整，最终以小角度正常出射，提高了正视角的出光效率和色纯度。

还需要说明的是，上述“大角度”和“小角度”均表示光线与出光面的法线之间的夹角，本实施例对大角度的数值范围不作具体限定，凡是大于或等于膜层(例如封盖层4)的全反射角的角度均可以理解为大角度。小角度例如可以是0°～45°，接近人眼的正视范围。

可选地，反射结构1的材料包括银或铝等导电性能优异的金属材料，如此既能反射光线，又能将反射结构1复用为发光器件的第一电极，实现良好的导电功能，保证发光器件的性能。其中，第一电极和第二电极3分别表示发光器件的阳极或阴极。此外，如图1所示，考虑到发光层2与金属构成的反射结构1之间的电学性能匹配问题，可以在反射结构1与发光层2之间设置第一透明电极层5，例如氧化铟锡(ITO)，此时，可以理解为反射结构1与第一透明电极层5共同构成发光器件的阳极，第二电极3则为发光器件的阴极。

本发明实施例提供的发光器件，通过在反射结构上设置凹槽，使凹槽包括弧形底面和侧壁，从而使至少部分原本会发生全反射而无法正常出射的光，在入射至反射结构的凹槽内后，利用弧形底面的汇聚作用以及侧壁对光的束缚作用，以小角度正常出射，提高了出光效率，同时，由于出射光束的出射角较小，使正视角的出光效率和色纯度得到明显提升。

在上述实施例的基础上，下面对反射结构1中的凹槽11的设置方式做进一步详细说明。

如图1所示，可选凹槽11通过图案化(例如蚀刻)反射结构1得到。当然，此形成方式仅为示意，并非限定。在其他实施例中，可以在反射结构1远离发光层2一侧的膜层(例如衬底基板)上形成相同形状的挖槽，如此，在沉积反射结构1这一膜层的过程中，由于下方膜层存在段差，可以自然形成具有凹槽11的反射结构1，后续结合实例详细说明。

进一步地，银的厚度在50nm以上时才能起到很好的反射效果，因此，当采用银制作反射结构1时，若通过图案化反射结构形成凹槽11，可选凹槽11下方剩余的反射结构的厚度为50nm～100nm，以保证反射结构1的反射能力，同时，如图1所示，若反射结构1包括多个凹槽11，可选相邻凹槽11的侧壁111之间的距离至少为50nm～100nm，以保证反射结构1的反射能力；若反射结构1的凹槽11为自然沉积形成时，可选反射结构1的膜层厚度为50nm～100nm，以保证反射结构1的反射能力。

此外，如图1所示，反射结构1可以包括多个凹槽11，可选多个凹槽11均匀分布，使相同面积内的凹槽11的数量相同，以对出光面内各个位置原本会发生全反射的光进行出射角度的调节，进一步提高出光效率，改善出光均匀性。

如图1所示，可选沿反射结构1指向发光层2的方向，侧壁111的高度H1大于弧形底面112的高度H2。通过设置侧壁111的高度H1大于弧形底面112的高度H2，可以保证侧壁111对光线的束缚作用，保证凹槽11处的反射结构1调整光线出射角度的效果，提高出光效率。示例性的，凹槽的总深度可以为100nm～5μm。

如图1所示，可选侧壁111围成的曲面垂直于发光层2所在平面，当然，该结构并非限定。在其他实施例中，如图2所示，图2是本发明实施例提供的另一种发光器件的结构示意图，可选沿反射结构1指向发光层2的方向，侧壁111的第一截面在发光层2的正投影面积逐渐减小；第一截面平行于发光层2所在平面。参照图2，沿反射结构1指向发光层2的方向，采用若干平行于发光层2的平面依次截取侧壁的第一截面，可以看出第一截面在发光层2上的投影面积逐渐减小。如此设置，可以进一步缩小凹槽11的开口大小，从而可以进一步缩小出光角度，提升正视角出光效果。需要说明的是，本实施例中，“凹槽11的开口”具体是指凹槽11靠近发光层2一侧的开口。还需要说明的是，为便于展示，图2仅示意出了反射结构1中的一个凹槽11的结构，其余凹槽11可做相同设计。

可选地，发光层2与反射结构1沿垂直于发光层2所在平面的方向上的交叠面积为S1；反射结构1包括多个凹槽11，凹槽11的开口在发光层2的正投影面积之和为S2，其中0.2≤S2/S1≤0.5。

参照图1，上述发光层2与反射结构1的交叠面积(即S1)可以近似理解为发光层2靠近反射结构1一侧的表面(F1)在反射结构1上的投影面积。发光层2发出的光入射至反射结构1时，均会入射至此投影区域内，因此，此区域可以理解为反射结构1的有效反射区域，反射结构1的有效反射区域的面积为S1。上述凹槽11的开口具体是指凹槽11靠近发光层2一侧的开口。S2/S1则表示多个凹槽11的开口的面积之和相对于反射结构1的有效反射区域的面积占比(以下简称凹槽11的面积占比)。

参照图1，在一具体实施例中，第二电极3可以为半透明电极，如此，可使发光层2位于全反射膜(反射结构1)和半反射膜(第二电极3)构成的谐振腔中，实现微腔效应，窄化光谱，进一步提高出射光束的色纯度。而半透明电极的设计可能会使部分出射角度大于半透明电极材料的全反射临界角的光线无法出射，降低出光效率。此时，可以采用本发明实施例的技术方案，通过在反射结构1上设置包括弧形底面和侧壁的凹槽11，使原本因发生全反射而无法正常出射的大角度的光，实现正常出射，以提高出光效率。

进一步地，为实现微腔效应，需要基于光波的波长设置谐振腔的腔长，以使光波满足谐振条件发生干涉相长。谐振腔的腔长为全反射膜与半反射膜之间的距离，而反射结构1中凹槽11的设计会对腔长产生影响，因此，为了在提高出光效率的同时，降低对微腔效应的影响，本实施例设置凹槽11的面积占比为反射结构1的有效反射区域的20％～50％。

参照图1或图2，可选地，凹槽11的开口沿第一方向的最大宽度为D，凹槽11沿垂直于所述发光层2所在平面的方向的最大深度为H(H＝H1+H2)，其中，H/D＞1；第一方向平行于发光层2所在平面。

其中，第一方向是指平行于发光层2所在平面的任意方向中的其中一个方向，凹槽11的开口沿第一方向的宽度为最大宽度。示例性的，该最大宽度的范围可以为20nm～5μm，凹槽11的开口沿其余平行于发光层2所在平面的方向上的宽度至少均小于5μm。

具体的，若凹槽11的开口的最大宽度过小(例如小于20nm)，可能导致原本会发生全反射的大角度的光难以入射至凹槽11内，影响提升出光效率的效果，若凹槽11的开口的最大宽度过大(例如大于5μm)，则会过多地占用反射结构1中平面部分的面积，影响微腔效应，因此，本实施例设置凹槽11的开口的最大宽度为20nm～5μm。

示例性的，凹槽11的弧形底面112可以为半球面或半椭球面，相应的，凹槽11的开口的形状可以为圆形或椭圆形，当凹槽11的开口为圆形时，该圆形的直径为20nm～5μm，当凹槽11的开口为椭圆形时，该椭圆形的长轴为20nm～5μm。

图3是本发明实施例提供的一种发光器件的结构示意图，如图3所示，可选地，位于反射结构1的边缘的凹槽11的开口宽度D1大于位于反射结构1的中心的凹槽11的开口宽度D2。

其中，反射结构1的边缘和反射结构1的中心具体可以是反射结构1的有效反射区域的边缘和中心，本发明实施例对边缘和中心的界限或者说中心和边缘的面积比例不作具体限定，本领域技术人员可自行设定。

由于入射至反射结构1的边缘的光的角度相对于入射至反射结构1的中心的光的角度更大，因此，本实施例通过设置位于反射结构1的边缘的凹槽11的开口宽度D1大于位于反射结构1的中心的凹槽11的开口宽度D2，可使位于边缘的凹槽11的开口具有更大的面积，更有利于大角度的光线入射至边缘的凹槽11内，通过调整光线角度使其射出发光器件，进一步提高出光效率。

图4是本发明实施例提供的另一种发光器件的结构示意图，如图4所示，可选凹槽11内填充有导光材料6。通过在凹槽11内填充导光材料6，同样可以达到调整光线出射角度，提高出光效率的目的；此外，还有利于降低第一透明电极层5的厚度，有利于发光器件的薄型化设计。原因在于，第一透明电极层5靠近发光层2一侧的表面需要是平面，以保证发光层2在平坦的表面制备，若在凹槽11内沉积第一透明电极层的材料，会造成凹槽11以外区域的第一透明电极层的厚度较厚；而利用导光材料6填充凹槽11后，便可以适当减小第一透明电极层5的厚度。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板，图5是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，如图5所示，该显示面板100包括上述任一实施例提供的发光器件10，因而具备与上述发光器件相同的有益效果，具有较高的出光效率和正视角显示效果，相同之处可参照上述发光器件实施例的描述，在此不再赘述。

具体的，显示面板100包括像素电路层，像素电路层包括多个像素电路，像素电路与发光器件10电连接，用以驱动对应的发光器件10发光。参照图5，像素电路包括薄膜晶体管102，例如可以是由7个薄膜晶体管和1个电容构成7T1C像素电路，图5仅示意出像素电路中的其中一个薄膜晶体管102，如图5所示，薄膜晶体管102的输出端(源极或漏极)与发光器件10的阳极(如反射结构11)通过平坦化层101打孔连接。

参照图5，可选地，发光器件10包括第一电极和第二电极3，发光层2位于第一电极和第二电极3之间，反射结构1复用为第一电极。

其中，第一电极和第二电极3分别为发光器件的阳极或阴极。对于顶发射发光器件而言，发光器件的阳极与下方的像素电路电连接，因此，当反射结构1复用为第一电极时，可以将第一电极作为发光器件的阳极，将第二电极3作为发光器件的阴极，使反射结构1与像素电路电连接。

如图5所示，可选反射结构1与平坦化层101之间设置有第二透明电极7，第二透明电极7的材料例如可以是氧化铟锡，通过在平坦化层101的过孔内沉积第二透明电极7的材料，实现发光器件的阳极与薄膜晶体管102电连接。

需要说明的是，图5仅以第二透明电极7沉积于平坦化层101的过孔内，实现发光器件10的阳极与薄膜晶体管102电连接为例进行示意，在其他实施例中，还可使第一透明电极层5、反射结构1以及第二透明电极7层叠设置，且三者均如图5中第二透明电极7一样，具有沉积于平坦化层101过孔内的部分。

如图5所示，示例性的，发光器件10可以为有机电致发光器件，即OLED。

如图5所示，本实施例以发光器件10的反射结构1通过图案化(例如蚀刻)方式形成凹槽11为例进行示意。图6是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，如图6所示，可选显示面板100还包括位于反射结构1远离发光层2一侧的平坦化层101；平坦化层101包括挖槽1011，沉积于挖槽1011内的反射结构1形成凹槽11。本实施例通过在平坦化层101中设置挖槽1011，可使反射结构1沉积于平坦化层101之上时由于段差的存在而自然形成凹槽11。可以理解的，平坦化层101的挖槽1011同样需要具有侧壁和弧形底面，才能在反射结构1上形成上述实施例所描述的凹槽11，反射结构1的凹槽11的深度等于平坦化层101的挖槽1011的深度，反射结构1的凹槽11的开口面积小于平坦化层101的挖槽1011的开口面积。

如图6所示，当反射结构1与平坦化层101之间设置有第二透明电极7时，可选第二透明电极7也可沉积于平坦化层101的挖槽1011内，此时，需要进一步加大平坦化层101的挖槽1011的开口面积，以保证沉积反射结构1后，位于挖槽1011内的反射结构1形成凹槽11。当然，此结构并非限定，在其他实施例中，参见图7，图7是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，可选第二透明电极7对应平坦化层101的挖槽1011形成贯穿孔，以使反射结构1沉积于平坦化层101的挖槽1011内形成凹槽11。

需要说明的是，为便于展示，图6和图7仅示意出反射结构1包括一个凹槽11，实际上，平坦化层101可包括多个挖槽1011，以在反射结构1上形成多个凹槽11。

图8是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，如图8所示，可选地，发光器件10包括发光波长为λ1的第一子发光器件10-1和发光波长为λ2的第二子发光器件10-2，其中，λ1＞λ2；第一子发光器件10-1对应第一反射结构1-1，第二子发光器件10-2对应第二反射结构1-2；其中，第一反射结构1-1包括多个第一凹槽11-1，第一凹槽11-1的开口在第一子发光器件10-1的发光层2-1的正投影面积之和为A1，第二反射结构1-2包括多个第二凹槽11-2，第二凹槽11-2的开口在第二子发光器件10-2的发光层2-2的正投影面积之和为A2；其中，A1/A3＞A2/A4；A3为第一子发光器件10-1的发光层2-1与第一反射结构1-1沿垂直于该发光层2-1所在平面的方向上的交叠面积；A4为第二子发光器件10-2的发光层2-2与第二反射结构1-2沿垂直于该发光层2-2所在平面的方向上的交叠面积。

其中，第一子发光器件10-1对应第一反射结构1-1，换而言之，第一子发光器件10-1的发光层2-1与第一反射结构1-1在第一子发光器件10-1的发光层2-1所在平面上投影交叠，第一子发光器件10-1的发光层2-1在第一反射结构1-1上的正投影覆盖第一反射结构1-1上的第一凹槽11-1；同理，第二子发光器件10-2对应第二反射结构1-2，换而言之，第二子发光器件10-2的发光层2-2与第二反射结构1-2在第二子发光器件10-2的发光层2-2所在平面上投影交叠，第二子发光器件10-2的发光层2-2在第二反射结构1-2上的正投影覆盖第二反射结构1-2上的第二凹槽11-2。如图8所示，显示面板中的发光器件(如第一子发光器件10-1和第二发光器件)位于同一膜层，且相邻发光器件之间具有像素限定层103。

参照图8，上述第一子发光器件10-1的发光层2-1与第一反射结构1-1的交叠面积(即A3)可以理解为第一子发光器件10-1的发光层2-1靠近第一反射结构1-1一侧的表面(F1)在第一反射结构1-1上的投影面积(对于图8所示有机发光二极管显示面板而言，还可以理解为像素限定层103露出的第一反射结构1-1的面积)，第一子发光器件10-1的发光层2-1发出的光入射至第一反射结构1-1时，均入射至此投影区域内，因此，此区域可以理解为第一反射结构1-1的有效反射区域，第一反射结构1-1的有效反射区域的面积为A3。同理，上述第二子发光器件10-2的发光层2-2与第二反射结构1-2的交叠面积(即A4)可以理解为第二子发光器件10-2的发光层2-2靠近第二反射结构1-2一侧的表面(F2)在第二反射结构1-2上的投影面积(对于图8所示有机发光二极管显示面板而言，还可以理解为像素限定层103露出的第二反射结构1-2的面积)，第二子发光器件10-2的发光层2-2发出的光入射至第二反射结构1-2时，均入射至此投影区域内，因此，此区域可以理解为第二反射结构1-2的有效反射区域，第二反射结构1-2的有效反射区域的面积为A4。

继续参照图8，上述第一凹槽11-1的开口具体是指第一凹槽11-1靠近第一子发光器件10-1的发光层2-1一侧的开口，第二凹槽11-2的开口具体是指第二凹槽11-2靠近第二子发光器件10-2的发光层2-2一侧的开口。A1/A3则表示多个第一凹槽11-1的开口的面积之和相对于第一反射结构1-1的有效反射区域的面积占比(以下简称第一凹槽11-1的面积占比)，A2/A4则表示多个第二凹槽11-2的开口的面积之和相对于第二反射结构1-2的有效反射区域的面积占比(以下简称第二凹槽11-2的面积占比)。

波长越大，在大视角下的出光蓝移越明显，因此出射光的波长越短，出光效果越好，出射光的波长越长，出光效果越差。基于此，本实施例对于显示面板中发光波长不同的发光器件，对应发光波长相对较短的第二子发光器件10-2，设置第二凹槽11-2的面积占比(A2/A4)相对更小，对应发光波长相对较长的第一子发光器件10-1，设置第一凹槽11-1的面积占比(A1/A3)相对更大，可以结合不同发光器件的出光效果适应性地调整凹槽11的面积占比，在提升出光效果的同时，进一步降低对微腔效应的影响。

示例性的，显示面板可以包括红色发光器件、绿色发光器件和蓝色发光器件，基于以上分析可知，三种发光器件出光效果的优劣关系为：红色发光器件＜绿色发光器件＜蓝色发光器件，因此，为弥补出光效果的差异，可以设置红色发光器件对应的反射结构中凹槽的面积占比最大，蓝色发光器件对应的反射结构中凹槽的面积占比最小，绿色发光器件对应的反射结构中凹槽的面积占比居于二者之间。

图9是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，如图9所示，可选地，发光器件包括发光波长为λ1的第一子发光器件10-1和发光波长为λ2的第二子发光器件10-2，其中，λ1＞λ2；第一子发光器件10-1对应第一反射结构1-1，第二子发光器件10-2对应第二反射结构1-2；其中，第一反射结构1-1包括多个第一凹槽11-1，第二反射结构1-2包括多个第二凹槽11-2，第一凹槽11-1的深度H3大于第二凹槽11-2的深度H4。

如上所述，由于波长相对较长的发光器件的出光效果较差，本实施例通过在发光波长相对较长的第一子发光器件10-1所对应的第一反射结构1-1中，设置深度相对较大的第一凹槽11-1，可以进一步提升对光的束缚效果和聚光效果，提升其正视角的出光效果和色纯度。

需要说明的是，当发光器件可实现微腔效应时，优选各发光器件对应的凹槽的深度设计以保证腔长在干涉相长的周期内为基础，以保证微腔效应的实现。

需要说明的是，上述实施例均以显示面板中的发光器件为垂直型发光器件(阳极和阴极位于发光层的相对两侧)为例进行示意性说明，可应用于无机LED显示面板、OLED显示面板、QLED显示面板、mini-LED显示面板和micro-LED显示面板等LED显示面板，不同显示面板的主要区别在于发光器件的发光层2材料不同，在此不再赘述各类显示面板的结构。

此外，对于mini-LED显示面板和micro-LED显示面板，除采用垂直型发光器件以外，还常常采用平面型发光器件(阳极和阴极位于发光层的同一侧)。此时，如图10所示的本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，作为一种具体的实施方式，可将反射结构1设置于发光器件10下方的阵列基板上，使发光层2在反射结构1的正投影覆盖凹槽11，以提高光利用率。

需要说明的是，图10仅以层间绝缘层104设置有挖槽，反射结构1沉积于层间绝缘层104上时由于段差自然形成凹槽11为例进行示意，此设置方式并非限定。示例性的，薄膜晶体管102与发光器件10之间具有诸如平坦化层101之类的至少一个有机层，可以在有机层中设置挖槽，使反射结构1沉积于有机层上形成凹槽11。在其他实施例中，也可以通过蚀刻反射结构1形成凹槽11。

还需要说明的是，无论是对于发光器件还是对于显示面板，凡是针对顶发射发光器件对应的反射结构设置具有侧壁111和弧形底面112的凹槽11的技术方案，均在本发明的保护范围之内。

基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，图11是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，该显示装置1000包括上述任一实施例提供的显示面板100，因而具备与上述显示面板相同的有益效果，相同之处可参照上述显示面板实施例的描述，在此不再赘述。本发明实施例提供的显示装置1000可以为图11所示的手机，也可以为任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于以下类别：电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、医疗设备、工控设备、触摸交互终端等，本发明实施例对此不作特殊限定。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (12)

1.一种发光器件，其特征在于，包括：反射结构，以及位于所述反射结构一侧的发光层；

所述反射结构包括凹槽，所述凹槽包括弧形底面和侧壁，所述弧形底面朝向背离所述发光层的一侧凸起；

沿垂直于所述发光层所在平面的方向上，所述发光层覆盖所述凹槽；

沿所述反射结构指向所述发光层的方向，所述侧壁的第一截面在所述发光层的正投影面积逐渐减小；所述第一截面平行于所述发光层所在平面。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，沿所述反射结构指向所述发光层的方向，所述侧壁的高度大于所述弧形底面的高度。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光层与所述反射结构沿垂直于所述发光层所在平面的方向上的交叠面积为S1；

所述反射结构包括多个凹槽，所述凹槽的开口在所述发光层的正投影面积之和为S2，其中0.2≤S2/S1≤0.5。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述凹槽的开口沿第一方向的最大宽度为D，所述凹槽沿垂直于所述发光层所在平面的方向的最大深度为H，其中，H/D＞1；所述第一方向平行于所述发光层所在平面。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述反射结构复用为所述发光器件的第一电极。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述凹槽内填充有导光材料。

7.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的发光器件。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件包括发光波长为λ1的第一子发光器件和发光波长为λ2的第二子发光器件，其中，λ1＞λ2；

所述第一子发光器件对应第一反射结构，所述第二子发光器件对应第二反射结构；其中，所述第一反射结构包括多个第一凹槽，所述第一凹槽的开口在所述第一子发光器件的发光层的正投影面积之和为A1，所述第二反射结构包括多个第二凹槽，所述第二凹槽的开口在所述第二子发光器件的发光层的正投影面积之和为A2；

其中，A1/A3＞A2/A4；A3为所述第一子发光器件的发光层与所述第一反射结构沿垂直于该发光层所在平面的方向上的交叠面积；A4为所述第二子发光器件的发光层与所述第二反射结构沿垂直于该发光层所在平面的方向上的交叠面积。

9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件包括第一电极和第二电极，所述发光层位于所述第一电极和第二电极之间，所述反射结构复用为所述第一电极。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述反射结构远离所述发光层一侧的平坦化层；

所述平坦化层包括挖槽，沉积于所述挖槽内的所述反射结构形成所述凹槽。

11.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件包括有机电致发光器件。

12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7-11任一项所述的显示面板。