CN112614957B - 一种显示面板和显示装置 - Google Patents
一种显示面板和显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112614957B CN112614957B CN202011429457.6A CN202011429457A CN112614957B CN 112614957 B CN112614957 B CN 112614957B CN 202011429457 A CN202011429457 A CN 202011429457A CN 112614957 B CN112614957 B CN 112614957B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- quantum dot
- light
- light emitting
- color
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
Abstract
本发明提供了一种显示面板和显示装置,包括:衬底基板;在衬底基板一侧上排布的多个发光元件;与发光元件一一对应设置形成发光单元的颜色转换区块;间隔在发光单元之间的隔垫物;至少部分发光单元为第一类发光单元,第一类发光单元的颜色转换区块包括主量子点层,且第一类发光单元相邻的隔垫物侧壁上设置有辅助量子点层;同一发光单元中辅助量子点层与主量子点层颜色相同;同一发光单元中发光元件与辅助量子点层颜色不同。本发明还提供了一种包括上述显示面板的显示装置。本发明提供的显示面板的隔垫物厚度较小,有利于增大像素的开口率;经过量子点的光线无法激发相邻发光单元的量子点,从而减弱干扰光线,防止产生串扰。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板和包括该显示面板的显示装置。
背景技术
量子点(Quantum Dot,QD)是把激子在三个空间方向上束缚住的半导体纳米结构。一个量子点具有少量的(1-100个)整数个的电子、电洞或电子电洞对,即其所带的电量是元电荷的整数倍,因此在显示面板领域可用于制备量子点发光二极管(Quantum Dot LightEmitting Diodes,QLED)。
QLED的显示原理与有机发光二极管(Organic Light-emitting Diode,OLED)的显示原理类似,即材料中载流子在接受外来能量后,达到激发态,在载流子回复至基态的过程中,会以光的形式发射出去来释放能量。目前,QLED器件一般通过喷墨打印等湿法工艺来制备。在现有技术中,相邻的量子点发光器件用隔垫物阻隔,但要达到阻隔光线串扰的效果则需要隔垫物的厚度做的足够厚,这不利于增加像素的开口率。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种显示面板和包括该显示面板的显示装置。
本发明提供了一种显示面板,包括:衬底基板;在所述衬底基板一侧上排布的多个发光元件;位于所述发光元件远离所述衬底基板一侧间隔排布的颜色转换区块;所述颜色转换区块与所述发光元件一一对应设置形成发光单元;所述显示面板还包括间隔在所述发光单元之间的隔垫物;其中,至少部分所述发光单元为第一类发光单元,所述第一类发光单元的颜色转换区块包括主量子点层,且所述第一类发光单元相邻的所述隔垫物侧壁上设置有辅助量子点层;同一所述发光单元中所述辅助量子点层与所述主量子点层颜色相同;同一所述发光单元中所述发光元件与所述辅助量子点层颜色不同。
本发明还提供了一种包括上述显示面板的显示装置。
本发明至少具有如下突出的优点之一:
本发明提供的显示面板的隔垫物厚度较小,有利于增大像素的开口率;经过量子点的光线穿透隔垫物后无法激发相邻发光单元的量子点,防止产生光线串扰;一个发光单元中的量子点浓度增加有利于提升器件亮度,减少面板的功耗。
附图说明
图1是现有技术中一种显示面板的膜层结构截面图;
图2是根据本发明实施例所绘示的一种显示面板的膜层结构截面图;
图3是图2中阵列层的局部放大图;
图4是根据本发明实施例所绘示的又一种显示面板的膜层结构截面图;
图5是根据本发明实施例所绘示的又一种显示面板的膜层结构截面图;
图6是根据本发明实施例所绘示的又一种显示面板的膜层结构截面图;
图7是根据本发明实施例所绘示的又一种显示面板的膜层结构截面图;
图8是根据本发明实施例所绘示的又一种显示面板的膜层结构截面图;
图9是根据本发明实施例所绘示的又一种显示面板的膜层结构截面图;
图10是根据本发明实施例所绘示的又一种显示面板的膜层结构截面图;
图11是根据本发明实施例所绘示的又一种显示面板的膜层结构截面图;
图12是根据本发明实施例所绘示的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂,下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。
需要说明的是,在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式的限制。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的,而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式,除非上下文清楚地表示其他含义。
需要注意的是,本发明实施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的,不应理解为对本发明实施例的限定。此外在上下文中,还需要理解的是,当提到一个元件被形成在另一个元件“上”或“下”时,其不仅能够直接形成在另一个元件“上”或者“下”,也可以通过中间元件间接形成在另一元件“上”或者“下”。
并且,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式;相反,提供这些实施方式使得本发明更全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略对它们的重复描述。本发明中所描述的表达位置与方向的词,均是以附图为例进行的说明,但根据需要也可以做出改变,所做改变均包含在本发明保护范围内。本发明的附图仅用于示意相对位置关系,某些部位的层厚采用了夸张的绘图方式以便于理解,附图中的层厚并不代表实际层厚的比例关系。且在不冲突的情况下,本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。本申请中各实施例的附图沿用了相同的附图的标记。此外,各实施例彼此相同之处不再赘述。
参考图1,图1为现有技术中一种显示面板的膜层结构截面图,显示面板10包括衬底基板11、发光元件12、量子点层13以及隔垫物14。发光元件12出射的光线包括第一光线L1(图1中实线)、第二光线L2(图1中虚线)以及第三光线L3(图1中点划线)。
第一光线L1在从发光元件12出射后,进入量子点层13,量子点层13中的量子点接受到能量后,达到激发态,在载流子回复至基态的过程中,以光的形式出射,从而实现了光颜色的转换。第二光线L2从发光元件12出射至隔垫物14,为了防止第二光线L2穿过隔垫物14影响相邻发光单元的出光,隔垫物14的厚度要达到一定厚度值。发光元件12与衬底基板11之间还有用于驱动发光元件12发光的驱动电路层,而驱动电路层内部有大量的金属,第三光线L3从发光元件12出射至驱动电路层后被金属反射而进入相邻发光单元中。
参考图2,图2是根据本发明实施例所绘示的一种显示面板的膜层结构截面图。显示面板100包括衬底基板110、在衬底基板110一侧上排布的多个发光元件120以及位于发光元件120远离衬底基板110一侧间隔排布的颜色转换区块130,颜色转换区块130与发光元件120一一对应设置形成发光单元200,显示面板100还包括间隔在发光单元200之间的隔垫物140,其中,至少部分发光单元200为第一类发光单元210,第一类发光单元210的颜色转换区块130包括主量子点层211,且第一类发光单元210相邻的隔垫物140侧壁上设置有辅助量子点层212,同一第一类发光单元210中辅助量子点层212与主量子点层211颜色相同,同一第一类发光单元210中发光元件120与辅助量子点层212颜色不同。
需要说明的,图2所示显示面板的膜层结构截面图指的是垂直于显示面板所在平面的剖面图,下述附图不再赘述。
可选的,衬底基板110可以是柔性衬底基板或刚性基板。柔性衬底基板可以是聚酰亚胺树脂等,刚性基板可以是玻璃基板。
可选的,发光元件120可以是蓝光器件。在可见光中,紫光能量最强,波长最短,激发的光谱更近似于太阳光,而蓝光能量仅次于紫光,波长要长于紫光,从能量转换效率来说,利用短波长的光线激发量子点,中间波长的转换会导致光子能量的损失,波长差别越大,那么意味着损失的能量越多,而损失的能量会变成热能被量子点吸收,进一步降低了能量转换效率,因此选用蓝光器件为量子点发光器件。
可选的,量子点材料可以是由II-VI族或III-V族元素组成的纳米颗粒。例如硫化镉量子点、硒化镉量子点以及碲化镉量子点等。在实际应用中,可以通过改变量子点的尺寸和它的化学组成来使其发射光谱覆盖整个可见光区。目前,量子点层都采用三明治结构,即两层水氧阻隔膜中间夹着量子点。
可选的,显示面板100还包括位于衬底基板110与发光单元200之间的阵列层21,阵列层21与衬底基板110构成阵列基板20。
可选的,显示面板100还包括与阵列基板20相对设置的第二基板30。其中,隔垫物140以第二基板30为衬底制作,然后与衬底基板110对位贴合。其中,隔垫物140包括多个沿第一方向X延伸且沿第二方向Y排列的第一隔垫物以及多个沿第二方向Y延伸且沿第一方向X排列的第二隔垫物,多个第一隔垫物与多个第二隔垫物交叉限定多个发光单元200。第二方向Y平行于衬底基板110所在平面并垂直于第一方向X。
可选的,隔垫物140沿第二基板30指向衬底基板110的方向上的厚度逐渐减小,使得在隔垫物140上制备完辅助量子点层212后,隔垫物140之间也预留了充足的空间放置发光元件120。
在本发明的一些实施例中,如图2所示,颜色转换区块130还包括色阻层132,色阻层132位于所述主量子点层211远离发光元件120的一侧。第二基板30为彩膜基板,色阻层132制作于彩膜基板30的基底上。可选的,色阻层132与彩膜基板30的基底之间还有部分功能层,例如透镜层等。色阻层132可以是相应颜色的颜料、光固化树脂、碱性可溶性树脂、光引发剂中至少一种或多种材料混合,目的在于能实现滤光功能。色阻层132有助于让经主量子点层211转换的光线以更纯净的状态出射,同时,量子点极易氧化,少量空气或水分都会损坏量子点,因此,在量子层上再覆盖一层色阻层也可以对量子点起到一定的保护作用。
在本发明的一些实施例中,如图2所示,颜色转换区块130还包括黑矩阵层134,所述黑矩阵层134位于隔垫物140背离衬底基板110一端,黑矩阵位于第二基板30(彩膜基板)上的色阻层132的色阻单元之间。黑矩阵通常由高遮光性能的材料制成,用来防止从相邻发光单元200出射的光线相互之间产生串扰,提高像素之间的对比度。
可以理解的,在一个显示面板内,使用的发光器件一般都是同色发光器件,而同一第一类发光单元210中发光元件120若与辅助量子点层212颜色相同,那么经过量子点层的转换光线L2依旧可以激发相邻第一类发光单元210中的辅助量子点层212,无法起到减少光线干扰的作用,因此同一第一类发光单元210中发光元件120与辅助量子点层212颜色应不同。
本发明实施例通过在隔垫物140的侧壁上设置辅助量子点层212,第一类发光单元210内的量子点浓度增加,从而第一类发光单元210的亮度得到了提升,进而减少了显示面板的功耗。同一第一类发光单元210中辅助量子点层212与主量子点层211颜色相同,防止光线在激发辅助量子点层212后产生的不同颜色的转换光线与主量子层出光颜色混合,造成发光单元出光的色偏。
而光线L从发光元件120出射至隔垫物140,光线L会穿过隔垫物140会影响到相邻发光单元的出光,因此现有技术中,隔垫物140要做到一定的厚度来阻挡光线穿过,但这会影响到显示面板的像素开口率。本发明实施例通过在隔垫物140的侧壁上设置辅助量子点层212,光线L从发光元件120出射至隔垫物140的侧壁上,辅助量子点层212中的量子点接受到能量后,达到激发态,在载流子回复至基态的过程中,以转换光线L2的形式出射,因为相邻第一类发光单元210的辅助量子点层212只能被发光元件120出射的光线所激发,因此转换光线L2无法激发相邻第一类发光单元210的辅助量子点层212,从而减少了相邻第一类发光单元210彼此之间的光线串扰。而且由于辅助量子点层212的存在,隔垫物140的厚度可以有效减小,这间接增大了像素的开口率。
需要说明的,本发明中的量子点层颜色指的是光线入射后激发量子点而转换出的光线的颜色,而发光元件的颜色指的是发光元件发出的光线的颜色,下文不再赘述。
可选的,如图3所示,图3是图2中阵列层的局部放大图,阵列层21位于衬底基板110一侧上。具体的,阵列层21包括驱动电路等器件,例如薄膜晶体管、电容、走线等,用于驱动发光器件显示。
可选的,阵列层21包括沿着远离衬底基板110的方向依次层叠设置的缓冲层211、有源层212、栅极绝缘层213、栅极层214、层间介质层215、源漏极216、钝化层217以及用于使源漏极216电连接发光元件的导电层218,源漏极216与导电层218之间通过过孔219连接。详细的,有源层212设置于缓冲层211上,有源层212的材料可以是铟镓锌氧化物(indiumgallium zinc oxide,IGZO),铟镓锌氧化物可以使薄膜晶体管呈现透明柔性的状态;栅极绝缘层213位于有源层212上;栅极层214设置于栅极绝缘层213上,栅极层214的材料可以是钼;层间介质层215覆盖于栅极层214上方,层间介质层215可以是单层结构,也可以是多层层叠结构,本实施例中,层间介质层215是双层结构,例如氮化硅/氧化硅叠层;源漏极216设置于层间介质层215上,源漏极216通过过孔连接至有源层212;钝化层217覆盖源漏极216及层间介质层215,实现膜层平坦化,钝化层217的材料可以是氮化硅或氧化硅;导电层218位于钝化层217上,可选的,当发光元件120是OLED发光器件时,导电层218为阳极;当发光元件120是LED发光器件时,导电层218为感应电极。
需要说明,本段所说的一膜层位于另一膜层“上”指的是一膜层位于另一膜层远离衬底基板110的一侧。
参考图4,图4是根据本发明实施例所绘示的又一种显示面板的膜层结构截面图。与图2所示实施例的相同之处不再赘述,与图2实施例不同的是,本发明实施例中,第一类发光单元210包括第一发光单元2111和第二发光单元2112;第一发光单元2111的颜色转换区块包括第一量子点层1001,第二发光单元2112的颜色转换区块包括第二量子点层1002;第一量子点层1001和第二量子点层1002转换出的颜色不同。
可选的,第一量子点层1001转换出的颜色为红色,第二量子点层1002转换出的颜色为绿色,第一量子点层1001与第二量子点层1002只能被发光元件120的光线激发,发光元件120发出的光线激发第一量子点层1001产生红色光线Lr,红色光线Lr一部分进入隔垫物140后出射至第二发光单元2112的第二量子点层1002上,由于红色光线Lr无法激发第二量子点层1002,从而不会影响第二发光单元2112的出光。
通过本发明实施例,由于相邻的发光单元中的量子点层转换出的颜色不同,因此,不会继续激发相邻的发光单元的量子点层,从而不会影响彼此出光,提高了光提取效率。
参考图5,图5是根据本发明实施例所绘示的又一种显示面板的膜层结构截面图。本发明实施例中,辅助量子点层212的量子点浓度小于主量子点层211的量子点浓度。
需要说明的,本发明实施例中提到的“辅助量子点层的量子点浓度小于主量子点层的量子点浓度,”中所说的“辅助量子点层与主量子点层”位于同一第一类发光单元中。
可以理解的,光线在进入量子点层后转换为其他波长的光线会损耗一部分能量,主量子点层211需要把发光元件120出射的光线转换为其他颜色光线的同时要保证发光器件的出光效率,而在一定的浓度区间内,量子点浓度越高,受激发的量子点越多,则更多光线转化,即出光效率越高,因此主量子点层211中量子点浓度要尽可能达到提高出光效率的要求,而光线进入辅助量子点层212后,一部分光线在量子点层中损耗了,而另一部分变为了转化光线,这部分转化光线无法激发相邻发光单元的量子点层,防止了光线串扰,相比之下,由于量子点的价格昂贵,辅助量子点层212的量子点浓度在满足防止光线串扰的前提下尽可能小,就可以减少工艺制程中的喷墨打印量子点的成本。
参考图6,图6是根据本发明实施例所绘示的又一种显示面板的膜层结构截面图。本发明实施例中,主量子点层211和辅助量子点层212中还掺杂有散射粒子(图6中椭圆状颗粒),且辅助量子点层212的散射粒子浓度大于主量子点层211的散射粒子浓度。
可选的,散射粒子材料可以是二氧化钛,散射粒子的折射率大于1.5,散射粒子的直径范围为100至1000纳米。
通过在本发明实施例中的量子点层加入散射粒子,由于散射粒子具有光扩散作用,可以加大发光元件的出射光线在膜层中的散射程度,不仅进一步增大视角,且能改善大视角色偏。同时散射粒子增加了光线通过量子点层的光程,进而让光线能激发量子点层中更多量子点发光,从而加大出射光线在量子点层中的转化效率,提高了发光器件的亮度,减小功耗。而适量增加辅助量子点层的散射粒子浓度可以增加光线在辅助量子点层中的散射程度、并减小光线在膜层中的透过率,达到减少光线对相邻发光单元的串扰的效果。
参考图7,图7是根据本发明实施例所绘示的又一种显示面板的膜层结构截面图。本发明实施例中,辅助量子点层212延伸至隔垫物140和衬底基板110之间,且相邻第一类发光单元210的辅助量子点层212的交界处位于隔垫物140靠近衬底基板110一端。
可选的,第一类发光单元210的辅助量子点层212的交界处位于隔垫物140靠近衬底基板110一端的中部,可使光线除了被损耗的部分外,尽可能被辅助量子点层212中的量子点所转化。
可选的,延伸的辅助量子点层212完全填充隔垫物140朝向衬底基板110一端与衬底基板110之间的空隙,防止光线通过缝隙进入相邻的第一类发光单元210。
可选的,辅助量子点层212与主量子点层211一体成型,且完全覆盖隔垫物140,使出射到侧面的光线被辅助量子点层212转化或损耗掉。
结合图7和图3所示,图3可以表示为图7中的阵列层的局部放大图。发光元件120与衬底基板110之间还有用于驱动发光元件120发光的阵列层21,而阵列层21膜层内部有大量的金属,光线从发光元件120出射至驱动电路层后被金属反射会继续穿透隔垫物140进入相邻发光单元中。本发明实施例通过将量子点层延伸至隔垫物与衬底基板之间,光线即使被驱动电路层中金属反射,也无法继续穿透相邻的辅助量子点层,从而减少了存在的光线串扰。
参考图8,图8是根据本发明实施例所绘示的又一种显示面板的膜层结构截面图。在图7的实施例基础上,本发明实施例中,辅助量子点层212与发光元件120之间设置有反射构件150。
可选的,反射构件150可以是金属,例如银等。反射构件150靠近发光元件120一侧的侧面呈现一定倾斜度的斜面,斜面沿辅助量子点层212朝向发光元件120倾斜,可通过控制倾斜角度来决定反射到主量子点层211的光线量。
可选的,隔垫物140是以第二基板30为承载基板形成的,因此隔垫物140沿第二基板30指向衬底基板110的方向上的厚度逐渐减小,厚度指的是平行于衬底基板110所在平面的宽度。这意味着隔垫物140之间预留了充足的空间放置反射构件150。另一方面,隔垫物140的端部较薄且能使延伸至其端部辅助量子点层212更厚,则隔垫物140的端部具备更好的防止光线串扰效果。
侧面光线L(图8中实线)从发光元件120出射后被反射构件150的斜面反射,进入了主量子点层211中,即反射构件150改变从发光元件120出射的光的传播方向,从而提高了光的利用率,有利于提高显示面板的出光效率和出光效果。
在显示面板中,侧面或底部光线从发光元件120出射至驱动电路层,被大量金属反射,出射角度小的光线被延伸至隔垫物140与衬底基板110之间的辅助量子点层212所阻挡,而出射角度大的光线L”(图8中虚线)依旧能够进入相邻的发光单元中,从而造成光线串扰,而本发明实施例中,出射角度大的光线L”在进入相邻的发光单元后,被反射构件150反射至辅助量子点层212,无法继续激发量子点光转换,进一步减少了光线的串扰。
需要说明的,反射构件的形状与材料只要能起到反射串扰的光线,提高发光器件的光提取效率即可,在此不作限定。
本发明实施例中,反射构件不仅能反射发光元件的侧面光线至出光侧,提高了光提取效率,增加了发光器件的亮度。同时,部分从发光元件出射的侧面或底部光线被驱动电路层的金属反射后呈小角度出射的光线被辅助量子点层阻挡,而反射构件则防止了部分从发光元件出射的侧面或底部光线被驱动电路层的金属反射后呈大角度出射的光线进入相邻的发光单元中。
参考图9,图9是根据本发明实施例所绘示的又一种显示面板的膜层结构截面图。本发明实施例中,隔垫物140和衬底基板110之间设置有色阻单元160,色阻单元160包括第一色阻单元161和第二色阻单元162,第一色阻单元161与第二色阻单元162沿平行于衬底基板110所在平面并垂直于隔垫物140延伸方向上交替排布,且第一色阻单元161与第二色阻单元162不同色。
可选的,色阻单元160完全填充隔垫物140一端与衬底基板之间的空隙,防止光线通过缝隙进入相邻发光单元。
可选的,辅助量子点层212与主量子点层211一体成型,且完全覆盖隔垫物140并延伸至同一第一类发光单元210的色阻单元上,使出射到侧面的光线尽可能被辅助量子点层212转化或者被色阻单元120阻挡。
可以理解的,色阻单元只能让一种颜色的光透过,那么不同色的色阻单元叠加后,光线则至多穿透一个颜色的色阻单元,而无法继续穿透另一个颜色的色阻单元,从而实现挡光的功能。
本发明实施例通过将不同色的色阻单元叠加隔垫物和衬底基板之间,一方面可以降低工艺制程上隔垫物的制造高度,另一方面,不同色的色阻单元叠加相当于起到黑矩阵的作用,可以更好的降低相邻发光单元之间的漏光现象。
参考图10,图10是根据本发明实施例所绘示的又一种显示面板的膜层结构截面图。与图9的发明实施例类似,隔垫物140和衬底基板110之间设置有色阻单元160,不同之处在于色阻单元160只有一种颜色,且色阻单元160与发光元件120不同色。
可选的,色阻单元160完全填充隔垫物140与衬底基板之间的空隙,防止光线通过缝隙进入相邻发光单元。可选的,辅助量子点层212与主量子点层211一体成型,且完全覆盖隔垫物140并延伸至色阻单元160上,使出射到侧面的光线尽可能被辅助量子点层212转化或者被色阻单元120阻挡。
本发明实施例在隔垫物和衬底基板之间只设置了一种颜色的色阻单元,且由于色阻单元与发光元件发出的光不同色,那么被色阻单元过滤后的光线必然是与发光元件不同色的光,也就无法继续激发量子点层,从而有效减少了相邻发光单元之间的光线串扰,且只设置一种颜色的色阻单元就能实现挡光的功能使工艺制程更加简便。
参考图11,图11是根据本发明实施例所绘示的又一种显示面板的膜层结构截面图。本发明实施例中,至少部分发光单元为第二类发光单元220,第二类发光单元220的颜色转换区块230包括第一散射层231,且第二类发光单元220相邻的隔垫物140侧壁上设置有第二散射层232,发光元件120的颜色与第二类发光单元220的出光颜色一致。
可以理解的,当发光单元所需要的颜色为发光元件的颜色时,该发光单元无需量子点层来进行光转换,因此可在第二类发光单元220的颜色转换区块230设置第一散射层231,第一散射层231中包含若干分散均匀的散射粒子,用来使入射光线散射,加大了发光元件120的出射光线在膜层中的散射程度,不仅进一步增大视角,且能改善大视角色偏。而隔垫物140的由于要阻隔光线进入相邻发光单元,因此第二类发光单元220相邻的隔垫物140的侧壁上的第二散射层232中应包含更多的散射粒子,减小光线在第二散射层232的膜层透过率,从而减少对相邻发光单元的干扰。
需要说明的,第一散射层中的散射粒子浓度只要能达到增大视角,并改善大视角色偏效果即可,而第二散射层增加的散射粒子浓度只要能减小光线在膜层中的透过率即可,在此不做限定。
在本发明的一些实施例中,如图2、4至11所示,同一个第一类发光单元210中,辅助量子点层212与主量子点层211一体成型,可以减少工艺制程,降低了量子点层的喷墨打印的生产成本。
本发明还提供了一种显示装置,包括本发明提供的显示面板。图12是根据本发明实施例所绘示的一种显示装置的结构示意图。显示装置1000包括本发明上述任一实施例提供的显示面板。图12实施例仅以手机为例,对显示装置1000进行说明,可以理解的是,本发明实施例提供的显示装置,可以是电脑、电视、车载显示装置等其他具有显示功能的显示装置,本发明对此不作具体限制。本发明实施例提供的显示装置,具有本发明实施例提供的显示面板的有益效果,具体可以参考上述各实施例对于显示面板的具体说明,本实施例在此不再赘述。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (12)
1.一种显示面板,包括:
衬底基板;
在所述衬底基板一侧上排布的多个发光元件;
位于所述发光元件远离所述衬底基板一侧间隔排布的颜色转换区块;所述颜色转换区块与所述发光元件一一对应设置形成发光单元;
所述显示面板还包括间隔在所述发光单元之间的隔垫物;
其中,至少部分所述发光单元为第一类发光单元,所述第一类发光单元的颜色转换区块包括主量子点层,且所述第一类发光单元相邻的所述隔垫物侧壁上设置有辅助量子点层;
所述主量子点层和所述辅助量子点层中还掺杂有散射粒子,同一所述第一类发光单元中,所述辅助量子点层的量子点浓度小于所述主量子点层的量子点浓度,且所述辅助量子点层的所述散射粒子浓度大于所述主量子点层的所述散射粒子浓度;
同一所述发光单元中所述辅助量子点层与所述主量子点层颜色相同;
同一所述发光单元中所述发光元件与所述辅助量子点层颜色不同。
2.如权利要求1所述的面板,其特征在于,所述第一类发光单元包括第一发光单元和第二发光单元;
所述第一发光单元的颜色转换区块包括第一量子点层,所述第二发光单元的颜色转换区块包括第二量子点层;
所述第一量子点层和所述第二量子点层转换出的颜色不同。
3.如权利要求1所述的面板,其特征在于,同一个所述第一类发光单元中,所述辅助量子点层与所述主量子点层一体成型。
4.如权利要求1所述的面板,其特征在于,所述辅助量子点层延伸至所述隔垫物和所述衬底基板之间,且相邻所述第一类发光单元的所述辅助量子点层的交界处位于所述隔垫物靠近所述衬底基板一端。
5.如权利要求4所述的面板,其特征在于,所述辅助量子点层与所述发光元件之间设置有反射构件。
6.如权利要求1所述的面板,其特征在于,所述隔垫物和所述衬底基板之间设置有色阻单元,所述色阻单元包括第一色阻单元和第二色阻单元,所述第一色阻单元与所述第二色阻单元沿平行于所述衬底基板所在平面并垂直于所述隔垫物延伸方向上交替排布,且所述第一色阻单元与所述第二色阻单元不同色。
7.如权利要求1所述的面板,其特征在于,所述隔垫物和所述衬底基板之间设置有色阻单元,所述色阻单元只有一种颜色,且所述色阻单元与所述发光元件不同色。
8.如权利要求6或7所述的面板,其特征在于,所述辅助量子点层连接所述色阻单元与所述主量子点层。
9.如权利要求1所述的面板,其特征在于,至少部分所述发光单元为第二类发光单元,所述第二类发光单元的颜色转换区块包括第一散射层,且所述第二类发光单元相邻的隔垫物侧壁上设置有第二散射层,所述发光元件的颜色与所述第二类发光单元的出光颜色一致。
10.如权利要求9所述的面板,其特征在于,所述第一散射层和所述第二散射层内掺杂有散射粒子,且所述第一散射层内所述散射粒子浓度小于所述第二散射层内所述散射粒子浓度。
11.如权利要求1所述的面板,其特征在于,所述颜色转换区块还包括色阻层,所述色阻层位于所述主量子点层远离所述发光元件的一层。
12.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-11任一所述的显示面板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011429457.6A CN112614957B (zh) | 2020-12-07 | 2020-12-07 | 一种显示面板和显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011429457.6A CN112614957B (zh) | 2020-12-07 | 2020-12-07 | 一种显示面板和显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112614957A CN112614957A (zh) | 2021-04-06 |
CN112614957B true CN112614957B (zh) | 2023-07-18 |
Family
ID=75229381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011429457.6A Active CN112614957B (zh) | 2020-12-07 | 2020-12-07 | 一种显示面板和显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112614957B (zh) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112599012B (zh) * | 2020-12-18 | 2022-10-14 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN113571626B (zh) * | 2021-07-16 | 2023-08-11 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN113594337B (zh) * | 2021-07-26 | 2023-07-04 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
KR20230044090A (ko) * | 2021-09-24 | 2023-04-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조방법 |
CN113838882A (zh) * | 2021-09-30 | 2021-12-24 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN113936567B (zh) * | 2021-09-30 | 2023-11-14 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN113991001B (zh) * | 2021-10-21 | 2023-08-15 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板及其制备方法和显示装置 |
CN114509895B (zh) * | 2022-02-08 | 2023-11-28 | 广州华星光电半导体显示技术有限公司 | 背光模组及其制备方法和显示装置 |
CN114613752A (zh) * | 2022-03-08 | 2022-06-10 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种双面显示面板和显示装置 |
CN117476723A (zh) * | 2022-07-22 | 2024-01-30 | 华为技术有限公司 | 显示面板以及电子设备 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110288904A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-09-27 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN111505866A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-08-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及其制作方法 |
CN111769109A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-10-13 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN112037674A (zh) * | 2020-09-22 | 2020-12-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 面光源及其制备方法和显示装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102291493B1 (ko) * | 2016-08-11 | 2021-08-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 컬러 필터 및 이를 포함하는 표시 장치 |
-
2020
- 2020-12-07 CN CN202011429457.6A patent/CN112614957B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110288904A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-09-27 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN111505866A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-08-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及其制作方法 |
CN111769109A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-10-13 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN112037674A (zh) * | 2020-09-22 | 2020-12-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 面光源及其制备方法和显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112614957A (zh) | 2021-04-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112614957B (zh) | 一种显示面板和显示装置 | |
KR102607698B1 (ko) | 표시 장치 | |
KR101704334B1 (ko) | 파장 변환 층을 구비한 led 디스플레이 | |
TWI603508B (zh) | 具有波長轉換層之微發光二極體 | |
EP3832442B1 (en) | Display apparatus | |
US20210273142A1 (en) | Display device | |
US20220020959A1 (en) | Light emitting device | |
JP2015128027A (ja) | 有機el装置、表示装置 | |
KR101488852B1 (ko) | 광전 소자 | |
US11289544B2 (en) | Display device including wavelength conversion patterns having corresponding protruding and indentation pattern parts | |
CN113261128A (zh) | 显示装置 | |
US20240032368A1 (en) | Oled display panel and display device | |
US20220059799A1 (en) | Display device | |
CN111403462B (zh) | 显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置 | |
CN115954371A (zh) | 微显示器件及其制备方法 | |
CN111129271B (zh) | 显示面板以及显示装置 | |
KR102260673B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
CN116210365B (zh) | 显示面板和显示装置 | |
CN214476125U (zh) | 显示面板和显示装置 | |
US11957022B2 (en) | Display panel having intra-substrate filler configuration, method of manufacturing such a display panel, and display device | |
US20230209958A1 (en) | Display device | |
CN114093906A (zh) | 微型发光二极体显示装置 | |
CN117837271A (zh) | 发光元件及发光设备 | |
CN117280276A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN116828929A (zh) | 显示面板和显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |