CN113838882A - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种显示面板及显示装置，第一共晶层在第二基板的正投影中至少部分与发光元件在第二基板的正投影不交叠，使得第一共晶层在发光元件周围的覆盖区域较大，由此能够提高第一共晶层阻挡第二基板反射光线的效果，进而能够改善相邻发光元件之间光线串扰的问题，保证显示装置的显示效果高。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更为具体地说，涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
微型发光二极管(Micro-LED)显示面板因其显示亮度更高、发光效率更好以及功耗更低等优势受到了越来越多的关注。微型发光二极管显示面板中，为防止相邻微型发光二极管的出射光束发生串扰，通常设置有围绕微型发光二极管的挡墙层。但是，挡墙层与微型发光二极管通常设置于对向设置的两个基板上，而挡墙层的高度是有限的，挡墙层中靠近微型发光二极管所在基板的一侧可能与该基板存在较大的间隙，进而相邻微型发光二极管的出射光束由此间隙相互串扰，影响显示效果的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种显示面板及显示装置，有效解决现有技术存在的技术问题，改善相邻发光元件之间光线串扰的问题，保证显示装置的显示效果高。
为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：
一种显示面板，包括相对设置的第一基板和第二基板，且所述显示面板包括多个像素单元；
所述像素单元包括：位于所述第一基板和所述第二基板之间的发光元件，位于所述发光元件与所述第二基板之间且相互隔离的第一共晶层和第二共晶层，及围绕所述发光元件设置的挡墙；其中，所述发光元件包括第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一共晶层相连，所述第二电极与所述第二共晶层相连；
至少一个所述像素单元中，所述第一共晶层在所述第二基板的正投影中的至少部分与所述发光元件在所述第二基板的正投影不交叠。
相应的，本发明还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的显示面板。
相较于现有技术，本发明提供的技术方案至少具有以下优点：
本发明提供了一种显示面板及显示装置，包括相对设置的第一基板和第二基板，且所述显示面板包括多个像素单元；所述像素单元包括：位于所述第一基板和所述第二基板之间的发光元件，位于所述发光元件与所述第二基板之间且相互隔离的第一共晶层和第二共晶层，及围绕所述发光元件设置的挡墙；其中，所述发光元件包括第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一共晶层相连，所述第二电极与所述第二共晶层相连；至少一个所述像素单元中，所述第一共晶层在所述第二基板的正投影中的至少部分与所述发光元件在所述第二基板的正投影不交叠。
由上述内容可知，本发明提供的技术方案，第一共晶层在第二基板的正投影中至少部分与发光元件在第二基板的正投影不交叠，使得第一共晶层在发光元件周围的覆盖区域较大，由此能够提高第一共晶层阻挡第二基板反射光线的效果，进而能够改善相邻发光元件之间光线串扰的问题，保证显示装置的显示效果高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图2为图1中AA’方向的切面图；
图3为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图4为图3中BB’方向的切面图；
图5为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图6为图3中CC’方向的切面图；
图7为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图8为图3中DD’方向的切面图；
图9为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图10为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图11为图3中EE’方向的切面图；
图12为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图13为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图14为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图15为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图16为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图17为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
正如背景技术所述，微型发光二极管(Micro-LED)显示面板因其显示亮度更高、发光效率更好以及功耗更低等优势受到了越来越多的关注。微型发光二极管显示面板中，为防止相邻微型发光二极管的出射光束发生串扰，通常设置有围绕微型发光二极管的挡墙层。但是，发明人研究发现：挡墙层与微型发光二极管通常设置于对向设置的两个基板上，而挡墙层的高度是有限的，挡墙层中靠近微型发光二极管所在基板的一侧可能与该基板存在较大的间隙，进而相邻微型发光二极管的出射光束由此间隙相互串扰，影响显示效果的问题。
基于此，本发明实施例提供了一种显示面板及显示装置，有效解决现有技术存在的技术问题，改善相邻发光元件之间光线串扰的问题，保证显示装置的显示效果高。
为实现上述目的，本发明实施例提供的技术方案如下，具体结合图1至图17对本发明实施例提供的技术方案进行详细的描述。
结合图1和图2所示，图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，图2为图1中沿AA’方向的切面图，下面仅以12个像素单元Pi为例进行说明，对此需要根据实际应用进行具体数量的设计。本发明实施例提供了一种显示面板，其中，显示面板包括相对设置的第一基板100和第二基板200，且所述显示面板包括多个像素单元Pi。
所述像素单元Pi包括：位于所述第一基板100和所述第二基板200之间的发光元件300，位于所述发光元件300与所述第二基板200之间且相互隔离的第一共晶层410和第二共晶层420，及围绕所述发光元件300设置的挡墙500；其中，所述发光元件300包括第一电极310和第二电极320，所述第一电极310与所述第一共晶层510相连，所述第二电极320与所述第二共晶层420相连。
至少一个所述像素单元Pi中，所述第一共晶层410在所述第二基板200的正投影中的至少部分与所述发光元件300在所述第二基板200的正投影不交叠。
本发明实施例提供的挡墙500可以为每个像素单元Pi独立包括的结构。或者，挡墙500还可以为相邻像素单元Pi之间共用的结构，使得挡墙500呈网格形状，对此本发明不做具体限制。
本发明实施例提供的挡墙500与第二基板200之间具有间隙，对于相邻的两个像素单元Pi而言，其中任意一个像素单元Pi的发光元件300点亮时，其光线能够通过挡墙500与第二基板200之间的间隙和/或第二基板200的部分反光结构传输至另一个像素单元Pi内。本发明实施例提供的至少一个像素单元Pi中，第一共晶层410在第二基板200的正投影中的至少部分与发光元件300在第二基板200的正投影不交叠，表明第一共晶层410的覆盖区域延伸覆盖至发光元件300在第二基板200的正投影的四周区域，使得第一共晶层410的覆盖面积较大，而第二基板200中含有可反射光线的金属，通过第一共晶层410的覆盖面积变大，进而能够提高其阻挡由第二基板200中的金属反射至相邻像素单元Pi中的光线，降低相邻像素单元Pi之间光线串扰的现象。
进一步的，本发明实施例还可以对第一共晶层和第二共晶层的结构优化设置，保证第一共晶层的有效阻光面积更大。结合图3和图4所示，图3为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，图4为图3中BB’方向的切面图。其中，本发明实施例提供的所述第一共晶层410围绕第二共晶层420设置，且所述发光元件300在所述第二基板200的正投影的外轮廓线200’，位于所述第一共晶层410在所述第二基板200的正投影的外轮廓线410’之内。
如图4所示，本发明实施例提供的第一共晶层410呈围绕第二共晶层420的形状设置，进而能够进一步扩大第一共晶层410的覆盖面积，且能够覆盖发光元件300四周各个侧方相应区域，进一步提高第一共晶层410的阻光效果，提高显示装置的显示效果。其中，由于第一共晶层410围绕第二共晶层420设置，本发明实施例提供的第一电极310同样可以呈围绕第二电极320设置的相应结构，或者，第一电极310还可以仅仅位于第二电极320朝向挡墙500的任意侧，对此本发明不做具体限制。
在本发明一实施例中，本发明提供的发光元件可以为微型二极管，或者其他类型发光元件。以及，本发明实施例提供的所有发光元件所产生的光的颜色相同为第一颜色光，对此需要提高产生第一颜色光的像素单元中第一共晶层的阻光效果，避免该产生第一颜色光的像素单元中光线，与相邻像素单元中发光元件产生的第一颜色光相叠加而使其亮度增大，出现光线串扰的现象。结合图5和图6所示，图5为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，图6为图5中CC’方向的切面图。本发明实施例提供的所述发光元件300用于产生第一颜色光，且所述像素单元Pi包括用于产生所述第一颜色光的第一像素单元Pi1。
在所述第一像素单元Pi1中，所述第一共晶层410围绕所述第二共晶层420设置，且所述发光元件300在所述第二基板200的正投影的外轮廓线300’，位于所述第一共晶层在所述第二基板的正投影的外轮廓线410’之内。进而，在第一像素单元Pi1中，第一共晶层410能够有效阻挡通过挡墙500与第二基板200之间间隙传递的光线和/或由第二基板200反射的光线，提高显示装置的显示效果。
需要说明的是，本发明实施例提供的第一共晶层和第二共晶层在第二极板的正投影的外轮廓线可以为圆形或矩形等，对此本发明不做具体限制。
在本发明一实施例中，本发明提供的发光元件可以产生第一颜色光，且像素单元包括产生第一颜色光的第一像素单元。以及，像素单元还包括产生第二颜色光的第二像素单元，其中，第二像素单元产生的第二颜色光，为由第一颜色光转换后输出的光，同样的，第二像素单元中的第一共晶层也可以呈围绕第二共晶层设置的结构。具体结合图7和图8所示，图7为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，图8为图7中沿DD’方向的切面图。其中，本发明实施例提供的所述像素单元Pi包括用于产生第二颜色光的第二像素单元Pi2。
在所述第二像素单元Pi2中，所述第一共晶层410围绕所述第二共晶层420设置，且所述发光元件300在所述第二基板200的正投影的外轮廓线300’，位于所述第一共晶层410在所述第二基板200的正投影的外轮廓线410’之内。进而，在第一像素单元Pi1和第二像素单元Pi2中，第一共晶层410能够有效阻挡通过挡墙500与第二基板200之间间隙传递的光线和/或由第二基板200反射的光线，提高显示装置的显示效果。
可以理解的，由于第二像素单元Pi2产生的第二颜色光是由第一颜射光转换得到的，因此临近像素单元Pi的光线传递至第二像素单元Pi2中时，需要经过转换才能够形成第二颜色光，相较于第一像素单元Pi1中无需对第一颜色光进行转换的情况，第二像素单元Pi2中第一共晶层410的覆盖面积相应比例可以小于或等于第一像素单元Pi1中第一共晶层410的覆盖面积相应比例。如图9所示，为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，其中，在所述第一像素单元Pi1中，所述发光元件300在所述第二基板200的正投影的外轮廓线300’，与所述第一共晶层410在所述第二基板200的正投影的外轮廓线410’之间间距为a。
在所述第二像素单元Pi2中，所述发光元件300在所述第二基板200的正投影的外轮廓线300’，与所述第一共晶层410在所述第二基板200的正投影的外轮廓线410’之间间距为b；其中，a≥b。由此，优化第一像素单元Pi1和第二像素单元Pi2中第一共晶层410的覆盖面积关系，提高显示装置的显示效果。
在本发明一实施例中，本发明提供的发光元件可以产生第一颜色光，且像素单元包括产生第一颜色光的第一像素单元。以及，像素单元还包括产生第二颜色光的第二像素单元，其中，第二像素单元产生的第二颜色光，为由第一颜色光转换后输出的光。像素单元还包括产生第三颜色光的第三像素单元，第三像素单元产生的第三颜色光，为由第一颜色光转换后输出的光。同样的，第二像素单元和第三像素单元中的第一共晶层也可以呈围绕第二共晶层设置的结构。结合图10和图11所示，图10为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，图11为图10中EE’方向的切面图。其中，所述像素单元包括用于产生第三颜色光的第三像素单元Pi3；在所述第三像素单元Pi3中，所述第一共晶层410围绕所述第二共晶层420设置，所述发光元件300在所述第二基板200的正投影的外轮廓线300’，位于所述第一共晶层410在所述第二基板200的正投影的外轮廓线410’之内。
所述发光元件300在所述第二像素单元Pi2处的出光转换效率，小于在所述第三像素单元Pi3处的出光转换效率。
在所述第二像素单元Pi2中，所述发光元件300在所述第二基板200的正投影的外轮廓线300’，与所述第一共晶层410在所述第二基板200的正投影的外轮廓线410’之间间距为b。
在所述第三像素单元Pi3中，所述发光元件300在所述第二基板200的正投影的外轮廓线300’，与所述第一共晶层410在所述第二基板200的正投影的外轮廓线410’之间间距为c；其中，c≥b。本发明实施例提供的发光元件300在像素单元Pi处的出光转换效率的差异可以为波长差异、能量差异、发光元件大小的差异，对此本发明不做具体限制。其中，本发明实施例提供的发光元件300在第二像素单元Pi2处的出光转换效率大于在第三像素单元Pi3处的出光转换效率，相较于第三像素单元Pi3处，第二像素单元Pi2将第一颜色光进行转换的效率较小，进而，可以将第二像素单元Pi2中第一共晶层410的覆盖面积相应比例可以设置为小于或等于第三像素单元Pi3中第一共晶层410的覆盖面积相应比例。以及，本发明实施例提供的c≤a，由此，优化第一像素单元Pi1、第二像素单元Pi2和第三像素单元Pi3中第一共晶层410的覆盖面积关系，提高显示装置的显示效果。
在本发明一实施例中，本发明提供的第一颜色光为蓝光，第二颜色光为红光，及第三颜色光为绿光。
在本发明一实施例中，本发明提供的像素单元对第一颜色光的转换可以通过量子点转换层进行。如图12所示，为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，其中，在所述第二像素单元Pi2处，所述第一基板100包括第二量子点转换层112。
及在所述第三像素单元Pi3处，所述第一基板100包括第三量子点转换层113。其中，第二量子点转换层112用于将发光元件300产生的第一颜色光转换为第二颜色光，及，第三量子点转换层113用于将发光元件300产生的第一颜色光转换为第三颜色光。以及，本发明实施例提供的第一像素单元Pi1无需对第一颜色光进行转换，故而，第一像素单元Pi1处无需设置量子点转换层。
进一步的，为了保证像素单元处出光的单一性高，本发明实施例还可以对转换后的光进行滤光。如图12所示，在所述第一像素单元Pi1处，所述第一基板100包括第一色阻层121。其中，第一色阻层121能够通过第一颜色光，而滤除其他颜色光。
在所述第二像素单元Pi2处，所述第一基板100包括位于所述第二量子点转换层112背离所述发光元件300一侧的第二色阻122。其中，第二色阻层121能够通过第二颜色光，而滤除其他颜色光。
以及，在所述第三像素单元Pi3处，所述第一基板100包括位于所述第三量子点转换层113背离所述发光元件300一侧的第三色阻123。其中，第三色阻层121能够通过第三颜色光，而滤除其他颜色光。
需要说明的是，本发明实施例提供的第一基板100包括基底101，以及位于基底101朝向第二基板200一侧的黑矩阵102。其中，挡墙500可以位于黑矩阵102背离基底101一侧。以及，黑矩阵102包括对应发光元件300处的镂空区，其中量子点转换层和色阻位于该镂空区处。
此外，本发明实施例提供的第二基板200可以为阵列基板，通过阵列基板相关电路对发光元件300进行驱动点亮和熄灭。
如图13所示，为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，其中，在所述至少一个所述像素单元Pi中，所述挡墙500与所述第二基板200之间具有间隙，所述第一共晶层410延伸至所述挡墙500与所述第二基板200之间间隙内。进而，能够通过第一共晶层410阻挡由挡墙500和第二基板200之间间隙处传输的光线，进一步防止相邻像素单元Pi之间光线相串扰的情况出现，保证显示装置的显示效果高。
如图14所示，为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，其中，在所述至少一个所述像素单元Pi中，相邻两个所述像素单元Pi中的第一共晶层410在所述挡墙500与所述第二基板200之间间隙处接触相连。进而，能够保证第一共晶层410阻光效果更优，提高显示装置的显示效果。其中，由于第一共晶层410之间相接触连接，本发明实施例可以通过对第二电极320的单独驱动，达到单独驱动不同发光元件300的目的。
如图15所示，为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，其中，在所述至少一个所述像素单元Pi中，所述发光元件300包括衬底301；及位于所述衬底301朝向所述第二基板200一侧的发光外延层，所述发光外延层包括自所述第一基板100朝向所述第二基板200方向上，依次叠加的N型半导体层3021、发光层3022和P型半导体层3023，所述发光外延层背离所述衬底301的表面划分为第二区域和围绕所述第二区域的第一区域，所述发光外延层在所述第一区域处裸露所述N型半导体层3021；其中，所述第一电极310在所述第一区域处与所述N型半导体层3021相连，所述第二电极320在所述第二区域处与所述P型半导体层3023相连。
可以理解的，本发明实施例提供的第一电极310可以呈环绕第二电极320设置，或者，第一电极310可以为一个焊点结构，对此本发明不做具体限制。以及，本发明实施例提供的发光元件300还可以包括有电流阻挡层、电流扩展层、保护膜层等优化其性能的相关结构，对此本发明不做多余赘述。
在本发明一实施例中，在所述显示面板的出光方向上，所述第一电极310至所述第二基板200之间的间距为L1，所述第二电极320至所述第二基板200之间的间距为L2，L1＞L2；以及，所述第一共晶层410的厚度大于所述第二共晶层420的厚度。本发明实施例提供的发光元件的N型区位于P型区的外围，使得P型区处的出光距离挡墙500更远，能够减少相邻像素单元Pi之间光线串扰的情况。
如图16所示，为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，其中，在所述至少一个所述像素单元Pi中，所述发光元件包括衬底301；及位于所述衬底301朝向所述第二基板200一侧的发光外延层，所述发光外延层包括自所述第一基板100朝向所述第二基板200方向上，依次叠加的N型半导体层3021、发光层3022和P型半导体层3023，所述发光外延层背离所述衬底301的表面划分为第三区域和围绕所述第三区域的第四区域，所述发光外延层在所述第三区域处裸露所述N型半导体层3021；其中，所述第一电极310在所述第四区域处与所述P型半导体层3023相连，所述第二电极320在所述第三区域处与所述N型半导体层3021相连。
可以理解的，本发明实施例提供的第一电极310可以呈环绕第二电极320设置，或者，第一电极310可以为一个焊点结构，对此本发明不做具体限制。以及，本发明实施例提供的发光元件300还可以包括有电流阻挡层、电流扩展层、保护膜层等优化其性能的相关结构，对此本发明不做多余赘述。
在本发明一实施例中，在所述显示面板的出光方向上，所述第一电极310至所述第二基板200之间的间距为L3，所述第二电极320至所述第二基板200之间的间距为L4，L4＞L3；以及，所述第一共晶层410的厚度小于所述第二共晶层420的厚度。本发明实施例提供的发光元件的P型区位于N型区的外围，由于N型区处需要刻蚀裸露处N型半导体层，使得P型区处的厚度大于N型区处的厚度，能够减少第一共晶层410处的厚度，提供更多的可操作空间。
相应的，本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述任意一实施例提供的显示面板。
参考图17所示，为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，其中，本发明实施例提供的显示装置1000可以为移动终端设备。
在本发明其他实施例中，本发明提供的显示装置还可以为电脑、车载终端等电子显示设备，对此本发明不做具体限制。
本发明实施例提供了一种显示面板及显示装置，包括相对设置的第一基板和第二基板，且所述显示面板包括多个像素单元；所述像素单元包括：位于所述第一基板和所述第二基板之间的发光元件，位于所述发光元件与所述第二基板之间且相互隔离的第一共晶层和第二共晶层，及围绕所述发光元件设置的挡墙；其中，所述发光元件包括第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一共晶层相连，所述第二电极与所述第二共晶层相连；至少一个所述像素单元中，所述第一共晶层在所述第二基板的正投影中的至少部分与所述发光元件在所述第二基板的正投影不交叠。
由上述内容可知，本发明实施例提供的技术方案，第一共晶层在第二基板的正投影中至少部分与发光元件在第二基板的正投影不交叠，使得第一共晶层在发光元件周围的覆盖区域较大，由此能够提高第一共晶层阻挡第二基板反射光线的效果，进而能够改善相邻发光元件之间光线串扰的问题，保证显示装置的显示效果高。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (15)
1.一种显示面板，其特征在于，包括相对设置的第一基板和第二基板，且所述显示面板包括多个像素单元；
所述像素单元包括：位于所述第一基板和所述第二基板之间的发光元件，位于所述发光元件与所述第二基板之间且相互隔离的第一共晶层和第二共晶层，及围绕所述发光元件设置的挡墙；其中，所述发光元件包括第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一共晶层相连，所述第二电极与所述第二共晶层相连；
至少一个所述像素单元中，所述第一共晶层在所述第二基板的正投影中的至少部分与所述发光元件在所述第二基板的正投影不交叠。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一共晶层围绕所述第二共晶层设置，且所述发光元件在所述第二基板的正投影的外轮廓线，位于所述第一共晶层在所述第二基板的正投影的外轮廓线之内。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述发光元件用于产生第一颜色光，且所述像素单元包括用于产生所述第一颜色光的第一像素单元；
在所述第一像素单元中，所述第一共晶层围绕所述第二共晶层设置，且所述发光元件在所述第二基板的正投影的外轮廓线，位于所述第一共晶层在所述第二基板的正投影的外轮廓线之内。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述像素单元包括用于产生第二颜色光的第二像素单元；
在所述第二像素单元中，所述第一共晶层围绕所述第二共晶层设置，且所述发光元件在所述第二基板的正投影的外轮廓线，位于所述第一共晶层在所述第二基板的正投影的外轮廓线之内。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，在所述第一像素单元中，所述发光元件在所述第二基板的正投影的外轮廓线，与所述第一共晶层在所述第二基板的正投影的外轮廓线之间间距为a；
在所述第二像素单元中，所述发光元件在所述第二基板的正投影的外轮廓线，与所述第一共晶层在所述第二基板的正投影的外轮廓线之间间距为b；其中，a≥b。
6.根据权利要求4或5所述的显示面板，所述像素单元包括用于产生第三颜色光的第三像素单元；在所述第三像素单元中，所述第一共晶层围绕所述第二共晶层设置，所述发光元件在所述第二基板的正投影的外轮廓线，位于所述第一共晶层在所述第二基板的正投影的外轮廓线之内；
所述发光元件在所述第二像素单元处的出光转换效率，小于在所述第三像素单元处的出光转换效率；
在所述第二像素单元中，所述发光元件在所述第二基板的正投影的外轮廓线，与所述第一共晶层在所述第二基板的正投影的外轮廓线之间间距为b；
在所述第三像素单元中，所述发光元件在所述第二基板的正投影的外轮廓线，与所述第一共晶层在所述第二基板的正投影的外轮廓线之间间距为c；
其中，c≥b。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，
在所述第二像素单元处，所述第一基板包括第二量子点转换层；
及在所述第三像素单元处，所述第一基板包括第三量子点转换层。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，
在所述第一像素单元处，所述第一基板包括第一色阻层；
在所述第二像素单元处，所述第一基板包括位于所述第二量子点转换层背离所述发光元件一侧的第二色阻；
在所述第三像素单元处，所述第一基板包括位于所述第三量子点转换层背离所述发光元件一侧的第三色阻。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在所述至少一个所述像素单元中，所述挡墙与所述第二基板之间具有间隙，所述第一共晶层延伸至所述挡墙与所述第二基板之间间隙内。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，在所述至少一个所述像素单元中，相邻两个所述像素单元中的第一共晶层在所述挡墙与所述第二基板之间间隙处接触相连。
11.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，在所述至少一个所述像素单元中，所述发光元件包括衬底；及位于所述衬底朝向所述第二基板一侧的发光外延层，所述发光外延层包括自所述第一基板朝向所述第二基板方向上，依次叠加的N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述发光外延层背离所述衬底的表面划分为第二区域和围绕所述第二区域的第一区域，所述发光外延层在所述第一区域处裸露所述N型半导体层；其中，所述第一电极在所述第一区域处与所述N型半导体层相连，所述第二电极在所述第二区域处与所述P型半导体层相连。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，在所述显示面板的出光方向上，所述第一电极至所述第二基板之间的间距为L1，所述第二电极至所述第二基板之间的间距为L2，L1＞L2；以及，所述第一共晶层的厚度大于所述第二共晶层的厚度。
13.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，在所述至少一个所述像素单元中，所述发光元件包括衬底；及位于所述衬底朝向所述第二基板一侧的发光外延层，所述发光外延层包括自所述第一基板朝向所述第二基板方向上，依次叠加的N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述发光外延层背离所述衬底的表面划分为第三区域和围绕所述第三区域的第四区域，所述发光外延层在所述第三区域处裸露所述N型半导体层；其中，所述第一电极在所述第四区域处与所述P型半导体层相连，所述第二电极在所述第三区域处与所述N型半导体层相连。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，在所述显示面板的出光方向上，所述第一电极至所述第二基板之间的间距为L3，所述第二电极至所述第二基板之间的间距为L4，L4＞L3；以及，所述第一共晶层的厚度小于所述第二共晶层的厚度。
15.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-14任意一项所述的显示面板。
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