KR20230044090A - 표시 장치 및 그 제조방법 - Google Patents
표시 장치 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 제조과정에서 불량 발생 가능성을 낮출 수 있는 표시 장치 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명의 표시 장치의 제조방법은, 상부기판의 제1개구에 양자점을 포함하는 제1액적을 토출하는 단계와, 상기 상부기판의 제2개구에 양자점을 포함하는 제2액적을 토출하는 단계와, 상기 상부기판의 상기 제1개구, 상기 제2개구 및 제3개구에 산란체를 포함하는 제3액적을 토출하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명의 실시예들은 표시 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 제조과정에서 불량 발생 가능성을 낮출 수 있는 표시 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
표시 장치는 복수개의 화소들을 갖는다. 풀컬러 표시 장치를 위해서 복수개의 화소들은 상이한 색의 광을 방출할 수 있다. 이를 위해 표시 장치의 적어도 일부 화소들은 색변환부를 갖는다. 이에 따라 일부 화소의 발광부에서 생성된 제1색의 광은 대응하는 색변환부를 거치면서 제2색의 광으로 변환되어 외부로 취출된다.
그러나 이러한 종래의 표시 장치에는 제조과정에서 불량이 발생할 가능성이 높다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 제조과정에서 불량 발생 가능성을 낮출 수 있는 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 상부기판의 제1개구에 양자점을 포함하는 제1액적을 토출하는 단계와, 상기 상부기판의 제2개구에 양자점을 포함하는 제2액적을 토출하는 단계와, 상기 상부기판의 상기 제1개구, 상기 제2개구 및 제3개구에 산란체를 포함하는 제3액적을 토출하는 단계를 포함하는, 표시 장치의 제조방법이 제공된다.
상기 제1액적 또는 상기 제2액적은 산란체를 포함하지 않을 수 있다.
상기 제3액적을 토출하는 단계는, 상기 제1개구, 상기 제2개구 및 상기 제3개구에 각각 상이한 양의 제3액적을 토출하는 단계일 수 있다.
상기 제3액적을 토출하는 단계는, 상기 제1개구 및 상기 제2개구 각각에 토출하는 제3액적의 양보다 많은 양의 제3액적을 상기 제3개구에 토출하는 단계일 수 있다.
상기 제1액적을 토출하는 단계는, 토출부와 상기 상부기판 중 어느 하나를 제1방향으로 이동시키면서 상기 토출부에서 상기 상부기판의 제1영역의 상기 제1개구에 상기 제1액적이 토출되도록 하는 단계와, 상기 토출부와 상기 상부기판 중 어느 하나를 상기 제1방향과 교차하는 제2방향으로 이동시키는 단계와, 상기 토출부와 상기 상부기판 중 어느 하나를 상기 제1방향으로 이동시키면서 상기 토출부에서 상기 상부기판의 제2영역의 상기 제1개구에 상기 제1액적이 토출되도록 하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 토출부는 제1노즐 및 제2노즐을 포함하고, 상기 제1영역의 상기 제1개구에 상기 제1액적이 토출되도록 하는 단계는, 상기 토출부의 상기 제1노즐에서 상기 상부기판의 상기 제1영역의 상기 제1개구에 상기 제1액적이 토출되도록 하는 단계이고, 상기 제2영역의 상기 제1개구에 상기 제1액적이 토출되도록 하는 단계는, 상기 토출부의 상기 제2노즐에서 상기 상부기판의 상기 제2영역의 상기 제1개구에 상기 제1액적이 토출되도록 하는 단계일 수 있다.
토출부는 제1노즐 및 제2노즐을 포함하고, 상기 제3액적을 토출하는 단계는, 상기 토출부의 상기 제1노즐에서 상기 상부기판의 상기 제1개구 및 제2개구에 상기 제3액적이 토출되도록 하고, 상기 토출부의 제2노즐에서 상기 상부기판의 상기 제3개구에 상기 제3액적이 토출되도록 할 수 있다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 상부기판의 제1개구, 제2개구 및 제3개구에 산란체를 포함하는 제3액적을 토출하는 단계와, 상기 상부기판의 상기 제1개구에 양자점을 포함하는 제1액적을 토출하는 단계와, 상기 상부기판의 상기 제2개구에 양자점을 포함하는 제2액적을 토출하는 단계를 포함하는, 표시 장치의 제조방법이 제공된다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 상부기판의 제1개구에 양자점을 포함하는 제1액적을 토출하는 단계와, 상기 상부기판의 상기 제1개구, 제2개구 및 제3개구에 산란체를 포함하는 제3액적을 토출하는 단계와, 상기 상부기판의 상기 제2개구에 양자점을 포함하는 제2액적을 토출하는 단계를 포함하는, 표시 장치의 제조방법이 제공된다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 상부기판과,
제1발광소자 내지 제3발광소자가 배치되며, 상기 상부기판의 하부에 위치하는, 하부기판과, 상기 상부기판과 상기 하부기판 사이에 배치되고, 상기 제1발광소자 내지 상기 제3발광소자에 대응하는 제1개구 내지 제3개구를 포함하는, 뱅크와, 상기 제1개구 내에 위치하고 제1산란체를 포함하되, 상기 제1개구 내에서의 위치에 따라 단위 부피당 제1산란체의 개수가 상이한, 제1수지층과, 상기 제2개구 내에 위치하고 제2산란체를 포함하되, 상기 제2개구 내에서의 위치에 따라 단위 부피당 제2산란체의 개수가 상이한, 제2수지층과, 상기 제3개구 내에 위치하고 제3산란체를 포함하되, 단위 부피당 제3산란체의 개수가 일정한, 제3수지층을 구비하는, 표시 장치가 제공된다.
상기 제1산란체, 상기 제2산란체 및 상기 제3산란체는 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1수지층에서의 단위 부피당 제1산란체의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 감소하고, 상기 제2수지층에서의 단위 부피당 제2산란체의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 감소할 수 있다.
상기 제1수지층의 상기 하부기판 방향의 제1-1부분에서의 단위 부피당 제1산란체의 개수는, 상기 제1수지층의 상기 상부기판 방향의 제1-2부분에서의 단위 부피당 제1산란체의 개수보다 더 많고, 상기 제2수지층의 상기 하부기판 방향의 제2-1부분에서의 단위 부피당 제2산란체의 개수는, 상기 제2수지층의 상기 상부기판 방향의 제2-2부분에서의 단위 부피당 제2산란체의 개수보다 더 많을 수 있다.
상기 제1수지층의 상기 제1-1부분과 상기 제1-2부분 사이의 제1-3부분에서의 단위 부피당 제1산란체의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 감소하고, 상기 제2수지층의 상기 제2-1부분과 상기 제2-2부분 사이의 제2-3부분에서의 단위 부피당 제1산란체의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 감소할 수 있다.
상기 제1수지층에서의 단위 부피당 제1산란체의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 증가하고, 상기 제2수지층에서의 단위 부피당 제2산란체의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 증가할 수 있다.
상기 제1수지층의 상기 하부기판 방향의 제1-1부분에서의 단위 부피당 제1산란체의 개수는, 상기 제1수지층의 상기 상부기판 방향의 제1-2부분에서의 단위 부피당 제1산란체의 개수보다 더 적고, 상기 제2수지층의 상기 하부기판 방향의 제2-1부분에서의 단위 부피당 제2산란체의 개수는, 상기 제1수지층의 상기 상부기판 방향의 제2-2부분에서의 단위 부피당 제2산란체의 개수보다 더 적을 수 있다.
상기 제1수지층의 상기 제1-1부분과 상기 제1-2부분 사이의 제1-3부분에서의 단위 부피당 제1산란체의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 증가하고, 상기 제2수지층의 상기 제2-1부분과 상기 제2-2부분 사이의 제2-3부분에서의 단위 부피당 제2산란체의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 증가할 수 있다.
상기 제1수지층은 제1양자점을 더 포함하고, 상기 제2수지층은 제2양자점을 더 포함할 수 있다.
상기 제1수지층에서의 단위 부피당 제1양자점의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 증가하고, 상기 제2수지층에서의 단위 부피당 제2양자점의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 증가할 수 있다.
상기 제1수지층의 상기 하부기판 방향의 제1-1부분에서의 단위 부피당 제1양자점의 개수는, 상기 제1수지층의 상기 상부기판 방향의 제1-2부분에서의 단위 부피당 제1양자점의 개수보다 더 적고, 상기 제2수지층의 상기 하부기판 방향의 제2-1부분에서의 단위 부피당 제2양자점의 개수는, 상기 제2수지층의 상기 상부기판 방향의 제2-2부분에서의 단위 부피당 제2양자점의 개수보다 더 적을 수 있다.
상기 제1수지층의 상기 제1-1부분과 상기 제1-2부분 사이의 제1-3부분에서의 단위 부피당 제1양자점의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 증가하고, 상기 제2수지층의 상기 제2-1부분과 상기 제2-2부분 사이의 제2-3부분에서의 단위 부피당 제2양자점의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 증가할 수 있다.
상기 제1수지층에서의 단위 부피당 제1양자점의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 감소하고, 상기 제2수지층에서의 단위 부피당 제2양자점의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 감소할 수 있다.
상기 제1수지층의 상기 하부기판 방향의 제1-1부분에서의 단위 부피당 제1양자점의 개수는, 상기 제1수지층의 상기 상부기판 방향의 제1-2부분에서의 단위 부피당 제1양자점의 개수보다 더 많고, 상기 제2수지층의 상기 하부기판 방향의 제2-1부분에서의 단위 부피당 제2양자점의 개수는, 상기 제2수지층의 상기 상부기판 방향의 제2-2부분에서의 단위 부피당 제2양자점의 개수보다 더 많을 수 있다.
상기 제1수지층의 상기 제1-1부분과 상기 제1-2부분 사이의 제1-3부분에서의 단위 부피당 제1양자점의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 감소하고, 상기 제2수지층의 상기 제2-1부분과 상기 제2-2부분 사이의 제2-3부분에서의 단위 부피당 제2양자점의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 감소할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제조과정에서 불량 발생 가능성을 낮출 수 있는 표시 장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 I-I'선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 도 2의 제1수지층을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4는 도 2의 제2수지층을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 5는 도 2의 제3수지층을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 I-I'선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 도 2의 제1수지층을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4는 도 2의 제2수지층을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 5는 도 2의 제3수지층을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서 층, 막, 영역, 판 등의 각종 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 구성요소 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 사이에 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
본 명세서에서 "A 및/또는 B"은 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다. 그리고, "A 및 B 중 적어도 하나"는 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)의 일부를 개략적으로 도시하는 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 표시 장치(1)의 I-I'선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1)는 표시영역(DA) 및 표시영역(DA)을 둘러싸는 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 장치(1)는 표시영역(DA)에 2차원적으로 배열된 복수의 화소들의 어레이를 통해 이미지를 제공할 수 있다.
표시 장치(1)의 각 화소는 소정의 색상의 빛을 방출할 수 있는 영역으로, 표시 장치는 화소들에서 방출되는 빛을 이용하여 이미지를 제공할 수 있다. 예컨대, 각 화소는 적색, 녹색, 또는 청색의 빛을 방출할 수 있다.
비표시영역(NDA)은 이미지를 제공하지 않는 영역으로서, 표시영역(DA)을 전체적으로 둘러쌀 수 있다. 비표시영역(NDA)에는 화소회로들에 전기적 신호나 전원을 제공하기 위한 드라이버 또는 메인전원라인이 배치될 수 있다. 비표시영역(NDA)에는 전자소자나 인쇄회로기판이 전기적으로 연결될 수 있는 영역인 패드가 포함할 수 있다.
표시영역(DA)은 도 1에 도시된 바와 같이 사각형을 포함한 다각형의 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 표시영역(DA)은 가로의 길이가 세로의 길이 보다 큰 직사각형의 형상을 갖거나, 가로의 길이가 세로의 길이 보다 작은 직사각형의 형상을 갖거나, 정사각형의 형상을 가질 수 있다. 또는, 표시영역(DA)은 타원 또는 원형과 같이 다양한 형상을 가질 수 있다.
표시 장치(1)는 두께 방향(예컨대, z 방향)으로 적층된 발광 패널(10) 및 칼라 패널(20)을 포함할 수 있다. 발광 패널(10)에서 방출된 광(예컨대, 청색광(Lb))은 칼라 패널(20)을 통과하면서 적색광(Lr), 녹색광(Lg), 및 청색광(Lb)으로 변환되거나 투과될 수 있다.
도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1)는 하부기판(100), 하부기판(100) 상에 배치되는 제1화소전극(311), 제2화소전극(321) 및 제3화소전극(331), 화소정의막(150), 상부기판(400) 및 뱅크(500)를 구비한다.
하부기판(100)은 글라스, 금속 또는 고분자 수지를 포함할 수 있다. 하부기판(100)은 예컨대 폴리에테르술폰(polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르 이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate) 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate)와 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다. 물론 하부기판(100)은 각각 이와 같은 고분자 수지를 포함하는 두 개의 층들과 그 층들 사이에 개재된 (실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 등의) 무기물을 포함하는 배리어층을 포함하는 다층구조를 가질 수도 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
하부기판(100) 상에는 제1화소전극(311), 제2화소전극(321) 및 제3화소전극(331)이 위치한다. 물론 하부기판(100) 상에는 제1화소전극(311), 제2화소전극(321) 및 제3화소전극(331) 외에도 이들에 전기적으로 연결되는 제1박막트랜지스터(210), 제2박막트랜지스터(220) 및 제3박막트랜지스터(230)도 위치할 수 있다. 즉, 도 2에 도시된 것과 같이 제1화소전극(311)이 제1박막트랜지스터(210)에 전기적으로 연결되고, 제2화소전극(321)이 제2박막트랜지스터(220)에 전기적으로 연결되며, 제3화소전극(331)이 제3박막트랜지스터(230)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1화소전극(311), 제2화소전극(321) 및 제3화소전극(331)은 하부기판(100) 상에 위치하는 후술하는 평탄화층(140) 상에 위치할 수 있다.
제1박막트랜지스터(210)는 비정질실리콘, 다결정실리콘, 유기반도체물질 또는 산화물반도체물질을 포함하는 제1반도체층(211), 제1게이트전극(213), 제1소스전극(215a) 및 제1드레인전극(215b)을 포함할 수 있다. 제1게이트전극(213)은 다양한 도전성 물질을 포함하며 다양한 층상구조를 가질 수 있는데, 예컨대 Mo층과 Al층을 포함할 수 있다. 이 경우 제1게이트전극(213)은 Mo/Al/Mo의 층상구조를 가질 수 있다. 또는 제1게이트전극(213)은 TiNx층, Al층 및/또는 Ti층을 포함할 수도 있다. 제1소스전극(215a)과 제1드레인전극(215b) 역시 다양한 도전성 물질을 포함하며 다양한 층상구조를 가질 수 있는데, 예컨대 Ti층, Al층 및/또는 Cu층을 포함할 수 있다. 이 경우 제1소스전극(215a)과 제1드레인전극(215b)은 Ti/Al/Ti의 층상구조를 가질 수 있다.
제1반도체층(211)과 제1게이트전극(213)과의 절연성을 확보하기 위해, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등의 무기물을 포함하는 게이트절연막(121)이 제1반도체층(211)과 제1게이트전극(213) 사이에 개재될 수 있다. 아울러 제1게이트전극(213)의 상부에는 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등의 무기물을 포함하는 층간절연막(131)이 배치될 수 있으며, 제1소스전극(215a) 및 제1드레인전극(215b)은 그러한 층간절연막(131) 상에 배치될 수 있다. 이와 같이 무기물을 포함하는 절연막은 CVD(chemical vapor deposition) 또는 ALD(atomic layer deposition)를 통해 형성될 수 있다. 이는 후술하는 실시예들 및 그 변형예들에 있어서도 마찬가지이다.
이러한 구조의 제1박막트랜지스터(210)와 하부기판(100) 사이에는 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등과 같은 무기물을 포함하는 버퍼층(110)이 개재될 수 있다. 이러한 버퍼층(110)은 하부기판(100)의 상면의 평활성을 높이거나 하부기판(100) 등으로부터의 불순물이 제1박막트랜지스터(210)의 제1반도체층(211)으로 침투하는 것을 방지하거나 최소화하는 역할을 할 수 있다.
제2화소(PX2)에 위치하는 제2박막트랜지스터(220)는 제1반도체층(221), 제2게이트전극(223), 제2소스전극(225a) 및 제2드레인전극(225b)을 포함할 수 있다. 제3화소(PX3)에 위치하는 제3박막트랜지스터(230)는 제3반도체층(231), 제3게이트전극(233), 제3소스전극(235a) 및 제3드레인전극(235b)을 포함할 수 있다. 제2박막트랜지스터(220)의 구조와 제3박막트랜지스터(230)의 구조는 제1화소(PX1)에 위치하는 제1박막트랜지스터(210)의 구조와 동일하거나 유사하므로, 이에 대한 설명은 생략한다.
그리고 제1박막트랜지스터(210) 상에는 평탄화층(140)이 배치될 수 있다. 예컨대 도 2에 도시된 것과 같이 제1박막트랜지스터(210) 상부에 제1화소전극(311)을 포함하는 제1발광소자(OLED1)가 배치될 경우, 평탄화층(140)은 제1박막트랜지스터(210)를 덮는 보호막 상부를 대체로 평탄화하는 역할을 할 수 있다. 이러한 평탄화층(140)은 예컨대 아크릴, BCB(Benzocyclobutene) 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기물을 포함할 수 있다. 도 2에서는 평탄화층(140)이 단층으로 도시되어 있으나, 다층일 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
제1화소(PX1)에는 제1화소전극(311), 대향전극(305) 및 그 사이에 개재되며 발광층을 포함하는 중간층(303)을 갖는 제1발광소자(OLED1)가 위치할 수 있다. 제1화소전극(311)은 도 1에 도시된 것과 같이 평탄화층(140) 등에 형성된 컨택홀을 통해 제1소스전극(215a) 및 제1드레인전극(215b) 중 어느 하나와 컨택하여 제1박막트랜지스터(210)와 전기적으로 연결된다. 제1화소전극(311)은 ITO, In2O3 또는 IZO 등의 투광성인 도전성 산화물로 형성된 투광성 도전층과, Al 또는 Ag 등과 같은 금속으로 형성된 반사층을 포함한다. 예컨대 제1화소전극(311)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있다.
제2화소(PX2)에는 제2화소전극(321), 대향전극(305) 및 그 사이에 개재되며 발광층을 포함하는 중간층(303)을 갖는 제2발광소자(OLED2)가 위치할 수 있다. 그리고 제3화소(PX3)에는 제3화소전극(331), 대향전극(305) 및 그 사이에 개재되며 발광층을 포함하는 중간층(303)을 갖는 제3발광소자(OLED3)가 위치할 수 있다. 제2화소전극(321)은 평탄화층(140) 등에 형성된 컨택홀을 통해 제2소스전극(225a) 및 제2드레인전극(225b) 중 어느 하나와 컨택하여 제2박막트랜지스터(220)와 전기적으로 연결된다. 제3화소전극(331)은 평탄화층(140) 등에 형성된 컨택홀을 통해 제3소스전극(235a) 및 제3드레인전극(235b) 중 어느 하나와 컨택하여 제3박막트랜지스터(230)와 전기적으로 연결된다. 제2화소전극(321) 및 제3화소전극(331)에는 전술한 제1화소전극(311)에 대한 설명이 적용될 수 있다.
상술한 것과 같이, 발광층을 포함하는 중간층(303)은 제1화소(PX1)의 제1화소전극(311) 뿐만 아니라 제2화소(PX2)의 제2화소전극(321) 및 제3화소(PX3)의 제3화소전극(331) 상에도 위치할 수 있다. 이러한 중간층(303)은 제1화소전극(311), 제2화소전극(321) 및 제3화소전극(331)에 걸쳐 일체(一體)인 형상을 가질 수 있다. 물론 필요에 따라 중간층(303)은 제1화소전극(311), 제2화소전극(321) 및 제3화소전극(331) 상에 패터닝되어 위치할 수도 있다. 중간층(303)은 발광층 외에도 필요에 따라 정공주입층, 정공수송층 및/또는 전자수송층 등도 포함할 수 있는데, 이러한 중간층(303)이 포함하는 층들 중 일부는 제1화소전극(311) 내지 제3화소전극(331)에 걸쳐 일체인 형상을 갖고, 다른 층은 제1화소전극(311), 제2화소전극(321) 및 제3화소전극(331) 상에 패터닝되어 위치할 수도 있다.
중간층(303) 상의 대향전극(305) 역시 제1화소전극(311) 내지 제3화소전극(331)에 걸쳐 일체인 형상을 가질 수 있다. 대향전극(305)은 ITO, In2O3 또는 IZO으로 형성된 투광성 도전층을 포함할 수 있고, 또한 Al, Li, Mg, Yb 또는 Ag 등과 같은 금속을 포함하는 반투과막을 포함할 수 있다. 예컨대 대향전극(305)은 MgAg, AgYb, Yb/MgAg 또는 Li/MgAg를 포함하는 반투과막일 수 있다.
평탄화층(140) 상부에는 화소정의막(150)이 배치될 수 있다. 이 화소정의막(150)은 각 화소들에 대응하는 개구를 갖는다. 즉, 화소정의막(150)은 제1화소전극(311), 제2화소전극(321) 및 제3화소전극(331) 각각의 가장자리를 덮으며, 제1화소전극(311)의 중앙부를 노출시키는 개구, 제2화소전극(321)의 중앙부를 노출시키는 개구 및 제3화소전극(331)의 중앙부를 노출시키는 개구를 갖는다. 이처럼 화소정의막(150)은 화소를 정의하는 역할을 할 수 있다. 제1발광소자(OLED1)는 제1화소전극(311)을 포함하므로 화소정의막(150)은 제1발광소자(OLED1)를 정의하는 역할을 할 수 있다. 이는 제2발광소자(OLED2) 및 제3발광소자(OLED3)에 있어서도 마찬가지이다. 즉, 화소정의막(120)의 개구들에 의해 제1발광소자(OLED1)의 발광영역, 제2발광소자(OLED2)의 발광영역 및 제3발광소자(OLED3)의 발광영역이 노출된다.
또한, 도 2에 도시된 것과 같이, 화소정의막(150)은 제1화소전극(311), 제2화소전극(321) 및 제3화소전극(331) 각각의 가장자리와 대향전극(305)과의 거리를 증가시킴으로써, 제1화소전극(311), 제2화소전극(321) 및 제3화소전극(331)의 가장자리에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 한다. 이와 같은 화소정의막(150)은 예컨대 폴리이미드 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기물을 포함할 수 있다.
도시되지는 않았으나, 화소정의막(120) 상에는 스페이서가 배치될 수 있다. 스페이서는 폴리이미드와 같은 유기 절연물을 포함하거나, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등의 무기절연물을 포함하거나, 유기절연물 및 무기절연물을 포함할 수 있다. 또한, 스페이서는 화소정의막(120)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 화소정의막(120)과 스페이서는 하프 톤 마스크 등을 이용한 마스크 공정에서 함께 형성될 수 있다. 스페이서와 화소정의막(120)은 다른 물질을 포함할 수도 있다.
중간층(303)이 포함하는 발광층은 제1파장대역에 속하는 파장의 광을 방출할 수 있다. 제1파장대역은 예컨대 450nm 내지 495nm일 수 있다.
상부기판(400)은 하부기판(100) 상부에 위치하여, 제1화소전극(311), 제2화소전극(321) 및 제3화소전극(331) 등이 상부기판(400)과 하부기판(100) 사이에 개재되도록 한다. 상부기판(400)은 글래스 또는 고분자 수지를 포함할 수 있다. 상부기판(400)은 예컨대 폴리에테르술폰(polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르 이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate) 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate)와 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다. 물론 상부기판(400)은 각각 이와 같은 고분자 수지를 포함하는 두 개의 층들과 그 층들 사이에 개재된 (실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 등의) 무기물을 포함하는 배리어층을 포함하는 다층구조를 가질 수도 있는 등, 다양한 변형이 가능하다. 이러한 상부기판(400)은 플렉서블 또는 벤더블 특성을 가질 수 있다.
상부기판(400)의 하부기판(100) 방향(-z 방향)의 하면(400b) 상에는 뱅크(500)가 위치한다. 즉, 뱅크(500)는 상부기판(400)과 하부기판(100) 사이에 위치한다. 뱅크(500)는 제1개구(501), 제2개구(502) 및 제3개구(503)를 포함한다.
뱅크(500)의 제1개구(501)는 제1발광소자(OLED1)에 대응하고, 뱅크(500)의 제2개구(502)는 제2발광소자(OLED2)에 대응하며, 뱅크(500)의 제3개구(503)는 제3발광소자(OLED3)에 대응한다. 즉, 상부기판(400)의 상면(400a)에 수직인 방향(z축 방향)에서 바라볼 시, 뱅크(500)의 제1개구(501)는 제1발광소자(OLED1)와 중첩하고, 뱅크(500)의 제2개구(502)는 제2발광소자(OLED2)와 중첩하며, 뱅크(500)의 제3개구(503)는 제3발광소자(OLED3)와 중첩한다. 이에 따라 상부기판(400)의 상면(400a)에 수직인 방향(z축 방향)에서 바라볼 시, 뱅크(500)의 제1개구(501) 내지 제3개구(503) 각각의 가장자리의 형상은, 제1발광소자(OLED1) 내지 제3발광소자(OLED3)의 가장자리의 형상과 동일하거나 유사할 수 있다. 이에 따라 뱅크(500)의 제1개구(501)는 제1발광소자(OLED1)에 대응하고, 뱅크(500)의 제2개구(502)는 제1발광소자(OLED1)에 대응하며, 뱅크(500)의 제3개구(503)는 제3화소전극(331)에 대응한다.
뱅크(500)는 다양한 물질로 형성될 수 있는데, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등의 무기물로 형성될 수 있다. 필요에 따라서는 뱅크(500)는 포토리지스트 물질을 포함할 수도 있는데, 이를 통해 노광 및 현상 등의 과정을 거쳐 용이하게 뱅크(500)를 형성할 수 있다.
뱅크(500)의 제1개구(501) 내에는 제1수지층(415)이 위치할 수 있고, 뱅크(500)의 제2개구(502) 내에는 제2수지층(425)이 위치할 수 있으며, 뱅크(500)의 제3개구(503) 내에는 제3수지층(435)이 위치할 수 있다. 상부기판(400)의 상면(400a)에 수직인 방향(z축 방향)에서 바라볼 시, 제1수지층(415)은 제1발광소자(OLED1)와 중첩할 수 있고, 제2수지층(425)은 제2발광소자(OLED2)와 중첩할 수 있으며, 제3수지층(435)은 제3발광소자(OLED3)와 중첩할 수 있다.
상부기판(400)의 하부기판(100) 방향(-z 방향)의 하면(400b)과 제1수지층(415), 제2수지층(425) 및 제3수지층(435) 사이에는, 칼라필터층이 위치할 수 있다. 즉, 상부기판(400)과 제1수지층(415) 사이에는 제1칼라필터층(410)이 위치하고, 상부기판(400)과 제2수지층(425) 사이에는 제2칼라필터층(420)이 위치하며, 상부기판(400)과 제3수지층(435) 사이에는 제3칼라필터층(430)이 위치할 수 있다. 제1칼라필터층(410)은 630nm 내지 780nm에 속하는 파장의 광만을 통과시키는 층일 수 있다. 제2칼라필터층(420)은 495nm 내지 570nm에 속하는 파장의 광만을 통과시키는 층일 수 있다. 제3칼라필터층(430)은 450nm 내지 495nm에 속하는 파장의 광만을 통과시키는 층일 수 있다.
이러한 제1칼라필터층(410) 내지 제3칼라필터층(430)은 외부로 방출되는 광의 색순도를 높여 디스플레이되는 이미지의 품질을 높일 수 있다. 또한, 제1칼라필터층(410) 내지 제3칼라필터층(430)은 외부로부터 표시 장치(1)로 입사하는 외광이 제1화소전극(311) 내지 제3화소전극(331)에서 반사된 후 다시 외부로 방출되는 비율을 낮춤으로써, 외광반사를 줄이는 역할을 할 수 있다. 제1칼라필터층(410) 내지 제3칼라필터층(430) 사이에는 필요에 따라 블랙매트릭스가 위치할 수 있다.
제2칼라필터층(420)은 도 2에 도시된 것과 같이 제1부분(P1)을 노출시키는 개구(421)를 갖는다. 개구(421)는 제1화소(PX1)의 영역을 정의하는 역할을 할 수 있다. 제1칼라필터층(410)은 적어도 이러한 개구(421)를 채운다. 또한 제2칼라필터층(420)은 도 2에 도시된 것과 같이 제3부분(P3)을 노출시키는 개구(423)를 갖는다. 개구(423)는 제3화소(PX3)의 영역을 정의하는 역할을 할 수 있다. 제3칼라필터층(430)은 적어도 이러한 개구(423)를 채운다. 한편, 제1칼라필터층(410)의 제2개구(502)방향의 끝단과 제3칼라필터층(430)의 제2개구(502) 방향의 끝단은 제2부분(P2)을 노출시키는 개구(422)를 정의한다. 개구(422)는 제2화소(PX2)의 영역을 정의하는 역할을 할 수 있다.
한편, 제1칼라필터층(410)과 제2칼라필터층(420)이 중첩된 부분, 제3칼라필터층(430)과 제2칼라필터층(420)이 중첩된 부분, 그리고 제1칼라필터층(410)과 제3칼라필터층(430)이 중첩된 부분은, 블랙매트릭스와 같은 역할을 할 수 있다. 예컨대 제1칼라필터층(410)은 630nm 내지 780nm에 속하는 파장의 광만을 통과시키고 제2칼라필터층(420)은 495nm 내지 570nm에 속하는 파장의 광만을 통과시킨다면, 제1칼라필터층(410)과 제2칼라필터층(420)이 중첩된 부분에서는 제1칼라필터층(410)과 제2칼라필터층(420)을 모두 통과할 수 있는 광이 이론상으로 존재하지 않기 때문이다.
한편, 충진재가 상부기판(400)과 하부기판(100)의 사이를 채울 수 있다. 예컨대 도 2에 도시된 것과 같은 표시 장치(1)의 경우 충진재가 보호층(600)과 대향전극(305)의 사이를 채울 수 있다. 그러한 충진재는 투광성인 물질을 포함할 수 있다. 예컨대 충진재는 아크릴계 수지 또는 에폭시계 수지를 포함할 수 있다.
도 3은 도 2의 제1수지층(415)을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 3에 도시된 것과 같이, 제1수지층(415)은 제1수지(416), 제1산란체(417) 및 제1양자점(418)을 포함할 수 있다. 제1수지층(415)은 하부기판(100) 방향의 제1-1부분(415a), 상부기판(400) 방향의 제1-2부분(415b) 및 제1-1부분(415a)과 제1-2부분(415b) 사이의 제1-3부분(415c)을 포함할 수 있다.
제1수지(416)는 산란체에 대한 분산 특성이 우수하면서도 투광성인 물질이라면 어떤 것이든 사용 가능하다. 예컨대, 아크릴계 수지, 이미드계 수지, 에폭시계 수지, BCB(Benzocyclobutene) 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane)와 같은 고분자 수지를 제1수지층(415) 형성용 물질로 이용할 수 있다. 이러한 제1수지층(415) 형성용 물질은 잉크젯 프린팅법을 통해, 제1화소전극(311)과 중첩하는 뱅크(500)의 제1개구(501) 내에 위치할 수 있다.
제1산란체(417)는 제1수지층(415)에 입사한 입사광이 산란되도록 하며, 산란된 입사광의 파장은 제1수지층(415) 내에서 제1양자점(418)에 의해 변환될 수 있다. 제1산란체(417)는 산란체와 투광성 수지 사이에 광학 계면을 형성하여 투과광을 부분적으로 산란시킬 수 있는 재료이면 특별히 제한되지 않는다. 예컨대 금속 산화물 입자 또는 유기 입자일 수 있으며, 산란체용 금속 산화물로는 산화 티타늄(TiO2), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 아연(ZnO) 또는 산화 주석(SnO2) 등을 들 수 있고, 산란체용 유기물로는 아크릴계 수지 또는 우레탄계 수지 등을 들 수 있다. 제1산란체(417)는 제1수지층(415)에 입사한 입사광의 파장을 실질적으로 변환시키지 않으면서 입사각과 무관하게 여러 방향으로 광을 산란시킬 수 있다. 이를 통해 제1산란체(417)는 표시 장치(1)의 측면 시인성을 향상시킬 수 있다. 또한 제1산란체(417)는 제1수지층(415)에 입사한 입사광이 제1양자점(418)과 만날 확률을 높임으로써 광변환효율을 높일 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 제1수지층(415)에서의 단위 부피당 제1산란체(417)의 개수는 제1개구(501) 내에서의 위치에 따라 상이할 수 있다. 예컨대 제1수지층(415)에서의 단위 부피당 제1산란체(417)의 개수는, 하부기판(100)에서 상부기판(400) 방향으로 갈수록 감소할 수 있다. 구체적으로, 하부기판(100)과 상부기판(400) 중 하부기판(100)에 인접한 제1-1부분(415a)에서의 단위 부피당 제1산란체(417)의 개수는, 하부기판(100)과 상부기판(400) 중 상부기판(400)에 인접한 제1-2부분(415b)에서의 단위 부피당 제1산란체(417)의 개수보다 더 많을 수 있다. 또한, 제1-1부분(415a)과 제1-2부분(415b) 사이의 제1-3부분(415c)에서의 단위 부피당 제1산란체(417)의 개수는, 하부기판(100)에서 상부기판(400) 방향으로 갈수록 감소할 수 있다.
제1수지층(415)에서의 단위 부피당 제1산란체(417)의 개수가 하부기판(100)에서 상부기판(400) 방향으로 갈수록 감소하는 경우, 상대적으로 많은 수의 제1산란체(417)가 제1수지층(415)의 하부기판(100) 방향의 부분에 위치한다. 제1수지층(415)에 입사한 입사광이 제1양자점(418)에 의해 파장이 변환되기 전에 제1산란체(417)에 의해 충분히 산란되도록 할 수 있다. 입사광이 충분히 산란됨에 따라, 산란된 광이 제1수지층(415) 내의 제1양자점(418)과 만날 확률이 높아지므로, 제1수지층(415)에 입사한 입사광은 효율적으로 파장이 변환될 수 있다.
예컨대 제1수지층(415)에서의 단위 부피당 제1산란체(417)의 개수는, 하부기판(100)에서 상부기판(400) 방향으로 갈수록 증가할 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 제1-1부분(415a)에서의 단위 부피당 제1산란체(417)의 개수는, 제1-2부분(415b)에서의 단위 부피당 제1산란체(417)의 개수보다 더 적을 수 있다. 또한, 제1-3부분(415c)에서의 단위 부피당 제1산란체(417)의 개수는, 하부기판(100)에서 상부기판(400) 방향으로 갈수록 증가할 수 있다.
제1수지층(415)에서의 단위 부피당 제1산란체(417)의 개수가 하부기판(100)에서 상부기판(400) 방향으로 갈수록 증가하는 경우, 상대적으로 많은 수의 제1산란체(417)가 제1수지층(415)의 상부기판(400) 방향의 부분에 위치한다. 입사광이 제1양자점(418)에 의해 파장이 변환된 후 제1수지층(415)에서 취출되기 직전에 제1산란체(417)에 의해 산란되므로, 많은 양의 광이 표시 장치(1)의 측면 방향으로도 진행되도록 할 수 있다. 따라서, 표시 장치(1)의 측면 시인성을 향상시킬 수 있다.
제1양자점(418)은 제1수지층(415)을 통과하는 제1파장대역에 속하는 파장의 광을 제2파장대역에 속하는 파장의 광으로 변환시킬 수 있다. 예컨대 제1파장대역은 예컨대 450nm 내지 495nm일 수 있고, 제2파장대역은 630nm 내지 780nm일 수 있다. 즉, 제1양자점(418)은 입사되는 청색광(Lb)을 적색광(Lr)으로 변환시킬 수 있다. 물론 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제1수지층(415)이 변환시키는 대상인 파장이 속하는 파장대역과 변환 후의 파장이 속하는 파장대역은 이와 달리 변형될 수 있다. 제1양자점(418)에 대한 구체적인 내용은 후술한다.
일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 제1수지층(415)에서의 단위 부피당 제1양자점(418)의 개수는 제1개구(501) 내에서의 위치에 따라 상이할 수 있다. 예컨대 제1수지층(415)에서의 단위 부피당 제1양자점(418)의 개수는, 하부기판(100)에서 상부기판(400) 방향으로 갈수록 증가할 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 제1-1부분(415a)에서의 단위 부피당 제1양자점(418)의 개수는, 제1-2부분(415b)에서의 단위 부피당 제1양자점(418)의 개수보다 더 적을 수 있다. 또한, 제1-3부분(415c)에서의 단위 부피당 제1양자점(418)의 개수는, 하부기판(100)에서 상부기판(400) 방향으로 갈수록 증가할 수 있다.
제1수지층(415)에서의 단위 부피당 제1양자점(418)의 개수가 하부기판(100)에서 상부기판(400) 방향으로 갈수록 증가하는 경우, 상대적으로 많은 수의 제1양자점(418)이 제1수지층(415)의 상부기판(400) 방향의 부분에 위치한다. 또한, 상대적으로 많은 수의 제1산란체(417)가 제1수지층(415)의 하부기판(100) 방향의 부분에 위치한다. 제1수지층(415)에 입사한 입사광이 제1산란체(417)에 의해 충분히 산란된 후에 제1양자점(418)에 의해 파장이 변환되도록 할 수 있다. 입사광이 충분히 산란됨에 따라, 산란된 광이 제1수지층(415) 내의 제1양자점(418)과 만날 확률이 높아지므로, 제1수지층(415)에 입사한 입사광은 효율적으로 파장이 변환될 수 있다.
예컨대 제1수지층(415)에서의 단위 부피당 제1양자점(418)의 개수는, 하부기판(100)에서 상부기판(400) 방향으로 갈수록 감소할 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 제1-1부분(415a)에서의 단위 부피당 제1양자점(418)의 개수는, 제1-2부분(415b)에서의 단위 부피당 제1양자점(418)의 개수보다 더 많을 수 있다. 또한, 제1-3부분(415c)에서의 단위 부피당 제1양자점(418)의 개수는, 하부기판(100)에서 상부기판(400) 방향으로 갈수록 감소할 수 있다.
제1수지층(415)에서의 단위 부피당 제1양자점(418)의 개수가 하부기판(100)에서 상부기판(400) 방향으로 갈수록 감소하는 경우, 상대적으로 많은 수의 제1양자점(418)이 제1수지층(415)의 하부기판(100) 방향의 부분에 위치한다. 또한, 상대적으로 많은 수의 제1산란체(417)가 제1수지층(315)의 상부기판(400) 방향의 부분에 위치한다. 입사광이 제1양자점(418)에 의해 파장이 변환된 후 제1수지층(415)에서 취출되기 직전에 제1산란체(417)에 의해 산란되므로, 많은 양의 광이 표시 장치(1)의 측면 방향으로도 진행되도록 할 수 있다. 따라서, 표시 장치(1)의 측면 시인성을 향상시킬 수 있다.
도 4는 도 2의 제2수지층(425)을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 4에 도시된 것과 같이, 제2수지층(425)은 제2수지(426), 제2산란체(427) 및 제2양자점(428)을 포함할 수 있다. 제2수지층(425)은 하부기판(100) 방향의 제2-1부분(425a), 상부기판(400) 방향의 제2-2부분(425b) 및 제2-1부분(425a)과 제2-2부분(425b) 사이의 제2-3부분(425c)을 포함할 수 있다.
제2수지(426)는 산란체에 대한 분산 특성이 우수하면서도 투광성인 물질이라면 어떤 것이든 사용 가능하다. 예컨대, 아크릴계 수지, 이미드계 수지, 에폭시계 수지, BCB(Benzocyclobutene) 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane)와 같은 고분자 수지를 제2수지층(425) 형성용 물질로 이용할 수 있다. 이러한 제2수지층(425) 형성용 물질은 잉크젯 프린팅법을 통해, 제2발광소자(OLED2)와 중첩하는 뱅크(500)의 제2개구(502) 내에 위치할 수 있다.
제2산란체(427)는 제2수지층(425)에 입사한 입사광이 산란되도록 하며, 산란된 입사광의 파장은 제2수지층(425) 내에서 제2양자점(428)에 의해 변환될 수 있다. 제2산란체(427)는 산란체와 투광성 수지 사이에 광학 계면을 형성하여 투과광을 부분적으로 산란시킬 수 있는 재료이면 특별히 제한되지 않는데, 예컨대 금속 산화물 입자 또는 유기 입자일 수 있다. 산란체용 금속 산화물이나 산란체용 유기물에 대해서는 전술한 바와 같다. 제2산란체(427)는 제2수지층(425)에 입사한 입사광의 파장을 실질적으로 변환시키지 않으면서 입사각과 무관하게 여러 방향으로 광을 산란시킬 수 있다. 이를 통해 제2산란체(427)는 표시 장치(1)의 측면 시인성을 향상시킬 수 있다. 또한 제2산란체(427)는 제2수지층(425)에 입사한 입사광이 제2양자점(428)과 만날 확률을 높임으로써 광변환효율을 높일 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 제2수지층(425)에서의 단위 부피당 제2산란체(427)의 개수는 제2개구(502) 내에서의 위치에 따라 상이할 수 있다. 예컨대 제2수지층(425)에서의 단위 부피당 제2산란체(427)의 개수는, 하부기판(100)에서 상부기판(400) 방향으로 갈수록 감소할 수 있다. 구체적으로, 하부기판(100)과 상부기판(400) 중 하부기판(100)에 인접한 제2-1부분(425a)에서의 단위 부피당 제2산란체(427)의 개수는, 하부기판(100)과 상부기판(400) 중 상부기판(400)에 인접한 제2-2부분(425b)에서의 단위 부피당 제2산란체(427)의 개수보다 더 많을 수 있다. 또한, 제2-1부분(425a)과 제2-2부분(425b) 사이의 제2-3부분(425c)에서의 단위 부피당 제2산란체(427)의 개수는, 하부기판(100)에서 상부기판(400) 방향으로 갈수록 감소할 수 있다.
제2수지층(425)에서의 단위 부피당 제2산란체(427)의 개수가 하부기판(100)에서 상부기판(400) 방향으로 갈수록 감소하는 경우, 상대적으로 많은 수의 제2산란체(427)가 제2수지층(425)의 하부기판(100) 방향의 부분에 위치한다. 제2수지층(425)에 입사한 입사광이 제2양자점(428)에 의해 파장이 변환되기 전에 제2산란체(427)에 의해 충분히 산란되도록 할 수 있다. 입사광이 충분히 산란됨에 따라, 산란된 광이 제2수지층(425) 내의 제2양자점(428)과 만날 확률이 높아지므로, 제2수지층(425)에 입사한 입사광은 효율적으로 파장이 변환될 수 있다.
예컨대 제2수지층(425)에서의 단위 부피당 제2산란체(427)의 개수는, 하부기판(100)에서 상부기판(400) 방향으로 갈수록 증가할 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 제2-1부분(425a)에서의 단위 부피당 제2산란체(427)의 개수는, 제2-2부분(425b)에서의 단위 부피당 제2산란체(427)의 개수보다 더 적을 수 있다. 또한, 제2-3부분(425c)에서의 단위 부피당 제2산란체(427)의 개수는, 하부기판(100)에서 상부기판(400) 방향으로 갈수록 증가할 수 있다.
제2수지층(425)에서의 단위 부피당 제2산란체(427)의 개수가 하부기판(100)에서 상부기판(400) 방향으로 갈수록 증가하는 경우, 상대적으로 많은 수의 제2산란체(427)가 제2수지층(425)의 상부기판(400) 방향의 부분에 위치한다. 입사광이 제2양자점(428)에 의해 파장이 변환된 후 제2수지층(425)에서 취출되기 직전에 제2산란체(427)에 의해 산란되므로, 많은 양의 광이 표시 장치(1)의 측면 방향으로도 진행되도록 할 수 있다. 따라서, 표시 장치(1)의 측면 시인성을 향상시킬 수 있다.
제2양자점(428)은 제2수지층(425)을 통과하는 제1파장대역에 속하는 파장의 광을 제3파장대역에 속하는 파장의 광으로 변환시킬 수 있다. 예컨대 제1파장대역은 예컨대 450nm 내지 495nm일 수 있고, 제3파장대역은 495nm 내지 570nm일 수 있다. 즉, 제2양자점(428)은 입사되는 청색광(Lb)을 녹색광(Lg)으로 변환시킬 수 있다. 물론 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제2수지층(425)이 변환시키는 대상인 파장이 속하는 파장대역과 변환 후의 파장이 속하는 파장대역은 이와 달리 변형될 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 제2수지층(425)에서의 단위 부피당 제2양자점(428)의 개수는 제2개구(502) 내에서의 위치에 따라 상이할 수 있다. 예컨대 제2수지층(425)에서의 단위 부피당 제2양자점(428)의 개수는, 하부기판(100)에서 상부기판(400) 방향으로 갈수록 증가할 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 제2-1부분(425a)에서의 단위 부피당 제2양자점(428)의 개수는, 제2-2부분(425b)에서의 단위 부피당 제2양자점(428)의 개수보다 더 적을 수 있다. 또한, 제2-3부분(425c)에서의 단위 부피당 제2양자점(428)의 개수는, 하부기판(100)에서 상부기판(400) 방향으로 갈수록 증가할 수 있다.
제2수지층(425)에서의 단위 부피당 제2양자점(428)의 개수가 하부기판(100)에서 상부기판(400) 방향으로 갈수록 증가하는 경우, 상대적으로 많은 수의 제2양자점(428)이 제2수지층(425)의 상부기판(400) 방향의 부분에 위치한다. 또한, 상대적으로 많은 수의 제2산란체(427)가 제2수지층(425)의 하부기판(100) 방향의 부분에 위치한다. 제2수지층(425)에 입사한 입사광이 제2산란체(427)에 의해 충분히 산란된 후에 제2양자점(428)에 의해 파장이 변환되도록 할 수 있다. 입사광이 충분히 산란됨에 따라, 산란된 광이 제2수지층(425) 내의 제2양자점(428)과 만날 확률이 높아지므로, 제2수지층(425)에 입사한 입사광은 효율적으로 파장이 변환될 수 있다.
예컨대 제2수지층(425)에서의 단위 부피당 제2양자점(428)의 개수는, 하부기판(100)에서 상부기판(400) 방향으로 갈수록 감소할 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 제2-1부분(425a)에서의 단위 부피당 제2양자점(428)의 개수는, 제2-2부분(425b)에서의 단위 부피당 제2양자점(428)의 개수보다 더 많을 수 있다. 또한, 제2-3부분(425c)에서의 단위 부피당 제2양자점(428)의 개수는, 하부기판(100)에서 상부기판(400) 방향으로 갈수록 감소할 수 있다.
제2수지층(425)에서의 단위 부피당 제2양자점(428)의 개수가 하부기판(100)에서 상부기판(400) 방향으로 갈수록 감소하는 경우, 상대적으로 많은 수의 제2양자점(428)이 제2수지층(425)의 하부기판(100) 방향의 부분에 위치한다. 또한, 상대적으로 많은 수의 제2산란체(427)가 제2수지층(325)의 상부기판(400) 방향의 부분에 위치한다. 입사광이 제2양자점(428)에 의해 파장이 변환된 후 제2수지층(425)에서 취출되기 직전에 제2산란체(427)에 의해 산란되므로, 많은 양의 광이 표시 장치(1)의 측면 방향으로도 진행되도록 할 수 있다. 따라서, 표시 장치(1)의 측면 시인성을 향상시킬 수 있다.
전술한 제1양자점(418)과 제2양자점(428)은 반도체 화합물의 결정을 의미하며, 결정의 크기에 따라 다양한 발광 파장의 광을 방출할 수 있는 임의의 물질을 포함할 수 있다. 이러한 제1양자점(418)과 제2양자점(428)의 직경은 예컨대 대략 1nm 내지 10nm일 수 있다. 이하에서는 제1양자점(418)과 제2양자점(428)이 포함할 수 있는 양자점에 대해 설명한다.
양자점은 습식 화학 공정, 유기 금속 화학 증착 공정, 분자선 에피택시 공정 또는 이와 유사한 공정 등에 의해 합성될 수 있다. 습식 화학 공정은 유기 용매와 전구체 물질을 혼합한 후 양자점 입자 결정을 성장시키는 방법이다. 습식 화학 공정의 경우 결정이 성장할 때 유기 용매가 자연스럽게 양자점 결정 표면에 배위된 분산제 역할을 하고 결정의 성장을 조절하기 때문에, 유기 금속 화학 증착(MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition)이나 분자선 에피택시(MBE, Molecular Beam Epitaxy) 등의 기상 증착법보다 더 용이하다. 아울러 습식 화학 공정의 경우, 저비용의 공정이면서도 양자점 입자의 성장을 제어할 수 있다.
이러한 양자점은, II-VI족 반도체 화합물, III-V족 반도체 화합물, III-VI족 반도체 화합물, I-III-VI족 반도체 화합물, IV-VI족 반도체 화합물, IV족 원소 또는 화합물 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
II-VI족 반도체 화합물의 예는 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe 또는 MgS 등과 같은 이원소 화합물이나, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe 또는 MgZnS 등과 같은 삼원소 화합물이나, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe 또는 HgZnSTe 등과 같은 사원소 화합물이나, 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
III-V족 반도체 화합물의 예는 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs 또는 InSb 등과 같은 이원소 화합물이나, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InNP, InAlP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb 또는 GaAlNP 등과 같은 삼원소 화합물이나, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs 또는 InAlPSb 등과 같은 사원소 화합물이나, 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 한편, III-V족 반도체 화합물은 II족 원소를 더 포함할 수 있다. II족 원소를 더 포함한 III-V족 반도체 화합물의 예는, InZnP, InGaZnP 또는 InAlZnP 등을 포함할 수 있다.
III-VI족 반도체 화합물의 예는, GaS, GaSe, Ga2Se3, GaTe, InS, InSe, In2Se3 또는 InTe 등과 같은 이원소 화합물이나, AgInS, AgInS2, CuInS, CuInS2, InGaS3 또는 InGaSe3 등과 같은 삼원소 화합물이나, 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
I-III-VI족 반도체 화합물의 예는, AgInS, AgInS2, CuInS, CuInS2, CuGaO2, AgGaO2 또는 AgAlO2 등과 같은 삼원소 화합물이나, 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
IV-VI족 반도체 화합물의 예는 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe 또는 PbTe 등과 같은 이원소 화합물이나, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe 또는 SnPbTe 등과 같은 삼원소 화합물이나, SnPbSSe, SnPbSeTe 또는 SnPbSTe 등과 같은 사원소 화합물이나, 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
IV족 원소 또는 화합물은 Si 또는 Ge 등과 같은 단일원소 화합물이나, SiC 또는 SiGe 등과 같은 이원소 화합물이나, 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
이원소 화합물, 삼원소 화합물 및 사원소 화합물과 같은 다원소 화합물에 포함된 각각의 원소는 균일한 농도 또는 불균일한 농도로 입자 내에 존재할 수 있다.
한편, 양자점은 해당 양자점에 포함된 각각의 원소의 농도가 균일한 단일 구조 또는 코어-쉘의 이중 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 코어에 포함된 물질과 쉘에 포함된 물질은 서로 상이할 수 있다. 양자점의 쉘은 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할 및/또는 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 차징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 쉘은 단층 또는 다중층일 수 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
양자점의 쉘의 예로는 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다. 금속 또는 비금속의 산화물의 예는 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, Mn3O4, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, CoO, Co3O4 또는 NiO 등과 같은 이원소 화합물이나, MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4 또는 CoMn2O4 등과 같은 삼원소 화합물이나, 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 반도체 화합물의 예는, 전술한 바와 같은, III-VI족 반도체 화합물, II-VI족 반도체 화합물, III-V족 반도체 화합물, III-VI족 반도체 화합물, I-III-VI족 반도체 화합물, IV-VI족 반도체 화합물 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 예컨대, 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
양자점은 약 45nm 이하, 구체적으로 약 40nm 이하, 더욱 구체적으로 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되기에, 광 시야각이 향상될 수 있다.
또한, 양자점의 형태는 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm) 또는 입방체(cubic)의, 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유 또는 나노 판상 입자 등의 형태일 수 있다.
이러한 양자점의 크기를 조절함으로써 에너지 밴드 갭의 조절이 가능하므로, 양자점 발광층에서 다양한 파장대의 빛을 얻을 수 있다. 따라서 서로 다른 크기의 양자점을 사용함으로써, 여러 파장의 빛을 방출하는 발광 소자를 구현할 수 있다. 구체적으로, 양자점의 크기는 적색, 녹색 및/또는 청색광이 방출되도록 선택될 수 있다. 또한, 양자점의 크기는 다양한 색의 빛이 결합되어, 백색광을 방출하도록 구성될 수 있다.
이와 같은 양자점에 대한 설명은 전술한 실시예 및 그 변형예는 물론, 후술하는 실시예 및 그 변형예에도 적용될 수 있다.
도 5는 도 2의 제3수지층(435)을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 5에 도시된 것과 같이, 제3수지층(435)은 제3수지(436) 및 제3산란체(437)를 포함할 수 있으며, 양자점을 갖지 않는다. 제3수지층(435)은 하부기판(100) 방향의 제3-1부분(435a), 상부기판(400) 방향의 제3-2부분(435b) 및 제3-1부분(435a)과 제3-2부분(435b) 사이의 제3-3부분(435c)을 포함할 수 있다.
제3수지(436)는 산란체에 대한 분산 특성이 우수하면서도 투광성인 물질이라면 어떤 것이든 사용 가능하다. 예컨대, 아크릴계 수지, 이미드계 수지, 에폭시계 수지, BCB(Benzocyclobutene) 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane)와 같은 고분자 수지를 제3수지층(435) 형성용 물질로 이용할 수 있다. 제3산란체(437)는 제3수지층(435)에 입사한 입사광이 산란되도록 하며, 제3산란체(437)는 산란체와 투광성 수지 사이에 광학 계면을 형성하여 투과광을 부분적으로 산란시킬 수 있는 재료이면 특별히 제한되지 않는데, 예컨대 금속 산화물 입자 또는 유기 입자일 수 있다. 산란체용 금속 산화물이나 산란체용 유기물에 대해서는 전술한 바와 같다.
제3수지층(435)은 양자점을 갖지 않으므로, 제3화소(PX3)에서는 발광층을 포함하는 중간층(303)에서 생성된 제1파장대역에 속하는 파장의 광을 파장 변환 없이 상부기판(400)을 통해 외부로 방출한다. 즉, 제3수지층(435)으로 입사되는 청색광(Lb)은 파장 변환 없이 외부로 방출된다. 경우에 따라 도 2에 도시된 것과 달리 뱅크(500)의 제3개구(503) 내에 제3수지층(435)이 존재하지 않을 수도 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 제3수지층(435)에서의 단위 부피당 제3산란체(437)의 개수는 일정할 수 있다. 예컨대 하부기판(100)과 상부기판(400) 중 하부기판(100)에 인접한 제3-1부분(435a)에서의 단위 부피당 제3산란체(437)의 개수, 하부기판(100)과 상부기판(400) 중 상부기판(400)에 인접한 제3-2부분(435b)에서의 단위 부피당 제3산란체(437)의 개수 및 제3-1부분(435a)과 제3-2부분(435b) 사이의 제3-3부분(435c)에서의 단위 부피당 제3산란체(437)의 개수는 동일하거나 유사할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 제1산란체(417), 제2산란체(427) 및 제3산란체(437)는 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예컨데 제1산란체(417), 제2산란체(427) 및 제3산란체(437)는 산화 티타늄(TiO2)을 포함할 수 있다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 개략적으로 도시하는 평면도들로서, 구체적으로는 상부기판(400) 상에 제1수지층(415), 제2수지층(425) 및 제3수지층(435)을 형성하는 공정을 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제1수지층(415), 제2수지층(425) 및 제3수지층(435)은 잉크젯 프린팅법으로 형성될 수 있다. 즉, 상부기판(400) 상에 제1개구(501), 제2개구(502) 및 제3개구(503)를 갖는 뱅크(500)를 형성한 후, 제1개구(501) 내에 제1산란체(417) 및 제1양자점(418) 중 적어도 하나를 포함하는 제1수지층(415) 형성용 물질을 잉크젯 프린팅법으로 도팅하고, 제2개구(502) 내에 제2산란체(427) 및 제2양자점(428) 중 적어도 하나를 포함하는 제2수지층(425) 형성용 물질을 잉크젯 프린팅법으로 도팅하고, 제3산란체(437)를 포함하는 제3수지층(435) 형성용 물질을 도팅하여, 제1수지층(415), 제2수지층(425) 및 제3수지층(435)을 형성할 수 있다.
토출부(700)는 상부기판(400)에 액적을 토출할 수 있다. 상부기판(400)은 제1상부기판영역(401), 제2상부기판영역(402), 제3상부기판영역(403), 제4상부기판영역(404) 및 제5상부기판영역(405)을 포함할 수 있다. 이러한 상부기판(400)을 복수개의 디스플레이부들이 형성된 모기판과 결합시킨 후 모기판과 상부기판(400)을 동시에 커팅하여, 복수개의 디스플레이 패널들을 동시에 제조할 수 있다. 액적은 양자점 또는 산란체를 포함할 수 있다.
토출부(700)는 복수일 수 있으며, 상부기판(400)에 토출되는 액적도 복수일 수 있다. 상부기판(400)에 상이한 성분을 포함하는 복수의 액적들이 토출되는 경우, 각각의 액적은 상이한 토출부(700)에 의해 상부기판(400)에 토출될 수 있다. 또한, 각 토출부(700)는 복수의 노즐들을 포함할 수 있다. 예컨대, 토출부(700)는 제1노즐(710) 및 제2노즐(720)을 포함할 수 있다.
토출부(700)와 상부기판(400) 중 어느 하나는 제1방향(x축 방향)을 따라 이동할 수 있다. 이에 따라, 토출부(700)는 상부기판(400)을 제1스캐닝(scanning)하면서 원하는 위치에 액적을 토출할 수 있다. 토출부(700)가 상부기판(400)을 제1스캐닝 한 후, 토출부(700)와 상부기판(400) 중 어느 하나는 제1방향(x축 방향)과 교차하는 제2방향(-y 방향)을 따라 이동할 수 있다. 제2방향(-y 방향)을 따라 이동한 후, 토출부(700)와 상부기판(400) 중 어느 하나는 제1방향(x축 방향)을 따라 이동할 수 있다. 이에 따라, 토출부(700)는 상부기판(400)을 제2스캐닝하면서 원하는 위치에 액적을 토출할 수 있다.
도 7에 도시된 것과 같이, 토출부(700)와 상부기판(400) 중 어느 하나가 제1방향(x축 방향)을 따라 이동하면서, 토출부(700)는 제1개구(501)에 제1액적을 토출할 수 있다. 토출부(700)의 제1노즐(710)들은 제1개구(501)들의 위를 지나므로, 제1노즐(710)들은 제1액적을 토출하며, 토출부(700)의 제2노즐(720)들은 제1개구(501)들의 위를 지나지 않으므로 제2노즐(720)들은 제1액적을 토출하지 않는다.
한편, 토출부(700)와 상부기판(400) 중 어느 하나가 제1방향(x축 방향)과 교차하는 제2방향(-y 방향)을 따라 이동한 후 다시 제1방향(x축 방향)을 따라 이동할 시, 제2노즐(720)들이 제1개구(501)들의 위를 지나고 제1노즐(710)들이 제1개구(501)들의 위를 지나지 않게 될 수 있다. 이 경우, 제2노즐(720)들은 제1액적을 토출하고, 제1노즐(710)들은 제1액적을 토출하지 않을 수 있다. 즉, 제1스캐닝하면서 제1액적을 토출하는 노즐과 제2스캐닝하면서 제1액적을 토출하는 노즐은 상이할 수 있다.
제1액적이 산란체를 포함하는 경우, 제1스캐닝 중 제2노즐(720)은 제1액적을 토출하지 않으므로, 제2노즐(720)들의 내부에서 제1액적에 포함된 산란체의 침전이 발생할 수 있다. 이에 따라, 제2스캐닝 시 제2노즐(720)에서 토출되는 제1액적 내에 포함된 산란체의 양이 제1스캐닝 시 제1노즐(710)에서 토출되는 제1액적 내에 포함된 산란체의 양과 다를 수 있다. 그 결과 표시 장치(1)의 일부 화소들에서의 산란체의 농도와 다른 일부 화소들에서의 산란체의 농도가 상이함에 따라, 표시 장치(1)가 나타내는 이미지에 얼룩이 발생될 수 있다.
도 8 내지 도 11는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 8 내지 도 11을 참조하면, 표시 장치의 제조방법은 도 6 및 도 7에 도시된 토출부(700)에서 시계열적으로 처리되는 단계들을 포함한다. 이러한 표시 장치의 제조방법에 의해, 도 1 내지 도 5를 참조하여 전술한 것과 같은 표시 장치(1)를 제조할 수 있다. 이하에서는 편의상 도 1 내지 도 7을 참조하여 전술한 내용과 중복되는 내용에 대해서는 생략한다.
단계 910에서, 토출부(700)는 상부기판(400)의 제1개구(501)에 양자점을 포함하는 제1액적을 토출할 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법에 있어서, 제1액적은 산란체를 포함하지 않을 수 있다. 예컨대 제1액적은 제1양자점(418)을 포함하고, 제1산란체(417)를 포함하지 않을 수 있다.
제1액적이 산란체를 포함하고, 제2노즐(720)이 제1개구(501)들의 위를 지나지 않아서 장시간 제1액적을 토출하지 않은 경우, 제2노즐(720)들의 내부에서 제1액적에 포함된 산란체의 침전이 발생할 수 있다. 그 후, 토출부(700)와 상부기판(400) 중 어느 하나가 제2방향(-y 방향)을 따라 이동한 후 제1방향(x축 방향)으로 이동하면서 제2노즐(720)이 제1개구(501)들의 위를 지나는 경우, 제2노즐(720)은 제1액적을 토출할 수 있다. 이 경우, 제2노즐(720)에서 토출된 제1액적에서의 산란체의 농도는 제1노즐(710)에서 토출된 제1액적에서의 산란체의 농도보다 높을 수 있다. 그 결과 표시 장치(1)의 일부 화소들에서의 산란체의 농도와 다른 일부 화소들에서의 산란체의 농도가 상이함에 따라, 표시 장치(1)가 나타내는 이미지에 얼룩이 발생될 수 있다.
하지만 본 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법의 경우, 전술한 것과 같이 제1액적이 산란체를 포함하지 않는다. 이에 따라 토출부(700)의 제2노즐(720)이 제1개구(501)들의 위를 지나지 않아서 장시간 제1액적을 토출하지 않더라도 제2노즐(720) 내부에서 산란체의 침전이 발생하지 않으므로, 표시 장치(1)의 상이한 영역들에 있어서 산란체의 농도가 달라지는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
단계 920에서, 토출부(700)는 상부기판(400)의 제2개구(502)에 양자점을 포함하는 제2액적을 토출할 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법에 있어서 제2액적은 산란체를 포함하지 않을 수 있다. 예컨대 제2액적은 제2양자점(428)을 포함하고, 제2산란체(427)를 포함하지 않을 수 있다.
제2액적이 산란체를 포함하고, 토출부(700)의 제1노즐(710)이 제2개구(502)들의 위를 지나지 않아서 장시간 제2액적을 토출하지 않은 경우, 제1노즐(710)들의 내부에서 제2액적에 포함된 산란체의 침전이 발생할 수 있다. 그 후, 토출부(700)와 상부기판(400) 중 어느 하나가 제1방향과 교차하는 제2방향을 따라 이동하는 경우, 토출부(700)의 제1노즐(710)은 제2개구(502)들의 위를 지날 수 있다. 이 경우, 제1노즐(710)은 제2액적을 토출하고, 제1노즐(710)에 의해 토출된 제2액적은 높은 농도의 산란체를 포함하므로, 화소에 제2액적의 얼룩이 발생될 수 있다.
제2액적이 산란체를 포함하고, 제1노즐(710)이 제2개구(502)들의 위를 지나지 않아서 장시간 제2액적을 토출하지 않은 경우, 제1노즐(710)들의 내부에서 제2액적에 포함된 산란체의 침전이 발생할 수 있다. 그 후, 토출부(700)와 상부기판(400) 중 어느 하나가 제2방향(-y 방향)을 따라 이동한 후 제1방향(x축 방향)으로 이동하면서 제1노즐(710)이 제2개구(502)들의 위를 지나는 경우, 제1노즐(710)은 제2액적을 토출할 수 있다. 이 경우, 제1노즐(710)에서 토출된 제2액적에서의 산란체의 농도는 제2노즐(720)에서 토출된 제2액적에서의 산란체의 농도보다 높을 수 있다. 그 결과 표시 장치(1)의 일부 화소들에서의 산란체의 농도와 다른 일부 화소들에서의 산란체의 농도가 상이함에 따라, 표시 장치(1)가 나타내는 이미지에 얼룩이 발생될 수 있다.
하지만 본 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법의 경우, 전술한 것과 같이 제2액적에 산란체를 포함하지 않는다. 이에 따라 토출부(700)의 제1노즐(710)이 제2개구(502)들의 위를 지나지 않아서 장시간 제2액적을 토출하지 않더라도 제1노즐(710) 내부에서 산란체의 침전이 발생하지 않으므로, 표시 장치(1)의 상이한 영역들에 있어서 산란체의 농도가 달라지는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
단계 930에서, 토출부(700)는 상부기판(400)의 제1개구(501), 제2개구(502) 및 제3개구(503)에 산란체를 포함하는 제3액적을 토출할 수 있다. 예컨대 제3액적은 제3산란체(437)를 포함할 수 있다.
토출부(700)가 제1개구(501), 제2개구(502) 및 제3개구(503)에 제3액적을 토출해야 하는 경우, 제1노즐(710)들 및 제2노즐(720)들 모두가 제3액적을 토출하므로, 장시간 제3액적을 토출하지 않는 노즐이 존재하지 않는다. 따라서, 본 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법의 경우, 제3액적이 산란체를 포함하더라도, 제1노즐(710) 또는 제2노즐(720) 내부에서 산란체의 침전이 발생하지 않는다. 제1노즐(710) 또는 제2노즐(720) 내부에서 산란체의 침전이 발생하더라도, 제1노즐(710) 내부에서 발생한 침전의 정도와 제2노즐(720) 내부에서 발생한 침전의 정도에는 차이가 없다. 이 경우, 제1노즐(710)에서 토출된 제3액적에서의 산란체의 농도는 제2노즐(720)에서 토출된 제3액적에서의 산란체의 농도와 동일하거나 유사하다. 그 결과 표시 장치(1)의 모든 화소들에서의 산란체의 농도가 동일하거나 유사함에 따라, 표시 장치(1)가 나타내는 이미지에 얼룩이 발생되지 않는다.
일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 제1개구(501), 제2개구(502) 및 제3개구(503)에는 각각 상이한 양의 제3액적이 토출될 수 있다. 제1액적, 제2액적 및 제3액적에 의해 생성되는 제1수지층(415), 제2수지층(425) 및 제3수지층(435)은 각각의 두께가 동일하거나 유사한 것이 광학적으로 유리하다. 따라서, 제1수지층(415), 제2수지층(425) 및 제3수지층(435)의 두께가 동일하거나 유사하게 형성되기 위하여, 제1개구(501), 제2개구(502) 및 제3개구(503) 각각에 토출되는 제3액적의 양은 상이할 수 있다. 예컨대 제1개구(501) 및 제2개구(502)에는 제3액적이 토출되기 전에 각각 제1액적 및 제2액적이 토출되므로, 제1개구(501) 및 제2개구(502) 각각에는 제3개구(503)에 토출되는 제3액적의 양보다 적은 양의 제3액적이 토출될 수 있다. 즉, 제1개구 및 제2개구 각각에 토출되는 제3액적의 양보다 많은 양의 제3액적이 제3개구에 토출될 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다. 구체적으로, 도 9는 제1액적을 토출하는 단계를 설명하기 위한 순서도이다.
단계 910에서, 토출부(700)와 상부기판(400) 중 어느 하나가 제1방향으로 이동되면서 토출부(700)에서 상부기판(400)의 제1영역의 제1개구(501)에 제1액적이 토출될 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법에 있어서, 토출부(700)의 제1노즐(710)에서 상부기판(400)의 제1영역의 제1개구(501)에 제1액적이 토출될 수 있다.
단계 920에서, 토출부(700)와 상부기판(400) 중 어느 하나가 제1방향(x축 방향)과 교차하는 제2방향(-y 방향)으로 이동될 수 있다.
단계 930에서, 토출부(700)와 상부기판(400) 중 어느 하나가 제1방향(x축 방향)으로 이동되면서 토출부(700)에서 상부기판(400)의 제2영역의 제1개구(501)에 제1액적이 토출될 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법에 있어서, 토출부(700)의 제2노즐(720)에서 상부기판(400)의 제2영역의 제1개구(501)에 제1액적이 토출될 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다. 구체적으로, 도 10은 산란체를 포함하는 액적을 토출한 후 양자점을 포함하는 액적들을 토출하는 표시 장치의 제조방법이다.
단계 1010에서, 토출부(700)는 상부기판(400)의 제1개구(501), 제2개구(502) 및 제3개구(503)에 산란체를 포함하는 제3액적을 토출할 수 있다. 예컨대 제3액적은 제3산란체(437)를 포함할 수 있다.
단계 1020에서, 토출부(700)는 상부기판(400)의 제1개구(501)에 양자점을 포함하는 제1액적을 토출할 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법에 있어서, 제1액적은 산란체를 포함하지 않을 수 있다. 예컨대 제1액적은 제1양자점(418)을 포함하고, 제1산란체(417)를 포함하지 않을 수 있다.
단계 1030에서, 토출부(700)는 상부기판(400)의 제2개구(502)에 양자점을 포함하는 제2액적을 토출할 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법에 있어서, 제2액적은 산란체를 포함하지 않을 수 있다. 예컨대 제2액적은 제2양자점(428)을 포함하고, 제2산란체(427)를 포함하지 않을 수 있다.
산란체를 포함하는 제3액적을 토출한 후, 양자점을 포함하는 제1액적 및 제2액적을 토출하더라도, 양자점을 포함하는 제1액적 및 제2액적은 산란체를 포함하지 않으며, 산란체를 포함하는 제3액적은 토출부(700)의 제1노즐(710) 및 제2노즐(720) 모두에서 토출되므로, 제1노즐(710) 내부에서 발생한 산란체의 침전의 정도와 제2노즐(720) 내부에서 발생한 산란체의 침전의 정도에는 차이가 없다. 그 결과 표시 장치(1)의 모든 화소들에서의 산란체의 농도가 동일하거나 유사함에 따라, 표시 장치(1)가 나타내는 이미지에 얼룩이 발생되지 않는다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다. 구체적으로, 도 11은 양자점을 포함하는 액적을 토출한 후, 산란체를 포함하는 액적을 토출하고, 그 후 양자점을 포함하는 액적을 토출하는 표시 장치의 제조방법이다.
단계 1110에서, 토출부(700)는 상부기판(400)의 제1개구(501)에 양자점을 포함하는 제1액적을 토출할 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법에 있어서, 제1액적은 산란체를 포함하지 않을 수 있다. 예컨대 제1액적은 제1양자점(418)을 포함하고, 제1산란체(417)를 포함하지 않을 수 있다.
단계 1120에서, 토출부(700)는 상부기판(400)의 제1개구(501), 제2개구(502) 및 제3개구(503)에 산란체를 포함하는 제3액적을 토출할 수 있다. 예컨대 제3액적을 제3산란체(437)를 포함할 수 있다.
단계 1130에서, 토출부(700)는 상부기판(400)의 제2개구(502)에 양자점을 포함하는 제2액적을 토출할 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법에 있어서, 제2액적은 산란체를 포함하지 않을 수 있다. 예컨대 제2액적은 제2양자점(428)을 포함하고, 제2산란체(427)를 포함하지 않을 수 있다.
양자점을 포함하는 제1액적을 토출한 후, 산란체를 포함하는 제3액적을 토출하고, 그 후 양자점을 포함하는 제2액적을 토출하더라도, 양자점을 포함하는 제1액적 및 제2액적은 산란체를 포함하지 않으며, 산란체를 포함하는 제3액적은 토출부(700)의 제1노즐(710) 및 제2노즐(720) 모두에서 토출되므로, 제1노즐(710) 내부에서 발생한 산란체의 침전의 정도와 제2노즐(720) 내부에서 발생한 산란체의 침전의 정도에는 차이가 없다. 그 결과 표시 장치(1)의 모든 화소들에서의 산란체의 농도가 동일하거나 유사함에 따라, 표시 장치(1)가 나타내는 이미지에 얼룩이 발생되지 않는다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
OLED1: 제1발광소자
OLED2: 제2발광소자
OLED3: 제3발광소자
100: 하부기판 400: 상부기판
415: 제1수지층 416: 제1수지
417: 제1산란체 418: 제1양자점
425: 제2수지층 426: 제2수지
427: 제2산란체 428: 제2양자점
435: 제3수지층 436: 제3수지
437: 제3산란체 438: 제3양자점
500: 뱅크 501: 제1개구
502: 제2개구 503: 제3개구
700: 토출부 710: 제1노즐
720: 제2노즐
OLED3: 제3발광소자
100: 하부기판 400: 상부기판
415: 제1수지층 416: 제1수지
417: 제1산란체 418: 제1양자점
425: 제2수지층 426: 제2수지
427: 제2산란체 428: 제2양자점
435: 제3수지층 436: 제3수지
437: 제3산란체 438: 제3양자점
500: 뱅크 501: 제1개구
502: 제2개구 503: 제3개구
700: 토출부 710: 제1노즐
720: 제2노즐
Claims (24)
- 상부기판의 제1개구에 양자점을 포함하는 제1액적을 토출하는 단계;
상기 상부기판의 제2개구에 양자점을 포함하는 제2액적을 토출하는 단계; 및
상기 상부기판의 상기 제1개구, 상기 제2개구 및 제3개구에 산란체를 포함하는 제3액적을 토출하는 단계;를 포함하는, 표시 장치의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 제1액적 또는 상기 제2액적은 산란체를 포함하지 않는, 표시 장치의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 제3액적을 토출하는 단계는, 상기 제1개구, 상기 제2개구 및 상기 제3개구에 각각 상이한 양의 제3액적을 토출하는 단계인, 표시 장치의 제조방법. - 제5항에 있어서,
상기 제3액적을 토출하는 단계는, 상기 제1개구 및 상기 제2개구 각각에 토출하는 제3액적의 양보다 많은 양의 제3액적을 상기 제3개구에 토출하는 단계인, 표시 장치의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 제1액적을 토출하는 단계는,
토출부와 상기 상부기판 중 어느 하나를 제1방향으로 이동시키면서 상기 토출부에서 상기 상부기판의 제1영역의 상기 제1개구에 상기 제1액적이 토출되도록 하는 단계;
상기 토출부와 상기 상부기판 중 어느 하나를 상기 제1방향과 교차하는 제2방향으로 이동시키는 단계; 및
상기 토출부와 상기 상부기판 중 어느 하나를 상기 제1방향으로 이동시키면서 상기 토출부에서 상기 상부기판의 제2영역의 상기 제1개구에 상기 제1액적이 토출되도록 하는 단계;를 포함하는, 표시 장치의 제조방법. - 제5항에 있어서,
상기 토출부는 제1노즐 및 제2노즐을 포함하고,
상기 제1영역의 상기 제1개구에 상기 제1액적이 토출되도록 하는 단계는, 상기 토출부의 상기 제1노즐에서 상기 상부기판의 상기 제1영역의 상기 제1개구에 상기 제1액적이 토출되도록 하는 단계이고,
상기 제2영역의 상기 제1개구에 상기 제1액적이 토출되도록 하는 단계는, 상기 토출부의 상기 제2노즐에서 상기 상부기판의 상기 제2영역의 상기 제1개구에 상기 제1액적이 토출되도록 하는 단계인, 표시 장치의 제조방법. - 제1항에 있어서,
토출부는 제1노즐 및 제2노즐을 포함하고,
상기 제3액적을 토출하는 단계는, 상기 토출부의 상기 제1노즐에서 상기 상부기판의 상기 제1개구 및 제2개구에 상기 제3액적이 토출되도록 하고, 상기 토출부의 제2노즐에서 상기 상부기판의 상기 제3개구에 상기 제3액적이 토출되도록 하는, 표시 장치의 제조방법. - 상부기판의 제1개구, 제2개구 및 제3개구에 산란체를 포함하는 제3액적을 토출하는 단계;
상기 상부기판의 상기 제1개구에 양자점을 포함하는 제1액적을 토출하는 단계; 및
상기 상부기판의 상기 제2개구에 양자점을 포함하는 제2액적을 토출하는 단계;를 포함하는, 표시 장치의 제조방법. - 상부기판의 제1개구에 양자점을 포함하는 제1액적을 토출하는 단계;
상기 상부기판의 상기 제1개구, 제2개구 및 제3개구에 산란체를 포함하는 제3액적을 토출하는 단계; 및
상기 상부기판의 상기 제2개구에 양자점을 포함하는 제2액적을 토출하는 단계;를 포함하는, 표시 장치의 제조방법. - 상부기판;
제1발광소자 내지 제3발광소자가 배치되며, 상기 상부기판의 하부에 위치하는, 하부기판;
상기 상부기판과 상기 하부기판 사이에 배치되고, 상기 제1발광소자 내지 상기 제3발광소자에 대응하는 제1개구 내지 제3개구를 포함하는, 뱅크;
상기 제1개구 내에 위치하고 제1산란체를 포함하되, 상기 제1개구 내에서의 위치에 따라 단위 부피당 제1산란체의 개수가 상이한, 제1수지층;
상기 제2개구 내에 위치하고 제2산란체를 포함하되, 상기 제2개구 내에서의 위치에 따라 단위 부피당 제2산란체의 개수가 상이한, 제2수지층; 및
상기 제3개구 내에 위치하고 제3산란체를 포함하되, 단위 부피당 제3산란체의 개수가 일정한, 제3수지층;을 구비하는, 표시 장치. - 제10항에 있어서,
상기 제1산란체, 상기 제2산란체 및 상기 제3산란체는 동일한 물질을 포함하는, 표시 장치. - 제10항에 있어서,
상기 제1수지층에서의 단위 부피당 제1산란체의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 감소하고,
상기 제2수지층에서의 단위 부피당 제2산란체의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 감소하는, 표시 장치. - 제10항에 있어서,
상기 제1수지층의 상기 하부기판 방향의 제1-1부분에서의 단위 부피당 제1산란체의 개수는, 상기 제1수지층의 상기 상부기판 방향의 제1-2부분에서의 단위 부피당 제1산란체의 개수보다 더 많고,
상기 제2수지층의 상기 하부기판 방향의 제2-1부분에서의 단위 부피당 제2산란체의 개수는, 상기 제2수지층의 상기 상부기판 방향의 제2-2부분에서의 단위 부피당 제2산란체의 개수보다 더 많은, 표시 장치. - 제13항에 있어서,
상기 제1수지층의 상기 제1-1부분과 상기 제1-2부분 사이의 제1-3부분에서의 단위 부피당 제1산란체의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 감소하고,
상기 제2수지층의 상기 제2-1부분과 상기 제2-2부분 사이의 제2-3부분에서의 단위 부피당 제1산란체의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 감소하는, 표시 장치. - 제10항에 있어서,
상기 제1수지층에서의 단위 부피당 제1산란체의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 증가하고,
상기 제2수지층에서의 단위 부피당 제2산란체의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 증가하는, 표시 장치. - 제10항에 있어서,
상기 제1수지층의 상기 하부기판 방향의 제1-1부분에서의 단위 부피당 제1산란체의 개수는, 상기 제1수지층의 상기 상부기판 방향의 제1-2부분에서의 단위 부피당 제1산란체의 개수보다 더 적고,
상기 제2수지층의 상기 하부기판 방향의 제2-1부분에서의 단위 부피당 제2산란체의 개수는, 상기 제1수지층의 상기 상부기판 방향의 제2-2부분에서의 단위 부피당 제2산란체의 개수보다 더 적은, 표시 장치. - 제16항에 있어서,
상기 제1수지층의 상기 제1-1부분과 상기 제1-2부분 사이의 제1-3부분에서의 단위 부피당 제1산란체의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 증가하고,
상기 제2수지층의 상기 제2-1부분과 상기 제2-2부분 사이의 제2-3부분에서의 단위 부피당 제2산란체의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 증가하는, 표시 장치. - 제10항에 있어서,
상기 제1수지층은 제1양자점을 더 포함하고,
상기 제2수지층은 제2양자점을 더 포함하는, 표시 장치. - 제18항에 있어서,
상기 제1수지층에서의 단위 부피당 제1양자점의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 증가하고,
상기 제2수지층에서의 단위 부피당 제2양자점의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 증가하는, 표시 장치. - 제18항에 있어서,
상기 제1수지층의 상기 하부기판 방향의 제1-1부분에서의 단위 부피당 제1양자점의 개수는, 상기 제1수지층의 상기 상부기판 방향의 제1-2부분에서의 단위 부피당 제1양자점의 개수보다 더 적고,
상기 제2수지층의 상기 하부기판 방향의 제2-1부분에서의 단위 부피당 제2양자점의 개수는, 상기 제2수지층의 상기 상부기판 방향의 제2-2부분에서의 단위 부피당 제2양자점의 개수보다 더 적은, 표시 장치. - 제20항에 있어서,
상기 제1수지층의 상기 제1-1부분과 상기 제1-2부분 사이의 제1-3부분에서의 단위 부피당 제1양자점의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 증가하고,
상기 제2수지층의 상기 제2-1부분과 상기 제2-2부분 사이의 제2-3부분에서의 단위 부피당 제2양자점의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 증가하는, 표시 장치. - 제18항에 있어서,
상기 제1수지층에서의 단위 부피당 제1양자점의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 감소하고,
상기 제2수지층에서의 단위 부피당 제2양자점의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 감소하는, 표시 장치. - 제18항에 있어서,
상기 제1수지층의 상기 하부기판 방향의 제1-1부분에서의 단위 부피당 제1양자점의 개수는, 상기 제1수지층의 상기 상부기판 방향의 제1-2부분에서의 단위 부피당 제1양자점의 개수보다 더 많고,
상기 제2수지층의 상기 하부기판 방향의 제2-1부분에서의 단위 부피당 제2양자점의 개수는, 상기 제2수지층의 상기 상부기판 방향의 제2-2부분에서의 단위 부피당 제2양자점의 개수보다 더 많은, 표시 장치. - 제23항에 있어서,
상기 제1수지층의 상기 제1-1부분과 상기 제1-2부분 사이의 제1-3부분에서의 단위 부피당 제1양자점의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 감소하고,
상기 제2수지층의 상기 제2-1부분과 상기 제2-2부분 사이의 제2-3부분에서의 단위 부피당 제2양자점의 개수는, 상기 하부기판에서 상기 상부기판 방향으로 갈수록 감소하는, 표시 장치.
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