JP7353834B2 - 表示装置および表示システム - Google Patents
表示装置および表示システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP7353834B2 JP7353834B2 JP2019130386A JP2019130386A JP7353834B2 JP 7353834 B2 JP7353834 B2 JP 7353834B2 JP 2019130386 A JP2019130386 A JP 2019130386A JP 2019130386 A JP2019130386 A JP 2019130386A JP 7353834 B2 JP7353834 B2 JP 7353834B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel
- optical member
- display device
- layer
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 116
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 77
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 25
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 8
- 239000012788 optical film Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000004984 smart glass Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- -1 lithium or cesium Chemical class 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 208000013057 hereditary mucoepithelial dysplasia Diseases 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Description
本発明は、表示装置および表示システムに関する。
ＡＲ、ＶＲ、ＭＲ等のウエラブル表示装置のニーズが高まっている。これらのウエラブル表示装置は、小型・軽量化が課題である。
特許文献１は、ウエラブル表示装置として利用可能な表示装置を提案している。図１３に特許文献１に開示されている表示システムを示す。図１３において、表示システム２３００は、表示装置１００を有しており、表示装置１００から出力した光は、接眼光学系２１００を介して、使用者の瞳に直接導光される。接眼光学系２１００は、第１レンズ群２１１０と、第２レンズ群２１２０を有している。特許文献１に示されている表示システムによれば、最大画角が８０度を超える小型・軽量化の表示システムを提供できるとされている。
しかしながら、特許文献１の表示システムは、表示装置に関する検討が不十分であった。そこで、本発明は、より高い表示品位の表示が可能となる表示装置を提供することを目的とする。
本開示は、複数の画素が２次元状に配された表示領域を備え、前記複数の画素のそれぞれは、発光層と、前記発光層からの光を屈折させる光学部材と、を有し、第１の画素が有する第１の光学部材は、前記第１の光学部材を前記発光層に対して正射影した場合に、前記第１の光学部材の頂点の位置と前記第１の光学部材の中心の位置とが、第１の距離で離れており、前記表示領域において、前記第１の画素よりも周辺側に位置する第２の画素を有し、前記第２の画素が有する第２の光学部材は、前記第２の光学部材を前記発光層に対して正射影した場合に、前記第２の光学部材の頂点の位置と前記第２の光学部材の中心の位置とが、第２の距離で離れており、
前記第１の距離よりも、前記第２の距離の方が大きいことを特徴とする表示装置を提供する。
前記第１の距離よりも、前記第２の距離の方が大きいことを特徴とする表示装置を提供する。
本発明によれば、より高い表示品位の表示が可能となる表示装置を提供することが可能となる。
図１４に示すように、表示装置とユーザーの眼との間には、光学レンズ系（接眼光学系２１００が配置されている。光学レンズ系は、表示装置における表示領域の中央部においては垂直方向に放出された光束がユーザーの眼に視認される光として利用される。一方で、表示領域の周辺部に向かうにつれて、高角側に傾いた方向に放出された光束がユーザーの眼に視認される光として利用される。よって、表示領域の中央部から周辺部に向かうにつれて、垂直方向に放出される光束は無駄な光として利用されない。また、無駄な光として利用されない光束は、光学レンズ系の中で意図しない反射成分になり、ゴーストや混色といった表示品位の劣化を招いてしまう可能性がある。
本発明者らは、本着想に至り、表示装置に備えられる光学部材について、表示領域の中央部に設けられる第１の光学部材の構造と、表示領域の周辺部に設けられる第２の光学部材の構造と異ならしめるという解決手段に至った。以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態を説明する。以下の説明および図面において、複数の図面に渡って共通の構成については共通の符号を付している。そのため、複数の図面を相互に参照して共通する構成を説明し、共通の符号を付した構成については適宜説明を省略する。
（実施形態１）
（表示装置の説明）
図１は、表示装置１００を平面視した際の平面図を示している。平面視とは、半導体基板１６の主面に対して垂直な方向（主面の法線方向）から表示装置１００を視た際の配置である。平面視した場合に、重なっている部材については、透視可能であるものとする。
（表示装置の説明）
図１は、表示装置１００を平面視した際の平面図を示している。平面視とは、半導体基板１６の主面に対して垂直な方向（主面の法線方向）から表示装置１００を視た際の配置である。平面視した場合に、重なっている部材については、透視可能であるものとする。
表示装置１００は、有効画素が設けられた有効画素領域１１と、有効画素領域１１の周辺に位置する周辺回路領域１３が設けられている。
有効画素領域１１は四辺形であり、周辺回路領域１３には周辺回路が配されている。表示装置における周辺回路は、有効画素を駆動するための駆動回路や、有効画素に入力する信号を処理する、ＤＡＣ（デジタルアナログ変換回路）等の処理回路を含む。
周辺回路領域１３と有効画素領域１１との間には、非有効画素が設けられた非有効画素領域１２が設けられている。非有効画素とは、有効画素としては機能しない、ダミー画素や基準画素、テスト画素、モニタ画素などである。
有効画素領域１１に設けられている各画素には、発光層（不図示）と、発光層からの光を透過する光学部材（不図示）が設けられている。光学部材は、例えば、マイクロレンズである。発光層と光学部材の間には、カラーフィルタ（不図示）を設けてもよい。光学部材としてのマイクロレンズは、有効画素領域１１だけでなく、非有効画素領域１２にまで連続的に設けてもよい。また、マイクロレンズは、非有効画素領域１２だけでなく、周辺回路領域１３にまで連続的に設けてもよい。マイクロレンズを設ける領域と設けない領域の境界には段差が生じる可能性があるため、周辺回路領域１３まで連続的にマイクロレンズを設けることが好ましい。図１では、有効画素領域１１、非有効画素領域１２、周辺回路領域１３にマイクロレンズが設けられる例を示した。図１の符号１７が、マイクロレンズが設けられている領域の外縁となる。また、カラーフィルタを設ける場合においても、図１に示すように、有効画素領域１１だけでなく、非有効画素領域１２や周辺回路領域１３にまで連続的に設けてもよい。図１の符号１４が、カラーフィルタが設けられている領域の外縁となる。マイクロレンズの一単位は所定の大きさを有するのに対して、カラーフィルタは任意の大きさを取りうるため、図１に示すように、カラーフィルタが設けられる領域の外縁１４は、マイクロレンズが設けられる領域の外縁１７よりも外側に配される。
図１に示した透光板１５、例えばガラス基板は、半導体基板１６の上に形成された有効画素領域１１、非有効画素領域１２、周辺回路領域１３に対向して配置されている。透光板１５と、半導体基板１６の上に形成された有効画素領域１１等とは、接合部材を介して、接合されている。接合部材は、樹脂からなるマトリックスと、マトリックに分散したフィラーとを含みうる。フィラーは樹脂であってもよい。製造工程において、透光板１５と半導体基板１６を同時にダイシングする場合には、透光板１５と半導体基板１６の外縁は一致することになる。
また、図１に示した接続領域１８は、表示装置１００からの出力信号を外部のデバイスと接続するために設けられた接続領域（パッド）である。
（画素の配置と光学部材の形状）
図２（Ａ）は、有効画素領域１１に設けられる各表示画素の２次元状配置例を示すものである。各画素はハニカム構造のデルタ配置で設けられている。フルカラーの表示装置の場合、Ｒ画素（赤色の発光画素）、Ｇ画素（緑色の発光画素）、Ｂ画素（青色の発光画素）の３つの画素で１セットとなるため、本実施形態で説明する各画素を、サブ画素あるいは副画素という場合もありうる。
図２（Ａ）は、有効画素領域１１に設けられる各表示画素の２次元状配置例を示すものである。各画素はハニカム構造のデルタ配置で設けられている。フルカラーの表示装置の場合、Ｒ画素（赤色の発光画素）、Ｇ画素（緑色の発光画素）、Ｂ画素（青色の発光画素）の３つの画素で１セットとなるため、本実施形態で説明する各画素を、サブ画素あるいは副画素という場合もありうる。
有効画素領域１１の中央には、文字Ｍを付した画素２１０が配されている。画素２１０からみて、Ｘ方向の正方向（右方向）には、画素２２０、２３０、２４０が順に配されており、Ｘ方向の負方向（左方向）には、画素２５０、２６０、２７０が順に配されている。図示した各画素の間には、１以上の画素が配されているが、図２（Ａ）では、図示した各画素の間に配されている画素は、便宜上、省略している。
図２（Ｂ）および（Ｃ）は、図２（Ａ）のＡ－Ａ´断面図を示したものである。
図２（Ｂ）には、画素２１０、２２０、２３０、２４０と、これらの画素にそれぞれ対応して配されているマイクロレンズ２１５、２２５、２３５、２４５を示している。また、図２（Ｃ）には、画素２１０、２５０、２６０、２７０と、これらの画素にそれぞれ対応して配されているマイクロレンズ２１５、２２５、２３５、２４５を示している。
図２（Ｂ）および（Ｃ）の上図は、ＸＹ平面における画素とマイクロレンズの対応関係を示したものである。ＸＹ平面は、光学部材であるマイクロレンズを発光層に正射影した場合の平面である。このように正投影することを、平面視ということもある。各マイクロレンズには、Ｚ方向の高さが等しい位置を線で結んだ等高線が記載されている。
図２（Ｂ）および（Ｃ）の下図は、各マイクロレンズのＸ方向の長さとＺ方向の高さを示したものである。
Ｅ１は中央部側のマイクロレンズの端部、Ｅ２は周辺部側のマイクロレンズの端部、Ｃはマイクロレンズの中心、Ｔはマイクロレンズの頂点を示す。マイクロレンズの端部は、断面図においてＺ方向の高さが最も低い位置である。また、マイクロレンズの中心は、マイクロレンズの端部を結ぶ線で構成されたＸＹ平面における形状の重心である。さらに、マイクロレンズの高さは、Ｚ方向の高さが最も高い位置である。
画素２１０（画素Ｍ）に設けられているマイクロレンズ２１５の中心Ｃと頂点Ｔは、ＸＹ平面において、一致している。ここで、一致とは、略一致のことであり、製造誤差によりわずかにずれることを許容する。また、マイクロレンズ２１５は、ＸＹ平面において、２回対称の形状を有する対称マイクロレンズとなっている。
これに対して、画素２１０よりも周辺側に配置されている画素２２０～２７０は、
ＸＹ平面において、中心Ｃと頂点Ｔがずれるように構成されたマイクロレンズ２２５、２３５、２４５、２５５、２６５、２７５が配置されている。これらのマイクロレンズ２２５～２７５は、ＸＹ平面において、２回対称の形状を有さない非対称マイクロレンズとなっている。ここで、周辺側とは、有効画素領域１１の中央部から見て、半導体基板１６の端部の方向側のことをいう。
ＸＹ平面において、中心Ｃと頂点Ｔがずれるように構成されたマイクロレンズ２２５、２３５、２４５、２５５、２６５、２７５が配置されている。これらのマイクロレンズ２２５～２７５は、ＸＹ平面において、２回対称の形状を有さない非対称マイクロレンズとなっている。ここで、周辺側とは、有効画素領域１１の中央部から見て、半導体基板１６の端部の方向側のことをいう。
また、Ｘ方向の正方向（右方向）に関して、画素２２０（第１の画素）が有するマイクロレンズ２２５について、距離２２６（第１の距離）は、中心Ｃと頂点Ｔの間のＸ方向の長さである。また、画素２３０（第２の画素）が有するマイクロレンズ２３５について、距離２３６（第２の距離）は、符号中心Ｃと頂点Ｔの間のＸ方向の長さである。さらに、画素２４０（第３の画素）が有するマイクロレンズ２４５について、距離２４６（第３の距離）は、符号中心Ｃと頂点Ｔの間のＸ方向の長さである。
有効画素領域の中心側に配置されている画素２２０の距離２２６よりも、画素２２０よりも周辺側に配置されている画素２３０の距離２３６の方が大きくなっている。また、距離２３６よりも、画素２３０よりも周辺側に配置されている画素２４０の距離２４６の方が、大きくなっている。
同様に、Ｘ方向の負方向（左方向）に関して、画素２５０（第４の画素）が有するマイクロレンズ２５５について、距離２５６（第４の距離）は、中心Ｃと頂点Ｔの間のＸ方向の長さである。また、画素２６０（第５の画素）が有するマイクロレンズ２６５について、距離２６６（第５の距離）は、符号中心Ｃと頂点Ｔの間のＸ方向の長さである。さらに、画素２７０（第６の画素）が有するマイクロレンズ２７５について、距離２７６（第６の距離）は、符号中心Ｃと頂点Ｔの間のＸ方向の長さである。
この場合においても、有効画素領域の中心側に配置されている画素２５０の距離２５６よりも、画素２５０よりも周辺側に配置されている画素２６０の距離２６６の方が大きくなっている。また、距離２６６よりも、画素２６０よりも周辺側に配置されている画素２７０の距離２４６の方が、大きくなっている。
図３は、図２で説明した各マイクロレンズの作用を説明する図である。図３（Ｂ）および（Ｃ）に示すように、発光層から垂直方向に放出された光束がマイクロレンズで屈折される角度は、有効画素領域の中央部から周辺側に離れるにつれて、増加している。すなわち、中央部から周辺部に離れるにつれて、発光層から垂直方向の放出された光束に対する屈折力（パワー）が大きくなっている。このため、発光層から放出される光束の放射立体角を光学レンズ系で利用される立体角の中に集めることができ、光の利用効率を向上させることができる。また、光学レンズ系で利用されない光束を低減することができるため、光学レンズ系の中で意図しない反射成分によって発生するゴーストや混色を抑制できる。このため、より高い表示品位の表示が可能となる表示装置を提供することができる。
図４（Ｂ）は、図４（Ａ）のＢ－Ｂ´断面図を示したものである。Ｂ－Ｂ´線は、Ｘ方向（第１の方向）と第１の角度で交差する方向（第２の方向）の線である。
図４（Ａ）および（Ｂ）に示すように、画素２１０から周辺側（Ｂ´方向）に向けて、
画素３２０、３３０、３４０が配置されている。画素３２０、３３０、３４０のそれぞれに対応して、マイクロレンズ３２５、３３５、３４５が設けられている。ＸＹ平面における各マイクロレンズの中心Ｃと頂点Ｔの距離について、距離３３６は距離３２６よりも大きく、距離３４６は距離３３６よりも大きくなっている。すなわち、発光層から垂直方向に放出された光束がマイクロレンズで屈折される角度は、有効画素領域の中央部から周辺側に離れるにつれて、増加している。これにより、より高い表示品位の表示が可能となる表示装置を提供することができる。
画素３２０、３３０、３４０が配置されている。画素３２０、３３０、３４０のそれぞれに対応して、マイクロレンズ３２５、３３５、３４５が設けられている。ＸＹ平面における各マイクロレンズの中心Ｃと頂点Ｔの距離について、距離３３６は距離３２６よりも大きく、距離３４６は距離３３６よりも大きくなっている。すなわち、発光層から垂直方向に放出された光束がマイクロレンズで屈折される角度は、有効画素領域の中央部から周辺側に離れるにつれて、増加している。これにより、より高い表示品位の表示が可能となる表示装置を提供することができる。
なお、図４（Ｂ）においては、画素２１０からＢ´方向の画素しか図示していないが、画素２１０からＢ方向の各画素は、図４（Ｂ）に示したマイクロレンズと線対称の形状を有するマイクロレンズが設けられている。この点に関しては、以下で説明する図５（Ｂ）、図６（Ｂ）も同様である。
図５（Ｂ）は、図５（Ａ）のＣ－Ｃ´断面図を示したものである。Ｃ－Ｃ´線は、Ｘ方向（第１の方向）と第２の角度で交差する方向（第３の方向）の線である。
図５（Ａ）および（Ｂ）に示すように、画素２１０から周辺側（Ｃ´方向）に向けて、
画素４２０、４３０、４４０が配置されている。画素４２０、４３０、４４０のそれぞれに対応して、マイクロレンズ４２５、４３５、４４５が設けられている。ＸＹ平面における各マイクロレンズの中心Ｃと頂点Ｔの距離について、距離４３６は距離４２６よりも大きく、距離４４６は距離４３６よりも大きくなっている。すなわち、発光層から垂直方向に放出された光束がマイクロレンズで屈折される角度は、有効画素領域の中央部から周辺側に離れるにつれて、増加している。これにより、より高い表示品位の表示が可能となる表示装置を提供することができる。
画素４２０、４３０、４４０が配置されている。画素４２０、４３０、４４０のそれぞれに対応して、マイクロレンズ４２５、４３５、４４５が設けられている。ＸＹ平面における各マイクロレンズの中心Ｃと頂点Ｔの距離について、距離４３６は距離４２６よりも大きく、距離４４６は距離４３６よりも大きくなっている。すなわち、発光層から垂直方向に放出された光束がマイクロレンズで屈折される角度は、有効画素領域の中央部から周辺側に離れるにつれて、増加している。これにより、より高い表示品位の表示が可能となる表示装置を提供することができる。
図６（Ｂ）は、図６（Ａ）のＤ－Ｄ´断面図を示したものである。Ｄ－Ｄ´線は、Ｘ方向（第１の方向）と直交する方向（第４の方向）の線である。
図６（Ａ）および（Ｂ）に示すように、画素２１０から周辺側（Ｄ´方向）に向けて、
画素５２０、５３０、５４０が配置されている。画素５２０、５３０、５４０のそれぞれに対応して、マイクロレンズ５２５、５３５、５４５が設けられている。ＸＹ平面における各マイクロレンズの中心Ｃと頂点Ｔの距離について、距離５３６は距離５２６よりも大きく、距離５４６は距離５３６よりも大きくなっている。すなわち、発光層から垂直方向に放出された光束がマイクロレンズで屈折される角度は、有効画素領域の中央部から周辺側に離れるにつれて、増加している。これにより、より高い表示品位の表示が可能となる表示装置を提供することができる。
画素５２０、５３０、５４０が配置されている。画素５２０、５３０、５４０のそれぞれに対応して、マイクロレンズ５２５、５３５、５４５が設けられている。ＸＹ平面における各マイクロレンズの中心Ｃと頂点Ｔの距離について、距離５３６は距離５２６よりも大きく、距離５４６は距離５３６よりも大きくなっている。すなわち、発光層から垂直方向に放出された光束がマイクロレンズで屈折される角度は、有効画素領域の中央部から周辺側に離れるにつれて、増加している。これにより、より高い表示品位の表示が可能となる表示装置を提供することができる。
（光学部材の形成方法）
上記した非対称マイクロレンズについては、露光および現像プロセスで形成することが可能である。具体的には、マイクロレンズを形成するための材料による膜（フォトレジスト膜）を形成し、連続的な諧調変化を有するマスクを用いて、フォトレジスト膜を露光および現像を行う。このようなマスクとしては、グレーマスク、或いは、露光装置の解像度以下の遮光膜からなるドットの密度分布を変化させることで結像面に連続した階調を有する光照射を可能とする面積階調マスクを用いることが可能である。
上記した非対称マイクロレンズについては、露光および現像プロセスで形成することが可能である。具体的には、マイクロレンズを形成するための材料による膜（フォトレジスト膜）を形成し、連続的な諧調変化を有するマスクを用いて、フォトレジスト膜を露光および現像を行う。このようなマスクとしては、グレーマスク、或いは、露光装置の解像度以下の遮光膜からなるドットの密度分布を変化させることで結像面に連続した階調を有する光照射を可能とする面積階調マスクを用いることが可能である。
また、露光および現像プロセスで形成したマイクロレンズに対して、エッチバックを行うことにより、レンズ形状を調整することが可能である。
さらに、露光および現像プロセスを行わずに非対称マイクロレンズを形成することも可能である。例えば、特開２０１６－１１８６７５号の図５頭に記載されているように、小さい形状のマイクロレンズの上に樹脂を形成し、樹脂をリフローすることによっても、非対称マイクロレンズを形成することが可能である。発光層として有機層を用いる場合には、リフロープロセスの温度を所定の温度以下とする。例えば、所定の温度以下は、１２０℃以下である。
（発光素子の画素構造）
図７（Ａ）から（Ｄ）のそれぞれは、図２に示した画素２１０から２４０のそれぞれの画素構造を示す図である。図７（Ａ）から（Ｄ）で異なるのは、マイクロレンズ２１５から２４５の形状であり、これらの違いについては上記の通りである。以下、図７（Ａ）から（Ｄ）に共通する要素について説明する。
図７（Ａ）から（Ｄ）のそれぞれは、図２に示した画素２１０から２４０のそれぞれの画素構造を示す図である。図７（Ａ）から（Ｄ）で異なるのは、マイクロレンズ２１５から２４５の形状であり、これらの違いについては上記の通りである。以下、図７（Ａ）から（Ｄ）に共通する要素について説明する。
図７において、シリコン基板６１０の上に、配線構造６１５が設けられており、配線構造６１５の上に第１の電極６２０が設けられている。隣接する画素同士の複数の第１の電極６２０の間には、分離部６３０（バンク）が設けられている。第１の電極６２０の上には、発光層としての有機層６４０と、第２の電極６５０が設けられている。第２の電極６５０の上には、封止層６６０、平坦化層６７０、カラーフィルタ層６８０が設けられている。
シリコン基板６１０には、トランジスタ等のスイッチング回路が設けられている。
配線構造６１５には、アルミニウム層や銅層などの多層配線層と、ビアプラグやコンタクトプラグを含む。多層配線層の間には、配線間を絶縁する絶縁膜などが設けられている。絶縁膜は酸化シリコン層や窒化シリコン層、炭化シリコン層などからなる。酸窒化シリコンや炭窒化シリコンは、窒素とシリコンを主たる元素とすることから、窒化シリコンの一種となる。
第１の電極６２０は、発光波長での反射率が７０％以上の金属材料が望ましい。ＡｌやＡｇなどの金属やそれらにＳｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｎｄなどを添加した合金、また、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＩＧＺＯを使用できる。なお、ここでの発光波長とは、有機層６４０から発光されるスペクトル範囲のことを指す。第１電極６２０は、所望の反射率よりも高ければ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ａｕ、の金属やその合金などのバリア電極との積層電極としてもよい。あるいは、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明酸化膜電極との積層電極としてもよい。
第１の電極６２０を透明導電膜とし、第１の電極６２０の下部に更に反射層を設ける構成としてもよい。透明導電膜としてはＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＩＧＺＯなどを使用できる。後の実施形態で説明するように、光学距離を最適化するために、反射層と透明導電膜の間に光学調整層を設ける構成としてもよい。光学調整層は、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素のそれぞれで、異なる光学膜厚とする。光学調整層は、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ）等で形成される。
有機層６４０は、蒸着法やスピンコート法など公知の技術により形成することができる。有機層６４０は、複数の層から構成されていてもよい。複数の層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層が挙げられる。有機層６４０は、陽極から注入された正孔と陰極から注入された電子が有機層において再結合することで光を出射する。有機層の構成は単層でも複数層でもよい。有機層のいずれかに赤色発光材料、緑色発光材料、青色発光材料を有することができ、各発光色を混合することで白色光を得ることも可能である。
第２の電極６５０は、有機層６４０の上に配置されているため、透光性を有している。第２の電極６５０は、有機層６４０からの光の一部を透過するとともに、他の光の一部を反射する性質（すなわち半透過反射性）を持った半透過材料であってもよい。第２の電極６５０を構成する材料は、例えば、透明導電酸化物のような透明材料（ＩＴＯ、ＩＺＯ）である。あるいは、アルミニウムや銀や金などの単体金属、リチウムやセシウムなどのアルカリ金属、マグネシウムやカルシウムやバリウムなどのアルカリ土類金属、これらの金属材料を含んだ合金材料からなる半透過材料である。半透過材料は特にマグネシウムや銀を主成分とする合金が好ましい。また第２の電極６５０は好ましい透過率を有するならば、上記材料の積層構成であってもよい。また、第２の電極６５０は、複数の画素に一体で形成されていて共有されてもよい。
封止層６６０は、透光性を有し外部からの酸素や水分の透過性が低い無機材料を含むことが好ましい。特に、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ２Ｏ３）、チタン酸化物（ＴｉＯ２）などの無機材料が好ましい。特に封止性能の面において、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ，Ａｌ２Ｏ３の無機材料が好ましい。封止層６６０の形成には化学気相堆積法（ＣＶＤ法）、原子層堆積法（ＡＬＤ法）、スパッタリング法を用いることが好ましい。封止層６６０は十分な水分遮断性能があれば、単層構造であっても、上記材料や形成手法を組み合わせた積層構造でもよい。本発明の表示装置は、発光層６４０とマイクロレンズ２１５～２４５までの距離が小さい方が、隣接画素の非球面マイクロレンズへの迷光による混色を抑制することができる。よって、薄膜でもカバレッジ性能に優れた原子層堆積法（ＡＬＤ法）用いて形成されたアルミニウム酸化物（Ａｌ２Ｏ３）等の封止膜を用いることが好ましい。
平坦化膜６７０は、透光性を有する樹脂層で構成されうる。例えば、平坦化層は、スピンコート法を用いて形成される。
カラーフィルタ６８０は、それぞれ異なる色を透過するカラーフィルタである。例えば、赤色、緑色、青色の光を透過するカラーフィルタである。あるいは、シアン、マゼンタ、イエローの光を透過するカラーフィルタであってもよい。
図７では、例えば、カラーフィルタ６８０は緑色の光を透過するカラーフィルタである。カラーフィルタは一部もしくは全部を省略してもよい。
図７では、例えば、カラーフィルタ６８０は緑色の光を透過するカラーフィルタである。カラーフィルタは一部もしくは全部を省略してもよい。
図１において、有効画素領域１１および非有効画素領域１２には、赤色、緑色、青色のパターニングされたカラーフィルタが配置されるが、周辺回路領域１３の一部には、単色のカラーフィルタのみが配置される領域を有していてもよい。例えば、図１のカラーフィルタが設けられる領域の外縁１４から１００ｕｍ以上は、青色の光を透過するカラーフィルタのみが設けられる領域としてもよい。
（ＲＧＢの画素構造）
図８（Ａ）に、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素を有する発光素子の構造を示す。Ｒ画素には赤色を選択的に透過するカラーフィルタ６８１、Ｇ画素には緑色を選択的に透過するカラーフィルタ６８２、Ｂ画素には、青色を選択的に透過するカラーフィルタ６８３が設けられている。
図８（Ａ）に、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素を有する発光素子の構造を示す。Ｒ画素には赤色を選択的に透過するカラーフィルタ６８１、Ｇ画素には緑色を選択的に透過するカラーフィルタ６８２、Ｂ画素には、青色を選択的に透過するカラーフィルタ６８３が設けられている。
また、隣接するＲＧＢ画素のそれぞれには、共通の形状を有するマイクロレンズ２４５が設けられている。すなわち、隣接する画素同士に設けられた複数の非対称マイクロレンズは、必ずしも異なる形状である必要はない。例えば、有効画素領域を３以上のブロックに区画し、有効画素領域の中央部から周辺側に向けて、順に、第１のブロック、第２のブロック、第３のブロックとする。この場合、第１のブロックに属する画素にマイクロレンズ２１５を設け、第２のブロックに属する画素にマイクロレンズ２２５を設け、第３のブロックに属する画素にマイクロレンズ２３５を設けるような形態を採用してもよい。第２ブロックおよび第３ブロックのそれぞれにおいて、隣接する画素同士に設けられた複数のマイクロレンズは同一の形状となる。なお、ここで同一とは、略同一のことであり、設計誤差も許容される。
あるいは、図２に示す画素２２０と画素２３０の間に設けられている画素については、マイクロレンズ２２５が有する距離２２６と、マイクロレンズが有する距離２３６の間の距離を有する非対称マイクロレンズを設けてもよい。この場合、隣接する画素同士に設けられる非対称マイクロレンズの形状は異なる形状となる。
また、図８（Ａ）では、マイクロレンズ２４５の中心と、各画素の中心とを一致させるような構成としたが、マイクロレンズ２４５の中心を、各画素の中心よりも、有効画素領域の周辺側にシフトした位置に設けてもよい。また、有効画素領域の中心から周辺側の画素になるにつれて、マイクロレンズ２４５の中心のシフト量を徐々に大きくなるように構成してもよい。
（本実施形態のマイクロレンズの特徴）
発光層から垂直方向に放出された光束がマイクロレンズで屈折される角度を有効画素領域の中央部から周辺側に離れるにつれて増加させるためには、特開２００７－３３５７２３号の図２に示す非対称マイクロレンズを用いてもよい。この非対称マイクロレンズはティアドロップ型と呼ばれるものである。
発光層から垂直方向に放出された光束がマイクロレンズで屈折される角度を有効画素領域の中央部から周辺側に離れるにつれて増加させるためには、特開２００７－３３５７２３号の図２に示す非対称マイクロレンズを用いてもよい。この非対称マイクロレンズはティアドロップ型と呼ばれるものである。
これに対して、本願の図２から図６に示したマイクロレンズは、特開２０１５－０１２４８８号の図３（ａ）に示されているマイクロレンズに相当するレンズを用いている。
本願の図２から図６に示したマイクロレンズによれば、ティアドロップ型よりも画素に占める占有面積が大きいため、より効率よく光を集光させることが可能となる。具体的には、例えば、図２（Ｂ）の上図のＸＹ平面に示されているように、マイクロレンズ２２５、２３５、２４５の外縁は、ＸＹ平面においてＹ方向に沿った辺を備えている。すなわち、各マイクロレンズの外縁は、複数のマイクロレンズが配されている第１の方向（Ｘ方向）と交差する第２の方向（Ｙ方向）に沿った辺を備えている。これに対して、ティアドロップ型のマイクロレンズは、Ｙ方向に沿った辺は備えていない。この結果、各画素において、ディアドロップ型マイクロレンズの占有面積は、本願の図２から図６に示したマイクロレンズの占有面積よりも小さくなる。占有面積の大小関係については、特開２０１５－０１２４８８号の図４（ａ）と（ｂ）を比較すれば、理解できる。
なお、特開２００７－３３５７２３号および特開２０１５－０１２４８８号は、撮像装置に用いるマイクロレンズであり、本実施形態のように表示装置に用いるマイクロレンズとは用途が異なる。
（本実施形態の変形例）
図８（Ｂ）は、図８（Ａ）と比較して、カラーフィルタ６８１～６８３がマイクロレンズ２４５の上部に設けられている点が異なる。マイクロレンズ２４５とカラーフィルタ６８１～６８３の間には、層７００が設けられている。層７００は、平坦化層としての機能と、カラーフィルタ６８１～６８３とマイクロレンズ２４５とを接着する接着材としての機能を有するために、樹脂で構成されていてもよい。この場合の樹脂は単一層でもよいし、平坦化層用の樹脂層と、接着材用樹脂層とを機能分離して、別々の層としてもよい。あるいは、層７００はエアギャップ層（気体層）としてもよい。層７００をエアギャップ層とした場合、マイクロレンズ２４５と層７００との屈折率差が確保できるため、マイクロレンズ２４５の屈折力（パワー）を強くすることができ、より高い表示品位の表示が可能となる表示装置を提供することができる。
図８（Ｂ）は、図８（Ａ）と比較して、カラーフィルタ６８１～６８３がマイクロレンズ２４５の上部に設けられている点が異なる。マイクロレンズ２４５とカラーフィルタ６８１～６８３の間には、層７００が設けられている。層７００は、平坦化層としての機能と、カラーフィルタ６８１～６８３とマイクロレンズ２４５とを接着する接着材としての機能を有するために、樹脂で構成されていてもよい。この場合の樹脂は単一層でもよいし、平坦化層用の樹脂層と、接着材用樹脂層とを機能分離して、別々の層としてもよい。あるいは、層７００はエアギャップ層（気体層）としてもよい。層７００をエアギャップ層とした場合、マイクロレンズ２４５と層７００との屈折率差が確保できるため、マイクロレンズ２４５の屈折力（パワー）を強くすることができ、より高い表示品位の表示が可能となる表示装置を提供することができる。
また、図９（Ａ）は、図８（Ａ）と比較して、マイクロレンズ２４５と有機層６４０との間に、別のマイクロレンズ８００を設けた点が異なる。マイクロレンズ２４５だけでは、光束を十分に屈折することができない場合に、追加で別のマイクロレンズ８００を設けることにより、より高い表示品位の表示が可能となる表示装置を提供することができる。層８１０は、層７００と同様に樹脂層であっても、エアギャップ層であってもよい。また、図９（Ａ）では、マイクロレンズ８００として、非対称マイクロレンズの例を示したが、対称マイクロレンズとして、マイクロレンズの中心を画素中心から有効画素領域の周辺側にシフトした形態にしてもよい。あるいは、非対称マイクロレンズとレンズ中心シフトの両方を用いてもよい。
さらに、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）と比較して、マイクロレンズ２４５が発光層である有機層６４０に向かって凸形状を有している点が異なる。マイクロレンズ８００とマイクロレンズ２４５の屈折率に対して、樹脂層８１０の屈折率を小さくすることで、発光層から垂直方向に放出される光束をマイクロレンズ８００とマイクロレンズ２４５によって、同方向に屈折させることができる。このような構成の場合、マイクロレンズ２４５は発光層に向かって凸形状を有することとなる。
加えて、図１０（Ａ）は、図８（Ａ）と比較して、マイクロレンズ９１０とカラーフィルタ６８１から６８３を、シリコン基板６１０とは別の基板である基板８５０に形成する点が異なる。シリコン基板６１０の上には、配線構造６１５から平坦化層６６０までを形成し、第１チップとする。他方、基板８５０の上には、マイクロレンズ９１０とカラーフィルタ６８１～６８３を形成し、第２チップとする。そして、第１チップと第２チップを対向して張り合わせる。上記のように、層８１０は、樹脂層であっても、エアギャップ層であってもよい。基板８５０は透過性の基板であればよく、例えばガラス等である。
図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）の変形例である。例えば、シリコン基板６１０の上には、配線構造６１５からカラーフィルタ６８１～６８３を形成し、第１チップとする。他方、基板８５０の上には、マイクロレンズを形成し、第２チップとする。そして、第１チップと第２チップを対向して張り合わせる。
（実施形態２）
実施形態２は、実施形態１の図８（Ａ）と比較して、遮光層が設けられている点が異なる。図１１において、平坦化層６７０の上には、遮光層９２０が設けられており、遮光層９２０の上には、別の平坦化層９３０が設けられている。遮光層９２０は隣接する画素間に形成されている。遮光層９２０によって、隣接画素同士の混色を抑制することができる。遮光層９２０は、発光層としての有機層６４０から発光する光のうち、可視領域の波長成分を吸収する層であればよい。例えば、カラーフィルタと同様の感光性樹脂に顔料やカーボンブラックなどを分散させた構成とすることができる。また、遮光層９２０は、２種類以上のカラーフィルタを積層して遮光層としてもよい。遮光層９２０の配置は、画素の周囲を全て囲うように形成されてもよいし、一部を覆うように形成されてもよい。さらに、遮光層９２０は、可視領域の波長の光をすべて遮光する必要はなく、８０％以上、好ましくは、９０％以上の光を透過しないような構成とすればよい。
実施形態２は、実施形態１の図８（Ａ）と比較して、遮光層が設けられている点が異なる。図１１において、平坦化層６７０の上には、遮光層９２０が設けられており、遮光層９２０の上には、別の平坦化層９３０が設けられている。遮光層９２０は隣接する画素間に形成されている。遮光層９２０によって、隣接画素同士の混色を抑制することができる。遮光層９２０は、発光層としての有機層６４０から発光する光のうち、可視領域の波長成分を吸収する層であればよい。例えば、カラーフィルタと同様の感光性樹脂に顔料やカーボンブラックなどを分散させた構成とすることができる。また、遮光層９２０は、２種類以上のカラーフィルタを積層して遮光層としてもよい。遮光層９２０の配置は、画素の周囲を全て囲うように形成されてもよいし、一部を覆うように形成されてもよい。さらに、遮光層９２０は、可視領域の波長の光をすべて遮光する必要はなく、８０％以上、好ましくは、９０％以上の光を透過しないような構成とすればよい。
あるいは、遮光層９２０の代わりに、反射構造体を隣接する画素間に設けてもよい。このような構成でも隣接する画素に配されているマイクロレンズへの光入射が抑制され、隣接画素同士の混色を抑制することができる。
（実施形態３）
実施形態３は、実施形態１の図８（Ａ）と比較して、有機層の下に光学調整層が設けられ、光学調整層の下に反射層が設けられている点が異なる。
実施形態３は、実施形態１の図８（Ａ）と比較して、有機層の下に光学調整層が設けられ、光学調整層の下に反射層が設けられている点が異なる。
図１２において、Ｒ画素には光学調整層９５１、Ｇ画素には光学調整層９５２、Ｂ画素には光学調整層９５３が設けられている。各光学調整層の下には、反射層９４０が設けられている。光学調整層９５１～９５３は、各画素の波長に合わせて、光学膜厚が最適化されており、光学干渉によって、ＲＧＢ画素のそれぞれから放射される光の指向性を強めることができる。これにより、隣接画素に設けられている球面マイクロレンズへの迷光を抑制することが可能となる。このため、発光エネルギーの無駄がなくなり光の利用効率が向上し、かつ、迷光による混色を抑制することができる。さらに、光学干渉によって、画素ごとの波長選択性が向上するため、カラーフィルタの膜厚を薄くすることができる。このため、有機層とマイクロレンズの距離が小さく設定できるため、隣接画素のマイクロレンズに入射する迷光を抑制できる。
（実施形態４）
図１３を参照して、上述の各実施形態の表示装置の適用例について説明する。表示装置は、例えばスマートグラス、ＨＭＤ、スマートコンタクトのようなウェアラブルデバイスとして装着可能なシステムに適用できる。このような適用例に使用される撮像表示装置は、可視光を光電変換可能な撮像装置と、可視光を発光可能な表示装置とを有する。
図１３を参照して、上述の各実施形態の表示装置の適用例について説明する。表示装置は、例えばスマートグラス、ＨＭＤ、スマートコンタクトのようなウェアラブルデバイスとして装着可能なシステムに適用できる。このような適用例に使用される撮像表示装置は、可視光を光電変換可能な撮像装置と、可視光を発光可能な表示装置とを有する。
図１３（Ａ）は、１つの適用例に係る眼鏡１３００（スマートグラス）を説明する。眼鏡１３００のレンズ１３０１の表面側に、ＣＭＯＳセンサやＳＰＡＤのような撮像装置１３０２が設けられている。また、レンズ１３０１の裏面側には、上述した各実施形態の表示装置が設けられている。
眼鏡１３００は、制御装置１３０３をさらに備える。制御装置１３０３は、撮像装置１３０２と各実施形態に係る表示装置に電力を供給する電源として機能する。また、制御装置１３０３は、撮像装置１３０２と表示装置の動作を制御する。レンズ１３０１には、撮像装置１３０２に光を集光するための光学系が形成されている。
図１３（Ｂ）は、１つの適用例に係る眼鏡１３１０（スマートグラス）を説明する。眼鏡１３１０は、制御装置１３１２を有しており、制御装置１３１２に、撮像装置１３０２に相当する撮像装置と、表示装置が搭載される。レンズ１３１１には、制御装置１３１２内の撮像装置と、表示装置からの発光を投影するための光学系が形成されており、レンズ１３１１には画像が投影される。制御装置１３１２は、撮像装置および表示装置に電力を供給する電源として機能するとともに、撮像装置および表示装置の動作を制御する。
（その他の実施形態）
上記実施形態では、表示装置における画素の平面配置は、ハニカム構造のデルタ配置とした。しかし、ストライプ配列、スクエア配列、ペンタイル配列、ベイヤー配列のいずれの方式でもよい。
上記実施形態では、表示装置における画素の平面配置は、ハニカム構造のデルタ配置とした。しかし、ストライプ配列、スクエア配列、ペンタイル配列、ベイヤー配列のいずれの方式でもよい。
また、上記実施形態では、有機層からは白色が発光することを前提として、画素ごとにＲＧＢのカラーフィルタを設ける例を説明したが、ＲＧＢの各色が発光する有機層を画素ごとに設ける形態であってもよい。
また、上記実施形態では、表示素子として、有機ＬＥＤを用いることを説明した。しかし、表示素子は、発光素子であればよいため、無機ＬＥＤ、液晶素子、反射素子なども適用することが可能である。また、量子ドットを発光層として用いた発光素子や、量子ドットを色変換層として用いた発光素子でもよい。量子ドットの材料は、ＩｎＰ、ＣｄＳ、ＰｂＳ、ＺｎＳ、ＣｄＳｅなどの材料からなる粒子であり、コアシェル型量子ドット、ペロブスカイト型量子ドットを用いることができる。
さらに、上記実施形態では、光学部材として、非対称マイクロレンズを用いたが、フレネルゾーンプレートを用いることもできる。フレネルゾーンプレートとは、光の屈折現象を利用した結像素子で、入射光に対して透明および不透明の同心円状の輪帯を繰り返した円形の透過型回折格子である。フレネルゾーンプレートの製造方法としては、フォトリソグラフィ技術やナノインプリントなどの印刷技術を用いることができる。
１００ 表示装置
２１０、２２０、２３０、２４０ 画素
２１５、２２５、２３５、２４５ マイクロレンズ
２１０、２２０、２３０、２４０ 画素
２１５、２２５、２３５、２４５ マイクロレンズ
Claims (17)
- 複数の画素が２次元状に配された表示領域を備え、
前記複数の画素のそれぞれは、発光層と、前記発光層からの光を屈折させる光学部材と、を有し、
第１の画素が有する第１の光学部材は、前記第１の光学部材を前記発光層に対して正射影した場合に、前記第１の光学部材の頂点の位置と前記第１の光学部材の中心の位置とが、第１の距離で離れており、
前記表示領域において、前記第１の画素よりも周辺側に位置する第２の画素を有し、
前記第２の画素が有する第２の光学部材は、前記第２の光学部材を前記発光層に対して正射影した場合に、前記第２の光学部材の頂点の位置と前記第２の光学部材の中心の位置とが、第２の距離で離れており、
前記第１の距離よりも、前記第２の距離の方が大きいことを特徴とする表示装置。 - 前記表示領域において、前記第２の画素よりも周辺側に位置する第３の画素を有し、
前記第３の画素が有する第３の光学部材は、前記第３の光学部材を前記発光層に対して正射影した場合に、前記第３の光学部材の頂点の位置と前記第３の光学部材の中心の位置とが、第３の距離で離れており、
前記第２の距離よりも、前記第３の距離の方が大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 - 前記第１の画素と前記第２の画素は、第１の方向に配されており、
前記第１の光学部材の外縁は、前記第１の光学部材を前記発光層に対して正射影した場合に、前記第１の方向と交差する第２の方向に沿った辺を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。 - 前記光学部材は、前記発光層に向かって凸形状を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の表示装置。
- 前記光学部材は、前記発光層とは反対の方向に向かって凸形状を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の表示装置。
- 前記複数の画素は、ハニカム構造のデルタ配置で設けられていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の表示装置。
- 前記表示領域の中央部から周辺部に向かって、順に第１のブロック、第２のブロック、第３のブロックに区画されており、
前記第２のブロックに属する複数の画素には、前記第１の光学部材が設けられており、
前記第３のブロックに属する複数の画素には、前記第２の光学部材が設けられていることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の表示装置。 - 前記発光層は、有機層であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の表示装置。
- 前記発光層と前記光学部材の間にカラーフィルタが配置されていることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の表示装置。
- 前記発光層の上に封止層が形成されており、封止層はＡＬＤ法で形成されていることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の表示装置。
- 前記第１の画素と、前記第１の画素と隣接する画素の間に遮光層が配されており、
前記遮光層は、前記発光層の上に形成されていることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の表示装置。 - 前記第１の画素は、第１の色のカラーフィルタを有し、
前記第１の画素に隣接する画素は、第２の色のカラーフィルタを有し、
前記第１の画素に設けられている第１の光学調整層と、前記第１の画素に隣接する画素に設けられている第２の光学調整層の光学膜厚が異なることを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の表示装置。 - 前記第１の光学調整層は前記第１の画素から出射される光の指向性を強めることができ、前記第２の光学調整層は前記第２の画素から出射される光の指向性を強めることができることを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
- 前記第１の光学部材は前記第１の色のカラーフィルタ上に配され、前記第２の光学部材は前記第２の色のカラーフィルタ上に配されることを特徴とする請求項１２または１３に記載の表示装置。
- 前記第１の光学部材の頂点の位置は、前記第１の光学部材の中心の位置に対して前記周辺側に離れており、前記第２の光学部材の頂点の位置は、前記第２の光学部材の中心の位置に対して前記周辺側に離れていることを特徴とする請求項１から１４のいずれか１項に記載の表示装置。
- 請求項１から１５のいずれか１項に記載の表示装置と、
前記表示装置から出射される光が入射する光学レンズ系と、を備えた
表示システム。 - 前記表示システムは、ウェアラブルデバイスとして装着可能に構成されていることを特徴とする請求項１６に記載の表示システム。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019130386A JP7353834B2 (ja) | 2019-07-12 | 2019-07-12 | 表示装置および表示システム |
| EP20181964.6A EP3764399B1 (en) | 2019-07-12 | 2020-06-24 | Display device and display system |
| US16/922,526 US20210014393A1 (en) | 2019-07-12 | 2020-07-07 | Light emitting device, exposure system, imaging display device, imaging device, electronic device, and lighting device |
| CN202010653112.2A CN112216806B (zh) | 2019-07-12 | 2020-07-08 | 发光装置、曝光系统、摄像显示装置、摄像装置、电子装置、照明装置和移动物体 |
| US16/925,119 US11665926B2 (en) | 2019-07-12 | 2020-07-09 | Display device and display system |
| CN202010658167.2A CN112216730A (zh) | 2019-07-12 | 2020-07-09 | 显示装置和显示系统 |
| EP21210833.6A EP3996144A1 (en) | 2019-07-12 | 2020-07-10 | Light emitting device, exposure system, imaging display device, imaging device, electronic device, lighting device, and moving object |
| EP20185326.4A EP3764400A3 (en) | 2019-07-12 | 2020-07-10 | Light emitting device, exposure system, imaging display device, imaging device, electronic device, lighting device, and moving object |
| US18/185,909 US20230232657A1 (en) | 2019-07-12 | 2023-03-17 | Display device and display system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019130386A JP7353834B2 (ja) | 2019-07-12 | 2019-07-12 | 表示装置および表示システム |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021015732A JP2021015732A (ja) | 2021-02-12 |
| JP2021015732A5 JP2021015732A5 (ja) | 2022-07-04 |
| JP7353834B2 true JP7353834B2 (ja) | 2023-10-02 |
Family
ID=71143524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019130386A Active JP7353834B2 (ja) | 2019-07-12 | 2019-07-12 | 表示装置および表示システム |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11665926B2 (ja) |
| EP (1) | EP3764399B1 (ja) |
| JP (1) | JP7353834B2 (ja) |
| CN (1) | CN112216730A (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018135189A1 (ja) * | 2017-01-20 | 2018-07-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置、電子機器、及び表示装置の製造方法 |
| US20210014393A1 (en) * | 2019-07-12 | 2021-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Light emitting device, exposure system, imaging display device, imaging device, electronic device, and lighting device |
| JP7353834B2 (ja) | 2019-07-12 | 2023-10-02 | キヤノン株式会社 | 表示装置および表示システム |
| WO2023021360A1 (ja) * | 2021-08-18 | 2023-02-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、及び電子機器 |
| WO2023052892A1 (ja) * | 2021-09-29 | 2023-04-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、および電子機器 |
| KR20230049191A (ko) * | 2021-10-05 | 2023-04-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| GB2624569A (en) * | 2021-10-29 | 2024-05-22 | Boe Technology Group Co Ltd | Display apparatus, and display panel and manufacturing method thereof |
| WO2023106082A1 (ja) * | 2021-12-10 | 2023-06-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示素子及び表示装置 |
| EP4195901A1 (en) * | 2021-12-13 | 2023-06-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Light emitting device, display device, image sensing device, and electronic apparatus |
| CN114280793B (zh) * | 2021-12-30 | 2023-04-28 | 视涯科技股份有限公司 | 一种显示装置 |
| JP2023155685A (ja) * | 2022-04-11 | 2023-10-23 | Ｔｏｐｐａｎホールディングス株式会社 | 表示装置 |
| WO2024034502A1 (ja) * | 2022-08-09 | 2024-02-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光装置および電子機器 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004347693A (ja) | 2003-05-20 | 2004-12-09 | Seiko Epson Corp | マイクロレンズアレイ、空間光変調装置、プロジェクタ及びマイクロレンズアレイの製造方法 |
| JP2015012488A (ja) | 2013-06-28 | 2015-01-19 | キヤノン株式会社 | 光学素子アレイ、及び固体撮像装置 |
| JP2015187635A (ja) | 2014-03-26 | 2015-10-29 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 色変化部材、光装置、表示装置および電子機器 |
| JP2016118675A (ja) | 2014-12-22 | 2016-06-30 | キヤノン株式会社 | マイクロレンズ及びその製造方法 |
| WO2017169563A1 (ja) | 2016-03-31 | 2017-10-05 | ソニー株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
| JP2017181831A (ja) | 2016-03-31 | 2017-10-05 | ソニー株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4032918B2 (ja) * | 2002-10-24 | 2008-01-16 | ソニー株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
| JP2007335723A (ja) | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子用マイクロレンズ及びその製造方法 |
| JP2010135212A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Panasonic Corp | 発光素子、それを用いた表示装置および照明装置、ならびに発光素子の製造方法 |
| JP2010160343A (ja) * | 2009-01-08 | 2010-07-22 | Seiko Epson Corp | プロジェクタ |
| KR101093037B1 (ko) * | 2009-12-02 | 2011-12-13 | 주식회사 래도 | 전광판용 픽셀 모듈 |
| JP2012059692A (ja) | 2010-08-09 | 2012-03-22 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP2012134128A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-07-12 | Canon Inc | 表示装置 |
| US9293734B2 (en) * | 2010-12-23 | 2016-03-22 | Universal Display Corporation | Light extraction block with curved surface |
| JP2012199231A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-10-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JP2012248453A (ja) | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Canon Inc | 表示装置 |
| JP2013114772A (ja) | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Canon Inc | 表示装置 |
| KR102039685B1 (ko) | 2013-04-17 | 2019-11-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102335812B1 (ko) | 2014-09-19 | 2021-12-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
| JP2017079243A (ja) * | 2015-10-19 | 2017-04-27 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
| KR102417142B1 (ko) * | 2015-11-11 | 2022-07-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102648410B1 (ko) * | 2016-03-11 | 2024-03-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 근안 표시 장치 |
| US10459215B2 (en) | 2016-12-27 | 2019-10-29 | Kopin Corporation | Video display device |
| JP7057147B2 (ja) | 2018-01-31 | 2022-04-19 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光素子及び表示装置 |
| CN109216584B (zh) * | 2018-08-30 | 2020-09-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled显示面板 |
| DE112019005974T5 (de) | 2018-11-30 | 2021-09-09 | Sony Group Corporation | Anzeigevorrichtung |
| JP7006654B2 (ja) | 2019-05-09 | 2022-01-24 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置、および電子機器 |
| JP7353834B2 (ja) | 2019-07-12 | 2023-10-02 | キヤノン株式会社 | 表示装置および表示システム |
| CN112652728B (zh) | 2020-12-29 | 2022-11-25 | 视涯科技股份有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
-
2019
- 2019-07-12 JP JP2019130386A patent/JP7353834B2/ja active Active
-
2020
- 2020-06-24 EP EP20181964.6A patent/EP3764399B1/en active Active
- 2020-07-09 CN CN202010658167.2A patent/CN112216730A/zh active Pending
- 2020-07-09 US US16/925,119 patent/US11665926B2/en active Active
-
2023
- 2023-03-17 US US18/185,909 patent/US20230232657A1/en active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004347693A (ja) | 2003-05-20 | 2004-12-09 | Seiko Epson Corp | マイクロレンズアレイ、空間光変調装置、プロジェクタ及びマイクロレンズアレイの製造方法 |
| JP2015012488A (ja) | 2013-06-28 | 2015-01-19 | キヤノン株式会社 | 光学素子アレイ、及び固体撮像装置 |
| JP2015187635A (ja) | 2014-03-26 | 2015-10-29 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 色変化部材、光装置、表示装置および電子機器 |
| JP2016118675A (ja) | 2014-12-22 | 2016-06-30 | キヤノン株式会社 | マイクロレンズ及びその製造方法 |
| WO2017169563A1 (ja) | 2016-03-31 | 2017-10-05 | ソニー株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
| JP2017181831A (ja) | 2016-03-31 | 2017-10-05 | ソニー株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11665926B2 (en) | 2023-05-30 |
| EP3764399B1 (en) | 2023-11-01 |
| CN112216730A (zh) | 2021-01-12 |
| JP2021015732A (ja) | 2021-02-12 |
| US20210013453A1 (en) | 2021-01-14 |
| US20230232657A1 (en) | 2023-07-20 |
| EP3764399A1 (en) | 2021-01-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7353834B2 (ja) | 表示装置および表示システム | |
| KR102601422B1 (ko) | 발광 적층 구조체 및 이를 구비한 디스플레이 소자 | |
| US11545649B2 (en) | Display device and electronic apparatus with relative misalignment between pixel and color filter | |
| US11703619B2 (en) | Display device and electronic apparatus | |
| CN212517209U (zh) | 显示面板和电子装置 | |
| CN214672621U (zh) | 显示面板和显示装置 | |
| US11895893B2 (en) | Display panel including stack of light-converging structure and band-pass filtering structure, manufacturing method thereof, and display apparatus | |
| WO2022062693A1 (zh) | 显示面板、电子装置以及显示面板的制作方法 | |
| JP2013251173A (ja) | 表示装置の製造方法及び表示装置 | |
| JP2021136208A (ja) | 発光装置、表示装置、露光システム、及び表示撮像装置 | |
| CN116762491A (zh) | 显示装置和电子设备 | |
| JP2012248453A (ja) | 表示装置 | |
| CN114582854A (zh) | 图像显示元件 | |
| WO2021100406A1 (ja) | 発光素子、表示装置及び面発光装置 | |
| TWI845403B (zh) | 顯示裝置及其製造方法 | |
| WO2024053611A1 (ja) | 発光装置および電子機器 | |
| WO2023068227A1 (ja) | 表示装置および電子機器 | |
| US20240145641A1 (en) | Color conversion panel and display device | |
| WO2023002773A1 (ja) | 表示装置、撮像装置および電子機器 | |
| TW202322414A (zh) | 微型發光二極體顯示裝置 | |
| TW202306216A (zh) | 微型發光二極體顯示裝置及其製造方法 | |
| CN118265383A (en) | Optical member and display apparatus including the same | |
| JP2022080974A (ja) | 表示装置、光電変換装置、および電子機器 | |
| TW202318657A (zh) | 微型發光二極體顯示面板及其形成方法 | |
| CN113594196A (zh) | 微型发光二极管显示装置及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200312 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20200323 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220624 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220624 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230329 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230411 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230607 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230704 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230804 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230822 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230920 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7353834 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |