KR102675479B1 - 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

표시 장치는 복수의 화소 영역을 포함하는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 표시층, 및 상기 표시층 위에 위치하는 봉지층을 포함하고, 상기 봉지층은, 상기 표시 영역에서 상기 복수의 화소 영역에 대응하는 복수의 개구를 포함하고, 상기 주변 영역에서 빛을 차단하는 차광부, 상기 주변 영역에서 상기 차광부 위에 위치하고 상기 표시 영역을 둘러싸는 제1 댐, 및 상기 표시 영역을 덮고, 상기 주변 영역에서 상기 제1 댐의 측면과 접촉하는 오버코팅층을 포함한다.

Description

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 봉지층을 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 발광층을 포함하며, 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성한다. 여기자가 여기 상태(excited state)로부터 기저 상태(ground state)로 변하면서 에너지를 방출하여 발광한다.
이러한 유기 발광 표시 장치는 자발광 소자인 유기 발광 다이오드를 포함하는 복수의 화소를 포함하며, 각 화소에는 유기 발광 다이오드를 구동하기 위한 복수의 트랜지스터 및 하나 이상의 커패시터(capacitor)가 형성되어 있다. 복수의 트랜지스터는 기본적으로 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터를 포함한다. 유기 발광 표시 장치는 발생된 빛을 공진시켜 방출하는데, 복수의 트랜지스터, 커패시터, 이에 연결된 신호선 등에서의 외광 반사에 의해 콘트라스트(contrast)가 저하될 수 있다.
콘트라스트의 개선을 위하여 편광 필름을 유기 발광 표시 장치에 접착하는 방법이 있다. 편광 필름은 선형 편광 필름과 위상차 필름을 포함한다. 편광 필름의 두께는 대략 200㎛로 두껍기 때문에 유기 발광 표시 장치의 슬림화를 어렵게 하고 생산 원가를 증가시키는 문제점이 있다.
편광 필름을 사용하지 않고 유기 발광 표시 장치의 콘트라스트를 개선할 수 있는 방법으로 유기 발광 표시 장치의 봉지층으로써 차광부 및 차광부를 덮는 오버코팅층을 형성하여 외광 반사를 줄이는 방법이 있다. 오버코팅층을 형성하는 과정은 코팅, 노광, 현상 및 베이크(bake) 공정으로 진행된다. 노광 공정에서 단파장의 빛에 의해 유기 발광 다이오드의 특성이 변화되어 유기 발광 표시 장치의 표시 품질이 저하될 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치의 표시 영역 이외의 영역까지 오버코팅층을 형성함에 따라 오버코팅 물질이 낭비될 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 유기 발광 표시 장치의 봉지층을 형성함에 있어서 오버코팅 물질의 낭비를 줄이고, 오버코팅층을 형성하는 과정에서 노광 및 현상 공정을 제외하여 제조 공정을 단축하고 유기 발광 다이오드의 특성이 변화되지 않도록 하는 구성을 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 화소 영역을 포함하는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 표시층, 및 상기 표시층 위에 위치하는 봉지층을 포함하고, 상기 봉지층은, 상기 표시 영역에서 상기 복수의 화소 영역에 대응하는 복수의 개구를 포함하고, 상기 주변 영역에서 빛을 차단하는 차광부, 상기 주변 영역에서 상기 차광부 위에 위치하고 상기 표시 영역을 둘러싸는 제1 댐, 및 상기 표시 영역을 덮고, 상기 주변 영역에서 상기 제1 댐의 측면과 접촉하는 오버코팅층을 포함한다.
상기 표시 장치는 상기 봉지층은 상기 차광부 위에 위치하여 상기 복수의 개구와 중첩하는 복수의 색필터를 더 포함할 수 있다
상기 복수의 색필터는 제1 색상의 제1 색필터, 제2 색상의 제2 색필터 및 제3 색상의 제3 색필터를 포함하고, 상기 제1 색필터, 상기 제2 색필터 및 상기 제3 색필터는 서로 다른 개구와 중첩할 수 있다.
상기 제1 댐은 상기 제1 색필터와 동일한 물질로 이루어진 제1 층을 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 주변 영역에서 상기 차광부 위에 위치하고, 상기 제1 댐과 상기 표시 영역 사이에 위치하여 상기 표시 영역을 둘러싸는 제2 댐을 더 포함하고, 상기 제2 댐은 상기 제1 내지 제3 색필터 중 어느 하나와 동일한 물질을 포함하는 제1 층을 포함할 수 있다.
상기 제1 댐은 상기 제1 층 위에 위치하는 제2 층을 더 포함하고, 상기 제2 층은 상기 제2 색필터와 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 제2 층의 폭은 상기 제1 층의 폭과 동일하거나 상기 제1 층의 폭보다 작을 수 있다.
상기 주변 영역에서 상기 차광부 위에 위치하고, 상기 제1 댐과 상기 표시 영역 사이에 위치하여 상기 표시 영역을 둘러싸는 제2 댐을 더 포함하고, 상기 제2 댐은 하나의 층 또는 두 개의 층을 포함하고, 상기 하나의 층은 상기 제1 내지 제3 색필터 중 하나와 동일한 물질을 포함하고, 상기 두 개의 층은 상기 제1 내지 제3 색필터 중 둘과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 댐은 상기 제2 층 위에 위치하는 제3 층을 더 포함하고, 상기 제3 층은 상기 제3 색필터와 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 제3 층의 폭은 상기 제2 층의 폭과 동일하거나 상기 제2 층의 폭보다 작을 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 주변 영역에서 상기 차광부 위에 위치하고, 상기 제1 댐과 상기 표시 영역 사이에 위치하여 상기 표시 영역을 둘러싸는 제2 댐을 더 포함하고, 상기 제2 댐은 하나의 층, 또는 두 개의 층, 또는 세 개의 층을 포함하고, 상기 하나의 층은 상기 제1 내지 제3 색필터 중 하나와 동일한 물질을 포함하고, 상기 두 개의 층은 상기 제1 내지 제3 색필터 중 둘과 동일한 물질을 포함하고, 상기 세 개의 층은 상기 제1 내지 제3 색필터와 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 층의 두께는 상기 제1 색필터의 두께와 동일하고, 상기 제2 층의 두께는 상기 제2 색필터의 두께와 동일하고, 상기 제3 층의 두께는 상기 제3 색필터의 두께와 동일할 수 있다.
상기 오버코팅층은 자외선 파장 차단제를 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 표시층과 상기 봉지층 사이에 위치하는 터치 센서층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은, 복수의 유기 발광 다이오드를 포함하는 표시층을 형성하는 단계, 상기 표시층 위에 복수의 터치 전극을 포함하는 터치 센서층을 형성하는 단계, 상기 터치 센서층 위에 상기 복수의 유기 발광 다이오드에 대응하는 복수의 개구를 포함하는 차광부를 형성하는 단계, 상기 복수의 개구에 복수의 색필터를 형성하는 단계, 상기 복수의 개구에 복수의 색필터를 형성할 때 상기 복수의 유기 발광 다이오드를 포함하는 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역에 상기 복수의 색필터 중에서 적어도 하나와 동일한 물질로 제1 댐을 형성하는 단계, 및 상기 표시 영역을 덮는 오버코팅층을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 오버코팅층을 형성하는 단계는, 상기 제1 댐으로 둘러싸인 영역 내에 오버코팅 물질을 코팅한 후 노광 없이 상기 오버코팅 물질을 베이크하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 오버코팅 물질은 자외선 파장 차단제를 포함할 수 있다.
상기 제1 댐을 형성하는 단계는, 상기 복수의 색필터 중에서 제1 색필터와 동일한 물질로 제1 층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 댐을 형성하는 단계는, 상기 복수의 색필터 중에서 제2 색필터와 동일한 물질로 상기 제1 층 위에 제2 층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 개구에 복수의 색필터를 형성할 때 상기 복수의 색필터 중 적어도 하나와 동일한 물질로 상기 제1 댐과 상기 표시 영역 사이에 제2 댐을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
유기 발광 표시 장치의 봉지층을 형성함에 있어서 오버코팅 물질의 낭비를 줄이고, 오버코팅층을 형성하는 과정에서 노광 및 현상 공정을 제외하여 제조 공정을 단축하고 유기 발광 다이오드의 특성이 변화되지 않도록 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 단면을 나타낸다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 표시 영역의 단면을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 단면을 나타낸다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 단면을 나타낸다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 단면을 나타낸다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 단면을 나타낸다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 단면을 나타낸다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 단면을 나타낸다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 단면을 나타낸다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 단면을 나타낸다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 단면을 나타낸다.
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 단면을 나타낸다.
도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 단면을 나타낸다.
도 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 단면을 나타낸다.
도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 단면을 나타낸다.
도 19는 오버코팅층에 포함되는 자외선 파장 차단제의 농도에 따른 빛의 투과율을 실험한 그래프이다.
도 20은 오버코팅층에 포함되는 자외선 파장 차단제의 농도에 따른 자외선의 투과율을 실험한 그래프이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1 실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 제1 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
먼저, 도 1 내지 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 단면을 나타낸다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 표시 영역의 단면을 나타낸다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1 내지 3을 참조하면, 표시 장치는 표시층(100), 터치 센서층(200) 및 봉지층(300)을 포함한다. 표시층(100)은 복수의 화소를 포함하여 영상을 표시한다. 터치 센서층(200)은 표시층(100) 위에 위치하고, 사용자의 접촉 터치 또는 비접촉 터치를 감지한다. 봉지층(300)은 터치 센서층(200) 위에 위치하고, 표시층(100) 및 터치 센서층(200)을 밀봉하여 보호한다.
평면상으로, 표시층(100)은 영상을 표시하는 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA)의 주변에 위치하는 주변 영역(PA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 복수의 화소를 포함한다. 표시 영역(DA)은 영상이 표시되는 화면에 해당한다. 주변 영역(PA)에는 복수의 화소에 각종 신호들을 생성 및/또는 전달하기 위한 회로들 및/또는 신호선들이 배치되어 있다. 주변 영역(PA)은 표시 영역(DA)을 둘러쌀 수 있다.
먼저, 표시 영역(DA)에서 표시층(100) 및 터치 센서층(200)의 적층 구조에 대하여 상세하게 설명한다.
표시층(100)은 기판(110), 기판(110) 위에 위치하는 트랜지스터(TR) 및 트랜지스터(TR)에 연결되어 있는 유기 발광 다이오드(OLED)를 포함한다.
기판(110)은 폴리이미드(PI), 폴리아미드(PA), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 등의 폴리머로 이루어진 플렉서블 기판일 수 있다.
기판(110) 위에 제1 절연층(120)이 위치한다. 제1 절연층(120)은 반도체층(A)을 형성하는 과정에서 기판(110)으로부터 반도체층(A)으로 확산될 수 있는 불순물을 차단하고 기판(110)이 받는 스트레스를 줄이는 역할을 할 수 있다. 제1 절연층(120)은 규소 산화물, 규소 질화물 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
제1 절연층(120) 위에 트랜지스터(TR)의 반도체층(A)이 위치한다. 반도체층(A)은 게이트 전극(G)과 중첩하는 채널 영역과 그 양측의 도핑되어 있는 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 반도체층(A)은 다결정 규소, 비정질 규소, 또는 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
반도체층(A) 위에 제2 절연층(130)이 위치한다. 제2 절연층(130)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제2 절연층(130)은 게이트 절연층으로 불릴 수 있다.
제2 절연층(130) 위에 트랜지스터(TR)의 게이트 전극(G)을 포함하는 게이트 도전체가 위치한다. 게이트 도전체는 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 등의 금속이나 금속 합금을 포함할 수 있다.
제2 절연층(130) 및 게이트 도전체 위에 제3 절연층(140)이 위치한다. 제3 절연층(140)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제3 절연층(140)은 층간 절연층으로 불릴 수 있다.
제3 절연층(140) 위에는 트랜지스터(TR)의 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)을 포함하는 데이터 도전체가 위치한다. 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)은 제2 절연층(130) 및 제3 절연층(140)에 형성된 접촉 개구(contact opening)를 통해 반도체층(A)의 소스 영역 및 드레인 영역과 각각 연결되어 있다. 데이터 도전체는 금속이나 금속 합금을 포함할 수 있다.
게이트 전극(G), 소스 전극(S), 드레인 전극(D) 및 반도체층(A)은 트랜지스터(TR)를 이룬다.
데이터 도전체 위에 제4 절연층(150)이 위치한다. 제4 절연층(150)은 폴리이미드, 아크릴계 폴리머, 실록산계 폴리머 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제4 절연층(150)은 평탄화층으로 불릴 수 있다.
제4 절연층(150) 위에 유기 발광 다이오드(OLED)의 제1 전극(E1)이 위치한다. 제1 전극(E1)은 제4 절연층(150)에 형성된 접촉 개구를 통해 드레인 전극(D)에 연결될 수 있다. 제1 전극(E1)은 은(Ag), 니켈(Ni), 금(Au), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 알루미늄네오듐(AlNd), 알루미늄니켈란타늄(AlNiLa) 등의 금속이나 금속 합금을 포함할 수 있다. 제1 전극(E1)은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등의 투명 도전 물질을 포함할 수 있다.
제4 절연층(150) 위에 제1 전극(E1)과 중첩하는 개구(opening)(OP1)를 가지는 제5 절연층(160)이 위치한다. 제5 절연층(160)의 개구(OP1)는 복수의 화소 각각의 화소 영역을 정의할 수 있고, 제5 절연층(160)은 화소 정의층으로 불릴 수 있다. 화소 영역은 평면상에서 유기 발광 다이오드(OLED)의 발광층(EL)이 차지하는 영역을 의미할 수 있다. 제5 절연층(160)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제5 절연층(160)은 검은색 안료를 포함할 수 있고, 제5 절연층(160)의 아래에 위치하는 트랜지스터(TR)들과 각종 신호선들이 사용자에게 시인되지 않도록 할 수 있다.
제1 전극(E1) 위에 발광층(EL)이 위치한다. 발광층(EL)은 제5 절연층(160)의 개구(OP1)에 의해 정의되는 화소 영역에 위치한다.
발광층(EL) 위에 제2 전극(E2)이 위치한다. 제2 전극(E2)은 표시 영역(DA) 전체를 덮을 수 있다. 제2 전극(E2)에는 공통 전압이 인가될 수 있다. 제2 전극(E2)은 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 은(Ag) 등의 일함수가 낮은 금속으로 얇은 층으로 형성되어 광 투과성을 가질 수 있다. 제2 전극(E2)은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등의 투명 도전 물질을 포함할 수 있다.
제1 전극(E1), 발광층(EL) 및 제2 전극(E2)은 한 화소의 유기 발광 다이오드(OLED)를 이룬다. 제1 전극(E1)은 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드(anode)일 수 있고, 제2 전극(E2)은 유기 발광 다이오드(OLED)의 캐소드(cathode)일 수 있다. 제1 전극(E1)은 화소 전극으로 불릴 수 있고, 제2 전극(E2)은 공통 전극으로 불릴 수 있다. 표시층(100)에 포함된 복수의 유기 발광 다이오드(OLED)들은 삼원색을 방출할 수 있다. 예를 들어, 복수의 유기 발광 다이오드(OLED)들은 적색광을 방출하는 적색의 유기 발광 다이오드(예를 들어, 도 3의 R), 녹색광을 방출하는 녹색의 유기 발광 다이오드(예를 들어, 도 3의 G) 및 청색광을 방출하는 청색의 유기 발광 다이오드(예를 들어, 도 3의 B)를 포함할 수 있다. 도 2에서, 3개의 유기 발광 다이오드(OLED) 중 하나는 적색의 유기 발광 다이오드이고, 다른 하나는 녹색의 유기 발광 다이오드이고, 또 다른 하나는 청색의 유기 발광 다이오드일 수 있다.
제2 전극(E2) 위에 제6 절연층(170)이 위치한다. 제6 절연층(170)은 표시 영역(DA) 전체를 덮어 유기 발광 다이오드(OLED)를 밀봉할 수 있다. 제6 절연층(170)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
제6 절연층(170) 위에 제7 절연층(180)이 위치할 수 있다. 제7 절연층(180)은 표시 영역(DA) 전체를 덮을 수 있다. 제7 절연층(180)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 유기 절연 물질을 포함하는 제6 절연층(170)은 무기 절연 물질을 포함하는 제7 절연층(180)에 비하여 가요성(flexibility)이 뛰어나다. 무기 절연 물질을 포함하는 제7 절연층(180)은 유기 절연 물질을 포함하는 제6 절연층(170)에 비하여 방습 효과가 뛰어나다.
터치 센서층(200)은 제8 절연층(210), 제9 절연층(220) 및 복수의 터치 전극(TE)을 포함한다.
제7 절연층(180) 위에 제8 절연층(210)이 위치하고, 제8 절연층(210) 위에 제9 절연층(220)이 위치한다. 제9 절연층(220)은 표시 영역(DA) 전체를 덮을 수 있다. 제8 절연층(210)과 제9 절연층(220)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
복수의 터치 전극(TE)은 제8 절연층(210)과 제9 절연층(220) 사이에 위치한다. 복수의 터치 전극(TE)은 제5 절연층(160)의 개구(OP1)와 중첩하지 않고 인접한 화소 영역 사이에 배치될 수 있다. 복수의 터치 전극(TE)은 터치 감지를 위한 터치 신호를 전달하는 복수의 송신 전극 및 송신 전극과 정전 용량을 형성하는 복수의 수신 전극을 포함할 수 있다. 복수의 송신 전극과 복수의 수신 전극은 서로 교차할 수 있고, 교차 지점에서 복수의 송신 전극 또는 복수의 수신 전극이 제8 절연층(210)에 형성된 접촉 개구(미도시)를 통해 서로 연결될 수 있다.
다음으로, 표시 영역(DA) 및 주변 영역(PA)에서 봉지층(300)의 적층 구조에 대하여 설명한다. 주변 영역(PA)에서, 표시층(100)은 유기 발광 다이오드(OLED)를 포함하지 않으며 터치 센서층(200)은 터치 전극(TE)을 포함하지 않을 수 있다. 주변 영역(PA)에서 표시층(100)과 터치 센서층(200)은 복수의 절연층과 복수의 신호선들이 위치할 수 있다. 주변 영역(PA)에서 표시층(100)과 터치 센서층(200)의 구조는 한정되지 않으며, 주변 영역(PA)에서 표시층(100)과 터치 센서층(200)의 상세 구조는 생략한다.
봉지층(300)은 차광부(310), 복수의 색필터(320), 오버코팅층(330) 및 제1 댐(340)을 포함한다.
차광부(310)는 표시 영역(DA)에서 제5 절연층(160)의 복수의 개구(OP1)에 대응하는 복수의 개구(OP2)를 포함한다. 차광부(310)는 주변 영역(PA) 전체를 덮어서 주변 영역(PA)에서 빛을 차단할 수 있다. 차광부(310)는 검은색 안료를 포함하는 유기 물질 또는 무기 물질과 유기 물질의 혼합물을 포함할 수 있다.
차광부(310)의 복수의 개구(OP2)는 제5 절연층(160)의 복수의 개구(OP1)와 중첩할 수 있다. 차광부(310)는 표시 영역(DA)에서 제5 절연층(160)과 동일한 평면 패턴을 포함할 수 있다. 도 3에 예시한 바와 같이, 평면상에서 복수의 화소가 팬타일 형태로 배열될 수 있고, 차광부(310)는 제5 절연층(160)과 동일한 평면 패턴(예를 들어, 메시(mesh) 패턴)을 포함할 수 있다. 여기서, 화소는 발광층(EL)의 빛이 방출되는 화소 영역에 대응할 수 있다. 차광부(310)는 제5 절연층(160)의 개구(OP1)(즉, 발광층(EL)의 빛이 방출되는 화소 영역)의 폭보다 넓은 폭을 갖는 개구(OP2)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제5 절연층(160)의 이웃한 개구(OP1) 사이의 폭은 대략 16㎛ 내지 17㎛이고, 차광부(310)의 이웃한 개구(OP2) 사이의 폭은 대략 6㎛ 내지 7㎛일 수 있다.
복수의 색필터(320)는 차광부(310) 위에 위치한다. 복수의 색필터(320)는 차광부(310)의 복수의 개구(OP2)와 중첩한다. 복수의 색필터(320)는 유기 발광 다이오드(OLED)가 방출하는 색상에 대응하는 색상의 색필터를 포함할 수 있다. 복수의 색필터(320)는 제1 색상의 제1 색필터, 제2 색상의 제2 색필터 및 제3 색상의 제3 색필터를 포함할 수 있다. 제1 색필터, 제2 색필터 및 제3 색필터는 차광부(310)의 서로 다른 개구(OP2)와 중첩한다. 예를 들어, 복수의 색필터(320)는 적색의 색필터, 녹색의 색필터 및 청색의 색필터를 포함할 수 있다. 적색의 색필터는 적색의 유기 발광 다이오드와 중첩하고, 녹색의 색필터는 녹색의 유기 발광 다이오드와 중첩하며, 청색의 색필터는 청색의 유기 발광 다이오드와 중첩할 수 있다.
복수의 색필터(320)는 색염료 또는 양자점(quantum dot) 물질을 포함할 수 있다. 양자점의 코어는 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; AgInS, CuInS, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, InZnP, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InAlP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
몇몇 실시예에서, 양자점은 전술한 나노 결정을 포함하는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘은 상기 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할 및/또는 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 차징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 상기 쉘은 단층 또는 다중층일 수 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘의 예로는 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
예를 들어, 상기 금속 또는 비금속의 산화물은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, Mn3O4, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, CoO, Co3O4, NiO 등의 이원소 화합물, 또는 MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4 등의 삼원소 화합물을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
또, 상기 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb 등을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
양자점은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다.
또한, 양자점의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.
양자점은 입자 크기에 따라 방출하는 광의 색상을 조절 할 수 있으며, 이에 따라 양자점은 청색, 적색, 녹색 등 다양한 발광 색상을 가질 수 있다.
제1 댐(340)은 주변 영역(PA)에서 차광부(310) 위에 위치한다. 제1 댐(340)은 주변 영역(PA)을 따라 표시 영역(DA)을 둘러쌀 수 있다. 제1 댐(340)은 제1 내지 제3 색필터 중에서 선택적으로 하나 내지 셋과 동시에 형성되는 하나 내지 3개의 층을 포함할 수 있다. 도 1에서는 제1 댐(340)이 제1 층(341), 제2 층(342) 및 제3 층(343)을 포함하는 경우에 대하여 설명한다.
표시 영역(DA)에서 제1 색필터, 제2 색필터 및 제3 색필터가 순차적으로 형성될 때, 주변 영역(PA)에서 제1 댐(340)의 제1 층(341)이 제1 색필터와 함께 형성되고, 제1 층(341) 위에 제2 층(342)이 제2 색필터와 함께 형성되고, 제2 층(342) 위에 제3 층(343)이 제3 색필터와 함께 형성된다. 이에 따라, 제1 층(341)은 제1 색필터와 동일한 물질로 이루어지고, 제2 층(342)은 제2 색필터와 동일한 물질로 이루어지며, 제3 층(343)은 제3 색필터와 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
제1 색필터는 적색의 색필터, 녹색의 색필터 및 청색의 색필터 중 하나이고, 제2 색필터는 적색의 색필터, 녹색의 색필터 및 청색의 색필터 중 다른 하나이고, 제3 색필터는 적색의 색필터, 녹색의 색필터 및 청색의 색필터 중 나머지 하나일 수 있다.
오버코팅층(330)은 차광부(310) 및 색필터(320) 위에 위치하고, 표시 영역(DA) 전체를 덮는다. 오버코팅층(330)은 주변 영역(PA)에서 제1 댐(340)의 측면과 접촉한다. 오버코팅층(330)은 투명한 유기 물질 또는 무기 물질과 유기 물질의 혼합물을 포함하고, 잉크젯 코팅(ink jet coating) 방식으로 형성될 수 있다. 오버코팅층(330)은 자외선 파장 차단제(자외선 흡수제라 불릴 수 있음)를 포함할 수 있다. 자외선 파장 차단제는 자외선 영역의 광을 흡수할 수 있는 물질로서 하이드록시페닐-벤즈트리아졸, 하이드록시페닐-벤조페논, 옥살산아미드, 트리아진, 옥살아닐리드, 시아노아크릴레이트, 살리실산, 하이드록시페닐피리미딘 등을 포함할 수 있다. 자외선 파장 차단제의 종류를 제한되지 않는다. 오버코팅층(330)이 자외선 파장 차단제를 포함하기 때문에, 오버코팅층(330)이 외부의 자외선이 내부로 투과되는 것을 차단할 수 있고, 외부의 자외선에 의해 유기 발광 다이오드(OLED)의 특성이 변화되지 않도록 할 수 있다.
제1 댐(340)은 표시 영역(DA)에 오버코팅층(330)을 형성할 때 오버코팅층(330)을 형성하기 위한 오버코팅 물질이 주변 영역(PA) 밖으로 흐르지 않도록 차단한다.
차광부(310)가 제1 두께(DP1)로 형성되고, 색필터(320)는 제1 두께(DP1)보다 큰 제2 두께(DP2)로 형성될 수 있다. 오버코팅층(330)은 색필터(320)와 중첩하는 부분에서 제3 두께(DP3)로 형성되고 색필터(320)와 중첩하지 않는 부분(차광부(310)와 접촉하는 부분)에서 제4 두께(DP4)로 형성될 수 있다. 제1 두께(DP1)와 제4 두께(DP4)의 합은 제2 두께(DP2)와 제3 두께(DP3)의 합과 같다. 즉, 오버코팅층(330)의 윗면은 평탄하게 형성된다. 예를 들어, 제1 두께(DP1)는 대략 1.1㎛이고, 제2 두께(DP2)는 대략 2.7㎛이고, 제3 두께(DP3)는 대략 1.5㎛이고, 제4 두께(DP4)는 대략 3.1㎛일 수 있다.
제1 댐(340)의 제1 층(341), 제2 층(342) 및 제3 층(343) 각각의 두께는 색필터(320)의 제2 두께(DP2)와 동일할 수 있다. 도 1의 실시예에서 제1 댐(340)은 제2 두께(DP2)의 3배의 두께로 형성될 수 있다. 제1 댐(340)의 두께가 오버코팅층(330)의 제4 두께(DP4)보다 크므로, 제1 댐(340)이 오버코팅 물질이 주변 영역(PA) 밖으로 흐르지 않도록 차단할 수 있다. 오버코팅층(330)의 제4 두께(DP4)는 제1 댐(340)의 두께를 초과하지 않는 범위 내에서 정해질 수 있다.
한편, 오버코팅층(330)의 제4 두께(DP4)에 따라 제1 댐(340)은 2개의 층으로 형성되거나 1개의 층으로 형성될 수 있다. 이에 대해서는 도 5 및 6에서 후술한다.
제1 층(341)은 제1 폭(W1)으로 형성되고, 제2 층(342)은 제2 폭(W2)으로 형성되고, 제3 층(343)은 제3 폭(W3)으로 형성될 수 있다. 제1 층(341), 제2 층(342) 및 제3 층(343)의 폭은 표시 영역(DA)과 주변 영역(PA)의 경계에 수직한 방향으로의 길이를 의미한다. 제1 층(341)의 제1 폭(W1)은 주변 영역(PA)의 폭보다 작다. 제1 댐(340)은 아래층에서 위층으로 갈수록 폭이 점차 작아지도록 형성될 수 있다. 도 1에서 예시한 바와 같이, 제2 층(342)의 제2 폭(W2)은 제1 층(341)의 제1 폭(W1)보다 작고, 제3 층(343)의 제3 폭(W3)은 제2 층(342)의 제2 폭(W2)보다 작을 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도이다.
도 4를 참조하면, 도 1 내지 도 3에서 상술한 표시 장치를 제조하는 방법에 대하여 설명한다. 하나의 기판(110) 상에 6개의 표시 장치를 동일 공정으로 제조하는 실시예이다.
복수의 트랜지스터(TR) 및 복수의 유기 발광 다이오드(OLED)를 포함하는 표시층(100)을 형성하고, 표시층(100) 위에 복수의 터치 전극(TE)을 포함하는 터치 센서층(200)을 형성한다.
터치 센서층(200) 위에 복수의 유기 발광 다이오드(OLED)에 대응하는 복수의 개구(OP2)를 포함하는 차광부(310)를 형성한다. 주변 영역(PA)에는 색필터(320)를 형성하기 위한 마스크의 위치 기준이 되는 마스크 키(MK)가 위치할 수 있다. 차광부(310)는 주변 영역(PA)에서 마스크 키(MK)가 형성된 부분을 회피하여 주변 영역(PA)을 덮도록 형성된다. 이에 따라, 주변 영역(PA)에서 차광부(310)는 최대 폭(W5) 및 최소 폭(W6)을 갖게 된다. 예를 들어, 주변 영역(PA)에서 차광부(310)의 최대 폭(W5)은 대략 1450㎛이고, 차광부(310)의 최소 폭(W6)은 대략 900㎛일 수 있다.
차광부(310)의 복수의 개구(OP2)에 복수의 색필터(320)를 형성한다. 복수의 색필터(320)는 유기 발광 다이오드(OLED)가 방출하는 색상에 대응하여 제1 색필터, 제2 색필터 및 제3 색필터를 포함할 수 있다.
복수의 색필터(320)를 형성할 때 주변 영역(PA)에 복수의 색필터(320) 중에서 적어도 하나와 동일한 물질로 제1 댐(340)을 형성을 형성한다. 제1 댐(340)은 제1 내지 제3 색필터 중에서 선택적으로 하나 내지 셋과 동시에 형성되는 하나 내지 3개의 층을 포함할 수 있다. 다시 말해, 복수의 색필터(320) 중에서 제1 색필터와 동일한 물질로 제1 댐(340)의 제1 층(341)을 형성할 수 있다. 선택적으로, 복수의 색필터(320) 중에서 제2 색필터와 동일한 물질로 제1 층(341) 위에 제2 층(342)을 더 형성할 수 있다. 또한, 선택적으로, 복수의 색필터(320) 중에서 제3 색필터와 동일한 물질로 제2 층(342) 위에 제3 층(343)을 더 형성할 수 있다.
제1 댐(340)을 형성한 후 표시 영역(DA)을 덮는 오버코팅층(330)을 형성한다. 잉크젯 코팅 방식으로 오버코팅 물질(OC)을 제1 댐(340)으로 둘러싸인 영역 내에 코팅한다. 오버코팅 물질(OC)은 제1 댐(340)에 의해 주변 영역(PA) 밖으로 흐르지 않고 제1 댐(340)으로 둘러싸인 영역 내에 일정한 두께로 형성될 수 있다. 오버코팅 물질(OC)을 형성한 후 소정의 온도로 오버코팅 물질(OC)을 베이크(bake)하여 오버코팅층(330)을 형성할 수 있다. 즉, 오버코팅 물질(OC)은 제1 댐(340)의 바깥 영역(NOC)에는 코팅되지 않으며, 제1 댐(340)의 바깥 영역(NOC)에는 오버코팅층(330)이 형성되지 않는다.
하나의 기판(110) 상에 복수의 표시 장치를 동일 공정으로 제조할 때, 오버코팅층(330)을 형성하기 이전에 제1 댐(340)을 먼저 형성함으로써 오버코팅 물질(OC)을 제1 댐(340)으로 둘러싸인 영역에만 코팅할 수 있고, 노광 공정 및 현상 공정 없이 베이크 공정을 진행하여 오버코팅층(330)을 형성할 수 있다.
만일, 제1 댐(340)을 형성하지 않고 오버코팅 물질(OC)을 코팅하는 경우에는 오버코팅 물질(OC)이 일정한 두께로 코팅될 수 있도록 오버코팅 물질(OC)을 기판(110) 위 전체에 코팅하여야 한다. 그리고 표시 장치의 표시 영역(DA)과 주변 영역(PA) 이외의 바깥 영역(NOC)의 오버코팅 물질(OC)을 제거하기 위한 노광 공정 및 현상 공정을 진행하여야 한다. 노광 공정을 진행하는 과정에서 단파장의 빛에 의해 표시층(100)의 유기 발광 다이오드(OLED)의 특성이 변화되어 표시 품질이 저하될 수 있다. 또한, 오버코팅 물질(OC)을 바깥 영역(NOC)까지 형성하여야 하기 때문에 오버코팅 물질이 낭비될 수 있다.
하지만, 오버코팅층(330)을 형성하기 이전에 제1 댐(340)을 먼저 형성함으로써 노광 공정 및 현상 공정을 진행할 필요가 없고, 노광 공정에 따른 유기 발광 다이오드(OLED)의 특성 변화의 문제가 발생하지 않게 되고, 오버코팅 물질(OC)이 낭비되지 않도록 할 수 있다. 또한, 노광 공정 및 현상 공정이 필요하지 않기 때문에 오버코팅 물질(OC)에 자외선 파장 차단제를 첨가할 수 있고, 오버코팅층(330)이 자외선 파장 차단제를 포함하여 외부의 단파장으로부터 유기 발광 다이오드(OLED)를 보호할 수 있다.
한편, 제1 댐(340)을 형성할 때 제2 댐(350)(도 9의 350 참조)을 더 형성할 수 있다. 제2 댐(350)은 제1 댐(340)과 표시 영역(DA) 사이에 위치할 수 있다. 제2 댐(350)에 대해서는 후술한다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 단면을 나타낸다.
도 5를 참조하면, 제1 댐(340)은 제1 층(341) 및 제2 층(342)을 포함하고, 제2 층(342)의 제2 폭(W2)이 제1 층(341)의 제1 폭(W1)보다 작다. 즉, 도 5는 도 1 내지 3의 실시예에서 제1 댐(340)의 제3 층(343)이 생략된 실시예이다. 이러한 차이점을 제외하고, 앞서 도 1 내지 3을 참조하여 설명한 실시예의 특징들은 도 5를 참조로 설명한 실시예에 모두 적용될 수 있으므로, 도 1 내지 3에서 설명한 실시예의 특징들에 대한 중복 설명은 생략한다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 단면을 나타낸다.
도 6을 참조하면, 제1 댐(340)은 제1 층(341)을 포함한다. 즉, 도 6은 도 1 내지 3의 실시예에서 제1 댐(340)의 제2 층(342) 및 제3 층(343)이 생략된 실시예이다. 이러한 차이점을 제외하고, 앞서 도 1 내지 3을 참조하여 설명한 실시예의 특징들은 도 6을 참조로 설명한 실시예에 모두 적용될 수 있으므로, 도 1 내지 3에서 설명한 실시예의 특징들에 대한 중복 설명은 생략한다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 단면을 나타낸다.
도 7을 참조하면, 제1 댐(340)의 제1 층(341)의 제1 폭(W1), 제2 층(342)의 제2 폭(W2) 및 제3 층(343)의 제3 폭(W3)이 동일하다. 즉, 제1 댐(340)은 아래층에서 위층까지 일정한 폭으로 형성될 수 있다. 이러한 차이점을 제외하고, 앞서 도 1 내지 3을 참조하여 설명한 실시예의 특징들은 도 7을 참조로 설명한 실시예에 모두 적용될 수 있으므로, 도 1 내지 3에서 설명한 실시예의 특징들에 대한 중복 설명은 생략한다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 단면을 나타낸다.
도 8을 참조하면, 제1 댐(340)은 제1 층(341) 및 제2 층(342)을 포함하고, 제1 층(341)의 제1 폭(W1)과 제2 층(342)의 제2 폭(W2)이 동일하다. 제1 댐(340)은 아래층에서 위층까지 일정한 폭으로 형성된다. 이러한 차이점을 제외하고, 앞서 도 1 내지 3을 참조하여 설명한 실시예의 특징들은 도 8을 참조로 설명한 실시예에 모두 적용될 수 있으므로, 도 1 내지 3에서 설명한 실시예의 특징들에 대한 중복 설명은 생략한다.
이하, 도 9 내지 15를 참조하여 도 1 내지 3에서 설명한 표시 장치가 제2 댐(350)을 더 포함하는 실시예들에 대하여 설명한다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 9를 참조하면, 표시 장치는 주변 영역(PA)에 위치하는 제1 댐(340)과 표시 영역(DA) 사이에 위치하는 제2 댐(350)을 더 포함할 수 있다. 제2 댐(350)은 오버코팅층(330)을 형성할 때 오버코팅 물질(OC)이 제1 댐(340)에 접촉한 후 표시 영역(DA) 측으로 역류하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.
제2 댐(350)은 주변 영역(PA)에서 위치하고, 주변 영역(PA)을 따라 표시 영역(DA)을 둘러쌀 수 있다. 제2 댐(350)은 제1 댐(340)과 일정한 간격으로 나란하게 위치할 수 있다. 도 9에서 제2 댐(350)이 하나인 것으로 도시하였으나, 제2 댐(350)은 복수 개로 이루어질 수 있다.
제2 댐(350)은 하나 내지 세 개의 층을 포함할 수 있고, 하나의 층은 제1 내지 제3 색필터 중 하나와 동일한 물질을 포함하고, 두 개의 층은 제1 내지 제3 색필터 중 둘과 동일한 물질을 포함하고, 세 개의 층은 제1 내지 제3 색필터와 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제2 댐(350)의 두께는 제1 댐(340)의 두께와 동일하거나 작다. 이에 대하여, 도 10 내지 15를 참조하여 설명한다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 단면을 나타낸다.
도 10을 참조하면, 제1 댐(340)이 제1 층(341), 제2 층(342) 및 제3 층(343)을 포함하고, 제2 댐(350)이 제1 층(351), 제2 층(352) 및 제3 층(353)을 포함한다.
색필터(320)를 형성할 때 제1 댐(340)과 제2 댐(350)이 함께 형성된다. 제1 댐(340)의 제1 층(341)과 제2 댐(350)의 제1 층(351)은 제1 색필터와 동일한 물질로 이루어진다. 제1 댐(340)의 제2 층(342)과 제2 댐(350)의 제2 층(352)은 제2 색필터와 동일한 물질로 이루어진다. 제1 댐(340)의 제3 층(343) 및 제2 댐(350)의 제3 층(353)은 제3 색필터와 동일한 물질로 이루어진다. 제2 댐(350)은 아래층에서 위층으로 갈수록 폭이 점차 작아지도록 형성될 수 있다. 이와 달이, 제2 댐(350)은 아래층에서 위층으로 갈수록 폭이 동일하도록 형성될 수도 있다.
이러한 차이점을 제외하고, 앞서 도 1 내지 3을 참조하여 설명한 실시예의 특징들은 도 10을 참조로 설명한 실시예에 모두 적용될 수 있으므로, 도 1 내지 3에서 설명한 실시예의 특징들에 대한 중복 설명은 생략한다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 단면을 나타낸다.
도 11을 참조하면, 제2 댐(350)이 복수 개로 이루어진다. 제2 댐(350)의 개수는 제한되지 않는다. 도 11에서는 제2 댐(350)이 제1 서브 댐(350-1) 및 제2 서브 댐(350-2)을 포함하는 것을 예시하고 있다. 제1 서브 댐(350-1)은 제1 층(351) 및 제2 층(352)을 포함하고, 제2 서브 댐(350-2)은 제1 층(354) 및 제2 층(355)을 포함한다.
제1 서브 댐(350-1)의 제1 층(351)은 제1 내지 제3 색필터 중 하나와 동일한 물질로 이루어지고, 제1 서브 댐(350-1)의 제2 층(352)은 제1 내지 제3 색필터 중 다른 하나와 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 그리고 제2 서브 댐(350-2)의 제1 층(354)은 제1 내지 제3 색필터 중 하나와 동일한 물질로 이루어지고, 제2 서브 댐(350-2)의 제2 층(355)은 제1 내지 제3 색필터 중 다른 하나와 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 이때, 제1 서브 댐(350-1)의 제1 층(351)과 제2 서브 댐(350-2)의 제1 층(354)은 서로 다른 색필터의 물질로 이루어지고, 제1 서브 댐(350-1)의 제2 층(352)과 제2 서브 댐(350-2)의 제2 층(355)은 서로 다른 색필터의 물질로 이루어질 수 있다. 제1 서브 댐(350-1)과 제2 서브 댐(350-2)은 아래층에서 위층으로 갈수록 폭이 점차 작아지도록 형성될 수 있다. 이와 달이, 제1 서브 댐(350-1)과 제2 서브 댐(350-2) 중 적어도 하나는 아래층에서 위층으로 갈수록 폭이 동일하도록 형성될 수도 있다.
이러한 차이점을 제외하고, 앞서 도 1 내지 3을 참조하여 설명한 실시예의 특징들은 도 11을 참조로 설명한 실시예에 모두 적용될 수 있으므로, 도 1 내지 3에서 설명한 실시예의 특징들에 대한 중복 설명은 생략한다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 단면을 나타낸다.
도 12를 참조하면, 제2 댐(350)이 제1 서브 댐(350-1), 제2 서브 댐(350-2) 및 제3 서브 댐(350-3)을 포함한다. 제1 서브 댐(350-1), 제2 서브 댐(350-2) 및 제3 서브 댐(350-3) 각각은 하나의 층을 포함한다.
제1 서브 댐(350-1), 제2 서브 댐(350-2) 및 제3 서브 댐(350-3) 각각은 제1 내지 제3 색필터 중 어느 하나와 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 제1 서브 댐(350-1), 제2 서브 댐(350-2) 및 제3 서브 댐(350-3) 중에서 적어도 2개는 동일한 색필터의 물질로 이루어질 수 있다. 또는, 제1 서브 댐(350-1), 제2 서브 댐(350-2) 및 제3 서브 댐(350-3)은 서로 다른 색필터의 물질로 이루어질 수 있다. 제1 서브 댐(350-1), 제2 서브 댐(350-2) 및 제3 서브 댐(350-3) 각각은 제1 댐(340)보다 작은 크기로 형성될 수 있다.
이러한 차이점을 제외하고, 앞서 도 1 내지 3을 참조하여 설명한 실시예의 특징들은 도 12를 참조로 설명한 실시예에 모두 적용될 수 있으므로, 도 1 내지 3에서 설명한 실시예의 특징들에 대한 중복 설명은 생략한다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 단면을 나타낸다.
도 13을 참조하면, 제1 댐(340)이 제1 층(341) 및 제2 층(342)을 포함하고, 제2 댐(350)이 제1 층(351) 및 제2 층(352)을 포함할 수 있다.
제1 댐(340)의 제1 층(341)은 제1 내지 제3 색필터 중 하나와 동일한 물질로 이루어지고, 제1 댐(340)의 제2 층(342)은 제1 내지 제3 색필터 중 다른 하나와 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 제2 댐(350)의 제1 층(351)은 제1 내지 제3 색필터 중 하나와 동일한 물질로 이루어지고, 제2 댐(350)의 제2 층(352)은 제1 내지 제3 색필터 중 다른 하나와 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
제1 댐(340)의 제1 층(341)과 제2 댐(350)의 제1 층(351)은 동일한 색필터의 물질로 이루어질 수 있다. 이때, 제1 댐(340)의 제2 층(342)과 제2 댐(350)의 제2 층(352)은 동일한 색필터의 물질로 이루어지거나 또는 서로 다른 색필터의 물질로 이루어질 수 있다.
또는, 제1 댐(340)의 제1 층(341)과 제2 댐(350)의 제1 층(351)은 서로 다른 색필터의 물질로 이루어질 수 있다. 이때, 제1 댐(340)의 제2 층(342)과 제2 댐(350)의 제2 층(352)은 동일한 색필터의 물질로 이루어지거나 또는 서로 다른 색필터의 물질로 이루어질 수 있다.
이러한 차이점을 제외하고, 앞서 도 1 내지 3을 참조하여 설명한 실시예의 특징들은 도 13을 참조로 설명한 실시예에 모두 적용될 수 있으므로, 도 1 내지 3에서 설명한 실시예의 특징들에 대한 중복 설명은 생략한다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 단면을 나타낸다.
도 14를 참조하면, 제1 댐(340)이 제1 층(341) 및 제2 층(342)을 포함하고, 제2 댐(350)이 하나의 층을 포함할 수 있다.
제1 댐(340)의 제1 층(341)은 제1 내지 제3 색필터 중 하나와 동일한 물질로 이루어지고, 제1 댐(340)의 제2 층(342)은 제1 내지 제3 색필터 중 다른 하나와 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 제2 댐(350)은 제1 내지 제3 색필터 중 하나와 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
제2 댐(350)은 제1 댐(340)의 제1 층(341) 또는 제2 층(342)과 동일한 색필터의 물질로 이루어질 수 있다. 또는 제2 댐(350)은 제1 댐(340)의 제1 층(341) 및 제2 층(342)과 다른 색필터의 물질로 이루어질 수 있다.
이러한 차이점을 제외하고, 앞서 도 1 내지 3을 참조하여 설명한 실시예의 특징들은 도 14를 참조로 설명한 실시예에 모두 적용될 수 있으므로, 도 1 내지 3에서 설명한 실시예의 특징들에 대한 중복 설명은 생략한다.
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 단면을 나타낸다.
도 15를 참조하면, 제1 댐(340)이 하나의 층을 포함하고, 제2 댐(350)이 복수의 서브 댐(350-1, 350-2, 350-3)을 포함하고, 각 서브 댐(350-1, 350-2, 350-3)이 하나의 층을 포함할 수 있다.
제1 댐(340)은 제1 내지 제3 색필터 중 하나와 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 제1 서브 댐(350-1), 제2 서브 댐(350-2) 및 제3 서브 댐(350-3) 각각은 제1 내지 제3 색필터 중 어느 하나와 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 제1 서브 댐(350-1), 제2 서브 댐(350-2) 및 제3 서브 댐(350-3) 중에서 적어도 2개는 동일한 색필터의 물질로 이루어질 수 있다. 또는, 제1 서브 댐(350-1), 제2 서브 댐(350-2) 및 제3 서브 댐(350-3)은 서로 다른 색필터의 물질로 이루어질 수 있다.
이러한 차이점을 제외하고, 앞서 도 1 내지 3을 참조하여 설명한 실시예의 특징들은 도 15를 참조로 설명한 실시예에 모두 적용될 수 있으므로, 도 1 내지 3에서 설명한 실시예의 특징들에 대한 중복 설명은 생략한다.
도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 단면을 나타낸다.
도 16을 참조하면, 제1 댐(340)의 제1 층(341)의 제1 폭(W1)보다 제2 층(342)의 제2 폭(W2)이 더 클 수 있다. 이에 따라, 제2 층(342)이 제1 층(341)을 덮어서 감싸도록 제1 댐(340)이 형성될 수 있다.
이러한 차이점을 제외하고, 앞서 도 1 내지 3을 참조하여 설명한 실시예의 특징들은 도 16을 참조로 설명한 실시예에 모두 적용될 수 있으므로, 도 1 내지 3에서 설명한 실시예의 특징들에 대한 중복 설명은 생략한다.
도 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 단면을 나타낸다.
도 17은 도 16의 실시예에서 추가적으로 표시 장치가 제2 댐(350)을 더 포함하는 경우이다. 제2 댐(350)에서 제1 층(351)의 폭보다 제2 층(352)의 폭이 더 클 수 있고, 제2 층(352)이 제1 층(351)을 덮어서 감싸도록 제2 댐(350)이 형성될 수 있다.
이러한 차이점을 제외하고, 앞서 도 1 내지 3을 참조하여 설명한 실시예의 특징들은 도 17을 참조로 설명한 실시예에 모두 적용될 수 있으므로, 도 1 내지 3에서 설명한 실시예의 특징들에 대한 중복 설명은 생략한다.
도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 단면을 나타낸다.
도 18은 도 16의 실시예에서 추가적으로 표시 장치가 복수의 서브 댐(350-1, 350-2, 350-3)을 포함하는 제2 댐(350)을 더 포함하는 경우이다. 제1 서브 댐(350-1), 제2 서브 댐(350-2) 및 제3 서브 댐(350-3)은 하나의 층을 포함한다. 제1 서브 댐(350-1), 제2 서브 댐(350-2) 및 제3 서브 댐(350-3) 각각은 제1 내지 제3 색필터 중 어느 하나와 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
이러한 차이점을 제외하고, 앞서 도 1 내지 3을 참조하여 설명한 실시예의 특징들은 도 18을 참조로 설명한 실시예에 모두 적용될 수 있으므로, 도 1 내지 3에서 설명한 실시예의 특징들에 대한 중복 설명은 생략한다.
도 19는 오버코팅층에 포함되는 자외선 파장 차단제의 농도에 따른 빛의 투과율을 실험한 그래프이다. 도 20은 오버코팅층에 포함되는 자외선 파장 차단제의 농도에 따른 자외선의 투과율을 실험한 그래프이다.
도 19에서 그래프의 가로축은 빛의 파장을 나타내고, 세로축은 빛의 투과율을 나타낸다. 도 20에서 그래프의 가로축은 자외선 파장 차단제의 농도를 나타내고, 세로축은 단파장(405nm)의 빛(자외선)의 투과율을 나타낸다.
자외선 파장 차단제의 농도가 증가할수록 오버코팅층(330)에서의 자외선의 투과율이 감소한다. 예를 들어, 자외선 파장 차단제의 농도가 1.7%일 때 405nm의 자외선의 투과율은 6.71%이고, 자외선 파장 차단제의 농도가 2.4%일 때 405nm의 자외선의 투과율은 2.89%이다.
하지만, 자외선 파장 차단제의 농도가 5% 내지 10%에서는 유기 발광 다이오드(OLED)에서 방출되는 청색 빛의 투과율도 감소하게 된다. 오버코팅층(330)에 포함되는 자외선 파장 차단제의 농도는 5%보다 작은 것이 적절하다. 오버코팅층(330)에 포함되는 자외선 파장 차단제의 농도는 대략 1.7% 내지 2.4%로 결정될 수 있다.
지금까지 참조한 도면과 기재된 발명의 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
100: 표시층
110: 기판
200: 터치 센서층
300: 봉지층
310: 차광부
320: 색필터
330: 오버코팅층
340: 제1 댐
350: 제2 댐

Claims (20)

  1. 복수의 화소 영역을 포함하는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 표시층; 및
    상기 표시층 위에 위치하는 봉지층을 포함하고,
    상기 봉지층은,
    상기 표시 영역에서 상기 복수의 화소 영역에 대응하는 복수의 개구를 포함하고, 상기 주변 영역에서 빛을 차단하는 차광부;
    상기 주변 영역에서 상기 차광부 위에 위치하고 상기 표시 영역을 둘러싸는 제1 댐; 및
    상기 표시 영역을 덮고, 상기 주변 영역에서 상기 제1 댐의 측면과 접촉하는 오버코팅층을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 봉지층은
    상기 차광부 위에 위치하여 상기 복수의 개구와 중첩하는 복수의 색필터를 더 포함하는 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 복수의 색필터는 제1 색상의 제1 색필터, 제2 색상의 제2 색필터 및 제3 색상의 제3 색필터를 포함하고,
    상기 제1 색필터, 상기 제2 색필터 및 상기 제3 색필터는 서로 다른 개구와 중첩하는 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 댐은 상기 제1 색필터와 동일한 물질로 이루어진 제1 층을 포함하는 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 주변 영역에서 상기 차광부 위에 위치하고, 상기 제1 댐과 상기 표시 영역 사이에 위치하여 상기 표시 영역을 둘러싸는 제2 댐을 더 포함하고,
    상기 제2 댐은 상기 제1 내지 제3 색필터 중 어느 하나와 동일한 물질을 포함하는 제1 층을 포함하는 표시 장치.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 댐은 상기 제1 층 위에 위치하는 제2 층을 더 포함하고, 상기 제2 층은 상기 제2 색필터와 동일한 물질을 포함하는 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제2 층의 폭은 상기 제1 층의 폭과 동일하거나 상기 제1 층의 폭보다 작은 표시 장치.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 주변 영역에서 상기 차광부 위에 위치하고, 상기 제1 댐과 상기 표시 영역 사이에 위치하여 상기 표시 영역을 둘러싸는 제2 댐을 더 포함하고,
    상기 제2 댐은 하나의 층 또는 두 개의 층을 포함하고, 상기 하나의 층은 상기 제1 내지 제3 색필터 중 하나와 동일한 물질을 포함하고, 상기 두 개의 층은 상기 제1 내지 제3 색필터 중 둘과 동일한 물질을 포함하는 표시 장치.
  9. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 댐은 상기 제2 층 위에 위치하는 제3 층을 더 포함하고, 상기 제3 층은 상기 제3 색필터와 동일한 물질을 포함하는 표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제3 층의 폭은 상기 제2 층의 폭과 동일하거나 상기 제2 층의 폭보다 작은 표시 장치.
  11. 제9 항에 있어서,
    상기 주변 영역에서 상기 차광부 위에 위치하고, 상기 제1 댐과 상기 표시 영역 사이에 위치하여 상기 표시 영역을 둘러싸는 제2 댐을 더 포함하고,
    상기 제2 댐은 하나의 층, 또는 두 개의 층, 또는 세 개의 층을 포함하고, 상기 하나의 층은 상기 제1 내지 제3 색필터 중 하나와 동일한 물질을 포함하고, 상기 두 개의 층은 상기 제1 내지 제3 색필터 중 둘과 동일한 물질을 포함하고, 상기 세 개의 층은 상기 제1 내지 제3 색필터와 동일한 물질을 포함하는 표시 장치.
  12. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 층의 두께는 상기 제1 색필터의 두께와 동일하고,
    상기 제2 층의 두께는 상기 제2 색필터의 두께와 동일하고,
    상기 제3 층의 두께는 상기 제3 색필터의 두께와 동일한 표시 장치.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 오버코팅층은 자외선 파장 차단제를 포함하는 표시 장치.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 표시층과 상기 봉지층 사이에 위치하는 터치 센서층을 더 포함하는 표시 장치.
  15. 복수의 유기 발광 다이오드를 포함하는 표시층을 형성하는 단계;
    상기 표시층 위에 복수의 터치 전극을 포함하는 터치 센서층을 형성하는 단계;
    상기 터치 센서층 위에 상기 복수의 유기 발광 다이오드에 대응하는 복수의 개구를 포함하는 차광부를 형성하는 단계;
    상기 복수의 개구에 복수의 색필터를 형성하는 단계;
    상기 복수의 개구에 복수의 색필터를 형성할 때 상기 복수의 유기 발광 다이오드를 포함하는 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역에 상기 복수의 색필터 중에서 적어도 하나와 동일한 물질로 제1 댐을 형성하는 단계; 및
    상기 표시 영역을 덮는 오버코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 오버코팅층을 형성하는 단계는,
    상기 제1 댐으로 둘러싸인 영역 내에 오버코팅 물질을 코팅한 후 노광 없이 상기 오버코팅 물질을 베이크하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 오버코팅 물질은 자외선 파장 차단제를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 댐을 형성하는 단계는,
    상기 복수의 색필터 중에서 제1 색필터와 동일한 물질로 제1 층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 제1 댐을 형성하는 단계는,
    상기 복수의 색필터 중에서 제2 색필터와 동일한 물질로 상기 제1 층 위에 제2 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제15 항에 있어서,
    상기 복수의 개구에 복수의 색필터를 형성할 때 상기 복수의 색필터 중 적어도 하나와 동일한 물질로 상기 제1 댐과 상기 표시 영역 사이에 제2 댐을 형성하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114335071A (zh) * 2020-09-30 2022-04-12 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示面板
CN114512524A (zh) * 2022-02-16 2022-05-17 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示面板及显示装置
CN114744137B (zh) * 2022-05-07 2023-11-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法与显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101929452B1 (ko) 2016-07-29 2018-12-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7884900B2 (en) * 2005-05-26 2011-02-08 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Liquid crystal display device with partition walls made of color filter layers as a dam for the light shielding material
KR102050462B1 (ko) 2013-05-28 2019-12-02 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 패널용 합착 기판
KR102391361B1 (ko) * 2015-01-14 2022-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102343411B1 (ko) * 2015-05-15 2021-12-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN104932136B (zh) 2015-07-01 2018-01-26 合肥鑫晟光电科技有限公司 彩膜基板及其制作方法、显示面板和显示装置
KR102430819B1 (ko) * 2015-08-19 2022-08-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102446425B1 (ko) * 2015-11-17 2022-09-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102463309B1 (ko) 2016-01-08 2022-11-04 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 이의 제조 방법
JP2017147165A (ja) * 2016-02-19 2017-08-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR101834792B1 (ko) * 2016-08-31 2018-03-06 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US10516134B2 (en) * 2016-09-30 2019-12-24 Sharp Kabushiki Kaisha Organic EL display device and organic EL display device manufacturing method
KR102662681B1 (ko) 2016-12-26 2024-04-30 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 표시장치와 그의 제조방법
CN107068715B (zh) * 2017-03-28 2019-12-20 上海天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板、有机发光显示装置以及有机发光显示面板的制备方法
KR102354925B1 (ko) * 2017-06-14 2022-01-21 엘지디스플레이 주식회사 표시장치와 그의 제조방법
KR102439673B1 (ko) * 2017-06-19 2022-09-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102281226B1 (ko) * 2017-07-18 2021-07-22 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN207381403U (zh) * 2017-08-31 2018-05-18 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板
KR102408164B1 (ko) * 2017-10-31 2022-06-10 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조방법
KR102485295B1 (ko) * 2017-11-30 2023-01-04 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102431788B1 (ko) * 2017-12-13 2022-08-10 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102562901B1 (ko) * 2018-03-26 2023-08-04 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102572719B1 (ko) * 2018-04-03 2023-08-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101929452B1 (ko) 2016-07-29 2018-12-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

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