DE102016111712A1

DE102016111712A1 - Biegsame organische lichtemitierende Anzeigevorrichtung

Info

Publication number: DE102016111712A1
Application number: DE102016111712.9A
Authority: DE
Inventors: Jae-Young Lee; Gi-Youn KIM; Sang-Hoon Oh; Wan-Soo Lee; Ji-min KIM
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2015-10-28
Filing date: 2016-06-27
Publication date: 2017-05-04
Anticipated expiration: 2036-06-28
Also published as: DE102016111712B4; CN106847858B; US20170125734A1; US10263217B2; KR20170049146A; US10930887B2; KR102329978B1; CN106847858A; US20190157619A1

Abstract

Es ist eine biegsame OLED-Vorrichtung (200) offenbart, umfassend ein biegsames Substrat (210) mit einem Anzeigegebiet (AA), einem Nicht-Anzeigegebiet (NA) in einem Umfangsbereich des Anzeigegebiets (AA) und einem Faltbereich (FR); mindestens eine organische emittierende Diode (D) auf dem biegsamen Substrat in dem Anzeigegebiet (AA); eine Kapselungsfilmschicht (280), welche die organische emittierende Diode (D) bedeckt, ein Damm (270) auf dem biegsamen Substrat (210), wobei der Damm das Anzeigegebiet (AA) lateral umgibt und folgendes umfasst: einen ersten Damm (270a) in dem Faltbereich (FR) und einen zweiten Damm (270b) außerhalb des Faltbereichs (FR), wobei die mittlere Dicke des ersten Damms (270a) kleiner ist als die mittlere Dicke des zweiten Damms (270b).

Description

HINTERGRUND
TECHNOLOGIEFELD
Die vorliegende Offenbarung betrifft eine organische lichtemittierende Anzeige (OLED)-Vorrichtung, genauer gesagt eine biegsame OLED-Vorrichtung.
DISSKUSSION DES STANDES DER TECHNIK
Mit der Entwicklung der Informationstechnologie und mobile Kommunikationstechnologie ist auch eine Anzeigevorrichtung, welche ein visuelles Bild anzeigen kann, entwickelt worden. Flachbildschirmanzeigevorrichtungen, wie z. B. eine Flüssigkristallanzeige (LCD)-Vorrichtung und eine OLED-Vorrichtung werden entwickelt und verwendet.
Unter diesen Flachbildschirmanzeigevorrichtungen wird die OLED-Vorrichtung weit verbreitet entwickelt, da die OLED-Vorrichtung Vorteile in der Reaktionszeit, im Kontrastverhältnis, im Betrachtungswinkel, im Energieverbrauch, usw., aufweist.
Eine emittierende Diode mit einer organischen emittierenden Schicht ist anfällig für Schaden durch Feuchtigkeit. Um Eindringen von Feuchtigkeit in die emittierende Diode zu verhindern und um die emittierende Diode vor externen Einwirkungen zu schützen, ist ein Kapselungssubstrat aus Glas auf die emittierende Diode angebracht.
In letzter Zeit sind faltbare, biegsame oder rollbare Anzeigevorrichtungen (im folgenden ”biegsame Anzeigevorrichtung”) eingeführt worden.
In der biegsamen OLED-Vorrichtung wird eine Kapselungsfilmschicht mit einer anorganischen Schicht und einer organischen Schicht anstatt eines Kapselungssubstrats aus Glas verwendet. Und zwar hat die Anzeigevorrichtung unter Verwendung der Kapselungsfilmschicht zum Verhindern von Eindringen von Feuchtigkeit in die emittierende Diode, und um die emittierende Diode zu schützen, eine biegsame Eigenschaft.
1 ist eine schematische Querschnittsansicht einer biegsamen OLED-Vorrichtung des Standes der Technik.
Mit Bezug auf 1 beinhaltet die flexible OLED-Vorrichtung 1 des Standes der Technik ein flexibles Substrat 10, eine organische emittierende Diode D und eine Kapselungsfilmschicht 20. Ein Anzeigegebiet AA und ein Nicht-Anzeigegebiet NA in einem Umfangsbereich des Anzeigegebiets AA sind auf dem biegsamen Substrat 10 definiert, und die organische emittierende Diode D ist auf dem biegsamen Substrat 10 angeordnet. Die Kapselungsfilmschicht 20 bedeckt die organische emittierende Diode D.
Die organische emittierende Diode D ist in dem Anzeigegebiet AA angeordnet und ein Treiberteil (nicht gezeigt), welches die organische emittierende Diode D treibt, ist in dem Nicht-Anzeigegebiet NA angeordnet.
Obgleich nicht gezeigt, beinhaltet die organische emittierende Diode D erste und zweite Elektroden, welche sich gegenüber liegen, und eine organische emittierende Schicht dazwischen. Zusätzlich sind ein Schalt-Dünnschichttransistor (TFT) als ein Schaltelement und ein Treiber-TFT als ein Treiberelement in jedem Pixelbereich auf dem biegsamen Substrat 10 ausgebildet, und die erste Elektrode der organischen emittierenden Diode D ist mit dem Treiber-TFT verbunden.
Die Kapselungsfilmschicht 20 bedeckt die organische emittierende Diode D und entspricht dem Anzeigegebiet AA und dem Nicht-Anzeigegebiet NA, und überlappt insbesondere sowohl das Anzeigegebiet AA als auch das Nicht-Anzeigegebiet NA. Die Schäden an der organischen emittierenden Diode D unter Hochtemperatur- und einer Hochfeuchtigkeitsbedingungen werden durch die Kapselungsfilmschicht 20 verhindert.
Eine anorganische Schicht und eine organische Schicht sind abwechselnd übereinander geschichtet, um die Kapselungsfilmschicht 20 zu bilden. Zum Beispiel kann die Kapselungsfilmschicht eine Dreischichtstruktur aus einer ersten anorganischen Schicht 22 auf der organischen emittierenden Diode D, einer organischen Schicht 24 auf der ersten anorganischen Schicht 22 und einer zweiten anorganischen Schicht 26 auf der organischen Schicht 24 aufweisen.
Jedoch wird die emittierende Diode dennoch beschädigt, wenn die biegsame OLED-Vorrichtung unter Hochtemperatur- und einer Hochfeuchtigkeitsbedingungen betrieben wird, was zu Problemen in der Anzeigequalität und einer Lebensdauer der biegsamen OLED-Vorrichtung führt.
ZUSAMMENFASSUNG
Demgemäß ist die vorliegende Erfindung auf eine biegsame OLED-Vorrichtung gerichtet, welche eines oder mehrere der Probleme aufgrund von Beschränkungen und Nachteilen des Standes der Technik im Wesentlichen vermeidet.
Zusätzliche Merkmale und Vorteile der Erfindung werden in der folgenden Beschreibung dargelegt werden, und werden teilweise durch die Beschreibung ersichtlich sein oder können durch Anwendung der Erfindung erfahren werden. Die Ziele und andere Vorteile der Erfindung werden durch die Struktur, welche insbesondere in der schriftlichen Beschreibung und den Ansprüchen hierin sowie den angehängten Zeichnungen aufgezeigt wird, erkannt und erreicht werden.
Um diese und andere Vorteile zu erreichen und in Übereinstimmung mit dem Zweck der vorliegenden Erfindung, wie sie ausgeführt und umfassend hierin beschrieben ist, wird eine biegsame OLED-Vorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen einer biegsamen OLED-Vorrichtung gemäß den unabhängigen Ansprüchen bereitgestellt. Vorteilhafte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.
Es ist eine biegsame OLED-Vorrichtung bereitgestellt, umfassend ein biegsames Substrat mit einem Anzeigegebiet, einem Nicht-Anzeigegebiet in einem Umfangsbereich des Anzeigegebiets und einem Faltbereich, mindestens einer organischen emittierenden Diode auf dem biegsamen Substrat in dem Anzeigegebiet, einer Kapselungsfilmschicht, welche die organische emittierende Diode bedeckt, einem Damm auf dem biegsamen Substrat, wobei der Damm das Anzeigegebiet lateral umgibt und einen ersten Damm in dem Faltbereich und einen zweiten Damm außerhalb des Faltbereichs umfasst, wobei die mittlere Dicke des ersten Damms kleiner ist als die mittlere Dicke des zweiten Damms.
In einer ersten Ausführungsform der biegsamen OLED-Vorrichtung umfasst die Kapselungsfilmschicht eine erste anorganische Schicht, eine organische Schicht auf der ersten anorganischen Schicht, eine zweite anorganische Schicht auf der organischen Schicht, wobei der Damm die organische Schicht lateral umgibt, und wobei die erste anorganische Schicht und die zweite anorganische Schicht den Damm bedecken.
Eine andere Ausführungsform der biegsamen OLED-Vorrichtung bestimmt, dass der erste Damm und/oder der zweite Damm eine konstante Dicke aufweisen.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der biegsamen OLED-Vorrichtung umfasst der erste Damm einen ersten Bereich mit einer ersten Dicke und einen zweiten Bereich mit einer zweiten Dicke, wobei die erste Dicke kleiner ist als die zweite Dicke.
In einer zusätzlichen Ausführungsform der biegsamen OLED-Vorrichtung umfasst der erste Damm einen konvexen Bereich und/oder einen konkaven Bereich.
Eine andere Ausführungsform der biegsamen OLED-Vorrichtung bestimmt, dass der zweite Bereich des ersten Damms dieselbe Dicke wie der zweite Damm aufweist.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der biegsamen OLED-Vorrichtung weist der zweite Bereich des ersten Damms eine kleinere Dicke als der zweite Damm auf.
In einer zusätzlichen Ausführungsform der biegsamen OLED-Vorrichtung enthält der erste Damm eine einzige Schicht und der zweite Damm enthält eine untere Schicht und eine obere Schicht.
Eine andere Ausführungsform der biegsamen OLED-Vorrichtung bestimmt, dass die untere Schicht des zweiten Damms und der erste Damm eine kontinuierliche Schicht sind.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst die biegsame OLED-Vorrichtung ferner eine Bankschicht, welche jeden einer Mehrzahl von in dem Anzeigebiet definierten Pixelbereichen umgibt, und mindestens einen Abstandshalter auf der Bankschicht, wobei der erste Damm auf derselben Schicht wie die Bankschicht angeordnet ist, wobei die untere Schicht des zweiten Damms auf derselben Schicht wie die Bankschicht angeordnet ist, und wobei die obere Schicht des zweiten Damms auf derselben Schicht wie der Abstandshalter angeordnet ist.
In einer zusätzlichen Ausführungsform der biegsamen OLED-Vorrichtung bedeckt der erste Damm kontinuierlich das biegsame Substrat.
Eine andere Ausführungsform der biegsamen OLED-Vorrichtung bestimmt, dass der erste Damm teilweise entfernt ist und Dammstrukturen umfasst, welche geeignet sind, um Abfluss des organischen Materials aus dem Anzeigegebiet zu blockieren.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der biegsamen OLED-Vorrichtung umfassen die Dammstrukturen erste Dammstrukturen und zweite Dammstrukturen, welche voneinander beabstandet angeordnet sind und in einer Zickzack-Form angeordnet sind.
Ferner ist ein Verfahren zum Herstellen einer biegsamen OLED-Vorrichtung bereitgestellt, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: Bereitstellen eines biegsamen Substrats mit einem Anzeigebereich, einem Nicht-Anzeigegebiet in einem Umfangsbereich des Anzeigegebiets und einem Faltbereich, Bilden eines Damms auf dem biegsamen Substrat, welcher das Anzeigegebiet umgibt, wobei der Damm einen ersten Damm in dem Faltbereich und einen zweiten Damm außerhalb des Faltbereichs umfasst, wobei die mittlere Dicke des ersten Damms kleiner ist als die mittlere Dicke des zweiten Damms, Bilden einer emittierenden Diode innerhalb des Anzeigebereichs, Bedecken des Anzeigegebiets und des Nicht-Anzeigegebiets mit einer ersten anorganischen Schicht, und Bedecken des Anzeigegebiets mit einer organischen Schicht.
Es muss verstanden werden, dass sowohl die vorangegangene allgemeine Beschreibung als auch die folgende detaillierte Beschreibung exemplarisch und erklärend sind und dazu vorgesehen sind, eine weitere Erklärung der beanspruchten Erfindung zur Verfügung zu stellen.
KURZBESCHREIBUNG DER FIGUREN
Die begleitenden Zeichnungen, welche beigefügt sind, um ein weitergehendes Verständnis der Erfindung bereitzustellen und welche in diese Beschreibung eingeschlossen sind und einen Teil dieser Beschreibung bilden, veranschaulichen Ausführungsformen der Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, die Prinzipien der Erfindung zu erklären.
1 ist eine schematische Querschnittsansicht der biegsamen OLED-Vorrichtung des Standes der Technik.
2 ist eine schematische Draufsicht, welche eine biegsame OLED-Vorrichtung gemäß der ersten bis fünften Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
3 ist eine schematische Querschnittsansicht, welche entlang der Linie A-A' aus 2 genommen ist und welche eine biegsame OLED-Vorrichtung gemäß der ersten bis dritten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
4 ist eine schematische Querschnittsansicht, welche entlang der Linie B-B' aus 2 genommen ist und welche eine biegsame OLED-Vorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
5 ist eine schematische Querschnittsansicht, welche entlang der Linie B-B' aus 2 genommen ist und welche eine biegsame OLED-Vorrichtung gemäß der zweiten und dritten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
6 ist eine schematische Querschnittsansicht, welche entlang der Linie C-C' aus 2 genommen ist und welche eine biegsame OLED-Vorrichtung gemäß der zweiten und dritten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
7A ist eine schematische Querschnittsansicht, welche entlang der Linie D-D' aus 2 genommen ist und welche eine biegsame OLED-Vorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
7B ist eine schematische Querschnittsansicht, welche entlang der Linie D-D' aus 2 genommen ist und welche eine biegsame OLED-Vorrichtung gemäß der zweiten und dritten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
8 ist eine schematische Querschnittsansicht, welche entlang der Linie A-A' aus 2 genommen ist und welche eine biegsame OLED-Vorrichtung gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
9 ist eine schematische Draufsicht, welche eine Position eines Abstandshalters in einer biegsamen OLED-Vorrichtung gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
10 ist eine schematische Querschnittsansicht, welche entlang der Linie B-B' aus 2 genommen ist und welche eine biegsame OLED-Vorrichtung gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
11 ist eine schematische Querschnittsansicht, welche entlang der Linie C-C' aus 2 genommen ist und welche eine biegsame OLED-Vorrichtung gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
12 ist eine schematische Querschnittsansicht, welche entlang der Linie D-D' aus 2 genommen ist und welche eine biegsame OLED-Vorrichtung gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
13 ist eine schematische Draufsicht, welche eine biegsame OLED-Vorrichtung gemäß der fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
14 ist eine schematische Querschnittsansicht, welche entlang der Linie D-D' aus 13 genommen ist.
15 ist eine schematische Draufsicht, welche eine biegsame OLED-Vorrichtung gemäß der sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
Nun wird im Detail auf die bevorzugten Ausführungsformen Bezug genommen, wovon Beispiele in den begleitenden Zeichnungen veranschaulicht sind.
2 ist eine schematische Draufsicht, welche die ersten bis fünften Ausführungsformen einer biegsamen OLED-Vorrichtung veranschaulicht.
Wie in 2 gezeigt, ist eine OLED-Vorrichtung 100 der vorliegenden Erfindung eine biegsame Anzeigevorrichtung, welche faltbar, biegsam oder rollbar entlang eines Faltbereichs FR ist. Zum Beispiel ist der Faltbereich FR entlang einer Nebenachse der OLED-Vorrichtung 100 definiert. Alternativ kann der Faltbereich FR entlang einer Hauptachse der biegsamen OLED-Vorrichtung 100 definiert sein.
Wenn der Faltbereich FR entlang der Nebenachse, wie in 2 gezeigt, definiert ist, kann ein Pad-Bereich (nicht gezeigt) an zumindest einem Ende der Hauptachse definiert sein. In einer alternativen Ausführungsform (nicht gezeigt) kann der Pad-Bereich an zumindest einem Ende der Nebenachse definiert sein, wenn der Faltbereich FR entlang der Hauptachse definiert ist.
In der biegsamen OLED-Vorrichtung 100 sind eine Mehrzahl von Pixelbereichen P in einem Anzeigegebiet AA auf dem biegsamen Substrat 100 definiert und eine organische emittierende Diode (nicht gezeigt) ist in jedem Pixelbereich P ausgebildet.
Zusätzlich ist ein Damm 170 an einem Nicht-Anzeigegebiet NA ausgebildet, welches als ein Gebiet an einem Umfangsbereich des Anzeigegebiet AA definiert ist, um das Anzeigegebiet AA zu umgeben.
Darüber hinaus ist eine Kapselungsfilmschicht (nicht gezeigt) ausgebildet, welche die organische emittierende Diode und den Damm 170 bedeckt. Und zwar entspricht die Kapselungsfilmschicht dem Anzeigegebiet AA und dem Nicht-Anzeigegebiet NA und überlappt insbesondere das Anzeigegebiet AA und das Nicht-Anzeigegebiet NA.
Zum Beispiel kann die Kapselungsfilmschicht eine Dreilagenstruktur aus einer ersten anorganischen Schicht, einer organischen Schicht auf der ersten anorganischen Schicht und einer zweiten anorganischen Schicht auf der organischen Schicht aufweisen. In diesem Fall ist die organische Schicht innerhalb des Damms 170 angeordnet, und die ersten und zweiten anorganische Schichten sind angeordnet, um den Damm 170 zu bedecken. Infolgedessen wird Eindringen von Feuchtigkeit in das Anzeigegebiet durch eine Seite der organischen Schicht der Kapselungsfilmschicht verhindert.
Abfluss des organischen Materials, welches durch einen Auftragungsprozess aufgetragen wird, kann durch den Damm 170 blockiert werden, sodass die organische Schicht 182 innerhalb des Damms 170 ausgebildet wird. Demgemäß wird die Seitenoberfläche der organischen Schicht 182 nicht freigelegt, sodass Probleme der Anzeigequalität und einer Lebensdauer der biegsamen OLED-Vorrichtung durch Eindringen von Feuchtigkeit verhindert werden können.
3 ist eine schematische Querschnittsansicht, welche entlang der Linie A-A' aus 2 genommen ist und welche eine biegsame OLED-Vorrichtung gemäß der ersten bis dritten Ausführungsformen veranschaulicht.
Wie in 3 gezeigt, sind der TFT Tr, die organische emittierende Diode D und die Kapselungsfilmschicht 180 über dem biegsamen Substrat 110 geschichtet.
Zum Beispiel kann das biegsame Substrat 110 ein Substrat sein, das aus einem Polymer, insbesondere Polyamid, ausgebildet ist. Zur Herstellung kann ein Trägersubstrat (nicht gezeigt) an einer unteren Oberfläche des biegsamen Substrats 110 angebracht werden, Elemente wie der TFT Tr können auf dem flexiblen Substrat 110 ausgebildet werden und das Trägersubstrat wird von dem biegsamen Substrat 110 entfernt. So kann das Trägersubstrat die Herstellung des TFT Tr vereinfachen.
Der TFT Tr ist auf dem biegsamen Substrat 110 ausgebildet. Obgleich nicht gezeigt, kann eine Pufferschicht auf dem biegsamen Substrat 110 ausgebildet sein, und der TFT Tr kann auf der Pufferschicht ausgebildet sein.
Eine Halbleiterschicht 122 ist auf dem biegsamen Substrat 110 ausgebildet. Die Halbleiterschicht 122 kann ein Oxidhalbleitermaterial oder polykristallines Silizium enthalten.
Wenn die Halbleiterschicht 122 das Oxidhalbleitermaterial enthält, kann eine lichtabschirmende Struktur (nicht gezeigt) unter der Halbleiterschicht 122 ausgebildet sein. Das Licht zur Halbleiterschicht 122 kann durch die lichtabschirmende Struktur abgeschirmt oder blockiert werden, sodass thermische Verschlechterung der Halbleiterschicht 122 verhindert werden kann. Wenn die Halbleiterschicht 122 polykristallines Silizium enthält, können in beide Seiten der Halbleiterschicht 122 Unreinheiten dotiert sein.
Eine Gate-Isolationsschicht 124 ist auf der Halbleiterschicht 122 ausgebildet. Die Gate-Isolationsschicht 124 kann aus einem anorganischen isolierenden Material wie z. B. Siliziumoxid oder Siliziumnitrid ausgebildet sein.
Eine Gate-Elektrode 130, welche aus einem leitenden Material, z. B. Metall, ausgebildet ist, ist auf der Gate-Isolationsschicht 124 über einem Mittelpunkt der Halbleiterschicht 122 ausgebildet.
In 3 ist die Gate-Isolationsschicht 124 auf der kompletten Oberfläche des biegsamen Substrats 110 ausgebildet. Alternativ kann die Gate-Isolationsschicht 124 strukturiert sein, um dieselbe Form oder eine ähnliche Form wie die Gate-Elektrode 130 aufzuweisen.
Eine Zwischenisolationsschicht 132, welche aus einem isolierenden Material ausgebildet ist, ist auf einer kompletten Oberfläche des biegsamen Substrats 110 einschließlich der Gate-Elektrode 130 ausgebildet. Die Zwischenisolationsschicht 132 kann aus einem anorganischen isolierenden Material, z. B. Siliziumoxid oder Siliziumnitrid, oder aus einem organischen isolierenden Material, z. B. Benzocyclobuten oder Photoacryl, ausgebildet sein.
Die Zwischenisolationsschicht 132 enthält erste und zweite Kontaktlöcher 134 und 136, welche beide Seiten der Halbleiterschicht 122 freilegen. Die ersten und zweiten Kontaktlöcher 134 und 136 sind so auf beiden Seiten der Gate-Elektrode 130 angeordnet, dass sie von der Gate-Elektrode 130 entfernt angeordnet sind.
In 3 erstrecken sich die ersten und zweiten Kontaktlöcher 134 und 136 in die Gate-Isolationsschicht 124. Alternativ sind die ersten und zweiten Kontaktlöcher 134 und 136 nur durch die Zwischenisolationsschicht 132 und nicht durch die Gate-Isolationsschicht 124 hindurch ausgebildet, wenn die Gate-Isolationsschicht 124 strukturiert ist, um dieselbe Form wie die Gate-Elektrode 130 zu haben.
Eine Source-Elektrode 140 und Drain-Elektrode 142, welche aus einem leitenden Material, z. B. Metall, ausgebildet sind, sind auf der Zwischenisolationsschicht 132 ausgebildet. Die Source-Elektrode 140 und die Drain-Elektrode 142 sind bezüglich der Gate-Elektrode 130 voneinander beabstandet ausgebildet und kontaktieren jeweils beide Seiten der Halbleiterschicht 122 durch die ersten und zweiten Kontaktlöcher 134 und 136.
Die Halbleiterschicht 122, die Gate-Elektrode 130, die Source-Elektrode 140 und die Drain-Elektrode 142 bilden den TFT Tr und der TFT Tr dient als ein Treiberelement.
In 3 sind die Gate-Elektrode 130, die Source-Elektrode 140 und die Drain-Elektrode 142 über der Halbleiterschicht 122 angeordnet. Und zwar hat der TFT Tr eine koplanare Struktur. Alternativ kann die Gate-Elektrode in dem TFT Tr unter der Halbleiterschicht angeordnet sein und die Source- und Drain-Elektroden können über der Halbleiterschicht angeordnet sein, sodass der TFT Tr eine invertierte gestapelte Struktur aufweisen kann. In diesem Fall kann die Halbleiterschicht amorphes Silizium enthalten.
Obgleich nicht gezeigt, sind eine Gateleitung und eine Datenleitung auf oder über dem biegsamen Substrat 110 angeordnet und kreuzen sich, um einen Pixelbereich zu definieren. Zusätzlich kann ein Schaltelement, welches elektrisch mit der Gateleitung und der Datenleitung verbunden ist, auf dem biegsamen Substrat 110 angeordnet sein. Das Schaltelement ist elektrisch mit dem TFT Tr als das Treiberelement verbunden.
Zusätzlich kann eine Versorgungsleitung, welche parallel zu und von der Gateleitung oder der Datenleitung entfernt angeordnet ist, auf oder über dem biegsamen Substrat 110 ausgebildet sein. Darüber hinaus kann ferner ein Speicherkondensator zum Aufrechterhalten einer Spannung der Gate-Elektrode 130 des TFT Tr während eines Frames auf dem biegsamen Substrat 110 ausgebildet sein.
Ein Passivierungsschicht 150, welche ein Drain-Kontaktloch 152 beinhaltet, welches die Drain-Elektrode 142 des TFT Tr freilegt, ist ausgebildet, um den TFT Tr zu bedecken.
Eine erste Elektrode 160, welche mit der Drain-Elektrode 142 des TFT Tr durch das Drain-Kontaktloch 152 verbunden ist, ist separat in jedem Pixelbereich ausgebildet. Die erste Elektrode 160 kann eine Anode sein und kann aus einem leitenden Material mit einer relativ hohen Austrittsarbeit ausgebildet sein. Zum Beispiel kann die erste Elektrode 160 aus einem transparenten leitenden Material, wie z. B. Indiumzinnoxid (ITO) oder Indiumzinkoxid (IZO) ausgebildet sein.
Wenn die organische emittierende Diode D oberseitig emittierend betrieben wird, kann eine Reflektionselektrode oder eine Reflektionsschicht unter der ersten Elektrode 160 ausgebildet sein. Zum Beispiel kann die Reflektionselektrode oder die Reflektionsschicht aus einer Aluminium-Palladium-Kupfer (APC)-Legierung ausgebildet sein.
Eine Bankschicht 166, welche Ränder der ersten Elektrode 160 bedeckt, ist auf der Passivierungsschicht 150 ausgebildet. Ein Mittelpunkt der ersten Elektrode 160 in dem Pixelbereich ist durch eine Öffnung der Bankschicht 166 freigelegt.
Eine organische emittierende Schicht 162 ist auf der ersten Elektrode 160 ausgebildet. Die organische emittierende Schicht 162 kann eine Einschichtstruktur aus einer emittierenden Materialschicht aufweisen, welche aus einem emittierenden Material ausgebildet ist. Alternativ kann die organische emittierende Schicht 162 eine Mehrschichtstruktur mit einer Lochinjektionsschicht, einer Lochtransportschicht, der emittierenden Materialschicht, einer Elektrontransportschicht und einer Elektroninjektionsschicht aufweisen, welche nacheinander auf der ersten Elektrode 160 geschichtet sind, um die Emissionseffizienz zu verbessern. Eine zweite Elektrode 164 ist über dem biegsamen Substrat 110 mit der organischen emittierenden Schicht 162 ausgebildet. Die zweite Elektrode 164 ist auf einer kompletten Oberfläche des Anzeigegebiets angeordnet. Die zweite Elektrode 164 kann eine Kathode sein. Die zweite Elektrode 164 kann aus einem leitenden Material mit einer niedrigeren Austrittsarbeit als die erste Elektrode 160 ausgebildet sein. Zum Beispiel kann die zweite Elektrode 164 aus Aluminium (Al), Magnesium (Mg) oder einer Al-Mg-Legierung ausgebildet sein. Die erste Elektrode 160, die organische emittierende Schicht 162 und die zweite Elektrode 164 bilden die organische emittierende Diode D.
Eine Kapselungsfilmschicht 180 ist auf der organischen emittierenden Diode D ausgebildet, um Eindringen von Feuchtigkeit in die organische emittierende Diode D zu verhindern. Die Kapselungsfilmschicht 180 kann eine Dreischichtstruktur aus einer ersten anorganischen Schicht 182, einer organischen Schicht 184 und einer zweiten anorganischen Schicht 186 aufweisen. Jedoch ist dies nicht darauf beschränkt.
Zum Beispiel kann die Kapselungsfilmschicht 180 ferner eine organische Schicht auf der zweiten anorganischen Schicht 186 oder eine organische Schicht und eine anorganische Schicht auf der zweiten anorganischen Schicht 186 geschichtet enthalten.
Die erste anorganische Schicht 182 kontaktiert und bedeckt die organische emittierende Diode D. Zum Beispiel kann die erste anorganische Schicht 182 aus einem von Siliziumoxid (SiOx), Siliziumnitrid (SiNx) und Siliziumoxynitrid (SiON) ausgebildet sein.
Die organische Schicht 184 ist auf der ersten anorganischen Schicht 182 ausgebildet. Die Belastung auf die erste anorganische Schicht 182 kann durch die organische Schicht 184 reduziert werden. Zum Beispiel kann die organische Schicht 182 aus einem acrylbasierten Material oder einem epoxidbasierten Material ausgebildet sein.
Die zweite anorganische Schicht 186 ist auf der organischen Schicht 184 ausgebildet und kann aus einem von Siliziumoxid (SiOx), Siliziumnitrid (SiNx) und Siliziumoxynitrid (SiON) ausgebildet sein.
Zum Beispiel kann jede der ersten und zweiten anorganischen Schichten 182 und 186 durch einen plasmaverstärkten chemischen Gasphasenabscheidungs(PECVD)-Prozess oder durch einen Atomlagenabscheidungs(ALD)-Prozess ausgebildet sein, und die organische Schicht 184 kann durch einen Tintenstrahlbeschichtungsprozess, einen Schlitzbeschichtungsprozess oder einen Stangenbeschichtungsprozess ausgebildet sein.
Obgleich nicht gezeigt, kann eine Barrierenfilmschicht auf der Kapselungsfilmschicht 180 aufgebracht sein, und eine Polarisationsplatte zum Reduzieren einer Umgebungslichtreflexion kann auf der Barrierenfilmschicht angebracht sein. Zum Beispiel kann die Polarisationsplatte eine Zirkularpolarisationsplatte sein.
4 ist eine schematische Querschnittsansicht, welche entlang der Linie B-B' aus 2 genommen ist und welche eine biegsame OLED-Vorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform veranschaulicht.
Wie in 4 gezeigt, ist die organische emittierende Diode D in dem Anzeigegebiet AA des biegsamen Substrats 110 ausgebildet und der Damm 170 ist in dem Nicht-Anzeigegebiet NA des biegsamen Substrats 110 ausgebildet, um das Anzeigegebiet AA zu umgeben.
Der Damm 170 weist eine vorbestimmte Dicke auf und ist angeordnet, um von der organischen emittierenden Diode D entfernt angeordnet zu sein. Der Damm 170 kann aus demselben Material und auf derselben Schicht wie die Bankschicht 166 ausgebildet sein. Zum Beispiel kann der Damm 170 aus einem anorganischen Material, wie z. B. Siliziumoxid oder Siliziumnitrid, oder aus einem organischen Material wie z. B. Polyimid ausgebildet sein.
Zusätzlich ist die Kapselungsfilmschicht 180 ausgebildet, um die organische emittierende Diode D und den Damm 170 zu bedecken. Wie oben erwähnt, kann die Kapselungsfilmschicht die erste anorganische Schicht 182, die organische Schicht 184 und die zweite anorganische Schicht 186 enthalten.
Die ersten und zweiten anorganischen Schichten 182 und 186 bedecken die organische emittierende Diode D und den Damm 170, und die organische Schicht 184 ist innerhalb des durch den Damm 170 umgebenen Gebiets angeordnet. Und zwar bedeckt die organische Schicht 184 die organische emittierende Diode D und überlappt nicht den Damm 170. Mit anderen Worten weist die organische Schicht 184 eine Breite oder eine ebene Fläche auf, welche kleiner als jede der ersten und zweiten anorganischen Schichten 182 und 186 ist.
Wenn das organische Material aufgetragen wird, um die organische Schicht 184 zu bilden, nachdem die erste anorganische Schicht 182 abgeschieden ist, wird der Abfluss des organischen Materials durch den Damm 170 blockiert, sodass die organische Schicht 184 innerhalb des durch den Damm 170 definierten Gebiets ausgebildet wird. Demgemäß ist die Seitenoberfläche der organischen Schicht 184 komplett durch die zweite anorganische Schicht 186 bedeckt, sodass das Eindringen von Feuchtigkeit durch die Seitenoberfläche der organischen Schicht 184 verhindert wird.
Der Damm 170 hat im Wesentlichen dieselbe Höhe oder Dicke an den vier Seiten des biegsamen Substrats 110.
5 ist eine schematische Querschnittsansicht, welche entlang der Linie B-B' aus 2 genommen ist und welche eine biegsame OLED-Vorrichtung gemäß der zweiten und dritten Ausführungsformen veranschaulicht. 6 ist eine schematische Querschnittsansicht, welche entlang der Linie C-C' aus 2 genommen ist und welche eine biegsam OLED-Vorrichtung gemäß der zweiten und dritten Ausführungsformen veranschaulicht.
Wie in 5 und 6 gezeigt, ist die organische emittierende Diode D in dem Anzeigegebiet AA des biegsamen Substrats 210 ausgebildet, und der Damm 270 ist in dem Nicht-Anzeigegebiet NA des biegsamen Substrats 210 ausgebildet, um das Anzeigegebiet AA zu umgeben. Zum Beispiel kann der Damm 270 aus einem anorganischen Material, wie z. B. Siliziumoxid oder Siliziumnitrid, oder aus einem organischen Material wie z. B. Polyimid ausgebildet sein.
Wie anhand von 3 erklärt, ist der TFT Tr mit der Halbleiterschicht 122, der Gate-Elektrode 130, der Source-Elektrode 140 und der Drain-Elektrode 142 auf dem biegsamen Substrat 110 ausgebildet, und die organische emittierende Diode D enthält die erste Elektrode 160, welche mit der Drain-Elektrode 142 des TFT Tr verbunden ist, die zweite Elektrode 164, welche der ersten Elektrode 160 gegenüber liegt, und die organische emittierende Schicht 162 dazwischen.
Zusätzlich ist die Bank 166, welche den Rand bzw. die Kante der ersten Elektrode 160 bedeckt, an einem Randbereich des Pixelbereichs P ausgebildet.
Unter nochmaliger Bezugnahme auf 5 und 6 ist Damm 270 von der organischen emittierenden Diode D entfernt angeordnet und enthält einen ersten Damm 270a in dem Faltbereich FR und einen zweiten Damm 270b in einem anderen Bereich, z. B. ein Nichtfaltbereich. Der erste Damm 270a weist eine kleinere Dicke auf, als der zweite Damm 270b. Zum Beispiel weist der erste Damm 270 eine erste Dicke t1 auf, welche kleiner als die Bankschicht 166 ist, und der zweite Damm 270 weist eine zweite Dicke t2 auf, welche größer als die erste Dicke t1 ist und welche im Wesentlichen gleich der Bankschicht 166 ist, wenn der Damm 270 auf derselben Schicht angeordnet ist und aus demselben Material wie die Bankschicht 166 (aus 3) ausgebildet ist.
Darüber hinaus ist die Kapselungsfilmschicht 280, welche die erste anorganische Schicht 282, die organische Schicht 284 und die zweite anorganische Schicht 286 enthalten kann, ausgebildet, um die organische emittierende Diode D und den Damm 270 zu bedecken.
Die ersten und zweiten anorganischen Schichten 282 und 286 bedecken die organische emittierende Diode D und den Damm 270 und die organische Schicht 284 ist innerhalb des durch den Damm 270 umgebenen Gebiets angeordnet. Und zwar bedeckt die organische Schicht 284 die organische emittierende Diode D und überlappt nicht den Damm 270. Mit anderen Worten weist die organische Schicht 284 eine Breite oder eine ebene Fläche auf, welche kleiner als jede der ersten und zweiten anorganischen Schichten 282 und 286 ist.
Wenn das organische Material aufgetragen wird, um die organische Schicht 284 auszubilden, wird der Auftragungsprozess des organischen Materials an einer Startlinie SL begonnen, welche mit einer vorgegebenen Distanz zum Damm 270 definiert ist, und der Auftragungsprozess des organischen Materials wird an einer Endlinie EL beendet, welche mit einer vorgegebenen Distanz von dem Damm 270 an einem gegenüber liegenden Ende definiert ist. Und zwar wird der Auftragungsprozess des organischen Materials in einem durch den Damm 270 umgebenen Gebiet ausgeführt.
Demgemäß kann der Abfluss des organischen Materials durch den Damm 270 ausreichend geblockt werden, sodass die organische Schicht 284 innerhalb des durch den Damm 270 umgebenen Gebiets ausgebildet ist, sogar obwohl der erste Damm 270 eine relativ kleine Dicke in dem Faltbereich FR aufweisen kann.
Zusätzlich wird die auf die ersten und zweiten anorganischen Schichten 282 und 286 während des Faltvorgangs ausgeübte Belastung vermindert, da die Dicke des ersten Damms 270a in dem Faltbereich FR reduziert ist. Infolgedessen werden die Schäden an den ersten und zweiten anorganischen Schichten 282 und 286 durch den Faltvorgang minimiert oder verhindert, sodass die Verminderung der Feuchtigkeitsbarriereeigenschaft der Kapselungsfilmschicht 280 verhindert werden kann.
Wenn die Dicke des entlang einer Richtung der Linie C-C' aus 2 angeordneten zweiten Damms 270b klein ist, kann das organische Material den Damm 270 überfließen, sodass das organische Material auf der Kante des biegsamen Substrats 210 aufgetragen werden kann. In diesem Fall kann der Pad-Bereich (nicht gezeigt) zum elektrischen Verbinden mit einer äußeren Treiberschaltung durch das organische Material bedeckt sein. Demgemäß kann es bevorzugt sein, dass die zweite Dicke t2 des zweiten Dammes 270b größer sein kann als die erste Dicke t1 des ersten Damms 270a.
7A ist eine schematische Querschnittsansicht, welche entlang der Linie D-D' aus 2 genommen ist und welche eine biegsame OLED-Vorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform veranschaulicht. 7B ist eine schematische Querschnittsansicht, welche entlang der Linie D-D' aus 2 genommen ist und welche eine biegsame OLED-Vorrichtung gemäß den zweiten und dritten Ausführungsformen veranschaulicht.
Wie in 7A gezeigt, kann der Damm 270 eine uniforme erste Dicke t1 in dem Faltbereich FR aufweisen und kann eine uniforme zweite Dicke t2, welche größer als die erste Dicke t1 ist, in dem Nichtfaltbereich aufweisen.
Alternativ kann, wie in 7B gezeigt, der Damm 270 eine unebene Oberfläche in dem Faltbereich FR aufweisen, um einen ersten Bereich mit der ersten Dicke t1 und einen zweiten Bereich mit der zweiten Dicke t2 zu enthalten. Und zwar kann der Damm 270 in dem Faltbereich FR einen konvexen Bereich und/oder einen konkaven Bereich enthalten.
In 7B hat der zweite Bereich, welcher dicker ist, dieselbe Dicke wie der Damm 270 in dem Nichtfaltbereich. Alternativ kann die Dicke des zweiten Bereichs kleiner sein als der Damm 270 in dem Nichtfaltbereich.
Und zwar ist eine mittlere Dicke (=(t1 + t2(aus 7B))/2) des ersten Damms 270a in dem Faltbereich FR in der vorliegenden Erfindung kleiner als eine mittlere Dicke des zweiten Damms 270b in dem Nichtfaltbereich, sodass die organische Schicht 284 innerhalb des durch den Damm 270 umgebenen Gebiets angeordnet ist und die Belastung auf die Kapselungsfilmschicht 280 in dem Faltbereich durch den Faltvorgang minimiert oder verhindert wird.
Demgemäß werden in der biegsamen OLED-Vorrichtung 200 in den zweiten und dritten Ausführungsformen durch Verhindern der Freilegung der Seitenoberfläche der organischen Schicht 284 und durch Minimieren der Faltbelastung auf die Kapselungsfilmschicht 280 die Schäden an der organischen emittierenden Diode D minimiert oder verhindert.
8 ist eine schematische Querschnittsansicht, welche entlang der Linie A-A' aus 2 genommen ist und welche eine biegsame OLED-Vorrichtung gemäß der vierten Ausführungsform illustriert. 9 ist eine schematische Draufsicht, welche eine Position eines Abstandhalters in einer biegsamen OLED-Vorrichtung gemäß der vierten Ausführungsform veranschaulicht.
Wie in 8 gezeigt, sind der TFT Tr, die organische emittierende Diode D und die Kapselungsfilmschicht 380 über dem biegsamen Substrat 310 geschichtet.
Zum Beispiel kann das biegsame Substrat 310 ein aus einem Polymer, insbesondere Polyimid, ausgebildetes Substrat sein. Zur Herstellung kann ein Trägersubstrat (nicht gezeigt) an eine untere Oberfläche des biegsamen Substrats 310 angebracht werden, Elemente wie der TFT Tr können auf dem biegsamen Substrat 310 ausgebildet werden, und das Trägersubstrat wird von dem biegsamen Substrat 310 entfernt. So kann das Trägersubstrat die Herstellung des TFT Tr vereinfachen.
Der TFT Tr ist auf dem biegsamen Substrat 310 ausgebildet. Obgleich nicht gezeigt, kann eine Pufferschicht auf dem biegsamen Substrat 310 ausgebildet sein und der TFT Tr kann auf der Pufferschicht ausgebildet sein.
Die Halbleiterschicht 322 ist auf dem biegsamen Substrat 310 ausgebildet. Die Halbleiterschicht 322 kann ein Oxidhalbleitermaterial oder polykristallines Silizium enthalten.
Die Gate-Isolationsschicht 324 ist auf der Halbleiterschicht 322 ausgebildet. Die Gate-Isolationsschicht 324 kann aus einem anorganischen isolierenden Material wie z. B. Siliziumoxid oder Siliziumnitrid ausgebildet sein.
Die Gate-Elektrode 330, welche aus einem leitenden Material, z. B. Metall, ausgebildet ist, ist auf der Gate-Isolationsschicht 324 über einem Mittelpunkt der Halbleiterschicht 322 ausgebildet.
Die Zwischenisolationsschicht 332, welche aus einem isolierenden Material ausgebildet ist, ist auf einer kompletten Oberfläche des biegsamen Substrats 310 mit der Gate-Elektrode 330 ausgebildet. Die Zwischenisolationsschicht 332 kann aus einem anorganischen isolierenden Material, z. B. Siliziumoxid oder Siliziumnitrid, oder aus einem organischen isolierenden Material, z. B. Benzocyclobuten oder Photoacryl, ausgebildet sein.
Die Zwischenisolationsschicht 332 enthält erste und zweite Kontaktlöcher 334 und 336, welche beide Seiten der Halbleiterschicht 322 freilegen. Die ersten und zweiten Kontaktlöcher 334 und 336 sind an beiden Seiten der Gate-Elektrode 330 angeordnet, um von der Gate-Elektrode 330 entfernt angeordnet zu sein.
Die Source-Elektrode 340 und die Drain-Elektrode 342, welche aus einem leitenden Material, z. B. Metall, ausgebildet sind, sind auf der Zwischenisolationsschicht 332 ausgebildet. Die Source-Elektrode 340 und die Drain-Elektrode 342 sind bezüglich der Gate-Elektrode 330 voneinander entfernt angeordnet und kontaktieren jeweils beide Seiten der Halbleiterschicht 322 durch die ersten und zweiten Kontaktlöcher 334 und 336.
Die Halbleiterschicht 322, die Gate-Elektrode 330, die Source-Elektrode 340 und die Drain-Elektrode 342 bilden den TFT Tr, und der TFT Tr dient als ein Treiberelement.
Obgleich nicht gezeigt, sind eine Gateleitung und eine Datenleitung auf oder über dem biegsam Substrat 310 angeordnet und kreuzen sich, um einen Pixelbereich zu definieren. Zusätzlich kann ein Schaltelement, welches elektrisch mit der Gateleitung und der Datenleitung verbunden ist, auf dem biegsamen Substrat 310 angeordnet sein. Das Schaltelement ist elektrisch mit dem TFT Tr als das Treiberelement verbunden.
Zusätzlich kann eine Versorgungsleitung, welche parallel zu der und von der Gateleitung oder der Datenleitung entfernt angeordnet ist, auf oder über dem biegsamen Substrat 310 angeordnet sein. Darüber hinaus kann ferner ein Speicherkondensator zum Aufrechterhalten einer Spannung der Gate-Elektrode 330 des TFT Tr während eines Frames auf dem biegsamen Substrat 310 ausgebildet sein.
Die Passivierungsschicht 350, welche ein Drain-Kontaktloch 352 enthält, welches die Drain-Elektrode 342 des TFT Tr freilegt, ist ausgebildet, um den TFT Tr zu bedecken.
Die erste Elektrode 360, welche mit der Drain-Elektrode 342 des TFT Tr durch das Drain-Kontaktloch 352 verbunden ist, ist einzeln in jedem Pixelbereich ausgebildet. Die erste Elektrode 360 kann eine Anode sein und kann aus einem leitenden Material mit einer relativ hohen Austrittsarbeit ausgebildet sein. Zum Beispiel kann die erste Elektrode 360 aus einem transparenten leitenden Material, wie Indiumzinnoxid (ITO) oder Indiumzinkoxid (IZO) ausgebildet sein.
Die Bankschicht 366, welche Ränder bzw. Kanten der ersten Elektrode 360 bedeckt, ist auf der Passivierungsschicht 350 ausgebildet. Ein Mittelpunkt der ersten Elektrode 360 in dem Pixelbereich ist durch eine Öffnung der Bankschicht 366 freigelegt.
Ein Abstandshalter 368 ist auf der Bankschicht 366 ausgebildet.
Wenn die organische emittierende Schicht 362 der organischen emittierenden Diode D mittels eines thermischen Gasphasenbeschichtungsprozesses unter Verwendung einer feinen Metallmaske ausgebildet wird, kann die organische emittierende Diode D im Allgemeinen durch die feine Metallmaske beschädigt werden. Zum Beispiel kontaktiert die feine Metallmaske die organische emittierende Schicht 362, sodass die organische emittierende Schicht 362 beschädigt wird. Demgemäß kann mit dem Abstandshalter 368 auf der Bankschicht 366 der Schaden der organischen emittierenden Diode D durch die feine Metallmaske verhindert werden.
Der Abstandshalter 368 kann nur auf einem Bereich der Bankschicht 366 ausgebildet sein. Und zwar weist die Bankschicht 366 mit Bezug auf 9 einen einzelnen Körper auf, um den Pixelbereich P komplett zu umgeben, während die Abstandshalter 368 einzeln auf einem Bereich der Bankschicht 366 ausgebildet sind. Mit anderen Worten sind mindestens zwei Abstandshalter 368 voneinander entfernt angeordnet, sodass die anderen Bereiche der Bankschicht 366 freigelegt sind.
Zum Beispiel können vier Abstandshalter 268, welche jeweils voneinander entfernt angeordnet sind, an vier Seiten von jedem Pixelbereich P angeordnet sein. Der Abstandshalter 368 kann aus Polymer wie z. B. Polyimid ausgebildet sein.
Die organische emittierende Schicht 362 ist auf der ersten Elektrode 360 ausgebildet. Die organische emittierende Schicht 362 kann eine Einschichtstruktur aus einer emittierenden Materialschicht aufweisen, welche aus einem emittierenden Material ausgebildet ist. Alternativ kann die organische emittierende Schicht 362 eine Mehrschichtstruktur mit einer Lochinjektionsschicht, einer Lochtransportschicht, der emittierenden Materialschicht, einer Elektrontransportschicht und einer Elektroninjektionsschicht aufweisen, welche nacheinander auf der ersten Elektrode 360 geschichtet sind.
Die zweite Elektrode 364 ist über dem flexiblen Substrat 310 mit der organischen emittierenden Schicht 362 ausgebildet. Die zweite Elektrode 364 ist auf einer kompletten Oberfläche des Anzeigegebiets AA angeordnet. Die zweite Elektrode 364 kann eine Kathode sein und kann aus einem leitenden Material mit einer relativ niedrigen Austrittsarbeit ausgebildet sein. Zum Beispiel kann die zweite Elektrode 364 aus Aluminium (Al), Magnesium (Mg) oder einer AL-Mg-Legierung ausgebildet sein.
Die erste Elektrode 360, die organische emittierende Schicht 362 und die zweite Elektrode 364 bilden die organische emittierende Diode D.
Die Kapselungsfilmschicht 380 ist auf der zweiten Elektrode 384 der organischen emittierenden Diode D ausgebildet, um Eindringen von Feuchtigkeit in die organische emittierende Diode D zu verhindern. Die Kapselungsfilmschicht 380 kann eine Dreischichtstruktur aus einer ersten anorganischen Schicht 382, einer organischen Schicht 384 und einer zweiten anorganischen Schicht 386 aufweisen. Jedoch ist dies nicht darauf beschränkt.
Zum Beispiel kann die Kapselungsfilmschicht 380 ferner eine organische Schicht auf der zweiten anorganischen Schicht 386 oder eine organische Schicht und eine anorganische Schicht, welche auf der zweiten anorganischen Schicht 386 geschichtet sind, aufweisen.
Die erste anorganische Schicht 382 kontaktiert und bedeckt die organische emittierende Diode D. Zum Beispiel kann die erste anorganische Schicht 382 aus einem von Siliziumoxid (SiOx), Siliziumnitrid (SiNx) und Siliziumoxynitrid (SiON) ausgebildet sein. Die organische Schicht 384 ist auf der ersten anorganischen Schicht 382 ausgebildet, und die Belastung auf die erste anorganische Schicht 382 wird durch die organische Schicht 384 reduziert. Zum Beispiel kann die organische Schicht 382 aus einem acrylbasierten Material oder einem epoxidbasierten Material ausgebildet sein.
Die zweite anorganische Schicht 386 ist auf der organischen Schicht 384 ausgebildet und kann aus einem von Siliziumoxid (SiOx), Siliziumnitrid (SiNx) und Siliziumoxynitrid (SiON) ausgebildet sein.
Zum Beispiel kann jede der ersten und zweiten anorganischen Schichten 382 und 386 durch einen plasmaverstärkten chemischen Gasphasenbeschichtungs(PECVD)-Prozess oder durch einen Atomlagenbeschichtungs(ALD)-Prozess ausgebildet sein, und die organische Schicht 384 kann durch einen Tintenstrahlbeschichtungsprozess, einen Schlitzbeschichtungsprozess oder einen Stangenbeschichtungsprozess ausgebildet sein.
Obgleich nicht gezeigt, kann eine Barrierenfilmschicht an die Kapselungsfilmschicht 380 angebracht sein, und eine Polarisationsplatte zum Reduzieren einer Umgebungslichtreflexion kann an der Barrierenfilmschicht angebracht sein. Zum Beispiel kann die Polarisationsplatte eine zirkulare Polarisationsplatte sein.
10 ist eine schematische Querschnittsansicht, welche entlang der Linie B-B' aus 2 genommen ist und welche eine biegsame OLED-Vorrichtung gemäß der vierten Ausführungsform veranschaulicht. 11 ist eine schematische Querschnittsansicht, welche entlang der Linie C-C' aus 2 genommen ist und welche eine biegsame OLED-Vorrichtung gemäß der vierten Ausführungsform veranschaulicht. 12 ist eine schematische Querschnittsansicht, welche entlang der Linie D-D' aus 2 genommen ist und welche eine biegsame OLED-Vorrichtung gemäß der vierten Ausführungsform veranschaulicht.
Wie in 10 und 11 gezeigt, ist die organische emittierende Diode D in dem Anzeigegebiet AA des biegsamen Substrats 310 ausgebildet, und der Damm 370, welcher das Anzeigegebiet AA umgibt, ist in dem Nicht-Anzeigegebiet NA des biegsamen Substrats 310 ausgebildet.
Zum Beispiel kann der Damm 370 aus einem anorganischen Material, z. B. Siliziumoxid oder Siliziumnitrid oder aus einem organischen Material, z. B. Polyimid, ausgebildet sein.
Der Damm 370 ist angeordnet, um von der organischen emittierenden Diode D entfernt angeordnet zu sein. Der Damm 370 enthält einen ersten Damm 370a aus einer Einschichtstruktur in dem Faltbereich FR und einen zweiten Damm 370b aus einer Zweischichtstruktur in dem Nichtfaltbereich, d. h. der andere Bereich außer dem Faltbereich FR. Der zweite Damm 370b kann eine untere Schicht 372 und eine obere Schicht 374 enthalten. Und zwar hat der erste Damm 370 eine erste Dicke t1 und der zweite Damm 370b hat eine zweite Dicke t2, welche größer ist als die erste Dicke t1. Die untere Schicht 372 des zweiten Damms 370b kann im Wesentlichen dieselbe Dicke wie der erste Damm 370 aufweisen.
Der erste Damm 370a und die untere Schicht 372 des zweiten Damms 370b können auf derselben Schicht ausgebildet sein und können aus demselben Material wie die Bankschicht 366 (aus 8) ausgebildet sein, und die obere Schicht 374 des zweiten Damms 370b kann auf derselben Schicht angeordnet sein und kann aus demselben Material wie der Abstandshalter 368 (aus 8) ausgebildet sein.
In 12 weist der erste Damm 370a in dem Faltbereich FR die Einschichtstruktur auf. Alternativ können Dammstrukturen (nicht gezeigt), welche voneinander entfernt angeordnet sind, auf dem ersten Damm 370a ausgebildet sein. Die Dammstrukturen können eine Punktform aufweisen und können auf derselben Schicht wie die obere Schicht 374 des zweiten Damms 370b angeordnet sein.
Zusätzlich ist die Kapselungsfilmschicht 380 ausgebildet, um die organische emittierende Diode D und den Damm 370 zu bedecken.
Wie oben erwähnt, kann die Kapselungsfilmschicht 380 eine Dreischichtstruktur aus einer ersten anorganischen Schicht 382, einer organischen Schicht 384 und einer zweiten anorganischen Schicht 386 aufweisen.
Da der erste Damm 370a in dem Faltbereich FR eine Einlagenstruktur aufweist, kontaktiert die erste anorganische Schicht 382 in dem Faltbereich FR eine obere Oberfläche des ersten Damms 370a, welche auf derselben Schicht wie die Bankschicht 366 angeordnet ist, in dem Faltbereich FR. Andererseits kontaktiert die erste anorganische Schicht 382 in dem Nichtfaltbereich eine obere Oberfläche der oberen Schicht 374 des zweiten Damms 370a, welche auf derselben Schicht wie der Abstandshalter 368 angeordnet ist.
In diesem Fall bedecken die ersten und zweiten anorganischen Schichten 382 und 386 die organische emittierende Diode D und den Damm 370 und die organische Schicht 384 ist innerhalb eines durch den Damm 370 umgebenen Gebiets angeordnet. Und zwar bedeckt und überlappt die organische Schicht 384 die organische emittierende Diode D und bedeckt und überlappt nicht den Damm 370. Mit anderen Worten weist die organische Schicht 384 eine Breite und/oder eine Fläche auf, welche kleiner ist als jede der ersten und zweiten anorganischen Schichten 382 und 386.
Wie oben erwähnt, ist Abfluss des organischen Materials, welches durch einen Ablagerungsprozess abgelagert ist, ausreichend durch den Damm 370 geblockt, sodass die organische Schicht 382 innerhalb des Damms 370 ausgebildet ist. Demgemäß ist die Seitenoberfläche der organischen Schicht 382 nicht freigelegt.
Zusätzlich kann die auf die ersten und zweiten anorganischen Schichten 382 und 386 während des Faltvorgangs ausgeübte Belastung vermindert werden, da eine Dicke des ersten Damms 370a in dem Faltbereich FR reduziert ist. Demgemäß können die Schäden an den ersten und zweiten anorganischen Schichten 382 und 386 durch den Faltvorgang minimiert oder verhindert werden, sodass die Verminderung der Feuchtigkeitsbarriereeigenschaft der Kapselungsfilmschicht verhindert werden kann.
Und zwar ist in der vorliegenden Erfindung die mittlere Dicke des ersten Damms 370a in dem Faltbereich FR kleiner als die mittlere Dicke des zweiten Damms 370b in dem Nichtfaltbereich und die organische Schicht 384 ist innerhalb des durch den Damm 370 umgebenden Gebiets angeordnet, sodass die Belastung auf die Kapselungsfilmschicht 380 in dem Faltbereich FR durch den Faltvorgang minimiert oder verhindert werden kann.
Demgemäß wird die Freilegung der Seitenoberfläche der organischen Schicht 384 in der biegsamen OLED-Vorrichtung 300 gemäß der vierten Ausführungsform verhindert und die Faltbelastung wird minimiert oder verhindert, sodass der Schaden an der organischen emittierenden Diode D verhindert wird.
13 ist eine schematische Draufsicht, welche eine biegsame OLED-Vorrichtung gemäß der fünften Ausführungsform veranschaulicht, und 14 ist eine schematische Querschnittsansicht, welche entlang der Linie D-D' aus 13 genommen ist.
Wie in 13 und 14 gezeigt, kann die OLED-Vorrichtung 400 faltbar, biegsam oder rollbar sein. Und zwar ist die OLED-Vorrichtung 400 eine biegsame Anzeigevorrichtung. Zum Beispiel ist der Faltbereich FR entlang einer Nebenachse der biegsamen OLED-Vorrichtung 400 definiert. Alternativ kann der Faltbereich entlang einer Hauptachse der biegsamen OLED-Vorrichtung 400 definiert sein.
Wenn der Faltbereich entlang der Nebenachse, wie in 13 gezeigt, definiert ist, kann ein Pad-Bereich (nicht gezeigt) an zumindest einem Ende der Hauptachse definiert sein.
In der biegsamen OLED-Vorrichtung 400 sind eine Mehrzahl von Pixelbereichen P in einem Anzeigegebiet AA auf dem biegsam Substrat 400 definiert, und eine organische emittierende Diode (nicht gezeigt) ist in jedem Pixelbereich P ausgebildet.
Wie anhand von 3 erklärt, ist der TFT Tr mit der Halbleiterschicht 122, der Gate-Elektrode 130, der Source-Elektrode 140 und der Drain-Elektrode 142 auf dem biegsamen Substrat 110 ausgebildet, und die organische emittierende Diode D enthält die erste Elektrode 160, welche mit der Drain-Elektrode 142 des TFT Tr verbunden ist, die zweite Elektrode 164, welche der ersten Elektrode 160 gegenüber liegt, und die organische emittierende Schicht 162 dazwischen.
Zusätzlich ist die Bankschicht 166, welche die Kante bzw. den Rand der ersten Elektrode 160 bedeckt, an einer Grenze des Pixelbereichs P ausgebildet. Der Abstandshalter 368 (aus 8) kann ferner auf der Bankschicht 166 ausgebildet sein.
Der Damm 470, welcher das Anzeigegebiet AA bedeckt, wo die organische emittierende Diode D ausgebildet ist, ist in dem Nicht-Anzeigegebiet NA in einem Umfangsbereich des Anzeigegebiets AA ausgebildet.
Der Damm 470 ist teilweise in dem Faltbereich FR entfernt, sodass zumindest eine Dammstruktur 476, welche eine Punktform aufweist und welche von dem Damm 470 in dem Nichtfaltbereich entfernt angeordnet ist, ausgebildet ist. Und zwar ist der Damm 470 nicht kontinuierlich.
14 zeigt, dass sowohl der Damm 470 als auch die Dammstruktur 476 eine Einschichtstruktur aufweisen. Alternativ können sowohl der Damm 470 als auch die Dammstruktur 476 eine Zweischichtstruktur aufweisen, welche gleichartig zu dem zweiten Damm 370b (aus 12) ist. Andererseits kann der Damm 470 eine Doppelschichtstruktur aufweisen, während die Dammstruktur 476 eine Einschichtstruktur aufweist.
Die Kapselungsfilmschicht 380 (aus 12) ist ausgebildet, um die organische emittierende Diode D und den Damm 470 zu bedecken. Die Kapselungsfilmschicht 380 kann eine Dreischichtstruktur aus einer ersten anorganischen Schicht 482, einer organischen Schicht 384 (aus 10) und einer zweiten anorganischen Schicht 486 aufweisen.
Die ersten und zweiten anorganischen Schichten 482 und 486 bedecken die organische emittierende Diode D und den Damm 470, und die organische Schicht 384 ist innerhalb eines durch den Damm 470 umgebenen Gebiets angeordnet. Und zwar bedeckt und überlappt die organische Schicht 384 die organische emittierende Diode D und bedeckt und überlappt nicht den Damm 470. Mit anderen Worten weist die organische Schicht 384 eine Breite und/oder eine Fläche auf, welche kleiner als jede der ersten und zweiten anorganischen Schichten 482 und 486 ist.
Wie oben angesprochen, kann Abfluss des organischen Materials, welches durch einen Ablagerungsprozess abgelagert wird, ausreichend durch den Damm 470 geblockt werden, sodass die organische Schicht 382 innerhalb des Damms 470 ausgebildet wird. Demgemäß kann die Seitenoberfläche der organischen Schicht 382 nicht freigelegt sein.
In der biegsamen OLED-Vorrichtung 400 gemäß der fünften Ausführungsform ist eine mittlere Dicke des Damms 470 in dem Faltbereich FR reduziert, da die Dammstrukturen 476 angeordnet sind, um voneinander entfernt angeordnet zu sein.
Und zwar ist die Dicke des Damms 470 in dem Faltbereich FR reduziert, sodass die auf die ersten und zweiten anorganischen Schichten 482 und 486 durch den Faltvorgang ausgeübte Belastung vermindert ist. Demgemäß können die Schäden an den ersten und zweiten anorganischen Schichten 482 und 486 durch den Faltvorgang minimiert oder verhindert werden, sodass die Verminderung der Feuchtigkeitsbarriereeigenschaft der Kapselungsfilmschicht 380 verhindert werden kann.
Mit anderen Worten ist in der vorliegenden Erfindung die mittlere Dicke des Damms 470 in dem Faltbereich FR kleiner als die mittlere Dicke des Damms 470 in dem Nichtfaltbereich und die organische Schicht 384 ist innerhalb des durch den Damm 470 umgebenen Gebiets angeordnet, sodass die durch den Faltvorgang auf die Kapselungsfilmschicht 380 in dem Faltbereich FR ausgeübte Belastung minimiert oder verhindert wird.
Demgemäß wird in der biegsamen OLED-Vorrichtung 400 gemäß der fünften Ausführungsform die Freilegung der Seitenoberfläche der organischen Schicht 384 verhindert und die Faltbelastung wird minimiert oder verhindert, sodass der Schaden an der organischen emittierenden Diode D verhindert wird.
15 ist eine schematische Draufsicht, welche eine biegsame OLED-Vorrichtung gemäß der sechsten Ausführungsform veranschaulicht.
Wie in 15 gezeigt, kann die OLED-Vorrichtung 500 faltbar, biegsam oder rollbar sein. Und zwar ist die OLED-Vorrichtung 500 eine biegsame Anzeigevorrichtung. Zum Beispiel ist der Faltbereich FR entlang einer Nebenachse der biegsamen OLED-Vorrichtung 500 definiert. Alternativ kann der Faltbereich FR entlang einer Hauptachse der biegsamen OLED-Vorrichtung 500 definiert sein.
Wenn der Faltbereich entlang der Nebenachse, wie in 15 gezeigt, definiert ist, kann ein Pad-Bereich (nicht gezeigt) an zumindest einem Ende der Hauptachse definiert sein.
In der biegsamen OLED-Vorrichtung 500 sind eine Mehrzahl von Pixelbereichen P in einem Anzeigebereich AA auf dem biegsamen Substrat 500 definiert, und eine organische emittierende Diode (nicht gezeigt) ist in jedem Pixelbereich P definiert.
Wie anhand von 3 erklärt, ist der TFT Tr mit der Halbleiterschicht 122, der Gate-Elektrode 130, der Source-Elektrode 140 und der Drain-Elektrode 142 auf dem biegsamen Substrat 110 ausgebildet, und die organische emittierende Diode D enthält die erste Elektrode 160, welche mit der Drain-Elektrode 142 des TFT Tr verbunden ist, die zweite Elektrode 164, welche der ersten Elektrode 160 gegenüber liegt, und die organische emittierende Schicht 162 dazwischen.
Zusätzlich ist die Bankschicht, welche den Rand der ersten Elektrode 160 bedeckt, an einem Grenzbereich des Pixelbereichs P ausgebildet. Der Abstandshalter 368 (aus 8) kann ferner auf der Bankschicht 166 ausgebildet sein.
Der Damm 570, welcher das Anzeigegebiet AA bedeckt, wo die organische emittierende Diode D ausgebildet ist, ist in dem Nicht-Anzeigegebiet NA in einem Umfangsbereich des Anzeigegebiets AA ausgebildet.
Der Damm 570 ist teilweise in dem Faltbereich FR entfernt, sodass erste und zweite Dammstrukturen 576a und 576b, welche jede eine Punktform aufweisen und von dem Damm 570 in dem Nichtfaltbereich entfernt angeordnet sind, ausgebildet sind. Die ersten und zweiten Dämme 576a und 576b sind voneinander entfernt angeordnet und in einer Zickzack-Form angeordnet.
Sowohl der Damm 570 als auch die erste Dammstruktur 576a und die zweite Dammstruktur 576b weisen eine Einschichtstruktur oder eine Doppelschichtstruktur auf. Alternativ kann der Damm 570 eine Doppelschichtstruktur aufweisen, während die ersten und zweiten Dammstrukturen 576a und 576b eine Einschichtstruktur aufweisen.
Die Kapselungsfilmschicht 380 (aus 12) ist ausgebildet, um die organische emittierende Diode D, den Damm 570 und die Dammstrukturen 576 zu bedecken. Die Kapselungsfilmschicht 380 kann eine Dreischichtstruktur aus einer ersten anorganischen Schicht 382 (aus 10), einer organischen Schicht 384 (aus 10) und einer zweiten anorganischen Schicht 386 (aus 10) aufweisen.
Die ersten und zweiten anorganischen Schichten 382 und 386 bedecken die organische emittierende Diode D, den Damm 570 und die Dammstruktur 576, und die organische Schicht 384 ist innerhalb eines durch den Damm 570 und die Dammstruktur 576 umgebenen Gebiets angeordnet. Und zwar bedeckt und überlappt die organische Schicht 384 die organische emittierende Diode D und bedeckt und überlappt nicht den Damm 570 und die Dammstruktur 576.
Wie oben erwähnt, kann Abfluss des organischen Materials, welches durch einen Ablagerungsprozess abgelagert wird, durch den Damm 570 und die Dammstruktur 576 ausreichend blockiert werden, sodass die organische Schicht 382 innerhalb des Damms 570 und der Dammstruktur 576 ausgebildet wird. Demgemäß wird die Seitenoberfläche der organischen Schicht 382 nicht freigelegt.
In der biegsamen OLED-Vorrichtung 500 gemäß der sechsten Ausführungsform ist eine mittlere Dicke des Damms 570, d. h. die Dammstruktur 576, in dem Faltbereich FR reduziert, da die Dammstruktur 576 mit den ersten und zweiten Dammstrukturen 576a und 576b angeordnet sind, um voneinander entfernt und in der Zickzack-Form angeordnet zu sein.
Und zwar ist die Dicke des Damms 570 in dem Faltbereich FR reduziert, sodass die auf die ersten und zweiten anorganischen Schichten 382 und 386 durch den Faltvorgang ausgeübte Belastung vermindert ist. Demgemäß werden die Schäden an den ersten und zweiten anorganischen Schichten 382 und 386 durch den Faltvorgang minimiert oder verhindert, sodass die Verminderung der Feuchtigkeitsbarriereeigenschaft der Kapselungsfilmschicht 380 verhindert wird.
Mit anderen Worten ist in der vorliegenden Erfindung die mittlere Dicke des Damms 570 in dem Faltbereich FR kleiner als die mittlere Dicke des Damms 570 in dem Nichtfaltbereich und die organische Schicht 384 ist innerhalb des durch den Damm 570 umgebenen Gebiets angeordnet, sodass die auf die Kapselungsfilmschicht 380 in dem Faltbereich FR durch den Faltvorgang ausgeübte Belastung minimiert oder verhindert werden kann.
Demgemäß kann in der biegsamen OLED-Vorrichtung 500 gemäß der sechsten Ausführungsform die Freilegung der Seitenoberfläche der organischen Schicht 384 verhindert werden und die Faltbelastung wird minimiert oder verhindert, sodass der Schaden an der organischen emittierenden Diode D verhindert werden kann.

Claims

Biegsame O8ED-Vorrichtung (200) umfassend: ein biegsames Substrat (210) mit einem Anzeigegebiet (AA), einem Nicht-Anzeigegebiet (NA) in einem Umfangsbereich des Anzeigegebiets (AA) und einem Faltbereich (FR); mindestens eine organische emittierende Diode (D) auf dem biegsamen Substrat in dem Anzeigegebiet (AA); eine Kapselungsfilmschicht (280), welche die organische emittierende Diode (D) bedeckt, einen Damm (270) auf dem biegsamen Substrat (210), wobei der Damm das Anzeigegebiet (AA) lateral umgibt und folgendes umfasst: einen ersten Damm (270a) in dem Faltbereich (FR) und einen zweiten Damm (270b) außerhalb des Faltbereichs (FR), wobei die mittlere Dicke des ersten Damms (270a) kleiner ist als die mittlere Dicke des zweiten Damms (270b).
Biegsame OLED-Vorrichtung (200) gemäß Anspruch 1, wobei die Kapselungsfilmschicht (280) folgendes umfasst: eine erste anorganische Schicht (282), eine organische Schicht (284) auf der ersten anorganischen Schicht (282), eine zweite anorganische Schicht (286) auf der organischen Schicht (284), wobei der Damm die organische Schicht (284) lateral umgibt, und wobei die erste anorganische Schicht (282) und die zweite anorganische Schicht (286) den Damm bedecken (270).
Biegsame OLED-Vorrichtung (200) gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei der erste Damm (270a) und/oder der zweite Damm (270b) eine konstante Dicke aufweisen.
Biegsame OLED-Vorrichtung (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der erste Damm (270a) einen ersten Bereich mit einer ersten Dicke (t1) und einen zweiten Bereich mit einer zweiten Dicke (t2) umfasst, wobei die erste Dicke (t1) kleiner ist als die zweite Dicke (t2).
Biegsame OLED-Vorrichtung (200) gemäß Anspruch 4, wobei der erste Damm (270a) einen konvexen Bereich und/oder einen konkaven Bereich umfasst.
Biegsame OLED-Vorrichtung (200) gemäß Anspruch 4 oder 5, wobei der zweite Bereich des ersten Damms (270a) dieselbe Dicke wie der zweite Damm (270b) aufweist.
Biegsame OLED-Vorrichtung (200) gemäß Anspruch 4 oder 5, wobei der zweite Bereich des ersten Damms (270a) eine kleinere Dicke als der zweite Damm (270b) aufweist.
Biegsame OLED-Vorrichtung (300) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei der erste Damm (370a) eine einzige Schicht enthält, wobei der zweite Damm (370b) eine untere Schicht (372) und eine obere Schicht (374) enthält.
Biegsame OLED-Vorrichtung (300) gemäß Anspruch 8, wobei die untere Schicht (372) des zweiten Damms (370b) und der erste Damm (370a) eine kontinuierliche Schicht sind.
Biegsame OLED-Vorrichtung (300) gemäß einem der Ansprüche 8 oder 9, ferner umfassend: eine Bankschicht (366), welche jeden einer Mehrzahl von in dem Anzeigebiet (AA) definierten Pixelbereichen umgibt, und mindestens einen Abstandshalter (368) auf der Bankschicht (366), wobei der erste Damm (370a) auf derselben Schicht wie die Bankschicht angeordnet ist, wobei die untere Schicht des zweiten Damms (370b) auf derselben Schicht wie die Bankschicht angeordnet ist, und wobei die obere Schicht des zweiten Damms (370b) auf derselben Schicht wie der Abstandshalter angeordnet ist.
Biegsame OLED-Vorrichtung (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei der erste Damm (270a) das biegsame Substrat (210) kontinuierlich bedeckt.
Biegsame OLED-Vorrichtung (400) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei der erste Damm (470) teilweise entfernt ist und Dammstrukturen (476) umfasst, welche geeignet sind, um einen Abfluss von organischem Material aus dem Anzeigegebiet (AA) zu blockieren.
Biegsame OLED-Vorrichtung (500) gemäß Anspruch 12, wobei die Dammstrukturen (576) erste Dammstrukturen (576a) und zweite Dammstrukturen (576b) umfassen, welche voneinander beanstandet und in einer Zickzack-Form angeordnet sind.
Verfahren zum Herstellen einer biegsamen OLED-Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: Bereitstellen eines biegsamen Substrats (210) mit einem Anzeigebereich (AA), einem Nicht-Anzeigegebiet (NA) in einem Umfangsbereich des Anzeigegebiets (AA) und einem Faltbereich (FR), Bilden eines Damms (270) auf dem biegsamen Substrat (210), welcher das Anzeigegebiet (AA) umgibt, wobei der Damm (270) einen ersten Damm (270a) in dem Faltbereich (FR) und einen zweiten Damm (270b) außerhalb des Faltbereichs (FR) umfasst, wobei die mittlere Dicke des ersten Damms (270a) kleiner ist als die mittlere Dicke des zweiten Damms (270b), Bilden einer emittierenden Diode (D) innerhalb des Anzeigebereichs (AA), Bedecken des Anzeigegebiets (AA) und des Nicht-Anzeigegebiets (NA) mit einer ersten anorganischen Schicht (282), und Bedecken des Anzeigegebiets mit einer organischen Schicht (284).