CN107464889A - 有机发光二极管的封装结构及其制备方法 - Google Patents

有机发光二极管的封装结构及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种有机发光二极管的封装结构及其制备方法，该有机发光二极管的封装结构包括：基板；有机发光二极管，设置在基板上，包括有效显示区域和非有效显示区域；封装外围区，设置在基板上，封装覆盖有机发光二极管之外的部分；封装区，设置在有机发光二极管上，封装有机发光二极管的有效显示区域；封装过渡区，设置在封装外围区与封装区之间，封装有机发光二极管的非有效区域；封装区、封装过渡区、封装外围区的薄膜厚度依次梯度降低。本发明通过使得封装外围区、封装过渡区、封装区的封装层的厚度不同，可以减少封装过渡区的应力集中，减少封装薄膜边缘结构的断裂风险，提高有机发光二极管的封装信赖性。

Description

有机发光二极管的封装结构及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光二极管的封装结构及其制备方法。
背景技术
随着科技的发展，显示技术领域日新月异，显示技术种类也越来越多，例如包括传统的液晶显示技术，有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)，电泳显示技术等。其中柔性有机发光二极管(Flexible Organic Light-Emitting Diode，FOLED)显示技术相比其他的柔性显示器具有更多优点，如自发光显示，响应速度快，亮度高，视角宽等。FOLED是基于有机材料为基础的显示器，没有液体填充，可以被卷曲，折叠，甚至穿戴等，是一种很好的便携式产品。
然而对于OLED器件来说，对水氧敏感度极高，微量的水氧会使得器件效能降低直至失效，因此OLED封装对于OLED器件至关重要。由于无机薄膜隔阻水氧的效果更好，因此传统的OLED封装主要为无机薄膜封装结合有机封装，但无机封装薄膜比较硬，在使用过程中，特别是柔性器件弯曲过程中，由于应力的问题，边缘容易发生破裂导致封装失效。
发明内容
鉴于现有技术中的上述问题，本发明的目的在于提供一种有机发光二极管的封装结构及其制备方法。
本发明提供一种有机发光二极管的封装结构，包括：基板；有机发光二极管，设置在所述基板上，包括有效显示区域和所述有效显示区域外围的非有效显示区域；封装外围区，设置在所述基板上，封装所述有机发光二极管之外的部分；封装区，设置在所述有机发光二极管上，封装所述有机发光二极管的有效显示区域；封装过渡区，设置在所述封装外围区与所述封装区之间，封装所述有机发光二极管的非有效区域；所述封装外围区、封装区、封装过渡区分别包括封装层，所述封装过渡区的封装层的厚度大于所述封装外围区的封装层的厚度。
其中，所述封装区的封装层厚度大于所述封装过渡区的封装层的厚度。
其中，所述封装外围区包括第一封装层；所述封装过渡区包括第一封装层和设置在所述第一封装层之上的第二封装层；所述封装区包括第一封装层、设置在所述第一封装层之上的第二封装层和设置在所述第二封层之上的第三封装层。
其中，所述第一封装层的厚度是所述第二封装层的厚度的5倍至10倍，所述第二封装层的厚度是所述第三封装层的厚度的1倍至3倍。
其中，所述第一封装层、第二封装层和第三封装层的材料选自氮化硅、氧化铝、氮氧化硅中的任意一种或其组合。
其中，所述第一封装层、第二封装层和第三封装层的材料相同。
本发明还提供一种有机发光二极管封装结构的制备方法，所述发光二极管封装结构包括：基板；设置在所述基板上的有机发光二极管，所述有机发光二极管包括有效显示区域和包围所述有效显示区域的非有效显示区域；封装外围区，设置在基板上，封装所述有机发光二极管之外的部分；封装区，设置在所述有机发光二极管上，封装所述有机发光二极管的有效显示区域；封装过渡区，设置在所述封装外围区与所述封装区之间，封装所述有机发光二极管的非有效区域；该方法包括：在所述封装区、封装过渡区和封装外围区中形成第一封装层；在所述封装区和封装过渡区中形成第二封装层；在所述封装区中形成第三封装层。
其中，在所述封装区和封装过渡区中形成第二封装层包括以掩模板覆盖所述封装外围区，通过沉积，在所述封装区和封装过渡区中形成第二封装层。
其中，在所述封装区中形成第三封装层包括以掩模板覆盖所述封装过渡区和封装外围区，通过沉积，在所述封装区中形成第三封装层。
其中，所述第一封装层的厚度是所述第二封装层的厚度的5倍至10倍，所述第二封装层的厚度是所述第三封装层的厚度的1倍至3倍。
本发明通过使得封装外围区、封装过渡区、封装区的封装层的厚度不同，可以减少封装过渡区的应力集中，减少封装薄膜边缘的断裂风险，提高有机发光二极管的封装信赖性。
附图说明
图1为现有技术的有机发光二极管封装结构的结构示意图。
图2为根据本发明实施例的有机发光二极管封装结构的结构示意图。
图3为根据本发明实施例的另一种有机发光二极管封装结构的结构示意图。
图4为根据本发明实施例的有机发光二极管封装结构的制备方法的工艺流程图。
图5至图7为根据本发明实施例的有机发光二极管封装结构制备方法的各步骤示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
现有技术中，在有机发光二极管的封装过程中，采用的方法是在基板上设置有机发光二极管器件之后，将基板置于沉积室中沉积，在基板和有机发光二极管上沉积一层无机薄膜，该无机薄膜覆盖该有机发光二极管，形成有机发光二极管的封装结构。这样得到的目前传统的封装结构如图1所示。在图1中，该封装结构包括基板1，在基板1上的有机发光二极管2和覆盖有机发光二极管2的无机薄膜3。在该封装结构中，覆盖发光二极管各部分的无机薄膜厚度3的相同。由于有机发光二极管器件具有一定的厚度，这样造成的结果是，在有机发光二极管的边缘部分所在的区域也就是封装过渡区(如图1中4所示)的应力容易集中，会发生断裂，影响有机发光二极管封装结构的良率。
为解决该问题，本公开提供如下的有机发光二极管的封装结构及其制备方法。
实施例一
本实施提供一种有机发光二极管的封装结构，图2示出了根据本发明实施例的有机发光二极管封装结构的结构示意图。
如图2所示，该有机发光二极管的封装结构包括基板110，设置在基板110上的有机发光二极管112，该有机发光二极管包括有效显示区域和在有效显示区域外围的非有效显示区域，以及设置在基板110和有机发光二极管112上的第一封装层113，设置在第一封装层113上的第二封装层114。
有机发光二极管的封装结构包括三个区域：封装外围区101，封装外围区101，设置在所述基板110上，封装所述有机发光二极管112之外的部分；封装区，设置在所述有机发光二极管112上，封装所述有机发光二极管的有效显示区域；封装过渡区102，设置在所述封装外围区与所述封装区之间，封装所述有机发光二极管2的非有效显示区域，也就是有机发光二极管2的边缘地区。
所述封装外围区101、封装区103、封装过渡区102分别包括封装层，在图2中，封装外围区包括第一封装层3，封装过渡区和封装区包括第一封装层113和第二封装层114，第一封装层113的厚度为d1，第二封装层114的厚度为d2。
因此封装外围区101的封装层的厚度为d1，封装过渡区102的封装层的厚度为d1+d2，封装过渡区102的封装层的厚度大于所述封装外围区101的封装层的厚度。
以这种在封装过渡区102的封装层上再增加一层封装层的方式，使得封装过渡区和封装外围区的封装层的厚度不同，可以减少封装过渡区的应力集中，减少封装结构的断裂风险。在本实施例中，是采用在封装过渡区的封装层上再增加封装层的方式增大封装过渡区的厚度，也可以采用其他方式，使得封装过渡区的封装层的厚度大于封装外围区的厚度即可。
图3为根据本发明实施例的另一种有机发光二极管封装结构的结构示意图。在另一种实施方式中，如图3所示，该有机发光二极管封装结构还包括在第二封装层114上的第三封装层115。
这样，封装外围区包括第一封装层113，封装过渡区和包括第一封装层113和第二封装层114，封装区包括第一封装层113、第二封装层114和第三封装层115。封装区第一封装层113的厚度为d1，第二封装层114的厚度为d2，第三封装115的厚度为d3。
因此封装外围区101的封装层的厚度为d1，封装过渡区102的封装层的厚度为d1+d2，封装区103的封装层的厚度为d1+d2+d3。这样，不仅封装过渡区102的封装层的厚度大于所述封装外围区101的封装层的厚度，而且封装区103的封装层的厚度也大于封装过渡区102的封装层的厚度。
以这种在封装过渡区的封装层上再增加一层封装层，而且在封装区的封装层上再增加一层封装层的方式，除了能够使得封装过渡区和封装外围区的封装层的厚度不同，可以减少封装过渡区的应力集中，减少封装结构的断裂风险之外，还能够进一步提高封装区的封装效果，由于封装区封装的有机发光二极管的有效显示区域，也就是有机发光二极管的重点区域，对其进行更好的封装，有利于提高发光二极管的封装信赖性。
在本实施例中，第一封装层113的厚度是第二封装层114的厚度的5倍至10倍，第二封装层114的厚度是第三封装层115的厚度的1倍至3倍。例如第一封装层113的厚度是1μm，第二封装层114的厚度可以是0.1μm，第三封装层115的厚度可以是0.1μm。
第一封装层113、第二封装层114和第三封装层115的材料选自氮化硅、氧化铝、氮氧化硅中的任意一种或其组合。所述第一封装层、第二封装层和第三封装层的材料可以相同，也可以不相同。为了减少各膜层之间的热膨胀性能的不同对封装结构带来的影响，优选第一封装层、第二封装层和第三封装层的材料相同。
在本实施例中使得封装外围区、封装过渡区、封装区的封装层的厚度不同，可以减少封装过渡区的应力集中，减少封装结构的断裂风险，同时还能增强封装区的封装效果，提高有机发光二极管的封装信赖性。
在本实施例中，封装外围区覆盖基板上有机发光二极管之外的部分，在实际的工艺中还需要覆盖有机发光二极管的金属阴极(在图2和图3中未示出)，封装区需要覆盖包括有机发光二极管的Dummy区(虚拟测试区)的有效显示区域，封装过渡区为封装外围区和封装区之间的过渡区域，需要封装覆盖所述有机发光二极管的非有效区域；本发明采用这三个区域不同的封装厚度来实现提高有机发光二极管的封装信赖性的目的。
实施例二
本实施提供一种有机发光二极管的封装结构的制备方法，图4示出了根据本发明实施例的有机发光二极管的封装结构的制备方法的工艺流程图。
根据本实施例发光二极管封装结构包括：基板；设置在所述基板上的有机发光二极管，所述有机发光二极管包括有效显示区域和包围所述有效显示区域的非有效显示区域；封装外围区，设置在基板上，封装所述有机发光二极管之外的部分；封装区，设置在所述有机发光二极管上，封装所述有机发光二极管的有效显示区域；封装过渡区，设置在所述封装外围区与所述封装区之间，封装所述有机发光二极管的非有效区域。
如图4所示，制备该发光二极管的封装结构的方法包括以下步骤。
首先，在步骤S401中，提供基板；
接着，在步骤S402中，在基板上设置有机发光二极管；
然后，在步骤S403中，在封装区、封装过渡区和封装外围区中形成第一封装层。在该步骤中，形成第一封装层的具体做法是：如图5所示，以掩模501覆盖基板110上无须沉积无机薄膜的部分110-1，将基板置于CVD(化学气相沉积)或者ALD(原子层沉积)腔室中，在掩模501的开口502暴露的封装外围区101、封装过渡区102和封装区103中(图中未示出发光二极管)沉积厚度为d1的无机薄膜，该无机薄膜是SiNx、Al2O3和氮氧化硅中的任意一种或其组合；该无机薄膜形成在所述封装区、封装过渡区和封装外围区中。
在步骤S404中，在所述封装区和封装过渡区中形成第二封装层，在该步骤中，形成第二封装层的具体做法是：如图6所示，以掩模601覆盖基板110上无须沉积无机薄膜的部分110-1和封装外围区101，将基板置于CVD(化学气相沉积)或者ALD(原子层沉积)腔室中，掩模601的开口602相比图5中掩模501的开口502的面积小，在掩模601的开口602暴露的封装过渡区102和封装区103中(图中未示出发光二极管)沉积厚度为d2的无机薄膜，该无机薄膜是SiNx、Al2O3和氮氧化硅中的任意一种或其组合；该无机薄膜形成在封装过渡区和封装外围区中。
在步骤S405中，在所述封装区中形成第三封装层。在该步骤中，形成第三封装层的具体做法是：如图:7所示，以掩模701覆盖基板110上无须沉积无机薄膜的部分110-1、封装外围区101和封装过渡区102，将基板置于CVD(化学气相沉积)或者ALD(原子层沉积)腔室中，掩模701的开口702相比图6中掩模601的开口602的面积小，在掩模701的开口702暴露的封装区103中(图中未示出发光二极管)沉积厚度为d3的无机薄膜，该无机薄膜是SiNx、Al2O3和氮氧化硅中的任意一种或其组合；该无机薄膜形成在封装区中。
第一封装层的厚度是所述第二封装层的厚度的5倍至10倍，所述第二封装层的厚度是所述第三封装层的厚度的1倍至3倍。
在本实施例中，封装外围区覆盖基板上有机发光二极管之外的部分，在实际的工艺中还需要覆盖有机发光二极管的金属阴极(在图2和图3中未示出)，封装区需要覆盖包括有机发光二极管的Dummy区的有效显示区域，封装过渡区为封装外围区和封装区之间的过渡区域，需要封装覆盖所述有机发光二极管的非有效区域；本发明采用这三个区域不同的封装厚度来实现提高有机发光二极管的封装信赖性的目的。
在本实施例中通过掩模板覆盖不同区域，使得在封装外围区、封装过渡区、封装区沉积的封装层的厚度不同，可以减少封装过渡区的应力集中，减少封装结构的断裂风险，同时还能增强对封装区的封装效果，提高有机发光二极管的封装信赖性。
本领域技术人员应当理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求决定。

Claims (10)

1.一种有机发光二极管的封装结构，包括：
基板；
有机发光二极管，设置在所述基板上，包括有效显示区域和所述有效显示区域外围的非有效显示区域；
封装外围区，设置在所述基板上，封装所述有机发光二极管之外的部分；
封装区，设置在所述有机发光二极管上，封装所述有机发光二极管的有效显示区域；
封装过渡区，设置在所述封装外围区与所述封装区之间，封装所述有机发光二极管的非有效区域；
所述封装外围区、封装区、封装过渡区分别包括封装层，所述封装过渡区的封装层的厚度大于所述封装外围区的封装层的厚度。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管的封装结构，其中所述封装区的封装层厚度大于所述封装过渡区的封装层的厚度。
3.如权利要求1或2所述的有机发光二极管的封装结构，其中所述封装外围区包括第一封装层；所述封装过渡区包括第一封装层和设置在所述第一封装层之上的第二封装层；所述封装区包括第一封装层、设置在所述第一封装层之上的第二封装层和设置在所述第二封层之上的第三封装层。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管的封装结构，其中所述第一封装层的厚度是所述第二封装层的厚度的5倍至10倍，所述第二封装层的厚度是所述第三封装层的厚度的1倍至3倍。
5.如权利要求3所述的有机发光二极管的封装结构，其中所述第一封装层、第二封装层和第三封装层的材料选自氮化硅、氧化铝、氮氧化硅中的任意一种或其组合。
6.如权利要求3所述的有机发光二极管的封装结构，其中所述第一封装层、第二封装层和第三封装层的材料相同。
7.一种有机发光二极管封装结构的制备方法，所述发光二极管封装结构包括：基板；设置在所述基板上的有机发光二极管，所述有机发光二极管包括有效显示区域和包围所述有效显示区域的非有效显示区域；封装外围区，设置在基板上，封装所述有机发光二极管之外的部分；封装区，设置在所述有机发光二极管上，封装所述有机发光二极管的有效显示区域；封装过渡区，设置在所述封装外围区与所述封装区之间，封装所述有机发光二极管的非有效区域；
该方法包括：
在所述封装区、封装过渡区和封装外围区中形成第一封装层；
在所述封装区和封装过渡区中形成第二封装层；
在所述封装区中形成第三封装层。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管封装结构的制备方法，其中在所述封装区和封装过渡区中形成第二封装层包括以掩模板覆盖所述封装外围区，通过沉积，在所述封装区和封装过渡区中形成第二封装层。
9.如权利要求7所述的有机发光二极管封装结构的制备方法，其中在所述封装区中形成第三封装层包括以掩模板覆盖所述封装过渡区和封装外围区，通过沉积，在所述封装区中形成第三封装层。
10.如权利要求7-9中任一所述的有机发光二极管封装结构的制备方法，其中所述第一封装层的厚度是所述第二封装层的厚度的5倍至10倍，所述第二封装层的厚度是所述第三封装层的厚度的1倍至3倍。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108258149A (zh) * 2018-01-19 2018-07-06 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示面板及其制作方法、显示装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108511503B (zh) * 2018-05-28 2020-11-24 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示面板、其制作方法及显示装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103943788A (zh) * 2014-04-02 2014-07-23 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示装置及其封装方法
CN105493627A (zh) * 2013-08-28 2016-04-13 夏普株式会社 电致发光装置及其制造方法
CN106328825A (zh) * 2016-10-31 2017-01-11 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示器
US20170020007A1 (en) * 2015-07-15 2017-01-19 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display apparatus and manufacturing method thereof
CN106847760A (zh) * 2015-12-07 2017-06-13 上海和辉光电有限公司 显示模组封装结构及其制备方法
CN106848087A (zh) * 2015-12-07 2017-06-13 上海和辉光电有限公司 显示模组封装结构及其制备方法
CN206282888U (zh) * 2016-12-28 2017-06-27 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种柔性显示面板和显示装置
CN106935593A (zh) * 2015-12-31 2017-07-07 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性显示装置及其制作方法
CN106997930A (zh) * 2017-03-03 2017-08-01 上海天马有机发光显示技术有限公司 柔性显示面板及显示装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8972928B2 (en) * 2011-08-30 2015-03-03 Uniquesoft, Llc System and method for generating application code
KR102329978B1 (ko) 2015-10-28 2021-11-22 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105493627A (zh) * 2013-08-28 2016-04-13 夏普株式会社 电致发光装置及其制造方法
CN103943788A (zh) * 2014-04-02 2014-07-23 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示装置及其封装方法
US20170020007A1 (en) * 2015-07-15 2017-01-19 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display apparatus and manufacturing method thereof
CN106847760A (zh) * 2015-12-07 2017-06-13 上海和辉光电有限公司 显示模组封装结构及其制备方法
CN106848087A (zh) * 2015-12-07 2017-06-13 上海和辉光电有限公司 显示模组封装结构及其制备方法
CN106935593A (zh) * 2015-12-31 2017-07-07 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性显示装置及其制作方法
CN106328825A (zh) * 2016-10-31 2017-01-11 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示器
CN206282888U (zh) * 2016-12-28 2017-06-27 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种柔性显示面板和显示装置
CN106997930A (zh) * 2017-03-03 2017-08-01 上海天马有机发光显示技术有限公司 柔性显示面板及显示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108258149A (zh) * 2018-01-19 2018-07-06 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示面板及其制作方法、显示装置

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Publication number Publication date
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