CN106567052A - 掩膜板及oled器件的封装方法 - Google Patents

掩膜板及oled器件的封装方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种掩膜板及OLED器件的封装方法。本发明的掩膜板通过在框体的矩形开口的四个侧边均匀设置多个矩形遮挡部，当利用该掩膜板对OLED器件进行封装时，由于矩形遮挡部三个独立的侧边均产生阴影效应，可使矩形遮挡部下方形成的钝化层膜厚与矩形开口内剩余的无遮挡的区域下方形成的钝化层膜厚相同，且矩形遮挡部与矩形开口的侧边相连的位置不产生阴影效应，而相邻两矩形遮挡部之间的第一凹槽的底边所产生的阴影效应会向相邻的矩形遮挡部与矩形开口侧边相连位置扩散而被稀释降低，从而可降低矩形开口的侧边整体的阴影效应，使钝化层的实际成膜区域与预设的设计成膜区域基本一致，能够实现窄边框设计，提升封装效果，延长器件的使用寿命。

Description

掩膜板及OLED器件的封装方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种掩膜板及OLED器件的封装方法。
背景技术
近年来，液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)装置和有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示装置等平板显示装置已经逐步取代CRT显示器，成为显示装置市场中的主流产品。其中，OLED显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED显示装置通常包括：基板、与基板相对设置的封装盖板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED显示装置工作时向发光层发射空穴和电子，将这些电子和空穴组合产生激发性电子-空穴对，并将激发性电子-空穴对从受激态转换为基态实现发光。
研究表明，水汽和氧气会对OLED器件的效能存在较大影响，其一是水汽和氧气可能与材料为银(Ag)、镁(Mg)的阴极发生反应；其二是水汽和氧气可能与空穴传输层和电子传输层发生化学反应，进而引起器件失效。为了解决这个问题，需要对OLED器件进行封装，以便隔绝水汽及氧气，延长其使用寿命。现有技术中常用的OLED器件封装方法有：干燥片贴覆加紫外光(UV)固化胶涂布、玻璃(Glass)封装、薄膜封装(Thin Film Encapsulation)、及面封装等方式。为实现OLED显示装置的柔性显示，须使用薄膜封装方式。薄膜封装方式一般是在基板上的OLED器件上方依次交替形成采用无机材料的阻水性好的钝化层(barrierlayer)、及采用有机材料的柔韧性好的缓冲层(buffer layer)，通过无机的钝化层和有机的缓冲层交叠的方式，防止水汽和氧气的入侵，达到保护器件的目的。
现有技术中，钝化层的制作多使用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)或原子层沉积(Atomic layer deposition，ALD)的方法，沉积氮化硅(SiNx)等无机材料。请参阅图1，在使用CVD或ALD在基板1上形成钝化层2时，在钝化层2的边缘容易产生阴影效应(Shadow effect)，即无机材料会在设定的成膜区域外围继续沉积，使实际的成膜区域大于设定的成膜区域，不利于窄边框的实现，并且可能导致水汽和氧气从由阴影效应而形成的区域侵入，造成器件失效。
发明内容
本发明的目的在于提供一种掩膜板，利用该掩膜板对OLED器件进行封装时，能够降低钝化层设计成膜区域边缘的阴影效应，使钝化层的实际成膜区域与设计成膜区域基本一致，利于实现窄边框设计，同时提升封装效果，延长OLED器件的使用寿命。
本发明的另一目的在于提供一种OLED器件的封装方法，能够降低钝化层的设计成膜区域边缘的阴影效应，利于实现窄边框设计，同时提升封装效果，延长OLED器件的使用寿命。
为实现上述目的，本发明首先提供一种掩膜板，包括框体、及设于框体上的多个矩形遮挡部；所述框体具有矩形开口，所述多个矩形遮挡部均匀设于所述矩形开口的四个侧边上，且同一侧边上的矩形遮挡部均向相对的一侧边延伸，同一侧边上的相邻两个矩形遮挡部之间形成有第一凹槽。
所述多个矩形遮挡部的长度均相同，所述多个矩形遮挡部的宽度均相同，所述第一凹槽的宽度均相同。
还包括设于矩形开口的四个顶角的L型遮挡部，所述L型遮挡部包括互相垂直连接的两个矩形遮挡单元，所述两个矩形遮挡单元分别连接矩形开口的两个相邻的侧边，并沿所在侧边向远离对应矩形开口的顶角的方向延伸，每一矩形遮挡单元与同侧边相邻的矩形遮挡部之间形成有第二凹槽，所述两个矩形遮挡单元的长度均与所述矩形遮挡部的长度相同，所述两个矩形遮挡单元的宽度均与所述矩形遮挡部的宽度相同，所述第二凹槽的宽度与所述第一凹槽的宽度相同。
本发明还提供一种OLED器件的封装方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一掩膜板、及OLED基板；
所述掩膜板包括框体、及设于框体上的多个矩形遮挡部；所述框体具有矩形开口，所述多个矩形遮挡部均匀设于所述矩形开口的四个侧边上，且同一侧边上的矩形遮挡部均向相对的一侧边延伸，同一侧边上的相邻两个矩形遮挡部之间形成有第一凹槽；
所述OLED基板包括由下至上依次设置的TFT阵列基板、及OLED器件；
步骤2、以所述掩膜板为遮挡，在所述OLED基板上沉积无机材料，形成钝化层，所述钝化层的实际成膜区域与掩膜板的矩形开口的形状相对应；
步骤3、在所述钝化层上覆盖有机材料，形成缓冲层；
步骤4、以所述掩膜板为遮挡，在所述缓冲层上沉积无机材料，形成钝化层，所述钝化层的实际成膜区域与掩膜板的矩形开口的形状相对应；
步骤5、重复步骤3、4，得到覆盖所述OLED基板的薄膜封装层；
所述薄膜封装层包括至少两层钝化层及至少一层缓冲层，且钝化层在层数上比缓冲层多一层。
所述多个矩形遮挡部的长度均相同，所述多个矩形遮挡部的宽度均相同，所述第一凹槽的宽度均相同。
所述掩膜板还包括设于矩形开口的四个顶角的L型遮挡部，所述L型遮挡部包括互相垂直连接的两个矩形遮挡单元，所述两个矩形遮挡单元分别连接矩形开口的两个相邻的侧边，并沿所在侧边向远离对应矩形开口的顶角的方向延伸，每一矩形遮挡单元与同侧边相邻的矩形遮挡部之间形成有第二凹槽，所述两个矩形遮挡单元的长度均与所述矩形遮挡部的长度相同，所述两个矩形遮挡单元的宽度均与所述矩形遮挡部的宽度相同，所述第二凹槽的宽度与所述第一凹槽的宽度相同。
所述步骤2及步骤4中，通过化学气相沉积、或原子层沉积的方法沉积无机材料，所述无机材料为SiNx、SiO2、或Al2O3。
所述步骤3中，通过旋涂、喷墨打印、或丝网印刷的方法覆盖有机材料，所述有机材料为聚乙烯醇、聚氨酯丙烯酸酯聚合物、及聚酰亚胺树脂中的一种或几种的组合。
本发明的有益效果：本发明提供的一种掩膜板，通过在框体的矩形开口的四个侧边均匀设置多个矩形遮挡部，当利用该掩膜板对OLED器件进行封装时，由于矩形遮挡部三个独立的侧边均产生阴影效应，可使矩形遮挡部下方形成的钝化层膜厚与矩形开口内剩余的无遮挡的区域下方形成的钝化层膜厚相同，且矩形遮挡部与矩形开口的侧边相连的位置不产生阴影效应，而相邻两矩形遮挡部之间的第一凹槽的底边所产生的阴影效应会向相邻的矩形遮挡部与矩形开口侧边相连位置扩散而被稀释降低，使矩形开口的侧边整体的阴影效应得以降低，从而使得钝化层的实际的成膜区域的形状与矩形开口形状基本一致，即使得钝化层的实际成膜区域与钝化层预设的设计成膜区域基本一致，进而能够实现窄边框设计，同时提升封装效果，延长OLED器件的使用寿命。本发明提供的一种OLED器件的封装方法，能够降低钝化层的设计成膜区域边缘的阴影效应，使得钝化层的实际的成膜区域与钝化层预设的设计成膜区域基本一致，利于实现窄边框设计，同时提升封装效果，延长OLED器件的使用寿命。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有技术中钝化层边缘产生阴影效应的示意图；
图2为本发明的掩膜板的俯视示意图；
图3为本发明的OLED器件的封装方法的流程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2，本发明提供一种掩膜板，包括框体10、及设于框体10上的多个矩形遮挡部20；所述框体10具有矩形开口11，所述多个矩形遮挡部20均匀设于所述矩形开口11的四个侧边上，且同一侧边上的矩形遮挡部20均向相对的一侧边延伸，同一侧边上的相邻两个矩形遮挡部20之间形成有第一凹槽21。
需要说明的是，本发明的掩膜板用于沉积无机材料以形成薄膜封装层中的钝化层，进而对OLED器件进行封装，其中，所述框体10的矩形开口11的形状等于钝化层的预先设计好的设计成膜区域，与钝化层的设计成膜区域相一致，由于矩形开口11的四个侧边设置有多个矩形遮挡部20，当利用本发明的掩膜板沉积无机材料形成钝化层时，矩形遮挡部20的三个独立的侧边均会产生阴影效应，该三个独立的侧边的阴影效应的叠加结果可使矩形遮挡部20下方形成的钝化层膜厚与矩形开口11内剩余的无遮挡的区域下方形成的钝化层膜厚相同，且矩形遮挡部20与矩形开口11的侧边相连的位置不产生阴影效应，而第一凹槽21的底边即矩形开口11的侧边与第一凹槽21对应的位置所产生的阴影效应会向相邻的不产生阴影效应的矩形遮挡部20与矩形开口11侧边相连位置扩散而被稀释降低，从而使矩形开口11的侧边整体的阴影效应得以降低，使钝化层的实际成膜区域与矩形开口11的形状也即预设的设计成膜区域基本一致，能够实现窄边框设计，同时所形成的钝化层在边缘的厚度与在中心的厚度可保持一致，防止在钝化层边缘产生水汽及氧气的侵入，提升封装效果，延长OLED器件的使用寿命。
具体地，所述多个矩形遮挡部20的长度均相同，所述多个矩形遮挡部20的宽度均相同，所述第一凹槽21的宽度均相同。
具体地，请参阅图2，所述掩膜板还包括设于矩形开口11的四个顶角的L型遮挡部30，所述L型遮挡部30包括互相垂直连接的两个矩形遮挡单元31，所述两个矩形遮挡单元31分别连接矩形开口11的两个相邻的侧边，并沿所在侧边向远离对应矩形开口11的顶角的方向延伸；每一矩形遮挡单元31与同侧边相邻的矩形遮挡部20之间形成有第二凹槽32。
具体地，所述两个矩形遮挡单元31的长度均与所述矩形遮挡部20的长度相同，所述两个矩形遮挡单元31的宽度均与所述矩形遮挡部20的宽度相同，所述第二凹槽32的宽度与所述第一凹槽21的宽度相同。
需要说明的是，L型遮挡部30的两个矩形遮挡单元31分别可在两个独立侧边产生阴影效应，进而使L型遮挡部30可在四个独立侧边产生阴影效应，该四个独立侧边产生的阴影效应的叠加结果使L型遮挡部30下方形成的钝化层膜厚与矩形开口11内剩余的无遮挡的区域下方形成的钝化层膜厚相同，且两个矩形遮挡单元31与矩形开口11的侧边相连的位置不产生阴影效应，而第二凹槽32的底边即矩形开口11的侧边与第二凹槽32对应的位置所产生的阴影效应能够扩散至相邻的不产生阴影效应的矩形开口11的侧边的位置，从而使得矩形开口11的顶角处的阴影效应得以降低。
请参阅图3，基于上述掩膜板，本发明还提供一种OLED器件的封装方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一掩膜板、及OLED基板。
其中，所述掩膜板包括框体10、及设于框体10上的多个矩形遮挡部20；所述框体10具有矩形开口11，所述多个矩形遮挡部20均匀设于所述矩形开口11的四个侧边上，且同一侧边上的矩形遮挡部20均向相对的一侧边延伸，同一侧边上的相邻两个矩形遮挡部20之间形成有第一凹槽21。
具体地，所述多个矩形遮挡部20的长度均相同，所述多个矩形遮挡部20的宽度均相同，所述第一凹槽21的宽度均相同。
具体地，请参阅图2，所述掩膜板还包括设于矩形开口11的四个顶角的L型遮挡部30，所述L型遮挡部30包括互相垂直连接的两个矩形遮挡单元31，所述两个矩形遮挡单元31分别连接矩形开口11的两个相邻的侧边，并向远离对应矩形开口11的顶角的方向延伸；每一矩形遮挡单元31与同侧边相邻的矩形遮挡部20之间形成有第二凹槽32。
具体地，所述两个矩形遮挡单元31的长度均与所述矩形遮挡部20的长度相同，所述两个矩形遮挡单元31的宽度均与所述矩形遮挡部20的宽度相同，所述第二凹槽32的宽度与所述第一凹槽21的宽度相同。
其中，所述OLED基板包括由下至上依次设置的TFT阵列基板、及OLED器件。
步骤2、以所述掩膜板为遮挡，在所述OLED基板上沉积无机材料，形成钝化层，所述钝化层的实际成膜区域与掩膜板的矩形开口11的形状相对应。
具体地，所述步骤2中，通过化学气相沉积或原子层沉积的方法沉积无机材料，所述无机材料为氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)、或氧化铝(Al2O3)。
需要说明的是，所述步骤2中，矩形遮挡部20的三个独立侧边均会产生阴影效应，该三个独立侧边的阴影效应的叠加结果可使矩形遮挡部20下方形成的钝化层膜厚与矩形开口11内剩余的无遮挡的区域下方形成的钝化层膜厚相同，且矩形遮挡部20与矩形开口11的侧边相连的位置不产生阴影效应，而第一凹槽21的底边即矩形开口11的侧边与第一凹槽21对应的位置所产生的阴影效应会向相邻的不产生阴影效应的矩形遮挡部20与矩形开口11侧边相连位置扩散而被稀释降低，从而使矩形开口11的侧边整体的阴影效应得以降低，使钝化层的实际成膜区域与矩形开口11的形状也即预设的设计成膜区域基本一致，能够实现窄边框设计，同时所形成的钝化层在边缘的厚度与在中心的厚度可保持一致，防止在钝化层边缘产生水汽及氧气的侵入，提升封装效果，延长OLED器件的使用寿命；而L型遮挡部30的两个矩形遮挡单元31分别可在两个独立侧边产生阴影效应，进而使L型遮挡部30可在四个独立侧边产生阴影效应，该四个独立侧边产生阴影效应的叠加结果使L型遮挡部30下方形成的钝化层膜厚与矩形开口11内剩余的无遮挡的区域下方形成的钝化层膜厚相同，且两个矩形遮挡单元31与矩形开口11的侧边相连的位置不产生阴影效应，而第二凹槽32的底边即矩形开口11的侧边与第二凹槽32对应的位置所产生的阴影效应能够扩散至相邻的不产生阴影效应的矩形开口11的侧边的位置，从而使得矩形开口11的顶角处的阴影效应得以降低。
步骤3、在所述钝化层上覆盖有机材料，形成缓冲层。
具体地，所述步骤3中，通过旋涂、喷墨打印、或丝网印刷的方法覆盖有机材料，所述有机材料为聚乙烯醇、聚氨酯丙烯酸酯聚合物、及聚酰亚胺树脂中的一种或几种的组合。
步骤4、以所述掩膜板为遮挡，在所述缓冲层上沉积无机材料，形成钝化层，所述钝化层的实际成膜区域与掩膜板的矩形开口11的形状一致。
具体地，所述步骤4中，通过化学气相沉积、或原子层沉积的方法沉积无机材料，所述无机材料为SiNx、SiO2、或Al2O3。
步骤5、重复步骤3、4，得到覆盖所述OLED基板的薄膜封装层；
所述薄膜封装层包括至少两层钝化层及至少一层缓冲层，且钝化层在层数上比缓冲层多一层，使薄膜封装层两侧的膜层均为钝化层，完成对OLED器件的封装。
综上所述，本发明的掩膜板，通过在框体的矩形开口的四个侧边均匀设置多个矩形遮挡部，当利用该掩膜板对OLED器件进行封装时，由于矩形遮挡部三个独立的侧边均产生阴影效应，可使矩形遮挡部下方形成的钝化层膜厚与矩形开口内剩余的无遮挡的区域下方形成的钝化层膜厚相同，且矩形遮挡部与矩形开口的侧边相连的位置不产生阴影效应，而相邻两矩形遮挡部之间的第一凹槽的底边所产生的阴影效应会向相邻的矩形遮挡部扩散而被稀释降低，使矩形开口侧边整体的阴影效应得以降低，从而使得钝化层的实际的成膜区域的形状与矩形开口形状基本一致，即使得钝化层的实际成膜区域与钝化层预设的设计成膜区域基本一致，进而能够实现窄边框设计，同时提升封装效果，延长OLED器件的使用寿命。本发明提供的一种OLED器件的封装方法，能够降低钝化层的设计成膜区域边缘的阴影效应，使得钝化层的实际成膜区域与钝化层预设的设计成膜区域基本一致，利于实现窄边框设计，同时提升封装效果，延长OLED器件的使用寿命。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种掩膜板，其特征在于，包括框体(10)、及设于框体(10)上的多个矩形遮挡部(20)；所述框体(10)具有矩形开口(11)，所述多个矩形遮挡部(20)均匀设于所述矩形开口(11)的四个侧边上，且同一侧边上的矩形遮挡部(20)均向相对的一侧边延伸，同一侧边上的相邻两个矩形遮挡部(20)之间形成有第一凹槽(21)。
2.如权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述多个矩形遮挡部(20)的长度均相同，所述多个矩形遮挡部(20)的宽度均相同，所述第一凹槽(21)的宽度均相同。
3.如权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，还包括设于矩形开口(11)的四个顶角的L型遮挡部(30)，所述L型遮挡部(30)包括互相垂直连接的两个矩形遮挡单元(31)，所述两个矩形遮挡单元(31)分别连接矩形开口(11)的两个相邻的侧边，并沿所在侧边向远离对应矩形开口(11)的顶角的方向延伸，每一矩形遮挡单元(31)与同侧边相邻的矩形遮挡部(20)之间形成有第二凹槽(32)，所述两个矩形遮挡单元(31)的长度均与所述矩形遮挡部(20)的长度相同，所述两个矩形遮挡单元(31)的宽度均与所述矩形遮挡部(20)的宽度相同，所述第二凹槽(32)的宽度与所述第一凹槽(21)的宽度相同。
4.一种OLED器件的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一掩膜板、及OLED基板；
所述掩膜板包括框体(10)、及设于框体(10)上的多个矩形遮挡部(20)；所述框体(10)具有矩形开口(11)，所述多个矩形遮挡部(20)均匀设于所述矩形开口(11)的四个侧边上，且同一侧边上的矩形遮挡部(20)均向相对的一侧边延伸，同一侧边上的相邻两个矩形遮挡部(20)之间形成有第一凹槽(21)；
所述OLED基板包括由下至上依次设置的TFT阵列基板、及OLED器件；
步骤2、以所述掩膜板为遮挡，在所述OLED基板上沉积无机材料，形成钝化层，所述钝化层的实际成膜区域与掩膜板的矩形开口(11)的形状相对应；
步骤3、在所述钝化层上覆盖有机材料，形成缓冲层；
步骤4、以所述掩膜板为遮挡，在所述缓冲层上沉积无机材料，形成钝化层，所述钝化层的实际成膜区域与掩膜板的矩形开口(11)的形状相对应；
步骤5、重复步骤3、4，得到覆盖所述OLED基板的薄膜封装层；
所述薄膜封装层包括至少两层钝化层及至少一层缓冲层，且钝化层在层数上比缓冲层多一层。
5.如权利要求4所述的OLED器件的封装方法，其特征在于，所述多个矩形遮挡部(20)的长度均相同，所述多个矩形遮挡部(20)的宽度均相同，所述第一凹槽(21)的宽度均相同。
6.如权利要求5所述的OLED器件的封装方法，其特征在于，所述掩膜板还包括设于矩形开口(11)的四个顶角的L型遮挡部(30)，所述L型遮挡部(30)包括互相垂直连接的两个矩形遮挡单元(31)，所述两个矩形遮挡单元(31)分别连接矩形开口(11)的两个相邻的侧边，并沿所在侧边向远离对应矩形开口(11)的顶角的方向延伸，每一矩形遮挡单元(31)与同侧边相邻的矩形遮挡部(20)之间形成有第二凹槽(32)，所述两个矩形遮挡单元(31)的长度均与所述矩形遮挡部(20)的长度相同，所述两个矩形遮挡单元(31)的宽度均与所述矩形遮挡部(20)的宽度相同，所述第二凹槽(32)的宽度与所述第一凹槽(21)的宽度相同。
7.如权利要求4所述的OLED器件的封装方法，其特征在于，所述步骤2及步骤4中，通过化学气相沉积、或原子层沉积的方法沉积无机材料，所述无机材料为SiNx、SiO2、或Al2O3。
8.如权利要求4所述的OLED器件的封装方法，其特征在于，所述步骤3中，通过旋涂、喷墨打印、或丝网印刷的方法覆盖有机材料，所述有机材料为聚乙烯醇、聚氨酯丙烯酸酯聚合物、及聚酰亚胺树脂中的一种或几种的组合。
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