CN103794733A - 环境敏感电子元件封装体 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种环境敏感电子元件封装体，包括第一基板、第二基板、环境敏感电子元件、侧壁阻障结构以及填充层。第一基板具有至少一预定挠曲区域。第二基板配置于第一基板上方。环境敏感电子元件配置于第一基板上，且位于第一基板与第二基板之间。侧壁阻障结构位于第一基板与第二基板之间，其中侧壁阻障结构环绕环境敏感电子元件。侧壁阻障结构具有挠曲应力分散结构，其中挠曲应力分散结构位于预定挠曲区域内。填充层位于第一基板与第二基板之间，且包覆侧壁阻障结构及环境敏感电子元件。
Description
技术领域
本发明涉及一种封装体，特别是涉及一种环境敏感电子元件封装体。
背景技术
随着显示技术的进步，显示器已朝向薄型化及可挠式发展，其中又以软性显示器（可挠性显示器）逐渐成为显示器往后发展的主要方向。利用可挠性基板取代传统硬质基板来制作软性显示器，其可卷曲、方便携带、符合安全性及产品应用广，但其较不耐高温、水、氧气阻绝性较差、耐化学药品性较差及热膨胀系数大。典型的可挠性基板可用来承载电子元件及/或用来作为盖板（cover）以对电子元件进行封装，由于可挠性基板并无法完全阻隔水气及氧气的穿透，因此水气及氧气的渗入将加速可挠性基板上之电子元件老化，进而导致电子元件的寿命减短。
为解决上述问题，部分现有技术是采用侧壁阻障（side wall barrier）结构来增加软性显示器的侧向阻水、氧气能力，其中侧壁阻障结构是形成于可挠性基板上，并且利用胶材使侧壁阻障结构与另一可挠性基板贴合，以提高软性显示器阻水、氧气的能力。然而，软性显示器在长时间挠曲下，可能造成侧壁阻障结构产生形变或破坏的情形，以致无法有效阻绝外界水气或氧气的入侵。
发明内容
本发明实施例提供一种环境敏感电子元件封装体，以改善环境敏感电子元件封装体在长时间挠曲下，其侧壁阻障结构产生形变或破坏的问题。
本发明实施例提出一种环境敏感电子元件封装体，其包括第一基板、第二基板、环境敏感电子元件、至少一侧壁阻障结构以及填充层。第一基板具有至少一预定挠曲区域。第二基板配置于第一基板上方。环境敏感电子元件配置于第一基板上，且于第一基板与第二基板之间。侧壁阻障结构位于第一基板与第二基板之间，其中侧壁阻障结构环绕环境敏感电子元件，且侧壁阻障结构具有至少一挠曲应力分散结构。挠曲应力分散结构位于预定挠曲区域内。填充层位于第一基板与第二基板之间，且包覆侧壁阻障结构及环境敏感电子元件。
在本发明的一实施例中，侧壁阻障结构配置于第一基板上。
在本发明的一实施例中，侧壁阻障结构配置于第二基板上
在本发明的一实施例中，侧壁阻障结构包括：
至少一第一侧壁阻障结构，配置于该第一基板上；以及
至少一第二侧壁阻障结构，配置于该第二基板上，其中该第一侧壁阻障结构与该第二侧壁阻障结构交替排列于该第一基板与该第二基板之间。
在本发明的一实施例中，侧壁阻障结构的截面包括多边型、圆型或椭圆型，且截面垂直于第一基板。
在本发明的一实施例中，侧壁阻障结构包括：
一阻障层，位于该第一基板或该第二基板上；以及
一包覆层，其中该包覆层覆盖该阻障层。
在本发明的一实施例中，侧壁阻障结构包括底面积为直线型的环状结构。
在本发明的一实施例中，侧壁阻障结构包括底面积为非直线型的环状结构。
在本发明的一实施例中，侧壁阻障结构包括底面积为直线型与非直线型组合的环状结构。
在本发明的一实施例中，挠曲应力分散结构的数量为多个，挠曲应力分散结构的底面积为直线型，且平行排列于预定挠曲区域内。
在本发明的一实施例中，挠曲应力分散结构的数量为多个，挠曲应力分散结构的底面积为直线型，且行列交错排列于预定挠曲区域内。
在本发明的一实施例中，挠曲应力分散结构的数量为多个，挠曲应力分散结构的底面积为非直线型，且交替排列于预定挠曲区域内。
在本发明的一实施例中，挠曲应力分散结构的数量为多个，挠曲应力分散结构的底面积为非直线型，且不规则分布于预定挠曲区域内。
在本发明的一实施例中，挠曲应力分散结构的数量为多个，挠曲应力分散结构的俯视形状为网格状结构，且规律排列于预定挠曲区域内。
在本发明的一实施例中，挠曲应力分散结构的数量为多个，挠曲应力分散结构的底面积为岛状，且不规则分布于预定挠曲区域内。
在本发明的一实施例中，挠曲应力分散结构及侧壁阻障结构与第一基板或该第二基板为相同材质所构成，且材质为金属或玻璃。基于上述，由于本发明实施例的环境敏感电子元件封装体的基板具有预定挠曲区域，其中预定挠曲区域内的侧壁阻障结构具有挠曲应力分散结构，如此可避免环境敏感电子元件封装体在长时间挠曲下，造成侧壁阻障结构产生形变或破坏的情形，以确保环境敏感电子元件封装体阻水、氧气的能力，进而有效延长环境敏感电子元件的寿命。
为让本发明能更明显易懂，以下特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
图1A是本发明第一实施例的环境敏感电子元件封装体的剖面示意图；
图1B是图1A的环境敏感电子元件封装体的上视示意图；
图1C是图1B的环境敏感电子元件封装体沿I-I’剖面线的局部剖面示意图；
图1C’是其它可能实施例的环境敏感电子元件封装体的局部剖面示意图；
图1D是本发明第一实施例的另一环境敏感电子元件封装体的剖面示意图；
图1E是本发明第一实施例的又一环境敏感电子元件封装体的剖面示意图。
图2是本发明第二实施例的环境敏感电子元件封装体的上视示意图；
图3是本发明第三实施例的环境敏感电子元件封装体的上视示意图；
图4是本发明第四实施例的环境敏感电子元件封装体的上视示意图；
图5是本发明第五实施例的环境敏感电子元件封装体的上视示意图；
图6a是本发明第六实施例的环境敏感电子元件封装体的上视示意图；
图6b至图6c是图6a其它可能实施例的挠曲应力分散结构的波浪型结构的局部示意图；
图7是本发明第七实施例的环境敏感电子元件封装体的上视示意图；
图8是本发明第八实施例的环境敏感电子元件封装体的上视示意图；
图9a是本发明第九实施例的环境敏感电子元件封装体的上视示意图；
图9b至图9f是图9a其它可能实施例的挠曲应力分散结构的网格结构的局部示意图；
图10是本发明第十实施例的环境敏感电子元件封装体的上视示意图；
图11是本发明第十一实施例的环境敏感电子元件封装体的上视示意图；
图12是本发明第十二实施例的环境敏感电子元件封装体的上视示意图；
图13是本发明第十三实施例的环境敏感电子元件封装体的上视示意图；
图14是本发明第十四实施例的环境敏感电子元件封装体的上视示意图。
附图标记
100A、100A’、100A”：环境敏感电子元件封装体
100B～100N：环境敏感电子元件封装体
110：第一基板 120：第二基板
130：环境敏感电子元件 132：导线
140：侧壁阻障结构 140a：阻障层
140b：包覆层 142：挠曲应力分散结构
142a～142e：挠曲应力分散结构 142e-1、142e-2：挠曲应力分散结构
142f～142h：挠曲应力分散结构 142h-1～142h-5：挠曲应力分散结构
142i～142m：挠曲应力分散结构 144：第一侧壁阻障结构
146：第二侧壁阻障结构 150：填充层
PFA：预定挠曲区域
具体实施方式
图1A是本发明第一实施例的环境敏感电子元件封装体的剖面示意图。图1B是图1A的环境敏感电子元件封装体的上视示意图。图1C是图1B的环境敏感电子元件封装体沿I-I’剖面线的局部剖面示意图。图1C’是其它可能实施例的环境敏感电子元件封装体的局部剖面示意图。请参考图1A以及图1B，在本实施例中，环境敏感电子元件封装体100A包括第一基板110、第二基板120、环境敏感电子元件130、至少一侧壁阻障结构140以及填充层150。第一基板110具有至少一预定挠曲区域PFA。第二基板120配置于第一基板110上方。环境敏感电子元件130配置于第一基板110上，且位于第一基板110与第二基板120之间。侧壁阻障结构140位于第一基板110与第二基板120之间，其中侧壁阻障结构140环绕环境敏感电子元件130，且侧壁阻障结构140具有至少一挠曲应力分散结构142。挠曲应力分散结构142位于预定挠曲区域PFA内。填充层150位于第一基板110与第二基板120之间，且包覆侧壁阻障结构140及环境敏感电子元件130。
在本实施例中，第一基板110与第二基板120例如是可挠性基板，其中可挠性基板的材质可为聚乙烯对苯二甲酸酯（polyethylene terephthalate,PET）、聚间苯二甲酸乙二酯（polyethylene naphthalate,PEN）、聚醚石风（Polyethersulfone,PES）、聚甲基丙烯酸甲酯（polymethyl methacrylate,PMMA）、聚碳酸酯（Polycarbonate,PC）、聚亚酰胺（PI）或金属箔（metal foil）。当然，第一基板110与第二基板120也可以是硬质基板，其中硬质基板例如是金属或玻璃基板，本发明在此并不加以限制。
环境敏感电子元件130例如是主动式环境敏感电子显示元件或被动式环境敏感电子显示元件，其中主动式环境敏感电子显示元件例如是一主动型矩阵有机发光二极管（Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AM-OLED）或者是主动型矩阵电泳显示器（Active Matrix Electro Phoretic Display,AM-EPD），俗称电子纸，或者是主动型矩阵液晶显示器（Active Matrix Liquid CrystalDisplay,AM-LCD），或者是主动型矩阵蓝相液晶显示器（Active Matrix BluePhase Liquid Crystal Display）。被动式环境敏感电子显示元件则例如是被动驱动式有机电激发光元件阵列基板（Passive Matrix OLED,PM-OLED）或者是超扭转向列型液晶显示器（Super Twisted Nematic Liquid Crystal Display,STN-LCD）。此外，环境敏感电子元件封装体100A还包括一导线132。导线132配置于第一基板110上，以电性连接至环境敏感电子元件130，一般而言，导线132例如是通过湿式涂布法而形成于第一基板110上的金属导线层。
另一方面，如图1C’所示，在其它可能的实施例中，环境敏感电子元件130也可以是配置于第二基板120上，本发明在此并不加以限制。
请参考图1A以及图1C，侧壁阻障结构140的数量例如是多个，其中侧壁阻障结构140垂直于第一基板110的截面可以是多边型、圆型或椭圆型。具体而言，在本实施例中，侧壁阻障结构140垂直于第一基板110的截面是以梯型为例作说明。进一步详言之，侧壁阻障结构140例如是配置于第一基板110上，且侧壁阻障结构140可进一步包括阻障层140a以及包覆层140b，其中阻障层140a位于第一基板110上并且由包覆层140b所覆盖。
一般而言，阻障层140a的材质例如是有机材料、金属材料、无机材料或有机与无机的混合材料，其中阻障层140a例如是有机光阻材料，如感光型聚亚酰胺（Photosensitive PI）借由曝光、显影及蚀刻等制造工程形成于第一基板110上。另一方面，包覆层140b可以是无机材料或金属材料，其中无机材料例如是硅化物或铝化物，且硅化物可以是硅氮化物（SiNx）、硅氧化物（SiOx）或硅氮氧化物（SiNxOy）等，而铝化物则例如是如氧化铝（Al2O3），且前述无机材料例如是通过化学气相沉积法、蒸镀法或溅镀法等方法形成于阻障层140a上。另一方面，金属材料例如是钼、钛、铝或铬，且前述金属材料例如是借由溅镀法、蒸镀法或湿式涂布法等方法形成于阻障层140a上。在此必须说明的是，阻障层140a、包覆层140b与第一基板110也可为相同材质所构成，例如是金属或玻璃等材质经由曝光、显影及蚀刻等制造工程形成于第一基板110上，本发明在此并不加以限制。
请参考图1B及图1C，在本实施例中，侧壁阻障结构140例如是底面积为直线型的环状结构，预定挠曲区域PFA内的侧壁阻障结构140例如是借由蚀刻等制造工程而形成多个挠曲应力分散结构142。更具体而言，于预定挠曲区域PFA内形成挠曲应力分散结构142的方法例如是在阻障层140a上形成包覆层140b之前，首先蚀刻预定挠曲区域PFA内的阻障层140a的部分结构，直至暴露出第一基板110，但以不蚀刻到第一基板110的表面为原则。之后，再于阻障层140a上形成包覆层140b，以于预定挠曲区域PFA内形成挠曲应力分散结构142。换言之，挠曲应力分散结构142也属于侧壁阻障结构140的一部分，且任两相邻挠曲应力分散结构142例如是通过阻障层140a相互连接而形成一连续性结构。当然，在其它未示出的实施例中，任两相邻的侧壁阻障结构140或挠曲应力分散结构142也可以是互不相连的非连续性结构，本发明在此并不加以限制。
在其它未示出的实施例中，侧壁阻障结构140也可以是仅具有阻障层140a的单层阻气结构，其中挠曲应力分散结构142例如是借由蚀刻阻障层140a后所形成。更具体而言，于预定挠曲区域PFA内形成挠曲应力分散结构142的方法例如是首先于第一基板110上形成阻障层140a。之后，蚀刻预定挠曲区域PFA内的阻障层140a，且以不暴露出第一基板110的表面为原则，以于预定挠曲区域PFA内形成挠曲应力分散结构142。一般而言，任两相邻的挠曲应力分散结构142例如是借由阻障层140a相互连接，此外，挠曲应力分散结构142也可借由阻障层140a与预定挠曲区域PFA外的侧壁阻障结构140相互连接。
另一方面，本实施例的预定挠曲区域PFA的数量例如是一个，其中挠曲应力分散结构142的底面积例如是直线型，且挠曲应力分散结构142平行排列于预定挠曲区域PFA内。因此，当环境敏感电子元件封装体100A沿预定挠曲区域PFA褶弯时，挠曲应力分散结构142的设置可避免在长时间挠曲下，预定挠曲区域PFA内的侧壁阻障结构140因应力集中而产生形变或破坏的情形。
请继续参考图1A，填充层150例如是胶材通过紫外光固化或热固化所形成。胶材的材质例如是亚克力树脂（acrylic）或环氧树脂（expoxy）。在本实施例中，填充层150在未固化前的型态例如是片状（Sheet type）胶材或液态状（liquid type）胶材。
简言之，环境敏感电子元件封装体100A的侧壁阻障结构140具有底面积为直线型的挠曲应力分散结构142，可避免侧壁阻障结构140因长时间挠曲而产生形变或破坏的情形，从而确保环境敏感电子元件封装体100A阻水氧的能力，以有效延长环境敏感电子元件130的寿命。此外，虽然本实施例的环境敏感电子元件封装体100A的侧壁阻障结构140是以环绕环境敏感电子元件130的四周的连续环状结构，且环状结构的底面积为直线型以作说明，但并非用以限制本发明的范畴。换言之，在其它可能的实施例中，本发明的侧壁阻障结构例如是仅配置于环境敏感电子元件的任一侧的线状结构，或者是环绕环境敏感电子元件的U型结构或L型结构，也可以是环绕环境敏感电子元件的其它非连续结构，其中上述结构的底面积可以是直线型或非直线型。
图1D是本发明第一实施例的另一环境敏感电子元件封装体的剖面示意图。如图1D所示，图1D的环境敏感电子元件封装体100A’与图1A的环境敏感电子元件封装体100A大致上相同或相似，其不同之处在于：图1D的环境敏感电子元件封装体100A’的侧壁阻障结构140例如是配置于第二基板120上，且侧壁阻障结构140可进一步包括阻障层140a以及包覆层140b，其中阻障层140a位于第二基板120上并且由包覆层140b所覆盖。一般而言，阻障层140a的材质例如是有机材料、金属材料、无机材料或有机与无机的混合材料，其中阻障层140a例如是有机光阻材料，如感光型聚亚酰胺（Photosensitive PI）借由曝光、显影及蚀刻等制造工程形成于第二基板120上。另一方面，包覆层140b可以是无机材料或金属材料，其中无机材料例如是硅化物或铝化物，且硅化物可以是硅氮化物（SiNx）、硅氧化物（SiOx）或硅氮氧化物（SiNxOy）等，而铝化物则例如是如氧化铝Al2O3，且前述无机材料例如是通过化学气相沉积法、蒸镀法或溅镀法等方法形成于阻障层140a上。另一方面，金属材料例如是钼、钛、铝或铬，且前述金属材料例如是借由溅镀法、蒸镀法或湿式涂布法等方法形成于阻障层140a上。在此必须说明的是，阻障层140a、包覆层140b与第二基板120也可为相同材质所构成，例如是金属或玻璃等材质经由曝光、显影及蚀刻等制造工程形成于第一基板110上，本发明在此并不加以限制。
图1E是本发明第一实施例的又一环境敏感电子元件封装体的剖面示意图。如图1E所示，图1E的环境敏感电子元件封装体100A”与图1A的环境敏感电子元件封装体100A大致上相同或相似，其不同之处在于：图1E的环境敏感电子元件封装体100A”的侧壁阻障结构140可进一步包括第一侧壁阻障结构144以及第二侧壁阻障结构146。第一侧壁阻障结构144配置于第一基板110上。第二侧壁阻障结构146配置于第二基板120上，其中第一侧壁阻障结构144与第二侧壁阻障结构146例如是交替排列于第一基板110与第二基板120之间。当然，在其它未示出的实施例中，第一侧壁阻障结构144也可正对于第二侧壁阻障结构146而排列于第一基板110与第二基板120之间，本发明在此并不加以限制。
在此必须说明的是，虽然上述实施例的侧壁阻结构140具有底面积为直线型的挠曲应力分散结构142，且挠曲应力分散结构142平行排列于预定挠曲区域PFA内。然而，在其它的实施例中，可避免侧壁阻障结构140因长时间挠曲而形变或破坏的不同结构设计或配置，仍属于本发明可采用的技术方案，不脱离本发明所欲保护的范围。以下将列举多个不同的实施例来分别说明环境敏感电子元件封装体100B～100N的设计。
图2是本发明第二实施例的环境敏感电子元件封装体的上视示意图。请参考图2，图2的环境敏感电子元件封装体100B与图1B的环境敏感电子元件封装体100A相似，其不同之处在于：图2的环境敏感电子元件封装体100B的预定挠曲区域PFA的数量例如是两个，底面积为直线型的挠曲应力分散结构142a平行排列于预定挠曲区域PFA内。因此，当环境敏感电子元件封装体100B沿预定挠曲区域PFA折弯时，挠曲应力分散结构142a的设置可避免在长时间挠曲下，预定挠曲区域PFA内的侧壁阻障结构140因应力集中而产生形变或破坏的情形。
图3是本发明第三实施例的环境敏感电子元件封装体的上视示意图。请参考图3，图3的环境敏感电子元件封装体100C与图1B的环境敏感电子元件封装体100A相似，其不同之处在于：图3的环境敏感电子元件封装体100C的预定挠曲区域PFA的数量例如是多个，更具体而言，预定挠曲区域PFA几乎涵盖了环境敏感电子元件130的全部表面，其中底面积为直线型的挠曲应力分散结构142b平行排列于预定挠曲区域PFA内。因此，当环境敏感电子元件封装体100C沿预定挠曲区域PFA折弯时，挠曲应力分散结构142b的设置可避免在长时间挠曲下，预定挠曲区域PFA内的侧壁阻障结构140因应力集中而产生形变或破坏的情形。
图4是本发明第四实施例的环境敏感电子元件封装体的上视示意图。请参考图4，图4的环境敏感电子元件封装体100D与图1B的环境敏感电子元件封装体100A相似，其不同之处在于：图4的环境敏感电子元件封装体100D的侧壁阻障结构140例如是底面积为直线型的环状结构，其中侧壁阻障结构140具有底面积为直线型的挠曲应力分散结构142c，且挠曲应力分散结构142c行列交错排列于预定挠曲区域PFA内。因此，当环境敏感电子元件封装体100D沿预定挠曲区域PFA折弯时，挠曲应力分散结构142c的设置可避免在长时间挠曲下，预定挠曲区域PFA内的侧壁阻障结构140因应力集中而产生形变或破坏的情形。
图5是本发明第五实施例的环境敏感电子元件封装体的上视示意图。请参考图5，图5的环境敏感电子元件封装体100E与图1B的环境敏感电子元件封装体100A相似，其不同之处在于：图5的环境敏感电子元件封装体100E的侧壁阻障结构140例如是底面积为直线型的环状结构，其中侧壁阻障结构140具有底面积为直线型的挠曲应力分散结构142d，且挠曲应力分散结构142d行列交错排列于预定挠曲区域PFA内。值得一提的是，预定挠曲区域PFA内的挠曲应力分散结构142d例如是彼此交互相连，以增加预定挠曲区域PFA内阻隔水、氧气能力。在此必须说明的是，预定挠曲区域PFA内的挠曲应力分散结构142d彼此交互相连的位置及样式，本发明在此不加以限制。因此，当环境敏感电子元件封装体100E沿预定挠曲区域PFA折弯时，挠曲应力分散结构142d的设置可避免在长时间挠曲下，预定挠曲区域PFA内的侧壁阻障结构140因应力集中而产生形变或破坏的情形。
图6a是本发明第六实施例的环境敏感电子元件封装体的上视示意图。请参考图6a，图6a的环境敏感电子元件封装体100F与图1B的环境敏感电子元件封装体100A相似，其不同之处在于：图6a的环境敏感电子元件封装体100F的侧壁阻障结构140例如是底面积为直线型的环状结构，其中侧壁阻障结构140具有底面积为非直线型的挠曲应力分散结构142e，且挠曲应力分散结构142e交替排列于预定挠曲区域PFA内。因此，当环境敏感电子元件封装体100F沿预定挠曲区域PFA折弯时，挠曲应力分散结构142e的设置可避免在长时间挠曲下，预定挠曲区域PFA内的侧壁阻障结构140因应力集中而产生形变或破坏的情形。
图6b至图6c是图6a其它可能实施例的挠曲应力分散结构的非直线型结构的局部示意图。请参考图6b，挠曲应力分散结构142e-1例如是方型波浪结构，其中挠曲应力分散结构142e-1交替排列于预定挠曲区域PFA内。请参考图6c，挠曲应力分散结构142e-2例如是梯型波浪结构，其中挠曲应力分散结构142e-2交替排列于预定挠曲区域PFA内。当然，在其它未示出的实施例中，挠曲应力分散结构也可是由其它不同型态非直线结构所构成，本发明在此并不加以限制。
图7是本发明第七实施例的环境敏感电子元件封装体的上视示意图。请参考图7，图7的环境敏感电子元件封装体100G与图1B的环境敏感电子元件封装体100A相似，其不同之处在于：图7的环境敏感电子元件封装体100G的侧壁阻障结构140例如是底面积为直线型的环状结构，其中侧壁阻障结构140具有底面积为非直线型的挠曲应力分散结构142f，且挠曲应力分散结构142f不规则排列于预定挠曲区域PFA内。更详细而言，挠曲应力分散结构142f例如是彼此相互交连，以增加预定挠曲区域PFA内阻隔水、氧气能力。在此必须说明的是，挠曲应力分散结构142f彼此交互相连的位置及样式，本发明在在此不加以限制。因此，当环境敏感电子元件封装体100G沿预定挠曲区域PFA折弯时，挠曲应力分散结构142f的设置可避免在长时间挠曲下，预定挠曲区域PFA内的侧壁阻障结构140因应力集中而产生形变或破坏的情形。
图8是本发明第八实施例的环境敏感电子元件封装体的上视示意图。请参考图8，图8的环境敏感电子元件封装体100H与图1B的环境敏感电子元件封装体100A相似，其不同之处在于：图8的环境敏感电子元件封装体100H的侧壁阻障结构140例如是底面积为直线型的环状结构，其中侧壁阻障结构140具有底面积为岛状的挠曲应力分散结构142g，且挠曲应力分散结构142g不规则分布于预定挠曲区域PFA内。更详细而言，挠曲应力分散结构142g例如是彼此独立或相互交连。因此，当环境敏感电子元件封装体100H沿预定挠曲区域PFA折弯时，挠曲应力分散结构142g的设置可避免在长时间挠曲下，预定挠曲区域PFA内的侧壁阻障结构140因应力集中而产生形变或破坏的情形。
图9a是本发明第九实施例的环境敏感电子元件封装体的上视示意图。请参考图9a，图9a的环境敏感电子元件封装体100I与图1B的环境敏感电子元件封装体100A相似，其不同之处在于：图9a的环境敏感电子元件封装体100I的侧壁阻障结构140例如是底面积为直线型的环状结构，其中侧壁阻障结构140的挠曲应力分散结构142h例如是菱型网格状结构，且挠曲应力分散结构142h规律排列于预定挠曲区域PFA内。因此，当环境敏感电子元件封装体100I沿预定挠曲区域PFA折弯时，挠曲应力分散结构142h的设置可避免在长时间挠曲下，预定挠曲区域PFA内的侧壁阻障结构140因应力集中而产生形变或破坏的情形。
值得注意的是，图9b至图9f是图9a其它可能实施例的挠曲应力分散结构的网格结构示意图。请参考图9b，挠曲应力分散结构142h-1例如是六边型网格状结构，其中六边型网格可以是粗细相等或不等的网网格线交连构成。请参考图9c，挠曲应力分散结构142h-2例如是圆型网格状结构，其中圆型网格可以是粗细相等或不等的网网格线交连构成。请参考图9d，挠曲应力分散结构142h-3例如是十字型网格状结构，其中十字型网格可以是粗细相等或不等的网网格线交连构成。请参考图9e，挠曲应力分散结构142h-4例如是梯型网格状结构，其中梯型网格可以是粗细相等或不等的网网格线交连构成。请参考图9f，挠曲应力分散结构142h-5例如是心型网格状结构，其心型网格可以是粗细相等或不等的网格线交连构成。当然，在其它未示出的实施例中，挠曲应力分散结构也可是由其它不同型态多边型网格所构成的网格状结构，本发明在此并不加以限制。
图10是本发明第十实施例的环境敏感电子元件封装体的上视示意图。请参考图10，图10的环境敏感电子元件封装体100J与图1B的环境敏感电子元件封装体100A相似，其不同之处在于：图10的环境敏感电子元件封装体100J的侧壁阻障结构140例如是底面积为非直线型的环状结构，其中侧壁阻障结构140具有底面积为非直线型的挠曲应力分散结构142i，且挠曲应力分散结构142i交替排列于预定挠曲区域PFA内。因此，当环境敏感电子元件封装体100J沿预定挠曲区域PFA折弯时，挠曲应力分散结构142i的设置可避免在长时间挠曲下，预定挠曲区域PFA内的侧壁阻障结构140因应力集中而产生形变或破坏的情形。
图11是本发明第十一实施例的环境敏感电子元件封装体的上视示意图。请参考图11，图11的环境敏感电子元件封装体100K与图1B的环境敏感电子元件封装体100A相似，其不同之处在于：图11的环境敏感电子元件封装体100K的侧壁阻障结构140例如是底面积为非直线型的环状结构，其中侧壁阻障结构140具有底面积为非直线型的挠曲应力分散结构142j，且挠曲应力分散结构142j不规则排列于预定挠曲区域PFA内。在本实施例中，挠曲应力分散结构142j例如是彼此相互交连。当然，在其它未示出的实施例中，侧壁阻障结构140也可具有底面积例如是直线型、岛状或网格状结构的挠曲应力分散结构，本发明在此并不加以限制。因此，当环境敏感电子元件封装体100K沿预定挠曲区域PFA折弯时，挠曲应力分散结构142j的设置可避免在长时间挠曲下，预定挠曲区域PFA内的侧壁阻障结构140因应力集中而产生形变或破坏的情形。
图12是本发明第十二实施例的环境敏感电子元件封装体的上视示意图。请参考图12，图12的环境敏感电子元件封装体100L与图1B的环境敏感电子元件封装体100A相似，其不同之处在于：图12的环境敏感电子元件封装体100L的侧壁阻障结构140例如是底面积为直线型与非直线型组合的环状结构，其中侧壁阻障结构140具有底面积为直线型的挠曲应力分散结构142k，且挠曲应力分散结构142k交替排列于预定挠曲区域PFA内。因此，当环境敏感电子元件封装体100L沿预定挠曲区域PFA折弯时，挠曲应力分散结构142k的设置可避免在长时间挠曲下，预定挠曲区域PFA内的侧壁阻障结构140因应力集中而产生形变或破坏的情形。
图13是本发明第十三实施例的环境敏感电子元件封装体的上视示意图。请参考图13，图13的环境敏感电子元件封装体100M与图1B的环境敏感电子元件封装体100A相似，其不同之处在于：图13的环境敏感电子元件封装体100M的侧壁阻障结构140例如是底面积为直线型与非直线型组合的环状结构，其中侧壁阻障结构140具有底面积为非直线型的挠曲应力分散结构142l，且挠曲应力分散结构142l交替排列于预定挠曲区域PFA内。因此，当环境敏感电子元件封装体100M沿预定挠曲区域PFA折弯时，挠曲应力分散结构142l的设置可避免在长时间挠曲下，预定挠曲区域PFA内的侧壁阻障结构140因应力集中而产生形变或破坏的情形。
图14是本发明第十四实施例的环境敏感电子元件封装体的上视示意图。请参考图14，图14的环境敏感电子元件封装体100N与图1B的环境敏感电子元件封装体100A相似，其不同之处在于：图14的环境敏感电子元件封装体100N的侧壁阻障结构140例如是底面积为直线型与波浪型组合的环状结构，其中侧壁阻障结构140具有底面积为岛状的挠曲应力分散结构142m，且挠曲应力分散结构142m不规则分布于预定挠曲区域PFA内。另一方面，挠曲应力分散结构142m例如是彼此独立或相互交连。因此，当环境敏感电子元件封装体100N沿预定挠曲区域PFA折弯时，挠曲应力分散结构142m的设置可避免在长时间挠曲下，预定挠曲区域PFA内的侧壁阻障结构140因应力集中而产生形变或破坏的情形。值得一提的是，在其它未示出的实施例中，侧壁阻障结构140的挠曲应力分散结构也可以是网格状结构，且网格状的挠曲应力分散结构规律排列于预定挠曲区域PFA内。
在此必须说明的是，在其它可能的实施例中，侧壁阻障结构即例如是挠曲应力分散结构所构成，换言之，环境敏感电子元件封装体的可以朝任何方向挠曲，且当环境敏感电子元件封装体朝任何方向挠曲时，侧壁阻障结构并不会因应力集中而产生形变或破坏的情形。
综上所述，由于本发明的环境敏感电子元件封装体的基板具有预定挠曲区域，其中预定挠曲区域内的侧壁阻障结构具有挠曲应力分散结构。挠曲应力分散结构的底面积可以是直线型、非直线型、岛状或网格状，换言之，本发明可依据环境敏感电子元件封装体的不同挠曲方式，而调整挠曲应力分散结构的形式与配置，如此可避免环境敏感电子元件封装体在长时间挠曲下，造成侧壁阻障结构产生形变或破坏的情形，以确保环境敏感电子元件封装体阻水氧的能力，进而有效延长环境敏感电子元件的寿命。
虽然本发明已以实施例揭示如上，然而其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识的人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的变更与修饰，故本发明的保护范围应当由所附的权利要求书所界定为准。
Claims (16)
1.一种环境敏感电子元件封装体，其特征在于，包括：
第一基板，具有至少一预定挠曲区域；
第二基板，配置于该第一基板上方；
环境敏感电子元件，配置于该第一基板上，且该环境敏感电子元件位于该第一基板与该第二基板之间；
至少一侧壁阻障结构，位于该第一基板与该第二基板之间，其中该侧壁阻障结构环绕该环境敏感电子元件且该侧壁阻障结构具有至少一挠曲应力分散结构，该挠曲应力分散结构位于该预定挠曲区域内；以及
填充层，位于该第一基板与该第二基板之间，且包覆该侧壁阻障结构及该环境敏感电子元件。
2.根据权利要求1所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该侧壁阻障结构配置于该第一基板上。
3.根据权利要求1所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该侧壁阻障结构配置于该第二基板上。
4.根据权利要求1所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该侧壁阻障结构包括：
至少一第一侧壁阻障结构，配置于该第一基板上；以及
至少一第二侧壁阻障结构，配置于该第二基板上，其中该第一侧壁阻障结构与该第二侧壁阻障结构交替排列于该第一基板与该第二基板之间。
5.根据权利要求1所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该侧壁阻障结构的截面包括多边型、圆型或椭圆型，且该截面垂直于该第一基板。
6.根据权利要求1所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该侧壁阻障结构包括：
阻障层，位于该第一基板或该第二基板上；以及
包覆层，其中该包覆层覆盖该阻障层。
7.根据权利要求1所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该侧壁阻障结构包括底面积为直线型的环状结构。
8.根据权利要求1所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该侧壁阻障结构包括底面积为非直线型的环状结构。
9.根据权利要求1所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该侧壁阻障结构包括底面积为直线型与非直线型组合的环状结构。
10.根据权利要求1所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该挠曲应力分散结构的数量为多个，该些挠曲应力分散结构的底面积为直线型，且平行排列于该预定挠曲区域内。
11.根据权利要求1所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该挠曲应力分散结构的数量为多个，该些挠曲应力分散结构的底面积为直线型，且行列交错排列于该预定挠曲区域内。
12.根据权利要求1所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该挠曲应力分散结构的数量为多个，该些挠曲应力分散结构的底面积为非直线型，且交替排列于该预定挠曲区域内。
13.根据权利要求1所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该挠曲应力分散结构的数量为多个，该些挠曲应力分散结构的底面积为非直线型，且不规则分布于该预定挠曲区域内。
14.根据权利要求1所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该挠曲应力分散结构的数量为多个，该些挠曲应力分散结构的俯视形状为网格状结构，且规律排列于该预定挠曲区域内。
15.根据权利要求1所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该挠曲应力分散结构的数量为多个，该些挠曲应力分散结构的底面积为岛状，且不规则分布于该预定挠曲区域内。
16.根据权利要求1所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该挠曲应力分散结构及该侧壁阻障结构与该第一基板或该第二基板为相同材质所构成，且该材质为金属或玻璃。
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