TWI443784B - 環境敏感電子元件之封裝體及其封裝方法 - Google Patents
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- TWI443784B TWI443784B TW099125118A TW99125118A TWI443784B TW I443784 B TWI443784 B TW I443784B TW 099125118 A TW099125118 A TW 099125118A TW 99125118 A TW99125118 A TW 99125118A TW I443784 B TWI443784 B TW I443784B
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title claims description 18
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 title 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 310
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 200
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 113
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 94
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 53
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 17
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 16
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 13
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 claims description 3
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 45
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- CNMLKYRHFLUEAL-UHFFFAOYSA-N [Al].[Al].[Al].[Al].[Ba] Chemical compound [Al].[Al].[Al].[Al].[Ba] CNMLKYRHFLUEAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 5
- 229910000951 Aluminide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 4
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/26—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device including materials for absorbing or reacting with moisture or other undesired substances, e.g. getters
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
Description
本發明是有關於一種封裝體及其封裝方法，且特別是有關於一種環境敏感電子元件之封裝體及其封裝方法。
可撓性基板相較於一般硬質基板的應用更為廣泛，其優點為可捲曲、方便攜帶、符合安全性、產品應用廣，但其缺點為不耐高溫、阻水阻氧氣性差、耐化學藥品性差及熱膨脹係數大。典型之可撓性基板由於無法完全阻隔水氣及氧氣的穿透，進而加速基板內之元件老化，導致所製成的元件壽命減短，無法符合商業上的需求。
為了解決上述之問題，目前已有數種習知技術提供改良方法，如美國專利號6740145、6835950、2006/0072308以及6998648。
在美國專利號6740145中揭露一種有機電致發光二極體利用封裝蓋放置吸濕結構的方法，但此方式是將吸濕結構以貼合製程的方式製作在封裝蓋上，因此所製作出的產品無法撓曲。此外，在美國專利號6835950以及6998648中亦是揭露一種利用感壓膠貼合(pressure sensitive adhesives,PSA)的方式來製作含吸濕結構之有機電致發光二極體元件。
在美國專利號2006/0072308中揭露一種有機電致發光二極體元件之透明的吸濕結構，在此結構中，其所提及吸濕結構必需是透明的，且此專利所揭露之元件並非完全固態之結構，因此若彎折此非全固態結構，可能破壞元件發光結構。
本發明提供一種環境敏感電子元件之封裝體及其製作方法，用以改善電子元件受水氣及氧氣的穿透而導致壽命減短的問題，且適於大量生產。
本發明提供一種環境敏感電子元件的封裝方法，其包括下述步驟。於一第一基板上形成一環境敏感電子元件以及一第一阻隔壁，其中第一阻隔壁環繞環境敏感電子元件的周圍。形成一吸濕層於環境敏感電子元件上。同時形成一第一包覆層，以包覆吸濕層以及第一阻隔壁。形成一第一阻障層，以包覆位於第一阻隔壁上的第一包覆層，其中第一阻隔壁、位於第一阻隔壁上之部分第一包覆層以及第一阻障層構成一阻氣結構。提供一第二基板於第一基板上，並於第一基板與第二基板之間形成一填充層，其中第二基板透過填充層而與第一基板接合，且填充層包覆環境敏感電子元件、部分第一包覆層以及阻氣結構。
在本發明之一實施例中，上述之吸濕層具有一連續圖案或一非連續圖案。
在本發明之一實施例中，上述於形成吸濕層於環境敏感電子元件上之前，更包括形成一保護層於環境敏感電子元件上，以包覆環境敏感電子元件，其中吸濕層位於保護層與部分第一包覆層之間。
在本發明之一實施例中，上述於同時形成第一包覆層於吸濕層以及第一阻隔壁上之前，更包括同時形成吸濕層於環境敏感電子元件以及第一阻隔壁上，其中部分吸濕層包覆第一阻隔壁，且位於第一阻隔壁與部分第一包覆層之間。
在本發明之一實施例中，上述於形成吸濕層於環境敏感電子元件上之前，更包括形成一第二包覆層於環境敏感電子元件上，其中吸濕層位於第二包覆層與第一包覆層之間。
在本發明之一實施例中，上述於同時形成第一包覆層於吸濕層以及第一阻隔壁上之前，更包括同時形成第二包覆層於環境敏感電子元件以及第一阻隔壁上，其中部分第二包覆層包覆第一阻隔壁。於形成第二包覆層之後，形成一第二阻障層於第一阻隔壁上的部分第二包覆層上，其中部分第二包覆層位於第一阻隔壁與第二阻障層之間。於形成第二阻障層之後，同時形成第一包覆層於吸濕層以及第二阻障層上，其中部分第一包覆層位於第一阻障層與第二阻障層之間。
在本發明之一實施例中，上述於同時形成第一包覆層於吸濕層以及第一阻隔壁上之前，更包括同時形成第二包覆層於環境敏感電子元件以及第一阻隔壁上，其中部分第二包覆層包覆第一阻隔壁。於形成第二包覆層之後，同時形成吸濕層於環境敏感電子元件上的第二包覆層上以及第一阻隔壁上的第二包覆層上。於形成吸濕層之後，同時形成第一包覆層於吸濕層上，其中部分第一包覆層位於第一阻障層與部分吸濕層之間。
在本發明之一實施例中，上述之於提供一第二基板之後，更包括於第二基板上形成一第二阻隔壁，其中第二阻隔壁環繞環境敏感電子元件的周圍，且與第一阻隔壁呈交替排列。
在本發明之一實施例中，上述之吸濕層的材質包括吸濕材料。
在本發明之一實施例中，上述之第一包覆層的材質包括高分子材料。
本發明提供一種環境敏感電子元件之封裝體，適於沿著至少一預定折線摺疊。環境敏感電子元件之封裝體包括一第一基板、一封裝材料、一環境敏感電子元件以及一吸濕層。封裝材料配置於第一基板的上方。環境敏感電子元件配置於第一基板上，且位於第一基板與封裝材料之間，其中封裝材料包覆環境敏感電子元件。吸濕層內埋於封裝材料中，且吸濕層不位於預定折線上。
在本發明之一實施例中，上述之預定折線平行第一基板的其中兩邊。
在本發明之一實施例中，上述之預定折線沿著第一基板的對角線。
在本發明之一實施例中，上述之吸濕層具有一連續圖案或一非連續圖案。
在本發明之一實施例中，上述之環境敏感電子元件之封裝體更包括一阻氣結構，配置於第一基板與封裝材料之間，且環繞環境敏感電子元件的周圍。
在本發明之一實施例中，上述之阻氣結構包括一阻隔壁以及一阻障層。阻隔壁配置於第一基板上。阻障層包覆阻隔壁，其中封裝材料包覆阻障層。
在本發明之一實施例中，上述之吸濕層的材質包括吸濕材料。
在本發明之一實施例中，上述之封裝材料包括一第二基板以及一填充層，其中填充層位於第一基板與第二基板之間，且包覆環境敏感電子元件。
在本發明之一實施例中，上述之封裝材料包括一包覆層，配置於吸濕層上且包覆蓋吸濕層。
在本發明之一實施例中，上述之封裝材料更包括一保護層，配置於環境敏感電子元件上，以直接包覆環境敏感電子元件，其中吸濕層位於保護層與包覆層之間。
在本發明之一實施例中，上述之包覆層的材質包括高分子材料。
基於上述，由於本發明具有位於基板與封裝材料之間的吸濕層，因此本發明之環境敏感電子元件之封裝體可具有良好的阻隔水氣與氧氣的能力，可有效延長環境敏感電子元件的壽命。再者，本發明之環境敏感電子元件之封裝體適於沿著預定折線摺疊，因此可具有較小的體積且適於收納。此外，由於本發明位於環境敏感電子元件上方之部分膜層以及阻氣結構的部分膜層可同時形成，因此可有效減少製程步驟且適於量產。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A為本發明之一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的俯視示意圖。圖1B為沿圖1A之線I-I的剖面示意圖。請同時參考圖1A與圖1B，在本實施例中，環境敏感電子元件之封裝體100適於沿著至少一預定折線(圖1A中繪示三條預定折線L1、L2、L3)摺疊，以具有較小的體積且適於收納。
本實施例之環境敏感電子元件之封裝體100包括一第一基板110、一封裝材料200、一環境敏感電子元件120以及一吸濕層130a。詳細來說，這些預定折線L1、L2、L3平行第一基板110的其中兩邊，而封裝材料200配置於第一基板110的上方。第一基板110例如是一可撓性基板，其中可撓性基板的材質可為聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)、聚間苯二甲酸乙二酯(PEN)、聚醚石風(PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚亞醯胺(PI)或金屬箔(metal foil)，且可撓性基板亦可為一具有觸控功能之基板，例如是表面式電容觸控、數位矩陣式觸控(例如投射式電容觸控)或類比矩陣式觸控基板。
封裝材料200例如是由一包覆層150、一保護層160、一填充層170、一第二基板180所構成，其中第一基板110與第二基板180彼此相對。當然，於其他未繪示的實施例中，封裝材料200亦可是由多個有機層與多個無機層堆疊配置所構成，也就是說，是透過薄膜封裝來封裝環境敏感電子元件120。因此，圖1B所示之封裝材料200僅為舉例說明，並非限定本發明。
環境敏感電子元件120配置於第一基板110上，且位於第一基板110與封裝材料200之間，其中封裝材料200包覆環境敏感電子元件120，且封裝材料200之保護層160配置於環境敏感電子元件120上，以直接包覆環境敏感電子元件120。環境敏感電子元件120例如為一主動式環境敏感電子元件顯示元件或一被動式環境敏感電子元件顯示元件，其中主動式環境敏感電子元件顯示元件例如是一主動型矩陣有機發光二極體(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AM-OLED)或者是主動型矩陣電泳顯示(Active Matrix Electro Phoretic Display,AM-EPD)，俗稱電子紙，或者是主動型矩陣液晶顯示(Active Matrix Liquid Crystal Display,AM-LCD)，或者是主動型矩陣藍相液晶顯示(Active Matrix Blue Phase Liquid Crystal Display)；而被動式環境敏感電子元件顯示元件例如是被動驅動式有機電激發光元件陣列基板(Passive Matrix OLED,PM-OLED)或者是超扭轉向列型液晶顯示(Super Twisted Nematic Liquid Crystal Display,STN-LCD)。
吸濕層130a內埋於封裝材料200中，且吸濕層130a不位於這些預定折線L1、L2、L3上。特別是，在本實施例中，吸濕層130a例如是具有一非連續圖案，其中非連續圖案例如是多個彼此分離的條狀圖案132，且這些條狀圖案132皆不位於這些預定折線L1、L2、L3上。此外，吸濕層130a的材質包括吸濕材料，例如是鈣(Ca)、氧化鈣(CaO)、鋁化鈣(CaAl2)、鋁化鋇(BaAl4)、鋁化鈣(CaAl2)與鎳(Ni)混合物或鋁化鋇(BaAl4)鎳(Ni)混合物所構成之混合物或鈣-鋇-鋁(Ca-Ba-Al)合金等等。
封裝材料200之包覆層150配置於吸濕層130a上，且包覆蓋吸濕層130a，其中吸濕層130a位於包覆層150與保護層160之間。填充層170位於第一基板110與第二基板180之間，且包覆環境敏感電子元件120。此外，包覆層150的材質包括高分子材料，例如是聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene,PTFE)或聚對二甲苯(parylene)等等。填充層170的材質例如是壓克力樹脂(acrylic)或環氧樹脂(expoxy)，而填充層170的形態例如為一感壓式膠材或一填充式膠材。
此外，本實施例之環境敏感電子元件之封裝材料200更包括至少一第一阻氣結構(圖1A與圖1B中繪示兩個第一阻氣結構140a、140b)，其中這些第一阻氣結構140a、140b配置於第一基板110與封裝材料200之間，且環繞環境敏感電子元件120的周圍。更進一步而言，第一阻氣結構140a、140b皆分別包括一第一阻隔壁142a、142b以及一第一阻障層144a、144b，其中第一阻隔壁142a、142b配置於第一基板110上，第一阻隔壁142b環繞第一阻隔壁142a，而第一阻障層144a、144b包覆第一阻隔壁142a、142b，且封裝材料200包覆第一阻障層144a、144b。
當然，本實施例並不限定第一阻氣結構140a、140b的位置、形態與個數以及保護層160的形態，雖然此處所提及的第一阻氣結構140a、140b之第一阻隔壁142a、142b是配置於第一基板110上，且第一阻氣結構140a、140b的個數具體化為兩個。但，於其他實施例中，請參考圖1B'，環境敏感電子元件之封裝體100a’的第一阻障壁144a’亦可延伸配置且同時覆蓋於這些第一阻隔壁142a’上以及部分第一基板110上，且保護層160亦可延伸覆蓋環境敏感電子元件120的周圍；或者是，第一阻氣結構140a或第一阻氣結構140b亦可配置於第二基板180上，且第一阻氣結構的個數可依使用需求而自行增加或減少，只要能達到阻隔水氣與氧氣之能力的結構設計，皆屬於本發明可採用的技術方案，不脫離本發明所欲保護的範圍。
值得一提的是，本實施例並不限定這些預定折線L1、L2、L3的形態與個數以及吸濕層130a的形態，雖然此處所提及之這些預定折線L1、L2、L3具體化是平行第一基板110的其中兩邊，且這些預定折線L1、L2、L3的個數具體化為三條，而吸濕層130a具體化為這些彼此分離的條狀圖案132。但，於其他實施例中，請參考圖2A，預定折線L4亦可為僅為一條，且吸濕層130b例如是由多個彼此分離的塊狀圖案134所組成；或者是，請參考圖2B，預定折線L5、L6亦沿著第一基板110的對角線，且吸濕層130c例如是由多個彼此分離的塊狀圖案136所組成；或者是，於未繪示的實施例中，吸濕層例如是由多個彼此分離的塊狀圖案、圓形圖案、橢圓形圖案或其他適當圖案所組成。因此，圖1A所示之這些預定折線L1、L2、L3與吸濕層130a僅為舉例說明，並非限定本發明。
簡言之，由於本實施例具有位於第一基板110與封裝材料200之間的吸濕層130a，因此本實施例之環境敏感電子元件之封裝體100a可具有良好的阻隔水氣與氧氣的能力，可有效延長環境敏感電子元件120的壽命。此外，本實施例之環境敏感電子元件之封裝體100a適於沿著這些預定折線L1、L2、L3(或預定折線L4、L5、L6)摺疊，因此可具有較小的體積且適於收納。
以下將以幾個不同之實施例來說明環境敏感電子元件的製造方法，並配合圖3至圖8對環境敏感電子元件的製造方法進行詳細的說明。在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖3為本發明之一實施例之一種環境敏感電子元件的封裝方法的流程圖。圖4為本發明之另一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的剖面示意圖。請同時參考圖3與圖4，本實施例的環境敏感電子元件的封裝方法包括以下步驟。首先，步驟S10，於一第一基板110上形成一環境敏感電子元件120以及一第一阻隔壁142a，其中第一阻隔壁142a環繞環境敏感電子元件120的周圍。在此必須說明的是，於本實施例中，可先形成環境敏感電子元件120，而後在形成第一阻隔壁142a；或者是，可先形成第一阻隔壁142a，而後在形成環境敏感電子元件120，在此並不加以限制形成環境敏感電子元件120與第一阻隔壁142a的順序。
接著，請再參考圖4，形成一保護層160於環境敏感電子元件120上，其中保護層160包覆環境敏感電子元件120。
接著，步驟S20，形成一吸濕層130d於環境敏感電子元件120上，其中形成吸濕層130d的方法例如是透過真空製程。特別是，在本實施例中，吸濕層130b例如是具有一連續圖案，其中連續圖案例如是迂迴圖案、柵狀圖案或矩行圖案，在此並不加以限制。此外，吸濕層130d的材質包括吸濕材料，例如是鈣(Ca)、氧化鈣(CaO)、鋁化鈣(CaAl2)、鋁化鋇(BaAl4)、鋁化鈣(CaAl2)與鎳(Ni)混合物或鋁化鋇(BaAl4)鎳(Ni)混合物所構成之混合物或鈣-鋇-鋁(Ca-Ba-Al)合金等等。
接著，步驟S30，同時形成一第一包覆層150a，以包覆吸濕層130b以及第一阻隔壁142a，其中吸濕層130d位於保護層160與部分第一包覆層150a之間。其中，第一包覆層150a的設置主要是可增加第一阻隔壁142a表面的平坦度，以有利於阻障層144a阻水氣特性。此外，形成第一包覆層150a的方法包括透過真空製程，例如是化學氣相沉積(CVD)。第一包覆層150a的材質包括高分子材料，例如是聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene,PTFE)或聚對二甲苯(parylene)等等。
接著，步驟S40，形成一第一阻障層144a，以包覆位於第一阻隔壁142a上的第一包覆層150a，其中第一包覆層150a位於第一阻隔壁142a與第一阻障層144a之間。特別是，第一阻隔壁142a、位於第一阻隔壁142a上之部分第一包覆層150a以及第一阻障層144a構成一第一阻氣結構140d。
接著，步驟S50，提供一第二基板180於第一基板110上，並於第一基板110與第二基板180之間形成一填充層170，其中第二基板180透過填充層170而與第一基板110接合，且填充層170包覆環境敏感電子元件120、部分保護層160、部分第一包覆層150a以及第一阻氣結構140d。至此，環境敏感電子元件之封裝體100d已大致完成。
在此必須說明的是，由於填充層170的型態可為一填充式膠材或一感壓式膠材，因此當填充層170的型態為一填充式膠材時，形成填充層170的步驟，首先，於第一基板110上形成一膠材(未繪示)，以包覆環境敏感電子元件120與第一阻氣結構140d，接著，於滾輪或框壓的方式使第二基板180與這些第一阻氣結構140d緊密接觸之後，必需進行一固化製程，以固化膠材而形成填充層170，其中膠材170是藉由紫外光照射而固化或是藉由加熱而固化。若當填充層170的型態為一感壓式膠材時，形成填充層170的步驟為貼附一雙面膠材(未繪示)於第一基板110上，以包覆環境敏感電子元件120以及第一阻氣結構140d，且於滾輪或框壓的方式使第二基板180與第一阻氣結構140d緊密接觸之後，即完成環境敏感電子元件之封裝體100d的製作。
簡言之，本實施例之環境敏感電子元件的封裝方法是同時形成包覆層150a於吸濕層130d以及第一阻隔壁142a上，因此可減少製程步驟且適於量產。此外，第一包覆層150a包覆第一阻隔壁142a以增加第一阻隔壁142a表面的平坦度，因此於第一基板110與第二基板180之間形成填充層170時，可增加填充層170的緻密性。再者，由於第一阻氣結構140d配置於第一基板110與第二基板180之間並環繞環境敏感電子元件120的周圍，因此本實施例之環境敏感電子元件之封裝體100d可具有較佳的阻隔水氣與氧氣的能力，且可有效延長環境敏感電子元件120的壽命。
當然，圖3以及圖4所繪示的製程僅是作為舉例說明之用，部分步驟為目前封裝製程中常見的技術。本領域的技術人員當可依據實際狀況調整、省略或增加可能的步驟，以符合製程需求，此處不再逐一贅述。
圖5為本發明之又一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的剖面示意圖。請參考圖5，圖5之環境敏感電子元件之封裝體100e與圖4之環境敏感電子元件之封裝體100d相似，其不同之處在於：圖5之環境敏感電子元件之封裝體100e具有兩個第一阻氣結構140e，且每一第一阻氣結構140e皆具有一吸濕層130e，其中吸濕層130e位於第一阻隔壁142a與第一包覆層150a之間。由於這些第一阻氣結構140e具有吸濕層130e，因此可增加環境敏感電子元件之封裝體100e阻隔水氣與氧氣的能力，且可有效延長環境敏感電子元件120的壽命。
於製程上，本實施例的環境敏感電子元件之封裝體100e可採用與圖4之環境敏感電子元件之封裝體100d大致相同的製作方式，並且在步驟S30之前，即同時形成第一包覆層150a之前，同時形成一吸濕層130e於環境敏感電子元件120以及這些第一阻隔壁142a上，其中部分吸濕層130e包覆這些第一阻隔壁142a。然後，進行步驟S40，以使部分吸濕層130e位於這第一阻隔壁142a與部分第一包覆層150a之間。最後，進行步驟S50，即可大致完成環境敏感電子元件之封裝體100e的製作。
當然，本實施例並不限定這些第一阻氣結構140e的形態。舉例來說，請參考圖5'，在圖5’之環境敏感電子元件之封裝體100e’中，吸濕層130e’、第一包覆層150a’以及第一阻障層144a’亦皆延伸配置且堆疊覆蓋於這些第一阻隔壁142a’上以及部分第一基板110上，只要能達到阻隔水氣與氧氣之能力的結構設計，皆屬於本發明可採用的技術方案，不脫離本發明所欲保護的範圍。
圖6為本發明之再一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的剖面示意圖。請參考圖6，圖6之環境敏感電子元件之封裝體100e與圖4之環境敏感電子元件之封裝體100d相似，其不同之處在於：圖6之環境敏感電子元件之第一阻氣結構140f不具有吸濕層130f，而是具有一第一包覆層150a與第二包覆層155，而吸濕層130f例如是具有一非連續圖案，而每一第一阻氣結構140f是由第一阻隔壁142a、第二包覆層155、一第二阻障層144b、第一包覆層150a以及第一阻障層144a所組成。
詳細來說，在本實施例中，第二包覆層155配置於環境敏感電子元件120上，其中吸濕層130f位於第二包覆層155與第一包覆層150a之間。吸濕層130f例如是具有非連續圖案，其中非連續圖案例如是多個彼此分離的條狀圖案、塊狀圖案、圓形圖案、橢圓形圖案或其他適當的圖案，在此並不加以限制。每一第一阻氣結構140f的第二包覆層155是位於第一阻隔壁142a與第二阻障層144b之間，而第二阻障層144b是位於第二包覆層155與第一包覆層150a之間，第一包覆層150a是位於第二阻障層144b與第一阻障層144a之間。由於這些第一阻氣結構140f具有多層的包覆層(包括第一包覆層150a與第二包覆層155)與多層阻障層(包括第一阻障層144a與第二阻障層144b)，因此可增加環境敏感電子元件之封裝體100f阻隔水氣與氧氣的能力，且可有效延長環境敏感電子元件120的壽命。
於製程上，本實施例的環境敏感電子元件之封裝體100f可採用與圖4之環境敏感電子元件之封裝體100d大致相同的製作方式，形成第二包覆層155於環境敏感電子元件120以及這些第一阻隔壁142a上，其中部分第二包覆層155包覆這些第一阻隔壁142a。接著，形成吸濕層130f於環境敏感電子元件120之第二包覆層155上，之後形成這些第二阻障層144b於這些第一阻隔壁142a上的部分第二包覆層155上，其中部分第二包覆層155位於這些第一阻隔壁142a與第二阻障層144b之間。接著，在形成步驟S30，同時形成第一包覆層150a於吸濕層130f以及這些第二阻障層144b上。然後，進行步驟S40，以使部分第一包覆層150a位於這些第一阻障層144a與第二阻障層144b之間。之後，在進行步驟S50，即可大致完成環境敏感電子元件之封裝體100f的製作。
當然，本實施例並不限定這些第一阻氣結構140f的形態。舉例來說，請參考圖6'，在圖6’之環境敏感電子元件之封裝體100f’中，第二包覆層155’、第二阻障層144b’、第一包覆層150a’以及第一阻障層144a’亦皆延伸配置且堆疊覆蓋於這些第一阻隔壁142a’上以及部分第一基板110上，只要能達到阻隔水氣與氧氣之能力的結構設計，皆屬於本發明可採用的技術方案，不脫離本發明所欲保護的範圍。
圖7為本發明之再一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的剖面示意圖。請參考圖7，圖7之環境敏感電子元件之封裝體100g與圖6之環境敏感電子元件之封裝體100f相似，其不同之處在於：圖7之環境敏感電子元件之封裝體100g具有多個第一阻氣結構140g，且每一第一阻氣結構140g具有一吸濕層130g。詳細來說，每一第一阻氣結構140g是由第一阻隔壁142a、第二包覆層155、吸濕層130g、第一包覆層150a以及第一阻障層144a所組成。其中第二包覆層155是位於第一阻隔壁142a與吸濕層130g之間，而吸濕層130g是位於第二包覆層155與第一包覆層150a之間，第一包覆層150a是位於吸濕層130g與第一阻障層144a之間。由於這些第一阻氣結構140g具有多層的包覆層(包括第一包覆層150a與第二包覆層155)以及吸濕層130g，因此可增加環境敏感電子元件之封裝體100g阻隔水氣與氧氣的能力，且可有效延長環境敏感電子元件120的壽命。
於製程上，本實施例的環境敏感電子元件之封裝體100g可採用與圖6之環境敏感電子元件之封裝體100f大致相同的製作方式，並且在步驟S30之前，同時形成第一包覆層150a之前，同時形成吸濕層130g於環境敏感電子元件120上的第二包覆層155上以及這些第一阻隔壁142a上的第二包覆層155上。接著，在進行步驟S30，同時形成第一包覆層150a於吸濕層130g上，其中部分第一包覆層150a位於這些第一阻障層144a與部分吸濕層130g之間。之後，在依序進行步驟S40以及S50，即可大致完成環境敏感電子元件之封裝體100g的製作。
當然，本實施例並不限定這些第一阻氣結構140g的形態。舉例來說，請參考圖7'，在圖7’之環境敏感電子元件之封裝體100g’中，第二包覆層155’、吸濕層130g’、第一包覆層150a’以及第一阻障層144a’亦皆延伸配置且堆疊覆蓋於這些第一阻隔壁142a’上以及部分第一基板110上，只要能達到阻隔水氣與氧氣之能力的結構設計，皆屬於本發明可採用的技術方案，不脫離本發明所欲保護的範圍。
值得一提的是，雖然上述之這些阻氣結構(例如是第一阻氣結構140a、140b、140d～140g)是形成於第一基板110上，但於其他實施例中，請參考圖8，阻氣結構，例如是多個第二阻氣結構140h，亦可以形成於第二基板120上，意即這些第二阻氣結構140h的多個第二阻隔壁142c形成於第二基板180上，且多個第三阻障層144c包覆這些第二阻隔壁142c，且這些第二阻隔壁142c環繞環境敏感電子元件120的周圍，且與這些第一阻隔壁142a呈交替排列。因此，上述之阻氣結構的位置於配置關係僅為舉例說明，並非限定本發明。
再者，於其他未繪示的實施例中，亦可選用於如前述實施例所提及之具有吸濕層130e、130g、第一包覆層150a、第二包覆層155或第二阻障層144b的阻氣結構140d～140g，本領域的技術人員當可參照前述實施例的說明，依據實際需求，而選用前述構件，以達到所需的技術效果。
綜上所述，由於本發明具有位於基板與封裝材料之間的吸濕層，因此本發明之環境敏感電子元件之封裝體可具有良好的阻隔水氣與氧氣的能力，可有效延長環境敏感電子元件的壽命。再者，本發明之環境敏感電子元件之封裝體適於沿著預定折線摺疊，因此可具有較小的體積且適於收納。此外，由於本發明位於環境敏感電子元件上方之部分膜層以及阻氣結構的部分膜層可同時形成，因此可有效減少製程步驟且適於量產。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100a、100a’、100b、100c、100d、100e、100e’、100f、100f’、100g、100g’、100h．．．環境敏感電子元件之封裝體
110．．．第一基板
120．．．環境敏感電子元件
130a、130b、130c、130d、130e、130f．．．吸濕層
140a、140b、140d、140e、140f、140g．．．第一阻氣結構
140h．．．第二阻氣結構
142a、142b．．．第一阻隔壁
142c．．．第二阻隔壁
144a．．．第一阻障層
144b．．．第二阻障層
144c．．．第三阻障層
150．．．包覆層
150a．．．第一包覆層
155．．．第二包覆層
160．．．保護層
170．．．填充層
180．．．第二基板
200．．．封裝材料
L1、L2、L3、L4、L5、L6．．．預定折線
S10、S20、S30、S40、S50．．．步驟
圖1A為本發明之一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的俯視示意圖。
圖1B為沿圖1A之線I-I的剖面示意圖。
圖1B’為本發明之一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的剖面示意圖。
圖2A為本發明之一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的俯視示意圖。
圖2B為本發明之另一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的俯視示意圖。
圖3為本發明之一實施例之一種環境敏感電子元件的封裝方法的流程圖。
圖4為本發明之另一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的剖面示意圖。
圖5為本發明之又一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的剖面示意圖。
圖5’為本發明之又一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的剖面示意圖。
圖6為本發明之再一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的剖面示意圖。
圖6’為本發明之再一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的剖面示意圖。
圖7為本發明之更一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的剖面示意圖。
圖7’為本發明之更一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的剖面示意圖。
圖8為本發明之一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的剖面示意圖。
S10、S20、S30、S40、S50．．．步驟
Claims (21)
- 一種環境敏感電子元件的封裝方法，包括：於一第一基板上形成一環境敏感電子元件以及一第一阻隔壁，其中該第一阻隔壁環繞該環境敏感電子元件的周圍；形成一吸濕層於該環境敏感電子元件上；同時形成一第一包覆層，以包覆該吸濕層以及該第一阻隔壁；形成一第一阻障層，以包覆位於該第一阻隔壁上的該第一包覆層，其中該第一阻隔壁、位於該第一阻隔壁上之部分該第一包覆層以及該第一阻障層構成一阻氣結構；以及提供一第二基板於該第一基板上，並於該第一基板與該第二基板之間形成一填充層，其中該第二基板透過該填充層而與該第一基板接合，且該填充層包覆該環境敏感電子元件、部分該第一包覆層以及該阻氣結構。
- 如申請專利範圍第1項所述之環境敏感電子元件的封裝方法，其中該吸濕層具有一連續圖案或一非連續圖案。
- 如申請專利範圍第1項所述之環境敏感電子元件的封裝方法，更包括：於形成該吸濕層於該環境敏感電子元件上之前，形成一保護層於該環境敏感電子元件上，以包覆該環境敏感電子元件，其中該吸濕層位於該保護層與部分該第一包覆層之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之環境敏感電子元件的封裝方法，更包括：於同時形成該第一包覆層於該吸濕層以及該第一阻隔壁上之前，同時形成該吸濕層於該環境敏感電子元件以及該第一阻隔壁上，其中部分該吸濕層包覆該第一阻隔壁，且位於該第一阻隔壁與部分該第一包覆層之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之環境敏感電子元件的封裝方法，更包括：於形成該吸濕層於該環境敏感電子元件上之前，形成一第二包覆層於該環境敏感電子元件上，其中該吸濕層位於該第二包覆層與該第一包覆層之間。
- 如申請專利範圍第5項所述之環境敏感電子元件的封裝方法，更包括：於同時形成該第一包覆層於該吸濕層以及該第一阻隔壁上之前，同時形成該第二包覆層於該環境敏感電子元件以及該第一阻隔壁上，其中部分該第二包覆層包覆該第一阻隔壁；於形成該第二包覆層之後，形成一第二阻障層於該第一阻隔壁上的部分該第二包覆層上，其中部分該第二包覆層位於該第一阻隔壁與該第二阻障層之間；以及於形成該第二阻障層之後，同時形成該第一包覆層於該吸濕層以及該第二阻障層上，其中部分該第一包覆層位於該第一阻障層與該第二阻障層之間。
- 如申請專利範圍第5項所述之環境敏感電子元件的封裝方法，更包括：於同時形成該第一包覆層於該吸濕層以及該第一阻隔壁上之前，同時形成該第二包覆層於該環境敏感電子元件以及該第一阻隔壁上，其中部分該第二包覆層包覆該第一阻隔壁；於形成該第二包覆層之後，同時形成該吸濕層於該環境敏感電子元件上的該第二包覆層上以及該第一阻隔壁上的該第二包覆層上；以及於形成該吸濕層之後，同時形成該第一包覆層於該吸濕層上，其中部分該第一包覆層位於該第一阻障層與部分該吸濕層之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之環境敏感電子元件的封裝方法，更包括：於提供一第二基板之後，於該第二基板上形成一第二阻隔壁，其中該第二阻隔壁環繞該環境敏感電子元件的周圍，且與該第一阻隔壁呈交替排列。
- 如申請專利範圍第1項所述之環境敏感電子元件的封裝方法，其中該吸濕層的材質包括吸濕材料。
- 如申請專利範圍第1項所述之環境敏感電子元件的封裝方法，其中該第一包覆層的材質包括高分子材料。
- 一種環境敏感電子元件之封裝體，適於沿著至少一預定折線摺疊，該環境敏感電子元件之封裝體包括：一第一基板；一封裝材料，配置於該第一基板的上方；一環境敏感電子元件，配置於該第一基板上，且位於該第一基板與該封裝材料之間，其中該封裝材料包覆該環境敏感電子元件；以及一吸濕層，內埋於該封裝材料中，且該吸濕層不位於該預定折線上。
- 如申請專利範圍第11項所述之環境敏感電子元件之封裝體，其中該預定折線平行該第一基板的其中兩邊。
- 如申請專利範圍第11項所述之環境敏感電子元件之封裝體，其中該預定折線沿著該第一基板的對角線。
- 如申請專利範圍第11項所述之環境敏感電子元件之封裝體，其中該吸濕層具有一連續圖案或一非連續圖案。
- 如申請專利範圍第14項所述之環境敏感電子元件之封裝體，更包括一阻氣結構，配置於該第一基板與該封裝材料之間，且環繞該環境敏感電子元件的周圍。
- 如申請專利範圍第15項所述之環境敏感電子元件之封裝體，其中該阻氣結構包括：一阻隔壁，配置於該第一基板上；以及一阻障層，包覆該阻隔壁，其中該封裝材料包覆該阻障層。
- 如申請專利範圍第11項所述之環境敏感電子元件之封裝體，其中該吸濕層的材質包括吸濕材料。
- 如申請專利範圍第11項所述之環境敏感電子元件之封裝體，其中該封裝材料包括一第二基板以及一填充層，其中該填充層位於該第一基板與該第二基板之間，且包覆該環境敏感電子元件。
- 如申請專利範圍第11項所述之環境敏感電子元件之封裝體，其中該封裝材料包括一包覆層，配置於該吸濕層上且包覆該吸濕層。
- 如申請專利範圍第19項所述之環境敏感電子元件之封裝體，其中該封裝材料更包括一保護層，配置於該環境敏感電子元件上，以直接包覆該環境敏感電子元件，其中該吸濕層位於該保護層與該包覆層之間。
- 如申請專利範圍第19項所述之環境敏感電子元件之封裝體，其中該包覆層的材質包括高分子材料。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW099125118A TWI443784B (zh) | 2010-07-29 | 2010-07-29 | 環境敏感電子元件之封裝體及其封裝方法 |
| US12/944,691 US8624134B2 (en) | 2010-07-29 | 2010-11-11 | Package of environmental sensitive element and encapsulation method of the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW099125118A TWI443784B (zh) | 2010-07-29 | 2010-07-29 | 環境敏感電子元件之封裝體及其封裝方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201205733A TW201205733A (en) | 2012-02-01 |
| TWI443784B true TWI443784B (zh) | 2014-07-01 |
Family
ID=45525608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW099125118A TWI443784B (zh) | 2010-07-29 | 2010-07-29 | 環境敏感電子元件之封裝體及其封裝方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8624134B2 (zh) |
| TW (1) | TWI443784B (zh) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9177828B2 (en) | 2011-02-10 | 2015-11-03 | Micron Technology, Inc. | External gettering method and device |
| US9101005B2 (en) | 2009-09-15 | 2015-08-04 | Industrial Technology Research Institute | Package of environmental sensitive element |
| TWI407535B (zh) * | 2009-09-15 | 2013-09-01 | Ind Tech Res Inst | 環境敏感電子元件之封裝體 |
| US9660218B2 (en) | 2009-09-15 | 2017-05-23 | Industrial Technology Research Institute | Package of environmental sensitive element |
| KR20130025717A (ko) * | 2011-09-02 | 2013-03-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| US9450202B2 (en) | 2012-10-31 | 2016-09-20 | Industrial Technology Research Institute | Environmental sensitive electronic device package having side wall barrier structure |
| TWI581422B (zh) * | 2013-05-15 | 2017-05-01 | 財團法人工業技術研究院 | 環境敏感電子元件封裝體 |
| TWI543356B (zh) * | 2012-10-31 | 2016-07-21 | 財團法人工業技術研究院 | 環境敏感電子元件封裝體 |
| CN103794733A (zh) | 2012-10-31 | 2014-05-14 | 财团法人工业技术研究院 | 环境敏感电子元件封装体 |
| EP2736071B8 (en) * | 2012-11-22 | 2017-04-19 | Tronic's Microsystems S.A. | Wafer level package with getter |
| CN103855105B (zh) | 2012-12-06 | 2017-04-26 | 财团法人工业技术研究院 | 环境敏感电子元件封装体及其制作方法 |
| US8939289B2 (en) * | 2012-12-14 | 2015-01-27 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | Packing box for liquid crystal display panel and waterproof structure thereof |
| TWI497655B (zh) * | 2012-12-14 | 2015-08-21 | Ind Tech Res Inst | 環境敏感電子元件封裝體及其製作方法 |
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-
2010
- 2010-07-29 TW TW099125118A patent/TWI443784B/zh active
- 2010-11-11 US US12/944,691 patent/US8624134B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20120024722A1 (en) | 2012-02-02 |
| US8624134B2 (en) | 2014-01-07 |
| TW201205733A (en) | 2012-02-01 |
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