KR20160025152A - 보호 구조물 및 보호 구조물을 포함하는 유기 발광 표시 장치 - Google Patents
보호 구조물 및 보호 구조물을 포함하는 유기 발광 표시 장치 Download PDFInfo
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Abstract
탄성력을 향상시키는 보호 구조물은 제1 탄성층, 제1 탄성층 상에 배치되고, 복수의 개구들을 포함하는 지지층 및 복수의 개구들을 채우며, 제1 탄성층과 합착되는 제2 탄성층을 포함할 수 있다. 이에 따라, 보호 구조물은 메쉬 구조를 갖는 지지층 및 지지층을 매립시키는 제1 및 제2 탄성층들을 구비함으로써, 탄성력이 상대적으로 증가될 수 있다.
Description
본 발명은 보호 구조물 및 보호 구조물을 구비하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 탄성층과 지지층을 포함하는 보호 구조물 및 이러한 보호 구조물을 구비하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
평판 표시 장치는 경량 및 박형 등의 특성으로 인하여, 음극선관 표시 장치를 대체하는 표시 장치로서 사용되고 있다. 이러한 평판 표시 장치의 대표적인 예로서 액정 표시 장치와 유기 발광 표시(OLED) 장치가 있다. 이들 중에서 유기 발광 표시 장치는 액정 표시 장치에 비하여 휘도 특성 및 시야각 특성이 우수하고 백라이트를 필요로 하지 않아 초박형으로 구현할 수 있다는 장점이 있다. 이러한 유기 발광 표시 장치는 유기 박막에 음극과 양극을 통하여 주입된 전자와 정공이 재결합하여 여기자를 형성하고, 상기 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생되는 현상을 이용한다.
최근 유기 발광 표시 장치에 유연성을 갖는 하부 기판 및 상부 기판을 구비하여, 유기 발광 표시 장치를 벤딩, 폴딩 또는 롤링할 수 있는 플렉서블 유기 발광 표시 장치가 개발되고 있다. 이러한 경우, 상기 하부 기판은 폴리이미드 기판 등을 사용할 수 있고, 상부 기판은 무기층 및 유기층을 교대로 적층할 수 있으며, 상기 하부 및 상부 기판들에 의해 유기 발광 표시 장치는 유연성을 가질 수 있다. 그러나, 종래의 플렉서블 유기 발광 표시 장치의 상부 및 하부 기판들은 원하는 높은 탄성력이나 높은 복원력을 가질 수 없고, 상기 플렉서블 유기 발광 표시 장치의 형태가 변형된 상태에서 원래의 상태로 복원되기 어려운 문제점이 있다.
본 발명의 일 목적은 지지층과 탄성층을 포함하여 기계적 강도를 유지하면서 탄성을 증가시킬 수 있는 보호 구조물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 지지층과 탄성층을 포함하여 기계적 강도를 유지하면서 탄성을 증가시킬 수 있는 보호 구조물을 구비하는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 상술한 목적들에 의해 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 보호 구조물은 제1 탄성층, 상기 제1 탄성층 상에 배치되고, 복수의 개구들을 포함하는 지지층 및 상기 복수의 개구들을 채우며, 상기 제1 탄성층과 합착되는 제2 탄성층을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 지지층은 금속 또는 플라스틱을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 탄성층 및 상기 제2 탄성층은 각기 탄성 재료를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 탄성층 및 상기 제2 탄성층은 동일한 물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 지지층은 플레이트 구조를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 지지층의 개구들은 각기 정사각형의 평면 형상, 직사각형의 평면 형상 또는 마름모의 평면 형상을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 지지층은 규칙적으로 교차되는 복수의 지지 라인들을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 지지 라인들은 각기 제1 두께 및 제1 폭을 가지고, 제1 방향을 따라 연장되며, 제1 간격으로 서로 이격되는 복수의 제1 지지 라인들 및 각기 제2 두께 및 제2 폭을 가지고, 상기 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 연장되며, 제2 간격으로 서로 이격되는 복수의 제2 지지 라인들을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 지지 라인들 상에 상기 제2 지지 라인들이 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 및 제2 지지 라인들에 의해 한정되는 복수의 개구들을 더 포함하고, 상기 개구들은 규칙적으로 배열되며, 상기 개구들은 각기 정사각형의 평면 형상, 직사각형의 평면 형상 또는 마름모의 평면 형상을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 지지층은 상기 제1 지지 라인들 및 상기 제2 지지 라인들의 단부들에 연결되고, 상기 제1 지지 라인들 및 상기 제2 지지 라인들을 둘러싸는 테두리 라인을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 지지층은 불규칙적으로 교차되는 복수의 지지 라인들을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 지지 라인들은 제3 두께 및 제3 폭을 가지고, 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 다른 제3 방향을 따라 연장되며, 제3 간격으로 서로 이격되는 복수의 제3 지지 라인들을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 지지 라인들은 제4 두께 및 제4 폭을 가지고, 상기 제3 방향과 직교하는 제4 방향을 따라 연장되며, 제4 간격으로 서로 이격되는 복수의 제4 지지 라인들을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 내지 제4 지지 라인들에 의해 한정되는 개구들을 더 포함하며, 상기 개구들은 불규칙하게 배열될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 내지 제4 지지 라인들의 두께들은 상기 제1 내지 제4 지지 라인들의 폭들 보다 작을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 개구들은 각기 삼각형의 평면 형상, 원의 평면 형상, 타원의 평면 형상 또는 트랙의 평면 형상 가질 수 있다.
전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 탄성층, 상기 제1 탄성층 상에 배치되고, 복수의 개구들을 포함하는 지지층, 그리고 상기 복수의 개구들을 채우며, 상기 제1 탄성층과 합착되는 제2 탄성층을 포함하는 보호 구조물, 상기 보호 구조물 상에 배치되는 기판, 상기 기판 상부에 배치되는 발광 구조물 및 상기 발광 구조물 상에 배치되는 봉지층을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 보호 구조물과 상기 기판 사이에 배치되는 접착 필름을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판 및 상기 봉지층은 유연성을 갖는 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 보호 구조물은 지지층과 탄성층을 포함하여 탄성력 또는 복원력을 증가시킬 수 있다.
본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 지지층과 탄성층을 포함하는 보호 구조물을 구비하여 탄성력 또는 복원력을 증가시킬 수 있다.
다만, 본 발명의 효과들이 상술한 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 보호 구조물을 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 보호 구조물을 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 1에 예시한 보호 구조물의 지지층을 설명하기 위한 사시도이다.
도 4는 도 3에 예시한 지지층의 다른 예를 설명하기 위한 사시도이다.
도 5는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 보호 구조물을 나타내는 단면도이다.
도 6은 도 5에 예시한 보호 구조물의 지지층을 설명하기 위한 사시도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 보호 구조물을 나타내는 사시도이다.
도 8은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 9a 내지 도 9h는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 보호 구조물을 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 1에 예시한 보호 구조물의 지지층을 설명하기 위한 사시도이다.
도 4는 도 3에 예시한 지지층의 다른 예를 설명하기 위한 사시도이다.
도 5는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 보호 구조물을 나타내는 단면도이다.
도 6은 도 5에 예시한 보호 구조물의 지지층을 설명하기 위한 사시도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 보호 구조물을 나타내는 사시도이다.
도 8은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 9a 내지 도 9h는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 보호 구조물, 보호 구조물을 구비하는 유기 발광 표시 장치 그리고 보호 구조물을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다. 첨부한 도면들에 있어서, 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 보호 구조물을 나타내는 단면도이고, 도 2는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 보호 구조물을 나타내는 평면도이다. 도 3은 도 1에 예시한 보호 구조물의 지지층을 설명하기 위한 사시도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 보호 구조물(100)은 제1 탄성층(elastic layer)(120), 지지층(supporting layer)(140) 및 제2 탄성층(125)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 지지층(140)은 제1 및 제2 탄성층들(120, 125) 사이에 개재될 수 있다. 예들 들면, 제1 및 제2 탄성층들(120, 125)은 지지층(140)을 실질적으로 둘러쌀 수 있으며, 이에 따라 지지층(140)은 제1 및 제2 탄성층들(120, 125) 사이에 매립될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 보호 구조물(100)의 지지층(140)은 실질적으로 플레이트 형상을 가질 수 있다. 이 경우, 지지층(140)은 복수의 개구들(145)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 지지층(140)의 개구들(145)은 행(row) 방향 또는 열(row) 방향을 따라 실질적으로 규칙적으로 배열될 수 있다. 도 1 내지 도 3에 예시한 각 개구(145)는 실질적으로 직사각형의 평면 형상을 가지지만, 지지층(140)의 개구들(145)의 형상에 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 지지층(140)의 개구들(145)은 각기 실질적으로 정사각형의 평면 형상, 실질적으로 마름모의 평면 형상, 실질적으로 원의 평면 형상, 실질적으로 타원의 평면 형상, 실질적으로 트랙의 평면 형상 등과 같이 다양한 평면 형상들을 가질 수 있다.
도 1에 예시한 바와 같이, 지지층(140)의 각 개구(145)는 제1 방향 및 상기 제1 방향에 실질적으로 직교하는 제2 방향을 따라 규칙적으로 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 방향에 실질적으로 직교하는 제3 방향을 따라 제1 폭(W1)을 가질 수 있고, 상기 제3 방향에 실질적으로 직교하는 제2 방향을 따라 제2 폭(W2)을 가질 수 있다. 예를 들면, 지지층(140)의 각 개구(145)는 상기 열 방향 및 상기 행 방향을 따라 다른 폭들을 가질 수 있다. 또한, 인접하는 개구들(145)은 소정의 간격(DS)으로 이격될 수 있다. 인접하는 개구들(145) 사이의 간격(DS)은 개구(145)의 제1 폭(W1) 및/또는 개구(145)의 제2 폭(W2)과 다를 수 있다. 예를 들면, 인접하는 개구들(145) 사이의 간격(DS)은 제1 폭(W1) 및/또는 제2 폭(W2) 보다 실질적으로 작을 수 있다. 그러나, 인접하는 개구들(145) 사이의 간격(DS)은 각 개구(145)의 형상에 따라 증가하거나 감소할 수 있다.
도 2에 예시한 바와 같이, 지지층(140)은 제1 및 제2 탄성층들(120, 125) 내에 위치할 수 있다. 이 경우, 지지층(140)의 복수의 개구들(145)은 제1 및 제2 탄성층들(120, 125)에 의해 채워질 수 있다. 예를 들면, 진공 상태에서 개구들(145)을 제1 및 제2 탄성층들(120, 125)로 채워 개구들(145)에 실질적으로 공기가 잔류하지 않을 수 있다. 지지층(140)은 실질적으로 메쉬 구조(mesh structure)를 가질 수 있다. 예를 들어, 마스크를 이용한 에칭을 통해 예비 금속판에 개구들(145)을 위치시킬 수 있고, 개구들(145)을 포함한 상기 금속판은 예시적인 실시예들에 따른 지지층(140)에 해당될 수 있다. 이에 따라, 보호 구조물(100)은 상기 메쉬 구조를 갖는 지지층(140) 및 지지층(140)을 매립시키는 제1 및 제2 탄성층들(120, 125)을 구비함으로써, 탄성력 또는 복원력이 상대적으로 증가될 수 있다.
지지층(140)은 상대적으로 큰 탄성력 또는 상대적으로 큰 복원력을 가지는 금속 또는 지지 플라스틱 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 지지층(140)은 니켈-티타늄(Ni-Ti), 니켈-알루미늄(Ni-Al), 구리-아연-니켈(Cu-Zn-Ni), 구리-알루미늄-니켈(Cu-Al-Ni), 구리-알루미늄-망간(Cu-Al-Mn), 티타늄-니켈-구리-몰리브덴(Ti-Ni-Cu-Mo), 코발트-니켈-갈륨:철(Co-Ni-Ga:Fe), 은-니켈(Ag-Ni), 금-카드뮴(Au-Cd), 철-백금(Fe-Pt), 철-니켈(Fe-Ni), 인듐-카드뮴(In-Cd) 등과 같은 합금(예를 들어, 초탄성 금속)을 포함할 수 있다. 선택적으로는, 지지층(140)은 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 지지층(140) 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 탄성층들(120, 125)은 상대적으로 큰 탄성력 또는 상대적으로 큰 복원력을 가지는 탄성 중합체(elastomer)로 구성될 수 있다. 예를 들면, 제1 및 제2 탄성층들(120, 125)은 실리콘, 우레탄, 열가소성 폴리우레탄(Thermoplastic poly urethane TPU) 등과 같은 탄성 재료를 포함할 수 있다. 제1 탄성층(120) 및 제2 탄성층(125)이 동일 물질을 포함하는 경우, 제1 및 제2 탄성층들(110, 130)은 실질적으로 일체로 구성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 도 3에 도시된 지지층(140)이 양면 접착 필름(pressure sensitive adhesive PSA)에 의해 유기 발광 표시 장치의 하부 기판과 직접적으로 접착되는 경우, 지지층(140)과 상기 하부 기판은 다른 재질을 갖기 때문에 접착되지 않을 수 있다(예를 들어, 상기 양면 접착 필름과 제1 및 제2 탄성층들(120, 125)은 동일한 재질을 포함한다). 또한, 상기 하부 기판의 두께는 지지층(140)의 두께 보다 상대적으로 얇기 때문에 상기 하부 기판의 내부에 지지층(140)이 실질적으로 매립될 수 없다. 다만, 상기 하부 기판의 두께를 증가하여 지지층(140)을 상기 하부 기판에 매립시키는 경우, 상기 하부 기판 상에 발광 구조물을 형성시키는 과정 동안 상기 하부 기판 내부에 매립된 지지층(140)에 의해 문제점이 발생될 수도 있다. 따라서, 상기 하부 기판 상에 상기 발광 구조물을 형성한 후, 제1 및 제2 탄성층들(120, 125)에 매립된 지지층(140)을 포함하는 보호 구조물(100)이 상기 하부 기판의 하면에 상기 양면 접착 필름에 의해 접착되어야 한다.
도 4는 도 3에 예시한 지지층의 다른 예를 설명하기 위한 사시도이다. 도 4에 예시한 지지층(235)은 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 지지층(140)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 4에 있어서, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 4를 참조하면, 보호 구조물은 지지층(235) 및 탄성층을 포함할 수 있다. 여기서, 지지층(235)은 복수의 지지 라인들을 포함할 수 있다. 상기 지지 라인들은 복수의 개구들(245)을 한정할 수 있다. 다시 말하면, 지지층(235)은 인접하는 두 지지 라인들 사이에 하나의 개구(245)가 배치되는 구성을 가질 수 있다. 상기 복수의 지지 라인들은 복수의 제1 지지 라인들(235a) 및 복수의 제2 지지 라인들(235b)을 포함할 수 있다. 제1 지지 라인들(235a)은 각기 제1 두께(T1) 및 제1 폭(W1)을 가질 수 있으며, 제1 방향(예를 들면, 열(column) 방향)을 따라 연장될 수 있다. 인접하는 제1 지지 라인들(235a)은 제1 간격(DS1)으로 이격될 수 있으며, 실질적으로 서로 평행하게 배열될 수 있다. 제2 지지 라인들(235b)은 각기 제2 두께(T2) 및 제2 폭(W2)을 가질 수 있고, 상기 제1 방향에 실질적으로 직교하는 제2 방향(예를 들면, 행(row) 방향)을 따라 연장될 수 있다. 인접하는 제2 지지 라인들(235b)은 제2 간격(DS2)으로 이격될 수 있고, 실질적으로 서로 평행하게 배열될 수 있다. 제1 지지 라인들(235a) 상에 제2 지지 라인들(235b)이 배치될 수 있다. 또한, 제1 지지 라인들(235a)과 제2 지지 라인들(235b)은 서로 교차되게 배열될 수 있다. 이에 따라, 제1 지지 라인들(235a)과 제2 지지 라인들(235b)을 포함하는 지지층(235)은 실질적으로 메쉬 구조를 가질 수 있다.
테두리 라인(220)은 제1 지지 라인들(235a) 및 제2 지지 라인들(235b)의 단부들과 연결될 수 있다. 상기 단부들은 실질적으로 테두리 라인(220) 상에 배치될 수 있다. 테두리 라인(220)은 실질적으로 직사각형의 평면 형상 또는 정사각형의 평면 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 테두리 라인(220)이 배치된 후, 테두리 라인(220)과 제1 지지 라인들(235a)의 단부들이 연결(예를 들어, 진공 상태에서 압착)되도록 배치될 수 있다. 이어서, 제2 지지 라인들(235b)은, 테두리 라인(220)과 제2 지지 라인들(235b)의 단부들이 연결되도록 배치될 수 있다. 이러한 경우, 제1 지지 라인들(235a) 및 제2 지지 라인들(235b)은 서로 교차될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 지지 라인들(235a)의 제1 두께(T1)와 제2 지지 라인들(235b)의 제2 두께(T2)는 실질적으로 동일할 수 있다. 또한, 제1 지지 라인들(235a)의 제1 폭(W1)과 제2 지지 라인들(235b)의 제2 폭(W2)은 실질적으로 동일할 수 있다. 더욱이, 인접하는 제1 지지 라인들(235a) 사이의 제1 간격(DS1)과 인접하는 제2 지지 라인들(235b) 사이의 제2 간격(DS2)은 실질적으로 동일할 수 있다. 인접하는 제1 지지 라인들(235a) 사이의 제1 간격(DS1) 및 인접하는 제2 지지 라인들(235b) 사이의 제2 간격(DS2)에 따라 지지층(235)의 개구들(245)의 크기가 조절될 수 있다(예를 들어, 개구(245)의 형상이 변화될 수 있다). 예를 들어, 제1 간격(DS1)이 제2 간격(DS2)과 실질적으로 동일한 경우, 개구(245)는 실질적으로 정사각형의 평면 형상을 가질 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 지지 라인들(235a) 사이의 제1 간격(DS1)과 제2 지지 라인들(235b) 사이의 제2 간격(DS2)이 다를 경우, 개구(245)는 실질적으로 직사각형의 평면 형상을 가질 수 있다.
다시 말하면, 제1 지지 라인들(235a)의 제1 두께(T1)와 제1 폭(W1), 제1 간격(DS1), 제2 지지 라인들(235b)의 제2 두께(T2)와 제2 폭(W2), 그리고 제2 간격(DS2)에 따라 지지층(235)의 탄성력 또는 복원력이 조절될 수 있다. 예를 들어, 탄성층의 두께에 따라 지지층(235)의 두께는 결정될 수 있고, 지지층(235)의 상기 두께는 상기 탄성층의 두께 보다 상대적으로 작을 수 있다. 즉, 지지층(235)은 상기 탄성층 내에 매립될 수 있다. 전술한 메쉬(예를 들어, 격자) 구조를 갖는 지지층(235)이 상기 탄성층에 매립될 경우, 보호 구조물의 탄성력 또는 복원력을 증가시킬 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 보호 구조물을 나타내는 단면도이고, 도 6은 도 5에 예시한 보호 구조물의 지지층을 설명하기 위한 사시도이다. 도 5 및 도 6에 예시한 지지층(640)은 제1 지지 라인들(640a) 및 제2 지지 라인들(640b)의 위치 관계를 제외하면, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 지지층(140)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 5 및 도 6에 있어서, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 보호 구조물(600)은 지지층(640) 및 탄성층(620)을 포함할 수 있다. 여기서, 지지층(640)은 복수의 지지 라인들을 포함할 수 있다. 상기 지지 라인들은 복수의 개구들(645)을 한정할 수 있다. 즉, 지지층(640)은 인접하는 두 지지 라인들 사이에 하나의 개구(645)가 배치될 수 있다. 상기 복수의 지지 라인들은 복수의 제1 지지 라인들(640a) 및 복수의 제2 지지 라인들(640b)이 배치되는 구성을 가질 수 있다. 제1 지지 라인들(640a)은 각기 제1 두께 및 제1 폭을 가질 수 있으며, 제1 방향을 따라 연장될 수 있다. 인접하는 제1 지지 라인들(640a)은 제1 간격으로 이격될 수 있으며, 실질적으로 서로 평행하게 배열될 수 있다. 제2 지지 라인들(640b)은 각기 제2 두께 및 제2 폭을 가질 수 있고, 상기 제1 방향에 실질적으로 직교하는 제2 방향을 따라 연장될 수 있다. 인접하는 제2 지지 라인들(640b)은 제2 간격으로 이격될 수 있고, 실질적으로 서로 평행하게 배열될 수 있다.
제1 지지 라인들(640a) 및 제2 지지 라인들(640b)은 실질적으로 다른 레벨에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 지지 라인들(640a) 상에 제2 지지 라인들(640b)이 배치될 수 있다. 또한, 제1 지지 라인들(640a)과 제2 지지 라인들(640b)은 서로 교차되게 배열될 수 있다. 이에 따라, 제1 지지 라인들(640a)과 제2 지지 라인들(640b)을 포함하는 지지층(640)은 실질적으로 메쉬 구조를 가질 수 있다. 지지층(640)은 상대적으로 큰 탄성력 또는 큰 복원력을 가지는 초탄성 금속을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 지지층(640)은 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
도 6에 예시한 바와 같이, 인접하는 제1 지지 라인들(640a) 사이의 제1 간격 및 인접하는 제2 지지 라인들(640b) 사이의 제2 간격에 따라 지지층(640)의 개구들(645)의 크기가 조절될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 지지 라인들(640a)의 제1 두께와 제1 폭, 상기 제1 간격, 제2 지지 라인들(640b)의 제2 두께와 제2 폭, 그리고 상기 제2 간격에 따라 지지층(640)의 탄성력 또는 복원력이 조절될 수 있다. 예를 들어, 탄성층(620)의 두께에 따라 지지층(640)의 두께는 결정될 수 있고, 지지층(640)의 두께는 탄성층(620)의 두께 보다 상대적으로 작을 수 있다. 즉, 지지층(640)은 탄성층(620) 내에 매립될 수 있다.
탄성층(620)은 지지층(640)을 매립시킬 수 있다. 즉, 탄성층(620)은 지지층(140)을 실질적으로 둘러쌀 수 있다. 탄성층(620)은 상대적으로 큰 탄성력 또는 큰 복원력을 가지는 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 탄성층(620)은 실리콘, 우레탄, 열가소성 폴리우레탄 등을 포함할 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 보호 구조물을 나타내는 사시도이다. 도 7에 예시한 지지층(740)은 제3 지지 라인들(740c) 및 제4 지지 라인들(740d)이 추가되는 것을 제외하면, 도 5 및 도 6을 참조하여 설명한 지지층(640)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 7에 있어서, 도 5 및 도 6을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 7을 참조하면, 보호 구조물은 지지층(740) 및 탄성층을 포함할 수 있다. 여기서, 지지층(740)은 복수의 지지 라인들을 포함할 수 있다. 상기 복수의 지지 라인들은 복수의 제1 지지 라인들(740a), 복수의 제2 지지 라인들(740b), 복수의 제3 지지 라인들(740c) 및 복수의 제4 지지 라인들(740d)을 포함할 수 있다. 제1 지지 라인들(740a)은 각기 제1 두께 및 제1 폭을 가질 수 있으며, 제1 방향을 따라 연장될 수 있다. 인접하는 제1 지지 라인들(740a)은 제1 간격으로 이격될 수 있으며, 실질적으로 서로 평행하게 배열될 수 있다. 제2 지지 라인들(740b)은 각기 제2 두께 및 제2 폭을 가질 수 있고, 상기 제1 방향에 실질적으로 직교하는 제2 방향을 따라 연장될 수 있다. 인접하는 제2 지지 라인들(740b)은 제2 간격으로 이격될 수 있고, 실질적으로 서로 평행하게 배열될 수 있다. 제3 지지 라인들(740c)은 각기 제3 두께 및 제3 폭을 가질 수 있고, 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 다른 제3 방향(예를 들어, 상기 제1 방향으로부터 대략 30도 내지 60도 사이의 기울기를 가질 수 있다)을 따라 연장될 수 있다. 인접하는 제3 지지 라인들(740c)은 제3 간격으로 이격될 수 있고, 실질적으로 서로 평행하게 배열될 수 있다. 제4 지지 라인들(740d)은 각기 제4 두께 및 제4 폭을 가질 수 있고, 상기 제3 방향에 실질적으로 직교하는 제4 방향을 따라 연장될 수 있다. 인접하는 제4 지지 라인들(740d)은 제4 간격으로 이격될 수 있고, 실질적으로 서로 평행하게 배열될 수 있다.
제1 지지 라인들(740a) 내지 제4 지지 라인들(740d)은 실질적으로 다른 레벨에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 지지 라인들(740a) 상에 제2 지지 라인들(740b)이 배치될 수 있고, 제2 지지 라인들(740b) 상에 제3 지지 라인들(740c)이 배치될 수 있으며, 제3 지지 라인들(740c) 상에 제4 지지 라인들(740d)이 배치될 수 있다. 또한, 제1 지지 라인들(740a) 내지 제4 지지 라인들(740d)은 서로 교차되게 배열될 수 있다. 이에 따라, 제1 지지 라인들(740a) 내지 제4 지지 라인들(740d)을 포함하는 지지층(740)은 실질적으로 메쉬 구조 상에 또 다른 메쉬 구조를 가질 수 있다. 지지층(740)은 상대적으로 큰 탄성력 또는 큰 복원력을 가지는 초탄성 금속을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 탄성층의 두께에 따라 지지층(740)의 두께는 결정될 수 있고, 지지층(740)의 두께는 상기 탄성층의 두께 보다 상대적으로 작을 수 있다. 즉, 지지층(740)은 상기 탄성층 내에 매립될 수 있다.
도 8은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 8을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(400)는, 기판(110), 보호 구조물(100), 양면 접착 필름(115), 발광구조물, 봉지층(500) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 발광 구조물은 버퍼층(130), 구동 트랜지스터(320), 스위칭 트랜지스터(340), 스토리지 커패시터(240), 제1 절연층(170), 제2 절연층(210), 평탄화층(250), 전원 전극(280), 제3 절연층(330), 제1 전극(350), 발광층(390), 화소 정의막(370), 제2 전극(410) 등을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 표시 장치(400)는 화소 영역(I)과 화소 영역(I)을 둘러싸는 주변 영역(II)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 전극(350), 발광층(390) 및 제2 전극(410)은 화소 영역(I)에 배치될 수 있고, 구동 트랜지스터(320), 스위칭 트랜지스터(340), 스토리지 커패시터(240), 전원 전극(280), 제3 절연층(330) 및 화소 정의막(370)은 주변 영역(II)에 배치될 수 있다. 보호 구조물(100)은 화소 영역(I)과 주변 영역(II) 모두에 배치될 수 있다. 예를 들어, 보호 구조물(100)은 제1 탄성층(120), 제2 탄성층(125) 및 지지층(140)을 포함할 수 있고, 유기 발광 표시 장치(400)와 결합되어 탄성력 또는 복원력을 증가시킬 수 있고, 이에 따라 유기 발광 표시 장치(400)는 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치로 기능할 수 있다.
기판(110)은 투명 무기 물질 또는 플렉서블 플라스틱으로 구성될 수 있다. 유기 발광 표시 장치(400)가 화소 영역(I) 및 주변 영역(II)을 포함함에 따라, 기판(110)도 화소 영역(II)과 주변 영역(II)으로 구분될 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 유리 기판, 석영(quartz) 기판 등으로 구성될 수 있지만, 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수도 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 기판(110)은 투명 수지 기판일 수 있다. 기판(110)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 예를 들면, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층, 제2 폴리이미드층 등으로 구성될 수 있다. 선택적으로는, 기판(110)은 유리 기판 상에 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층 및 제2 폴리이미드층이 적층된 구성을 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 제2 폴리이미드층 상에 절연층을 배치한 후, 상기 절연층 상에 발광 구조물(예를 들어, 구동 트랜지스터(320), 스위칭 트랜지스터(340), 스토리지 커패시터(240), 전원 전극(280), 제1 전극(350), 발광층(390), 제2 전극(410) 등)을 배치할 수 있다. 이러한 상부 구조물의 형성 후, 상기 유리 기판은 제거될 수 있다. 상기 폴리이미드 기판은 얇으면서 가요성을 가지기 때문에, 상기 폴리이미드 기판 상에 상기 상부 구조물들을 직접 형성하기 어려울 수 있다. 이러한 점을 고려하여, 경질의 유리 기판을 이용하여 상기 상부 구조물들을 형성한 다음, 상기 유리 기판을 제거함으로써, 상기 폴리이미드 기판을 기판(110)으로 이용할 수 있다.
보호 구조물(100)은 제1 탄성층(120), 지지층(140) 및 제2 탄성층(125)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 지지층(140)은 제1 및 제2 탄성층들(120, 125) 사이에 개재되는 구성을 가질 수 있다. 예들 들면, 제1 및 제2 탄성층들(120, 125)은 지지층(140)을 실질적으로 둘러쌀 수 있으며, 이에 따라 지지층(140)은 제1 및 제2 탄성층들(120, 125) 사이에 매립될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 보호 구조물(100)의 지지층(140)은 실질적으로 플레이트 형상일 수 있다. 이 경우, 지지층(140)은 복수의 개구들을 포함할 수 있다. 예를 들면, 지지층(140)의 상기 개구들은 행 방향 또는 열 방향을 따라 실질적으로 규칙적으로 배열로 구성될 수 있다. 상기 개구는 실질적으로 직사각형의 평면 형상을 포함할 수 있지만, 지지층(140)의 상기 개구들의 형상에 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 지지층(140)의 상기 개구들은 각기 실질적으로 정사각형의 평면 형상, 실질적으로 마름모의 평면 형상, 실질적으로 원의 평면 형상, 실질적으로 타원의 평면 형상, 실질적으로 트랙의 평면 형상 등과 같이 다양한 평면 형상들을 포함할 수 있다.
지지층(140)은 제1 및 제2 탄성층들(120, 125) 내에 배치될 수 있다. 이 경우, 지지층(140)의 상기 복수의 개구들은 제1 및 제2 탄성층들(120, 125)에 의해 채워질 수 있다. 예를 들면, 진공 상태에서 상기 개구들을 제1 및 제2 탄성층들(120, 125)로 채워 상기 개구들에 실질적으로 공기가 잔류하지 않을 수 있다. 지지층(140)은 실질적으로 메쉬 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 마스크를 이용한 에칭을 통해 예비 금속판에 상기 개구들을 위치시킬 수 있고, 상기 개구들을 포함한 상기 금속판은 예시적인 실시예들에 따른 지지층(140)에 해당될 수 있다. 이에 따라, 보호 구조물(100)은 상기 메쉬 구조를 갖는 지지층(140) 및 지지층(140)을 매립시키는 제1 및 제2 탄성층들(120, 125)을 구비함으로써, 탄성력 또는 복원력이 상대적으로 증가될 수 있다.
지지층(140)은 상대적으로 큰 탄성력 또는 상대적으로 큰 복원력을 가지는 금속 또는 지지 플라스틱 등으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 지지층(140)은 니켈-티타늄, 니켈-알루미늄, 구리-아연-니켈, 구리-알루미늄-니켈, 구리-알루미늄-망간, 티타늄-니켈-구리-몰리브덴, 코발트-니켈-갈륨:철, 은-니켈, 금-카드뮴, 철-백금, 철-니켈, 인듐-카드뮴 등과 같은 합금으로 구성될 수 있다. 선택적으로는, 지지층(140)은 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 지지층(140) 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물, 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등으로 구성될 수 있다. 또한, 제1 및 제2 탄성층들(120, 125)은 상대적으로 큰 탄성력 또는 상대적으로 큰 복원력을 가지는 탄성 중합체를 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 및 제2 탄성층들(120, 125)은 실리콘, 우레탄, 열가소성 폴리우레탄 등과 같은 탄성 재료로 구성될 수 있다. 제1 탄성층(120) 및 제2 탄성층(125)이 동일 물질을 포함하는 경우, 제1 및 제2 탄성층들(110, 130)은 실질적으로 일체로 구성될 수 있다.
보호 구조물(100)과 기판(110) 사이에 양면 접착 필름(115)이 배치될 수 있다. 양면 접착 필름(115)은 기판(110)과 보호 구조물(100)을 접착시킬 수 있다. 예를 들어, 양면 접착 필름(115)은 우레탄 계열, 아크릴 계열, 실리콘 계열의 재료 등으로 이루어 질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 양면 접착 필름(115)은 제1 탄성층(120) 및 제2 탄성층(125)과 동일한 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 지지층(140)이 양면 접착 필름(115)에 의해 유기 발광 표시 장치(400)의 기판(110)과 직접적으로 접착되는 경우, 지지층(140)과 기판(110)은 다른 재질을 갖기 때문에 접착되지 않을 수 있다. 또한, 기판(110)의 두께는 지지층(140)의 두께 보다 상대적으로 얇기 때문에 기판(110)의 내부에 지지층(140)이 실질적으로 매립될 수 없다. 다만, 기판(110)의 두께를 증가하여 지지층(140)을 기판(110)에 매립시키는 경우, 기판(110) 상에 상기 발광 구조물을 형성시키는 과정 동안 기판(110) 내부에 매립된 지지층(140)에 의해 문제점이 발생될 수도 있다. 따라서, 기판(110) 상에 상기 발광 구조물을 형성한 후, 제1 및 제2 탄성층들(120, 125)에 매립된 지지층(140)을 포함하는 보호 구조물(100)이 상기 하부 기판의 하면에 양면 접착 필름(115)에 의해 접착될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 보호 구조물(100)의 지지층(140)이 전술한 메쉬(예를 들어, 격자) 구조를 가지고, 제1 탄성층(120) 및 제2 탄성층(125)에 의해 상기 메쉬 구조가 매립될 경우, 보호 구조물(100)을 포함하는 유기 발광 표시 장치(400) 의 탄성력 또는 복원력을 증가시킬 수 있다.
기판(110) 및 봉지층(500)이 플렉서블 물질을 포함할 경우, 지지층(140), 제1 탄성층(120) 및 제2 탄성층(125)을 포함하는 보호 구조물(100)을 구비하는 유기 발광 표시 장치(400)는 플렉서블 디스플레이 장치로 기능을 할 수 있고, 유기 발광 표시 장치(400)는 상대적으로 탄성력 또는 복원력이 향상될 수 있다.
기판(110) 상에는 버퍼층(130)이 배치될 수 있다. 버퍼층(130)은 기판(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산(예를 들면, 아웃 개싱)되는 현상을 방지할 수 있으며, 제1 액티브 패턴(150) 및 제2 액티브 패턴(160)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 제1 및 제2 액티브 패턴들(150, 160)을 수득하게 할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(130)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물 등으로 구성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 기판(110)의 구성 물질이나 타입에 따라 둘 이상의 버퍼층들이 제공될 수 있거나, 버퍼층이 배치되지 않을 수도 있다.
구동 트랜지스터(320)는 버퍼층(130) 상에 배치될 수 있다. 구동 트랜지스터(320)는 제1 액티브 패턴(150), 제1 절연층(170), 제1 게이트 전극(180), 제2 절연층(210), 평탄화층(250), 제1 소스 전극, 제1 드레인 전극(290) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 소스 전극은 전원 전극(280)과 연결될 수 있고, 고전원 전압(ELVDD)이 인가될 수 있다. 예를 들어, 유기 발광 표시 장치(400)는 전원 전극(280) 및 저전원 전극(도시되지 않음)을 포함할 수 있고, 전원 전극(280)을 통해 고전원 전압(ELVDD)이 제공되고, 상기 저전원 전극을 통해 저전원 전압(ELVSS)이 제공될 수 있다.
스위칭 트랜지스터(340)는 버퍼층(130) 상에 배치될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(340)는 제2 액티브 패턴(160), 제1 절연층(170), 제2 게이트 전극(190), 제2 절연층(210), 평탄화층(250), 제1 소스 전극(300), 제2 드레인 전극(310) 등을 포함할 수 있다.
스토리지 커패시터(240)는 제1 절연층(170) 상에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 스토리지 커패시터(240)는 제1 커패시터 전극(200), 제2 절연층(210), 제2 커패시터 전극(230) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 제2 커패시터 전극(230)은 전원 전극(280)과 연결될 수 있고, 고전원 전압(ELVDD)이 인가될 수 있다.
상기 구동 트랜지스터(320) 및 스위칭 트랜지스터(340)는 화소 영역(II)에 위치할 수 있다. 이러한 구동 트랜지스터(320) 및 스위칭 트랜지스터(340)에 있어서, 제1 및 제2 액티브 패턴들(150, 160)은 서로 소정의 간격으로 이격되어 버퍼층(130)의 화소 영역(II) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 액티브 패턴들(150, 160)은 각기 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들어, 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(poly silicon)) 또는 유기물 반도체 등을 포함할 수 있다.
제1 절연층(170)은 버퍼층(130) 상에 배치될 수 있고, 제1 절연층(170)은 제1 및 제2 액티브 패턴들(150, 160)을 커버하며 화소 영역(I)까지 연장될 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(170)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 제1 절연층(170)은 실리콘 산화물로 이루어질 수 있다. 선택적으로는, 제1 절연층(170)과 버퍼층(130)은 실질적으로 동일한 물질로 구성될 수 있다.
제1 게이트 전극(180)은 제1 절연층(170) 중에서 하부에 제1 액티브 패턴(150)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있고, 제2 게이트 전극(190)은 제1 절연층(170) 중에서 하부에 제2 액티브 패턴(160)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 제1 게이트 전극(180) 및 제2 게이트 전극(190)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 구성될 수 있다.
제1 커패시터 전극(200)은 제1 절연층(170) 상에서 제1 게이트 전극(180)과 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 커패시터 전극(200)은 제1 게이트 전극(180) 및 제2 게이트 전극(190)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 선택적으로는, 제1 커패시터 전극(200)은 제1 게이트 전극(180) 및 제2 게이트 전극(190)과 다른 물질을 포함할 수 있다.
제2 절연층(210)은 제1 절연층(170), 제1 커패시터 전극(200), 제1 게이트 전극(180) 및 제2 게이트 전극(190) 상에 배치되고, 제2 절연층(210)은 제1 커패시터 전극(200), 제1 게이트 전극(180)및 제2 게이트 전극(190)을 커버하며, 화소 영역(I)까지 연장될 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(210)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 제2 절연층(210)은 실리콘 산화물로 이루어질 수 있다. 선택적으로는, 제2 절연층(210), 버퍼층(130) 및 제1 절연층(170)은 실질적으로 동일한 물질로 구성될 수 있다.
제2 커패시터 전극(230)은 제2 절연층(210) 중에서 하부에 제1 커패시터 전극(200)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 제2 커패시터 전극(230)은 제1 게이트 전극(180), 제2 게이트 전극(190) 및 제1 커패시터 전극(200)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 선택적으로는, 제2 커패시터 전극(230)은 제1 게이트 전극(180), 제2 게이트 전극(190) 및 제1 커패시터 전극(200)과 다른 물질을 포함할 수 있다.
평탄화층(250)은 제2 절연층(210) 및 제2 커패시터 전극(230) 상에 배치되고, 평탄화층(250)은 제2 커패시터 전극(230)을 커버하며, 화소 영역(I)까지 연장될 수 있다. 예를 들어, 평탄화층(250)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 평탄화층(250)은 실리콘 산화물로 이루어질 수 있다. 선택적으로는, 평탄화층(250), 제2 절연층(210), 버퍼층(130) 및 제1 절연층(170)은 실질적으로 동일한 물질로 구성될 수 있다. 또한, 평탄화층(250)의 두께는 제2 절연층(210)의 두께보다 실질적으로 클 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(250)은 버퍼층(130), 제1 절연층(170) 및 제2 절연층(210) 보다 실질적으로 큰 두께를 가질 수 있다. 따라서, 전원 전극(280)과 제2 커패시터 전극(230) 사이에 발생될 수 있는 커플링 현상을 완화시킬 수 있다.
평탄화층(250)의 화소 영역(II) 상에는 제1 전극(350)의 일부, 발광층(390), 제2 전극(410)의 일부, 화소 정의막(370)의 일부, 봉지층(500)의 일부가 배치될 수 있고, 주변 영역(II) 상에는 전원 전극(280), 구동 트랜지스터(320)의 상기 제1 소스 전극, 구동 트랜지스터(320)의 제1 드레인 전극(290), 스위칭 트랜지스터(340)의 제1 소스 전극(300), 스위칭 트랜지스터(340)의 제2 드레인 전극(310), 제3 절연층(330), 화소 정의막(370)의 일부, 제1 전극(350)의 일부, 제2 전극(410)의 일부, 봉지층(500)의 일부가 배치될 수 있다.
구동 트랜지스터(320)의 상기 제1 소스 전극 및 구동 트랜지스터(320)의 제1 드레인 전극(290)은 평탄화층(250), 제2 절연층(210) 및 제1 절연층(170)의 일부들을 관통하여 제1 액티브 패턴(150)에 접속될 수 있다. 구동 트랜지스터(320)의 상기 제1 소스 전극 및 구동 트랜지스터(320)의 제1 드레인 전극(290)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
스위칭 트랜지스터(340)의 제1 소스 전극(300) 및 스위칭 트랜지스터(340)의 제2 드레인 전극(310)은 평탄화층(250), 제2 절연층(210) 및 제1 절연층(170)의 일부들을 관통하여 제2 액티브 패턴(160)에 접속될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(340)의 제1 소스 전극(300) 및 스위칭 트랜지스터(340)의 제2 드레인 전극(310)은 각기 구동 트랜지스터(320)의 상기 제1 소스 전극 및 구동 트랜지스터(320)의 제1 드레인 전극(290)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다.
전원 전극(280)은 콘택 홀을 통해 제2 커패시터 전극(230) 및 제1 액티브 패턴(150)과 전기적으로 연결될 수 있고, 전원 전극(280)에 인가된 고 전원 전압(ELVDD)이 상기 제2 커패시터 전극(230) 및 제1 액티브 패턴(150)으로 제공될 수 있다. 전원 전극(280)은 제1 드레인 전극(290), 제1 소스 전극(300) 및 제2 드레인 전극(310)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제3 절연층(330)은 상기 제1 소스 전극, 제1 드레인 전극(290), 제1 소스 전극(300) 및 제2 드레인 전극(310)을 커버할 수 있고, 제3 절연층(330)은 제1 개구(380) 및 제2 개구(450)를 포함할 수 있다. 제3 절연층(330)의 제1 개구(380)는 화소 영역(I)에 배치될 수 있고, 제3 절연층(330)의 제2 개구(450)는 주변 영역(II)에 배치될 수 있다. 제3 절연층(330)의 제1 개구(380) 상에는 제1 전극(350)의 일부가 배치될 수 있고, 제1 개구(380)에 배치된 제1 전극(350)은 주변 영역(II)으로 연장되며, 제3 절연층(330)의 제2 개구(450) 상에 배치되고, 전원 전극(280)의 일부와 제2 개구(450)를 통해 접속될 수 있다. 제3 절연층(330)은 무기 물질 또는 유기 물질을 포함할 수 있다.
제1 전극(350)은 화소 영역(II)에서 제3 절연층(330)의 제1 개구(380) 상에 배치되고, 주변 영역(II)으로 연장되며, 제3 절연층(330)의 제2 개구(450) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(350)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
발광층(390)은 제1 전극(350) 상에 배치될 수 있다. 발광층(390)은 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 선택적으로는, 발광층(390)은 적색광, 녹색광, 청색광 등과 같은 상이한 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들이 적층되어 백색광을 발광할 수도 있다.
화소 정의막(370)은 발광층(390)의 일부, 제1 전극(350)의 일부, 제3 절연층(330)의 일부 상에 배치될 수 있다. 화소 영역(I)에서 제1 전극(350)과 제2 전극(410) 사이에 개재된 화소 정의막(370)은 제1 전극(350)과 제2 전극(410)을 전기적으로 절연시키는 역할을 할 수 있다. 화소 정의막(370)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로는, 화소 정의막(370)과 제3 절연층(330)은 실질적으로 동일한 물질로 구성될 수 있다.
제2 전극(410)은 화소 정의막(370) 및 발광층(390) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(410)이 화소 정의막(370) 및 발광층(390)의 프로파일을 따라 실질적으로 균일한 두께로 형성될 수 있다. 즉, 제2 전극(410)은 화소 영역(I) 및 주변 영역(II)에 전체적으로 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 전극(410)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
봉지층(500)은 제2 전극(410) 상에 배치될 수 있다. 봉지층(500)은 투명 무기 물질 또는 플렉서블 플라스틱으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 봉지층(500)은 경질의 유리 기판, 석영 기판 등을 포함할 수 있다. 또한, 봉지층(500)은 연성을 갖는 투명 수지 기판을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 유기 발광 표시 장치(400)의 가요성을 향상시키기 위하여 적어도 하나의 유기층 및 적어도 하나의 무기층이 교대로 적층되는 구조를 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 봉지층(500)은 제1 무기층(430), 제1 유기층(450), 제2 무기층(470) 및 제2 유기층(490)을 포함할 수 있다. 제1 무기층(430)은 제2 전극(410)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 제1 무기층(430)은 상기 발광 구조물을 보호할 수 있다. 예를 들어, 발광층(390)으로의 수분 침투를 차단할 수 있다. 제1 유기층(450)은 제1 무기층(430) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 유기층(450)은 스크린 인쇄 방식(screen printing)을 사용하여 배치될 수 있다. 또한, 제1 유기층(450)을 배치함으로써, 최상면이 평탄화될 수 있다. 제2 무기층(470)은 제1 유기층(450) 상에 배치될 수 있다. 제2 무기층(470)은 제1 유기층(450)을 포함한 상기 발광 구조물에 수분이 침투되는 것을 차단할 수 있다. 제2 유기층(490)은 제2 무기층(470) 상에 배치될 수 있다. 제2 유기층(490)이 배치됨으로써, 박막 봉지(thin film encapsulation TFE)는 완료될 수 있다. 제1 무기층(430) 및 제2 무기층(470)은 무기 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 무기층(430) 및 제2 무기층(470)은 각기 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy), 알루미늄 산화물(AlOx), 알루미늄 질화물(AlNx), 티타늄 산화물(TiOx), 아연 산화물(ZnOx) 등으로 이루어질 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 제1 유기층(450) 및 제2 유기층(490)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 유기층(450) 및 제2 유기층(490)은 각기 포토레지스트(photoresist), 폴리이미드(polyimide)계 수지, 아크릴(acrylic)계 수지, 폴리아미드(polyamide)계 수지, 실록산(siloxane)계 수지, 올레핀계(olefin)계 수지, 아크릴레이트 모노머(acrylate monomer), 페닐아세틸렌(phenylacetylene), 디아민(diamine), 디안하이드라이드(dianhydride), 실란(silane), 파릴렌(parylene), 폴리에틸렌(polyethylene PE), 폴리프로필렌(polypropylene PP), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate PET), 에폭시 수지(epoxy resin), 플루오르 수지(fluoro resin), 폴리실록산(polysiloxane) 등을 포함할 수 있다. 선택적으로 봉지층(500) 상에 편광층, 터치 스크린 패널 등이 추가적으로 배치될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(400)는 투명한 플렉서블 기판(110), 가요성을 갖는 봉지층(500) 및 지지층(140)을 매립시키는 제1 탄성층(120) 및 제2 탄성층(125)을 갖는 보호 구조물(100)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치(400)의 탄성력 또는 복원력이 상대적으로 증가될 수 있으며, 유기 발광 표시 장치(400)는 플렉서블 디스플레이 장치로 기능을 할 수 있다.
도 9a 내지 도 9h는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 9a를 참조하면, 스텐실 플레이트(560)의 개구에 지지층(840)이 위치할 수 있다. 지지층(840)은 실질적으로 플레이트 형상을 가질 수 있다. 이 경우, 지지층(840)은 복수의 개구들(845)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 지지층(840)의 개구들(845)은 행 방향 또는 열 방향을 따라 실질적으로 규칙적으로 배열될 수 있다. 개구(845)는 실질적으로 직사각형의 평면 형상을 가지지만, 지지층(840)의 개구들(845)의 형상에 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 지지층(840)의 개구들(845)은 각기 실질적으로 정사각형의 평면 형상, 실질적으로 마름모의 평면 형상, 실질적으로 원의 평면 형상, 실질적으로 타원의 평면 형상, 실질적으로 트랙의 평면 형상 등과 같이 다양한 평면 형상들을 가질 수 있다. 또한, 지지층(840)은 실질적으로 메쉬 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 마스크를 이용한 에칭을 통해 예비 금속판에 개구들(845)을 형성시킬 수 있고, 개구들(845)을 포함한 상기 금속판은 예시적인 실시예들에 따른 지지층(840)에 해당될 수 있다. 지지층(840)은 상대적으로 큰 탄성력 또는 상대적으로 큰 복원력을 가지는 금속 또는 지지 플라스틱 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 지지층(840)은 니켈-티타늄, 니켈-알루미늄, 구리-아연-니켈, 구리-알루미늄-니켈, 구리-알루미늄-망간, 티타늄-니켈-구리-몰리브덴, 코발트-니켈-갈륨:철, 은-니켈, 금-카드뮴, 철-백금, 철-니켈, 인듐-카드뮴 등과 같은 합금(예를 들어, 초탄성 금속)을 사용하여 형성될 수 있다. 선택적으로는, 지지층(840)은 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 지지층(840) 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물, 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 스텐실 플레이트(560)의 일측 상에는 저점도를 갖는 탄성 재료(540)가 위치할 수 있다. 탄성 재료(540)는 상대적으로 큰 탄성력 또는 상대적으로 큰 복원력을 가지는 탄성 중합체로 구성될 수 있다. 예를 들면, 탄성 재료(540)는 실리콘, 우레탄, 열가소성 폴리우레탄 등을 사용할 수 있다. 탄성 재료(540)에 인접하여 프린트 헤드(550)가 위치할 수 있다.
도 9b를 참조하면, 프린트 헤드(550)는 일 방향으로 스텐실 플레이트(560)의 상기 일측으로부터 스텐실 플레이트(560)의 타측으로 이동할 수 있다. 스텐실 플레이트(560)가 상기 일측에서 상기 타측으로 이동하는 동안, 탄성 재료(540)는 스텐실 플레이트(560)의 상기 개구에 채워질 수 있다. 즉, 지지층(840)의 개구(845)에 탄성 재료(540)가 채워질 수 있다. 탄성 재료(540)를 도포하는 과정에 있어서, 상기 과정은 진공 상태에서 진행되고, 개구들(845)에 실질적으로 공기가 잔류하지 않을 수 있다. 선택적으로, 탄성 재료(540)를 경화시키기 위해, 경화 과정이 추가될 수 있다. 이에 따라, 지지층(840)의 일부가 매립된 제1 탄성층(545)을 수득할 수 있다.
도 9c를 참조하면, 스텐실 플레이트(560)의 개구에 지지층(840)을 포함하는 제1 탄성층(545)이 위치할 수 있다. 스텐실 플레이트(560)의 일측 상에는 저점도를 갖는 탄성 재료(540)가 위치할 수 있다. 탄성 재료(540)에 인접하여 프린트 헤드(550)가 위치할 수 있다.
도 9d를 참조하면, 프린트 헤드(550)는 상기 일 방향으로 스텐실 플레이트(560)의 상기 일측으로부터 스텐실 플레이트(560)의 상기 타측으로 이동할 수 있다. 스텐실 플레이트(560)가 상기 일측에서 상기 타측으로 이동하는 동안, 탄성 재료(540)는 스텐실 플레이트(560)의 상기 개구에 채워질 수 있다. 즉, 지지층(840) 및 제1 탄성층(545) 상에 탄성 재료(540)가 형성될 수 있다. 이에 따라, 지지층(840)의 일부가 매립된 제1 탄성층(545) 상에 제2 탄성층이 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 탄성층(545)과 상기 제2 탄성층이 동일한 재료를 포함하는 경우, 보호 구조물(800)은 일체로 형성될 수 있다. 즉, 지지층(840)이 매립된 탄성층(820)을 포함하는 보호 구조물(800)을 수득할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 탄성층(545)과 상기 제2 탄성층이 다른 재료를 포함하는 경우, 보호 구조물(800)은 2개의 층으로 형성될 수 있다. 선택적으로, 탄성층(820)을 경화시키기 위해, 경화 과정이 추가될 수 있다.
도 9e를 참조하면, 보호 구조물(800) 상에 양면 접착 필름(815)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 양면 접착 필름(815)은 우레탄 계열, 아크릴 계열, 실리콘 계열의 재료 등을 사용하여 형성될 수 있다.
9f를 참조하면, 기판(810) 상에는 버퍼층(830)이 배치될 수 있고, 버퍼층(830)은 화소 영역(I)으로부터 주변 영역(II)까지 형성할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 기판(810)은 연성을 갖는 투명 수지를 사용하여 형성될 수 있다. 기판(810)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 예를 들면, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층, 제2 폴리이미드층 등으로 구성될 수 있다. 선택적으로는, 기판(810)은 유리 기판 상에 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층 및 제2 폴리이미드층이 적층된 구성을 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 제2 폴리이미드층 상에 절연층을 배치한 후, 상기 절연층 상에 발광 구조물(예를 들어, 구동 트랜지스터(1020), 스위칭 트랜지스터(1040), 스토리지 커패시터(940), 전원 전극(980), 제1 전극(1050), 발광층(1090), 제2 전극(1110) 등)을 배치할 수 있다. 이러한 상부 구조물의 형성 후, 상기 유리 기판은 제거될 수 있다. 상기 폴리이미드 기판은 얇으면서 가요성을 가지기 때문에, 상기 폴리이미드 기판 상에 상기 상부 구조물들을 직접 형성하기 어려울 수 있다. 이러한 점을 고려하여, 경질의 유리 기판을 이용하여 상기 상부 구조물들을 형성한 다음, 상기 유리 기판을 제거함으로써, 상기 폴리이미드 기판을 기판(810)으로 이용할 수 있다.
기판(810) 상에 버퍼층(830)이 형성될 수 있다. 버퍼층(830)은 화소 영역(II)으로부터 주변 영역(II)까지 형성할 수 있다. 버퍼층(830)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
제1 및 제2 액티브 패턴들(850, 860)은 서로 소정의 간격으로 이격되어 버퍼층(830)의 주변 영역(II) 상에 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 및 제2 액티브 패턴들(850, 860)은 각기 산화물 반도체, 무기물 반도체 또는 유기물 반도체 등을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 형성될 수 있다.
제1 절연층(870)은 버퍼층(830) 상에 형성될 수 있고, 제1 절연층(870)은 제1 및 제2 액티브 패턴들(850, 860)을 커버하며, 화소 영역(II)까지 연장될 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(870)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
제1 게이트 전극(880)은 제1 절연층(870) 중에서 하부에 제1 액티브 패턴(850)이 위치하는 부분 상에 형성될 수 있고, 제2 게이트 전극(890)은 제1 절연층(870) 중에서 하부에 제2 액티브 패턴(860)이 위치하는 부분 상에 형성될 수 있으며, 제1 커패시터 전극(900)은 제1 절연층(870) 상에서 제1 게이트 전극(880)과 소정의 간격으로 이격되어 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 게이트 전극(880), 제2 게이트 전극(890) 및 제1 커패시터 전극(900)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
제2 절연층(910)은 제1 절연층(870) 상에 형성될 수 있고, 제1 커패시터 전극(900), 제1 게이트 전극(880) 및 제2 게이트 전극(890)을 커버하며, 화소 영역(I)까지 연장될 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(910)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
제2 커패시터 전극(930)은 제2 절연층(910) 중에서 하부에 제1 커패시터 전극(900)이 위치하는 부분 상에 형성됨으로써, 제1 커패시터 전극(900) 및 제2 커패시터 전극(930)을 포함하는 스토리지 커패시터(940)가 구성될 수 있다.
평탄화층(950)은 제2 절연층(910) 상에 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있고, 제2 커패시터 전극(930)을 커버하며, 화소 영역(I)까지 연장될 수 있다. 그 다음, 평탄화층(950)의 주변 영역(II)에서 제1 내지 제5 콘택 홀들이 형성될 수 있다. 상기 제1 콘택 홀은 제2 커패시터 전극(930)의 제1 부분을 노출시킬 수 있고, 상기 제2 및 제3 콘택 홀들은 제1 액티브 패턴(850)의 제2 및 제3 부분들을 노출시킬 수 있으며, 상기 제4 및 제5 콘택 홀들은 제2 액티브 패턴(860)의 제4 및 제5 부분들을 노출시킬 수 있다.
평탄화층(950)의 화소 영역(II) 상에 전원 전극(980), 구동 트랜지스터(1020)의 상기 제1 소스 전극, 구동 트랜지스터(1020)의 제1 드레인 전극(990), 스위칭 트랜지스터(1040)의 제1 소스 전극(1000) 및 스위칭 트랜지스터(1040)의 제2 드레인 전극(1010)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 전원 전극(980)의 형성 과정에 있어서, 전원 전극(980)은 상기 제1 콘택 홀을 채우고 상기 제1 콘택 홀 내로 연장되어 배치된 제2 커패시터 전극(930)의 상기 제1 부분과 접속될 수 있다. 동시에, 전원 전극(980)이 상기 제2 콘택 홀을 채우고 상기 제2 콘택 홀 내로 연장되어 배치된 제1 액티브 패턴(850)의 상기 제2 부분과 접속될 수 있다. 여기서, 구동 트랜지스터(1020) 상기 제1 소스 전극이 형성될 수 있다. 유사하게, 구동 트랜지스터(1020) 제1 드레인 전극(990)의 형성 과정에서, 구동 트랜지스터(1020)의 제1 드레인 전극(990)은 상기 제3 콘택 홀을 채우고 상기 제3 콘택 홀 내로 연장되어 배치된 제1 액티브 패턴(850)의 상기 제3 부분과 접속될 수 있다. 이와 같이, 구동 트랜지스터(1020)의 상기 제1 소스 전극, 구동 트랜지스터(1020)의 제1 드레인 전극(990), 제1 게이트 전극(880) 및 제1 액티브 패턴(850)을 포함하는 구동 트랜지스터(1020)가 구성될 수 있다.
스위칭 트랜지스터(1040)의 제1 소스 전극(1000)의 형성 과정에 있어서, 스위칭 트랜지스터(1040)의 제1 소스 전극(1000)은 상기 제4 콘택 홀을 채우고 상기 제4 콘택 홀 내로 연장되어 배치된 제2 액티브 패턴(860)의 상기 제4 부분과 접속될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(1040)의 제2 드레인 전극(1010)의 형성 과정에 있어서, 스위칭 트랜지스터(1040)의 제2 드레인 전극(1010)은 상기 제5 콘택 홀을 채우고 상기 제5 콘택 홀 내로 연장되어 배치된 제2 액티브 패턴(860)의 상기 제5 부분과 접속될 수 있다. 이와 같이, 스위칭 트랜지스터(1040)의 제1 소스 전극(1000), 스위칭 트랜지스터(1040)의 제2 드레인 전극(1010), 제2 게이트 전극(890) 및 제2 액티브 패턴(860)을 포함하는 스위칭 트랜지스터(1040)가 구성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 전원 전극(980), 구동 트랜지스터(1020)의 상기 제1 소스 전극, 구동 트랜지스터(1020)의 제1 드레인 전극(990), 스위칭 트랜지스터(1040)의 제1 소스 전극(1000) 및 스위칭 트랜지스터(1040)의 제2 드레인 전극(1010)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
제2 절연층(1030)이 평탄화층(950) 상에 전원 전극(980), 구동 트랜지스터(1020)의 상기 제1 소스 전극, 구동 트랜지스터(1020)의 제1 드레인 전극(990), 스위칭 트랜지스터(1040)의 제1 소스 전극(1000) 및 스위칭 트랜지스터(1040)의 제2 드레인 전극(1010)을 커버하며 전체적으로 형성된 후, 제3 절연층(330)은 제1 개구(1080) 및 제2 개구(1150)를 형성할 수 있다. 제3 절연층(1030)의 제1 개구(1080)는 화소 영역(I)에 배치될 수 있고, 제3 절연층(1030)의 제2 개구(1150)는 주변 영역(II)에 배치될 수 있다. 제3 절연층(1030)은 무기 물질 또는 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
제3 절연층(1030)의 제1 개구(1080)를 통해 제1 전극(1050)의 일부가 평탄화층(950) 상에 형성될 수 있고, 제1 개구(1080)의 내부에 형성된 제1 전극(1050)은 주변 영역(II)으로 연장되며, 전원 전극(980)의 일부와 제2 개구(1150)를 통해 접속될 수 있다. 제1 전극(1050)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.
발광층(1090)은 제1 전극(1050) 상에 형성될 수 있다. 발광층(1090)은 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 선택적으로는, 발광층(1090)은 적색광, 녹색광, 청색광 등과 같은 상이한 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들이 적층되어 백색광을 발광할 수도 있다.
화소 정의막(1070)은 발광층(1090)의 일부, 제1 전극(1050)의 일부, 제3 절연층(1030)의 일부 상에 형성될 수 있다. 화소 영역(I)에서 제1 전극(1050)과 제2 전극(1110) 사이에 형성된 화소 정의막(1070)은 제1 전극(1050)과 제2 전극(1110)을 전기적으로 절연시키는 역할을 할 수 있다. 화소 정의막(1070)은 유기 물질 또는 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로, 화소 정의막(1070)과 제3 절연층(1030)은 실질적으로 동일한 물질로 구성될 수 있다.
제2 전극(1110)은 화소 정의막(1070) 및 발광층(1090) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(1110)이 화소 정의막(1070) 및 발광층(1090)의 프로파일을 따라 실질적으로 균일한 두께로 형성될 수 있다. 즉, 제2 전극(1110)은 화소 영역(I) 및 주변 영역(II)에 전체적으로 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 전극(1110)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.
도 9g를 참조하면, 봉지층(1200)은 제2 전극(1110) 상에 형성될 수 있다. 봉지층(1200)은 투명 무기 물질 또는 플렉서블 플라스틱으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 봉지층(1200)은 경질의 유리 기판, 석영 기판 등을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 봉지층(1200)은 연성을 갖는 투명 수지 기판을 사용하여 형성될 수도 있다. 예를 들어, 유기 발광 표시 장치(1200)의 가요성을 향상시키기 위하여 적어도 하나의 유기층 및 적어도 하나의 무기층이 교대로 적층되는 구조를 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 봉지층(1200)은 제1 무기층(1130), 제1 유기층(1150), 제2 무기층(1170) 및 제2 유기층(1190)을 포함할 수 있다. 제1 무기층(1130)은 제2 전극(1110)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 제1 무기층(430)은 상기 발광 구조물을 보호할 수 있다. 예를 들어, 발광층(1090)으로의 수분 침투를 차단할 수 있다. 제1 유기층(1150)은 제1 무기층(1130) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 유기층(1150)은 스크린 인쇄 방식을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 제1 유기층(1150)을 배치함으로써, 최상면이 평탄화될 수 있다. 제2 무기층(1170)은 제1 유기층(1150) 상에 배치될 수 있다. 제2 무기층(1170)은 제1 유기층(1150)을 포함한 상기 발광 구조물에 수분이 침투되는 것을 차단할 수 있다. 제2 유기층(1190)은 제2 무기층(1170) 상에 배치될 수 있다. 제2 유기층(1190)이 배치됨으로써, 박막 봉지는 완료될 수 있다. 제1 무기층(1130) 및 제2 무기층(1170)은 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 무기층(1130) 및 제2 무기층(1170)은 각기 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 티타늄 산화물, 아연 산화물 등으로 이루어질 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 제1 유기층(1150) 및 제2 유기층(1190)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 유기층(1150) 및 제2 유기층(1190)은 각기 포토레지스트, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지, 올레핀계 수지, 아크릴레이트 모노머, 페닐아세틸렌, 디아민, 디안하이드라이드, 실란, 파릴렌, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 에폭시 수지, 플루오르 수지, 폴리실록산 등을 포함할 수 있다. 선택적으로 봉지층(1200) 상에 편광층, 터치 스크린 패널 등이 추가적으로 형성될 수 있다.
도 9h를 참조하면, 기판(810) 하면에 양면 접착 필름 (815) 및 보호 구조물(800)이 형성 될 수 있다. 양면 접착 필름(815)은 기판(810)과 보호 구조물(800)을 접착시킬 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 양면 접착 필름(815)은 탄성층(820)과 동일한 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 지지층(840)이 양면 접착 필름(815)에 의해 유기 발광 표시 장치의 기판(810)과 직접적으로 접착되는 경우, 지지층(840)과 기판(810)은 다른 재질을 갖기 때문에 접착되지 않을 수 있다. 또한, 기판(810)의 두께는 지지층(840)의 두께 보다 상대적으로 얇기 때문에 기판(810)의 내부에 지지층(840)이 실질적으로 매립될 수 없다. 다만, 기판(810)의 두께를 증가하여 지지층(840)을 기판(810)에 매립시키는 경우, 기판(810) 상에 발광 구조물을 형성시키는 과정 동안 기판(810) 내부에 매립된 지지층(840)에 의해 문제점이 발생될 수도 있다. 따라서, 기판(810) 상에 상기 발광 구조물을 형성한 후, 탄성층(820)에 매립된 지지층(840)을 포함하는 보호 구조물(800)이 기판(810)의 하면에 양면 접착 필름(815)에 의해 접착될 수 있다.
이상, 본 발명의 실시예들에 따른 보호 구조물, 보호 구조물을 구비하는 유기 발광 표시 장치 그리고 보호 구조물을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대하여 도면을 참조하여 설명하였지만, 상기 설명은 예시적인 것으로서 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다. 예를 들어, 상기에서는 표시 장치가 유기 발광 표시 장치인 것으로 설명하였으나, 표시 장치의 종류는 이에 한정되는 것이 아니다.
본 발명은 보호 구조물을 포함하는 플렉서블 유기 발광 표시 장치를 구비할 수 있는 다양한 디스플레이 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 전자 종이(E-paper), 롤러블(Rollable), 벤더블(Bendable) 또는 폴더블(Foldable) 스마트폰, 스마트패드, 휴대용 통신 장치들, 전시용 또는 정보 전달용 디스플레이 장치들 및 의료용 디스플레이 장치들 등과 같은 수많은 디스플레이 기기들에 적용 가능하다.
100, 600, 800: 보호 구조물
110, 810: 기판
115, 815: 양면 접착 필름 120, 545: 제1 탄성층
125: 제2 탄성층
140, 235, 640, 740, 840: 지지층 145, 245, 645, 845: 개구
170, 870: 제1 절연층 180, 880: 제1 게이트 전극
190, 890: 제2 게이트 전극 200, 900: 제1 커패시터 전극
210, 910: 제2 절연층 220: 테두리 라인
230, 930: 제2 커패시터 전극
235a, 640a, 740a: 제1 지지 라인
235b, 640b, 740b: 제2 지지 라인
240, 940: 스토리지 커패시터 250, 950: 평탄화층
280, 980: 전원 전극 290, 990: 제1 드레인 전극
300, 1000: 제1 소스 전극 310, 1010: 제2 드레인 전극
320, 1020: 구동 트랜지스터 330, 1030: 제3 절연층
340, 1040: 스위칭 트랜지스터 350, 1050: 제1 전극
370, 1070: 화소 정의막 390, 1090: 발광층
400: 유기 발광 표시 장치 410, 1110: 제2 전극
430, 1130: 제1 무기층 450, 1150: 제1 유기층
470, 1170: 제2 무기층 490, 1190: 제2 유기층
500, 1200: 봉지층 540: 탄성 재료
550: 프린트 헤드 560: 스텐실 플레이트
I: 화소 영역 II: 주변 영역
115, 815: 양면 접착 필름 120, 545: 제1 탄성층
125: 제2 탄성층
140, 235, 640, 740, 840: 지지층 145, 245, 645, 845: 개구
170, 870: 제1 절연층 180, 880: 제1 게이트 전극
190, 890: 제2 게이트 전극 200, 900: 제1 커패시터 전극
210, 910: 제2 절연층 220: 테두리 라인
230, 930: 제2 커패시터 전극
235a, 640a, 740a: 제1 지지 라인
235b, 640b, 740b: 제2 지지 라인
240, 940: 스토리지 커패시터 250, 950: 평탄화층
280, 980: 전원 전극 290, 990: 제1 드레인 전극
300, 1000: 제1 소스 전극 310, 1010: 제2 드레인 전극
320, 1020: 구동 트랜지스터 330, 1030: 제3 절연층
340, 1040: 스위칭 트랜지스터 350, 1050: 제1 전극
370, 1070: 화소 정의막 390, 1090: 발광층
400: 유기 발광 표시 장치 410, 1110: 제2 전극
430, 1130: 제1 무기층 450, 1150: 제1 유기층
470, 1170: 제2 무기층 490, 1190: 제2 유기층
500, 1200: 봉지층 540: 탄성 재료
550: 프린트 헤드 560: 스텐실 플레이트
I: 화소 영역 II: 주변 영역
Claims (20)
- 제1 탄성층;
상기 제1 탄성층 상에 배치되고, 복수의 개구들을 포함하는 지지층; 및
상기 복수의 개구들을 채우며, 상기 제1 탄성층과 합착되는 제2 탄성층을 포함하는 보호 구조물. - 제 1 항에 있어서, 상기 지지층은 금속 또는 플라스틱을 포함하는 것을 특징으로 하는 보호 구조물.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제1 탄성층 및 상기 제2 탄성층은 각기 탄성 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 보호 구조물.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제1 탄성층 및 상기 제2 탄성층은 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 보호 구조물.
- 제 1 항에 있어서, 상기 지지층은 플레이트 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 보호 구조물.
- 제 5 항에 있어서, 상기 지지층의 개구들은 각기 정사각형의 평면 형상, 직사각형의 평면 형상 또는 마름모의 평면 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 보호 구조물.
- 제 1 항에 있어서, 상기 지지층은 규칙적으로 교차되는 복수의 지지 라인들을 포함하는 것을 특징으로 하는 보호 구조물.
- 제 7 항에 있어서, 상기 지지 라인들은,
각기 제1 두께 및 제1 폭을 가지고, 제1 방향을 따라 연장되며, 제1 간격으로 서로 이격되는 복수의 제1 지지 라인들; 및
각기 제2 두께 및 제2 폭을 가지고, 상기 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 연장되며, 제2 간격으로 서로 이격되는 복수의 제2 지지 라인들을 포함하는 것을 특징으로 하는 보호 구조물. - 제 8 항에 있어서, 상기 제1 지지 라인들 상에 상기 제2 지지 라인들이 배치되는 것을 특징으로 하는 보호 구조물.
- 제 8 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 지지 라인들에 의해 한정되는 복수의 개구들을 더 포함하고, 상기 개구들은 규칙적으로 배열되며, 상기 개구들은 각기 정사각형의 평면 형상, 직사각형의 평면 형상 또는 마름모의 평면 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 보호 구조물.
- 제 8 항에 있어서, 상기 지지층은,
상기 제1 지지 라인들 및 상기 제2 지지 라인들의 단부들에 연결되고, 상기 제1 지지 라인들 및 상기 제2 지지 라인들을 둘러싸는 테두리 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 보호 구조물. - 제 1 항에 있어서, 상기 지지층은 불규칙적으로 교차되는 복수의 지지 라인들을 포함하는 것을 특징으로 하는 보호 구조물.
- 제 8 항에 있어서, 상기 지지 라인들은,
제3 두께 및 제3 폭을 가지고, 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 다른 제3 방향을 따라 연장되며, 제3 간격으로 서로 이격되는 복수의 제3 지지 라인들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 보호 구조물. - 제 13 항에 있어서, 상기 지지 라인들은,
제4 두께 및 제4 폭을 가지고, 상기 제3 방향과 직교하는 제4 방향을 따라 연장되며, 제4 간격으로 서로 이격되는 복수의 제4 지지 라인들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 보호 구조물. - 제 14 항에 있어서, 상기 제1 내지 제4 지지 라인들에 의해 한정되는 개구들을 더 포함하며, 상기 개구들은 불규칙하게 배열되는 것을 특징으로 하는 보호 구조물.
- 제 15 항에 있어서, 상기 제1 내지 제4 지지 라인들의 두께들은 상기 제1 내지 제4 지지 라인들의 폭들 보다 작은 것을 특징으로 하는 보호 구조물.
- 제 16 항에 있어서, 상기 개구들은 각기 삼각형의 평면 형상, 원의 평면 형상, 타원의 평면 형상 또는 트랙의 평면 형상 가지는 것을 특징으로 하는 보호 구조물.
- 제1 탄성층, 상기 제1 탄성층 상에 배치되고, 복수의 개구들을 포함하는 지지층, 그리고 상기 복수의 개구들을 채우며, 상기 제1 탄성층과 합착되는 제2 탄성층을 포함하는 보호 구조물;
상기 보호 구조물 상에 배치되는 기판;
상기 기판 상부에 배치되는 발광 구조물; 및
상기 발광 구조물 상에 배치되는 봉지층을 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제 18 항에 있어서, 상기 보호 구조물과 상기 기판 사이에 배치되는 접착 필름을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 18 항에 있어서, 상기 기판 및 상기 봉지층은 유연성을 갖는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
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