JP2020531885A - 表示基板及びその製造方法、表示パネル - Google Patents

表示基板及びその製造方法、表示パネル Download PDF

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Abstract

表示基板及びその製造方法、表示パネルである。当該表示基板は、表示領域（１１０）と、表示領域（１１０）の周囲に位置する非表示領域（１２０）と、を有する基板（１００）と、基板（１００）上に設置された少なくとも１つの突起部（３００）とを備え、突起部（３００）は非表示領域（１２０）に配置される。突起部（３００）は水、酸素などの外部の物質が表示基板内部に侵入する経路を増やし、表示基板内の部品を保護することができる。

Description

（関連出願の相互参照）
本出願は、２０１７年８月３１日に提出された、中国特許出願第２０１７２１１０７５１７．６号の優先権を主張し、本出願の一部として上記中国特許出願で公開の内容全文をここに引用する。
本開示の少なくとも１つの実施例は表示基板及びその製造方法、表示パネルに関するものである。
電子表示製品の普及に伴い、環境に対する適応性を如何に高めるかという点がユーザからますます注目されている。例えば、電子表示製品の製造と使用の過程において、外部環境から水分、酸素などが電子表示製品の内部に侵入し、水分、酸素などが電子表示製品の内部の構造と反応してその電気的特性に影響を与え、電子表示製品の性能と寿命を低下させることがある。しかし、上記問題に対しては、各メーカーで様々なパッケージング技術が開発されているが、現在のパッケージング技術では、ユーザからの電子表示製品のパッケージング効果に対するさらなる要求を満たすことはできない。
本開示の少なくとも１つの実施例では、表示領域と、前記表示領域の周囲に位置する非表示領域とを有する基板と、前記基板上に設置された少なくとも１つの突起部とを、備え、前記突起部は前記非表示領域に設けられていることを特徴とする表示基板を提供する。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例で提供する表示基板は、前記基板上に設置されたパッシベーション層をさらに備え、前記突起部は前記基板と前記パッシベーション層との間に位置し、前記パッシベーション層は前記突起部の少なくとも一部を覆うことを特徴とする。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例で提供する表示基板は、前記パッシベーション層と前記基板との間に位置する層間絶縁層と、ゲート絶縁層と、バッファ層とのうちの少なくとも１つをさらに備えることを特徴とする。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例で提供する表示基板は、少なくとも１つの前記突起部が前記パッシベーション層と前記層間絶縁層との間に設けられ、及び／又は少なくとも１つの前記突起部が前記層間絶縁層と前記ゲート絶縁層との間に設けられ、及び／又は少なくとも１つの前記突起部が前記ゲート絶縁層と前記バッファ層との間に設けられ、及び／又は少なくとも１つの前記突起部が前記バッファ層と前記基板との間に設けられていることを特徴とする。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例で提供する表示基板は、前記突起部の少なくとも一部は前記層間絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は前記突起部の少なくとも一部は前記ゲート絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は前記突起部の少なくとも一部は前記バッファ層と同層にかつ同材料で製造されるように配置されることを特徴とする。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例で提供する表示基板は、前記突起部の少なくとも一部が１つの第１の突起と１つの第２の突起の積層を含むように配置され、前記第１の突起は、前記層間絶縁層と、前記ゲート絶縁層と、前記バッファ層とのうちの少なくとも１つと同層にかつ同材料で製造されるように配置され、前記第２の突起はフォトレジスト材料で配置されることを特徴とする。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例で提供する表示基板は、前記突起部の製造材料がフォトレジスト材料材料を含むことを特徴とする。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例で提供する表示基板は、前記基板のある面に垂直な方向において、前記突起部の高さは０．２〜３μｍであり、前記基板のある面に平行な方向において、前記突起部の幅は３〜９μｍであることを特徴とする。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例で提供する表示基板は、前記基板のある面に平行な同一の層において、前記突起部は前記表示領域を囲んで順に分布する第１の突起部と第２の突起部とを少なくとも有し、前記第１の突起部は前記第２の突起部と同層に配置され、かつ、前記第１の突起部は前記第２の突起部の内側に位置していることを特徴とする。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例で提供する表示基板は、前記基板のある面に平行な方向において、前記第１の突起部と前記第２の突起部との間の間隔が３〜１０μｍであることを特徴とする。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例で提供する表示基板は、前記基板のある面に垂直な方向において、前記突起部は、異なる層に位置する第１の突起層と第２の突起層とを少なくとも有し、かつ前記第１の突起層は前記第２の突起層と前記基板との間に位置していることを特徴とする。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例で提供する表示基板は、前記基板上での前記第１の突起層の正投影は前記基板上での第２の突起層の正投影と合致するか、又は前記基板上での前記第１の突起層の正投影は前記基板上での第２の突起層の正投影の外にあることを特徴とする。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例で提供する表示基板は、前記突起部が環状構造として設けられて前記表示領域を囲むように設けられ、各前記突起部は一体化した閉じた環状構造として設けられるか、又は各前記突起部は互いに間隔をあけた少なくとも２つの突起段を備えることを特徴とする。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例で提供する表示基板は、前記パッシベーション層の、前記基板から離れた側に設置された封止層をさらに備え、前記表示領域の前記基板は複数の画素領域を備え、各前記画素領域の前記基板上に少なくとも１つの有機発光素子が設置され、前記有機発光素子は前記パッシベーション層と前記封止層との間に位置することを特徴とする。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例で提供する表示基板は、前記基板上での前記突起部の正投影は前記基板上での前記封止層の正投影の中にあることを特徴とする。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例で提供する表示基板は、前記基板上に設置されたバッファ層と、ゲート絶縁層と、層間絶縁層と、パッシベーション層と、平坦層とのうちの少なくとも１つをさらに備えることを特徴とする。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例で提供する表示基板は、前記突起部の少なくとも一部が前記層間絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は前記突起部の少なくとも一部が前記ゲート絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は前記突起部の少なくとも一部が前記バッファ層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は前記突起部の少なくとも一部が前記パッシベーション層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、前記基板上での前記突起部の正投影が前記基板上での前記平坦層の正投影の中にあることを特徴とする。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例で提供する表示基板は、前記基板上に設置されたバッファ層と、ゲート絶縁層と、層間絶縁層と、パッシベーション層と、平坦層とをさらに備え、前記突起部の少なくとも一部は前記層間絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は前記突起部の少なくとも一部は前記ゲート絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は前記突起部の少なくとも一部は前記パッシベーション層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、前記基板上での前記突起部の正投影は前記基板上での前記平坦層の正投影の中にあり、前記基板上での前記突起部の正投影は前記基板上での前記バッファ層の正投影の中にあることを特徴とする。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例で提供する表示基板は、前記基板上に設置されたバッファ層と、ゲート絶縁層と、層間絶縁層と、平坦層とをさらに備え、前記突起部の少なくとも一部は前記層間絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は前記突起部の少なくとも一部は前記ゲート絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、前記基板上での前記突起部の正投影は前記基板上での前記平坦層の正投影の中にあり、前記基板上での前記突起部の正投影は前記基板上での前記バッファ層の正投影の中にあることを特徴とする。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例で提供する表示基板は、前記表示領域の同一側に前記突起部が少なくとも２つ配置されていることを特徴とする。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例で提供する表示基板は、前記基板のある面に垂直な方向において、前記突起部の高さは０．２〜３μｍであり、前記基板のある面に平行な方向において、前記突起部の幅は３〜９μｍであり、前記基板のある面に平行な方向において、隣接する２つの前記突起部間の間隔は３〜１０μｍであることを特徴とする。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例で提供する表示パネルは、上記いずれか１つの実施例に記載の表示基板を備える。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例で提供する表示基板の製造方法は、表示領域と前記表示領域の周囲に位置する非表示領域とを有する基板を準備する工程と、前記基板上に少なくとも１つの突起部を形成する工程と、を備え、前記突起部は前記非表示領域に形成されている。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例で提供する表示基板の製造方法は、前記基板上にパッシベーション層を形成する工程をさらに備え、前記基板と前記パッシベーション層との間に前記突起部が形成され、前記パッシベーション層は前記突起部の少なくとも一部を覆う。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例で提供する表示基板の製造方法は、前記基板上に平坦層を形成する工程と、前記基板と前記平坦層との間にバッファ層と、ゲート絶縁層と、層間絶縁層と、パッシベーション層とのうちの少なくとも１つを形成する工程と、をさらに含み、前記基板上での前記突起部の正投影は前記基板上での前記平坦層の正投影の中にあり、前記突起部の少なくとも一部は前記層間絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は前記突起部の少なくとも一部は前記ゲート絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は前記突起部の少なくとも一部は前記バッファ層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は前記突起部の少なくとも一部は前記パッシベーション層と同層にかつ同材料で製造されるように配置される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例で提供する表示基板の製造方法は、前記基板上にバッファ層と、ゲート絶縁層と、層間絶縁層と、パッシベーション層と、平坦層とを形成する工程をさらに備え、前記基板上での前記突起部の正投影は前記基板上での前記平坦層の正投影の中にあり、前記基板上での前記突起部の正投影は前記基板上での前記バッファ層の正投影の中にあり、前記突起部の少なくとも一部は前記層間絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は前記突起部の少なくとも一部は前記ゲート絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は前記突起部の少なくとも一部は前記パッシベーション層と同層にかつ同材料で製造されるように配置される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例で提供する表示基板の製造方法は、前記基板上にバッファ層と、ゲート絶縁層と、層間絶縁層と、平坦層とを形成する工程をさらに備え、前記基板上での前記突起部の正投影は前記基板上での前記平坦層の正投影の中にあり、前記基板上での前記突起部の正投影は前記基板上での前記バッファ層の正投影の中にあり、前記突起部の少なくとも一部は前記層間絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は前記突起部の少なくとも一部は前記ゲート絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置される。
本開示の実施例の技術案をより明確に説明するために、以下では実施例の図面について簡単に説明する。以下で説明する図面は、本開示の一部の実施例に過ぎず、本発明を限定するものではない。
本開示の実施例で提供する表示基板の平面図である。 図１に示す表示基板のＭ−Ｎに沿った断面図である。 本開示の実施例が提供する別の表示基板の部分断面図である。 本開示の実施例が提供する別の表示基板の部分断面図である。 本開示の実施例が提供する別の表示基板の部分断面図である。 本開示の実施例が提供する別の表示基板の部分断面図である。 本開示の実施例が提供する別の表示基板の平面図である。 本開示の実施例が提供する別の表示基板の部分断面図である。 本開示の実施例が提供する別の表示基板の部分断面図である。 本開示の実施例が提供する別の表示基板の部分断面図である。 本開示の実施例が提供する別の表示基板の部分断面図である。 本開示の実施の形態で提供する表示パネルの部分断面図である。
本開示の実施例の目的、技術案と利点をより明確にするために、以下に、本開示の実施例の技術案について本開示の実施例の図面を組み合わせて、明確かつ完全に説明する。また、説明する実施例は本開示の一部の実施例であって、すべての実施例ではない。説明する本開示の実施例を基に、当業者が想像力を働かせることなく得られるすべての他の実施例は本開示の請求範囲に含まれる。
本開示で使用される技術又は科学用語は、本開示が属する技術分野における通常の技能を有する者によって理解される通常の意味である。本開示で使用される「第１の」、「第２の」及び類似の用語はいかなる順序、数、又は重要性も示すものではなく、異なる構成要素を区別するためだけに使用される。「備える」又は「含む」などの類似の単語は、その単語の前に挙げた要素又は物品が、その単語の後に存在する要素又は物品及びその均等物を包含することを意味し、他の要素又は物品を排除するものではない。「接続」などの類似の用語は、物理的又は機械的接続に限定されず、直接的又は間接的なものに関わらず電気的接続を含む。「上」、「下」、「左」、「右」などは相対的な位置関係を示すものに過ぎず、記載対象の絶対的な位置が変化すると、相対的な位置関係も対応して変化する可能性がある。
本開示の少なくとも１つの実施例で提供する表示基板は、表示領域と表示領域の周囲に位置する非表示領域とを有する基板と、基板上に設置された少なくとも１つの突起部と、を備え、突起部は非表示領域内の基板上に設置されている。非表示領域において、突起部を設置することにより、外部からの水、酸素などの物質の基板内部での侵入経路を増やし、表示基板内の部品を保護することができる。
以下、図面を組み合わせて本開示の少なくとも１つの実施例の表示基板及びその製造方法、表示パネルについて詳細に説明する。
本開示の少なくとも１つの実施例は表示基板を提供し、図１は本開示の実施例で提供する表示基板の平面図である。表示基板は、例えば図１に示すように、基板１００と基板１００上に設置された突起部３００と、を備え、基板１００は表示領域１００と表示領域１００の周囲に位置する非表示領域１２０とを備え、突起部３００は表示領域１２０内の基板１００上に設置されている。突起部３００は表示領域１００の周囲に設置され、外部から水や酸素などが表示基板の内部に侵入する過程で、水や酸素などの侵入経路を増やして、表示領域１１０内の素子を保護する。
本開示の少なくとも１つの実施例において、突起部３００の配置は様々であり、本開示の少なくとも１つの実施例は、突起部３００の具体的な配置方式について限定せず、表示基板の内部に水、酸素などが侵入する経路を増やすことができるものであればよい。以下、本開示の実施例の表示基板の構造について、突起部３００の異なる配置方式に基づいて説明する。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、図２は図１に示す表示基板のＭ−Ｎに沿った断面図である。例えば図１及び図２に示すように、表示基板は、基板１００と、基板１００上に設置されたパッシベーション層２００と、を備える。例えば、本開示の一部の実施例では、突起部３００は、水、酸素などがパッシベーション層２００の表面に沿って表示基板の内部に侵入する経路を増やすように配置されてもよい。例えば、本開示の別の実施例では、突起部３００は、水、酸素が他の構造に沿って表示基板の内部に侵入する経路を増やすように配置されてもよい。
以下、突起部３００を設けることにより水、酸素などがパッシベーション層２００の表面に沿って表示基板の内部に侵入する経路を増やすということを例として、表示基板の具体的な構造について説明する。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、図２に示すように、表示基板は、基板１００上に配置されたパッシベーション層２００を含み、突起部３００はパッシベーション層２００と基板１００との間に位置し、パッシベーション層２００は突起部３００を少なくとも部分的に覆う。例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、図２に示すように、非表示領域１２０において、パッシベーション層２００が突起部３００に沿って配置されることにより、パッシベーション層２００の、基板１００に対向する面の表面積が増加して、外部の水、酸素が表示基板の内部に入る経路が増え、突起部３００は表示基板上でのパッシベーション層２００の接着面積を増加させて、表示基板上でのパッシベーション層２００の接着強度を高め、表示基板の封止効果を向上させている。例えば、パッシベーション層２００は、すべての突起部３００を覆うように配置されてもよく、基板１００上での突起部３００の正投影は基板１００上でのパッシベーション層２００の正投影の中にあってよい。
本開示の少なくとも１つの実施例では、表示基板における基板１００の製造材料について限定しない。基板１００の製造材料としては、例えば、ガラス基板、石英基板又は樹脂系材料であってもよく、樹脂系材料としては、例えば、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートのうちの一種又は複数であってもよい。
本開示の少なくとも１つの実施例では、パッシベーション層２００の製造材料について限定しない。例えば、パッシベーション層２００の製造材料は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＮｘＯｙ）、又は他の適切な材料を含むことができる。
本開示の技術案における各構成要素の位置を説明するために、図１及び図２に示すように、表示基板における基板１００を基準として３次元座標系を設定し、表示基板における各構成要素の方向性を指定する。例えば、上記の３次元座標系において、Ｘ軸及びＹ軸の方向は基板１００がある面に平行な方向であり、Ｚ軸は基板１００がある面に垂直な方向である。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、表示基板はアレイ基板である。例えば図１及び図２に示すように、表示領域１１０の基板１００は複数の画素領域１１１を備え、各画素領域１１１には薄膜トランジスタ４００などのスイッチング素子が少なくとも１つ配置されている。それに対応して、例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、表示基板は基板１００とパッシベーション層２００との間に配置されたバッファ層４１０と、ゲート絶縁層４２０と、層間絶縁層４３０とのうちの少なくとも１つをさらに含むことができる。
本開示の少なくとも１つの実施例において、バッファ層４１０と、ゲート絶縁層４２０と、層間絶縁層４３０の製造材料については限定せず、実際の需要に応じて適宜選択することができる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、バッファ層４１０の製造材料は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）又はシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）を含むことができる。例えば、当該バッファ層４１０は窒化シリコン又は酸化シリコンからなる単層構造であってもよいし、窒化シリコンと酸化シリコンとからなる二層構造であってもよい。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、ゲート絶縁層４２０の製造材料は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又は他の適切な材料などを含むことができる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、層間絶縁層４３０は単層構造であってもよいし、２層以上の構造であってもよい。例えば、層間絶縁層４３０の材料は窒化シリコン、酸化シリコンなどの無機絶縁材料を含んでいてもよく、有機絶縁材料であってもよい。
本開示の少なくとも１つの実施例において、薄膜トランジスタ４００の具体的な構造については限定しない。例えば、薄膜トランジスタ４００は、活性層、ゲート電極とソース電極（ソース電極とドレイン電極を含む）などの構造をさらに含んでもよい。薄膜トランジスタ４００内の活性層、ゲート電極とソースドレイン電極層などの部品が水分や酸素などの影響を受けて、薄膜トランジスタ４００の電気的特性が低下する場合がある。基板１００とパッシベーション層２００との間に配置された突起部３００は、基板１００とパッシベーション層２００との間から表示基板の内部に水、酸素が進入する経路を増やして薄膜トランジスタ４００を保護することができる。例えば、薄膜トランジスタ４００は、ボトムゲート型薄膜トランジスタ、トップゲート型薄膜トランジスタ又はダブルゲート型薄膜トランジスタなどであってもよい。
なお、突起部３００の設置は上述した薄膜トランジスタ４００だけを保護するのではなく、表示基板内の、例えば、基板１００とパッシベーション層２００との間にある他の部材を保護することもできる。保護が必要な部品と突起３００の設置位置との間の関係は実際の状況に応じて設計することができ、本開示の少なくとも１つの実施例では限定しない。
なお、本開示の少なくとも１つの実施例において、表示基板にバッファ層４１０を設けるか否かについては限定しない。例えば、薄膜トランジスタがボトムゲート型の薄膜トランジスタ又はデュアルゲート型の薄膜トランジスタである場合には、表示基板にバッファ層４１０を設けなくてもよい。以下、表示基板にバッファ層４１０が設置された場合を例として、本開示の以下の実施例について説明する。
本開示の少なくとも１つの実施例において、突起部３００の具体的な構造及び配置位置については、表示基板の内部に水、酸素などが侵入する経路を増やすことができるものであればよく、限定はしない。以下、本開示の少なくとも１つの実施例において、突起部３００の設置位置及び設置構造についてそれぞれ説明する。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、図２に示すように、突起部３００はパッシベーション層２００と、層間絶縁膜４３０と、ゲート絶縁膜４２０と、バッファ層４１０と、基板１００とのうちの少なくとも２つの隣接する層の間に配置されてもよい。例えば、少なくとも１つの突起部３００がパッシベーション層２００と層間絶縁膜４３０との間に設けられ、及び／又は少なくとも１つの突起部３００が層間絶縁層４３０とゲート絶縁層４２０との間に設けられ、及び／又は少なくとも１つの突起部３００がゲート絶縁層４２０とバッファ層４１０との間に設けられ、及び／又は少なくとも１つの突起部３００がバッファ層４１０と基板１００との間に設けられる。例えば、表示基板にはバッファ層４１０が配置されておらず、少なくとも１つの突起部３００はゲート絶縁層４２０と基板１００との間に設けてもよい。
例えば、図２に示すように、バッファ層４１０とゲート絶縁層４２０との間に突起部３００を設置することにより、バッファ層４１０とゲート絶縁層４２０との界面から表示基板の内部に水、酸素などが侵入する経路を増やすことができる。また、ゲート絶縁層４２０上の層間絶縁層４３０とパッシベーション層２００も突起部３００に対応する非平坦部を形成するため、ゲート絶縁層４２０と層間絶縁層４３０との間の界面及び層間絶縁層４３０とパッシベーション層２００との間の界面の面積が増加し、これに対応して、ゲート絶縁層４２０と層間絶縁層４３０との間の界面及び層間絶縁層４３０とパッシベーション層２００との間の界面に沿って水、酸素が表示基板の内部に侵入する経路が増え、ゲート絶縁層４２０と層間絶縁層４３０との間及び層間絶縁層４３０とパッシベーション層２００との間の接続の強度が高まり、表示基板の封止効果が向上する。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施の形態において、図３は本開示の実施例が提供する別の表示基板の部分断面図である。例えば、図３に示すように、表示基板の内のバッファ層４１０、ゲート絶縁層４２０及び層間絶縁層４３０のうち少なくとも１つの非表示領域１２０にある部分は、突起部３００の少なくとも一部として設置されている。これにより、表示基板の製造工程を簡略化でき、コストを低減できる。例えば、突起部３００の少なくとも一部が層間絶縁層４３０と同層にかつ同材料で製造されるように設置され、及び／又は突起部３００の少なくとも一部がゲート絶縁層４２０と同層にかつ同材料で製造されるように設置される。例えば、表示基板にバッファ層４１０を設け、突起部３００の少なくとも一部もバッファ層４１０と同層にかつ同材料で製造されるように設置してもよい。
例えば、図３に示すように、表示基板内のゲート絶縁層４２０の、非表示領域１２０に位置する部分、及び層間絶縁層４３０の、非表示領域１２０に位置する部分は突起部３００として構成される。例えば、表示用基板を製造する過程において、基板１００上にゲート絶縁層４２０及び層間絶縁層４３０を形成した後、非表示領域１２０内のゲート絶縁層４２０及び層間絶縁層４３０をパターニング処理して、非表示領域１２０内のゲート絶縁層４２０及び層間絶縁層４３０に突起部３００を形成する。例えば、薄膜トランジスタを製造する工程において、ゲート絶縁層４２０及び層間絶縁層４３０にソースドレイン電極層と活性層とを連通するビアホールを形成する必要があるので、パターニング工程によって当該ビアホールを形成すると同時に突起部３００を製造することができる。
本開示の少なくとも１つの実施例において、パターニング工程は、例えば、フォトリソグラフィー工程であってよく、例えば、パターニングすべき構造層上にフォトレジスト材料膜を塗布する工程を含み、フォトレジスト材料膜の塗布はスピンコーティング、ナイフコーティング又はロールコーティングにより行われてよい。次に、マスクプレートを用いてフォトレジスト材料層を露光し、露光されたフォトレジスト材料層を現像してフォトレジスト材料パターンを得る。その後、フォトレジスト材料パターンを使用して構造層をエッチングし、任意でフォトレジスト材料パターンを除去する。最後に、残ったフォトレジスト材料を剥離して所望のパターン構造を形成する。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、図４は本開示の実施例が提供する別の表示基板の部分断面図である。例えば、図４に示すように、突起部３００の少なくとも一部は１つの第１の突起３０１と１つの第２の突起３０２の積層を含むように配置され、第１の突起３０１は、層間絶縁層４３０と、ゲート絶縁層４２０と、バッファ層４１０とのうちの少なくとも１つと同層にかつ同材料で製造されるように配置され、第２の突起３０２はフォトレジスト材料で配置される。例えば、突起部３００は、Ｚ軸に平行な方向に交互に配置された複数の第１の突起３０１と複数の第２の突起３０２とを備える。これにより、Ｚ軸に平行な方向における突起部３００の高さ（突起部３００の基板１００から離れた一端から突起部３００の基板１００に近づく他端までの距離）をさらに高くすることができ、水や酸素が表示基板の内部に侵入する経路を増やすことができるとともに、表示基板の製造工程を簡略化し、コストを低減することができる。
例えば、図４に示すように、表示基板内の各突起は２つの第１の突起３０１と２つの第２の突起３０２とを備え、２つの第１の突起３０１はそれぞれゲート絶縁層４２０及び層間絶縁層４３０とそれぞれ同層に同材質で製造されるように配置され、各第１の突起３０１の基板１００から離れた表面に第１の突起３０１自体に接する第２の突起３０２が配置され、第２の突起３０２はフォトレジスト材料である。例えば、表示基板を製造する過程において、ゲート絶縁層４２０を形成した後、これをパターニング処理して、ゲート絶縁層４２０の、非表示領域１２０に位置する部分を第１の突起３０１として形成し、第１の突起３０１が形成された基板上にフォトレジスト材料層を塗布し、露光及び現像して第２の突起３０２を形成する。これに対応して、層間絶縁層４３０についても上記の処理工程を行うことができる。これにより、非表示領域１２０の基板１００上に、２つの第１の突起３０１と２つの第２の突起３０２とが交互に配置された積層、つまり図４に示すような突起部３００を形成することができる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、突起部３００は非表示領域１２０の基板１００上に単独で配置されてもよい。例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、突起部３００の製造材料は、フォトレジスト材料を含んでよい。例えば、非表示領域１２０の基板１００上にフォトレジスト材料を塗布し、マスクプレートを介してこれを露光した後現像して、フォトレジスト材料の残りの部分を突起３００として形成することができる。上記方法により突起部３００を製造する工程は簡単で、表示基板内の他の構造に影響を与えない。
本開示の少なくとも１つの実施例において、突起部３００の具体的な構造設計は前述の幾つかの組み合わせに限定されず、実際の必要に応じて設計することができ、本開示の少なくとも１つの実施例は突起部３００の具体的な構造について限定しない。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、図５は本開示の実施例が提供する別の表示基板の部分断面図である。例えば、図５に示すように、基板１００のある面に平行な同一の層において、突起部３００は表示領域１１０を囲んで順に分布する第１の突起部３１１と第２の突起部３１２とを少なくとも有し、第１の突起部３１１は第２の突起部３１２と同層に配置され、かつ、第１の突起部３１１は第２の突起部３１２の内側に位置している。多層突起部３００は、外部からの水、酸素が表示基板内部に侵入する経路をさらに増やし、表示基板の封止効果をさらに向上させることができる。
本開示の少なくとも１つの実施例において、同じ層に配置される異なる突起部３００の高さ（基板１００から離れた突起部３００の一端から基板１００に近づく突起部３００の他端までの距離）の関係については限定しない。例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、表示基板の外層に位置する突起部３００の高さは、内層に位置する突起部３００の高さより高く設定されてもよい。例えば、図５に示すように、第２の突起部３１２の高さＨ２は第１の突起部３１１の高さＨ１よりも大きい。内層に位置する第１の突起部３１１の高さＨ１は表示領域１１０の構造に悪影響を及ぼさないように低く、外層に位置する第２の突起部３１２の高さＨ２は高く、水、酸素の侵入経路を増やして表示基板の封止効果を向上させることができる。
本開示の少なくとも１つの実施例において、同層に設置された隣接する突起部３００の間隔距離については限定しない。例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、隣接する突起部３００（例えば、第１の突起部３１１と第２の突起部３１２）間の間隔は約１〜２０μｍ、さらには約３〜１０μｍである。例えば、図５に示すように、基板１００のある面に平行な方向における第１の突起部３１１と第２の突起部３１２との間隔Ｓは約３〜１０μｍである。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、図６は本開示の実施例が提供する別の表示基板の部分断面図である。例えば、図６に示すように、基板１００のある面に垂直な方向において、突起部３００は、異なる層に位置する第１の突起層３２１と第２の突起層３２２とを少なくとも有し、かつ第１の突起層３２１は第２の突起層３２２と基板１００との間に位置している。多層の突起部３００を設けることにより、水、酸素などが表示基板内部に侵入する経路をさらに増やすことができ、表示基板の封止効果を向上させることができる。
例えば、図６に示すように、バッファ層４１０とゲート絶縁層４２０との間に第１の突起層３２１を設け、ゲート絶縁層４２０と層間絶縁層４３０との間に第２の突起層３２２を設けてもよい。本開示の少なくとも１つの実施例では、突起部３００が異なる層に配置されるという状況に関して、突起部３００が配置される層の数、具体的な位置と数については限定せず、実際の必要に応じて配置することができる。
本開示の少なくとも１つの実施例は、異なる層の突起部３００の間の相対的な位置関係について限定しない。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例では、図６に示すように、基板１００上での第１の突起層３２１の正投影は基板１００上での第２の突起層３２２の正投影と合致し、つまり、第１の突起部３２１と第２の突起部３２２は合致するように配置されてもよい。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、基板１００上での第１の突起層３２１の正投影は基板１００上での第２の突起層３２２の正投影の外にあり、つまり、第１の突起層３２１と第２の突起層３２２とは交錯するように配置されてもよい。
本開示の少なくとも１つの実施例は、突起部３００の寸法について限定せず、実際の必要に応じて設計してもよい。例えば、本開示の少なくとも１つの実施例では、図２に示すように、基板１００のある面に垂直な方向において、突起部３００の高さＨは０．２〜３μｍであってもよく、基板１００のある面に平行な方向において、突起部３００の幅Ｗは３〜９μｍであってもよい。
本開示の少なくとも１つの実施例において、基板１００上における突起部３００の配置方式については限定せず、水、酸素などが表示基板の内部に侵入する経路を増やすことができるものであればよい。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例では、図１に示すように、突起部３００は環状構造として設けられて表示領域１１０を囲むように設けられ、かつ突起部３００は表示領域１１０を部分的に囲むように設けてもよく、又は環状構造として設けられて表示領域１１０を囲むように設けてもよく、各突起部３００は一体化された閉じた環状構造として設けてもよい。これにより、突起部３００は表示領域１１０全体の部材を保護することができる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、図７は本開示の実施例が提供する別の表示基板の平面図である。図７に示すように、突起部３００は環状構造として設けられて表示領域１１０を囲むように設けられ、各突起部３００は互いに間隔をあけた少なくとも２つの突起段３３０を備えるように配置されてもよい（例えば、第１の突起段３３１、第２の突起段３３２などを含む）。表示基板の厚さが過度に厚くなり、後続の製造工程の不良などが発生しないように、表示基板の具体的な構造に応じて、突起段３３０を配置することができる。
本開示の少なくとも１つの実施例は突起段３３０の長さについて限定せず、実際のプロセス条件に応じて設計することができる。例えば、図７に示すように、表示基板の同一側において、突起段３３０の長さと表示基板の辺の長さとの比は１／３以上、さらには２／３以上である。例えば、図７に示すように、表示基板のＳ１側において、第１の突起段３３１の、Ｙ方向と平行に延在する長さと表示基板のＳ１側の辺の長さとの比は１／３以上であり、表示基板のＳ２側において、第２の突起段３３２の、Ｘ方向と平行に延在する長さと表示基板のＳ２側の辺の長さとの比は１／３以上である。同様に、表示基板のＳ３、Ｓ４側において、突起段３３０の長さとは表示基板の辺の長さとの比は１／３以上である。
本開示の少なくとも１つの実施例は、表示基板上における突起部３００の延在形状について限定しない。例えば、Ｚ軸に平行な方向から見たとき、基板１００のある面に平行な、突起部３００（例えば、突起段３３０）の延在形状（屈曲した延在形状を除く）は直線状、波状等であってもよい。例えば、図７に示すように、第１の突起段３３１の、Ｙ軸方向に平行な方向での延在形状、又は、第２の突起段３３２の、Ｘ軸方向に平行な方向での延在形状は直線状である。
本開示の少なくとも１つの実施例において、表示基板の種類については限定しない。例えば、本開示の一部の実施例において、表示基板は液晶ディスプレイ用アレイ基板であってもよい。例えば、本開示の他の実施例において、表示基板は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）ディスプレイ用のアレイ基板であってもよい。
本開示の少なくとも１つの実施例では、異種の表示基板に対して突起部３００の配置形態を適宜調節するか、又は表示基板内の他の構成要素の構造を突起部３００と連係させるように調節して、表示基板の封止効果をさらに向上させることができる。以下、表示基板がＯＬＥＤアレイ基板である場合を例として、表示基板の構成についてさらに説明する。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、図８は本開示の実施例が提供する別の表示基板の部分断面図である。図８に示すように、表示基板は、パッシベーション層２００の、基板１００から離れた側に配置された封止層６００を含んでもよく、各画素領域１１１の基板１００上には、封止層６００とパッシベーション層２００との間に少なくとも１つの有機発光素子８００が配置されてもよい。画素領域１１１の分布は、図１で示した関連内容を参照することができる。突起部３００を設けることにより基板１００とパッシベーション層２００との間から水分、酸素などが有機発光素子８００の内部に侵入することを防止して有機発光素子を保護することができる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、図８に示すように、有機発光素子８００は第１の電極８１０と、有機発光層８２０と、第２の電極６２０とを含んでもよく、有機発光層８２０は第１の電極８１０と第２電極８３０との間にある。薄膜トランジスタ４００内のソースドレイン電極層は有機発光ダイオード８００内の第１の電極８１０と電気的に接続されて有機発光ダイオード８００を駆動する。有機発光素子８００の構造は上述したものに限定されず、例えば、有機発光素子８００は、第１の電極８１０と第２電極８３０との間にある正孔注入層、正孔輸送層、電子伝搬層、電子注入層などの構造をさらに含むことができ、さらには正孔ブロック層と電子ブロック層を含んでもよく、正孔ブロック層は電子伝搬層と有機発光層８２０との間に配置することができ、電子ブロック層は正孔輸送層と有機発光層８２０との間に配置することができる。
本開示の少なくとも１つの実施例は、有機発光素子８００内の第１の電極８１０と第２の電極８３０の製造材料について限定しない。例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、第１の電極８１０と第２電極８３０のうちの一方は陽極であってもよく、他方は陰極であってもよい。陽極は、例えば、仕事関数の高い透明導電性材料からなり、電極材料は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）、酸化ガリウム亜鉛（ＧＺＯ）酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）、カーボンナノチューブなどを含んでもよく、陰極は、例えば、高導電性かつ低仕事関数の材料からなり、電極材料はマグネシウム−アルミニウム合金（ＭｇＡｌ）、リチウム−アルミニウム合金（ＬｉＡｌ）などの合金、又はマグネシウム、アルミニウム、リチウム、銀などの単金属を含んでもよい。
本開示の少なくとも１つの実施例は、有機発光素子８００内の有機発光層８２０の製造材料について限定しない。例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、有機発光層８２０の材料は発光色の違いによって選択される。例えば、有機発光層８２０の製造材料としては蛍光発光材料や燐光発光材料が挙げられる。例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、有機発光層８２０は、ホスト発光材料にドーパント材料を混合することによって利用可能な発光材料を得るドーピング系を採用することができる。例えば、ホスト発光材料としては、金属化合物材料、アントラセンの誘導体、芳香族ジアミン系化合物、トリフェニルアミン化合物、芳香族トリアミン系化合物、ビフェニルジアミン誘導体、又はトリアリールアミンポリマーなどを用いることができる。
本開示の少なくとも１つの実施例は、封止層６００の製造材料と具体的な構造について限定しない。例えば、封止層６００は単層構造であってもよく、少なくとも２層の適合構造であってもよい。例えば、封止層６００の製造材料は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）、高分子樹脂などの絶縁物質を含んでもよい。
本開示の少なくとも１つの実施例は、基板１００上の封止層６００の分布範囲について限定しない。例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、基板１００上での突起部３００の正投影は基板１００上での封止層６００の正投影の中にあり、つまり、封止層６００は突起部３００が位置する領域まで伸びる。例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、基板１００上での突起部３００の正投影は基板１００上での封止層６００の正投影の外にある。基板１００上での封止層６００の分布は表示基板の後続の封止構造に関連し、封止層６００の異なる配置方式は以下に示す実施例（図１２で示す表示パネルに関する実施例）の関連内容を参照でき、本開示の少なくとも１つの実施例はここで改めて言及しない。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、図８に示すように、表示基板は、基板１００上に配置された画素規定層７００をさらに含むことができ、有機発光素子８００は画素規定層７００によって限定された領域内に配置される。
本開示の少なくとも１つの実施例は、画素規定層７００の具体的な構造と製造材料などについて限定しない。例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、画素規定層７００は１層又は２層構造であってもよく、多層の複合層構造であってもよい。例えば、画素規定層７００は少なくとも第１の規定層と第２の規定層との積層を含んでもよく、第１の規定層は、例えば、親水性有機材料から形成されてもよく、第２の規定層は、例えば、疎水性有機材料から形成されてもよい。第１の規定層は基板１００と第２の規定層との間に位置し、例えば、インクジェット印刷によって有機発光素子８００の一部の構造（例えば、有機発光層８２０など）を製造する際に、親水性の第１の規定層はインクジェット材料を画素規定層７００によって限定された領域に吸着固定し、疎水性の第２の規定層はその上に落ちたインクジェット材料を滑り落として、画素規定層７００によって限定された領域に移動させ、製造される表示基板の合格率を向上させることができる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、図８に示すように、表示基板は、有機発光素子８００とパッシベーション層２００との間に配置される平坦層５００をさらに含むことができる。表示基板の製造工程において、平坦層５００は表示基板を平坦化して、後続のプロセスを容易にすることができる。本開示の少なくとも１つの実施例は、平坦層５００の製造材料について限定しない。例えば、平坦層５００の製造材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、又は他の適切な材料などの有機材料であってもよい。
本開示の少なくとも１つの実施例において、突起部の配置方式は、パッシベーション層の表面に沿って表示基板の内部に水、酸素などが侵入する経路を増やすということに限定されない。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、図９は本開示の実施例が提供する別の表示基板の部分断面図である。例えば、図９に示すように、表示基板は、基板１００上に順に設置されたバッファ層４１０と、ゲート絶縁層４２０と、層間絶縁層４３０と、パッシベーション層２００と、平坦層５００とのうちの少なくとも１つをさらに備える。バッファ層４１０、ゲート絶縁層４２０、層間絶縁層４３０、パッシベーション層２００、平坦層５００の配置選択は実際の要求に応じて設計することができ、本開示の少なくとも１つの実施例はこれについて限定しない。以下、表示基板にバッファ層４１０と、ゲート絶縁層４２０と、層間絶縁層４３０と、パッシベーション層２００と、平坦層５００とが共に配置された形態を例として、本開示の以下の実施例の内容について説明する。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例では、図９に示すように、突起部３００の少なくとも一部は層間絶縁層４３０と同層にかつ同材料で製造されるように設置され、及び／又は突起部３００の少なくとも一部はゲート絶縁層４２０と同層にかつ同材料で製造されるように設置され、及び／又は突起部３００の少なくとも一部はバッファ層４１０と同層にかつ同材料で製造されるように設置され、及び／又は突起部３００はの少なくとも一部はパッシベーション層２００と同層にかつ同材料で製造されるように設置される。例えば、基板１００上での突起部３００の正投影は基板１００上での平坦層５００の正投影の中にある。例えば、表示基板を製造する過程において、基板１００上に、バッファ層４１０と、ゲート絶縁層４２０と、層間絶縁層４３０と、パッシベーション層２００とを順次形成した後、非表示領域１２０内のバッファ層４１０と、ゲート絶縁層４２０と、層間絶縁層４３０と、パッシベーション層２００とをパターニングして、バッファ層４１０と、ゲート絶縁層４２０と、層間絶縁層４３０と、パッシベーション層２００とのうちの非表示領域１２０に位置する部分が突起部３００を形成するようにし、その後、基板１００上に平坦層５００を覆うことができる。突起部３００は、水、酸素などが表示基板の内部に侵入する経路を増やすだけでなく、表示基板の応用（例えば、表示基板はフレキシブル表示基板であってもよく、表示基板は応用過程で折り曲げなどの操作がなされる）過程で、クラックが生じる確率を低減するなど損傷を減少させ、外部からの水、酸素などが表示基板の内部に侵入するリスクを低減することができる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、図１０は本開示の実施の形態が提供する別の表示基板の部分断面図である。例えば、図１０に示すように、表示基板は、基板１００上に設置されたバッファ層４１０、ゲート絶縁層４２０と、層間絶縁層４３０と、パッシベーション層２００と、平坦層５００とを備えている。図１０に示すように、突起部３００の少なくとも一部は層間絶縁層４３０と同層にかつ同材料で製造されるように設置され、及び／又は突起部３００の少なくとも一部はゲート絶縁層４２０と同層にかつ同材料で製造されるように設置され、及び／又は突起部３００の少なくとも一部はパッシベーション層２００と同層にかつ同材料で製造されるように設置される。例えば、Ｚ軸に平行な方向において、基板１００上での突起部３００の正投影は基板１００上でのバッファ層４１０の正投影の中にあり、かつ基板１００上での突起部３００の正投影は基板１００上での平坦層５００の正投影の中にある。
例えば、表示基板を製造する過程において、基板１００上に、バッファ層４１０と、ゲート絶縁層４２０と、層間絶縁層４３０と、パッシベーション層２００とを順次形成した後、ゲート絶縁層４２０と、層間絶縁層４３０と、パッシベーション層２００との非表示領域１２０内の部分をパターニングして、ゲート絶縁層４２０と、層間絶縁層４３０と、パッシベーション層２００とのうちの非表示領域１２０内に位置する部分が突起部３００を形成するようにし、その後、基板１００上に平坦層５００を覆う。バッファ層４１０は、基板１００の非表示領域１２０、例えば、突起部３００のある領域まで延在して、基板１００及び基板１００上に配置された構造の間でバッファとして機能し、基板１００上に配置された構造を保護することができる。これにより、表示基板の内部への水、酸素等の侵入経路を増やすことができるだけでなく、表示基板の応用（例えば、表示基板はフレキシブル表示基板であってもよく、表示基板は応用過程で折り曲げなどの操作がなされる）過程で、クラックが生じる確率を低減するなど損傷を減少させ、外部からの水、酸素などが表示基板の内部に侵入するリスクを低減することができる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、図１１は本開示の実施例が提供する表示基板の部分断面図である。例えば、図１１に示すように、表示基板は、基板１００上に設置されたバッファ層４１０と、ゲート絶縁層４２０と、層間絶縁層４３０と、平坦層５００とを備えている。図１１に示すように、突起部３００の少なくとも一部は層間絶縁層４３０と同層にかつ同材料で製造されるように設置され、及び／又は突起部３００の少なくとも一部はゲート絶縁層４２０と同層にかつ同材料で製造されるように設置される。例えば、Ｚ軸に平行な方向において、基板１００上での突起部３００の正投影は基板１００上でのバッファ層４１０の正投影の中にあり、基板１００上での突起部３００の正投影は、基板１００上での平坦層５００の正投影の中にある。
例えば、表示基板を製造する過程において、基板１００上に、バッファ層４１０と、ゲート絶縁層４２０と、層間絶縁層４３０とを順次形成した後、ゲート絶縁層４２０と、層間絶縁層４３０との非表示領域１２０内の部分をパターニングして、ゲート絶縁層４２０と、層間絶縁層４３０とのうちの非表示領域１２０内に位置する部分が突起部３００を形成するようにし、その後、基板１００上に平坦層５００を覆う。これにより、表示基板内に設けられる突起部３００は、表示基板の内部への水、酸素等の侵入経路を増やすことができるだけでなく、表示基板の応用（例えば、表示基板はフレキシブル表示基板であってもよく、表示基板は応用過程で折り曲げなどの操作がなされる）過程で、クラックが生じる確率を低減するなど損傷を減少させ、外部からの水、酸素などが表示基板の内部に侵入するリスクを低減することができる。また、表示基板において、図１０に示すようなパッシベーション層２００を設けず、平坦層５００をパッシベーション層２００の代わりとすることで、表示基板の厚さをさらに低減することができ、表示基板の薄型化に貢献できる。このほか、バッファ層４１０は基板１００の非表示領域１２０、例えば、突起部３００のある領域まで伸びて基板１００と基板１００上に配置された構造の間でバッファとして機能し、基板１００上に配置された構造を保護することができる。
本開示の少なくとも１つの実施例において、表示基板の表示領域１１０の周囲に多層の突起部３００を配置することによって、水、酸素などが表示基板に侵入する過程で多層の突起部３００によって遮断され、突起部３００による表示基板の封止効果をさらに向上させる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、図１１に示すように、表示基板の表示領域１１０と同一側に少なくとも２つの突起部３００が配置されてもよい。例えば、基板１００のある面に垂直な方向における突起部３００の高さは約０．２〜３μｍであり、基板１００のある面に平行な方向における突起部３００の幅は約３〜９μｍであり、基板１００のある面に平行な方向における、隣接する２つの突起部３００の間隔は約３〜１０μｍである。突起部３００の寸法設置に関しては、前述の実施例（例えば、図５に示す実施例）の関連内容を参照してもよく、本開示の少なくとも１つの実施の形態はここで改めて言及しない。。
本開示の少なくとも１つの実施例が提供する表示パネルは、上記のいずれかの実施例の表示基板を備えたものである。本開示の少なくとも１つの実施例は表示パネルの種類について限定しない。
例えば、本開示の実施例の一例において、当該表示パネルは液晶表示パネルであってもよく、例えば、表示基板は当該液晶表示パネルのアレイ基板であって、表示パネルはカラーフィルム基板をさらに含んでもよく、カラーフィルム基板とアレイ基板は液晶セルに組み込まれており、液晶セルに液晶材料が充填されてもよい。アレイ基板の各画素ユニットの画素電極と共通電極は、電界を印加して液晶材料の回転度を制御して表示操作を行うために使用される。
例えば、本開示の実施例の一例において、当該表示パネルは有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）表示パネルであってもよく、当該表示パネルのサブ画素領域には有機発光物質の積層が形成され、各画素ユニットの画素電極は、有機発光物質を発光駆動する陽極又は陰極として表示操作を実行することに用いられる。
例えば、本開示の実施例の一例において、当該表示パネルは電子ペーパー表示パネルであってもよく、当該表示パネルの表示基板上に電子インク層を形成することができ、各画素ユニットの画素電極は、電子インク内の帯電微粒子を移動させて表示操作を行うための電圧を印加するものである。
以下、表示パネルがＯＬＥＤ表示パネルである場合、及び表示パネルにおける表示基板がＯＬＥＤアレイ基板である場合を例として、本開示の実施例における表示パネルの具体的な構造について説明する。
図１２は本開示の実施例で提供する表示パネルの部分断面図である。例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、図１２に示すように、表示パネルは、基板１００と対向配置された対向基板１１００、及び対向基板１１００と基板１００との間に配置された封止セメント９００、充填層１０００などの構造をさらに含むことができる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、図１２に示すように、Ｚ軸に平行な方向において、突起部３００が位置する領域を覆うように封止セメント９００を設けてもよい。封止セメント９００は表示基板と対向基板１１００とを接続し、表示パネル内部に外部の物質が侵入しないように封止することができる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例では、図１２に示すように、封止層６００は例えば封止セメント９００と接触してもよく、つまり、基板１００上での突起部３００の正投影は基板１００上での封止層６００の正投影の中にある。突起部３００が設置された領域において、封止層６００にも突起部３００に対応する非平坦部分が形成されることにより、当該領域内の封止セメント９００と封止層６００との接触面積が増加し、これにより、封止セメント９００と封止層６００との界面に沿って水、酸素などが表示パネルの内部に侵入する経路を増やすことができるだけでなく、封止セメント９００と封止層６００との間の接続の強度が高まり、表示パネルの封止効果を向上させることができる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、封止層６００は封止セメント９００と接触しておらず、つまり、基板１００上での突起部３００の正投影は基板１００上での封止層６００の正投影の中にある。突起部３００が設置された領域において、パッシベーション層２００にも突起２００に対応する非平坦部が形成されることにより、当該領域内の封止セメント９００とパッシベーション層２００との接触面積が増加し、これにより、封止セメント９００と封止層６００との界面に沿って水、酸素などが表示パネルの内部に侵入する経路を増やすことができることができるだけでなく、封止セメント９００と封止層６００との間の接続の強度が高まり、表示パネルの封止効果を向上させることができる。
本開示の少なくとも１つの実施例は、封止セメント９００の製造材料について限定しない。例えば、封止セメント９００の製造材料は、有機材料、無機材料又は有機材料と無機材料との組み合わせを含んでもよい。有機物は、エポキシ樹脂、ポリウレタン、シリコーンゲル、アクリレート、ポリシロキサン、ポリアミド、ポリエステル、又はこれらの組み合わせを含んでもよく、無機材料は、水ガラスなどを含んでもよい。
対向基板１１００と表示基板とを貼り合わせた後、封止セメント９００を硬化して（例えば、紫外線照射硬化や熱硬化など）表示パネルの封止が完了する。例えば、封止セメント９００は、圧制、溶融、冷却、反応硬化又はこれらの組み合わせによってその硬化を完成してもよい。圧制により硬化する材料は感圧接着剤を含んでもよい。溶融と冷却により硬化する材料としては、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミドなどのホットメルト接着剤を含んでもよい。反応硬化による材料は、アクリレート、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリシロキサン又はこれらの組み合わせを含んでもよく、反応硬化は熱硬化又は紫外線硬化などを含むことができる。
本開示の少なくとも１つの実施例は、充填層１０００の製造材料について限定しない。例えば、充填層３１の材料は、乾燥剤を含む高分子材料や水蒸気を遮断可能な高分子材料など、例えば、高分子樹脂等であってもよく、吸水性材料であってもよく、例えば、アルカリ金属（例えば、Ｌｉ、Ｎａ）、アルカリ土類金属（例えばＢａ、Ｃａ）又はその他の湿気反応性金属（例えばＡｌ、Ｆｅ）、アルカリ金属酸化物（例えば、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ）、アルカリ土類金属酸化物（例えば、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ）、硫酸塩（例えば、無水ＭｇＳＯ４）、金属ハロゲン化物（例えば、ＣａＣｌ２）、又は過塩素酸塩（例えば、Ｍｇ （ ＣｌＯ４）２）などであってもよい。
なお、本開示の少なくとも１つの実施例において、ＯＬＥＤ表示パネルには封止セメント９００、充填層１０００、対向基板１１００などの構造を設けなくてもよく、例えば、封止層６００のみでＯＬＥＤ表示パネルの封止を完了することができる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、表示パネルの表示基板はフレキシブル表示の分野に適用されるフレキシブル基板であってもよい。例えば、本開示の実施例が提供する表示パネルでは、表示基板上にタッチ基板を設けることにより表示パネルにタッチ表示機能を持たせることができる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、当該表示パネルはテレビ、デジタルカメラ、携帯電話、腕時計、タブレット、ノートパソコン、ナビゲーションなどの表示機能を有する任意の製品又は部品であってもよい。
なお、明瞭にするために、当該表示パネルのすべての構造については説明しない。表示パネルの必要な機能を実現するために、当業者は具体的な応用場面によって他の構造を設置することができ、本開示はこれについて限定しない。
本開示の少なくとも１つの実施例が提供する表示基板の製造方法は、表示領域と、表示領域の周囲にある非表示領域とを有する基板を準備する工程と、基板に少なくとも１つの突起部を形成する工程と、を備え、突起部は非表示領域に形成されている。上記製造方法により得られる表示基板では、突起部を設置することにより、外部からの水、酸素などの物質の基板内部での侵入経路を増やし、表示基板内の部品を保護することができる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例が提供する表示基板の製造方法は、基板上にパッシベーション層を形成する工程をさらに備え、突起部は基板とパッシベーション層との間に形成され、パッシベーション層の少なくとも一部は突起部を覆う。これにより、上記製造方法により得られた表示基板において、突起部は水、酸素等がパッシベーション層の表面に沿って表示基板内部に侵入する経路を増やし、表示基板内の部品を保護することができる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例が提供する表示基板の製造方法は、基板上に平坦層を形成する工程と、基板と平坦層との間にバッファ層と、ゲート絶縁層と、層間絶縁層と、パッシベーション層とのうちの少なくとも１つを形成する工程と、をさらに備え、基板上での突起部の正投影は基板上での平坦層の正投影の中にあり、突起部の少なくとも一部は層間絶縁層と同層にかつ同材料で形成され、及び／又は突起部の少なくとも一部はゲート絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は突起部の少なくとも一部はバッファ層と同層にかつ同材料で形成され、及び／又は突起部の少なくとも一部はパッシベーション層と同層にかつ同材料で形成されている。これにより、上記製造方法により得られた表示基板において、突起部は、水、酸素などが表示基板の内部に侵入する経路を増やすだけでなく、表示基板の応用（例えば、表示基板はフレキシブル表示基板であってもよく、表示基板は応用過程で折り曲げなどの操作がなされる）過程で、クラックが生じる確率を低減するなど損傷を減少させ、外部からの水、酸素などが表示基板の内部に侵入するリスクを低減することができる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例が提供する表示基板の製造方法は、基板上にバッファ層と、ゲート絶縁層と、層間絶縁層と、パッシベーション層と、平坦層とを形成する工程とをさらに含み、基板上での突起部の正投影は基板上での平坦層の正投影の中にあり、基板上での突起部の正投影は基板上でのバッファ層の正投影内の中にあり、突起部の少なくとも一部は層間絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は突起部の少なくとも一部はゲート絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は突起部の少なくとも一部はパッシベーション層と同層にかつ同材料で製造されるように配置されている。これにより、上記製造方法により得られる表示基板では、水、酸素などが表示基板の内部に侵入する経路を増やすだけでなく、表示基板の応用（例えば、表示基板はフレキシブル表示基板であってもよく、表示基板は応用過程で折り曲げ操作がなされる）過程で、クラックが生じる確率を低減するなど損傷を減少させ、外部からの水、酸素などが表示基板の内部に侵入するリスクを低減することができる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例が提供する表示基板の製造方法は、基板上にバッファ層と、ゲート絶縁層と、層間絶縁層と、平坦層とを形成する工程をさらに備え、基板上での突起部の正投影は基板上での平坦層の正投影の中にあり、基板上での突起部の正投影は基板上でのバッファ層の正投影の中にあり、突起部の少なくとも一部は層間絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は突起部の少なくとも一部はゲート絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置されている。これにより、上記製造方法により得られた表示基板において、突起部は、表示基板の内部への水、酸素等の侵入経路を増やすことができるだけでなく、表示基板の応用（例えば、表示基板はフレキシブル表示基板であってもよく、表示基板は応用過程で折り曲げ操作がなされる）過程で、クラックが生じる確率を低減するなど損傷を減少させ、外部からの水、酸素などが表示基板の内部に侵入するリスクを低減することができる。また、表示基板において、パッシベーション層を形成せず、表示基板の厚さをさらに低減することができ、表示基板の薄型化に貢献できる。このほか、バッファ層は基板の非表示領域まで伸びて基板と基板上に配置された構造の間でバッファとして機能し、基板上に形成された構造を保護することができる。
本開示の少なくとも１つの実施例は表示基板及びその製造方法、表示パネルを提供し、以下の有益な効果のうちの少なくとも１つを有する。
（１）本開示の少なくとも１つの実施例が提供する表示基板では、非表示領域に設置された突起部によって表示基板の内部への水、酸素等の侵入経路を増やすことができ、表示基板のパッケージング効果を向上させる。
（２）本開示の少なくとも１つの実施例が提供する表示基板では、突起部は、表示基板内の各層構造（例えば、パッシベーション層と層間絶縁層）間の接続の強度を高めることができ、表示基板のパッケージング効果を向上させる。
本開示について、さらに以下の点について説明しておく。
（１）本開示の実施例の図面は、本開示の実施例に係る構造のみに関するものであり、他の構造は一般的な設計を参照することができる。
（２）明確にするために、本開示の実施例を説明するために使用される図面において、層又は領域の厚さは拡大又は縮小されており、つまり、これらの図面は実際の縮尺で描かれているのではない。
（３）矛盾することがなければ、本開示における実施例及び実施例における特徴は互いに組み合わせて新たな実施例を得ることができる。
以上の内容は本開示の具体的な実施の形態に過ぎず、本開示の保護範囲はこれに限定されず、請求項によって定義される保護範囲に基づくものとする。
１００ 基板
１１０ 表示領域
１１１ 画素領域
１２０ 非表示領域
２００ パッシベーション層
３００ 突起部
３０１ 第１の突起
３０２ 第２の突起
３１１ 第１の突起部
３１２ 第２の突起部
３２１ 第１の突起層
３２２ 第２の突起層
３３０ 突起段
３３１ 第１の突起段
３３２ 第２の突起段
４００ 薄膜トランジスタ
４１０ バッファ層
４２０ ゲート絶縁層
４３０ 層間絶縁層
５００ 平坦層
６００ 封止層
７００ 画素規定層
８００ 有機発光素子
８１０ 第１の電極
８２０ 有機発光層
８３０ 第２の電極
９００ 封止セメント
１０００ 充填層
１１００ 対向基板

Claims (27)

  1. 表示領域と、前記表示領域の周囲に位置する非表示領域とを有する基板と、
    前記基板上に設置された少なくとも１つの突起部と、を備え、
    前記突起部は前記非表示領域に設けられている、
    表示基板。
  2. 前記基板上に設置されたパッシベーション層をさらに備え、
    前記突起部は前記基板と前記パッシベーション層との間に位置し、前記パッシベーション層は前記突起部の少なくとも一部を覆う、
    請求項１に記載の表示基板。
  3. 前記パッシベーション層と前記基板との間に位置する層間絶縁層と、ゲート絶縁層と、バッファ層とのうちの少なくとも１つをさらに備える、
    請求項２に記載の表示基板。
  4. 少なくとも１つの前記突起部が前記パッシベーション層と前記層間絶縁層との間に設けられ、及び／又は
    少なくとも１つの前記突起部が前記層間絶縁層と前記ゲート絶縁層との間に設けられ、及び／又は
    少なくとも１つの前記突起部が前記ゲート絶縁層と前記バッファ層との間に設けられ、及び／又は
    少なくとも１つの前記突起部が前記バッファ層と前記基板との間に設けられている、
    請求項３に記載の表示基板。
  5. 前記突起部の少なくとも一部は前記層間絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は
    前記突起部の少なくとも一部は前記ゲート絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は
    前記突起部の少なくとも一部は前記バッファ層と同層にかつ同材料で製造されるように配置される、
    請求項３に記載の表示基板。
  6. 前記突起部の少なくとも一部は１つの第１の突起と１つの第２の突起の積層を含むように配置され、
    前記第１の突起は、前記層間絶縁層と、前記ゲート絶縁層と、前記バッファ層とのうちの少なくとも１つと同層にかつ同材料で製造されるように配置され、前記第２の突起はフォトレジスト材料で配置される、
    請求項３に記載の表示基板。
  7. 前記突起部の製造材料はフォトレジスト材料を含む、
    請求項３に記載の表示基板。
  8. 前記基板のある面に垂直な方向において、前記突起部の高さは０．２〜３μｍであり、
    前記基板のある面に平行な方向において、前記突起部の幅は３〜９μｍである、
    請求項３〜７のいずれか１項に記載の表示基板。
  9. 前記基板のある面に平行な同一の層において、
    前記突起部は前記表示領域を囲んで順に分布する第１の突起部と第２の突起部とを少なくとも有し、前記第１の突起部は前記第２の突起部と同層に配置され、かつ、前記第１の突起部は前記第２の突起部の内側に位置している、
    請求項３〜８のいずれか１項に記載の表示基板。
  10. 前記基板のある面に平行な方向において、前記第１の突起部と前記第２の突起部との間の間隔は３〜１０μｍである、
    請求項９に記載の表示基板。
  11. 前記基板のある面に垂直な方向において、
    前記突起部は、異なる層に位置する第１の突起層と第２の突起層とを少なくとも有し、かつ前記第１の突起層は前記第２の突起層と前記基板との間に位置している、
    請求項３〜１０のいずれか１項に記載の表示基板。
  12. 前記基板上での前記第１の突起層の正投影は前記基板上での第２の突起層の正投影と合致するか、又は
    前記基板上での前記第１の突起層の正投影は前記基板上での第２の突起層の正投影の外にある、
    請求項１１に記載の表示基板。
  13. 前記突起部は環状構造として設けられて前記表示領域を囲むように設けられ、
    各前記突起部は一体化した閉じた環状構造として設けられるか、又は
    各前記突起部は互いに間隔をあけた少なくとも２つの突起段を備える、
    請求項３〜１２のいずれか１項に記載の表示基板。
  14. 前記パッシベーション層の、前記基板から離れた側に設置された封止層をさらに備え、
    前記表示領域の前記基板は複数の画素領域を備え、各前記画素領域の前記基板上に少なくとも１つの有機発光素子が設置され、前記有機発光素子は前記パッシベーション層と前記封止層との間に位置する、
    請求項２〜１３のいずれか１項に記載の表示基板。
  15. 前記基板上での前記突起部の正投影は前記基板上での前記封止層の正投影の中にある、
    請求項１４に記載の表示基板。
  16. 前記基板上に設置されたバッファ層と、ゲート絶縁層と、層間絶縁層と、パッシベーション層と、平坦層とのうちの少なくとも１つをさらに備える、
    請求項１に記載の表示基板。
  17. 前記突起部の少なくとも一部は前記層間絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は
    前記突起部の少なくとも一部は前記ゲート絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は
    前記突起部の少なくとも一部は前記バッファ層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は
    前記突起部の少なくとも一部は前記パッシベーション層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、
    前記基板上での前記突起部の正投影は前記基板上での前記平坦層の正投影の中にある、
    請求項１６に記載の表示基板。
  18. 前記基板上に設置されたバッファ層と、ゲート絶縁層と、層間絶縁層と、パッシベーション層と、平坦層とをさらに備え、
    前記突起部の少なくとも一部は前記層間絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は
    前記突起部の少なくとも一部は前記ゲート絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は
    前記突起部の少なくとも一部は前記パッシベーション層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、
    前記基板上での前記突起部の正投影は前記基板上での前記平坦層の正投影の中にあり、前記基板上での前記突起部の正投影は前記基板上での前記バッファ層の正投影の中にある、
    請求項１に記載の表示基板。
  19. 前記基板上に設置されたバッファ層と、ゲート絶縁層と、層間絶縁層と、平坦層とをさらに備え、
    前記突起部の少なくとも一部は前記層間絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は
    前記突起部の少なくとも一部は前記ゲート絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、
    前記基板上での前記突起部の正投影は前記基板上での前記平坦層の正投影の中にあり、前記基板上での前記突起部の正投影は前記基板上での前記バッファ層の正投影の中にある、
    請求項１に記載の表示基板。
  20. 前記表示領域の同一側に前記突起部が少なくとも２つ配置されている、
    請求項１６〜１９のいずれか１項に記載の表示基板。
  21. 前記基板のある面に垂直な方向において、前記突起部の高さは０．２〜３μｍであり、
    前記基板のある面に平行な方向において、前記突起部の幅は３〜９μｍであり、
    前記基板のある面に平行な方向において、隣接する２つの前記突起部間の間隔は３〜１０μｍである、
    請求項２０に記載の表示基板。
  22. 請求項１〜２１のいずれか１項に記載の表示基板を備える、
    表示パネル。
  23. 表示領域と前記表示領域の周囲に位置する非表示領域とを有する基板を準備する工程と、
    前記基板上に少なくとも１つの突起部を形成する工程と、を備え、
    前記突起部は前記非表示領域に形成されている、
    表示基板の製造方法。
  24. 前記基板上にパッシベーション層を形成する工程をさらに備え、
    前記基板と前記パッシベーション層との間に前記突起部が形成され、前記パッシベーション層は前記突起部の少なくとも一部を覆う、
    請求項２３に記載の製造方法。
  25. 前記基板上に平坦層を形成する工程と、
    前記基板と前記平坦層との間にバッファ層と、ゲート絶縁層と、層間絶縁層と、パッシベーション層とのうちの少なくとも１つを形成する工程と、をさらに含み、
    前記基板上での前記突起部の正投影は前記基板上での前記平坦層の正投影の中にあり、
    前記突起部の少なくとも一部は前記層間絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は
    前記突起部の少なくとも一部は前記ゲート絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は
    前記突起部の少なくとも一部は前記バッファ層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は
    前記突起部の少なくとも一部は前記パッシベーション層と同層にかつ同材料で製造されるように配置される、
    請求項２３に記載の製造方法。
  26. 前記基板上にバッファ層と、ゲート絶縁層と、層間絶縁層と、パッシベーション層と、平坦層とを形成する工程をさらに備え、
    前記基板上での前記突起部の正投影は前記基板上での前記平坦層の正投影の中にあり、前記基板上での前記突起部の正投影は前記基板上での前記バッファ層の正投影の中にあり、
    前記突起部の少なくとも一部は前記層間絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は
    前記突起部の少なくとも一部は前記ゲート絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は
    前記突起部の少なくとも一部は前記パッシベーション層と同層にかつ同材料で製造されるように配置される、
    請求項２３に記載の製造方法。
  27. 前記基板上にバッファ層と、ゲート絶縁層と、層間絶縁層と、平坦層とを形成する工程をさらに備え、
    前記基板上での前記突起部の正投影は前記基板上での前記平坦層の正投影の中にあり、前記基板上での前記突起部の正投影は前記基板上での前記バッファ層の正投影の中にあり、
    前記突起部の少なくとも一部は前記層間絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置され、及び／又は前記突起部の少なくとも一部は前記ゲート絶縁層と同層にかつ同材料で製造されるように配置される、
    請求項２３に記載の製造方法。
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