KR20180054386A - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

Abstract

유기 발광 표시 장치가 제공된다. 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자가 배치된 액티브 영역과 상기 액티브 영역을 둘러싸는 비액티브 영역이 정의된 기판, 유기 발광 소자를 덮도록 액티브 영역과 비액티브 영역에 배치된 제1 무기층, 제1 무기층 상의 유기층, 제1 무기층 및 유기층 상에 배치되고, 제1 무기층과 비액티브 영역에서 접하는 제2 무기층 및 비액티브 영역에 배치되고, 액티브 영역에 배치된 복수의 절연층과 동일한 물질로 이루어진 복수의 층을 포함하는 댐 구조물을 포함하고, 댐 구조물은 3개 이상의 층을 포함한다.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.

본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라, 전기적 정보신호를 시각적으로 표시하는 표시 장치 분야가 급속도로 발전하고 있다. 이에, 여러 가지 다양한 평판 표시 장치에 대해 박형화, 경량화 및 저소비 전력화 등의 성능을 개발시키기 위한 연구가 계속되고 있다. 이 같은 평판 표시 장치의 대표적인 예로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출 표시 장치(Field Emission Display device: FED), 전기습윤 표시 장치(Electro-Wetting Display device: EWD) 및 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display device: OLED) 등을 들 수 있다.

특히, 유기 발광 표시 장치는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능하다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 저전압 구동에 따라 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 응답 속도, 시야각 및 명암비(Contrast Ratio)도 우수하여, 차세대 디스플레이로서 연구되고 있다. 하지만 이러한 장점에도 불구하고, 유기 발광 표시 장치는 수분 및 산소에 매우 취약한 단점이 존재한다. 따라서, 유기 발광 표시 장치 제조 공정에서 유기 발광 소자를 밀봉하여 외부로부터의 수분 및 침투를 차단하는 것은 매우 중요하다.

이에 따라, 유기 발광 표시 장치는 효율적으로 수분 및 산소의 침투를 차단하기 위해 유기 발광 소자 상부에 무기층과 유기층을 교번하여 적층한 봉지부(encapsulation layer)을 배치한다.

일반적으로 봉지부의 유기층을 도포할 때 잉크젯 공정을 이용한다. 봉지부의 유기층을 이루는 물질은 낮은 점도를 갖기 때문에 봉지부의 유기층 형성 시 유기층을 이루는 물질의 퍼짐성을 제어해야 한다. 이와 같이, 봉지부의 유기층의 퍼짐을 효율적으로 제어하기 위해 유기 발광 표시 장치의 기판 외곽 영역에 댐 구조물이 배치된다.

일반적인 댐 구조물은 액티브 영역에 배치되는 뱅크와 스페이서와 동일한 물질이 적층되어 형성된다.

그러나, 일반적인 유기 발광 표시 장치는 다양한 절연층, 예를 들어, 평탄화층, 뱅크 및 스페이서 등이 순차적으로 적층되어 배치되기 때문에 뱅크와 스페이서로만 이루어지는 일반적인 댐 구조물로 봉지부를 이루는 유기층의 퍼짐성을 제어하는데 한계가 있다.

특히, 최근 유기 발광 표시 장치의 고해상도의 요구에 따라 다양한 전극 및 배선의 배치를 위하여 복수의 평탄화층이 배치되는 경우, 일반적인 댐 구조물과 유기 발광 표시 장치의 다양한 절연층 간의 단차가 심해져 봉지부를 이루는 유기층의 퍼짐성을 제어하는데 더 어려움을 겪고 있다.

이에, 본 발명에서 해결하고자 하는 과제는 기판의 외곽 영역에 배치되는 댐 구조물이 액티브 영역에 배치되는 구조물과의 단차를 줄여 봉지부의 유기층 퍼짐을 보다 효율적으로 제어할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.

또한, 본 발명에서 해결하고자 하는 다른 과제는 기판의 외곽 영역에 배치되는 댐 구조물을 개선하여 일반적인 댐 구조물을 적용하는 경우에도 효율적으로 봉지부를 이루는 유기층의 퍼짐성을 제어할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.

또한, 본 발명에서 해결하고자 하는 또다른 과제는 기판의 외곽 영역에 배치되는 댐 구조물의 높이를 개선함으로써 하나의 댐 구조물만 배치될 수 있어 네로우 베젤(narrow bezel)을 갖는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 유기발광소자가 배치된 액티브 영역과 상기 액티브 영역을 둘러싸는 비액티브 영역이 정의된 기판, 유기발광소자를 덮도록 액티브 영역과 비액티브 영역에 배치된 제1 무기층, 제1 무기층 상의 유기층, 제1 무기층 및 유기층 상에 배치되고, 제1 무기층과 상기 비액티브 영역에서 접하는 제2 무기층 및 비액티브 영역에 배치되고, 액티브 영역에 배치된 복수의 절연층과 동일한 물질로 이루어진 복수의 층을 포함하는 댐 구조물을 포함하고, 댐 구조물은 3개 이상의 층을 포함한다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 구동소자 및 유기발광소자가 배치된 액티브 영역, 액티브 영역의 외곽에 배치되며 유기발광소자를 발광시키기 위한 구동회로가 배치된 구동회로 영역 및 구동회로 영역의 외곽에 배치되는 댐 영역이 정의된 기판, 구동소자와 상기 구동회로 상의 제1 평탄화층, 제1 평탄화층 상에 유기발광소자의 발광 영역을 정의하는 뱅크, 액티브 영역에서 뱅크 상에 배치된 스페이서, 구동회로 영역에서 뱅크 상에 배치된 제1 댐 구조물 및 댐 영역에 배치된 제2 댐 구조물을 포함한다.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.

본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 액티브 영역에 배치된 평탄화층과 동시에 형성되고 동일한 물질로 이루어지는 물질을 댐 구조물에 포함하도록 배치함으로써 액티브 영역에 배치된 복수의 절연층과 단차를 줄일 수 있어 봉지부의 유기층의 균일성을 향상시킬 수 있다.

본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 비액티브 영역에 댐 구조물을 하나만 배치할 수 있어 네로우 베젤을 구현할 수 있다.

본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 액티브 영역과 근접한 비액티브 영역에 제1 댐 구조물을 배치함으로써 일반적인 댐 구조물을 배치한 경우에도 봉지부의 유기층의 퍼짐을 효율적으로 제어할 수 있다.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ'선에 따라 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 일 실시예의 단면도이다.
도 4는 도 1의 Ⅲ-Ⅲ'선에 따라 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 다른 실시예의 단면도이다.
도 5는 도 1의 Ⅲ-Ⅲ'선에 따라 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 또 다른 실시예의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 7은 도 6의 Ⅵ-Ⅵ'선에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 9는 도 8의 Ⅷ-Ⅷ'선에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.

소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 당업자가 충분히 이해할 수 있듯이 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 액티브 영역(A/A), 비액티브 영역(N/A) 및 패드 영역(PP/A)을 갖는다.

액티브 영역(A/A)은 기판(101)의 중앙부에 배치되고, 영상이 표시되는 영역이다. 액티브 영역(A/A)에는 복수의 화소(pixel)가 배치되고, 각 화소는 유기 발광 소자와 구동 소자를 포함하고, 유기 발광 소자와 구동 소자는 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 구동 소자는 스위칭 트랜지스터 및 하나 이상의 구동 트랜지스터를 포함할 수 있고, 비액티브 영역(N/A)에 배치된 게이트 드라이버, 데이터 드라이버 등과 통신하기 위한 신호 라인(게이트 라인, 데이터 라인 등)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 액티브 영역(A/A)에 대한 보다 상세한 구조는 다음 도 2를 참조하여 보다 상세히 살펴보기로 한다.

비액티브 영역(N/A)은 액티브 영역(A/A)을 둘러싸는 형태로 배치된다. 비액티브 영역(N/A)에는 액티브 영역(A/A)의 유기 발광 소자를 발광시키도록 하는 구동 회로부인 게이트 드라이버 및 데이터 드라이버가 배치되며, 게이트 드라이버 및 데이터 드라이버는 TFT(Thin Film Transistor)로 구현될 수 있다. 이러한 드라이버는 GIP(Gate-In-Panel)로 지칭될 수 있다.

비액티브 영역(N/A)에는 다양한 신호를 생성하거나 액티브 영역(A/A) 내의 화소를 구동하기 위한 다양한 부가 요소들을 포함할 수 있다. 화소를 구동하기 위한 부가 요소란 인버터 회로, 멀티플렉서, 정전기 방지(electrostatic discharge: ESD) 회로 등일 수 있다. 또한, 비액티브 영역에는 화소 구동 이외의 기능과 연관된 부가 요소도 배치될 수 있다. 예를 들어, 터치 감지 기능, 사용자 인증 기능, 멀티 레벨 압력 감지 기능, 촉각 피드백 기능 등을 제공하는 부가 요소들이 비액티브 영역(N/A)에 배치될 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 화소를 구동하기 위한 부가 요소와 화소 구동 이외의 기능과 연관된 부가 요소들이 비액티브 영역(N/A)에 배치되는 것으로 기술하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

비액티브 영역(N/A)에는 댐 구조물(150)이 배치된다. 댐 구조물(150)은 기판(101)의 액티브 영역(A/A)과 비액티브 영역(N/A)에 배치되는 봉지부(120)을 이루는 유기층의 퍼짐을 제어하기 위해 배치된다. 이러한 봉지부(120) 및 댐 구조물(150)에 대해서는 추후 도면을 참조하여 보다 상세히 살펴보기로 한다.

패드 영역(P/A)은 유기 발광 표시 장치(100)의 패드부가 배치되는 영역으로, 집적 회로 또는 연성 인쇄 회로 기판이 배치될 수 있다.

도 2는 도 1의 II-II'선에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.

보다 상세하게, 도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치(100)의 액티브 영역(A/A)을 설명하기 위한 도면이다. 한편, 도 2를 살펴보기 전에, 도 2에 도시된 유기발광 표시장치는 평탄화층이 2개로 구성된 예시적 구조에 대해서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 하나의 평탄화층만을 가질 수 있다.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(101) 상에 액티브층(102), 게이트 전극(104), 소스 전극(106) 및 드레인 전극(108)을 포함하는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT), 애노드(112), 유기발광층(114) 및 캐소드(116)를 포함하는 유기 발광 소자 및 각종 기능층을 포함한다.

기판(101)은 유리 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 플라스틱 기판인 경우, 폴리이미드 계열 또는 폴리카보네이트 계열 물질이 사용되어 가요성(flexibility)을 가질 수 있다. 특히, 폴리이미드는 고온의 공정에 적용될 수 있고, 코팅이 가능한 재료이기 때문에 플라스틱 기판으로 많이 이용된다.

기판(101) 상에는 버퍼층(130)이 배치된다. 버퍼층(130)은 기판(101) 또는 하부의 층들에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 전극/전선을 보호하기 위한 기능층이다. 버퍼층(130)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 다층으로 이루어질 수 있다. 버퍼층(130)은 멀티 버퍼(multi buffer, 131) 및/또는 액티브 버퍼(active buffer, 132)를 포함할 수 있다. 멀티 버퍼(131)는 질화실리콘(SiNx) 및 산화실리콘(SiOx)이 교대로 적층되어 이루어질 수 있으며, 기판(101)에 침투한 수분 및/또는 산소가 확산되는 것을 지연시킬 수 있다. 액티브 버퍼(132)는 박막 트랜지스터의 액티브층(102)을 보호하며, 기판(101)으로 유입되는 다양한 종류의 결함을 차단하는 기능을 수행한다. 액티브 버퍼(132)는 비정질 실리콘(a-Si) 등으로 형성될 수 있다.

버퍼층(130) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)가 배치된다. 구체적으로, 박막 트랜지스터(TFT)는 액티브층(102), 게이트 전극(104), 및 소스 전극(106) 및 드레인 전극(108)이 순차적으로 배치될 수 있다.

액티브층(102)은 폴리실리콘(p-Si)으로 이루어질 수 있고, 액티브층(102)이 폴리실리콘으로 이루어지는 경우 소정의 영역이 불순물로 도핑될 수 있다. 그러나, 액티브층(102)을 이루는 물질이 폴리실리콘으로 한정되는 것은 아니고, 아몰포스 실리콘(a-Si)으로 이루어질 수 있고, 펜타센 등과 같은 다양한 유기 반도체 물질로도 이루어질 수 있다. 더하여 액티브층(102)은 산화물(oxide) 반도체로 이루어질 수도 있다.

액티브층(102) 상에는 액티브층(102)과 게이트 전극(104)을 절연시키기 위한 게이트 절연층(103)이 배치된다. 게이트 절연층(103)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx) 등과 같은 절연성 무기물로 이루어지거나 절연성 유기물로 이루어질 수 있다.

게이트 절연층(103) 상에는 게이트 전극(104)이 배치된다. 게이트 전극(104)은 다양한 도전성 물질, 예를 들어, 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 금(Au) 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다.

게이트 전극(104) 상에는 제1 절연층(105)이 배치된다. 제1 절연층(105)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx) 등과 같은 절연성 물질로 형성될 수 있으며, 이외에도 절연성 유기물 등으로 형성될 수도 있다.

제1 절연층(105) 상에는 소스 전극(106) 및 드레인 전극(108)이 배치된다. 소스 전극(106) 및 드레인 전극(108)은 전극용 물질로 단일층 또는 다층의 형상으로 형성될 수 있다. 소스 전극(106) 및 드레인 전극(108)은 액티브층(102)과 전기적으로 연결된다.

소스 전극(106) 및 드레인 전극(108) 상에는 보호층(109)이 배치된다. 보호층(109)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx) 등과 같은 절연성 무기물로 형성될 수 있으며, 이외에도 절연성 유기물 등으로 형성될 수도 있다.

보호층(109) 상에는 제1 평탄화층(107a)이 배치된다. 제1 평탄화층(107a)은 박막 트랜지스터(TFT) 등을 보호하고, 그 상부를 평탄화한다. 제1 평탄화층(107a)은 다양한 형태로 구성될 수 있으며, 절연성 유기물로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 평탄화층(107a)은 아크릴계 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 불포화 폴리에스테르계 수지, 폴리페닐렌계 수지, 폴리페닐렌설파이드계 수지 중 하나 이상으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 제1 평탄화층(107a)은 드레인 전극(108)과 연결 전극(111)을 전기적으로 연결시키기 위한 컨택홀을 포함한다.

제1 평탄화층(107a) 상에는 연결 전극(111)이 배치된다. 연결 전극(111)은 유기 발광 표시 장치가 고해상도로 진화함에 따라 각종 신호 배선이 증가하게 되었고, 증가된 신호 배선들의 효율적 배치를 위해 제2 평탄화층(107b)이 추가로 배치됨에 따라 드레인 전극(108)과 애노드(112)를 전기적으로 연결시키기 위해 배치된다. 연결 전극(111)은 게이트 전극(104), 소스 전극(106) 및 드레인 전극(108)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.

제1 평탄화층(107a) 및 연결 전극(111) 상에는 제2 평탄화층(107b)이 배치된다. 제2 평탄화층(107b)은 연결 전극(111)과 애노드(112)를 전기적으로 연결시키기 위한 컨택홀을 포함한다. 제2 평탄화층(107b)은 제1 평탄화층(107a)과 동일한 절연성 유기물로 형성될 수 있다. 특히, 제1 평탄화층(107a)과 제2 평탄화층(107b)이 유전 물질(Dielectric material)로 이루어지는 경우 제1 평탄화층(107a) 및 제2 평탄화층(107b)은 금속층 사이에서 정전용량(capacitance)을 형성하는 용도로 사용될 수도 있다.

제2 평탄화층(107b) 상에는 유기 발광 소자가 배치된다. 유기 발광 소자는 애노드(112), 유기 발광층(114) 및 캐소드(116)를 포함한다. 이러한 유기 발광 소자는 제2 평탄화층(107b) 상에 애노드(112), 유기 발광층(114) 및 캐소드(116) 순으로 순차적으로 배치되어 이루어질 수 있다.

애노드(112)는 연결 전극(111)을 통해 드레인 전극(108)과 전기적으로 연결될 수 있다. 애노드(112)는 유기 발광층(114)에 정공을 공급하고, 일함수가 높은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 여기서, 애노드(112)는 유기 발광 표시 장치(100)가 탑 에미션 구조인 경우 반사율이 높은 불투명한 도전 물질로 이루어질 수도 있고, 광을 상부로 반사시키는 반사층(미도시)을 더 포함할 수 있다.

유기 발광층(114)은 특정 색을 발광하기 위한 유기 물질로 구성된 층으로, 적색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층, 청색 유기 발광층 및 백색 유기 발광층 중 하나일 수 있다. 이때, 유기 발광층(114)이 백색 유기 발광층으로 구성된 경우, 유기 발광 소자 상부에 컬러 필터가 더 배치될 수 있다.

캐소드(116)는 유기 발광층(114)에 전자를 공급하고, 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 캐소드(116)는 유기 발광 표시 장치(100)가 탑 에미션 구조인 경우 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO) 등과 같은 투명한 도전 물질로 이루어질 수 있다.

제2 평탄화층(117b) 상에서 유기 발광 소자가 배치된 발광 영역을 제외한 나머지 영역에 유기 발광 소자의 애노드(112)의 일부를 덮도록 뱅크(110)가 배치된다. 뱅크(110)는 액티브 영역(A/A)에서 인접하는 서브 화소 영역을 구분하는 방식으로 서브 화소 영역을 정의한다. 또한, 뱅크(110)는 복수의 화소 영역으로 구성된 화소 영역을 정의할 수도 있다. 뱅크(110)는 액티브 영역(A/A)뿐만 아니라 액티브 영역(A/A)과 인접한 비액티브 영역(N/A) 일부 영역까지 연장되어 배치된다. 이러한 뱅크(110)는 유기 절연 물질로 이루어질 수 있다.

뱅크(110) 상에는 스페이서(115)가 배치된다. 스페이서(115)는 기판(101)과 기판(110) 상의 배리어 필름(140) 사이의 빈 공간을 완충시켜줘 외부로부터의 충격으로부터 유기 발광 표시 장치(100)가 파손되는 것을 최소화할 수 있다. 이러한 스페이서(115)는 유기 절연 물질로 이루어질 수 있다.

액티브 영역(A/A)의 전면(全面) 상에는 봉지부(120)이 배치된다. 봉지부(120)은 발광 물질과 전극 물질의 산화를 방지하기 위해 외부로부터의 산소 및 수분의 침부를 막는다. 봉지부(120)은 수분이나 산소의 침투를 차단하는 무기층과 무기층의 표면을 평탄화하는 유기층이 교대로 적층된 구조를 가질 수 있다. 봉지부(120)은 유기 발광 소자에서 발광되는 빛이 투과되도록 투명한 물질로 이루어질 수 있다.

배리어 필름(140)은 봉지부(120) 상에 배치되어 유기 발광 소자를 포함하는 기판(101) 전체를 봉지한다. 배리어 필름(140)은 위상차 필름 또는 광등방성 필름일 수 있다. 배리어 필름(140)이 광등방성 성질을 가지면, 배리어 필름에 입사된 광을 위상 지연없이 그대로 투과시킨다.

배리어 필름(140)과 봉지부(120) 사이에는 배리어 필름(140)과 봉지부(120)을 접착하기 위한 접착층(145)이 배치될 수 있다. 접착층(145)은 열 경화형, 광 경화형 또는 자연 경화형의 접착제일 수 있다. 예를 들어, 접착층(145)은 B-PSA(Barrier pressure sensitive adhesive)와 같은 물질로 이루어질 수 있다.

도 2에 도시되지는 않았으나, 몇몇 실시예에서, 배리어 필름(140) 상에는 편광 필름, 상면 커버 등이 더 배치될 수도 있다. 또한, 몇몇 실시예에서, 유기 발광 표시 장치(100)의 설계에 따라 배리어 필름(140) 및 접착층(145)이 생략될 수도 있다.

도 3은 도 1의 III-III'선에 따른 제1 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 개략적으로 나타낸 일 실시예의 단면도이다.

도 3은 비액티브 영역을 보다 상세히 살펴보기 위해 도시된 도면으로, 액티브 영역의 일부 및 비액티브 영역을 나타낸다. 도 3은 평탄화층(107')이 단일층으로 구성된 실시예로, 도 3에서 비액티브 영역(N/A)에 배치된 구성을 제외하고, 액티브 영역(A/A)에 배치된 구성은 도 1 및 도 2에서 설명된 구성요소와 동일한 구성 요소에 대한 설명은 생략하기로 한다.

도 3을 참조하면, 기판(101)의 액티브 영역(A/A)과 비액티브 영역(N/A) 상에는 봉지부(120)가 배치된다.

봉지부(120)는 제1 무기층(121), 제1 무기층(121) 상의 유기층(122) 및 유기층(122) 상의 제2 무기층(123)을 포함한다. 즉, 제1 무기층(121)과 제2 무기층(123) 사이에 유기층(122)이 배치되고, 유기층(122)은 제1 무기층(121) 및 제2 무기층(123)에 의해 둘러싸일 수 있다. 제1 무기층(121) 및 제2 무기층(123)은 수분이나 산소의 침투를 억제하는 기능을 하고, 유기층(122)은 이물을 커버하여 제2 무기층(123)의 표면을 평탄화하는 기능을 한다. 상술한 바와 같이 봉지부(120)를 복수의 무기층(121, 123) 및 유기층(122)으로 구성함에 따라 수분 또는 산소의 이동 경로를 길고 복잡하게 할 수 있고, 수분 또는 산소의 침투를 방지하거나 수분 또는 산소의 침투를 최대한 지연시킬 수 있다.

제1 무기층(121)은 무기물로 이루어진다. 예를 들어, 제1 무기층(121)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 산화알루미늄(AlyOz) 중 하나와 같은 무기물로 이루어질 수 있다. 제1 무기층(121)은 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD) 또는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposion; ALD) 등의 진공성막법을 사용하여 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

유기층(122)은 제조 공정 상 발생할 수 있는 이물 또는 파티클(Particle)을 커버할 수 있다. 유기층(122)은 유기물, 예를 들어, 실리콘옥시카본(SiOCz) 아크릴 또는 에폭시 계열의 레진(Resin)로 이루어질 수 있다. 유기층(122)은 잉크젯 코팅, 슬릿 코팅 등과 같은 다양한 코팅 방식으로 형성될 수 있다.

제2 무기층(123)은 무기물로 이루어진다. 예를 들어, 제2 무기층(123)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 산화알루미늄 중 하나와 같은 무기물로 이루어질 수 있다. 제2 무기층(123)은 화학 기상 증착법 또는 원자층 증착법 등의 진공성막법을 사용하여 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

한편, 비액티브 영역(N/A)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 구동회로 영역(C/A)과 댐 영역(D/A)을 포함할 수 있다.

구동회로 영역(C/A)은 액티브 영역(A/A)과 댐 영역(D/A) 사이에 배치되고, 구동 회로부(304, 306)가 배치된다. 구동 회로부(304, 306)는 액티브 영역(A/A)에 형성된 박막 트랜지스터(TFT)를 구성하는 도전성 물질과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 구동 회로부(304, 306)는 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극(102), 소스 전극(106) 및 드레인 전극(108) 등과 동일한 물질로 동시에 형성될 수 있다. 구동 회로부(304, 306)는, 예를 들어, GIP(Gate In Panel) 및 다양한 배선들을 포함할 수 있다.

구동회로 영역(C/A)에는 다양한 절연층들이 형성된다. 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 구동 회로부(304, 306)들의 배치 및 보호를 위해 버퍼층(103) 제1 절연층(105), 보호층(109) 및 평탄화층(107')이 액티브 영역(A/A)으로부터 연장되어 배치될 수 있다.

평탄화층(107') 상에는 액티브 영역(A/A)의 애노드(112)와 동일한 물질로 이루어지는 연결 배선(312)이 배치된다. 연결 배선(312)은 평탄화층(107')에서 발생한 기체를 아웃-게싱(out-gassing)하기 위한 개구부를 포함할 수 있다.

구동회로 영역(C/A)의 연결 배선(312) 상에는 액티브 영역(A/A)의 뱅크(110)와 동일한 공정에서 동시에 형성될 수 있는 유기 절연층(310)이 배치된다.

액티브 영역(A/A)과 인접한 구동회로 영역(C/A)에는 유기 절연층(310) 상의 캐소드(116)가 액티브 영역(A/A)으로부터 구동회로 영역(C/A)의 일부까지 연장되어 배치될 수 있다.

비액티브 영역(N/A)에는 구동회로 영역(C/A) 및 구동회로 영역(C/A)과 인접하게 배치된 댐 영역(D/A)에 걸쳐 배치된 전원 배선(308)이 배치된다. 전원 배선(308)은, 예를 들어, 기저 전원(Vss) 배선일 수 있다. 만약, 전원 배선(308)이 기저 전원 배선인 경우, 전원 배선(308)은 액티브 영역(A/A)의 캐소드(116)와 전기적으로 연결된다. 구체적으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 캐소드(116)는 애노드(112)와 동일한 물질로 형성되는 연결 배선(312)과 접하고, 연결 배선(312)이 전원 배선(308)과 접하는 방식으로, 전원 배선(308)과 제2 전극(116)이 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 캐소드(116)와 전원 배선(308)은 연결 배선(312)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 한편, 도 3에서는 전원 배선(308)이 액티브 영역(A/A)의 소스 전극(106) 및 드레인 전극(108)과 동일한 물질로 이루어지는 것으로 도시되었으나, 이에 제한되지 않고, 게이트 전극(104)과 동일한 물질로 이루어질 수도 있다.

댐 영역(D/A)은 구동회로 영역(C/A)과 인접하게 배치되고, 기판(101)의 최외곽 영역일 수 있다. 댐 영역(D/A)의 기판(101) 상에는 다양한 절연층들이 배치되고, 다양한 절연층 상부에는 하나의 댐 구조물(350)이 배치된다. 댐 영역(D/A)에 배치된 다양한 절연층은, 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 액티브 영역(A/A)에서부터 연장되어 배치된 버퍼층(103) 및 보호층(109)이 배치될 수 있다.

댐 구조물(350)은 유기물로 이루어지는 봉지부(120)의 유기층(122)의 오버플로우(overflow)를 억제할 수 있다. 즉, 도 3에 도시된 바와 같이, 봉지부(120)의 유기층(122)이 제조 과정에서 과도하게 도포되는 것이 댐 구조물(350)의 측면에 의해 방지될 수 있다. 한편, 봉지부(120)의 제1 무기층(121)과 제2 무기층(123)은 댐 구조물(350)를 덮도록 배치되고, 댐 구조물(350)을 넘어 기판(101)의 최외곽 영역에서 직접적으로 접촉한다. 이러한 하나의 댐 구조물(350)은 유기절연물질로 이루어지는 제1층(351), 제2층(352) 및 제3층(353)을 포함할 수 있다.

제1층(351)은 평탄화층(107')과 동일한 물질로 이루어진다. 즉, 제1층(351)은 평탄화층(107') 제조 공정 시 동일한 물질로 동시에 형성될 수 있다. 제1층(351)은 평탄화층(107') 제조 공정 시에 동시에 형성됨에 따라, 제1층(351)은 댐 구조물(350)의 높이를, 종래에 비해, 높일 수 있게 된다. 이에 따라, 하나의 댐 구조물(350)만을 댐 영역(D/A)에 배치하여도 댐 구조물(350)의 높이가 종래에 비해 높아지기 때문에 효율적으로 봉지부(120)의 유기층(122)의 퍼짐을 제어할 수 있다.

제2층(352)은 액티브 영역(A/A)의 뱅크(110)와 동일한 물질로 이루어진다. 즉, 제2층(352)은 뱅크(110) 제조 공정 시 동일한 물질로 동시에 형성될 수 있다.

제3층(353)은 액티브 영역(A/A)의 스페이서(115)와 동일한 물질로 이루어진다. 즉, 제3층(353)은 스페이서(115) 제조 공정 시 동일한 물질로 동시에 형성될 수 있다.

이와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 평탄화층(107')과 동일한 물질로 이루어지는 층을 포함하여 댐 구조물을 형성함으로써 뱅크와 스페이서 만으로 구성된 종래의 댐 구조물보다 본 발명의 일 실시예에 따른 댐 구조물의 높이가 높아져 액티브 영역(A/A)에 배치된 절연층과의 단차를 줄여 봉지부(120)의 유기층(122)의 표면을 완만하게 형성할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 평탄화층(107')과 동일한 물질 및 동일한 공정에서 형성되는 제1층을 포함하여 댐 구조물을 형성함으로써, 종래의 뱅크와 스페이서 만으로 이루어지는 댐 구조물보다 본 발명의 일 실시예에 따른 댐 구조물의 높이를 높일 수 있다. 따라서 봉지부(120)의 유기층(120)의 오버플로우를 하나의 댐으로 억제할 수 있어 봉지부(120)의 유기층(122)의 퍼짐을 효율적으로 제어할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 하나의 댐 구조물을 배치하여 봉지부(120)의 유기층의 퍼짐을 제어함으로써 네로우 베젤(narrow bezel)을 구현할 수 있다.

한편, 도 3에서는 평탄화층이 하나인 경우를 예로 도시하였으나, 최근 유기 발광 표시 장치가 고해상도로 개발됨에 따라 각종 배선 및 소자의 개수가 증가함에 따라 2개의 평탄화층을 사용하여 배선 및 소자가 배치될 수 있는 공간을 증가시키기 위한 구조가 제안되었다. 이에 따라, 2개의 평탄화층 사이에 연결 전극과 같은 다양한 금속층을 배치시켜, 배선, 전극 및 소자에 대한 설계가 보다 용이해질 수 있다. 이와 같이, 평탄화층이 2개로 이루어지는 유기 발광 표시 장치에서 댐 구조물이 하나만 배치된 경우를 다음 도 4 및 5를 참조하여 보다 상세히 살펴보기로 한다.

도 4는 도 1의 III-III'선에 따른 유기발광 표시장치를 개략적으로 나타낸 다른 실시예의 단면도이다. 도 5는 도 1의 III-III'선에 따른 유기발광 표시장치를 개략적으로 나타낸 또 다른 실시예의 단면도이다.

도 4 및 도 5는 평탄화층이 2개 배치되는 경우, 비액티브 영역의 구조를 보다 상세히 살펴보기 위해 도시한 도면으로, 액티브 영역의 일부 및 비액티브 영역을 나타낸다. 즉, 도 4 및 도 5는 도 2에 도시된 도면과 대응될 수 있다. 이에 따라, 도 4 및 도 5의 비액티브 영역(N/A)에 배치된 구성 중 도 3과 중복되는 구성이 아닌 제1 평탄화층(107a) 및 제2 평탄화층(107b)과 제1 평탄화층(107a)과 제2 평탄화층(107b)가 액티브 영역(A/A)으로부터 비액티브 영역(N/A)의 일부까지 연장되어 배치됨으로 인해 상이해지는 구성을 제외하고, 액티브 영역(A/A)과 비액티브 영역(N/A)에 배치된 구성은 도 2 및 도 3에서 설명된 구성 요소와 동일한 구성 요소에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.

비액티브 영역(A/A)의 구동회로 영역(C/A)에는 구동 회로부(404, 406)가 배치되고, 구동 회로부(404, 406)들의 배치 및 보호를 위해 버퍼층(103), 제1 절연층(105), 보호층(109), 제1 평탄화층(107a) 및 제2 평탄화층(107b)이 액티브 영역(A/A)으로부터 연장되어 배치될 수 있다.

제1 평탄화층(107a) 상에는, 도 2에 도시된 바와 같은 연결 전극(111)이나, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같은 제2 연결 배선(411)과 같은 다양한 기능의 금속층들이 배치될 수 있다. 이때, 금속층들의 배치 및 보호를 위한 무기물층(113a, 113b)이 제1 평탄화층(107a) 상부에 배치될 수 있다. 예를 들어, 무기물층(113a, 113b)은 무기물로 이루어지는 버퍼층, 보호층 등일 수 있다. 이때, 무기물층(113a, 113b)은 제1 평탄화층(107a)에서 발생한 기체를 아웃-게싱(out-gassing)하기 위한 개구부를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 무기물층(113a, 113b)은 유기 발광 표시 장치의 설계에 따라 생략될 수도 있다. 이러한 제1 평탄화층(107a)은 구동 회로부(404, 406) 상에 배치되어 구동 회로부(404, 406) 상부를 평탄화시킨다.

무기물층(113a, 113b)이 배치된 제1 평탄화층(107a) 상에는 제2 평탄화층(107b)이 배치된다. 제2 평탄화층(107b) 상부에는 액티브 영역(A/A)의 애노드(112)와 동일한 물질로 동시에 형성되는 제1 연결 배선(412)이 배치된다. 이러한 제1 연결 배선(412)은 구동회로 영역(C/A)에서 캐소드(116)와 전기적으로 접촉되고, 제1 연결 배선(412)은 제2 연결 배선(411)과 전기적으로 접촉되며, 제2 연결 배선(411)이 전원 배선(408)과 전기적으로 접촉됨으로써 캐소드(116)와 전원 배선(408)이 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 평탄화층(107b) 상에 배치된 제1 연결 배선(412)은 제1 평탄화층(107a) 및 제2 평탄화층(107b)에서 발생한 기체를 아웃-개싱하기 위한 개구부를 포함할 수 있다.

댐 영역(D/A)에는 전원 배선(408)과의 절연을 위해 액티브 영역(A/A)과 구동회로 영역(C/A)으로부터 연장된 보호층(109)과 무기물층(113a, 113b)이 배치된다.

도 4 및 도 5의 댐 영역(D/A)에는 하나의 댐 구조물(450, 550)이 배치된다. 다만, 도 4의 댐 구조물(450)은 3개의 층이 적층되어 배치되는 반면, 도 5의 댐 구조물(550)은 4개의 층이 적층되어 배치된다. 이와 같이, 본 발명의 도 4 및 도 5의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 하나의 댐 구조물 만을 포함함으로써 네로우 베젤을 구현할 수 있다.

먼저, 도 4의 댐 구조물(450)에 대해 살펴보면, 도 4의 댐 구조물(450)은 유기절연물질로 이루어지는 제1층(451), 제2층(452) 및 제3층(453)을 포함할 수 있다.

제1층(451)은 제1 평탄화층(107a)과 동일한 물질로 이루어진다. 즉, 제1층(451)은 제1 평탄화층(107a) 제조 공정 시 동일한 물질로 동시에 형성될 수 있다.

제2층(452)은 제2 평탄화층(107b)과 동일한 물질로 이루어진다. 즉, 제2층(451)은 제2 평탄화층(107b) 제조 공정 시 동일한 물질로 동시에 형성될 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 댐 구조물(450)의 제1층(451) 및 제2층(452)을 각각 제1 평탄화층(107a) 및 제2 평탄화층(107b) 공정 시에 동시에 형성됨에 따라, 댐 구조물(450)의 높이를, 종래 뱅크와 스페이서 만으로 이루어진 댐 구조물에 비해, 높일 수 있게 된다. 이때 평탄화층이 2층이 배치되는 구조에서도 댐 영역(D/A)에 배치된 하나의 댐 구조물(450)이 제1 평탄화층(107a)과 제2 평탄화층(107b)을 포함하도록 구성됨으로써 액티브 영역(A/A)에 배치된 절연층들의 높이가 높아지는 만큼 댐 구조물(450)의 높이도 함께 높일 수 있다. 따라서 댐 구조물(450)과 액티브 영역(A/A)의 복수의 절연층과의 단차를 줄일 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 봉지부(120)의 유기층(122)을 균일하게 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 봉지부(120)의 유기층(122)의 오버플로우를 억제할 수 있다.

제3층(453)은 액티브 영역(A/A)의 뱅크(110)와 동일한 물질로 이루어진다. 즉, 제3층(453)은 뱅크(110) 제조 공정 시 동일한 물질로 동시에 형성될 수 있다.

한편, 도 4에 도시된 바와 같이, 액티브 영역(A/A) 및 구동회로 영역(C/A)에 제1 평탄화층(107a)과 제2 평탄화층(107b)이 적층되어 배치된 경우, 봉지부(120)의 유기층(122) 퍼짐을 보다 효율적으로 제어하기 위해 구동회로 영역(C/A)의 제1 평탄화층(107a)과 댐 영역(D/A)의 댐 구조물과의 거리(D1)를 도 3에 비해 보다 넓게 배치하도록 구성될 수 있다. 이는 도 3의 경우 평탄화층이 단일층으로 구성되기 때문에 3층으로 구성된 하나의 댐 구조물 만으로 유기층(122)의 오버플로우를 억제할 수 있었으나, 평탄화층이 둘 이상으로 구성되는 경우 구동회로 영역(C/A)의 제1 평탄화층(107a)과 댐 영역(D/A)의 댐 구조물과의 거리가 좁으면 하나의 댐 구조물(450)을 오버플로우하여 봉지부(120)의 유기층(122)이 배치될 수 있다. 따라서 도 4에 도시된 바와 같이, 구동회로 영역(C/A)의 제1 평탄화층(107a)과 댐 영역(D/A)의 댐 구조물(450) 간의 거리(D1)를 도 3의 경우보다 넓게 배치함으로써 평탄화층(107a)과 댐 구조물(450) 사이에 봉지부(120)의 유기층(122)이 배치될 수 있는 공간을 확보할 수 있다. 이에 따라, 상기 공간에 봉지부(120)의 유기층(122)이 배치되어 하나의 댐 구조물(450)만으로도 봉지부(120)의 유기층(122)의 오버플로우를 억제할 수 있다..

다음으로, 도 5의 댐 구조물(550)에 대해 살펴보면, 도 5의 댐 구조물(550)은 유기절연물질로 이루어지는 제1층(551), 제2층(552), 제3층(553) 및 제4층(554)를 포함할 수 있다.

제1층(551)은 제1 평탄화층(107a)과 동일한 물질로 이루어진다. 즉, 제1층(551)은 제1 평탄화층(107a) 제조 공정 시 동일한 물질로 동시에 형성될 수 있다.

제2층(552)은 제2 평탄화층(107b)과 동일한 물질로 이루어진다. 즉, 제2층(552)은 제2 평탄화층(107b) 제조 공정 시 동일한 물질로 동시에 형성될 수 있다.

제3층(553)은 액티브 영역(A/A)의 뱅크(110)와 동일한 물질로 이루어진다. 즉, 제3층(553)은 뱅크(110) 제조 공정 시 동일한 물질로 동시에 형성될 수 있다.

제4층(554)은 액티브 영역(A/A)의 스페이서(115)와 동일한 물질로 이루어진다. 즉, 제4층(554)은 스페이서(115) 제조 공정 시 동일한 물질로 동시에 형성될 수 있다.

이와 같이, 도 5에 도시된 댐 구조물(550)은 4층을 가짐으로써 도 4의 댐 구조물에 비해 높은 높이를 가지기 때문에 봉지부(120)의 유기층(122)의 오버플로우를 억제하는데 효율적일 수 있다.

또한, 도 5에 도시된 댐 구조물(550)을 갖는 유기 발광 표시 장치는 댐 구조물(550)이 액티브 영역(A/A)에 배치된 복수의 유기 절연층의 적층 수와 동일하기 때문에 댐 구조물(550)과 액티브 영역(A/A)의 유기 절연층과의 단차가 크지 않다. 이에 따라, 봉지부(120)의 유기층(122)이 구동회로 영역(C/A)에서 경사가 완만하게 형성되므로, 표시 영역(A/A)과 비표시 영역(N/A)에서의 유기층(122)의 단차의 균일성이 향상될 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치의 시인성을 향상시킬 수 있다.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 7은 도 6의 VI-VI'선에 따른 유기발광 표시장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.

도 6 및 도 7은 비액티브 영역(N/A)에 3층 이상으로 적층된 댐 구조물이 2개가 배치되는 실시예를 나타낸 도면으로, 댐 구조물을 제외하고는, 앞서 설명한 도 1 내지 도 5에서 설명된 구성 요소와 동일한 구성 요소에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.

도 6 및 도 7을 참조하면, 비액티브 영역(N/A)에 제1 댐 구조물(650)과 제2 댐 구조물(660)이 배치된다. 제1 댐 구조물(650)과 제2 댐 구조물(660)은 비액티브 영역(N/A)의 댐 영역(D/A)에 배치된다. 제1 댐 구조물(650)과 제2 댐 구조물(660)은 각각 유기절연물질로 이루어지고, 3층으로 구성될 수 있다.

제1 댐 구조물(650) 및 제2 댐 구조물(660)은 제1층(651, 661), 제2층(652, 662) 및 제3층(653, 663)을 포함할 수 있다. 제1층(651, 661)은 제1 평탄화층(107a) 제조 공정 시 동일한 물질로 동시에 형성될 수 있다. 제2층(652, 662)은 제2 평탄화층(107b) 제조 공정 시 동일한 물질로 동시에 형성될 수 있다. 제3층(653, 663)은 뱅크(110) 제조 공정 시 동일한 물질로 동시에 형성될 수 있다. 본 실시예에서 제1 댐 구조물(650)과 제2 댐 구조물(660)이 3층으로 구성된 것으로 기술하였으나, 스페이서(115) 제조 공정 시 스페이서(115)와 동일한 물질로 형성되는 제4층을 더 포함하여 각각의 댐 구조물(650, 660)이 구성될 수 있다.

또한, 도 6 및 도 7에서는 제1 댐 구조물(650)과 제2 댐 구조물(660)이 제1 평탄화층(107a), 제2 평탄화층(107b) 및 뱅크(110)와 동일한 물질이 적층되어 형성되는 것으로 기술하였으나, 이에 한정되지 않고, 제1 평탄화층(107a), 뱅크(110) 및 스페이서(115)가 적층되어 이루어질 수도 있다.

이와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 비액티브 영역(/A)의 댐 영역(D/A)에 평탄화층을 포함한 3층 이상의 댐 구조물이 2개가 배치됨으로써 봉지부(120)의 유기층(122)의 오버플로우 억제 하는데 효율적일 수 있다.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 9는 도 8의 VIII-VIII'선에 따른 유기발광 표시장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.

도 8 및 도 9는 댐 구조물이 2개 배치되되, 그 위치 영역이 다른 실시예를 나타낸 도면으로, 댐 구조물을 제외하고는, 앞서 설명한 도 1 내지 도 5에서 설명된 구성 요소와 동일한 구성 요소에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.

도 8 및 도 9를 참조하면, 비액티브 영역(N/A)에 제1 댐 구조물(810)고 제2 댐 구조물(850)이 배치된다.

제1 댐 구조물(810)은 비액티브 영역(N/A)의 구동회로 영역(CN/A)에 배치된다. 보다 상세하게 제1 댐 구조물(810)은 액티브 영역(A/A)과 인접한 구동회로 영역(CN/A)의 유기 절연층(410) 상에 배치될 수 있다. 유기 절연층(410)은 액티브 영역(A/A)의 뱅크(110)에 대응될 수 있다. 제1 댐 구조물(810)은 액티브 영역(A/A)의 스페이서(115)와 동일한 물질로 이루어지는 단일층일 수 있다.

제2 댐 구조물(850)은 비액티브 영역(N/A)의 댐 영역(DN/A)에 배치된다. 제2 댐 구조물(850)은 제1층(851), 제2층(852) 및 제3층(853)을 포함할 수 있다.

제2 댐 구조물(850)의 제1층(851)은 제1 평탄화층(107a) 제조 공정 시 동일한 물질로 형성될 수 있고, 제2층(852)은 뱅크(110) 제조 공정 시 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 제3층(853)은 스페이서(115) 제조 공정 시 동일한 물질로 형성될 수 있다. 도 9에서는 제2 댐 구조물(850)이 3층으로 적층된 것을 예로 하여 도시하였으나, 이에 한정되지 않고, 제1 평탄화층(107a), 제2 평탄화층(107b), 뱅크(110) 및 스페이서(115) 제조 공정 시 동시에 형성되는 두 층 이상이 적층되어 형성될 수도 있다.

도 8 및 도 9에서는 제1 댐 구조물(810)과 제2 댐 구조물(850) 만을 도시하였으나, 이에 한정되지 않고, 댐 영역(D/A)에 제2 댐 구조물(850) 외에 제3 댐 구조물을 더 포함할 수 있다. 이때, 제2 댐 구조물(850)과 제3 댐 구조물은, 일반적인 구조와 같이, 뱅크와 동일한 물질 및 스페이서와 동일한 물질이 적층되어 이루어질 수 있다. 이와 같이, 구성되는 경우에도, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 액티브 영역(A/A)에 인접한 비액티브 영역(N/A)에 제1 댐 구조물(810)을 배치함으로써 봉지부(120)의 유기층(122)의 퍼짐을 보다 용이하게 제어할 수 있다.

이와 같은 본 발명의 또 다른 유기 발광 표시 장치는 액티브 영역(A/A)와 인접한 구동회로 영역(C/A)의 유기 절연층(410) 상에 스페이서(115) 제조 공정 시 동일한 물질로 형성되는 제1 댐 구조물(810)을 배치함으로써 댐 영역(D/A)으로 퍼지는 봉지부(120)의 유기층(122)의 양을 제어할 수 있어 효율적으로 봉지부(120)의 유기층(122)의 오버플로우를 억제할 수 있다.

본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자가 배치된 액티브 영역과 상기 액티브 영역을 둘러싸는 비액티브 영역이 정의된 기판, 유기 발광 소자를 덮도록 상기 액티브 영역과 상기 비액티브 영역에 배치된 제1 무기층, 제1 무기층 상의 유기층, 제1 무기층 및 상기 유기층 상에 배치되고, 상기 제1 무기층과 상기 비액티브 영역에서 접하는 제2 무기층 및 비액티브 영역에 배치되고, 액티브 영역에 배치된 복수의 절연층과 동일한 물질로 이루어진 복수의 층을 포함하는 댐 구조물을 포함하고, 댐 구조물은 3개 이상의 층을 포함한다.

댐 구조물의 복수의 층은 유기물로 이루어질 수 있다.

액티브 영역에 배치된 복수의 절연층은 기판 상의 제1 평탄화층, 상기 제1 평탄화층 상의 제2 평탄화층, 상기 제2 평탄화층 상에서 상기 유기 발광 소자의 발광 영역을 정의하는 뱅크 및 상기 뱅크 상의 스페이서를 포함할 수 있다.

댐 구조물은 비액티브 영역에 하나만 배치되고, 댐 구조물은 제1 평탄화층, 뱅크 및 스페이서가 순차적으로 적층되어 이루어질 수 있다.

댐 구조물은 비액티브 영역에 하나만 배치되고, 댐 구조물은 제1 평탄화층, 제2 평탄화층, 뱅크 및 스페이서가 순차적으로 적층되어 이루어질 수 있다.

댐 구조물은 비액티브 영역에서 이격되어 배치된 제1 댐 구조물 및 제2 댐 구조물을 포함하고, 제1 댐 구조물 및 제2 댐 구조물은 제1 평탄화층, 뱅크 및 스페이서가 적층되어 이루어지거나, 제1 평탄화층, 제2 평탄화층 및 뱅크가 적층되어 이루어질 수 있다.

댐 구조물의 높이는 액티브 영역에 배치된 스페이서의 높이와 동일할 수 있다.

제1 무기층 및 제2 무기층은 댐 구조물을 덮을 수 있다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 구동 소자 및 유기 발광 소자가 배치된 액티브 영역, 액티브 영역의 외곽에 배치되며 유기 발광 소자를 발광시키기 위한 구동 회로가 배치된 구동회로 영역 및 구동회로 영역의 외곽에 배치되는 댐 영역이 정의된 기판, 구동 소자와 구동회로 상의 제1 평탄화층, 제1 평탄화층 상에 유기 발광 소자의 발광 영역을 정의하는 뱅크, 액티브 영역에서 뱅크 상에 배치된 스페이서, 구동회로 영역에서 뱅크 상에 배치된 제1 댐 구조물 및 댐 영역에 배치된 제2 댐 구조물을 포함한다.

제1 댐 구조물은 스페이서와 동일한 물질로 이루어지는 단일층일 수 있다.

제2 댐 구조물은 제1 평탄화층과 동일한 물질로 이루어지는 제1층, 뱅크와 동일한 물질로 이루어지는 제2층 및 스페이서와 동일한 물질로 이루어지는 제3층 중 적어도 두 층이 적층된 구조를 가질 수 있다.

제1 평탄화층과 유기 발광 소자 사이에 배치된 제2 평탄화층을 더 포함할 수 있고, 제2 댐 구조물은 제2 평탄화층과 동일한 물질로 이루어지는 제4층을 더 포함할 수 있다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다.

따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

100: 유기 발광 표시 장치
101: 기판
130: 버퍼층
102: 액티브층
104: 게이트 전극
106: 소스 전극
108: 드레인 전극
107a: 제1 평탄화층
107b: 제2 평탄화층
110: 뱅크
111: 연결 전극
112: 애노드
114: 유기 발광층
116: 캐소드
115: 스페이서
120: 봉지부
150, 350, 450, 550: 댐 구조물
650, 810: 제1 댐 구조물
660, 850: 제2 댐 구조물

Claims (12)

1. 유기 발광 소자가 배치된 액티브 영역과 상기 액티브 영역을 둘러싸는 비액티브 영역이 정의된 기판;
   상기 유기 발광 소자를 덮도록 상기 액티브 영역과 상기 비액티브 영역에 배치된 제1 무기층;
   상기 제1 무기층 상의 유기층;
   상기 제1 무기층 및 상기 유기층 상에 배치되고, 상기 제1 무기층과 상기 비액티브 영역에서 접하는 제2 무기층; 및
   상기 비액티브 영역에 배치되고, 상기 액티브 영역에 배치된 복수의 절연층과 동일한 물질로 이루어진 복수의 층을 포함하는 댐 구조물을 포함하고,
   상기 댐 구조물은 3개 이상의 층을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
2. 제1항에 있어서,
   상기 댐 구조물의 복수의 층은 유기물로 이루어진, 유기 발광 표시 장치.
3. 제1항에 있어서,
   상기 액티브 영역에 배치된 복수의 절연층은 상기 기판 상의 제1 평탄화층, 상기 제1 평탄화층 상의 제2 평탄화층, 상기 제2 평탄화층 상에서 상기 유기 발광 소자의 발광 영역을 정의하는 뱅크 및 상기 뱅크 상의 스페이서를 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
4. 제3항에 있어서,
   상기 댐 구조물은 상기 비액티브 영역에 하나만 배치되고, 상기 댐 구조물은 상기 제1 평탄화층, 상기 뱅크 및 상기 스페이서가 순차적으로 적층되어 이루어진, 유기 발광 표시 장치.
5. 제4항에 있어서,
   상기 댐 구조물은 상기 비액티브 영역에 하나만 배치되고, 상기 댐 구조물은 상기 제1 평탄화층, 상기 제2 평탄화층, 상기 뱅크 및 상기 스페이서가 순차적으로 적층되어 이루어진, 유기 발광 표시 장치.
6. 제3항에 있어서,
   상기 댐 구조물은 상기 비액티브 영역에서 이격되어 배치된 제1 댐 구조물 및 제2 댐 구조물을 포함하고, 상기 제1 댐 구조물 및 제2 댐 구조물은 상기 제1 평탄화층, 상기 뱅크 및 상기 스페이서가 적층되어 이루어지거나, 상기 제1 평탄화층, 상기 제2 평탄화층 및 상기 뱅크가 적층되어 이루어진, 유기 발광 표시 장치.
7. 제3항에 있어서,
   상기 댐 구조물의 높이는 상기 액티브 영역에 배치된 스페이서의 높이와 동일한, 유기 발광 표시 장치.
8. 제1항에 있어서,
   상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층은 상기 댐 구조물을 덮는, 유기 발광 표시 장치.
9. 구동 소자 및 유기 발광 소자가 배치된 액티브 영역, 상기 액티브 영역의 외곽에 배치되며 상기 유기 발광 소자를 발광시키기 위한 구동 회로가 배치된 구동회로 영역 및 상기 구동회로 영역의 외곽에 배치되는 댐 영역이 정의된 기판;
   상기 구동 소자와 상기 구동회로 상의 제1 평탄화층
   상기 제1 평탄화층 상에 상기 유기 발광 소자의 발광 영역을 정의하는 뱅크
   상기 액티브 영역에서 상기 뱅크 상에 배치된 스페이서;
   상기 구동회로 영역에서 상기 뱅크 상에 배치된 제1 댐 구조물; 및
   상기 댐 영역에 배치된 제2 댐 구조물을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 댐 구조물은 상기 스페이서와 동일한 물질로 이루어지는 단일층인, 유기 발광 표시 장치.
11. 제9항에 있어서,
    상기 제2 댐 구조물은 상기 제1 평탄화층과 동일한 물질로 이루어지는 제1층, 상기 뱅크와 동일한 물질로 이루어지는 제2층 및 상기 스페이서와 동일한 물질로 이루어지는 제3층 중 적어도 두 층이 적층된 구조를 갖는, 유기 발광 표시 장치.
12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 평탄화층과 상기 유기 발광 소자 사이에 배치된 제2 평탄화층을 더 포함하고,
    상기 제2 댐 구조물은 상기 제2 평탄화층과 동일한 물질로 이루어지는 제4층을 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치.

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