TWI581422B - 環境敏感電子元件封裝體 - Google Patents

Description

環境敏感電子元件封裝體

本揭露是有關於一種封裝體，是有關於一種環境敏感電子元件封裝體。

可撓性環境敏感電子元件或顯示裝置相較於一般硬質環境敏感電子元件或顯示裝置的應用更為廣泛，其可捲曲、方便攜帶、符合安全性、產品應用廣，但較不耐高溫、阻水阻氧氣性較差、耐化學藥品性較差及熱膨脹係數大。一般而言，可撓性環境敏感電子元件或顯示裝置的可撓性基板可用來承載電子元件及/或用來作為蓋板(cover)以對電子元件進行封裝，由於可撓性基板無法完全阻隔水氣及氧氣的穿透，因此水氣及氧氣的滲入將加速可撓性基板上的電子元件老化，進而導致電子元件的壽命減短，無法符合市場的需求。

本揭露實施例提供一種環境敏感電子元件封裝體，可改善環境敏感電子元件壽命減短的問題。

本揭露實施例提出一種環境敏感電子元件封裝體，其包括第一基板、第二基板、環境敏感電子元件、第一膠材、第三基板、至少一第一側壁阻障結構以及第二膠材。第二基板配置於第一基板上方。環境敏感電子元件配置於第一基板上，且位於第一基板與第二基板之間。第一膠材位於第一基板與第二基板之間，且包覆環境敏感電子元件。第三基板配置於第一基板下方，其中第一基板位於第二基板與第三基板之間。第一側壁阻障結構配置於第三基板上，且位於第一基板與第三基板之間，其中第一側壁阻障結構內嵌於第一基板。第二膠材位於第一基板與第三基板之間，且包覆第一側壁阻障結構。

本揭露實施例提出另一種環境敏感電子元件封裝體，其包括第一基板、第二基板、環境敏感電子元件、至少一第一側壁阻障結構、第一膠材以及驅動線路。第二基板配置於第一基板上方。環境敏感電子元件配置於第一基板上，且位於第一基板與第二基板之間。第一側壁阻障結構配置於第二基板上，且位於第一基板與第二基板之間，其中第一側壁阻障結構的至少一部分環繞環境敏感電子元件，且第一側壁阻障結構具有一凹陷。第一膠材位於第一基板與第二基板之間，且包覆環境敏感電子元件以及第一側壁障結構。驅動線路配置於第一基板上，且位於第一基板與第二基板之間，其中驅動線路位於凹陷內。

本揭露實施例提出又一種環境敏感電子元件封裝體，其包括第一封裝基板、第二封裝基板、承載基板、環境敏感電子元件、至少一側壁阻障結構以及膠材。第二封裝基板配置於第一封裝基板上方。承載基板配置於第一封裝基板上方，且位於第一封裝基板與第二封裝基板之間。環境敏感電子元件配置於承載基板上，且位於承載基板與第二封裝基板之間。側壁阻障結構位於第一封裝基板與第二封裝基板之間，其中側壁阻障結構的至少一部分環繞環境敏感電子元件。膠材位於第一封裝基板與第二封裝基板之間，且膠材包覆承載基板、環境敏感電子元件以及側壁阻障結構。

基於上述，由於本揭露實施例的環境敏感電子元件封裝體的側壁阻障結構配置於兩相鄰的基板之間，其中側壁阻障結構環繞環境敏感電子元件。進一步來說，側壁阻障結構位於其中一基板上，並朝向另一基板延伸以內嵌於此基板，因此本揭露實施例的環境敏感電子元件封裝體具有較佳的阻隔水氣與氧氣的能力，可有效延長環境敏感電子元件的壽命。另一方面，側壁阻障結構的凹陷可有效避免封裝過程發生線路壓損的情形。

為讓本揭露能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

100A~100K‧‧‧環境敏感電子元件封裝體

100A’~100E’‧‧‧環境敏感電子元件封裝體

110、210‧‧‧第一基板

120、220‧‧‧第二基板

130、230‧‧‧環境敏感電子元件

140‧‧‧第二側壁阻障結構

150、250‧‧‧第一膠材

160、260‧‧‧第三基板

170‧‧‧第一側壁阻障結構

180、280‧‧‧第二膠材

190‧‧‧第三側壁阻障結構

200A~200F‧‧‧環境敏感電子元件封裝體

200D’~200F’‧‧‧環境敏感電子元件封裝體

240‧‧‧第一側壁阻障結構

270‧‧‧第二側壁阻障結構

300A~300H‧‧‧環境敏感電子元件封裝體

310‧‧‧第一封裝基板

320‧‧‧第二封裝基板

330‧‧‧承載基板

332‧‧‧光學膠

340‧‧‧環境敏感電子元件

350‧‧‧側壁阻障結構

352‧‧‧第一側壁阻障結構

354‧‧‧第二側壁阻障結構

360‧‧‧膠材

A~E‧‧‧區域

CAV‧‧‧凹陷

CAV1‧‧‧第一凹陷

CAV2‧‧‧第二凹陷

CF‧‧‧彩色濾光層

D1、D2‧‧‧基板厚度

POL‧‧‧四分之一波長補償膜加偏光膜

R、R1‧‧‧驅動線路

T1~T4‧‧‧內嵌深度

GB‧‧‧阻氣膜

TP‧‧‧觸控層

圖1A是本揭露一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。

圖1B至圖1K是本實施例另一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。

圖1A’至圖1E’是本實施例另一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。

圖2A是本揭露又一實施例的環境敏感電子元件封裝體。

圖2A-1是圖2A的環境敏感電子元件封裝體區域A的局部側視圖。

圖2A-2是圖2A的環境敏感電子元件封裝體區域B的局部上視圖。

圖2A-3是圖2A的環境敏感電子元件封裝體區域A的另一局部側視圖。

圖2B是本揭露又一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。

圖2B-1是圖2B的環境敏感電子元件封裝體區域C的局部側視圖。

圖2C至圖2F是本揭露又一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。

圖2D’至圖2F’是本揭露又一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。

圖3A是本揭露再一實施例的環境敏感電子元件封裝體。

圖3B至圖3D是本揭露再一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。

圖3D-1是圖3D的環境敏感電子元件封裝體區域D的局部側視圖。

圖3E是本揭露再一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。

圖3E-1是圖3E的環境敏感電子元件封裝體區域E的局部側視圖。

圖3F是本揭露再一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。

圖3F-1是圖3F的環境敏感電子元件封裝體區域F的局部側視圖。

圖3G至圖3H是本揭露再一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。

圖1A是本揭露一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。請參考圖1A，環境敏感電子元件封裝體100A包括第一基板110、第二基板120、環境敏感電子元件130、至少一第二側壁阻障結構140、第一膠材150、第三基板160、至少一第一側壁阻障結構170以及第二膠材180。第二基板120配置於第一基板110上方。環境敏感電子元件130配置於第一基板110上，且位於第一基板110與第二基板120之間。第二側壁阻障結構140配置於第二基板120上，其中第二側壁阻障結構140環繞或部分環繞環境敏感電子元件130，且位於第一基板110與第二基板120 之間。第一膠材150位於第一基板110與第二基板120之間，且包覆第二側壁阻障結構140以及環境敏感電子元件130。第三基板160配置於第一基板110下方，其中第一基板110位於第二基板120與第三基板160之間。第一側壁阻障結構170配置於第三基板160上，且位於第一基板110與第三基板160之間，其中第一側壁阻障結構170內嵌於第一基板110。第二膠材180位於第一基板110與第三基板160之間，且包覆第一側壁阻障結構170。

在本實施例中，第一基板110、第二基板120以及第三基板160例如是可撓性基板，其中可撓性基板的材質可為聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚間苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚醚石風(Polyethersulfone,PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚亞醯胺(PI)或金屬箔(metal foil)。當然，第二基板120以及第三基板160亦可以是硬質基板，其中硬質基板的材質例如是金屬、玻璃，本揭露在此並不加以限制。

另外，環境敏感電子元件130例如是主動式環境敏感電子顯示元件或被動式環境敏感電子顯示元件，其中主動式環境敏感電子顯示元件例如是一主動型矩陣有機發光二極體(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AM-OLED)或者是主動型矩陣電泳顯示器(Active Matrix Electro Phoretic Display,AM-EPD)，俗稱電子紙，或者是主動型矩陣液晶顯示器(Active Matrix Liquid Crystal Display,AM-LCD)，或者是主動型矩陣藍相液晶顯示器 (Active Matrix Blue Phase Liquid Crystal Display)。被動式環境敏感電子顯示元件則例如是被動驅動式有機電激發光元件(Passive Matrix OLED,PM-OLED)或者是超扭轉向列型液晶顯示器(Super Twisted Nematic Liquid Crystal Display,STN-LCD)。進一步詳言之，環境敏感電子元件130例如是透過阻氣膜GB配置於第一基板上110，也就是說，本實施例的第一基板以及環境敏感電子元件130是位於阻氣膜GB的兩側，其中阻氣膜GB包括有機膜與無機膜，無機膜例如金屬氧化物(metal oxide)、金屬氮化物(metal nitride)、金屬氮氧化物(metal oxynitride)等，一般而言，無機膜的阻氣性較佳於有機膜，而有機膜則可保持整體阻氣層GB的柔軟度。

此外，如圖1A所示，在本實施例中，第二側壁阻障結構140的數量例如是多個，其中第二側壁阻障結構140垂直於第一基板110的截面例如是三角形、梯形、矩形、多邊形、圓形或橢圓形，其中又以三角形為較佳。一般而言，第二側壁阻障結構140的材質可包括有機與無機材料組合，有機材料例如聚亞醯胺(PI)光阻，無機材料例如矽化物、鋁化物或類鑽碳(diamond like carbon)膜等，有機部分可藉由黃光微影蝕刻製作如三角形截面，且無機部分再以化學氣相沉積或濺鍍方法批覆上有機三角形截面，且形成於第二基板120上，或者採用金屬或金屬合金材料，且例如是藉由黃光微影蝕刻、壓印或精密車床等製程形成於第二基板120上，或者是採用玻璃，且例如是藉由黃光微影蝕刻、噴砂等製程 形成於第二基板120上。進一步詳言之，第二基板120與第二側壁阻障結構140之間配置有阻氣膜GB，其中阻氣膜GB包括有機膜與無機膜，無機膜例如金屬氧化物(metal oxide)、金屬氮化物(metal nitride)、金屬氮氧化物(metal oxynitride)等，一般而言，無機膜的阻氣性較佳於有機膜，而有機膜則可保持整體阻氣層GB的柔軟度。

第一膠材150的材質例如是例如是壓克力樹脂(acrylic)或環氧樹脂(expoxy)，可透過紫光照射或加熱而固化，以使第一基板110與第二基板120緊密接合。在本實施例中，第一膠材150在未固化前的型態例如是液態式(liquid type)膠材或膠膜式(sheet type)膠材。

另一方面，第一側壁阻障結構170的數量例如是多個，其中第一側壁阻障結構170垂直於第一基板110的截面例如是三角形、梯形、矩形、多邊形、圓形或橢圓形，其中又以三角形為較佳。一般而言，第一側壁阻障結構170的材質可包括有機與無機材料組合，有機材料例如聚亞醯胺(PI)光阻，無機材料例如矽化物、鋁化物或類鑽碳(diamond like carbon)膜等，有機部分可藉由黃光微影蝕刻製作如三角形截面，且無機部分再以化學氣相沉積或濺鍍方法批覆上有機三角形截面，且形成於第三基板160上，或者採用金屬或金屬合金材料，且例如是藉由黃光微影蝕刻、壓印或精密車床等製程形成於第三基板160上，或者是採用玻璃，且例如是藉由黃光微影蝕刻、噴砂等製程形成於第三基板160上。 進一步詳言之，第三基板160與第一側壁阻障結構170之間配置有阻氣膜GB，其中阻氣膜GB包括有機膜與無機膜，無機膜例如金屬氧化物(metal oxide)、金屬氮化物(metal nitride)、金屬氮氧化物(metal oxynitride)等，一般而言，無機膜的阻氣性較佳於有機膜，而有機膜則可保持整體阻氣層GB的柔軟度。

詳細而言，第一側壁阻障結構170嵌入第一基板110的內嵌深度T1例如是小於第一基板110的基板厚度D1，且第一側壁阻障結構170的硬度以大於第一基板110的硬度為佳。一般而言，將第三基板160壓合於第一基板110後，可經由適當的施力例如是透過滾輪或框壓等方法，即可使第三基板160透過第二膠材180與第一基板110緊密接合，並可進一步將第一側壁阻障結構170輕易嵌入第一基板110內。第一側壁阻障結構170內嵌於第一基板110的深度是與製程控制相關，由於在滾壓或框壓的過程中，並無法精準控制製程上的施力，因此本實施例的第一側壁阻障結構170的高度例如是以小於第一基板110的基板厚度D1為原則，如此可避免第一側壁阻障結構170穿透第一基板110的情形。

此外，用以接合第一基板110與第三基板160的第二膠材180與第一膠材150的材質大致上相同或相似，第二膠材180例如是壓克力樹脂(acrylic)或環氧樹脂(expoxy)，可透過紫光照射或加熱而固化，以使第一基板110與第三基板160緊密接合。在本實施例中，第二膠材180在未固化前的型態例如是液態式 (liquid type)膠材或膠膜式(sheet type)膠材。

簡言之，本實施例的環境敏感電子元件封裝體100A的第一側壁阻障結構170內嵌於第一基板110，如此可有效提升阻絕水氣與氧氣的能力，以延長環境敏感電子元件130的壽命。

以下將搭配圖1B至圖1K針對不同型態的環境敏感電子元件封裝體100B至100K進行描述。在此必須說明的是，各實施例中，相同或相似的元件標號代表相同或相似的元件，相向元件的描述將不再重述。

圖1B至圖1K是本揭露另一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。請參考圖1B，圖1B的環境敏感電子元件封裝體100B與圖1A的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在於：圖1B的環境敏感電子元件封裝體100B更包括一觸控層TP，其中觸控層TP配置於第二基板120上，且位於第二基板120與第一膠材150之間。更具體而言，本實施例的觸控層TP例如直接於第二基板120上製作形成，或者是透過光學膠材(未繪示)與第二基板120接合，因此觸控層TP例如是配置於阻氣膜GB及第二基板之間，而第二側壁阻障結構140配置於此阻氣膜GB上，意即第二基板120與第二側壁阻障結構140位於觸控層TP的兩側，其中本實施例的第二側壁阻障結構140的材質可包括有機與無機材料組合，有機材料例如聚亞醯胺(PI)光阻，無機材料例如矽化物、鋁化物或類鑽碳(diamond like carbon)膜等，有機部分可藉由黃光微影蝕刻製作如三角形截面，且無機部分再以 化學氣相沉積或濺鍍方法批覆上有機三角形截面，且形成於第二基板120上。

請參考圖1C，圖1C的環境敏感電子元件封裝體100C與圖1A的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在於：圖1C的環境敏感電子元件封裝體100C更包括一四分之一波長補償膜加偏光膜POL，其中四分之一波長補償膜加偏光膜POL配置於第二基板120上，且第二基板120位於四分之一波長補償膜加偏光膜POL與第二膠材180之間。一般而言，四分之一波長補償膜加偏光膜POL，其中補償膜例如是指對於特定的波長(λ)而延遲了具有其波長(λ)的四分之一大小的相位差薄膜。

請參考圖1D，圖1D的環境敏感電子元件封裝體100D與圖1B的環境敏感電子元件封裝體100B相似，其不同之處在於：圖1D的環境敏感電子元件封裝體100D更包括一四分之一波長補償膜加偏光膜POL，其中四分之一波長補償膜加偏光膜POL配置於第二基板120上，且第二基板120位於四分之一波長補償膜加偏光膜POL與觸控層TP之間。一般而言，四分之一波長補償膜加偏光膜POL，其中補償膜例如是指對於特定的波長(λ)而延遲了具有其波長(λ)的四分之一大小的相位差薄膜。

請參考圖1E，圖1E的環境敏感電子元件封裝體100E與圖1A的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在於：圖1E的環境敏感電子元件封裝體100E更包括一彩色濾光層CF，其中彩色濾光層CF配置於第二基板120上，且位於第二基板120 與第一膠材150之間。更具體而言，本實施例的彩色濾光層CF例如是直接於第二基板120上製作形成，或者透過光學膠材(未繪示)與第二基板120接合，因此彩色濾光層CF例如是配置於阻氣膜GB及第二基板之間，而第二側壁阻障結構140配置於此阻氣膜GB上，意即第二基板120與第二側壁阻障結構140位於彩色濾光層CF的兩側，其中本實施例的第二側壁阻障結構140的材質可包括有機與無機材料組合，有機材料例如聚亞醯胺(PI)光阻，無機材料例如矽化物、鋁化物或類鑽碳(diamond like carbon)膜等，有機部分可藉由黃光微影蝕刻製作如三角形截面，且無機部分再以化學氣相沉積或濺鍍方法批覆上有機三角形截面，且形成於第二基板120上。

請參考圖1F，圖1F的環境敏感電子元件封裝體100F與圖1A的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在於：圖1F的環境敏感電子元件封裝體100F的第二側壁阻障結構140內嵌於第一基板110內，其中第二側壁阻障結構140與第一側壁阻障結構170例如是交替排列於第一基板110之中。詳細而言，第二側壁阻障結構140嵌入第一基板的內嵌深度T2例如是小於第一基板110的基板厚度D1，且第二側壁阻障結構140的硬度以大於第一基板110的硬度為佳。一般而言，將第二基板120壓合於第一基板110後，可經由適當的施力例如是透過滾輪或框壓等方法，即可使第二基板120透過第一膠材150與第一基板110緊密接合，並可進一步將第二側壁阻障結構140輕易嵌入至第一基板 110內。

第二側壁阻障結構140內嵌於第一基板110的深度是與製程控制相關，由於在滾壓或框壓的過程中，並無法精準控制製程上的施力，因此本實施例的第二側壁阻障結構140的高度例如是以小於第一基板110的基板厚度D1為原則，如此可避免第二側壁阻障結構140穿透第一基板110的情形。簡言之，本實施例的環境敏感電子元件封裝體100F具有內嵌於第一基板110內的第二側壁阻障結構140與第一側壁阻障結構170，如此可有效提升阻絕水氣與氧氣的能力，以延長環境敏感電子元件130的壽命。

請參考圖1G，圖1G的環境敏感電子元件封裝體100G與圖1F的環境敏感電子元件封裝體100F相似，其不同之處在於：圖1G的環境敏感電子元件封裝體100G的第二側壁阻障結構140例如是對準於與第一側壁阻障結構170。簡言之，本實施例的環境敏感電子元件封裝體100G的第二側壁阻障結構140與第一側壁阻障結構170內嵌於第一基板110，如此可有效提升阻絕水氣與氧氣的能力，以延長環境敏感電子元件130的壽命。

請參考圖1H，圖1H的環境敏感電子元件封裝體100H與圖1A的境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在於：圖1H的環境敏感電子元件封裝體100H更包括一第三側壁阻障結構190，其中第三側壁阻障結構190配置於第一基板110上，且第三側壁阻障結構190與第二側壁阻障結構140交替排列於第二基板120與第一基板110之間。詳細而言，第三側壁阻障結構190 的數量例如是多個，第三側壁阻障結構190垂直於第一基板110的截面例如是三角形、梯形、矩形、多邊形、圓形或橢圓形，其中又以三角形為較佳。一般而言，第三側壁阻障結構190的材質可包括有機與無機材料組合，有機材料例如聚亞醯胺(PI)光阻，無機材料例如矽化物、鋁化物或類鑽碳(diamond like carbon)膜等，有機部分可藉由黃光微影蝕刻製作如三角形截面，且無機部分再以化學氣相沉積或濺鍍方法批覆上有機三角形截面，且形成於第一基板110上，或者採用金屬或金屬合金材料，且例如是藉由黃光微影蝕刻、壓印或精密車床等製程形成於第一基板110上，或者是採用玻璃，且例如是藉由黃光微影蝕刻、噴砂等製程形成於第一基板110上。進一步詳言之，第一基板110與第三側壁阻障結構190之間配置有阻氣膜GB，其中阻氣膜GB包括有機膜與無機膜，無機膜例如金屬氧化物(metal oxide)、金屬氮化物(metal nitride)、金屬氮氧化物(metal oxynitride)等，一般而言，無機膜的阻氣性較佳於有機膜，而有機膜則可保持整體阻氣層GB的柔軟度。

簡言之，本實施例的環境敏感電子元件封裝體100H的第一側壁阻障結構170內嵌於第一基板110，且第三側壁阻障結構190與第二側壁阻障結構140交替排列於第二基板120與第一基板110之間，如此可有效提升阻絕水氣與氧氣的能力，以延長環境敏感電子元件130的壽命。

請參考圖1I，圖1I的環境敏感電子元件封裝體100I與圖 1H的環境敏感電子元件封裝體100H相似，其不同之處在於：圖1I的環境敏感電子元件封裝體100H更包括一四分之一波長補償膜加偏光膜POL，其中四分之一波長補償膜加偏光膜POL配置於第三基板160上，且第三基板160位於四分之一波長補償膜加偏光膜POL與第二膠材180之間。一般而言，四分之一波長補償膜加偏光膜POL，其中補償膜例如是指對於特定的波長(λ)而延遲了具有其波長(λ)的四分之一大小的相位差薄膜。

請參考圖1J，圖1J的環境敏感電子元件封裝體100J與圖1I的環境敏感電子元件封裝體100I相似，其不同之處在於：圖1J的環境敏感電子元件封裝體100J更包括一觸控層TP，其中觸控層TP配置於第三基板160上，且位於第三基板160與四分之一波長補償膜加偏光膜POL之間。更具體而言，本實施例的觸控層TP例如是直接於第三基板160上製作形成，或者透過光學膠材(未繪示)與第三基板160接合，而四分之一波長補償膜加偏光膜POL進一步配置於此觸控層TP上。當然，觸控層TP亦可以是與四分之一波長補償膜加偏光膜POL接合後，在進一步貼合於第三基板160上，本揭露在此並不加以限制。

請參考圖1K，圖1K的環境敏感電子元件封裝體100K與圖1I的環境敏感電子元件封裝體100I相似，其不同之處在於：圖1K的環境敏感電子元件封裝體100K更包括一觸控層TP，其中觸控層TP配置於第一基板110上，且位於第一基板110與環境敏感電子元件130之間。更具體而言，本實施例的觸控層TP例如是 直接於第一基板110上製作形成，或者透過光學膠材(未繪示)與第一基板110接合，因此觸控層TP例如是配置於阻氣膜GB及第一基板之間，而第三側壁阻障結構190進一步配置於此阻氣膜GB上，意即第一基板110與第三側壁阻障結構190位於觸控層TP的兩側，其中本實施例的第三側壁阻障結構190的材質可包括有機與無機材料組合，有機材料例如聚亞醯胺(PI)光阻，無機材料例如矽化物、鋁化物或類鑽碳(diamond like carbon)膜等，有機部分可藉由黃光微影蝕刻製作如三角形截面，且無機部分再以化學氣相沉積或濺鍍方法批覆上有機三角形截面，且形成於第一基板110上，或者採用金屬或金屬合金材料，且例如是藉由黃光微影蝕刻、壓印或精密車床等製程形成於第一基板110上，或者是採用玻璃，且例如是藉由黃光微影蝕刻、噴砂等製程形成於第一基板110上。

圖1A’至圖1E’是本實施例另一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。請參考圖1A’至圖1E’，具體來說，圖1A’至圖1E’的環境敏感電子元件封裝體100A’至100E’分別與圖1A至圖1E的環境敏感電子元件封裝體100A至100E相似，其不同之處在於：環境敏感電子元件封裝體100A’至100E’均不包括配置於第二基板120上的第二側壁阻障結構140。換言之，僅透過包覆於環境敏感電子元件130的第一膠材150以及內嵌於第一基板110的第一側壁阻障結構170，亦可有效提升阻絕水氣與氧氣的能力，以延長環境敏感電子元件130的壽命。

概括來說，上述的環境敏感電子元件封裝體100A至100K與100A’至100E’的側壁阻障結構內嵌於基板，也因此具有較佳的阻絕水氣與氧氣的能力，可有效延長電子元件的壽命。

圖2A是本揭露又一實施例的環境敏感電子元件封裝體。圖2A-1是圖2A的環境敏感電子元件封裝體區域A的局部側視圖。圖2A-2是圖2A的環境敏感電子元件封裝體區域A的局部透視圖。圖2A-3是圖2A的環境敏感電子元件封裝體區域A的另一局部側視圖。請參考圖2A、圖2A-1，環境敏感電子元件封裝體200A包括第一基板210、第二基板220、環境敏感電子元件230、至少一第一側壁阻障結構240、第一膠材250以及驅動線路R。第二基板220配置於第一基板210上方。環境敏感電子元件230配置於第一基板210上，且位於第一基板210與第二基板220之間。第一側壁阻障結構240配置於第二基板220上，且位於第一基板210與第二基板220之間，其中第一側壁阻障結構240環繞或部分環繞環境敏感電子元件230，且第一側壁阻障結構240具有一凹陷CAV。第一膠材250位於第一基板210與第二基板220之間，且包覆環境敏感電子元件230以及第一側壁障結構240。驅動線路R配置於第一基板210上，且位於第一基板210與第二基板220之間，其中驅動線路R位於凹陷CAV內。

在本實施例中，第一基板210、第二基板220例如是可撓性基板，其中可撓性基板的材質可為聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚間苯二甲酸乙二酯 (polyethylene naphthalate,PEN)、聚醚石風(Polyethersulfone,PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚亞醯胺(PI)或金屬箔(metal foil)。當然，第一基板210以及第二基板220亦可以是硬質基板，其中硬質基板的材質例如是金屬、玻璃，本揭露在此並不加以限制。

另外，環境敏感電子元件230例如是主動式環境敏感電子顯示元件或被動式環境敏感電子顯示元件，其中主動式環境敏感電子顯示元件例如是一主動型矩陣有機發光二極體(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AM-OLED)或者是主動型矩陣電泳顯示器(Active Matrix Electro Phoretic Display,AM-EPD)，俗稱電子紙，或者是主動型矩陣液晶顯示器(Active Matrix Liquid Crystal Display,AM-LCD)，或者是主動型矩陣藍相液晶顯示器(Active Matrix Blue Phase Liquid Crystal Display)。被動式環境敏感電子顯示元件則例如是被動驅動式有機電激發光元件陣列基板(Passive Matrix OLED,PM-OLED)或者是超扭轉向列型液晶顯示器(Super Twisted Nematic Liquid Crystal Display,STN-LCD)。進一步詳言之，環境敏感電子元件230例如是透過阻氣膜GB配置於第一基板上210，也就是說，本實施例的第一基板以及環境敏感電子元件230是位於阻氣膜GB的兩側，其中阻氣膜GB包括有機膜與無機膜，無機膜例如金屬氧化物(metal oxide)、金屬氮化物(metal nitride)、金屬氮氧化物(metal oxynitride)等，一般而言，無機膜的阻氣性較佳於有機膜，而有機膜則可保持整體阻氣層GB的柔 軟度。

此外，如圖2A所示，在本實施例中，第一側壁阻障結構240的數量例如是多個，其中第一側壁阻障結構240垂直於第一基板210的截面例如是三角形、梯形、矩形、多邊形、圓形或橢圓形，其中又以三角形為較佳。一般而言，第一側壁阻障結構240的材質可包括有機與無機材料組合，有機材料例如聚亞醯胺(PI)光阻，無機材料例如矽化物、鋁化物或類鑽碳(diamond like carbon)膜等，有機部分可藉由黃光微影蝕刻製作如三角形截面，且無機部分再以化學氣相沉積或濺鍍方法批覆上有機三角形截面，且形成於第二基板220上，或者採用金屬或金屬合金材料，且例如是藉由黃光微影蝕刻、壓印或精密車床等製程形成於第二基板220上，或者是採用玻璃，且例如是藉由黃光微影蝕刻、噴砂等製程形成於第二基板220上。

第一膠材250的材質例如是例如是壓克力樹脂(acrylic)或環氧樹脂(expoxy)，可透過紫光照射或加熱而固化，以使第一基板210與第二基板220緊密接合。在本實施例中，第一膠材250未固化前的型態例如是液態式(liquid type)膠材或膠膜式(sheet type)膠材。

如圖2A-1所示，第一側壁阻障結構240具有一凹陷CAV，一般而言，凹陷CAV例如是在第二基板220上形成第一側壁阻障結構240之後，藉由例如是蝕刻第一側壁阻障結構240所形成。當然，凹陷CAV亦可以是在形成第一側壁阻障結構240的 過程中，同時藉由黃光微影蝕刻、壓印或精密車床等製程所形成，本揭露在此並不加以限制。另一方面，如圖2A-3所示，凹陷CAV在第一側壁阻障結構240上構成了一連通區域。換言之，將驅動線路R配置於此凹陷CAV內，可有效避免封裝過程中發生驅動線路R壓損的情形，以確保驅動線路R電性連接至環境敏感電子元件230。在此必須說明的是，本揭露的側壁阻障結構的凹陷結構亦可如圖2A-3所示，其中圖2A-3的凹陷CAV垂直於第一基板210的截面開口例如是小於圖2A-1的凹陷CAV垂直於第一基板210的截面開口。

以下將搭配圖2B至圖2F針對不同型態的環境敏感電子元件封裝體200B至200F進行描述。在此必須說明的是，各實施例中，相同或相似的元件標號代表相同或相似的元件，相同元件的描述將不再重述。

圖2B至圖2F是本揭露又一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。其中圖2B-1繪示了圖2B的環境敏感電子元件封裝體區域B的局部側視圖。請參考圖2B及圖2B-1，圖2B的環境敏感電子元件封裝體200B與圖2A的環境敏感電子元件封裝體200A相似，其不同之處在於：圖2B的環境敏感電子元件封裝體200B的第一側壁阻障結構240內嵌於該第一基板。詳細而言，第一側壁阻障結構240嵌入第一基板210的內嵌深度T3例如是小於第一基板210的基板厚度D2，且第一側壁阻障結構240的硬度以大於第一基板210的硬度為佳。一般而言，將第二基板220 壓合於第一基板210後，可經由適當的施力例如是透過滾輪或框壓等方法，即可使第二基板220透過第一膠材250與第一基板210緊密接合，並可進一步將第一側壁阻障結構240輕易嵌入至第一基板210內。第一側壁阻障結構240內嵌於第一基板210的深度是與製程控制相關，由於在滾壓或框壓的過程中，並無法精準控制製程上的施力，因此本實施例的第一側壁阻障結構240的高度例如是以小於第一基板210的基板厚度D2為原則，如此可有效避免第一側壁阻障結構240穿透第一基板210的情形。

另一方面，如圖2B-1所示，第一側壁阻障結構240的凹陷CAV在第一側壁阻障結構240與第一基板210之間構成了一連通區域。換言之，將驅動線路R配置於此凹陷CAV內，可有效避免封裝過程中發生驅動線路R壓損的情形，以確保驅動線路R電性連接至環境敏感電子元件230。

請參考圖2C，圖2C的環境敏感電子元件封裝體200C與圖2A的環境敏感電子元件封裝體200A相似，其不同之處在於：圖2C的環境敏感電子元件封裝體200C更包括一觸控層TP，其中觸控層TP配置於第一基板210上，且位於第一膠材250與第一基板210之間。更具體而言，本實施例的觸控層TP例如是於第一基板210上製作，因此觸控層TP例如是配置於阻氣膜GB及第一基板之間，而環境敏感電子元件230配置於阻氣膜GB上，也就是說，本實施例的環境敏感電子元件230以及觸控層TP例如是位於此阻氣膜GB的兩側。

請參考圖2D，圖2D的環境敏感電子元件封裝體200D與圖2A的環境敏感電子元件封裝體200A相似，其不同之處在於：圖2D的環境敏感電子元件封裝體200D更包括第三基板260、至少一第二側壁阻障結構270以及第二膠材280。第三基板260配置於第一基板210下方，其中第一基板210位於第二基板220與第三基板260之間。第二側壁阻障結構270配置於第三基板260上，且位於第一基板210與第三基板260之間。第二膠材280位於第一基板210與第三基板260之間，其中第二膠材280包覆第二側壁阻障結構270。

在本實施例中，第三基板260例如是可撓性基板，其中可撓性基板的材質可為聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚間苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚醚石風(Polyethersulfone,PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚亞醯胺(PI)或金屬箔(metal foil)。當然，第三基板260亦可以是硬質基板，其中硬質基板的材質例如是金屬、玻璃，本揭露在此並不加以限制。

此外，如圖2D所示，在本實施例中，第二側壁阻障結構270的數量例如是多個，其中第二側壁阻障結構270垂直於第一基板210的截面例如是三角形、梯形、矩形、圓形或橢圓形，其中又以三角形為較佳。一般而言，第二側壁阻障結構270的材質可包括無機材料或有機與無機材料組合，有機材料例如聚亞醯胺 (PI)光阻，無機材料例如矽化物、鋁化物或類鑽碳(diamond like carbon)膜等，有機部分可藉由黃光微影蝕刻製作如三角形截面，且無機部分再以化學氣相沉積或濺鍍方法批覆上有機三角形截面，且形成於第三基板260上，或者採用金屬或金屬合金材料，且例如是藉由黃光微影蝕刻、壓印或精密車床等製程形成於第三基板260上，或者是採用玻璃，且例如是藉由黃光微影蝕刻、噴砂等製程形成於第三基板260上。。進一步詳言之，第三基板260與第二側壁阻障結構270之間配置有阻氣膜GB，其中阻氣膜GB包括有機膜與無機膜，無機膜例如金屬氧化物(metal oxide)、金屬氮化物(metal nitride)、金屬氮氧化物(metal oxynitride)等，一般而言，無機膜的阻氣性較佳於有機膜，而有機膜則可保持整體阻氣層GB的柔軟度。

第二膠材280的材質例如是例如是壓克力樹脂(acrylic)或環氧樹脂(expoxy)，可透過紫光照射或加熱而固化，以使第一基板210與第三基板260緊密接合。在本實施例中，第二膠材280的型態例如是感壓式膠材或填充式膠材。

請參考圖2E，圖2E的環境敏感電子元件封裝體200E與圖2D的環境敏感電子元件封裝體200D相似，其不同之處在於：圖2E的環境敏感電子元件封裝體200E更包括一四分之一波長補償膜加偏光膜POL，其中四分之一波長補償膜加偏光膜POL配置於第三基板260上，且第二膠材280與四分之一波長補償膜加偏光膜POL位於第三基板260的兩側。一般而言，四分之一波長補 償膜加偏光膜POL，其中補償膜例如是指對於特定的波長(λ)而延遲了具有其波長(λ)的四分之一大小的相位差薄膜。

請參考圖2F，圖2F的環境敏感電子元件封裝體200F與圖2E的環境敏感電子元件封裝體200E相似，其不同之處在於：圖2F的環境敏感電子元件封裝體200F的第二側壁阻障結構270內嵌於第一基板210。詳細而言，第二側壁阻障結構270嵌入第一基板210的內嵌深度T4例如是小於第一基板210的基板厚度D2，且第二側壁阻障結構270的硬度以大於第一基板210的硬度為佳。一般而言，將第三基板260壓合於第一基板210後，可經由適當的施力例如是透過滾輪或框壓等方法，即可使第三基板260透過第二膠材280與第一基板210緊密接合，並可進一步將第二側壁阻障結構270輕易嵌入至第一基板210內。第二側壁阻障結構270內嵌於第一基板210的深度是與製程控制相關，由於在滾壓或框壓的過程中，並無法精準控制製程上的施力，因此本實施例的第二側壁阻障結構270的高度例如是以小於第一基板210的基板厚度D2為原則，如此可有效避免第二側壁阻障結構270穿透第一基板210的情形。

在此必須說明的是，在未繪示的實施例中，環境敏感電子元件封裝體200F的第一側壁阻障結構240亦可同時內嵌於第一基板210，如此一來，可有效提昇環境敏感電子元件封裝體200F阻絕水氣與氧氣的能力，以延長環境敏感電子元件230的壽命。

圖2D’至圖2F’是本揭露又一實施例的環境敏感電子 元件封裝體的剖面示意圖。請參考圖2D’至圖2F’，具體來說，圖2D’至圖2F’的環境敏感電子元件封裝體200D’至200F’分別與圖2D至圖2F的環境敏感電子元件封裝體200D至200F相似，其不同之處在於：環境敏感電子元件封裝體200D’至200F’均不包括配置於第二基板220上的第一側壁阻障結構240。換言之，僅透過包覆於環境敏感電子元件230的第一膠材250以及配置於第三基板260上的第二側壁阻障結構770，亦可有效提升阻絕水氣與氧氣的能力，以延長環境敏感電子元件230的壽命。

概括來說，上述的環境敏感電子元件封裝體200A至200F的側壁阻障結構具有凹陷CAV，如此可將驅動線路R配置於此凹陷CAV內，以有效避免封裝過程中發生驅動線路R壓損的情形，以確保驅動線路R電性連接至環境敏感電子元件230。另外。環境敏感電子元件封裝體200A至200F的側壁阻障結構亦可內嵌於基板內，也因此具有較佳的阻絕水氣與氧氣的能力，可有效延長電子元件的壽命。

圖3A是本揭露再一實施例的環境敏感電子元件封裝體。請參考圖3A，環境敏感電子元件封裝體300A包括第一封裝基板310、第二封裝基板320、承載基板330、環境敏感電子元件340、至少一側壁阻障結構350以及膠材360。第二封裝基板320配置於第一封裝基板310上方。承載基板330配置於第一封裝基板310上方，且位於第一封裝基板310與第二封裝基板320之間。環境敏感電子元件340配置於承載基板330上，且位於承載基板 330與第二封裝基板320之間。側壁阻障結構350位於第一封裝基板310與第二封裝基板320之間，其中側壁阻障結構350環繞或部分環繞環境敏感電子元件340。膠材360位於第一封裝基板310與第二封裝基板320之間，且膠材360包覆承載基板330、環境敏感電子元件340以及側壁阻障結構350。

在本實施例中，第一封裝基板310、第二封裝基板320以及承載基板330例如是可撓性基板，其中可撓性基板的材質可為聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚間苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚醚石風(Polyethersulfone,PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚亞醯胺(PI)或金屬箔(metal foil)。當然，第一封裝基板310、第二封裝基板320以及承載基板330亦可以是硬質基板，其中硬質基板的材質例如是金屬、玻璃，本揭露在此並不加以限制。在此必須說明的是，承載基板330例如是藉由一光學膠332貼合於第一封裝基板310上。

另外，環境敏感電子元件340例如是主動式環境敏感電子顯示元件或被動式環境敏感電子顯示元件，其中主動式環境敏感電子顯示元件例如是一主動型矩陣有機發光二極體(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AM-OLED)或者是主動型矩陣電泳顯示器(Active Matrix Electro Phoretic Display,AM-EPD)，俗稱電子紙，或者是主動型矩陣液晶顯示器(Active Matrix Liquid Crystal Display,AM-LCD)，或者是主動型矩陣藍相液晶顯示器(Active Matrix Blue Phase Liquid Crystal Display)。被動式環境敏感電子顯示元件則例如是被動驅動式有機電激發光元件陣列基板(Passive Matrix OLED,PM-OLED)或者是超扭轉向列型液晶顯示器(Super Twisted Nematic Liquid Crystal Display,STN-LCD)。

此外，如圖3A所示，在本實施例中，側壁阻障結構350的數量例如是多個，其中側壁阻障結構350垂直於第一封裝基板310的截面例如是三角形、梯形、矩形、多邊形、圓形或橢圓形，其中又以三角形為較佳。一般而言，側壁阻障結構350的材質可包括有機與無機材料組合，有機材料例如聚亞醯胺(PI)光阻，無機材料例如矽化物、鋁化物或類鑽碳(diamond like carbon)膜等，有機部分可藉由黃光微影蝕刻製作如三角形截面，且無機部分再以化學氣相沉積或濺鍍方法批覆上有機三角形截面，且形成於第一封裝基板310或第二封裝基板320上，或者採用金屬或金屬合金材料，且例如是藉由黃光微影蝕刻、壓印或精密車床等製程形成於第一封裝基板310或第二封裝基板320上，或者是採用玻璃，且例如是藉由黃光微影蝕刻、噴砂等製程形成於第一封裝基板310或第二封裝基板320上，其中本實施例的側壁阻障結構350例如是配置於第一封裝基板310。當然，在其他未繪示的實施例中，側壁阻障結構350亦可以是配置第二封裝基板320上。進一步詳言之，第一封裝基板310與側壁阻障結構350之間配置有阻氣膜GB，其中阻氣膜GB包括有機膜與無機膜，無機膜例如金 屬氧化物(metal oxide)、金屬氮化物(metal nitride)、金屬氮氧化物(metal oxynitride)等，一般而言，無機膜的阻氣性較佳於有機膜，而有機膜則可保持整體阻氣層GB的柔軟度。

膠材360的材質例如是例如是壓克力樹脂(acrylic)或環氧樹脂(expoxy)，可透過紫光照射或加熱而固化，以使第一封裝基板310與第二封裝基板320緊密接合。在本實施例中，膠材360未固化前的型態例如是液態式(liquid type)膠材或膠膜式(sheet type)膠材。簡言之，本實施例的環境敏感電子元件封裝體300A具有較佳的阻絕水氣與氧氣的能力，以延長環境敏感電子元件340的壽命。

以下將搭配圖3B至圖3H針對不同型態的環境敏感電子元件封裝體300B至300H進行描述。在此必須說明的是，各實施例中，相同或相似的元件標號代表相同或相似的元件，相同元件的描述將不再重述。

圖3B至圖3H是本揭露再一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。其中圖3D-1繪示了圖3D的環境敏感電子元件封裝體區域C的局部側視圖、圖3E-1繪示了圖3E的環境敏感電子元件封裝體區域D的局部側視圖以及圖3F-1繪示了圖3F的環境敏感電子元件封裝體區域E的局部側視圖。請參考圖3B，圖3B的環境敏感電子元件封裝體300B與圖3A的環境敏感電子元件封裝體300A相似，其不同之處在於：圖3B的環境敏感電子元件封裝體300B的側壁阻障結構350可進一步包括第一側壁阻障 結構352以及第二側壁阻障結構354，其中第一側壁阻障結構352配置於第一封裝基板310上，且第二側壁阻障結構354配置於第二封裝基板320上。具體而言，第一側壁阻障結構352與第二側壁阻障結構354垂直於第一封裝基板310的截面例如是三角形、梯形、矩形、多邊形、圓形或橢圓形，其中又以三角形為較佳，且第一側壁阻障結構352與第二側壁阻障結構354交替排列於第一封裝基板310與第二封裝基板320之間。簡言之，本實施例的環境敏感電子元件封裝體300B具有較佳的阻絕水氣與氧氣的能力，以延長環境敏感電子元件340的壽命。

請參考圖3C，圖3C的環境敏感電子元件封裝體300C與圖3B的環境敏感電子元件封裝體300B相似，其不同之處在於：圖3C的環境敏感電子元件封裝體300C第一側壁阻障結構352對準於第二側壁阻障結構354。簡言之，本實施例的環境敏感電子元件封裝體300C具有較佳的阻絕水氣與氧氣的能力，以延長環境敏感電子元件340的壽命。

請參考圖3D及圖3D-1，圖3D的環境敏感電子元件封裝體300D與圖3B的環境敏感電子元件封裝體300B相似，其不同之處在於：圖3D的環境敏感電子元件封裝體300D更包括驅動線路R1，其中驅動電路R1位於第一封裝基板310與第二封裝基板320之間。第一側壁阻障結構352具有一第一凹陷CAV1，且驅動線路R1位於第一凹陷CAV1內。換言之，將驅動線路R1配置於此第一凹陷CAV1內，可有效避免封裝過程中發生驅動線路R1壓 損的情形，以確保驅動線路R1電性連接至環境敏感電子元件340。

請參考圖3E及圖3E-1，圖3E的環境敏感電子元件封裝體300E與圖3B的環境敏感電子元件封裝體300B相似，其不同之處在於：圖3E的環境敏感電子元件封裝體300E的承載基板330例如是藉由光學膠332貼合於第二封裝基板320上，其中環境敏感電子元件340配置於此承載基板330上，且位於承載基板330與第一封裝基板310之間。另外，環境敏感電子元件封裝體300E更包括驅動線路R1，驅動電路R1位於第一封裝基板310與第二封裝基板320之間。第二側壁阻障結構354具有一第二凹陷CAV2，且驅動線路R1位於第二凹陷CAV2內。換言之，將驅動線路R1配置於此第二凹陷CAV2內，可有效避免封裝過程中發生驅動線路R1壓損的情形，以確保驅動線路R1電性連接至環境敏感電子元件340。

請參考圖3F及圖3F-1，圖3F的環境敏感電子元件封裝體300F與圖3D的環境敏感電子元件封裝體300D相似，其不同之處在於：圖3F的環境敏感電子元件封裝體300F的第二側壁阻障結構354具有一第二凹陷CAV2，其中驅動線路R1位於第一凹陷CAV1與第二凹陷CAV2之間。換言之，將驅動線路R1配置於第一凹陷CAV1與第二凹陷CAV2之間，可有效避免封裝過程中發生驅動線路R1壓損的情形，以確保驅動線路R1電性連接至環境敏感電子元件340。

請參考圖3G，圖3G的環境敏感電子元件封裝體300G 與圖3F的環境敏感電子元件封裝體300F相似，其不同之處在於：圖3G的環境敏感電子元件封裝體300G更包括一觸控層TP，其中觸控層TP配置於第二封裝基板320上，且位於膠材360與第二封裝基板320之間。具體而言，本實施例的觸控層TP例如是直接於第二封裝基板320上製作形成，或者透過光學膠材(未繪示)與第二封裝基板320接合，因此觸控層TP配置於阻氣膜GB及第二基板之間，而第二側壁阻障結構354配置於阻氣膜GB上，意即第二封裝基板320與第二側壁阻障結構354位於觸控層TP的兩側，其中本實施例的第二側壁阻障結構354的材質可包括有機與無機材料組合，有機材料例如聚亞醯胺(PI)光阻，無機材料例如矽化物、鋁化物或類鑽碳(diamond like carbon)膜等，有機部分可藉由黃光微影蝕刻製作如三角形截面，且無機部分再以化學氣相沉積或濺鍍方法批覆上有機三角形截面，且形成於第二封裝基板320上。

請參考圖3H，圖3H的環境敏感電子元件封裝體300G與圖3G的環境敏感電子元件封裝體300G相似，其不同之處在於：圖3H的環境敏感電子元件封裝體300H更包括一四分之一波長補償膜加偏光膜POL，配置於第二封裝基板320上，其中膠材360與四分之一波長補償膜加偏光膜POL位於第二封裝基板320的兩側。一般而言，四分之一波長補償膜加偏光膜POL，其中補償膜例如是指對於特定的波長(λ)而延遲了具有其波長(λ)的四分之一大小的相位差薄膜。

概括來說，上述的環境敏感電子元件封裝體300A至300H具有承載基板330，其中環境敏感電子元件340配置於此承載基板330。另一方面，側壁阻障結構350配置於第一封裝基板310及/或第二封裝基板320上，且環繞環境敏感電子元件340，如此可有效阻絕外界的水氣與氧氣，以有效延長電子元件的壽命。值得一提的是，側壁阻障結構350例如是具有第一凹陷CAV1及/或第二凹陷CAV2，如此可將驅動線路R1配置於第一凹陷CAV1及/或第二凹陷CAV2，以有效避免封裝過程中發生驅動線路R1壓損的情形，並確保驅動線路R1電性連接至環境敏感電子元件340。

綜上所述，由於本揭露的環境敏感電子元件封裝體的側壁阻障結構配置於兩相鄰的基板之間，其中側壁阻障結構環繞環境敏感電子元件。側壁阻障結構位於其中一基板上，並朝向另一基板延伸以內嵌於此基板，因此本揭露的環境敏感電子元件封裝體具有較佳的阻隔水氣與氧氣的能力，可有效延長環境敏感電子元件的壽命。另外，側壁阻障結構可進一步具有凹陷，且驅動線路位於所述凹陷內，如此可有效避免封裝過程中發生驅動線路壓損的情形，以確保驅動線路電性連接至環境敏感電子元件。

雖然本揭露已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本揭露的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100A‧‧‧環境敏感電子元件封裝體

110‧‧‧第一基板

120‧‧‧第二基板

130‧‧‧環境敏感電子元件

140‧‧‧第二側壁阻障結構

150‧‧‧第一膠材

160‧‧‧第三基板

170‧‧‧第一側壁阻障結構

180‧‧‧第二膠材

D1‧‧‧基板厚度

GB‧‧‧阻氣膜

T1‧‧‧內嵌深度

Claims (27)

1. 一種環境敏感電子元件封裝體，包括：一第一基板；一第二基板，配置於該第一基板上方；一環境敏感電子元件，配置於該第一基板上，且位於該第一基板與該第二基板之間；一第一膠材，位於該第一基板與該第二基板之間，且包覆該環境敏感電子元件；一第三基板，配置於該第一基板下方，其中該第一基板位於該第二基板與該第三基板之間；至少一第一側壁阻障結構，配置於該第三基板上，且位於該第一基板與該第三基板之間，其中該第一側壁阻障結構內嵌於該第一基板，且該第一側壁阻障結構的硬度大於該第一基板的硬度；以及一第二膠材，位於該第一基板與該第三基板之間，且包覆該第一側壁阻障結構。
2. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該第一側壁阻障結構垂直於該第一基板的截面包括三角形、梯形、矩形、多邊形、圓形或橢圓形。
3. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該第一側壁阻障結構嵌入該第一基板的內嵌深度小於該第一基板的基板厚度。
4. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，更包括一觸控層，其中該觸控層配置於該第二基板上，且位於該第二基板與該第一膠材之間。
5. 如申請專利範圍第4項所述的環境敏感電子元件封裝體，更包括一四分之一波長補償膜加偏光膜，其中該四分之一波長補償膜加偏光膜配置於該第二基板上，且該第二基板位於該四分之一波長補償膜加偏光膜與該觸控層之間。
6. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，更包括一彩色濾光層，其中該彩色濾光層配置於該第二基板上，且位於該第二基板與該第一膠材之間。
7. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，更包括一四分之一波長補償膜加偏光膜，其中該四分之一波長補償膜加偏光膜配置於該第二基板上，且該第二基板位於該四分之一波長補償膜加偏光膜與該第一膠材之間。
8. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，更包括至少一第二側壁阻障結構，配置於該第二基板上，其中該第二側壁阻障結構的至少一部分環繞該環境敏感電子元件，且位於該第一基板與該第二基板之間，該第一膠材包覆該第二側壁阻障結構。
9. 如申請專利範圍第8項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該第二側壁阻障結構內嵌於該第一基板，且該第一側壁阻障結構嵌入該第一基板的內嵌深度小於該第一基板的基板厚度。
10. 如申請專利範圍第9項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該第一側壁阻障結構與該第二側壁阻障結構交替排列於第一基板之中。
11. 如申請專利範圍第9項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該第一側壁阻障結構對準於該第二側壁阻障結構。
12. 如申請專利範圍第8項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該第二側壁阻障結構垂直於該第一基板的截面包括三角形、梯形、矩形、多邊形、圓形或橢圓形。
13. 如申請專利範圍第8項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該第二側壁阻障結構的硬度大於該第一基板的硬度。
14. 如申請專利範圍第8項所述的環境敏感電子元件封裝體，更包括一第三側壁阻障結構，其中該第三側壁阻障結構配置於該第一基板上，且該第三側壁阻障結構與該第二側壁阻障結構交替排列於該第二基板與該第一基板之間。
15. 如申請專利範圍第14項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該第三側壁阻障結構垂直於該第一基板的截面包括三角形、梯形、矩形、多邊形、圓形或橢圓形。
16. 如申請專利範圍第14項所述的環境敏感電子元件封裝體，更包括一四分之一波長補償膜加偏光膜，其中該四分之一波長補償膜加偏光膜配置於該第三基板上，且該第三基板位於該四分之一波長補償膜加偏光膜與該第二膠材之間。
17. 如申請專利範圍第16項所述的環境敏感電子元件封裝 體，更包括一觸控層，其中該觸控層配置於該第三基板上，且位於該第三基板與該四分之一波長補償膜加偏光膜之間。
18. 如申請專利範圍第14項所述的環境敏感電子元件封裝體，更包括一觸控層，其中該觸控層配置於該第一基板上，且位於該第一基板與該第一膠材之間。
19. 一種環境敏感電子元件封裝體，包括：一第一基板；一第二基板，配置於該第一基板上方；一環境敏感電子元件，配置於該第一基板上，且位於該第一基板與該第二基板之間；至少一第一側壁阻障結構，配置於該第二基板上，且位於該第一基板與該第二基板之間，其中該第一側壁阻障結構的至少一部分環繞該環境敏感電子元件，且該第一側壁阻障結構具有一凹陷，其中該第一側壁阻障結構內嵌於該第一基板，且該第一側壁阻障結構的硬度大於該第一基板的硬度；一第一膠材，位於該第一基板與該第二基板之間，且包覆該環境敏感電子元件以及該第一側壁阻障結構；以及一驅動線路，配置於該第一基板上，且位於該第一基板與該第二基板之間，其中該驅動線路位於該凹陷內。
20. 如申請專利範圍第19項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該第一側壁阻障結構垂直於該第一基板的截面包括三角形、梯形、矩形、多邊形、圓形或橢圓形。
21. 如申請專利範圍第19項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該第一側壁阻障結構內嵌於該第一基板，且該第一側壁阻障結構嵌入該第一基板的內嵌深度小於該第一基板的基板厚度。
22. 如申請專利範圍第19項所述的環境敏感電子元件封裝體，更包括一觸控層，配置於該第一基板上，其中該觸控層位於該第一膠材與該第一基板之間。
23. 如申請專利範圍第19項所述的環境敏感電子元件封裝體，更包括：一第三基板，配置於該第一基板下方，其中該第一基板位於該第二基板與該第三基板之間；至少一第二側壁阻障結構，配置於該第三基板上，且位於該第一基板與該第三基板之間；以及一第二膠材，位於該第一基板與該第三基板之間，其中該第二膠材包覆該第二側壁阻障結構。
24. 如申請專利範圍第23項所述的環境敏感電子元件封裝體，更包括一四分之一波長補償膜加偏光膜，配置於該第三基板上，其中該第二膠材與該四分之一波長補償膜加偏光膜位於第三基板的兩側。
25. 如申請專利範圍第23項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該第二側壁阻障結構垂直於該第一基板的截面包括三角形、梯形、矩形、多邊形、圓形或橢圓形。
26. 如申請專利範圍第23項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該第二側壁阻障結構內嵌於該第一基板，且該第二側壁阻障結構嵌入該第一基板的內嵌深度小於該第一基板的基板厚度。
27. 如申請專利範圍第23項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該第二側壁阻障結構的硬度大於該第一基板的硬度。