KR102145889B1 - 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예는 제1 기판; 상기 제1 기판 상에 표시 영역을 정의하고, 절연층을 포함하는 디스플레이부; 상기 디스플레이부 상부에 배치되는 제2 기판; 및 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 구비되며, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 접합시키는 실런트;를 포함하고, 상기 절연층에 홀이 형성되며, 상기 홀의 측면에 상기 절연층 안쪽으로 홈이 형성되고, 상기 실런트는 상기 홀 및 상기 홈에 채워지는 유기 발광 표시 장치를 개시한다.
Description
본 발명의 실시예들은 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
통상적으로, 박막 트랜지스터(Thin film transistor, TFT)를 구비한 유기 발광 디스플레이 장치(Organic light emitting display device)와 같은 디스플레이 장치는 스마트 폰, 태블릿 퍼스널 컴퓨터, 초슬림 노트북, 디지털 카메라, 비디오 카메라, 휴대 정보 단말기와 같은 모바일 기기용 디스플레이 장치나, 초박형 텔레비전과 같은 전자/전기 제품에 적용할 수 있어서 각광받고 있다
유기 발광 디스플레이 장치는 유기 발광 소자를 외부로부터 보호하기 위하여 상하 기판 사이를 씰링(Sealing)을 해야한다. 이를 위하여, 상하 기판 사이에 밀봉부재를 도포하고, 밀봉부재를 경화시키는 방식으로 상하 기판을 접합하게 된다. 이때 디스플레이의 수명과 신뢰성은 밀봉부재에 의한 상하 기판의 접합 정도에 의해 결정된다.
본 발명의 실시예들은 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예는 제1 기판; 상기 제1 기판 상에 표시 영역을 정의하고, 절연층을 포함하는 디스플레이부; 상기 디스플레이부 상부에 배치되는 제2 기판; 및 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 구비되며, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 접합시키는 실런트;를 포함하고, 상기 절연층에 홀이 형성되며, 상기 홀의 측면에 상기 절연층 안쪽으로 홈이 형성되고, 상기 실런트는 상기 홀 및 상기 홈에 채워지는 유기 발광 표시 장치를 개시한다.
본 실시예에 있어서 상기 홀은 복수개 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 홈은 상기 제1 기판에 평행한 방향으로 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 디스플레이부는 박막 트랜지스터를 포함하고, 상기 박막트랜지스터는, 활성층, 활성층 상부에 형성되는 게이트 절연막, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극 및 상기 게이트 전극과 상기 소스 전극 사이 및 상기 게이트 전극과 상기 드레인 전극 사이에 배치되는 층간 절연막을 포함하고, 상기 절연층은 상기 게이트 절연막 및 상기 층간 절연막을 포함하고, 상기 홈은 상기 층간 절연막 안쪽으로 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 제1 기판 바로 위에 형성되는 버퍼층을 더 포함하고, 상기 절연층은 상기 버퍼층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는 제1 기판의 일면에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막 상에 금속층을 패턴화하여 형성하는 단계; 상기 금속층 상에 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 금속층의 제1 영역을 식각하는 단계; 남아있는 상기 금속층을 제거하는 단계; 및 상기 제1 영역 및 상기 금속층이 제거된 공간에 실런트를 형성하는 단계;를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 개시한다.
본 실시예에 있어서 상기 제1 영역은 건식 에칭(dry etching)에 의해 식각될 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 금속층은 습식 에칭(wet etching)이 가능한 물질로 형성되며, 남아있는 상기 금속층은 습식 에칭에 의해 제거될 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 제1 기판 바로 위에 버퍼층을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 제1 영역은 상기 금속층의 중앙 영역일 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 상하 기판의 접합력을 향상시켜 유기 발광 디스플레이 장치의 수명과 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절취한 단면도이다.
도 3은 도 2의 P1 부분을 확대한 확대도이다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법을 순차적으로 도시한 개략적인 단면도이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절취한 단면도이다.
도 3은 도 2의 P1 부분을 확대한 확대도이다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법을 순차적으로 도시한 개략적인 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 보다 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)를 도시한 개략적인 평면도, 도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치(1)의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절취한 단면도, 그리고, 도 3는 도 2의 P부분을 확대한 확대도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)는, 제1 기판(101), 제1 기판(101) 상에 표시 영역(AA)을 정의하는 디스플레이부(200), 디스플레이부(200) 상부에 배치되는 제2 기판(102) 및 제1 기판(101) 및 상기 제2 기판(102)을 접합시키는 실런트(300)을 포함한다.
제1 기판(101)은 가요성 기판일 수 있으며, 내열성 및 내구성이 우수한 플라스틱으로 구성할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 제1 기판(101)은 금속이나 유리 등 다양한 소재로 구성될 수 있다.
디스플레이부(200)는 제1 기판(101) 상에서 표시 영역(Active Area, AA)을 정의하며, 서로 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터(TFT)와 유기발광소자(OLED)를 포함한다. 한편, 표시 영역(AA)의 주변에는 패드부(10)가 배치되어, 전원 공급장치(미도시) 또는 신호 생성 장치(미도시)로부터의 전기적 신호를 표시 영역(AA)으로 전달할 수 있다.
이하에서는 도 2를 참조하여 디스플레이부(200)를 보다 자세히 설명한다.
제 1 기판 상에는 절연층(20)이 형성될 수 있다. 절연층(20)은 버퍼층(201), 게이트 절연막(203) 및 층간 절연막(205)를 포함할 수 있다.
제1 기판(101)상에는 버퍼층(201)이 형성될 수 있다. 버퍼층(201)은 제1 기판(101)상의 전체면, 즉 표시 영역(AA)과 표시 영역(AA)의 외곽에 모두 형성될 수 있다. 버퍼층(201)은 제1 기판(101)을 통한 불순 원소의 침투를 방지하며 제1 기판(101)상부에 평탄한 면을 제공하는 것으로서, 이러한 역할을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다.
예를 들어, 버퍼층(201)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 함유할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 형성될 수 있다.
버퍼층(201) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)가 형성될 수 있다. 박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(202), 게이트 전극(204), 소스 전극(206) 및 드레인 전극(207)을 포함할 수 있다.
활성층(202)은 아모퍼스 실리콘 또는 폴리 실리콘과 같은 무기 반도체, 유기 반도체 또는 산화물 반도체로 형성될 수 있고 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함한다.
활성층(202)의 상부에는 게이트 절연막(203)이 형성된다. 게이트 절연막(203)은 제1 기판(101)의 전체에 대응되도록 형성될 수 있다. 즉, 게이트 절연막(203)은 제1 기판(101) 상의 표시 영역(AA)과 표시 영역(AA)의 외곽에 모두 대응하도록 형성될 수 있다. 게이트 절연막(203)은 활성층(202)과 게이트 전극(204)을 절연하기 위한 것으로 유기물 또는 SiNx, SiO2같은 무기물로 형성할 수 있다.
게이트 절연막(203)상에 게이트 전극(204)이 형성된다. 게이트 전극(204)은 Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo를 함유할 수 있고, Al:Nd, Mo:W 합금 등과 같은 합금을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않고 설계 조건을 고려하여 다양한 재질로 형성할 수 있다.
게이트 전극(204)의 상부에는 층간 절연막(205)이 형성된다. 층간 절연막(205)은 제1 기판(101)의 전체면에 대응되도록 형성될 수 있다. 즉, 표시 영역(AA) 및 표시 영역(AA)의 외곽에 모두 대응하도록 형성될 수 있다.
층간 절연막(205)은 게이트 전극(204)과 소스 전극(206) 사이 및 게이트 전극(204)과 드레인 전극(207) 사이에 배치되어 이들 간의 절연을 위한 것으로, SiNx, SiO2 등과 같은 무기물로 형성할 수 있다.
절연층(20)에 홀(21)이 형성될 수 있다. 홀(21)은 표시 영역(AA)의 외곽에 형성될 수 있다. 홀(21)은 복수개 형성될 수 있다. 홀(21)은 직사각형의 단면을 가지도록 형성될 수 있다. 절연층(20)에 홀(21)이 형성되고 실런트(300)가 홀(21)을 채우며 절연층(20) 상에 형성됨으로써 실런트(300)의 접촉 면적이 넓어질 수 있다. 이에 따라 제1 기판(101)과 제2 기판(102)의 접합력이 향상될 수 있다.
층간 절연막(205)상에는 소스 전극(206) 및 드레인 전극(207)이 형성된다. 구체적으로, 층간 절연막(205) 및 게이트 절연막(203)은 활성층(202)의 소스 영역 및 드레인 영역을 노출하도록 형성되고, 이러한 활성층(202)의 노출된 소스 영역 및 드레인 영역과 접하도록 소스 전극(206) 및 드레인 전극(207)이 형성된다. 층간 절연막(205) 및 게이트 절연막(203)이 활성층(202)의 소스 영역 및 드레인 영역을 노출하도록 형성되는 공정시에 요철부(209)를 추가 공정 없이 형성할 수 있다.
한편, 도 3은 활성층(202), 게이트 전극(204) 및 소스 드레인 전극(206,207)을 순차적으로 포함하는 탑 게이트 방식(top gate type)의 박막 트랜지스터(TFT)를 예시하고 있으나, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 게이트 전극(204)이 활성층(202)의 하부에 배치될 수도 있다.
이와 같은 박막 트랜지스터(TFT)는 유기 발광 소자(OLED)에 전기적으로 연결되어 유기 발광 소자(OLED)를 구동하며, 패시베이션층(208)으로 덮여 보호된다.
패시베이션층(208)은 무기 절연막 및/또는 유기 절연막을 사용할 수 있다.
패시베이션층(208) 상에는 유기발광소자(OLED)가 형성되며, 유기발광소자(OLED)는 화소 전극(211), 중간층(214) 및 대향 전극(215)을 구비할 수 있다.
화소 전극(211)은 패시베이션층(208)상에 형성된다. 보다 구체적으로, 패시베이션층(208)은 드레인 전극(207)의 전체를 덮지 않고 소정의 영역을 노출하도록 형성되고, 노출된 드레인 전극(207)과 연결되도록 화소 전극(211)이 형성될 수 있다.
본 실시예에서 화소 전극(211)은 반사 전극일 수 있다.
화소 전극(211)과 대향되도록 배치된 대향 전극(215)은 투명 또는 반투명 전극일 수 있다.
따라서, 대향 전극(215)은 중간층(214)에 포함된 유기 발광층에서 방출된 광을 투과시킬 수 있다. 즉, 유기 발광층에서 방출되는 광은 직접 또는 반사 전극으로 구성된 화소 전극(211)에 의해 반사되어, 대향 전극(215) 측으로 방출될 수 있다.
그러나, 본 실시예의 유기 발광 표시 장치(1)는 전면 발광형으로 제한되지 않으며, 유기 발광층에서 방출된 광이 제1 기판(101) 측으로 방출되는 배면 발광형일 수도 있다. 이 경우, 화소 전극(211)은 투명 또는 반투명 전극으로 구성되고, 대향 전극(215)은 반사 전극으로 구성될 수 있다. 또한, 본 실시예의 유기 발광 표시 장치(1)는 전면 및 배면 양 방향으로 광을 방출하는 양면 발광형일 수도 있다.
한편, 화소 전극(211)상에는 절연물로 화소 정의막(213)이 형성된다. 화소 정의막(213)은 화소 전극(211)의 소정의 영역을 노출하며, 노출된 영역에 중간층(214)이 위치한다.
중간층(214)은 유기 발광층을 구비한다. 선택적인 다른 예로서, 중간층은 유기 발광층(emission layer)을 구비하고, 그 외에 정공 주입층(HIL:hole injection layer), 정공 수송층(hole transport layer), 전자 수송층(electron transport layer) 및 전자 주입층(electron injection layer) 중 적어도 하나를 더 구비할 수 있다. 본 실시예는 이에 한정되지 아니하고, 중간층(214)이 유기 발광층을 구비하고, 기타 다양한 기능층을 더 구비할 수 있다.
대향 전극(215) 상에는 제2 기판(102)이 배치된다. 제2 기판(102)은 가요성 기판일 수 있으며, 내열성 및 내구성이 우수한 플라스틱으로 구성할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 제2 기판(102)은 금속이나 유리 등 다양한 소재로 구성될 수 있다.
실런트(300)는 제1 기판(101)과 제2 기판(102) 사이에 구비된다. 실런트(300)는 제1 기판(101)과 제2 기판(102)을 접합시킨다. 실런트(300)는 표시 영역(AA)의 외곽에 형성될 수 있다. 실런트(300)는 프릿(frit)을 포함할 수 있다. 실런트(300)는 외부의 산소와 수분 등의 불순물로부터 디스플레이부(200)의 유기 소재의 변형을 방지하는 주요 차단막으로서의 역할을 수행할 수 있다.
실런트(300)는 절연층(20) 상에 형성될 수 있다. 실런트(300)는 절연층(20)에 형성된 홀(21)을 채우며 형성될 수 있다. 이에 따라 제1 기판(101)과 제2 기판(102)의 접합력이 향상될 수 있다.
이하에서는 도 3을 참조하여 절연층(20)을 보다 자세히 설명한다.
절연층(20)은 버퍼층(201), 게이트 절연막(203) 및 층간 절연막(205)를 포함할 수 있다.
절연층(20)에는 홀(21)이 형성될 수 있다. 홀(21)은 직사각형의 단면을 가지며 형성될 수 있다. 절연층(20)의 홀(21)에 실런트(300)가 채워짐에 따라 제1 기판(101)과 제2 기판(102)의 접합력이 향상될 수 있다.
홀(21)의 측면에 절연층(20) 안쪽으로 홈(23)이 형성될 수 있다. 홈(23)은 층간 절연막(205) 안쪽으로 형성될 수 있다. 홈(23)은 게이트 절연막(203) 상에 형성될 수 있다. 홈(23)은 제1 기판(101)에 평행한 방향으로 형성될 수 있다. 실런트(300)가 홈(23)에 채워질 수 있다. 이에 따라 실런트(300)가 홀(21)에 채워지면서 절연층(20)에 걸치는 구조를 가질 수 있다. 실런트(300)가 절연층(20)에 걸치는 구조를 가짐에 따라 제1 기판(101), 절연층(20) 및 제2 기판(102)이 보다 견고하게 접합될 수 있다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법을 순차적으로 도시한 개략적인 단면도이다.
도 4a 내지 도 4d를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법은, 제1 기판의 일면에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연막 상에 금속층을 패턴화하여 형성하는 단계, 상기 금속층 상에 층간 절연막을 형성하는 단계, 상기 금속층의 제1 영역을 식각하는 단계, 남아있는 상기 금속층을 제거하는 단계; 및 상기 제1 영역 및 상기 금속층이 제거된 공간에 실런트를 형성하는 단계를 포함한다.
먼저 도 4a에 도시된 바와 같이, 제1 기판(101)의 일면에 절연층(20) 및 금속층(24)을 형성한다. 제1 기판(101)에 일면에 버퍼층(201) 및 게이트 절연막(203)을 형성한다. 게이트 절연막(203) 상에 금속층(24)을 패턴화하여 형성한다. 금속층(24)은 습식 에칭(wet etching)이 가능한 물질로 형성될 수 있다. 금속층(24)은 게이트 전극(204)와 동일한 물질로 형성될 수 있다. 금속층(24)은 게이트 전극(204)이 형성되는 공정과 동일한 공정에서 형성될 수 있다. 게이트 절연막(203) 상에 금속층(24)을 덮으며 층간 절연막(205)을 형성한다.
다음으로, 도 4b에 도시된 바와 같이, 금속층(24)의 제1 영역(A1)을 식각한다. 제1 영역(A1)은 금속층(24)의 중앙 영역일 수 있다. 금속층(24)의 제1 영역(A1)은 건식 에칭(dry etching)에 의해 식각될 수 있다. 금속층(24)의 제1 영역(A1)이 식각됨에 따라 절연층(20)에 홀(21)이 형성될 수 있다. 금속층(24)의 제1 영역(A1)의 나머지 영역에는 금속층(24)이 남아있게 된다.
다음으로, 도 4c에 도시된 바와 같이, 남아있는 금속층(24)을 제거한다. 남아있는 금속층(24)은 습식 에칭(wet etching)에 의해 제거될 수 있다. 남아있는 금속층(24)이 제거됨에 따라 홀(21)의 측면에 절연층(20) 안쪽으로 홈(23)이 형성될 수 있다. 홈(23)은 층간 절연막(205) 안쪽으로 형성될 수 있다. 홈(23)은 게이트 절연막(203) 상에 형성될 수 있다. 홈(23)은 제1 기판(101)에 평행한 방향으로 형성될 수 있다.
다음으로, 도 4d에 도시된 바와 같이, 제2 기판(102)이 절연층(20) 상에 배치되고, 실런트(300)가 절연층(20)에 형성된 홀(21) 및 홈(23)을 채우며 형성됨에 따라 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)가 제조될 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
101: 제1 기판 102: 제2 기판
200: 디스플레이부 300: 실런트
20: 절연층 21: 홀
23: 홈 201: 버퍼층
203: 게이트 절연막 205: 층간 절연막
200: 디스플레이부 300: 실런트
20: 절연층 21: 홀
23: 홈 201: 버퍼층
203: 게이트 절연막 205: 층간 절연막
Claims (10)
- 제1 기판;
상기 제1 기판 상에 표시 영역을 정의하고, 절연층을 포함하는 디스플레이부;
상기 디스플레이부 상부에 배치되는 제2 기판; 및
상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 구비되며, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 접합시키는 실런트;를 포함하고,
상기 디스플레이부는 박막 트랜지스터를 포함하고,
상기 박막 트랜지스터는, 활성층, 활성층 상부에 형성되는 게이트 절연막, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극 및 상기 게이트 전극과 상기 소스 전극 사이 및 상기 게이트 전극과 상기 드레인 전극 사이에 배치되는 층간 절연막을 포함하고,
상기 절연층은 상기 게이트 절연막 및 상기 층간 절연막을 포함하고,
상기 절연층에 홀이 형성되며, 상기 홀의 측면에 상기 층간 절연막 안쪽으로 홈이 형성되고,
상기 실런트는 상기 홀 및 상기 홈에 채워지는 유기 발광 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 홀은 복수개 형성되는 유기 발광 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 홈은 상기 제1 기판에 평행한 방향으로 형성되는 유기 발광 표시 장치. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 제1 기판 바로 위에 형성되는 버퍼층을 더 포함하고,
상기 절연층은 상기 버퍼층을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제1 기판의 일면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;
상기 게이트 절연막 상에 금속층을 패턴화하여 형성하는 단계;
상기 금속층 상에 층간 절연막을 형성하는 단계;
상기 금속층의 제1 영역을 식각하여 상기 게이트 절연막 및 상기 층간 절연막에 홀을 형성하는 단계;
남아있는 상기 금속층을 제거하여 상기 층간 절연막 안쪽으로 홈을 형성하는 단계; 및
상기 홀 및 상기 홈에 실런트를 형성하는 단계;를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제 6 항에 있어서,
상기 제1 영역은 건식 에칭(dry etching)에 의해 식각되는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제 6 항에 있어서,
상기 금속층은 습식 에칭(wet etching)이 가능한 물질로 형성되며,
남아있는 상기 금속층은 습식 에칭에 의해 제거되는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제 6 항에 있어서,
상기 제1 기판 바로 위에 버퍼층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제 6 항에 있어서,
상기 제1 영역은 상기 금속층의 중앙 영역인 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
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