KR20160046072A - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

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KR20160046072A
KR20160046072A KR1020140141194A KR20140141194A KR20160046072A KR 20160046072 A KR20160046072 A KR 20160046072A KR 1020140141194 A KR1020140141194 A KR 1020140141194A KR 20140141194 A KR20140141194 A KR 20140141194A KR 20160046072 A KR20160046072 A KR 20160046072A
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wiring
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홍상민
윤정이
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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 제1 기판; 상기 제1 기판 상에 표시 영역을 정의하는 디스플레이부; 상기 디스플레이 상부에 배치되는 제2 기판; 상기 제1 기판 상에서 표시 영역의 외곽에 형성되는 회로 패턴; 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 형성되며, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 접합하고, 상기 회로 패턴의 적어도 일부에 중첩되는 실런트; 및 상기 회로 패턴의 적어도 일부에 중첩되며, 상기 회로 패턴의 파손 여부를 검출하는 검출부;를 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.

Description

유기 발광 표시 장치 {Organic light emitting display apparatus}
본 발명의 실시예들은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
통상적으로, 박막 트랜지스터(Thin film transistor, TFT)를 구비한 유기 발광 표시 장치(Organic light emitting display device)와 같은 표시 장치는 스마트 폰, 태블릿 퍼스널 컴퓨터, 초슬림 노트북, 디지털 카메라, 비디오 카메라, 휴대 정보 단말기와 같은 모바일 기기용 표시 장치나, 초박형 텔레비전과 같은 전자/전기 제품에 적용할 수 있어서 각광받고 있다
유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자를 외부로부터 보호하기 위하여 상하 기판 사이를 씰링(Sealing)을 해야한다. 이를 위하여, 상하 기판 사이에 밀봉부재를 도포하고, 밀봉부재를 경화시키는 방식으로 상하 기판을 접합하게 된다. 이때 디스플레이의 수명과 신뢰성은 밀봉부재에 의한 상하 기판의 접합 정도에 의해 결정된다.
본 발명의 실시예들은 회로 패턴의 파손 없이, 합착 강도를 향상시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예는,
제1 기판;
상기 제1 기판 상에 표시 영역을 정의하는 디스플레이부;
상기 디스플레이부의 상부에 배치되는 제2 기판;
상기 제1 기판 상에서 표시 영역의 외곽에 형성되는 회로 패턴;
상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 형성되며, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 접합하고, 상기 회로 패턴의 적어도 일부에 중첩되는 실런트; 및
상기 회로 패턴의 적어도 일부에 중첩되며, 상기 회로 패턴의 파손 여부를 검출하는 검출부를 포함하는, 유기 발광 표시 장치를 제공한다.
본 실시예에 있어서, 상기 회로 패턴은, 신호 배선과, 상기 신호 배선과 상기 디스플레이 소자를 전기적으로 연결하는 연결 배선을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 디스플레이부는, 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 중간층을 포함하는 유기 발광 소자를 포함하고, 상기 신호 배선은 상기 연결 배선에 의해 상기 제2 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 실런트는, 상기 연결 배선의 일부에 중첩될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 검출부는, 적어도 일부가 상기 실런트에 중첩되는 연결 배선의 영역 하부에 배치되며, 상기 연결 배선과 전기적으로 연결되며, 상기 연결 배선의 파손 여부를 검출할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 검출부는, 상기 연결 배선의 복수의 지점에 전기적으로 연결되는 복수의 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 검출부는, 상기 연결 배선의 복수의 지점에 접촉하는 복수의 배선을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 연결 배선과 신호 배선은 서로 다른 층에 배치되며, 상기 연결 배선의 적어도 일부는 상기 신호 배선 상에 중첩될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 실런트와 상기 연결 배선 사이에 배치되는 절연막;을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 연결 배선의 두께는 상기 신호 배선의 두께의 10% ~ 30%일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 연결 배선은, 상기 제1 전극과 동일한 물질로 형성될 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
이러한 일반적이고 구체적인 측면이 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램, 또는 어떠한 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램의 조합을 사용하여 실시될 수 있다.
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 회로 패턴의 파손 여부를 검출하는 검출부를 이용하여, 회로 패턴을 파손시키지 않는 범위 내에서, 실런트의 확장 범위를 정확히 검출할 수 있다. 그리하여, 상하 기판의 접합력을 향상시키면서도 유기 발광 표시 장치의 구동 신뢰성을 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치의 II-II'선을 따라 절취한 단면도이다.
도 3는 도 2의 P1 부분의 평면도이다.
도 4는 도 2의 일부를 확대 도시한 단면도이며,
도 5는 도 4의 검출부를 중심으로 도시한 평면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이며,
도 7은 도 6의 검출부를 중심으로 도시한 평면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)를 도시한 개략적인 평면도, 도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치(1)의 II-II'선을 따라 절취한 단면도, 그리고, 도 3는 도 2의 P1 부분의 평면도이다.
도 1 내지 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)는, 제1 기판(101), 제1 기판(101) 상에 표시 영역(AA)을 정의하는 디스플레이부(200), 표시 영역(AA) 외곽에 형성되는 회로 패턴(300, 400), 디스플레이부(200) 상부에 배치되는 제2 기판(102), 제1 기판(101) 및 상기 제2 기판(102)을 접합시키는 실런트(500) 및 회로 패턴(300, 400)의 파손 여부를 검출하는 검출부(600)를 포함한다.
제1 기판(101)은 강성(rigidity)을 가지는 유리 기판이나, 폴리머 기판이나, 유연성(flexbility)을 가지는 필름이나, 금속 기판이나, 이들의 복합 기판일 수 있다. 다른 예로서, 제1 기판(101)은 가요성 기판일 수 있으며, 내열성 및 내구성이 우수한 플라스틱으로 구성할 수 있다.
디스플레이부(200)는 제1 기판(101) 상에서 표시 영역(Active Area, AA)을 정의하며, 서로 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터(TFT)와 유기발광소자(OLED)를 포함한다. 한편, 표시 영역(AA)의 주변에는 패드부(10)가 배치되어, 전원 공급장치(미도시) 또는 신호 생성 장치(미도시)로부터의 전기적 신호를 표시 영역(AA)으로 전달할 수 있다.
이하에서는 도 2를 참조하여 디스플레이부(200)를 보다 자세히 설명한다.
제1 기판(101) 바로 위에는 버퍼층(103)이 형성될 수 있다. 버퍼층(103)은 제1 기판(101) 상의 전체면, 즉 표시 영역(AA)과 표시 영역(AA)의 외곽에 모두 형성될 수 있다. 버퍼층(103)은 제1 기판(101)을 통한 불순 원소의 침투를 방지하며 제1 기판(101)상부에 평탄한 면을 제공하는 것으로서, 이러한 역할을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다.
제 1 기판(101) 상에는 절연층(20)이 형성될 수 있다. 절연층(20)은 게이트 절연막(203) 및 층간 절연막(205)를 포함할 수 있다.
버퍼층(103) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)가 형성될 수 있다. 박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(202), 게이트 전극(204), 소스 전극(206) 및 드레인 전극(207)을 포함할 수 있다.
활성층(202)은 아모르퍼스(amorphous) 실리콘 또는 폴리 실리콘과 같은 무기 반도체, 유기 반도체 또는 산화물 반도체로 형성될 수 있고 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함한다.
활성층(202)의 상부에는 게이트 절연막(203)이 형성된다. 게이트 절연막(203)은 제1 기판(101)의 전체에 대응되도록 형성될 수 있다. 즉, 게이트 절연막(203)은 제1 기판(101) 상의 표시 영역(AA)과 표시 영역(AA)의 외곽에 모두 대응하도록 형성될 수 있다. 게이트 절연막(203)은 활성층(202)과 게이트 전극(204)을 절연하기 위한 것으로 유기물 또는 SiNx, SiO2같은 무기물로 형성할 수 있다.
게이트 절연막(203)상에 게이트 전극(204)이 형성된다. 게이트 전극(204)은 Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo를 함유할 수 있고, Al:Nd, Mo:W 합금 등과 같은 합금을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않고 설계 조건을 고려하여 다양한 재질로 형성할 수 있다.
게이트 전극(204)의 상부에는 층간 절연막(205)이 형성된다. 층간 절연막(205)은 제1 기판(101)의 전체면에 대응되도록 형성될 수 있다. 즉, 표시 영역(AA) 및 표시 영역(AA)의 외곽에 모두 대응하도록 형성될 수 있다.
층간 절연막(205)은 게이트 전극(204)과 소스 전극(206) 사이 및 게이트 전극(204)과 드레인 전극(207) 사이에 배치되어 이들 간의 절연을 위한 것으로, SiNx, SiO2 등과 같은 무기물로 형성할 수 있다.
회로 패턴(300, 400)은 표시 영역(AA)의 외곽에 형성되며, 신호 배선(300)과, 이러한 신호 배선(300)을 디스플레이부(200)에 전기적으로 연결하는 연결 배선(400)을 포함한다. 연결 배선(400)의 두께는, 신호 배선(300)의 두께의 10 % ~ 30 %일 수 있다.
신호 배선(300)은 층간 절연막(205) 상에 형성될 수 있다. 신호 배선(300)은 표시 영역(AA) 외곽에 형성될 수 있다. 신호 배선(300)은 연결 배선(400)에 의해 제2 전극(215)와 전기적으로 연결되어 제2 전극(215)에 신호를 공급할 수 있다.
신호 배선(300)은 캐소드 전원 라인(ELVSS)일 수 있다. 신호 배선(300)이 캐소드 전원 라인(ELVSS)인 경우, 캐소드 전원 라인(ELVSS)은 공통 전원 전압보다 낮은 전압, 예를 들어 그라운 전압 또는 음(-)의 전압을 가지는 캐소드 전원에 연결될 수 있다. 신호 배선(300)은 소스 전극(206) 또는 드레인 전극(207)과 동일 공정에서 동일 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 신호 배선(300)은 Ti층, Al층, Ti층이 적층된 구조를 가질 수 있다.
절연층(20)에 제1 홀(H1)이 형성될 수 있다. 제1 홀(H1)은 표시 영역(AA)의 외곽에 형성될 수 있다. 제1 홀(H1)은 복수 개 형성될 수 있다. 절연층(20)에 제1 홀(H1)이 형성되고 실런트(500)가 제1 홀(H1)을 채우며 절연층(20) 상에 형성됨으로써 실런트(500)의 접촉 면적이 넓어질 수 있다. 이에 따라 제1 기판(101)과 제2 기판(102)의 접합력이 향상될 수 있다.
층간 절연막(205)상에는 소스 전극(206) 및 드레인 전극(207)이 형성된다. 구체적으로, 층간 절연막(205) 및 게이트 절연막(203)은 활성층(202)의 소스 영역 및 드레인 영역을 노출하도록 형성되고, 이러한 활성층(202)의 노출된 소스 영역 및 드레인 영역과 접하도록 소스 전극(206) 및 드레인 전극(207)이 형성된다.
한편, 도 2는 활성층(202), 게이트 전극(204) 및 소스 드레인 전극(206,207)을 순차적으로 포함하는 탑 게이트 방식(top gate type)의 박막 트랜지스터(TFT)를 예시하고 있으나, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 게이트 전극(204)이 활성층(202)의 하부에 배치될 수도 있다.
박막 트랜지스터(TFT)는 유기 발광 소자(OLED)에 전기적으로 연결되어 유기 발광 소자(OLED)를 구동하며, 패시베이션층(208)으로 덮여 보호된다.
패시베이션층(208)은 무기 절연막 및/또는 유기 절연막을 사용할 수 있다.
연결 배선(400)은 패시베이션층(208) 상에 형성될 수 있다. 연결 배선(400)은 신호 배선(300)과 접촉할 수 있다. 연결 배선(400)이 신호 배선(300)과 접촉함으로써 제2 전극(215)과 신호 배선(300)을 전기적으로 연결시킬 수 있다. 연결 배선(400)은 제1 전극(211)과 동일 공정에서 동일 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 연결 배선(400)은 ITO층/Ag층/ITO층이 적층된 구조를 가질 수 있다.
패시베이션층(208) 상에는 유기발광소자(OLED)가 형성되며, 유기발광소자(OLED)는 제1 전극(211), 중간층(214) 및 제2 전극(215)을 구비할 수 있다.
제1 전극(211)은 패시베이션층(208)상에 형성된다. 보다 구체적으로, 패시베이션층(208)은 드레인 전극(207)의 전체를 덮지 않고 소정의 영역을 노출하도록 형성되고, 노출된 드레인 전극(207)과 연결되도록 제1 전극(211)이 형성될 수 있다.
본 실시예에서 제1 전극(211)은 반사 전극일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(211)은 ITO층/Ag층/ITO층이 적층된 구조를 가질 수 있다.
제1 전극(211)과 대향되도록 배치된 제2 전극(215)은 투명 또는 반투명 전극일 수 있다.
따라서, 제2 전극(215)은 중간층(214)에 포함된 유기 발광층에서 방출된 광을 투과시킬 수 있다. 즉, 유기 발광층에서 방출되는 광은 직접 또는 반사 전극으로 구성된 제1 전극(211)에 의해 반사되어, 제2 전극(215) 측으로 방출될 수 있다.
그러나, 본 실시예의 유기 발광 표시 장치(1)는 전면 발광형으로 제한되지 않으며, 유기 발광층에서 방출된 광이 제1 기판(101) 측으로 방출되는 배면 발광형일 수도 있다. 이 경우, 제1 전극(211)은 투명 또는 반투명 전극으로 구성되고, 제2 전극(215)은 반사 전극으로 구성될 수 있다. 또한, 본 실시예의 유기 발광 표시 장치(1)는 전면 및 배면 양 방향으로 광을 방출하는 양면 발광형일 수도 있다.
한편, 제1 전극(211)상에는 절연물을 포함하는 절연막인 화소 정의막(213)이 형성된다.
화소 정의막(213)은 신호 배선(300) 상에 형성될 수 있다. 화소 정의막(213)은 연결 배선(400)을 덮을 수 있다. 화소 정의막(213)에는 컨택홀(H0)이 형성될 수 있다. 제2 전극(215)은 화소 정의막(213) 상에 형성되며, 컨택홀(H0)을 통해 연결 배선(400)과 접촉할 수 있다. 제2 전극(215)은 연결 배선(400)을 통해 신호 배선(300)과 전기적으로 연결될 수 있다.
화소 정의막(213)은 제1 전극(211)의 소정의 영역을 노출하며, 노출된 영역에 중간층(214)이 위치한다.
중간층(214)은 유기 발광층을 구비한다. 선택적인 다른 예로서, 중간층은 유기 발광층(emission layer)을 구비하고, 그 외에 정공 주입층(HIL:hole injection layer), 정공 수송층(hole transport layer), 전자 수송층(electron transport layer) 및 전자 주입층(electron injection layer) 중 적어도 하나를 더 구비할 수 있다. 본 실시예는 이에 한정되지 아니하고, 중간층(214)이 유기 발광층을 구비하고, 기타 다양한 기능층을 더 구비할 수 있다.
제2 전극(215) 상에는 제2 기판(102)이 배치된다. 제2 기판(102)은 가요성 기판일 수 있으며, 내열성 및 내구성이 우수한 플라스틱으로 구성할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 제2 기판(102)은 금속이나 유리 등 다양한 소재로 구성될 수 있다.
실런트(500)는 제1 기판(101)과 제2 기판(102) 사이에 구비된다. 실런트(500)는 제1 기판(101)과 제2 기판(102)을 접합시킨다. 실런트(500)는 표시 영역(AA)의 외곽에 형성될 수 있다. 실런트(500)는 글래스 프릿(glass frit)을 포함할 수 있다. 실런트(500)는 외부의 산소와 수분 등의 불순물로부터 디스플레이부(200)의 유기 소재의 변형을 방지하는 주요 차단막으로서의 역할을 수행할 수 있다.
실런트(500)는 절연층(20) 상에 형성될 수 있다. 실런트(500)는 절연층(20)에 형성된 홀(H1)을 채우며 형성될 수 있다. 이에 따라 제1 기판(101)과 제2 기판(102)의 접합력이 향상될 수 있다.
실런트(500)는 회로 패턴(300, 400)의 적어도 일부를 덮는다. 이에 따라 실런트(500)의 형성 영역이 회로 패턴(300, 400)이 형성된 영역까지 확장되게 된다. 따라서 제1 기판(101)과 제2 기판(102)의 접합력이 향상될 수 있다.
이하에서는 도 3을 참조하여 실런트(500)의 형성 영역을 보다 자세히 설명한다.
도 3을 참조하면, 실런트(500)는 신호 배선(300) 및 연결 배선(400)의 적어도 일부와 중첩되도록 형성될 수 있다. 신호 배선(300)의 일부는 연결 배선(400)과 접촉되도록 연결 배선(400)과 중첩된다. 연결 배선(400)은 화소 정의막(213)에 의해 덮인다.
실런트(500)는, 신호 배선(300)의 적어도 일부를 덮으며, 연결 배선(400)을 덮고 있는 화소 정의막(213)의 일부를 덮도록 형성된다. 실런트(500)는 신호 배선(300)과 접촉한다. 상기와 같이, 실런트(500)의 형성 영역을 회로 패턴(300, 400)과 중첩되도록 확장함에 따라, 제1, 제2 기판(101, 102) 간의 접합력을 향상시키고, 이에 따라 기구 신뢰성을 보다 향상시킬 수 있다.
다만, 실런트(500)의 형성 영역을 회로 패턴(300, 400)과 중첩되도록 확장할 때, 회로 패턴(300, 400)의 파손 여부에 주의할 필요가 있다. 왜냐하면, 실런트(500)의 형성 과정에서, 실런트(500)에 가해지는 열 또는 가열된 실런트(500)에 의해, 회로 패턴(300, 400)이 파손될 수 있기 때문이다.
실런트(500)에 의해 제1, 제2 기판(101, 102)이 접합되기 위해서, 실런트(500)를 용융 및 경화시킨다. 실런트(500)의 용융을 위해, 실런트(500)에 레이저가 조사될 수 있다. 레이저에 의한 가열시, 실런트(500)는 약 650도까지 가열될 수 있다. 이와 같이, 가열된 실런트(500)에 의해, 실런트(500)에 인접한 회로 패턴(300, 400)이 파손될 수 있다.
본 실시예에서는, 회로 패턴(300, 400)의 적어도 일부에 중첩되며, 회로 패턴(300, 400)의 파손 여부를 검출하는 검출부(600)를 포함한다. 이러한 검출부(600)를 이용하여, 회로 패턴(300,400)이 파손되지 않는 범위 내에서, 실런트(500)가 회로 패턴(300, 400)에 중첩 가능한 범위를 파악할 수 있다.
도 4는 도 2의 일부를 확대 도시한 단면도이며, 도 5는 도 4의 검출부를 중심으로 도시한 평면도이다. 참고로, 도 5에서 게이트 전극(604a, 604b, 604c)과 소스/드레인 전극(606a, 606b, 606c)(607a, 607b, 607c)이 서로 연결된 것처럼 보이지만, 이는 평면도의 특성상 나타나는 현상일 뿐, 실제로 게이트 전극(604a, 604b, 604c)과 소스/드레인 전극(606a, 606b, 606c)(607a, 607b, 607c)은 전기적으로 절연된 상태이다. 도 4 및 도 5를 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 검출부의 일 예를 설명한다.
연결 배선(400)은 신호 배선(300)에 비해 그 두께가 얇을 수 있다. 예를 들어, 연결 배선(400)의 두께(d2)는 신호 배선(300)의 두께(d1)의 약 10% ~ 약 30 %일 수 있다. 상대적으로 두께가 얇은 연결 배선(400)은, 신호 배선(300)에 비해, 실런트(500)와 중첩될 때 파손되기 쉬울 수 있다. 또한, 연결 배선(400)과 실런트(500) 사이에 절연막인 화소 정의막(213)이 배치되더라도, 화소 정의막(213)에 의한 열 전도로 인해, 연결 배선(400)이 신호 배선(300)에 비해 파손되기 쉬울 수 있다.
실런트(500)는 연결 배선(400)의 일부에 중첩되도록 형성될 수 있다. 검출부(600)는 적어도 일부가 연결 배선(400)에서 실런트(500)에 중첩되는 영역의 하부에 배치된다.
검출부(600)는, 연결 배선(400)과 전기적으로 연결되며, 연결 배선(400)의 파손 여부를 검출할 수 있다. 검출부(600)는 금속 로드(610)에 의해 연결 배선(400)과 전기적으로 연결될 수 있다.
연결 배선(400)이 파손되었을 때, 예를 들어, 연결 배선(400)이 신호 배선(300)과의 접촉이 떨어졌을 때 또는 연결 배선(400)의 일부가 끊어졌을 때, 신호 배선(400)에 인가된 전압이 연결 배선(400)에 정상적으로 전달되지 못한다. 그에 따라, 연결 배선(400)에 전기적으로 연결된 검출부(600)는, 연결 배선(400)이 파손되었을 때와 연결 배선(400)이 파손되지 않았을 때, 서로 다른 신호가 검출될 수 있다. 이를 통해, 검출부(600)는, 연결 배선(400)의 파손 여부를 검출할 수 있다.
검출부(600)는, 예를 들어, 연결 배선(600)의 복수의 지점에 전기적으로 접촉하는 복수의 박막 트랜지스터(TFT-D1, TFT-D2, TFT-D3)를 포함할 수 있다.
복수의 박막 트랜지스터(TFT-D1, TFT-D2, TFT-D3)는, 활성층(602a, 602b, 602c), 게이트 전극(604a, 604b, 604c), 소스 전극(606a, 606b, 606c) 및 드레인 전극(607a, 607b, 607c)을 포함할 수 있다.
복수의 박막 트랜지스터(TFT-D1, TFT-D2, TFT-D3)의 게이트 전극(604a, 604b, 604c)은 서로 이격되며, 금속 로드(610)에 의해 연결 배선(400)의 복수의 지점에 전기적으로 연결된다.
연결 배선(400)의 복수의 지점에 전기적으로 접촉하는 복수의 박막 트랜지스터(TFT-D1, TFT-D2, TFT-D3)의 각 드레인 전극(607a, 607b, 607c)의 전압을 측정함으로써, 게이트 전극(604a, 604b, 604c)에 전기적으로 연결된 연결 배선(400)의 파손 여부 및 파손시 파손 위치를 검출할 수 있다.
실런트(500)에 의한 연결 배선(400)의 파손은, 다양한 위치에서 발생할 수 있다. 일 예로서, 연결 배선(400)은, 신호 배선(300)과의 접촉 부분이 파손되어 신호 배선(300)과의 접촉이 떨어질 수 있다. 다른 예로서, 연결 배선(400)은, 신호 배선(300)과의 접촉 부분 이외의 부분이 파손되어 끊어질 수 있다.
연결 배선(400)과 신호 배선(300)의 접촉이 떨어졌을 때, 신호 배선(300)에 인가된 전압, 예를 들어, (-) 전압은 복수의 게이트 전극(604a, 604b, 604c)에 전달되지 못하며, 그에 따라, 복수의 드레인 전극(607a, 607b, 607c)에서는 소정의 전압이 측정되지 못하게 된다. 이를 통해, 연결 배선(400)이 신호 배선(300)과의 접촉 부분이 파손되었음을 알 수 있다.
연결 배선(400)에서 박막 트랜지스터(TFT-D2)와 전기적으로 연결된 지점과 박막 트랜지스터(TFT-D3)와 전기적으로 연결된 지점 사이가 끊어졌을 때, 신호 배선(300)에 인가된 전압, 예를 들어, (-) 전압은 일부 게이트 전극(604a. 604b)에는 전달되는 반면, 나머지 게이트 전극(604c)에는 전달되지 못한다. 그에 따라, 일부 드레인 전극(607a, 607b)에서는 소정의 전압이 측정되는 반면, 나머지 드레인 전극(607c)에서는 소정의 전압이 측정되지 못한다. 이를 통해, 연결 배선(400)에서 박막 트랜지스터(TFT-D2)과 전기적으로 연결된 지점과 박막 트랜지스터(TFT-D3)와 전기적으로 연결된 지점 사이가 파손되었음을 알 수 있다.
한편, 연결 배선(400)이 파손되지 않았을 경우, 신호 배선(300)에서 인가된 전압, 예를 들어, (-)전압은 복수의 게이트 전극(604a, 604b, 604c)에 전달되며, 그에 따라 복수의 드레인 전극(607a, 607b, 607c)에서는 소정의 전압이 측정된다. 이를 통해, 연결 배선(400)이 파손되지 않았음을 알 수 있다.
상기와 같은 검출부(600)를 이용하여, 실런트(500)를 연결 배선(400)과 중첩하도록 배치하되, 실런트(500)에 의해 연결 배선(400)이 파손되지 않는 범위를 정확히 확인할 수 있다. 그에 따라, 연결 배선(400)이 파손되지 않으면서도, 실런트(500)의 합착 성능을 최대한 향상시킬 수 있다.
상술한 실시예에서는, 연결 배선(400)과 실런트(500) 사이에 절연막인 화소 정의막(213)이 배치된 예를 중심으로 설명하였다. 그러나, 연결 배선(400)과 실런트(500) 사이에 화소 정의막(213)의 배치는 필수적인 것은 아니며, 필요에 따라 선택적으로 포함될 수 있다. 예를 들어, 도면상 도시되어 있지 않지만, 연결 배선(400)은 실런트(500)에 직접 접촉할 수도 있다. 이 경우에도, 검출부(600)는 상기와 같이 연결 배선(400)의 파손 여부를 검출할 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이며, 도 7은 도 6의 검출부를 중심으로 도시한 평면도이다.
이하, 전술한 도 4의 실시예와의 차이점을 중심으로 본 실시예를 설명한다. 여기서, 앞서 도시된 도면에서와 동일한 참조부호는 동일한 기능을 하는 동일한 부재를 가리킨다.
도 6을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(1)는 제1 기판(101), 제1 기판(101) 상에 표시 영역(AA)의 외곽에 형성되는 회로 패턴(300, 400), 디스플레이부(200) 상부에 배치된 제2 기판(102), 제1 기판(101) 및 제2 기판(102)을 접합시키는 실런트(500) 및 회로 패턴(300, 400)의 파손 여부를 검출하는 검출부(600A)를 포함한다.
실런트(500)는 글래스 프릿(glass frit)을 포함할 수 있다. 실런트(500)는 레이저에 의해 조사되어 용융 및 경화될 수 있다. 실런트(500)는 외부의 산소와 수분 등의 불순물로부터 디스플레이부(200)의 유기 소재의 변형을 방지하는 주요 차단막으로서의 역할을 수행할 수 있다.
실런트(500)는 연결 배선(400)의 일부에 중첩된다. 실런트(500)의 형성 영역이 연결 배선(400)이 형성된 영역까지 확장되게 됨으로써, 제1 기판(101)과 제2 기판(102)의 접합력이 향상될 수 있다.
검출부(600A)는 연결 배선(400)의 파손 여부를 검출하는 것으로서, 적어도 일부가 실런트(500)에 중첩되는 연결 배선(400)의 영역 하부에 배치된다.
검출부(600A)는 연결 배선(400)의 복수의 지점에 접촉된 복수의 배선(L-D1, L-D2, L-D3)을 포함할 수 있다. 복수의 배선(L-D1, L-D2, L-D3)은 도 7과 같이 서로 연결될 수 있다. 다른 실시예로서, 도면상 도시되어 있지 않지만, 복수의 배선(L-D1, L-D2, L-D3)은, 서로 연결되지 않고 이격될 수 있다.
복수의 배선(L-D1, L-D2, L-D3)은 연결 배선(400)의 파손될 때 연결 배선(400)과 같이 끊어질 수 있다. 그에 따라, 배선(L-D1, L-D2, L-D3)에서 검출되는 전기 신호, 예를 들어 저항값이 다를 수 있다. 예를 들어, 연결 배선(400)이 파손되지 않았을 때, 연결 배선(400)에 접촉하는 배선(L-D1, L-D2, L-D3)에서는 소정의 저항이 검출된다. 그에 반해, 연결 배선(400)이 파손되어 배선(L-D1, L-D2, L-D3)이 함께 끊어질 경우, 배선(L-D1, L-D2, L-D3)의 저항은 급격히 증가하게 된다. 배선(L-D1, L-D2, L-D3)의 저항값에 기초하여, 연결 배선(400)의 파손 여부를 검출할 수 있다.
한편, 이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
101: 제1 기판 AA: 표시 영역
20: 절연층 200: 디스플레이부
102: 제2 기판 300: 신호 배선
500: 실런트 600, 600A : 검출부

Claims (11)

  1. 제1 기판;
    상기 제1 기판 상에 표시 영역을 정의하는 디스플레이부;
    상기 디스플레이부의 상부에 배치되는 제2 기판;
    상기 제1 기판 상에서 표시 영역의 외곽에 형성되는 회로 패턴;
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 형성되며, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 접합하고, 상기 회로 패턴의 적어도 일부에 중첩되는 실런트; 및
    상기 회로 패턴의 적어도 일부에 중첩되며, 상기 회로 패턴의 파손 여부를 검출하는 검출부;를 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 회로 패턴은,
    신호 배선과, 상기 신호 배선과 상기 디스플레이 소자를 전기적으로 연결하는 연결 배선을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 디스플레이부는, 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 중간층을 포함하는 유기 발광 소자를 포함하고,
    상기 신호 배선은 상기 연결 배선에 의해 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되는, 유기 발광 표시 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 실런트는, 상기 연결 배선의 일부에 중첩되는, 유기 발광 표시 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 검출부는,
    적어도 일부가 상기 실런트에 중첩되는 연결 배선의 영역 하부에 배치되며, 상기 연결 배선과 전기적으로 연결되며, 상기 연결 배선의 파손 여부를 검출하는, 유기 발광 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 검출부는,
    상기 연결 배선의 복수의 지점에 전기적으로 연결되는 복수의 박막 트랜지스터를 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 검출부는,
    상기 연결 배선의 복수의 지점에 접촉하는 복수의 배선을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 연결 배선과 신호 배선은 서로 다른 층에 배치되며,
    상기 연결 배선의 적어도 일부는 상기 신호 배선 상에 중첩된, 유기 발광 표시 장치.
  9. 제2항에 있어서,
    상기 실런트와 상기 연결 배선 사이에 배치되는 절연막;을 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  10. 제2항에 있어서,
    상기 연결 배선의 두께는 상기 신호 배선의 두께의 10% ~ 30%인, 유기 발광 표시 장치.
  11. 제3항에 있어서,
    상기 연결 배선은, 상기 제1 전극과 동일한 물질로 형성되는, 유기 발광 표시 장치.
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