KR20150112106A - 구동 집적 회로 패키지 이를 포함하는 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

구동 집적 회로 패키지 및 이를 포함하는 표시 장치가 제공된다. 구동 집적 회로 패키지는 표시 패널 상에 형성된 테스트 패드와 결합하여 결합부를 형성하는 범프, 상기 결합부에 정전류를 제공하는 정전류원을 포함하는 구동 집적 회로 및 상기 결합부 양단의 전압차를 측정하는 전압 측정부를 포함한다.

Description

구동 집적 회로 패키지 이를 포함하는 표시 장치{DRIVE INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE AND DISPLAY DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 발명은 구동 집적 회로 패키지 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
최근 영상 표시 장치로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel; PDP), 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode; OLED) 표시 장치 등과 같은 평판 표시 장치가 주로 이용된다.
평판 표시 장치는 화상을 표시하는 표시 패널과 이를 구동하기 위한 구동 소자로 구성된다. 여기서, 구동 소자는 표시 패널을 구동하기 위한 집적 회로 (Integrated Circuit; IC) 및 연성 인쇄 회로 기판(Flexible Printed Circuit Board; FPCB) 등으로서, 표시 패널의 외곽부에 형성되는 패드 영역에 접촉하여 구동 신호를 공급한다. 구동 소자는 연성 필름에 실장되어 칩 온 필름(Chip on film; COF) 형태 또는 패드 영역에 압착되는 칩 온 글래스(Chip on glass; COG) 형태로 패드 영역과 전기적으로 연결될 수 있다.
구동 소자와 표시 패널의 정상적인 연결 여부는 구동 소자와 표시 패널의 접촉 저항을 측정함으로써 확인할 수 있다.
이러한 접촉 저항을 측정하기 위해 4단자법 측정 방법이 종래에 제안되었다. 이러한 4단자법은 외부에서 정전류를 접촉 저항에 제공하는 2개의 단자 및 접촉 저항의 양단의 전압을 측정하기 위한 별도의 2개의 단자가 구비되어야 한다. 또한, 4단자법을 적용하기 위한 별도의 측정 장비를 필요로 하였다.
이에 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 구동 소자와 표시 패널의 접촉 저항을 보다 용이하게 측정할 수 있는 구동 집적 회로 패키지를 제공하고자 하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 구동 소자와 표시 패널의 접촉 저항을 보다 용이하게 측정할 수 있는 구동 집적 회로 패키지를 포함하는 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 집적 회로 패키지는 표시 패널 상에 형성된 테스트 패드와 결합하여 결합부를 형성하는 범프, 상기 결합부에 정전류를 제공하는 정전류원을 포함하는 구동 집적 회로 및
상기 결합부 양단의 전압차를 측정하는 전압 측정부를 포함한다.
여기서, 상기 전압 측정부는 상기 결합부 양단의 전압차를 증폭한 출력 전압을 생성하는 차동 증폭기 및 상기 출력 전압을 측정하는 측정 포인트를 포함할 수 있다.
나아가, 상기 전압 측정부는 상기 출력 전압과 기준 전압을 비교하는 전압 비교부를 더 포함하고, 상기 전압 비교부는 상기 출력 전압이 상기 기준 전압보다 높은 경우 상기 측정 포인트에 로우 레벨 전압을 출력할 수 있다.
또한, 상기 차동 증폭기와 상기 측정 포인트는 상기 구동 집적 회로에 외부 신호를 제공하는 인쇄 회로 기판에 형성될 수 있다.
또한, 상기 차동 증폭기와 상기 측정 포인트는 상기 표시 패널 상에 형성되는 배선을 통해 연결될 수 있다.
상기 구동 집적 회로와 상기 범프는 베이스 필름 상 또는 상기 표시 패널 상에 형성될 수 있다.
상기 범프는 상기 정전류원의 일단자와 연결된 제1 범프, 상기 정전류원의 타단자와 연결된 제2 범프 및 상기 제1 범프 및 상기 제2 범프와 전기적으로 연결되지 않는 제3 범프를 포함하고, 상기 제1 내지 제3 범프는 상기 테스트 패드에 포함된 제1 내지 제3 테스트 패드와 각각 결합하여 제1 내지 제3 결합부를 형성할 수 있다.
상기 제1 내지 제3 테스트 패드는 서로 전기적으로 연결되며, 상기 정전류원에서 제공된 정전류는 상기 제1 결합부 및 상기 제2 결합부를 흐를 수 있다.
상기 전압 측정부는 상기 정전류원의 일단자의 제1 전압을 측정하고, 상기 제3 결합부를 통하여 상기 제1 테스트 패드와 상기 제2 테스트 패드 사이의 제2 전압을 측정하여 상기 제1 결합부 양단의 전압차를 측정할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 구동 집적 회로 패키지는 표시 패널 상에 형성된 제1 내지 제3 테스트 패드와 각각 결합하는 제1 내지 제3 범프, 상기 제1 범프와 일단이 연결되고 상기 제2 범프와 타단이 연결되는 정전류원을 포함하는 구동 집적 회로, 상기 정전류원의 일단과 연결되는 제1 입력단 및 상기 제3 범프와 연결되는 제2 입력단을 포함하는 전압 측정부를 포함한다.
상기 전압 측정부는 상지 제1 입력단에 입력되는 전압과 상기 제2 입력단에 입력되는 전압의 전압차를 증폭한 출력 전압을 생성하는 차동 증폭기 및 상기 출력 전압을 측정하는 측정 포인트를 포함할 수 있다.
상기 전압 측정부는 상기 출력 전압과 기준 전압을 비교하는 전압 비교부를 더 포함하고, 상기 전압 비교부는 상기 출력 전압이 상기 기준 전압보다 높은 경우 상기 측정 포인트에 로우 레벨 전압을 출력할 수 있다.
상기 제1 내지 제3 테스트 패드는 서로 전기적으로 연결되며, 상기 정전류원에서 제공된 정전류는 상기 제1 범프, 상기 제1 테스트 패드, 상기 제2 테스트 패드 및 상기 제2 범프를 흐를 수 있다.
상기 전압 측정부는 상기 제1 범프와 제1 테스트 패드의 결합 저항에 의한 전압 강하를 측정할 수 있다.
상기 다른 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널, 상기 표시 패널에 구동 신호를 제공하는 구동 집적 회로 패키지 및 상기 구동 집적 회로 패키지에 대응되어 상기 표시 패널 상에 형성되는 테스트 패드를 포함하되, 상기 구동 집적 회로 패키지는 상기 테스트 패드와 각각 전기적으로 결합하는 범프, 상기 결합부에 정전류를 제공하는 정전류원이 형성된 구동 집적 회로 및 상기 결합부 양단의 전압차를 측정하는 전압 측정부를 포함한다.
상기 전압 측정부는 상기 결합부 양단의 전압차를 증폭한 출력 전압을 생성하는 차동 증폭기와 상기 출력 전압을 측정하는 측정 포인트를 포함할 수 있다.
상기 전압 측정부는 상기 출력 전압과 기준 전압을 비교하는 전압 비교부를 더 포함하고, 상기 전압 비교부는 상기 출력 전압이 상기 기준 전압보다 높은 경우 상기 측정 포인트에 로우 레벨 전압을 출력할 수 있다.
상기 구동 집적 회로 패키지는 상기 표시 패널의 외주를 따라 복수개로 형성되고, 상기 각 구동 집적 회로 패키지의 상기 전압 비교부는 하나의 측정 포인트에 로우 레벨 전압을 출력할 수 있다.
상기 범프는 상기 정전류원의 일단자와 연결된 제1 범프, 상기 정전류원의 타단자와 연결된 제2 범프 및 상기 제1 범프 및 상기 제2 범프와 전기적으로 연결되지 않는 제3 범프를 포함하고, 상기 제1 내지 제3 범프는 상기 테스트 패드에 포함된 제1 내지 제3 테스트 패드와 각각 결합하여 제1 내지 제3 결합부를 형성할 수 있다.
상기 제1 내지 제3 테스트 패드는 서로 전기적으로 연결되며, 상기 정전류원에서 제공된 정전류는 상기 제1 결합부 및 상기 제2 결합부를 흐르고, 상기 전압 측정부는 상기 정전류원의 일단자의 제1 전압을 측정하고, 상기 제3 결합부를 통하여 상기 제1 테스트 패드와 상기 제2 테스트 패드 사이의 제2 전압을 측정하여 상기 제1 결합부 양단의 전압차를 측정할 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과 있다.
보다 용이한 구성으로 구동 소자와 표시 패널의 접촉 저항을 측정할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 집적 회로 패키지의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 집적 회로 패키지의 회로도이다.
도 3은 칩 온 글래스 방식에 의한 구동 집적 회로 패키지의 개략도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예의 변형 실시예에 따른 구동 집적 회로 패키지의 회로도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 구동 집적 회로 패키지의 회로도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략도이다.
도 8은 도 7의 A 영역을 확대한 확대도이다.
도 9는 도 7의 Ⅸ-Ⅸ’를 따라 절단한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 개략도이다.
도 11은 도 10의 A영역을 확대한 확대도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서, 동일한 식별 부호는 동일한 구성을 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 집적 회로 패키지의 개략도이며, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 집적 회로 패키지의 회로도이며, 도 3은 칩 온 글래스 방식에 의한 구동 집적 회로 패키지의 개략도이며, 도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예의 변형 실시예에 따른 구동 집적 회로 패키지의 회로도이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 구동 집적 회로 패키지(100)는 구동 집적 회로(IC), 범프(B) 및 전압 측정부(VM)를 포함한다.
구동 집적 회로(Driving Integrated Circuit; IC)는 집적 회로 칩의 형태일 수 있다. 구동 집적 회로(IC)는 인쇄 회로 기판(PCB)로부터 전달되는 구동 전원 및 신호들에 대응하여 스캔 신호를 생성하는 스캔 구동부(미도시) 및 데이터 신호를 생성하는 데이터 구동부(미도시)를 포함할 수 있다. 구동 집적 회로(IC)는 스캔 구동부 및 데이터 구동부에서 생성된 주사 신호 및 데이터 신호 각각을 표시 패널(110)에 공급할 수 있다. 구동 집적 회로(IC)는 칩 온 필름(Chip on film; COF) 방식으로 베이스 필름(BF)에 실장될 수 있다. 구동 집적 회로(IC)는 베이스 필름(BF) 상에 형성된 배선을 통하여 표시 패널(110)과 접촉할 수 있으며, 표시 패널(110)에 신호를 전달할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 도 3에 도시된 바와 같이, 구동 집적 회로(IC)는 표시 패널(110)의 패드 영역에 칩 온 글라스(Chip on glass; COG) 방식으로 집적 형성될 수 도 있다.
구동 집적 회로(IC)는 정전류를 제공하는 정전류원(I)을 포함할 수 있다. 즉, 정전류원(I)은 구동 집적 회로(IC)에 내장될 수 있다. 정전류원(I)은 외부 전원(미도시)와 별도로 연결될 수 있으며, 스캔 구동부 및 데이터 구동부와 별개로 동작할 수 있다. 정전류원(I)은 구동 집적 회로 패키지(100)와 표시 패널(110)의 접촉 저항을 측정하기 위해 정전류를 제공할 수 있다. 정전류는 표시 패널(110)의 테스트 패드(TP)와 전기적으로 결합하고 있는 범프(B)에 제공될 수 있다.
범프(B)는 구동 집적 회로(IC)로부터 연장되는 배선 라인의 말단에 전도성을 가진 물질로 형성될 수 있다. 범프(B)는 테스트 패드(TP)와 용이하게 결합될 수 있는 형상일 수 있으며, 이의 형상 및 구조는 도 1에 도시된 것에 한정되지 않는다. 범프(B)는 표시 패널(110) 상에 형성된 테스트 패드(TP)와 전기적으로 결합할 수 있다. 테스트 패드(TP)는 표시 패널(110)과 구동 집적 회로 패키지(100)와의 결합 저항을 측정하기 위해 형성된 테스트 패턴일 수 있다. 범프(B)는 테스트 패드(TP)와 결합하여 결합부(R)를 형성할 수 있다.
전압 측정부(VM)는 결합부(R) 양단에 형성되는 전압을 각각 측정할 수 있다. 즉, 전압 측정부(VM)는 결합부(R)에 의한 전압차를 측정하여 표시 패널(110)과 구동 집적 회로(IC) 패키지의 정상 결합 여부를 판단할 수 있다.
테스트 패드(TP)는 전도성을 가지는 물질로 형성될 수 있으며, 서로 전기적으로 연결된 제1 내지 제3 테스트 패드(TP1, TP2, TP3)을 포함할 수 있다. 범프(B)는 제1 내지 제3 테스트 패드(TP1, TP2, TP3) 각각과 대응되어 결합되는 제1 내지 제3 범프(B1, B2, B3)를 포함할 수 있다. 여기서 제1 내지 제3 범프(B1, B2, B3)은 서로 전기적으로 연결되지 않은 플로팅(Floating)된 상태일 수 있으며, 다른 구성을 통하여만 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 범프(B1), 제2 범프(B2) 및 제3 범프(B3)은 제1 테스트 패드(TP1), 제2 테스트 패드(TP2) 및 제3 테스트 패드(TP3)과 각각 전기적으로 결합하여 제1 결합부(R1), 제2 결합부(R2) 및 제3 결합부(R3)를 각각 형성할 수 있다. 제1 내지 제3 결합부(R1, R2, R3)는 일정한 접촉 저항을 가질 수 있다. 다만, 구동 집적 회로 패키지(100)가 정상적으로 실장되지 않은 경우, 일반적으로 형성되는 접촉 저항보다 저항치는 높게 형성될 수 있다. 전압 측정부(VM)는 제1 내지 제3 결합부(R3) 중 적어도 하나의 결합부의 양단자에 형성되는 전압을 측정할 수 있으며, 결합부에 의한 전압 강하를 측정할 수 있다. 여기서 전압 측정부(VM)는 제1 범프(B1)와 제1 테스트 패드(TP1)가 형성하는 제1 결합부(R1) 양단의 전압을 측정할 수 있다. 즉, 전압 측정부(VM)는 제1 노드(N1)의 제1 전압(V1)을 측정할 수 있다. 그리고, 전압 측정부(VM)는 제1 범프(B1)와 접촉하지 않는 제1 테스트 패드(TP1)와 연결되는 제2 노드(N2)의 제2 전압(V2)을 측정할 수 있다.
제1 범프(B1)는 제1 배선 라인(L1)을 통해 정전류원(I)의 일단자와 연결될 수 있으며, 제2 범프(B2)는 제2 배선 라인(L2)를 통해 정전류원(I)의 타단자와 연결될 수 있다. 즉, 정전류원(I)의 일단자에서 제공되는 정전류는 제1 범프(B1), 제1 범프(B1)와 전기적으로 결합된 제1 테스트 패드(TP1), 제1 테스트 패드(TP1)와 전기적으로 연결된 제2 테스트 패드(TP2) 및 제2 테스트 패드(TP2)와 전기적으로 결합된 제2 범프(B2)를 차례대로 통과할 수 있으며, 정전류원(I)의 타단자로 흐를 수 있다. 즉, 제1 범프(B1), 제1 테스트 패드(TP1), 제2 범프(B2), 제2 테스트 패드(TP2)는 정전류가 흐를 수 있는 구간을 형성할 수 있다.
전압 측정부(VM)는 상기 구간에서 제1 결합부(R1)에 의한 전압 강하를 측정할 수 있다.
전압 측정부(VM)은 차동 증폭기(DA)와 차동 증폭기(DA)의 출력 전압(Vout)을 측정할 수 있는 측정 포인트(Mp)를 포함할 수 있다. 차동 증폭기(DA)는 제1 입력단(V-)과 제2 입력단(V+)을 포함할 수 있다. 전압 측정부(VM)의 제1 입력단(V-)은 제3 배선 라인(L3)을 통해 제1 노드(N1)와 연결될 수 있으며, 전압 측정부(VM)의 제2 입력단(V+)은 제4 배선 라인(L4)을 통해 제3 범프(B3)와 연결될 수 있다. 즉, 제2 입력단(V+)은 제3 범프(B3)와 제3 테스트 패드(TP3)가 전기적으로 결합하여 형성된 제3 결합부(R3)를 통해서 제2 노드(N2)와 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서 차동 증폭기(DA)의 특성상 제4 배선 라인(L4)으로 전류가 흐르지 않기 때문에 제3 결합부(R3)에 의한 전압 강하는 발생하지 않을 수 있다. 즉, 차동 증폭기(DA)의 제1 입력단(V-)과 제2 입력단(V+)은 전류에 의한 전압 강하가 발생하지 않기 때문에, 제1 노드(N1)의 제1 전압(V1)과 제2 노드(N2)의 제2 전압(V2)은 각각 차동 증폭기(DA)의 제1 입력단(V-)과 제2 입력단(V+)에 입력될 수 있다. 차동 증폭기(DA)는 제1 입력단(V-)과 제2 입력단(V+)에 입력되는 전압차를 증폭할 수 있으며, 증폭된 출력 전압(Vout)을 측정 포인트(Mp)에 출력할 수 있다.
측정 포인트(Mp)에서 출력 전압(Vout)을 측정할 수 있다. 측정 포인트(Mp)는 하나의 단자로 구성될 수 있기에, 일반적인 전압 측정기(Multi-meter)를 사용하더라도 용이하게 전압을 측정할 수 있다. 측정 포인트(Mp)에서 측정되는 출력 전압(Vout)은 다음과 같은 수학식 1과 같이 제1 입력단(V-)과 제2 입력단(V+)의 차이일 수 있다.
Figure pat00001
상술한 바와 같이, 상기 출력 전압(Vout)은 제1 결합부(R1)에 의한 전압 강하를 증폭한 전압 값일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 구동 집적 회로 패키지(100)는 표시 패널간의 결합부에 정전류를 제공할 수 있는 정전류원을 구동 집적 회로 내부에 실장하고, 결합부에 의한 전위차를 용이하게 측정할 수 있는 구성을 구비하여, 종래의 측정 방법보다 보다 용이하게 구동 소자와 표시 패널의 접촉 저항을 측정할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 전압 측정부(VM)의 차동 증폭기(DA)는 베이스 필름(BF) 상에 형성될 수 있으며, 측정 포인트(Mp)는 인쇄 회로 기판(PCB) 상에 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 차동 증폭기(DA)는 정전류원(I)과 함께 구동 집적 회로(IC)에 내장될 수도 있다.
그리고, 도 4에 도시된 바와 같이, 변형 실시예에 따른 구동 집적 회로 패키지(101)는 본 발명의 일 실시예에 다른 구동 집적 회로 패키지(100)와 달리, 전압 측정부(VM)가 인쇄 회로 기판(PCB) 상에 형성될 수 있다. 즉, 차동 증폭기(DA)와 측정 포인트(Mp) 모두 인쇄 회로 기판(PCB) 상에 형성될 수 있어, 이들을 형성하기 위한 베이스 필름(BF)의 면적을 줄일 수 있다. 그리고, 본 실시예를 칩 온 글래스(Chip on glass) 방식에 적용할 경우, 전압 측정부(VM)는 인쇄 회로 기판(PCB)에 형성될 수 있다. 즉, 구동 집적 회로 패키지(101)가 실장되는 표시 패널(110)의 패드부 영역의 면적을 줄일 수 있다.
나아가 도 5에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 변형 실시예에 따른 구동 집적 회로 패키지(102)는 인쇄 회로 기판(PCB)이 부착되지 않는 표시 패널(110)의 일변에 결합될 수 있다. 즉, 표시 패널(110)은 대형 패널일 수 있으며, 구동 집적 회로 패키지(102)의 구동 집적 회로(IC)는 스캔 구동부만을 포함할 수 있다. 구동 집적 회로(IC)는 표시 패널(110)의 타변에 부착된 인쇄 회로 기판(PCB)으로부터 표시 패널(110)에 형성된 배선(미도시)를 통해 구동 신호를 제공받을 수 있다. 측정 포인트(Mp)는 다른 변에 부착된 구동 집적 회로 패키지의 인쇄 회로 기판(PCB)에 형성될 수 있다. 차동 증폭기(DA)와 측정 포인트(Mp)는 표시 패널(110)에 형성된 제5 배선(L5)을 통해 연결될 수 있다. 여기서, 제5 배선(L5)은 몽블랑 배선일 수 있다. 즉, 구동 집적 회로 패키지(102)가 인쇄 회로 기판(PCB)과 물리적으로 연결되지 않을 경우, 표시 패널(110)에 형성된 배선을 통해 표시 패널(110)의 타변에 부착된 인쇄 회로 기판(PCB)에 측정 포인트(Mp)를 형성할 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예에 대해 설명하도록 한다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 구동 집적 회로 패키지의 회로도이다.
도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 구동 집적 회로 패키지(200)의 전압 측정부(VM)는 전압 비교부(CV)를 더 포함할 수 있다.
전압 비교부(CV)는 출력 전압(Vout)과 기준 전압(Vref)를 비교할 수 있다. 전압 비교부(CV)는 출력 전압(Vout)이 기준 전압(Vref)보다 높은 경우 측정 포인트(Mp)에 로우(Low) 레벨 전압을 출력할 수 있으며, 출력 전압(Vout)이 기준 전압(Vref)보다 낮은 경우 하이(High) 레벨 전압을 출력할 수 있다. 전압 비교부(CV) 인버팅 슈미트 트리거(Inverting Schmitt Trigger)일 수 있다. 구동 집적 회로 패키지(200)의 범프(B)가 표시 패널(210)의 테스트 패드부(TP)에 정상적으로 실장되지 않은 경우, 범프(B)와 테스트 패드부(TP)의 결합 저항은 높게 형성될 수 있다. 따라서, 출력 전압(Vout)은 높은 전압 레벨을 가질 수 있다. 즉, 전압 비교부(CV)는 구동 집적 회로 패키지(200)가 전압 비교부(CV)에 정상적으로 실장되지 않은 경우, 로우(Low) 레벨 전압을 출력할 수 있다. 여기서 기준 전압(Vref)은 실험적으로 산출된 전압일 수 있으며, 구동 소자가 표시 패널에 정상적으로 실장되지 않은 경우에 출력되는 출력 전압(Vout)보다 낮은 전압일 수 있다. 로우(Low) 레벨 전압은 일정한 낮은 전압 값으로 설정된 전압일 수 있다. 예시적인 실시예에서 로우 레벨 전압은 0V에 해당하는 접지 전압일 수 있다.
즉, 본 실시예는 로우(Low) 레벨 전압의 검출로써 구동 집적 회로 패키지(200)와 표시 패널(210)간의 정상 결합 여부를 보다 용이하게 판단할 수 있는 효과를 제공할 수 있다.
그 밖의 구동 집적 회로 패키지(200)에 대한 설명은 동일한 식별부호 또는 동일한 명칭을 갖는 도 1 내지 도 3의 구동 집적 회로 패키지(100)의 구성에 대한 설명과 실질적으로 동일하므로 생략하도록 한다.
이하, 상술한 구동 집적 회로 패키지들을 포함하는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명하도록 한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략도이며, 도 8은 도 7의 A 영역을 확대한 확대도이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 표시 장치(10)는 구동 집적 회로 패키지(100), 표시 패널(110) 및 테스트 패드(TP)을 포함할 수 있다.
여기서, 구동 집적 회로 패키지(100)는 상술한 도 1 내지 도 3의 구동 회로 패키지(100)일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 도 4 및 도 5의 변형 실시예에 따른 구동 회로 패키지일 수 있으며, 도 6의 다른 실시예에 따른 구동 회로 패키지일 수도 있다. 구동 집적 회로 패키지(100)는 구동 집적 회로(IC), 범프(B) 및 전압 측정부(VM)를 포함할 수 있다. 구동 집적 회로 패키지(100)의 구성 및 동작 등에 대한 구체적인 설명은 상술한 실시예들의 설명과 실질적으로 동일하므로 생략하도록 한다.
표시 패널(110)은 화상을 표시하는 패널일 수 있다. 표시 패널(110)은 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 기판(111)은 화상을 표시하는데 필요한 표시 소자 및 박막 트랜지스터 등이 배치되는 베이스 기판일 수 있다. 제2 기판(112)은 제1 기판(111)의 상부에 배치될 수 있으며, 제1 기판(111)과 대향할 수 있다. 제2 기판(112)은 봉지 기판일 수 있다. 즉, 제2 기판(112)은 실런트(128) 등과 함께 제1 기판(111)의 표시 소자 및 박막 트랜지스터 등을 봉지할 수 있다. 또한, 제1 기판(111)의 일변에는 구동 집적 회로 패키지(100)와 연결되는 패드부(미도시)가 형성될 수 있다. 즉, 구동 집적 회로 패키지(100)는 제1 기판(111)의 패드부에 결합될 수 있으며, 패드부를 통해 구동 신호를 제1 기판(111)에 제공할 수 있다. 구동 집적 회로 패키지(100)는 제1 기판(111)의 외주를 따라 복수개로 배치될 수 있다. 제1 기판(111)은 구동 집적 회로 패키지(100)에서 제공되는 구동 신호로써 박막 트랜지스터를 구동하여 표시 소자를 제어할 수 있다. 여기서, 제1 기판(111)은 구동 집적 회로 패키지(100)의 정상 실장 여부를 판단하기 위한 테스트 패드(TP)를 포함할 수 있다. 즉, 제1 기판(110) 상에 구동 집적 회로 패키지(100)가 실장되는 패드부는 테스트 패드(TP)를 포함할 수 있다.
테스트 패드(TP)는 구동 집적 회로 패키지(100)에 대응되어 형성될 수 있다. 즉, 제1 기판(111)에 실장되는 구동 집적 회로 패키지(100) 각각의 정상 실장 여부를 판단할 수 있도록 각 구동 집적 회로 패키지(100) 마다 대응되는 테스트 패드(TP)가 패드 영역에 형성될 수 있다. 즉, 테스트 패드(TP) 또한 복수개로 형성될 수 있으며, 제1 기판(111)의 외주를 따라 형성될 수 있다. 테스트 패드(TP)는 구동 집적 회로 패키지(100)의 범프(B)와 결합하여 결합부(R)를 형성할 수 있다. 여기서, 구동 집적 회로 패키지(100)는 결합부(R) 양단의 전압차를 측정하는 전압 측정부를 포함할 수 있으며, 구동 집적 회로 패키지(100)의 정상 실장 여부를 판단할 수 있다. 각 구동 집적 회로 패키지(100)의 전압 측정부는 각 결합부(R)의 양단 전압차를 측정할 수 있는 측정 포인트(Mp)를 포함할 수 있다. 측정 포인트(Mp)는 인쇄 회로 기판(PCB) 상에 각각 형성될 수 있다. 즉, 각 측정 포인트(Mp)의 전압을 측정함으로써, 이에 대응되는 각 구동 집적 회로(100)의 정상 실장 여부를 용이하게 판단할 수 있다.
이하, 표시 패널(110)의 구성에 대해 보다 상세히 설명하도록 한다. 도 9는 도 7의 Ⅸ-Ⅸ’를 따라 절단한 단면도이다.
도 9를 참조하면, 표시 패널(110)은 테스트 패드(TP), 제1 기판(111), 제2 기판(112), 반도체 패턴(113), 게이트 절연막(114), 게이트 전극(115), 층간 절연막(117), 소스 전극(118), 드레인 전극(119), 중간막(121), 평탄화막(122), 제1 전극(123), 화소 정의막(124), 유기 발광층(125), 제2 전극(126), 보호막(127) 및 실런트(128)를 포함할 수 있다. 여기서, 테스트 패드(TP)는 패드 단자(116) 및 보조 단자(120)는 테스트 패드(TP)를 이룰 수 있다.
제1 기판(111)은 고내열성을 갖는 고분자를 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 기판(111)은, 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(cellulose triacetate), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP), 폴리아릴렌에테르 술폰(poly(aryleneether sulfone)) 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다. 제1 기판(111)은 가요성을 가질 수 있다. 즉, 제1 기판(111)은 롤링(rolling), 폴딩(folding), 벤딩(bending) 등으로 형태 변형이 가능한 기판일 수 있다.
제1 기판(111)은 표시 영역(D) 및 비표시 영역(N)을 포함할 수 있다. 표시 영역(D)은 화상이 표시되는 영역일 수 있다. 또한, 표시 영역(D)은 실질적으로 화상을 표시하는 표시 소자 및 표시 소자와 전기적으로 연결되는 박막 트랜지스터 등이 위치한 영역일 수 있다. 여기에서, 표시 소자는 유기 발광 소자일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 비표시 영역(N)은 화상이 표시되지 않는 영역일 수 있다. 또한, 비표시 영역(N)은 실런트(128) 및 테스트 패드(TP)가 위치될 수 있는 패드 영역일 수 있다. 또한, 비표시 영역(N)은 제1 기판(111)의 에지와 인접한 영역일 수 있다. 즉, 비표시 영역(N)은 제1 기판(111)의 가장자리부에 위치한 영역일 수 있다.
비표시 영역(N)은 표시 영역(D)을 둘러쌀 수 있다. 도면에 도시되지는 않았지만, 제1 기판(111) 상에는 버퍼막이 위치할 수 있다. 버퍼막은 제1 기판(111)으로부터 금속 원자들, 불순물들 등이 확산되는 현상을 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 또한, 버퍼막은 제1 기판(111)의 표면이 균일하지 않을 경우, 제1 기판(111)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할도 수행할 수 있다.
반도체 패턴(113)은 제1 기판(111) 상에 형성될 수 있다. 구체적으로, 반도체 패턴(113)은 제1 기판(111)의 표시 영역(D) 상에 위치할 수 있다. 만약, 제1 기판(111) 상에 버퍼막이 형성되었다면, 반도체 패턴(113)은 버퍼막 상에 형성될 수 있다. 반도체 패턴(113)은 비정질 반도체, 미세결정 반도체, 또는 다결정 반도체로 이루어질 수 있으며, 바람직하게는 다결정 반도체로 이루어질 수 있다. 또한, 반도체 패턴(113)은 산화물 반도체로 이루어질 수도 있다. 또한, 반도체 패턴(113)은 불순물이 도핑되지 않은 채널부와, 채널부의 양 옆으로 p+ 도핑되어 형성된 소스부 및 드레인부를 포함할 수 있다. 이때, 도핑되는 이온 물질은 붕소(B)와 같은 P형 불순물로서, 예컨대 B2H6 등이 사용될 수 있다. 여기서, 이러한 불순물은 박막 트랜지스터의 종류에 따라 달라질 수 있다.
게이트 절연막(114)은 버퍼막 상에 반도체 패턴(113)을 커버하도록 형성될 수 있다. 게이트 절연막(114)은 제1 기판(111)의 표시 영역(D) 및 비표시 영역(N) 상에 위치할 수 있다. 게이트 절연막(114)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 또는 금속 산화물 등으로 이루어질 수 있다.
게이트 전극(115)은 게이트 절연막(114) 상에 형성될 수 있다. 게이트 전극(115)은 제1 기판(111)의 표시 영역(D) 상에 위치할 수 있다. 게이트 전극(115)은 게이트 절연막(114) 중에서 아래에 반도체 패턴(113)이 위치하는 부분 상에 형성될 수 있다. 게이트 전극(115)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 또한, 게이트 전극(115)과 채널부는 서로 중첩될 수 있다. 그러나, 게이트 전극(115)의 치수 및/또는 채널부의 치수는 이들을 포함하는 스위칭 소자에 요구되는 전기적인 특성에 따라 변화될 수 있다.
패드 단자(116)도 게이트 절연막(114) 상에 형성될 수 있다. 패드 단자(116)는 제1 기판(111)의 비표시 영역(N) 상에 위치할 수 있다. 패드 단자(116)는 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 또한, 패드 단자(116)는 게이트 전극(115)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 패드 단자(116)는 게이트 전극(115)과 동시에 형성될 수 있다.
층간 절연막(117)은 게이트 절연막(114) 상에 게이트 전극(115) 및 패드 단자(116)를 덮도록 형성될 수 있다. 층간 절연막(117)은 제1 기판(111)의 표시 영역(D) 및 비표시 영역(N) 상에 형성될 수 있다. 층간 절연막(117)은 게이트 전극(115) 및 패드 단자(116)의 프로파일을 따라 게이트 절연막(114) 상에 실질적으로 균일한 두께로 형성될 수 있다. 따라서, 층간 절연막(117)에는 게이트 전극(115) 및 패드 단자(116)에 인접하는 단차부가 생성될 수 있다. 층간 절연막(117)은 실리콘 화합물로 이루어질 수 있다. 이러한 층간 절연막(117)은 후속하여 형성되는 소스 전극(118)과 드레인 전극(119)으로부터 게이트 전극(115)을 절연시키는 역할을 수행할 수 있다.
층간 절연막(117)은 반도체 패턴(113)의 일부를 노출시키는 제1 콘택홀 및 패드 단자(116)의 일부를 노출시키는 제2 콘택홀을 포함할 수 있다. 제1 콘택홀은 제1 기판(111)의 표시 영역(D) 상에 형성될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 콘택홀은 반도체 패턴(113)의 소스부 및 드레인부를 노출시킬 수 있다. 도 9에 도시된 예시적인 실시예와 같이, 반도체 패턴(113) 상에 게이트 절연막(114)이 위치할 경우, 제1 콘택홀은 게이트 절연막(114)을 관통하도록 형성될 수 있다. 제1 콘택홀은 제1 기판(111)의 일면에 수직인 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. 제2 콘택홀은 제1 기판(111)의 비표시 영역(N) 상에 형성될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 콘택홀은 패드 단자(116)의 중심부를 노출시킬 수 있다. 제2 콘택홀은 제1 기판(111)의 일면에 수직인 방향으로 연장되어 형성될 수 있다.
소스 전극(118)과 드레인 전극(119)은 층간 절연막(117) 상에 형성될 수 있다. 구체적으로, 소스 전극(118)과 드레인 전극(119)은 제1 콘택홀에 삽입될 수 있다. 즉, 소스 전극(118)과 드레인 전극(119)은 제1 기판(111)의 표시 영역(D) 상에 형성될 수 있다. 소스 전극(118) 및 드레인 전극(119)은 게이트 전극(115)을 중심으로 소정의 간격으로 이격되며, 게이트 전극(115)에 인접하여 배치될 수 있다. 예를 들면, 소스 전극(118) 및 드레인 전극(119)은 층간 절연막(117) 및 게이트 절연막(114)을 관통하여 반도체 패턴(113)의 소스부 및 드레인부에 각기 접촉될 수 있다. 소스 전극(118) 및 드레인 전극(119)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
층간 절연막(117) 상에 소스 전극(118) 및 드레인 전극(119)이 형성됨에 따라, 제1 기판(111) 상에는 유기 발광 표시 장치의 스위칭 소자로서 반도체 패턴(113), 게이트 절연막(114), 게이트 전극(115), 소스 전극(118), 및 드레인 전극(119)을 포함하는 박막 트랜지스터가 제공될 수 있다. 여기에서, 박막 트랜지스터는 탑 게이트 방식의 박막 트랜지스터일 수 있다.
보조 단자(120)도 층간 절연막(117) 상에 형성될 수 있다. 구체적으로, 보조 단자(120)는 제2 콘택홀에 삽입될 수 있다. 즉, 보조 단자(120)는 제1 기판(111)의 비표시 영역(N) 상에 형성될 수 있다. 하나의 패드 단자(116) 및 하나의 보조 단자(120)는 하나의 테스트 패드(TP)를 이룰 수 있다. 이러한 테스트 패드(TP)에는 구동 집적 회로 패키지(100)의 범프(B)가 결합될 수 있다. 범프(B)와 테스트 패드(TP)는 이방성 도전 필름(Anisotropic Conducting Film; ACF)을 통해 결합될 수 있으며, 범프(B)와 테스트 패드(TP)는 결합부를 형성할 수 있다.
중간막(121)은 소스 전극(118) 및 드레인 전극(119) 상에 형성될 수 있다. 즉, 중간막(121)은 층간 절연막(117) 상에 소스 전극(118) 및 드레인 전극(119)을 커버하도록 형성될 수 있다. 중간막(121)은 제1 기판(111)의 표시 영역(D) 상에 형성될 수 있다. 중간막(121)은 소스 전극(118) 및 드레인 전극(119)을 완전하게 덮을 수 있는 충분한 두께를 가질 수 있다. 중간막(121)은 유기 물질 또는 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.
평탄화막(122)은 중간막(121) 상에 형성될 수 있다. 평탄화막(122)은 제1 기판(111)의 표시 영역(D) 상에 형성될 수 있다. 평탄화막(122)의 표면은 평평할 수 있다. 즉, 평탄화막(122)은 충분히 두껍게 형성되어, 화소가 위치하는 일면을 평탄하게 할 수 있다. 평탄화막(122)은 절연성 물질로 이루어질 수 있다.
평탄화막(122)은 드레인 전극(119)의 일부를 노출시키는 비아홀을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 비아홀은 드레인 전극(119)의 중심부를 노출시킬 수 있다. 비아홀은 기판의 일면에 수직인 방향으로 연장되어 형성될 수 있다.
제1 전극(123)은 평탄화막(122) 상에 위치할 수 있다. 제1 전극(123)은 제1 기판(111)의 표시 영역(D) 상에 형성될 수 있다. 제1 전극(123)은 비아홀에 삽입되어 드레인 전극(119)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(123)은 애노드(anode) 전극 또는 캐소드(cathode) 전극일 수 있다. 제1 전극(123)이 애노드 전극일 경우, 제2 전극(126)은 캐소드 전극이 되며, 이하에서는 이와 같이 가정하고 실시예들이 예시적으로 설명된다. 다만, 제1 전극(123)이 캐소드 전극이고, 제2 전극(126)이 애노드 전극일 수도 있다.
제1 전극(123)이 애노드 전극으로 사용될 경우, 제1 전극(123)은 일함수가 높은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 표시 장치가 배면 발광형 표시 장치일 경우, 제1 전극(123)은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 물질이나, 이들의 적층막으로 형성될 수 있다. 표시 장치가 전면 발광형 표시 장치일 경우, 제1 전극(123)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, 또는 Ca 등으로 형성된 반사막을 더 포함할 수 있다. 제1 전극(123)은 이들 중 서로 다른 2 이상의 물질을 이용하여 2층 이상의 구조를 가질 수 있는 등의 다양한 변형이 가능하다.
화소 정의막(124)은 제1 전극(123) 상에 형성될 수 있다. 화소 정의막(124)은 제1 기판(111)의 표시 영역(D) 상에 형성될 수 있다. 화소 정의막(124)은 제1 전극(123)의 일부 영역들을 노출시킬 수 있다. 화소 정의막(124)은 벤조사이클로부텐(Benzo Cyclo Butene, BCB), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리아마이드(poly amaide, PA), 아크릴 수지 및 페놀수지 등으로부터 선택된 적어도 하나의 유기 물질을 포함하여 이루어지거나, 실리콘 질화물 등과 같은 무기 물질을 포함하여 이루어질 수도 있다. 화소 정의막(124)은 또한 검정색 안료를 포함하는 감광제로 이루어질 수 있는데, 이 경우 화소 정의막(124)은 차광 부재의 역할을 할 수 있다.
유기 발광층(125)은 제1 전극(123) 상에 형성될 수 있다. 유기 발광층(125)은 제1 기판(111)의 표시 영역(D) 상에 형성될 수 있다. 유기 발광층(125)에 전류가 인가되면, 유기 발광층(125) 내의 전자와 정공이 재결합(recombination)하여 여기자(exciton)을 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생한다.
유기 발광층(125)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광층(125)은 정공 주입층(hole-injection layer, HIL), 정공 수송층(hole-transporting layer, HTL), 정공 저지층(hole blocking layer, HBL), 발광층(Emitting layer, EML), 전자 수송층(electron-transporting layer, ETL), 전자 주입층(electron-injection layer, EIL) 및 전자 저지층(electron blocking layer, EBL) 등을 포함할 수 있다.
제2 전극(126)은 유기 발광층(125) 상에 형성될 수 있다. 제2 전극(126)은 제1 기판(111)의 표시 영역(D) 상에 형성될 수 있다. 제2 전극(126)이 캐소드 전극으로 사용될 경우, 제2 전극(126)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 전극(126)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, 또는 Ca 등으로 형성될 수 있다.
유기 발광층(125) 상에 제2 전극(126)이 형성됨에 따라, 제1 기판(111) 상에는 표시 장치의 표시 소자로서 제1 전극(123), 유기 발광층(125), 및 제2 전극(126)을 포함하는 유기 발광 소자가 제공될 수 있다.
보호막(127)은 제2 전극(126) 상에 형성될 수 있다. 보호막(127)은 제1 기판(111)의 표시 영역(D) 상에 형성될 수 있다. 보호막(127)은 외부의 수분이나 산소로부터 표시 소자를 보호하여 표시 소자의 열화를 방지하는 역할을 할 수 있다.
보호막(127)은 유기막, 무기막 또는 이들의 다중층일 수 있다. 보호막(127)은 증발법, CVD 또는 스퍼터링법을 사용하여 형성할 수 있다.
제2 기판(112)은 보호막(127) 상에 위치할 수 있다. 제2 기판(112)은 보호막(127)과 일정 거리 이격되어 있을 수 있다. 제2 기판(112)과 보호막(127) 사이에는 질소 등이 충진되어 있을 수 있다. 제2 기판(112)은 제1 기판(111)과 대향할 수 있다. 제2 기판(112)은 제1 기판(111)의 표시 영역(D)의 전부 및 비표시 영역(N)의 일부를 커버하도록 위치할 수 있다. 제2 기판(112)은 실런트(128)와 함께 표시 소자 및 박막 트랜지스터 등을 봉지할 수 있다.
제2 기판(112)은 투명한 플라스틱일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 외부 물질을 차단할 수 있는 다양한 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 기판(112)은 제1 기판(111)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
실런트(128)는 제1 기판(111) 및 제2 기판(112)의 가장자리부에 위치할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 실런트(128)는 제1 기판(111)의 비표시 영역(N) 상에 위치할 수 있다. 이러한 실런트(128)는 제1 기판(111) 상에 위치한 층간 절연막(117)과 접촉할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 게이트 절연막(114) 또는 제1 기판(111)과 접촉할 수도 있다. 도 9에 도시된 예시적인 실시예에서, 실런트(128)는 층간 절연막(117) 및 제2 기판(112)과 접촉하여 표시 소자 및 박막 트랜지스터 등을 봉지할 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명하도록 한다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 개략도이며, 도 11은 도 10의 A영역을 확대한 확대도이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 표시 장치(20)는 표시 패널(210), 표시 패널(210)의 외주를 따라 복수개로 형성된 구동 집적 회로 패키지(200) 및 상기 구동 집적 회로 패키지(200)에 대응되어 형성된 테스트 패드(TP)를 포함할 수 있다.
본 실시예의 각 구동 집적 회로 패키지(200)의 전압 측정부(VM)는 전압 비교부(CV)를 포함할 수 있다. 전압 비교부(CV)는 기준 접압(Vref)과 전압 측정부(VM)의 차동 증폭기(DA)에서 출력되는 출력 전압(Vout)을 비교할 수 있다. 전압 비교부(CV)는 출력 전압(Vout)이 기준 전압(Vref)보다 높은 경우 측정 포인트(Mp)에 로우(Low) 레벨 전압을 출력할 수 있으며, 출력 전압(Vout)이 기준 전압(Vref)보다 낮은 경우 하이(High) 레벨 전압을 출력할 수 있다. 전압 비교부(CV) 인버팅 슈미트 트리거(Inverting Schmitt Trigger)일 수 있다. 여기서 기준 전압(Vref)은 실험적으로 산출된 전압일 수 있으며, 구동 소자가 표시 패널에 정상적으로 실장되지 않은 경우에 출력되는 출력 전압(Vout)보다 낮은 전압일 수 있다. 로우(Low) 레벨 전압은 일정한 낮은 전압 값을 가진 전압일 수 있다. 로우 레벨 전압은 예시적인 실시예에서 0V에 해당하는 접지 전압일 수 있다. 여기서, 각 구동 집적 회로 패키지(200)에 포함된 전압 비교부(CV)는 로우 레벨 전압 또는 하이 레벨 전압을 하나의 측정 포인트(Mp)로 출력할 수 있다.
즉, 본 실시예의 측정 포인트(Mp)는 복수의 구동 집적 회로 패키지(200)에 포함된 전압 비교부(CV)의 출력 전압이 인가될 수 있다. 여기서, 측정 포인트(Mp)는 복수의 구동 집적 회로 패키지(200) 중 하나라도 0V에 해당하는 로우 레벨 전압을 출력하는 경우 0V가 측정될 수 있다. 또한, 측정 포인트(Mp)는 풀업 저항(Rp)이 연결될 수 있으며, 복수의 구동 집적 회로 패키지(200) 모두가 하이 레벨 전압을 출력하는 경우에는 풀업 저항(Rp)에 의한 일정 전압이 측정될 수 있다. 즉, 측정 포인트(Mp)에서 일정한 전압이 측정된다면 이와 연결된 복수의 구동 집적 회로 패키지(100)는 정상적으로 실장된 것을 알 수 있으며, 측정 포인트(Mp)에서 0V가 측정되는 경우라면, 복수의 구동 집적 회로 패키지(100) 중 어느 하나가 잘못 실장된 것을 알 수 있다. 즉, 하나의 측정 포인트(Mp)를 측정함에 따라 복수개의 구동 집적 회로 패키지(100)의 정상 실장 여부를 동시에 확인할 수 있다.
그 밖의 표시 장치(20)에 대한 설명은 동일한 식별부호 또는 동일한 명칭을 갖는 도 7 내지 도 9의 표시 장치(10)의 구성에 대한 설명과 실질적으로 동일하므로 생략하도록 한다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10, 20: 표시 장치
100, 101, 102, 200: 구동 집적 회로 패키지
110, 210: 표시 패널

Claims (20)

  1. 표시 패널 상에 형성된 테스트 패드와 결합하여 결합부를 형성하는 범프;
    상기 결합부에 정전류를 제공하는 정전류원을 포함하는 구동 집적 회로; 및
    상기 결합부 양단의 전압차를 측정하는 전압 측정부를 포함하는 구동 집적 회로 패키지.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 전압 측정부는 상기 결합부 양단의 전압차를 증폭한 출력 전압을 생성하는 차동 증폭기 및 상기 출력 전압을 측정하는 측정 포인트를 포함하는 구동 집적 회로 패키지.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 전압 측정부는 상기 출력 전압과 기준 전압을 비교하는 전압 비교부를 더 포함하고,
    상기 전압 비교부는 상기 출력 전압이 상기 기준 전압보다 높은 경우 상기 측정 포인트에 로우 레벨 전압을 출력하는 구동 집적 회로 패키지.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 차동 증폭기와 상기 측정 포인트는 상기 구동 집적 회로에 외부 신호를 제공하는 인쇄 회로 기판에 형성되는 구동 집적 회로 패키지.
  5. 제2 항에 있어서,
    상기 차동 증폭기와 상기 측정 포인트는 상기 표시 패널 상에 형성되는 배선을 통해 연결되는 구동 집적 회로 패키지.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 구동 집적 회로와 상기 범프는 베이스 필름 상 또는 상기 표시 패널 상에 형성되는 구동 집적 회로 패키지.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 범프는 상기 정전류원의 일단자와 연결된 제1 범프, 상기 정전류원의 타단자와 연결된 제2 범프 및 상기 제1 범프 및 상기 제2 범프와 전기적으로 연결되지 않는 제3 범프를 포함하고,
    상기 제1 내지 제3 범프는 상기 테스트 패드에 포함된 제1 내지 제3 테스트 패드와 각각 결합하여 제1 내지 제3 결합부를 형성하는 구동 집적 회로 패키지.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 테스트 패드는 서로 전기적으로 연결되며,
    상기 정전류원에서 제공된 정전류는 상기 제1 결합부 및 상기 제2 결합부를 흐르는 구동 집적 회로 패키지.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 전압 측정부는 상기 정전류원의 일단자의 제1 전압을 측정하고, 상기 제3 결합부를 통하여 상기 제1 테스트 패드와 상기 제2 테스트 패드 사이의 제2 전압을 측정하여 상기 제1 결합부 양단의 전압차를 측정하는 구동 집적 회로 패키지.
  10. 표시 패널 상에 형성된 제1 내지 제3 테스트 패드와 각각 결합하는 제1 내지 제3 범프;
    상기 제1 범프와 일단이 연결되고 상기 제2 범프와 타단이 연결되는 정전류원을 포함하는 구동 집적 회로;
    상기 정전류원의 일단과 연결되는 제1 입력단 및 상기 제3 범프와 연결되는 제2 입력단을 포함하는 전압 측정부를 포함하는 구동 집적 회로 패키지.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 전압 측정부는 상지 제1 입력단에 입력되는 전압과 상기 제2 입력단에 입력되는 전압의 전압차를 증폭한 출력 전압을 생성하는 차동 증폭기 및 상기 출력 전압을 측정하는 측정 포인트를 포함하는 구동 집적 회로 패키지.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 전압 측정부는 상기 출력 전압과 기준 전압을 비교하는 전압 비교부를 더 포함하고,
    상기 전압 비교부는 상기 출력 전압이 상기 기준 전압보다 높은 경우 상기 측정 포인트에 로우 레벨 전압을 출력하는 구동 집적 회로 패키지.
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 테스트 패드는 서로 전기적으로 연결되며,
    상기 정전류원에서 제공된 정전류는 상기 제1 범프, 상기 제1 테스트 패드, 상기 제2 테스트 패드 및 상기 제2 범프를 흐르는 구동 집적 회로 패키지.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 전압 측정부는 상기 제1 범프와 제1 테스트 패드의 결합 저항에 의한 전압 강하를 측정하는 구동 집적 회로 패키지.
  15. 표시 패널;
    상기 표시 패널에 구동 신호를 제공하는 구동 집적 회로 패키지; 및
    상기 구동 집적 회로 패키지에 대응되어 상기 표시 패널 상에 형성되는 테스트 패드를 포함하되,
    상기 구동 집적 회로 패키지는 상기 테스트 패드와 각각 전기적으로 결합하는 범프, 상기 결합부에 정전류를 제공하는 정전류원이 형성된 구동 집적 회로 및 상기 결합부 양단의 전압차를 측정하는 전압 측정부를 포함하는 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 전압 측정부는 상기 결합부 양단의 전압차를 증폭한 출력 전압을 생성하는 차동 증폭기와 상기 출력 전압을 측정하는 측정 포인트를 포함하는 표시 장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 전압 측정부는 상기 출력 전압과 기준 전압을 비교하는 전압 비교부를 더 포함하고,
    상기 전압 비교부는 상기 출력 전압이 상기 기준 전압보다 높은 경우 상기 측정 포인트에 로우 레벨 전압을 출력하는 표시 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 구동 집적 회로 패키지는 상기 표시 패널의 외주를 따라 복수개로 형성되고,
    상기 각 구동 집적 회로 패키지의 상기 전압 비교부는 하나의 측정 포인트에 로우 레벨 전압을 출력하는 표시 장치.
  19. 제15 항에 있어서,
    상기 범프는 상기 정전류원의 일단자와 연결된 제1 범프, 상기 정전류원의 타단자와 연결된 제2 범프 및 상기 제1 범프 및 상기 제2 범프와 전기적으로 연결되지 않는 제3 범프를 포함하고,
    상기 제1 내지 제3 범프는 상기 테스트 패드에 포함된 제1 내지 제3 테스트 패드와 각각 결합하여 제1 내지 제3 결합부를 형성하는 표시 장치.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 테스트 패드는 서로 전기적으로 연결되며,
    상기 정전류원에서 제공된 정전류는 상기 제1 결합부 및 상기 제2 결합부를 흐르고,
    상기 전압 측정부는 상기 정전류원의 일단자의 제1 전압을 측정하고, 상기 제3 결합부를 통하여 상기 제1 테스트 패드와 상기 제2 테스트 패드 사이의 제2 전압을 측정하여 상기 제1 결합부 양단의 전압차를 측정하는 표시 장치.
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