TWI671929B - 有機發光顯示設備 - Google Patents
有機發光顯示設備 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI671929B TWI671929B TW103129166A TW103129166A TWI671929B TW I671929 B TWI671929 B TW I671929B TW 103129166 A TW103129166 A TW 103129166A TW 103129166 A TW103129166 A TW 103129166A TW I671929 B TWI671929 B TW I671929B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- substrate
- organic light
- sealant
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims abstract description 57
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 29
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 134
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
一種有機發光顯示設備，包含第一基板、於第一基板上界定主動區且包含絕緣層的顯示單元、位在顯示單元上的第二基板、位在主動區外且在絕緣層上的一或多條訊號線、以及在第一基板與第二基板之間的密封劑。密封劑接合第一基板及第二基板，且覆蓋至少一部分的訊號線。
Description
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2014年2月19日向韓國智慧財產局所申請之韓國專利申請案第10-2014-0019222號之優先權及效益，其全部內容併入本文以作為參考。
本發明的實施例之態樣關於一種有機發光顯示設備。
一般而言，顯示設備，像是包含薄膜電晶體(TFT)的有機發光顯示設備已備受矚目，因為顯示設備能多方面地應用至移動顯示裝置，如智慧型手機、平板個人電腦(PC)、超薄筆記型電腦、數位相機、攝影機或個人數位助理(PDA)，或應用至電氣/電子產品，如超薄電視(TV)。
可密封有機發光顯示設備的頂表面與底表面之間的空隙，以保護有機發光裝置免於外部衝擊或雜質。為此，頂表面與底表面之間的空隙可塗上密封構件，且經由硬化密封構件而接合了頂表面與底表面。經由被密封構件所接合的頂表面及底表面之間的黏著性的程度可影響顯示器的壽命及可靠性。
本發明的一或多個實施例包含有機發光顯示設備。附加的態樣一部分將在下面的描述中闡述，一部分將從描述而顯而易見，或可經由所提出的實施例的實施而獲知。
根據本發明的實施例，提供了一種有機發光顯示設備。有機發光顯示設備包含第一基板、於第一基板上界定主動區且包含絕緣層的顯示單元、位在顯示單元上的第二基板、位在主動區外且在絕緣層上的一或多條訊號線、以及在第一基板與第二基板之間的密封劑。密封劑接合第一基板及第二基板，且覆蓋至少一部分的訊號線。
顯示單元可包含含有第一電極、第二電極及在第一電極與第二電極之間的中間層的有機發光裝置。訊號線可電性連接至第二電極。
有機發光顯示設備可進一步包含位在絕緣層上的鈍化層，以及位在鈍化層上且電性連接第二電極及訊號線的金屬層。
金屬層可包含與第一電極相同的材料。
有機發光顯示設備可進一步包含覆蓋金屬層且具有接觸孔的像素限定層。第二電極可在像素限定層上且通過接觸孔接觸金屬層。
像素限定層可與密封劑分離。
絕緣層可具有填充有密封劑的第一孔。
根據本發明的另一實施例，提供了一種有機發光顯示設備。有機發光顯示設備包含第一基板、於第一基板上界定主動區且包含絕緣層的顯示單元、位在顯示單元上的第二基板、位在主動區外且在絕緣層上的一或多條訊號線、位在訊號線上且具有第二孔的像素限定層、以及在第一基板與第二基板之間的密封劑。密封劑接合第一基板及第二基板，覆蓋至少一部分的訊號線及至少一部分的像素限定層，且通過第二孔接觸訊號線。
顯示單元可包含含有第一電極、第二電極、以及在第一與第二電極之間的中間層的有機發光裝置。訊號線可電性連接至第二電極。
有機發光顯示設備可進一步包含位在絕緣層上的鈍化層、以及位在鈍化層上且經由接觸訊號線而電性連接第二電極及訊號線的金屬層。
金屬層可包含與第一電極相同的材料。
像素限定層可位在金屬層上且具有接觸孔。第二電極可位在像素限定層上且通過接觸孔而接觸金屬層。
密封劑可與第二電極分離。
絕緣層可具有填充有密封劑的第一孔。
1‧‧‧有機發光顯示設備
10‧‧‧接點單元
20‧‧‧絕緣層
101‧‧‧第一基板
102‧‧‧第二基板
103‧‧‧緩衝層
200、2200‧‧‧顯示單元
202‧‧‧主動層
203‧‧‧閘極絕緣層
204‧‧‧閘極電極
205‧‧‧層間絕緣層
206‧‧‧源極電極
207‧‧‧汲極電極
208‧‧‧鈍化層
211‧‧‧第一電極
213、2213‧‧‧像素限定層
214‧‧‧中間層
215‧‧‧第二電極
300‧‧‧訊號線
400‧‧‧金屬層
500、2500‧‧‧密封劑
AA‧‧‧主動區
D1、D2‧‧‧預定距離
H0‧‧‧接觸孔
H1‧‧‧第一孔
H2‧‧‧第二孔
OLED‧‧‧有機發光二極體
P1、P2‧‧‧區域
TFT‧‧‧薄膜電晶體
本發明的這些及其他態樣從下列結合附圖的例示性實施例的描述將變得顯而易見且更容易理解，其中：第1圖係為根據本發明的實施例的一部分的有機發光顯示設備的示意平面圖；第2圖係為沿著第1圖的線II-II’截取的第1圖的有機發光顯示設備的剖視圖；第3圖係為第2圖的區域P1的平面圖；第4圖係為根據本發明的另一實施例的一部分的有機發光顯示設備的示意剖視圖；以及第5圖係為第4圖的區域P2的平面圖。
如同本發明允許各種變化及多種實施例，例示性實施例將繪示於圖式中且詳細描述於書面說明中。提供用於繪示本發明所述實施例的附圖，以較佳理解本發明及其態樣。然而，本發明可以多種不同形式實施，且不應被解釋為受限於本文所闡述的實施例。
在下文中，本發明將經由描述參照附圖的例示性實施例而詳細描述。圖式中的相同參考符號表示相同元件，且可省略重複的描述。雖然可使用諸如「第一(first)」、「第二(second)」等的術語以描述各種組件，這樣的組件並不受限於上述術語。可使用上述術語以將一組件與另一組件區分開來。
以單數使用的表述語涵蓋複數表述語，除非其於上下文中具有明顯不同的含義。在本說明書中，要理解的是術語如「包含(including)」、「具有(having)」及「包含(comprising)」意圖表示揭露於說明書中的特徵、數字、步驟、操作、組件、部分或其組合的存在，且不意圖排除可存在或可添加一或多個其他特徵、數字、步驟、操作、組件、部分或其組合的可能性。
將理解的是，當組件如層、膜、區域或平面被稱為在另一組件「上(on)」時，組件可直接地在其他組件上或可存在中間組件。圖式中組件的尺寸可為了方便解釋而誇大，且本發明的實施例並不限於此。
在本文中，當描述本發明的實施例時，述語「可(may)」的使用表示「本發明的一或多個實施例」。此外，當描述本發明的實施例時，擇一語言如「或(or)」的使用，表示用於各對應的所列項目的「本發明的一或多個實施例」。
第1圖係為根據本發明的實施例的一部分的有機發光顯示設備1的示意平面圖。第2圖係為沿著第1圖的線II-II’截取的第1圖的有機發光顯示設備1的剖視圖。第3圖係為第2圖的區域P1的平面圖。
參照第1圖及第2圖，有機發光顯示設備1包含第一基板101、於第一基板101上界定主動區AA的顯示單元200、排列在主動區AA外的一或多條訊號
線300(其可包含，例如，用於提供訊號的訊號線或用於提供電源的電源線)、排列在顯示單元200上的第二基板102、以及接合第一及第二基板101及102的密封劑500。
第一基板101可為可撓性基板且可由具有高耐熱性及持久性的塑膠形成。然而，第一基板101並不限於此，且在其他實施例中可由各種材料如金屬或玻璃形成。
顯示單元200在第一基板101上界定主動區AA。顯示單元200包含電性連接至彼此的有機發光二極體(OLED)及薄膜電晶體(TFT)。接點單元10係圍繞主動區AA的底部而排列，且可從電源供應器或訊號產生器傳送電子訊號至主動區AA。在下文中，顯示單元200將進一步參照第2圖而描述。
緩衝層103可形成在第一基板101上。緩衝層103可形成在第一基板101的整個表面上，例如，同時在主動區AA及圍繞主動區AA的區域上。緩衝層103減少或防止雜質滲透至第一基板101，且提供第一基板101的頂表面一個平坦的表面。緩衝層103可為由各種類型的材料形成。
一或多個絕緣層20可形成在第一基板101上。絕緣層20可包含閘極絕緣層203及層間絕緣層205。
薄膜電晶體可形成在緩衝層103上。薄膜電晶體可包含主動層202、閘極電極204、源極電極206及汲極電極207。
主動層202可由無機半導體如非晶矽(amorphous silicon)及多晶矽(polysilicon)、有機半導體或化合物半導體所形成。主動層202包含源極區域、汲極區域及通道區域。
閘極絕緣層203形成在主動層202上。閘極絕緣層203可形成以對應至第一基板101的整個表面。例如，閘極絕緣層203可形成以同時對應至設置在第一基板101上的主動區AA及圍繞主動區AA的區域。閘極絕緣層203將閘極電
極204與主動層202隔離。閘極絕緣層203可由有機材料或無機材料如氮化矽(SiNx)及二氧化矽(SiO2)形成。
閘極電極204形成在閘極絕緣層203上。閘極電極204可包含一或多個材料如金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鋁(Al)、鉬(Mo)、或合金如鋁-釹(Al-Nd)合金或鉬-鎢(Mo-W)合金。然而，包含在閘極電極204的材料並不限於此，且在其他實施例中，閘極電極204可根據閘極電極204的結構，由一或多個種類型的材料所形成。
層間絕緣層205形成在閘極電極204上。層間絕緣層205可形成以對應至第一基板101的整個表面。例如，層間絕緣層205可形成以對應至主動區AA及圍繞主動區AA的區域。
層間絕緣層205排列在閘極電極204與源極電極206之間，以及閘極電極204與汲極電極207之間，以將閘極電極204與源極及汲極電極206及207隔離。層間絕緣層205可由無機材料如氮化矽(SiNx)及二氧化矽(SiO2)形成。
訊號線300可形成在層間絕緣層205上。訊號線300可排列在主動區AA外。訊號線300可電性連接至第二電極215，且提供電源至第二電極215。例如，訊號線300可為陰極電源線(ELVSS)。當訊號線300為陰極電源線(ELVSS)時，陰極電源線(ELVSS)可連接至具有低於共用電源供應電壓的電壓的陰極電源，例如，陰極電源可具有接地電壓(ground voltage)或負電壓。訊號線300可由相同材料形成，且通過與源極電極206或汲極電極207相同製程形成。
一或多個第一孔H1可形成在絕緣層20。第一孔H1可排列在主動區AA外。可有複數個第一孔H1。因為第一孔H1可形成在絕緣層20且密封劑500可藉由填充第一孔H1而形成在絕緣層20上，可增加密封劑500的接觸區域。據此，可改善第一基板101及第二基板102的附著性。
源極電極206及汲極電極207形成在層間絕緣層205上。特別地，形成(例如，以接觸孔)層間絕緣層205及閘極絕緣層203以露出主動層202的源極區域及汲極區域，且形成汲極電極206及汲極電極207，以分別接觸主動層202的露出的源極區域及汲極區域。
第2圖顯示依序包含主動層202、閘極電極204、汲極電極206及汲極電極207的上閘極型(top-gate-type)薄膜電晶體。然而，本發明並不限於此，且在其他實施例中，閘極電極204可排列在主動層202下。
薄膜電晶體係電性連接至有機發光二極體以操作有機發光二極體，且被鈍化層208所覆蓋及保護。鈍化層208可包含無機絕緣層及/或有機絕緣層。鈍化層208可覆蓋一部分的金屬層400。
金屬層400可形成在鈍化層208上且可接觸訊號線300。因為金屬層400接觸訊號線300，第二電極215及訊號線300可電性連接。金屬層400可由與第一電極211相同的材料形成且通過與第一電極211相同的製程形成。
有機發光二極體形成在鈍化層208上。有機發光二極體可包含第一電極211、中間層214及第二電極215。
第一電極211形成在鈍化層208上。更詳細來說，鈍化層208可形成(例如，以接觸孔)以露出固定(set)或預定部分的汲極電極207以不覆蓋其整個部分，且第一電極211可形成以連接至汲極電極207的露出部分。在第2圖的實施例中，第一電極211可為反射電極。第二電極215可排列成面對第一電極211且可為透明或半透明電極。因此，第二電極215可傳送從包含在中間層214的有機發射層所發射的光。也就是說，從有機發射層所發射的光為直接反射，或經由形成如反射電極的第一電極211而反射，且然後可發射至第二電極215。
然而，在本發明的有機發光顯示設備1並不限於頂部發射型(top emission type)，且在其他實施例中，可為底部發射型(bottom emission type)，其
中從有機發射層發射的光係發射至第一基板101。在這種情況下，第一電極211可形成如透明或半透明電極，且第二電極215可形成如反射電極。在又一其他實施例中，有機發光顯示設備1可為雙重發射型(dual emission type)，其中光發射至有機發光顯示設備1的頂及底表面。
像素限定層213由絕緣材料在第一電極211上形成。像素限定層213可形成在訊號線300上且可覆蓋金屬層400。在像素限定層213中，可形成接觸孔H0(或複數個接觸孔)。第二電極215形成在像素限定層213上，且可通過接觸孔H0而接觸金屬層400。第二電極215可通過金屬層400而電性連接至訊號線300。
像素限定層213露出固定或預定部分的第一電極211，且中間層214設置在第一電極211的露出部分上。中間層214包含有機發光層。中間層214可進一步包含電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層、電子傳輸層及電子注入層至少其中之一。然而，本發明並不限於此，且在其他實施例中，中間層214可進一步包含各種功能層。
第二基板102排列在第二電極215上。第二基板102可為可撓性基板，且可由具有高耐熱性及持久性的塑膠所形成。然而，第二基板102並不限於此，且在其他實施例中可由各種材料如金屬或玻璃所形成。
密封劑500設置在第一與第二基板101與102之間以接合基板。密封劑500可形成在主動區AA外。密封劑500可包含玻璃料(frit)。密封劑500可作用為主要阻隔層(main barrier)，其減少或防止顯示單元200的有機材料由於雜質如來自外面的氧及濕氣而被污染。
密封劑500可形成在絕緣層20上。密封劑500可經由填充形成在絕緣層20的第一孔H1而形成。據此，可改善第一基板101及第二基板102的黏著性。
密封劑500可覆蓋至少一些部分的訊號線300。據此，形成密封劑500的區域增加至形成訊號線300的區域。因此，可改善第一基板101及第二基板
102的黏著性。如果密封劑500形成在像素限定層213上，密封劑500及像素限定層213的黏著性可能不夠強，且因此，密封劑500可能從像素限定層213分離。據此，密封劑500可形成為與像素限定層213分離(如經由固定或預定距離而與像素限定層213分離)。
在下文中，形成密封劑500的區域將參照第3圖而進一步詳細描述。
參照第3圖，密封劑500經由覆蓋至少一些部分的訊號線300而形成。一些部分的訊號線300接觸金屬層400。金屬層400覆蓋以像素限定層213。因為密封劑500經由覆蓋至少一些部分的訊號線300而形成，形成密封劑500的區域增加。因此，改善第一及第二基板101及102的黏著性，且改善有機發光顯示設備1的可靠性。當密封劑500與像素限定層213分離(例如，密封劑500可經由固定或預定距離D1而與像素限定層213分離)，可防止當密封劑500形成在像素限定層213上發生的接觸瑕疵。
第4圖係為根據本發明的另一實施例的一部分的有機發光顯示設備的示意剖視圖。第5圖係為第4圖的區域P2的平面圖。
第4圖及第5圖的實施例將與第2圖及第3圖的實施例比較而描述。圖式中的相同參考符號代表相同元件，且可省略重複的描述。
參照第4圖，有機發光顯示設備包含第一基板101、於第一基板101上界定主動區AA的顯示單元2200、形成在主動區AA外的一或多條訊號線300、排列在顯示單元2200上的第二基板102、以及接合第一基板101及第二基板102的密封劑2500。
像素限定層2213由絕緣材料而形成在第一電極211上。像素限定層2213也形成在金屬層400上。接觸孔H0(或複數個接觸孔)形成在像素限定層
2213中。第二電極215形成在像素限定層2213上，且可通過接觸孔H0而接觸金屬層400。第二電極215可通過金屬層400而電性連接至訊號線300。
第二孔H2(或複數個第二孔)可形成在對應至訊號線300的像素限定層2213中。據此，可露出一些部分的訊號線300。
密封劑2500覆蓋至少一些部分的訊號線300。因此，形成密封劑2500的區域經由形成此部分的訊號線300的區域增加。因此，可改善第一基板101及第二基板102的黏著性。此外，密封劑2500可形成在像素限定層2213上。通過第二孔H2，密封劑2500及訊號線300可進一步接觸彼此。因此，雖然密封劑2500及像素限定層2213的黏著性可能不夠強，形成密封劑2500的區域可經由形成像素限定層2213的一部分區域而增加。據此，可改善第一基板101及第二基板102的黏著性。密封劑2500可與第二電極215分離以防止對第二電極215的損壞。
在下文中，形成密封劑2500的區域將參照第5圖進一步詳細描述。
參照第5圖，密封劑2500經由覆蓋至少一些部分的訊號線300而形成。一些部分的訊號線300接觸金屬層400。像素限定層2213形成在金屬層400上，且第二孔H2形成在像素限定層2213(例如，對應至訊號線300)中。因此，密封劑2500可通過第二孔H2而接觸訊號線300。據此，形成密封劑2500的區域可經由一部分的像素限定層2213而增加。
因為形成密封劑2500的區域增加，可改善第一及第二基板101及102的黏著性，且因此，可改善有機發光顯示設備的可靠性。密封劑2500可經由固定或預定距離D2而與第二電極215分離。因為密封劑2500與第二電極215分離，可防止當密封劑2500接觸第二電極215時發生對第二電極215的損壞。
如同上述，根據一或多個本發明的上述實施例，經由改善有機發光顯示設備的頂及底基板，也就是第一及第二基板101及102的黏著性，可改善有機發光顯示設備的壽命及可靠性。
應理解的是，本文所述的例示性實施例應被認為僅為描述意義且不用於限制的目的。在各實施例中的特徵或態樣的描述應被認為一般可用於在其他實施例中的其他類似特徵或態樣。
雖然本發明的一或多個實施例已經參照圖式而描述，其將為所屬技術領域中的通常知識者理解的是，在不脫離經由下列的申請專利範圍及其等效物所定義的本發明的精神及範疇下，可在其中的形式及細節上作出各種變化。
Claims (10)
- 一種有機發光顯示設備，包含：一第一基板；一顯示單元，於該第一基板上界定一主動區且包含一絕緣層；一第二基板，位在該顯示單元上；一陰極電源線，位在該主動區外且在該絕緣層上；以及一密封劑，在該第一基板與該第二基板之間，接合該第一基板及該第二基板，且覆蓋至少一部分的該陰極電源線；其中，該密封劑與該陰極電源線以一相同方向實質上彼此平行地延伸；以及其中，該密封劑重疊並接觸該陰極電源線的一外部邊緣部分。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該顯示單元包含含有一第一電極、一第二電極以及在該第一電極與該第二電極之間的一中間層的一有機發光裝置；以及其中該陰極電源線電性連接至該第二電極。
- 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示設備，進一步包含：一鈍化層，位在該絕緣層上；以及一金屬層，位在該鈍化層上且電性連接該第二電極及該陰極電源線。
- 如申請專利範圍第3項所述之有機發光顯示設備，其中該金屬層包含與該第一電極相同的材料。
- 如申請專利範圍第3項所述之有機發光顯示設備，進一步包含覆蓋該金屬層且具有一接觸孔的一像素限定層，其中該第二電極為在該像素限定層上且通過該接觸孔接觸該金屬層。
- 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示設備，其中該像素限定層與該密封劑分離。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該絕緣層具有填充有該密封劑的一第一孔。
- 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示設備，其中該密封劑覆蓋至少一部分的該像素限定層。
- 如申請專利範圍第8項所述之有機發光顯示設備，其中該像素限定層具有在該陰極電源線上的一第二孔，以及該密封劑通過該第二孔接觸該陰極電源線。
- 如申請專利範圍第8項所述之有機發光顯示設備，其中該密封劑與該第二電極分離。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ??10-2014-0019222 | 2014-02-19 | ||
| KR1020140019222A KR102184676B1 (ko) | 2014-02-19 | 2014-02-19 | 유기 발광 표시 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201533946A TW201533946A (zh) | 2015-09-01 |
| TWI671929B true TWI671929B (zh) | 2019-09-11 |
Family
ID=53798905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW103129166A TWI671929B (zh) | 2014-02-19 | 2014-08-25 | 有機發光顯示設備 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US9276054B2 (zh) |
| KR (1) | KR102184676B1 (zh) |
| CN (1) | CN104851902B (zh) |
| TW (1) | TWI671929B (zh) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102184676B1 (ko) * | 2014-02-19 | 2020-12-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102239840B1 (ko) * | 2014-04-28 | 2021-04-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR102360783B1 (ko) | 2014-09-16 | 2022-02-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR20160046072A (ko) | 2014-10-17 | 2016-04-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102303242B1 (ko) | 2014-10-17 | 2021-09-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102399574B1 (ko) | 2015-04-03 | 2022-05-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN108292488A (zh) | 2016-01-21 | 2018-07-17 | 苹果公司 | 有机发光二极管显示器的电源和数据路由结构 |
| KR102630001B1 (ko) * | 2016-10-31 | 2024-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치, 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이, 및 그의 제조방법 |
| CN106684243B (zh) * | 2017-02-15 | 2019-04-09 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种柔性显示面板及显示装置 |
| CN106876328B (zh) * | 2017-02-20 | 2020-07-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板及其制备方法、显示装置 |
| KR102482408B1 (ko) | 2017-05-19 | 2022-12-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| US11387313B2 (en) * | 2017-05-22 | 2022-07-12 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display panel and display apparatus |
| CN107195657A (zh) * | 2017-05-22 | 2017-09-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| CN115207061A (zh) * | 2017-05-23 | 2022-10-18 | 索尼半导体解决方案公司 | 显示装置和电子设备 |
| KR102392708B1 (ko) * | 2017-09-25 | 2022-04-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 보조 전극을 포함하는 디스플레이 장치 |
| KR102417112B1 (ko) * | 2017-09-28 | 2022-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| CN107611283B (zh) * | 2017-10-13 | 2023-10-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled面板的制作方法及oled面板 |
| KR102479020B1 (ko) * | 2017-11-28 | 2022-12-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102460550B1 (ko) * | 2017-12-04 | 2022-10-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 |
| KR102457997B1 (ko) * | 2017-12-29 | 2022-10-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시장치 |
| KR102495122B1 (ko) * | 2018-01-23 | 2023-02-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102578423B1 (ko) * | 2018-07-03 | 2023-09-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 다중패널 유기발광 표시장치 |
| KR102684270B1 (ko) * | 2018-10-05 | 2024-07-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| CN111370439A (zh) * | 2018-12-07 | 2020-07-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| KR20200111845A (ko) | 2019-03-19 | 2020-10-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN110137222B (zh) * | 2019-04-29 | 2021-12-24 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN110444690B (zh) * | 2019-08-20 | 2022-03-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
| CN114731745A (zh) | 2019-12-10 | 2022-07-08 | 索尼集团公司 | 显示装置和电子设备 |
| CN113867053B (zh) * | 2020-06-30 | 2023-05-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020074936A1 (en) * | 2000-09-18 | 2002-06-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the display device |
| US20110291119A1 (en) * | 2010-05-28 | 2011-12-01 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
| US20130049062A1 (en) * | 2011-08-24 | 2013-02-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-Emitting Device |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6858898B1 (en) * | 1999-03-23 | 2005-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US6876145B1 (en) * | 1999-09-30 | 2005-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device |
| US6825496B2 (en) * | 2001-01-17 | 2004-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP4720069B2 (ja) * | 2002-04-18 | 2011-07-13 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2003317934A (ja) | 2002-04-22 | 2003-11-07 | Asahi Glass Co Ltd | 有機ｅｌ表示装置とその製造方法 |
| JP4240276B2 (ja) * | 2002-07-05 | 2009-03-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US7050131B2 (en) * | 2002-10-17 | 2006-05-23 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display device having black seal pattern and external resin pattern, and method of fabricating the same |
| WO2005022496A2 (en) * | 2003-08-29 | 2005-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| US7538488B2 (en) * | 2004-02-14 | 2009-05-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display |
| KR100669710B1 (ko) * | 2004-02-18 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 디스플레이 장치 |
| US7815480B2 (en) | 2007-11-30 | 2010-10-19 | Corning Incorporated | Methods and apparatus for packaging electronic components |
| KR101378439B1 (ko) | 2008-08-20 | 2014-03-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100995068B1 (ko) | 2008-10-29 | 2010-11-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20110019498A (ko) * | 2009-08-20 | 2011-02-28 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
| KR101564630B1 (ko) | 2009-08-24 | 2015-10-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 |
| KR101074801B1 (ko) | 2009-09-09 | 2011-10-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 발광 표시 장치 |
| KR101710181B1 (ko) | 2010-10-27 | 2017-02-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시 장치 및 평판 표시 장치 제조 방법 |
| KR101813906B1 (ko) | 2011-03-15 | 2018-01-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 패널 |
| KR101785561B1 (ko) * | 2011-06-16 | 2017-11-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 강화된 씰링부를 가지는 표시 장치 |
| KR20130007006A (ko) | 2011-06-28 | 2013-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR101463650B1 (ko) * | 2011-08-30 | 2014-11-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR102184676B1 (ko) * | 2014-02-19 | 2020-12-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
-
2014
- 2014-02-19 KR KR1020140019222A patent/KR102184676B1/ko active IP Right Grant
- 2014-07-10 US US14/328,338 patent/US9276054B2/en active Active
- 2014-08-25 TW TW103129166A patent/TWI671929B/zh active
- 2014-11-27 CN CN201410709419.4A patent/CN104851902B/zh active Active
-
2016
- 2016-01-05 US US14/987,757 patent/US9780328B2/en active Active
-
2017
- 2017-09-13 US US15/703,224 patent/US10381593B2/en active Active
-
2019
- 2019-07-16 US US16/513,075 patent/US11018317B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020074936A1 (en) * | 2000-09-18 | 2002-06-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the display device |
| US20110291119A1 (en) * | 2010-05-28 | 2011-12-01 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
| US20130049062A1 (en) * | 2011-08-24 | 2013-02-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-Emitting Device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US10381593B2 (en) | 2019-08-13 |
| KR20150098284A (ko) | 2015-08-28 |
| CN104851902A (zh) | 2015-08-19 |
| CN104851902B (zh) | 2020-11-03 |
| US11018317B2 (en) | 2021-05-25 |
| KR102184676B1 (ko) | 2020-12-01 |
| US20190341578A1 (en) | 2019-11-07 |
| US20150236297A1 (en) | 2015-08-20 |
| US20180006268A1 (en) | 2018-01-04 |
| US9276054B2 (en) | 2016-03-01 |
| US20160118618A1 (en) | 2016-04-28 |
| US9780328B2 (en) | 2017-10-03 |
| TW201533946A (zh) | 2015-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI671929B (zh) | 有機發光顯示設備 | |
| US11398537B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus | |
| US9305985B2 (en) | Organic light-emitting diode (OLED) display and method of manufacturing the same | |
| US9496320B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus | |
| KR20150017978A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR20170090382A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| US8860035B2 (en) | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof | |
| KR20150003581A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20150019951A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR102421595B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR102328680B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR102354978B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR102561618B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 |