CN110391222B

CN110391222B - 显示面板和电子设备

Info

Publication number: CN110391222B
Application number: CN201910682871.9A
Authority: CN
Inventors: 赵影
Original assignee: Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Current assignee: Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Priority date: 2019-07-26
Filing date: 2019-07-26
Publication date: 2021-08-03
Anticipated expiration: 2039-07-26
Also published as: CN110391222A

Abstract

本发明提供一种显示面板和电子设备，显示面板包括阵列基板、ELVSS走线；阵列基板包括像素电路栅极层、ELVSS层以及第一TFT单元，其中，ELVSS走线与ELVSS层连接，第一TFT单元连接所述ELVSS走线和所述像素电路栅极层形成静电释放路径，从而以第一TFT单元将ELVSS走线上累积的静电能量释放至像素电路栅极层，提高了显示面板ESD防护能力，降低因电荷积累而导致水汽进入显示面板的可能性，提高显示面板的可靠性，进而提高了电子设备的可靠性。

Description

显示面板和电子设备

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和电子设备。

背景技术

目前在平板显示行业，有源矩阵有机发光二极管(Active-matrix organiclight-emitting diode，简称：AMOLED)相比与传统的液晶显示器来说，具有响应速度快、无需背光灯、对比度更高、整体结构更加轻薄、视角较广可制成柔性产品等优点，而广泛应用于显示面板。但显示面板中的有机电致发光材料对氧气及水蒸气特别敏感，如果OLED器件受到氧气及水蒸气侵蚀，很可能导致显示面板显示异常。

目前，显示面板通常采用玻璃料(Frit)封装的方式进行封装。Frit封装是将玻璃料印刷在盖板玻璃上，采用激光束移动加热玻璃料熔化形成气密式封装，玻璃料熔化在玻璃基板上形成一层密封体。

然而，现有的显示面板仍存在水汽进入封装层之内，导致显示面板工作异常的问题。

发明内容

本发明提供一种显示面板和电子设备，提高了显示面板ESD防护能力，降低因电荷积累而导致水汽进入显示面板的可能性，提高显示面板的可靠性，进而提高了电子设备的可靠性。

本发明的第一方面，提供了一种显示面板，包括：阵列基板、ELVSS走线；

所述阵列基板包括像素电路栅极层、ELVSS层以及第一TFT单元；

其中，所述ELVSS走线与所述ELVSS层连接；

所述第一TFT单元连接所述ELVSS走线和所述像素电路栅极层。

作为本发明的第一方面的一种可选方案，所述第一TFT单元的个数为多个。

作为本发明的第一方面的另一种可选方案，所述ELVSS走线包括相互连接的多个走线段，所述多个走线段沿屏体封装内边界分布；

每个所述走线段通过至少一个所述第一TFT单元连接至所述像素电路栅极层。

作为本发明的第一方面的再一种可选方案，所述第一TFT单元包括至少一个TFT开关；

所述至少一个TFT开关串联连接在所述ELVSS走线和所述像素电路栅极层之间。

作为本发明的第一方面的又一种可选方案，还包括：膜层电阻层；

所述第一TFT单元通过所述膜层电阻层与所述ELVSS走线连接，

或者，所述第一TFT单元通过所述膜层电阻层与所述像素电路栅极层连接。

作为本发明的第一方面的又一种可选方案，还包括：封装层和外部基板；

所述外部基板包括外部栅极层和第二TFT单元；

所述封装层设置于所述阵列基板之上，对所述阵列基板封装；

所述ELVSS走线包括设置在所述封装层之下的第一走线段和设置在所述封装层之上的第二走线段，且所述第一走线段贯穿所述封装层与所述第二走线段连接；

所述第一走线段通过所述第一TFT单元连接所述像素电路栅极层，所述第二走线段通过所述第二TFT单元连接所述外部栅极层。

作为本发明的第一方面的又一种可选方案，所述封装层为玻璃料Frit封装层。

作为本发明的第一方面的又一种可选方案，还包括：柔性电路板、静电保护元件；

所述静电保护元件的一端连接所述ELVSS走线，另一端连接至所述柔性电路板的接地端。

作为本发明的第一方面的又一种可选方案，所述静电保护元件包括二极管。

本发明的第二方面，提供了一种电子设备，包括：本发明第一方面及第一方面各种可能的方案中任一所述的显示面板。

本发明公开了一种显示面板和电子设备，显示面板包括阵列基板、ELVSS走线；阵列基板包括像素电路栅极层、ELVSS层以及第一TFT单元，其中，ELVSS走线与ELVSS层连接，第一TFT单元连接所述ELVSS走线和所述像素电路栅极层形成静电释放路径，从而以第一TFT单元将ELVSS走线上累积的静电能量释放至像素电路栅极层，提高了显示面板ESD防护能力，降低因电荷积累而导致水汽进入显示面板的可能性，提高显示面板的可靠性，进而提高了电子设备的可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种显示面板结构示意图；

图2是本发明实施例提供的另一种显示面板结构示意图；

图3是本发明实施例提供的一种第一TFT单元的电路原理示意图；

图4是本发明实施例提供的再一种显示面板结构示意图。

附图标记：

1-显示面板；

2-阵列基板；

3-ELVSS走线；

31-走线段；

4-第一TFT单元；

41-TFT开关；

5-柔性电路板；

6-静电保护元件。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。

在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个、三个等，除非另有明确具体的限定。“A、B和C”是指A、B、C三者都包括；“A、B或C”是指A、B、C三者之一；“A、B和/或C”是指包括A、B、C三者中任1个或任2个或3个。

应当理解，在本发明中，“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，为开放式的用语，故应解释成“包含但不限定于”和“具有但不限定于”。例如，包含了一系列单元的系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些产品或设备固有的其它单元。

下面以具体地实施例对本发明的技术方案进行详细说明。所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终以相同或类似的标号表示相同或类似的组件或具有相同或类似功能的组件。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。

现有的AMOLED显示面板出现显示异常的原因之一，是OLED器件受到氧气及水蒸气侵蚀失效。目前，在采用玻璃料(Frit)封装的方式封装的显示面板结构中，Frit封装内外边界通常都有屏体的ELVSS走线。而显示面板的组装和使用过程中，静电电荷大量积累，都可能会发生静电放电(Electrostatics Discharge，简称：ESD)现象。而显示面板Frit封装边界附近的ELVSS走线，在ESD作用下会产生电荷积累，将进一步造成水汽进入封装结构内，进而导致显示面板工作异常。

目前屏体设计方案Frit内外边界走线多为ELVSS电源信号。为了避免ESD作用下，ELVSS走线的电荷积累导致水汽进入，而造成OLED器件失效，本发明提供了一种显示面板，通过对屏体的ELVSS走线设置ESD防护，将ELVSS走线可能积累的电荷释放到像素电路栅极层，降低因电荷积累而导致水汽进入显示面板的可能性，提高显示面板的可靠性，以保证封装性能和AMOLED屏体的正常显示。

参见图1，是本发明实施例提供的一种显示面板结构示意图。如图1所示的显示面板1包括阵列基板2、ELVSS走线3。现有的阵列基板2通常是用于设置控制像素工作的像素电路，而阵列基板2中的像素电路通常是由层叠设置的一些驱动管、功率管、充电电容、金属走线等结构构成。图1所示阵列基板2包括像素电路栅极层(图中未示出)、ELVSS层以及第一TFT单元(图中未示出)。可见，与现有的阵列基板2相比，图1所示阵列基板2引入了用于对ELVSS走线3设置ESD防护的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称：TFT)。图1所示的显示面板还包括其他元件，为了简化和方便示意本发明的内容，在图中未示出。

其中，ELVSS走线3与ELVSS层连接，用于引出屏体的ELVSS电源信号。此处的ELVSS层，可以理解为如图1所示的覆盖所有像素电路区域的层结构，其材料例如可以是金属，也可以是其他导电材料。

第一TFT单元可以理解为在阵列基板2上沉积形成的TFT单元。第一TFT单元连接ELVSS走线3和像素电路栅极层。ELVSS走线3、第一TFT单元、像素电路栅极层依次连接，形成了从ELVSS走线3到像素电路栅极层的静电释放路径。第一TFT单元在未导通时，相当于在ELVSS走线3与像素电路栅极层之间设置的隔离电阻；第一TFT单元在导通时，则相当于将ELVSS走线3与像素电路栅极层连通的导线，将ELVSS走线3上积累到一定程度的静电能量，传导至像素电路栅极层。

在一些实施例中，像素电路栅极层还与通常设于非显示区中的驱动芯片相连，并最终将由ELVSS走线3传导来的静电能量再传导至驱动芯片中进行泄放，其具体的泄放方式和结构在本实施例中不做限定。

本实施例提供的一种显示面板1包括阵列基板2、ELVSS走线3；阵列基板2包括像素电路栅极层、ELVSS层以及第一TFT单元，其中，ELVSS走线3与ELVSS层连接，第一TFT单元连接所述ELVSS走线3和所述像素电路栅极层形成静电释放路径，从而以第一TFT单元将ELVSS走线3上累积的静电能量释放至像素电路栅极层，提高了显示面板1的ESD防护能力，降低因电荷积累而导致水汽进入显示面板1的可能性，提高显示面板1的可靠性，进而提高了电子设备的可靠性。

参见图2，是本发明实施例提供的另一种显示面板结构示意图。在图2所示的实施例中，第一TFT单元的个数可以为多个。通过多个并联的第一TFT单元，可以进一步提高ELVSS走线3上静电释放的可靠性。

由于静电可能在ELVSS走线3的不同位置快速累计，因此，将多个第一TFT单元分别连接至ELVSS走线3的不同位置，可以进一步提高静电防护的可靠性。继续参见图2，在具有多个第一TFT单元的实施例中，第一TFT单元与ELVSS走线3的连接位置可以有多种分布方式。在一些实施例中，ELVSS走线3可以包括相互连接的多个走线段31，多个走线段31沿屏体封装内边界分布。其中，多个走线段31可以是等长的走线段31，也可以是非等长的走线段31。ELVSS走线3的设置方式，例如可以是围绕阵列基板2延伸设置。

如图2所示，走线段31可以理解为ELVSS走线3中与第一TFT单元一一对应的部分。每个走线段31通过至少一个第一TFT单元连接至像素电路栅极层。通过多点静电释放，提高显示面板1静电防护的可靠性。

参见图3，是本发明实施例提供的一种第一TFT单元4的电路原理示意图。第一TFT单元4可以包括至少一个TFT开关41，例如图3所示的3个。所述至少一个TFT开关41串联连接在ELVSS走线3和像素电路栅极层之间。在图3所示的结构中，以TFT开关41的栅极和漏极连接为TFT开关41的第一端，以TFT开关41的源极为TFT开关41的第二端。

假如第一TFT单元4是单个TFT开关41，那么TFT开关41的第一端连接ELVSS走线3，第二端连接像素电路栅极层。

假如第一TFT单元4是由多个TFT开关41组成的(例如图3所示的Q1、Q2、Q3)，那么各TFT开关41相互串联，且第一个TFT开关41(例如Q1)的第一端连接ELVSS走线3，最后一个TFT开关41(例如Q3)的第二端连接像素电路栅极层，参见图3。

假设ELVSS走线3电压为-3V，像素电路栅极层电压为-5V～-10V，第一TFT单元4的导通阈值电压为Vth≈1V，那么，在ELVSS走线3电压小于像素电路栅极层电压减第一TFT单元4的导通阈值电压的结果时，第一TFT单元4导通，ELVSS走线3上积累的静电能量由导通的第一TFT单元4传导至像素电路栅极层。

在图3所示实施例中，通过设置由多个TFT开关41串联组成的第一TFT单元4，不仅可以将ELVSS走线上释放的电压分压至多个TFT开关41，降低第一TFT单元4被击穿的可能性；还能够在一个TFT开关被击穿，等效于短路时，以串联的剩余的TFT开关继续实现开关工作，避免了单个TFT开关被击穿后直接将ELVSS走线与像素电路栅极层短路。可见，通过设置多个TFT开关，提高了第一TFT单元的可靠性，进而提高了对ELVSS走线静电防护的可靠性。

在上述以第一开关TFT单元对ELVSS走线3进行静电防护的各种实施例中，还可以包括：膜层电阻层。此处的膜层电阻层，可以理解为具有较大等效阻抗的膜层。本实施例对于形成膜层电阻层的结构不做具体限定，例如可以是具有较大电阻的导电层。膜层电阻层可以增加静电扩散范围，在静电释放的路径上对静电能量进行消耗。

一些实施例中，例如在如图1或图2的结构中，第一TFT单元4通过膜层电阻层与ELVSS走线3连接，以在第一TFT单元4与ELVSS走线3之间的静电释放路径上消耗静电能量。

另一些实施例中，例如在如图1或图2的结构中，第一TFT单元4通过膜层电阻层与像素电路栅极层连接，以在第一TFT单元4与像素电路栅极层之间的静电释放路径上消耗静电能量。

在封装结构的显示面板1结构中，ELVSS走线3是分布在封装内外边界上的。由于内外边界上的ELVSS走线3是相互连通的，因此，通过将ELVSS走线3以第一TFT开关41，构建与像素电路栅极层之间的静电释放路径，可以提高ELVSS走线3的静电防护能力。在上述任一实施例的基础上，还可以对封装结构之外的ELVSS走线3部分增加静电防护。

例如，上述显示面板1可以是包括封装层和外部基板。封装层例如是玻璃料Frit封装层。外部基板例如可以是包括外部栅极层和第二TFT单元。其中，第二TFT单元的栅极层也可以为该外部栅极层。

在一些实施例中，封装层设置于阵列基板2之上，以对阵列基板2封装，例如Frit封装。

为了区分封装边界之内的ELVSS走线3部分和封装边界之外的ELVSS走线3部分，ELVSS走线3包括设置在封装层之下的第一走线段和设置在封装层之上的第二走线段，且第一走线段贯穿封装层与第二走线段连接。第一走线段是与阵列基板2一同被封装在封装层之下的，而第二走线段则是未被封装的ELVSS走线3部分。为了进一步提高ELVSS走线3的静电防护效果，第一走线段通过第一TFT单元4连接像素电路栅极层，而第二走线段可以通过第二TFT单元连接外部栅极层。从而，通过第二走线段、第二TFT单元、外部栅极层，在ELVSS走线3位于封装层之上的部分再形成一条静电释放路径，进一步提高ELVSS走线3的静电防护能力，避免ELVSS走线3静电积累导致水汽进入封装结构内。

上述实施例均为在屏体段对ELVSS走线3进行静电防护，由此无需改变封装方式，且在制作阵列基板2的工艺过程中就能同时制作第一TFT单元4，工艺难度较低，也不需要对屏体结构进行较大的改动。

在上述实施例的基础上，除了在屏体段对ELVSS走线3进行静电防护，还可以在模组段对ELVSS走线3进行静电防护。参见图4，是本发明实施例提供的再一种显示面板结构示意图。如图4所述的实施例中，显示面板1还可以包括柔性电路板5(Flexible PrintedCircuit，简称：FPC)和静电保护元件6。所述静电保护元件6的一端连接所述ELVSS走线3，另一端连接至所述柔性电路板5的接地端。例如，静电保护元件6耦接于柔性电路板5上，并与柔性电路板5的接地端(GND)连接。将ELVSS走线3连接至柔性电路板5上的静电保护元件6，以ELVSS走线3、静电保护元件6、柔性电路板5的地形成了模组段的静电释放路径。

图4所示实施例在前述实施例的基础上，增加了在模组段对ELVSS走线3进行静电防护，从而分担像素电路栅极层和/或外部栅极层的静电释放负担，提高ELVSS走线3静电防护的可靠性，提高了显示面板1ESD防护能力，降低因电荷积累而导致水汽进入显示面板1的可能性，提高显示面板1的可靠性，进而提高了电子设备的可靠性。而且在模组段对ELVSS走线3进行静电防护的结构简单，工艺难度不高。

一些实施例中，静电保护元件6可以包括如图4所示的二极管。例如可以是瞬态二极管(Transient Voltage Suppressor，简称：TVS)。

其中，每个静电保护元件6可以包含单个或者多个二极管。在一个静电保护元件6包含多个二极管的实施例中，多个二极管可以是串联和/或并联地连接在ELVSS走线3和柔性电路板5的地之间。

静电保护元件6的个数也不局限于一个，可以是有多个。例如，多个静电保护元件6并联连接在ELVSS走线3和柔性电路板5的地之间。其中，静电保护元件6与ELVSS走线3连接的位置可以是分布在多个位置上，以实现多点静电释放。

在上述各种显示面板的实施例基础上，本发明还提供了一种电子设备，包括：上述任一实施例所述的显示面板。

上述电子设备可以是是移动设备，也可以是固定设备。

移动设备包括但不限于手机、个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)、平板电脑、便携设备(例如，便携式计算机、袖珍式计算机或手持式计算机)等具有显示功能的移动设备。固定设备包括但不限于门禁、智能固定电话、控制台等具有显示功能的固定设备。本发明实施例对终端的形式并不限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“耦接”、“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等应做广义理解，例如包含任何直接及间接的电气连接手段，因此，若文中描述一第一装置耦接于一第二装置，则代表该第一装置可直接电气连接于该第二装置，或者透过其他装置或连接手段间接地电气连接至该第二装置。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，取决于语境，术语“若”、“响应”等应做广义理解，可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”或“响应于检测”。此外，术语“连接”一词在此包含任何直接及间接的电气连接手段，因此，若文中描述第一元件连接第二元件，则代表该第一元件可直接电气连接该第二元件，或者通过其他元件或连接手段间接地电气连接该第二元件。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims

1.一种显示面板，其特征在于，包括：阵列基板、ELVSS走线；

其中，所述ELVSS走线与所述ELVSS层连接；

所述第一TFT单元连接所述ELVSS走线和所述像素电路栅极层；

还包括：封装层和外部基板；

所述外部基板包括外部栅极层和第二TFT单元；

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一TFT单元的个数为多个。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述ELVSS走线包括相互连接的多个走线段，所述多个走线段沿屏体封装内边界分布；

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一TFT单元包括至少一个TFT开关；

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：膜层电阻层；

所述第一TFT单元通过所述膜层电阻层与所述ELVSS走线连接，

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述封装层为玻璃料Frit封装层。

7.根据权利要求1至5任一所述的显示面板，其特征在于，还包括：柔性电路板、静电保护元件；

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述静电保护元件包括二极管。

9.一种电子设备，其特征在于，包括：权利要求1至8任一所述的显示面板。