CN112736067A - 显示模组及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种显示模组及显示装置,该显示装置包括显示面板、阻隔层、偏光片和静电防护结构。显示面板包括衬底、发光元件层以及薄膜封装层,衬底包括显示区和围绕显示区的非显示区。薄膜封装层覆盖发光元件层。阻隔层位于薄膜封装层背离衬底的一侧,并覆盖显示区。偏光片位于阻隔层背离衬底的一侧;第一胶层,位于阻隔层与偏光片之间,阻隔层位于第一胶层内。静电防护结构位于偏光片与薄膜封装层之间,静电防护结构包围阻隔层。在显示模组中,阻隔层位于偏光片与薄膜封装层之间以防止偏光片失效的问题;静电防护结构包围阻隔层以防止静电电荷进入阻隔层,或分散阻隔层内的静电电荷,或将静电电荷导出,从而避免显示装置出现静电聚集的问题。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示模组及显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode),又称为有机发光二极管。OLED显示面板具有轻薄、亮度高、功耗低、响应快、清晰度高、柔性好、发光效率高等优点。在此基础上,发展出OLED显示装置。但是,目前的OLED显示面板在高温高湿环境下容易出现偏光片失效的问题,导致显示面板在阳光下出现炫目的现象。而且,在目前已有的兼具触控功能的OLED显示面板中,随着使用时间的增长,或者在高温高湿等环境中使用时,产品的触控性能会变差,出现触控灵敏度降低甚至触控失灵等问题。此外,显示面板也会因静电的影响,而出现显示异常问题。
发明内容
本申请提供一种显示模组及显示装置,旨在解决显示模组和显示装置的偏光片失效以及静电积累的问题。
一方面,本申请提出了一种显示模组,包括:显示面板,包括衬底、发光元件层以及薄膜封装层,衬底包括显示区和围绕显示区的非显示区,发光元件层设置于显示区,薄膜封装层覆盖发光元件层;阻隔层,位于薄膜封装层背离衬底的一侧,并覆盖显示区;偏光片,位于阻隔层背离衬底的一侧;第一胶层,位于阻隔层与偏光片之间,在垂直于衬底所在平面的方向上,阻隔层位于第一胶层内;静电防护结构,位于偏光片与薄膜封装层之间,静电防护结构包围阻隔层。
另一方面,本发明实施例提供了一种显示装置,包括上述的显示模组。
根据本申请实施例提供的显示模组和显示装置,阻隔层位于偏光片和薄膜封装层之间,可阻碍薄膜封装层的NH4 +渗透穿过第一胶层,避免其与偏光片发生反应导致偏光片失效。而且静电防护结构位于偏光片与所述薄膜封装层之间,静电防护结构包围阻隔层以防止静电电荷进入阻隔层,或分散阻隔层内的静电电荷,或将静电电荷导出,从而避免显示装置出现静电聚集的问题。
附图说明
下面将参考附图来描述本申请示例性实施例的特征、优点和技术效果。
图1是本申请一实施例公开的一种显示模组的膜层结构示意图;
图2是本申请另一实施例公开的一种显示模组的膜层结构示意图;
图3是本申请另一实施例公开的一种显示模组的膜层结构示意图;
图4是本申请另一实施例公开的一种显示模组的膜层结构示意图;
图5是本申请另一实施例公开的一种显示模组的膜层结构示意图;
图6是本申请另一实施例公开的一种显示模组的膜层结构示意图;
图7是本申请另一实施例公开的一种显示模组的膜层结构示意图;
图8是本申请另一实施例公开的一种显示模组的膜层结构示意图;
图9是本申请另一实施例公开的一种显示模组的膜层结构示意图。
在附图中,附图未必按照实际的比例绘制。
20、显示面板;30、静电防护结构;
110、阻隔层;120、第一胶层;130、偏光片;140、第二光学胶层;150、盖板;
210、衬底;220、发光元件层;230、薄膜封装层;
310、第一子结构;320、第二子结构;330、第三子结构;
331、平直部;332、突起部;333、第一分段;334、第二分段。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请的实施方式作进一步详细描述。以下实施例的详细描述和附图用于示例性地说明本申请的原理,但不能用来限制本申请的范围,即本申请不限于所描述的实施例。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有说明,“多个”的含义是两个以上;术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。“垂直”并不是严格意义上的垂直,而是在误差允许范围之内。“平行”并不是严格意义上的平行,而是在误差允许范围之内。
在本申请的描述中,还需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言,可视具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
为了更好地理解本申请,下面结合图1至图7对本申请实施例进行描述。
本申请实施例提供一种显示模组,参见图1,包括显示面板20、阻隔层110、偏光片130和静电防护结构30。
显示面板20包括衬底210、发光元件层220以及薄膜封装层230,衬底210包括显示区AA和围绕显示区AA的非显示区BA,发光元件层220设置于显示区AA,薄膜封装层230覆盖发光元件层220。
阻隔层110位于薄膜封装层230背离衬底210的一侧,并覆盖显示区AA。
偏光片130位于阻隔层110背离衬底210的一侧;第一胶层120,位于阻隔层110与偏光片130之间,在垂直于衬底210所在平面的方向上,阻隔层110位于第一胶层120内。
静电防护结构30位于偏光片130与薄膜封装层230之间,静电防护结构30包围阻隔层110。
显示模组可为柔性显示模组或普通的刚性显示模组。根据柔性显示模组或普通的刚性显示模组的不同,显示面板20中的衬底210选择合适的材料。如为柔性显示模组,衬底210可以为金属薄片、超薄玻璃、塑胶基板。金属薄片可以是不锈钢衬底210。超薄玻璃可以是30微米左右厚度的玻璃。塑胶基板为较优选择,可以是聚酰亚胺薄膜材料(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯材料(PET)或者聚氨酯中的任意一种或多种。
发光元件层220包括OLED像素和驱动电路。OLED像素淀积或集成在TFT阵列上,通过TFT阵列来控制流入每个OLED像素的电流大小,从而决定每个像素点发光强度的显示技术。
在垂直显示面板20的方向上,阻隔层110、第一胶层120、偏光片130依次叠置在薄膜封装层230上。
发明人经过大量的研究发现,在目前常用的显示面板的结构中,在对发光元件进行有效封装的基础上,为了提高显示面板的可挠曲特性,通常会将封装层设置为包括层叠设置的无机封装层和有机封装层的薄膜封装层(Thin Film Encapsulation,简称TFE)。无机封装层的形成工艺一般采用化学气相沉积。在无机封装层的沉积过程中,通常需要采用微波或射频等使含有膜层所需原子的气体电离形成等离子体,利用等离子体容易发生反应的高化学活性,在衬底上沉积出目标薄膜。例如,在无机层包括氮化硅等硅的氮化物薄膜时,通常会在反应腔室内通入氨气作为氮源。如此一来,在形成的无机封装层中可能残存有未发生反应的氨气。后续氨气可能会从薄膜封装层中会析出,氨气在高温高湿的环境下生成NH4 +,并扩散到显示面板中的其他膜层。
除此之外,为了减弱环境光的反射,提高显示画面的对比度,通常还会在显示面板的出光侧设置偏光片。对于碘系偏光片来说,其在使用过程中会析出碘离子。在显示面板处于高温高湿环境时,外界环境中的水汽也容易绕过偏光片进入显示面板中。碘离子和上述薄膜封装层所析出的NH4 +会扩散接触反应,导致偏光片失效。而本申请实施例的显示模组,在偏光片130和薄膜封装层230之间设置阻隔层,可阻碍薄膜封装层230的NH4 +与偏光片析出的碘离子反应,从而避免偏光片130失效,提高显示效果。
第一胶层120,可为光学胶,用于将偏光片130固定在阻隔层110。在垂直于衬底210所在平面的方向上,阻隔层110位于第一胶层120内。即第一胶层120覆盖阻隔层110,第一胶层120和阻隔层110的接触面积大,偏光片130可更牢固的粘贴在阻隔层110。阻隔层110可以是单晶硅或其他透明无机材料。具体地,单晶硅的阻隔层110能够有效避免氨分子透过至偏光片130,防止偏光片130失效,增强显示装置的显示效果,提高显示装置的寿命。在其中一些实施例中,单晶硅的厚度小于或等于125nm,使得单晶硅形成一层致密的阻隔层110,阻隔氨分子的效果更好。
而且,显示面板制作过程中,如CVD成膜、刻蚀和切割等制程中,产生的静电电荷会聚集至阻隔层中,进而导致静电释放验证时,出现电荷无法快速消散,静电积累的问题。也就是说,设置阻隔层虽然可解决偏光片失效的问题,但静电释放验证时,电荷无法快速消散,静电积累的问题也随之出现。因此,在偏光片130与薄膜封装层230之间设置静电防护结构30,并且静电防护结构30包围阻隔层110,如环绕阻隔层110的外周侧设置。静电防护结构30可以是绝缘层,如无机绝缘层或有机绝缘层,当其包围阻隔层110时,可阻断静电电荷进入阻隔层110的移动路径。静电防护结构30可以是导电环,导电环环绕阻隔层110设置,利用导电环接地将静电电荷导出,或导电环与阻隔层110电连接,分担大部分的静电电荷,从而减少静电电荷聚集。
根据本申请实施例的显示模组,阻隔层110位于偏光片130和薄膜封装层230之间,可阻碍薄膜封装层230的NH4 +渗透穿过第一胶层120,避免其与偏光片130发生反应导致偏光片130失效。而且静电防护结构30位于偏光片130与所述薄膜封装层230之间,静电防护结构30包围阻隔层110以防止静电电荷进入阻隔层110,或分散阻隔层110内的静电电荷,或将静电电荷导出,从而避免显示装置出现静电聚集的问题。
根据本申请的一个实施例,显示模组还包括:盖板150,位于偏光片130背离衬底210一侧;以及触控层(图中未示出),位于盖板150与衬底210之间。
盖板150位于偏光片130背离衬底210一侧,偏光片130可通过第二胶层与盖板150粘接。盖板150可以对显示面板20、阻隔层110、偏光片130和静电防护结构30进行保护。触控层的具体位置可以根据要求设置,如设置在偏光片130远离盖板150一侧,设置在薄膜封装层230靠近衬底210的一侧。设置触控层,显示模组可实现触摸控制,功能更为丰富和全面。
在一些可选的实施例中,触控层可以位于偏光片与薄膜封装层之间,如触控层位于偏光片与阻隔层之间,或者触控层位于阻隔层与薄膜封装层之间。通过在偏光片130和阻隔层110之间,也即在可以将偏光片析出的碘离子和薄膜封装层析出的氨气中的至少一者向触控层扩散的扩散路径切断,从而能够避免碘离子、水汽和氨气在触控电极层中发生反应产生腐蚀性物质,在避免偏光片失效的同时,还能够保证触控层的可靠性,进而保证显示面板的触控性能的稳定。
根据本申请的一个实施例,参见图1~4,静电防护结构30为绝缘材料,静电防护结构30与阻隔层110接触或间隔设置。
绝缘材料是在允许电压下不导电的材料,其电阻率很高,通常在1010~1022Ω·m的范围内。因此,静电防护结构30为绝缘材料,其包围阻隔层110时,可防止静电电荷进入阻隔层110。静电防护结构30可直接接触阻隔层110,参见图1,阻断静电电荷进入阻隔层110的移动路径。当然静电防护结构30也可与阻隔层110彼此间隔设置。参见图3或4,在阻隔层110所在的平面上,静电防护结构30与阻隔层110之间具有一定间距,从而阻断静电电荷进入阻隔层110的移动路径。
根据本申请的一个实施例,静电防护结构30包括第一子结构310,第一子结构310的材料与第一胶层120的材料相同。
第一胶层120的材料可为光学胶,光学胶包括天然树脂光学胶和合成树脂光学胶两大类。天然树脂光学胶为加拿大香胶、冷杉树脂胶、中性树胶或中国香胶。合成树脂光学胶包括有机硅胶、丙烯酸型树脂、不饱和聚酯、聚氨酯及环氧树脂中的一种或几种。光学胶为绝缘材料,第一胶层120为绝缘体。因而,第一子结构310可采用与第一胶层120相同的材料。
第一子结构310可与第一胶层120一体成型。参见图1,在阻隔层110所在的平面上的边缘距离非显示区的外侧边缘具有一定的距离,此处为设置静电防护结构30的目标位置。第一胶层120设置在阻隔层110远离薄膜封装层230的一侧。在制作过程中,第一胶层120可为具有一定流动性的液体光学胶。相应的,可采用涂布的工艺设置第一子结构310和第一胶层120,然后固化成型。液体光学胶涂布的厚度相对较厚,既填充了目标区域,在该目标区域形成第一子结构310,又在目标位置和阻隔层110上方形成第一胶层120。该种方式在制作第一胶层120时即可完成制作阻隔层110,简化了制作工艺流程并提高了制作效率。同时,第一子结构310与第一胶层120为整体,第一子结构310与第一胶层120之间不存在结合的间隙,对阻隔层110形成较好的包围,避免静电电荷从间隙中进入阻隔层110。
参见图2和图3,第一子结构310也可不与第一胶层120一体成型,而是通过各自的独立制作工艺制作完成。在制作过程中,第一胶层120可为固体状光学胶(即光学胶膜)。固体状光学胶可具有两层相对设置的粘接面。相应的,第一子结构310和第一胶层120可分别采用贴合工艺进行制作,将固体状光学胶粘贴在相应位置。
具体地,可在制作完成第一子结构310后,再制作第一胶层120。由于第一子结构310和第一胶层120在阻隔层110所在平面的宽度不同,因而相应的固体状光学胶的宽度也并不相同。为便于描述,制作第一子结构310的固体状光学胶定义为第一固体状光学胶,制作第一胶层120的固体状光学胶定义为第二固体状光学胶。
在制作第一子结构310时,在目标区域的底部即薄膜封装层230的顶面上粘贴第一固体状光学胶。第一固体状光学胶的其中一个粘接面与薄膜封装层230的顶面粘接,另一个粘接面朝向第一胶层120。第一子结构310的数量可以为一个或者两个以上。参见图2,两个以上的第一子结构310可对阻隔层110形成多重保护,可更好的防止静电电荷进入阻隔层110内。
第一固体状光学胶的数量与第一子结构310的数量相适应,当第一子结构310的数量为多个时,则在目标区域设置相同数量的第一固体状光学胶。各第一子结构310的宽度可设计为相同或不同,根据各第一子结构310的宽度设置选择相应宽度的第一固体状光学胶。并且当第一子结构310的数量为多个时,相邻的第一子结构310之间可彼此间隔设置。相应的,在制作时可将相应的第一固体状光学胶设置一定间隔。
参见图2,当第一子结构310制作完成后,在第一子结构310和阻隔层110上粘贴第二固体状光学胶制作第一胶层120。第一胶层120覆盖第一子结构310和阻隔层110。
由此可见,第一子结构310与第一胶层120为分体式结构时,可制作结构较为复杂的静电防护结构30,如包含多个第一子结构310的静电防护结构30。通过粘贴固体状光学胶制作静电防护结构30,固体状光学胶流动性差,无需考虑溢胶等问题,工艺更为可控,制作工艺更为可靠,从而降低制作了复杂的静电防护结构30的难度,提高了良品率,降低了工艺成本。
根据本申请的一个实施例,静电防护结构30包括至少一个第二子结构320,在显示区指向非显示区的方向上,靠近阻隔层110的第二子结构320与阻隔层110之间设有间隙。
第二子结构320的数量为1个以上,各第二子结构320的材料可以为氮化硅或氧化硅。
氮化硅或氧化硅是薄膜封装层的常用材料,材料的成本也较低,因而第二子结构320采用氮化硅或氧化硅降低了生产成本。而且设置氮化硅或氧化硅结构的技术较为成熟,如采用化学气相沉积法,因而良品率高。氮化硅或氧化硅为致密性好的无机物,相比一般的有机物,对静电电荷的阻隔性好。同时,薄膜封装层中需要通入氨气作为氮源,以保证促进其他膜层成膜并增加贴合力。而在目标区域设置氮化硅或氧化硅时,因不需要设置其他膜层,则不需要氨气作为氮源,因而目标区域的氮化硅或氧化硅不会产生的氨气与偏光片中的碘反应。
第二子结构320本身不导电,可阻断静电电荷进入阻隔层110的移动路径。再加上靠近阻隔层110的第二子结构320与阻隔层110之间设有间隙,也可阻断静电电荷进入阻隔层110的移动路径,从而对阻隔层110形成双重保护,防止阻隔层110发生电荷聚集的效果较好。
根据本申请的一个实施例,参见图4和图9,静电防护结构30包括至少两个第二子结构320,在显示区指向非显示区的方向上,相邻两个第二子结构320之间设有间隙。
当第二子结构320的材料的数量为2个及超过2个时,各第二子结构320的材料可相同或不同。相邻两个第二子结构320之间设有间隙,两个第二子结构320不接触,也阻断静电电荷进入阻隔层110的移动路径。配合第二子结构320自身材质对静电电荷进入阻隔层110的阻断作用,对阻隔层110形成双重保护,防止阻隔层110发生电荷聚集的效果较好。
参见图4,第二子结构320的材料的数量为2个。第二子结构320的数量合适,既对阻隔层110形成了两层保护,同时,其制作工艺相对较为简单,良品率高,生产效率也相对较高。第二子结构320的材料的数量为2个时,远离阻隔层110的第二子结构320的材料可以为氮化硅,靠近阻隔层110的第二子结构320的材料可以为氧化硅。在远离阻隔层110的位置,第一胶层120的边缘几乎完全由外侧的第二子结构320支撑。而靠近阻隔层110的位置,第一胶层120除内侧的第二子结构320支撑外,阻隔层110也承担了支撑第一胶层120的作用。因而,在远离阻隔层110的第二子结构320更好需要具有良好的支撑作用。相比氧化硅,氮化硅的黏着性更好,其支撑性能更好,更适合设置在远离阻隔层110的区域,使得第一胶层120结构稳定,显示模组的性能稳定。
根据本申请的一个实施例,参见图5~7,静电防护结构30包括至少一个第三子结构330,第三子结构330为导电环,导电环接地或浮空。
导电环可环绕设在阻隔层110外,导电环的材料为能导电的金属。导电环的数量可以为一个或2个以上。当导电环的数量为2个以上时,相邻的导电环之间间隔设置。导电环自身可接地设置,将静电电荷导出,从而避免静电电荷聚集在阻隔层110。导电环自身也可浮空设置,由于静电电荷更容易聚集在导体上,因而静电电荷主要聚集在导电环,聚集在阻隔层110的静电电荷相对较少,也可避免静电电荷聚集在阻隔层110。
根据本申请的一个实施例,导电环与阻隔层110连接。
导电环与阻隔层110可通过电连接件进行电连接,大部分的静电电荷聚集在导电环,聚集在阻隔层110的静电电荷相对较少,也可避免静电电荷聚集在阻隔层110。当导电环接地时,导电环的静电电荷与阻隔层110的静电电荷均会进入大地中,避免出现导电环的静电电荷进入大地,而阻隔层110因与导电环隔离静电电荷无法进入大地导致静电电荷残留的问题。导电环与阻隔层110连接的方式,避免静电电荷聚集在阻隔层110的效果更好。
导电环与阻隔层110也可以不进行电连接,二者间隔设置。同样的,大部分的静电电荷聚集在导电环,聚集在阻隔层110的静电电荷相对较少,也可避免静电电荷聚集在阻隔层110。并且导电环与阻隔层110间隔设置,二者之间无需设置电连接件。导电环直接设置在阻隔层110外,因而制作工艺相对简单,制作效率高,制作工艺可靠性高。
根据本申请的一个实施例,参见图6,导电环在衬底210所在平面的正投影为弓字形或曲线形。
导电环在衬底所在平面的正投影包括平直部331和突起部332,平直部331相对阻隔层110上最接近的边平行,突起部相对阻隔层110上最接近的边突起。突起部为不规则形状,其外形可为弓字形、曲线形、锯齿形、波浪形等。导电环在衬底所在平面的正投影包括平直部331和突起部332,导电环整体为异形结构。一方面,异形结构的导电环相比规则的导电环的周长较长,延长了静电在导电环的释放路径,静电沿着导电环移动会逐渐减弱能量。另一方面,在实验表明突起部可以聚集更好的静电电荷。因而异形结构的导电环容易积累更多电荷,将静电电荷阻隔在导电环上,增强对阻隔层110的保护。
根据本申请的一个实施例,参见图7,导电环在衬底所在平面的正投影具有交替分布的第一分段333和第二分段334,在显示区指向非显示区的方向上,第二分段334的宽度大于第一分段333的宽度。
导电环为非等宽设计,第一分段333的宽度小于第二分段334的宽度,不同宽度的分段电阻不同。导电环增加了电阻突变,更多的静电电荷会在电阻突变上聚集,因而导电环上容易积累更多电荷,增强对阻隔层110的保护。
可以理解的是,参见图7和图8,导电环上可以同时采用异形结构设计和非等宽设计。即导电环在衬底所在平面的正投影包括平直部331和突起部332,也包括交替分布的第一分段333和第二分段334。平直部331可根据需要全部或部分设置为宽度较宽,形成第二分段334,或可根据需要全部或部分设置为宽度较窄,形成第一分段333。同理,突起部332可根据需要全部或部分设置为第一分段333或第二分段334。
在上述一些实施例中,已经分别陈述过静电防护结构30可以是一定数量的第一子结构310、第二子结构320或第三子结构330。显然,静电防护结构30也可以为第一子结构310、第二子结构320和第三子结构330中的至少两种。多种子结构配合,从不同的角度阻断静电电荷传输到阻隔层110,相比单一种类的子结构对阻隔层110的保护效果得到进一步提升。如,静电防护结构30同时包括第一子结构310和第三子结构330。阻隔层110外先包围第一子结构310,示例性的,在阻隔层110外环绕设置光学胶层,然后在光学胶层外环绕设置导电环。光学胶层和导电环配合,除了提升对阻隔层110的保护效果外,光学胶层也可在一定程度上固定导电环。导电环固定更为牢固,不容易出现松动,因而可靠性更好,显示装置不容易出现故障,使用寿命延长。
又如,参考图9,静电防护结构30同时包括第一子结构310和第二子结构320。示例性的,第二子结构320的材料的数量为2个及超过2个,且相邻两个第二子结构320之间设有间隙。第一胶层120可为具有一定流动性的光学胶。在制作第一胶层120时,第一胶层120流动至相邻第二子结构320之间的间隙中,完全或部分填充在间隙内形成第一子结构310。光学胶层和第二子结构320配合,除了提升对阻隔层110的保护效果外,光学胶层也可在一定程度上固定第二子结构320。第二子结构320固定更为牢固,不容易出现松动,因而可靠性更好,显示装置不容易出现故障,使用寿命延长。
又如,静电防护结构30也可同时包括第二子结构320和第三子结构330。示例性的,第二子结构320的材料的数量为2个及超过2个,且相邻两个第二子结构320之间设有间隙。导电环作为第三子结构330,设置于间隙中。第二子结构320和第三子结构330配合,除了提升对阻隔层110的保护效果外。第二子结构320也可在一定程度上防止导电环沿着阻隔层110所在平面横向平移。导电环固定更为牢固,不容易出现松动,因而可靠性更好,显示装置不容易出现故障,使用寿命延长。
当然,静电防护结构30也可以同时包括第一子结构310、第二子结构320和第三子结构330。其具体结构和有益效果可参考同时包含第一子结构310、第二子结构320或第三子结构330中的两种的静电防护结构30,不再赘述。
另一个方面,本申请提出一种显示装置,包括上述的显示模组。上述显示装置由于采用上述的显示模组,因而可避免出现静电积累的情况,如在进行静电释放验证时,显示区外圈不会出现一圈亮环。
虽然已经参考优选实施例对本申请进行了描述,但在不脱离本申请的范围的情况下,可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件,尤其是,只要不存在结构冲突,各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本申请并不局限于文中公开的特定实施例,而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。
Claims (12)
1.一种显示模组,其特征在于,包括:
显示面板,包括衬底、发光元件层以及薄膜封装层,所述衬底包括显示区和围绕所述显示区的非显示区,所述发光元件层设置于所述显示区,所述薄膜封装层覆盖所述发光元件层;
阻隔层,位于所述薄膜封装层背离所述衬底的一侧,并覆盖所述显示区;
偏光片,位于所述阻隔层背离所述衬底的一侧;第一胶层,位于所述阻隔层与所述偏光片之间,在垂直于所述衬底所在平面的方向上,所述阻隔层位于所述第一胶层内;
静电防护结构,位于所述偏光片与所述薄膜封装层之间,所述静电防护结构包围所述阻隔层。
2.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,所述显示模组还包括:
盖板,位于所述偏光片背离所述衬底一侧;以及
触控层,位于所述盖板和所述衬底之间。
3.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,所述静电防护结构为绝缘材料,所述静电防护结构与所述阻隔层接触或间隔设置。
4.根据权利要求3所述的显示模组,其特征在于,所述静电防护结构包括第一子结构,所述第一子结构的材料与所述第一胶层的材料相同。
5.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,所述静电防护结构包括至少一个第二子结构,在所述显示区指向所述非显示区的方向上,靠近所述阻隔层的所述第二子结构与所述阻隔层之间设有间隙。
6.根据权利要求5所述的显示模组,其特征在于,所述静电防护结构包括至少两个所述第二子结构,在所述显示区指向所述非显示区的方向上,相邻两个所述第二子结构之间设有间隙。
7.根据权利要求1所述显示模组,其特征在于,所述阻隔层的材料为单晶硅。
8.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,所述静电防护结构包括至少一个第三子结构,所述第三子结构为导电环,所述导电环接地或浮空。
9.根据权利要求8所述的显示模组,其特征在于,所述导电环与所述阻隔层连接。
10.根据权利要求8所述的显示模组,其特征在于,所述导电环在所述衬底所在平面的正投影为弓字形或曲线形。
11.根据权利要求10所述的显示模组,其特征在于,所述导电环在所述衬底所在平面的正投影具有交替分布的第一分段和第二分段,在所述显示区指向所述非显示区的方向上,所述第二分段的宽度大于所述第一分段的宽度。
12.一种显示装置,其特征在于,包括根据权利要求1至11任一项所述的显示模组。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113991040A (zh) * | 2021-10-27 | 2022-01-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示模组及其制备方法、显示装置 |
CN114281209A (zh) * | 2021-12-21 | 2022-04-05 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种触控显示面板、制备方法和触控显示装置 |
CN114299825A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-04-08 | 霸州市云谷电子科技有限公司 | 显示模组及电子设备 |
CN114784208A (zh) * | 2022-04-12 | 2022-07-22 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN114828606A (zh) * | 2022-03-28 | 2022-07-29 | 电子科技大学 | 一种静电防护组件及触控电子产品 |
CN115132081A (zh) * | 2022-06-27 | 2022-09-30 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示模组和显示装置 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120014786A (ko) * | 2010-08-10 | 2012-02-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
US20160299611A1 (en) * | 2015-04-09 | 2016-10-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device with touch sensor |
CN109671703A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-04-23 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN109817831A (zh) * | 2019-02-12 | 2019-05-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
CN109904207A (zh) * | 2019-03-18 | 2019-06-18 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种柔性偏光片、包含其的有机发光显示面板及制备方法 |
CN110391222A (zh) * | 2019-07-26 | 2019-10-29 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板和电子设备 |
JP2019212379A (ja) * | 2018-05-31 | 2019-12-12 | コニカミノルタ株式会社 | 電子デバイス |
CN110970578A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-07 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN210576028U (zh) * | 2019-09-20 | 2020-05-19 | 北京小米移动软件有限公司 | 显示屏及电子设备 |
CN210723033U (zh) * | 2019-12-02 | 2020-06-09 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 显示模组和显示装置 |
-
2020
- 2020-12-28 CN CN202011585456.0A patent/CN112736067B/zh active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120014786A (ko) * | 2010-08-10 | 2012-02-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
US20160299611A1 (en) * | 2015-04-09 | 2016-10-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device with touch sensor |
JP2019212379A (ja) * | 2018-05-31 | 2019-12-12 | コニカミノルタ株式会社 | 電子デバイス |
CN109671703A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-04-23 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN109817831A (zh) * | 2019-02-12 | 2019-05-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
CN109904207A (zh) * | 2019-03-18 | 2019-06-18 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种柔性偏光片、包含其的有机发光显示面板及制备方法 |
CN110391222A (zh) * | 2019-07-26 | 2019-10-29 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板和电子设备 |
CN210576028U (zh) * | 2019-09-20 | 2020-05-19 | 北京小米移动软件有限公司 | 显示屏及电子设备 |
CN210723033U (zh) * | 2019-12-02 | 2020-06-09 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 显示模组和显示装置 |
CN110970578A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-07 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113991040A (zh) * | 2021-10-27 | 2022-01-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示模组及其制备方法、显示装置 |
CN114281209A (zh) * | 2021-12-21 | 2022-04-05 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种触控显示面板、制备方法和触控显示装置 |
CN114281209B (zh) * | 2021-12-21 | 2024-04-19 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种触控显示面板、制备方法和触控显示装置 |
CN114299825A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-04-08 | 霸州市云谷电子科技有限公司 | 显示模组及电子设备 |
CN114828606A (zh) * | 2022-03-28 | 2022-07-29 | 电子科技大学 | 一种静电防护组件及触控电子产品 |
CN114784208A (zh) * | 2022-04-12 | 2022-07-22 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN114784208B (zh) * | 2022-04-12 | 2023-11-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN115132081A (zh) * | 2022-06-27 | 2022-09-30 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示模组和显示装置 |
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TA01 | Transfer of patent application right | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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