CN117979736A

CN117979736A - 显示基板及显示装置

Info

Publication number: CN117979736A
Application number: CN202211289339.9A
Authority: CN
Inventors: 王涛; 温梦阳; 刘利宾; 孙韬; 许睿; 崔越
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Priority date: 2022-10-20
Filing date: 2022-10-20
Publication date: 2024-05-03

Abstract

本公开提供了一种显示基板及显示装置，涉及显示技术领域，用于扩展显示基板的应用场景。该显示基板包括衬底、感应线圈、发光器件。感应线圈设置在所述衬底的一侧。发光器件设置在所述感应线圈远离所述衬底的一侧。所述发光器件包括相对设置的第一电极和第二电极，所述第一电极与所述感应线圈的第一端耦接，所述第二电极与所述感应线圈的第二端耦接。其中，所述感应线圈的至少部分在所述衬底上的正投影，与所述发光器件在所述衬底上的正投影无交叠。本公开实施例提供的显示基板以及显示装置用于图像显示。

Description

显示基板及显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及显示装置。

背景技术

OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置是利用有机电自发光二极管制成的显示装置。OLED显示装置具有不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异特性，目前被广泛使用。

随着柔性OLED技术的日趋成熟，搭载柔性OLED显示装置的产品形态和应用场景也日趋多样化。

发明内容

本公开的实施例的目的在于提供一种显示基板及显示装置，用于扩展显示基板的应用场景。

为达到上述目的，本公开的实施例提供了如下技术方案：

一方面，提供一种显示基板。所述显示基板包括衬底、感应线圈、发光器件。感应线圈设置在所述衬底的一侧。发光器件与所述感应线圈设置在所述衬底的同一侧。所述发光器件包括相对设置的第一电极和第二电极，所述第一电极与所述感应线圈的第一端耦接，所述第二电极与所述感应线圈的第二端耦接。其中，所述感应线圈的至少部分在所述衬底上的正投影，与所述发光器件在所述衬底上的正投影无交叠。

上述显示基板中，通过设置感应线圈以及与感应线圈的两端耦接的发光器件，可以使感应线圈和发光器件形成闭合回路，在闭合回路位于变化的电磁场中的情况下，感应线圈中将产生感应电动势及感应电流，从而可以驱动发光器件发光，使显示基板可以不受外接电源的限制，增强了显示基板的使用便利性，扩展了显示基板的应用场景。同时，本公开将感应线圈的至少部分在衬底上的正投影，设置为与发光器件在衬底上的正投影无交叠，这样还可以减小发光器件中的第一电极和/或第二电极的电磁屏蔽作用的影响，从而可以减小发光器件对感应线圈中产生的感应电动势和感应电流的影响，改善发光器件的发光性能。

在一些实施例中，所述发光器件在所述衬底上的正投影，位于所述感应线圈在所述衬底上的正投影的内边界所围成的区域内；或者，所述发光器件在所述衬底上的正投影，位于所述感应线圈在所述衬底上的正投影的外边界所围成的区域外；或者，所述发光器件在所述衬底上的正投影，与所述感应线圈在所述衬底上的正投影部分重叠。

在一些实施例中，所述显示基板还包括位于所述发光器件远离所述衬底一侧的封装层，所述封装层至少覆盖所述发光器件。所述封装层包括沿远离所述衬底的方向依次层叠的第一无机层、有机层和第二无机层，所述第一无机层、所述有机层、所述第二无机层均覆盖所述发光器件；或，所述封装层包括至少一层第三无机层。

在一些实施例中，在所述封装层包括第一无机层、有机层和第二无机层的情况下，所述第一无机层和所述第二无机层中的任一者采用原子层沉积工艺形成；和/或，所述有机层采用喷墨打印工艺或气相沉积工艺形成。

在一些实施例中，所述封装层至少覆盖所述发光器件和所述感应线圈。在所述第一无机层和所述第二无机层中的任一者采用原子层沉积工艺形成的情况下，所述第一无机层和所述第二无机层中的任一者的材料包括二氧化硅或三氧化二铝，所述第一无机层的厚度为h₁，所述第二无机层的厚度为h₂，0.04μm≤h₁≤0.06μm，0.04μm≤h₂≤0.06μm。在所述有机层采用喷墨打印工艺形成的情况下，所述有机层的厚度为h₃，5μm≤h₃≤7μm。在所述有机层采用气相沉积工艺形成的情况下，所述有机层的材料包括碳氢氧硅化合物，所述有机层的厚度为h₄，2.5μm≤h₄≤4μm。

在一些实施例中，在所述封装层包括至少一层第三无机层的情况下，所述封装层至少覆盖所述发光器件和所述感应线圈。所述封装层的厚度为h₄，0.3μm≤h₄≤3μm。

在一些实施例中，所述封装层包括多层第三无机层，至少一层所述第三无机层采用原子层沉积工艺或等离子增强化学气相沉积工艺形成。

在一些实施例中，所述多层第三无机层包括交替层叠的第一子无机层和第二子无机层。所述第一子无机层的材料和所述第二子无机层的材料不同，或，所述第一子无机层采用原子层沉积工艺形成，所述第二子无机层采用化学气相沉积工艺形成。

在一些实施例中，所述发光器件的尺寸小于40mm×40mm，所述封装层包括一层第三无机层，所述第三无机层至少覆盖所述发光器件和所述感应线圈。所述第三无机层采用等离子增强化学气相沉积工艺形成，所述第三无机层的材料包括氮氧化硅或氮化硅。

在一些实施例中，在所述封装层包括第一无机层、有机层和第二无机层的情况下，所述有机层和所述第一无机层在所述衬底上的正投影，位于所述第二无机层在所述衬底上的正投影范围内。所述有机层在所述衬底上的正投影，位于所述第一无机层在所述衬底上的正投影范围内；或，所述第一无机层在所述衬底上的正投影，位于所述有机层在所述衬底上的正投影范围内。

在一些实施例中，在所述有机层在所述衬底上的正投影，位于所述第一无机层在所述衬底上的正投影范围内的情况下，相比于所述第一无机层或所述第二无机层，所述有机层至少内缩150μm。

在一些实施例中，所述显示基板还包括平坦层、像素定义层。平坦层位于所述感应线圈和所述第一无机层之间。像素定义层位于所述平坦层和所述第一无机层之间。在所述第一无机层在所述衬底上的正投影，位于所述第一无机层在所述衬底上的正投影范围内的情况下，所述有机层与所述平坦层和/或所述像素定义层相接触。

在一些实施例中，所述显示基板还包括第一保护层和第二保护层。

第一保护层位于所述封装层远离所述衬底的一侧。所述第一保护层包括光学胶层，以及位于所述光学胶层远离所述封装层一侧的第一水氧阻隔层。第二保护层，位于所述衬底远离所述封装层的一侧。所述第二保护层包括压敏胶层，以及位于所述压敏胶层远离所述衬底一侧的第二水氧阻隔层。

在一些实施例中，所述显示基板还包括：位于所述感应线圈和所述发光器件之间的平坦层。所述发光器件在所述衬底上的正投影，位于所述平坦层在所述衬底上的正投影的外边界范围内。所述第一电极和所述第二电极分别穿过所述平坦层与所述感应线圈耦接。

在一些实施例中，所述平坦层覆盖所述感应线圈。

在一些实施例中，所述显示基板还包括：位于所述衬底和所述平坦层之间的钝化层。所述钝化层覆盖所述感应线圈。

在一些实施例中，在所述发光器件在所述衬底上的正投影位于所述感应线圈在所述衬底上的正投影的内边界所围成的区域内的情况下，或者，在所述发光器件在所述衬底上的正投影与所述感应线圈在所述衬底上的正投影部分重叠的情况下，所述钝化层和所述平坦层整层设置，所述第一电极穿过所述平坦层和所述钝化层与所述感应线圈耦接，所述第二电极穿过所述平坦层和所述钝化层与所述感应线圈耦接。

在一些实施例中，所述显示基板还包括：与所述第一电极同层设置的转接电极，所述转接电极与所述感应线圈的第二端耦接。所述第二电极与所述转接电极相接触，并通过所述转接电极与所述感应线圈的第二端耦接。

另一方面，提供一种显示装置。所述显示装置包括：如上述任一实施例所述的显示基板。

上述显示装置具有与上述一些实施例中提供的显示基板相同的结构和有益技术效果，在此不再赘述。

附图说明

为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸等的限制。

图1a为根据本公开一些实施例中的一种显示基板的俯视图；

图1b为图1a中提供的一种显示基板的沿AA向的剖视图；

图2a为根据本公开一些实施例中的另一种显示基板的俯视图；

图2b为图2a中提供的一种显示基板的沿BB向的剖视图；

图3a为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的俯视图；

图3b为图3a中提供的一种显示基板的沿CC向的剖视图；

图4a为根据本公开一些实施例中的一种衬底的结构图；

图4b为根据本公开一些实施例中的另一种衬底的俯视图；

图4c为根据本公开一些实施例中的又一种衬底的俯视图；

图5a为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的俯视图；

图5b为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的俯视图；

图6a为第一种实现方式中的显示基板的俯视图；

图6b为图6a中第一种实现方式中的显示基板的沿DD向的剖视图；

图7a为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的俯视图；

图7b为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的俯视图；

图7c为根据本公开一些实施例中的显示基板的一种平坦层的结构图；

图7d为根据本公开一些实施例中的显示基板的另一种平坦层的结构图；

图7e为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的俯视图；

图7f为根据本公开一些实施例中的显示基板的又一种平坦层的结构图；

图8a为根据本公开一些实施例中的显示基板的又一种平坦层的结构图；

图8b为根据本公开一些实施例中的显示基板的又一种平坦层的结构图；

图8c为根据本公开一些实施例中的显示基板的又一种平坦层的结构图；

图8d为根据本公开一些实施例中的显示基板的又一种平坦层的结构图；

图8e为根据本公开一些实施例中的显示基板的又一种平坦层的结构图；

图8f为根据本公开一些实施例中的显示基板的又一种平坦层的结构图；

图9a为根据本公开一些实施例中的显示基板的一种第一电机的结构图；

图9b为根据本公开一些实施例中的显示基板的另一种第一电机的结构图；

图9c为根据本公开一些实施例中的显示基板的又一种第一电机的结构图；

图10为第二种实现方式中的显示基板的结构图；

图11a为根据本公开一些实施例中的一种显示基板的结构图；

图11b为根据本公开一些实施例中的另一种显示基板的结构图；

图11c为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的结构图；

图12a为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的结构图；

图12b为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的结构图；

图12c为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的结构图；

图13a为根据本公开一些实施例中的显示基板的一种有机层的结构图；

图13b为根据本公开一些实施例中的显示基板的另一种有机层的结构图；

图14a为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的结构图；

图14b为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的结构图；

图15a为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的结构图；

图15b为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的结构图；

图16a为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的结构图；

图16b为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的结构图；

图16c为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的结构图；

图17a为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的结构图；

图17b为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的结构图；

图18a为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的结构图；

图18b为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的结构图；

图18c为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的结构图；

图18d为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的结构图；

图18e为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的结构图；

图18f为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的结构图；

图18g为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的结构图；

图19a为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的结构图；

图19b为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的结构图；

图20为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的结构图；

图21a为根据本公开一些实施例中的一种显示装置的俯视图；

图21b为图21a中提供的一种显示装置的沿DD向的剖视图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与本实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。

以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在描述一些实施例时，可能使用了“连接”及其衍伸的表达。例如，描述一些实施例时可能使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或电接触。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。

如本文所使用的那样，“约”、“大致”或“近似”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。

“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。

“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。

本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。

另外，“基于”的使用意味着开放和包容性，因为“基于”一个或多个所述条件或值的过程、步骤、计算或其他动作在实践中可以基于额外条件或超出所述的值。

应当理解的是，当层或元件被称为在另一层或基板上时，可以是该层或元件直接在另一层或基板上，或者也可以是该层或元件与另一层或基板之间存在中间层。

本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层的厚度和区域的面积。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。

如图1a～图3b所示，本公开的一些实施例提供一种显示基板100。显示基板100包括衬底1、感应线圈2、发光器件3。如图1b、图2b、图3b所示，图1b为图1a中AA向的剖视图，图2b为图2a中BB向的剖视图，图3b为图3a中CC向的剖视图，感应线圈2设置在衬底1的一侧。发光器件3与感应线圈2设置在衬底1的同一侧。发光器件3包括相对设置的第一电极31和第二电极32，第一电极31与感应线圈2的第一端2A耦接，第二电极32与感应线圈2的第二端2B耦接(图3b中未示出感应线圈2的第二端2B)。

示例性的，衬底1具有一定的强度，这样衬底1可以对设置在衬底1上的其他部件(例如感应线圈2等)提供支撑作用。

示例性的，衬底1为柔性衬底，这样可以使显示基板100承受一定的变形，实现显示基板100的柔性显示，并扩宽显示基板100的应用场景。

示例性的，如图2b和图3b所示，衬底1的结构可以为单层结构，这样可以简化显示基板100的制造工艺，同时还可以减小显示基板100的制造成本。或者，如图1b所示，衬底1的结构也可以为多层结构，这样可以使衬底1具有更好的强度，有利于为显示基板100中的其他部件(例如感应线圈2)提供更好的支撑作用。

例如，如图4a所示，在衬底1的结构为单层结构的情况下，衬底1可以包括单层的柔性基底11，柔性基底11的材料包括聚酰亚胺(Polyimide，简写为PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Glycol Terephthalate，简写为PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate Two Formic Acid Glycol Ester，简写为PEN)等。如图4b和图4c所示，在衬底1的结构为多层结构的情况下，衬底1可以包括层叠设置的柔性基底11和无机钝化层12，无机钝化层12可以为设置在衬底1上的感应线圈2和发光器件3提供保护及支撑作用。

可以理解的是，在制作显示基板100的过程中，先提供整层的玻璃基板，之后在玻璃基板上制作衬底1以及其他相应的膜层，在显示基板100制作完成后，需要将显示基板100从玻璃基板上剥离并转移至其他使用载体上。上述剥离工艺可以为激光剥离工艺。

进一步的，衬底1中的柔性基底11的材料可以为聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane，简写为PDMS)，这样可以方便后续的显示基板100从玻璃基板上剥离并转移至其他使用载体上。

通过将发光器件3的第一电极31和第二电极32与感应线圈2的两端耦接，可以使发光器件3与感应线圈2形成闭合回路。根据电磁感应公式：其中，E为感应电动势，n为感应线圈的匝数，/>为感应线圈2围成的区域内电磁场的变化率，闭合回路位于变化的电磁场中的情况下，变化的电磁场能够在感应线圈2中产生感应电动势，从而在闭合电路中形成感应电流，驱动发光器件3发光。因此，显示基板100可以不需外接电源即可发光用于显示图像，增强了显示基板100的使用便利性，扩展了显示基板100的应用场景。

如图5a和图5b所示，感应线圈2的形状可以为圆形或者矩形或者其他形状，本申请对此不做限定。

示例性的，感应线圈2的形状与显示基板100的形状相同，这样可以充分利用显示基板100的空间，使感应线圈2的匝数设置的较多，根据电磁感应公式，这样还可以增大感应线圈2的第一端2A与第二端2B之间的感应电动势，从而可以增大感应线圈2与发光器件3形成的闭合回路中的感应电流，更好地驱动发光器件3发光。

示例性的，感应线圈2的材料可以包括铜、金或者其他导电性好且柔软度高的金属材料等。

示例性的，形成感应线圈2的过程可以为：先在衬底1上形成导电薄膜，之后通过构图工艺对该导电薄膜进行构图，形成感应线圈2。例如，上述构图工艺可以包括等离子体刻蚀、光刻工艺等。

或者，感应线圈2也可以通过打印的方法制作。

示例性的，感应线圈2的线圈的匝数根据发光器件3所需要的电流以及显示基板100的尺寸确定。例如，感应线圈2的匝数可以在10～30匝之间。

示例性的，发光器件3为OLED发光器件，在感应线圈2产生的感应电流通过发光器件3的情况下，发光器件3可以发光。

可以理解的是，发光器件3的两个电极分别为发光器件3的阳极和阴极。

为了说明方便，下面实施例中以第一电极31为发光器件3的阳极，以第二电极32为发光器件3的阴极进行说明，如图1b、图2b、图3b所示，第二电极32位于第一电极31远离衬底1的一侧。

示例性的，第一电极31的结构可以为单层结构或多层结构。在第一电极31的结构为单层结构的情况下，第一电极31的材料可以包括氧化铟锡(Indium Tin Oxide，简写为ITO)等。在第一电极31的结构为多层结构的情况下，第一电极31可以包括层叠设置的氧化铟锡、银、氧化铟锡等。

示例性的，发光器件3的类型为顶发射发光器件，第二电极32的材料可以为透明导电材料，这样可以减小对发光器件发出的光线的阻挡，提高光效。例如，第二电极32的材料包括氧化铟锡(Indium Tin Oxide，简写为ITO)等。

需要说明的是，在发光器件3的结构不同的情况下，第一电极31和第二电极32的材料可以随着发光器件3的结构的变化而变化。

在第一种实现方式中，如图6a所示，发光器件3'覆盖感应线圈2'，如图6b所示，发光器件3'的第二电极32'整层设置，且第二电极32'覆盖在感应线圈2'上，因为第二电极32'的材料的导电性能良好，因此，在垂直于显示基板100'的方向上，发光器件3'的第二电极32'会对覆盖的区域产生一定的电磁屏蔽作用，这将会减小感应线圈2'围成的区域内的电磁场的变化率，从而减小感应线圈2'中产生的感应电动势，相应的，减小了流过发光器件3'的感应电流，影响发光器件3'的发光性能。

基于此，本公开的实施例中，感应线圈2的至少部分在衬底1上的正投影，与发光器件3在衬底上1的正投影无交叠。

示例性的，如图2a所示，感应线圈2的一部分在衬底1上的正投影，与发光器件3在衬底上1的正投影无交叠，或者，如图1a和图3a所示，感应线圈2的全部在衬底1上的正投影，与发光器件3在衬底上1的正投影无交叠。

这样设置，在垂直于衬底1的方向上，可以使发光器件3和感应线圈2存在不重叠的区域，这样，感应线圈2中位于上述不重叠区域的部分将不会受到发光器件3中第一电极31和/或第二电极32的电磁屏蔽作用的影响，从而可以减小发光器件3对感应线圈2中产生的感应电动势和感应电流的影响，改善发光器件3的发光性能。

由此，本公开实施例提供的显示基板100，通过设置感应线圈2以及与感应线圈2的两端耦接的发光器件3，可以使感应线圈2和发光器件3形成闭合回路，在闭合回路位于变化的电磁场中的情况下，感应线圈2中将产生感应电动势及感应电流，从而可以驱动发光器件3发光，使显示基板100可以不受外接电源的限制，增强了显示基板100的使用便利性，扩展了显示基板100的应用场景。同时，本公开实施例将感应线圈2的至少部分在衬底1上的正投影，设置为与发光器件3在衬底上1的正投影无交叠，这样还可以减小发光器件3中的第一电极31和/或第二电极32的电磁屏蔽作用的影响，从而可以减小发光器件3对感应线圈2中产生的感应电动势和感应电流的影响，改善发光器件3的发光性能。

在一些示例中，显示基板100还可以包括电能储存装置，电能储存装置可以对感应线圈2中产生的电能进行储存，并在感应线圈2中产生的电能较少时释放电能，用以维持发光器件3中电流的稳定性，提高发光器件3的发光稳定性。

例如，上述电能储存装置可以是电容器。

可以理解的是，在垂直于衬底1的方向上，发光器件3和感应线圈2的位置可以有多种设置方式。

在一些示例中，如图1a所示，发光器件3在衬底上1的正投影，位于感应线圈2在衬底1上的正投影的内边界所围成的区域内。

这样设置，在垂直于衬底1的方向上，感应线圈2和发光器件3之间的区域未被发光器件3中的第一电极31和/或第二电极32覆盖，因此，可以避免上述感应线圈2和发光器件3之间的区域受到发光器件3中的第一电极31和/或第二电极32的电磁屏蔽的影响，从而改善发光器件3的发光性能。

在另一些示例中，如图3a所示，发光器件3在衬底1上的正投影，位于感应线圈2在衬底1上的正投影的外边界所围成的区域外。

这样设置，在垂直于衬底1的方向上，感应线圈2的外边界所围成的区域均未被发光器件3中的第一电极31和/或第二电极32覆盖，因此，可以避免上述感应线圈2的外边界所围成的区域受到发光器件3中的第一电极31和/或第二电极32的电磁屏蔽的影响，从而改善发光器件3的发光性能。

可以理解的，在这种情况下，感应线圈2基本未受到发光器件3中的第一电极31和/或第二电极32的电磁屏蔽的影响，发光器件3具有最优的发光性能。

在又一些示例中，如图2a所示，发光器件3在衬底1上的正投影，与感应线圈2在衬底1上的正投影部分重叠。

这样设置，在垂直于衬底1的方向上，感应线圈2的外边界所围成的区域中大部分未被发光器件3中的第一电极31和/或第二电极32覆盖，因此，可以避免上述感应线圈2的外边界所围成的区域中未被发光器件3覆盖的区域受到发光器件3中的第一电极31和/或第二电极32的电磁屏蔽的影响，从而改善发光器件3的发光性能。

在一些实施例中，如图1b、图2b、图3b所示，显示基板100还包括：位于感应线圈2和发光器件3之间的平坦层4。发光器件3在衬底1上的正投影，位于平坦层4在衬底1上的正投影的外边界范围内。第一电极31和第二电极32分别穿过平坦层4与感应线圈2耦接。

平坦层4用于在显示基板100中形成平坦表面，方便在平坦层4上设置其他结构或膜层(例如发光器件3)。

示例性的，平坦层4的材料为有机材料，例如平坦层4的材料可以为聚酰亚胺类光刻胶，有机材料的流动性较好，因此在平坦层4的材料固化后形成的表面平坦度较高。

示例性的，形成平坦层4的工艺例如可以为喷墨打印等。

在这种情况下，平坦层4在显示基板100上的设置方式有多种，如图7a所示，平坦层(图中的阴影区域)覆盖整个显示基板100所在区域。如图7b、图7c、图7d所示，平坦层(图中的阴影区域)覆盖显示基板100中发光器件3和感应线圈2所在区域。如图7e、图7f所示，平坦层(图中的阴影区域)覆盖显示基板100中发光器件3所在区域。

通过在感应线圈2和发光器件3之间设置平坦层4，可以使感应线圈2和发光器件3隔离开；通过将发光器件3设置在平坦层4在衬底1的正投影范围内，可以使发光器件3形成在平坦层4的平坦表面上，从而可以保证发光器件3的平整度，确保发光器件3发光的稳定性。

并且，通过在感应线圈2上设置平坦层4，可以在感应线圈2上形成平坦表面，方便后续在平坦层4上形成其他膜层(例如后文提到的封装层)。

另一方面，如图1b、图2b、图3b所示，通过设置平坦层4，还可以增大发光器件3的第二电极32与感应线圈2在垂直于衬底1方向上的间距，这样，可以减小第二电极32对感应线圈2中的感应电流的影响，改善发光器件3的发光性能。

示例性的，如图1b、图2b、图3b所示，在制作平坦层4的过程中，在平坦层4中对应感应线圈2的第一端2A与第二端2B的位置处制作有孔或者槽，这样制作完成的平坦层4可以暴露感应线圈2的第一端2A与第二端2B，方便发光器件3的第一电极31和第二电极32通过上述孔或者槽与感应线圈2耦接。

可以理解的是，平坦层4也可以设置在显示基板100中除发光器件3以外的区域。

在一些实施例中，平坦层4覆盖感应线圈2。

在垂直于衬底1的方向上，发光器件3和感应线圈2的相对位置不同的情况下，平坦层4的设置方式也可以不同。

示例性的，在发光器件3在衬底上1的正投影，位于感应线圈2在衬底1上的正投影的内边界所围成的区域内的情况下，平坦层4的设置方式可以如图8a、图8b所示，平坦层4覆盖感应线圈2以及感应线圈2之间的间隙，并暴露感应线圈2的第一端2A与第二端2B。

示例性的，在发光器件3在衬底1上的正投影，与感应线圈2在衬底1上的正投影部分重叠的情况下，平坦层4的设置方式可以如图8c和图8d所示，平坦层4暴露感应线圈2的第一端2A与第二端2B。

示例性的，在发光器件3在衬底1上的正投影，位于感应线圈2在衬底1上的正投影的外边界所围成的区域外的情况下，平坦层4的设置方式可以如图8e和图8f所示，平坦层4暴露感应线圈2的第一端2A，可以理解的，平坦层4也暴露感应线圈2的第二端2B(图8e和图8f中未示出)。

在一些示例中，如图5a、图5b、图8a所示，显示基板100还包括防裂纹结构5。防裂纹结构包括在衬底1的无机钝化层12刻蚀出的多个条状凹槽，在制作平坦层4的过程中，平坦层4的材料注入上述多个凹槽中，从而使防裂纹结构5所在的区域具有更好的抗弯折和防止裂纹传导的性能，在后续对显示基板100进行切割的过程中，可以防止切割产生的裂纹沿着无机钝化层12进入显示基板100的内部。

如图5a、图5b、图8a所示，防裂纹结构5设置在显示基板100的靠近外边缘的位置，从而可以使防裂纹结构5对显示基板100中更多的区域进行保护。

在一些示例中，如图5a、图5b、图8a所示，显示基板100还包括挡墙6。

挡墙6为形成在显示基板100中的凸起结构，挡墙6用于在后续制备封装层的过程中，防止封装层中的有机层外溢。

示例性的，挡墙6与平坦层4同层同材料。

在一些实施例中，如图1b、图2b、图3b所示，显示基板100还包括：位于衬底1和平坦层4之间的钝化层7。钝化层7覆盖感应线圈2。

钝化层7用于避免其覆盖的区域受到外界水氧或者其他化学试剂的侵蚀。

示例性的，钝化层7的材料为无机材料，例如，钝化层7的材料包括氮化硅、氧化硅等。

示例性的，钝化层7的结构可以为单层结构，或者，钝化层7的结构可以为多层结构，例如，钝化层7的结构为氮化硅和氧化硅的叠层结构。

可以理解的是，钝化层7上开设有孔或者槽，用以暴露感应线圈2的第一端2A与第二端2B。

通过使钝化层7覆盖感应线圈2，可以避免感应线圈2受到外界水氧或者其他化学试剂的侵蚀。

在垂直于衬底1的方向上，发光器件3和感应线圈2的位置不同的情况下，钝化层7的设置方式也有多种，例如，图8a～图8f中示出了钝化层7的多种不同设置方式。

另一方面，如图1b、图2b、图3b所示，通过设置钝化层7，还可以增大发光器件3的第二电极32与感应线圈2在垂直于衬底1方向上的间距，这样，可以减小第二电极32对感应线圈2中的感应电流的影响，改善发光器件3的发光性能。

在一些示例中，如图8b所示，显示基板100也可以仅设置平坦层4，未设置钝化层7。

在一些实施例中，如图1b所示，在发光器件3在衬底1上的正投影位于感应线圈2在衬底1上的正投影的内边界所围成的区域内的情况下，或者，如图2b所示，在发光器件3在衬底1上的正投影与感应线圈2在衬底1上的正投影部分重叠的情况下，钝化层7和平坦层4整层设置，第一电极31穿过钝化层7和平坦层4与感应线圈2耦接，第二电极32穿过钝化层7和平坦层4与感应线圈2耦接。

示例性的，钝化层7和平坦层4在对应感应线圈2的第一端2A和第二端2B的位置均设置有孔或槽，用以暴露感应线圈2的第一端2A和第二端2B，方便发光器件3通过上述孔或槽与感应线圈2耦接。

这样设置，钝化层7和平坦层4叠加后的厚度更大，也就进一步增大发光器件3的第二电极32与感应线圈2在垂直于衬底1方向上的间距，从而进一步减小第二电极32对感应线圈2中的感应电流的影响，进一步改善发光器件3的发光性能。

在一些实施例中，如图1b、图2b所示，显示基板100还包括与第一电极31同层设置的转接电极8，如图1a、图1b、图2a、图2b所示，转接电极8与感应线圈2的第二端2B耦接。第二电极32与转接电极8相接触，并通过转接电极8与感应线圈2的第二端2B耦接。

示例性的，第一电极31制作于平坦层4之后，如图9a、图9b、图9c所示，在垂直于衬底1的方向上，发光器件3和感应线圈2的位置不同的情况下，第一电极31的一部分设置在钝化层7和平坦层4中对应感应线圈2的第一端2A的孔或槽中，第一电极31的另一部分设置在平坦层4之上。

这样设置，第一电极31可以和感应线圈2的第一端2A直接接触，从而实现第一电极31和感应线圈2的第一端2A的耦接。

相应的，转接电极8制作于平坦层4之后，转接电极8的一部分设置在钝化层7和平坦层4中对应感应线圈2的第二端2B的孔或槽中，转接电极8的另一部分设置在平坦层4之上。

进一步的，转接电极8和第一电极31同层同材料，且在同一次制作工艺中形成，这样可以简化显示基板100的制作工艺。

这样设置，转接电极8可以和感应线圈2的第二端2B直接接触，从而实现转接电极8和感应线圈2的第二端2B的耦接。

如图1b、图1b、图2b、图2b所示，通过设置转接电极8，可以使第二电极32与位于不同层的感应线圈2的第二端2B耦接。

在一些示例中，如图1b、图2b、图3b所示，显示基板100还包括位于第二电极32和平坦层4之间的像素定义层9。

像素定义层9用于界定发光器件3的发光区域，通过设置像素定义层9，可以使发光器件3具有不同的发光区域，从而可以使发光器件3显示不同的图形。

示例性的，像素定义层9的材料为有机材料。

在一些实施例中，如图1b、图2b、图3b所示，发光器件3还包括位于第一电极31和第二电极32之间的发光层33。发光层33包括相互间隔设置的至少一个发光部331(图1b、图2b、图3b中仅示出了一个)。

示例性的，像素定义层9可以形成至少一个开口，发光层33的至少一部分位于上述开口内。

示例性的，在发光器件3的第一电极31和第二电极32中输入电信号的情况下，上述电信号可激发发光层33发光。

通过设置不同材料的发光层33，可以使发光层33发出不同颜色的光。

示例性的，发光器件3中的发光部331的数量可以为一个，也可以为多个。

在发光部331的数量为多个的情况下，可以使多个发光部331的材料不同，可以使多个发光部331发出不同颜色的光，从而实现发光器件3的彩色显示。

在第二种实现方式中，如图10所示，显示基板100'包括封装层10'，封装层10'包括第一封装无机层101'、第一封装有机层102'、第二封装无机层103'。上述封装层10'的厚度范围为12μm～18μm。这将导致显示基板100'的整体厚度较厚；并且因为封装层10'覆盖全部的显示基板100'，这也将导致显示基板100'的封装成本较高。

本公开的一些实施例中，如图11a、图11b、图11c所示，显示基板100还包括位于发光器件3远离衬底1一侧的封装层10，封装层10至少覆盖发光器件3。

示例性的，封装层10至少覆盖发光器件3的设置方式可以包括多种，例如，如图11a所示，封装层10仅覆盖发光器件3，或者，如图11b所示，封装层10覆盖发光器件3和感应线圈2，或者，如图11c所示，封装层10覆盖整个显示基板100，或者其他设置方式。

示例性的，封装层10用于对其覆盖的区域进行保护。

通过上述设置，可以使封装层10至少对其覆盖的发光器件3进行保护。并且，可以减薄显示基板100中未被封装层10覆盖的区域的厚度，在一定程度上降低显示基板100的封装成本。

上述封装层10的结构可以包括多种，封装层10的结构不同，封装层10具有的功能也不同。

在一些示例中，如图11a、图11b、图11c所示，封装层10包括沿远离衬底1的方向依次层叠的第一无机层101、有机层102和第二无机层103，第一无机层101、有机层102、第二无机层103均覆盖发光器件3。

可以理解的是，在制作封装层10的过程中，如图12a、图12b、图12c所示，先形成第一无机层101，之后，如图13a、图13b所示，在第一无机层101上形成有机层102，之后，如图14a、图14b所示，在有机层102上形成第二无机层103，完成封装工艺。

第一无机层101和第二无机层103主要起到阻隔水和/或氧入侵的作用，因此，第一无机层101可以至少覆盖发光器件3以及感应线圈2。有机层102起到辅助封装和平坦化的作用，也就是说有机层102远离衬底1的一侧表面越平坦，封装层10远离衬底1的一侧表面越平坦。

示例性的，第一无机层101的材料可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等无机材料中的一种或者几种，第一无机层101可以使用化学气相沉积等方式制作，在这种情况下，第一无机层101的厚度范围可以为4μm～15μm，例如为4μm、6μm、8μm、10μm、12μm或15μm。

示例性的，上述化学气相沉积可以包括等离子体增强化学气相沉积。

有机层102制作在第一无机层101上，有机层102的材料可以包括丙烯酸酯类、环氧类、聚氨酯类等，有机层102可以使用喷墨打印、丝网印刷、闪蒸、化学气相沉积等方式制作，有机层102容易受到水氧侵蚀，因此有机层102的边界位于第二无机层103的边界的内部，这样第二无机层103可以避免有机层102受到水氧侵蚀。

示例性的，上述化学气相沉积可以包括等离子体增强化学气相沉积、引发式化学气相沉积。

第二无机层103制作在有机层102上，第二无机层103的材料可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等无机材料中的一种或者几种，第二无机层103可以使用化学气相沉积等方式制作，第二无机层103的边界位置可以与第一无机层101的边界位置相同，也可以超出第一无机层101的边界位置。

通过使第一无机层101、有机层102、第二无机层103均覆盖发光器件3，即可以避免发光器件3受到水氧的破坏，又可以使封装层10中对应发光器件3的区域的平坦度较高。

在本公开的实施例中，第一无机层101的外边界可以位于挡墙6所围成的区域内，也可以位于挡墙6所围成的区域外。

在另一些示例中，如图15a和图15b所示，封装层10包括至少一层第三无机层104。

需要说明的是，如图15a所示，封装层10可以仅包括一层第三无机层104，或者，如图15b所示，封装层10可以包括一层第三无机层104以及其他膜层。

示例性的，上述其他膜层可以包括不同的材料或结构，从而可以使封装层10具有其他不同的功能。

由上所述，在封装层10仅包括一层第三无机层104的情况下，封装层10可以避免其覆盖的发光器件3的区域受到水氧的破坏。

在一些实施例中，如图11a、图11b、图11c所示，在封装层10包括第一无机层101、有机层102和第二无机层103的情况下，第一无机层101和第二无机层103中的任一者采用原子层沉积工艺形成。

原子层沉积工艺是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的工艺。在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。因此，相比于化学气相沉积工艺，原子层沉积工艺可以更好地控制形成的膜层的厚度。因此，在第一无机层101和第二无机层103中的任一者采用原子层沉积工艺形成的情况下，第一无机层101和第二无机层103中的任一者的厚度可以做的较薄，从而可以使封装层10的总体厚度减薄，使显示基板100的厚度减薄。

在这种情况下，第一无机层101和第二无机层103中的任一者的材料包括二氧化硅或三氧化二铝，第一无机层101的厚度为h₁，第二无机层103的厚度为h₂，0.04μm≤h₁≤0.06μm，0.04μm≤h₂≤0.06μm。

示例性的，第一无机层101的厚度可以为0.04μm、0.045μm、0.05μm、0.055μm或者0.06μm等。第二无机层103的厚度可以为0.04μm、0.045μm、0.05μm、0.055μm或者0.06μm等。

在第二种实现方式中，第一封装无机层的厚度为2μm，第二封装无机层的厚度为2μm。

通过上述设置，与第二种实现方式中的第一封装无机层的厚度相比，第一无机层101的厚度减薄了大约1.9μm；与第二种实现方式中的第二封装无机层的厚度相比，第二无机层103的厚度减薄了大约1.9μm。这样可以在保证第一无机层101和第二无机层103中的任一者对水氧的阻隔作用的基础上，减小第一无机层101和第二无机层103中的任一者的厚度。

在另一些实施例中，有机层102采用喷墨打印工艺或气相沉积工艺形成。

在第二种实现方式中，为了实现封装层中第一封装有机层的平坦化作用，将第一封装有机层的总厚度设置为第一无机层中段差的两倍，例如第一封装有机层的总厚度范围为10μm～18μm，从而使封装层的总厚度较厚。

在一些示例中，有机层102采用喷墨打印工艺制作，本公开的实施例中显示基板100的结构较简单，因此在制作有机层102的过程中可以对有机层102的厚度进行适应性的减薄，从而可以在保证有机层102起到平坦化的作用的情况下，使封装层10的总体厚度减薄，并使显示基板100的厚度减薄。

在这种情况下，有机层102的厚度为h₃，5μm≤h₃≤7μm厚。

示例性的，有机层102的厚度可以为5μm、5.5μm、6μm、6.5μm或7μm等。

与第二种实现方式中第一封装有机层的厚度相比，有机层102的厚度减薄了3μm～13μm，这样可以在保证有机层102的平坦化的作用的基础上，减小有机层102的厚度。

在另一些示例中，有机层102采用气相沉积工艺制作，这样可以精确地控制有机层102的厚度，可以在有机层102实现平坦化的作用后，立即停止有机层102的沉积过程，从而可以减薄有机层102的厚度，使封装层10的总体厚度减薄，并使显示基板100的厚度减薄。

示例性的，上述形成有机层102的气相沉积工艺可以包括等离子体增强化学气相沉积工艺、引发式化学气相沉积工艺等。

在这种情况下，有机层102的材料可以包括碳氢氧硅化合物，有机层102的厚度为h₄，2.5μm≤h₄≤4μm。

示例性的，有机层102的厚度可以为2.5μm、2.8μm、3.2μm、3.5μm或4μm等。

与第二种实现方式中第一封装有机层的厚度相比，有机层102的厚度减薄了6μm～15.5μm，这样可以在保证有机层102的平坦化的作用的基础上，减小有机层102的厚度。

在上述实施例中，封装层10至少覆盖发光器件3和感应线圈2。

示例性的，如图11b所示，封装层10可以仅覆盖发光器件3和感应线圈2，或者，如图11c所示，封装层10可以覆盖发光器件3、感应线圈2以及显示基板100的其他区域。

在封装层10覆盖发光器件3和感应线圈2，且发光器件3在衬底1上的正投影，位于感应线圈2在衬底1上的正投影的外边界所围成的区域外的情况下，在制作封装层10中的有机层102的过程中，可以对有机层102分区域制作，例如，上述有机层102的区域可以分为：对应发光器件3的第一区域，以及对应感应线圈2的第二区域，第一区域和第二区域之间可以具有间隙。上述第一区域和第二区域均位于第一无机层101和第二无机层103的内部。

这样设置，可以使封装层10至少对发光器件3和感应线圈2进行保护，并实现显示基板100中对应发光器件3和感应线圈2的区域的平坦化。

进一步的，在制作封装层10的过程中，可以使第一无机层101和第二无机层103均采用原子层沉积工艺形成，使有机层102采用气相沉积工艺形成，这样第一无机层101的厚度和第二无机层103的厚度最薄均可以做到0.04μm，有机层102的厚度最薄可以做到2.5μm，因此封装层10的厚度最薄可以做到0.04μm+2.5μm+0.04μm＝2.58μm。与第二种实现方式中封装层的厚度(12μm～18μm)相比，本公开实施例的封装层10的厚度较薄，因此可以使显示基板100的厚度较薄。

在一些实施例中，如图15a所示，发光器件3的尺寸小于40mm×40mm，封装层10包括一层第三无机层104，第三无机层104至少覆盖发光器件3和感应线圈2。第三无机层104采用等离子增强化学气相沉积工艺形成，第三无机层104的材料包括氮氧化硅或氮化硅。

示例性的，在发光器件3的尺寸小于40mm×40mm的情况下，即使封装层10厚度较薄，封装层10也可以对其覆盖的区域进行保护。例如，一层第三无机层104即可保证对水氧的阻隔，相应的，可以确保第三无机层104覆盖的发光器件3和感应线圈2可以在高温高湿环境中正常工作。

在这种情况下，第三无机层104可以为采用等离子增强化学气相沉积工艺形成的氮氧化硅层，或者第三无机层104可以为采用等离子增强化学气相沉积工艺形成的氮化硅层。

示例性的，第三无机层104的厚度可以为1μm，这样可以使第三无机层104具有良好的阻隔水氧的功能，并减小第三无机层104的厚度。

在一些实施例中，如图15a和图15b所示，在封装层10包括至少一层第三无机层104的情况下，封装层10至少覆盖发光器件3和感应线圈2。在这种情况下，封装层10的厚度为h₄，0.3μm≤h₄≤3μm。

示例性的，封装层10的厚度可以为0.3μm、0.6μm、1.8μm、2.4μm或3μm等。

这样设置，可以使封装层10至少对发光器件3和感应线圈2提供保护，并可以使封装层10具有一定的平坦作用，还可以使封装层10具有良好的隔绝水氧的作用。同时相比于第二种实现方式中封装层的厚度，本公开实施例的封装层10的厚度较薄，可以减小显示基板100的厚度。

进一步的，可以将封装层10的厚度范围设置为1μm～1.5μm，例如封装层10的厚度可以为1μm、1.1μm、1.2μm、1.4μm或1.5μm等。

这样可以在确保封装层10的良好的封装效果的情况下，减小封装层10的厚度，并减小显示基板100的厚度。相比于第二种实现方式中，封装层的厚度范围12μm～18μm，本公开实施例的封装层10厚度减薄了11μm～17μm。

在一些实施例中，封装层10包括多层第三无机层104，至少一层第三无机层104采用原子层沉积工艺或等离子增强化学气相沉积工艺形成。

如上所述，在至少一层第三无机层104采用原子层沉积工艺或等离子增强化学气相沉积工艺形成的情况下，可以在保证该层第三无机层104对水氧阻隔功能的基础上减薄该层第三无机层104的厚度，从而减薄封装层10的厚度，并且通过设置多层第三无机层104，可以进一步增强封装层10的水氧阻隔的功能。

在一些实施例中，多层第三无机层104包括交替层叠的第一子无机层1041和第二子无机层1042。

示例性的，第一子无机层1041和第二子无机层1042交替层叠的次数可以为一次，也可以为多次。

例如，如图16a所示，第三无机层104的层数为两层，第一子无机层1041和第二子无机层1042交替的次数为一次；如图16b所示，第三无机层104的层数为四层，第一子无机层1041和第二子无机层1042交替的次数为两次；如图16c所示，第三无机层104的层数为六层，第一子无机层1041和第二子无机层1042交替的次数为三次。

在一些实施例中，第一子无机层1041的材料和第二子无机层1042的材料不同，或，第一子无机层1041采用原子层沉积工艺形成，第二子无机层1042采用化学气相沉积工艺形成。

在一些示例中，第一子无机层1041和第二子无机层1042均采用化学气相沉积工艺制作，第一子无机层1041的材料和第二子无机层1042的材料可以为：氮氧化硅和氮化硅，或者，氮化硅和碳化硅，或者，氮化硅和氧化硅，或者，氮氧化硅和碳化硅，或者，氮氧化硅和氧化硅。

示例性的，第一子无机层1041可以位于第二子无机层1042靠近发光器件3的一侧，或者，第二子无机层1042可以位于第一子无机层1041靠近发光器件3的一侧。

示例性的，第一子无机层1041的厚度和第二子无机层1042的厚度不同。

示例性的，第一子无机层1041的厚度，和第二子无机层1042的厚度之比的范围为1:19～1:3。

例如，在第一子无机层1041和第二子无机层1042交替层叠的次数为一次的情况下，第一子无机层1041为0.05μm的氮氧化硅层，第二子无机层1042为0.95μm的氮化硅层。

又如，在第一子无机层1041和第二子无机层1042交替层叠的次数为两次的情况下，第一子无机层1041为0.05μm的氮氧化硅层，第二子无机层1042为0.45μm的氮化硅层。

进一步的，在第一子无机层1041和第二子无机层1042中，厚度较厚的膜层位于厚度较薄的膜层的远离衬底1的一侧，这样可以使封装层10具有更好的封装作用。

示例性的，如图16a所示，封装层10包括两层第三无机层104，第一子无机层1041和第二子无机层1042交替的次数为一次，第一子无机层1041为采用化学气相沉积工艺形成的氮氧化硅层，第二子无机层1042为采用化学气相沉积工艺形成的氮化硅层。第一子无机层1041可以位于第二子无机层1042靠近发光器件3的一侧，或者，第二子无机层1042可以位于第一子无机层1041靠近发光器件3的一侧。

或者，封装层10包括两层第三无机层104，第一子无机层1041为采用化学气相沉积工艺形成的氮氧化硅层或氮化硅层，第二子无机层1042为采用化学气相沉积工艺形成的氧化硅层。

或者，封装层10包括两层第三无机层104，第一子无机层1041为采用化学气相沉积工艺形成的氮氧化硅层或氮化硅层，第二子无机层1042为采用化学气相沉积工艺形成的碳氮化硅层。

或者，封装层10包括两层第三无机层104，第一子无机层1041为采用化学气相沉积工艺形成的氮氧化硅层或氮化硅层，第二子无机层1042为采用原子层沉积工艺形成的三氧化二铝层或二氧化硅层或氮氧化硅层。

例如，第一子无机层1041为采用化学气相沉积工艺形成的氮化硅层，第二子无机层1042为采用原子层沉积工艺形成的三氧化二铝层。第一子无机层1041的厚度范围为0.3μm～0.6μm，第二子无机层1042的厚度范围为0.04μm～0.06μm。

又如，第一子无机层1041为采用化学气相沉积工艺形成的氮化硅层，第二子无机层1042为采用原子层沉积工艺形成的二氧化硅层。第一子无机层1041的厚度范围为0.3μm～0.6μm，第二子无机层1042的厚度范围为0.04μm～0.06μm。

例如，第一子无机层1041的厚度为0.3μm、0.4μm、0.5μm、0.55μm或0.6μm等，例如第二子无机层1042的厚度为0.04μm、0.045μm、0.5μm、0.055μm或0.06μm等。

又如，第一子无机层1041为采用化学气相沉积工艺形成的氮氧化硅层，第二子无机层1042为采用原子层沉积工艺形成的氮氧化硅层。

或者，如图16b所示，封装层10包括四层第三无机层104，第一子无机层1041和第二子无机层1042交替的次数为两次，第一子无机层1041为采用化学气相沉积工艺形成的氮氧化硅层，第二子无机层1042为采用化学气相沉积工艺形成的氮化硅层。第一子无机层1041可以位于第二子无机层1042靠近发光器件3的一侧，或者，第二子无机层1042可以位于第一子无机层1041靠近发光器件3的一侧。

或者，封装层10包括四层第三无机层104，第一子无机层1041和第二子无机层1042交替的次数为两次，第一子无机层1041为采用化学气相沉积工艺形成的氮氧化硅层或氮化硅层，第二子无机层1042为采用原子层沉积工艺形成的三氧化二铝层或二氧化硅层。

或者，如图16c所示，封装层10包括六层第三无机层104，第一子无机层1041和第二子无机层1042交替的次数为三次，第一子无机层1041为采用化学气相沉积工艺形成的氮氧化硅层，第二子无机层1042为采用化学气相沉积工艺形成的氮化硅层。第一子无机层1041可以位于第二子无机层1042靠近发光器件3的一侧，或者，第二子无机层1042可以位于第一子无机层1041靠近发光器件3的一侧。

在一些示例中，封装层10中多个第三无机层104的材料互不相同。

示例性的，如图16b所示，封装层10包括四层第三无机层104，四层第三无机层104包括沿远离发光器件3方向依次设置的采用原子层沉积工艺形成的三氧化二铝层、采用等离子增强化学气相沉积工艺形成的氮氧化硅层、采用原子层沉积工艺形成的三氧化二铝层、采用等离子增强化学气相沉积工艺形成的氮化硅层。

或者，封装层10包括四层第三无机层104，四层第三无机层104包括沿远离发光器件3方向依次设置的采用原子层沉积工艺形成的三氧化二铝层、采用等离子增强化学气相沉积工艺形成的氮氧化硅层、采用原子层沉积工艺形成的二氧化硅层、采用等离子增强化学气相沉积工艺形成的氮化硅层。

或者，封装层10包括四层第三无机层104，四层第三无机层104包括沿远离发光器件3方向依次设置的采用原子层沉积工艺形成的二氧化硅层、采用等离子增强化学气相沉积工艺形成的氮氧化硅层、采用原子层沉积工艺形成的二氧化硅层、采用等离子增强化学气相沉积工艺形成的氮化硅层。

或者，封装层10包括四层第三无机层104，四层第三无机层104包括沿远离发光器件3方向依次设置的采用原子层沉积工艺形成的二氧化硅层、采用等离子增强化学气相沉积工艺形成的氮氧化硅层、采用原子层沉积工艺形成的三氧化二铝层、采用等离子增强化学气相沉积工艺形成的氮化硅层。

在上述实施例中，封装层10的水蒸气透过率要求小于或等于0.0005g/m²/day(该数据使用水蒸气透过率测试仪测试)。

在一些实施例中，在封装层10包括第一无机层101、有机层102和第二无机层103的情况下，有机层102和第一无机层101在衬底1上的正投影，位于第二无机层103在衬底1上的正投影范围内。

这样设置，可以使显示基板100上方形成完整的平面，并使第二无机层103对有机层102和第一无机层101进行保护。

在一些示例中，如图17a和图17b所示，有机层102在衬底1上的正投影，位于第一无机层101在衬底1上的正投影范围内。

示例性的，第一无机层101覆盖整个发光器件3和感应线圈2，从而可以避免发光器件3和感应线圈2受到水氧的侵蚀。

示例性的，如图17a和图17b所示，第一无机层101在衬底1上的正投影的边界与第二无机层103在衬底1上的正投影的边界位置相同。这样可以保证对设置在第一无机层101和第二无机层103之间的有机层102形成良好的包覆效果，避免有机层102暴露在空气中受到水氧的侵蚀。

并且，在图17a和图17b中，平坦层4和像素定义层9覆盖感应线圈2外边界围成的区域，仅在对应感应线圈2的第一端2A和第二端2B留出孔或槽，以暴露感应线圈2的第一端2A和第二端2B，方便发光器件3与感应线圈2耦接。

可以理解的是，第一无机层101、有机层102和第二无机层103还可以包括其他设置方式。

在一些示例中，发光器件3在衬底1上的正投影，位于感应线圈2在衬底1上的正投影的内边界所围成的区域内，平坦层4仅覆盖发光器件3和感应线圈2所在的区域，在这种情况下，第一无机层101可以仅制作在发光器件3和感应线圈2所在的区域，且第一无机层101的外边界大于平坦层4的外边界，这样可以保证发光器件3、感应线圈2以及相关有机层能够被第一无机层101包覆，从而可以通过第一无机层101对发光器件3、感应线圈2以及相关有机层进行保护。有机层102可以仅制作在发光器件3所在的区域，或者，有机层102可以制作在设置有第一无机层101的区域，且有机层102的外边界位于第一无机层101的外边界范围内。如图18a所示，第二无机层103的外边界可以和第一无机层101的外边界相同，或者，如图18b所示，第二无机层103的外边界比第一无机层101的外边界大，还覆盖整个感应线圈2。

在另一些示例中，在发光器件3在衬底1上的正投影，与感应线圈2在衬底1上的正投影部分重叠的情况下，如图18c所示，第一无机层101可以制作在整个显示基板100所在的区域，或者，如图18d所示，第一无机层101可以制作在发光器件3和感应线圈2所在的区域，且并未完全覆盖整个显示基板100所在的区域。从而可以通过第一无机层101至少对发光器件3、感应线圈2进行保护。有机层102可以仅制作在发光器件3所在的区域，或者，有机层102可以制作在设置有第一无机层101的区域，且有机层102的外边界位于第一无机层101的外边界范围内。如图18c所示，第二无机层103的外边界可以和第一无机层101的外边界相同，或者，如图18d所示，第二无机层103的外边界比第一无机层101的外边界大，还覆盖整个感应线圈2。

在又一些示例中，在发光器件3在衬底1上的正投影，位于感应线圈2在衬底1上的正投影的外边界所围成的区域外的情况下，如图18e、18f、18g所示，第一无机层101可以制作在发光器件3以及感应线圈2所在的区域；有机层102可以仅制作在发光器件3所在的区域，或者，有机层102可以仅制作在发光器件3以及感应线圈2所在的区域；如图18e所示，有机层102可以仅制作在发光器件3以及感应线圈2所在的区域，或者，如图18f、18g所示，有机层102可以仅制作在发光器件3所在的区域。

在一些实施例中，在有机层102在衬底1上的正投影，位于第一无机层101在衬底1上的正投影范围内的情况下，相比于第一无机层101或第二无机层42，有机层至少内缩150μm。

可以理解的，有机层102在衬底1上的正投影的边界与第一无机层101或第二无机层42在衬底1上的正投影的边界之间的最小间距大于或等于150μm。

这样设置，可以保证第一无机层101和第二无机层42的边缘相互接触，从而可以使第一无机层101和第二无机层103对有机层102形成更好的包覆效果。

在另一些示例中，如图19a和图19b所示，第一无机层101在衬底1上的正投影，位于有机层102在衬底1上的正投影范围内。

这样设置，可以使有机层102与显示基板100中靠近封装层10的有机膜层(例如平坦层4)接触，因为有机层和有机层之间的结合更为紧密，因此可以增加有机层102与显示基板100中有机膜层的附着力。

在一些实施例中，在显示基板100还包括平坦层4和像素定义层9的情况下。平坦层4位于感应线圈2和第一无机层101之间。像素定义层9位于平坦层4和第一无机层101之间。

在第一无机层101在衬底1上的正投影，位于第一无机层101在衬底1上的正投影范围内的情况下，有机层102与平坦层4和/或像素定义层9相接触。

如图17a和图17b所示，在有机层102的覆盖区域大于第一无机层101的覆盖区域的情况下，有机层102的一部分会与平坦层4和/或像素定义层9相接触，因为平坦层4的材料和像素定义层9的材料均为有机材料，因此，可以增加有机层102与平坦层4和/或像素定义层9的附着力，也就增加了封装层10与平坦层4和/或像素定义层9的附着力。

在一些实施例中，如图20所示，显示基板100还包括：第一保护层20和第二保护层30。第一保护层20位于封装层10远离衬底1的一侧。第一保护层20包括光学胶层201，以及位于光学胶层201远离封装层10一侧的第一水氧阻隔层202。第二保护层30位于衬底1远离封装层10的一侧。第二保护层30包括压敏胶层301，以及位于压敏胶层远离衬底一侧的第二水氧阻隔层302。

示例性的，第一保护层20和第二保护层30具有一定的强度，可以对显示基板100进行保护。

示例性的，光学胶层201具有一定的流动性，通过将光学胶层201与封装层10接触，光学胶层201可以填充封装层10的不平整的区域，从而在使第一水氧阻隔层202通过光学胶层201与封装层10结合的更加牢固。

示例性的，通过在光学胶层201中掺杂二氧化硅、二氧化钛等粒子，可以使光学胶层201具有一定的水氧阻隔的能力。

示例性的，光学胶层201透明度较好，例如光学胶层201的透过率大于96％。

示例性的，第一水氧阻隔层202的材料包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、环烯烃聚合物(COP)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)等。通过在第一水氧阻隔层202的表面进行镀膜或者涂布的方法，将氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等具有水氧阻隔能力的材料制作在第一水氧阻隔层202的柔性基底上，可以使第一水氧阻隔层202具有良好的水氧阻隔的能力。

示例性的，通过在压敏胶层301中掺杂二氧化硅、二氧化钛等粒子，可以使压敏胶层301具有一定的水氧阻隔的能力。

示例性的，第二水氧阻隔层302的材料包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(英文简称PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(英文简称PEN)、环烯烃聚合物(英文简称COP)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(英文简称PC)等。通过在第二水氧阻隔层302的表面进行镀膜或者涂布的方法，将氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等具有水氧阻隔能力的材料制作在第二水氧阻隔层302的柔性基底上，可以使第二水氧阻隔层302具有良好的水氧阻隔的能力。

在又一种实现方式中，显示基板的第二保护层包括基材和胶材，在需要将显示基板贴附在在需要的位置的过程中，上述基材和胶材同时去除，因此，需要在显示基板一侧重新涂胶，这样会增加显示基板与贴附位置的总体厚度。

在将显示基板100贴附在需要的位置的过程中，可以将第二保护层30的第二水氧阻隔层302去除并暴露压敏胶层301，显示基板100可以通过压敏胶层301直接贴附在需要的位置。相比于上述又一种实现方式，无需重新贴附胶材，进一步降低了显示基板与贴附位置的总体厚度。例如，上述降低的厚度范围为50μm～100μm。

在显示基板100的制作过程中，可以一次制作多个显示基板100，例如可以称为显示基板母板，通过将显示基板母板切割，可以形成单个的显示基板100。

示例性的，第二保护层30可以在对显示基板母板切割后贴附在显示基板100上，也可以先在显示基板母板上贴附第二保护层30，之后再将显示基板母板切割为单个的显示基板100。

如上所述，在显示基板100的封装层10制作完成后，需要将显示基板100从玻璃基板上玻璃下来，通过设置第一保护层20和第二保护层30可以对显示基板100进行保护，平衡显示基板100的翘曲度，避免因为显示基板100中各膜层的应力不同而使显示基板100出现弯曲的现象。

另一方面，如图21a所示，本公开的一些实施例还提供一种显示装置1000，如图21b所示，显示装置1000包括上述显示基板100、电路板200以及外壳。

或者，如图21a所示，显示装置1000还可以包括另一显示部件(图21a中的虚线框)。

该显示装置1000可以是显示不论文字还是图像的任何装置。更明确地说，预期所述实施例可实施在多种电子装置中或与多种电子装置关联，所述多种电子装置例如(但不限于)移动电话、无线装置、个人数据助理(PDA)、手持式或便携式计算机、摄像机、游戏控制台、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、座舱控制器和/或显示器等。

示例性的，显示基板100贴附在显示装置1000的外壳上，显示基板100的形状可以是任意需要的形状，例如圆形、方形、字母等。

例如，显示装置1000为液晶显示器，显示基板100的形状可以与液晶显示器的生产厂家的标识的形状相同，在显示装置1000开机的状态下，可以使显示基板100发光，从而显示上述生产厂家的标识。

示例性的，电路板200可以提供电磁场，从而可以使显示基板100中的感应线圈2产生感应电动势，并形成感应电流，驱动发光器件3发光。

本公开的一些实施例所提供的显示装置1000所包括的显示基板100，具有与上述一些实施例中提供的显示基板100相同的结构和有益效果，此处不再赘述。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：

衬底；

感应线圈，设置在所述衬底的一侧；及

发光器件，与所述感应线圈设置在所述衬底的同一侧；所述发光器件包括相对设置的第一电极和第二电极，所述第一电极与所述感应线圈的第一端耦接，所述第二电极与所述感应线圈的第二端耦接；

其中，所述感应线圈的至少部分在所述衬底上的正投影，与所述发光器件在所述衬底上的正投影无交叠。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，

所述发光器件在所述衬底上的正投影，位于所述感应线圈在所述衬底上的正投影的内边界所围成的区域内；或者，

所述发光器件在所述衬底上的正投影，位于所述感应线圈在所述衬底上的正投影的外边界所围成的区域外；或者，

所述发光器件在所述衬底上的正投影，与所述感应线圈在所述衬底上的正投影部分重叠。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括位于所述发光器件远离所述衬底一侧的封装层，所述封装层至少覆盖所述发光器件；

所述封装层包括沿远离所述衬底的方向依次层叠的第一无机层、有机层和第二无机层，所述第一无机层、所述有机层、所述第二无机层均覆盖所述发光器件；

或，所述封装层包括至少一层第三无机层。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，在所述封装层包括第一无机层、有机层和第二无机层的情况下，

所述第一无机层和所述第二无机层中的任一者采用原子层沉积工艺形成；和/或，

所述有机层采用喷墨打印工艺或气相沉积工艺形成。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述封装层至少覆盖所述发光器件和所述感应线圈；

在所述第一无机层和所述第二无机层中的任一者采用原子层沉积工艺形成的情况下，所述第一无机层和所述第二无机层中的任一者的材料包括二氧化硅或三氧化二铝，所述第一无机层的厚度为h₁，所述第二无机层的厚度为h₂，0.04μm≤h₁≤0.06μm，0.04μm≤h₂≤0.06μm；

在所述有机层采用喷墨打印工艺形成的情况下，所述有机层的厚度为h₃，5μm≤h₃≤7μm；

在所述有机层采用气相沉积工艺形成的情况下，所述有机层的材料包括碳氢氧硅化合物，所述有机层的厚度为h₄，2.5μm≤h₄≤4μm。

6.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，

在所述封装层包括至少一层第三无机层的情况下，所述封装层至少覆盖所述发光器件和所述感应线圈；所述封装层的厚度为h₄，0.3μm≤h₄≤3μm。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，

所述封装层包括多层第三无机层，至少一层所述第三无机层采用原子层沉积工艺或等离子增强化学气相沉积工艺形成。

8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，

所述多层第三无机层包括交替层叠的第一子无机层和第二子无机层；

所述第一子无机层的材料和所述第二子无机层的材料不同，或，所述第一子无机层采用原子层沉积工艺形成，所述第二子无机层采用化学气相沉积工艺形成。

9.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述发光器件的尺寸小于40mm×40mm，所述封装层包括一层第三无机层，所述第三无机层至少覆盖所述发光器件和所述感应线圈；

所述第三无机层采用等离子增强化学气相沉积工艺形成，所述第三无机层的材料包括氮氧化硅或氮化硅。

10.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，在所述封装层包括第一无机层、有机层和第二无机层的情况下，所述有机层和所述第一无机层在所述衬底上的正投影，位于所述第二无机层在所述衬底上的正投影范围内；

所述有机层在所述衬底上的正投影，位于所述第一无机层在所述衬底上的正投影范围内；或，

所述第一无机层在所述衬底上的正投影，位于所述有机层在所述衬底上的正投影范围内。

11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，

在所述有机层在所述衬底上的正投影，位于所述第一无机层在所述衬底上的正投影范围内的情况下，相比于所述第一无机层或所述第二无机层，所述有机层至少内缩150μm。

12.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：

平坦层，位于所述感应线圈和所述第一无机层之间；及，

像素定义层，位于所述平坦层和所述第一无机层之间；

在所述第一无机层在所述衬底上的正投影，位于所述第一无机层在所述衬底上的正投影范围内的情况下，所述有机层与所述平坦层和/或所述像素定义层相接触。

13.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：

第一保护层，位于所述封装层远离所述衬底的一侧；所述第一保护层包括光学胶层，以及位于所述光学胶层远离所述封装层一侧的第一水氧阻隔层；及，

第二保护层，位于所述衬底远离所述封装层的一侧；所述第二保护层包括压敏胶层，以及位于所述压敏胶层远离所述衬底一侧的第二水氧阻隔层。

14.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：位于所述感应线圈和所述发光器件之间的平坦层；

所述发光器件在所述衬底上的正投影，位于所述平坦层在所述衬底上的正投影的外边界范围内；

所述第一电极和所述第二电极分别穿过所述平坦层与所述感应线圈耦接。

15.根据权利要求14所述的显示基板，其特征在于，所述平坦层覆盖所述感应线圈。

16.根据权利要求14所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：位于所述衬底和所述平坦层之间的钝化层；所述钝化层覆盖所述感应线圈。

17.根据权利要求16所述的显示基板，其特征在于，

在所述发光器件在所述衬底上的正投影位于所述感应线圈在所述衬底上的正投影的内边界所围成的区域内的情况下，或者，在所述发光器件在所述衬底上的正投影与所述感应线圈在所述衬底上的正投影部分重叠的情况下，所述钝化层和所述平坦层整层设置，所述第一电极穿过所述平坦层和所述钝化层与所述感应线圈耦接，所述第二电极穿过所述平坦层和所述钝化层与所述感应线圈耦接。

18.根据权利要求14所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：与所述第一电极同层设置的转接电极，所述转接电极与所述感应线圈的第二端耦接；

所述第二电极与所述转接电极相接触，并通过所述转接电极与所述感应线圈的第二端耦接。

19.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1～18中任一项所述的显示基板。