CN110970578A - 一种显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置,该方法包括:衬底;显示功能层,显示功能层设置于衬底的一侧;薄膜封装层,薄膜封装层设置于显示功能层远离衬底的一侧;薄膜封装层的材料包括氮化硅或氮氧化硅中的至少一种;偏光片,偏光片设置于薄膜封装层远离衬底的一侧;保护层,保护层设置于薄膜封装层与偏光片之间;保护层的材料为单质硅;保护层的厚度小于或等于125nm。本发明提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置,以解决薄膜封装层容易导致偏光片失效的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管显示(Organic Light-Emitting Display,OLED)面板与液晶显示面板相比较,不需要设置背光,更轻薄,具有更好的视角和对比度等,因此受到了人们的广泛关注。
现有的有机发光显示面板由非出光侧至出光侧一般包括依次层叠设置的衬底基板、有机发光层、薄膜封装层、阻挡层、触控层以及偏光片等,阻挡层为无机材料,脆性大,且阻挡层的厚度较高。
柔性显示面板具有可弯折的特性,使得柔性显示面板在可穿戴设备、曲面显示、可折叠显示以及裸眼3D技术领域中具有广泛的应用,将显示屏带入柔性时代,满足市场需求。为了使得柔性显示面板在较小角度和弧度内进行自由卷曲伸缩,且为了使得柔性显示面板不易发生脆性折断,可尽量降低柔性显示面板的厚度,可以尝试将厚度较大的阻挡层去除。此外,有些柔性显示不需要触控功能,可将触控层也去掉以进一步降低柔性显示面板的厚度。
但是上述柔性显示面板中偏光片与薄膜封装层会直接接触,将偏光片与薄膜封装层压合时,薄膜封装层容易导致偏光片的失效,从而造成显示面板在阳光下的炫目情况。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置,以解决薄膜封装层容易导致偏光片失效的问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,包括:衬底;
显示功能层,所述显示功能层设置于所述衬底的一侧;
薄膜封装层,所述薄膜封装层设置于所述显示功能层远离所述衬底的一侧;所述薄膜封装层的材料包括氮化硅或氮氧化硅中的至少一种;
偏光片,所述偏光片设置于所述薄膜封装层远离所述衬底的一侧;
保护层,所述保护层设置于所述薄膜封装层与偏光片之间;所述保护层的材料为单质硅;所述保护层的厚度小于或等于125nm。
第二方面,本发明实施例还提供了一种显示面板的制作方法,包括:
提供衬底;
在所述衬底上依次形成显示功能层和薄膜封装层;所述薄膜封装层的材料包括氮化硅或氮氧化硅中的至少一种;
采用化学气相沉积工艺在所述薄膜封装层远离所述衬底的一侧形成保护层;所述保护层的材料为单质硅;所述保护层的厚度小于或等于125nm;
在所述保护层上贴附偏光片。
第三方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括本发明任意实施例提供的显示面板。
本发明中,显示面板包括衬底,以及依次设置于衬底的一侧的显示功能层、薄膜封装层、保护层以及偏光片。其中,封装薄膜层的材料包括氮化硅或氮氧化硅中的至少一种,保护层用于隔开薄膜封装层和偏光片,并且保护层的材料为单质硅,单质硅的厚度小于或等于125nm。因为薄膜封装工艺中会有氮元素的存在,在高温高湿环境下,氨分子能够逸出,而偏光片中含有碘分子,则氨分子容易与上述碘分子进行反应,导致偏光片失效。上述单质硅的保护层能够有效避免氨分子透过至偏光片,有效防止偏光片失效,增强显示面板的显示效果,提高显示面板的寿命。此外,单质硅的厚度小于或等于125nm,使得单质硅形成一层致密的保护层,有效阻隔氨分子透过,防止单质硅过厚导致硅表面形貌缝隙较大从而造成氨分子渗透严重的问题,对偏光片进行有效保护。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图2是本发明实施例提供的一种单质硅在不同厚度下的结构示意图;
图3是本发明实施例提供的一种一氧化硅在不同厚度下的结构示意图;
图4是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
图5是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
图6是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
图7是本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程示意图;
图8是本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程示意图;
图9是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
本发明实施例提供了一种显示面板,包括:衬底;
显示功能层,显示功能层设置于衬底的一侧;
薄膜封装层,薄膜封装层设置于显示功能层远离衬底的一侧;薄膜封装层的材料包括氮化硅或氮氧化硅中的至少一种;
偏光片,偏光片设置于薄膜封装层远离衬底的一侧;
保护层,保护层设置于薄膜封装层与偏光片之间;保护层的材料为单质硅;保护层的厚度小于或等于125nm。
本发明实施例中,显示面板包括衬底,以及依次设置于衬底的一侧的显示功能层、薄膜封装层、保护层以及偏光片。其中,封装薄膜层的材料包括氮化硅或氮氧化硅中的至少一种,保护层用于隔开薄膜封装层和偏光片,并且保护层的材料为单质硅,单质硅的厚度小于或等于125nm。因为薄膜封装工艺中会有氮元素的存在,在高温高湿环境下,氨分子能够逸出,而偏光片中含有碘分子,则氨分子容易与上述碘分子进行反应,导致偏光片失效。上述单质硅的保护层能够有效避免氨分子透过至偏光片,有效防止偏光片失效,增强显示面板的显示效果,提高显示面板的寿命。此外,单质硅的厚度小于或等于125nm,使得单质硅形成一层致密的保护层,有效阻隔氨分子透过,防止单质硅过厚导致硅表面形貌缝隙较大从而造成氨分子渗透严重的问题,对偏光片进行有效保护。
以上是本发明的核心思想,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下,所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图,如图1所示,显示面板包括衬底11,衬底11可以为玻璃衬底或者为聚酰亚胺,本实施例对衬底11的材料不进行限定。并可以在衬底11上形成显示功能层12,显示功能层12可包括阵列排布的发光单元121,用于实现画面显示,显示功能层12上还形成有薄膜封装层13,薄膜封装层13一般包括层叠设置的有机材料和无机材料,用于对显示功能层12进行保护,防止水氧或其他杂质入侵显示功能层12,提高显示面板的寿命。氮化硅或氮氧化硅的阻隔水氧的能力较高,本实施例中,薄膜封装层13可以包括氮化硅或氮氧化硅中的至少一种。薄膜封装层13远离衬底11的一侧还可以包括保护层14,保护层14上还设置有偏光片15,以使显示面板获取良好的显示效果。保护层14用于阻隔薄膜封装层13和偏光片15,用于防止偏光片15对薄膜封装层13进行挤压,有效防止薄膜封装层13断裂。
本实施例中,保护层14的材料为单质硅,因为薄膜封装层13包括氮化硅或氮氧化硅中的至少一种,而在薄膜封装层13的制作工艺过程中,氮化硅或氮氧化硅通过氨气作为原料形成,示例性的,对于氮化硅,其反应方程式为3SiH4+4NH3→Si3N4+12H2。即氮化硅是由硅烷(SiH4)通入氨气(NH3),生成氮化硅(Si3N4)和氢气(H2),从而形成一层氮化硅薄膜,用于进行水氧阻隔,但是显示面板在制作工艺完成后需要进行高温、高湿等可靠性测试,在高温高湿的环境下,氮化硅薄膜中的氨分子渗透出来,可能会与偏光片15接触,而偏光片15中的偏光的有效成分为碘分子,碘分子容易与氨分子发生化学反应,例如,其反应方程式为或者容易使得偏光片15的有效成分被消耗,导致偏光片15的失效。保护层14的材料为单质硅,能够有效阻挡氨分子向偏光片15渗透,防止偏光片15失效。
本实施例中,单质硅的厚度可小于或等于125nm。参考图2,图2是本发明实施例提供的一种单质硅在不同厚度下的结构示意图。图2示出了厚度为125nm的单质硅14c,厚度为200nm的单质硅14b以及厚度为300nm的单质硅14a,由图2可知,单质硅14a的硅表面形貌缝隙较大,单质硅14b的形貌缝隙次之,单质硅14c的硅表面相对更加致密,表面缝隙轻微,所以并不是硅的厚度越大,阻隔效果越好,相反的,在超过某一阈值之后,单质硅的厚度越大,表面缝隙越严重,使得氨分子更容易渗透,从而加速了偏光片的失效。为了进一步对上述结论进行验证,可选取多组保护层14厚度不同的显示面板进行可靠性测试,以对偏光片15的失效情况进行测量。如表1所示,表1是保护层不同厚度的膜层结构的透过率变化测试表,“bare glass”指的是仅偏光片,而不设置任何其他膜层的膜层结构,“1μmSIN+300nmSI”指的是包含有偏光片和一层1μm厚的氮化硅,并且偏光片和氮化硅之间设置有300nm厚的单质硅层的膜层结构,同理,“1μmSIN+200nmSI”指的是包含有偏光片和一层1μm厚的氮化硅,并且偏光片和氮化硅之间设置有200nm厚的单质硅层的膜层结构,依次类推,则上述不同条件指的是偏光片位于不同的膜层结构中,主要是保护层的单质硅的厚度不同。需要注意的是,“1μmSIN”指的是偏光片和一层1μm厚的氮化硅直接接触的膜层结构,“RA前”指的是可靠性(RA)测试之前上述各膜层结构的透过率,“740h”指的是可靠性测试740h时,各膜层结构的透过率,“1000h”指的是可靠性测试1000h时,各膜层结构的透过率。可知,当仅对一层偏光片进行可靠性测试时,可靠性测试前和可靠性测试后透过率变化差异不大,当将偏光片直接与氮化硅层接触时,可靠性测试之前偏光片的透过率为41.12%,可靠性测试1000h之后的透过率为85.5%,可靠性测试之前和可靠性测试1000h后,偏光片的透过率增大44.39%,则若氮化硅层直接与偏光片接触,会极大加速偏光片的褪色,而当偏光片、氮化硅层,以及偏光片和氮化硅层之间的单质硅层形成膜层结构时,可靠性测试前后,偏光片的透过率变化存在一定的规律。具体的,当偏光片和氮化硅层之间的单质硅层的厚度为10nm时,可靠性测试之前和可靠性测试1000h后,偏光片的透过率增大0.77%,逐渐增大偏光片和氮化硅层之间的单质硅层的厚度,可靠性测试之前和可靠性测试之后,偏光片的透过率变化逐渐增大,直至当单质硅的厚度为125nm时,可靠性测试前后偏光片的透过率变化为2%,此后,若偏光片和氮化硅层之间的单质硅层的厚度继续增大,则可靠性测试前后偏光片的透过率变化更大,示例性的,当偏光片和氮化硅层之间的单质硅层的厚度为300nm时,可靠性测试前后偏光片的透过率已接近33.43%,偏光片会快速的失效。需要注意的是,当偏光片失效时,偏光片的透过率变大,并且颜色逐渐变浅,当可靠性测试前后偏光片的厚度变换过大时,说明偏光片失效过快,甚至偏光片已完全失效。
综合表1中所有膜层结构的透过率变化规律,可知,将偏光片直接与氮化硅层接触时,会大大加速偏光片的失效,而在偏光片和氮化硅之间设置单质硅则能够缓解偏光片的失效情况,本实施例可限定显示面板的单质硅材料的保护层的厚度小于或等于125nm。本实施例中,氨分子的透过率会随着单质硅的厚度增加,其原因与单质硅形成过程有一定的关系。可选的,本实施例中保护层可采用化学气相沉积工艺形成,从而形成致密、均匀的单质硅,但是在沉积过程中,单质硅在沉积面上首先形成尺寸较小的小岛,随着沉积进行,小岛尺寸和数量增加连成一片形成初期薄膜,初期薄膜均匀、致密且应力较小;当薄膜生长到一定程度时,也即厚度增大到一个临近值时,沉积面上较大尺寸的小岛会发生沉积不均匀的情况,不均匀的沉积导致分子或原子的排布更加无序,内应力逐渐增大,同时形成较大的凹凸状颗粒薄膜,当沉积到一定程度,即膜厚增大到一定值,内应力达到较大值,薄膜容易沿由上至下的方向发生开裂,导致薄膜致密性较差。若在此基础上再次沉积,薄膜开裂更加严重,使得单质硅的表面形貌缝隙较大,所以本实施例需要限定单质硅材料的保护层的厚度小于或等于125nm。
表1:保护层不同厚度的膜层结构的透过率变化测试表
条件 | RA前 | 740h | 1000h | 增量 | |
bare glass | 43.50% | 43.38% | 43.54% | 0.04% | |
1 | 1μmSIN+300nmSI | 39.02% | 66.83% | 72.45% | 33.43% |
2 | 1μmSIN+200nmSI | 39.13% | 44.21% | 45.24% | 6.11% |
3 | 1μmSIN+125nmSI | 42.51% | 44.14% | 44.51% | 2% |
4 | 1μmSIN+100nmSI | 42.27% | 43.68% | 43.96% | 1.69% |
5 | 1μmSIN+70nmSI | 41.68% | 42.58% | 42.53% | 0.85% |
6 | 1μmSIN+10nmSI | 41.77% | 42.51% | 42.54% | 0.77% |
6 | 1μmSIN | 41.12% | 85.63% | 85.5% | 44.39% |
继续参考表1,当偏光片和氮化硅之间设置单质硅层的厚度在10nm~70nm之间时,偏光片在可靠性测试前后的透过率增长量不超过2%,处于相对稳定的状态,并且考虑到较薄的单质硅层有利于增强显示面板的光学透过率,增强显示效果,可将偏光片和氮化硅之间设置单质硅层的厚度限制为10nm~70nm的范围内,并且包括厚度为10nm和70nm的情况。
此外,一氧化硅的表面形貌变化随膜厚增加的趋势与单质硅是一致的。本实施将一氧化碳的保护层作为对比例与本实施例的单质硅的保护层进行对比,如图3所示,图3是本发明实施例提供的一种一氧化硅在不同厚度下的结构示意图。可知在0.5μm厚的氮化硅上形成60nm厚的一氧化硅时,一氧化硅表面无明显空隙,在0.5μm厚的氮化硅上形成1μm厚的一氧化硅时,一氧化硅表面空隙逐渐增大。但是将上述膜层进行偏光片褪色试验,结果表明即使当一氧化硅的膜层厚度为60nm时,也无法阻挡离子传输,但是同样厚度的单质硅却能够很好的阻挡离子的渗透,所以离子能够穿过保护层,不仅与该保护层的致密度有关,还与膜层的化学成分有关。本实施例中,一氧化硅为酸性氧化物,氨气分子遇水发生化学反应:NH3+H2O→NH3·H2O;酸性氧化物遇碱发生化学反应,可能会形成通道,则离子可通过通道渗透至偏光片,所以本实施例选取单质硅作为保护层进行离子,化学稳定性强,且厚度小于或等于125nm时,致密性较好,能够有效对偏光片进行保护,防止偏光片的失效。
可选的,薄膜封装层可以包括多个层叠设置的膜层;靠近偏光片一侧的膜层的材料包括氮化硅或氮氧化硅中的至少一种。薄膜封装层可以包括多个层叠设置的膜层,一般为无机层和有机层依次叠加的膜层结构,为了使得薄膜封装层具有更强的水氧阻隔性能,可将靠近偏光片一侧的膜层的材料设置为氮化硅或氮氧化硅中的至少一种,及从最外侧膜层材料加强对显示功能层的保护,延长发光单元的寿命。本示例中,若氮化硅或氮氧化硅贴近偏光片设置,则在高温高湿环境下,氮化硅或氮氧化硅所在膜层中的氨分子易与偏光片接触,本实施例通过致密的、纤薄的单质硅对上述氨分子(或者离子)进行有效隔绝,对偏光片进行保护。此外,上述氮化硅或氮氧化硅中的至少一种形成的膜层也可以远离偏光片一侧,本实施例对氮化硅或氮氧化硅的膜层设置位置不进行限定,无论氮化硅或氮氧化硅的膜层设置于薄膜封装层中多个膜层中的哪一层,单质硅材质的保护层都能够有效防止偏光片与氨分子反应,延长显示面板寿命。
可选的,参考图4,图4是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图,薄膜封装层13可以包括沿远离显示功能层12的方向上依次设置有第一无机层131、第一有机层132和第二无机层133;第二无机层133的材料包括氮化硅或氮氧化硅中的至少一种;第一无机层131的材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的至少一种。
本实施例中,可薄膜封装层13可包括三层层叠设置的膜层,第一无机层131、第二无机层133,以及第一无机层131和第二无机层133之间的第一有机层132。本实施例中,第二无机层133的材料包括氮化硅或氮氧化硅中的至少一种,以增强薄膜封装层13的阻隔水氧的性能,第一无机层131则可以为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的至少一种,本实施例对此不进行限定,本实施例中,可设置第一无机层131为氧化硅,第二无机层133为氮化硅。可选的,第一有机层132可以包括聚对苯二甲酸乙二酸酯、聚萘二甲酸乙二酸酯、聚乙烯醇、聚氨酯丙烯酸酯聚合物和聚酰亚胺树脂中的至少一种。第一有机层132用于隔开第一无机层131和第二无机层133,从而有效防止第一无机层131和第二无机层133断裂。
可选的,继续参考图4,保护层14可分别贴附薄膜封装层13和偏光片15设置;衬底11的材料为聚酰亚胺。本实施例中显示面板可以为柔性显示面板,为了使得柔性显示面板有一个较好的弯折效果,柔性显示面板厚度越小越好,现有技术中对偏光片和薄膜封装层之间的触控层和保护层等结构层进行去除,以降低柔性显示面板的厚度,但导致了偏光片和薄膜封装层之间的直接接触,本实施例中,保护层14采用厚度小于或等于125nm的单质硅,并且保护层14可分别贴附薄膜封装层13和偏光片15设置,也即薄膜封装层13和偏光片15之间再无其他膜层结构,适于柔性显示面板的轻薄化设置,本实施例中,柔性衬底11是可伸展、可折叠、可弯曲或可卷曲的,使得柔性有机发光显示面板也是可伸展、可折叠、可弯曲或可卷曲的。除了上述聚酰亚胺,衬底11还可以由柔性的任意合适的绝缘材料形成,例如,可以由聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、多芳基化合物(PAR)或玻璃纤维增强塑料(FRP)等聚合物材料形成,本实施例对衬底11的材料不进行限定。
可选的,参考图5,图5是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图,显示面板还可以包括背板16,背板16设置于衬底11远离显示功能层12的一侧;驱动电路层17,驱动电路层17设置于衬底11与显示功能层12之间;盖板18,盖板18设置于偏光片15远离薄膜封装层13的一侧。背板16设置于衬底11远离显示功能层12的一侧,用于对衬底11进行支撑,特别是在衬底11为柔性衬底时,背板16能够将面板按照特定形状进行固定,形成曲面显示屏。并且显示面板还包括衬底11上形成的驱动电路层17,驱动电路层17包括与发光单元121一一对应的像素驱动电路,像素驱动电路能够对对应的发光单元进行驱动,从而点亮对应的发光单元。此外,在偏光片15的出光侧还包括盖板18,盖板18能够对整个显示面板进行保护,在可靠性测试过程中,例如,在重力测试过程中能够有效保护显示面板;或在显示面板使用过程中,防止显示面板因碰撞等原因损毁。
在上述实施例的基础上,本示例通过一个具体的显示面板对本方案的显示面板进行详述。图6是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图,如图6所示,显示面板由非出光侧至出光侧依次包括背板16、衬底11、缓冲层111、驱动电路层17、显示功能层12、薄膜封装层13、保护层14、偏光片15,以及盖板18。其中,缓冲层111设置于衬底11和驱动电路层17之间,便于在衬底11上通过蒸镀、刻蚀、曝光等工艺形成驱动电路层17。缓冲层111的材料可以是氧化硅层、氮化硅层或由其构成的多层。
驱动电路层17具体包括有源层175、栅极层174、层间绝缘层177、源漏极层172和平坦化层173。其中,有源层175可以是非晶硅层或通过对非晶硅层结晶形成的多晶硅层。在有源层175上形成整面的栅极绝缘层176,栅极绝缘层176可以是氧化硅层、氮化硅层或由其构成的多层。栅极绝缘层176上形成有栅极层174,栅极层174的材料可以由铝、铜或铬中的至少一种形成,此外,电容的一个电极可以设置于栅极层174。栅极层174上形成至少一层有层间绝缘层177,层间绝缘层177可以是氧化硅层、氮化硅层或者由其构成的多层。图6中示出了两层层间绝缘层177,两层层间绝缘层177之间设置有电容的另一个电极层。此后,将上述栅极绝缘层176和层间绝缘层177进行刻蚀以暴露出有源层175,并在层间绝缘层177上形成源漏极层172,源漏极层172设置有源电极172a和漏电极172b,源电极172a和漏电极172b分别通过刻蚀孔与有源层175相连。之后,在面板的整个平面上形成平坦化层173,平坦化层173至少是选自下述集合的一种:氧化硅层、氮化硅层和玻璃上旋涂(SOG)。至此,驱动电路层17上形成了阵列设置的驱动晶体管171,驱动晶体管171与发光单元121一一对应。
显示功能层12具体包括像素限定层125、阳极层122、有机发光层123和阴极层124,在驱动电路层17上形成显示功能层12时,需要将上述平坦化层173进行刻蚀,并在平坦化层173上形成阳极层122,阳极层122通过刻蚀孔与源极172a连接,阳极层122可以由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)形成。在上述阳极层122上形成像素限定层126,像素限定层126可以是有机层或无机层,但优选为有机层,像素限定层126更优选由BCB(苯并环丁烯)、丙烯聚合物和聚酰亚胺之一构成。并对像素限定层126进行刻蚀形成开口,以暴露出上述阳极层122。需要注意的是,为了增强有机发光层123的发光性能,还可以增设辅助功能层125,具体的,可在阳极层122和有机发光层123之间形成第一辅助功能层125b,第一辅助功能层125b为空穴型的辅助功能层,可以具有多层结构,例如包括空穴注入层、空穴传输层及电子阻挡层。并在蒸镀形成有机发光层123后,形成第二辅助功能层125a,第二辅助功能层125a为电子型的辅助功能层,其也可以具有多层结构,可以包括电子传输层、电子注入层及空穴阻挡层。之后,在上述第二辅助功能层125a上形成整层的阴极层124,阴极层124可以由镁、银、铝、钙及其合金中的任何一种形成。
在形成显示功能层12之后,可形成薄膜封装层13,具体的,在阴极层124上依次形成第一无机层131、第一有机层132以及第二无机层133。之后,可在薄膜封装层13上通过化学气相沉积的方式形成保护层14,保护层14的材料为单质硅,且保护层14的厚度小于或等于125nm,偏光片14贴附在保护层14上,最后将盖板18贴附偏光片14设置,以对整个显示面板进行保护。
基于同一构思,本发明实施例还提供一种显示面板的制作方法。图7是本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程示意图,如图7所示,本实施例的方法包括如下步骤:
步骤S110、提供衬底。
步骤S120、在衬底上依次形成显示功能层和薄膜封装层;薄膜封装层的材料包括氮化硅或氮氧化硅中的至少一种。
步骤S130、采用化学气相沉积工艺在薄膜封装层远离衬底的一侧形成保护层;保护层的材料为单质硅;保护层的厚度小于或等于125nm。
步骤S140、在保护层上贴附偏光片。
本发明实施例中,显示面板包括衬底,以及依次设置于衬底的一侧的显示功能层、薄膜封装层、保护层以及偏光片。其中,封装薄膜层的材料包括氮化硅或氮氧化硅中的至少一种,保护层用于隔开薄膜封装层和偏光片,并且保护层的材料为单质硅,单质硅的厚度小于或等于125nm。因为薄膜封装工艺中会有氮元素的存在,在高温高湿环境下,氨分子能够逸出,而偏光片中含有碘分子,则氨分子容易与上述碘分子进行反应,导致偏光片失效。上述单质硅的保护层能够有效避免氨分子透过至偏光片,有效防止偏光片失效,增强显示面板的显示效果,提高显示面板的寿命。此外,单质硅的厚度小于或等于125nm,使得单质硅形成一层致密的保护层,有效阻隔氨分子透过,防止单质硅过厚导致硅表面形貌缝隙较大从而造成氨分子渗透严重的问题,对偏光片进行有效保护。
图8是本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程示意图,可选的,本实施例采用化学气相沉积工艺在薄膜封装层远离衬底的一侧形成保护层,具体的如图8所示,本实施例的方法包括如下步骤:
步骤S210、提供衬底。
步骤S220、在衬底上依次形成显示功能层和薄膜封装层;薄膜封装层的材料包括氮化硅或氮氧化硅中的至少一种。
可选的,如图6所示,在提供衬底11之前,还可以包括:提供背板16,背板16用于对衬底11进行支撑;在提供衬底11之后,形成显示功能层12之前,还包括:在衬底上形成驱动电路层17。驱动电路层17包括与显示功能层12上的发光单元121一一对应的像素驱动电路,以驱动对应发光单元121发出光线,不同的发光单元121能够发出不同的光线,实现彩色画面的显示。示例性的,如图4所述,发光单元121可以包括红色发光单元、绿色发光单元和蓝色发光单元,或者还可以包括白色发光单元,本实施例对发光单元121的颜色设置不进行限定。
步骤S230、将薄膜封装层远离衬底的一侧作为沉积面;在真空环境下,将压强为1500毫托的硅烷在80℃~90℃的环境温度下在沉积面上反应预设时间,生成单质硅和氢气,单质硅在沉积面上沉积形成保护层;预设时间小于或等于3分钟。
在通过化学气相沉积的方式形成上述保护层时,保护层可发生如下化学反应形成:SiH4→Si+2H2。也即,本实施例中单质硅是由硅烷(SiH4)分解产生的。具体的,将显示面板放入真空环境中,并将薄膜封装层远离衬底的一侧作为沉积面,将压强为1500毫托的硅烷在沉积面上发生反应,则硅烷会分解生成单质硅和氢气,单质硅则沉积在薄膜封装层的表面形成保护层。需要注意的是,本实施例中,其反应环境的温度保持在80℃~90℃的环境温度下,并且反应预设时间,该预设时间不能超过3分钟。在上述沉积方式和沉积环境中,本实施例形成小于或等于125nm的厚度的致密单质硅,以对偏光片进行保护。需要注意的是,上述化学气相沉积的条件仅为一种实现方式,还可以通过其他压强、环境温度与预设时间的组合形成本实施例所需要的单质硅,本实施例对此不进行限定。
步骤S240、在保护层上贴附偏光片。
可选的,在保护层上贴附偏光片之后,还可以在偏光片上贴附盖板。
本实施例中,具体限定了在化学气相沉积中环境温度、反应原料的压强以及反应时间等条件,以形成致密的且厚度不大于125nm的单质硅,能够有效防止薄膜封装层中的氨分子渗透至偏光片中,有效防止偏光片失效。
本发明实施例还提供一种显示装置。图9是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图,如图9所示,本发明实施例提供的显示装置包括本发明任意实施例所述的显示面板1。显示装置可以为如图9中所示的手机,也可以为电脑、电视机、智能穿戴设备等,本实施例对此不作特殊限定。可选的,本实施例中的显示装置为柔性显示装置或曲面显示装置。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (11)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:衬底;
显示功能层,所述显示功能层设置于所述衬底的一侧;
薄膜封装层,所述薄膜封装层设置于所述显示功能层远离所述衬底的一侧;所述薄膜封装层的材料包括氮化硅或氮氧化硅中的至少一种;
偏光片,所述偏光片设置于所述薄膜封装层远离所述衬底的一侧;
保护层,所述保护层设置于所述薄膜封装层与偏光片之间;所述保护层的材料为单质硅;所述保护层的厚度小于或等于125nm。
2.根据权利要求1所述显示面板,其特征在于,所述薄膜封装层包括多个层叠设置的膜层;靠近所述偏光片一侧的膜层的材料包括氮化硅或氮氧化硅中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜封装层包括沿远离显示功能层的方向上依次设置有第一无机层、第一有机层和第二无机层;
所述第二无机层的材料包括氮化硅或氮氧化硅中的至少一种;
所述第一无机层的材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一有机层包括聚对苯二甲酸乙二酸酯、聚萘二甲酸乙二酸酯、聚乙烯醇、聚氨酯丙烯酸酯聚合物和聚酰亚胺树脂中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述保护层采用化学气相沉积工艺形成。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述保护层分别贴附所述薄膜封装层和所述偏光片设置;
所述衬底的材料为聚酰亚胺。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
背板,所述背板设置于所述衬底远离所述显示功能层的一侧;
驱动电路层,所述驱动电路层设置于所述衬底与所述显示功能层之间;
盖板,所述盖板设置于所述偏光片远离所述薄膜封装层的一侧。
8.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供衬底;
在所述衬底上依次形成显示功能层和薄膜封装层;所述薄膜封装层的材料包括氮化硅或氮氧化硅中的至少一种;
采用化学气相沉积工艺在所述薄膜封装层远离所述衬底的一侧形成保护层;所述保护层的材料为单质硅;所述保护层的厚度小于或等于125nm;
在所述保护层上贴附偏光片。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法,其特征在于,采用化学气相沉积工艺在所述薄膜封装层远离所述衬底的一侧形成保护层,包括:
将所述薄膜封装层远离所述衬底的一侧作为沉积面;
在真空环境下,将压强为1500毫托的硅烷在80℃~90℃的环境温度下在所述沉积面上反应预设时间,生成单质硅和氢气,所述单质硅在所述沉积面上沉积形成保护层;所述预设时间小于或等于3分钟。
10.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法,其特征在于,
在提供衬底之前,还包括:
提供背板,所述背板用于对所述衬底进行支撑;
在提供衬底之后,形成所述显示功能层之前,还包括:
在所述衬底上形成驱动电路层;
在所述保护层上贴附偏光片之后,还包括:
在所述偏光片上贴附盖板。
11.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-10中任一项所述的显示面板。
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