CN113130462B - 一种显示模块的制备方法及显示模块 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 28
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 224
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 99
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 84
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 108
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 97
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 74
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 41
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 39
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 39
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 19
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 15
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 12
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 10
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 41
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 29
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 11
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 9
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 3
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 3
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 230000003116 impacting effect Effects 0.000 description 2
- 230000009916 joint effect Effects 0.000 description 2
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 2
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229920005669 high impact polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004797 high-impact polystyrene Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明涉及显示元器件领域,具体涉及一种显示模块的制备方法及显示模块,制备方法包括提供设置有多个发光单元的基板,多个发光单元厚度一致;在基板形成整层第一光学覆盖层,整层第一光学覆盖层将所有发光单元覆盖,第一光学覆盖层的厚度大于发光单元的厚度;采用反应离子蚀刻将第一光学覆盖层蚀刻至与发光单元同等厚度使第一光学覆盖层与发光单元在远离基板一侧共面;第一光学覆盖层远离所述基板的一面形成光滑的平面;及在第一光学覆盖层远离基板的一面的光滑平面上直接形成第二光学覆盖层。其能够保证蚀刻表面的平整度和均一性,提高了产品质量和发光效果。显示模块由上述的制备方法制备得到,发光效果好。
Description
【技术领域】
本发明涉及显示元器件领域,具体而言,涉及一种显示模块的制备方法及显示模块。
【背景技术】
目前,在进行显示模块制备的过程中,经常需要将多余的胶层去除。常规的清洗方式/去除方式包括物理性刻蚀与化学性蚀刻两种,采用物理性刻蚀过后,容易影响产品外观并会损耗一定的光效,而采用化学性蚀刻容易导致各向异性,使整体表面平整度和均一性都变得很差,直接影响了产品品质和使用效果。
有鉴于此,特提出本申请。
【发明内容】
为克服现有的制备方法存在的损耗光效、平整度和均一性差的技术问题,本发明的实施例提供了一种显示模块的制备方法及显示模块。
本发明的实施例提供一种显示模块的制备方法,其包括:提供设置有多个发光单元的基板,所述多个发光单元厚度一致;在所述基板形成整层第一光学覆盖层,所述整层第一光学覆盖层将所有发光单元覆盖,所述第一光学覆盖层的厚度大于发光单元的厚度;采用反应离子蚀刻将第一光学覆盖层蚀刻至与发光单元同等厚度使所述第一光学覆盖层与发光单元在远离基板一侧共面;所述第一光学覆盖层远离所述基板的一面形成光滑的平面;以及在第一光学覆盖层远离基板的一面的光滑平面上直接形成第二光学覆盖层;所述第一光学覆盖层由第一胶层形成,和/或所述第二光学覆盖层由第二胶层形成。
优选的,第一光学覆盖层含有遮光材料;和/或第二光学覆盖层添加有荧光材料、调色材料、散射材料、雾度调节材料中的至少一者。
优选的,采用反应离子蚀刻第一光学覆盖层包括:按预设流量通入作用气体,并电离作用气体;利用电离后的作用气体撞击第一光学覆盖层的表面;以及将第一光学覆盖层蚀刻至预设厚度;其中,作用气体包括:O2、N2和CxFy。
优选的,作用气体撞击第一光学覆盖层的表面的撞击角度为30°-90°。
优选的,对第一光学覆盖层的表面进行蚀刻时,以设定的循环次数以及设定的循环时间来进行。
优选的,循环次数设定为3-8次,循环时间设定为每次10-30min,作用气体的流量根据循环次数由开始往后逐渐减小。
优选的,第一胶层为预制形成,其两侧贴合有离型膜,形成第一光学覆盖层时,第一胶层远离发光单元的一侧保留有离型膜;形成第二光学覆盖层之前,将第一胶层的离型膜全部去掉;
第二胶层为预制形成,其两侧贴合有离型膜,形成第二光学覆盖层时,第二胶层远离发光单元的一侧保留有离型膜;第二光学覆盖层形成后,将第二胶层的离型膜全部去掉。
优选的,通过将第一胶层和第二胶层置于下压模进行压合以形成第一光学覆盖层及第二光学覆盖层。
为了进一步解决上述技术问题,本发明的实施例还提供一种显示模块,其由上述的显示模块的制备方法制备得到。
与现有技术相比,本发明的实施例所提供的技术方案的有益效果包括:
1.在制备显示模块的过程中,在覆盖第二胶层之前,需要先将第一光学覆盖层远离基板的一面蚀刻至与发光单元同等厚度,通过反应离子来进行蚀刻,可以实现定向蚀刻,蚀刻过程的可控性更高,不会在蚀刻的同时击出物质,也不会发生击出物质在胶膜表面的二次沉积而影响外观,光效不会受损,也不容易出现过度蚀刻的情况,能够保证蚀刻表面的平整度和均一性。
此外,采用反应离子对第一光学覆盖层进行蚀刻,大大提高了第一光学覆盖层表面的光滑度和均一性,使第一光学覆盖层和第二光学覆盖层之间贴合更加紧密,贴合效果更好。
另一方面,反应离子蚀刻的方式与产品的适应性好,对产品的形状、结构没有限制,无论产品大或小、结构简单或复杂、无论是蚀刻产品的整体或局部,均可以利用反应离子蚀刻进行精准蚀刻。
2.将预设厚度设置为与发光单元的厚度相同,通过反应离子蚀刻,可以将第一光学覆盖层蚀刻至与发光单元的远离基板一侧的表面相平齐,能够使发光单元和第一光学覆盖层构成光滑的表面,提高了与第二光学覆盖层的贴合效果,不仅使第二光学覆盖层的形成更加方便,而且还提高了第二光学覆盖层的贴合紧密度。
此外,发光单元只有远离基板的一侧发光表面是裸露出来的,当第一光学覆盖层具有遮光效果时,发光单元就只有远离基板的一侧表面能够顺利对外发光。这样的话,第一光学覆盖层能够对发光单元的发散角进行压缩,避免了全反射损耗,大幅度提高光能利用率,提高了发光单元在被用作为显示屏时的画面填充比、单位像素均匀度。
3.在第一光学覆盖层添加遮光材料,和/或在第二胶层添加荧光材料、调色材料、散射材料、雾度调节材料,可以进一步提高第一光学覆盖层和第二光学覆盖层对发光单元的发光效果的协同、优化作用。其中,由第一光学覆盖层和第二光学覆盖层形成的结构对发光单元的发散角通过胶体填充进行压缩,避免了全反射损耗,大幅度提高光能利用率,提高了发光单元在被用作为显示屏时的画面填充比、单位像素均匀度。此外,还能够保证每一层的结构紧凑度和平整性,同时保障第一光学覆盖层和第二光学覆盖层的接触面的贴合紧密度,优化贴合效果,使第一光学覆盖层和第二光学覆盖层整体上更加紧凑、稳固。
4.利用反应气体电离后的粒子流撞击覆盖层进行蚀刻,不仅能促进表面清洁,而且是属于低温的化学反应环境,排除了湿法化学危险性。此外,反应过程是气体解离的干式反应,不消耗水资源,无需添加其它化学药剂,反应不需要回收处理,对环境无污染,更加绿色环保。
5.作用气体以30°-90°的撞击角度撞击所述第一光学覆盖层的表面,能够使撞击强度更大,有利于提高蚀刻反应速率,从而提高蚀刻的效率,同时还能够提高对作用气体的利用率,减少作用气体从第一光学覆盖层表面直接掠过的气体量,确保作用气体都能够与第一光学覆盖层表面充分撞击,大大提高了蚀刻效果和蚀刻过程的可控性。
6.通过设定相应的循环次数和循环时间,能够使反应离子蚀刻更加容易控制,且能够在接近蚀刻终点的时候更便于精确控制。
7.将循环次数设定为3-8次,将循环时间设定为每次10-30min,且作用气体的流量根据所述循环次数由开始往后逐渐减小,这样的话,在第一光学覆盖层远离基板的一面即将与发光单元远离基板一侧的发光表面相平齐时,蚀刻速率进一步降低,便于更加精准地控制蚀刻的进度,从而确保第一光学覆盖层和发光单元相平齐,有效改善加工精度,提高产品质量。
8.第一胶层、第二胶层为预制形成,离型膜能够对第一胶层和第二胶层的表面起到整平和均匀的作用,便于第一胶层、第二胶层在离型膜的表面形成光滑的贴合面,单位面积胶体流平性好、厚度均一性优,当去除离型膜时,第一胶层、第二胶层的表面非常光滑,非常利于进行贴合,除去离型膜时也不易吸附尘埃造成污染,如对位不准确,偏位可分开再次对位,适用于任何尺寸,填充性能好,压合时不易产生气泡,贴合良率高、效率高。贴合不容易出现溢胶现象,贴合后固化无死角,贴合效果和固化后形成的贴合面的粘力极强。
在形成第一光学覆盖层时,第一胶层远离发光单元的一侧保留有离型膜,在第一光学覆盖层形成后,在形成第二光学覆盖层前,将原来第一胶层的离型膜全部去掉。形成第二光学覆盖层时,第二胶层远离发光单元的一侧保留有离型膜,第二光学覆盖层形成后,将原来第二胶层的离型膜全部去掉。在此过程中,可以借助离型膜对第一胶层和第二胶层起到稳定作用,有利于在形成时第一胶层和第二胶层沿着离型膜充分、光滑地铺展开,防止溢胶,同时还能保证第一胶层和第二胶层均匀布置,避免第一光学覆盖层和第二光学覆盖层厚度不均匀。
9.将第一胶层和第二胶层置于下压模进行压合,以形成第一光学覆盖层及形成第二光学覆盖层。这样操作能够有效地提高第一胶层和第二胶层在压合过程中的稳定性,以下模座为依托,第一胶层和第二胶层更加稳定,不容易溢胶。此外,发光单元由上朝下进行压合,第一胶层和第二胶层的粘合效果更好,压合完毕后,上压模复位时,不会导致第一胶层或第二胶层而生松动、脱落。
10.由本发明实施例提供的显示模块的制备方法制备得到的显示模块,其第一光学覆盖层和第二光学覆盖层之间贴合更加紧密,贴合效果好,光效不会受损,发光效果好。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本发明的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明实施例1提供的制备方法的流程示意图;
图2为本发明实施例1提供的制备方法制备的显示模块的结构示意图;
图3为本发明实施例1提供的制备方法制备的显示模块未覆盖第一光学覆盖层和第二光学覆盖层时的结构示意图;
图4为本发明实施例1提供的制备方法中压合第一胶层时的示意图;
图5为本发明实施例1提供的制备方法中固化第一胶层形成第一光学覆盖层时的示意图;
图6为图5中A区域的放大图;
图7为本发明实施例1提供的制备方法的步骤S3的流程示意图;
图8为本发明实施例1提供的制备方法中作用气体撞击第一光学覆盖层表面的示意图;
图9为本发明实施例1提供的制备方法中第一光学覆盖层的表面被蚀刻至与LED芯片表面相平齐后的示意图;
图10为本发明实施例1提供的制备方法中覆盖第二胶层时的示意图;
图11为本发明实施例1提供的制备方法中形成第二光学覆盖层时的示意图;
图12为本发明其他实施例提供的制备方法中形成第二光学覆盖层时的示意图
图13为第一胶层的示意图;
图14为第二胶层的示意图;
图15为压合第一胶层时的示意图;
图16为压合第二胶层时的示意图;
图17为本发明实施例2提供的显示模块的结构示意图;
图18为本发明实施例3提供的显示模块的结构示意图;
图19为本发明实施例3提供的显示模块的LED芯片与第一光学覆盖层的配合示意图。
附图标记说明:
1、3、4-显示模块;11、31、41-第一光学覆盖层;12、32、42-第二光学覆盖层;131、331、431-基板;132、332-电子元器件;133、333-IC芯片;134、334、434-LED芯片;135-间隙;14-第一胶层;15-第二胶层;16-离型膜;2-作用气体。
【具体实施方式】
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此,以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围,而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
应当理解,本发明使用的“系统”、“装置”、“单元”、“模块”和/或“模组”等是用于区分不同级别的不同组件、元件、部件、部分或装配的一种方法。然而,如果其他词语可实现相同的目的,则可通过其他表达来替换所述词语。
如本说明书和权利要求书中所示,除非上下文明确提示例外情形,“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数,也可包括复数。一般说来,术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素,而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列,方法或者设备也可能包含其它的步骤或元素。
本说明书中使用了流程图用来说明根据本说明书的实施例的系统所执行的操作。应当理解的是,前面或后面操作不一定按照顺序来精确地执行。相反,可以按照倒序或同时处理各个步骤。同时,也可以将其他操作添加到这些过程中,或从这些过程移除某一步或数步操作。
实施例1
请参照图1,本实施例提供一种显示模块的制备方法,显示模块的制备方法用于制备显示模块,其包括如下步骤:
S1、提供设置有发光单元的基板;
S2、在基板形成第一光学覆盖层,第一光学覆盖层将发光单元覆盖,第一光学覆盖层的厚度大于发光单元的厚度;
S3、采用反应离子蚀刻将第一光学覆盖层蚀刻至预设厚度;及
S4、在第一光学覆盖层远离基板的一侧形成第二光学覆盖层。
其中,预设厚度指:根据实际生产设计需要,第一光学覆盖层的设计厚度,换句话说,就是在成品中第一光学覆盖层的厚度。预设厚度可以大于发光单元的厚度、也可以与发光单元的厚度相同,当然,也可以小于发光单元的厚度。
请结合图2和图3,为了能更加清楚地阐述显示模块的制备方法的工艺过程,以下结合由显示模块的制备方法制备获得的显示模块1的具体结构进行阐述。需要注意的是,显示模块1的具体结构仅用于进一步说明显示模块的制备方法,并不是对显示模块的制备方法的进一步限定,显示模块的制备方法还可以用于制备其他类型的显示模块,并不局限于此。
显示模块1包括:基板131、电子元器件132、IC芯片133、LED芯片134、第一光学覆盖层11和第二光学覆盖层12。电子元器件132、IC芯片133贴装在基板131的Bottom面,LED芯片134混合排列在基板131的TOP面。
其中,显示模块1的发光单元为单颗的LED芯片134或者包括至少3颗LED芯片134。当显示模块1的发光单元为单颗LED芯片134时,包括红色芯片、绿色芯片或者蓝色芯片中的一种,此时为了保证LED芯片134能发出白光,需要在发光单元的出光面上设置荧光粉层,以获得所需的出光颜色。当显示模块1的发光单元包括3颗LED芯片134时,其包括红色芯片、绿色芯片和蓝色芯片三种芯片,即为传统的RGB发光单元,实现发白光,此时无需设置荧光粉层即可发出白光。
在一些其他实施例中,显示模块1的发光单元还可以是多于3颗LED芯片134,比如为4颗时,其进一步包括白光芯片。
在另一些实施例中,多个发光单元间隔设置,呈多行多列的矩阵排列、三角形排列、菱形排列或者其他多边形排列。当显示组件作为广告指示用时,还可以是根据广告显示的图案或者字样设置发光单元的排布形式。
在步骤S1中,LED芯片134设置在基板131的表面,相邻两个LED芯片134之间具有间隙135。
请参阅图3和图4,在步骤S2中,第一光学覆盖层11由第一胶层14形成而成,第一胶层14被从发光单元远离基板131的一面压合,第一胶层14能够将间隙135充分填充,第一胶层14经固化后形成第一光学覆盖层11。第一光学覆盖层11能够填充间隙135,对LED芯片134起到稳固、支撑的作用,避免在受到撞击、震动时,LED芯片134发生移位,大大提高了LED芯片134的安装稳定性。此外,第一光学覆盖层11填充于间隙135中,从LED芯片134的四周将其包裹起来,对LED芯片134也起到了很好的保护作用。
请结合图5和图6,要注意的是,固化后,第一光学覆盖层11远离基板131的一面与基板131的板面之间的距离a大于LED芯片134远离基板131的一面与基板131的板面之间的距离b,即第一光学覆盖层11的厚度大于LED芯片134的厚度。
其中,第一胶层14的厚度选择为60-100μm,可以理解,第一胶层14的厚度还可以是70μm、80μm、90μm等,且不限于此。压合固化后,形成的第一光学覆盖层11的厚度为40-80μm,可以理解,第一光学覆盖层11的厚度还可以是50μm、60μm、70μm等,且不限于此。
第一胶层14采用光学胶,具体可以是硅树脂、硅胶、环氧树脂等,且不限于此,可选的,在本实施例中,第一胶层14采用的是环氧树脂。
为了进一步提高显示模块1的第一光学覆盖层11和第二光学覆盖层12之间的贴合效果,将第一光学覆盖层11蚀刻至与发光单元LED芯片134的远离基板131一侧的表面相平齐,能够使LED芯片134和第一光学覆盖层11构成光滑的表面,提高了与第二光学覆盖层12的贴合效果,不仅使第二光学覆盖层12的形成更加方便,而且还提高了与第二光学覆盖层12之间的贴合紧密度。
而为了优化高显示模块1的发光效果,第一光学覆盖层11含有遮光材料,用于阻挡光线从第一光学覆盖层11射出。当第一光学覆盖层11远离基板131的一侧表面被蚀刻至与LED芯片134远离基板131的一侧发光表面相平齐时,LED芯片134只有远离基板131的一侧发光表面是裸露出来的,换句话说,LED芯片134只有远离基板131的一侧发光表面能够顺利对外发光。这样的话,第一光学覆盖层11能够对LED芯片134的发散角通过填充进行压缩,避免了全反射损耗,大幅度提高光能利用率,提高了LED芯片134在被用作为显示屏时的画面填充比、单位像素均匀度。
其中,遮光材料通常可以是碳粉、油墨、颜料等,但不限于此,在本实施例中,遮光材料采用的是碳粉,碳粉填充于第一胶层14的环氧树脂当中,当第一胶层14固化后,第一光学覆盖层11整体呈黑色,能够对LED芯片134侧边的发光区进行遮蔽,仅留下LED芯片134远离基板131的一侧表面发光。
请参阅图7、图8和图9,在步骤S3中,步骤S3包括:
S31、按预设流量通入作用气体,并电离作用气体;
S32、利用电离后的作用气体撞击第一光学覆盖层的表面;及
S33、将第一光学覆盖层蚀刻至预设厚度。
其中,作用气体包括:O2、N2和CxFy。
在本实施例中,预设厚度为发光单元(即LED芯片134)的厚度,即将第一光学覆盖层11蚀刻至预设厚度时,第一光学覆盖层11远离基板131的一侧表面与发光单元(即LED芯片134)的表面相平齐。
在步骤S31中,具体在制备显示模块1时,利用辉光放电电离作用气体2,辉光放电将作用气体2电离成带正电的离子,利用离子撞击的方式使第一光学覆盖层11中含C-H键有机物与O2发生反应生成具有挥发性的产物并被抽出反应腔。
利用反应气体电离后的离子流撞击覆盖层进行蚀刻,不仅能促进表面清洁,而且是属于低温的化学反应环境,排除了湿法化学危险性。此外,反应过程是气体解离的干式反应,不消耗水资源,无需添加其它化学药剂,反应不需要回收处理,对环境无污染,更加绿色环保。
采用反应离子蚀刻可以定向蚀刻,蚀刻过程的可控性更高,不会在蚀刻的同时击出物质,不会发生击出物质在第一光学覆盖层11表面的二次沉积而影响外观和发光效果,也不会影响第二胶层15与第一光学覆盖层11的贴合效果,整体光效不会受损,也不容易出现过度蚀刻的情况,能够保证蚀刻表面的平整度和均一性。此外,反应离子蚀刻的方式与产品的适应性好,对产品的形状、结构没有限制,无论产品大或小、结构简单或复杂、无论是蚀刻产品的整体或局部,均可以利用该制备方法进行制备,有效改善了产品质量和发光效果。
为了提高反应离子对第一光学覆盖层11表面的蚀刻能力,在步骤S32中,电离后的作用气体2撞击第一光学覆盖层11远离基板131的一侧表面时的撞击角度为30-90°。可选地,撞击角度还可以是40°、50°、60°、70°、80°等,且不限于此,可以结合实际生产需要灵活调整。在本实施例中,撞击角度采用的是90°,通过90°进行撞击,能够使撞击强度更大,有利于提高反应速率,从而提高蚀刻的效率,同时还能够提高对作用气体2的利用率,减少从第一光学覆盖层11表面直接掠过的气体量,确保作用气体2都能够与第一光学覆盖层11表面充分撞击,大大提高了蚀刻效果和蚀刻过程的可控性。
在进行反应离子蚀刻的过程中,为了进一步提高蚀刻过程的可控性和精准度,以设定的循环次数以及设定的循环时间对第一光学覆盖层11远离基板131的一面进行反应离子蚀刻。其中,设定的循环次数和循环时间均与作用气体2的预设流量存在关系。一般来说,如果作用气体2的预设流量越大,那么所需的循环次数和循环时间就越少,如果作用气体2的预设流量越小,那么所需的循环次数和循环时间就越多。
具体的,循环次数可以设定为3-8次,循环时间可以设定为每次10-30min,可以理解,循环次数还可以是4次、5次、6次、7次等,且不限于此,循环时间还可以是12min、15min、18min、20min、25min等,且不限于此。在本实施例中,循环次数采用的是4次,每次循环的循环时间采用的是15min。通过设定相应的循环次数和循环时间,能够使反应离子蚀刻更加容易控制,且能够在接近蚀刻终点的时候更便于精确控制。
需要注意的是,作用气体2的流量根据循环次数由开始往后逐渐减小。这样的话,在第一光学覆盖层11远离基板131的一面即将与LED芯片134远离基板131一侧的发光表面相平齐时,作用气体2的流量进一步减小,蚀刻速率进一步降低,便于更加精准地控制蚀刻的进度和蚀刻终点,从而确保第一光学覆盖层11和LED芯片134能够准确地平齐,有效改善加工精度,提高产品质量。如此设计,能够有效地保证由第一光学覆盖层11和LED芯片134二者远离基板131的一侧所构成的表面整体上更加平整、光滑,对于第二胶层15的有效覆盖起到了很好的辅助效果。
需要说明的是,实际工作中,在确定循环次数和循环时间时,需要根据第一光学覆盖层11远离基板131的一面与基板131的板面之间的距离a和LED芯片134远离基板131的一面与基板131的板面之间的距离b的差值来确定另外,具体所需的循环次数和循环时间跟反应气体的流量也相关。因此,具体所需的循环次数和循环时间需要结合距离a和距离b的差值、反应离子蚀刻速率来确定,也可以依据距离a和距离b的差值、反应离子蚀刻速率来灵活调整循环次数和循环时间。
在步骤S4中,请参阅图10和图11,具体到显示模块1的制备过程中,第二光学覆盖层12由第二胶层15制备得到。第二胶层15覆盖于由第一光学覆盖层11和LED芯片134二者远离基板131的一侧构成的平面上,能够对第一光学覆盖层11和LED芯片134一并覆盖,形成的第二光学覆盖层12。一方面能够对第一光学覆盖层11和发光单元的发光表面起到保护作用,另一方面还能够对发光单元的光线的传导起到促进作用。
需要说明的是,在本发明的其他的实施例中,第二胶层15还可以只对LED芯片134远离基板131的一侧进行覆盖,最终形成的第二光学覆盖层12就只覆盖于LED芯片134远离基板131的一侧,如图12所示。
回到本实施例中,第二胶层15采用光学胶,具体可以是硅树脂、硅胶、环氧树脂等,且不限于此,可选的,在本实施例中,第二胶层15采用的是环氧树脂。
第一光学覆盖层11经反应离子蚀刻之后,第一光学覆盖层11远离基板131的一侧表面非常光滑,第一光学覆盖层11远离基板131的一侧表面和LED芯片134远离基板131的一侧表面构成了一个整体的光滑表面,这个光滑的表面非常有利于第二胶层15贴合上来形成密实的贴合面,大大提高了第二胶层15的贴合效果,使最后固化形成的第二光学覆盖层12与第一光学覆盖层11、LED芯片134贴合地更好,避免出现空隙。
为了进一步提高显示模块1的发光质量,提高显示模块1的功能性,可以结合显示模块1的具体情况,选择在第二胶层15中添加荧光材料、调色材料、散射材料、雾度调节材料等。
其中,荧光材料可以使显示模块1在发光时荧光效果更佳,提高视觉效果。荧光材料可以是:荧光颗粒,也可以是缺陷型二氧化硅,但不限于此。荧光材料可以由单色光激发,实现发白光的目的,当显示模块1为单色LED时,可以选择在第二胶层15中添加荧光材料,而当显示模块1为RGB发光时,则可以不添加荧光材料。
调色材料用于改变第二光学覆盖层12的颜色,使显示模块1发出对应颜色的光,提高发光色彩的多样性。调色材料可以是:颜料、调色剂等,且不限于此。
散射材料可将点光源转变成各向同性的面光源或各向异性的面光源、条形光源和线形光源,扩大光的照射面积、增加其视觉效果,并可根据实际需要对各向同性和各向异性的光散射强弱进行调控,能有效的节能降耗,并得到所需的散射角、清晰度、视觉均匀性的发光效果。散射材料可以是高折射率的纳米粒子、面散射材料或者体散射材料,例如:二氧化硅颗粒,但不限于此。
雾度调节材料用于调节第二光学覆盖层12的雾度,改善发光效果。雾度调节材料可以是ABS颗粒、HIPS颗粒等,但不限于此。
其中,第二胶层15的厚度为100-400μm,可以理解,第二胶层15的厚度还可以是150μm、200μm、250μm、300μm、350μm等,且不限于此。
请结合图11、图13和图14,为了提高第一胶层14和第二胶层15的贴合效果以及压合效果,第一胶层14和第二胶层15均为预制形成。其中,第一胶层14和第二胶层15二者的两侧均贴合有离型膜16。
在覆盖第一胶层14时,先将第一胶层14一侧的离型膜16去除,即可进行第一胶层14的覆盖、压合,在进行压合时,将第一胶层14去除了离型膜16的一侧覆盖到基板131和发光单元(即LED芯片134)表面并进行压合,待将第一胶层14压合、固化形成第一光学覆盖层11之后,再去除第一光学覆盖层11远离基板131的一侧的离型膜16,去除该离型膜16之后,即可对第一光学覆盖层11远离基板131的一侧进行反应离子蚀刻。离型膜16能够使第一光学覆盖层11的表面更加光滑平整,更便于进行反应离子蚀刻,也降低了进行反应离子蚀刻的难度,使蚀刻重点更容易把控。
在覆盖第二胶层15时,先将第二胶层15一侧的离型膜16去除,即可进行第二胶层15的覆盖、压合,在进行压合时,将第二胶层15去除了离型膜16的一侧与第一光学覆盖层11远离基板131的一侧贴合以进行压合,待将第二胶层15压合、固化形成第二光学覆盖层12之后,再去除第二光学覆盖层12远离基板131的一侧的离型膜16。离型膜16能够使第二光学覆盖层12的表面更加光滑平整,使显示模块1的表面更加更滑、美观,发光效果也更好。
离型膜16能够对第一胶层14和第二胶层15的表面起到整平和均匀的作用,便于第一胶层14和第二胶层15在离型膜16的表面形成光滑的贴合面,在覆盖时,保证第一胶层14和第二胶层15的表面充分光滑、匀整,单位面积胶体流平性好、厚度均一性优。当去除离型膜16后,第一胶层14和第二胶层15的表面非常光滑,非常利于进行贴合,除去离型膜16时也不易吸附尘埃造成污染,如对位不准确,偏位可分开再次对位,适用于任何尺寸,填充性能好,压合时不易产生气泡,贴合良率高、效率高。贴合不容易出现溢胶现象,贴合后固化无死角,贴合效果好且固化后形成的贴合面的贴合性好。
请结合图15和图16,为了进一步提升第一胶层14和第二胶层15的压合质量,在步骤S1中压合第一胶层14时,以及在步骤S4中压合第二胶层15时,将第一胶层14和第二胶层15置于下压模上,将基板131的LED芯片134所在的一面朝向下压模,进行压合。
通过该设计,在压合时,第一胶层14、第二胶层15位于LED芯片134下方,第一胶层14、第二胶层15的底部均保留有离型膜16,离型膜16能够对第一胶层14、第二胶层15起到支撑作用,便于第一胶层14、第二胶层15在离型膜16上充分延展开,有利于第一胶层14和第二胶层15的上表面保持平整、光滑,避免第一胶层14、第二胶层15的上表面在压合开始前就发生变形或扭曲,有利于第一胶层14、第二胶层15二者与贴合面充分接触、贴合。
由于离型膜16的存在,有利于第一胶层14、第二胶层15顺利铺展开,且方便对第一胶层14、第二胶层15进行抓取,避免污染第一胶层14、第二胶层15。
在压合的过程中,离型膜16也可以作为第一胶层14、第二胶层15的支撑,离型膜16在下压模的支持下,能够让第一胶层14、第二胶层15在压合过程中尽可能保持均匀,有助于第一胶层14、第二胶层15均匀、充分贴合,并有利于压合过后各个部位厚度一致,避免溢胶,大大改善了压合质量,提升了粘合效果。
在步骤S1和步骤S4中,压合采用的具体方式为热压,可以采用真空热压设备来完成,热压的温度范围可以是80℃-120℃,可选地,热压的温度还可以是90℃、100℃、110℃等,且不限于此。在本实施例中,热压温度采用的是100℃。
步骤S1和步骤S4中,固化所采用的具体方式为烤箱加热固化。
需要注意的是,上文中以显示模块1为例,对显示模块的制备方法进行了说明,可以理解,显示模块的制备方法并不局限于用于制备显示模块1,还可以用于制备其他类型的显示模块。
实施例2
请参考图17,本实施例提供一种显示模块3,显示模块3由实施例1提供的制备方法制备得到。
显示模块3包括基板331、电子元器件332、IC芯片333、LED芯片334、第一光学覆盖层31和第二光学覆盖层32。
基板331的材质类型通常可以是BT、FR-4、玻璃、铝板、FPC等,且不限于此。可选的,在本实施例中,基板331的材质采用的是BT。
第一光学覆盖层31和第二光学覆盖层32由光学胶压合、固化形成,光学胶可以是硅胶、硅树脂、环氧树脂等,且不限于此。可选的,在本实施例中,光学胶均采用环氧树脂。
电子元器件332、IC芯片333贴装在基板331的Bottom面,LED芯片334混合排列在基板331的TOP面。
其中,显示模块3的发光单元为单颗的LED芯片334或者包括至少3颗LED芯片334。当显示模块3的发光单元为单颗LED芯片334时,包括红色芯片、绿色芯片或者蓝色芯片中的一种,此时为了保证LED芯片334能发出白光,需要在发光单元的出光面上设置荧光粉层,以获得所需的出光颜色。当显示模块1的发光单元包括3颗LED芯片334时,其包括红色芯片、绿色芯片和蓝色芯片三种芯片,即为传统的RGB发光单元,实现发白光,此时无需设置荧光粉层即可发出白光。
第一光学覆盖层31填充于LED芯片334之间的间隙当中,第一光学覆盖层31远离基板331的一侧表面与LED芯片334远离基板331的一侧发光表面相平齐。第二光学覆盖层32覆盖于第一光学覆盖层31和LED芯片334二者的远离基板131的一侧表面。
在一些其他实施例中,显示模块3的发光单元还可以是多于3颗LED芯片334,比如为4颗时,其进一步包括白光芯片。
在另一些实施例中,多个发光单元间隔设置,呈多行多列的矩阵排列、三角形排列、菱形排列或者其他多边形排列。当显示组件作为广告指示用时,还可以是根据广告显示的图案或者字样设置发光单元的排布形式。
第一光学覆盖层31填充于LED芯片334之间的间隙当中,第一光学覆盖层31远离基板331的一侧表面与LED芯片334远离基板331的一侧发光表面相平齐,第一光学覆盖层31中含有碳粉,用于遮光和加固LED芯片334。第二光学覆盖层32覆盖于第一光学覆盖层31和LED芯片334二者的远离基板331的一侧表面,第二光学覆盖层32用于透光。
实施例3
请参考图18和图19,本实施例提供一种显示模块4,显示模块4由实施例1提供的制备方法制备得到。与实施例2中的显示模块3相比,不同的是:每个显示模块4的基板431上只设置了一个LED芯片434,第一光学覆盖层41形成于基板431上,第一光学覆盖层41远离基板431的一侧被反应离子蚀刻至与LED芯片434远离基板431的一侧表面相平齐。第一光学覆盖层41包围于LED芯片434周围。第二光学覆盖层42形成于第一光学覆盖层41和LED芯片434二者远离基板431的一侧。
与现有技术相比,本发明的实施例所提供的技术方案的有益效果包括:
1.在制备显示模块的过程中,在覆盖第二胶层之前,需要先将第一光学覆盖层远离基板的一面蚀刻至预设厚度,通过反应离子来进行蚀刻,可以实现定向蚀刻,蚀刻过程的可控性更高,不会在蚀刻的同时击出物质,也不会发生击出物质在胶膜表面的二次沉积而影响外观,光效不会受损,也不容易出现过度蚀刻的情况,能够保证蚀刻表面的平整度和均一性。
此外,采用反应离子对第一光学覆盖层进行蚀刻,大大提高了第一光学覆盖层表面的光滑度和均一性,使第一光学覆盖层和第二光学覆盖层之间贴合更加紧密,贴合效果更好。
另一方面,反应离子蚀刻的方式与产品的适应性好,对产品的形状、结构没有限制,无论产品大或小、结构简单或复杂、无论是蚀刻产品的整体或局部,均可以利用反应离子蚀刻进行精准蚀刻。
2.将预设厚度设置为与发光单元的厚度相同,通过反应离子蚀刻,可以将第一光学覆盖层蚀刻至与发光单元的远离基板一侧的表面相平齐,能够使发光单元和第一光学覆盖层构成光滑的表面,提高了与第二光学覆盖层的贴合效果,不仅使第二光学覆盖层的形成更加方便,而且还提高了第二光学覆盖层的贴合紧密度。
此外,发光单元只有远离基板的一侧发光表面是裸露出来的,当第一光学覆盖层具有遮光效果时,发光单元就只有远离基板的一侧表面能够顺利对外发光。这样的话,第一光学覆盖层能够对发光单元的发散角进行压缩,避免了全反射损耗,大幅度提高光能利用率,提高了发光单元在被用作为显示屏时的画面填充比、单位像素均匀度。
3.在第一光学覆盖层添加遮光材料,和/或在第二胶层添加荧光材料、调色材料、散射材料、雾度调节材料,可以进一步提高第一光学覆盖层和第二光学覆盖层对发光单元的发光效果的协同、优化作用。其中,由第一光学覆盖层和第二光学覆盖层形成的结构对发光单元的发散角通过胶体填充进行压缩,避免了全反射损耗,大幅度提高光能利用率,提高了发光单元在被用作为显示屏时的画面填充比、单位像素均匀度。此外,还能够保证每一层的结构紧凑度和平整性,同时保障第一光学覆盖层和第二光学覆盖层的接触面的贴合紧密度,优化贴合效果,使第一光学覆盖层和第二光学覆盖层整体上更加紧凑、稳固。
4.利用反应气体电离后的粒子流撞击覆盖层进行蚀刻,不仅能促进表面清洁,而且是属于低温的化学反应环境,排除了湿法化学危险性。此外,反应过程是气体解离的干式反应,不消耗水资源,无需添加其它化学药剂,反应不需要回收处理,对环境无污染,更加绿色环保。
5.作用气体以30°-90°的撞击角度撞击所述第一光学覆盖层的表面,能够使撞击强度更大,有利于提高蚀刻反应速率,从而提高蚀刻的效率,同时还能够提高对作用气体的利用率,减少作用气体从第一光学覆盖层表面直接掠过的气体量,确保作用气体都能够与第一光学覆盖层表面充分撞击,大大提高了蚀刻效果和蚀刻过程的可控性。
6.通过设定相应的循环次数和循环时间,能够使反应离子蚀刻更加容易控制,且能够在接近蚀刻终点的时候更便于精确控制。
7.将循环次数设定为3-8次,将循环时间设定为每次10-30min,且作用气体的流量根据所述循环次数由开始往后逐渐减小,这样的话,在第一光学覆盖层远离基板的一面即将与发光单元远离基板一侧的发光表面相平齐时,蚀刻速率进一步降低,便于更加精准地控制蚀刻的进度,从而确保第一光学覆盖层和发光单元相平齐,有效改善加工精度,提高产品质量。
8.第一胶层、第二胶层为预制形成,离型膜能够对第一胶层和第二胶层的表面起到整平和均匀的作用,便于第一胶层、第二胶层在离型膜的表面形成光滑的贴合面,单位面积胶体流平性好、厚度均一性优,当去除离型膜时,第一胶层、第二胶层的表面非常光滑,非常利于进行贴合,除去离型膜时也不易吸附尘埃造成污染,如对位不准确,偏位可分开再次对位,适用于任何尺寸,填充性能好,压合时不易产生气泡,贴合良率高、效率高。贴合不容易出现溢胶现象,贴合后固化无死角,贴合效果和固化后形成的贴合面的粘力极强。
在形成第一光学覆盖层时,第一胶层远离发光单元的一侧保留有离型膜,在第一光学覆盖层形成后,在形成第二光学覆盖层前,将原来第一胶层的离型膜全部去掉。形成第二光学覆盖层时,第二胶层远离发光单元的一侧保留有离型膜,第二光学覆盖层形成后,将原来第二胶层的离型膜全部去掉。在此过程中,可以借助离型膜对第一胶层和第二胶层起到稳定作用,有利于在形成时第一胶层和第二胶层沿着离型膜充分、光滑地铺展开,防止溢胶,同时还能保证第一胶层和第二胶层均匀布置,避免第一光学覆盖层和第二光学覆盖层厚度不均匀。
9.将第一胶层和第二胶层置于下压模进行压合,以形成第一光学覆盖层及形成第二光学覆盖层。这样操作能够有效地提高第一胶层和第二胶层在压合过程中的稳定性,以下模座为依托,第一胶层和第二胶层更加稳定,不容易溢胶。此外,发光单元由上朝下进行压合,第一胶层和第二胶层的粘合效果更好,压合完毕后,上压模复位时,不会导致第一胶层或第二胶层而生松动、脱落。
10.由本发明实施例提供的显示模块的制备方法制备得到的显示模块,其第一光学覆盖层和第二光学覆盖层之间贴合更加紧密,贴合效果好,光效不会受损,发光效果好。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种显示模块的制备方法,其特征在于,包括:
提供设置有多个发光单元的基板,所述多个发光单元厚度一致;
在所述基板形成整层第一光学覆盖层,所述整层第一光学覆盖层将所有发光单元覆盖,所述第一光学覆盖层的厚度大于所述发光单元的厚度;
采用反应离子蚀刻将所述第一光学覆盖层蚀刻至与发光单元同等厚度使所述第一光学覆盖层与发光单元在远离基板一侧共面;所述第一光学覆盖层远离所述基板的一面形成光滑的平面;及
在所述第一光学覆盖层远离所述基板的一面的光滑平面上直接形成第二光学覆盖层;
所述第一光学覆盖层由第一胶层形成,和/或所述第二光学覆盖层由第二胶层形成。
2.根据权利要求1所述的显示模块的制备方法,其特征在于,所述第一光学覆盖层含有遮光材料;和/或所述第二光学覆盖层添加有荧光材料、调色材料、散射材料、雾度调节材料中的至少一者。
3.根据权利要求1所述的显示模块的制备方法,其特征在于,采用反应离子蚀刻所述第一光学覆盖层包括:
按预设流量通入作用气体,并电离所述作用气体;
利用电离后的所述作用气体撞击所述第一光学覆盖层的表面;及
将所述第一光学覆盖层蚀刻至预设厚度;
其中,所述作用气体包括:O2、N2和CxFy。
4.根据权利要求3所述的显示模块的制备方法,其特征在于,所述作用气体撞击所述第一光学覆盖层的表面的撞击角度为30°-90°。
5.根据权利要求3所述的显示模块的制备方法,其特征在于,对所述第一光学覆盖层的表面进行蚀刻时,以设定的循环次数以及设定的循环时间来进行。
6.根据权利要求5所述的显示模块的制备方法,其特征在于,循环次数设定为3-8次,循环时间设定为每次10-30min,所述作用气体的流量根据所述循环次数由开始往后逐渐减小。
7.根据权利要求1所述的显示模块的制备方法,其特征在于,所述第一胶层为预制形成,其两侧贴合有离型膜,形成所述第一光学覆盖层时,所述第一胶层远离所述发光单元的一侧保留有离型膜;形成所述第二光学覆盖层之前,将所述第一胶层的离型膜全部去掉;
所述第二胶层为预制形成,其两侧贴合有离型膜,形成所述第二光学覆盖层时,所述第二胶层远离所述发光单元的一侧保留有离型膜;所述第二光学覆盖层形成后,将所述第二胶层的离型膜全部去掉。
8.根据权利要求7所述的显示模块的制备方法,其特征在于,通过将所述第一胶层和所述第二胶层置于下压模进行压合以形成所述第一光学覆盖层及所述第二光学覆盖层。
9.一种显示模块,其特征在于,由如权利要求1-8任一项所述的显示模块的制备方法制备得到。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110391464.XA CN113130462B (zh) | 2021-04-13 | 2021-04-13 | 一种显示模块的制备方法及显示模块 |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113130462A CN113130462A (zh) | 2021-07-16 |
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ID=76775832
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110391464.XA Active CN113130462B (zh) | 2021-04-13 | 2021-04-13 | 一种显示模块的制备方法及显示模块 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113130462B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113763832B (zh) * | 2021-09-17 | 2024-01-30 | 利亚德光电股份有限公司 | Led显示模组的制备方法 |
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- 2021-04-13 CN CN202110391464.XA patent/CN113130462B/zh active Active
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