CN105210171A - 显示器和发光面板中的保留了相邻关系的led裸片分散 - Google Patents

显示器和发光面板中的保留了相邻关系的led裸片分散 Download PDF

Info

Publication number
CN105210171A
CN105210171A CN201380057501.7A CN201380057501A CN105210171A CN 105210171 A CN105210171 A CN 105210171A CN 201380057501 A CN201380057501 A CN 201380057501A CN 105210171 A CN105210171 A CN 105210171A
Authority
CN
China
Prior art keywords
chip
row
wafer
carrier
intermediate carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201380057501.7A
Other languages
English (en)
Inventor
谢泉隆
俞钢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CBRITE Inc
Original Assignee
CBRITE Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CBRITE Inc filed Critical CBRITE Inc
Publication of CN105210171A publication Critical patent/CN105210171A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting substrates others than wafers, e.g. chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/041—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L31/00
    • H01L25/042—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L31/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06527—Special adaptation of electrical connections, e.g. rewiring, engineering changes, pressure contacts, layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06555—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0025—Processes relating to coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/17—Surface bonding means and/or assemblymeans with work feeding or handling means
    • Y10T156/1702—For plural parts or plural areas of single part
    • Y10T156/1705—Lamina transferred to base from adhered flexible web or sheet type carrier
    • Y10T156/1707—Discrete spaced laminae on adhered carrier
    • Y10T156/171—Means serially presenting discrete base articles or separate portions of a single article
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

公开了一种将半导体芯片从半导体芯片的晶圆分散到基板上并同时保留每个芯片与各个毗邻芯片的相邻关系的方法。该方法包括：将所述晶圆分散为半导体芯片的顺序列并同时保留相邻关系，这些列之间具有第一间距；以及，将所述半导体芯片的列依次在基板上分散为离散芯片的行并同时保留相邻关系，这些行之间具有第二间距。

Description

显示器和发光面板中的保留了相邻关系的LED裸片分散
技术领域
本发明总体上涉及显示器或发光面板中的LED裸片的分散，更具体地，涉及相邻关系的保留。
背景技术
半导体发光二极管(LED)的效率快速提高了，并且已经变成能够在相对强的外界光下在户外、公共建筑或体育场观看的有效显示器的理想光源。例如，氮化镓(GaN)LED已经被改进为能够具有最高1501m/W的发光效率。但是，构建LED显示器的GaN晶圆太昂贵，因为每单位面积上的成本太高。另一方面，GaNLED的亮度可以被驱动至超过户外显示板或室内TV屏所需亮度的103-104倍的水平。一个想法是使用与光产生元件一样小的GaNLED芯片以及将小芯片放置在大场地上以产生具有薄的厚度轮廓的大尺寸显示器。此外，通过使用较小的芯片，显示器的成本显著降低。甚至为了户外观看的目的，稀释倍数(一个像素的面积/GaNLED芯片的面积)可以大于1000。这是可能的，因为通过适当的设计和工艺，即使对于10μm小的裸片，也可以使GaNLED很高效。
已经存在使用LED块/模块构建的大尺寸显示板。每个LED块/模块包括典型地8×8、16×16、32×32形式的LED元件。每个块上的LED元件以所谓的无源矩阵阵列的形式连接，其中每个LED安装在每个行电极总线和列电极总线的交叉点处。大尺寸显示板典型地由102-103片这种块来形成。由于所使用的相关驱动电路和部件，这种显示器的一个限制性因素是单位面积的成本。另一个限制性成本因素涉及将LED(典型地在表面安装封装中)放置在块基板(典型地是印刷电路板，PCB)上的常规拾取和放置制造方法。由于这些限制性因素，这些显示器仅为了广告目的而被用在公共区域(例如体育场或闹市区的商业建筑的外墙)中。
然而，这种显示板的一个主要问题是其相关的弱均匀性。这是因为人眼可以检测到相邻或邻近像素之间的亮度或色度的细微差别。所发射的光的亮度和颜色的巨大差别可能存在于芯片之间，选自共用芯片的不同区域之间或选自不同的芯片。这种效应可以在与无源矩阵LED块汇集的当前LED显示板中轻易看到，特别是在具有多灰度级的图像中。在不保留原始晶圆上的相邻关系的情况下，在给定的无源矩阵块中和在不同块之间的LED显示元件被组装。因此，重要的是按照初始制造时它们被在晶圆上的位置保留这些芯片的相对位置，即，保留“相邻关系”。而且，使用标准的拾取和放置方法和设备，LED芯片被从晶圆一次一个芯片地转移至基板。因此，将大量的芯片(例如，1000×1000个)转移至显示基板上需要1百万个步骤。使用现有的拾取和放置工艺工具，这个过程极其耗时且昂贵。最先进的自动拾取和放置工具能够每小时转移103-104个芯片。在600μm×300μm的表面安装封装尺寸内，表面安装封装中的最小芯片尺寸是100μm×100μm。无源LED块上的典型间距在3mm至10mm的范围内。
因此，非常有利的是补救现有技术中的上述及其他内在缺陷。
发明内容
根据如下方法的实施例，实现了本发明的预期目的，该方法将半导体芯片从半导体芯片的晶圆分散到基板上，同时保留每个芯片与各个相邻芯片之间的相邻关系。该方法包括：将所述晶圆分散为半导体芯片的顺序列，同时保留其相邻关系，这些列之间具有第一间距；以及将所述半导体芯片的列在基板上依次分敞为离散芯片的行，同时保留所述相邻关系，这些行之间具有第二间距。
根据特定方法进一步实现了本发明的预期目的，该方法将半导体芯片从半导体芯片的晶圆分散到基板上，同时保留每个芯片与各个毗邻芯片的相邻关系。该特定方法包括提供以m个列和n个行的形式切割为单个芯片的晶圆，并将所述晶圆可释放地粘附在第一载体上，以及提供中间载体并将可释放粘合剂层放置于中间载体上。该方法还包括将所述晶圆从所述第一载体分散为半导体芯片的顺序列并到中间载体上，同时保留所述相邻关系，这些列之间具有第一间距，并且将每个顺序列从所述第一载体释放，并随着每个列从所述第一载体释放至所述中间载体使每个释放的列粘附到具有所述可释放粘合剂层的中间载体。该方法进一步包括提供基板和将所述半导体芯片的列从所述中间载体依次在基板上分散为离散芯片的行，同时保留所述相邻关系，这些行之间具有第二间距，并且随着离散芯片的每一行从所述中间载体分散到所述基板，将离散芯片的每个顺序行从中间载体分散。
本发明的预期目的还根据其特定实施例来实现，其中，设备被设计为将半导体芯片从半导体芯片的晶圆分散到基板上，同时保留每个芯片与各个毗邻芯片的相邻关系。该设备包括其上沉积有可释放粘合剂层并具有可释放地贴附于其上的以m个列和n个行的形式切割为离散芯片的晶圆的、可移动地安装的第一载体，其上沉积有可释放粘合剂层的可移动地安装的中间载体、被安装为与所述可移动地安装的第一载体和所述可移动地安装的中间载体同步地移动的第一元件、以及被定位为从所述第一载体释放每个顺序列的第一释放设备。所述第一元件被设计和定位成使得所述第一元件的移动提供晶圆的被释放的顺序列与所述第一载体之间的压力，以将所述半导体芯片的顺序列分散到所述中间载体上并同时保留所述相邻关系(这些列之间具有第一间距)，随着每个列从所述第一载体分散到所述中间载体，每个释放的列被贴附至具有所述可释放粘合剂层的所述中间载体。第二元件被安装为与所述可移动地安装的中间载体和可移动地安装的基板同步移动，并且第二释放设备被定位为从所述中间载体释放每个顺序行。所述第二元件被设计和定位成使得所述第二元件的移动提供所述中间载体和所述晶圆的被释放的顺序行之间的压力，以将所述半导体芯片的顺序行分散到基板上并同时保留所述相邻关系，这些行之间具有第二间距。
根据如下方法的实施例进一步实现本发明的预期目的，该方法通过使用本文公开的方法分散的LED芯片、以具有大的面积/厚度比的薄轮廓形成显示器/发光面板。通过用光电二极管芯片或其他类型的传感器元件替代所述LED芯片，可以使用本发明中公开的芯片分散方法来形成大面积图像传感器阵列、辐射传感器阵列或其他类型的传感器阵列。
附图说明
对本领域技术人员来说，从以下结合附图进行的对本发明优选实施例的详细描述中，本发明的上述及其他更具体的目的和优点将变得更明显，其中：
图1是根据本发明的其上安装有LED的基板的俯视平面图；
图2是示出了根据本发明的保留相邻关系的方法中的第一芯片分散步骤的图；
图3是示出了根据本发明的保留相邻关系的方法中的第二芯片分散步骤的图；
图3A示出了在单面(a)或两面(b)上具有接触电极的LED裸芯片的示意图；
图4是示出了用于执行图2所示的第一芯片分散步骤的第一芯片分散设备的一部分的图；
图5是示出了用于执行图3所示的第二芯片分散步骤的第一芯片分散设备的另一部分的图；
图6是示出了用于执行图2所示的第一芯片分散步骤的第二芯片分散设备的一部分的图；
图7是示出了用于执行图3所示的第二芯片分散步骤的第二芯片分散设备的另一部分的图；
图8是示出了用于执行图2所示的第一芯片分散步骤的第三芯片分散设备的一部分的图；并且
图9是示出了用于执行图3所示的第二芯片分散步骤的第三芯片分散设备的另一部分的图。
具体实施方式
具体参见图1，根据本发明，基板10被示出为其上安装有LED裸芯片。应当理解，基板10可用于各种各样的发光面板中的任一种，其包括用于一般照明或特殊照明(例如，有源矩阵LCD显示器中的薄背光单元)的平板光源。基板10还可以形成为无源矩阵发光二极管阵列，其中，在M行电极与N列电极的每个交叉点处放置一个LED裸芯片或裸片。在这种无源矩阵中，光可以从底部或顶部或从这二者发出。可以使用各种技术中的任一种来形成全色显示，包括：以马赛克或条纹图案分布的红色、绿色和蓝色LED裸芯片；具有由颜色转换荧光粉形成的绿色和红色的蓝色GaN裸片LED；以及具有在发光LED和人眼之间处理的一组红色、绿色和蓝色过滤器的宽带白色LED芯片。除了形成具有红色、绿色和蓝色三原色的全色发射器元件之外，为了更好的色域或为了优化显示效率，可以添加另外的发射器。例如，在由一组白色LED裸芯片制成的全色显示器中，未滤色的LED裸片可以被添加在彩色像素中，以形成红色、绿色、蓝色和白色子像素。在这些示例的任一个中，基础结构通常将被称为“基板”，并且该术语“基板”将旨在包括这些中的任一个或以下示例中的任一个。
有源矩阵LED显示器还可以通过被分散到基板10上的目标位置的LED裸芯片来形成，该基板10具有在裸片下方的像素驱动电路。这种有源矩阵LED阵列允许集成更多的显示元件(通常超过103个)，并使得LED显示器能够形成到单个基板上。在这种有源矩阵显示器的工艺中，例如，可以通过在每一行中具有1000个LED裸片并在每一列中具有一千行或1000个LED裸片来制造在有源区域中具有1m×1n个发光元件的显示器。为了此示例，图1中的裸芯片被标记为12，并且为了方便起见，仅示出了几个显示元件。作为进一步的示例，各个LED块12之间的间距被设定为1mm，并且LED块的尺寸被示出为正方形，其具有从一边上为10μm到一边上为900μm的面积。当被布置为顶部发射(从图1中的表面发射出去)时，由金属或导电氧化物叠层(stacks)制成的光学反射器(被标记为14)可以用作每个LED裸片16的底部电极。每个显示元件12包括安装在每个导电反射器14的表面上的LED裸芯片16。另外，为了便于说明，将使用一个具体实施例，其中，每个LED裸芯片16是30μm×30μm。还应当指出的是，每个LED裸芯片16小于或可以小于相关的金属反射器14(每个LED裸芯片16均安装在该相关的金属反射器14上)，从而，将LED裸芯片16放置在导电反射器14上不是关键的放置程序，因此简化了制造或组装并使制造或组装成本低。在每个LED裸芯片16的顶部电极的顶部上可以沉积或形成一个可选的、用于有效耦合从LED芯片16发出的光的提取层。在实践中，该提取层可以与色彩转换层或滤色器层结合，或者与通过印刷或图案化工艺形成的对比度增强层结合。
转到图2，半导体晶圆20被示出为由m×n个裸片或芯片组成，每个裸片或芯片具有dixd2的尺寸。为了便于理解，此特定方法和结构继续使用每个LED芯片16设有30μm×30μm面积的示例。可以通过蚀刻或本领域中现在使用的任何其他方便的众所周知的切割方法将晶圆20分为多个芯片或裸片16。晶圆20中的裸片被放置在具有UV可释放粘合剂层的载体上。该UV可释放粘合剂层是在暴露于紫外(UV)光下或之后、其粘合强度能够大大降低的粘合/胶粘层。这种商业产品的示例包括由Ashland公司提供的UVF02809或UVF02051系列的UV可释放清漆产品。其粘合系数可以减小10-50倍。例如，在暴露于150mJ/cm2的365nmUV剂量之后，粘合强度从5.0(N/20mm)减小到0.1(N/20mm)。每一列24利用到该列的UV照射而从第一载体依次释放。在图2所示的第一次分散中，裸片16被转移到涂敷有例如另一个UV释放层的中间载体22上。从一个载体至另个载体的固体裸片转移的潜在机理是两个载体之间的粘合强度不同。裸芯片将留在具有较强表面粘合力的载体上。在图2的情况下，可以在接收载体的粘合强度显著高于释放载体的粘合强度的条件下实现从晶圆20至中间载体22的裸芯片转移。即使相同类型的UV释放粘合材料可用于所述接收层和释放层，也能够使用准直的UV光来实现可靠的芯片转移，其中该准直的UV光仅照射到晶圆载体上的所述释放层上。位于裸芯片下方的粘合剂层将不会受到任何UV光，因为该LED裸芯片对于UV辐射来说是不可透的。
该转移以m个步骤来进行，每个步骤将由n个裸片组成的列24转移至中间载体22上。具体地，在包括1000×1000个块12的显示器中，晶圆20将是3cm×3cm，m将包括1000个裸片，并且n将包括1000个裸片。因此，在图2所示的第一次分散中，需要1000个步骤将1000个列24(每个列包括1000个裸片)转移到中间载体22上。另外，彼此相邻的列24在分开距离L2的情况下被放置在中间载体22上，或者该结构具有L2的间距。
另外参考图3，示出了第二次分散，其中，裸片16被从中间载体22转移至最终的基板26。该最终的基板26可以是图1中的基板10或者最后用于在单个操作中将裸片16转移到基板10上的另一个载体。在该第二次分散中，从每个列24中每次释放一个裸片16，从而，在此特定示例中，在n个步骤中的每一个中，将由1000个裸片16组成的行27释放并转移至基板26。由1000个裸片16组成的每一行27在任一侧上与相邻的行27分开一段距离L1，或者该结构具有L1的间距。因此，维持了与最初制造时它们在晶圆上的位置一样的、所述芯片的相对位置，即维持了对“相邻关系”的保留。
与使用m×n个步骤串行地转移m×n个芯片的用于晶圆转移的常规拾取和放置工艺相比，仅需要m个步骤将m×n个裸片16从晶圆20(图2中)全部转移到中间载体22上，并且仅需要n个步骤将m×n个裸片16从中间载体22全部转移到最终的基板26(图3)，即，使用m+n个步骤来完成m×n个裸片的转移。在此特定示例中，具有由UV释放层可释放地定位的晶圆20的第一载体可以是刚性的且最终的基板26可以是刚性的，但中间载体22优选是柔性或可弯曲的。事实上，柔性或可弯曲材料还可用于基板26。在这种情况下，能够实现大尺寸、柔性或柔顺的显示器。
在一些情况下，中间载体22上的柔软层或弹性层优选用于优化转移可靠性(类似于橡皮图章上的层)。在操作中，在某些位置(例如，块12中的每一行)借助于局部UV释放机构对柔性载体22加压以使其接触刚性基板26。以这种方式，在无需UV释放机构的情况下，每一行裸片16从UV释放中间载体22转移至(例如)块12的行27。应当指出的是，基板26上的裸片16的顶表面与第一载体(晶圆20)上的裸片16的顶表面相同，但这些裸片16以L1×L2的间距被分散。由于裸片16具有d1×d2的面积，所以，稀释倍数约为(L1×L2)/(d1×d2)。如上文说明的，该稀释倍数可以大至9000，且其可以小至9，例如每个裸片16与相邻的下一个裸片间隔开一个裸片的宽度或长度。
虽然在此将晶圆暂时粘附至第一载体以及将载体的列暂时粘附至中间载体的过程描述为使用UV释放层和UV照射来提供所述释放，但可以理解的是，虽然为了操作的简便性优选使用该工艺，但也可使用其他方案。例如，可以在一些应用中使用某些形式的压力激活粘合剂，或者可以加入其他的光或热激活材料。一个具体示例是一组热可释放粘合材料，例如被称为蜡或热塑性聚合物的一组有机材料。在室温下，它们的粘合力很高，但其粘合力可以在升高的温度下显著降低。在这种情况下，可以在载体20和26上构建光吸收层。在载体表面具有强吸收的红外或可见辐射下，在目标位置处，粘合剂层的温度可显著升高，并且粘合强度能够显著降低。一旦该释放层的粘合力降低到低于接收层的粘合力，就实现了转移。也可使用其他类型的转移机制，包括属于印刷工业的专家所熟知的所谓的激光转移方法类型中的那些。除了通过光辐射来改变粘合力之外，也可通过在所述释放载体和接收载体之间施加压力来提高所述转移工艺的生产率。
除了用于将晶圆结合到载体的UV可释放粘合剂之外，也可使用UV可释放胶带，该胶带的胶合层和释放衬垫经常被插入在晶圆和载体胶带之间。这种胶带已用在晶圆划片工艺中，以使芯片不从载体脱落。这种胶带的示例包括UrukawaElectric的SP-Series和UC-Series，以及SemiconductorTapesandMateria的DT-UV-211和DT-UV214A。在从载体10的背面到所述释放衬垫上的UV辐射下，粘合强度可以减小10-500倍，并且当从载体10粘合到中间载体22上时，能够有效实现裸片的转移。
在所有这些程序中，希望粘合剂能够容易地从表面上清除，特别是从LED的发出光的表面上清除。这可以使用在清洗室中可获取的标准清洗程序来完成，例如UV臭氧处理或氧等离子体处理，或者使用有机溶剂和DI水的湿法浸泡/喷射。
在每个LED裸片或芯片16被放置在基板10(在图3的示例中为基板26)的块12上之后，需要这些芯片之间的互连。在一个特定示例中，基板10是透明的(例如，玻璃、塑料等)，并且作为电连接垫的块12是透明的。每个块12的底侧(因此，芯片16)以公知的方式电连接至基板10上的行或列电气线路中的一个。每个LED芯片或裸片16具有两个表面，其中一个表面对于可见光光谱范围内的发射波长是不科透的，而另一个表面对于可见光光谱范围内的发射波长是透明的。整个LED裸片对于UV辐射是不可透的。在邻近的裸片之间，“平坦层”可以被填充至裸芯片阵列的m×n个片的上平面。在一个特定工艺中，使用印刷工业中熟知的印刷方法之一(例如，缝涂、棒涂、丝网印刷、喷涂等)，整个基板10被涂敷有负性绝缘光敏聚合物并被干燥。还优选使用可在升高的温度下交联的光致抗蚀剂。这种材料的示例包括被分类为环氧树脂和液态玻璃的那些。光敏聚合物的曝光通过透明基板10的背面来实施。由于LED芯片16不透明，所以，仅覆盖LED裸片的顶表面的聚合物未被曝光。然后，该光敏聚合物被显影，并且使用在LED芯片16之间残留的绝缘光敏聚合物来曝光每个LED芯片16的顶表面。有时，表面的平坦化是优选的，这可以通过使用适当化学物质进行抛光或通过简单的回流(在大于显影的聚合物的玻璃温度下加热基板10)来完成。除了光刻工艺，还可以通过对准备好的不会被填充溶液湿润的裸芯片的顶表面的简单缝涂、丝网印刷、模涂来实现填充所述裸片-芯片阵列之间的间隔的平坦化绝缘体层。然后，共用的顶部导电层被沉积或涂敷/印刷，以接触每个LED芯片16的顶表面。如果光发射来自基板10的顶表面，则每个LED芯片16的顶表面包括透明电极，且所述共用的顶部导电层是透明的。如果光发射是来自基板10的底表面，则每个LED芯片16的底表面包括透明电极，且所述共用的顶部导电层是不透明的。在特定的情况下，也可以实现从顶表面和底表面二者的光发射。
除了共用的顶部电极，也可以通过对于特定应用的标准光刻或印刷方法来图案化该表面电极。例如，对于无源矩阵发光二极管阵列中的顶部电极图案，导电总线图案是需要的，这可以通过使用标准光刻来图案化连续金属片来完成，或通过使用油墨分散来印刷银或金的金属线来实现。
在最终产品中，可以在顶部电极层上放置或涂敷钝化层，以满足储存和工作寿命的规定。
在上述方法中，使用在每个面上具有一个电极的LED裸片(参见图3A)。在实践中，在一个面(底面或顶面)上具有接触电极的裸芯片也可以用类似的方法处理。所描述的分散方法保留了原始晶圆上的相邻关系，并且底部电极和顶部电极的制备方法都是可图案化的。有源矩阵发光显示器的一种优选布置是将基板26上的像素驱动电路与薄膜晶体管技术(具有多晶硅或金属氧化物基的沟道层)实践相关联。然后，人们可以阳极和阴极都在基板26侧的情况下或在其中一个电极在底部载体26上且另一个面向顶部的情况下分配所述LED裸芯片。
现在转到图4和5，示出了执行上述方法的设备的一个示例。在图4中被大致标记为39的设备将芯片的列24从晶圆20分散到中间载体22上，并且，在图5中大致被标记为49的设备将芯片16的行27从中间载体22分散到基板26上。
特别参考图4，第一元件(在本实施例中是辊子40)被示出为在围绕圆周的4个正交点(即，0°、90°、180°和270°)处具有压力垫41、42、43和44。也可以使用具有围绕圆周均匀或不均匀布置的更多压力垫的设计。中间载体22与辊子40的上圆弧相切地延伸并与辊子40的上圆弧接触。第一载体21上的晶圆20被定位在中间载体22的稍上方，从而通常与中间载体22无接触。辊子40具有至少与LED裸片的列24一样长(参见图2)的轴向长度。而且，辊子40和中间载体22被驱动(优选从共用的驱动器)而在预定速度下一起移动，即，中间载体22的底表面在共同的速度下沿着辊子40的外圆周移动，从而它们之间不存在相对移动。此外，第一载体21被驱动(优选与辊子40的移动同步)以在一定速度下向图4中的右侧移动等于芯片的列24的宽度(d2)。因此，随着辊子40旋转而使压力垫44处于压力垫41的所示位置(即，转动四分之一圈)，中间载体22向右移动等于L2的距离，而第一载体21向右移动等于d2的距离。
在操作中，随着辊子40顺时针旋转且中间载体22向右移动，各个压力垫依次挤压中间载体22的下侧，以使中间载体22的上表面挤压LED芯片的列24的表面。晶圆20通过UV释放层被可释放地定位在第一载体21上，并且中间载体22的上表面上具有UV可释放粘合剂层。随着每个压力垫旋转到上部或12点钟位置(参见图4中的垫41)，中间载体22的上表面被迫与LED芯片的列24接触。此时，由箭头45指示的UV释放机构照射或使得被接触的列24从第一载体21释放并粘附至中间载体22的上表面。UV释放机构45并不影响中间载体22上的UV释放层，因为被接触的列24阻挡了对中间载体22的照射。辊子40的旋转、中间载体22的移动以及第一载体21的移动被设计和/或选择为将列24以L2的间距(如结合图2描述的)依次定位在中间载体22上。
图4中的压力垫41、42、43和44的表面被勾画出具有平坦表面。在实践中，该表面轮廓及其弹性可以根据需要而变化，以优化裸片的转移。对本领域的专家来说，这些方面的常规设计规则是公知的。
应当理解，所示出的图4中的第一载体21和晶圆20的位置用于提供对各个部件的相互关系的更好理解，并非示出中间载体22和第一载体21之间的精确位置关系。在实际的实践中，这些列24可以被依次分散，从第一载体21的右侧边缘或左侧边缘开始并在相反的另一边缘(即左侧边缘或右侧边缘)处结束。
特别参见图5，第二元件(在本实施例中是辊子50)被示出为在围绕圆周的四个正交点(即，0°、90°、180°和270°)处具有压力垫51、52、53和54。也可以使用具有围绕圆周均匀或不均匀布置的更多压力垫的设计。中间载体22与辊子50的下圆弧相切地延伸并与辊子50的下圆弧接触。辊子50具有至少与LED裸片16的行27一样长(参见图3)的轴向长度。而且，辊子50和中间载体22被驱动(优选从共用的驱动器)而在预定的速度下一起移动。在此特定实施例中，中间载体22被驱动(优选与辊子50的移动同步)而在一定速度下向图5中的右侧移动等于芯片16的长度(d1)。而且，随着中间载体22移动距离d1，基板26向右移动距离L1(芯片16的相邻行27之间的间距)(参见图3)。因此，随着辊子50旋转而使压力垫54处于压力垫51的所示位置(即，转动四分之一圈)，中间载体22向右移动等于d1的距离，而基板26向右移动等于L1的距离。
在操作中，随着辊子50逆时针旋转且中间载体22向右移动，各个压力垫依次挤压中间载体22的下侧，以使位于中间载体22上的芯片16的上表面挤压基板26的表面。如上文说明的，列24通过UV释放层被可释放地定位在中间载体22上。随着每个压力垫旋转至下部或6点钟位置(参见图5中的垫51)，中间载体22的上表面被接触，从而迫使每个列24中的下一个相继的芯片16与基板26(或者，基板10的块12)的表面结合。此时，由箭头55指示的UV释放机构照射或使得被接触的芯片16从中间载体22释放并粘附至基板26的上表面。辊子50的旋转、中间载体22的移动以及基板26的移动被设计和/或选择为将芯片16以L1的间距(如结合图3描述的)依次定位在基板26上。
应当理解，所示出的图5中的中间载体22和基板26的位置用于提供对各个部件的相互关系的更好理解，并非示出中间载体22和基板26之间的精确位置关系。在实际的实践中，芯片16被从列24中分散，从中间载体22的顶部或底部开始并进行到相反的端部(例如，底部或顶部)。而且，虽然已经为各个部件分配了特定的移动方向，但可以理解，不同的移动可以结合，唯一的要求是以规则的顺序从晶圆20分散所述列24并以规则的顺序从列24分散芯片16，以便维持与最初制造时它们在晶圆上的位置一样的、所述芯片的相对位置，即维持了对“相邻关系”的保留。
载体26可以是显示面板的最终基板或是具有裸芯片的临时载体，裸芯片根据显示间距的需要被传到该临时载体。在第一种情况下，所需的粘合可以通过UV可固化导电胶或粘合剂涂层、通过与球栅阵列(BGA)中使用的类似的焊垫、通过银胶或通过本领域中的专家所熟知的其他手段来实现。
转向图6和7，示出了执行上述方法的设备的另一个示例。在图6中被大致标记为59的设备将芯片的列24从晶圆20分散到中间载体22上，并且，在图7中被大致标记为69的设备将芯片16的行27从中间载体22分散到基板26上。
特别参见图6，设备59基本上与结合图4中的设备39描述的相同的方式操作。主要区别是辊子40及其操作被另一个第一元件取代，在本实施例中，该另一个第一元件是相互安装的压力柱60。柱60往复地(上下)移动，从而它以与结合辊子40上的压力垫41-44所描述的相同的方式将压力连续提供到中间载体22和整个列24上。如技术人员所理解的，柱60的移动与第一载体22和中间载体22的移动是同步的，以从晶圆20将芯片的列24按照它们初始制造时在晶圆上的位置依次分散到中间载体22上，即，维持了对“相邻关系”的保留。
特别参见图7，设备69基本上与结合图5中的设备49描述的相同的方式操作。主要区别是辊子50及其操作被另一个第二元件取代，在本实施例中，该另一个第二元件是相互安装的压力柱70。柱70往复地(上下)移动，从而它以与结合辊子50上的压力垫51-54描述的相同的方式将压力连续提供到中间载体22和芯片16的整个行27上。如技术人员将理解的，柱70的移动与中间载体22和基板26的移动是同步的，以从中间载体22将芯片的行27按照它们初始制造时在晶圆上的位置依次分散到基板26上，即，维持了对“相邻关系”的保留。
还可以构思出图4和5中的辊子示例与图6和7中的冲压示例的组合。在这种情况下，图4中的晶圆载体20可以在裸片转移步骤期间被顶下来(或辊子40向上移动)。类似地，载体26在裸片转移工艺期间向上移动(或辊子50向下移动)。
图8和9中示出了执行上述方法的设备的另一个示例。除了可弯曲的板或带，刚性板也可用于该中间载体22。所述释放衬垫由具有低升华温度(通常在100-300℃范围内)的有机金属材料层制成。在激光脉冲照射期间，该释放层吸收使局部温度上升到高于其升华温度(在此温度下，该材料从固相变为气相)的UV光。由该相变产生的排斥力将裸芯片从平坦载体20推至载体22附近。在科学领域，这种激光诱导微爆效应是众所周知的[例如，L.S.Bennett，″Laserinducedmicroexplosionsofaphotosensitivepolymer″，AppliedPhysicsA63，327-332(1996)]。可升华材料的示例包括一类有机分子和有机金属分子，例如三(8-羟基喹啉)铝(Alq)和Diindenoperylene(C32H16)。可以通过激光的强度和持续时间、吸收层的厚度、激光波长和附近的环境参数来调节压力。
可以理解的是，所示出的图6中的第一载体21和晶圆20的位置以及图7中的中间载体22和基板26的位置用于提供对各个部件之间的相互关系的更好理解，并非示出这些部件之间的精确位置关系。如上文详细说明的，在实际的实践中，列24可以被依次分散，从第一载体21的右侧边缘或左侧边缘开始并在相反的另一边缘(即左侧边缘或右侧边缘)处结束。而且，在实际的实践中，芯片16将依次从列24被分散，从中间载体22的顶部或底部开始并行进至相反的端部(例如，底部或顶部)。应当指出的是，在上面的描述中，元件40、50、60和70可以与被设计为提供相同功能的其他元件相混合或被它们代替。
因此，在上述方法以及所描述的特定设备或其变形例中，芯片的列被从晶圆依次分散，以在这些列之间提供特定的间距，并且各个芯片的行从所述列依次分散，以提供这些行之间的特定间距。所描述的方法和设备以L1×L2的间距分散裸片，同时保留“相邻关系”。另外，由于每个裸片16具有d1×d2的面积，所以，稀释倍数约为(L1×L2)/(d1×d2)。
本发明提供保留了相邻关系的、分散LED芯片的新的且改进的方法。该新的且改进的方法将LED芯片分散为具有预设几何参数的阵列，同时保留原始的芯片顺序或相邻关系。而且，该分敞LED芯片的新的且改进的方法需要更少的步骤，因此成本更低，耗时更少。本发明还提供了新的且改进的设备，它将LED芯片分散为具有预设几何参数的阵列，同时保留相邻关系。
除了用于分散显示器或发光面板中的发光元件之外，也可以通过用具有特定功能的裸芯片替代上述LED裸芯片来形成其他类型的电子阵列器件。例如，用光伏电池芯片替换LED裸芯片到具有光学聚焦透镜阵列的基板上(通过芯片转移之前的印刷、成型或其他方法来处理)，能够以更好的效率/成本金额实现大面积的太阳能电池面板。此外，通过用光探测器芯片、辐射探测器芯片或其他波段的电磁光谱范围，或者具有其他类型感测功能的裸芯片来替代LED裸芯片，能够以高度的近邻一致性实现高像素数的大面积传感器阵列。
除了从d1×d2面积的晶圆传送到L1×L2面积上的裸芯片之外，保留了相邻关系的该传送能够扩展为任意的预定间距。例如，在不均匀模式下将相应的挤压垫布置在辊子40和50上。
通过用柔性或可弯曲基板替代平坦载体26，能够实现柔性或柔顺形式的显示器。
对于本领域技术人员来说，为了说明的目的而选择的本文实施例的各种改变和变型是容易进行的。在这些修改和变型不偏离本发明的精神的情况下，它们旨在被包括在本发明的范围内，本发明的范围仅由所附权利要求的公正解释来评估。
已经以如此清晰和简洁的术语充分描述了本发明，以便能使本领域技术人员理解并实施本发明。本发明要求保护：

Claims (37)

1.一种将半导体芯片从半导体芯片的晶圆分散到基板上并同时保留每个芯片与各个毗邻芯片的相邻关系的方法，所述方法包括以下步骤：
将所述晶圆分散为半导体芯片的顺序列并同时保留所述相邻关系，所述列之间具有第一间距；以及
将所述半导体芯片的列依次在基板上分散为离散芯片的行并同时保留所述相邻关系，所述行之间具有第二间距。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述晶圆包括m列n行的半导体芯片，将所述晶圆分散为顺序列的所述步骤包括m个子步骤，并且，将所述半导体芯片的列依次分散为行的所述步骤包括n个子步骤。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述晶圆包括每个芯片具有d1×d2面积的m列n行的LED半导体芯片，所述第一间距是L2，且所述第二间距是L1，将所述晶圆分散为顺序列的所述步骤和将所述半导体芯片的列依次分散为行的所述步骤提供了在9至9000范围内的稀释倍数。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述晶圆包括每个芯片具有至少10μm×10μm面积的m列n行的GaNLED半导体芯片，并且所述稀释倍数约为9000。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所分散的半导体裸芯片包括以下项中的一个：平板光源的发光元件、有源矩阵LCD显示器中的背光单元的发光元件、无源矩阵发光二极管阵列的发光元件、和全色有源矩阵显示器的部件的发光元件。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所分散的半导体裸芯片包括感测功能，并且用作以下部件之一的感测元件：光伏太阳能电池面板、光探测器阵列、辐射探测器阵列、生物传感器阵列、或其他类型的传感器阵列。
7.一种将半导体芯片从半导体芯片的晶圆分散到基板上并同时保留每个芯片与各个毗邻芯片的相邻关系的方法，所述方法包括以下步骤：
提供晶圆并将所述晶圆以可释放方式贴附在第一载体上，所述晶圆被切割为m列n行的离散芯片；
提供中间载体并将可释放粘合剂层放置在所述中间载体上；
将所述晶圆从所述第一载体在所述中间载体上分散为半导体芯片的顺序列并同时保留所述相邻关系，所述列之间具有第一间距，并且，将每个顺序列从所述第一载体释放，并随着每个列从所述第一载体释放至所述中间载体，使每个被释放的列贴附到具有所述可释放粘合剂层的所述中间载体；
提供基板；以及
将所述半导体芯片的列从所述中间载体依次在所述基板上分散为离散芯片的行并同时保留所述相邻关系，所述行之间具有第二间距，并且，随着所述离散芯片的每一行从所述中间载体被分散到所述基板上，将所述离散芯片的各个顺序行从所述中间载体分散。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，将所述晶圆贴附在所述第一载体上的所述步骤包括使用以下项中的一个：UV可释放粘合剂、UV可释放胶带、热转移层、或激光诱导升华转移层。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，将每个顺序列从所述第一载体释放的所述步骤包括使用UV辐射来照射每个顺序列，一次照射一列。
10.根据权利要求7所述的方法，其中，将所述可释放粘合剂层放置在所述中间载体上的所述步骤包括施加UV可释放粘合剂层、热转移层或激光诱导升华转移层。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，将离散芯片的每个顺序行从所述中间载体释放的所述步骤包括使用UV辐射来照射所述离散芯片的每个顺序行，一次照射一行。
12.根据权利要求7所述的方法，其中，将所述晶圆从所述第一载体分散为顺序列的所述步骤和将所述列依次分散为离散芯片的行的所述步骤包括：将所述晶圆从所述第一载体分散到所述基板上，其中所述晶圆中的每个芯片的上表面与所述基板上的每个芯片的上表面一样地定向。
13.根据权利要求7所述的方法，其中，将所述晶圆分散为顺序列的所述步骤包括m个子步骤，并且将所述半导体芯片的列依次分散为行的所述步骤包括n个子步骤。
14.根据权利要求7所述的方法，其中，所述晶圆包括每个芯片具有d1×d2面积的m列n行的LED半导体芯片，所述第一间距是L2，且所述第二间距是L1，将所述晶圆分散为顺序列的所述步骤和将所述半导体芯片的列依次分散为行的所述步骤提供了在9至9000范围内的稀释倍数。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，提供所述基板的所述步骤包括提供其上具有接触垫的基板，每个接触垫的面积大于每个LED半导体芯片的面积，并且所述接触垫以其间具有所述第一间距L2的m个列和其间具有第二间距L1的n个行的方式定位，并且，将半导体芯片的列从所述中间载体依次在所述基板上分散为离散芯片的行的所述步骤包括将所述离散芯片的行定位在所述接触垫的行上。
16.根据权利要求7所述的方法，其中，所分散的半导体裸芯片包括以下项之一的发光元件：平板光源、有源矩阵LCD显示器中的背光单元、无源矩阵发光二极管阵列、和全色有源矩阵显示器。
17.根据权利要求7所述的方法，其中，所分散的半导体裸芯片具有感测功能，并且用作以下部件之一的感测元件：光探测器阵列、辐射探测器阵列、生物传感器阵列、或其他类型的传感器阵列。
18.一种被设计为将半导体芯片从半导体芯片的晶圆分散到基板上并同时保留每个芯片与各个毗邻芯片的相邻关系的设备，所述设备包括：
可移动地安装的第一载体，所述第一载体上沉积有可释放粘合剂层并具有以可释放方式贴附于所述第一载体上的晶圆，所述晶圆被切割为m列n行的离散芯片；
可移动地安装的中间载体，所述中间载体上沉积有可释放粘合剂层；
第一元件，所述第一元件被安装为与所述可移动地安装的第一载体和所述可移动地安装的中间载体同步移动；
第一释放设备，所述第一释放设备被定位为从所述第一载体释放每个顺序列；
所述第一元件被设计和定位为使得所述第一元件的移动提供所述晶圆的被释放的顺序列与所述第一载体之间的压力，以将所述半导体芯片的顺序列分散到所述中间载体并同时保留所述相邻关系，所述列之间具有第一间距，并且，随着每个列从所述第一载体分散到所述中间载体，每个释放的列被贴附至具有所述可释放粘合剂层的所述中间载体；
第二元件，所述第二元件被安装为与所述可移动地安装的中间载体和可移动地安装的基板同步移动；
第二释放设备，所述第二释放设备被定位为从所述中间载体释放每个顺序行；并且
所述第二元件被设计和定位成使得所述第二元件的移动提供所述晶圆的被释放的顺序行与所述中间载体之间的压力，以将所述半导体芯片的顺序行分散到基板上并同时保留所述相邻关系，所述行之间具有第二间距。
19.根据权利要求18所述的设备，其中，所述第一元件包括以下项中的一个：在外圆周上具有压力垫的旋转辊子；和往复式柱。
20.根据权利要求18所述的设备，其中，所述第二元件包括以下项中的一个：在外圆周上具有压力垫的旋转辊子；和往复式柱。
21.根据权利要求18所述的设备，其中，所述第一载体上的所述可释放粘合剂层包括以下项中的一个：UV可释放粘合剂、UV可释放胶带、热转移层、或激光诱导升华转移层。
22.根据权利要求21所述的设备，其中，所述第一释放设备包括UV辐射装置。
23.根据权利要求18所述的设备，其中，所述中间载体上的所述可释放粘合剂层包括UV可释放粘合剂层、热转移层、或激光诱导升华转移层。
24.根据权利要求23所述的设备，其中，所述第二释放设备包括UV辐射装置。
25.根据权利要求18所述的设备，其中，所分散的半导体裸芯片包括以下项之一的发光元件：平板光源、有源矩阵LCD显示器中的背光单元、无源矩阵发光二极管阵列、和全色有源矩阵显示器。
26.根据权利要求18所述的设备，其中，所分散的半导体裸芯片具有感测功能，并且用作以下部件之一的感测元件：光探测器阵列、辐射探测器阵列、生物传感器阵列、或其他类型的传感器阵列。
27.根据权利要求18所述的设备，其中，所述晶圆包括m列n行的LED半导体芯片，每个芯片具有d1×d2的面积，所述第一间距是L2且所述第二间距是L1。
28.根据权利要求27所述的设备，其中，所述部件包括其上的接触垫，每个接触垫的面积大于每个LED半导体芯片的面积，并且所述接触垫以其间具有所述第一间距L2的m个列和其间具有第二间距L1的n个行的方式定位，并且，从所述中间载体依次分散的半导体芯片的列被分散为位于所述接触垫的行上的、所述离散芯片的行。
29.根据权利要求27所述的设备，其中，每个芯片具有d1×d2面积的m列n行的LED半导体芯片提供了9至9000范围内的稀释倍数。
30.一种制备大的x/z和y/z尺寸比的电子器件的方法，所述方法包括以下步骤：
提供每个包括至少两个接触电极的裸芯片；
将所述裸芯片从晶圆载体分散为载体基板上的阵列，其中所述阵列具有预定的尺寸稀释倍数和被保留的相邻关系；
在所述阵列上在所分散的裸芯片中形成绝缘平坦层；以及
在所述阵列上在所分散的裸芯片的顶部上形成钝化/光学元件层。
31.根据权利要求30所述的方法，其中，所述绝缘平坦层是通过以下的溶液涂敷工艺形成的，该溶液涂敷工艺包括缝涂、棒涂、丝网印刷或转移印刷中的一个。
32.根据权利要求30所述的方法，其中，所述基板是柔性或柔顺的。
33.根据权利要求30所述的方法，其中，所述顶部光学涂层包括滤色器、能量转换过滤器或微透镜中的一个。
34.根据权利要求30所述的方法，其中，所述电子器件是平板光源、有源矩阵LCD显示器中的背光单元、无源矩阵发光二极管阵列和全色有源矩阵显示器中的一个。
35.根据权利要求30所述的方法，其中，所述电子器件是太阳能电池面板、光探测器阵列、辐射探测器阵列、生物传感器阵列或其他类型的传感器阵列中的一个。
36.根据权利要求30所述的方法，包括以下步骤：将所述裸芯片的所述至少两个接触电极的底部接触部形成到所述基板载体上的电路中。
37.根据权利要求30所述的方法，包括以下步骤：将所述裸芯片的所述至少两个接触电极的顶部接触部连接至邻近的裸芯片并形成所述裸芯片与所述顶部接触部之间的连接。
CN201380057501.7A 2012-10-30 2013-10-24 显示器和发光面板中的保留了相邻关系的led裸片分散 Pending CN105210171A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/663,519 US9331230B2 (en) 2012-10-30 2012-10-30 LED die dispersal in displays and light panels with preserving neighboring relationship
US13/663,519 2012-10-30
PCT/US2013/066610 WO2014070576A2 (en) 2012-10-30 2013-10-24 Led die dispersal in displays and light panels with preserving neighboring relationship

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105210171A true CN105210171A (zh) 2015-12-30

Family

ID=50547608

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380057501.7A Pending CN105210171A (zh) 2012-10-30 2013-10-24 显示器和发光面板中的保留了相邻关系的led裸片分散

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9331230B2 (zh)
EP (1) EP2915183A4 (zh)
JP (1) JP2016504753A (zh)
KR (1) KR20150082414A (zh)
CN (1) CN105210171A (zh)
WO (1) WO2014070576A2 (zh)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106374008A (zh) * 2016-09-08 2017-02-01 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院 一种大面积传感器阵列的制备方法
CN108400088A (zh) * 2018-03-05 2018-08-14 大族激光科技产业集团股份有限公司 晶片结合及剥离的方法
CN108701632A (zh) * 2016-04-26 2018-10-23 三星电子株式会社 处理系统及其操作方法
CN109390263A (zh) * 2017-08-07 2019-02-26 财团法人工业技术研究院 元件扩距转移方法及实施此转移方法的设备
CN110838462A (zh) * 2018-08-15 2020-02-25 北科天绘（苏州）激光技术有限公司 一种器件阵列的巨量转移方法及系统
TWI686895B (zh) * 2019-04-19 2020-03-01 台灣愛司帝科技股份有限公司 晶片移轉機台
TWI686563B (zh) * 2018-04-11 2020-03-01 台灣愛司帝科技股份有限公司 微型發光二極體顯示器及其製作方法
CN111263893A (zh) * 2017-10-26 2020-06-09 株式会社V技术 Led芯片的检查方法、其检查装置以及led显示器的制造方法
CN112055890A (zh) * 2018-04-30 2020-12-08 科锐公司 用于电子管芯质量转移的设备及方法
CN112414943A (zh) * 2020-11-27 2021-02-26 上海华力微电子有限公司 半导体芯片缺陷定位方法和定位模块
CN113013311A (zh) * 2019-12-19 2021-06-22 群创光电股份有限公司 电子装置的制造方法
CN113808987A (zh) * 2020-06-15 2021-12-17 贤昇科技股份有限公司 转移设备及转移工件的方法
TWI823248B (zh) * 2021-02-08 2023-11-21 中國大陸商深圳市豐泰工業科技有限公司 晶片轉移方法

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017518650A (ja) * 2014-06-06 2017-07-06 ロヒンニ リミテッド ライアビリティ カンパニー 未パッケージ半導体デバイスを伴う回路アセンブリの製造
TWI814461B (zh) * 2014-06-18 2023-09-01 愛爾蘭商艾克斯展示公司技術有限公司 微組裝發光二極體顯示器及照明元件
US9633883B2 (en) 2015-03-20 2017-04-25 Rohinni, LLC Apparatus for transfer of semiconductor devices
FR3044467B1 (fr) 2015-11-26 2018-08-10 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dalle lumineuse et procede de fabrication d'une telle dalle lumineuse
US10256222B2 (en) 2016-01-05 2019-04-09 Innolux Corporation Light emitting diode substrate and display apparatus applying the same
KR102631260B1 (ko) 2016-04-08 2024-01-31 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치 제조방법
US11776989B2 (en) 2016-06-10 2023-10-03 Applied Materials, Inc. Methods of parallel transfer of micro-devices using treatment
TWI778528B (zh) 2016-06-10 2022-09-21 美商應用材料股份有限公司 微型裝置的無遮罩並行取放轉印
US11756982B2 (en) 2016-06-10 2023-09-12 Applied Materials, Inc. Methods of parallel transfer of micro-devices using mask layer
US10141215B2 (en) 2016-11-03 2018-11-27 Rohinni, LLC Compliant needle for direct transfer of semiconductor devices
US10471545B2 (en) 2016-11-23 2019-11-12 Rohinni, LLC Top-side laser for direct transfer of semiconductor devices
US10504767B2 (en) 2016-11-23 2019-12-10 Rohinni, LLC Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die
US10600697B2 (en) 2016-12-16 2020-03-24 Tesoro Scientific, Inc. Light emitting diode (LED) test apparatus and method of manufacture
KR20190112294A (ko) 2017-01-23 2019-10-04 테소로 사이언티픽, 인코포레이티드 발광 다이오드 테스트 장치 및 제조 방법
TWI756384B (zh) * 2017-03-16 2022-03-01 美商康寧公司 用於大量轉移微型led的方法及製程
WO2018236767A2 (en) 2017-06-20 2018-12-27 Tesoro Scientific, Inc. LIGHT EMITTING DIODE (LED) TEST APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
TW201917811A (zh) * 2017-06-26 2019-05-01 美商特索羅科學有限公司 發光二極體質量傳遞設備及製造方法
KR102415243B1 (ko) 2017-09-19 2022-06-30 엘지이노텍 주식회사 반도체 모듈 및 이를 포함하는 표시 장치
US11452251B2 (en) * 2017-12-07 2022-09-20 Fuji Corporation Information management device
KR102486671B1 (ko) * 2017-12-21 2023-01-11 주식회사 루멘스 트랜스퍼 프린팅을 이용한 엘이디 모듈 제조방법
JP6900006B2 (ja) 2018-02-14 2021-07-07 東芝デバイス＆ストレージ株式会社 チップ移載部材、チップ移載装置、およびチップ移載方法
KR102167805B1 (ko) * 2018-04-26 2020-10-19 장성민 Led 칩의 전사방법
KR20200011024A (ko) * 2018-07-23 2020-01-31 삼성전자주식회사 Led 전송 장치를 포함하는 전자 장치 및 그 제어 방법
US11094571B2 (en) 2018-09-28 2021-08-17 Rohinni, LLC Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment
TW202136049A (zh) * 2020-01-27 2021-10-01 日商琳得科股份有限公司 被著體之剝離方法
JP7382265B2 (ja) 2020-03-27 2023-11-16 株式会社ジャパンディスプレイ 一時保持用部材、及び表示装置の製造方法
CN214625074U (zh) * 2020-06-02 2021-11-05 首尔伟傲世有限公司 单元像素及具有该单元像素的显示装置
TW202203707A (zh) * 2020-07-07 2022-01-16 啟耀光電股份有限公司 電子裝置
JP6978129B1 (ja) * 2021-03-18 2021-12-08 株式会社写真化学 デバイスチップの移載機構
CN113299591B (zh) * 2021-04-15 2022-09-13 山西高科华兴电子科技有限公司 一种微小芯片快速巨量转移方法
WO2023136725A1 (en) * 2022-01-17 2023-07-20 Morphotonics Holding B.V. Transfer process for micro elements
CN114999981B (zh) * 2022-08-02 2022-10-25 四川晁禾微电子有限公司 塑封三极管自动输送加工设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1349205A (zh) * 2000-10-06 2002-05-15 索尼株式会社 器件安装方法
US20060013680A1 (en) * 2004-07-16 2006-01-19 Tessera, Inc. Chip handling methods and apparatus
JP2007027551A (ja) * 2005-07-20 2007-02-01 Fujitsu Ltd Ｉｃチップ実装方法
US20080217615A1 (en) * 2004-06-04 2008-09-11 Infineon Technologies Ag Method for arranging chips of a first substrate on a second substrate
CN101431034A (zh) * 2008-11-27 2009-05-13 江苏康众数字医疗设备有限公司 用于多芯片平面封装的方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1207629B (it) * 1987-03-09 1989-05-25 Cestind Centro Studi Ind Apparecchiatura a ruota girevole a mezzi di presa per applicare etichette e filo ad un tubo appiattito secondo sacchetti-filtro biuso in serie nelle macchine confezionatrici in continuo di detti sacchetti-filtro
US6165813A (en) * 1995-04-03 2000-12-26 Xerox Corporation Replacing semiconductor chips in a full-width chip array
US6342434B1 (en) * 1995-12-04 2002-01-29 Hitachi, Ltd. Methods of processing semiconductor wafer, and producing IC card, and carrier
EP1490894A1 (de) * 2002-04-04 2004-12-29 Georg Sillner Verfahren zum verarbeiten von elektrischen bauelementen, insbesondere von halbleiterchips, sowie vorrichtung zum durchf hren des verfahrens
US7868957B2 (en) * 2003-12-02 2011-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, display device and liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US9070850B2 (en) * 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US20060264006A1 (en) * 2005-05-19 2006-11-23 Avery Dennison Corporation Method and apparatus for RFID device assembly
WO2007099146A1 (de) * 2006-03-01 2007-09-07 Jakob + Richter Ip-Verwertungsgesellschaft Mbh Verfahren zum bearbeiten insbesondere dünnen der rückseite eines wafers, wafer-träger-anordnung hierfür und verfahren zur herstellung einer solchen wafer-träger-anordnung
TW200941582A (en) * 2007-10-29 2009-10-01 Ekc Technology Inc Methods of post chemical mechanical polishing and wafer cleaning using amidoxime compositions
JP5411689B2 (ja) * 2009-12-28 2014-02-12 東京エレクトロン株式会社 実装方法及び実装装置
US8486761B2 (en) * 2010-03-25 2013-07-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Hybrid combination of substrate and carrier mounted light emitting devices
TWI414061B (zh) * 2010-04-06 2013-11-01 Kingpak Tech Inc 具有封裝結構之晶圓級影像感測器模組製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1349205A (zh) * 2000-10-06 2002-05-15 索尼株式会社 器件安装方法
US20080217615A1 (en) * 2004-06-04 2008-09-11 Infineon Technologies Ag Method for arranging chips of a first substrate on a second substrate
US20060013680A1 (en) * 2004-07-16 2006-01-19 Tessera, Inc. Chip handling methods and apparatus
JP2007027551A (ja) * 2005-07-20 2007-02-01 Fujitsu Ltd Ｉｃチップ実装方法
CN101431034A (zh) * 2008-11-27 2009-05-13 江苏康众数字医疗设备有限公司 用于多芯片平面封装的方法

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108701632B (zh) * 2016-04-26 2022-10-21 三星电子株式会社 处理系统及其操作方法
CN108701632A (zh) * 2016-04-26 2018-10-23 三星电子株式会社 处理系统及其操作方法
CN106374008A (zh) * 2016-09-08 2017-02-01 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院 一种大面积传感器阵列的制备方法
CN106374008B (zh) * 2016-09-08 2018-01-26 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院 一种大面积传感器阵列的制备方法
CN109390263A (zh) * 2017-08-07 2019-02-26 财团法人工业技术研究院 元件扩距转移方法及实施此转移方法的设备
CN111263893A (zh) * 2017-10-26 2020-06-09 株式会社V技术 Led芯片的检查方法、其检查装置以及led显示器的制造方法
CN108400088A (zh) * 2018-03-05 2018-08-14 大族激光科技产业集团股份有限公司 晶片结合及剥离的方法
TWI686563B (zh) * 2018-04-11 2020-03-01 台灣愛司帝科技股份有限公司 微型發光二極體顯示器及其製作方法
CN112055890A (zh) * 2018-04-30 2020-12-08 科锐公司 用于电子管芯质量转移的设备及方法
CN110838462A (zh) * 2018-08-15 2020-02-25 北科天绘（苏州）激光技术有限公司 一种器件阵列的巨量转移方法及系统
CN110838462B (zh) * 2018-08-15 2022-12-13 北科天绘(合肥)激光技术有限公司 一种器件阵列的巨量转移方法及系统
TWI686895B (zh) * 2019-04-19 2020-03-01 台灣愛司帝科技股份有限公司 晶片移轉機台
CN113013311A (zh) * 2019-12-19 2021-06-22 群创光电股份有限公司 电子装置的制造方法
CN113808987A (zh) * 2020-06-15 2021-12-17 贤昇科技股份有限公司 转移设备及转移工件的方法
CN112414943A (zh) * 2020-11-27 2021-02-26 上海华力微电子有限公司 半导体芯片缺陷定位方法和定位模块
TWI823248B (zh) * 2021-02-08 2023-11-21 中國大陸商深圳市豐泰工業科技有限公司 晶片轉移方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20140120640A1 (en) 2014-05-01
EP2915183A2 (en) 2015-09-09
WO2014070576A3 (en) 2015-07-16
EP2915183A4 (en) 2016-06-08
KR20150082414A (ko) 2015-07-15
JP2016504753A (ja) 2016-02-12
US9331230B2 (en) 2016-05-03
US10622241B2 (en) 2020-04-14
US20160247704A1 (en) 2016-08-25
WO2014070576A2 (en) 2014-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105210171A (zh) 显示器和发光面板中的保留了相邻关系的led裸片分散
US11538799B2 (en) Display including nanoscale LED module
US10886257B2 (en) Micro LED display device and method for manufacturing same
US10078158B2 (en) Manufacturing display panels with integrated micro lens array
EP2041790B1 (en) Method for manufacturing a light emitting device
CN110556455A (zh) 利用led制造显示模块的方法
KR101723436B1 (ko) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법
US9034673B2 (en) Local seal for encapsulation of electro-optical element on a flexible substrate
CN107240356B (zh) 全彩led显示单元及其制备方法
US11519561B2 (en) High-yield low-cost large-area flexible OLED lighting module
CN105304682A (zh) 一种硅基oled图像收发装置及其制作方法
CN111902952A (zh) 发光二极管的巨量转移方法、以及显示背板组件
KR20180102424A (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
CN111508991A (zh) 一种显示装置及显示装置的制作方法
JP2001265240A (ja) 直視型表示装置
CN110085618B (zh) 显示面板制备方法
CN110148607A (zh) 一种led显示面板、其制备方法及显示装置
CN106206427A (zh) 显示基板的制作方法、显示装置的制作方法以及显示基板
TW202147916A (zh) 具有微芯片陣列的光學組件製造方法及該組件
CN116390600A (zh) 一种显示面板、显示设备及制作方法
TW202236659A (zh) 具驅動ic的像素單元及其製法
CN116027605A (zh) 电子纸及其制作方法
CN112701076A (zh) 显示屏的制作方法及系统

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20151230

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication