CN112713139A - 柔性显示面板及柔性显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种柔性显示面板及柔性显示装置，一种柔性显示面板，包括：柔性衬底、薄膜晶体管阵列层、薄膜封装层、单质硅保护层和偏光片；薄膜晶体管阵列层位于柔性衬底的一侧；薄膜封装层位于薄膜晶体管阵列层背离柔性衬底一侧；单质硅保护层位于薄膜封装层和偏光片之间；其中，薄膜晶体管阵列层中包括半导体层和阵列金属层，单质硅保护层通过填充导电材料的第一过孔与半导体层或阵列金属层连接，第一过孔位于非显示区。通过填充导电材料的第一过孔将单质硅保护层与半导体层或阵列金属层连接，使得单质硅保护层上累积电荷时，能够通过半导体层或阵列金属层导走，避免单质硅保护层上累积电荷，出现亮环的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种柔性显示面板及柔性显示装置。
背景技术
随着显示技术的日益发展，各种新型显示技术不断涌现。其中，柔性显示面板因其自身的可弯曲，可折叠特性，越来越多的应用于诸如曲面显示、折叠显示，可穿戴显示等领域。
但是，目前柔性显示面板在进行静电释放(ESD，Electro-Static discharge)验证过程中，显示时显示区和非显示区的边界位置存在亮环问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种柔性显示面板及柔性显示装置，用以改善柔性显示面板在静电释放验证过程中，出现亮环的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种柔性显示面板，包括：显示区和位于所述显示区之外的非显示区；
所述柔性显示面板包括：柔性衬底、薄膜晶体管阵列层、薄膜封装层、单质硅保护层和偏光片；
所述薄膜晶体管阵列层位于所述柔性衬底的一侧；
所述薄膜封装层位于所述薄膜晶体管阵列层背离所述柔性衬底一侧；
所述单质硅保护层位于所述薄膜封装层和所述偏光片之间；
其中，所述薄膜晶体管阵列层中包括半导体层和阵列金属层，所述单质硅保护层通过填充导电材料的第一过孔与所述半导体层或所述阵列金属层连接，所述第一过孔位于所述非显示区。
基于相同的发明构思，本发明还提供一种柔性显示装置，包括上面所述的柔性显示面板。
经由上述的技术方案可知，本发明实施例提供的显示面板和显示装置，通过填充导电材料的第一过孔将单质硅保护层与薄膜晶体管阵列中的半导体层或阵列金属层连接，从而使得单质硅保护层上累积电荷时，能够通过半导体层或阵列金属层导走，避免单质硅保护层上累积电荷，出现亮环的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为相关技术中提供的显示面板结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种柔性显示面板俯视结构示意图；
图3为沿图2中的BB’线得到的柔性显示面板的剖面结构示意图；
图4为本发明实施例提供的另一种柔性显示面板结构示意图；
图5为本发明实施例提供的再一种柔性显示面板结构示意图；
图6为本发明实施例提供的一种柔性显示面板结构示意图；
图7为本发明实施例提供的一种柔性显示面板结构示意图；
图8为本发明实施例提供的柔性显示面板的俯视结构示意图；
图9为图8所示的CC’剖面示意图；
图10为本发明实施例提供的一种柔性显示面板的俯视结构示意图；
图11为本发明实施例提供的一种柔性显示面板制作方法流程图；
图12为本发明实施例提供的柔性显示面板结构示意图；
图13为本发明实施例提供的制作第一过孔的过程示意图；
图14为采用导电材料填充第一过孔后的过程示意图；
图15为制作完成单质硅保护层后的结构示意图；
图16为本发明实施例提供的一种显示装置结构示意图。
具体实施方式
如背景技术部分所述，目前的柔性显示面板存在亮环问题。在实现本发明的过程中，发明人研究发现，如图1所示，为相关技术中提供的显示面板结构示意图，显示面板包括：柔性衬底01、位于柔性衬底01一侧的显示功能层02、薄膜封装层03和偏光片04。
由于薄膜封装层03的材料包括氮化硅或氮氧化硅中的至少一种，在薄膜封装层03形成的工艺中会存在氮元素，在高温高湿环境下，氨分子能够逸出；而偏光片04中含有碘分子，氨分子容易与碘分子进行反应，导致偏光片失效。
为了避免偏光片失效，相关技术中在偏光片和薄膜封装层之间还增加设置一层单质硅保护层05，以有效阻止氨分子透过至偏光片04，防止偏光片04失效，增强显示面板的显示效果，提高显示面板的寿命。
但是，在显示面板的ESD验证过程中，出现电荷无法快速消散、静电积累的情况，在显示时，显示面板的显示区AA和非显示区NA的边界位置会出现一圈亮环。发明人经过研究发现，该亮环的存在是由于在柔性显示面板的边框位置进行静电释放时，由于单质硅保护层为半导体材料，累积的静电无法快速消散造成的。
基于此，本发明提供一种柔性显示面板，包括：显示区和位于所述显示区之外的非显示区；
所述柔性显示面板包括：柔性衬底、薄膜晶体管阵列层、薄膜封装层、单质硅保护层和偏光片；
所述薄膜晶体管阵列层位于所述柔性衬底的一侧；
所述薄膜封装层位于所述薄膜晶体管阵列层背离所述柔性衬底一侧；
所述单质硅保护层位于所述薄膜封装层和所述偏光片之间；
其中，所述薄膜晶体管阵列层中包括半导体层和阵列金属层，所述单质硅保护层通过填充导电材料的第一过孔与所述半导体层或所述阵列金属层连接，所述第一过孔位于所述非显示区。
本发明提供的柔性显示面板，通过在非显示区设置第一过孔，然后将单质硅保护层与薄膜晶体管阵列层中的半导体层或阵列金属层进行连接，使得单质硅保护层上积累的电荷能够通过第一过孔中填充的导电材料传导到半导体层或阵列金属层中，从而减少了单质硅保护层中电荷的积累，避免了亮环的出现。
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参见图2和图3，图2为本发明实施例提供的一种柔性显示面板俯视结构示意图；图3为沿图2中的BB’线得到的柔性显示面板的剖面结构示意图；如图2所示，柔性显示面板包括：显示区AA和位于显示区AA之外的非显示区NA；需要说明的是，本发明实施例中非显示区NA形成显示区AA的边框，但需要说明的是，虽然本发明实施例中，如图2所示为显示区AA四周均包括非显示区NA的形式；实际生产过程中，随着窄边框的发展，显示区的左右两侧非显示区有可能被曲面屏代替，从而得到只有上边框和下边框的显示面板。因此，本实施例中对所述非显示区的形状不做限定，本实施例中仅以四周均设置有非显示区为例进行说明，但这并不对本发明实施例中的显示面板做限定。
本实施例中，显示区AA包括多个像素单元。像素单元包括多个子像素。子像素包括发光单元和与发光单元电连接且用于驱动发光单元发光的像素驱动电路。以该柔性显示面板为有机发光显示面板为例，发光单元可以为有机发光器件23。非显示区NA包括周边电路。周边电路包括栅极驱动电路和选通电路(demux)等用于控制显示区AA进行显示的电路。其中，像素驱动电路和周边电路均包括多个薄膜晶体管。
如图3所示，柔性显示面板包括：柔性衬底1、薄膜晶体管阵列层2、薄膜封装层3、单质硅保护层4和偏光片5；柔性衬底1上设置有缓冲层10，薄膜晶体管阵列层2位于柔性衬底1的缓冲层10上背离柔性衬底1的一侧；薄膜封装层3位于薄膜晶体管阵列层2背离柔性衬底1一侧；单质硅保护层4位于薄膜封装层3和偏光片5之间；其中，薄膜晶体管阵列层2中包括半导体层21和阵列金属层22，单质硅保护层4通过填充导电材料的第一过孔6与半导体层21或阵列金属层22连接，第一过孔6位于非显示区NA。
本发明实施例对柔性衬底1不做限定，柔性衬底1的材料可以为超薄玻璃、金属箔或者高分子塑料材料。其中，超薄玻璃包括超薄无碱玻璃，其厚度小于0.2mm；金属箔包括不锈钢箔、铝箔、铜箔等；高分子塑料材料包括聚酰亚胺(Polyimide,PI)、聚乙烯醇(Polyvinylalcohol,PVA)、聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate,PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate，PMMA)等。
另外，由于单质硅保护层的表面具有形貌缝隙，在超过某一阈值之后，单质硅保护层的厚度越大，表面缝隙越严重，使得氨分子更容易渗透，从而加速偏光片的失效。本实施例中可选的，单质硅保护层的厚度为10μm左右，提供足够的致密性，保证单质硅保护层具有阻隔氨分子渗透的作用。
另外，薄膜晶体管阵列层2上还包括与薄膜晶体管相连的有机发光单元，如图2和图3所示，该发光单元可以为有机发光器件23。有机发光器件23包括层叠设置的阳极231、发光层233和阴极232。有机发光器件23与薄膜晶体管阵列层2中的部分薄膜晶体管20电连接。有机发光器件23在由包括多个薄膜晶体管20的像素驱动电路的控制下发光。
可以理解的是，薄膜晶体管阵列层2包括半导体层21、栅极绝缘层24、栅极金属层221、层间绝缘层25和源漏金属层222。薄膜晶体管阵列层2中形成有多个薄膜晶体管20。薄膜晶体管20包括位于半导体层21的有源结构、位于栅极金属层221的栅极、位于源漏金属层222的源极和漏极。其中，位于显示区AA的薄膜晶体管20可以用于构成像素驱动电路。位于非显示区NA的薄膜晶体管20可以用于构成周边电路。
如图3中所示，半导体层21为薄膜晶体管阵列层2中形成薄膜晶体管20的多晶硅层。通过将薄膜晶体管的多晶硅层21复用为静电释放层，从而无需为静电释放新增其他层结构，避免了显示面板厚度的增加。阵列金属层22包括栅极金属层221和源漏金属层222，单质硅保护层4还可以通过第一过孔6中的导电材料60与阵列金属层22中的任意一个金属层连接，从而实现单质硅保护层4中累积电荷的静电释放。具体的，请参见图4，图4为本发明实施例提供的另一种柔性显示面板结构示意图；单质硅保护层4通过第一过孔6中的导电材料60与位于非显示区NA中的薄膜晶体管中的栅极金属层221连接；或者还可以参见图5，图5为本发明实施例提供的再一种柔性显示面板结构示意图；单质硅保护层4通过第一过孔6中的导电材料60与位于非显示区NA中的薄膜晶体管中的源漏金属层222连接。
在本发明的另一个实施例中，还可以设置填充导电材料的第二过孔，单质硅保护层通过第二过孔与接地金属线电性连接。也即，单质硅保护层可以在通过第一过孔中的导电金属与半导体层或阵列金属层连接的同时，还可以通过第二过孔中填充的导电材料与其他接地金属线连接。本实施例中不限定接地金属线的具体所在层结构。
可选的，请参见图6，图6为本发明实施例提供的一种柔性显示面板结构示意图，其中，柔性显示面板还包括位于偏光片5与单质硅保护层4之间的触控层7，触控层包括位于显示区的触控电极71和位于非显示区的接地金属线72。需要说明的是，单质硅保护层4与触控层7之间通过光学胶层40粘结，同时还可以包括其他层结构(图6中未示出)，因此，第二过孔8形成在光学胶层和其他层结构内部。也即，第二过孔8位于单质硅保护层4背离薄膜晶体管阵列层2的一侧；而第一过孔6位于单质硅保护层4朝向薄膜晶体管阵列层2的一侧。
在本发明的其他实施例中，接地金属线还可以是位于薄膜晶体管阵列层中的接地金属线。此时，对应的第二过孔8和第一过孔6均位于单质硅保护层4朝向薄膜晶体管阵列层2的一侧，如图7所示，图7为本发明实施例提供的一种柔性显示面板结构示意图。
需要说明的是，无论是通过第一过孔将单质硅保护层连接到半导体层，还是薄膜晶体管阵列层中的阵列金属层或者接地金属线，所起到的作用均为通过其他金属层或半导体层的作用将单质硅保护层中积累的电荷导出，从而避免单质硅保护层在ESD验证过程中，显示时出现亮环的问题。
基于相同的发明构思，本发明其他实施例中，在已经通过第一过孔将单质硅保护层连接到半导体层或薄膜晶体管阵列层的阵列金属层后，单质硅保护层还可以通过填充导电材料的第三过孔与固定电位信号线电性连接，所述固定电位信号线位于薄膜晶体管阵列层的非显示区。请参见图8和图9，其中，图8为本发明实施例提供的柔性显示面板的俯视结构示意图；图9为图8所示的CC’剖面示意图；也即，通过第三过孔9与固定电位信号线90电性连接，同样也能实现将单质硅保护层中的累积的电荷转移到其他结构中，避免出现亮环的问题。固定电位信号线90可以是与栅极金属层同层设置的信号线，本实施例中对此不作限定。
需要说明的是，为了使得第一过孔、第二过孔和第三过孔方便制作，且不影响柔性显示面板的正常显示，本实施例中可选的，如图10所示，图10为本发明实施例提供的一种柔性显示面板的俯视结构示意图；第一过孔6、第二过孔8和第三过孔9可以均设置在非显示区的圆角位置。为了外观适应用户需求，通常情况下，显示装置的外边框均为带有圆角的矩形结构；显示区域也是带有圆角的矩形结构，两者圆角半径不相同，使得非显示区的圆角位置比其他直线部分对应的区域空间较大，进而设置第一过孔6、第二过孔8和第三过孔9时，工艺窗口较大；另一方面，通常情况下，非显示区的圆角部分设置走线的数量也较少，使得第一过孔6、第二过孔8或第三过孔9的设置更加自由，对其他结构的影响较小。
在本发明的其他实施例中，在边框区域空间允许的情况下，第一过孔6、第二过孔8和第三过孔9也可以设置在直线边框区域，本实施例中对此不做限定。
需要说明的是，第一过孔6、第二过孔8和第三过孔9中填充的导电材料也可以相同，也可以不相同。可选的，第一过孔6、第二过孔8和第三过孔9中填充的导电材料相同，且均为柔性显示面板中常规使用的导电材料，例如薄膜晶体管阵列层中的各金属层材料、触控层的金属材料、信号线所使用的金属材料等。
综上所述，本发明实施例中通过增加设置第一过孔，并填充导电材料，将单质硅保护层与柔性显示面板中的其他半导体层或阵列金属层进行连接，从而使得单质硅保护层上的电荷能够快速导出，避免累积电荷，在ESD验证过程中，显示面板上出现亮环。
另外，还可以继续增加连接单质硅保护层与其他接地金属线或者固定电位线的过孔，同样可以将单质硅保护层的电荷导出去，避免出现亮环问题。
如图11所示，图11为本发明实施例提供的一种柔性显示面板制作方法流程图；所述柔性显示面板的制作方法，包括：
S101：提供柔性衬底，柔性衬底包括第一区和位于第一区之外的第二区；
本实施例中柔性衬底可以为超薄玻璃、金属箔或者高分子塑料材料。其中，超薄玻璃包括超薄无碱玻璃，其厚度小于0.2mm；金属箔包括不锈钢箔、铝箔、铜箔等；高分子塑料材料包括聚酰亚胺(Polyimide,PI)、聚乙烯醇(Polyvinylalcohol,PVA)、聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate,PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate，PMMA)等。
本实施例中柔性衬底的第一区用于后续形成显示区；第二区用于后续形成非显示区。第二区位于第一区之外，但是并不限定第二区的具体形式，可以位于第一区的四周，环绕第一区，也可以只位于第一区的相对两侧。
S102：在柔性衬底上依次形成薄膜晶体管阵列层、薄膜封装层；薄膜晶体管阵列层中包括半导体层和阵列金属层；
请参见图12，图12为本发明实施例提供的柔性显示面板结构示意图；在柔性衬底上依次形成薄膜晶体管阵列层2和薄膜封装层3。
其中，如图12所示，薄膜晶体管阵列层2包括半导体层21、栅极绝缘层24、栅极金属层221、层间绝缘层25和源漏金属层222。薄膜晶体管阵列层2中形成有多个薄膜晶体管20。薄膜晶体管20包括位于半导体层21的有源结构、位于栅极金属层221的栅极、位于源漏金属层222的源极和漏极。其中，位于显示区11的薄膜晶体管20可以用于构成像素驱动电路。位于非显示区12的薄膜晶体管20可以用于构成周边电路。
另外，薄膜晶体管阵列层2上还包括与薄膜晶体管相连的有机发光单元，如图12所示，该发光单元可以为有机发光器件23。有机发光器件23包括层叠设置的阳极231、发光层233和阴极232。有机发光器件23与薄膜晶体管阵列层2中的部分薄膜晶体管20电连接。有机发光器件23在包括多个薄膜晶体管20的像素驱动电路的控制下发光。
薄膜封装层3完全覆盖薄膜晶体管阵列层2，将薄膜晶体管阵列层2中的结构封装起来，避免水汽和氧气对薄膜晶体管阵列层2中的结构进行侵蚀。
S103：在第二区内，形成贯穿薄膜封装层的第一过孔，第一过孔暴露出半导体层或阵列金属层；
请参见图13，图13为本发明实施例提供的制作第一过孔的过程示意图；本实施例中可以通过刻蚀工艺，在柔性衬底的第二区内，刻蚀形成第一过孔6，由于第一过孔用6于填充导电材料后，将后续形成的单质硅保护层与薄膜晶体管阵列层2中的半导体层21或阵列金属层22连接，因此，第一过孔6必须贯穿薄膜封装层3，并且暴露出要与后续形成的单质硅保护层连接的半导体层21或阵列金属层22。本实施例中，以暴露出半导体层21为例进行说明。
S104：采用导电材料填充第一过孔；
请参见图14，图14为采用导电材料填充第一过孔6后的过程示意图。此时，第一过孔6的上表面开口与薄膜封装层3的其他部分齐平，以便于后续形成单质硅保护层。
S105：在薄膜封装层上形成单质硅保护层，单质硅保护层与导电材料接触；
请参见图15，图15为制作完成单质硅保护层4后的结构示意图；本实施例中可选的，采用化学气相沉积工艺形成单质硅保护层4。将薄膜封装层3远离柔性衬底1的一侧作为沉积面，在真空环境下，将压强为1500毫托的硅烷在80℃～90℃的环境温度下，在沉积面上反应预设时间，生成单晶硅和氢气，单晶硅在沉积面上沉积形成单质硅保护层4，所述预设时间小于或等于3分钟。
S106：在单质硅保护层上形成偏光片。
本发明实施例中还可以在单质硅保护层4上形成偏光片5之前，若显示面板还包括触控功能，则还包括形成触控层的步骤，以及可以通过形成第二过孔8将单质硅保护层4与触控层中的接地金属线连接。
具体制作方法包括：在单质硅保护层4上形成光学胶层；在光学胶上形成第二过孔8；采用导电材料填充第二过孔8；在光学胶上形成触控层7，其中，触控层7包括接地金属线，接地金属线与第二过孔8中的导电材料接触，具体可以参见图6。
另外，单质硅保护层还可以同时连接到其他接地金属线或固定电位信号线。具体的，在形成第一过孔的同时，还可以形成接触过孔，接触过孔贯穿薄膜封装层，且暴露出薄膜晶体管阵列层中的接地金属线或固定电位信号线；采用导电材料填充过孔。
由于接触过孔同样用于将单质硅保护层与位于其朝向柔性衬底一侧的某层结构，然后将单质硅保护层中的电荷传导出去，因此，本发明实施例中接触过孔与第一过孔可以在同一步骤中形成。本实施例中不限定所述接触过孔的具体连接位置，若接触过孔连接到薄膜晶体管阵列层中的接地金属线，则对应本发明上面实施例中的第二过孔；若连接到固定电位信号线，则对应本发明上面实施例中的第三过孔，本实施例中对此不作限定。
本发明实施例中提供的显示面板制作方法，用于制作形成具有至少一个第一过孔显示面板，通过在第一过孔中填充导电金属，将单质硅保护层与薄膜晶体管阵列层中的半导体层或阵列金属层直接连接，从而能够将单质硅保护层在ESD验证过程中产生的累积电荷导出单质硅保护层，避免显示面板在显示时出现亮环的问题。
本发明还提供一种柔性显示装置100，包括上面实施例中所述的柔性显示面板。如图16所示，图16为本发明实施例提供的一种显示装置结构示意图，其中，显示装置100可以是手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
由于本发明实施例提供的柔性显示装置包括上面实施例中所述的柔性显示面板，所述柔性显示面板中具有单质硅保护层，而单质硅保护层通过填充导电材料的第一过孔与显示面板中的半导体层或金属层直接连接，从而将单质硅保护层中的累积电荷快速导出，提高了单质硅保护层的静电释放能力，进而避免在进行ESD验证过程中，显示面板显示时出现亮环的现象。
需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括上述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (13)
1.一种柔性显示面板，其特征在于，包括：显示区和位于所述显示区之外的非显示区；
所述柔性显示面板包括：柔性衬底、薄膜晶体管阵列层、薄膜封装层、单质硅保护层和偏光片；
所述薄膜晶体管阵列层位于所述柔性衬底的一侧；
所述薄膜封装层位于所述薄膜晶体管阵列层背离所述柔性衬底一侧；
所述单质硅保护层位于所述薄膜封装层和所述偏光片之间；
其中，所述薄膜晶体管阵列层中包括半导体层和阵列金属层，所述单质硅保护层通过填充导电材料的第一过孔与所述半导体层或所述阵列金属层连接，所述第一过孔位于所述非显示区。
2.根据权利要求1所述的柔性显示面板，其特征在于，所述半导体层为所述薄膜晶体管阵列层中形成薄膜晶体管的多晶硅层。
3.根据权利要求1所述的柔性显示面板，其特征在于，还包括填充导电材料的第二过孔，所述单质硅保护层通过所述第二过孔与接地金属线电性连接。
4.根据权利要求3所述的柔性显示面板，其特征在于，还包括位于所述偏光片与所述单质硅保护层之间的触控层，所述触控层包括位于所述显示区的触控电极和位于所述非显示区的接地金属线。
5.根据权利要求3所述的柔性显示面板，其特征在于，所述接地金属线位于所述薄膜晶体管阵列层。
6.根据权利要求1所述的柔性显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列层的非显示区还包括固定电位信号线；
所述单质硅保护层还通过填充导电材料的第三过孔与所述固定电位信号线电性连接。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的柔性显示面板，其特征在于，所述第一过孔位于所述非显示区的圆角位置。
8.根据权利要求1所述的柔性显示面板，其特征在于，还包括发光单元，所述发光单元与所述薄膜晶体管阵列层中的薄膜晶体管相连；
所述发光层包括层叠设置的阳极、发光层和阴极。
9.一种柔性显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供柔性衬底，所述柔性衬底包括第一区和位于所述第一区之外的第二区；
在所述柔性衬底上依次形成薄膜晶体管阵列层、薄膜封装层；所述薄膜晶体管阵列层中包括半导体层和阵列金属层；
在所述第二区内，形成贯穿所述薄膜封装层的第一过孔，所述第一过孔暴露出所述半导体层或所述阵列金属层；
采用导电材料填充所述第一过孔；
在所述薄膜封装层上形成单质硅保护层，所述单质硅保护层与所述导电材料接触；
在所述单质硅保护层上形成偏光片。
10.根据权利要求9所述的柔性显示面板制作方法，其特征在于，所述在所述单质硅保护层上形成偏光片之前，还包括：
在所述单质硅保护层上形成光学胶层；
在所述光学胶上形成第二过孔；
采用所述导电材料填充所述第二过孔；
在所述光学胶上形成触控层，其中，所述触控层包括接地金属线，所述接地金属线与所述第二过孔中的导电材料接触。
11.根据权利要求9所述的柔性显示面板制作方法，其特征在于，在形成所述第一过孔的同时，还可以形成接触过孔，所述接触过孔贯穿所述薄膜封装层，且暴露出所述薄膜晶体管阵列层中的接地金属线或固定电位信号线；
采用所述导电材料填充所述过孔。
12.根据权利要求9所述的柔性显示面板制作方法，其特征在于，所述在所述柔性衬底上依次形成薄膜晶体管阵列层、薄膜封装层时，具体包括：
在所述柔性衬底上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成所述薄膜晶体管阵列层；
在所述薄膜晶体管阵列层上形成发光单元，所述发光单元与所述薄膜晶体管阵列层中的薄膜晶体管电性连接；
在所述发光单元上形成薄膜封装层。
13.一种柔性显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任意一项所述的柔性显示面板。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113539132A (zh) * | 2021-07-28 | 2021-10-22 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示模组与电子设备 |
| CN113809135A (zh) * | 2021-09-13 | 2021-12-17 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN115172390A (zh) * | 2022-09-02 | 2022-10-11 | 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司 | 一种显示面板及其制造方法 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004220907A (ja) * | 2003-01-15 | 2004-08-05 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機ｅｌディスプレイおよびディスプレイ用透明電極基板 |
| JP2005175381A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 半導体素子、アレイ基板およびその製造方法 |
| EP3007224A1 (en) * | 2014-10-08 | 2016-04-13 | Nxp B.V. | Metallisation for semiconductor device |
| CN106783842A (zh) * | 2017-01-04 | 2017-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种静电保护电路、阵列基板、显示面板及显示装置 |
| CN106887525A (zh) * | 2017-03-10 | 2017-06-23 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光显示面板及显示装置 |
| KR20170109118A (ko) * | 2016-03-17 | 2017-09-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 정전기 방전 회로를 갖는 표시 장치, 및 이의 제조 방법 |
| CN107845645A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-03-27 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| US20180190720A1 (en) * | 2017-01-03 | 2018-07-05 | Innolux Corporation | Touch display device |
| CN109686866A (zh) * | 2019-01-29 | 2019-04-26 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN110970578A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-07 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
-
2020
- 2020-12-28 CN CN202011584085.4A patent/CN112713139B/zh active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004220907A (ja) * | 2003-01-15 | 2004-08-05 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機ｅｌディスプレイおよびディスプレイ用透明電極基板 |
| JP2005175381A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 半導体素子、アレイ基板およびその製造方法 |
| EP3007224A1 (en) * | 2014-10-08 | 2016-04-13 | Nxp B.V. | Metallisation for semiconductor device |
| KR20170109118A (ko) * | 2016-03-17 | 2017-09-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 정전기 방전 회로를 갖는 표시 장치, 및 이의 제조 방법 |
| US20180190720A1 (en) * | 2017-01-03 | 2018-07-05 | Innolux Corporation | Touch display device |
| CN106783842A (zh) * | 2017-01-04 | 2017-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种静电保护电路、阵列基板、显示面板及显示装置 |
| CN106887525A (zh) * | 2017-03-10 | 2017-06-23 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光显示面板及显示装置 |
| CN107845645A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-03-27 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| CN109686866A (zh) * | 2019-01-29 | 2019-04-26 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN110970578A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-07 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113539132A (zh) * | 2021-07-28 | 2021-10-22 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示模组与电子设备 |
| CN113809135A (zh) * | 2021-09-13 | 2021-12-17 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN113809135B (zh) * | 2021-09-13 | 2024-03-05 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN115172390A (zh) * | 2022-09-02 | 2022-10-11 | 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司 | 一种显示面板及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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