TWI676977B - 可撓式畫素陣列基板及應用其之可撓式顯示面板 - Google Patents

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Abstract

一種可撓式畫素陣列基板，包括一可撓基板、多個畫素單元以及一三維感測結構。可撓基板具有一顯示區。多個畫素單元設置於顯示區。三維感測結構設置於顯示區，三維感測結構包含由至少一導電材料製成的一垂直導通部、一上導通部以及一下導通部，其中上導通部與下導通部延伸於此些畫素單元之周圍且分別連接垂直導通部的相對兩端。

Description

可撓式畫素陣列基板及應用其之可撓式顯示面 板
本發明是有關於一種顯示面板，且特別是有關於一種可撓式畫素陣列基板及應用其之可撓式顯示面板。
可撓式顯示面板具備相當的可彎曲能力，以應用在例如液晶顯示器(LCD)、電漿顯示面板(PDP)或有機發光二極體(OLED)顯示器上，或是應用在電子書以及電子紙上。
此外，為使可撓式顯示面板具有觸控功能，一般會附加觸控感測結構於可撓基板上，然而觸控感測結構的厚度若太厚將影響可撓性顯示面板的可彎曲能力，導致不易彎折且無法使中性軸維持在面板中間位置。
本發明係有關於一種可撓式畫素陣列基板及應用其之可撓式顯示面板，用以感測垂直方向的形變量，藉以產生一感測訊號。
根據本發明之一方面，提出一種可撓式畫素陣列基板，包括一可撓基板、多個畫素單元以及一三維感測結構。可撓基板具有一顯示區。多個畫素單元設置於顯示區。三維感測結構設置於顯示區，三維感測結構包含由至少一導電材料製成的一垂直導通部、一上導通部以及一下導通部，其中上導通部與下導通部延伸於此些畫素單元之周圍且分別連接垂直導通部的相對兩端。
根據本發明之一方面，提出一種具有上述可撓式畫素陣列基板之可撓式顯示面板。
在一實施例中，垂直導通部、上導通部與下導通部由製作各畫素單元的畫素電極、半導體層、閘極層、導體層、源極以及汲極的至少一導電材料所組成。
在一實施例中，垂直導通部至少包括一第一導電部、一鏤空部以及一第二導電部，鏤空部位於第一導電部與第二導電部之間，且第一導電部與第二導電部於一垂直方向受壓時經由鏤空部彼此電性連接。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：
100、101、102‧‧‧可撓式畫素陣列基板
110‧‧‧可撓基板
111‧‧‧緩衝層
112‧‧‧第一絕緣層
113‧‧‧第二絕緣層
114‧‧‧第三絕緣層
115‧‧‧第四絕緣層
120‧‧‧畫素單元
130、130’‧‧‧三維感測結構
131‧‧‧垂直導通部
132‧‧‧上導通部
133‧‧‧下導通部
132a‧‧‧第一分支導線
132b‧‧‧第二分支導線
133a‧‧‧第三分支導線
133b‧‧‧第四分支導線
1311‧‧‧第一導電部
1312‧‧‧第二導電部
1313‧‧‧鏤空部
1314‧‧‧第三導電部
140‧‧‧顯示介質
150‧‧‧觸控層
160‧‧‧覆蓋層
200‧‧‧可撓式顯示面板
DA‧‧‧顯示區
PE1‧‧‧畫素電極
PE2‧‧‧相對電極
T1、T2‧‧‧電晶體
IC‧‧‧驅動晶片
FPC‧‧‧軟性電路板
SL‧‧‧半導體層
G‧‧‧閘極層
C‧‧‧電容器
CL‧‧‧導體層
S‧‧‧源極
M‧‧‧金屬層
SL‧‧‧掃描線
DL‧‧‧資料線
VA‧‧‧垂直通道
OBP1‧‧‧第一有機層
OBP2‧‧‧第二有機層
第1A圖繪示依照本發明一實施例之可撓式畫素陣列基板的示意圖。
第1B圖繪示依照本發明一實施例之可撓式畫素陣列基板的電路示意圖。
第2A圖繪示依照本發明一實施例之三維感測結構的示意圖。
第2B圖繪示依照本發明另一實施例之三維感測結構的示意圖。
第2C圖繪示依照本發明一實施例之三維感測結構的立體示意圖。
第3A圖繪示依照本發明一實施例之可撓式畫素陣列基板的外觀示意圖。
第3B圖繪示依照本發明另一實施例之可撓式畫素陣列基板的外觀示意圖。
第4A圖繪示依照本發明另一實施例之可撓式畫素陣列基板的示意圖。
第4B及4C圖繪示另二實施例之三維感測結構的示意圖。
第5A及5B圖繪示三維感測結構受壓變形後的示意圖。
第6A及6B圖分別繪示依照本發明另二實施例之垂直導通部的示意圖。
第7A及7B圖繪示依照本發明一實施例之可撓式畫素陣列基板的示意圖，其中鏤空部以蝕刻方式移除。
第8圖繪示依照本發明一實施例之可撓式顯示面板的示意圖。
以下係提出實施例進行詳細說明，實施例僅用以作為範例說明，並非用以限縮本發明欲保護之範圍。以下是以相同/類似的符號表示相同/類似的元件做說明。
第1A圖繪示依照本發明一實施例之可撓式畫素陣列基板100的示意圖。第1B圖繪示依照本發明一實施例之可撓式畫素陣列基板100的電路示意圖。基本上，可撓式畫素陣列基板100具有多個畫素單元120以及多個三維感測結構130，但在第1A及1B圖中，僅繪示單一個畫素單元120以及單一個三維感測結構130，做為以下範例說明。
請參照第1A及1B圖，可撓式畫素陣列基板100包括一可撓基板110、多個畫素單元120以及一三維感測結構130。可撓基板110具有一顯示區DA。多個畫素單元120設置於顯示區DA。三維感測結構130設置於顯示區DA，三維感測結構130包含由至少一導電材料製成的一垂直導通部131、一上導通部132以及一下導通部133，其中上導通部132與下導通部133延伸於此些畫素單元120之周圍且分別連接垂直導通部131的相對兩端。
可撓基板110的顯示區DA為設置畫素電極PE1、相對電極PE2、電晶體T1、T2以及三維感測結構130等元件的區域，也就是使用者觀看影像的區域，而可撓基板110的周邊區例如為驅動晶片IC的封裝區，驅動晶片IC可經由COP(chip on plastic)封裝技術固著於可撓基板110上，並藉由軟性電路板FPC與外部電路模組(圖未繪示)電性連接，如第2B圖所示。周邊區的一部分為 可彎折區，可撓基板110的材質可選用有機聚合物，例如：聚醯亞胺(polyimide；PI)、聚萘二甲酸乙醇酯(polyethylene naphthalate；PEN)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚碳酸酯(polycarbonates；PC)、聚醚碸(polyether sulfone；PES)或聚芳基酸酯(polyarylate)，或其它合適的材料、或前述至少二種材料之組合。在一實施例中，可撓基板110也依照顯示面板之類型增加額外功能，例如：偏光功能、增光功能、光擴散功能或其它合適的功能。
可撓基板110上可形成多個緩衝層111與多個絕緣層112~115。緩衝層111能夠協助半導體層SL穩定地形成於可撓基板110上，其材料可為無機材料(例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層)，但本發明不以此為限。於其它實施例中，亦可選擇性地不形成緩衝層111，或者緩衝層111的材料可為有機材料或前述無機材料與有機材料之組合。絕緣層112~115之材料可選擇與緩衝層111之材料相同。
電晶體T2可包括一半導體層SL、一閘極層G、一導體層CL、一源極S以及一汲極D。半導體層SL可為單層或多層結構，其包含非晶矽、多晶矽、微晶矽、單晶矽、有機半導體材料、氧化物半導體材料(例如：銦鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物)、或含有摻雜物(dopant)於上述材料中、或上述之組合。在一實施例中，半導體層SL的兩端分別與源極S以及汲極D電性連接，也就是 說，半導體層SL的高摻雜區可分別做為源極的接合區與汲極的接合區。
此外，第一絕緣層112覆蓋於半導體層SL上，閘極層G形成於第一絕緣層112上且對應位於半導體層SL上方。在本實施例中，閘極層G可以金屬材料製作，例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。第一絕緣層112位於半導體層SL與閘極層G之間，以做為閘極絕緣層。
在一實施例中，三維感測結構130的下導通部133(或第一導電部1311)例如與製作各電晶體T2的一閘極層G或一半導體層SL的至少一導電材料為同一膜層的不同部分。也就是說，在製作閘極層G或半導體層SL時，一併製作下導通部133(或第一導電部1311)。
另外，第二絕緣層113覆蓋於第一絕緣層112上，導體層CL對應形成於閘極層G上方，且第二絕緣層113位於半導體層SL與導體層CL之間，以形成一電容器C於閘極層G與源極S之間，如第1B圖所示。導體層CL的材料可與閘極層G的材料相同。
接著，形成多個貫穿第二絕緣層113的接觸孔並填入導電材料，以分別形成連接半導體層SL的源極S與汲極D、連接閘極層G的金屬層M以及連接導體層CL的金屬層M。接著，形成第三絕緣層114於第二絕緣層113上，第三絕緣層114覆蓋在電晶體T2的源極S以及汲極D上，第三絕緣層114例如是一鈍化層。
在一實施例中，三維感測結構130的垂直導通部131(第一導電部1311、第二導電部1312或兩者皆是)例如與製作各電晶體T2的一閘極層G或一半導體層SL的至少一導電材料為同一膜層的不同部分。也就是說，在製作閘極層G或半導體層SL時，一併製作垂直導通部131。或者，三維感測結構130的垂直導通部131例如與製作各電晶體T2的一閘極層G、一導體層CL、一源極S或一汲極D的至少一導電材料為同一膜層的不同部分。也就是說，在製作閘極層G、導體層CL、源極S或汲極D時，一併製作垂直導通部131。
接著，形成一畫素電極PE1(例如陽極層)於第三絕緣層114上，並覆蓋一第四絕緣層115(例如鈍化層)於畫素電極PE1之周圍。第四絕緣層115顯露畫素電極PE1的上表面。有機發光層OE可形成於顯露的畫素電極PE1的上表面，並以一相對電極PE2(例如陰極層)覆蓋在有機發光層OE上，以形成有機發光二極體元件OLED。畫素電極PE1可為金屬、銦錫氧化物、銦鋅氧化物或上述材料的組合，常見的有銦錫氧化物/銀/銦錫氧化物的組合物。
在一實施例中，三維感測結構130的上導通部132例如與製作各畫素電極PE1或相對電極PE2的至少一導電材料為同一膜層的不同部分。也就是說，在製作各畫素電極PE1及相對電極PE2時，一併製作上導通部132。
在第1B圖中，可撓式畫素陣列基板100的各個畫素單元120還具有一掃描線SL、一資料線DL以及電晶體T1，電晶體T1的閘極與掃描線SL連接，電晶體T1的汲極與資料線DL連接，且電晶體T1的源極S與另一電晶體T2的閘極層G連接，電晶體T2的閘極層G用以控制通過有機發光二極體OLED的電流，以控制有機發光二極體OLED發光或不發光。
請參照第2A、2B及2C圖，在一實施例中，垂直導通部131的數量可為多個，例如三個或三個以上，上導通部132與下導通部133可依序連接於此些垂直導通部131之間。在第2A圖中，多個垂直導通部131透過上導通部132與下導通部133相互並聯，在第2B圖中，多個垂直導通部131透過下導通部133相互連接。在第2C圖中，多個垂直導通部131透過上導通部132與下導通部133相互串聯。
在第2C圖中，上導通部132包括平行排列的一第一分支導線132a以及一第二分支導線132b。下導通部133包括平行排列的一第三分支導線133a以及一第四分支導線133b。由左而右來看，第三分支導線133a、垂直導通部131、第一分支導線132a、垂直導通部131、第四分支導線133b、垂直導通部131、第二分支導線132b相互串聯，以形成繞線型的三維感測結構130。上述實施例雖以第一分支導線132a、第二分支導線132b、第三分支導線133a以及第四分支導線133b串接於四個垂直導通部131為例，但 本發明亦可以採用其他連接方式(直線排列、堆疊、3維陣列)來形成三維感測結構130。
請參照第3A及3B圖，可撓式畫素陣列基板100上可形成多個三維感測結構130，使用者可按壓由多個三維感測結構130所組成的一感應區SA，使三維感測結構130產生形變，以產生一感應訊號。感應訊號可用以表示相對應的電阻值，電阻值與三維感測結構130的形變量有關，當三維感測結構130的長度減少時，電阻值會下降。當同時按壓多個三維感測結構130時，形變量增加，可進一步放大感應訊號。
請參照第4A圖，其繪示依照本發明另一實施例之可撓式畫素陣列基板101的示意圖。可撓式畫素陣列基板101包括一可撓基板110、多個畫素單元120以及一三維感測結構130。有關畫素單元120中的畫素電極PE1以及電晶體T2中的半導體層SL、閘極層G、導體層CL、源極S、汲極D的配置與製作方式，請參照上述實施例的說明，在此不再贅述。此外，三維感測結構130的垂直導通部131、上導通部132與下導通部133中之至少一可與畫素電極PE1為同一膜層的不同部分。或者，三維感測結構130的垂直導通部131、上導通部132與下導通部133中之至少一可與半導體層SL、閘極層G、導體層CL、源極S以及汲極D中之至少一為同一膜層的不同部分。也就是說，垂直導通部131、上導通部132與下導通部133可由製作畫素電極PE1、半導體層SL、閘極層G、導體層CL、源極S以及汲極D的至少一導電材料所組成。
與上述實施例相同的部分，請參照上述實施例的說明，在此不再贅述。不同之處在於，在本實施例中，三維感測結構130’的垂直導通部131包括一第一導電部1311、一鏤空部1313以及一第二導電部1312。鏤空部1313位於第一導電部1311與第二導電部1312之間，且第一導電部1311與第二導電部1312於一垂直方向受壓時經由鏤空部1313彼此電性連接。
鏤空部1313為不具有導電材料的區域，例如以蝕刻的方式移除絕緣層而形成一空槽。鏤空部1313位於第一導電部1311與第二導電部1312之間。當使用者未按壓三維感測結構130’時，第一導電部1311與第二導電部1312保持電性隔離，此時，電阻值非常大。當使用者按壓三維感測結構130’時，第一導電部1311與第二導電部1312相互靠近而彼此電性連接，電阻值改變，因而產生一感應訊號。
在一實施例中，第一導電部1311可與製作各電晶體T2的一閘極層G或一半導體層SL的一第一導電材料為同一膜層的不同部分。第二導電部1312可與製作各電晶體T2的一源極S或一汲極D的一第二導電材料為同一膜層的不同部分。鏤空部1313例如為移除位於第一導電部1311與第二導電部1312之間的一絕緣層而形成。上述的絕緣層可為第一絕緣層112、第二絕緣層113、第三絕緣層114或其組合。
請參照第4B及4C圖，其繪示另二實施例之三維感測結構130A及130B的示意圖。第4B圖中的三維感測結構130A的配 置方式與第1A圖中的三維感測結構130相似，而第4C圖中的三維感測結構130B的配置方式與第4A圖中的三維感測結構130’相似，其差異在於：三維感測結構130A及130B的下方可包括一第一有機層OBP1，第一有機層OBP1位於下導通部133下方。此外，三維感測結構130A及130B的上方可包括一第二有機層OBP2，第二有機層OBP2位於上導通部132上方。由於第一有機層OBP1與第二有機層OBP2為軟性材質，相對於製作垂直導通部131、上導通部132、下導通部133的導電材料較軟，可確保下壓三維感測結構130A及130B時有較大的形變。
請參照第5A及5B圖，當第一導電部1311與第二導電部1312於一垂直方向受壓而相互靠近時，第一導電部1311與第二導電部1312彼此電性連接，以產生一感應訊號。
請參照第6A及6B圖，其分別繪示依照本發明另二實施例之垂直導通部131的示意圖。在一實施例中，垂直導通部131例如包括一第一導電部1311、一第二導電部1312、一鏤空部1313以及一第三導電部1314。如同上述實施例所述，第一導電部1311可與製作各電晶體T2的一閘極層G或一半導體層SL的一第一導電材料為同一膜層的不同部分，第二導電部1312可與製作各電晶體T2的一源極S或一汲極D的一第二導電材料為同一膜層的不同部分，第三導電部1314可與製作畫素電極PE1或相對電極PE2的一第三導電材料為同一膜層的不同部分。
在第6A圖中，鏤空部1313位於第二導電部1312與第三導電部1314之間，且鏤空部1313例如移除位於第二導電部1312與第三導電部1314之間的一絕緣層而形成。也就是說，將位於畫素電極PE1以及電晶體T2之間的第三絕緣層114局部移除之後，即可形成鏤空部1313。
此外，在第6B圖中，鏤空部1313位於第一導電部1311與第二導電部1312之間，且鏤空部1313例如移除位於第一導電部1311與第二導電部1312之間的一絕緣層而形成。也就是說，將位於各電晶體T2的閘極層G或半導體層SL以及源極S或汲極D之間的第二絕緣層113局部移除之後，即可形成鏤空部1313。
第7A及7B圖繪示依照本發明一實施例之可撓式畫素陣列基板102的示意圖，其中鏤空部1313以蝕刻方式移除。本實施例以垂直導通部131具有第一導電部1311、第二導電部1312以及一鏤空部1313為例。首先，在製作鏤空部1313之前，先將光阻材料1315形成於第一導電部1311上，接著，將第二導電部1312形成於光阻材料1315上。接著，以濕式蝕刻移除填入第二絕緣層113中的光阻材料1315，以形成第7B圖所示的鏤空部1313。
另一方面，當第二絕緣層113上方覆蓋有第三絕緣層114時，更可以乾式蝕刻方式移除部分第三絕緣層114而形成垂直通道VA，此垂直通道VA與第二絕緣層113被移除的部分(即鏤空部1313)相連通，因此，蝕刻液可經由垂直通道VA進入到第二絕緣層113中而移除光阻材料1315，因而形成鏤空部1313。
在第6A及6B圖中，利用上述的乾式及/或濕式蝕刻方式，可將預先形成於第二導電部1312或第三導電部1314下方的光阻材料1315移除，即可形成鏤空部1313於第二絕緣層113中或第三絕緣層114中，其作法相同，在此不再贅述。
請參照第8圖，可撓式顯示面板200包括一可撓式畫素陣列基板100、一顯示介質140、一觸控層150以及一覆蓋層160。顯示介質140可為液晶層、有機電致發光層或其他適當材料。觸控層150位於顯示介質140與覆蓋層160之間，可偵測物體觸碰面板時的電容變化而產生一觸控訊號。由於可撓式顯示面板200採用內建的三維感測結構130、130’，不需採用外加的方式貼附，因此可撓式顯示面板200的中性軸可維持在面板中間位置，且可撓式顯示面板200的整體厚度不會太厚故不會影響可撓性顯示面板200的可彎曲能力。
本發明上述實施例所揭露之可撓式畫素陣列基板及應用其之可撓式顯示面板，其中三維感測結構用以感測垂直方向的形變量，藉以產生一感測訊號。三維感測結構可由製作畫素電極、半導體層、閘極層、導體層、源極以及汲極的至少一導電材料所組成，以減少顯示面板的整體厚度，且可避免因面板太厚而影響可撓性顯示面板的可彎曲能力。
綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之 更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (19)

  1. 一種可撓式畫素陣列基板，包括：一可撓基板，具有一顯示區；複數個畫素單元，設置於該顯示區，其中該些畫素單元分別具有一電晶體；以及一三維感測結構，設置於該顯示區，該三維感測結構包含由至少一導電材料製成的一垂直導通部、一上導通部以及一下導通部，其中該上導通部與該下導通部延伸於該些畫素單元之周圍且分別連接該垂直導通部的相對兩端，該垂直導通部與該些電晶體以相同材質一併製作完成。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式畫素陣列基板，其中該垂直導通部的數量為多個，且該上導通部與該下導通部連接於該些垂直導通部之間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式畫素陣列基板，其中該垂直導通部的數量為多個，該上導通部包括一第一分支導線以及一第二分支導線，該下導通部包括一第三分支導線以及一第四分支導線，其中該第一分支導線、該第二分支導線、該第三分支導線以及該第四分支導線串接該些垂直導通部中之四個。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式畫素陣列基板，其中該些畫素單元分別具有一畫素電極，該垂直導通部、該上導通部與該下導通部中之至少一與該些畫素電極為同一膜層的不同部分。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式畫素陣列基板，其中該些電晶體分別包括一半導體層、一閘極層、一第一絕緣層、一源極以及一汲極，該半導體層分別與該源極以及該汲極電性連接，該第一絕緣層位於該半導體層與該閘極層之間，其中該垂直導通部、該上導通部與該下導通部中之至少一與該半導體層、該閘極層、該源極以及該汲極中之至少一為同一膜層的不同部分。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式畫素陣列基板，其中該些畫素單元分別具有一畫素電極，且該些電晶體分別連接該些畫素電極，該些電晶體分別包括一半導體層、一閘極層、一第一絕緣層、一源極以及一汲極，該半導體層分別與該源極以及該汲極電性連接，該第一絕緣層位於該半導體層與該閘極層之間，其中該垂直導通部、該上導通部與該下導通部中之至少一與該些畫素電極為同一膜層的不同部分，該垂直導通部、該上導通部與該下導通部中之至少另一與該半導體層、該閘極層、該源極以及該汲極中之至少一為同一膜層的不同部分。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之可撓式畫素陣列基板，其中該些電晶體分別更包括一第二絕緣層以及一導體層，該第二絕緣層位於該半導體層與該導體層之間，其中該垂直導通部、該上導通部與該下導通部中之至少一與該導體層為同一膜層的不同部分。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式畫素陣列基板，其中該些畫素單元分別具有一畫素電極，且該些電晶體分別連接該些畫素電極，該些電晶體分別包括一半導體層、一閘極層、一第一絕緣層、一第二絕緣層一導體層、一源極以及一汲極，該半導體層分別與該源極以及該汲極電性連接，該第一絕緣層位於該半導體層與該閘極層之間，該第二絕緣層位於該半導體層與該導體層之間，其中該垂直導通部、該上導通部與該下導通部由製作該畫素電極、該半導體層、該閘極層、該導體層、該源極以及該汲極的該至少一導電材料所組成。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式畫素陣列基板，其中該垂直導通部至少包括一第一導電部、一鏤空部以及一第二導電部，該鏤空部位於該第一導電部與該第二導電部之間，且該第一導電部與該第二導電部於一垂直方向受壓時經由該鏤空部彼此電性連接。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之可撓式畫素陣列基板，其中該些畫素單元分別具有一畫素電極，且該些電晶體分別連接該些畫素電極，其中，該第一導電部與製作各該電晶體的一閘極層或一半導體層的一第一導電材料為同一膜層的不同部分，該第二導電部與製作各該電晶體的一源極或一汲極的一第二導電材料為同一膜層的不同部分，該鏤空部為移除位於該第一導電部與該第二導電部之間的一絕緣層而形成。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之可撓式畫素陣列基板，其中該鏤空區係以濕式蝕刻移除填入該絕緣層中的一光阻材料而形成，該光阻材料位於該第二導電部下方。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之可撓式畫素陣列基板，其中該鏤空區更包括與該絕緣層中被移除的該部分相連通的至少一垂直通道，且該至少一垂直通道以乾式蝕刻方式移除部分該絕緣層而形成。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式畫素陣列基板，其中該垂直導通部至少包括一第一導電部、一第二導電部、一鏤空部以及一第三導電部，該鏤空部位於該第二導電部與該第三導電部之間或者位該第一導電部與該第二導電部之間，且該第一導電部、第二導電部與該第三導電層於一垂直方向受壓時電性連接。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之可撓式畫素陣列基板，其中該些畫素單元分別具有一畫素電極，且該些電晶體分別連接該些畫素電極，該第一導電部與製作各該電晶體的一閘極層或一半導體層的一第一導電材料為同一膜層的不同部分，該第二導電部與製作各該電晶體的一源極或一汲極的一第二導電材料為同一膜層的不同部分，該第三導電部與製作該畫素電極的一第三導電材料為同一膜層的不同部分，該鏤空部為移除位於該第二導電部與該第三導電部之間的一絕緣層而形成，或者該鏤空部為移除位於該第一導電部與該第二導電部之間的一絕緣層而形成。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之可撓式畫素陣列基板，其中該鏤空部係以濕式蝕刻移除填入該絕緣層中的一光阻材料而形成，該光阻材料位於該第二導電部或該第三導電部下方。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之可撓式畫素陣列基板，其中該鏤空部更包括與該絕緣層被移除的部分相連通的至少一垂直通道，該至少一垂直通道以乾式蝕刻方式移除部分該絕緣層而形成。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式畫素陣列基板，其中該三維感測結構更包括一第一有機層，該第一有機層位於該下導通部的下方。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之可撓式畫素陣列基板，其中該三維感測結構更包括一第二有機層，該第二有機層位於該上導通部的上方。
  19. 一種可撓式顯示面板，包括：如申請專利範圍第1至18項其中之一所述的可撓式畫素陣列基板；一顯示介質，設置於該可撓性畫素陣列基板上；一覆蓋層；以及一觸控層，位於該顯示介質與該覆蓋層之間。
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