CN112186002A - 显示设备 - Google Patents

显示设备 Download PDF

Info

Publication number
CN112186002A
CN112186002A CN202010607360.3A CN202010607360A CN112186002A CN 112186002 A CN112186002 A CN 112186002A CN 202010607360 A CN202010607360 A CN 202010607360A CN 112186002 A CN112186002 A CN 112186002A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
display device
electrode
display
pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010607360.3A
Other languages
English (en)
Inventor
方琪皓
金恩惠
郑银爱
崔原硕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN112186002A publication Critical patent/CN112186002A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本申请涉及显示设备。该显示设备包括衬底、像素、封装膜、感测电极、焊盘、连接布线和延伸图案。衬底包括显示区域、在显示区域外部的非显示区域和在非显示区域的侧部处的附加区域，并且在附加区域的至少一部分中限定有弯曲区域。像素在显示区域中。封装膜在像素上。感测电极在封装膜上。焊盘在附加区域中。连接布线在非显示区域中并且直接连接到感测电极。延伸图案将焊盘和连接布线彼此直接连接。延伸图案横穿弯曲区域。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年7月2日递交的第10-2019-0079671号韩国专利申请的优先权和权益，出于所有目的，该韩国专利申请通过引用在此并入，如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
示例性实施方式总体上涉及显示设备。
背景技术
随着信息技术的发展，强调了作为用户与信息之间的连接介质的显示设备的重要性。因此，诸如有机发光显示设备、液晶显示设备、等离子体显示设备等的显示设备的使用正在增加。此外，针对美学观感和各种用户体验，对弯曲显示器的需求已经增加。另外，对具有减小的边框厚度的无边框(或至少减小的边框尺寸)的显示器的需求正在增加。也就是说，驱动信号可以通过布线(或传输线)发送到触摸电极并且可以从触摸电极接收感测信号，以确定是否存在触摸输入(或交互)以及触摸输入的坐标。布线可以被包括在诸如边框区域的非显示区域中。此外，布线通常电连接到焊盘。在一些显示设备中，桥接布线用于电连接布线和焊盘。
在该部分中公开的以上信息仅用于理解本发明构思的背景，并且因此，可以包含不形成现有技术的信息。
发明内容
一些方面提供了能够在不使用桥接布线的情况下减小无效空间的显示设备。
附加的方面将在下面的详细描述中阐述，并且部分地将根据公开内容而显而易见，或者可以通过实践本发明构思来习得。
根据一些方面，显示设备包括衬底、像素、封装膜、感测电极、焊盘、连接布线和延伸图案。衬底包括显示区域、在显示区域外部的非显示区域和在非显示区域的侧部处的附加区域以及弯曲区域，其中，弯曲区域限定在附加区域的至少一部分中。像素在显示区域中。封装膜在像素上。感测电极在封装膜上。焊盘在附加区域中。连接布线在非显示区域中并且直接连接到感测电极。延伸图案将焊盘和连接布线彼此直接连接。延伸图案横穿弯曲区域。
根据一些方面，显示设备包括衬底、晶体管、发光元件、封装膜、感测电极、焊盘和连接布线。衬底包括显示区域、在显示区域外部的非显示区域和在非显示区域的侧部上的附加区域，并且在附加区域的至少一部分中限定有弯曲区域。晶体管在显示区域中。发光元件包括电连接到晶体管的阳极。封装膜覆盖发光元件。感测电极在封装膜上。焊盘在附加区域中。连接布线在非显示区域中并且直接连接到感测电极。连接布线直接连接到焊盘并且与非显示区域和弯曲区域重叠。
根据各种方面，显示设备可以增加触摸布线与焊盘之间的电连接可靠性，并且可以减小无效空间。
前面的一般描述和下面的详细描述是示例性和说明性的，并且旨在为所要求保护的主题提供进一步说明。
附图说明
附图示出了本发明构思的示例性实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明构思的原理，附图被包括以提供对本发明构思的进一步理解并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。在附图中：
图1是用于描述根据示例性实施方式的衬底的图；
图2是用于描述根据示例性实施方式的显示设备的图；
图3是根据示例性实施方式的沿着图2的剖面线I1-I1’截取的剖视图；
图4是根据示例性实施方式的图3的剖视图的修改版本；
图5是根据示例性实施方式的图2的区域FF1的放大平面图；
图6是示出根据示例性实施方式的图2的区域FF2的放大视图的布局图；
图7是根据示例性实施方式的沿着图6的剖面线I2-I2’截取的局部剖视图；
图8是根据示例性实施方式的显示设备的剖视图；以及
图9和图10是根据各种示例性实施方式的显示设备的剖视图。
具体实施方式
在下面的描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节，以提供对各种示例性实施方式的透彻理解。如本文中所使用的，术语“实施方式”和“实现方式”可互换使用并且是采用本文中所公开的发明构思中的一个或多个的非限制性示例。然而，显而易见的是，可以在没有这些具体细节或者具有一个或多个等同布置的情况下实践各种示例性实施方式。在其他实例中，以框图形式示出了公知的结构和设备，以避免不必要地混淆各种示例性实施方式。此外，各种示例性实施方式可以是不同的，但是不必是排它的。例如，在不背离本发明构思的情况下，可以在另一示例性实施方式中使用或实施示例性实施方式的特定形状、配置和特性。
除非另有说明，否则所示的示例性实施方式应被理解为提供一些示例性实施方式的变化细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则在不背离本发明构思的情况下，各个图示的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域、方面等(在下文中，单独地或共同地称为“元件(element)”或“元件(elements)”)可以另行组合、分离、互换和/或重新布置。
附图中的交叉影线和/或阴影的使用通常被提供来阐明邻近元件之间的边界。因此，除非另有说明，否则交叉影线或阴影的存在或缺失都不传达或表示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，出于清楚和/或描述的目的，元件的尺寸和相对尺寸可能被夸大。这样，各个元件的尺寸和相对尺寸不必限于附图中所示的尺寸和相对尺寸。当示例性实施方式可以不同地实施时，可以与所描述的顺序不同地执行特定工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。另外，相同的附图标记表示相同的元件。
当诸如层的元件被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“联接到”该另一元件时，其可直接在该另一元件上、直接连接到或直接联接到该另一元件，或者可存在介于中间的元件。然而，当元件被称为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件时，不存在介于中间的元件。用于描述元件之间的关系的其他术语和/或短语应以类似的方式进行解释，例如，“在……之间”与“直接在……之间”、“相邻”与“直接相邻”、“在……上”与“直接在……上”等。此外，术语“连接”可以指物理连接、电气连接和/或流体连接。另外，DR1轴、DR2轴和DR3轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更宽泛的含义来解释。例如，DR1轴、DR2轴和DR3轴可彼此垂直，或者可表示彼此不垂直的不同的方向。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个”可解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如例如XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关列出项目中的一个或多个的任何和所有组合。
虽然在本文中可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称作第二元件。
出于描述性目的，可在本文中使用诸如“下面”、“下方”、“之下”、“下部”、“上方”、“上部”、“之上”、“高于”、“侧”(例如，如在“侧壁”中那样)等空间相对术语，并且由此来描述如附图中所示的一个元件与另一(些)元件的关系。除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在包含装置在使用、操作和/或制造中的不同定向。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”的元件将随之被定向在其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可以包含上方和下方两种定向。此外，装置可以另行定向(例如，旋转90度或处于其他定向)，并且因此，本文中使用的空间相对描述语应相应地进行解释。
本文中使用的术语是出于描述特定实施方式的目的，而不是旨在进行限制。如本文中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在还包括复数形式，除非上下文另有明确说明。此外，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”指定所阐述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在，但是不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在或添加。还应注意，如本文中所使用的，术语“基本上”、“约”和其他类似的术语用作近似术语而不用作程度术语，并且因此被用于为将由本领域普通技术人员认识到的所测量、计算和/或提供的值中的固有偏差留有余量。
本文中参考作为理想化的示例性实施方式和/或中间结构的示意图的剖视图、等轴测图、立体图、平剖视图和/或分解图来描述各种示例性实施方式。如此，应预期到由例如制造技术和/或公差而导致的图示的形状的变化。因此，本文中所公开的示例性实施方式不应被解释为限于区域的特定示出的形状，而是应包括由例如制造引起的形状的偏差。为此，附图中示出的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映设备的区域的实际形状，并且因此，不旨在进行限制。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域中的普通技术人员所通常理解的相同的含义。术语，诸如在常用字典中定义的那些术语，应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的含义进行解释，除非在本文中明确地如此定义。
如本领域中惯用的那样，针对功能性块、单元和/或模块，描述且在附图中示出了一些示例性实施方式。本领域技术人员将理解，这些块、单元和/或模块通过可利用基于半导体的制造技术或其他制造技术形成的、诸如逻辑电路、分立组件、微处理器、硬布线电路、存储器元件、布线连接器等的电气电路(或光学电路)物理上地实现。在块、单元和/或模块通过微处理器或其他相似硬件实现的情况下，可利用软件(例如，微代码)对它们进行编程并控制它们以执行本文中所讨论的各种功能，并且可选择性地通过固件和/或软件来驱动它们。还可设想到，每个块、单元和/或模块可通过专用硬件来实现，或者可实现为用于执行一些功能的专用硬件与用于执行其他功能的处理器(例如，一个或多个编程式微处理器和关联的电路)的组合。另外，在没有背离本发明构思的情况下，一些示例性实施方式中的每个块、单元和/或模块可在物理上分离成两个或更多个交互且离散的块、单元和/或模块。此外，在没有背离本发明构思的情况下，一些示例性实施方式中的块、单元和/或模块可在物理上组合成更复杂的块、单元和/或模块。
在下文中，将参考附图详细说明各种示例性实施方式。
图1是用于描述根据示例性实施方式的衬底的图。图2是用于描述根据示例性实施方式的显示设备的图。
在下文中，将描述有机发光二极管显示器作为显示设备DP的示例。然而，示例性实施方式不限于此，并且示例性实施方式可以应用于其他显示设备，诸如液晶显示器、等离子体显示器、场发射显示器、电泳显示器、电润湿显示器、量子点发光显示器、微发光二极管(LED)显示器等。
在示例性实施方式中，平面可以限定在第一方向DR1和第二方向DR2上的位置，并且高度可以限定在第三方向DR3上的位置。第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3可以被理解为彼此正交的相对方向。
参考图1和图2，衬底SUB可包括显示区域DA、非显示区域NDA和附加区域ADA。
作为示例性实施方式，显示区域DA可具有矩形形状。显示区域DA的每个拐角可以是角形形状或曲形形状，但是可以使用任何其他配置。另外，在圆形显示器的情况下，显示区域DA的形状可具有圆形形状。还应设想到，显示区域DA的形状可以被配置为除了四边形之外的多边形、椭圆形等。如上所述，可以根据产品而不同地设置显示区域DA的形状。
包括晶体管和发光元件的像素(未示出)可以位于显示区域DA中。每个像素中包括的发光元件的类型可以根据显示设备DP的类型而不同。例如，发光元件可以是有机发光二极管。
非显示区域NDA可以在显示区域DA的外部，例如，可以围绕显示区域DA的外周。例如，非显示区域NDA可具有矩形形状。非显示区域NDA的每个拐角可以是角形形状或曲形形状。图2示出了其中非显示区域NDA的每个拐角具有曲形形状的情况。非显示区域NDA可具有圆形形状。由于最小化非显示区域NDA可以有利于窄边框结构，因此非显示区域NDA的形状可以与显示区域DA的边缘的形状类似。
根据示例性实施方式，附加区域ADA可以位于非显示区域NDA的一侧上(或一侧处)，并且可具有矩形形状。附加区域ADA的位于第二方向DR2上的每个拐角可以是角形形状或曲形形状。图2示出了其中附加区域ADA的位于第二方向DR2上的每个拐角是角形形状的情况。附加区域ADA的至少一部分可以是弯曲区域。
如上所述，根据示例性实施方式，显示区域DA、非显示区域NDA和附加区域ADA不限于所示出的形状，并且可具有各种形状。
封装膜TFE可以位于像素上。例如，封装膜(或层)TFE可以覆盖显示区域DA中的像素，并且封装膜TFE的边界可以位于非显示区域NDA中。封装膜TFE可以覆盖显示区域DA中的像素的发光元件和电路元件，从而防止(或减轻)来自外部水分或冲击的破坏。
感测电极SC1和SC2可以位于封装膜TFE上。感测电极SC1和SC2可以感测通过用户的一部分(例如，身体)、触摸笔等的各种触摸交互，诸如触摸、悬停、手势、接近等。感测电极SC1和SC2可以根据各种方法配置成不同的形状或配置，诸如电阻型传感器、电容型传感器、电磁(EM)型传感器、光学型传感器等。例如，当感测电极SC1和SC2被配置为电容型时，感测电极SC1和SC2可以被配置为自电容型、互电容型等。
当感测电极SC1和SC2被配置为自电容型时，感测电极SC1和SC2中的每一个可以被独立地驱动，并且与由感测电极SC1和SC2中的每一个以及用户的一部分形成的电容对应的感测信号可以被提供到对应的连接布线IST1和IST2。
当感测电极SC1和SC2被配置为互电容型时，可以通过与第一感测电极SC1对应的连接布线来接收感测信号，并且可以通过与第二感测电极SC2对应的连接布线来发送驱动信号，第二感测电极SC2与第一感测电极SC1形成互电容。尽管未清楚地示出，但是位于外部(例如，边界区域)上(或附近)的感测电极SC1和SC2中的每一个可以直接连接到对应的连接布线。当用户的一部分接近时，第一感测电极SC1与第二感测电极SC2之间的互电容可以变化，并且因此，可以根据取决于互电容的变化的感测信号的差异来检测用户的触摸。
焊盘PDE1、PDE2和PDE3可以位于附加区域ADA中。焊盘PDE1和PDE3可以通过连接布线IST1和IST2电连接到位于封装膜TFE上方的感测电极SC1和SC2。一些焊盘PDE1和PDE3可以连接到外部触摸集成芯片(“IC”)。另外，一些其他焊盘PDE2可以通过显示布线DST连接到位于封装膜TFE下方的像素或像素的驱动器。驱动器可包括扫描驱动器、发光驱动器、数据驱动器等。驱动器可以位于封装膜TFE之下，或者可以位于通过焊盘PDE2连接的外部显示IC中(或上)。
当显示设备DP是自电容型时，感测电极SC1和SC2的发送和接收方法可以没有差异。
显示布线DST可包括控制线、数据线、电力线等，并且可以提供信号使得像素可以显示图像。可以从连接到显示布线DST的驱动器提供信号。
图1示出了其中衬底SUB弯曲的状态，以及图2示出了其中衬底SUB未弯曲的状态。在其中如图2中所示的显示设备DP未弯曲的状态下将元件堆叠在衬底SUB上之后，显示设备DP可以如图1中所示弯曲。
显示区域DA和非显示区域NDA可以在一些区域中包括第一弯曲区域BA1。第一弯曲区域BA1可具有在第一方向DR1上的宽度和在第二方向DR2上延伸的长度。第一弯曲轴线BX1可以被限定为在第二方向DR2上从第一弯曲区域BA1的中心延伸的折叠线。根据示例性实施方式，与第一弯曲区域BA1周围的其他部分不同，第一弯曲区域BA1可以是由于去除绝缘膜等的一部分而应力减小的部分。根据示例性实施方式，第一弯曲区域BA1可具有与第一弯曲区域BA1周围的其他部分相同的配置。
显示区域DA和非显示区域NDA可以在一些其他区域中包括第三弯曲区域BA3。第三弯曲区域BA3可具有在第一方向DR1上的宽度和在第二方向DR2上延伸的长度。第三弯曲轴线BX3可以被限定为在第二方向DR2上从第三弯曲区域BA3的中心延伸的折叠线。根据示例性实施方式，与第三弯曲区域BA3周围的其他部分不同，第三弯曲区域BA3可以是通过去除绝缘膜等的一部分而应力减小的部分。根据示例性实施方式，第三弯曲区域BA3可具有与第三弯曲区域BA3周围的其他部分相同的配置。
附加区域ADA可包括第二弯曲区域BA2，第二弯曲区域BA2被限定为可以至少在一些区域中折叠的区域。作为示例性实施方式，第二弯曲区域BA2可具有在第二方向DR2上的宽度和在第一方向DR1上延伸的长度。第二弯曲轴线BX2可以被限定为在第一方向DR1上从第二弯曲区域BA2的中心延伸的折叠线。根据示例性实施方式，与第二弯曲区域BA2周围的其他部分不同，第二弯曲区域BA2可以是由于去除绝缘膜等的一部分而应力减小的部分。根据示例性实施方式，第二弯曲区域BA2可具有与第二弯曲区域BA2周围的其他部分相同的配置。
作为示例性实施方式，第一弯曲区域BA1、第二弯曲区域BA2和第三弯曲区域BA3可以彼此不重叠。出于本公开的目的，除非另有定义，否则术语“重叠”是指两个配置在显示设备DP的厚度方向上(即，在第三方向DR3上)彼此重叠。
这里，术语“折叠”是指形状不固定并且可以从其原始形式修改为另一形式，并且可以表示沿一条或多条弯曲轴线折叠、成曲形或卷曲。显示设备DP的第一方向DR1和与第一方向DR1相反的方向的侧边框宽度可以通过第一弯曲区域BA1和第三弯曲区域BA3减小。另外，显示设备DP的第二方向DR2的侧边框宽度可以通过第二弯曲区域BA2减小。
在下文中，将至少参考图3描述显示设备DP的剖面。
图3是根据示例性实施方式的沿着图2的剖面线I1-I1’截取的剖视图。图4是根据示例性实施方式的图3的剖视图的修改版本。假定图2的剖面线I1-I1’穿过第一焊盘PDE1、第一连接布线IST1和第二延伸图案ISC2。
首先，将描述显示区域DA。
在示例性实施方式中，像素PX设置在显示区域DA中。每个像素PX可包括连接到显示布线DST中的对应布线的晶体管、连接到晶体管的发光元件以及电容器Cst。在图3中，为了便于描述，针对一个像素PX，作为示例示出了一个晶体管、一个发光元件和一个电容器Cst。
衬底SUB可以由诸如玻璃或树脂的绝缘材料形成。另外，衬底SUB可以由具有柔性以便弯曲或折叠的材料形成，并且可具有单层结构或多层结构。
例如，衬底SUB可包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素中的至少一种。然而，构成衬底SUB的材料可以不同地改变，并且可以由纤维增强塑料(“FRP”)等形成。
例如，当衬底SUB具有多层结构时，诸如氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种的无机材料可以以单层或多个层插置在多个层之间。
缓冲膜(或层)BF可以覆盖衬底SUB。缓冲膜BF可以防止(或减轻)杂质扩散到晶体管的沟道中。缓冲膜BF可以是由无机材料形成的无机绝缘膜。例如，缓冲膜BF可以由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等中的至少一种形成，并且可以根据衬底SUB的材料和工艺条件省略缓冲膜BF。根据示例性实施方式，还可以诸如在缓冲膜BF上或下方设置阻挡层(未示出)。
有源膜ACT可以位于缓冲膜BF上。有源膜ACT可以被图案化以构成晶体管的沟道、源极电极和漏极电极，或者构成布线。有源膜ACT可以由半导体材料形成。有源膜ACT可以是由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等形成的半导体图案。晶体管的沟道是未掺杂有杂质的半导体图案，并且可以是本征半导体。源极电极、漏极电极和布线可以是掺杂有杂质的半导体图案。作为杂质，可以使用诸如n型杂质、p型杂质和/或其他金属的杂质。
第一栅极绝缘膜GI1可以覆盖有源膜ACT。第一栅极绝缘膜GI1可以是由无机材料形成的无机绝缘膜。作为无机材料，可以使用诸如聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种的无机绝缘材料。
晶体管的栅极电极GE和电容器Cst的下电极LE可以位于第一栅极绝缘膜GI1上。栅极电极GE可以与有源膜ACT的对应于沟道的区域重叠。
栅极电极GE和下电极LE可以由金属形成。例如，栅极电极GE可以由金属形成，诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕和铜(Cu)中的至少一种或者前述金属中的至少一种的合金。另外，栅极电极GE可以由单个膜形成，但是不限于此，并且可以由其中堆叠有金属和/或合金的两种或更多种材料的多个膜形成。
第二栅极绝缘膜GI2可以覆盖栅极电极GE和下电极LE。第二栅极绝缘膜GI2可以是由无机材料形成的无机绝缘膜。作为无机材料，可以使用聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等中的至少一种。
电容器Cst的上电极UE可以位于第二栅极绝缘膜GI2上。电容器Cst的上电极UE可以由金属形成。例如，上电极UE可以由金属形成，诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕和铜(Cu)中的至少一种或者前述金属中的至少一种的合金。另外，上电极UE可以由单个膜形成，但是不限于此，并且可以由其中堆叠有金属和/或合金的两种或更多种材料的多个膜形成。
下电极LE和上电极UE可以配置电容器Cst，且第二栅极绝缘膜GI2插置在下电极LE与上电极UE之间。在图3中，电容器Cst被示出为下电极LE和上电极UE的两层电极结构。然而，在一些示例性实施方式中，电容器Cst可以被配置为使用有源膜ACT的三层电极结构、使用与第一连接图案CNP1位于相同层的电极的三层电极结构、或者四层或更多层的电极结构。
层间绝缘膜ILD可以覆盖上电极UE。层间绝缘膜ILD可以是由无机材料形成的无机绝缘膜。作为无机材料，可以使用聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等中的至少一种。
为了便于描述，第一栅极绝缘膜GI1、第二栅极绝缘膜GI2和层间绝缘膜ILD可以被称为第一绝缘膜组ING1。第一绝缘膜组ING1可以覆盖晶体管的一部分。根据示例性实施方式，第一绝缘膜组ING1还可包括缓冲膜BF。
第一连接图案CNP1可以位于层间绝缘膜ILD上。第一连接图案CNP1可以通过穿过层间绝缘膜ILD、第二栅极绝缘膜GI2和第一栅极绝缘膜GI1形成的接触孔与有源膜ACT的源极区域和漏极区域中的每一个接触。
第一连接图案CNP1可以由金属形成。例如，源极电极和漏极电极可以由金属形成，诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕和铜(Cu)中的至少一种或前述金属中的至少一种的合金。
尽管未示出，但是根据示例性实施方式，钝化膜可以覆盖第一连接图案CNP1。钝化膜可以是由无机材料形成的无机绝缘膜。作为无机材料，可以使用聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等中的至少一种。
第一通孔膜VIA1可以覆盖钝化膜或晶体管。第一通孔膜VIA1可以是由有机材料形成的有机绝缘膜。作为有机材料，可以使用诸如聚丙烯化合物、聚酰亚胺化合物、碳氟化合物(诸如聚四氟乙烯)和苯并环丁烯化合物中的至少一种的有机绝缘材料。可以通过诸如蒸发的方法来沉积有机膜；然而，可以使用任何合适的方法。
第二连接图案CNP2可以通过第一通孔膜VIA1的开口部分连接到第一连接图案CNP1。第二连接图案CNP2可以由金属形成，诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕和铜(Cu)中的至少一种或者前述金属中的至少一种的合金。
第二通孔膜VIA2可以覆盖第一通孔膜VIA1和第二连接图案CNP2。第二通孔膜VIA2可以是由有机材料形成的有机绝缘膜。作为有机材料，可以使用诸如聚丙烯化合物、聚酰亚胺化合物、碳氟化合物(诸如聚四氟乙烯)和苯并环丁烯化合物中的至少一种的有机绝缘材料。
第一发光元件电极LDE1可以通过第二通孔膜VIA2的开口部分连接到第二连接图案CNP2。这里，根据示例性实施方式，第一发光元件电极LDE1可以是发光元件的阳极。第一发光元件电极LDE1可以通过第一连接图案CNP1和第二连接图案CNP2电连接到晶体管。
第一发光元件电极LDE1可以由诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr中的至少一种、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr中的至少一种的合金的金属膜、诸如氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(“ZnO”)和氧化铟锡锌(“ITZO”)中的至少一种的透明导电膜等形成。第一发光元件电极LDE1可以由一种金属形成，但是不限于此，并且第一发光元件电极LDE1可以由两种或更多种金属形成，例如，Ag和Mg的合金。
当要在衬底SUB的向下方向上(例如，朝向衬底SUB的方向上)提供图像时，第一发光元件电极LDE1可以由透明导电膜形成，并且当要在衬底SUB的向上方向上(例如，在远离衬底SUB的方向上)提供图像时，第一发光元件电极LDE1可以由金属反射膜和/或透明导电膜形成。
用于划分每个像素PX的发光区域的像素限定膜PDL设置在其上形成有第一发光元件电极LDE1等的衬底SUB上。像素限定膜PDL可以是由有机材料形成的有机绝缘层。作为有机材料，可以使用诸如聚丙烯化合物、聚酰亚胺化合物、碳氟化合物(诸如聚四氟乙烯)和苯并环丁烯化合物中的至少一种的有机绝缘材料。
像素限定膜PDL可以暴露第一发光元件电极LDE1的上表面，并且可以沿着像素PX的外周从衬底SUB突出。发光膜EML可以被设置在像素PX的、被像素限定膜PDL围绕的区域中。
发光膜EML可包括低分子材料或高分子材料。低分子材料的示例可包括酞菁铜(CuPc)、N，N-二(萘-1-基)-N、N’-二苯基-联苯胺(N，N’-二(萘-1-基)-N、N’-二苯基-联苯胺(NPB)、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)等中的至少一种。这些材料可以通过真空沉积方法形成，但是可以使用任何其他合适的方法。高分子材料的示例可包括聚(3，4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)、聚(对苯撑乙烯)(“PPV”)、聚芴等中的至少一种。
发光膜EML可以被设置为单层，但是可以被设置为包括各种功能层的多层。当发光膜EML设置为多层时，发光膜EML可具有其中空穴注入层(“HIL”)、空穴传输层(“HTL”)、发射层(“EML”)、电子传输层(“ETL”)、电子注入层(“EIL”)等以单个或复合结构堆叠的结构。可以通过丝网印刷方法、喷墨印刷方法、激光热转印(“LITI”)方法等中的至少一种来形成发光膜EML。
根据示例性实施方式，发光膜EML的至少一部分可以整体地形成在多个第一发光元件电极LDE1之上，并且也可以单独设置成分别对应于多个第一发光元件电极LDE1。
第二发光元件电极LDE2可以设置在发光膜EML上。第二发光元件电极LDE2可以被提供给每个像素PX，但是也可以被提供为覆盖大部分显示区域DA，并且可以被多个像素PX共享。
根据示例性实施方式，第二发光元件电极LDE2可以用作阴极或阳极。当第一发光元件电极LDE1是阳极时，第二发光元件电极LDE2可以用作阴极。当第一发光元件电极LDE1是阴极时，第二发光元件电极LDE2可以用作阳极。
第二发光元件电极LDE2可以由诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr中的至少一种的金属膜、诸如氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(“ZnO”)和氧化铟锡锌(“ITZO”)中的至少一种的透明导电膜等形成。在示例性实施方式中，第二发光元件电极LDE2可以由包括金属薄膜的两个或更多个膜的多个膜形成，并且例如，第二发光元件电极LDE2可以由例如ITO/Ag/ITO的三个膜形成。
当要在衬底SUB的向下方向上提供图像时，第二发光元件电极LDE2可以由金属反射膜和/或透明导电膜形成，并且当要在衬底SUB的向上方向上提供图像时，第二发光元件电极LDE2可以由透明导电膜形成。
第一发光元件电极LDE1、发光膜EML和第二发光元件电极LDE2的集合可以构成发光元件，即，上述有机发光二极管。
封装膜TFE可以设置在第二发光元件电极LDE2上。封装膜TFE可以由单层形成，但是也可以由多层形成。如图3中所示，封装膜TFE可以由第一封装膜ENC1、第二封装膜ENC2和第三封装膜ENC3形成。第一封装膜ENC1、第二封装膜ENC2和第三封装膜ENC3可以由有机材料和/或无机材料形成。位于最外围处的第三封装膜ENC3可以由无机材料形成。例如，第一封装膜ENC1可以是由无机材料构成的无机膜，第二封装膜ENC2可以是由有机材料构成的有机膜，并且第三封装膜ENC3可以是由无机材料构成的无机膜。水分或氧气对无机材料的渗透小于对有机材料的渗透。然而，无机材料可能由于弹性或柔性低而易于破裂。通过利用无机材料形成第一封装膜ENC1和第三封装膜ENC3并且利用有机材料形成第二封装膜ENC2，可以防止(或减轻)裂纹的蔓延。这里，由有机材料形成的层(例如，第二封装膜ENC2)可以被第三封装膜ENC3完全覆盖，使得端部部分不暴露于外部。作为有机材料，可以使用诸如聚丙烯化合物、聚酰亚胺化合物、碳氟化合物(诸如聚四氟乙烯)和苯并环丁烯化合物中的至少一种的有机绝缘材料。作为无机材料，可以使用诸如聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种。
形成发光元件的发光膜EML可以容易地因来自外部的水分或氧气而损坏。封装膜TFE通过覆盖发光膜EML来保护发光元件。封装膜TFE可以形成在显示区域DA的整个表面之上并且可以延伸到显示区域DA外部的非显示区域NDA。然而，在绝缘膜由有机材料形成的情况下，在柔性和弹性方面具有优势，但是与由无机材料形成的绝缘膜相比，水分和氧气可以容易地渗透。在示例性实施方式中，为了防止(或减轻)水分或氧气渗透通过由有机材料形成的绝缘膜，由有机材料形成的绝缘膜的端部部分可以被由无机材料形成的绝缘膜覆盖，从而不暴露于外部。例如，由有机材料形成的第一通孔膜VIA1、第二通孔膜VIA2和像素限定膜PDL不连续地延伸到非显示区域NDA，并且可以被第一封装膜ENC1覆盖。因此，通过由包括无机材料的封装膜TFE进行封装，可以防止像素限定膜PDL的上表面以及第一通孔膜VIA1、第二通孔膜VIA2和像素限定膜PDL的侧面暴露于外部。
然而，封装膜TFE是否由多个层形成或者封装膜TFE的材料是什么不限于此，并且可以不同地改变。例如，封装膜TFE可包括交替堆叠的多个有机材料层和多个无机材料层。
尽管图3中未示出，但是第一感测电极层ISM1(参见图6)可以位于封装膜TFE上。可以另外参考图6和图7来描述第一感测电极层ISM1和第二感测电极层ISM2。
根据示例性实施方式，附加的缓冲膜可以位于第一感测电极层ISM1与封装膜TFE之间。第一感测电极层ISM1可以由诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr中的至少一种的金属膜、诸如氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(“ZnO”)和氧化铟锡锌(“ITZO”)中的至少一种的透明导电膜等形成。
第一感测绝缘膜ISI1可以存在于第一感测电极层ISM1上。第一感测绝缘膜ISI1可以是由无机材料形成的无机绝缘膜。作为无机材料，可以使用诸如聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等中的至少一种的无机绝缘材料。
第二感测电极层ISM2可以存在于第一感测绝缘膜ISI1上。第二感测电极层ISM2可以由诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr中的至少一种的金属膜、诸如氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(“ZnO”)和氧化铟锡锌(“ITZO”)中的至少一种的透明导电膜等形成。
可以使用第一感测电极层ISM1、第一感测绝缘膜ISI1和第二感测电极层ISM2来配置各种输入传感器。
作为示例性实施方式，在显示区域DA中，第一感测电极层ISM1和第二感测电极层ISM2可以设置成与像素限定膜PDL重叠。即，第一感测电极层ISM1和第二感测电极层ISM2可以不与发光元件的阳极重叠。
作为示例性实施方式，第二感测电极层ISM2可以被图案化以在显示区域DA中构成第一感测电极图案ISE1(参见图6)和第二感测电极图案ISE2，并且在非显示区域NDA中配置第一连接布线IST1。第一感测电极层ISM1可以被图案化以在显示区域DA中形成桥接电极BEa和BEb(参见图6)。
第二感测绝缘膜ISI2可以位于第二感测电极层ISM2上。第二感测绝缘膜ISI2可以由有机膜构成。例如，作为有机绝缘材料，可以使用诸如聚丙烯化合物、聚酰亚胺化合物、碳氟化合物(诸如聚四氟乙烯)和苯并环丁烯化合物中的至少一种的有机绝缘材料。例如，第二感测绝缘膜ISI2可以由聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚二甲基硅氧烷、聚酰亚胺、丙烯酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等中的至少一种构成。
接下来，将更详细地描述非显示区域NDA和附加区域ADA。在下文中，在描述非显示区域NDA和附加区域ADA时，将省略或简要描述显示区域DA的描述，以避免重复描述。
坝DAM可以位于第二封装膜ENC2的边界处。例如，坝DAM可以位于平坦化膜FLT与第二封装膜ENC2之间。坝DAM可以是多层结构，并且可包括例如第一坝DAM1和第二坝DAM2。例如，第一坝DAM1和第二坝DAM2可以由有机材料形成。第一坝DAM1和第二坝DAM2中的每一个可以与第一通孔膜VIA1、第二通孔膜VIA2和像素限定膜PDL中的任何一个对应。例如，当第一坝DAM1通过与第一通孔膜VIA1相同的工艺由与第一通孔膜VIA1相同的材料构成时，第二坝DAM2可以通过与第二通孔膜VIA2或像素限定膜PDL相同的工艺由与第二通孔膜VIA2或像素限定膜PDL相同的材料构成。作为另一示例，当第一坝DAM1通过与第二通孔膜VIA2相同的工艺由与第二通孔膜VIA2相同的材料构成时，第二坝DAM2可以通过与像素限定膜PDL相同的工艺由与像素限定膜PDL相同的材料构成。另外，当在显示区域DA的像素限定膜PDL上形成间隔物时，也可以使用与间隔物相同的材料来配置坝DAM。
坝DAM防止(或减轻)在工艺期间流动性高的第二封装膜ENC2的有机材料溢出到坝DAM的外部。由无机材料构成的第一封装膜ENC1和第三封装膜ENC3可以覆盖坝DAM并延伸，并且因此，可以增加与衬底SUB或衬底SUB上的其他膜的粘附性。
第一焊盘PDE1可以位于衬底SUB上，并且可以与平坦化膜FLT间隔开。第一焊盘PDE1可以由第二绝缘膜组ING2支承。第二绝缘膜组ING2的绝缘膜可以分别与第一绝缘膜组ING1的绝缘膜对应。第一焊盘PDE1可包括第一焊盘电极PDE1a和第二焊盘电极PDE1b。作为示例性实施方式，第一焊盘电极PDE1a可以由与第一连接图案CNP1相同的材料构成。第二焊盘电极PDE1b可以由与第二连接图案CNP2相同的材料构成。
平坦化膜FLT可以位于衬底SUB上，以便与第二弯曲区域BA2重叠，并且可以与被封装膜TFE覆盖的区域间隔开。平坦化膜FLT可以是由有机材料形成的有机绝缘膜。作为有机材料，可以使用诸如聚丙烯化合物、聚酰亚胺化合物、碳氟化合物(诸如聚四氟乙烯)、苯并环丁烯化合物等中的至少一种的有机绝缘材料。
根据一些示例性实施方式，可以在形成层间绝缘膜ILD之后、在形成第一连接图案CNP1之前，形成平坦化膜FLT。因此，可以通过不同的工艺形成平坦化膜FLT和第一通孔膜VIA1。根据示例性实施方式，平坦化膜FLT和第一通孔膜VIA1可包括不同的有机材料。
平坦化膜FLT的一端可以覆盖第一绝缘膜组ING1。另外，平坦化膜FLT的、与第二弯曲区域BA2对应的部分可以填充第一绝缘膜组ING1与第二绝缘膜组ING2之间的第一沟槽TCH1。
由于无机绝缘膜具有比有机绝缘膜高的刚性和低的柔性，因此出现裂纹的可能性相对高。当在无机绝缘膜中出现裂纹时，裂纹可以蔓延到无机绝缘膜上的导线，并且最终，可以产生诸如布线断开连接的缺陷。
因此，如图3中所示，可以通过从第二弯曲区域BA2去除无机绝缘膜来形成第一沟槽TCH1，并且第一绝缘膜组ING1和第二绝缘膜组ING2可以彼此区分开。在一些示例性实施方式中，与第一沟槽TCH1的区域对应的所有无机绝缘膜被去除，但是在另一示例性实施方式中，可以保留一些无机绝缘膜。在这种情况下，保留的无机绝缘膜可包括狭缝以分散弯曲应力。
作为示例性实施方式，延伸图案可以将第一焊盘PDE1和第一连接布线IST1彼此直接连接。延伸图案可以是单布线结构或双布线结构。例如，作为示例，延伸图案可以是包括第一延伸图案ISC1和第二延伸图案ISC2的双布线结构，并且第二延伸图案ISC2可以将第一焊盘PDE1和第一连接布线IST1彼此直接连接。
第一延伸图案ISC1可以设置在平坦化膜FLT上。在一些示例性实施方式中，第一延伸图案ISC1可以通过与第一连接图案CNP1相同的工艺由与第一连接图案CNP1相同的材料构成。
第一布线保护膜LPL1可以覆盖平坦化膜FLT和第一延伸图案ISC1。另外，第二布线保护膜LPL2可以覆盖第一布线保护膜LPL1。
第一布线保护膜LPL1和第二布线保护膜LPL2可以由有机材料形成。第一布线保护膜LPL1和第二布线保护膜LPL2可以与第一通孔膜VIA1、第二通孔膜VIA2和像素限定膜PDL中的任何一个对应。例如，当通过与第一通孔膜VIA1相同的工艺由与第一通孔膜VIA1相同的材料构成第一布线保护膜LPL1时，第二布线保护膜LPL2可以通过与第二通孔膜VIA2或像素限定膜PDL相同的工艺由与第二通孔膜VIA2或像素限定膜PDL相同的材料构成。在另一示例中，当通过与第二通孔膜VIA2相同的工艺由与第二通孔膜VIA2相同的材料构成第一布线保护膜LPL1时，第二布线保护膜LPL2可以通过与像素限定膜PDL相同的工艺由与像素限定膜PDL相同的材料构成。
第二延伸图案ISC2可以设置在第一布线保护膜LPL1上。在一些示例性实施方式中，第二延伸图案ISC2可以通过与第二连接图案CNP2相同的工艺由与第二连接图案CNP2相同的材料构成。第二延伸图案ISC2可以形成为在第二方向DR2上延伸并且直接连接到第一焊盘PDE1。作为示例性实施方式，第二延伸图案ISC2的端部部分可以是第二焊盘电极PDE1b，可以与第一焊盘电极PDE1a接触，并且可以与第一焊盘电极PDE1a一起构成第一焊盘PDE1。第二延伸图案ISC2可以横穿第二弯曲区域BA2。第二延伸图案ISC2可以形成在非显示区域NDA和包括第二弯曲区域BA2的附加区域ADA中。
作为示例性实施方式，第二延伸图案ISC2可以通过第一布线保护膜LPL1的一部分(例如，第二开口部分OPN2)连接到第一延伸图案ISC1。第二延伸图案ISC2可以通过与第一延伸图案ISC1连接来减小电阻。然而，如图4的修改版本中那样，第一延伸图案ISC1和第二延伸图案ISC2_1可以彼此不连接。
第二布线保护膜LPL2可以设置在第二延伸图案ISC2和第一布线保护膜LPL1上。第一感测绝缘膜ISI1可以形成在第二布线保护膜LPL2的至少一部分之上。
第二布线保护膜LPL2和第一感测绝缘膜ISI1可包括第一开口部分OPN1，第一开口部分OPN1暴露第二延伸图案ISC2的至少一部分。第一连接布线IST1可以通过第一开口部分OPN1直接连接到第二延伸图案ISC2。
根据一些示例性实施方式，位于第一绝缘膜组ING1上的第二延伸图案ISC2的高度可以大于位于第二绝缘膜组ING2上的第二延伸图案ISC2的高度。
因此，例如，第二延伸图案ISC2可以直接连接到第一焊盘PDE1，而无需在与栅极电极GE相同的层中形成另一桥接布线。由于没有另一桥接布线，因此改善了第一连接布线IST1与第一焊盘PDE1之间的电连接可靠性。另外，由于可以通过桥接布线的长度来减小附加区域ADA的长度，所以可以减小无效空间并且可以容易地实现更薄(和/或更小)的边框。
图5是根据示例性实施方式的图2的区域FF1的放大平面图。在图5中，示意性地示出了坝DAM、封装膜TFE、第一连接布线IST1、第二连接布线IST2、第二延伸图案ISC2和第一焊盘PDE1的平面位置。
作为示例性实施方式，第二延伸图案ISC2可以直接连接第一连接布线IST1和第一焊盘PDE1而无需另一桥接布线，并且因此，封装膜TFE的边界与第一焊盘PDE1之间的距离D1可以小于200μm。另外，坝DAM与第一焊盘PDE1之间的距离D2可以小于515μm。
接下来，将参考图6和图7描述位于封装膜TFE上的感测电极图案ISE1和ISE2。
图6是示出根据示例性实施方式的图2的区域FF2的放大视图的布局图。图7是根据示例性实施方式的沿着图6的剖面线I2-I2’截取的局部剖视图。图7仅示出了与封装膜TFE至第二感测绝缘膜ISI2对应的部分。
作为示例性实施方式，感测电极SC1和SC2可以由网格形状的感测电极图案ISE1和ISE2中的每一个形成。感测电极图案ISE1和ISE2中的每一个可包括在第四方向DR4上延伸的第一子感测电极图案ISE1a和ISE2a以及在与第四方向DR4相交的第五方向DR5上延伸的第二子感测电极图案ISE1b和ISE2b。第四方向DR4和第五方向DR5是倾斜方向，倾斜方向是与第一方向DR1和第二方向DR2不同的方向。
然而，感测电极SC1和SC2不限于所示出的形状。在另一示例性实施方式中，感测电极SC1和SC2可以是菱形形状的板状电极，并且在这种情况下，感测电极SC1和SC2可以是透明金属材料。然而，应注意，可以使用其他形状。
由像素PX和像素限定膜PDL限定的发光区域可以设置成与由感测电极图案ISE1和ISE2中的每一个形成的网格孔重叠。第一感测电极图案ISE1和第二感测电极图案ISE2可以彼此间隔开并且彼此绝缘。
相邻的第一感测电极图案ISE1可以在第一方向DR1上延伸。两个相邻的第一感测电极图案ISE1可以通过连接部分CP彼此物理连接。
相邻的第二感测电极图案ISE2可以设置成在第二方向DR2上彼此间隔开。第二感测电极图案ISE2可以通过至少一个桥接电极BEa和BEb彼此电连接。第一感测电极图案ISE1的连接部分CP可以设置在间隔开的第二感测电极图案ISE2之间。
作为示例性实施方式，桥接电极BEa和BEb可以形成在第一感测电极层ISM1中。第一感测绝缘膜ISI1可包括暴露桥接电极BEa和BEb的接触孔CNT1。感测电极图案ISE1和ISE2中的每一个可以形成在第二感测电极层ISM2中。第二感测电极图案ISE2可以通过接触孔CNT1连接到桥接电极BEa和BEb。
然而，感测电极图案ISE1和ISE2与桥接电极BEa和BEb的堆叠结构不限于此。在另一示例性实施方式中，桥接电极BEa和BEb可以形成在第二感测电极层ISM2中，并且感测电极图案ISE1和ISE2中的每一个可以形成在第一感测电极层ISM1中。
接下来，将集中于穿过第一焊盘PDE1和第一连接布线IST1的截面来描述根据另一示例性实施方式的显示设备。在下文中，将省略与图1至图7中的元件相同的元件的描述，并且相同或相似的附图标记被用于与图1至图7中的元件相同的元件。
图8是根据示例性实施方式的显示设备的剖视图。
参考图8，显示设备与结合图3描述的示例性实施方式的不同之处在于，省略了第二通孔膜VIA2、第二连接图案CNP2、第二坝DAM2、第一焊盘电极PDE1a、第二布线保护膜LPL2和第二延伸图案ISC2。
作为示例性实施方式，第一发光元件电极LDE1可以通过第一通孔膜VIA1的开口部分直接连接到第一连接图案CNP1。
作为示例性实施方式，第一连接布线IST1可以通过第一布线保护膜LPL1的一部分连接到第一延伸图案ISC1_1。例如，第一布线保护膜LPL1可包括暴露第一延伸图案ISC1_1的第一开口部分OPN1。第一延伸图案ISC1_1可以通过第一开口部分OPN1连接到第一连接布线IST1。根据一些示例性实施方式，位于第一绝缘膜组ING1上的第一延伸图案ISC1_1的高度可以大于位于第二绝缘膜组ING2上的第一延伸图案ISC1_1的高度。
第一延伸图案ISC1_1可以在第二方向DR2上延伸并且横穿第二弯曲区域BA2，并且可以形成为与第一焊盘PDE1(参考图3)直接接触，或者如图中所示，第一延伸图案ISC1_1的端部部分可以构成第一焊盘PDE1的第二焊盘电极PDE1b。
图9和图10是根据各种示例性实施方式的显示设备的剖视图。
参考图9，显示设备与结合图3描述的示例性实施方式的不同之处在于，第一连接布线IST1_1与第一焊盘PDE1直接接触。
尽管图9示出了第一连接布线IST1_1没有电连接到第二延伸图案ISC2_2和第一延伸图案ISC1，但是示例性实施方式不限于此。在另一示例性实施方式中，可以通过将第一连接布线IST1_1电连接到第二延伸图案ISC2_2和/或第一延伸图案ISC1来减小第一连接布线IST1_1的电阻。
作为示例性实施方式，第一连接布线IST1_1可以在第二方向DR2上在布线保护膜LPL1和LPL2上延伸且横穿第二弯曲区域BA2，并且可以与第一焊盘PDE1直接接触。
由于第一连接布线IST1_1直接连接到第一焊盘PDE1而无需另一桥接布线，因此可以改善第一连接布线IST1_1与第一焊盘PDE1之间的连接可靠性，并且可以减小附加区域ADA的长度。
参考图10，显示设备与结合图9描述的示例性实施方式的不同之处在于，可以省略第二通孔膜VIA2、第二连接图案CNP2、第二坝DAM2、第二焊盘电极PDE1b、第二布线保护膜LPL2和第二延伸图案ISC2_2。
尽管已经在本文中描述了某些示例性实施方式和实现方式，但是根据该描述，其他实施方式和修改将是显而易见的。因此，本发明构思不限于这类实施方式，而是限于所附权利要求的更宽泛范围以及如将对本领域普通技术人员显而易见的各种明显的修改和等同布置。

Claims (20)

1.显示设备，包括：
衬底，包括显示区域、在所述显示区域外部的非显示区域和在所述非显示区域的侧部处的附加区域以及弯曲区域，其中，所述弯曲区域限定在所述附加区域的至少一部分中；
像素，在所述显示区域中；
封装膜，在所述像素上；
感测电极，在所述封装膜上；
焊盘，在所述附加区域中；
连接布线，在所述非显示区域中并且直接连接到所述感测电极；以及
延伸图案，将所述焊盘和所述连接布线彼此直接连接，
其中，所述延伸图案横穿所述弯曲区域。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中：
所述封装膜与所述显示区域的整个表面重叠并延伸到所述非显示区域；以及
所述封装膜的边界与所述焊盘之间的距离大于或等于0μm且小于200μm。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述延伸图案在所述非显示区域和所述附加区域中。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其中：
所述像素包括晶体管和电连接到所述晶体管的发光元件；
所述显示设备还包括连接图案，所述连接图案将所述晶体管的有源膜与所述发光元件的阳极电连接；以及
所述连接图案和所述延伸图案形成在相同的层中。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述延伸图案在与所述晶体管的栅极电极不同的层中。
6.根据权利要求4所述的显示设备，其中：
所述连接图案包括设置在不同的层中的第一连接图案和第二连接图案；以及
所述延伸图案形成在与所述第二连接图案相同的层中。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其中：
所述焊盘包括第一焊盘电极和第二焊盘电极；
所述第一焊盘电极是与所述第一连接图案相同的材料；以及
所述第二焊盘电极是与所述第二连接图案相同的材料。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述第二焊盘电极形成所述延伸图案的端部部分。
9.根据权利要求4所述的显示设备，还包括：
通孔膜，在所述连接图案与所述发光元件之间；以及
坝，在所述非显示区域中并且由与所述通孔膜相同的材料形成。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中：
所述封装膜包括有机膜；以及
所述坝在所述有机膜的边界处。
11.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述坝与所述焊盘之间的距离大于或等于0μm且小于515μm。
12.根据权利要求1所述的显示设备，还包括：
平坦化膜，在所述弯曲区域中并且由有机材料形成，
其中，所述延伸图案在所述平坦化膜上。
13.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述焊盘与所述平坦化膜间隔开。
14.根据权利要求12所述的显示设备，其中：
所述延伸图案包括在所述平坦化膜上的第一延伸图案和在所述第一延伸图案上的第二延伸图案；以及
所述第二延伸图案将所述焊盘和所述连接布线彼此直接连接。
15.根据权利要求14所述的显示设备，还包括：
第一布线保护膜，在所述第一延伸图案上并且由有机材料形成；以及
第二布线保护膜，在所述第二延伸图案上并且由有机材料形成，
其中：
所述第二布线保护膜包括第一开口部分，所述第一开口部分暴露所述第二延伸图案的至少一部分；以及
所述连接布线通过所述第一开口部分直接连接到所述第二延伸图案。
16.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述第二延伸图案通过穿透所述第一布线保护膜的第二开口部分连接到所述第一延伸图案。
17.根据权利要求1所述的显示设备，其中：
所述感测电极包括网格形状的电极图案；以及
所述像素设置在由所述电极图案形成的所述网格形状的孔中。
18.根据权利要求1所述的显示设备，还包括：
桥接电极，在所述封装膜上；以及
感测绝缘膜，在所述桥接电极上并且包括暴露所述桥接电极的至少一部分的接触孔，
其中，所述感测电极在所述感测绝缘膜上，并且通过所述接触孔连接到所述桥接电极。
19.根据权利要求18所述的显示设备，其中，所述感测电极和所述连接布线形成在相同的层中。
20.显示设备，包括：
衬底，包括显示区域、在所述显示区域外部的非显示区域和在所述非显示区域的侧部上的附加区域以及弯曲区域，其中，所述弯曲区域限定在所述附加区域的至少一部分中；
晶体管，在所述显示区域中；
发光元件，包括电连接到所述晶体管的阳极；
封装膜，覆盖所述发光元件；
感测电极，在所述封装膜上；
焊盘，在所述附加区域中；以及
连接布线，在所述非显示区域中并且直接连接到所述感测电极，
其中，所述连接布线直接连接到所述焊盘并且与所述非显示区域和所述弯曲区域重叠。
CN202010607360.3A 2019-07-02 2020-06-30 显示设备 Pending CN112186002A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2019-0079671 2019-07-02
KR1020190079671A KR20210004008A (ko) 2019-07-02 2019-07-02 표시장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112186002A true CN112186002A (zh) 2021-01-05

Family

ID=73919912

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010607360.3A Pending CN112186002A (zh) 2019-07-02 2020-06-30 显示设备

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11456348B2 (zh)
KR (1) KR20210004008A (zh)
CN (1) CN112186002A (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11199871B2 (en) * 2019-05-24 2021-12-14 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR20210004008A (ko) * 2019-07-02 2021-01-13 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20210111926A (ko) 2020-03-03 2021-09-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102077525B1 (ko) * 2013-07-30 2020-02-14 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조 방법
KR102394723B1 (ko) * 2015-09-30 2022-05-09 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
US10361385B2 (en) * 2016-02-12 2019-07-23 Samsung Display Co., Ltd. Display device
TWI740908B (zh) * 2016-03-11 2021-10-01 南韓商三星顯示器有限公司 顯示設備
KR102505879B1 (ko) * 2016-03-24 2023-03-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102458892B1 (ko) * 2016-04-27 2022-10-26 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치 및 그의 제조방법
KR101998831B1 (ko) 2016-07-29 2019-07-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR101964934B1 (ko) * 2016-07-29 2019-04-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101834792B1 (ko) * 2016-08-31 2018-03-06 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102405120B1 (ko) * 2016-09-29 2022-06-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법
KR102631257B1 (ko) * 2016-11-18 2024-01-31 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102583831B1 (ko) * 2016-11-25 2023-09-27 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 전계발광 표시장치
KR20180079978A (ko) * 2017-01-03 2018-07-11 삼성전자주식회사 터치 정확도 향상을 위한 터치 센서의 배치 방법 및 상기 방법을 이용한 전자 장치
KR102354514B1 (ko) 2017-05-11 2022-01-21 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN106952938B (zh) * 2017-05-16 2020-06-02 上海天马微电子有限公司 一种柔性显示装置及其制造方法、以及柔性显示设备
KR102381286B1 (ko) * 2017-05-18 2022-03-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102438255B1 (ko) * 2017-05-31 2022-08-30 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102325818B1 (ko) * 2017-06-01 2021-11-12 엘지디스플레이 주식회사 터치 디스플레이 장치, 터치 디스플레이 패널 및 터치 디스플레이 패널의 제조 방법
CN107479754B (zh) * 2017-08-22 2020-07-28 武汉天马微电子有限公司 一种柔性触摸传感器和柔性触摸显示面板
KR102427667B1 (ko) * 2017-09-26 2022-08-02 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102562900B1 (ko) * 2018-02-02 2023-08-04 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시장치 및 터치감지 표시장치
CN108417608B (zh) * 2018-03-28 2021-03-09 上海天马微电子有限公司 一种柔性显示面板及显示装置
KR20200053991A (ko) * 2018-11-09 2020-05-19 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200138544A (ko) * 2019-05-31 2020-12-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210004008A (ko) * 2019-07-02 2021-01-13 삼성디스플레이 주식회사 표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20210005696A1 (en) 2021-01-07
US11456348B2 (en) 2022-09-27
KR20210004008A (ko) 2021-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102618486B1 (ko) 표시 장치
US11342361B2 (en) Display device
US11169634B2 (en) Display device including a touch member
KR102668184B1 (ko) 표시 장치
KR102637068B1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102480089B1 (ko) 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US20200089350A1 (en) Touch sensing unit and display device including the same
EP3742268B1 (en) Display device
CN106057845A (zh) 显示装置
CN112186002A (zh) 显示设备
US11195888B2 (en) Display device
KR102578168B1 (ko) 표시 장치
US11599217B2 (en) Touch display device
KR102709147B1 (ko) 표시 장치
EP3971984A1 (en) Display apparatus
US20220131113A1 (en) Display device and method of manufacturing the display device
KR20230161320A (ko) 표시 장치
CN117881223A (zh) 显示面板和电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination