KR102381286B1 - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

일 실시예에 따른 표시 장치는, 제1 영역, 제2 영역 및 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 위치하는 벤딩 영역을 포함하는 기판, 상기 제1 영역에 위치하는 복수의 제1 배선, 상기 제2 영역에 위치하는 복수의 제2 배선, 상기 벤딩 영역에 위치하는 절연층, 그리고 상기 절연층 위에 상기 벤딩 영역을 가로질러 위치하며, 상기 복수의 제1 배선 중 하나와 상기 복수의 제2 배선 중 하나에 각각 연결되어 있는 복수의 연결 배선을 포함한다. 각각의 연결 배선은 상대적으로 폭이 넓은 확장부와 상대적으로 폭이 좁은 축소부를 포함하며, 상기 확장부와 상기 축소부는 각각의 연결 배선의 길이 방향을 따라 반복된다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치, 액정 표시 장치 등의 표시 장치는 기판 위에 여러 배선들과 소자들을 형성하여 제조된다. 고해상도의 표시 장치에 대한 요구가 꾸준히 존재하고, 따라서 표시 장치는 점점 높은 해상도를 갖도록 개발되고 있다.
표시 장치의 고해상도화를 위해서는 소정 면적의 기판 위에 보다 많은 배선과 소자들을 형성해야 한다. 같은 면적에 더 많은 배선을 형성하기 위해서는 배선의 폭을 줄이는 것이 한 방법일 수 있다. 하지만, 이 경우, 배선이 그 하부층과 접촉하는 면적이 작아짐으로써 배선과 하부층 간의 부착력(adhesion)이 약화되고, 이에 따라 배선이 들뜨는 현상이 발생할 수 있다.
실시예들은 배선들의 부착력을 증가시킬 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
일 실시예에 따른 표시 장치는, 제1 영역, 제2 영역 및 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 위치하는 벤딩 영역을 포함하는 기판, 상기 제1 영역에 위치하는 복수의 제1 배선, 상기 제2 영역에 위치하는 복수의 제2 배선, 상기 벤딩 영역에 위치하는 절연층, 그리고 상기 절연층 위에 상기 벤딩 영역을 가로질러 위치하며, 상기 복수의 제1 배선 중 하나와 상기 복수의 제2 배선 중 하나에 각각 연결되어 있는 복수의 연결 배선을 포함한다. 각각의 연결 배선은 상대적으로 폭이 넓은 확장부와 상대적으로 폭이 좁은 축소부를 포함하며, 상기 확장부와 상기 축소부는 각각의 연결 배선의 길이 방향을 따라 반복된다.
상기 복수의 연결 배선의 하부면이 상기 절연층의 상부면과 접촉할 수 있다.
상기 복수의 연결 배선은 금속 물질을 포함할 수 있고, 상기 절연층은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 확장부는 상기 축소부로부터 양측으로 돌출되어 있을 수 있다.
상기 확장부는 상기 축소부로부터 일측으로만 돌출되어 있을 수 있다.
상기 복수의 연결 배선은 서로 인접하는 제1 연결 배선 및 제2 연결 배선을 포함할 수 있고, 상기 제1 연결 배선의 확장부와 상기 제2 연결 배선의 축소부가 나란하게 위치할 수 있다.
상기 복수의 연결 배선의 확장부와 축소부가 각각의 연결 배선의 길이 방향과 교차하는 방향을 따라 하나씩 번갈아 가며 위치할 수 있다.
상기 절연층은 피크부와 밸리부를 포함할 수 있고, 상기 확장부는 상기 피크부 위에 위치할 수 있다.
상기 확장부는 복수의 피크부에 걸쳐 위치할 수 있다.
상기 복수의 연결 배선은 데이터 신호를 전달하는 데이터 신호선들일 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는, 제1 방향과 평행한 벤딩축을 중심으로 벤딩되는 벤딩 영역을 포함하는 기판, 있으며, 적어도 하나의 확장부 및 적어도 하나의 축소부를 포함하는 배선, 그리고 상기 벤딩 영역에서 상기 기판과 상기 복수의 배선 사이에 위치하며 유기 절연 물질을 포함하는 제1 절연층을 포함한다.
상기 배선은 금속 물질을 포함할 수 있고, 상기 배선의 하부면이 상기 제1 절연층의 상부면과 접촉할 수 있다.
상기 제1 절연층의 하부면이 상기 기판의 상부면과 접촉할 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 제1 절연층 위에 위치하며 유기 절연 물질을 포함하는 제2 절연층을 더 포함할 수 있다. 상기 배선의 상부면이 상기 제2 절연층의 하부면과 접촉하거나, 상기 배선의 하부면이 상기 제2 절연층의 상부면과 접촉할 수 있다.
상기 확장부와 상기 축소부는 상기 배선의 길이 방향을 따라 번갈아 가며 위치할 수 있다.
상기 확장부의 폭과 상기 축소부의 폭의 차가 1 ㎛ 이상일 수 있다.
상기 제1 절연층은 상기 제2 방향을 따라 교대로 형성되어 있는 피크부 및 밸리부를 포함할 수 있고, 상기 확장부는 상기 피크부 위에 위치할 수 있다.
상기 확장부는 복수의 피크부에 걸쳐 위치할 수 있다.
상기 배선은 내부에 빈 공간을 포함하지 않을 수 있다.
실시예들에 따르면, 제한된 영역에 보다 많은 수의 배선을 형성하면서도 하부층과의 부착력이 강한 배선 구조를 확보할 수 있다. 이에 따라 배선들의 신뢰성을 증가시킬 수 있는 고해상도의 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 벤딩 전의 상태를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 벤딩 후의 측면도이다.
도 3 및 도 4는 각각 도 1에서 E 영역의 일 실시예의 확대도이다.
도 5는 도 1에서 V-V' 선을 따라 취한 일 실시예의 단면도이다.
도 6은 도 1에서 VI-VI' 선을 따라 취한 일 실시예의 단면도이다.
도 7은 도 1에서 V-V' 선을 따라 취한 일 실시예의 단면도이다.
도 8 내지 도 11은 각각 도 1에서 E 영역의 일 실시예의 확대도이다.
첨부한 도면을 참고로 하여, 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 여기서 설명하는 실시예들로 한정되지 않는다.
명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여한다. 도면에서 여러 층 및 영역의 두께나 크기는 이들의 배치와 상대적 위치를 명확하게 나타내기 위해 확대하거나 축소하여 도시되어 있을 수 있다.
층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
명세서에서 "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치에 대하여 도면들을 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 벤딩 전의 상태를 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 벤딩 후의 측면도이고, 도 3 및 도 4는 각각 도 1에서 E 영역의 일 실시예의 확대도이다.
도 1을 참고하면, 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널(10) 및 표시 패널(10)에 연결되어 있는 연성 인쇄 회로막(20)을 포함한다.
영상을 표시하기 위한 소자들이 기판 위에 형성되어 있는 표시 패널(10)은 영상을 표시하는 표시 영역(display area, DA), 그리고 표시 영역(DA)에 인가되는 각종 신호들을 생성 및/또는 전달하기 위한 소자들 및/또는 배선들이 배치되어 있는, 표시 영역(DA) 외곽의 비표시 영역(non-display area, NA)을 포함한다. 도 1에서 표시 패널(10)의 하측 영역만이 비표시 영역(NA)으로 도시되어 있으나, 표시 패널(10)의 좌우측 가장자리 및/또는 상측 가장자리도 비표시 영역(NA)에 해당할 수 있다.
표시 패널(10)의 표시 영역(DA)에는 화소들(PX)이 예컨대 행렬로 배치되어 있다. 표시 영역(DA)에는 게이트선들, 데이터선들 같은 신호선들이 또한 배치되어 있다. 게이트선들은 주로 제1 방향(D1)(예컨대, 행 방향)으로 뻗어 있을 수 있고, 데이터선들은 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)(예컨대, 열 방향)으로 뻗어 있을 수 있다. 각각의 화소(PX)에는 게이트선과 데이터선이 연결되어, 이들 신호선으로부터 게이트 신호와 데이터 신호를 인가받을 수 있다. 유기 발광 표시 장치의 경우, 표시 영역(DA)에는 예컨대 제2 방향(D2)으로 뻗어 있으며 구동 전압을 화소들(PX)에 전달하는 구동 전압선들이 배치되어 있을 수 있다.
표시 영역(DA)은 사용자의 접촉 또는 비접촉 터치를 감지하기 위한 터치 센서층을 포함할 수 있다. 사각형의 표시 영역(DA)이 도시되어 있지만, 표시 영역(DA)은 사각형 외의 다각형, 원형, 타원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.
표시 패널(10)의 비표시 영역(NA)에는 표시 패널(10)의 외부로부터 신호들을 전달받기 위한 패드들을 포함하는 패드부(PP)가 위치한다. 패드부(PP)의 패드들은 비표시 영역(NA)에 배치되어 있는 배선들과 연결되어 있다. 패드부(PP)에는 연성 인쇄 회로막(20)의 일단이 접합(bonding)되어 있다. 연성 인쇄 회로막(20)의 타단은 예컨대 외부의 인쇄 회로 기판에 연결되어 영상 데이터 같은 신호를 전달할 수 있다.
표시 패널(10)을 구동하기 위한 각종 신호들을 생성 및/또는 처리하는 구동 장치는 비표시 영역(NA)에 위치할 수 있고, 패드부(PP)에 접합되어 있는 연성 인쇄 회로막(20)에 위치할 수 있다. 구동 장치는 데이터선에 데이터 신호를 인가하는 데이터 구동부, 게이트선에 게이트 신호를 인가하는 게이트 구동부, 그리고 데이터 구동부 및 게이트 구동부를 제어하는 신호 제어부를 포함할 수 있다.
데이터 구동부는 집적회로 칩(40) 형태로 표시 영역(DA)과 패드부(PP) 사이의 비표시 영역(NA)에 실장되어 있다. 도시된 것과 달리, 데이터 구동부는 연성 인쇄 회로막(20)에 집적회로 칩 형태로 실장되어 테이프 캐리어 패키지(tape carrier package) 형태로 패드부(PP)에 연결될 수 있다. 게이트 구동부는 집적회로 칩 형태로 제공되거나 표시 패널(10)의 좌/우측 가장자리의 비표시 영역(도시되지 않음)에 집적되어 있을 수 있다. 신호 제어부는 데이터 구동부와 같은 집적회로 칩(40)으로 형성되거나 별개의 집적회로 칩으로 제공될 수 있다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 표시 패널(10)은 표시 영역(DA)과 패드부(PP) 사이에 벤딩 영역(BA)을 포함할 수 있다. 벤딩 영역(BA)은 도 2에 도시된 바와 같이 표시 패널(10)에서 소정의 곡률 반경으로 벤딩되는 영역이다. 벤딩 영역(BA)은 제1 방향(D1)으로 표시 패널(10)을 가로질러 위치하고 있다. 표시 패널(10)은 제1 방향(D1)과 평행한 벤딩축을 중심으로 벤딩되어, 예컨대 도 2에 도시된 바와 같이 연성 인쇄 회로막(20)이 표시 영역(DA) 뒤쪽에 위치할 수 있다.
벤딩 영역(BA)이 하나의 벤딩축(BX)을 중심으로 벤딩되어 있는 예가 도시되어 있지만, 벤딩 영역(BA)은 두 개 이상의 벤딩축을 중심으로 벤딩될 수도 있다. 도면에서 벤딩 영역(BA)이 비표시 영역(NA)에 위치하는 것으로 도시되어 있으나, 벤딩 영역(BA)은 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NA)에 걸쳐 있거나, 표시 영역(DA)에 위치할 수도 있다. 벤딩 영역(BA)에는 패드부(PP)의 패드들을 통해 입력된 신호들이나 구동 장치에서 생성된 신호들을 표시 영역(DA)에 전달하기 위한 배선들이 유기 물질을 포함하는 절연층 위에 위치한다.
벤딩 영역(BA)의 관점에서, 표시 패널(10)은 벤딩 영역(BA), 벤딩 영역(BA)의 일측에 위치하는 제1 영역(A1), 그리고 벤딩 영역(BA)의 타측에 위치하는 제2 영역(A2)을 포함한다. 제1 영역(A1), 벤딩 영역(BA) 및 제2 영역(A2)은 연속적으로 위치하고 있다. 제1 영역(A1)은 표시 영역(DA)을 포함할 수 있고, 집적회로 칩(40) 및 패드부(PP)는 제2 영역(A2)에 위치할 수 있다. 도시된 실시예에서, 비표시 영역(NA)은 제1 영역(A1) 중 벤딩 영역(BA)에 인접한 영역, 벤딩 영역(BA) 및 제2 영역(A2)을 포함하고 있다. 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2) 사이에는 소정의 벤딩 상태를 유지시키기 위한 지지체나 접착 부재가 위치할 수 있다.
벤딩 영역(BA)에 위치하는 배선들은 제1 영역(A1)에 위치하는 배선들 및/또는 단자들과 제2 영역(A2)에 위치하는 배선들 및/또는 단자들을 연결하며, 따라서 연결 배선들로 불릴 수 있다. 연결 배선들은 데이터선들에 데이터 신호들을 전달하는 데이터 신호선들을 포함하는데, 표시 장치의 해상도가 증가할수록 화소열(pixel column)의 개수가 증가하므로 데이터 신호선의 개수 또한 증가한다. 따라서 표시 장치의 해상도가 증가할수록 데이터 신호선들의 폭을 감소시킬 필요가 있다. 연결 배선들은 벤딩 영역(BA)을 가로질러 위치할 수 있으며, 예컨대 제2 방향과 대략 나란한 방향으로 뻗어 있거나 제2 방향에 비스듬하게 뻗어 있을 수 있다. 연결 배선들은 벤딩 영역(BA)의 벤딩 시 벤딩된다. 연결 배선들은 유연성이 좋은 금속으로 형성될 수 있다. 연결 배선들의 유연성이 증가하면 변형(strain)에 대한 응력(stress)이 작아지므로 벤딩 시 열화되거나 단선될 위험을 줄일 수 있다.
도 3을 참고하면, 벤딩 영역(BA)에 위치하는 배선들(179)이 도시된다. 이들 배선(179)은 매우 조밀하게 위치할 수 있고, 배선(179)의 최대 폭(x+α)은 예컨대 약 15 ㎛ 이하, 약 10 ㎛ 이하, 또는 약 5 ㎛ 이하일 수 있다. 배선(179)은 실질적으로 직선(straight line)으로 뻗어 있을 수 있다. 배선(179)은 내부에 빈 공간을 포함하지 않는, 즉 솔리드(solid)한 형태일 수 있다. 배선(179)의 폭은 일정하지 않으며, 상대적으로 폭이 넓은 확장부(EA)와 상대적으로 폭이 좁은 축소부(RA)가 배선(179)의 길이 방향을 따라 반복적으로 형성되어 있다. 하나의 배선(179)에서 확장부들(EA)의 크기는 실질적으로 동일할 수 있지만, 다를 수도 있다. 하나의 배선(179)에서 확장부들(EA) 간의 간격은 실질적으로 동일할 수 있지만, 다를 수도 있다.
확장부(EA)의 폭은 x+α ㎛일 수 있고, 축소부의 폭은 x-α ㎛일 수 있다. 여기서 x는 배선(179)의 소정의 설계 규칙(design rule)에 따른 기준 폭에 해당하고, α>0 이다. 이 경우, 배선(179)의 폭이 x ㎛로 일정하게 형성된 경우에 비해, 배선(179) 아래에 위치하는 절연층에 대한 부착력이 증가한다. 부착력은 접촉 면적이 커질수록 증가하는데, 배선(179)의 확장부들(EA)은 절연층과 넓은 면적으로 접촉하므로 확장부들(EA)에서 부착력이 증가한다. 반대로, 축소부들(RA)은 절연층과 작은 면적으로 접촉하므로 부착력이 감소한다. 하지만, 확장부들(EA)이 단단히 절연층에 부착되어 있으므로, 확장부들(EA) 사이에 있는 축소부들(RA)이 들뜨는 것이 방지되고, 배선(179)이 절연층으로부터 들뜨는 현상을 방지할 수 있다.
배선(179)은 예컨대 절연층 위에 금속 물질을 스퍼터링(sputtering) 등에 의해 증착한 후 포토리소그래피(photolithography) 공정을 통해 형성될 수 있다. 포토리소그래피 공정에서 포토레지스트(photoresist)를 마스크로 하여 금속 물질층을 식각하여 배선(179)을 형성한 후, 포토레지스트를 습식 공정(스트립(stripping), 세정(washing) 등)을 통해 제거하는데, 이때 배선(179)이 부분적으로 절연막에서 들뜨는 현상이 발생할 수 있다. 배선(179)이 들뜨면 단선되거나 열화될 수 있다. 본 실시예와 같이 배선(179)의 일부를 넓게 형성함으로써 배선(179) 아래의 절연층과의 부착력을 증가시켜 배선(179)의 들뜸을 방지할 수 있다.
배선(179)의 폭이 예컨대 3.5 ㎛ 이하이면 배선(179)의 들뜸이 발생할 수 있다. 따라서 확장부(EA)의 폭에 해당하는 x+α는 3.5 초과일 수 있고, x-α는 3.5 이하일 수 있다. α는 0.5 이상일 수 있고, 따라서 확장부(EA)와 축소부(RA)의 폭 차이가 1 ㎛ 이상일 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 확장부(EA)와 축소부(RA)의 크기는 절연층에 대한 배선(179)의 부착력, 배선(179)의 저항 등을 고려하여 다양하게 설계될 수 있다.
배선들(179)의 확장부들(EA)과 축소부들(RA)은 인접하는 배선들(179) 간에 상보적으로 형성될 수 있다. 예컨대, 인접하는 두 배선(179)에서, 한 배선(179)의 확장부(EA)와 다른 배선(179)의 축소부(RA)가 나란하게 위치할 수 있다. 따라서 제1 방향(D1)을 따라 배선들(179)의 확장부들(EA)과 축소부들(RA)이 하나씩 번갈아 가며 반복적으로 배치될 수 있다. 이와 같이 확장부들(EA)과 축소부들(RA)을 인접 배선들(179) 간에 상보적으로 형성함으로써, 배선들(179)의 간격을 유지하면서 확장부들(EA)을 형성할 영역을 확보할 수 있다. 배선들(179)의 폭을 전체적으로 증가시키면 인접 배선들(179) 간의 간격이 가까워져 커플링 용량(coupling capacitance)이 증가하므로 크로스토크로(crosstalk)로 인한 화질 저하가 발생할 수 있고, 배선들(179) 간의 쇼트(short)가 발생할 수도 있다. 본 실시예에 따르면, 배선들(179)의 부착력을 증가시킬 수 있는 확장부들(EA)을 형성하면서도 인접하는 배선들(179) 간의 간격을 배선들(179)의 전체 길이에 걸쳐 실질적으로 일정하게 할 수 있다. 인접 배선들(179) 간의 간격은 y ㎛일 수 있다. 여기서 y는 2.5 ㎛ 이상일 수 있지만, 2.5 ㎛보다 작을 수도 있으며, 설계 규칙에 따라 변경될 수 있다.
도 3의 실시예에서, 확장부(EA)는 연결 배선(179)의 길이 방향 중심축을 기준으로 축소부(RA)의 양측으로 돌출된 부분을 포함하지만, 이에 제한되지 않는다. 예컨대 도 4에 도시된 바와 같이, 확장부(EA)는 축소부(RA)의 일측으로만 돌출된 부분을 포함할 수 있다. 확장부(EA)의 돌출된 부분은 배선(179)의 길이를 따라 축소부(RA)의 우측과 좌측에 번갈아 가며 위치할 수 있다.
이하에서는 표시 패널(10)의 화소(PX)와 함께 벤딩 영역(BA)을 중심으로 표시 패널(10)의 적층 구조 및 연결 배선들에 대해, 유기 발광 표시 장치를 예로 들어 설명한다.
도 5는 도 1에서 V-V' 선을 따라 취한 일 실시예의 단면도이고, 도 6은 도 1에서 VI-VI' 선을 따라 취한 일 실시예의 단면도이다.
도 5와 도 6은 연결 배선들(179a, 179b)의 위치에 있어 차이가 있고, 나머지 구성들은 동일하다. 연결 배선들(179a, 179b)은 도 3 및 도 4를 참고하여 전술한 배선들(179)에 해당한다. 따라서 연결 배선들(179a, 179b)의 평면 형상은 도 3 또는 도 4에 도시된 것과 같을 수 있다.
도 5 및 도 6을 참고하면, 표시 패널(10)은 기판(110) 및 그 위에 형성된 여러 층들, 배선들, 소자들을 포함한다. 표시 패널(10)의 표시 영역(DA)에는 매우 많은 화소가 배치되어 있지만, 도면의 복잡화를 피하기 위해 도 3에서 하나의 화소만을 도시하여 설명하기로 한다. 또한, 각각의 화소는 트랜지스터들과 축전기와 유기 발광 다이오드를 포함하지만, 하나의 트랜지스터와 이에 연결되어 있는 하나의 유기 발광 다이오드를 중심으로, 표시 패널(10)의 적층 구조에 대해 설명하기 한다.
기판(110)은 연성 기판(flexible substrate)일 수 있다. 기판(110)은 폴리이미드(polyimide), 폴리아미드(polyamide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethylene terephthalate) 같은 폴리머로 이루어질 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
기판(110) 위에는 반도체 특성을 열화시키는 불순물이 확산되는 것을 방지하고 수분 등의 침투를 방지하기 위한 배리어층(111) 및 버퍼층(112)이 위치한다. 배리어층(111) 및 버퍼층(112)은 규소 산화물(SiOx), 규소 질화물(SiNx) 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 배리어층(111) 및 버퍼층(112)은 기판(110)의 전면에 걸쳐 위치할 수 있지만, 벤딩 영역(BA)에서는 위치하지 않을 수 있다. 무기 절연 물질로 형성된 층은 벤딩에 취약하여 크랙(crack)이 발생하거나 벤딩 영역(BA)에 위치하는 배선들을 손상시킬 수 있기 때문이다. 배리어층(111) 및 버퍼층(112) 중 어느 하나는 생략될 수도 잇다.
버퍼층(112) 위에는 트랜지스터의 반도체층(154)이 위치한다. 반도체층(154)은 채널 영역(152)과 채널 영역(152)의 양측에 위치하며 도핑되어 있는 소스 영역(153) 및 드레인 영역(155)을 포함한다. 반도체층(154)은 다결정 규소, 비정질 규소, 또는 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
반도체층(154) 위에는 규소 산화물, 규소 질화물 등의 무기 절연 물질을 포함하는 게이트 절연층(140)이 위치한다. 게이트 절연층(140)은 벤딩 영역(BA)에는 위치하지 않을 수 있다.
게이트 절연층(140) 위에는 게이트선, 트랜지스터의 게이트 전극(124), 제1 배선(127a, 127b) 및 제2 배선(129a, 129b)을 포함하는 게이트 도전체가 위치한다. 게이트 도전체는 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 등의 금속이나 금속 합금을 포함할 수 있다. 게이트 전극(124)은 반도체층(154)의 채널 영역(152)과 중첩할 수 있다. 제1 배선(127a, 127b)은 표시 영역(DA)(예컨대, 데이터선, 구동 전압선 같은 신호선), 구동 장치(예컨대, 게이트 구동부) 등과 연결되어 있을 수 있고, 제2 배선(129a, 129b)은 집적회로 칩(40)의 단자, 패드부(PP)의 패드 등과 연결되어 있을 수 있다.
게이트 절연층(140) 및 게이트 도전체 위에는 층간 절연층(160)이 위치한다. 층간 절연층(160)은 규소 산화물, 규소 질화물, 규소 산질화물(SiON), 규소 산불화물(SiOF) 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 층간 절연층(160)은 벤딩 영역(BA)에는 위치하지 않을 수 있다.
층간 절연층(160) 위에는 데이터선, 트랜지스터의 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175), 전압 전달선(177) 및 연결 배선(179a)을 포함하는 제1 데이터 도전체가 위치한다. 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 층간 절연층(160) 및 게이트 절연층(140)에 형성된 접촉 구멍들(61, 62)을 통해 반도체층(154)의 소스 영역(153) 및 드레인 영역(155)에 각각 연결될 수 있다. 전압 전달선(177)은 구동 전압, 공통 전압 등의 전원 전압을 전달할 수 있다.
연결 배선(179a)은 벤딩 영역(BA)에 주로 위치한다. 연결 배선(179a)은 제1 영역(A1)에서 층간 절연층(160)에 형성된 접촉 구멍(81)을 통해 제1 배선(127a)에 연결되어 있고, 제2 영역(A2)에서 층간 절연층(160)에 형성된 접촉 구멍(82)을 통해 제2 배선(129a)에 연결되어 있다. 따라서 게이트 도전체인 제1 배선(127a)과 제2 배선(129a)은 연결 배선(179a)에 의해 서로 전기적으로 연결되어 있다. 이에 의해, 집적회로 칩(40), 패드 등으로부터 출력되는 신호가 제2 배선(129a), 연결 배선(179a) 및 제1 배선(127a)을 통해 표시 영역(DA), 구동 장치 등으로 전달될 수 있다.
제1 데이터 도전체는 예컨대 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 등의 금속이나 금속 합금을 포함할 수 있다. 제1 데이터 도전체는 다중층일 수 있으며, 예컨대 접촉 특성을 향상시키기 위한 하부층(보조층)과 산화 등을 방지하기 위한 상부층(캡핑층)을 포함하는 3중층 구조를 가질 수 있다. 하부층 및 상부층은 예컨대 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 탄탄륨(Ta) 등을 포함할 수 있다. 제1 데이터 도전체는 예컨대 티타늄/알루미늄/티타늄(Ti/Al/Ti), 티타늄/구리/티타늄(Ti/Cu/Ti), 몰리브덴/알루미늄/티타늄(Mo/Al/Mo) 같은 다중층일 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
벤딩 영역(BA)에서, 기판(110)과 연결 배선(179a) 사이에는 절연층인 보호층(protective layer)(165)이 위치한다. 보호층(165)은 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)에서 게이트 절연층(140)과 중첩할 수 있고, 층간 절연층(160)과 중첩할 수도 있다. 벤딩 영역(BA)에서 보호층(165)은 기판(110) 바로 위에 위치할 수 있고, 보호층(165)의 하부면이 기판(110)의 상부면과 접촉할 수 있다. 보호층(165)은 유기 절연 물질을 포함한다. 유기 절연 물질은 예컨대 폴리이미드, 아크릴계 폴리머, 실록산계 폴리머 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
금속 물질을 포함하는 연결 배선(179a)은 유기 절연 물질을 포함하는 보호층(165) 위에 형성된다. 금속 배선의 유기 절연층에 대한 부착력은 무기 절연층에 대한 부착력보다 약한데, 연결 배선(179a)의 폭이 예컨대 3.5 ㎛ 이하로 감소하면 연결 배선(179a)이 부분적으로 들뜰 수 있고, 이로 인해 연결 배선(179a)이 떨어져 나가거나 단선될 수 있다. 하지만, 도 3 및 도 4를 참고하여 전술한 바와 같이, 연결 배선(179a)은 확장부들과 축소부들이 연결 배선(179a)의 길이 방향을 따라 반복적으로 형성될 수 있고, 확장부들에 의해 부착력이 증가하여, 연결 배선(179a)이 보호층(165)으로부터 들뜨는 것을 방지할 수 있다.
게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 반도체층(154)과 함께 트랜지스터를 이룬다. 도시된 트랜지스터는 유기 발광 표시 장치의 화소에서 구동 트랜지스터일 수 있다. 도시된 트랜지스터는 게이트 전극(124)이 반도체(154)보다 위에 위치하지는 톱 게이트형(top-gate) 트랜지스터이지만, 트랜지스터의 구조는 이에 한정되는 것은 아니고 다양하게 변경될 수 있다. 예컨대, 게이트 전극이 반도체층 아래 위치하는 바텀 게이트형(bottom-gate) 트랜지스터일 수 있고, 게이트 전극이 반도체층의 측면에 있는 수직형(vertical) 트랜지스터일 수도 있다.
층간 절연층(160) 및 제1 데이터 도전체 위에는 제1 평탄화층(180a)이 위치한다. 제1 평탄화층(180a)은 벤딩 영역(BA) 및 그 주변에 또한 위치한다. 벤딩 영역(BA)에서 제1 평탄화층(180a)은 보호층(165) 위에 위치한다. 도시된 실시예와 달리, 표시 장치는 보호층(165)을 포함하지 않고 제1 평탄화층(180a)이 기판(110)과 접촉하게 위치할 수도 있다.
제1 평탄화층(180a) 위에는 구동 전압선(172) 및 연결 배선(179b)을 포함하는 제2 데이터 도전체가 위치한다. 제2 데이터 도전체 위에는 제2 평탄화층(180b)이 위치한다.
제1 평탄화층(180a) 및 제2 평탄화층(180b)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있고, 예컨대 폴리이미드, 아크릴계 폴리머, 실록산계 폴리머 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 제2 데이터 도전체는 예컨대 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 등의 금속이나 금속 합금을 포함할 수 있다. 제2 데이터 도전체는 다중층일 수 있으며, 예컨대 접촉 특성을 향상시키기 위한 하부층(보조층)과 산화 등을 방지하기 위한 상부층(캡핑층)을 포함하는 3중층 구조를 가질 수 있다. 하부층 및 상부층은 예컨대 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 탄탄륨(Ta) 등을 포함할 수 있다. 제2 데이터 도전체는 예컨대 티타늄/알루미늄/티타늄(Ti/Al/Ti), 티타늄/구리/티타늄(Ti/Cu/Ti), 몰리브덴/알루미늄/티타늄(Mo/Al/Mo) 같은 다중층일 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
연결 배선(179b)은 벤딩 영역(BA)에 주로 위치한다. 연결 배선(179b)은 제1 영역(A1)에서 제1 평탄화층(180a) 및 층간 절연층(160)에 형성된 접촉 구멍(85)을 통해 제1 배선(127b)에 연결되어 있고, 제2 영역(A2)에서 제1 평탄화층(180a) 및 층간 절연층(160)에 형성된 접촉 구멍(86)을 통해 제2 배선(129b)에 연결되어 있다. 따라서 게이트 도전체인 제1 배선(127b)과 제2 배선(129b)은 연결 배선(179b)에 의해 서로 전기적으로 연결되어 있다. 이에 의해, 집적회로 칩(40), 패드 등으로부터 출력되는 신호가 제2 배선(129b), 연결 배선(179a) 및 제1 배선(127b)을 통해 표시 영역(DA), 구동 장치 등으로 전달될 수 있다.
연결 배선(179b)은 벤딩 영역(BA)에서 유기 절연 물질을 포함하는 제1 평탄화층(180a) 위에 형성된다. 연결 배선(179a)과 마찬가지로, 연결 배선(179b)도 예컨대 도 3 및 도 4에 도시된 것과 같이 확장부들과 축소부들이 연결 배선(179b)의 길이 방향을 따라 반복적으로 형성될 수 있다. 확장부들에 의해 부착력이 증가하여, 연결 배선(179b)이 제1 평탄화층(180a)으로부터 들뜨는 것을 방지할 수 있다.
연결 배선(179a)은 보호층(165)과 제1 평탄화층(180a) 사이에 샌드위치되어 있고, 연결 배선(179b)은 제1 평탄화층(180a)과 제2 평탄화층(180b) 사이에 샌드위치되어 있다. 따라서 벤딩 영역에서 연결 배선(179a)은 유기 절연 물질을 포함하는 보호층(165)과 제1 평탄화층(180a)에 의해 둘러싸여 있고, 연결 배선(179b)은 유기 절연 물질을 포함하는 제1 평탄화층(180a)과 제2 평탄화층(180b)에 의해 둘러싸여 있으므로 벤딩 시 손상되는 것이 방지될 수 있다.
도시된 실시예에서, 서로 다른 층에 위치하는 제1 데이터 도전체와 제2 데이터 도전체로 연결 배선들(179a, 179b)을 형성하면, 연결 배선들(179a, 179b)을 두 층으로 형성할 수 있으므로, 각각의 연결 배선의 폭을 증가시킬 수 있고, 따라서 저항을 줄일 수 있다. 연결 배선(179a)과 연결 배선(179b)은 예컨대 도 1에서 제1 방향(D1)으로 하나씩 번갈아 가며 위치할 수 있다. 도시된 실시예와 달리, 연결 배선들은 제1 데이터 도전체로만 형성되거나 제2 데이터 도전체로만 형성될 수 있고, 따라서 연결 배선들(179a)만을 포함하거나 연결 배선들(179b)만을 포함할 수도 있다.
표시 영역(DA)에서 제2 평탄화층(180b) 위에는 화소 전극(191)이 위치한다. 각 화소의 화소 전극(191)은 제1 평탄화층(180a)과 제2 평탄화층(180b) 형성된 접촉 구멍(83)을 통해 드레인 전극(175)에 연결될 수 있다. 화소 전극(191)은 반사성 도전 물질 또는 반투과성 도전 물질로 형성될 수 있고, 투명한 도전 물질로 형성될 수도 있다.
제2 평탄화층(180b) 위에는 화소 전극(191)과 중첩하는 개구부를 가지는 화소 정의막(360)이 위치한다. 화소 정의막(360)의 개구부는 각각의 화소 영역을 정의할 수 있다. 화소 정의막(360)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 화소 정의막(360)은 벤딩 영역(BA)에서 제2 평탄화층(180b) 위에도 위치할 수 있다.
화소 전극(191) 위에는 발광 부재(370)가 위치한다. 발광 부재(370)는 차례대로 적층된 제1 유기 공통층, 발광층 및 제2 유기 공통층 포함할 수 있다. 제1 유기 공통층은 정공 주입층 및 정공 수송층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 발광층은 적색, 녹색 및 청색 등의 기본 색의 광을 고유하게 내는 유기 물질로 만들어질 수도 있고, 서로 다른 색의 광을 내는 복수의 유기 물질층이 적층된 구조를 가질 수도 있다. 제2 유기 공통층은 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
발광 부재(370) 위에는 공통 전압을 전달하는 공통 전극(270)이 위치한다. 공통 전극(270)은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 같은 투명 도전 물질로 형성되거나, 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 은(Ag) 등의 금속을 얇게 적층하여 형성함으로써 광 투과성을 가지도록 할 수 있다. 각 화소의 화소 전극(191), 발광 부재(370) 및 공통 전극(270)은 유기 발광 다이오드인 발광 소자를 이룬다.
공통 전극(270) 위에는 봉지층(encapsulation layer)(390)이 위치한다. 봉지층(390)은 발광 부재(370) 및 공통 전극(270)을 봉지하여 외부로부터 수분이나 산소가 침투하는 것을 방지할 수 있다. 봉지층(390)은 무기 물질을 포함하는 적어도 하나의 층을 포함할 수 있고, 유기 물질을 포함하는 적어도 하나의 층을 더 포함할 수 있다. 봉지층(390)은 벤딩 영역(BA)에는 위치하지 않을 수 있다. 봉지층(390) 위에는 외광 반사를 방지하기 위한 편광층(도시되지 않음)이 위치할 수 있다. 편광층은 벤딩 영역(BA)과 중첩하지 않을 수 있다. 벤딩 영역(BA)에서 화소 정의막(360) 위에는 인장 응력을 완화 및 보호하기 위한 벤딩 보호층(bending protection layer)(도시되지 않음)이 위치할 수 있다. 벤딩 보호층은 응력 중립화층(stress neutralization layer)으로 불릴 수 있다.
기판(110) 아래에는 보호 필름(500)이 위치한다. 보호 필름(500)은 PSA(pressure sensitive adhesive), OCA(optically clear adhesive) 같은 접착제에 의해 연성 기판(110)에 부착되어 있을 수 있다. 보호 필름(500)은 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리이미드, 폴리에틸렌 설파이드(polyethylene sulfide) 같은 폴리머로 형성될 수 있다. 보호 필름(500)은 벤딩 영역(BA)에서는 벤딩 응력(bending stress)을 감소시키기 위해 위치하지 않을 수 있다.
이하에서는, 도 7 내지 도 11을 참고하여 몇몇 실시예들을 설명한다. 도 7은 도 1에서 V-V' 선을 따라 취한 일 실시예의 단면도이고, 도 8 내지 도 11은 각각 도 1에서 E 영역의 일 실시예의 확대도이다.
먼저, 도 7의 실시예에 대하여 도 5의 실시예와의 차이점을 위주로 설명한다. 도 7을 참고하면, 벤딩 영역(BA)에서 기판(110)과 연결 배선(179a) 사이에 보호층(165)이 위치한다. 따라서 연결 배선(179a)은 보호층(165) 위에 형성되어 있다. 도 5의 실시예와 달리, 보호층(165)은 상부 표면이 평탄하지 않고 요철이 형성되어 있다. 보호층(165)의 피크부(peak)(U1)와 밸리부(valley)(U2)는 대략 벤딩축(BX)과 나란한 제1 방향(D1)을 따라 뻗어 있을 수 있다. 따라서 보호층(165)의 피크부(U1)와 밸리부(U2)는 제2 방향(D2)을 따라 하나씩 번갈아 가며 위치할 수 있다. 보호층(165)의 요철 구조로 인해, 보호층(165) 위의 연결 배선(179a)은 주름지게 형성될 수 있다. 연결 배선(179a)의 주름은 벤딩 영역(BA)의 벤딩 시 연결 배선(179a) 마치 아코디언의 벨로즈(bellows)처럼 펼쳐질 수 있으므로, 연결 배선(179a)이 단선될 위험이 더욱 줄어들 수 있다. 연결 배선(179a)이 주름지게 형성되더라도, 평면도에서는 실질적으로 직선으로 뻗어 있을 수 있다.
구동 전압선(172)은 트랜지스터의 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)과 동일한 층에 위치한다. 즉, 층간 절연층(160) 위에 데이터선, 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175), 전압 전달선(177) 및 연결 배선(179a)과 함께 구동 전압선(172)을 포함하는 제1 데이터 도전체가 위치한다. 제1 도전체 위로는 유기 절연 물질을 포함하는 평탄화층(180)이 위치한다. 연결 배선(179a)은 보호층(165)과 평탄화층(180)에 의해 둘러싸여 있으므로, 벤딩 시 손상되는 것이 방지될 수 있다. 하지만, 도 5의 실시예와 같이, 표시 장치는 제1 도전체 위로 제1 평탄화층 및 제2 평탄화층을 포함할 수 있고, 구동 전압선(172)은 제1 평탄화층과 제2 평탄화층 사이에 위치할 수 있으며, 다양한 변형이 가능하다.
연결 배선(179a)은 보호층(165) 위에 금속 물질을 증착한 후 포토리소그래피 공정을 통해 형성될 수 있다. 연결 배선(179a)의 형성 시 피크부(U1) 위에 위치하는 포토레지스트 부분은 밸리부(U2) 위에 위치하는 포토레지스트 부분보다 더 많이 노광될 수 있다. 이에 따라 균일한 폭의 연결 배선(179a)의 형성을 의도하더라도 피크부(U1) 위에 형성되는 연결 배선(179a)의 부분의 배선 폭이 밸리부(U2) 위에 형성되는 연결 배선(179a)의 부분보다 작아질 수 있다. 따라서 피크부(U1) 위에 형성되는 연결 배선(179a)의 부분을 더욱 넓게 형성하여, 배선 폭 감소에 의한 부착력 약화를 보상할 수 있다. 그 예는 도 8 내지 도 11에 도시된다.
도 8을 참고하면, 연결 배선(179a)은 확장부(EA)와 축소부(RA)가 연결 배선(179a)의 길이 방향을 따라 반복적으로 형성되어 있다. 확장부(EA)는 주로 보호층(165)의 피크부(U1) 위에 위치한다. 이와 같이 보호층(165)의 피크부(U1) 위의 연결 배선(179a) 부분을 넓게 형성함으로써 연결 배선(179a)의 부착력을 증가시킬 수 있다.
확장부(EA)는 보호층(165)의 모든 피크부(U1) 위에 위치할 수도 있지만, 어떤 피크부(U1) 위에는 축소부(RA)가 위치할 수도 있다. 예컨대 도 8에 도시된 바와 같이, 축소부(RA)는 두 개의 밸리부(U2)와 그 사이의 피크부(U1)에 걸쳐 위치할 수 있고, 보다 많은 수의 밸리부(U2)와 피크부(U1)에 걸쳐 위치할 수도 있다.
연결 배선(179a)의 확장부(EA)와 축소부(RA)의 형상, 크기 및 간격은 다양하게 변형될 수 있다. 예컨대 도 9에 도시된 바와 같이, 확장부(EA)는 축소부(RA)의 일측으로 돌출된 부분을 포함하도록 형성될 수 있고, 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 보호층(165)의 복수의 피크부(U1)와 그 사이의 밸리부(U2)에 걸쳐 형성될 수도 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
10: 표시 패널
110: 기판
165: 보호층
179: 배선
179a, 179b: 연결 배선
180, 180a, 180b: 평탄화층
360: 화소 정의막
BA: 벤딩 영역
EA: 확장부
RA: 축소부

Claims (20)

  1. 제1 영역, 제2 영역 및 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 위치하는 벤딩 영역을 포함하는 기판,
    상기 제1 영역에 위치하는 복수의 제1 배선,
    상기 제2 영역에 위치하는 복수의 제2 배선,
    상기 벤딩 영역에 위치하는 절연층, 그리고
    상기 절연층 위에 상기 벤딩 영역을 가로질러 위치하며, 상기 복수의 제1 배선 중 하나와 상기 복수의 제2 배선 중 하나에 각각 연결되어 있는 복수의 연결 배선
    을 포함하며,
    각각의 연결 배선은 상대적으로 폭이 넓은 확장부와 상대적으로 폭이 좁은 축소부를 포함하며, 상기 확장부와 상기 축소부는 각각의 연결 배선의 길이 방향을 따라 반복되고,
    상기 복수의 연결 배선은 서로 인접하는 제1 연결 배선 및 제2 연결 배선을 포함하고,
    상기 제1 연결 배선의 확장부와 상기 제2 연결 배선의 축소부가 나란하게 위치하고,
    상기 복수의 연결 배선의 확장부와 축소부가 각각의 연결 배선의 길이 방향과 교차하는 방향을 따라 하나씩 번갈아 가며 위치하는 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 복수의 연결 배선의 하부면이 상기 절연층의 상부면과 접촉하는 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 복수의 연결 배선은 금속 물질을 포함하고, 상기 절연층은 유기 절연 물질을 포함하는 표시 장치.
  4. 제1항에서,
    상기 확장부는 상기 축소부로부터 양측으로 돌출되어 있는 표시 장치.
  5. 제1 영역, 제2 영역 및 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 위치하는 벤딩 영역을 포함하는 기판,
    상기 제1 영역에 위치하는 복수의 제1 배선,
    상기 제2 영역에 위치하는 복수의 제2 배선,
    상기 벤딩 영역에 위치하는 절연층, 그리고
    상기 절연층 위에 상기 벤딩 영역을 가로질러 위치하며, 상기 복수의 제1 배선 중 하나와 상기 복수의 제2 배선 중 하나에 각각 연결되어 있는 복수의 연결 배선
    을 포함하며,
    각각의 연결 배선은 상대적으로 폭이 넓은 확장부와 상대적으로 폭이 좁은 축소부를 포함하며, 상기 확장부와 상기 축소부는 각각의 연결 배선의 길이 방향을 따라 반복되고,
    상기 확장부는 상기 축소부로부터 일측으로만 돌출되어 있는 표시 장치.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제1 영역, 제2 영역 및 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 위치하는 벤딩 영역을 포함하는 기판,
    상기 제1 영역에 위치하는 복수의 제1 배선,
    상기 제2 영역에 위치하는 복수의 제2 배선,
    상기 벤딩 영역에 위치하는 절연층, 그리고
    상기 절연층 위에 상기 벤딩 영역을 가로질러 위치하며, 상기 복수의 제1 배선 중 하나와 상기 복수의 제2 배선 중 하나에 각각 연결되어 있는 복수의 연결 배선
    을 포함하며,
    각각의 연결 배선은 상대적으로 폭이 넓은 확장부와 상대적으로 폭이 좁은 축소부를 포함하며, 상기 확장부와 상기 축소부는 각각의 연결 배선의 길이 방향을 따라 반복되고,
    상기 절연층은 피크부와 밸리부를 포함하고,
    상기 확장부는 상기 피크부 위에 위치하는 표시 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 확장부는 복수의 피크부에 걸쳐 위치하는 표시 장치.
  10. 제1항에서,
    상기 연결 배선들은 데이터 신호를 전달하는 데이터 신호선들인 표시 장치.
  11. 제1 방향과 평행한 벤딩축을 중심으로 벤딩되는 벤딩 영역을 포함하는 기판,
    상기 벤딩 영역에서 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 직선으로 뻗어 있으며, 적어도 하나의 확장부 및 적어도 하나의 축소부를 포함하는 배선,
    상기 벤딩 영역에서 상기 기판과 상기 배선 사이에 위치하며 유기 절연 물질을 포함하는 제1 절연층, 그리고
    상기 제1 절연층 위에 위치하며 유기 절연 물질을 포함하는 제2 절연층
    을 포함하며,
    상기 제1 절연층의 하부면이 상기 기판의 상부면과 접촉하고,
    상기 배선은 금속 물질을 포함하고, 상기 배선의 하부면이 상기 제1 절연층의 상부면과 접촉하고, 상기 배선의 상부면이 상기 제2 절연층의 하부면과 접촉하는 표시 장치.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 제1 방향과 평행한 벤딩축을 중심으로 벤딩되는 벤딩 영역을 포함하는 기판,
    상기 벤딩 영역에서 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 직선으로 뻗어 있으며, 적어도 하나의 확장부 및 적어도 하나의 축소부를 포함하는 배선,
    상기 벤딩 영역에서 상기 기판과 상기 배선 사이에 위치하며 유기 절연 물질을 포함하는 제1 절연층, 그리고
    상기 제1 절연층 위에 위치하며 유기 절연 물질을 포함하는 제2 절연층
    을 포함하며,
    상기 배선의 하부면이 상기 제2 절연층의 상부면과 접촉하는 표시 장치.
  16. 제11항에서,
    상기 확장부와 상기 축소부는 상기 배선의 길이 방향을 따라 번갈아 가며 위치하는 표시 장치.
  17. 제11항에서,
    상기 확장부의 폭과 상기 축소부의 폭의 차가 1 ㎛ 이상인 표시 장치.
  18. 제1 방향과 평행한 벤딩축을 중심으로 벤딩되는 벤딩 영역을 포함하는 기판,
    상기 벤딩 영역에서 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 직선으로 뻗어 있으며, 적어도 하나의 확장부 및 적어도 하나의 축소부를 포함하는 배선, 그리고
    상기 벤딩 영역에서 상기 기판과 상기 배선 사이에 위치하며 유기 절연 물질을 포함하는 제1 절연층
    을 포함하며,
    상기 제1 절연층은 상기 제2 방향을 따라 교대로 형성되어 있는 피크부 및 밸리부를 포함하고,
    상기 확장부는 상기 피크부 위에 위치하는 표시 장치.
  19. 제18항에서,
    상기 확장부는 복수의 피크부에 걸쳐 위치하는 표시 장치.
  20. 제11항에서,
    상기 배선은 내부에 빈 공간을 포함하지 않는 표시 장치.
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