CN113299664A - 电子装置 - Google Patents
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- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 122
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
Abstract
本揭露提供一种电子装置，包括基板以及多条导线。基板包括第一非弯折区及弯折区。多条导线从第一非弯折区延伸至弯折区。至少部分多条导线在弯折区中分支成次导线，且至少部分多条导线中的每一条具有两条次导线，且两条次导线间以不小于1mm的距离彼此分隔。
Description
技术领域
本揭露涉及一种电子装置。
背景技术
电子产品已成为现代社会不可或缺的必需品。随着这类电子产品的蓬勃发展，消费者对这些产品的品质、功能或价格抱有很高的期望。
因此，电子产品需被改良，然而目前的电子产品仍存在一些问题需要解决。更详细而言，电子装置中存在弯折区，导线经过弯折制程可能导致断线。
发明内容
本揭露提供一种电子装置，可改善电子装置弯折区导线断线的情形。
根据本揭露的实施例，电子装置包括基板以及多条导线。基板包括第一非弯折区及弯折区。多条导线从第一非弯折区延伸至弯折区。至少部分多条导线在弯折区中分支成次导线，且至少部分多条导线中的每一条具有两条次导线，且两条次导线间以不小于1mm的距离彼此分隔。
基于上述，在本揭露的实施例中，通过至少部分多条导线在弯折区中分支成次导线，且至少部分多条导线中的每一条具有以不小于1mm的距离彼此分隔的两条次导线，以改善电子装置弯折区导线断线的情形。
为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
包含附图以便进一步理解本发明，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。
图1为本揭露一实施例的电子装置的立体示意图；
图2为本揭露一实施例的电子装置的俯视示意图；
图3至图8为本揭露一些实施例的电子装置的俯视示意图。
附图标号说明：
10、20、30、40、50、60：电子装置；
12、14：基板；
16：驱动芯片；
100：第一非弯折区；
102：第二非弯折区；
200、200A：弯折区；
d：距离；
h：内凹宽度；
L110、L110’、L120、L130、L140、L150、L160、L410、L420、L430、L440：导线；
L112、L112’、L114、L114’、L122、L124、L132、L134、L142、L144、L152、L154、L162、L164、L412、L414、L422、L424、L432、L434、L442、L444：次导线；
L114-1、L114’-1、L124-1、L134-1、L144-1、L154-1、L164-1、L414-1、L424-1、L434-1、L444-1：第一部分；
L114-2、L114’-2、L124-2、L134-2、L144-2、L154-2、L164-2、L414-2、L424-2、L434-2、L444-2：第二部分；
L114-3、L124-3、L134-3、L144-3、L154-3、L164-3：第三部分；
PR：像素区；
p：像素间距；
R：顶角；
RS：内凹。
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露。须注意的是，为了使读者能容易了解及附图的简洁，本揭露中的多张附图只示出电子装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。举例来说，为了清楚起见，各区域和/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
本揭露通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，“具有”与“包括”等词为开放式词语，因此其应被解释为“包括但不限定为…”之意。
本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本揭露。应了解到，当元件或膜层被称为设置在另一个元件或膜层“上”或“连接”另一个元件或膜层时，所述元件或膜层可以直接在所述另一元件或膜层上或直接连接到所述另一元件或膜层，或者两者之间存在有插入的元件或膜层(非直接情况)。相反地，当元件或膜层被称为“直接”在另一个元件或膜层“上”或“直接连接”另一个元件或膜层时，两者之间不存在有插入的元件或膜层。
在本揭露一些实施例中，关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构系直接接触，或者也可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。关于接合、连接的用语也可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。
在下述实施例中，相同或相似的元件将采用相同或相似的标号，且将省略其赘述。此外，不同实施例中的特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用，且依本说明书或权利要求书所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本揭露涵盖的范围内。另外，本说明书或权利要求书中提及的“第一”、“第二”等用语仅用以命名分立(discrete)的元件或区别不同实施例或范围，而并非用来限制元件数量上的上限或下限，也并非用以限定元件的制造顺序或设置顺序。
电子装置可包括显示装置、天线装置、感测装置、触控电子装置(touch display)、曲面电子装置(curved display)或非矩形电子装置(free shape display)，但不以此为限。电子装置可为可弯折或可挠式电子装置。电子装置可例如包括液晶(liquid crystal)、发光二极管、萤光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其它合适的显示介质、或前述的组合，但不以此为限。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot，QD，可例如为QLED、QDLED)或其他适合的材料或上述材料的任意排列组合，但不以此为限。显示装置可例如包括拼接显示装置，但不以此为限。天线装置可例如是液晶天线，但不以此为限。天线装置可例如包括拼接天线装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。此外，电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。电子装置可以具有驱动系统、控制系统、光源系统、层架系统等周边系统以支援显示装置、天线装置或拼接装置。下文将以显示装置作为电子装置以说明本揭露内容，但本揭露不以此为限。
在本揭露中，以下所述的各种实施例可在不背离本揭露的精神与范围内做混合搭配使用，例如一实施例的部分特征可与另一实施例的部分特征组合而成为另一实施例。
现将详细地参考本揭露的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
图1为本揭露一实施例的电子装置的立体示意图。图2为本揭露一实施例的电子装置的俯视示意图。
请参照图1及图2，本揭露的电子装置10包括基板12以及多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160。基板12包括第一非弯折区100、弯折区200以及第二非弯折区102，弯折区200位于第一非弯折区100及第二非弯折区102之间，弯折区200可用以连接第一非弯折区100及第二非弯折区102。在一些实施例中，基板12包含第一非弯折区100及弯折区200，但可以不包含第二非弯折区102。第一非弯折区100例如是主动区，弯折区200及第二非弯折区102例如是非主动区，第二非弯折区102例如是外引脚接合(Outer Lead Bonding,OLB)区。在一些实施例中，弯折区102也可例如是外引脚接合(Outer Lead Bonding,OLB)区。基板12可为透明或不透明，其基板12的材料可包括玻璃、石英、蓝宝石、陶瓷、塑胶、其它合适的作为基板的材料、或前述的组合，但不限于此。在一实施例中，前述塑胶基板的材料可包含聚酰亚胺(polyimine，PI)、聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。在一实施例中，前述玻璃基板的材料可包含包括硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、二氧化硅(SiO2)、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。弯折区200的材料例如可包括聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚碳酸(polycarbonate，PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，PET)等聚合物材料和/或粘着材料，但不以此为限，弯折区200也可包括薄玻璃或任何适合的材料，但不以此为限。基板12更可以包括驱动元件(未示出)，驱动元件可包含主动式驱动元件、被动式驱动元件、或前述的组合。例如主动式驱动元件可包含薄膜晶体管(thin-film transistor，TFT)，但不以此为限。在图1中为清楚表达第一非弯折区100、弯折区200以及第二非弯折区102的立体空间配置关系，因此，省略示出多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160。
请参照图2，多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160设置于基板12上，且从第一非弯折区100延伸至弯折区200，再延伸至第二非弯折区102。虽然图2中示出导线L110、L120、L130、L140、L150、L160，但导线的数目及配置不以此为限。多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160例如可以是数据线(Data line)、闸线(Gate line)、电源供应线、共用电压线、信号参考线、触控信号线，但不以此为限。多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160的材料例如可以包括钼(molybdenum，Mo)、钛(titanium，Ti)、钽(tantalum，Ta)、铌(niobium，Nb)、铪(hafnium，Hf)、镍(nickel，Ni)，铬(chromium，Cr)、钴(cobalt，Co),、锆(zirconium，Zr)、钨(tungsten，W)、铝(aluminum，Al)，铜(copper，Cu)等或上述材料的合金或组合，但不以此为限。必须说明的是，在下文其他实施例中所提到的导线，皆可与本实施例的导线L110、L120、L130、L140、L150、L160性质及材料相同或相似，因此，为了简洁说明的目的，在下文中不予赘述。至少部分多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160(以粗线表示)在弯折区200中分支成次导线(以细线表示)。更详细而言，导线L110分支成两条次导线L112及L114，次导线114包含第一部分L114-1、第二部分L114-2、及第三部分L114-3。在一些实施例中，第一部分L114-1、第二部分L114-2、第三部分L114-3可配置于不同层中，举例而言,导线L110可以与第一部分L114-1、第二部分L114-2、第三部分L114-3分别为同层金属或是不同层金属，或第一部分L114-1与第三部分L114-3为同层金属，第一部分L114-1与第二部分L114-2为不同层金属，或第一部分L114-1、第二部分L114-2及第三部分L114-3彼此为不同层金属，上述配置方式也存在于下文所述的其他导线与次导线中，故在下文其他实施例不再赘述。导线L120分支成两条次导线L122及L124，次导线L124包含第一部分L124-1、第二部分L124-2及第三部分L124-3，导线L130分支成两条次导线L132及L134，次导线L134包含第一部分L134-1、第二部分L134-2及第三部分L134-3，导线L140分支成两条次导线L142及L144，次导线L144包含第一部分L144-1、第二部分L144-2及第三部分L144-3，导线L150分支成两条次导线L152及L154，次导线L154包含第一部分L154-1、第二部分L154-2及第三部分L154-3，导线L160分支成两条次导线L162及L164，次导线L164包含第一部分L164-1、第二部分L164-2及第三部分L164-3。次导线的材料可与上述多条导线的材料相同或相似，于此不再赘述。虽然图2中呈现的是多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160于弯折区200中皆分支成次导线，但本揭露并不以此为限，无论是电子装置中的部分导线或全部导线在弯折区中分支成次导线，皆属于本揭露的保护范围，也即，即使仅有一条导线在弯折区中分支成次导线，也属于本揭露的保护范围。在另一些实施例中，次导线L112、L122、L132、L142、L152、L162也可以如次导线L114、L124、L134、L144、L154、L164所述，包含第一部分、第二部分及第三部分，但不以此为限。
请继续参照图2，至少部分多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160中的每一条具有两条次导线，且两条次导线间以不小于例如约1mm的距离d彼此分隔。或者，至少部分多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160中的每一条具有两条次导线，且两条次导线间例如以不小于约3mm的距离d彼此分隔。或者，至少部分多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160中的每一条的两条次导线之间的距离d例如是不小于像素间距p，像素间距p可例如为两像素中LED的间距，或是其他适合的显示单元的间距。像素间距p例如0.01mm至1.5mm，或例如0.6mm至1.5mm，或像素间距p例如是1.3mm。或是至少部分多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160中的每一条的两条次导线之间的距离例如是不小于一个像素区PR于方向X上的最大距离。以导线L110作为例示说明，距离d的量测方式例如是次导线L112中心至次导线L114的第二部分L114-2中心的距离，或次导线L112最右边至次导线L114的第二部分L114-2最右边的距离，或次导线L112最左边至次导线L114的第二部分L114-2最左边的距离。如此一来，可有效地改善弯折区200中导线断线的情形。至少部分多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160在第二非弯折区102中延伸，且至少部分多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160中的每一条相应的次导线在第二非弯折区102中收线，对应薄膜上芯片(chip on film，COF)导线顺序收线回到原定义位置，薄膜上芯片例如包含基板14及驱动芯片16，基板14例如是可挠性基板。举例而言，次导线L112及次导线L114收线回导线L110，次导线L122及次导线L124收线回导线L120，次导线L132及次导线L134收线回导线L130，次导线L142及次导线L144收线回导线L140，次导线L152及次导线L154收线回导线L150，次导线L162及次导线L164收线回导线L160。换句话说，多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160在第二非弯折区102中的排列顺序与在第一非弯折区100中的排列顺序相同。
图3至图8为本揭露一些实施例的电子装置的俯视示意图。为了更清楚地表达至少部分多条导线分支成次导线的实施方式，在图3、图4及图6至图8中，省略示出第二非弯折区。
请参照图3，在电子装置10中，多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160从第一非弯折区100延伸至弯折区200。虽然图3中示出导线L110、L120、L130、L140、L150、L160，但导线的数目及配置不以此为限。于此实施例中，至少部分多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160在第一非弯折区100中开始分支成次导线，即至少部分多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160在第一非弯折区100以及弯折区200中分支成次导线。更详细而言，在第一非弯折区100以及弯折区200中，导线L110分支成两条次导线L112及L114，次导线114包含第一部分L114-1、第二部分L114-2、及第三部分(为了更清楚地表达至少部分多条导线分支成次导线的实施方式，故省略示出第三部分，此省略示出方式也存在于下文所述的其他次导线中，故在下文不再赘述)。导线L120分支成两条次导线L122及L124，次导线L124包含第一部分L124-1、第二部分L124-2及第三部分，导线L130分支成两条次导线L132及L134，次导线L134包含第一部分L134-1、第二部分L134-2及第三部分，导线L140分支成两条次导线L142及L144，次导线L144包含第一部分L144-1、第二部分L144-2及第三部分，导线L150分支成两条次导线L152及L154，次导线L154包含第一部分L154-1、第二部分L154-2及第三部分，导线L160分支成两条次导线L162及L164，次导线L164包含第一部分L164-1、第二部分L164-2及第三部分。于一实施例中，多条导线可以交错配置，而本揭露的“交错配置”可例如具有下述方式，例如为一条导线的两条次导线之间可以配置有一条或一条以上其他导线的次导线，表示一条导线的两条次导线的至少一部分之间可以配置有一条或一条以上其他导线的次导线的至少一部分，或部分的导线的两条次导线之间可以配置有其他导线，表示部分的导线的两条次导线的至少一部分之间可以配置有其他导线的至少一部分。
举例而言，在本实施例中，以三条导线为一组进行分支且三条导线的次导线交错设置，例如是以导线L110、L120及L130为一组进行分支且次导线L112、L114、L122、L124、L132、L134交错配置，同理，导线L140、L150及L160为一组进行分支且次导线L142、L144、L152、L154、L162、L164交错配置。但本揭露并不以此为限，也可依据解析度不同或实际操作需求，以不同的导线数为一组进行分支，例如也可以两条、四条或六条导线为一组(在下文中，将会以图7进行四条为一组的详细说明)。
在一些实施例中，部分的导线的两条次导线之间可以不包含其他导线的次导线。在一些实施例中，一条导线可以包含两条以上的次导线。请继续参照图3，在本实施例中，至少部分多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160中的一条与另一条的两条次导线交错配置，意即至少部分多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160中的一条的至少一部分与至少部分多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160中的另一条的两条次导线的至少一部分交错配置。举例而言，导线L110分支成两条次导线L112及L114，导线L120分支成两条次导线L122及L124，导线L130分支成两条次导线L132及L134，导线L120例如可以配置于另一条导线L130的两条次导线L132及L134之间，换句话说，至少部分的导线L120配置于部分的次导线L132与部分的次导线L134之间，即导线L120与次导线L132及次导线L134交错配置。在另一些实施例中，于第一非弯折区100或/及弯折区200中，至少部分多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160中的一条的两条次导线与至少部分多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160中的另一条的两条次导线交错配置。举例而言，导线L110的次导线L114例如可配置于导线L120的次导线L122与导线L130的次导线L132之间。或者，在导线L110的两条次导线L112及L114之间配置导线L120的次导线L122及导线L130的次导线L134，然而，本揭露并不以此为限。
请参照图4，在电子装置20中，多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160从第一非弯折区100延伸至弯折区200。虽然图4中示出导线L110、L120、L130、L140、L150、L160，但导线的数目及配置不以此为限。本实施例的电子装置20大致相似于图3的电子装置10，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例的电子装置20不同于电子装置10之处主要在于，导线L110、L120、L130、L140、L150、L160可在第一非弯折区100中的不同区域分支成次导线，举例而言，导线L110、L120、L130、L140、L150、L160可在不同行的像素区PR中分支成次导线，如此可以提升电子装置的开口率并提升显示质量。换言之，在可以使至少部分多条导线在弯折区中分支成次导线的前提下，导线在第一非弯折区中的分支区域不受限制。
请参照图4，在本实施例中，至少部分多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160中的一条与另一条的两条次导线交错配置。导线L110分支成两条次导线L112及L114，次导线114包含第一部分L114-1、第二部分L114-2、及第三部分。导线L120分支成两条次导线L122及L124，次导线L124包含第一部分L124-1、第二部分L124-2及第三部分，导线L130分支成两条次导线L132及L134，次导线L134包含第一部分L134-1、第二部分L134-2及第三部分。举例而言，导线L120可配置于另一条导线L130的两条次导线L132及L134之间，或至少一部分的导线L120可配置于部分的次导线L132与部分的次导线L134之间，即导线L120与次导线L132及导线l34交错配置。在另一些实施例中，于第一非弯折区100或/及弯折区200中,至少部分多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160中的一条的两条次导线与至少部分多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160中的另一条的两条次导线交错配置。举例而言，导线L110的次导线L114例如可配置于导线L120的次导线L122与导线L130的次导线L132之间。或者，在导线L110的两条次导线L112及L114之间配置导线L120的次导线L122及导线L130的次导线L134，然而，本揭露并不以此为限。
请参照图5，在电子装置30中，多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160从第一非弯折区100延伸至弯折区200，再延伸至第二非弯折区102。虽然图5中示出导线L110、L120、L130、L140、L150、L160，但导线的数目及配置不以此为限。本实施例的电子装置30大致相似于图2的电子装置10，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例的电子装置30不同于电子装置10之处主要在于至少部分多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160在弯折区200中才开始分支成次导线，在第一非弯折区100不进行分支。换言之，在可以使至少部分多条导线在弯折区中分支成次导线的前提下，至少部分多条导线也可以不在第一非弯折区(主动区)开始进行分支。。更详细而言，在弯折区200中，导线L110分支成两条次导线L112及L114，次导线114包含第一部分L114-1、第二部分L114-2、及第三部分L114-3。导线L120分支成两条次导线L122及L124，次导线L124包含第一部分L124-1、第二部分L124-2及第三部分L124-3，导线L130分支成两条次导线L132及L134，次导线L134包含第一部分L134-1、第二部分L134-2及第三部分L134-3，导线L140分支成两条次导线L142及L144，次导线L144包含第一部分L144-1、第二部分L144-2及第三部分L144-3，导线L150分支成两条次导线L152及L154，次导线L154包含第一部分L154-1、第二部分L154-2及第三部分L154-3，导线L160分支成两条次导线L162及L164，次导线L164包含第一部分L164-1、第二部分L164-2及第三部分L164-3。
请继续参照图5，至少部分多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160在第二非弯折区102中延伸，且至少部分多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160中的每一条相应的次导线在第二非弯折区102中收线，对应薄膜上芯片(chip on film，COF)导线顺序收线回到原定义位置，薄膜上芯片例如包含基板14及驱动芯片16，基板14例如是可挠性基板。举例而言，次导线L112及L114收线回导线L110，次导线L122及L124收线回导线L120，次导线L132及L134收线回导线L130，次导线L142及L144收线回导线L140，次导线L152及L154收线回导线L150，次导线L162及L164收线回导线L160。换句话说，多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160在第二非弯折区102中的排列顺序与在第一非弯折区100中的排列顺序相同。
请参照图6，在电子装置40中，多条导线L110’、L120、L130、L140、L150、L160从第一非弯折区100延伸至弯折区200。虽然图6中示出导线L110’、L120、L130、L140、L150、L160，但导线的数目及配置不以此为限。本实施例的电子装置40大致相似于图3的电子装置10，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例的电子装置40不同于电子装置10之处主要在于导线L120及L130的次导线配置于导线L110’的两条次导线L112’及L114’之间，次导线L114’包含第一部分L114’-1、第二部分L114’-2及第三部分。更详细而言，导线L110’的次导线L112’及L114’之间可以配置一条或一条以上其他导线的次导线，但本揭露并不以此为限。
请参照图7，在电子装置50中，多条导线L410、L420、L430、L440、L140、L150、L160从第一非弯折区100延伸至弯折区200。虽然图7中示出导线L410、L420、L430、L440、L140、L150、L160，但导线的数目及配置不以此为限。本实施例的电子装置50大致相似于图3的电子装置10，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。至少部分多条导线L410、L420、L430、L440、L140、L150、L160在第一非弯折区100以及弯折区200中分支成次导线。更详细而言，导线L410分支成两条次导线L412及L414，次导线L414包含第一部分L414-1、第二部分L414-2及第三部分。导线L420分支成两条次导线L422及L424，次导线L424包含第一部分L424-1、第二部分L424-2及第三部分。导线L430分支成两条次导线L432及L434，次导线L434包含第一部分L434-1、第二部分L434-2及第三部分。导线L440分支成两条次导线L442及L444，次导线L444包含第一部分L444-1、第二部分L444-2及第三部分。导线L140分支成两条次导线L142及L144，次导线L144包含第一部分L144-1、第二部分L144-2及第三部分。导线L150分支成两条次导线L152及L154，次导线L154包含第一部分L154-1、第二部分L154-2及第三部分。导线L160分支成两条次导线L162及L164。次导线L164包含第一部分L164-1、第二部分L164-2及第三部分。本实施例的电子装置50不同于电子装置10之处主要在于导线L410、L420、L430、L440例如是以四条导线为一组进行分支且次导线交错配置，但本揭露并不以此为限。举例而言，以导线L410、L420、L430、L440为一组进行分支且次导线L414、L412、L422、L424、L432、L434、L422、L424交错配置。此外，导线L410、L420、L430、L440、L140、L150、L160可在第一非弯折区100中的相同或不同区域分支成次导线。举例而言，导线L410、L420、L430、L440、L140、L150、L160可在相同行或不同行的像素区PR中分支成次导线。在本实施例中，至少部分多条导线L410、L420、L430、L440中的一条与另一条的两条次导线交错配置，但本揭露并不以此为限。举例而言,导线L430可以配置于另一条导线L420的两条次导线L422及L424之间。或者，至少部分多条导线L410、L420、L430、L440的次导线彼此交错配置，举例而言，导线L430的次导线L434例如可配置于导线L410的次导线L412与导线L420的次导线L422之间。或者，在导线L420的两条次导线L422及L424之间配置导线L440的次导线L444、导线L430的次导线L432、导线L410的次导线L414及导线L440的次导线L442，但不以此为限。
请参照图8，在电子装置60中，多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160从第一非弯折区100延伸至弯折区200A。虽然图8中示出导线L110、L120、L130、L140、L150、L160，但导线的数目及配置不以此为限。本实施例的电子装置60大致相似于图3的电子装置10，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。至少部分多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160在第一非弯折区100以及弯折区200A中分支成次导线。更详细而言，在第一非弯折区100以及弯折区200A中，导线L110分支成两条次导线L112及L114，次导线114包含第一部分L114-1、第二部分L114-2、及第三部分。导线L120分支成两条次导线L122及L124，次导线L124包含第一部分L124-1、第二部分L124-2及第三部分，导线L130分支成两条次导线L132及L134，次导线L134包含第一部分L134-1、第二部分L134-2及第三部分，导线L140分支成两条次导线L142及L144，次导线L144包含第一部分L144-1、第二部分L144-2及第三部分，导线L150分支成两条次导线L152及L154，次导线L154包含第一部分L154-1、第二部分L154-2及第三部分，导线L160分支成两条次导线L162及L164，次导线L164包含第一部分L164-1、第二部分L164-2及第三部分。本实施例的电子装置60不同于电子装置10之处主要在于弯折区200A具有内凹RS，以使次导线L112、L114、L122、L124、L132、L134、L142、L144、L152、L154、L162及L164向内集中。例如次导线L112、L114、L122、L124、L132、L134、L142、L144、L152、L154、L162及L164在靠近弯折区200A的第一非弯折区100中向内集中，意即，于此实施例中，次导线L112、L114、L122、L124、L132、L134、L142、L144、L152、L154、L162及L164中的两者于弯折区200A中的距离会小于在第一非弯折区100中的距离。弯折区200A的内凹RS可包括梯形内凹，虽然在图8中示出的是梯形，但本揭露并不以此为限，内凹RS也可包括具有圆角的梯形内凹。举例而言，弯折区200A的内凹RS中，梯形的顶角R虽为钝角，顶角R也可以是具有弧度的圆角。弯折区200A的梯形内凹RS的内凹宽度h(例如沿方向X上的宽度)例如是约一个像素间距p的宽度，或是宽度h例如大于或等于一个像素间距p的宽度。
请参照图8，在本实施例中，至少部分多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160中的一条与另一条的两条次导线交错配置。举例而言，导线L120可配置于另一条导线L130的两条次导线L132及L134之间，即导线L120与次导线L132及导线l34交错配置。在另一些实施例中，于第一非弯折区100或/及弯折区200A中，至少部分多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160中的一条的两条次导线与至少部分多条导线L110、L120、L130、L140、L150、L160中的另一条的两条次导线交错配置。举例而言，导线L110的次导线L114例如可配置于导线L120的次导线L122与导线L130的次导线L132之间。或者，在导线L110的两条次导线L112及L114之间配置导线L120的次导线L122及导线L130的次导线L134。然而，本揭露并不以此为限。
综合上述，在本揭露的实施例中，通过至少部分多条导线在弯折区中分支成次导线，且至少部分多条导线中的每一条具有两条次导线,且两条次导线间以不小于1mm的距离彼此分隔，或至少部分多条导线中的每一条具有两条次导线,且两条次导线间以不小于3mm的距离彼此分隔，或至少部分多条导线中的每一条的两条次导线之间的距离不小于像素间距，以改善电子装置弯折区导线断线的情形。
以上各实施例仅用以说明本揭露的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本揭露进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭露各实施例技术方案的范围。
虽然本揭露的实施例及其优点已揭露如上，但应该了解的是，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本揭露的神和范围内，当可作更改、替代与润饰，且各实施例间的特征可任意互相混合替换而成其他新实施例。此外，本揭露的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中技术人员可从本揭露揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本揭露使用。因此，本揭露的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本揭露的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。本揭露的保护范围当视所附的权利要求所界定者为准。
Claims (10)
1.一种电子装置，其特征在于，包括：
基板，包括第一非弯折区及弯折区；以及
多条导线，从所述第一非弯折区延伸至所述弯折区，
其中至少部分的所述多条导线在所述弯折区中分支成次导线，且所述至少部分的所述多条导线中的每一条具有两条次导线，且所述两条次导线间以不小于1mm的距离彼此分隔。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述两条次导线间以不小于3mm的距离彼此分隔。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述基板还包括第二非弯折区，所述弯折区位于所述第一非弯折区及所述第二非弯折区之间。
4.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于，所述多条导线延伸至所述第二非弯折区。
5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述至少部分的所述多条导线在所述第二非弯折区中延伸，且所述至少部分的所述多条导线中的每一条相应的所述次导线在所述第二非弯折区中收线。
6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述至少部分的所述多条导线在所述弯折区中延伸，所述至少部分的所述多条导线中的一条与另一条的所述两条次导线于所述弯折区中交错配置。
7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述至少部分的所述多条导线在所述弯折区中延伸，所述至少部分的所述多条导线中的一条的所述两条次导线与另一条的所述两条次导线于所述弯折区中交错配置。
8.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述弯折区具有内凹。
9.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述至少部分的所述多条导线在所述第一非弯折区中分支成所述次导线，且所述至少部分的所述多条导线中的每一条具有所述两条次导线，且所述两条次导线间以不小于1mm的距离彼此分隔。
10.根据权利要求9所述的电子装置，其特征在于，所述两条次导线间以不小于3mm的距离彼此分隔。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010112777.2A CN113299664A (zh) | 2020-02-24 | 2020-02-24 | 电子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010112777.2A CN113299664A (zh) | 2020-02-24 | 2020-02-24 | 电子装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113299664A true CN113299664A (zh) | 2021-08-24 |
Family
ID=77317779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010112777.2A Pending CN113299664A (zh) | 2020-02-24 | 2020-02-24 | 电子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113299664A (zh) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140217373A1 (en) * | 2013-02-01 | 2014-08-07 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display substrate, flexible organic light emitting display device and method for manufacturing the same |
| TW201602681A (zh) * | 2014-07-03 | 2016-01-16 | 群創光電股份有限公司 | 具不同彎曲程度的導線與遮光圖案之液晶顯示器 |
| US20170287936A1 (en) * | 2016-04-05 | 2017-10-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| CN108054188A (zh) * | 2017-12-20 | 2018-05-18 | 上海天马微电子有限公司 | 柔性显示装置 |
| CN108258016A (zh) * | 2016-12-26 | 2018-07-06 | 乐金显示有限公司 | 柔性显示装置 |
| US20180337223A1 (en) * | 2017-05-18 | 2018-11-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| CN109062442A (zh) * | 2018-08-16 | 2018-12-21 | 武汉天马微电子有限公司 | 有机发光显示面板和显示装置 |
| CN208488916U (zh) * | 2018-07-18 | 2019-02-12 | 昆山国显光电有限公司 | 柔性显示屏和显示装置 |
-
2020
- 2020-02-24 CN CN202010112777.2A patent/CN113299664A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140217373A1 (en) * | 2013-02-01 | 2014-08-07 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display substrate, flexible organic light emitting display device and method for manufacturing the same |
| TW201602681A (zh) * | 2014-07-03 | 2016-01-16 | 群創光電股份有限公司 | 具不同彎曲程度的導線與遮光圖案之液晶顯示器 |
| US20170287936A1 (en) * | 2016-04-05 | 2017-10-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| CN108258016A (zh) * | 2016-12-26 | 2018-07-06 | 乐金显示有限公司 | 柔性显示装置 |
| US20180337223A1 (en) * | 2017-05-18 | 2018-11-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| CN108054188A (zh) * | 2017-12-20 | 2018-05-18 | 上海天马微电子有限公司 | 柔性显示装置 |
| CN208488916U (zh) * | 2018-07-18 | 2019-02-12 | 昆山国显光电有限公司 | 柔性显示屏和显示装置 |
| CN109062442A (zh) * | 2018-08-16 | 2018-12-21 | 武汉天马微电子有限公司 | 有机发光显示面板和显示装置 |
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