CN108054188A - 柔性显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及柔性显示装置,包含:柔性基板,所述柔性基板包含弯曲区域;绝缘层,形成在所述柔性基板上,其中,在所述弯曲区域内所述绝缘层包含至少一缺口;多条布线,在所述弯曲区域中,所述布线沿所述绝缘层的表面形状设置;其中,所述缺口包含倾斜侧壁,所述倾斜侧壁具有背向所述柔性基板的凸形状,从而有效改善布线在弯曲区域发生短路或者断路的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及柔性显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展,显示面板制造技术也趋于成熟,现有的显示面板主要包括有机发光显示面板(Organic Light Emitting Diode Display)、液晶显示面板(Liquid Crystal Display,LCD)、等离子显示面板(Plasma Display Panel,PDP)等。作为自发光显示装置的有机发光显示装置不需要独立的光源。因此,有机发光显示装置能够在低电压下操作,重量轻而薄,并且提供诸如宽视角、高对比度和快速响应的高品质特性。因此,作为下一代显示装置的有机发光显示装置已经受到了关注。
进来,具有弯曲区域的的柔性有机发光显示装置已经被开发,然而其弯曲区域的设计还有待于进一步提高。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种柔性显示装置,有效改善弯曲区域中的绝缘层的裂纹和优化布线设计的柔性显示装置。
本发明提供一种柔性显示装置,包含:
柔性基板,所述柔性基板包含弯曲区域;
绝缘层,形成在所述柔性基板上,其中,在所述弯曲区域内所述绝缘层包含至少一缺口;
多条布线,在所述弯曲区域中,所述布线沿所述绝缘层的表面形状设置;
其中,所述缺口包含倾斜侧壁,所述倾斜侧壁具有背向所述柔性基板的凸形状。本发明实施例提供的柔性显示装置,通过在弯曲区域内的绝缘层包含至少一缺口,该缺口包含倾斜侧壁,该倾斜侧壁具有背向柔性基板的凸形状。一方面,该倾斜侧壁可以减小弯曲区域绝缘层的厚度,减小绝缘层的弯曲应力,降低绝缘层在弯曲时产生裂纹的概率;另一方面,本发明实施例中的倾斜侧壁可以防止布线在缺口处发生短路或者断路。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种柔性显示装置弯曲状态截面结构示意图;
图2为本发明实施例提供的另一种柔性显示装置弯曲状态截面结构示意图;
图3为本发明实施例提供的一种弯曲区域截面结构示意图;
图4为一种对比示例的柔性显示装置弯曲区域截面结构示意图;
图5为另一种对比示例柔性显示装置弯曲区域截面结构示意图;
图6为图5中对比示例的柔性显示装置弯曲区域另一种截面结构示意图;
图7为图5中对比示例的柔性显示装置弯曲区域局部俯视图;
图8为对比示例的一种柔性显示装置的弯曲状态截面结构示意图;
图9为图3中倾斜侧壁61的放大图;
图10为本发明实施例提供的一种柔性显示装置透视示意图;
图11为图10所示的柔性显示装置的未折叠状态透视示意图;
图12为本发明实施例提供的一种显示单元和非显示区的放大截面示意图;
图13为本发明实施例提供的又一种柔性显示装置弯曲状态截面结构示意图;
图14为本发明实施例提供的又一种柔性显示装置弯曲状态截面结构示意图;
图15为本发明实施例提供的一种柔性显示装置制备方法流程图;
图16为提供的柔性基板的截面示意图;
图17为形成缺口的制备方法示意图;
图18为在绝缘层上形成布线后的一种截面示意图;
图19为本发明实施例提供的一种柔性显示装置未弯曲时的截面结构示意图;
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂,下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式;相反,提供这些实施方式使得本发明更全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略对它们的重复描述。本发明中所描述的表达位置与方向的词,均是以附图为例进行的说明,但根据需要也可以做出改变,所做改变均包含在本发明保护范围内。本发明的附图仅用于示意相对位置关系,某些部位的层厚采用了夸示的绘图方式以便于理解,附图中的层厚并不代表实际层厚的比例关系。
需要说明的是,在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式的限制。如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解,硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式,而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为一开放式用语,故应解释成“包含但不限定于”。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式,然所述描述乃以说明本申请的一般原则为目的,并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。
请参照图1,图1为本发明实施例提供的一种柔性显示装置弯曲状态截面结构示意图,包含柔性基板10,柔性基板10包含弯曲区域BA;绝缘层20,形成在柔性基板10上,其中,在弯曲区域BA内绝缘层20包含至少一缺口60;多条布线50,在弯曲区域BA中,布线50沿绝缘层20的表面形状设置;其中,缺口60包含倾斜侧壁611,倾斜侧壁611具有背向柔性基板10的凸形状。本发明实施例中的绝缘层20在弯曲区域设置至少一缺口60,一方面,可以有效减小弯曲区域绝缘层的厚度,从而有效降低绝缘层20的弯折应力,防止绝缘层20在弯折时产生裂纹;另一方面,由于缺口60包含倾斜侧壁611,倾斜侧壁611具有背向柔性基板10的凸形状,使得多条布线50在缺口处可以沿着倾斜侧壁611的凸形状设置,防止多条布线由于缺口的存在而爬陡坡,在爬陡坡处造成布线50短路或者断路,需要说明的是,本发明实施例中的陡坡为缺口60靠近平坦区A的端点处的切线与柔性基板10所在平面间的夹角小于或者等于40°。需要说明的是,本发明实施例中,在弯曲区域中,布线50沿绝缘层20的表面形状设置包含绝缘层的缺口深度小于或者等于绝缘层厚度的情况,即在绝缘层厚度方向上,缺口60处绝缘层20可以全部挖掉或者部分挖掉,只要保证缺口60包含倾斜侧壁,倾斜侧壁60具有背向柔性基板10的凸形状即可。这样可以有效降低绝缘层弯折应力以及布线在绝缘层表面设置时不发生短路或者断路。示例性的,图1中缺口深度等于绝缘层的厚度,在弯曲区域BA,至少部分区域的绝缘层全部挖掉,可以有效降低弯折时无机层的弯折应力。
可选地,请参照图2,图2为本发明实施例提供的另一种柔性显示装置截面结构示意图。与图1的区别在于,图2中缺口60的深度小于绝缘层20的厚度,即在弯折区还保留了部分无机层,保留的无机层可以有效防止水汽或者氧气从柔性基板10处渗入到布线50甚至显示单元,对布线50或者显示单元造成侵蚀。保留部分绝缘层20可以防止柔性基板中的离子渗入到多条布线50,影响对布线50对信号的传输。
需要说明的是,柔性基板10可以包含具有柔性或者可弯曲特性的各种适合的有机材料。例如,以包括聚合物树脂,诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯树脂(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化物、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)和/或乙酸丙酸纤维素(CAP)。
需要说明的是,绝缘层20除缺口60之外的区域可以是平坦区,该平坦区可以允许有工艺上的波动,而非几何上的绝对平坦。对于倾斜侧壁611具有背向柔性基板10的凸形状可以参照图3,图3为本发明实施例提供的一种弯曲区域截面结构示意图(示意性地,图3中的截面图只画了部分膜层),倾斜侧壁611在靠近平坦区A具有两个端点,端点E和端点F,以端点E为例,端点E处的切线L1将平面分为两侧,端点E所在的倾斜侧壁62以及与倾斜侧壁62相连的平坦区G在该切线的同一侧。倾斜侧壁611处任意一点处的切线与柔性基板所在平面之间的夹角小于45°,使得绝缘层20以缓坡从平坦区过渡到缺口60的底部,防止布线发生短路或者断路。本发明实施例中的倾斜侧壁611具有背向柔性基板10的凸形状,可以有效防止布线从平坦区进入到缺口时由于较大的段差或尖角的存在而造成断线。
可选地,在非显示区NDA中,绝缘层20和多条布线50被钝化层90覆盖,其中,钝化层90可以为有机层。这样可以使得多条布线50可以被钝化层90保护,防止外界的空气和氧气侵蚀,影响布线对信号的传输。钝化层90采用有机层,可以改善弯曲区域的弯折性能,防止弯折时,在布线50和钝化层90之间发生剥离。
请参照图4,图4为一种对比示例的柔性显示装置的弯曲区域截面结构示意图(示意性地,图4中的截面图只画了部分膜层),图4中20’为绝缘层,50’为布线,图4中的绝缘层20’包含缺口60’,缺口60’包含倾斜侧壁61’和62’,倾斜侧壁61’和62’具有朝向基板的凸形状(即背离柔性基板的凹形状)绝缘层20’除缺口60’之外的区域可以是平坦区,例如平坦区G’,以倾斜侧壁62’为例进行说明,缺口60’在靠近平坦区具有两个端点,端点E’和端点F’,以端点E’为例,从图4中可以看出,端点E’所在的倾斜侧壁62’被E’处的切线L’分成两部分,其中倾斜侧壁62’的一部分M’和平坦区G’在切线L’的不同侧。图4中倾斜侧壁61’和62’具有朝向基板的凸形状,这使得缺口60’在靠近平坦区的端点处的切线和柔性基板所在平面的夹角(如图4中的ɑ1’)很大,超过40°,也使得布线50’在缺口的端点E’和端点F’具有尖角,布线在端点E’和端点F’的尖角处容易发生短路或者断路,特别是在弯折时,容易在端点处发生开裂,影响布线对信号的传输。
请参照图5、图6和图7,图5为另一种对比示例柔性显示装置弯曲区域截面结构示意图(示意性地,图5中的截面图只画了部分膜层),图6为图5中对比示例的柔性显示装置弯曲区域另一种截面结构示意图(示意性地,图6中的截面图只画了部分膜层),图7为图5中对比示例的柔性显示装置弯曲区域局部俯视图。图5中的柔性显示装置包含绝缘层20”,柔性基板10”,以及布线50”,其中,绝缘层20”包含缺口60”,缺口60”的侧壁为竖直侧壁61”和62”,在此情况下,在绝缘层20”上沉积布线50”并形成光致抗蚀剂掩模(未示出)之后,当通过经由干蚀刻部分地去除布线层50”时,布线50”的一部分未被去除并保留在竖直侧壁61”和62”周围,如图6和图7所示,布线50”在竖直侧壁底部B”和不能被有效被去除,相邻布线在绝缘层20”的底部发生短路,另外,由于缺口60”在竖直侧壁顶部E”布线需要爬陡坡或者尖角,这会造成布线50”在竖直侧壁顶部E”发生断线,参照图7,图7中布线在竖直侧壁顶部E”处发生断线,影响信号传输。在竖直侧壁底部B”处,布线未被去除,造成相邻布线间53’发生短路。
如图8所示,图8为对比示例的一种柔性显示装置的弯曲状态截面结构示意图,图8中的绝缘层20”包含缺口,缺口包含竖直侧壁61”,在弯曲区域,布线50”沿着绝缘层20”的表面形状形成,绝缘层20”和布线50”被包括有机材料的钝化层90”覆盖,弯曲时,钝化层90”会由于缺口的竖直侧壁61”的陡坡而剥离。例如,一些钝化层90”会与绝缘层20”和多条布线50”分离,如图8中箭头C”所示。钝化层90”主要是保护布线防止外界的水汽和氧气侵蚀,在钝化层分离的部分C”处容易受到外部空气和水汽的侵入,使得布线受到侵蚀,影响布线的正常工作。
与上述对比示例相比,本发明实施例中的倾斜侧壁60具有背向柔性基板10的凸形状,可以防止布线爬陡坡或尖角,从而改善弯曲区域BA中布线50的断线,或者在缺口底表面在相邻的布线50之间也不会有布线50的残留,造成相邻的布线间发生短路的情况,还可以保证在弯折时,钝化层90和布线50的紧密贴合,从而有效地保护布线不会被外界水汽和氧气的侵蚀。
可选地,倾斜侧壁61或62表面的任意一点的切线将平面分为两侧,其中,切线的切点所在的倾斜侧壁位于切线的同一侧。请参照图9,图9为图3中倾斜侧壁61的放大图,示例性的,图9中以倾斜侧壁61中靠近平坦区H的端点F、远离平坦区H的端点B以及端点B和端点F之间的点Q作为切点为例进行说明,端点B处的切线为切线b,端点F处的切线为切线f,端点Q处的切线为切线q,从图9中可以看出倾斜侧壁61均位于切线B的同一侧、切线q的同一侧以及切线f的同一侧。本发明实施例中的倾斜侧壁61没有尖角,不会造成断线,也没有竖直的侧壁,相邻布线50间不会在缺口60底部发生短路,钝化层90也可以很好的贴附在布线50的表面,弯折时钝化层90不会发生和布线50脱离的现象。
可选地,继续参照图3和图9,倾斜侧壁611可以包含彼此隔开的第一侧壁61和第二侧壁62,至少一个缺口60的底表面63设置在第一侧壁61和第二侧壁62之间,在远离底表面63的方向上,第一侧壁61表面的切线和柔性基板10所在平面间的夹角逐渐减小,第二侧壁62表面的切线和柔性基板10所在平面间的夹角逐渐减小。图9中,在远离底表面63的方向上依次包含点B、点Q和点F,切线b、切线q、切线F和柔性基板所在平面的夹角依次减小,可选的,端点F处的切线f和柔性基板所在平面的夹角小于或等于40°,本发明实施例中的绝缘层20可以采用化学气相沉积的方式制备,在缺口60上方设置掩膜板,在掩膜板周边区域发生外扩效应(shadow效应),使得部分绝缘层沉积在缺口60所在的区域,使得绝缘层20的缺口60与平坦区相邻的端点处的切线与柔性基板所在平面的夹角小于或等于40°。这与采用刻蚀糊将绝缘层进行刻蚀的方法形成缺口不同,如图4所示,采用刻蚀糊形成缺口的端点E’所在的倾斜侧壁62’被E’处的切线L’分成两部分,其中倾斜侧壁62’的一部分M’和平坦区G’在切线L’的不同侧。图4中倾斜侧壁61’和62’具有朝向基板的凸形状,这使得缺口60’在靠近平坦区的端点处的切线和柔性基板所在平面的夹角(如图4中的ɑ1’)很大,超过40°。采用刻蚀糊的方式制备的缺口在端点处会形成尖角或陡坡,布线50在陡坡处容易发生短路或者断路。在其他实施例中,端点F处的切线f和柔性基板所在平面的夹角为0°,这样可以使得绝缘层20从平坦区H平滑地过渡到缺口,而不会造成陡坡更不会有尖角,使布线在倾斜侧壁处可以很好的排布,不会发生短路或者断线的情况。另外,在远离底表面63的方向上,第一侧壁61表面的切线和柔性基板10所在平面间的夹角逐渐减小,第二侧壁62表面的切线和柔性基板10所在平面间的夹角逐渐减小,可以使得倾斜侧壁具有平滑的背向所述柔性基板的凸形状,使得弯折应力在倾斜侧壁的表面均匀分布,防止应力集中在某一点上,在该点处发生断裂的情况。
请参照图10,图10为本发明实施例提供的一种柔性显示装置透视示意图,在柔性基板10上,该柔性显示装置包含显示单元30,显示单元30包含多个像素P,例如,多个像素P可以包含红色像素、绿色像素和蓝色像素,并通过红色像素、绿色像素和蓝色像素的组合来显示图像。各个像素P包含像素电路和有机发光二极管。像素电路包含至少两个薄膜晶体管和至少一个存储电容器,并控制有机发光二极管的发光。
可选地,请参照图11,图11为图10所示的柔性显示装置的未折叠状态透视示意图。柔性基板10包含显示区域DA,在显示区域DA设置有显示单元。柔性基板10的非显示区NDA包含多个焊盘电极110和多条布线50。多个焊盘电极110形成在柔性基板10的边缘上,多条布线50和多个焊盘电极110和显示单元30上形成的多条信号线电连接。该信号线可以包含扫描线、数据线和驱动电压线等。多个焊盘电极110电连接到驱动器80的输出线,驱动器80用将用于显示器的功率和各种信号输出到焊盘电极110。
驱动集成电路70可以安装在柔性基板10的非显示区NDA上。驱动集成电路70可以使用各向异性导电膜以塑料芯片的方法安装在柔性基板10上。驱动集成电路70可以是数据驱动器。然而本发明实施例不限于此。
当驱动集成器70安装在柔性基板10上时,多条布线50可以被划分成连接多个焊盘电极110和驱动集成电路70的多条输入布线51以及连接驱动集成电路70和显示单元30的多条输出布线52。
请继续参照图11,当非显示区域NDA设置为与显示区域DA平行时,位于显示单元30外侧的非显示空间增加。请参照图1,为了减小边框,提高视觉效果,弯曲区域(BA)包括在非显示区域NDA中。弯曲区域BA基于弯曲轴BX而弯曲,弯曲轴BX与x轴平行。
弯曲区域BA可以是非显示区域NDA内的包括在显示单元30与驱动集成电路70之间的区域,例如,其中设置多条输出布线52的区域。驱动集成电路70和多个焊盘电极110通过弯曲区域BA在显示单元30的后侧与显示单元30叠置。本发明实施例提供的柔性显示装置可以通过弯曲区域BA使显示单元30的外侧的非显示区最小化,提高视觉效果。
下面详细介绍显示单元30的结构。
可选地,请参照图12,图12为本发明实施例提供的一种显示单元和非显示区域的放大截面示意图。图9中示意性示出显示单元包含的驱动晶体管T1、开关晶体管T2、存储电容Cst和有机发光二极管OLED的截面图,在柔性基板10上可以依次设置有阻挡层21、缓冲层22。在形成多晶硅(半导体)的结晶工艺期间柔性基板10会产生杂质,阻挡层21和缓冲层22可以阻挡杂质渗入到多晶硅中。其中,阻挡层21可以包含氧化硅和氮化硅的多层,缓冲层22可以包含氧化硅和氮化硅的单层。需要说明的是,图12中以在柔性基板10上设置有阻挡层21、缓冲层22为例进行说明,在其他实施方式中,也可以不设置阻挡层21、缓冲层22,或者只设置二者中的一者,示具体要求而定,此处不做限定。
驱动沟道212和开关沟道222的半导体形成在缓冲层22上。驱动源电极213和和驱动漏电极211形成在驱动沟道212的相对侧,以接触驱动沟道212。开关源电极223和开关漏电极221形成在开关沟道222的相对侧处,以接触开关沟道222。
栅极绝缘层2234形成在半导体上,示例性地,图12中包含第一栅极绝缘层23和第二栅极绝缘层24,第一栅极绝缘层23形成在半导体上,驱动栅电极214和开关栅电极224设置在第一栅极绝缘层23上。第二栅极绝缘层24形成在驱动栅电极214和开关栅电极224上,第二存储电极232设置在第二栅极绝缘层24上。第一栅极绝缘层23和第二栅极绝缘层24可以包含氧化硅、氮化硅等。
存储电容器Cst包括第一存储电极231和第二存储电极232,第二栅极绝缘层24设置在第一存储电极231和第二存储电极232之间。第一存储电极231可以与驱动栅电极214对应。第二栅极绝缘层24是介电材料,存储电容器由在存储电容器Cst中充入的电荷和在第一存储电极231与第二存储电极232之间的电压来确定。
驱动晶体管T1、开关晶体管T2和存储电容器Cst被层间绝缘层25覆盖。层间绝缘层25可以包含氧化硅或者氮化硅。数据线205设置在层间绝缘层25上。数据线205通过形成在层间绝缘层25、第一栅极绝缘层23、第二栅极绝缘层24中的过孔连接到开关晶体管T2的源电极223。
数据线205被平坦化层255覆盖,有机发光二极管OLED形成在平坦化层255上。有机发光二极管OLED至少包括阳极241、发光像素242、设置在发光像素242背离阳极241一侧的阴极243,相邻发光像素242之间设置有像素定义层244,用于限定每个发光像素242的发光区域。像素定义层242可以包括聚丙烯酸树脂类树脂、聚酰亚胺类树脂或硅石类无机材料。有机发光二极管OLED可以进一步包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的一层或多层。空穴注入层和/或空穴传输层可被设置在阳极241与发光像素242之间。电子注入层和/或电子传输层可被设置在阴极243与发光像素242之间。空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层可形成于柔性基板的整个显示区域上。需要说明的是,本发明实施例以顶发射的有机发光二极管为例进行说明,在其他实施例中还可以为底发射结构。需要说明的是,对于顶发射结构,阳极241可以包含ITO-Ag-ITO(即,氧化铟锡-银-氧化铟锡)的结构,阳极241可以有效将发光像素层发射的光反射到出光侧,提高出光效率,从阳极241极注入的空穴和从阴极243注入的电子在发光像素242中结合以产生激子,激子从激发态落到基态并产生光。
请继续参照图1,显示单元30可以被封装层40密封。封装层40可以包含至少一有机封装层和至少一无机封装层。有机封装层的材料可包括聚合物,如可以是由聚对苯二甲酸乙二酯、聚酰亚胺、聚碳酸脂、环氧树脂、聚乙烯、聚丙烯酸酯、有机硅氧烷等形成的单层或堆叠层。无机封装层可以是包含金属氧化物、非金属氧化物、氮化物的单层或堆叠层。例如无机封装层可包含SiNx(氮化硅)、Al2O3(氧化铝)、SiO2(氧化硅)、SiOxNy(氮氧化硅)和TiO2(氧化钛)中的一种或者其任意组合。需要说明的是,本发明实施例对于封装层40的具体材料和结构不做限定。
绝缘层20包含堆叠设置在柔性基板10上的至少一个无机层,至少一缺口60设置在无机层的最外层的至少一个层中。可选地,绝缘层20可以包含栅极绝缘层2234和层间绝缘层25中的至少一层。
可选地,绝缘层20也可以包含阻挡层21、缓冲层22、栅极绝缘层2234和层间绝缘层25中的至少一层。其中,栅极绝缘层2234可以包含第一栅极绝缘层23和第二栅极绝缘层24。
例如,绝缘层20可以包含阻挡层21、缓冲层22、第一栅极绝缘层23、第二栅极绝缘层24和层间绝缘层25,缺口60形成在层间绝缘层25中,或者形成在层间绝缘层25和第二栅极绝缘层24中,或者形成在层间绝缘层25、第二栅极绝缘层24和第一栅极绝缘层23中,或者形成在层间绝缘层25、第二栅极绝缘层24、第一栅极绝缘层23和缓冲层22中,或者形成在阻挡层21、缓冲层22、第一栅极绝缘层23、第二栅极绝缘层24和层间绝缘层25的所有层中。示例性地,图12中绝缘层包含阻挡层21、缓冲层22、第一栅极绝缘层23、第二栅极绝缘层24和层间绝缘层25,缺口60形成在第一栅极绝缘层23、第二栅极绝缘层24和层间绝缘层25中。
例如,绝缘层20可以包含缓冲层22、第一栅极绝缘层23、第二栅极绝缘层24和层间绝缘层25。开口设置在层间绝缘层25,或者设置在第二栅极绝缘层24和层间绝缘层25、或者设置在第一栅极绝缘层23、第二栅极绝缘层24和层间绝缘层25,或者设置在缓冲层22、第一栅极绝缘层23、第二栅极绝缘层24和层间绝缘层25的所有层中。
需要说明的是,上述只是示例,并不对绝缘层20包含的膜层和设置缺口的膜层造成限定。
可选地,请继续参照图9,倾斜侧壁61在柔性基板10所在平面的投影的长度为D,绝缘层20厚度为V,其中D/V≥2。如果D太小或者V太大,都会导致D/V太小,这会影响倾斜侧壁61和底表面63的过渡衔接,在缺口底表面63处可能会发生布线残留,导致相邻的布线间发生短路。
可选地,绝缘层20的厚度V为0.02um~2um。可选地,倾斜侧壁长度D为20um~300um。绝缘层20的厚度V为0.02um~2um,可以使绝缘层20对布线以及显示单元中的像素电路具有保护作用,防止柔性基板中的离子渗入到布线或者像素电路,影响布线50和像素电路的电性能。柔性基板10剥离时如果采用激光剥离的方式时,绝缘层还可以防止激光对像素电路的损伤。绝缘层20厚度太薄对布线或者像素电路不具有保护功能;绝缘层20厚度太厚,倾斜侧壁的长度需要更长,这会增加非显示区的无用空间,如果倾斜侧壁的长度不长的话,那么在缺口处可能会产生陡坡,造成断线或者短路。
可选地,请参照图13,图13为本发明实施例提供的又一种柔性显示装置弯曲状态截面结构示意图,与图1不同的地方在于弯曲区域内的绝缘层20包含多个缺口60,多个缺口60沿多条布线50的长度方向彼此隔开。多个缺口60中的每个沿与弯曲轴BX平行的方向延伸形成。图13中示意性地示出了包含2个缺口60,但是缺口60的数量不限于此,本领域技术人员可以根据需求设置缺口60的数量。
可选地,请继续参照图1和图3,缺口60的宽度W满足W≥n/180°(πR),其中,0<n≤180°,本发明实施例提供的技术方案,弯曲区域内绝缘层20包含至少一缺口60,使得绝缘层20在弯曲区域的厚度变薄,减小绝缘层20在弯曲区域弯折时的应力。而且缺口60的宽度W取值为W≥n/(180°)πR,不会使弯曲区域弯折时产生的应力集中在缺口60上,可以缓解应力集中程度,可释放缺口60上的一部分应力。可选地,缺口60的宽度W满足,W≥πR,其中,R为弯折半径。示例性地,图1中以包含1个缺口60,且缺口60的宽度W≥πR为例进行说明,当缺口宽度W≥πR时,倾斜侧壁611在靠近平坦区端点E和端点F在弯曲区域BA外侧,弯曲区域弯曲时产生的应力不会集中于缺口60的端点E和端点F,防止弯曲区域产生的弯折应力集中于缺口的爬坡位置,防止布线50在爬坡位置出现断线。另外一方面,设置缺口60的宽度W≥πR,可以使得缺口的倾斜侧壁从平坦区缓慢地过渡到缺口的底表面,防止造成陡坡。
可选地,当倾斜侧壁611包含彼此隔开的第一侧壁61和第二侧壁62,至少一个缺口60的底表面63设置在第一侧壁61和所述第二侧壁62之间时,底表面63的宽度为W2,W2≥πR,其中,R为弯折半径。由于倾斜侧壁611中的的底表面63的厚度较薄,弯折应力较小,且当底表面63的宽度W2≥πR时,倾斜侧壁611在弯曲区域BA外侧,弯曲区域弯曲时产生的应力不会集中于倾斜侧壁611以及缺口60的端点E和端点F。
可选地,请参照图14,图14为本发明实施例提供的又一种柔性显示装置弯曲状态截面结构示意图,倾斜侧壁60包含彼此隔开的第一侧壁61和第二侧壁62,缺口60的底表面63设置在第一侧壁61和第二侧壁62之间,底表面63位于弯曲区域,绝缘层20的边缘与弯折区域起始点距离K大于或等于50um。本发明实施例设置绝缘层20的边缘与弯折区域起始点距离K大于或等于50um,可以使弯曲区域中没有绝缘层20,且绝缘层的边缘距离弯曲区域有一定的距离,减小弯曲应力。
可选地,本发明实施例还提供一种柔性显示装置的制备方法。请参照图15,图15为本发明实施例提供的一种柔性显示装置制备方法流程图,包括:
S610:提供柔性基板10,如图16所示,图16为提供的柔性基板的截面示意图;
S620:在柔性基板10上形成绝缘层20,在形成绝缘层20的形成过程中形成缺口60;其中,绝缘层20可以和显示单元中的第一栅极绝缘层23、第二栅极绝缘层24和层间绝缘层25中至少一层同层制备,或者绝缘层20还可以包含在制备显示单元之前在柔性基板上形成的阻挡层21和缓冲层22中的至少一层。绝缘层20采用化学气相沉积的方式制备,如图17所示,图17为形成缺口的制备方法示意图,在与缺口60对应的上方设置掩膜板310,未被掩膜板310挡住的区域可以沉积绝缘层20,在掩膜板310周边的区域由于外扩效应(shadow效应)部分绝缘层沉积在缺口60所在的区域,从而在缺口处形成具有背向柔性基板10的凸形状的倾斜侧壁611。采用该方法制备的缺口60可以包含彼此隔开的第一侧壁61和第二侧壁62,至少一个缺口60的底表面63设置在第一侧壁61和第二侧壁62之间,在远离底表面63的方向上,第一侧壁61表面的切线和柔性基板所在平面间的夹角逐渐减小,第二侧壁62表面的切线和柔性基板所在平面间的夹角逐渐减小。甚至,第一侧壁61和第二侧壁62包含靠近所述弯曲区域起始端的第一端E和远离弯曲区域起始端的第二端F,第一端E表面的切线和柔性基板10所在的平面的夹角小于或者等于30°。在其他实施方式中,可以使得第一端E表面的切线和柔性基板10所在平面的夹角等于0°,这样可以使得绝缘层20从平坦区平滑地过渡到缺口60,而不会形成陡坡或尖角,使布线50在倾斜侧壁处可以很好的排布,不会发生短路或者断线的情况。在远离底表面63的方向上,第一侧壁61表面的切线和柔性基板所在平面间的夹角逐渐减小,第二侧壁62表面的切线和柔性基板所在平面间的夹角逐渐减小可以保证多条布线50在绝缘层上形成时有较好的贴附,不会发生断线或者相邻布线间发生短路。需要说明的是,可以通过控制掩膜板130的长度和宽度以及控制化学气相沉积的时间可以调节缺口60的深度以及缺口60倾斜侧壁的长度。需要说明的是,在其他实施例中,还可以通过调节掩膜板的宽度,使得缺口60的第一侧壁61和第二侧壁62在缺口底部相接或者在底部重叠。
S630:在绝缘层20上形成布线50,参照图18,图18为在绝缘层上形成布线后的一种截面示意图。布线可以采用金属层图案化形成多条布线50,由于缺口的倾斜侧壁具有背向所述柔性基板的凸形状,可以防止在缺口的端点处发生断线或者在缺口底部发生金属残留,造成相邻布线间发生短路。
需要说明的是,柔性基板10可以被划分为设置显示单元30的显示区域DA和位于显示区域DA外侧的非显示区域NDA,在显示区域DA和非显示区域NDA两者上形成绝缘层20。在形成绝缘层20的过程中可以形成多个晶体管和存储电容器。
另外,请参照图19,图19为本发明实施例提供的一种柔性显示装置未弯曲时的截面结构示意图。驱动集成电路70安装在非显示区域NDA上,钝化层90形成在整个非显示区域NDA上,由于在缺口60处形成具有背向柔性基板10的凸形状的倾斜侧壁611,使得钝化层和布线50间具有较好的贴附,弯曲后,不会在钝化层90和多条布线50之间发生剥离。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本发明的保护范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。
Claims (24)
1.一种柔性显示装置,其特征在于,包含:
柔性基板,所述柔性基板包含弯曲区域;
绝缘层,形成在所述柔性基板上,其中,在所述弯曲区域内所述绝缘层包含至少一缺口;
多条布线,在所述弯曲区域中,所述布线沿所述绝缘层的表面形状设置;
其中,所述缺口包含倾斜侧壁,所述倾斜侧壁具有背向所述柔性基板的凸形状。
2.根据权利要求1所述的柔性显示装置,其特征在于,所述倾斜侧壁表面的任意一点的切线将平面分为两侧,其中,所述切线的切点所在的倾斜侧壁位于所述切线的同一侧。
3.根据权利要求1所述的柔性显示装置,其特征在于,所述倾斜侧壁包含彼此隔开的第一侧壁和第二侧壁,所述至少一个缺口的底表面设置在所述第一侧壁和所述第二侧壁之间,在远离所述底表面的方向上,所述第一侧壁表面的切线和所述柔性基板所在平面间的夹角逐渐减小,所述第二侧壁表面的切线和所述柔性基板所在平面间的夹角逐渐减小。
4.根据权利要求3所述的柔性显示装置,其特征在于,所述第一侧壁和所述第二侧壁包含靠近所述弯曲区域起始端的第一端和远离所述弯曲区域起始端的第二端,所述第一端表面的切线和所述柔性基板所在平面的夹角小于或者等于40°。
5.根据权利要求4所述的柔性显示装置,其特征在于,所述第一端表面的切线和所述柔性基板所在平面的夹角等于0°。
6.根据权利要求3所述的柔性显示装置,其特征在于,所述倾斜侧壁在所述柔性基板所在平面的投影的长度为D,所述绝缘层厚度为V,其中D/V≥2。
7.根据权利要求6所述的柔性显示装置,其特征在于,所述绝缘层厚度V为0.02um~2um。
8.根据权利要求6所述的柔性显示装置,其特征在于,所述倾斜侧壁长度H为20um~300um。
9.根据权利要求1所述的柔性显示装置,其特征在于,包含多个缺口,所述多个缺口沿所述多条布线的长度方向彼此隔开。
10.根据权利要求1所述的柔性显示装置,其特征在于,所述缺口的宽度W满足W≥n/180°(πR),其中,0<n≤180°,R为弯折半径。
11.根据权利要求10所述的柔性显示装置,其特征在于,所述缺口的宽度W满足,W≥πR,其中,R为弯折半径。
12.根据权利要求11所述的柔性显示装置,其特征在于,所述倾斜侧壁包含彼此隔开的第一侧壁和第二侧壁,所述至少一个缺口的底表面设置在所述第一侧壁和所述第二侧壁之间,所述底表面的宽度为W2,W2≥πR,其中,R为弯折半径。
13.根据权利要求1所述的柔性显示装置,其特征在于,所述弯曲区域基于所述弯曲轴而弯曲,所述至少一个缺口的延伸方向与所述弯曲轴平行。
14.根据权利要求1所述的柔性显示装置,其特征在于,所述柔性基板包含显示区域和非显示区域,所述弯曲区域设置在所述非显示区域中。
15.根据权利要求14所述的柔性显示装置,其特征在于,还包括:形成在所述柔性基板的显示区域中的显示单元,其中,所述多条布线电连接到包括在所述显示单元中的多条信号线。
16.根据权利要求15所述的柔性显示装置,其特征在于,还包括形成在所述非显示区的驱动集成电路和多个焊盘电极,所述驱动集成电路以及所述多个焊盘电极和所述多条布线电连接。
17.根据权利要求16所述的柔性显示装置,其特征在于,所述驱动集成电路和所述多个焊盘电极通过所述弯曲区域在所述显示单元的后侧与所述显示单元叠置。
18.根据权利要求1所述的柔性显示装置,其特征在于,所述绝缘层包含堆叠设置在所述柔性基板上的至少一个无机层,所述至少一缺口设置在所述无机层的最外层的至少一个层中。
19.根据权利要求18所述的柔性显示装置,其特征在于,所述柔性基板包含显示区域和非显示区域,在所述柔性基板的显示区域中设置有显示单元,所述显示单元包含栅极绝缘层和层间绝缘层,所述无机层包含栅极绝缘层和层间绝缘层中的至少一个层。
20.根据权利要求19所述的柔性显示装置,其特征在于,在所述柔性基板和所述显示单元之间包含缓冲层和阻挡层中的至少一个层,所述无机层包含所述缓冲层、所述阻挡层、所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层中的至少一个层。
21.根据权利要求20所述的柔性显示装置,其特征在于,所述非显示区中的所述绝缘层和所述多条布线被钝化层覆盖。
22.根据权利要求21所述的柔性显示装置,其特征在于,所述钝化层包含有机层。
23.根据权利要求1-22任意一项所述的柔性显示装置,其特征在于,所述缺口的深度等于所述绝缘层的厚度。
24.根据权利要求23所述的柔性显示装置,其特征在于,所述倾斜侧壁包含彼此隔开的第一侧壁和第二侧壁,所述缺口的底表面设置在所述第一侧壁和所述第二侧壁之间,所述底表面位于所述弯曲区域,所述绝缘层边缘与所述弯折区域起始点距离大于或等于50um。
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---|---|---|---|
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US15/913,071 US10340326B2 (en) | 2017-12-20 | 2018-03-06 | Flexible display apparatus having a bending area cutout |
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---|---|---|---|
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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---|---|---|---|
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Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10340326B2 (zh) |
CN (1) | CN108054188B (zh) |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108735103A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-11-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示背板 |
CN109032407A (zh) * | 2018-07-25 | 2018-12-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性触控基板和触控装置 |
CN109103345A (zh) * | 2018-08-17 | 2018-12-28 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN109524572A (zh) * | 2018-10-08 | 2019-03-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示装置的制作方法 |
CN110060954A (zh) * | 2019-04-25 | 2019-07-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及制作方法 |
TWI679763B (zh) * | 2018-06-13 | 2019-12-11 | 友達光電股份有限公司 | 可撓性電子裝置 |
CN110610961A (zh) * | 2019-08-20 | 2019-12-24 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板和显示面板 |
WO2020000579A1 (zh) * | 2018-06-29 | 2020-01-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled显示装置 |
WO2020052193A1 (zh) * | 2018-09-14 | 2020-03-19 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法 |
CN111128012A (zh) * | 2018-10-30 | 2020-05-08 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
WO2020155942A1 (zh) * | 2019-01-30 | 2020-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板、柔性显示面板及其制作方法 |
CN111613135A (zh) * | 2019-02-22 | 2020-09-01 | 三星显示有限公司 | 柔性显示设备 |
CN111724679A (zh) * | 2020-06-08 | 2020-09-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性折叠屏及其制作方法 |
CN112151573A (zh) * | 2019-06-26 | 2020-12-29 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
TWI717911B (zh) * | 2019-11-25 | 2021-02-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
US11094770B2 (en) | 2019-08-20 | 2021-08-17 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Array substrate and display panel |
CN113299664A (zh) * | 2020-02-24 | 2021-08-24 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置 |
JPWO2020145296A1 (ja) * | 2019-01-09 | 2021-10-14 | 株式会社Joled | 表示パネルおよび表示装置 |
CN114758582A (zh) * | 2022-05-17 | 2022-07-15 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102524340B1 (ko) * | 2018-02-22 | 2023-04-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN110752230B (zh) * | 2018-07-24 | 2023-04-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性基板及其制作方法、显示装置 |
CN208766968U (zh) * | 2018-09-29 | 2019-04-19 | 昆山国显光电有限公司 | 一种柔性显示面板及柔性显示装置 |
KR102677937B1 (ko) * | 2018-10-11 | 2024-06-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102586636B1 (ko) * | 2018-10-11 | 2023-10-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 폴더블 표시장치 |
US11056630B2 (en) * | 2019-02-13 | 2021-07-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display module having glass substrate on which side wirings are formed and manufacturing method of the same |
CN110515499B (zh) * | 2019-08-30 | 2023-06-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种触控面板及触控显示装置 |
KR20210035382A (ko) | 2019-09-23 | 2021-04-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 캐리어 패널 |
WO2021102810A1 (zh) * | 2019-11-28 | 2021-06-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示面板及拼接屏 |
KR20210086285A (ko) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN213240763U (zh) * | 2020-09-25 | 2021-05-18 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 |
CN114927071B (zh) * | 2022-05-31 | 2023-06-27 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示模组和显示装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1864095A (zh) * | 2003-10-04 | 2006-11-15 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于制造具有柔性层结构的设备的设备和方法 |
CN106449695A (zh) * | 2015-08-06 | 2017-02-22 | 三星显示有限公司 | 柔性显示装置 |
CN206282888U (zh) * | 2016-12-28 | 2017-06-27 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种柔性显示面板和显示装置 |
CN107134466A (zh) * | 2017-04-19 | 2017-09-05 | 友达光电股份有限公司 | 软性面板及其制作方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5428190A (en) * | 1993-07-02 | 1995-06-27 | Sheldahl, Inc. | Rigid-flex board with anisotropic interconnect and method of manufacture |
US5600179A (en) * | 1994-09-27 | 1997-02-04 | Nec Corporation | Package for packaging a semiconductor device suitable for being connected to a connection object by soldering |
JP3011233B2 (ja) * | 1997-05-02 | 2000-02-21 | 日本電気株式会社 | 半導体パッケージ及びその半導体実装構造 |
US6441476B1 (en) * | 2000-10-18 | 2002-08-27 | Seiko Epson Corporation | Flexible tape carrier with external terminals formed on interposers |
JP2001210919A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-08-03 | Sharp Corp | フレキシブル配線板およびそれを用いた電子機器 |
JP3908671B2 (ja) * | 2003-01-29 | 2007-04-25 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置およびそれを用いたディスプレイ装置 |
US9349969B2 (en) * | 2013-02-01 | 2016-05-24 | Lg Display Co., Ltd. | Electronic devices with flexible display and method for manufacturing the same |
KR102222680B1 (ko) * | 2013-02-01 | 2021-03-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 기판, 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
US9276055B1 (en) * | 2014-08-31 | 2016-03-01 | Lg Display Co., Ltd. | Display device with micro cover layer and manufacturing method for the same |
US9425418B2 (en) * | 2014-09-30 | 2016-08-23 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display device with bend stress reduction member and manufacturing method for the same |
KR102405257B1 (ko) * | 2015-01-28 | 2022-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102363261B1 (ko) * | 2015-04-16 | 2022-02-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉시블 디스플레이 패널 및 그 제조방법 |
CN107534713A (zh) * | 2015-04-17 | 2018-01-02 | 奥林巴斯株式会社 | 摄像装置 |
KR102463838B1 (ko) * | 2015-08-24 | 2022-11-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 장치와 이의 제조 방법 |
KR102542179B1 (ko) * | 2015-11-23 | 2023-06-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
KR102421578B1 (ko) * | 2015-12-02 | 2022-07-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 |
JP2018054736A (ja) * | 2016-09-27 | 2018-04-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN106784377B (zh) * | 2016-12-28 | 2018-06-29 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种柔性显示面板、显示装置和柔性显示面板的制作方法 |
CN106898264B (zh) * | 2017-03-06 | 2019-10-22 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种可折叠面板及其制作方法 |
-
2017
- 2017-12-20 CN CN201711383479.1A patent/CN108054188B/zh active Active
-
2018
- 2018-03-06 US US15/913,071 patent/US10340326B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1864095A (zh) * | 2003-10-04 | 2006-11-15 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于制造具有柔性层结构的设备的设备和方法 |
CN106449695A (zh) * | 2015-08-06 | 2017-02-22 | 三星显示有限公司 | 柔性显示装置 |
CN206282888U (zh) * | 2016-12-28 | 2017-06-27 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种柔性显示面板和显示装置 |
CN107134466A (zh) * | 2017-04-19 | 2017-09-05 | 友达光电股份有限公司 | 软性面板及其制作方法 |
Cited By (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11250736B2 (en) | 2018-05-31 | 2022-02-15 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display panel and flexible display device |
CN108735103A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-11-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示背板 |
CN108735103B (zh) * | 2018-05-31 | 2019-09-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示背板 |
TWI679763B (zh) * | 2018-06-13 | 2019-12-11 | 友達光電股份有限公司 | 可撓性電子裝置 |
WO2020000579A1 (zh) * | 2018-06-29 | 2020-01-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled显示装置 |
CN109032407A (zh) * | 2018-07-25 | 2018-12-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性触控基板和触控装置 |
CN109103345A (zh) * | 2018-08-17 | 2018-12-28 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN109103345B (zh) * | 2018-08-17 | 2021-03-05 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
US11189683B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-11-30 | Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd | Array substrate, display panel and manufacturing method for array substrate |
TWI689089B (zh) * | 2018-09-14 | 2020-03-21 | 大陸商昆山國顯光電有限公司 | 陣列基板、顯示面板及陣列基板的製造方法 |
WO2020052193A1 (zh) * | 2018-09-14 | 2020-03-19 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法 |
CN109524572A (zh) * | 2018-10-08 | 2019-03-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示装置的制作方法 |
CN111128012A (zh) * | 2018-10-30 | 2020-05-08 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
CN111128012B (zh) * | 2018-10-30 | 2024-03-19 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
JPWO2020145296A1 (ja) * | 2019-01-09 | 2021-10-14 | 株式会社Joled | 表示パネルおよび表示装置 |
JP7064157B2 (ja) | 2019-01-09 | 2022-05-10 | 株式会社Joled | 表示パネルおよび表示装置 |
WO2020155942A1 (zh) * | 2019-01-30 | 2020-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板、柔性显示面板及其制作方法 |
CN111505897A (zh) * | 2019-01-30 | 2020-08-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板、柔性显示面板及其制作方法 |
US11963431B2 (en) | 2019-01-30 | 2024-04-16 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Mask, flexible display panel and manufacturing method thereof |
CN111505897B (zh) * | 2019-01-30 | 2021-12-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板、柔性显示面板及其制作方法 |
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