JP2018132539A - 表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】信頼性が高い表示装置を提供すること。
【解決手段】表示装置は、可撓性を有する第1基板と、可撓性を有する第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間にある液晶層240と、液晶層240をシールし、前記第1基板と前記第2基板とを接着するシール部250と、を備え、平面視においてシール部250の内側で屈曲可能であり、前記第1基板はシール部250と重畳するシール領域14と、液晶層240と重畳する液晶領域12とを有し、シール領域14において第1層に接する第1絶縁層と、液晶領域12において前記第1層に接する第2絶縁層との厚みまたは材料が異なる。
【選択図】図5

Description

本発明は、表示装置に関する。特に、本発明は可撓性を有する基板を用いた液晶表示装置に関する。
フレキシブルディスプレイは携帯用の巻物型ディスプレイからスクリーン状の大画面ディスプレイをはじめ幅広く応用されることが期待されており、軽量かつ収納性に優れた次世代ディスプレイとしての実現が強く望まれている。特に液晶表示素子は透過型、反射型のいずれの表示方式にも適用可能なため、多様な照明環境でも視認性に優れたフレキシブルディスプレイを構成できる可能性を持つ。
フレキシブル基板を用いた場合、表示装置のベゼル部分(観察者から視認される表示画面以外の縁部分)の縮小化が可能であるという利点がある。例えば、特許文献1には、表示領域と駆動回路部を接続する配線部分において基板を折り曲げることにより、駆動回路部を表示領域の背面側に配置した表示装置が開示されている。さらに、近年、ベゼル部を縮小化するために、表示装置を表示領域内で折り曲げ、ベゼル部が観察者から視認されない構成が検討されている。
特開2014−206760号公報
液晶表示装置において、液晶層はシール部によって囲まれている。液晶表示装置の液晶領域(平面視において液晶層と重畳する領域)内に配置された画素回路およびシール領域(平面視においてシール部と重畳する領域)に配置された画素選択回路は、配線を介してシール部の外側の端子領域に設けられた接続端子に接続される。そして、画素回路は接続端子を介して外部回路に接続される。上記の構成を有する液晶表示装置を表示領域内で折り曲げると、液晶層領域およびシール領域の両方に配置された配線が折り曲げられる。液晶領域とシール領域とでは、層構造が異なるため、折り曲げによってそれぞれに配置された配線にかかる応力が異なる。配線に強い応力がかかった状態で表示装置を使用すると、配線が断線して表示装置の信頼性を低下させる可能性がある。したがって、上記の配線にかかる応力を緩和する必要がある。しかし、液晶領域およびシール領域のそれぞれに配置された両方の配線にかかる応力を緩和することは困難であった。
本発明は、上記実情に鑑み、信頼性が高い表示装置を提供することを目的とする。
本発明の一実施形態による表示装置は、可撓性を有する第1基板と、可撓性を有する第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間にある液晶層と、前記液晶層をシールし、前記第1基板と前記第2基板とを接着するシール部と、を備え、平面視において前記シール部の内側で屈曲可能であり、前記第1基板は前記シール部と重畳するシール領域と、前記液晶層と重畳する液晶領域とを有し、前記シール領域において第1層に接する第1絶縁層と、前記液晶領域において前記第1層に接する第2絶縁層との厚みまたは材料が異なる。
本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す平面図である。 本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の画素構造を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る液晶表示装置を屈曲させた状態の断面図である。 本発明の一実施形態において中立面を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の屈曲部における液晶領域およびシール領域の断面図である。 本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の屈曲部における液晶領域およびシール領域の断面図である。 本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の屈曲部における液晶領域およびシール領域の断面図である。 本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の屈曲部における液晶領域およびシール領域の断面図である。 本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の屈曲部における液晶領域およびシール領域の断面図である。 本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の屈曲部における液晶領域およびシール領域の断面図である。 本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の周辺領域付近の配線構造を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の一部を拡大した平面図である。 本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の屈曲部における配線構造を示す断面図である。 従来の液晶表示装置の屈曲部における液晶領域およびシール領域の断面図である。
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号の後にアルファベットを付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
本発明の各実施の形態において、トランジスタが配置されたアレイ基板からアレイ基板に対向する対向基板に向かう方向を上または上方という。逆に、対向基板からアレイ基板に向かう方向を下または下方という。このように、説明の便宜上、上方または下方という語句を用いて説明するが、例えば、アレイ基板と対向基板との上下関係が図示と逆になるように配置されてもよい。また、以下の説明で、例えばアレイ基板上の対向基板という表現は、上記のようにアレイ基板と対向基板との上下関係を説明しているに過ぎず、アレイ基板と対向基板との間に他の部材が配置されていてもよい。
「内側」および「外側」とは、2つの部位における、表示部を基準とした相対的な位置関係を示す。すなわち、「内側」とは、一方の部位に対し相対的に表示部に近い側を指し、「外側」とは、一方の部位に対し相対的に表示部から遠い側を指す。ただし、ここで言う「内側」および「外側」の定義は、表示装置を折り曲げていない状態におけるものとする。
「表示装置」とは、電気光学層を用いて映像を表示する構造体を指す。例えば、表示装置という用語は、電気光学層を含む表示セルを指す場合もあるし、表示セルに対して他の光学部材(例えば、偏光部材、バックライト、タッチパネル等)を装着した構造体を指す場合もある。ここで、「電気光学層」には、技術的な矛盾を生じない限り、液晶層、エレクトロルミネセンス(EL)層、エレクトロクロミック(EC)層、電気泳動層が含まれ得る。したがって、後述する実施形態について、表示装置として、液晶層を含む液晶装置を例示して説明するが、上述した他の電気光学層を含む表示装置への適用を排除するものではない。
本明細書において「αはA、BまたはCを含む」、「αはA,BおよびCのいずれかを含む」、「αはA,BおよびCからなる群から選択される一つを含む」、といった表現は、特に明示が無い限り、αがA〜Cの複数の組み合わせを含む場合を排除しない。さらに、これらの表現は、αが他の要素を含む場合も排除しない。
〈第1実施形態〉
図1〜図5を用いて、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の概要について説明する。第1実施形態では、表示装置として液晶表示装置(Liquid Crystal Display Device;LCD)を用いた例について説明する。ただし、本発明は液晶表示装置の他にも有機EL装置(Organic Light−Emitting Diode;OLED)、電子ペーパー等の表示装置に用いることもできる。
[表示装置10の構造]
図1は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す平面図である。図1に示すように、表示装置10は、アレイ基板100、シール部250、対向基板300、フレキシブルプリント回路基板400(FPC400)、およびICチップ500を有する。アレイ基板100および対向基板300はシール部250によって貼り合わせられている。シール部250に囲まれた液晶領域12には、複数の画素回路109がマトリクス状に配置されている。液晶領域12は、後述する液晶層240と平面視において重畳する領域である。シール部250と平面視において重畳するシール領域14は、液晶領域12の周囲の領域である。FPC400およびICチップ500は端子領域16に設けられている。端子領域16はアレイ基板100が対向基板300から露出された領域であり、シール領域14の外側に設けられている。なお、シール領域14の外側とは、シール部250によって囲まれた領域の外側を意味する。ICチップ500はFPC400上に設けられている。ICチップ500は各画素回路109を駆動させるための信号を供給する。
各画素回路109には、ソース配線260およびゲート配線270が接続されている。ソース配線260は、D2方向に延在し、シール部250と重畳する領域に配置されたソース線選択回路に接続される。ゲート配線270は、D1方向に延在し、シール部250と重畳する領域に配置されたゲート線選択回路に接続される。ただし、説明の便宜上、図1において、ゲート線選択回路およびソース線選択回路は省略されている。ソース配線260は、シール部250を通過してFPC400に接続される。ゲート配線270は、D2方向に延在する配線280を介してFPC400に接続される。配線280には、隣接するゲート線選択回路間を接続する配線が含まれる。つまり、ソース配線260は液晶領域12においてD2方向に延在し、配線280はシール領域14においてD2方向に延在する。ソース配線260および配線280は、端子領域16において、異方性導電膜等を介してFPC400と接続される。
アレイ基板100(第1基板)および対向基板300(第2基板)は、それぞれ可撓性を有する。表示装置10は、屈曲部700で折り曲げられることができる。屈曲部700以外の領域において、表示装置10は平坦である。屈曲部700は液晶領域12を含む。つまり、表示装置10はシール部250の内側で折り曲げることができる。換言すると、画素回路109、ソース配線260、および配線280は、屈曲部700にも設けられている。換言すると屈曲部700はD1方向を軸として屈曲する。
ICチップ500は、各画素回路109の画素電極に供給される映像信号、および各画素回路109の画素選択トランジスタを制御するための駆動信号を供給する。なお、図1では、各画素回路109を構成する画素選択トランジスタを制御するために、FPC400にICチップ500が設けられた例が示されている。しかし、シール領域14には薄膜トランジスタを用いたゲートドライバ回路またはソースドライバ回路といった駆動回路が設けられてもよい。ICチップ500は、端子領域16のアレイ基板100上にCOG(Chip On Glass)方式で設けられてもよい。
なお、説明の便宜上、図1では偏光部材およびバックライト等の光学部材は省略されているが、偏光部材および光学部材については後述する。
図2は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の画素構造を示す断面図である。図2に示すように、ポリイミド等の樹脂材料で構成される樹脂基板101の表面には、無機絶縁材料で構成される下地絶縁層110が設けられている。下地絶縁層110の上には薄膜トランジスタ20が設けられている。薄膜トランジスタ20には、半導体層120、ゲート絶縁層130、ゲート電極140、層間絶縁層150、ソース電極160、およびドレイン電極162が含まれる。これらの要素は、いずれも公知の材料で構成することができる。
薄膜トランジスタ20の上には、酸化シリコン等の無機材料で構成される無機絶縁層170が設けられる。無機絶縁層170の上にはアクリル等の樹脂材料で構成される樹脂絶縁層180が設けられる。樹脂絶縁層180は、薄膜トランジスタ20に起因する起伏を平坦化する。樹脂絶縁層180の上には、ITO(Indium tin oxide)等の透明導電膜で構成される共通電極200が設けられる。共通電極200の上には、絶縁層211を介して画素電極220が設けられる。
絶縁層210としては、例えば酸化シリコン膜または窒化シリコン膜などの無機絶縁膜を用いることができるが、これに限られるものではない。画素電極220は、共通電極200と同様に、ITO等の透明導電膜で構成される。画素電極220は、樹脂絶縁層180および絶縁層210に設けられたコンタクトホール181を介してドレイン電極162に電気的に接続される。なお、図2では、画素電極220が複数設けられた構成が示されているが、画素電極220は、平面視において櫛のようなパターン形状を有する。つまり、平面視における画素電極220は、隣接して配置された複数の線状電極が、一端で接続された形状を有する。本実施形態では、共通電極200と画素電極220との間に電界(横電界と呼ばれる)が形成され、その電界によって液晶の配向が制御される。このような液晶表示方式をIPS(In−plain Swtching)方式と呼ぶ。IPS方式の中でも、図2のように画素電極220と共通電極200とを積層配置させる方式を、FFS(Fringe Field Switching)方式と呼ぶ。
IPS方式は、同一層に設けられた画素電極および共通電極を用いて横電界を形成するものでもよい。また、液晶表示方式として、アレイ基板側に設けられた画素電極と、対向基板側に設けられた共通電極との間に縦電界が形成され、その縦電界によって液晶の配向が制御されるVA(Vertical Alignment)方式が用いられてもよい。
画素電極220の上には、配向膜230が設けられている。本実施形態では、樹脂基板101から配向膜230までの要素をまとめてアレイ基板100と呼んでいる。
配向膜230の上には、液晶層240が保持されている。前述のように、液晶層240は、アレイ基板100と対向基板300との間で、シール部250によって囲まれることによって保持されている。つまり、液晶層240は、アレイ基板100と対向基板300との間でシール部250によってシールされている。
遮光部材310およびカラーフィルタ部材320の上には、ポリイミド等の樹脂材料で構成される樹脂基板301が配置される。実際には、樹脂基板301の一方の面の上に、遮光部材310、カラーフィルタ部材320、オーバーコート層330、および配向膜340が積層されることで対向基板300が構成される。なお、耐水性向上のため、樹脂基板301とカラーフィルタ部材320の間に、窒化シリコンまたは酸化シリコン等の無機絶縁膜を形成してもよい。
図3は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置を屈曲させた状態の断面図である。具体的には、図3は、図1の表示装置10が屈曲部700で折り曲げられた状態のA−A’断面図である。図3において、アレイ基板100の2つの面のうち、対向基板300と対向する面(向かい合う面)をアレイ基板100の表面とし、その表面の反対側の面をアレイ基板100の裏面と定義する。同様に、対向基板300の2つの面のうち、アレイ基板100と対向する面(向かい合う面)を対向基板300の表面とし、その表面の反対側の面を対向基板300の裏面と定義する。したがって、液晶層240は、シール部250の内側においてアレイ基板100の表面と対向基板300の表面とに挟まれて保持されている、ということができる。以下の説明において、アレイ基板100、対向基板300、液晶層240、およびシール部250を液晶セル119という。
アレイ基板100の裏面側には、偏光部材600、導光部材610、および光源620が液晶領域12と重畳するように配置される。光源620は導光部材610の側面に配置される。導光部材610および光源620を併せて照明装置(バックライト)ということができる。対向基板300の裏面側には、偏光部材630が配置される。偏光部材630は偏光部材600とほぼ同じ領域に形成される。光源620から放出された光が導光部材610によって偏光部材600に導かれ、液晶セル119および偏光部材630を介して観察者に認識される。
アレイ基板100および対向基板300はともに可撓性を有するため、液晶セル119は偏光部材600および630が配置されていない領域で折り曲げられる。液晶セル119が折り曲げられる領域が屈曲部700に相当する。図3に示すように、液晶セル119がアレイ基板100の裏面側に屈曲することを、液晶セル119が屈曲部700においてアレイ基板100側に屈曲する、という。液晶セル119は屈曲部700で折り曲げられ、導光部材610に対して偏光部材600の反対側において、絶縁層640を介して導光部材610に接続される。絶縁層640は樹脂層であり、アレイ基板100の裏面と導光部材610とが直接接触することを抑制する緩衝部材である。なお、絶縁層640は省略されてもよい。
上記のように、液晶セル119は、シール部250の内側で折り曲げられる。具体的には、図1に示した屈曲部700の領域が折り曲げられるため、シール部250の一部は、表示装置10の背面側に位置する。換言すると、表示装置10は、シール部250の一部が、アレイ基板100の裏面と対向する。さらに換言すると、平面視において、シール部250および液晶領域12が重畳する。さらに換言すると、断面視において、導光部材610はシール部250と液晶領域12の液晶セル119との間に位置する。
本実施形態では、液晶セル119のうち、偏光部材600および偏光部材630と重畳しない部分が折り曲げられている。そのため、図3に示されるように、表示装置10における屈曲部700は、平面視において、偏光部材630の縁632から僅かに突出する。このとき、平面視において、観察者から視認可能な屈曲部700の端部を「仮想端部705」と定義する。すなわち、屈曲部700とは、平面視において、液晶セル119のうち、偏光部材630の縁632から仮想端部705までの範囲に位置する部分を指すとも言える。
本実施形態では、偏光部材600および偏光部材630として、アレイ基板100および対向基板300よりも硬質な部材が用いられている。そのため、偏光部材600および偏光部材630は、十分に折り畳むように曲げることができず、光学部材の端部(例えば、偏光部材630の縁632)が屈曲部700よりも内側にある。なお、平面視において、光学部材の端部が少し屈曲部と重畳する場合も、「光学部材の端部が屈曲部よりも内側」に含まれる。
本実施形態では液晶セル119に偏光部材および照明装置が設けられた構成を例示したが、さらに他の光学部材(位相差板、反射防止板など)、または、タッチパネルが設けられてもよい。これらの光学部材およびタッチパネルとして、公知の部材または公知の構造を用いることが可能である。
[中立面の説明]
図4は、本発明の一実施形態において中立面を説明する図である。図4では、第1層810、第2層820、第3層830、および第4層840が積層された積層構造体800を用いて中立面850を説明する。図4に示すように、積層構造体800が外力860によってその中央部が上方に凸になるように湾曲させられると、湾曲によって凹面が形成された面側の第1層810および第2層820では層が縮む方向の圧縮応力870が発生し、凸面が形成された面側の第4層840では層が伸びる方向の引張応力880が発生する。圧縮応力870と引張応力880とが逆転する面が中立面850である。理想的な中立面850では、応力は生じていない。つまり、中立面350に近い位置に、各配線を配置すれば、応力によって各配線が断線することを防止できる。
なお、中立面850の各層の厚さ方向の位置は、層構造によって異なる。具体的には、中立面850の上記位置は曲げ剛性に依存する。曲げ剛性とは、曲げの力に対する、寸法変化(変形)のしづらさの度合いのことをいう。
なお、図3に示した屈曲部700では液晶セル119に応力が発生する。具体的には、アレイ基板100の裏面側では圧縮応力が発生し、アレイ基板100の表面側では引張応力が発生する。図1に示すように、屈曲部700には、液晶領域12のソース配線260およびシール領域14の配線280が含まれる。つまり、屈曲部700においてソース配線260および配線280は、それらの位置に応じて圧縮応力または引張応力を受ける。
[従来の問題点]
ここで、図12を用いて、従来の表示装置90を屈曲させたときの屈曲部における液晶領域12Zおよびシール領域14Zの中立面について説明する。図12は、従来の液晶表示装置の屈曲部における液晶領域およびシール領域の断面図である。図12は、図1のB−B’断面に相当する。なお、図12について、各符号の末尾に“Z”を付して図2の符号と区別しているが、示す部材名称は両者同一である。
液晶領域12Zでは、液晶層240Zが液体であり剛性を有しないため、樹脂基板101Zから配向膜230Zまでの構造体によって中立面が決定される。一方で、シール領域14Zでは、樹脂基板101Zから樹脂基板301Zまでの構造体によって中立面が決定される。シール領域14Zの樹脂基板101Zから樹脂基板301Zまでの構造体の剛性は、液晶領域12Zの樹脂基板101Zから配向膜230Zまでの構造体の剛性よりも高い。その結果、シール領域14Zの中立面855Z−1は、液晶領域12Zの中立面855Z−2よりも樹脂基板301Zに近い。図12に示す例の場合、中立面855Z−1は配線280Zよりも樹脂基板301Z側に位置し、中立面855Z−2はソース配線260Zよりも樹脂基板101Z側に位置している。さらに、中立面855Z−1と配線280Z(特に配線282Z)との距離は、中立面855Z−2とソース配線260Zとの距離に比べて大きい。
図12において表示装置90Zはアレイ基板100Z側に屈曲している。よって、ソース配線260Zは中立面855Z−2よりも樹脂基板301Z側に位置しているため、ソース配線260Zには引張応力が発生する。一方、配線280Zは中立面855Z−1よりも樹脂基板101Z側に位置しているため、配線280Z(特に配線282Z)には圧縮応力が発生する。上記のように、中立面855Z−1と配線280Z(特に配線282Z)との距離が、中立面855Z−2とソース配線260Zとの距離に比べて大きいため、配線280Zにかかる応力はソース配線260Zにかかる応力よりも大きい。
上記のように、従来の表示装置90Zによると、液晶領域12Zの中立面855Z−2の位置がシール領域14Zの中立面855Z−1の位置と異なるため、ソース配線260Zと配線280Zとを比較すると、応力の方向および大きさが異なる。つまり、表示装置90Zの屈曲によって、屈曲部におけるソース配線260Zと配線280Zとにはそれぞれ異なるストレスがかかる。例えば図12のように、配線280Zの応力がソース配線260Zの応力よりも大きいと、配線280Zにおいて断線などの不良が発生しやすくなる。
[表示装置10の屈曲部700の構造]
図5を用いて、本実施形態の表示装置10をアレイ基板100側に屈曲させた場合の屈曲部700における中立面について説明する。図5は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の屈曲部における液晶領域およびシール領域の断面図である。図5に示す表示装置10の断面構造は、図12に示す従来の表示装置90Zの断面構造に類似しているが、表示装置10は、無機絶縁層170と共通電極200との間に樹脂絶縁層182および樹脂絶縁層184が設けられている点において表示装置90Zと相違する。樹脂絶縁層182および樹脂絶縁層184は、配線280およびソース配線260よりも樹脂基板301側に設けられている。なお、配線280はゲート配線270と同じゲート層(第1配線層)を利用して形成された配線282およびソース配線と同じソース層(第2配線層)を利用して形成された配線284を含む。
樹脂絶縁層182(第1絶縁層)は樹脂絶縁層184(第2絶縁層)よりも柔らかい。つまり、樹脂絶縁層182のヤング率は樹脂絶縁層184のヤング率よりも小さい。樹脂絶縁層182および樹脂絶縁層184は、いずれも無機絶縁層170(第1層)に接している。つまり、樹脂絶縁層182および樹脂絶縁層184は同じ層である。樹脂絶縁層182および樹脂絶縁層184として、それぞれ異なる材料が用いられる。上記の構成を換言すると、シール領域14において無機絶縁層170(第1層)に接する樹脂絶縁層182(第1絶縁層)の材料およびヤング率は、液晶領域12において無機絶縁層170に接する樹脂絶縁層184(第2絶縁層)の材料およびヤング率と異なる。
図12の従来構造のように、液晶領域12Zおよびシール領域14Zに同じ樹脂絶縁層180Zが用いられる場合、シール領域14Zの中立面855Z−1は、液晶領域12Zの中立面855Z−2よりも対向基板300Zに近い位置に存在する。しかし、図5では、樹脂絶縁層182のヤング率が樹脂絶縁層184のヤング率よりも小さいため、従来の図12に比べて、シール領域14における配線280よりも樹脂基板301側の構造体の剛性が低い。その結果、シール領域14の中立面850−1の位置は樹脂基板301側に近づく。上記のように、従来構造(図12)において配線280Zよりも樹脂基板301Z側に存在していた中立面855Z−1の位置を配線280Zの位置に近づけたい場合、図5のように配線280よりも樹脂基板301側に存在するシール領域14の層のヤング率を液晶領域12の同層のヤング率よりも小さくすればよい。
なお、シール領域14の中立面850−1を配線282に近づけたい場合は、配線282より樹脂基板301側に存在するシール領域14の層のヤング率を、液晶領域12の同層のヤング率よりも小さくすればよい。一方、シール領域14の中立面850−1を配線284に近づけたい場合は、配線284より樹脂基板301側に存在するシール領域14の層のヤング率を液晶領域12の同層のヤング率よりも小さくすればよい。
図5では、中立面850−1および中立面850−2が同じ位置に存在する構造を例示したが、これらの中立面の位置は必ずしも同じ位置でなくてもよい。図5では、中立面850−1および中立面850−2の両方の中立面が配線284およびソース配線260の位置に存在する構造を例示したが、この構造に限定されない。例えば、中立面850−1が、配線284と配線282の中間(層間絶縁層150の中央)に位置させ、配線284と配線282に係る応力を均一化しても良い。
以上のように、第1実施形態に係る表示装置10によると、樹脂絶縁層182および樹脂絶縁層184にそれぞれヤング率が異なる材料を用いることで、液晶領域12の中立面850−2の位置とシール領域14の中立面850−1の位置とをそれぞれ個別に調整することができる。その結果、ソース配線260にかかる応力と配線280にかかる応力との差を小さくすることができ、各々の配線の断線などの不良を抑制することができる。
〈第2実施形態〉
図6Aを用いて、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の概要について説明する。第2実施形態に係る表示装置10Aは、第1実施形態の表示装置10と類似しているが、樹脂絶縁層ではなく樹脂基板によって中立面の位置を調整する点において、表示装置10と相違する。以下の説明において、第1実施形態と第2実施形態との上記相違点について説明する。
図6Aは、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の屈曲部における液晶領域およびシール領域の断面図である。図6Aに示すように、アレイ基板100Aは、樹脂基板101A−1(第1絶縁層に相当)および樹脂基板101A−2(第2絶縁層に相当)を有する。樹脂基板101A−1は樹脂基板101A−2よりも硬い。つまり、樹脂基板101A−1のヤング率は樹脂基板101A−2のヤング率より大きい。樹脂基板101A−1および樹脂基板101A−2は、いずれも下地絶縁層110A(第1層)に接している。つまり、樹脂基板101A−1および樹脂基板101A−2は同じ層である、ということができる。
図6Aでは、樹脂基板101A−1のヤング率が樹脂基板101A−2のヤング率より大きいため、従来の図12に比べて、シール領域14Aにおける配線280Aよりも樹脂基板101A−1を含む側の構造体の剛性が高い。その結果、シール領域14Aの中立面850A−1の位置は樹脂基板101A−1側に近づく。上記のように、従来構造(図12)において配線280Zよりも樹脂基板301Z側に存在していた中立面855Z−1の位置を配線280Zの位置に近づけたい場合、図6Aのように配線280Aよりも樹脂基板101A−1を含む側に存在するシール領域14Aの層のヤング率を液晶領域12Aの同層のヤング率よりも大きくすればよい。
なお、シール領域14Aの中立面850A−1を配線282Aに近づけたい場合は、配線282Aより樹脂基板101A−1を含む側に存在するシール領域14Aの層のヤング率を液晶領域12Aの同層のヤング率よりも大きくすればよい。一方、シール領域14Aの中立面850A−1を配線284Aに近づけたい場合は、配線284Aより樹脂基板101A−1を含む側に存在するシール領域14Aの層のヤング率を液晶領域12Aの同層のヤング率よりも大きくすればよい。
なお、図6Aの構造において、樹脂絶縁層180Aを図5の樹脂絶縁層182および樹脂絶縁層184に置き換えてもよい。
図6Bを用いて、液晶領域とシール領域とで、互いにヤング率が異なる樹脂基板を実現する他の実施形態について説明する。図6Bは、図6Aと類似しているが、基板の構造が図6Aと相違する。図6Bの樹脂基板101B−5は、液晶領域12Bからシール領域14Bまで連続している。シール領域14Bでは、樹脂基板101B−5上に樹脂層101B−3(第1絶縁層)が設けられている。液晶領域12Bでは、樹脂基板101B−5上に樹脂層101B−4(第2絶縁層)が設けられている。樹脂層101B−3のヤング率は樹脂層101B−4のヤング率より大きい。このように、積層された樹脂構造によって液晶領域12Bとシール領域14Bとのそれぞれにおいて、ヤング率の異なる樹脂基板を実現してもよい。例えば、樹脂層101B−3としてポリイミドが用いられ、樹脂層101B−4および樹脂基板101B−5として、それぞれ異なるヤング率を有する平坦化膜が用いられてもよい。平坦化膜は、樹脂層101B−3の表面凹凸を緩和する。平坦化膜としては、例えばアクリル樹脂が挙げられる。ここで、樹脂基板101B−5を第1層という場合がある。
〈第3実施形態〉
図7Aを用いて、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の概要について説明する。第3実施形態に係る表示装置10Cは、第2実施形態の表示装置10Aと類似しているが、樹脂基板のヤング率ではなく樹脂基板の厚さによって中立面の位置を調整する点において、表示装置10Aと相違する。以下の説明において、第2実施形態と第3実施形態との上記相違点について説明する。
図7Aは、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の屈曲部における液晶領域およびシール領域の断面図である。図7Aに示すように、シール領域14Cの樹脂基板101Cの厚さは、液晶領域12Cの樹脂基板101Cの厚さよりも厚い。換言すると、シール領域14Cにおいて下地絶縁層110C(第1層)に接する樹脂基板101Cの厚さは、液晶領域12Cにおいて下地絶縁層110Cに接する樹脂基板101Cの厚さよりも厚い。
図7Aでは、シール領域14Cの樹脂基板101C(第1絶縁層に相当)の厚さが液晶領域12Cの樹脂基板101C(第2絶縁層に相当)の厚さより厚いため、従来の図12に比べて、シール領域14Cにおける配線280Cよりも樹脂基板101Cを含む側の構造体の剛性が高い。その結果、シール領域14Cの中立面850C−1の位置は樹脂基板101C側に近づく。上記のように、従来構造(図12)において配線280Zよりも樹脂基板301Z側に存在していた中立面855Z−1の位置を配線280Zの位置に近づけたい場合、図7Aのように配線280Cよりも樹脂基板101Cを含む側に存在するシール領域14Cの層の厚さを液晶領域12Cの同層の厚さよりも厚くすればよい。
図7Aに示すように、下地絶縁層110Cから無機絶縁層170Cまでは無機材料が用いられるので、樹脂基板101Cの段差が無機絶縁層170Cに反映される。その結果、シール領域14Cの無機絶縁層170Cの位置は、液晶領域12Cの無機絶縁層170Cの位置に比べて樹脂基板301Cに近い。樹脂絶縁層180Cは無機絶縁層170Cの段差を緩和するため、シール領域14Cの樹脂絶縁層180Cの厚さは、液晶領域12Cの樹脂絶縁層180Cの厚さよりも薄くなる。その結果、シール領域14Cにおける配線280Cよりも樹脂基板301C側の構造体の剛性が従来の図12に比べて低くなる。その結果、シール領域14Cの中立面850C−1の位置はさらに樹脂基板101C側に近づく。
図7Bを用いて、液晶領域とシール領域とで、互いに厚さが異なる樹脂基板を実現する他の実施形態について説明する。図7Bは、図7Aと類似しているが、樹脂基板101D−6、樹脂層101D−7が積層構造体で構成されている点において、図7Aと相違する。図7Bの樹脂基板101D−6は、液晶領域12Dからシール領域14Dまで同じ厚さで連続している。樹脂基板101D−6上に、液晶領域12Dよりもシール領域14Dの厚さが厚い樹脂層101D−7が設けられている。樹脂層101D−7は液晶領域12Dからシール領域14Dまで連続している。つまり、樹脂層101D−7のうち、シール領域14Dに該当する部分が第1絶縁層であり、液晶領域12Dに該当する部分が第2絶縁層であり、下地絶縁層110Dが第1層である。ただし、液晶領域12Dとシール領域14Dとの樹脂層101D−7が連続しておらず、異なる材料または異なる方法で形成された樹脂基板であってもよい。このように、積層された樹脂基板によって液晶領域12Dとシール領域14Dとのそれぞれにおいて、厚さの異なる樹脂基板を実現してもよい。例えば、樹脂基板101D−6としてポリイミドが用いられ、樹脂層101D−7として、場所によって厚さが異なる平坦化膜が用いられてもよい。
なお、第1〜第3実施形態において、第1基板100の絶縁層を用いて、シール領域の中立面の位置を調整する方法を記載している。しかし、この形態だけに限定されず、第2基板300の絶縁層のヤング率や厚みを調整することで、シール領域の中立面の位置を調整しても良い。
〈第4実施形態〉
図8を用いて、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の概要について説明する。第4実施形態に係る表示装置10Eは、第2実施形態の表示装置10Aと類似しているが、樹脂基板101Eの下地絶縁層110Eとは反対側に第1絶縁層910および第2絶縁層920が設けられている点において、表示装置10Aと相違する。第1絶縁層910Eはシール領域14Eに設けられている。第2絶縁層920Eは液晶領域12Eに設けられている。第1絶縁層910Eは第2絶縁層920Eよりも硬い。つまり、第1絶縁層910Eのヤング率は第2絶縁層920Eのヤング率より大きい。第1絶縁層910Eおよび第2絶縁層920Eは、いずれも樹脂基板101Eに接している。つまり、第1絶縁層910Eおよび第2絶縁層920Eは同じ層である、ということができる。ここで、樹脂基板101Eを第1層という場合がある。このように、樹脂基板101Eの下地絶縁層110Eとは反対側の構造によって液晶領域12Eとシール領域14Eとのそれぞれにおいて、ヤング率の異なる樹脂基板を実現してもよい。
〈第5実施形態〉
図9を用いて、液晶領域の周辺付近の層構造について説明する。第4実施形態に係る表示装置10Fは、第1実施形態の表示装置10と類似しているが、シール領域14Fの層構造、およびシール領域14F付近の液晶領域12Fの層構造が表示装置10と相違する。以下の説明において、第1実施形態と第5実施形態との上記相違点について説明する。
図9は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の周辺領域付近の配線構造を説明する断面図である。図9に示すように、液晶領域12Fにおいて、共通電極200Fおよび画素電極220Fよりもシール領域14F側にシールド電極202Fおよびダミー画素電極222Fが設けられている。例えば、画素電極220Fがマトリクス状に配置されている場合、ダミー画素電極222Fは画素電極220Fを囲んでいてもよい。同様に、シールド電極202Fが共通電極200Fを囲んでいてもよい。シールド電極202Fは共通電極200Fと同一層に設けられている。ダミー画素電極222Fは画素電極220Fと同一層に設けられている。シールド電極202Fおよびダミー画素電極222Fとして、共通電極200Fおよび画素電極220Fと同様に透明導電層が用いられる。シールド電極202Fは共通電極200Fから電気的に絶縁されている。ダミー画素電極222Fはシールド電極202Fから電気的に絶縁されている。シールド電極202Fは、配線280Fのうち最も画素電極220Fに近い位置に設けられた配線280F(図9の例では配線282F−1)と平面視において重畳する位置に設けられている。ただし、シールド電極202Fの設けられる位置は、上記の位置に限定されない。
シールド電極202Fは、配線280Eに流れる電流によって形成される電界を遮蔽する機能を有する。シールド電極202Fには、例えば共通電極200Fに供給される電位と同じ電位が供給される。この他にも、シールド電極202Fにダミー画素電極222Fに供給される電位と同じ電位が供給されてもよい。このシールド電極202Fは、外部の静電気からシールド電極202Fの下層に位置する配線284F等を保護している。
ダミー画素電極222Fは、表示領域に表示される画像表示に寄与しない画素パターンである。図1に示すようにマトリクス状にパターンを形成する場合、マトリクス状の最外周のパターンでは、フォトリソグラフィ工程における露光量の違いやウェットエッチング工程におけるエッチャント濃度の差(ドライエッチングであれば、プラズマ密度の差)などの影響によって、マトリクス状の内周部のパターンに比べて寸法が異なってしまう場合がある。しかし、画素電極220Fよりもシール領域14F側にダミー画素電極222Fが設けられることで、画像表示に寄与する画素電極220Fのパターンの寸法精度の均一性を向上させることができる。
ダミー画素電極222Fには、一定の電位が供給されていてもよく、供給される電位が順次駆動されていてもよい。ダミー画素電極222Fに供給される電位が順次駆動される場合、画素電極220Fの走査と同じタイミングでダミー画素電極222Fの電位が走査されてもよい。ダミー画素電極222Fの電位が走査されることで、液晶領域12Fで発生した不純物イオンのうち、液晶領域12Fの端部に移動した不純物イオンを、さらに液晶領域12Fの外側のシール領域14Fに移動させることができる。
シールド電極202Fおよびダミー画素電極222Fよりもさらにシール領域14F側に、トラップ電極224Fが設けられている。トラップ電極224Fは画素電極220Fおよびダミー画素電極222Fと同一層に設けられている。トラップ電極224Fとして、画素電極220Fおよびダミー画素電極222Fと同様に透明導電層が用いられる。トラップ電極224Fは画素電極220Fおよびダミー画素電極222Fを囲んでいてもよい。
トラップ電極224Fには、正または負の一定電位が供給される。トラップ電極224Fに正の一定電位が供給される場合、トラップ電極224Fは負の極性を有する不純物イオンを捕捉する。一方、トラップ電極224Fに負の一定電位が供給される場合、トラップ電極224Fは正の極性を有する不純物イオンを捕捉する。図9のようにトラップ電極224Fの下に配線280Fが設けられている場合、トラップ電極224Fに供給される電位を配線280Fに供給される電位と等しくしてもよい。このようにすることで、トラップ電極224Fが不純物イオンを捕捉するトラップ電極としての機能が向上する。
トラップ電極224Fよりもさらにシール領域14F側に、シールド電極226Fが設けられている。シールド電極226Fは、画素電極220F、ダミー画素電極222F、およびトラップ電極224Fと同一層に設けられている。シールド電極226Fには透明導電層が用いられる。絶縁層210Fとシール部250Fとの間にシールド電極226Fが設けられていることで、シール部250Fのアレイ基板100Fに対する密着性を向上させることができる。なお、シール部250のアレイ基板100Fに対する密着性をさらに向上させるために、シールド電極226Fに断面視における凹凸形状を形成してもよい。
〈第6実施形態〉
図10および図11を用いて、屈曲部における配線構造について説明する。第6実施形態に係る表示装置10Gの層構造は、第1実施形態に係る表示装置10の層構造と同様である。図10は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の一部を拡大した平面図である。図11は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の屈曲部における配線構造を示す断面図である。図10に示すように、液晶領域12Gからシール領域14Gを介して端子領域16Gに向かってソース配線260Gが延びている。同様に、シール領域14Gから端子領域16Gに向かって配線282Gおよび284Gが延びている。配線282Gおよび284Gはソース配線260Gと同じ方向に延びている。ソース配線260G、配線282Gおよび284Gは、それぞれ図5のソース配線260、配線282および284に相当する。
ソース配線260Gおよび配線284Gは、図5で説明したソース層(第2配線層)を利用して形成されている。一方配線282Gは、図5で説明したゲート層(第1配線層)を利用して形成されている。しかし、配線282Gは、開口153Gを介して、屈曲部700Gにおいてはソース層(第2配線層)に接続されている。換言すると、屈曲部700Gにおいて配線282Gは後述する積層配線720Gの一部に含まれている。さらに換言すると、ゲート層を利用して形成された配線282Gは屈曲部700Gにおいてゲート層とは異なる層を利用して形成された配線に接続されている。図10に示すように、配線282Gとソース層とを接続する開口153Gは、屈曲部700Gを挟む領域にそれぞれ設けられている。換言すると、屈曲部700Gは上記の開口153Gの間にある。
図11に示すように、配線282Gは、屈曲部700Gにおいて積層配線720Gとなっている。図11は、図10のC−C’線のように、配線282Gが延びる方向に沿った断面図である。図11に示すように、積層配線720Gは、配線282Gの他に第1バイパス配線267G、第2バイパス配線207G、および第3バイパス配線227Gを含む。第1バイパス配線267Gは、例えば図2に示す薄膜トランジスタ20のソース電極160および図5に示すソース配線260と同じソース層に設けられた配線である。第2バイパス配線207Gは、例えば図2および図5に示す共通電極200と同じ共通電極層に設けられた配線である。第3バイパス配線227Gは、例えば図2および図5に示す画素電極220と同じ画素電極層に設けられた配線である。
端子領域16Gからシール領域14G内に向かって延びた配線282Gは、屈曲部700Gの手前で、開口153Gを介して第1バイパス配線267Gに接続され、開口185Gを介して第2バイパス配線207Gに接続され、開口213Gを介して第3バイパス配線227Gに接続される。屈曲部700Gを越えた領域において、上記と同様の構造によって積層構造は解除され、配線282Gが単一層として延在している。屈曲部700Gを超えた領域において、第3バイパス配線227Gとして利用される画素電極層は、図9のシールド電極226Fと同様のシールド電極226Gを形成している。つまり、第3バイパス配線227Gとして利用される画素電極層は、シール領域14Gにおいて、シールド電極として機能する部分と、バイパス配線として機能する部分を有している。なお、図11では、配線282Gだけが上記のバイパス配線に接続された構造を示したが、ソース配線260Gおよび配線284Gについても、配線282Gと同様にバイパス配線に接続されていてもよい。
上記のように、屈曲部700Gを通過する配線を積層構造にすることで、曲げストレスによって配線が断線することを抑制することができる。屈曲部700Gにおいて、シール領域14Gと液晶領域12Gを比較すると、シール領域14Gの中立面は、液晶領域12Gの中立面よりも上側の方に移動する傾向にある。つまり、屈曲部700Gにおいて、最も下側に位置するゲート層にある配線282Gには、応力が強くかかる恐れがある。よって、配線282Gは開口153G、185G、213Gを介して上層にある第1バイパス配線267G、第2バイパス配線207G、および第3バイパス配線227Gに接続されて積層配線710Gの構造によると良い。これによって、屈曲部700Gにおける曲げストレスによって、配線282Gが断線しても第1バイパス配線267G、第2バイパス配線207G、および第3バイパス配線227G、のいずれかを経由して、積層配線710Gの導通は確保される。つまり、図11に示す積層配線710Gによって、シール領域14Gにおける曲げストレスに対する耐久性が高い配線構造を得ることができる。
なお、本発明は上記の実施形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
10:表示装置、 12:液晶領域、 14:シール領域、 16:端子領域、 20:薄膜トランジスタ、 30:保持容量、 90:表示装置、 100:アレイ基板、 101:樹脂基板、 109:画素回路、 110:下地絶縁層、 119:液晶セル、 120:半導体層、 130:ゲート絶縁層、 140:ゲート電極、 142:容量電極、 150:層間絶縁層、 153G、185G、213G:開口、 160:ソース電極、 162:ドレイン電極、 170:無機絶縁層、 180:樹脂絶縁層、 181:コンタクトホール、 182、184:樹脂絶縁層、 200:共通電極、 202F:シールド電極、 207G:第2バイパス配線、 227G:第3バイパス配線、 267G:第1バイパス配線、 280、282、284:配線、 210、211:絶縁層、 220:画素電極、 222F:ダミー画素電極、 224F:トラップ電極、 226F:シールド電極、 230:配向膜、 240:液晶層、 250:シール部、 260:ソース配線、 270:ゲート配線、 300:対向基板、 301:樹脂基板、 310:遮光部材、 320:カラーフィルタ部材、 330:オーバーコート層、 340:配向膜、 400:フレキシブルプリント回路基板、 500:チップ、 600:偏光部材、 610:導光部材、 620:光源、 630:偏光部材、 632:縁、 640:絶縁層、 700:屈曲部、 705:仮想端部、 710G:積層配線、 720G:積層配線、 800:積層構造体、 810:第1層、 820:第2層、 830:第3層、 840:第4層、 850、855:中立面、 860:外力、 870:圧縮応力、 880:引張応力、 910:第1絶縁層、 920:第2絶縁層

Claims (10)

  1. 可撓性を有する第1基板と、
    可撓性を有する第2基板と、
    前記第1基板と前記第2基板との間にある液晶層と、
    前記液晶層をシールし、前記第1基板と前記第2基板とを接着するシール部と、を備え、
    平面視において前記シール部の内側で屈曲可能であり、
    前記第1基板は前記シール部と重畳するシール領域と、前記液晶層と重畳する液晶領域とを有し、
    前記シール領域において第1層に接する第1絶縁層と、前記液晶領域において前記第1層に接する第2絶縁層との厚みまたは材料が異なる、表示装置。
  2. 前記第1基板上の配線をさらに備え、
    平面視において前記シール部の内側に屈曲部を有し、
    前記第1基板および前記第2基板は、前記屈曲部において前記第1基板側に屈曲し、
    前記第1絶縁層および前記第2絶縁層は、前記配線よりも前記第1基板側に設けられ、
    前記第1絶縁層の厚みは、前記第2絶縁層の厚みよりも厚い、請求項1に記載の表示装置。
  3. 前記シール領域において、前記配線よりも前記第2基板側の第2層に接する第3絶縁層と、前記液晶領域において、前記第2層の表面に接する第4絶縁層とをさらに備え、
    前記第3絶縁層の厚みは、前記第4絶縁層の厚みよりも薄い、請求項2に記載の表示装置。
  4. 前記第1絶縁層、前記第2絶縁層、前記第3絶縁層、および前記第4絶縁層はそれぞれ樹脂層である、請求項3に記載の表示装置。
  5. 前記第1絶縁層と前記第2絶縁層とは、ヤング率が異なる、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の表示装置。
  6. 前記第1基板上の配線を備え、
    平面視において前記シール部の内側に屈曲部を有し、
    前記第1基板および前記第2基板は、前記屈曲部において前記第1基板側に屈曲し、
    前記第1絶縁層および前記第2絶縁層は、前記配線よりも前記第1基板側に設けられ、
    前記第1絶縁層のヤング率は、前記第2絶縁層のヤング率よりも大きい、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の表示装置。
  7. 前記シール領域において、前記配線よりも前記第2基板側の第2層の表面に接する第3絶縁層と、前記液晶領域において、前記第2層の表面に接する第4絶縁層とを備え、
    前記第3絶縁層のヤング率は、前記第4絶縁層のヤング率よりも小さい、請求項6に記載の表示装置。
  8. 前記第1基板上の配線を備え、
    前記第1基板および前記第2基板は、前記屈曲部において前記第1基板側に屈曲し、
    前記第1絶縁層および前記第2絶縁層は、前記配線よりも前記第2基板側に設けられ、
    前記第1絶縁層のヤング率は、前記第2絶縁層のヤング率よりも小さい、請求項1または4に記載の表示装置。
  9. 前記液晶領域において第1方向に延在する第1配線と、
    前記シール領域において前記第1方向に延在する第2配線と、
    を備え、
    平面視において前記シール部の内側に屈曲部を有し、
    配線が形成される、第1配線層と前記第1配線層の上方の第2配線層とを有し、
    前記屈曲部は、前記第1方向に交差する第2方向を軸として屈曲し、
    前記第1基板は、前記シール領域の外側に端子領域をさらに有し、
    前記第1配線および前記第2配線は、前記端子領域に電気的に接続され、
    前記屈曲部において、前記第2配線は前記第2配線層にあり、
    前記屈曲部と前記端子領域の間において、前記第2配線は前記第1配線層にある、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の表示装置。
  10. 前記液晶領域にある、画素電極又は共通電極とを備え、
    前記第2配線層は、前記画素電極又は前記共通電極と同一層である、請求項9に記載の表示装置。
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