CN110993568B - 一种显示器件制造方法及显示器件 - Google Patents
一种显示器件制造方法及显示器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110993568B CN110993568B CN201911023617.4A CN201911023617A CN110993568B CN 110993568 B CN110993568 B CN 110993568B CN 201911023617 A CN201911023617 A CN 201911023617A CN 110993568 B CN110993568 B CN 110993568B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- insulating film
- flexible insulating
- display device
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
- H01L27/1266—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate the substrate on which the devices are formed not being the final device substrate, e.g. using a temporary substrate
Abstract
本发明提供一种显示器件制造方法及显示器件,所述方法包括:提供一衬底基板,其包括相背设置的第一表面和第二表面;在衬底基板的第一表面上、绑定区域处形成外围线路,在外围线路上覆盖柔性绝缘薄膜;去除衬底基板的绑定区域,以使外围线路从衬底基板剥离至柔性绝缘薄膜上,且柔性绝缘薄膜的一部分连接在衬底基板上,另一部分超出衬底基板;弯折柔性绝缘薄膜的超出衬底基板的部分,并固定于衬底基板的第二表面一侧。本发明的目的在于提供一种显示器件制造方法及显示器件,能够有效克服现有技术中显示器件绑定工艺所存在的工艺难度等技术问题,实现窄边框甚至无边框设计。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示器件制造方法及显示器件。
背景技术
显示器件目前都在朝超薄、超窄边框,甚至无边框发展,而目前的窄边框基本很难做到四边窄边框,尤其是Micro&Mini LED显示技术在应用中,主要通过拼接技术来实现大尺寸显示,更是需要实现无边框设计,以减小拼缝。
传统显示屏中,驱动线路的绑定工艺主要有以下两种方式:
第一种,采用焊接盘弯曲(Pad Bending)方式,显示器件上的PI(聚酰亚胺)膜厚度在10~20μm,驱动线路沉积到PI膜上,PI膜向后弯折的过程中,驱动线路位于弯折半径外,所以驱动线路承受拉应力比较大,很难做到小R角(可以实现0.2~0.3的R角度),这样,不利于实现窄边框,甚至无边框设计;
第二种,将显示屏的正面和背面走线路,侧面进行银浆走线,以将正面的焊接盘(Pad)引到显示屏的玻璃基板背面,从而将绑定区(Bonding)取消,实现无边框设计。但是,侧面引线技术需要在玻璃基板棱边做倒角,且由于玻璃脆性特点,倒角崩边和倒角尺寸较难控制,工艺实现难度较大。
由此可见,现有技术中绑定技术存在着工艺难度,不利于实现窄边框,甚至无边框设计。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示器件制造方法及显示器件,能够有效克服现有技术中显示器件绑定工艺所存在的工艺难度等技术问题,实现窄边框甚至无边框设计。
本发明所提供的技术方案如下:
本发明一方面提供了一种显示器件制造方法,所述方法包括:
提供一衬底基板,所述衬底基板包括相背设置的第一表面和第二表面,且所述衬底基板包括显示区域和绑定区域,所述显示区域的至少一侧为绑定侧,所述绑定区域位于所述绑定侧;
在所述衬底基板的第一表面上、所述绑定区域处形成外围线路,在所述外围线路上覆盖柔性绝缘薄膜;
去除所述衬底基板的绑定区域,以使所述外围线路从所述衬底基板剥离至所述柔性绝缘薄膜上,且所述柔性绝缘薄膜的一部分连接在所述衬底基板上,另一部分超出所述衬底基板;
弯折所述柔性绝缘薄膜的超出所述衬底基板的部分,并固定于所述衬底基板的第二表面一侧。
示例性的,所述在所述衬底基板的第一表面上、所述绑定区域处形成外围线路之前,所述方法还包括以下至少一种:
在所述衬底基板的显示区域形成用于增加金属层与衬底基板之间粘附力的缓冲剥离层;
在所述衬底基板的绑定区域处形成用于降低金属层与衬底基板之间的粘附力的剥离层;
在所述衬底基板的绑定区域形成激光牺牲层。
示例性的,所述在所述衬底基板的绑定区域形成激光牺牲层,具体包括:
在所述衬底基板的第一表面上整面覆盖缓冲层,在所述缓冲层的绑定区域处沉积能够吸收激光的牺牲层材料,以形成所述激光牺牲层。
示例性的,所述牺牲层材料包括聚对二甲苯、金属氧化物、SiNx、SiO2、非晶硅、三五族半导体、六甲基二硅胺烷中的一种或几种的组合。
示例性的,当在所述衬底基板的显示区域形成用于增加金属层与衬底基板之间的粘附力缓冲剥离层时,所述方法还包括:在所述去除所述衬底基板的绑定区域之后,在所述外围线路上绑定驱动芯片;
当在所述衬底基板的绑定区域处形成用于降低金属层与衬底基板之间的粘附力的剥离层时,所述方法还包括:在所述绑定区域的外围线路上覆盖柔性绝缘薄膜之前,在所述外围线路上绑定驱动芯片;
当在所述衬底基板绑定区域形成激光牺牲层时,所述方法中,所述去除所述衬底基板的绑定区域时,去除所述激光牺牲层,且在所述绑定区域的外围线路上覆盖柔性绝缘薄膜之前,所述方法还包括:在所述外围线路上绑定驱动芯片。
示例性的,所述方法还包括:
在所述去除所述衬底基板的绑定区域之后,所述弯折所述柔性绝缘薄膜的超出所述衬底基板的部分之前,在所述衬底基板的去除所述绑定区域之后的切割边缘涂覆保护胶。
示例性的,所述去除所述衬底基板的绑定区域,以使所述外围线路从所述衬底基板剥离至所述柔性绝缘薄膜上,且所述柔性绝缘薄膜的一部分连接在所述衬底基板上,另一部分超出所述衬底基板外,具体包括:
采用机械切割方式或者激光切割方式,去除所述衬底基板的绑定区域。
示例性的,所述在所述衬底基板的第一表面上、所述绑定区域处形成外围线路,在所述绑定区域的外围线路上覆盖柔性绝缘薄膜,具体包括:
步骤A、在所述衬底基板的第一表面上形成首层金属层,所述首层金属层包括位于所述绑定区域的外围线路;
步骤B、在所述首层金属层上覆盖所述柔性绝缘薄膜,在所述显示区域覆盖绝缘层,其中所述绝缘层部分覆盖所述外围线路,且在所述绝缘层上对应所述外围线路的位置形成过孔;
步骤C、在所述柔性绝缘薄膜和所述绝缘层上形成薄膜晶体管驱动阵列,且所述薄膜晶体管驱动阵列通过所述过孔与所述首层金属层电连接;
或者,
步骤A’、在所述衬底基板的第一表面上形成金属层,所述金属层包括位于所述显示区域的薄膜晶体管驱动阵列、与所述薄膜晶体管驱动阵列电连接且位于所述绑定区域的外围线路;
步骤B’、在所述金属层上覆盖柔性绝缘薄膜。
本发明实施例另一方面提供一种显示器件,采用如上所述的方法制成,包括:
衬底基板,所述衬底基板包括相背设置的第一表面和第二表面,所述衬底基板包括显示区域,所述显示区域的至少一侧为绑定侧;
所述衬底基板的第一表面上设有超出所述绑定侧边缘的外围线路;
所述外围线路上覆盖有柔性绝缘薄膜,所述柔性绝缘薄膜的一部分连接在所述衬底基板上,所述柔性绝缘薄膜的另一部分超出所述衬底基板的绑定侧边缘,并向所述衬底基板的第二表面弯折以固定于所述衬底基板的第二表面一侧。
示例性的,在所述衬底基板的显示区域设有薄膜晶体管驱动阵列,且所述薄膜晶体管驱动阵列与所述衬底基板之间设有用于增加金属层与衬底基板之间的粘附力的缓冲剥离层;
和/或,在所述外围线路的远离所述柔性绝缘薄膜的一侧形成有用于降低金属层与衬底基板之间的粘附力的剥离层;
和/或,在所述衬底基板的显示区域设有薄膜晶体管驱动阵列,且所述薄膜晶体管驱动阵列与所述衬底基板之间设有缓冲层。
示例性的,当在所述衬底基板的显示区域设有薄膜晶体管驱动阵列,且所述薄膜晶体管驱动阵列与所述衬底基板之间设有用于增加金属层与衬底基板之间的粘附力的缓冲剥离层时,在所述外围线路的远离所述柔性绝缘薄膜的一侧连接有驱动芯片,且所述外围线路的远离所述柔性绝缘薄膜的一侧通过背胶与所述衬底基板的第二表面固定;
当在所述衬底基板的绑定区域处形成用于降低金属层与衬底基板之间的粘附力的剥离层时,在所述外围线路的靠近所述柔性绝缘薄膜的一侧连接有驱动芯片,且所述剥离层通过背胶与所述衬底基板的第二表面固定;
当在所述衬底基板的显示区域设有薄膜晶体管驱动阵列,且所述薄膜晶体管驱动阵列与所述衬底基板之间设有缓冲层时,在所述外围线路的远离所述柔性绝缘薄膜的一侧连接有驱动芯片,且所述外围线路的远离所述柔性绝缘薄膜的一侧通过背胶与所述衬底基板的第二表面固定。
示例性的,在所述衬底基板的第一表面上设有首层金属层,所述首层金属层包括所述外围线路;在所述首层金属层上覆盖有所述柔性绝缘薄膜,在所述薄膜晶体管驱动阵列上覆盖有绝缘层,其中所述绝缘层部分覆盖所述外围线路,且在所述绝缘层上对应所述外围线路的位置形成有过孔;
在所述柔性绝缘薄膜和所述绝缘层上形成有薄膜晶体管驱动阵列,且所述薄膜晶体管驱动阵列通过所述过孔与所述首层金属层电连接;
或者,
在所述衬底基板的第一表面上形成有金属层,所述金属层包括位于所述显示区域的薄膜晶体管驱动阵列、与所述薄膜晶体管驱动阵列电连接且位于所述绑定区域的外围线路,在所述外围线路上覆盖有所述柔性绝缘薄膜。
本发明所带来的有益效果如下:
上述方案,首先,在显示器件的衬底基板的绑定区域形成外围线路(衬底基板仅局部设置柔性绝缘薄膜,该柔性绝缘薄膜的覆盖面积为外围线路所在区域),然后,局部去除掉衬底基板的绑定区域,使得外围线路从衬底基板剥离至柔性绝缘薄膜上,且柔性绝缘薄膜的一部分连接在衬底基板上,而另一部分超出衬底基板,然后,把所述柔性绝缘薄膜的超出所述衬底基板的部分向衬底基板的背面(即第二表面)弯折固定,这样,衬底基板正面(即第一表面)的外围线路即随柔性绝缘薄膜而弯折固定于衬底基板背面,且外围线路会位于柔性绝缘薄膜的内侧,即位于弯折半径内,可改善外围线路弯曲性能,实现更小弯曲R角,甚至直角弯折;并且,由于仅局部设置柔性绝缘薄膜,一方面相较于整面设置PI膜等方案,可降低成本,另一方面,有效显示区(AA区)没有设置柔性绝缘薄膜,不会影响显示器件光学效果,有效克服了现有技术中显示器件绑定工艺难度,实现了更小边框,甚至无边框设计。
附图说明
图1~7表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例1中第二种实施方式的流程示意图;
图8表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例1中的第二种实施方式制造显示器件时在衬底基板上覆盖柔性绝缘薄膜之后的结构示意图;
图9表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例1中的第二种实施方式制造显示器件时去除衬底基板的外围区域之后的结构示意图;
图10表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例1中的第二种实施方式制造显示器件时弯折固定柔性绝缘薄膜之后的结构示意图;
图11~18表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例1中第一种实施方式的流程示意图;
图19表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例1中第一种实施方式所得到的显示器件的结构示意图;
图20表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例1中的第二种实施方式所得到的显示器件应用于LCD显示屏的结构示意图;
图21表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例1中的第一种实施方式所得到的显示器件应用于LCD显示屏的结构示意图;
图22表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例1中的第二种实施方式所得到的显示器件应用于LED显示屏的结构示意图;
图23表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例1中的第一种实施方式所得到的显示器件应用于LED显示屏的结构示意图;
图24表示本发明所提供的显示器件制造方法的实施例2中的第二种实施方式制造显示器件时在衬底基板上覆盖柔性绝缘薄膜之后的结构示意图;
图25表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例2中的第二种实施方式制造显示器件时去除衬底基板的外围区域之后的结构示意图;
图26表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例2中的第二种实施方式制造显示器件时弯折固定柔性绝缘薄膜之后的结构示意图;
图27表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例2中的第一种实施方式制造显示器件时弯折固定柔性绝缘薄膜之后的结构示意图;
图28表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例2中的第二种实施方式所得到的显示器件应用于LCD显示屏的结构示意图;
图29表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例2中的第二种实施方式所得到的显示器件应用于LED显示屏的结构示意图;
图30表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例2中的第一种实施方式所得到的显示器件应用于LCD显示屏的结构示意图;
图31表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例2中的第一种实施方式所得到的显示器件应用于LED显示屏的结构示意图;
图32表示本发明所提供的显示器件制造方法的实施例3中的第二种实施方式制造显示器件时在衬底基板上覆盖柔性绝缘薄膜之后的结构示意图;
图33表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例3中的第二种实施方式制造显示器件时去除衬底基板的外围区域之后的结构示意图;
图34表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例3中的第二种实施方式制造显示器件时弯折固定柔性绝缘薄膜之后的结构示意图;
图35表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例3中的第一种实施方式制造显示器件时弯折固定柔性绝缘薄膜之后的结构示意图;
图36表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例3中的第二种实施方式所得到的显示器件应用于LCD显示屏的结构示意图;
图37表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例3中的第二种实施方式所得到的显示器件应用于LED显示屏的结构示意图;
图38表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例3中的第一种实施方式所得到的显示器件应用于LCD显示屏的结构示意图;
图39表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例3中的第一种实施方式所得到的显示器件应用于LED显示屏的结构示意图;
图40表示一般均质材料弯曲受力分析图;
图41表示柔性绝缘薄膜涂覆于金属层下方时的弯曲受力分析图;
图42表示柔性绝缘薄膜涂覆于金属层上方时的弯曲受力分析图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。同样,“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制,而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
针对现有技术中显示器件绑定工艺存在难度等原因,导致不利于实现窄边框设计的技术问题,本发明实施例中提供了一种显示器件制造方法及显示器件,能够有效克服现有技术中显示器件绑定工艺中所存在的工艺难度等问题,可实现小边框,甚至无边框设计。
本发明实施例中提供的显示器件制造方法包括:
步骤S1、提供一衬底基板,所述衬底基板包括相背设置的第一表面和第二表面,且所述衬底基板包括显示区域和绑定区域,所述显示区域的至少一侧为绑定侧,所述绑定区域位于所述绑定侧;
步骤S2、在所述衬底基板的第一表面上、所述绑定区域处形成外围线路,在所述外围线路上覆盖柔性绝缘薄膜;
步骤S3、去除所述衬底基板的绑定区域,以使所述外围线路从所述衬底基板剥离至所述柔性绝缘薄膜上,且所述柔性绝缘薄膜的一部分连接在所述衬底基板上,另一部分超出所述衬底基板;
步骤S4、弯折所述柔性绝缘薄膜的超出所述衬底基板的部分,并固定于所述衬底基板的第二表面。
上述方案,首先,在显示器件的衬底基板的绑定区域形成外围线路(衬底基板仅局部设置柔性绝缘薄膜,该柔性绝缘薄膜的覆盖面积为外围线路所在区域),然后,局部去除掉衬底基板的绑定区域,使得外围线路从衬底基板剥离至柔性绝缘薄膜上,且柔性绝缘薄膜的一部分连接在衬底基板上,而另一部分超出衬底基板,然后,把所述柔性绝缘薄膜的超出所述衬底基板的部分向衬底基板的背面(即第二表面)弯折固定,这样,衬底基板正面(即第一表面)的外围线路即随柔性绝缘薄膜而弯折固定于衬底基板背面,且外围线路会位于柔性绝缘薄膜的内侧,即位于弯折半径内,可改善外围线路弯曲性能,实现更小弯曲R角,甚至直角弯折;并且,由于仅局部设置柔性绝缘薄膜,一方面相较于整面设置PI膜等方案,可降低成本,另一方面,有效显示区(AA区)没有设置柔性绝缘薄膜,不会影响显示器件光学效果,有效克服了现有技术中显示器件绑定工艺难度,实现了更小边框设计。
需要说明的是,在上述方案中,所述柔性绝缘薄膜可以采用PI膜(聚酰亚胺膜),但是并不局限于此,还可以是其他柔性的绝缘薄膜材料制成,例如,还可以是:聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚芳酯、聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯中的一种或几种的组合。
此外,还需要说明的是,上述方案中,所述在所述外围线路上覆盖柔性绝缘薄膜,所指的是,所述柔性绝缘薄膜仅局部设置在衬底基板上,覆盖住外围线路,其具体工艺可以包括:首先,在所述衬底基板上整面覆盖柔性绝缘薄膜;然后,通过图案化工艺,将所述柔性绝缘薄膜进行图案化处理,以使得柔性绝缘薄膜仅覆盖外围线路。
此外,图19~38所示为采用本发明实施例提供的显示器件制造方法所得到显示器件的几种实施例的结构示意图。
在对本发明所提供的显示器件制造方法的实施例进行详细说明之前,有必要进行以下说明:
在现有技术中,显示器件的PI膜厚度为10~20μm,在显示器件制造时,驱动线路(包括显示区域AA的薄膜晶体管驱动阵列及绑定区域的外围线路)沉积在PI膜上,这样,在绑定时,外围线路是位于PI膜外侧,即位于弯曲半径外,这样外围线路承受拉应力较大,很难做到小R角;
此外,现在的显示器件,例如Micro LED或者Mini LED显示器件,无边框设计主要应用于拼接产品,拼接过程可能会存在外围线路刮伤的问题,为了克服外围线路刮伤的问题,需要在外围线路外再涂一层保护胶,保护胶厚度大约在80μm左右,这也会增加边框的宽度。
以下从原理上对本发明的显示器件制造方法所得到的显示器件与现有技术相比所产生的技术效果进行分析说明:
本发明实施例提供的显示器件制造方法所得到的显示器件,柔性绝缘薄膜(例如,PI膜)覆盖在外围线路(通常为金属走线)上,局部去除衬底基板的绑定区域之后,柔性绝缘薄膜一部分连接在衬底基板上,另一部分会与衬底基板剥离,再弯曲固定在衬底基板的背面(即第二表面),从而柔性绝缘薄膜会位于外围线路外侧。
以材料在三点弯曲状态下进行分析,在受弯过程中,底部有较大程度的拉伸,顶部压缩,一般的均质材料如图40所示,中性层1位于材料中间,曲率半径为ρ。区别于传统的均质化材料,不同模量大小的材料涂敷形成一种类似梯度材料,梯度材料的中性层偏向于刚度大的一侧。为每层的曲率半径,由于金属层2的弹性模量较柔性绝缘薄膜3会更大,由图41可知中性层1会偏向于下部,既由公式可知ρ1>ρ,相同弯矩M的情况下,曲率半径增大,这种情况金属层2也容易拉伸开裂。同理由,图42可知,中性层1会偏向于上部,既由公式可知ρ1>ρ>ρ2,相同弯矩M的情况下,曲率半径减小,并且这种情况下可以减小金属层2的压缩应变减小,可以较好的保护金属层2的损伤。
由此可见,本发明所提供的显示器件制造方法所得到的显示器件,外围线路弯曲性能可得到改善,实现更小弯曲R角(甚至直角弯折);此外,柔性绝缘薄膜可以起到保护外围线路的作用,从而,可无需再单独涂保护胶,以减小边框宽度。
在本发明所提供的示例性的实施例中,所述步骤S2之前,所述方法还包括以下至少一种:
步骤S11、在所述衬底基板的显示区域AA形成用于增加金属层与衬底基板之间粘附力的缓冲剥离层;
步骤S12、在所述衬底基板的绑定区域处形成用于降低金属层与衬底基板之间的粘附力的剥离层;
步骤S13、在所述衬底基板的绑定区域形成激光牺牲层。
上述方案,通过三种实施例来使得金属层(即外围线路)从衬底基板顺利剥离到柔性绝缘薄膜,而显示区域的薄膜晶体管驱动阵列不会在剥离过程中受到影响。
以下对上述三种实施例进行更为详细的说明。
实施例1
图1~7为实施例1所提供的显示器件的制造方法的流程示意图。
图8-10、图19所示为采用本实施例中步骤S11所得到的显示器件的几种示例性的结构示意图。
在本发明所提供的实施例1中,在衬底基板100的第一表面上、所述绑定区域D处形成外围线路200之前,即步骤S2之前,在衬底基板100的显示区域AA形成缓冲剥离层400,该缓冲剥离层400的作用是,增加金属层与衬底基板100之间粘附力,这样,当去除掉衬底基板100上的绑定区域D时(例如,采用激光切割或机械切割等工艺方式切割衬底基板100),外围线路200即从衬底基板100上剥离至柔性绝缘薄膜300上,由于缓冲剥离层400的设置,可以增加显示区域AA内的金属层(该金属层例如包括薄膜晶体管驱动阵列700,该薄膜晶体管驱动阵列700可以为包括栅线、数据线等在内的信号走线及薄膜晶体管)与衬底基板100之间粘附力,从而保证绑定区域D与外围线路200顺利剥离,而显示区域AA的金属层不会与衬底基板100剥离。
此外,本实施例中,所述方法还包括:在所述去除所述衬底基板100的绑定区域D之后,在所述外围线路200上绑定驱动芯片900(驱动IC)。
在上述方案中,去除所述衬底基板100的绑定区域D之后,即,步骤S3之后,所述外围线路200需要绑定驱动IC,再弯折所述柔性绝缘薄膜300,可利用背胶901等与衬底基板100的第二表面进行粘贴固定。
此外,在本实施例中,在所述步骤S3之后,所述步骤S4之前,所述方法还包括:在所述衬底基板100的去除所述绑定区域D之后的切割边缘涂覆保护胶800。上述方案,通过对衬底基板100的切割边缘涂胶,降低外围线路200被衬底基板100边缘切断的风险。
此外,在本实施例中,可采用机械切割方式或者激光切割方式,去除所述衬底基板100的绑定区域D,对此不进行限定。
图19所示为采用实施例1的方法所得到的显示器件的一种结构示意图。
如图19所示,本实施例方法所得到的显示器件包括:
衬底基板100,所述衬底基板100包括相背设置的第一表面和第二表面,且所述衬底基板100包括显示区域AA,所述显示区域AA的至少一侧为绑定侧;
在所述衬底基板100的第一表面的显示区域AA设有薄膜晶体管驱动阵列700,所述薄膜晶体管驱动阵列700包括栅线、数据线在内的信号走线及薄膜晶体管,所述薄膜晶体管驱动阵列700的绑定侧设有与所述薄膜晶体管驱动阵列700连接的外围线路200;
在所述外围线路200上覆盖有柔性绝缘薄膜300,所述柔性绝缘薄膜300的一部分连接在所述衬底基板100上,另一部分超出所述衬底基板100的绑定侧边缘,并向所述衬底基板100的第二表面弯折,固定于所述衬底基板100的第二表面一侧;其中,
在所述衬底基板100的显示区域AA设有用于增加金属层与衬底基板100之间的粘附力的缓冲剥离层400;
在所述外围线路200的远离所述柔性绝缘薄膜300的一侧连接有驱动芯片900,且所述外围线路200的远离所述柔性绝缘薄膜300的一侧通过背胶901固定在所述衬底基板100的第二表面一侧。
此外,在本实施例中,所述步骤2还可以有以下两种实施方式:
第一种实施方式:
所述步骤2具体包括:
步骤A、在所述衬底基板100的第一表面上形成首层金属层10,所述首层金属层10包括位于所述绑定区域D的外围线路200;
步骤B、在所述首层金属层10上覆盖柔性绝缘薄膜300,在所述显示区域AA的薄膜晶体管驱动阵列700上覆盖绝缘层,其中所述绝缘层部分覆盖所述外围线路,且在所述绝缘层上对应所述外围线路的位置形成过孔;
步骤C、在所述柔性绝缘薄膜300和所述绝缘层上形成位于所述显示区域AA的薄膜晶体管驱动阵列700,所述薄膜晶体管驱动阵列700包括栅线、数据线在内的信号走线及薄膜晶体管,且所述薄膜晶体管驱动阵列700通过所述过孔与所述首层金属层10电连接。
图19所示为本实施方式所得到的显示器件的结构示意图。
在本实施方式中,在衬底基板100上首先制作首层金属层10,该首层金属层10包括外围线路200,然后在外围线路200上覆盖一层柔性绝缘薄膜300,在显示区域AA上覆盖绝缘层702,其中绝缘层702部分覆盖在柔性绝缘薄膜300上,且在所述绝缘层702上对应所述外围线路200的位置形成过孔,然后,再在衬底基板100上制作薄膜晶体管驱动阵列700,薄膜晶体管驱动阵列700通过所述过孔与外围线路200进行电性连接。
图11~18所示为本实施例中所提供的方法制作显示器件时的结构示意图。图19为图18中所示结构的断面结构示意图。
以下结合附图详细说明本实施例的方法,该方法包括以下步骤:
如图11所示,在衬底基板100的显示区域AA形成缓冲剥离层400,该缓冲剥离层400可通过图案化工艺形成;
如图12所示,在衬底基板100上形成首层金属层10,该首层金属层10包括外围线路200;
如图13所示,在所述外围线路200上覆盖柔性绝缘薄膜300;
如图14所示,在所述衬底基板100的显示区域AA形成薄膜晶体管驱动阵列700;
如图15所示,去除衬底基板100的绑定区域;
如图16所示,在所述衬底基板100的切割边缘处涂覆保护胶800;
如图17所示,在所述外围线路200上绑定驱动IC 900;
如图18所示,弯折所述柔性绝缘薄膜300,并进行固定。
此外,本实施例所提供的显示器件在应用于LCD显示屏中时,其可以作为LED显示屏的阵列基板,该显示器件应用于LCD显示屏中时,该LCD显示屏的结构如图21所示,其中,彩膜基板11通过封框胶20与该显示器件对盒设置,外围线路200通过背胶901与背光源30固定。
此外,本实施例所提供的显示器件应用于LED显示屏时,该LED显示屏的结构如图23所示,在该显示器件上设置封装胶21,LED 22直接连接于薄膜晶体管驱动阵列700上。
第二种实施方式:
步骤A’、在所述衬底基板100的第一表面上形成金属层,所述金属层包括位于所述显示区域AA的薄膜晶体管驱动阵列700、及位于所述绑定区域D的外围线路200,所述薄膜晶体管驱动阵列700为包括栅线、数据线在内的信号走线及薄膜晶体管;
步骤B’、在所述金属层上覆盖柔性绝缘薄膜300。
图所示为本实施方式所得到的显示器件的结构示意图。
在本实施方式中,在衬底基板100上直接制作金属层,该金属层既包括薄膜晶体管驱动阵列700,又包括外围线路200,其中所述薄膜晶体管驱动阵列700为包括栅线、数据线等在内的信号走线及薄膜晶体管,然后,再在该金属层上制作柔性绝缘薄膜300。
图1~6所示为本实施例中所提供的方法制作显示器件时的结构示意图。图8为图3中所示结构的断面结构示意图;图9为图4中所示结构的断面结构示意图;图10为图6中所示结构的断面结构示意图。
以下结合附图详细说明本实施例的方法,该方法包括以下步骤:
如图1所示,在衬底基板100的显示区域AA形成缓冲剥离层400,该缓冲剥离层400可通过图案化工艺得到;
如图2所示,在衬底基板100上形成金属层,该金属层包括薄膜晶体管驱动阵列700和外围线路200;
如图3和图8所示,在所述外围线路200上覆盖柔性绝缘薄膜300;
如图4和图9所示,去除衬底基板100的绑定区域;
如图5所示,在所述衬底基板100的切割边缘处涂覆保护胶800;
如图6所示,在所述外围线路200上绑定驱动IC900;
如图7和图10所示,弯折所述柔性绝缘薄膜300,并进行固定。
此外,本实施例所提供的显示器件在应用于LCD显示屏中时,其可以作为LED显示屏的阵列基板,该显示器件应用于LCD显示屏中时,该LCD显示屏的结构如图20所示,其中,彩膜基板11通过封框胶20与该显示器件对盒设置,外围线路200通过背胶901与背光源30固定。
此外,本实施例所提供的显示器件应用于LED显示屏时,该LED显示屏的结构如图22所示,在该显示器件上设置封装胶21,LED 22直接连接于金属层上。
以上两种实施方式的区别在于:
第二种实施方式,是在衬底基板100上制作柔性绝缘薄膜300之前,将显示基板上的薄膜晶体管驱动阵列700(即,TFT Array阵列,包括栅线、数据线等信号走线和薄膜晶体管)及外围线路200直接全部制作完成;
而第一种实施方式,是在衬底基板100上形成柔性绝缘薄膜300之前,先做首层金属层10,该首层金属层10包括位于所述绑定区域D的外围线路200,在显示器件的Gate侧(栅线侧)和Data侧(数据线侧)均通过首层金属层10制作外围线路200,然后,在外围线路200上覆盖柔性绝缘薄膜300,在显示区域AA上再覆盖绝缘层702,然后,再在显示区域AA制作所述薄膜晶体管驱动阵列700,该薄膜晶体管驱动阵列700包括栅线、数据线等在内的信号走线,还包括薄膜晶体管,并通过绝缘层702上的过孔(该过孔位于绝缘层702上,可不用对柔性绝缘薄膜300再单独进行开孔),使得薄膜晶体管驱动阵列700与首层金属层10电性连接,这样,柔性绝缘薄膜300可在薄膜晶体管工艺(TFT工艺)之前进行固化,柔性绝缘薄膜300的固化工艺则不会影响TFT特性曲线。
实施例2
图26和27所示为采用步骤S11所得到的显示器件的第二种示例性的结构示意图。
如图26和27所示,在本发明所提供的第二种实施例中,在衬底基板100的第一表面上、所述绑定区域D处形成外围线路200之前,即步骤S2之前,在所述衬底基板100的绑定区域D处形成剥离层500,该剥离层500的作用是,降低金属层与衬底基板100之间的粘附力。
这样,当采用机械切割或者激光切割等方式对衬底基板100局部切割,以去除衬底基板100的绑定区域D时,由于绑定区域D的剥离层500的设置,可以减小金属层(外围线路200)与衬底基板100之间粘附力,使得衬底基板100的绑定区域D与外围线路200顺利剥离。
此外,本实施例中,所述方法还包括:在所述去除所述衬底基板的绑定区域之后,在所述外围线路200上绑定驱动芯片900(驱动IC)。
在上述方案中,在所述绑定区域D的外围线路200上覆盖柔性绝缘薄膜300之前,即步骤S2之前,所述外围线路200绑定驱动IC,弯折所述柔性绝缘薄膜300时,剥离层500可利用背胶901等与衬底基板100的第二表面进行粘贴固定。
此外,在本实施例中,在所述步骤S3之后,所述步骤S4之前,所述方法还包括:在所述衬底基板100的去除所述绑定区域D之后的切割边缘涂覆保护胶800。
上述方案,通过对衬底基板100的切割边缘涂胶,降低外围线路200被衬底基板100边缘切断的风险。
此外,在本实施例中,可采用机械切割方式或者激光切割方式,去除所述衬底基板100的绑定区域D,对此不进行限定。
如图26和27所示,本实施例方法所得到的显示器件包括:
衬底基板100,所述衬底基板100包括相背设置的第一表面和第二表面,且所述衬底基板100包括显示区域AA,所述显示区域AA的至少一侧为绑定侧;
在所述衬底基板100的第一表面的显示区域AA设有薄膜晶体管驱动阵列700,所述薄膜晶体管驱动阵列700的绑定侧设有与所述薄膜晶体管驱动阵列700连接的外围线路200;
在所述外围线路200上覆盖有柔性绝缘薄膜300,所述柔性绝缘薄膜300的一部分连接在所述衬底基板100上,另一部分超出所述衬底基板100的绑定侧边缘,并向所述衬底基板100的第二表面弯折,固定于所述衬底基板100的第二表面一侧;
其中,在所述外围线路200的远离所述柔性绝缘薄膜300的一侧形成有用于降低金属层与衬底基板100之间的粘附力的剥离层500,在所述外围线路200的远离所述剥离层500的一侧连接有驱动芯片900,且所述剥离层500通过背胶901与所述衬底基板100的第二表面固定。
此外,在本实施例中,所述步骤2还可以有以下两种实施方式:
第一种实施方式:
所述步骤2具体包括:
步骤A、在所述衬底基板100的第一表面上形成首层金属层10,所述首层金属层10包括位于所述绑定区域D的外围线路200;
步骤B、在所述首层金属层10上覆盖柔性绝缘薄膜300,在所述显示区域AA上覆盖绝缘层702,其中所述绝缘层702部分覆盖所述外围线路200,且在所述绝缘层702上对应所述外围线路200的位置形成过孔;
步骤C、在所述柔性绝缘薄膜300和所述绝缘层702上形成薄膜晶体管驱动阵列700,且所述薄膜晶体管驱动阵列700通过所述过孔与所述首层金属层10电连接。
图27所示为本实施方式所得到的显示器件的结构示意图。
在本实施方式中,在衬底基板100上首先制作首层金属层10,该首层金属层10包括外围线路200,然后在外围线路200上覆盖一层柔性绝缘薄膜300,在显示区域AA上覆盖绝缘层702,其中绝缘层702部分覆盖在柔性绝缘薄膜300上,且在所述绝缘层702上对应所述外围线路200的位置形成过孔,然后,再在衬底基板100上制作薄膜晶体管驱动阵列700,薄膜晶体管驱动阵列700通过所述过孔与外围线路200进行电性连接。
第二种实施方式:
步骤A’、在所述衬底基板100的第一表面上形成金属层,所述金属层包括位于所述显示区域AA的薄膜晶体管驱动阵列700及位于所述绑定区域D的外围线路200,所述薄膜晶体管驱动阵列700为包括栅线、数据线在内的信号走线及薄膜晶体管;
步骤B’、在所述金属层上覆盖柔性绝缘薄膜300。
图24表示本发明所提供的显示器件制造方法的实施例2中的第二种实施方式制造显示器件时在衬底基板上覆盖柔性绝缘薄膜之后的结构示意图;
图25表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例2中的第二种实施方式制造显示器件时去除衬底基板的外围区域之后的结构示意图;
图26表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例2中的第二种实施方式制造显示器件时弯折固定柔性绝缘薄膜之后的结构示意图;
图27表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例2中的第一种实施方式制造显示器件时弯折固定柔性绝缘薄膜之后的结构示意图。
在本实施方式中,在衬底基板100上直接制作金属层,该金属层既包括薄膜晶体管驱动阵列700,又包括外围线路200,其中所述薄膜晶体管驱动阵列700为包括栅线、数据线等在内的信号走线及薄膜晶体管,然后,再在该金属层上制作柔性绝缘薄膜300。
以上两种实施方式的区别在于:
第二种实施方式,是在衬底基板100上制作柔性绝缘薄膜300之前,将显示基板上的薄膜晶体管驱动阵列700(即,TFT Array阵列,包括薄膜晶体管驱动阵列700和薄膜晶体管701)及外围线路200直接全部制作完成;
而第一种实施方式,是在衬底基板100上形成柔性绝缘薄膜300之前,先做首层金属层10,该首层金属层10包括位于所述绑定区域D的外围线路200,在显示器件的Gate侧(栅线侧)和Data侧(数据线侧)均通过首层金属层10制作外围线路200,然后,在外围线路200上覆盖柔性绝缘薄膜300,在显示区域AA上再覆盖绝缘层702,然后,再在显示区域AA制作所述薄膜晶体管驱动阵列700,该薄膜晶体管驱动阵列700包括栅线、数据线等在内的信号走线,还包括薄膜晶体管,并通过绝缘层702上的过孔(该过孔位于绝缘层702上,可不用对柔性绝缘薄膜300再单独进行开孔),使得薄膜晶体管驱动阵列700与首层金属层10电性连接,这样,柔性绝缘薄膜300可在薄膜晶体管工艺(TFT工艺)之前进行固化,柔性绝缘薄膜300的固化工艺则不会影响TFT特性曲线。
此外,图28表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例2中的第二种实施方式所得到的显示器件应用于LCD显示屏的结构示意图;图29表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例2中的第二种实施方式所得到的显示器件应用于LED显示屏的结构示意图;图30表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例2中的第一种实施方式所得到的显示器件应用于LCD显示屏的结构示意图;图31表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例2中的第一种实施方式所得到的显示器件应用于LED显示屏的结构示意图。
本实施例所提供的显示器件在应用于LCD显示屏中时,其可以作为LED显示屏的阵列基板,该显示器件应用于LCD显示屏中时,该LCD显示屏的结构如图28和30所示,其中,彩膜基板11通过封框胶20与该显示器件对盒设置,外围线路200通过背胶901与背光源30固定。
此外,本实施例所提供的显示器件应用于LED显示屏时,该LED显示屏的结构如图29和31所示,在该显示器件上设置封装胶21,LED 22直接连接于金属层上。
实施例3
图34-35所示为采用步骤S13所得到的显示器件的第三种示例性的结构示意图。
在本实施例中选用激光切割方式去除所述衬底基板100的绑定区域D。
如图34-35所示,在本发明所提供的第三种实施例中,所述在所述衬底基板100的绑定区域D形成激光牺牲层600,具体包括:在所述衬底基板100的第一表面上整面覆盖缓冲层,在所述缓冲层的绑定区域D处沉积能够吸收激光的牺牲层材料,以形成所述激光牺牲层600。
本实施例中,在所述衬底基板100的绑定区域D形成激光牺牲层600,该激光牺牲层600选用能够吸收激光而气化的材料,其可以在激光照射下气化,从而,在激光切割衬底基板100时,通过激光照射所需要切割掉的部分,所述激光牺牲层600在激光照射下气化后,可方便将激光照射部位的所述衬底基板100与外围线路200进行剥离。
具体地,形成所述激光牺牲层600的过程是,在所述衬底基板100的第一表面上整面覆盖缓冲层,在所述缓冲层的绑定区域D处沉积能够吸收激光的牺牲层材料,以形成所述激光牺牲层600。
所述激光牺牲层600可以为聚对二甲苯、金属氧化物、氮化硅(SiNx)、二氧化硅(SiO2)、非晶硅、三五族半导体、六甲基二硅胺烷中的一种或几种的组合。优选的,所述牺牲层材料选用氢化非晶硅。
在本实施例中,所述方法中,所述去除所述衬底基板100的绑定区域D时,去除所述激光牺牲层600,且在所述绑定区域D的外围线路200上覆盖柔性绝缘薄膜300之前,所述方法还包括:在所述外围线路200上绑定驱动芯片900。
在上述方案中,在所述绑定区域D的外围线路200上覆盖柔性绝缘薄膜300之前,如图34和35所示,所述外围线路200绑定驱动IC,再弯折所述柔性绝缘薄膜300,可利用背胶901等与衬底基板100的第二表面进行粘贴固定。
此外,在本实施例中,在所述步骤S3之后,所述步骤S4之前,所述方法还包括:在所述衬底基板100的去除所述绑定区域D之后的切割边缘涂覆保护胶800。
上述方案,通过对衬底基板100的切割边缘涂胶,降低外围线路200被衬底基板100边缘切断的风险。
如图34和35所示,采用本实施例方法所得到的显示器件包括:
衬底基板100,所述衬底基板100包括相背设置的第一表面和第二表面,且所述衬底基板100包括显示区域AA,所述显示区域AA的至少一侧为绑定侧;
在所述衬底基板100的第一表面的显示区域AA设有薄膜晶体管驱动阵列700,所述薄膜晶体管驱动阵列700的绑定侧设有与所述薄膜晶体管驱动阵列700连接的外围线路200;
在所述外围线路200上覆盖有柔性绝缘薄膜300,所述柔性绝缘薄膜300的一部分连接在所述衬底基板100上,另一部分超出所述衬底基板100的绑定侧边缘,并向所述衬底基板100的第二表面弯折,固定于所述衬底基板100的第二表面;
其中,在所述薄膜晶体管驱动阵列700与所述衬底基板100之间设有缓冲层,在所述外围线路200的远离所述柔性绝缘薄膜300的一侧连接有驱动芯片900,且所述外围线路200通过背胶901与所述衬底基板100的第二表面固定。
此外,在本实施例中,所述步骤2还可以有以下两种实施方式:
第一种实施方式:
所述步骤2具体包括:
步骤A、在所述衬底基板100的第一表面上形成首层金属层10,所述首层金属层10包括位于所述绑定区域D的外围线路200;
步骤B、
在所述首层金属层10上覆盖柔性绝缘薄膜300,在所述显示区域AA的薄膜晶体管驱动阵列700上覆盖绝缘层,其中所述绝缘层部分覆盖所述外围线路,且在所述绝缘层上对应所述外围线路的位置形成过孔;
步骤C、在所述柔性绝缘薄膜300和所述绝缘层上形成位于所述显示区域AA的薄膜晶体管驱动阵列700,所述薄膜晶体管驱动阵列700包括栅线、数据线在内的信号走线及薄膜晶体管,且所述薄膜晶体管驱动阵列700通过所述过孔与所述首层金属层10电连接。图35所示为本实施方式所得到的显示器件的结构示意图。
在本实施方式中,在衬底基板100上首先制作首层金属层10,该首层金属层10包括外围线路200,然后在外围线路200上覆盖一层柔性绝缘薄膜300,在显示区域AA上覆盖绝缘层702,其中绝缘层702部分覆盖在柔性绝缘薄膜300上,且在所述绝缘层702上对应所述外围线路200的位置形成过孔,然后,再在衬底基板100上制作薄膜晶体管驱动阵列700,薄膜晶体管驱动阵列700通过所述过孔与外围线路200进行电性连接。
第二种实施方式:
步骤A’、在所述衬底基板100的第一表面上形成金属层,所述金属层包括位于所述显示区域AA的薄膜晶体管驱动阵列700、及位于所述绑定区域D的外围线路200,所述薄膜晶体管驱动阵列700为包括栅线、数据线在内的信号走线及薄膜晶体管;
步骤B’、在所述金属层上覆盖柔性绝缘薄膜300。
图34所示为本实施方式所得到的显示器件的结构示意图。
在本实施方式中,在衬底基板100上直接制作金属层,该金属层既包括薄膜晶体管驱动阵列700,又包括外围线路200,其中所述薄膜晶体管驱动阵列700为包括栅线、数据线等在内的信号走线及薄膜晶体管,然后,再在该金属层上制作柔性绝缘薄膜300。
以上两种实施方式的区别在于:
第二种实施方式,是在衬底基板100上制作柔性绝缘薄膜300之前,将显示基板上的薄膜晶体管驱动阵列700(即,TFT Array阵列,包括栅线、数据线等信号走线和薄膜晶体管)及外围线路200直接全部制作完成;
而第一种实施方式,是在衬底基板100上形成柔性绝缘薄膜300之前,先做首层金属层10,该首层金属层10包括位于所述绑定区域D的外围线路200,在显示器件的Gate侧(栅线侧)和Data侧(数据线侧)均通过首层金属层10制作外围线路200,然后,在外围线路200上覆盖柔性绝缘薄膜300,在显示区域AA上再覆盖绝缘层702,然后,再在显示区域AA制作所述薄膜晶体管驱动阵列700,该薄膜晶体管驱动阵列700包括栅线、数据线等在内的信号走线,还包括薄膜晶体管,并通过绝缘层702上的过孔(该过孔位于绝缘层702上,可不用对柔性绝缘薄膜300再单独进行开孔),使得薄膜晶体管驱动阵列700与首层金属层10电性连接,这样,柔性绝缘薄膜300可在薄膜晶体管工艺(TFT工艺)之前进行固化,柔性绝缘薄膜300的固化工艺则不会影响TFT特性曲线。
图32表示本发明所提供的显示器件制造方法的实施例3中的第二种实施方式制造显示器件时在衬底基板上覆盖柔性绝缘薄膜之后的结构示意图;
图33表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例3中的第二种实施方式制造显示器件时去除衬底基板的外围区域之后的结构示意图;
图34表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例3中的第二种实施方式制造显示器件时弯折固定柔性绝缘薄膜之后的结构示意图;
图35表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例3中的第一种实施方式制造显示器件时弯折固定柔性绝缘薄膜之后的结构示意图;
图36表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例3中的第二种实施方式所得到的显示器件应用于LCD显示屏的结构示意图;
图37表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例3中的第二种实施方式所得到的显示器件应用于LED显示屏的结构示意图;
图38表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例3中的第一种实施方式所得到的显示器件应用于LCD显示屏的结构示意图;
图39表示采用本发明所提供的显示器件制造方法的实施例3中的第一种实施方式所得到的显示器件应用于LED显示屏的结构示意图。
本实施例所提供的显示器件在应用于LCD显示屏中时,其可以作为LED显示屏的阵列基板,该显示器件应用于LCD显示屏中时,该LCD显示屏的结构如图28和30所示,其中,彩膜基板11通过封框胶20与该显示器件对盒设置,外围线路200通过背胶901与背光源30固定。
此外,本实施例所提供的显示器件应用于LED显示屏时,该LED显示屏的结构如图29和31所示,在该显示器件上设置封装胶21,LED 22直接连接于金属层上。
本发明实施例另一方面提供了一种显示器件,采用本发明实施例所提供的方法制成,包括:
衬底基板100,所述衬底基板100包括相背设置的第一表面和第二表面,所述衬底基板100包括显示区域AA,所述显示区域AA的至少一侧为绑定侧;
所述衬底基板100的第一表面上设有超出所述绑定侧的边缘的外围线路200;
所述外围线路200上覆盖有柔性绝缘薄膜300,所述柔性绝缘薄膜300的一部分连接在所述衬底基板100上,所述柔性绝缘薄膜300的另一部分超出所述衬底基板100的绑定侧边缘,并向所述衬底基板100的第二表面弯折以固定于所述衬底基板100的第二表面。
本发明实施例所提供的显示器件,在衬底基板100的第一表面上设置外围线路200,外围线路200超出该衬底基板100的绑定侧边缘之外,且外围线路200上又覆盖有柔性绝缘薄膜300,柔性绝缘薄膜300一部分连接在衬底基板100上,另一部分超出所述衬底基板100的绑定侧边缘,且柔性绝缘薄膜300与外围线路200由所述衬底基板100的第一表面向第二表面弯折而固定在衬底基板100的第二表面,这样,这样,衬底基板100正面(即第一表面)的外围线路200即随柔性绝缘薄膜300而弯折固定于衬底基板100背面,且外围线路200会位于柔性绝缘薄膜300的内侧,即位于弯折半径内,可改善外围线路200弯曲性能,实现更小弯曲R角,甚至直角弯折;并且,由于仅局部设置柔性绝缘薄膜300,一方面相较于整面设置PI膜等方案,可降低成本,另一方面,有效显示区(AA区)没有设置柔性绝缘薄膜300,不会影响显示器件光学效果,有效克服了现有技术中显示器件绑定工艺难度,实现了更小边框,甚至无边框设计。
以下说明本发明所提供的显示器件的几种示例性的实施例。
实施例1
图10所示为本发明所提供的显示器件的第一种实施例的结构示意图。
如图10所示,在本实施例中,在所述衬底基板100的显示区域AA设有薄膜晶体管驱动阵列700,且所述薄膜晶体管驱动阵列700与所述衬底基板100之间设有用于增加金属层与衬底基板100之间的粘附力的缓冲剥离层400,在所述外围线路200的远离所述柔性绝缘薄膜300的一侧连接有驱动芯片900,且所述外围线路200的远离所述柔性绝缘薄膜300的一侧通过背胶901与所述衬底基板100的第二表面固定。
上述方案,在衬底基板100的第一表面上、所述绑定区域D处形成外围线路200之前,在衬底基板100的显示区域AA形成缓冲剥离层400,该缓冲剥离层400的作用是,增加金属层与衬底基板100之间粘附力,这样,当去除掉衬底基板100上的绑定区域D时(例如,采用激光切割或机械切割等工艺方式切割衬底基板100),外围线路200即从衬底基板100上剥离至柔性绝缘薄膜300上,由于缓冲剥离层400的设置,可以增加显示区域AA内的金属层(该金属层例如包括薄膜晶体管驱动阵列700,该薄膜晶体管驱动阵列700可以为包括栅线、数据线等在内的信号走线及薄膜晶体管)与衬底基板100之间粘附力,从而保证绑定区域D与外围线路200顺利剥离,而显示区域AA金属层不会与衬底基板100剥离。
此外,在本实施例中,在所述衬底基板100的去除所述绑定区域D之后的切割边缘涂覆保护胶800。这样,通过对衬底基板100的切割边缘涂胶,降低外围线路200被衬底基板100边缘切断的风险。
此外,在本实施例中,在所述衬底基板100的第一表面上设有首层金属层10,所述首层金属层10包括位所述外围线路200;在所述首层金属层10上覆盖有所述柔性绝缘薄膜300,在所述薄膜晶体管驱动阵列700上覆盖有绝缘层702,其中绝缘层702部分覆盖在柔性绝缘薄膜300上,且在所述绝缘层702上对应所述外围线路200的位置形成过孔,在所述柔性绝缘薄膜300和所述绝缘层702上形成有薄膜晶体管驱动阵列700,且所述薄膜晶体管驱动阵列700通过所述过孔与所述首层金属层电连接。
采用上述方案,在本实施方式中,是在衬底基板100上形成柔性绝缘薄膜300之前,先做首层金属层10,该首层金属层10位于所述绑定区域D的外围线路200,在显示器件的Gate侧(栅线侧)和Data侧(数据线侧)均通过首层金属层10制作外围线路200,然后,在外围线路200上覆盖柔性绝缘薄膜300,在首层金属层10的薄膜晶体管驱动阵列700上再覆盖绝缘层702,然后,再在显示区域AA制作薄膜晶体管驱动阵列700,并通过绝缘层702上的过孔(该过孔位于绝缘层702上,可不用对柔性绝缘薄膜300再单独进行开孔),使得薄膜晶体管驱动阵列700与首层金属层10电性连接,这样,柔性绝缘薄膜300可在薄膜晶体管工艺(TFT工艺)之前进行固化,柔性绝缘薄膜300的固化工艺则不会影响TFT特性曲线。
实施例2
图19所示为本发明所提供的显示器件的第二种实施例的结构示意图。
如图19所示,本实施例所提供的显示器件与实施例1所提供的显示器件的区别在于,在所述衬底基板100的第一表面上形成有金属层,所述金属层包括位于所述显示区域AA的薄膜晶体管驱动阵列700、及位于所述绑定区域D的外围线路200,所述薄膜晶体管驱动阵列700为包括栅线、数据线在内的信号走线及薄膜晶体管,在所述外围线路200上覆盖有所述柔性绝缘薄膜300。
也就是说,在本实施例中,在衬底基板100上直接制作金属层,该金属层既包括薄膜晶体管驱动阵列700,又包括外围线路200,其中所述薄膜晶体管驱动阵列700为包括栅线、数据线等在内的信号走线及薄膜晶体管,然后,再在该金属层上制作柔性绝缘薄膜300。
实施例3
图26所示为本发明所提供的显示器件的第三种实施例的结构示意图。
如图26所示,本实施例所提供的显示器件,在所述外围线路200的远离所述柔性绝缘薄膜300的一侧形成有用于降低金属层与衬底基板100之间的粘附力的剥离层500,在所述外围线路200的靠近所述柔性绝缘薄膜300的一侧连接有驱动芯片900,且所述剥离层500通过背胶901与所述衬底基板100的第二表面固定。
上述方案,当采用机械切割或者激光切割等方式对衬底基板100局部切割,以去除衬底基板100的绑定区域D时,由于绑定区域D的剥离层500的设置,可以减小金属层(外围线路200)与衬底基板100之间粘附力,使得衬底基板100的绑定区域D与外围线路200顺利剥离。
此外,在本实施例中,如图26所示,在所述衬底基板100的去除所述绑定区域D之后的切割边缘涂覆保护胶800。这样,通过对衬底基板100的切割边缘涂胶,降低外围线路200被衬底基板100边缘切断的风险。
此外,在本实施例中,如图所示,在所述衬底基板100的第一表面上设有首层金属层10,所述首层金属层10包括所述外围线路200,所述薄膜晶体管驱动阵列700为包括栅线、数据线在内的信号走线及薄膜晶体管;在所述首层金属层10上覆盖有所述柔性绝缘薄膜300,在所述显示区域上覆盖有绝缘层702,且所述绝缘层702上形成过孔,在所述绝缘层702上形成有薄膜晶体管驱动阵列700,且所述薄膜晶体管驱动阵列700通过所述过孔与所述金属层电连接。
采用上述方案,在本实施方式中,是在衬底基板100上形成柔性绝缘薄膜300之前,先做首层金属层10,该首层金属层10包括位于所述绑定区域D的外围线路200,在显示器件的Gate侧(栅线侧)和Data侧(数据线侧)均通过首层金属层10制作外围线路200,然后,在外围线路200上覆盖柔性绝缘薄膜300,在显示区域AA上再覆盖绝缘层702,然后,再在显示区域AA制作所述薄膜晶体管驱动阵列700,该薄膜晶体管驱动阵列700包括栅线、数据线等在内的信号走线,还包括薄膜晶体管,并通过绝缘层702上的过孔(该过孔位于绝缘层702上,可不用对柔性绝缘薄膜300再单独进行开孔),使得薄膜晶体管驱动阵列700与首层金属层10电性连接,这样,柔性绝缘薄膜300可在薄膜晶体管工艺(TFT工艺)之前进行固化,柔性绝缘薄膜300的固化工艺则不会影响TFT特性曲线。
实施例4
图27所示为本发明所提供的显示器件的第三种实施例的结构示意图。
如图27所示,本实施例所提供的显示器件与实施例3所提供的显示器件的区别在于,在所述衬底基板100的第一表面上形成有金属层,所述金属层包括位于所述显示区域AA的薄膜晶体管驱动阵列700、及位于所述绑定区域D的外围线路200,所述薄膜晶体管驱动阵列700为包括栅线、数据线在内的信号走线及薄膜晶体管,在所述外围线路200上覆盖有所述柔性绝缘薄膜300。
也就是说,在衬底基板100上直接制作金属层,该金属层既包括薄膜晶体管驱动阵列700,又包括外围线路200,其中所述薄膜晶体管驱动阵列700为包括栅线、数据线等在内的信号走线及薄膜晶体管,然后,再在该金属层上制作柔性绝缘薄膜300。
实施例5
图34所示为本发明所提供的显示器件的第五种实施例的结构示意图。
如图34所示,本实施例所提供的显示器件,在所述衬底基板100的显示区域AA设有薄膜晶体管驱动阵列700,且所述薄膜晶体管驱动阵列700与所述衬底基板100之间设有缓冲层,在所述外围线路200的远离所述柔性绝缘薄膜300的一侧连接有驱动芯片900,且所述外围线路200的远离所述柔性绝缘薄膜300的一侧通过背胶901与所述衬底基板100的第二表面固定。
本实施例,在所述衬底基板100的绑定区域D形成激光牺牲层600,该激光牺牲层600选用能够吸收激光而气化的材料,其可以在激光照射下气化,从而,在激光切割衬底基板100时,通过激光照射所需要切割掉的部分,所述激光牺牲层600在激光照射下气化后,可方便将激光照射部位的所述衬底基板100与外围线路200进行剥离。具体地,形成所述激光牺牲层600的过程是,在所述衬底基板100的第一表面上整面覆盖缓冲层,在所述缓冲层的绑定区域D处沉积能够吸收激光的牺牲层材料,以形成所述激光牺牲层600,通过该方法所制得的显示器件即为本实施例所提供的显示器件。
此外,在本实施例中,在所述衬底基板100的去除所述绑定区域D之后的切割边缘涂覆保护胶800。这样,通过对衬底基板100的切割边缘涂胶,降低外围线路200被衬底基板100边缘切断的风险。
此外,在本实施例中,在所述衬底基板100的第一表面上设有首层金属层10,所述首层金属层10包括所述外围线路200,所述薄膜晶体管驱动阵列700为包括栅线、数据线在内的信号走线及薄膜晶体管;在所述首层金属层10上覆盖有所述柔性绝缘薄膜300,在所述显示区域AA覆盖有绝缘层702,且所述绝缘层702上形成过孔,在所述绝缘层702上形成有薄膜晶体管驱动阵列700,且所述薄膜晶体管驱动阵列700通过所述过孔与所述首层金属层10电连接。
采用上述方案,在本实施方式中,
是在衬底基板100上形成柔性绝缘薄膜300之前,先做首层金属层10,该首层金属层10包括位于所述绑定区域D的外围线路200,在显示器件的Gate侧(栅线侧)和Data侧(数据线侧)均通过首层金属层10制作外围线路200,然后,在外围线路200上覆盖柔性绝缘薄膜300,在显示区域AA上再覆盖绝缘层702,然后,再在显示区域AA制作所述薄膜晶体管驱动阵列700,该薄膜晶体管驱动阵列700包括栅线、数据线等在内的信号走线,还包括薄膜晶体管,并通过绝缘层702上的过孔(该过孔位于绝缘层702上,可不用对柔性绝缘薄膜300再单独进行开孔),使得薄膜晶体管驱动阵列700与首层金属层10电性连接,这样,柔性绝缘薄膜300可在薄膜晶体管工艺(TFT工艺)之前进行固化,柔性绝缘薄膜300的固化工艺则不会影响TFT特性曲线。
实施例6
图35所示为本发明所提供的显示器件的第六种实施例的结构示意图。
如图35所示,本实施例所提供的显示器件与实施例3所提供的显示器件的区别在于,在所述衬底基板100的第一表面上形成有金属层,所述金属层包括位于所述显示区域AA的薄膜晶体管驱动阵列700、及位于所述绑定区域D的外围线路200,所述薄膜晶体管驱动阵列700为包括栅线、数据线在内的信号走线及薄膜晶体管,在所述外围线路200上覆盖有所述柔性绝缘薄膜300。
也就是说,在本实施例中,
在衬底基板100上直接制作金属层,该金属层既包括薄膜晶体管驱动阵列700,又包括外围线路200,其中所述薄膜晶体管驱动阵列700为包括栅线、数据线等在内的信号走线及薄膜晶体管,然后,再在该金属层上制作柔性绝缘薄膜300。
有以下几点需要说明:
(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见,在用于描述本公开的实施例的附图中,层或区域的厚度被放大或缩小,即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解,当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时,该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”或者可以存在中间元件。
(3)在不冲突的情况下,本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上所述,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (12)
1.一种显示器件制造方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一衬底基板,所述衬底基板包括相背设置的第一表面和第二表面,且所述衬底基板包括显示区域和绑定区域,所述显示区域的至少一侧为绑定侧,所述绑定区域位于所述绑定侧;
在所述衬底基板的第一表面上、所述绑定区域处形成外围线路,在所述外围线路上覆盖柔性绝缘薄膜;
去除所述衬底基板的绑定区域,以使所述外围线路从所述衬底基板剥离至所述柔性绝缘薄膜上,且所述柔性绝缘薄膜的一部分连接在所述衬底基板上,另一部分超出所述衬底基板;
所述柔性绝缘薄膜用于为所述外围线路提供基底,弯折所述柔性绝缘薄膜的超出所述衬底基板的部分,并固定于所述衬底基板的第二表面一侧;
所述在所述衬底基板的第一表面上、所述绑定区域处形成外围线路之前,所述方法还包括:在所述衬底基板的绑定区域形成激光牺牲层。
2.根据权利要求1所述的显示器件制造方法,其特征在于,
所述在所述衬底基板的第一表面上、所述绑定区域处形成外围线路之前,所述方法还包括以下至少一种:
在所述衬底基板的显示区域形成用于增加金属层与衬底基板之间粘附力的缓冲剥离层;
在所述衬底基板的绑定区域处形成用于降低金属层与衬底基板之间的粘附力的剥离层。
3.根据权利要求2所述的显示器件制造方法,其特征在于,
所述在所述衬底基板的绑定区域形成激光牺牲层,具体包括:
在所述衬底基板的第一表面上整面覆盖缓冲层,在所述缓冲层的绑定区域处沉积能够吸收激光的牺牲层材料,以形成所述激光牺牲层。
4.根据权利要求3所述的显示器件制造方法,其特征在于,
所述激光牺牲层可以为聚对二甲苯、金属氧化物、氮化硅、二氧化硅、非晶硅、三五族半导体、六甲基二硅胺烷中的一种或几种的组合。
5.根据权利要求2所述的显示器件制造方法,其特征在于,
当在所述衬底基板的显示区域形成用于增加金属层与衬底基板之间的粘附力缓冲剥离层时,所述方法还包括:在所述去除所述衬底基板的绑定区域之后,在所述外围线路上绑定驱动芯片;
当在所述衬底基板的绑定区域处形成用于降低金属层与衬底基板之间的粘附力的剥离层时,所述方法还包括:在所述绑定区域的外围线路上覆盖柔性绝缘薄膜之前,在所述外围线路上绑定驱动芯片;
当在所述衬底基板绑定区域形成激光牺牲层时,所述方法中,所述去除所述衬底基板的绑定区域时,去除所述激光牺牲层,且在所述绑定区域的外围线路上覆盖柔性绝缘薄膜之前,所述方法还包括:在所述外围线路上绑定驱动芯片。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述方法还包括:
在所述去除所述衬底基板的绑定区域之后,所述弯折所述柔性绝缘薄膜的超出所述衬底基板的部分之前,在所述衬底基板的去除所述绑定区域之后的切割边缘涂覆保护胶。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述去除所述衬底基板的绑定区域,以使所述外围线路从所述衬底基板剥离至所述柔性绝缘薄膜上,且所述柔性绝缘薄膜的一部分连接在所述衬底基板上,另一部分超出所述衬底基板外,具体包括:
采用机械切割方式或者激光切割方式,去除所述衬底基板的绑定区域。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述在所述衬底基板的第一表面上、所述绑定区域处形成外围线路,在所述绑定区域的外围线路上覆盖柔性绝缘薄膜,具体包括:
步骤A、在所述衬底基板的第一表面上形成首层金属层,所述首层金属层包括位于所述绑定区域的外围线路;
步骤B、在所述首层金属层上覆盖所述柔性绝缘薄膜,在所述显示区域覆盖绝缘层,其中所述绝缘层部分覆盖所述外围线路,且在所述绝缘层上对应所述外围线路的位置形成过孔;
步骤C、在所述柔性绝缘薄膜和所述绝缘层上形成薄膜晶体管驱动阵列,且所述薄膜晶体管驱动阵列通过所述过孔与所述首层金属层电连接;
或者,
步骤A’、在所述衬底基板的第一表面上形成金属层,所述金属层包括位于所述显示区域的薄膜晶体管驱动阵列、与所述薄膜晶体管驱动阵列电连接且位于所述绑定区域的外围线路;
步骤B’、在所述金属层上覆盖柔性绝缘薄膜。
9.一种显示器件,其特征在于,包括:
衬底基板,所述衬底基板包括相背设置的第一表面和第二表面,所述衬底基板包括显示区域,所述显示区域的至少一侧为绑定侧;
所述衬底基板的第一表面上设有超出所述绑定侧边缘的外围线路;
所述外围线路上覆盖有柔性绝缘薄膜,所述柔性绝缘薄膜用于为所述外围线路提供基底,所述柔性绝缘薄膜的一部分连接在所述衬底基板上,所述柔性绝缘薄膜的另一部分超出所述衬底基板的绑定侧边缘,并向所述衬底基板的第二表面弯折以固定于所述衬底基板的第二表面一侧。
10.根据权利要求9所述的显示器件,其特征在于,
在所述衬底基板的显示区域设有薄膜晶体管驱动阵列,且所述薄膜晶体管驱动阵列与所述衬底基板之间设有用于增加金属层与衬底基板之间的粘附力的缓冲剥离层;
和/或,在所述外围线路的远离所述柔性绝缘薄膜的一侧形成有用于降低金属层与衬底基板之间的粘附力的剥离层;
和/或,在所述衬底基板的显示区域设有薄膜晶体管驱动阵列,且所述薄膜晶体管驱动阵列与所述衬底基板之间设有缓冲层。
11.根据权利要求10所述的显示器件,其特征在于,
当在所述衬底基板的显示区域设有薄膜晶体管驱动阵列,且所述薄膜晶体管驱动阵列与所述衬底基板之间设有用于增加金属层与衬底基板之间的粘附力的缓冲剥离层时,在所述外围线路的远离所述柔性绝缘薄膜的一侧连接有驱动芯片,且所述外围线路的远离所述柔性绝缘薄膜的一侧通过背胶与所述衬底基板的第二表面固定;
当在所述衬底基板的绑定区域处形成用于降低金属层与衬底基板之间的粘附力的剥离层时,在所述外围线路的靠近所述柔性绝缘薄膜的一侧连接有驱动芯片,且所述剥离层通过背胶与所述衬底基板的第二表面固定;
当在所述衬底基板的显示区域设有薄膜晶体管驱动阵列,且所述薄膜晶体管驱动阵列与所述衬底基板之间设有缓冲层时,在所述外围线路的远离所述柔性绝缘薄膜的一侧连接有驱动芯片,且所述外围线路的远离所述柔性绝缘薄膜的一侧通过背胶与所述衬底基板的第二表面固定。
12.根据权利要求11所述的显示器件,其特征在于,
在所述衬底基板的第一表面上设有首层金属层,所述首层金属层包括所述外围线路;在所述首层金属层上覆盖有所述柔性绝缘薄膜,在所述薄膜晶体管驱动阵列上覆盖有绝缘层,其中所述绝缘层部分覆盖所述外围线路,且在所述绝缘层上对应所述外围线路的位置形成有过孔;
在所述柔性绝缘薄膜和所述绝缘层上形成有薄膜晶体管驱动阵列,且所述薄膜晶体管驱动阵列通过所述过孔与所述首层金属层电连接;
或者,
在所述衬底基板的第一表面上形成有金属层,所述金属层包括位于所述显示区域的薄膜晶体管驱动阵列、与所述薄膜晶体管驱动阵列电连接且位于所述绑定区域的外围线路,在所述外围线路上覆盖有所述柔性绝缘薄膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911023617.4A CN110993568B (zh) | 2019-10-25 | 2019-10-25 | 一种显示器件制造方法及显示器件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911023617.4A CN110993568B (zh) | 2019-10-25 | 2019-10-25 | 一种显示器件制造方法及显示器件 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110993568A CN110993568A (zh) | 2020-04-10 |
CN110993568B true CN110993568B (zh) | 2023-06-20 |
Family
ID=70082368
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911023617.4A Active CN110993568B (zh) | 2019-10-25 | 2019-10-25 | 一种显示器件制造方法及显示器件 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110993568B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI737325B (zh) * | 2020-06-01 | 2021-08-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置及其框體 |
CN112599535A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-04-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN114038869B (zh) * | 2021-05-14 | 2023-01-13 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 显示面板、显示背板及其制作方法 |
CN113437088B (zh) * | 2021-06-09 | 2022-10-04 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
WO2022267044A1 (zh) * | 2021-06-25 | 2022-12-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 驱动基板、发光装置及其制备方法、拼接显示装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108597378A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性基板及其制作方法、显示装置 |
CN109494237A (zh) * | 2017-09-12 | 2019-03-19 | 上海和辉光电有限公司 | 一种柔性显示面板及其制作方法、柔性显示装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101458901B1 (ko) * | 2008-04-29 | 2014-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 장치의 제조 방법 |
CN104362263A (zh) * | 2014-10-31 | 2015-02-18 | 华南理工大学 | 用于柔性显示器件制备的柔性薄膜衬底与基板分离工艺 |
CN104716081B (zh) * | 2015-03-26 | 2017-09-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性装置及其制作方法 |
KR20180033375A (ko) * | 2016-09-23 | 2018-04-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP2018132539A (ja) * | 2017-02-13 | 2018-08-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102315544B1 (ko) * | 2017-04-26 | 2021-10-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN107845741B (zh) * | 2017-10-23 | 2019-05-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性基板剥离方法及柔性基板 |
CN107894681A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-04-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、其制作方法及显示面板 |
-
2019
- 2019-10-25 CN CN201911023617.4A patent/CN110993568B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109494237A (zh) * | 2017-09-12 | 2019-03-19 | 上海和辉光电有限公司 | 一种柔性显示面板及其制作方法、柔性显示装置 |
CN108597378A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性基板及其制作方法、显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110993568A (zh) | 2020-04-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110993568B (zh) | 一种显示器件制造方法及显示器件 | |
US10080281B2 (en) | Display apparatus and method for manufacturing the same | |
US11778848B2 (en) | Flexible display panel, touch display module, and display device | |
US10658436B2 (en) | Organic light emitting display device to implement narrow bezel and thin thickness | |
US11114632B2 (en) | Display panels and methods for manufacturing the same | |
JP6364061B2 (ja) | フレキシブルディスプレイ装置 | |
CN109638058B (zh) | 柔性显示装置的制作方法及柔性显示装置 | |
CN109147564B (zh) | 显示面板、显示装置及显示面板制作方法 | |
KR102161326B1 (ko) | 방습 구조체 및 표시 장치 | |
WO2019085170A1 (zh) | 拼接显示器及其制造方法 | |
TWI615952B (zh) | 顯示裝置及其製造方法 | |
US10416509B2 (en) | Display panel, electronic device, and display panel fabrication method | |
KR102424969B1 (ko) | 표시장치 및 그 제조방법 | |
TW200606508A (en) | Bonding method of flexible film and display bonded thereby | |
US11016322B2 (en) | Method for attaching display panel and method for manufacturing display apparatus | |
US11541644B2 (en) | Display module | |
WO2020103241A1 (zh) | 一种oled显示器 | |
US20120241774A1 (en) | Display module and manufacturing method thereof | |
CN113436530A (zh) | 显示模组及其制作方法、显示装置 | |
US20230292478A1 (en) | Display device | |
US11429159B2 (en) | Tape structure and the display panel and display device utilizing the tape structure | |
US11964464B2 (en) | Tape, vehicle-mounted display module and vehicle-mounted display device | |
KR20040006894A (ko) | 액정표시장치 제조방법 | |
KR20170137690A (ko) | 플렉서블 표시장치 | |
JP6580753B2 (ja) | 表示パネルの取付方法および表示装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |